JP2015199244A - Dielectric film, film capacitor, and dielectric film manufacturing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、誘電体フィルム、フィルムコンデンサ及び誘電体フィルムの製造装置に関する。 The present invention relates to a dielectric film, a film capacitor, and a dielectric film manufacturing apparatus.
フィルムコンデンサは、誘電体フィルムにアルミニウム等の金属の箔又は金属の蒸着膜が重ねられた積層フィルムを備え、このような積層フィルムが、さらに、重層ないし捲回されて多層状の構造となるように製造されることが多い。このような積層フィルムを構成するフィルムコンデンサ用の誘電体フィルム材料としては、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)等が一般に採用されてきた。 The film capacitor includes a laminated film in which a metal foil such as aluminum or a metal deposited film is laminated on a dielectric film, and such a laminated film is further laminated or wound to form a multilayer structure. Are often manufactured. As a dielectric film material for a film capacitor constituting such a laminated film, polypropylene (PP), polyethylene terephthalate (PET), polyphenylene sulfide (PPS) and the like have been generally employed.
これらの誘電体フィルム材料は、比誘電率が2.5〜3程度と低いため、フィルムコンデンサの大容量化を実現するにあたっては、誘電体フィルムの膜厚を薄くすることが求められる。ところが、薄膜の誘電体フィルムは、生産が困難であったり、絶縁性能が低かったりする等の課題を抱えており、必ずしも誘電体フィルムの薄膜化は容易ではないのが現状である。さらに、近年では、フィルムコンデンサの小型化の要求も高まっており、誘電体フィルム材料の誘電率を向上させる根本的な対処が求められるようになっている。 Since these dielectric film materials have a low relative dielectric constant of about 2.5 to 3, it is required to reduce the film thickness of the dielectric film in order to increase the capacity of the film capacitor. However, thin dielectric films have problems such as difficulty in production and poor insulation performance, and it is not always easy to reduce the thickness of dielectric films. Further, in recent years, there has been an increasing demand for miniaturization of the film capacitor, and a fundamental countermeasure for improving the dielectric constant of the dielectric film material has been demanded.
誘電体フィルム材料の誘電率を向上させる技術としては、誘電体フィルム材料として、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)等の高誘電率を有するフッ素系樹脂材料を用いる技術が注目されている。しかしながら、このように誘電体フィルム材料の誘電率を向上させると、一般的には、誘電正接の損失(以下、誘電損失という。)が増大する傾向が顕れることになる。そこで、フッ素系樹脂材料のような高誘電率の誘電体フィルム材料における、誘電損失を低減する手段として、PVDF系共重合体からなる高誘電率高分子の主鎖に、ポリエチルメタクリレート(PEMA)系重合体等からなる低誘電率高分子を側鎖としてグラフト重合した複合高分子材料を用いる方法が検討されている(非特許文献1参照)。 As a technique for improving the dielectric constant of a dielectric film material, a technique using a fluorine-based resin material having a high dielectric constant such as polyvinylidene fluoride (PVDF) as a dielectric film material has attracted attention. However, when the dielectric constant of the dielectric film material is improved in this way, generally, a tendency of increasing loss of dielectric loss tangent (hereinafter referred to as dielectric loss) appears. Therefore, as a means for reducing dielectric loss in a dielectric film material having a high dielectric constant such as a fluorine resin material, polyethyl methacrylate (PEMA) is added to the main chain of a high dielectric constant polymer made of a PVDF copolymer. A method using a composite polymer material obtained by graft polymerization using a low dielectric constant polymer made of a polymer or the like as a side chain has been studied (see Non-Patent Document 1).
フィルムコンデンサの大容量化を図るためには、電圧耐性を確保することを加味して、誘電率の増大と誘電正接の損失の低減を両立させる対処が必要となる。非特許文献1においては、誘電体フィルムにおける誘電損失を抑制する手段が検討されているものの、より高い誘電率を示すと共に、さらに誘電損失が低減された誘電体フィルムが求められている。 In order to increase the capacity of the film capacitor, it is necessary to take measures to achieve both an increase in dielectric constant and a reduction in loss of dielectric loss tangent in consideration of ensuring voltage resistance. In Non-Patent Document 1, although means for suppressing dielectric loss in a dielectric film has been studied, there is a demand for a dielectric film that exhibits a higher dielectric constant and further reduced dielectric loss.
そこで、本発明は、誘電率の増大と誘電損失の低減を両立した誘電体フィルム、フィルムコンデンサ及び誘電体フィルムの製造装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a dielectric film, a film capacitor, and a dielectric film manufacturing apparatus that achieve both increase in dielectric constant and reduction in dielectric loss.
前記課題を解決するために本発明に係る誘電体フィルムは、周波数1kHzにおける比誘電率が4.0以上である高誘電率高分子を主鎖とし、前記高誘電率高分子よりも比誘電率が小さい低誘電率高分子を側鎖とする分枝状高分子を含んでなる誘電体層と、前記高誘電率高分子を主鎖とする直鎖状高分子を含んでなる配向誘導層とを含んでなり、前記誘電体層に含まれる分枝状高分子と、前記配向誘導層に含まれる直鎖状高分子とが、沿層方向に沿って一軸配向していることを特徴とする。 In order to solve the above problems, the dielectric film according to the present invention has a high dielectric constant polymer having a relative dielectric constant of 4.0 or more at a frequency of 1 kHz as a main chain, and has a relative dielectric constant higher than that of the high dielectric constant polymer. A dielectric layer comprising a branched polymer having a low dielectric constant polymer having a small side chain as a side chain, and an alignment-inducing layer comprising a linear polymer having the high dielectric constant polymer as a main chain; The branched polymer contained in the dielectric layer and the linear polymer contained in the orientation-inducing layer are uniaxially oriented along the layering direction. .
