JP2015192019A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板周縁部のエッチング等の処理を、狭い処理幅かつ高い幅精度にて行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の処理液供給ノズル５０及び対応する複数の吸引流路６０がケーシング４０内に配設されている。保持回転機構３により基板Ｗが保持回転され、基板Ｗケーシング４０が移動機構９により基板Ｗの周縁部処理のため所定位置に配置され、複数の処理液供給ノズル５０から処理液が基板Ｗ周縁部へ供給される。処理液供給ノズル５０ごとに吸引流路６０が設けられており、各々の吸引流路６０が適切な方向および大きさの吸引力を処理液に与えるようにその形状及び配置が構成されているため、供給された処理液のいずれについても適切な方向及び大きさの吸引力が与えられる。このことにより、基板Ｗの狭い周縁部についてもエッチング等の処理を高い精度で行うことが可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板の端部及び周縁部に対する洗浄処理、エッチング処理のための基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。

半導体装置の製造工程において、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の端部や周縁部に付着したレジスト残渣やパーティクルを除去することにより、残渣やパーティクルによる汚染を回避することへの要求が高まっている。こうした基板端部や基板周縁部の残膜やパーティクル除去をエッチングや洗浄により行う処理は、基板のベベル部（基板端部およびこれに隣接する基板周縁部）が主な処理対象であることから、一般にはベベル処理とも呼ばれている。

ベベル処理では、基板のエッチングや洗浄の一般的な課題に加えて、ベベル処理特有の課題に対処する必要がある。まず、ベベル処理の処理領域が基板端部及び基板周縁部であるため、局所的に処理を行う必要がある。また同時に、ベベル処理により、基板表面における基板周縁部の内周部分が処理液や飛散パーティクルで汚染されないようにする必要がある。こうした要求に応じるべく、処理液を局所的に供給するノズル機構や、飛散液の吸引機構などの活用が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

更に、ベベル処理の処理対象がエッチングや洗浄による除去が困難なレジスト膜であるため、洗浄／エッチング残渣が残りがちであるという問題がある。特に、基板端部における残渣の完全な除去は困難である。この問題に対しては、周縁部のエッチングや洗浄において、基板周縁部を物理的に洗浄するベベルブラシの活用が提案されている（例えば、特許文献２参照）。また、ベベル処理におけるブラシ、吸引機構、処理液供給ノズルを一つのケーシング内に収納することが提案されている（例えば、特許文献３参照）。ケーシングを位置決めすることにより、同時にブラシ、吸引機構、処理液供給ノズルを位置決めすることができる等の利点がある。

特許第５１４５３２８号公報 特許第４９７６９４９号公報 特開２００８−２８８４４７号公報

こうしたべベル処理への基本的な要求に加えて、近年、一枚の基板からできるだけ多くのチップを得るためにべベル処理における周縁処理幅を狭くしかつ周縁処理幅精度を向上させたいという要求が高まっている。周縁処理幅の減少や精度向上の要求が高くなるにつれて、処理液が基板に着液するまでに受ける微妙な気流の変動の影響が無視できなくなる。

処理液供給ノズルの吐出口から供給された処理液は、基板へ着液するまでに周辺の気流の影響を受ける。当該気流の強さや方向性にばらつきがある場合、処理液が吐出口から供給され基板に着液するまでの経路が変動し、処理液が基板に着液する着地位置も変動する。これが周縁処理幅ばらつきの一つの原因となる。また、当該気流の強さや方向性が適切でない場合、処理液が基板に着液する着地位置が望ましくない位置となる。また、周縁処理幅が狭く且つ周縁処理幅の精度が高い場合においては、処理液の広がりや飛散を抑えるために処理液の供給流量は比較的少量に設定される傾向があり、こうした場合には処理液が基板に着液するまでに受ける気流変動の影響は一層顕著なものとなる。

従って、処理液供給ノズルの供給口から供給された処理液が基板に着液するまでに受ける気流の強さや方向性を適切な状態とした上でべベル処理を行うことができる基板処理装置が必要となる

上述の特許文献１〜３に例示した従来技術においては、処理液供給ノズルの供給口から供給された処理液が基板に着液するまでに受ける気流の強さや方向性を適切な状態とするという課題について認識されておらず、当該課題に適切に対処できる装置構成となっていない。例えば、特許文献３には、処理液供給ノズルと吸引機構がケーシング内においてブラシが処理液供給ノズルと吸引口との間に配置されている装置構成例が記載されている。この装置構成においては、ブラシが障害となり、処理液供給ノズルの吐出口から供給される処理液に吸引口からの吸引力を適切な方向及び強さで作用させることができない。

そこで、この発明の目的は、処理液供給ノズルの吐出口から供給される処理液に吸引口からの吸引力を適切な方向及び強さで作用させることを可能にする基板処理装置を提供することである。

ここで、処理効率向上等を目的として、基板周縁部への処理液供給を複数の処理液供給ノズルを用いて行う場合がある。この場合には複数の処理液供給ノズルの全てについて各々の吐出口から供給される処理液に適切な方向及び強さの吸引力で作用させることが必要となる。上述の特許文献１〜３に例示した従来技術のいずれにおいても、複数の処理液供給ノズルの各々吐出口から供給される処理液に、適切な方向及び強さの吸引力で作用させることを可能とする構成は示されていない。

そこで、この発明の別の目的は、複数の処理液供給ノズルの吐出口から供給される処理液に、吸引口からの吸引力を適切な方向及び強さで作用させることを可能にする基板処理装置を提供することである。

以下の記載において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表わす。

請求項１に記載の発明は、基板（Ｗ）の端部及び周縁部を処理する基板処理装置（１）であって、前記基板（Ｗ）を保持回転させる保持回転機構（３）と、前記基板（Ｗ）の端部及び周縁部が進入可能である開口部（４３）と前記開口部（４３）に対向する共通吸引口（６１）とを有するケーシング（４０）と、前記ケーシング（４０）に配設された複数の処理液供給ノズル（５０）と、前記複数の処理液供給ノズル（５０）の端部に設けられ、前記基板（Ｗ）の端部及び周縁部が前記開口部（４３）へと進入した際に前記基板（Ｗ）の周縁部に対向するように配設された複数の吐出口（５９）と、各々の一端が前記複数の吐出口（５９）の一に対向し且つ各々の他端が前記共通吸引口（６１）に対向するように、前記複数の吐出口（５９）に対応して前記ケーシング（４０）に配設された複数の吸引流路（６０）と、前記基板（Ｗ）の端部及び周縁部が前記開口部（４３）に進入した状態である処理位置と前記基板（Ｗ）の端部及び周縁部が前記開口部（４３）から退出した状態である退避位置との間で前記ケーシング（４０）を移動させる移動機構（９）とを備える基板処理装置（１）である。