また、本発明に係るフィルムコンデンサは、周波数1kHzにおける比誘電率が4.0以上である高誘電率高分子を主鎖とし、前記高誘電率高分子よりも比誘電率が小さい低誘電率高分子を側鎖とする分枝状高分子を含んでなる誘電体層と、前記高誘電率高分子を主鎖とする直鎖状高分子を含んでなる配向誘導層と、前記誘電体層と配向誘導層とを含んでなり、前記誘電体層に含まれる分枝状高分子と、前記配向誘導層に含まれる直鎖状高分子とが、沿層方向に沿って一軸配向している誘電体フィルムと、前記誘電体フィルムに電気的に接続された一対の第1電極及び第2電極とを備えることを特徴とする。 The film capacitor according to the present invention has a high dielectric constant polymer having a relative dielectric constant of 4.0 or more at a frequency of 1 kHz as a main chain, and has a low dielectric constant and a high relative dielectric constant smaller than that of the high dielectric constant polymer. A dielectric layer comprising a branched polymer having a molecule as a side chain; an alignment-inducing layer comprising a linear polymer having a high dielectric constant polymer as a main chain; and the dielectric layer; A dielectric layer comprising a branching polymer contained in the dielectric layer and a linear polymer contained in the orientation-inducing layer uniaxially oriented along the layering direction. And a pair of first and second electrodes electrically connected to the dielectric film.
また、本発明に係る誘電体フィルムの製造装置は、高誘電率高分子を主鎖とし、低誘電率高分子を側鎖とする分枝状高分子を含んでなる誘電体層と、前記高誘電率高分子を主鎖とする直鎖状高分子を含んでなる配向誘導層とを含んでなり、前記誘電体層に含まれる分枝状高分子と、前記配向誘導層に含まれる直鎖状高分子とが、沿層方向に沿って一軸配向している誘電体フィルムを製造する誘電体フィルム製造装置であって、前記直鎖状高分子を含んでなる塊状体を基板に圧着させる押圧手段と、前記圧着させた基板を掃引して、前記直鎖状高分子が沿層方向に沿って一軸配向した前記配向誘導層を形成する掃引手段と、前記配向誘導層の表面に前記分枝状高分子を湿式塗布して、前記分枝状高分子が前記直鎖状高分子と同方向に一軸配向した前記誘電体層を形成する塗布手段とを備えることを特徴とする。 The dielectric film manufacturing apparatus according to the present invention includes a dielectric layer comprising a branched polymer having a high dielectric constant polymer as a main chain and a low dielectric constant polymer as a side chain; An alignment-inducing layer comprising a linear polymer having a dielectric constant polymer as a main chain, the branched polymer contained in the dielectric layer, and the linear polymer contained in the alignment-inducing layer A dielectric film manufacturing apparatus that manufactures a dielectric film in which a linear polymer is uniaxially oriented along the layering direction, and presses the block including the linear polymer onto the substrate Means for sweeping the pressure-bonded substrate to form the alignment-inducing layer in which the linear polymer is uniaxially oriented along the layering direction; and the branch on the surface of the alignment-inducing layer. The branched polymer is uniaxially oriented in the same direction as the linear polymer. Characterized in that it comprises a coating means for forming the dielectric layer.
本発明によれば、誘電率の増大と誘電損失の低減を両立した誘電体フィルム、フィルムコンデンサ及び誘電体フィルムの製造装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a dielectric film, a film capacitor, and a dielectric film manufacturing apparatus that achieve both increase in dielectric constant and reduction in dielectric loss.
以下、本発明の一実施形態に係る誘電体フィルム、フィルムコンデンサ及び誘電体フィルムの製造装置について説明する。 Hereinafter, a dielectric film, a film capacitor, and a dielectric film manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.
図1は、本発明の一実施形態に係る誘電体フィルムを示す概略図である。(a)は誘電体フィルムの層構成を示す断面図、(b)は誘電体層の状態を示す概念図、(c)は配向誘導層の状態を示す概念図である。 FIG. 1 is a schematic view showing a dielectric film according to an embodiment of the present invention. (A) is sectional drawing which shows the layer structure of a dielectric film, (b) is a conceptual diagram which shows the state of a dielectric material layer, (c) is a conceptual diagram which shows the state of an orientation induction layer.
本実施形態に係る誘電体フィルム1は、図1に示すように、配向誘導層12と、誘電体層13とを備えている。図1では、一対の電極を構成する第1電極層11と、第2電極層14との間に、配向誘導層12と、強誘電性の高分子材料を誘電体として含む誘電体層13とが挟まれた積層構造が示されている。本実施形態に係る誘電体フィルム1は、誘電体層13に含まれる高分子材料を配向させるために、配向誘導層12を誘電体層13の下地として形成している点に特徴を有している。なお、誘電体フィルム1は、図1に示されるような、単層の配向誘導層12と単層の誘電体層13とからなる2層構成に限られず、配向誘導層12と誘電体層13との積層構造が複数繰り返し積層されてなる複数層構成とされてもよい。
As shown in FIG. 1, the dielectric film 1 according to the present embodiment includes an
誘電体層13は、高誘電体である分枝状高分子15を主成分として含む層となっている。分枝状高分子15は、比誘電率が高い高誘電率高分子16を主鎖とし、主鎖を構成する高誘電率高分子16よりも比誘電率が小さい低誘電率高分子17を側鎖として有している。誘電体層13においては、主として、主鎖を構成する高誘電率高分子16の作用によって、誘電率の増大を図る一方で、側鎖を構成する低誘電率高分子17の作用によって、誘電損失の低減を図っている。
The
高誘電率高分子16は、電気双極子モーメントを有する単量体が重合してなる重合体であって、電界の印加によって単量体単位で分子回転し、各電気双極子モーメントが略同方向に配向するように分極することで高い比誘電率を示す高分子である。この高誘電率高分子16は、分枝状高分子15の主鎖骨格を構成する分子鎖であり、側鎖として、グラフト重合された低誘電率高分子17からなる分枝を有している。誘電体フィルム1の誘電体層13は、このような分枝状高分子15の主鎖の高誘電率高分子16が、図1(b)に示すように、誘電体層15の沿層方向に沿って一軸配向するように形成される。
The high dielectric
ここで、高誘電率高分子16を主鎖とし、低誘電率高分子17を側鎖として有する分枝状高分子15を誘電体層13の主成分とし、この分枝状高分子15を一軸配向させる理由について説明する。
Here, a
図2は、本実施形態に係る誘電体フィルムに含まれる分岐状高分子の配向状態及び分極状態の概念図である。図2では、誘電体フィルムを構成する誘電体層13において生じる誘電分極の概念を、ポリフッ化ビニリデンを例にとって示している。
FIG. 2 is a conceptual diagram of the orientation state and the polarization state of the branched polymer contained in the dielectric film according to this embodiment. In FIG. 2, the concept of dielectric polarization generated in the
分岐状高分子15は、図2(a)に示すように、高誘電率高分子16であるポリフッ化ビニリデンからなる主鎖構造を有しており、この主鎖構造には、不図示の低誘電率高分子17からなる側鎖が結合した分子構造を有している。なお、図2(a)においては、不図示の低誘電率高分子17が存在し得る領域を破線で示している。分岐状高分子15を構成する単量体のフッ化ビニリデン(−[CH2−CF2]−)は、図2(a)に矢印で示すように、主鎖が配向する方向に対して略直交する成分を含む双極子モーメント(電気双極子モーメント、永久双極子モーメント)を有している。
As shown in FIG. 2A, the
一般に、ポリフッ化ビニリデンは、互いに異なる複数の結晶構造をとることが知られている。ポリフッ化ビニリデンは、分子単独状態では、通常、α相(II型)の結晶構造となるが、α相においては、隣接する単量体同士の間で双極子モーメントが略反対方向に配向することになるため、比誘電率は3〜4程度と低い値を示す。その一方で、分子集合状態では、所定の処理を行うことによって、図2(a)に示すようなβ相(I型)の結晶構造を形成させることが可能である。β相においては、単量体の双極子モーメントが略同方向に配向することになるため、分極が大きい状態となる。よって、このような高誘電率高分子16によって分岐状高分子15の主鎖骨格を構成し、主鎖を適切に配向させることによって、主鎖に対して略直交する方向の分極を増大させることが可能となる。すなわち、誘電体フィルム1における誘電体層13の沿層方向に沿って、分枝状高分子15の主鎖の高誘電率高分子16を一軸配向させることで、誘電率の増大を図ることができ、フィルムコンデンサを大容量化することができる。
Generally, it is known that polyvinylidene fluoride has a plurality of crystal structures different from each other. Polyvinylidene fluoride usually has an α-phase (type II) crystal structure in the molecular single state, but in the α-phase, the dipole moment is oriented in the opposite direction between adjacent monomers. Therefore, the relative dielectric constant shows a low value of about 3-4. On the other hand, in the molecular assembly state, it is possible to form a β phase (I type) crystal structure as shown in FIG. In the β phase, the dipole moment of the monomer is oriented in substantially the same direction, so that the polarization is large. Therefore, by forming the main chain skeleton of the branched
一方、誘電体フィルム1における誘電損失については、分極の残留による影響が強く表れることになる。図2(a)に示されるような高誘電率高分子16の分極状態は、単結合周りの分子回転による復極動作によって解消され得るものである。分極領域の上面と下面に表面電荷が現れると、これらが形成する電場が復極力として働くため、分極領域が電極に接するような場合には、表面電荷が電極電荷によって相殺されてしまう。この場合には、復極力が生じないために分極が残留することになり、誘電体ヒステリシスが生じて、誘電損失の増大を招く。そこで、分岐状高分子15の側鎖として低誘電率高分子17を導入することによって、分極領域を細分化し、表面電荷が電極電荷によって相殺され難くなるようにすることで、誘電損失の低減を図ることが可能となる。