この構成によれば、複数の処理液供給ノズルがケーシングに配設されているため、ケーシングを処理位置に移動させると同時に、これら複数の処理液供給ノズルを所定位置に位置決めすることが可能となる。また、複数の処理液供給ノズル毎に複数の吸引流路が予めケーシングに配設されているため、ケーシングの基板に対する位置にかかわらず、処理液供給ノズルと吸引流路との相対的な配置関係を適切に保つことが可能となる。

さらに、この構成によれば、複数の処理液供給ノズルの複数の吐出口に対応して、複数の吸引流路が設けられており、これら複数の吸引流路の各々の一端が対応する吐出口に対向するように配設されているため、複数の吐出口それぞれについて、近傍の吸引力や吸引の方向性を適正なものとすることが可能となる。

請求項２に記載の発明は、前記複数の吸引流路（６０）が整流板（７０）を備えることを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置（１）である。

整流板を吸引流路において用いることで、処理液供給ノズルごとに吸引流路から作用する吸引力を適正化することが可能となる。また、整流板の形状や配置間隔等を変化させることにより、吸引流路毎の流量条件を変化させることができるので、吸引流路ごとの流量条件を所望のものとすることができる。

請求項３に記載の発明は、前記複数の処理液供給ノズル（５０）が、前記ケーシング（４０）に弧状に配設されていることを特徴とする、請求項１〜２記載の基板処理装置（１）である。

この構成によれば、ケーシングを処理位置に移動させた際に、複数の処理液供給ノズルが基板の第一面の周縁部に、弧状に配置された状態で対向するため、基板の周縁部のカーブに沿った配列にて処理液供給ノズルが基板に対向することとなる。従って、複数の処理液供給ノズルのいずれもが基板の周縁部に適切な位置で対向した形で基板の周縁部の処理を行うことが可能となる。

請求項４に記載の発明は、前記ケーシング（４０）に、前記基板（Ｗ）の周縁部又は端部を処理するためのブラシ（８０）が更に配設されていることを特徴とする、請求項１〜３記載の基板処理装置（１）である。

この構成によれば、ケーシングを処理位置に移動させることにより、複数の処理液供給ノズルを適切な位置に配置するだけでなく、基板の周縁部又は端部を処理するためのブラシを基板に対して処理に適した位置に配置することが可能となる。

請求項５に記載の発明は、前記複数の吐出口（５９）が上流側吐出口（５９ａ）を備えており、前記上流側吐出口（５９ａ）は前記ケーシング（４０）を前記処理位置へと移動させた際に前記ブラシ（８０）に対して前記基板（Ｗ）の回転上流側に位置しており、前記複数の吸引流路（６０）が上流側吸引流路（６０ａ）を備えており、前記上流側吸引流路（６０ａ）は、その一端が前記上流側吐出口（５９ａ）に対向し且つその他端が前記共通吸引口（６１）に対向するように前記ケーシング（４０）に配設されていることを特徴とする、請求項１〜４記載の基板処理装置である。

この構成によれば、上流側吐出口に作用する吸引を制御することにより、上流側吐出口から吐出されてブラシへと流れていく処理液の量を適正なものとすることが可能となる。

請求項６に記載の発明は、前記複数の吐出口（５９）が下流側吐出口（５９ｂ）をさらに備え、前記下流側吐出口（５９ｂ）は前記ケーシング（４０）を前記処理位置に移動させた際に前記ブラシ（８０）に対して前記基板（Ｗ）の回転下流側に位置しており、
前記複数の吸引流路（６０）が下流側吸引流路（６０ｂ）を備えており、前記下流側吸引流路（６０ｂ）は、その一端が前記下流側吐出口（５９ｂ）に対向し且つその他端が前記共通吸引口（６１）に対向するように前記ケーシング（４０）に配設されていることを特徴とする、請求項５記載の基板処理装置（１）である。

この構成によれば、請求項５記載の発明の効果に加えて、複数の吐出口が上流側吐出口及び下流側吐出口を備え、更にこれらに対応して、複数の吸引流路が上流側吸引流路及び下流側吸引流路を備えるため、よりバリエーションに富んだ吸引動作を行うことが可能となる。

請求項７に記載の発明は、前記上流側吸引流路（６０ａ）と前記下流側吸引流路（６０ｂ）の形状が異なることを特徴とする、請求項６記載の基板処理装置（１）である。

この構成によれば、前記上流側吸引流路と前記下流側吸引流路との流量条件が異なるものとなる。ブラシの回転上流側と回転下流側とでは、要求される吸引条件が異なる場合があり、当該構成によりそのような要求に応えることが可能となる。

請求項８に記載の発明は、前記処理液で処理する前記基板（Ｗ）の周縁処理幅に応じて、前記処理位置、前記複数の処理液ノズル（５０）から供給される処理液の処理液流量又は前記共通吸引口による吸引力のうち少なくとも一つを制御する制御手段（１００）をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜７記載の基板処理装置（１）である。

基板の周縁処理幅は、基板の処理目的によって異なる。基板処理幅を変えた場合、基板上の処理液にかかる遠心力が基板中心からの距離によって異なること等から、処理位置、処理液流量、処理位置等の条件を見直す必要が生ずる。請求項８記載の発明の構成によれば、制御手段により基板の周縁処理幅に応じて、処理液流量等を制御することが可能である。

請求項９に記載の発明は、前記周縁処理幅と、前記処理位置、前記処理液流量又は前記共通吸引口（６１）による吸引力のうち少なくとも１つとの関係を記憶する記憶手段（１２０）をさらに備え、前記制御手段（１００）が前記記憶手段（１２０）から前記関係を読み込むことにより、前記処理位置、前記複数の処理液ノズルから供給される前記処理液流量、又は前記共通吸引口（６１）による前記吸引力のうち少なくとも一つを制御することを特徴とする、請求項８記載の基板処理装置（１）である。

この構成により、記憶手段に周縁処理幅と処理位置等との関係、例えば周縁処理幅と処理位置との関係を記憶させておき、これを読み込むことにより、様々な周縁処理幅について、処理位置等の適切な関係を読み込むことが可能となる。