On the other hand, the dielectric loss in the dielectric film 1 is strongly influenced by the residual polarization. The polarization state of the high dielectric
但し、このような低誘電率高分子17を大量に導入すると、分枝状高分子15の誘電率は大きく低下してしまうことになる。よって、低誘電率高分子17の導入を抑えつつ、誘電損失を低減するために、分極領域サイズを縮小することが求められる。復極力は分極領域サイズに反比例することから、分極領域サイズを縮小することによって復極力が確保されるためである。一般には、分岐状高分子15をフィルム化して分子集合とした場合には、分枝状高分子15が、結晶質領域と非晶質領域が混在したラメラ構造を呈することが多く、分極領域サイズが大きく不均一な構造となることが多い。したがって、図2(b)に示すように、分岐状高分子15を、主鎖を構成する高誘電率高分子16が一軸方向に配向するように配列させて分子集合とすることによって、分極領域サイズを縮小させると、誘電率の増大と誘電損失の低減の両立を高い水準で実現することができるようになる。
However, when such a low dielectric
高誘電率高分子16としては、室温下(25℃)において測定される周波数1kHzにおける比誘電率が4.0以上である高分子を用いることができる。このような比誘電率が高い高誘電率高分子16を誘電体層13に含ませることによって、誘電体フィルム1の誘電率を増大させ、容量を大きく向上させることができる。なお、高誘電率高分子16としては、比誘電率が5.0以上である高分子がより好ましい。また、高誘電率高分子16の数平均重合度は、300以上100000以下が好ましく、800以上50000以下程度がより好ましい。
As the high dielectric
高誘電率高分子16としては、具体的には、例えば、フッ素系高分子(フッ素樹脂)、ナイロン、尿素樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリウレタン、ポリエステル、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの高分子材料には、必要に応じて極性基を導入することで、所望の誘電性を付与すればよい。高誘電率高分子16としては、これらの中でも、フッ素系高分子が好ましい。高誘電率高分子16としてフッ素系高分子を用いることによって、質量あたりの誘電率を向上させることができる。高誘電率高分子16は、二種以上を併用してもよいが、一種を単独で用いることがより好ましい。
Specific examples of the high dielectric
高誘電率高分子16を構成する単量体としては、フッ素系高分子については、例えば、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン等のフルオロオレフィンや、エチレン、プロピレン等のオレフィンや、パーフルオロアルキルビニルエーテル等が挙げられる。すなわち、高誘電率高分子16としては、例えば、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリフッ化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、単量体としてフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとを含むフッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン二元共重合体、単量体としてフッ化ビニリデンとトリフルオロエチレンとテトラフルオロエチレンとを含むフッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン−テトラフルオロエチレン三元共重合体、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、フッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)等を主鎖骨格とするものが挙げられる。
As the monomer constituting the high dielectric
高誘電率高分子16としては、これらの中でも、フッ化ビニリデンを単量体としたポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデンを主たる単量体として含むと共に他の単量体をも含むフッ化ビニリデン系共重合体が好ましく、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン二元共重合体がより好ましい。このようなフッ化ビニリデンを単量体とした高分子を用いることによって、誘電率をより大きく向上させることができる。また、外部電圧印加時の残留分極を低減することができるため、誘電損失を有効に低減することができる。
Among these, the high dielectric
誘電体層13における高誘電率高分子16については、高誘電率高分子16を構成する単量体として、前記の例示された単量体の誘導体を併用することが好ましい。反応性基を有する誘導体を反応点として、高誘電率高分子16の主鎖に側鎖を導入するためである。反応性基を有する誘導体としては、例えば、クロロフルオロエチレン、クロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ブロモフルオロエチレン、ブロモジフルオロエチレン、ブロモトリフルオロエチレン等が挙げられる。このようなハロゲン化アルキルを併用することによって、主鎖に側鎖をグラフト重合させるためのラジカル反応点を形成することができる。
As for the high dielectric
低誘電率高分子17としては、分枝状高分子15の主鎖を構成する前記の高誘電率高分子16に側鎖として結合する高分子であって、結合する高誘電率高分子16よりも比誘電率が小さい高分子が用いられる。このような比誘電率が小さい低誘電率高分子17を側鎖として導入することによって、前記のとおり誘電損失の低減を図ることができる。
The low dielectric
低誘電率高分子17としては、室温下(25℃)において測定される周波数1kHzにおける比誘電率が4.0未満である高分子を用いることが好ましく、比誘電率が3.0未満である高分子を用いることがより好ましい。また、高誘電率高分子16との相溶性が高い高分子が好ましく、低誘電率高分子17の比率は、主鎖の高誘電率高分子16に対して、30質量%以下が好ましく、20質量%前後であることがより好ましい。このような比誘電率が低く、高誘電率高分子16との相溶性が高い高分子を用いることによって、分極領域を有効に細分化することができ、誘電損失が確実に低減されるようになる。
As the low dielectric
低誘電率分子17としては、具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類や、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリエチルメタクリレート(PEMA)、ポリブチルメタクリレート等のポリメタクリレート類や、ポリメチルアクリレート、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート等のポリアクリレート類や、ポリスチレン(PS)、ポリビニルトルエン等のポリビニル類が挙げられる。低誘電率高分子17としては、これらの中でも、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート又はポリスチレンが好ましい。低誘電率高分子17としてこれらの高分子を用いることによって、誘電損失を有効に低減することができる。低誘電率高分子17は、二種以上を併用してもよいが、一種を単独で用いることがより好ましい。また、低誘電率高分子17は、単独重合体であっても、共重合体であってもよいが、単独重合体が好ましい。
Specific examples of the low dielectric
ここで、このような構成を有する誘電体層13の下地として、配向誘導層12を形成する理由について説明する。
Here, the reason why the
図3は、比較例に係る誘電体フィルムを示す概略図である。(a)は誘電体フィルムの層構成を示す断面図、(b)は誘電体層の状態を示す概念図である。比較例に係る誘電体フィルム100は、図3(a)に示すように、一対の電極を構成する第1電極層11と、第2電極層14との間に、誘電体層113のみが挟まれた構造を有している。
FIG. 3 is a schematic view showing a dielectric film according to a comparative example. (A) is sectional drawing which shows the layer structure of a dielectric film, (b) is a conceptual diagram which shows the state of a dielectric material layer. In the
前記のとおり、比誘電率が高い高誘電率高分子16を主鎖とし、主鎖を構成する高誘電率高分子16よりも比誘電率が小さい低誘電率高分子17を側鎖とした分岐状高分子15を誘電体層113に用い、主鎖の高誘電率高分子16が、一軸方向に配向した分子集合となるように形成することによって、誘電率の増大と、誘電損失の低減の両立を図ることができる。しかしながら、誘電体フィルムの製造工程において、このような側鎖を有する分枝状高分子15の分子集合を形成させるのは容易ではなく、図3(b)に示す比較例に係る誘電体フィルム100のように、分枝状高分子15の主鎖の高誘電率高分子16が、複数軸の方向に配向した状態となることが多い。このような誘電体フィルム100では、分極領域サイズが大きく、分子回転における立体障害を生じ易くなって、復極動作に際して分極の残留が解消され難くなる。そこで、本実施形態に係る誘電体フィルム1では、誘電体層13の下地として配向誘導層12をあらかじめ形成し、配向誘導層12によって、誘電体層13の分枝状高分子15が良好に一軸方向に配向誘導されるようにしている。
As described above, a branch having a high dielectric
配向誘導層12は、強誘電体である直鎖状高分子18を主成分として含む層とする。直鎖状高分子18は、高分子からなる側鎖を有さない直鎖状の高誘電率高分子であって、前記の分枝状高分子15のように側鎖として低誘電率高分子17を有するグラフト重合体とは異なる高分子である。誘電体フィルム1の配向誘導層12は、このような直鎖状高分子18が、図1(c)に示すように、配向誘導層12の沿層方向に沿って一軸配向するように形成される。配向誘導層12において、このような立体障害が少ない直鎖状高分子18を用いることによって、配向を誘導する高分子が良好に一軸配向した配向誘導層12を形成し易くすると共に、主鎖が高誘電率高分子である直鎖状高分子18によって、誘電率の増大も図っている。
The alignment-inducing
このような配向誘導層12上に誘電体層13を形成すると、図1(b)及び(c)に示されるように、配向誘導層12において沿層方向に一軸配向している直鎖状高分子18と同一の方向に、分枝状高分子16が配向するようになる。そして、誘電体層13に含まれる分枝状高分子15と、配向誘導層12に含まれる直鎖状高分子18とが、沿層方向に沿って同一方向に一軸配向している誘電体フィルム1が形成される。そして、誘電体フィルム1の誘電体層13では、図1(b)に示すように、低誘電率高分子17が、一軸配向した隣り合う分枝状高分子15同士の間に介在するように所定の間隔を保って分散した状態となるため、分極領域が適切に細分化され、誘電損失を有効に低減させることができるようになる。
When the
直鎖状高分子18としては、前記の分枝状高分子15の主鎖を構成する高誘電率高分子16として用いられる高分子と同種の群から選択されるものを用いることができる。具体的には、フッ素系高分子が好ましく、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン二元共重合体又はフッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン−テトラフルオロエチレン三元共重合体がより好ましい。また、直鎖状高分子18は、誘電体層13に含まれる分枝状高分子15の主鎖を構成する高誘電率高分子16と同種の高分子とすることがより好ましい。
As the
第1電極層11及び第2電極層14は、金属が蒸着されることによって形成される薄膜状の電極層であっても、金属箔であってもよい。第1電極層11及び第2電極層14を構成する金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、銅、錫、これらの合金等が挙げられ、アルミニウム又はアルミニウム合金が好適に用いられる。
The
次に、前記の誘電体フィルム1の製造方法及び誘電体フィルム製造装置について説明する。 Next, a method for manufacturing the dielectric film 1 and a dielectric film manufacturing apparatus will be described.
図4は、本実施形態に係る誘電体フィルム製造装置の構成を示す概略図である。 FIG. 4 is a schematic view showing the configuration of the dielectric film manufacturing apparatus according to this embodiment.