図１は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図２は図１に示す基板処理装置の図解的なＡ−Ａ’断面図である。 図３は処理液配管まわりの構成部品を説明するための図解的な断面図である。 図４は吸引配管まわりの構成部品を説明するための図解的な断面図である。 図５は処理液供給ノズルから供給された処理液に吸引力が作用しない場合における処理液の挙動を示す模式図である。 図６は処理液供給ノズルから供給された処理液に吸引力が作用する場合における処理液の挙動を示す模式図である。 図７は基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図８は基板処理装置における基板の処理を説明するための工程図である 図９（ａ）は図８に示す工程のうち、処理Ａ（ステップＳ４）の内訳を説明するための工程図である。 図９（ｂ）は図８に示す工程のうち、処理Ｂ（ステップＳ５）の内訳を説明するための工程図である。 図９（ｃ）は図８に示す工程のうち、処理Ｃ（ステップＳ６）の内訳を説明するための工程図である。 図１０は実施例１におけるＬＵＴ（ルックアップテーブル）に格納されたデータ例である。 図１１は実施例２における複数の処理液供給ノズル５０及び複数の吸引流路６０の配置を説明するための模式図である。 図１２は実施例２におけるＬＵＴに格納されたデータ例である。 図１３は実施例２におけるＬＵＴに格納されたデータ例である。

以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の実施例１に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。また、図２は、図１に示す基板処理装置の図解的な断面図である。図３は図２を補足的に説明するための図解的な断面図である。

基板処理装置１は、隔壁で区画された処理室２内において、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させるための保持回転機構３と、基板Ｗの周縁部又は端部を処理するための基板処理機構４と、基板処理機構４を基板Ｗに対して移動させるための移動機構９とを備えている。また、処理室２に隣接して、制御部１００及び入出力装置１１０が設置されている。制御部１００は、基板処理装置１の各種制御を行う。入出力装置１１０は、操作者による制御部１００への各種指示の入力を行うための入力インタフェース並びに基板処理装置１の各種状態を表示するための表示部を備えている。

［保持回転機構］
保持回転機構３は、図２に示すように、基板吸着保持機構３０、スピン軸３２、スピンモータ３３から構成される。基板吸着保持機構３０はその上側表面に、図示しない吸引手段を有している。基板Ｗが吸着保持される際には、図示しない基板搬送機構によって、基板Ｗが処理室２内へと搬入される。次に当該基板Ｗが基板吸着保持機構３０の上側表面に略水平に載置される。次に基板吸着保持機構３０の上側表面にある吸引手段により当該基板Ｗの裏面に吸引力が作用し、当該基板Ｗが基板吸着保持機構３０の上側表面上に吸着保持される。

基板吸着保持手段３０とスピンモータ３３はスピン軸３２を介して連結されている。基板Ｗの裏面が基板吸着保持手段３０の上側表面に吸着保持された状態でスピンモータ３３を駆動することにより、基板Ｗがスピン軸３２の中心軸線まわりに回転する。

［基板処理機構］
基板処理機構４は、保持回転機構３に保持回転されている基板Ｗの周縁部又は端部に対してエッチング液やリンス液等の処理液を供給することにより、基板Ｗの周縁部又は端部の処理を行うための機構である。

基板処理機構４は、図２に示すように、ケーシング４０と、ケーシング４０の内部に配設された各種部材を備える。ケーシング４０は、図１に示すように後述する移動機構９に連結されており、移動機構９を作動させることにより基板吸着保持機構３０に接近／離反する方向に移動することができる。移動機構９については後に詳しく説明する。

まず、ケーシング４０について説明する。ケーシング４０は、移動機構９により移動可能な筐体であり、保持回転機構３に隣接して配置される。ケーシング４０は、開口部４３、跳ね返り防止部材４２、一対の蓋部材４１、一対の側面板４４、背面板４５を備える。

開口部４３は、基板吸着保持機構３０の上面と略同一な高さを中心に開口した開口であり、ケーシング４０が保持回転機構３に対向する側に設けられている。ケーシング４０を移動機構９により基板Ｗの周縁部又は端部を処理するための処理位置へと移動させた際には、当該基板Ｗの周縁部又は端部がこの開口部４３を通過してケーシング４０内に収容される。開口部４３の上下には跳ね返り防止部材４２が設けられており、保持回転機構３に保持された基板Ｗから飛散した処理液等のケーシング４０内部へ侵入することを防ぐ。開口部４３及びその上下の跳ね返り防止部材は、ケーシング４０が処理位置へと移動された際に、図１に示すように基板Ｗの周縁部に沿う形で平面視にて弧状となるように構成されることが望ましい。

側面板４４は、略長方形の一対の板であり、移動機構９によるケーシング４０の移動方向と略平行且つ保持回転機構３の上側表面と略垂直に配置される。
背面板４５は、中央部に後述する共通吸引口６１及び処理液配管５２を通す穴を有する略長方形の板であり、開口部４３及び跳ね返り防止部材に対向して保持回転機構３の上側表面と略垂直に配置される。

蓋部材４１は、図２に示すように（ただし図２において側面板４４は図示省略されている）、跳ね返り防止部材４２、一対の側面板４４、背面板４５を上下から覆う形で配設される一対の中空板である。蓋部材４１は、基本的には略長方形の板であるが、跳ね返り防止部材４２と接合する部位については、図１に示すように跳ね返り防止部材４２の形状に合わせて弧状の形状をとる。蓋部材４１は、ケーシング４０内部を保護する役割を有するとともに、ケーシング４０内部に配設される構成部品の配設のための台座の役割をも有する。蓋部材４１には、処理液供給ノズル５０に連結した処理液配管５２を通す穴が設けられており、この穴を通じて処理液配管５２は蓋部材４１内部の中空部位を通過し、背面板４５の穴をとおり、ケーシング４０の外部へ延伸することができる。また、ケーシング４０の下側に配設される蓋部材４１には、ブラシ回転軸８１を通過させる穴が設けられている。

次に、ケーシング４０の内部に配設される各種部材について説明する。ケーシング４０の内部には、図１及び図２に示すように、複数の処理液供給ノズル５０、複数の整流板７０、ブラシ８０、ブラシ回転軸８１が蓋部材４１を台座として配設されている。

複数の処理液供給ノズル５０は、その一端に吐出口５９を備え、その他端が処理液配管５２に連結する。処理液供給ノズル５０は、直径数ｍｍ以下の針状のノズルである。処理液供給に通常用いられるノズルと比べて細い径のノズルを用いることで、少量の処理液を正確な位置及び分量で吐出することが可能となる。

複数の処理液供給ノズル５０は、図２に示すように、開口部４３と、その上下の跳ね返り防止部材４２とに隣接して配置される。複数の処理液供給ノズル５０は、図１に示すように、平面視において弧状となるように配置される。また、複数の処理液供給ノズル５０は、図２に示すように、その長手方向が略垂直方向を向くように、上下の蓋部材４１に配設される。このように配設されることにより、ケーシング４０が移動機構９により基板Ｗの処理位置へと移動された際には、複数の処理液供給ノズル５０の各々の吐出口５９が、基板Ｗの外周に弧状に沿う形で基板Ｗの周縁部に対向する形となる。

ここで、吐出口５９が平面視において基板Ｗの周縁部のどこに位置するかは、移動機構９によるケーシング４０の移動位置の設定内容並びに処理液供給ノズル５０が蓋部材４１のどの位置に配設されるかによって決まる。本実施例で想定する基板Ｗの周縁部及び端部の処理では、３００ｍｍ基板について周縁処理幅０．５ｍｍから１０ｍｍ程度の範囲について洗浄又はエッチングを行うことを想定している。このうち、最も頻度が高く用いられる周縁処理幅、例えば周縁処理幅５ｍｍに対応した処理位置にケーシング４０を移動させた際に処理液供給ノズル５０が平面視において基板Ｗの中心からの距離が略等しいように弧状に配置されるように、処理液供給ノズル５０を蓋部材４１に配設しておくことが望ましい。

複数の処理液ノズル５０は、蓋部材４１に開けられた処理液配管５２を通す穴の位置にあわせて、固定治具により蓋部材４１に略垂直に固定される。固定治具は、固定後の位置微調整が可能となるように三軸ステージ等を備えることが望ましい。

複数の処理液供給ノズル５０の各々に対応して、上下の蓋部材７０には複数の整流板７０が配設される。整流板７０は、複数の処理液供給ノズル５０の各々と共通吸引口６１との間を連通する吸引流路６０を形成するための部材であり、軽量かつ成形容易なプラスチック樹脂を素材とする。

図１に示すように、整流板７０を側壁として形成された吸引流路６０は、その一端が対応する処理液供給ノズル５０に対向し、その他端が共通吸引口６１に対向する。さらに整流板７０の形状および整流板７０同士の間隔は、ケーシング４０が移動機構９により処理位置に移動された際に、処理液供給ノズル５０の吐出口５９近傍に作用する吸引が基板Ｗの外周方向に作用し、且つ、複数の吐出口５９のそれぞれの近傍に作用する吸引力が略等しくなるように調整されている。

例えば、図１に図式的に示すように、整流板７０は処理液供給ノズル５０に近い部位が斜めに折れ曲がっている。これにより、処理液供給ノズル５０の吐出口５９近傍に働く吸引力の方向性を若干斜め方向に変化させ、その結果としてケーシング４０が移動機構９により処理位置に移動された際に、処理液供給ノズル５０の吐出口５９近傍に作用する吸引を基板Ｗの外周方向に作用させることが可能となる。

また、共通吸引口６１からの吸引力は、共通吸引口６１の中心付近にいて強く作用し、周辺において弱く作用する傾向がある。従って、複数の整流板７０により形成された複数の吸引流路を通じた吸引力は、その一端が共通吸引口６１の中心付近に位置するものについては強くなり、その一端が共通吸引口６１の周辺に位置するものについては弱くなることとなり、結果として吸引流路６０ごとの吸引力にばらつきがでてしまう。このばらつきが相殺されるように、整流板７０同士の間隔を調整することが好ましい。

このように、吸引流路６０ごとの吸引力の大きさ及び吸引の方向性を考慮し、かつ複数の処理液供給ノズルと共通吸引口６１との配置関係を考慮して、整流板７０を蓋部材４１に配設する。整流板７０は蓋部材４１に個別に取り付けても良いし、整流板７０の組み合わせをプラスチック樹脂により一体成型し、これを蓋部材４１に取り付けても良い。

次にブラシ８０並びにブラシ８０の配設について説明する。

ケーシング４０の下側の蓋部材４１には、図２に示すように、ブラシモータ８２が配設される。ブラシモータ８２にはブラシ回転軸８１が連結され、ブラシ回転軸８１は蓋部材４１の所定位置に予め設けられた貫通穴を通じてケーシング４０の内部に貫通し、ブラシ回転軸８１と連結される。ブラシ回転軸８１とブラシ８０とは、ブラシ８０の高さが微調整された上で固定される。

ブラシ８０は、処理液によっては除去しきれない基板端部の汚れや不要な酸化膜等を除去する等の目的で用いられる。基板処理機構４に要求される処理内容によっては、ケーシング４０内にブラシ８０が収容されない構成もありうる。例えば、端部処理の要求がさほど高くない場合、例えば基板Ｗの周縁部をエッチング処理し、その後にリンス処理するだけで充分な場合等においては、ブラシ８０がケーシング４０に含まれない構成例もあり得る。

ブラシ８０には、若干固めのスクラブ用途のＰＶＡブラシ等が用いられる。ブラシ８０の形状は、基板Ｗの端部への当接具合等を考慮して定められる。例えばブラシ８０は、図２にあるような糸巻型の断面形状を有する。

ブラシ８０は、図１に示すように、平面視において複数の吸引流路６０のいずれとも干渉せず、かつ開口部４３と共通吸引口６１との間に位置するように、ケーシング内において配設される。また、ブラシ８０は、ケーシング４０が基板Ｗの処理位置に配置された際にその側面が基板Ｗの端部に当接する位置に配設される。このように配設することにより、処理液供給ノズル５０から供給される処理液に作用する吸引力がノズル５０により減少することを回避しつつ、確実に処理液を吸引することができる。

ここで、ブラシ８０が基板Ｗに接触するとブラシ８０から周囲に処理液や基板Ｗから除去された汚染物等が周囲に飛散するため、これらが基板Ｗに跳ね返ることを防止する必要がある。図１に示すようにブラシ８０の両脇に整流板７０を配置した構造においては、整流板７０がブラシ８０からの側面への飛散を受け止め、この飛散した処理液は整流板７０を伝い、その背後にある共通吸引口６１から吸引される。また、基板Ｗ方向に飛散した処理液の大半は跳ね返り防止部材４２に当たった後に吸引流路６０へ吸引され、汚染やミストを低減できる。このように簡易な構造において、複数の処理液供給ノズル５０の全てからの処理液に、適切な方向及び大きさの吸引力を作用させるとともに、ブラシ８０からの汚染やミストを効果的に回避することが可能となる。