誘電体フィルム製造装置50は、図4に示すように、主に、押圧手段51と、掃引手段52,53と、塗布手段54とを備えている。
As shown in FIG. 4, the dielectric
押圧手段51は、供給されるポリマーペレット(塊状体)を押圧して基材に圧着させる装置である。なお、誘電体フィルム製造装置50には、押圧手段51に対向するように、加熱ステージ55が備えられている。加熱ステージ55によって、搬送されてくる基材が加熱され、この基材に圧着させるポリマーペレットが加熱軟化されるようになっている。基材を加熱する温度は、直鎖状高分子18の融点以下であることが好ましく、例えば、130℃以下とすることが好ましい。このような温度範囲であれば、直鎖状高分子18の変質を避けることができ、精度が良好な掃引を行うことができる。
The pressing means 51 is a device that presses the supplied polymer pellets (blocks) and presses them against the base material. The dielectric
ポリマーペレットとしては、直鎖状高分子18を成形したポリマーペレットを供給する。直鎖状高分子18(直鎖状高分子18の主鎖の高誘電率高分子)は、高分子の種類に応じて、適宜の重合方法を用いて合成することができる。重合方法としては、例えば、乳化重合法、懸濁重合法、溶液重合法等のラジカル重合法が挙げられる。基材としては、圧着荷重に耐える適宜の金属基板、無機基板、樹脂基板等を用いることができるが、配向に適したガラス基板を用いることが好ましい。
As the polymer pellets, polymer pellets obtained by molding the
掃引手段52,53は、押圧手段51による押圧の方向と略垂直方向に基材を掃引して、直鎖状高分子18が沿層方向に沿って一軸配向した配向誘導層12を形成する装置である。掃引手段52,53は、基材が載置される可動体52と、可動体52の移動を駆動する駆動機構53とからなっている。例えば、可動体52を、スラット、ベルト、ローラ等で構成し、駆動機構53が回動して、このような可動体52を順次移動させるように装置を構成する。なお、この誘電体フィルム製造装置50では、掃引手段52,53が、基材や誘電体フィルムを各工程に順次搬送する機能も有している。
The sweeping means 52, 53 sweeps the substrate in a direction substantially perpendicular to the direction of pressing by the pressing means 51, and forms the alignment-inducing
誘電体フィルム1の製造においては、押圧手段51によって、直鎖状高分子18を含んでなるポリマーペレットを搬送されてくる基材に圧着させる。そして、基材に圧着させたポリマーペレットは、加熱ステージ55による加熱で、軟化状態ないし溶融状態となる。そこで、掃引手段52,53によって、直鎖状高分子18を含んでなる半溶融状態のポリマーペレットが圧着された基材を掃引し、摩擦転写法を利用して配向誘導層12を形成する。このように、配向誘導層12の形成手段として摩擦転写法を採用することによって、直鎖状高分子18が沿層方向に沿って良好に一軸配向した配向誘導層12を形成することが可能となる。また、この誘電体フィルム製造装置50では、掃引手段52,53が、基材や誘電体フィルムを搬送する機能も有しているため、ロールツーロール形式による誘電体フィルムの製造も可能である。なお、掃引速度や圧着荷重は、適宜調整して実施することができる。配向誘導層12の膜厚は、10nm以上あれば配向誘導を行わせることが可能である。
In the production of the dielectric film 1, the pressing means 51 pressure-bonds the polymer pellets containing the
塗布手段54は、配向誘導層12の表面に分枝状高分子15を湿式塗布して、分枝状高分子15が直鎖状高分子18と同方向に一軸配向した誘電体層13を形成する装置である。塗布手段54としては、スロットダイコータ、ブレードコータ、バーコータ、ロールコータ、グラビアコータ等の公知の湿式塗布装置を用いることができる。
The coating means 54 wet-coats the branched
分枝状高分子15は、前記の直鎖状高分子18と同様の重合方法で合成した主鎖の高誘電率高分子16に、側鎖の低誘電率高分子17をグラフト重合させることによって合成することができる。グラフト重合の方法としては、リビングラジカル重合を用いることが好ましく、CuCl/ビピリジン錯体等の遷移金属錯体触媒を用いて行う原子移動ラジカル重合法(ATRP法)を用いることが特に好ましい。具体的には、非特許文献1に記載の方法を適用することもできる。分枝状高分子15の溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミド、ジエチルカーボネート、2−ペンタノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、シクロヘキサノン等、高分子の種類に応じて適宜の溶媒を用いることができる。
The branched
誘電体フィルム1の製造においては、塗布手段54によって、配向誘導層12の表面に分枝状高分子15を湿式塗布することによって、分枝状高分子15の配向が、配向誘導層12において沿層方向に沿って一軸配向した直鎖状高分子18と、同一の方向に誘導されて、誘電体層13に含まれる分枝状高分子15と、配向誘導層12に含まれる直鎖状高分子18とが、沿層方向に沿って同一の方向に一軸配向している誘電体フィルム1が製造される。なお、湿式塗布された誘電体層13は、適宜の雰囲気下乾燥させることができ、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気、空気中等の酸化性ガス雰囲気のいずれで溶媒除去を行ってもよい。
In the production of the dielectric film 1, the branched
誘電体フィルム製造装置50は、さらに、分極化手段、延伸手段及び多層フィルム形成手段の少なくとも一つを備えるようにしてもよい。分極化手段は、電場印加装置や、磁場印加装置等で構成される。このような分極化手段によって、加温された雰囲気下、誘電体フィルムに電場又は磁場を印加することで、誘電体フィルム1に含まれる高誘電率高分子16を分極状態とさせることができる。特に、分枝状高分子15を、β相の結晶構造にすることによって、双極子モーメントが沿層方向に垂直な方向に配向して分極が最大化されることになる。また、延伸手段によって、誘電体フィルム1を、さらに沿層方向に一軸延伸処理することによって、誘電体層13に含まれる分枝状高分子15や、配向誘導層12に含まれる直鎖状高分子18を、より良好に配向させることができ、誘電損失を有効に低減することができる。また、多層フィルム形成手段に備えられるフィードブロックやマルチマニホールドに形成された誘電体フィルム1を供給して多層化することによって、誘電体フィルム1を厚膜化することができる。なお、誘電体フィルム製造装置50は、前記の押圧手段51に代えて、ポリマーペレットを押圧して基材に圧着させる装置が基材に対して移動することによって、掃引が行われるように構成したり、前記の塗布手段52に代えて、スピンコータ等によって静止状態で塗布が行われるように構成してもよい。