図１に示すように、ブラシ８０の両脇に複数の吸引流路６０を配置した構成をとる場合においては、ブラシ８０の両脇の吸引流路６０は、ブラシ８０へ処理液が過剰に流れ込むのを防ぐ役割及びブラシ８０から飛散した余分な処理液を回収するという効果を有する。

［移動機構］
移動機構９は、図１に示すように、平行方向の移動を可能とする平行移動機構９２と、ロット９１とを備える。並行移動機構９２は、これに連結したロット９１の平行方向の移動を可能とする。ロット９１は、ケーシング４０と並行移動機構９２とを連結するための棒状の部材である。

並行移動機構９２は、基板吸着保持機構３０に接近／離反する方向へと平行方向の動きを与える機構である。この接近／離反する位置の情報は記憶手段１２０に格納されている。基板の処理の内容等に応じて制御部１００から作動命令が平行移動機構９２へと伝えられることにより、平行移動機構９２が所定の動作を行う。

移動機構９は、「処理位置」と「退避位置」の二種類の位置の間でケーシング４０を移動させる。ケーシング４０は、基板Ｗが基板吸着保持機構３０に保持され、当該基板Ｗの周縁部及び端部の処理を行う際に移動機構９により「処理位置」に移動される。

ケーシング４０が「処理位置」にあるときには、基板Ｗの周縁部及び端部がケーシング４０に侵入した状態となり、ケーシング４０内に配設された複数の処理液供給ノズル５０の各々の吐出口５９が基板Ｗの周縁部に上下から対向した状態となる。ここで、ケーシング４０が「処理位置」にあるときに、基板Ｗの周縁部及び端部がケーシング４０内のどこまで進入するかについては、基板Ｗについて処理が予定されている周縁処理幅に依って異なる。ケーシング４０内におけるケーシング４０と複数の処理液供給ノズル５０との相対的な位置関係は固定されているので、移動機構９の平行移動距離を制御することにより予定されている周縁処理幅についての適切な「処理位置」へとケーシング４０を移動させる。例えば、周縁処理幅が広い場合には、ケーシング４０の「処理位置」は基板吸着保持機構３０に近い位置となり、周縁処理幅が狭い場合には、ケーシング４０の「処理位置」は基板吸着保持機構３０から遠い位置となる。

ケーシング４０が「退避位置」にあるときには、ケーシング４０は移動機構９により、基板吸着保持機構３０への基板Ｗの載置／搬出作業を行う図示しない搬送手段の動作と干渉しない程度に離れた位置へと移動される。

［各種配管及び流路について］
ケーシング４０に配設された複数の処理液供給ノズル５０には、図３に示すように、処理液配管５２を通じて、ケーシング４０の外部から処理液が供給される。処理液供給ノズル５０の端部に連結された処理液配管５２は、既に説明したようにケーシング４０の穴を通じてケーシング４０内部の中空部を通り、さらに背面板４５の穴を通じてケーシング４０の外部に延伸する。ケーシング４０の外部において、処理液配管５２はバルブ５５の一端に連結される。基板の処理内容に応じて処理液供給ノズル５０から吐出される処理液の種類を変えることを要する装置構成の場合には、切替バルブ５５の他端には複数の処理液配管が連結されており、切替バルブ５５はこれら複数の処理液配管からの処理液の流通を切り替える。

本実施形態においては、図３に例示するように、当該バルブ５５の他端にエッチング液の供給に用いる処理液配管５２Ａと、リンス液の供給に用いる処理液配管５２Ｂが連結される。処理液配管５２Ａには、順に、処理液バルブ５１Ａ、処理液ポンプ５３Ａ、処理液タンク５４Ａが接続されている。同様に、処理液配管５２Ｂには、順に、処理液バルブ５１Ｂ、処理液ポンプ５３Ｂ、処理液タンク５４Ｂが接続されている。

処理液タンク５４Ａ、５４Ｂは、それぞれの処理液であるエッチング液、リンス液を収容する。処理液ポンプ５３Ａ、５３Ｂは、対応する処理液タンク５４Ａ、５４Ｂから処理液を吸入する。処理液バルブ５１Ａ、５１Ｂは、それぞれ処理液配管５２Ａ、５２Ｂを流れる処理液の流量を制御する。

バルブ５５の切替により、処理液配管５２Ａ又は５２Ｂのいずれかからの処理液がバルブ５５に連結された処理液配管５２へと流入することとなる。

共通吸引口６１は、図２に示すように、ケーシング４０の開口部４３及びその上下の跳ね返り防止部材４２の方向を向いて背面板４５上に設けられた、略漏斗状の形状を有した開口である。ケーシング４０上には、図２に示すように、共通吸引口６１から基板吸着保持機構３０側に向かう順番に、複数の整流板７０を備える複数の吸引流路６０、複数の吸引流路６０に対応する複数の処理液供給ノズル５０、開口部４３及びその上下の跳ね返り防止部材４２が配設されている。

背面板４５における共通吸引口６１には、吸引配管６４が接続されている。吸引配管６４には、図４に例示するように、吸引の開始／停止並びに吸引流量を制御するための吸引バルブ６３、吸引力を吸引配管６４に与えるための吸引ポンプ６２が接続されている。

共通吸引口６１からの吸引力は、その中心において強く、周辺にいくにしたがって弱くなる傾向がある。複数の整流板７０を備えた複数の吸引流路６０は、こうした吸引力のばらつきが緩和されるように、その形状や配置間隔が調整されている。このことにより、複数の吸引流路６０の端部に隣接する処理液供給ノズル５０の吐出口５９近傍には、ほぼ均一な吸引力が作用する。また、吸引流路６０の形状や方向等は、ケーシング４０を処理位置に移動させた際に、処理液供給ノズル５０の吐出口５９近傍に作用する吸引力が基板Ｗの半径方向に作用するように調整されている。

このようにケーシング４０を処理位置に移動させた際の処理液供給ノズル５０の吐出口５９近傍に作用する吸引力が調整されるように各種部材を調整・配設することにより、以下に説明するように、基板Ｗの好ましくない位置に処理液が着地することを回避することができる。

すなわち、処理液供給ノズル５０から供給された処理液は、基板Ｗへと着地するまでに、その側面から所定の方向性と大きさを有する吸引力を受けるため、吸引力を受けなかった場合の本来の着地点よりもやや基板外周側に着地する。着地した処理液は、通常ならば図５に図式的に示すように基板Ｗ上で広がるため、周縁処理幅を狭く保つことが難しくなる。しかし図６に図式的に示すように、本発明の構成においては、いずれの処理液供給ノズル５０から供給される処理液についても、これらが着地するまでに基板Ｗの外周方向へと一定の吸引力が作用するため、これら処理液は基板Ｗの外周方向寄りにやや斜めへと付勢されつつ基板Ｗへと着地し、着地後も部分的に吸引力を受ける。このことにより、処理液が基板Ｗへ着地した後の処理液の広がりが抑制される。この結果、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍといった厳しい条件の基板周縁処理幅についての処理を正確に行うことが可能となる。

また、処理液供給ノズル５０から吐出される処理液について、その一部が思わぬ方向に飛散するという問題や、その一部がミストとなり、基板Ｗの内側に着地してしまうという問題がある。こうした問題についても、本発明の構成によれば、処理液供給ノズル５０の吐出口５９の近傍に所定の強さ及び方向性をもった吸引力を作用させることができるため、こうした飛散した処理液やミストが基板Ｗの内側に着地することを抑止することが可能となる。

なお、複数の処理液供給ノズル５０の吐出口５９毎に、近傍の吸引条件を所望のものとするため、それぞれに独立した吸引ノズルを設けるという装置構成も考えうる。しかしこの場合、複数の吸引ノズルを設けることで装置コストが高くなる。さらに、吸引ノズルごとの吸引力及び吸引方向性を所望のものとするには、吸引ノズル及びこれに連結する配管、ポンプ等の形状や出力等を適正なものとする必要があり、その設計及び調整は非常に困難である。また、複数の吸引ノズルすべてについて吸引力条件を一定に保つことは非常に困難である。一方で、本発明の方法によれば、整流板７０の形状や配置を調整することにより共通吸引口６１と処理液供給ノズル５０の間の流路条件を調整すればよい。こうした調整は、吸引実験等を通じた試行錯誤により実行可能である。

［電気的構成］
図７は、基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御部１００を備えている。この制御部１００には、保持回転機構３における基板吸着保持機構３０、スピンモータ３３、ブラシモータ８２、平行移動機構９２、吸引ポンプ６２、吸引バルブ６３、処理液ポンプ５３、処理液バルブ５１、切替バルブ５５および記憶手段１２０が接続されている。制御部１００における制御は、記憶手段１２０から取得する制御条件に従って行われる。これら制御条件は、入出力装置１１０によって記憶手段１２０へと記憶させ又は変更することができる。異常事態発生時などにおいては、入出力装置１１０からの直接指示により制御部１００から処理を停止させることも可能である。

［処理工程］
図８は、基板処理装置における基板の実施例１に係る処理を説明するための工程図である。図９（ａ）〜図９（ｃ）は、図８におけるステップＳ４からＳ６の内訳を示す工程図である。以下、図８並びにおよび図９（ａ）〜図９（ｃ）を適宜参照して本発明の実施例１に係る処理を説明する。

基板処理装置１は、基板Ｗの周縁部及び端部の処理に用いられる。周縁部の処理の例としては、基板Ｗの周縁部の非デバイス部に残存したレジスト膜をエッチング液にて除去しその後リンス液で洗浄する処理がある。

［ステップＳ１］
処理対象の基板Ｗの搬入前は、基板処理機構４は、基板Ｗの搬入や搬出に支障が出ないように保持回転機構３の側面に設けられた退避位置に配置されている。基板Ｗの搬入を含めた一連の工程開始にあたり、先ず操作者により必要な指示入力がなされる。指示内容には、基板Ｗに適用する処理の選択、基板Ｗの周縁処理幅の数値指定、記憶手段１２０に対して、すでに格納されている情報の修正・変更指示等が行われる（ステップＳ１）。以下では、周縁処理幅１．０ｍｍの処理が行われる場合について説明する。

［ステップＳ２］
操作者による指示が完了した後、記憶手段１２０に格納された指示に従い、一連の動作が開始される。まず、記憶手段１２０から、基板Ｗの処理内容、スケジュール、装置の動作手順、図１０に例示するＬＵＴ（ルックアップテーブル）から各種情報が読み込まれる（ステップＳ２）。当該ＬＵＴには、基板Ｗの周縁処理幅の情報が、基板Ｗに行う処理の種類、処理位置、吸引ポンプ６２に与える吸引出力の大きさ、吸引バルブ６３の開度等と関連づけられている。

［ステップＳ３］
次に、図示しない搬送機構によって基板Ｗが処理室２へと搬入され、保持回転機構３へ載置される。搬送機構が処理室２から退出する動作と並行して基板Ｗをスピンチャック３０が吸着保持する。なお、従来の装置においては処理液供給ノズルから基板Ｗへ供給される処理液に、適切な方向と大きさの吸引力を与えることが困難であるため、基板Ｗ上の処理液の広がりを確保する等のために基板Ｗの回転数を大きくし、同時に処理液の流量を大きくする必要があった。しかし本発明の構成においては、基板Ｗへ供給された処理液が複数の吸引流路６０により確実に吸引されるので、基板Ｗの回転数ならびに処理液の流量を従来装置における場合よりも抑えることが可能となる。従って、ステップＳ３における基板Ｗの回転数を低回転数、例えば１０〜５０ｒｐｍ程度に抑えることも可能である。加えて処理室２内の雰囲気を安定させるために、搬入と並行又はこれに先立ち吸引ポンプ６２が記憶手段１２０に格納された処理スケジュールに従って作動し、吸引バルブ６３が開き、ごく弱い吸引力により吸引流路６０から処理室２内の雰囲気を吸引排気させる。この状態は、ステップＳ４にて吸引力その他の値が変更されるまで継続する。

［ステップＳ４］
次に、基板Ｗの周縁部の処理であるステップＳ４〜Ｓ６が行われる。図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すステップＳ４〜Ｓ６の工程内訳を適宜参照して説明する。

まず処理Ａ（基板Ｗの周縁部のエッチング処理）に関するステップＳ４（ステップＳ４１〜Ｓ４４）が、図９（ａ）に示すように行われる。ステップＳ４においては、図９のＬＵＴが参照され、吸引ポンプ６２及び吸引バルブ６３の調整が行われる。周縁処理幅１．０ｍｍで処理するので、吸引ポンプ６２の吸引出力として吸引出力Ａ２、吸引バルブ６３の開度としてバルブ開度Ａ２が選択され、これら選択されたデータに従って吸引ポンプ６２及び吸引バルブ６３が作動される（ステップＳ４１）。