The dielectric
また、誘電体フィルム製造装置50は、さらに、電極形成手段を備えるようにしてもよい。電極形成手段は、電極を蒸着形成する蒸着装置等で構成される。このような電極形成手段によって、誘電体フィルム1の表面に第1電極層11や第2電極層14を形成した後、この誘電体フィルム1を捲回し、外部電極を接続して筺体に収納することで、誘電体フィルム1と、誘電体フィルム1に電気的に接続された一対の第1電極及び第2電極とを備えるフィルムコンデンサ64とすることができる。
The dielectric
図5は、本実施形態に係るフィルムコンデンサを適用した変換器のサイズを、比較例に係るフィルムコンデンサを備えた電力変換器のサイズと比較した概略図である。 FIG. 5 is a schematic diagram comparing the size of the converter to which the film capacitor according to the present embodiment is applied with the size of the power converter having the film capacitor according to the comparative example.
図5には、本実施形態に係る誘電体フィルム1を備えるフィルムコンデンサ64を適用した電力変換器(インバータ)60と、従来のポリプロピレン等を採用したフィルムコンデンサ61(比較例に係るフィルムコンデンサ)を備えた電力変換器160とが示されている。なお、電力変換器60及び電力変換器160は、それぞれ共通のパワーモジュール62と配電基板63とを備えている。
FIG. 5 shows a power converter (inverter) 60 to which a
図5に示すように、使用電圧が1kVを超えるような従来の電力変換器160では、全体積の70%近くをフィルムコンデンサ61が占めている。これに対して、本実施形態に係る誘電体フィルム1を備えるフィルムコンデンサ64を適用した電力変換器60では、コンデンサの体積を約1/5に小型化することができ、コンデンサの冷却系も小型化することが可能となる。ひいては、このような電力変換器60で構成されるMMC(モジュラーマルチレベルコンバータ)を大幅に小型化することができ、発電設備等の設置コストの低減に好適である。
As shown in FIG. 5, in the
以下、本発明の実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲はこれに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using the Example of this invention, the technical scope of this invention is not limited to this.
配向誘導層12上に誘電体層13を形成した実施例に係る誘電体フィルム1を製造し、高分子の配向状態を解析した。また、実施例に係る誘電体フィルム1について比誘電率と誘電損失とを評価した。
The dielectric film 1 according to the example in which the
[実施例]
はじめに、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン二元共重合体高分子P(VDF−TrFE)(70/30mol%:ピエゾテック製)からなる粉末を圧縮してポリマーペレットを作製した。続いて、作製したポリマーペレットを、P(VDF−TrFE)の融点以下の130℃に加熱したガラス基板上に、摩擦転写することによって配向誘導層12を形成した。なお、摩擦転写には、摩擦転写装置「ホットメルト塗工機115A」(株式会社井元製作所製)を用い、加圧条件は10kgf/cm2、掃引速度は200mm/minとして行った。得られた配向誘導層12の薄膜は、膜厚約10nmであり、ガラス基板表面にP(VDF−TrFE)の主鎖が一軸配向した状態となっていた。なお、高分子の配向状態は、偏光FTIR(フーリエ変換型赤外吸収法)、SEM(走査電子顕微鏡)、TEM(透過電子顕微鏡)の電子線回折、Spring8等を放射光源とした2D−GIXD(極低角入射X線2次元回折法)等を用いて解析した。
[Example]
First, a powder made of vinylidene fluoride-trifluoroethylene binary copolymer polymer P (VDF-TrFE) (70/30 mol%: manufactured by Piezotech) was compressed to prepare polymer pellets. Subsequently, the orientation-inducing
次に、フッ化ビニリデン−トリフルオロエチレン−クロロトリフルオロエチレン三元共重合体高分子P(VDF−TrFE−CTFE)(62/30/8mol%:ピエゾテック製)と、ポリエチルメタクリレート(PEMA)とを、原子移動ラジカル重合法(ATRP法)によってグラフト重合させた。なお、P(VDF−TrFE−CTFE)に対するPEMAの質量比は、20質量%とした。その結果、P(VDF−TrFE−CTFE)を主鎖とし、PEMAを側鎖とする分枝状高分子P(VDF−TrFE−CTFE)−g−PEMAが得られた。続いて、この分枝状高分子15を、3質量%の濃度となるように溶媒のN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)に溶解させて、配向誘導層12上に湿式塗布して、誘電体層13を積層した。なお、配向誘導層12と誘電体層13とを合わせた膜厚は100nmであった。
Next, vinylidene fluoride-trifluoroethylene-chlorotrifluoroethylene terpolymer polymer P (VDF-TrFE-CTFE) (62/30/8 mol%: manufactured by Piezotech), polyethyl methacrylate (PEMA), Was graft polymerized by an atom transfer radical polymerization method (ATRP method). Note that the mass ratio of PEMA to P (VDF-TrFE-CTFE) was 20 mass%. As a result, a branched polymer P (VDF-TrFE-CTFE) -g-PEMA having P (VDF-TrFE-CTFE) as the main chain and PEMA as the side chain was obtained. Subsequently, the branched
次に、誘電体層13における高分子の配向状態を解析した。その結果、配向誘導層13の薄膜の沿層方向に一軸方向に配向しているP(VDF−TrFE)に対して、分枝状高分子P(VDF−TrFE−CTFE)−g−PEMAが、略平行に配列して、共に略同一の方向に一軸配向していることが確認された。また、高誘電率高分子16である主鎖のP(VDF−TrFE−CTFE)同士の間に、低誘電率高分子17である側鎖のPEMAが介在することによって、高誘電率高分子16である主鎖のP(VDF−TrFE−CTFE)は、概ね一定間隔に離れて分散していることが確認された。