調整がなされるのと並行してケーシング４０が、退避位置から処理位置Ａ２へと移動する。これにより、ケーシング４０の開口部４３が基板Ｗの周縁部を収納する形となり、ケーシング４０内部に配設された複数の処理液供給ノズル５０の供給口が基板Ｗの周縁部に、平面視において基板Ｗの周縁部に弧状に配列する形で対向する。複数の処理液供給ノズル５０は、通常、平面視において、基板Ｗの外周境界から周縁処理幅までの領域である周縁処理領域の内側境界に接する位置に設置されるように処理位置Ａ２が定められる（ステップ４２）。

なお、ブラシ８０は、ケーシング４０において複数の処理液供給ノズル５０から基板Ｗの外周方向に５ｍｍより大きく後退した位置に配設されているため、複数の処理液供給ノズル５０が上述のように周縁処理領域の内側境界に接する位置に配置されたときにおいても、ブラシ８０が基板Ｗと接触することはない。

次に、エッチング液を収容する処理液タンク５４Ａから、処理液ポンプ５３Ａ、処理液バルブ５１Ａが制御手段１００により作動されることにより、ここでの処理液であるエッチング液が処理液配管５２Ａを通じて処理液供給ノズル５０へと送られ、複数の処理液供給ノズル５０から基板Ｗの周縁部へとエッチング液が供給される。エッチング液は、基板Ｗに着地した後、基板Ｗの周縁部を経て、ケーシング４０の開口部から複数の吸引流路６０を経由して共通吸引口６１へと吸引されていく。なお、エッチング液の供給流量や供給時間は、記憶手段１２０に格納されたレシピに記載された情報に基づき制御されている（ステップＳ４３）。

ここで、供給されたエッチング液は、通常ならば基板Ｗに着地した後に着地点を中心として広がりをみせるため、エッチングされる周縁幅が広がってしまう。しかし、本実施形態においては、着地したエッチング液は、基板Ｗの回転による遠心力だけでなく、複数の吸引流路６０からの吸引力を受けており、基板外周方向寄りに付勢された状態で基板Ｗに着地し、着地後も液の露出部が吸引力を受ける。このため、エッチング液は基板Ｗへの着地後における基板Ｗ上での広がりが抑止される。

また、着地したエッチング液は、基板Ｗの回転力に伴う遠心力と相まって基板Ｗの周縁部において極力均一な厚みを有し、かつ、液切れが無い形で広がることが望ましい。これを達成するには、実験等を通じて、適正な流量、基板回転速度に加えて、処理液に働く吸引力を最適なものとする必要がある。本発明にかかる実施形態においては、複数の処理液供給ノズル５０のそれぞれについて吸引流路６０が配置されているため、すべての処理液供給ノズル５０から供給される処理液の着地広がり及び液広がり挙動を最適なものとなるように構成することが可能である。

所定時間の経過後、処理液ポンプ５３Ａが停止し、処理液バルブ５１Ａが閉じることでエッチング液供給が停止される（ステップＳ４４）。こうして、処理Ａに関するステップＳ４（Ｓ４１〜Ｓ４４）が完了する。

［ステップＳ５］
処理Ａに引き続き、処理Ｂ（基板Ｗの周縁部のリンス処理１）に関するステップＳ５（ステップＳ５１〜Ｓ５３）が行われる。まず、ステップＳ４４と並行して、図９のＬＵＴが再度読みだされ、吸引ポンプ６２の吸引出力及び吸引バルブ６３の開度がそれぞれ吸引出力Ｂ２、バルブ開度Ｂ２へと変更される（ステップＳ５１）。

次にケーシング４０が、処理位置Ａ２から処理位置Ｂ２へと移動する（ステップＳ５２）。処理位置Ｂ２は、処理位置Ａ２よりも若干基板Ｗの中心側に位置するように設定されている。

次に切替バルブ５５の切替により処理液配管５２Ａに換わって処理液配管５２Ｂが複数の処理液供給ノズル５０へと連通する。処理液ポンプ５３Ｂ及び処理液バルブ５１Ｂが制御手段１００により作動されることにより、処理液タンク５４Ｂからリンス液が処理液配管５２Ｂを通じて処理液供給ノズル５０へと送られ、複数の処理液供給ノズル５０から基板Ｗの周縁部へとリンス液が供給される（ステップＳ５３）。こうして、処理Ｂに関するステップＳ５（ステップＳ５１〜Ｓ５３）が完了する。

なお、ここでのリンス液の供給流量や供給時間は、記憶手段１２０に格納されたレシピに記載された情報に基づき制御されている。供給されたリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力ならびにリンス液に作用する吸引力の作用により、基板Ｗに着地した後、その外周側にあるエッチング液を基板Ｗの内側から外側へと押し流しつつ、ケーシング４０の開口部から複数の吸引流路６０を経由して共通吸引口６１へと吸引されていく。こうして残存したエッチング液が除去されることでエッチング進行が完全に停止し、かつ、基板Ｗ上の汚染物が洗浄される。

［ステップＳ６］
処理Ｂに引き続き、処理Ｃ（基板Ｗの周縁部のリンス処理２）に関するステップＳ６（ステップＳ６１〜Ｓ６６）が行われる。ステップＳ５３におけるリンス液供給開始から所定時間経過すると、図１０のＬＵＴが再度読みだされ、吸引ポンプ６２の吸引出力及び吸引バルブ６３の開度がそれぞれ吸引出力Ｃ２、バルブ開度Ｃ２へと変更される（ステップＳ６１）。引き続く処理にてブラシ８０を用いる関係上、これらの値は吸引出力がステップＳ５における値よりも増加するように設定されていることが望ましい。

次にリンス液流量が変更される（ステップＳ６２）。ここでの変更されたリンス液の供給流量や供給時間は、記憶手段１２０に格納されたレシピに記載された情報に基づき制御されている。引き続く処理にてブラシ８０を用いる関係上、リンス液の供給流量が増加するように設定されることが望ましい。

次に基板Ｗの端部処理に備えて、ブラシ８０が回転開始される（ステップＳ６３）。この回転は、基板Ｗの端部から物理的に汚染を除去する効果を高める効果と、ブラシ８０が局所的に摩耗することを避ける効果がある。なお、本実施例においてはブラシ８０が回転するが、基板Ｗ自体が回転しているため、ブラシ８０を静止させておく構成としても基板Ｗの端部の汚染除去を行うことが可能である。

次にケーシング４０が、処理位置Ｃ２へと移動する。処理位置Ｃ２は、処理位置Ａ２、Ｂ２の何れよりも基板Ｗの基板中心方向にケーシング４０を移動させた位置であり、移動によりブラシ８０の側面が基板Ｗの端部にやや押しつけられる形で略当接する（ステップＳ６４）。基板Ｗが基板Ｗの側面で回転することにより、基板Ｗの端部に残存する膜や残渣が物理的に取り除かれる。なお、基板Ｗとブラシ８０との接触する場所に液が無いと基板Ｗにストレスがかかり基板Ｗを傷める原因となるため、ブラシ８０と基板Ｗとの接触位置に適度なリンス液が流れ込むように配慮されている。リンス液は、ブラシ８０と基板Ｗとの接触により生じる削り屑の飛散を抑止する目的もある。