Next, the orientation state of the polymer in the
次に、ガラス基板から剥離した誘電体フィルム1の両面に、それぞれ第1電極層11と第2電極層14とを形成した。第1電極層11と第2電極層14とは、アルミニウムを蒸着させることによって、それぞれ厚さ50nmとして形成した。そして、パラメータアナライザ「HP4284A」(ヒューレットパッカード社製)を使用して、室温(25℃)及び100℃において、周波数100Hz、1kHz及び10kHzのそれぞれにおける静電容量を測定し、比誘電率と誘電損失とを求めた。
Next, the
図6は、実施例に係る誘電体フィルム及び比較例に係る誘電体フィルムの誘電率と誘電損失との関係を示す図である。図6における、縦軸は比誘電率、横軸は誘電損失(tanδ)を表している。また、黒丸は、実施例に係る誘電体フィルム、白六角は、配向誘導層を有さない比較例に係る誘電体フィルムを示している。白丸、白三角、白四角は、それぞれ、分枝状高分子を含む誘電体層のみを有する比較例に係る誘電体フィルムであって、いずれも延伸処理及び分極処理を施していないものであり、それぞれ低誘電率高分子の質量比を変えて製造したものである。黒三角は、ポリプロピレンを材料とした参考例に係る誘電体フィルムを示している。 FIG. 6 is a diagram illustrating the relationship between the dielectric constant and dielectric loss of the dielectric films according to the examples and the dielectric films according to the comparative examples. In FIG. 6, the vertical axis represents the relative dielectric constant, and the horizontal axis represents the dielectric loss (tan δ). Moreover, the black circle has shown the dielectric film which concerns on an Example, and the white hexagon has shown the dielectric film which concerns on the comparative example which does not have an orientation induction layer. White circles, white triangles, and white squares are dielectric films according to comparative examples each having only a dielectric layer containing a branched polymer, both of which are not subjected to stretching treatment and polarization treatment, Each is manufactured by changing the mass ratio of the low dielectric constant polymer. The black triangle indicates a dielectric film according to a reference example using polypropylene as a material.
図6に示されるように、各比較例に係る誘電体フィルム毎に、比誘電率と誘電損失は異なる値をとっているが、破線で示すように、いずれも比誘電率と誘電損失とはトレードオフの関係となる傾向を示した。これに対して、実施例に係る誘電体フィルム1では、これらの比較例に係る誘電体フィルムと比較して、比誘電率が10程度の値を実現していながら、誘電損失についても10−3程度に低減されていることが確認された。また、ポリプロピレンを材料とした参考例に係る誘電体フィルムと比較して、誘電損失は高い水準にあるものの、比誘電率は約5倍程度の値を達成していることが確認された。このように、実施例に係る誘電体フィルムは、誘電率の増大と誘電損失の低減を高度に両立していることが認められた。この誘電損失の水準は、例えば、100Hzから1kHzの周波数帯で使用される電力用変換器(インバータ)の用途では、十分に低いものであるといえる。 As shown in FIG. 6, for each dielectric film according to each comparative example, the relative permittivity and the dielectric loss have different values, but as shown by the broken line, both are the relative permittivity and the dielectric loss. The tendency to be a trade-off relationship was shown. On the other hand, in the dielectric film 1 according to the example, compared with the dielectric films according to these comparative examples, the relative dielectric constant is about 10 −3 while realizing a value of about 10 −3. It was confirmed that it was reduced to a certain extent. In addition, it was confirmed that although the dielectric loss was at a high level as compared with the dielectric film according to the reference example using polypropylene as a material, the relative dielectric constant achieved a value of about 5 times. As described above, it was confirmed that the dielectric films according to the examples were highly compatible with increase in dielectric constant and reduction in dielectric loss. This dielectric loss level can be said to be sufficiently low, for example, in the application of a power converter (inverter) used in a frequency band from 100 Hz to 1 kHz.
1 誘電体フィルム
11 第1電極層
12 配向誘導層
13 誘電体層
14 第2電極層
15 分枝状高分子
16 高誘電率高分子
17 低誘電率高分子
18 直鎖状高分子
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