ブラシ８０と基板Ｗとの接触により生じたリンス液や削り屑は、基板Ｗ外周方向に流れるリンス液に押し流され、ケーシング４０の開口部から複数の吸引流路６０を経由して共通吸引口６１へと吸引されていく。

所定時間経過すると、ケーシング４０が退避位置へと移動し（ステップＳ６５）、リンス液供給が停止される（ステップＳ６６）。こうして、処理Ｃに関するステップＳ６（Ｓ６１〜Ｓ６６）が完了し、処理Ａ〜Ｃの一連の処理が終了する。

次に、引き続く基板乾燥処理（ステップＳ８）に備えて、吸引ポンプ６２及び吸引バルブ６３が、記憶手段１２０に格納されたレシピに基づき調整される（ステップＳ７）。

［ステップＳ８］
基板乾燥処理（ステップＳ８）では、基板Ｗの搬出に備えてリンス液を除去する。ここでの実施形態においては、基板Ｗを回転させることによるいわゆる液切りを行う。液切りにおける基板Ｗの回転数は、基板Ｗ上にリンス液が残らないようにするために、処理Ａ〜Ｃよりも高い回転数、例えば２５００ｒｍｐとする。

なお基板乾燥処理においては、液切りに加えて、Ｎ２ガスなどを基板に供給しても良い。リンス処理後の具体的な基板乾燥処理については、当業者の知識に基づき種々の変更が可能である。また、本実施形態では同じ処理室２においてエッチング処理、リンス処理、基板乾燥処理を行っているが、例えば基板乾燥処理を別処理室において行っても良い。

［ステップＳ９］
基板乾燥処理（ステップＳ８）終了後、基板Ｗの搬出に備えて、スピンモータ３３が停止することで基板Ｗの回転が停止される（ステップＳ９）。

［ステップＳ１０］
基板Ｗの回転が停止した後、図示しない搬送手段が処理室２に侵入し、これと並行してスピンチャック３０による基板Ｗの保持が解除される。搬送手段は基板Ｗをスピンチャック３０から受け取り、処理室２の外部へと搬出する（ステップＳ１０）。こうして、基板Ｗの周縁部を処理する一連の動作が完了する。

実施例１と実施例２との大きな違いは、後者においては複数の処理液供給ノズル５０が上流側と下流側の２つに分けられ、上流側と下流側とで別個に制御される点である。複数の吸引流路６０についても同様に上流側と下流側の２つに分けられる。特に言及しない限り、その他の装置構成並びに処理の流れは、実施例１で説明したものと同様である。

図１１は、実施例２における複数の処理液供給ノズル５０及び複数の吸引流路６０の配置を説明するための模式図である。ケーシング４０を処理位置に移動させた際にブラシ８０に対して基板Ｗの回転上流側に配置される処理液供給ノズル５０を上流側処理液供給ノズル５０ａ、基板Ｗの回転下流側に配置されるものを下流側処理液供給ノズル５０ｂと呼ぶ。上流側処理液供給ノズル５０ａは、その端部に上流側吐出口５９ａを有する。下流側処理液供給ノズル５０ｂは、その端部に下流側吐出口５９ｂを有する。

また、ケーシング４０を処理位置に移動させた際にブラシ８０に対して基板Ｗの回転上流側に配置される吸引流路６０を上流側吸引流路６０ａ、基板Ｗの回転下流側に配置されるものを下流側吸引流路６０ｂと呼ぶ。図１１では、３つの上流側処理液供給ノズル５０ａ、及び３つの処理液供給ノズル５０ｂから成る構成例について示しているが、処理目的、処理効率、部品コスト等を勘案し、それぞれ１以上の任意の個数の処理液供給ノズル５０ａ及び処理液供給ノズル５０ｂから成るように構成しても良い。

複数の処理液供給ノズル５０ならびに複数の吸引流路６０を上流側と下流側に分けて別個に制御することで、実施例１におけるよりも精密な制御を行い、基板Ｗの周縁処理の処理精度を向上させることが可能となる。

なお、この実施例２では複数の処理液供給ノズル５０が上流側と下流側の２つの群に分けて制御されるため、複数の上流側処理液供給ノズル５０ａに対応して、図示しない上流側処理液バルブ５１ａ、上流側処理液配管５２ａ、上流側処理液ポンプ５３ａ、上流側処理液タンク５４ａが設けられる。同様に、複数の下流側処理液供給ノズル５０ｂに対応しては、図示しない下流側処理液バルブ５１ｂ、下流側処理液配管５２ｂ、下流側処理液ポンプ５３ｂ、下流側処理液タンク５４ｂが設けられている。その他の装置構成は実施例１にて説明したものと同様である。

上流側処理液タンク５４ａからの処理液は、上流側処理液ポンプ５３ａによる吸引力により上流側処理液配管５２ａを流れていく。この処理液は、上流側処理液バルブ５１ａの開閉により流量を調整されて上流側処理液供給ノズル５０ａへと流入し、上流側処理液供給ノズル５０ａの各々の上流側吐出口５９ａから吐出される。

同様に、下流側処理液タンク５４ｂからの処理液は、下流側処理液ポンプ５３ｂによる吸引力により上流側処理液配管５２ｂを流れていく。この処理液は、上流側処理液バルブ５１ｂの開閉により流量を調整されて上流側処理液供給ノズル５０ｂへと流入し、上流側処理液供給ノズル５０ｂの各々の下流側吐出口５９ｂから吐出される。

また、この実施例２では複数の吸引流路６０が上流側と下流側の２つの群に分けて制御されるため、上流側吸引流路６０ａに対応して、図示しない上流側共通吸引口６１ａ、上流側吸引配管６４ａ、上流側吸引ポンプ６２ａ、上流側吸引バルブ６３ａが設けられ、下流側吸引流路６０ｂに対応して、図示しない下流側共通吸引口６１ｂ、下流側吸引配管６４ｂ、下流側吸引ポンプ６２ｂ、下流側吸引バルブ６３ｂが設けられる。

上流側共通吸引口６１ａは、上流側吸引流路６０ａに吸引力を与えるために背面板４５に設けられた開口である。上流側共通吸引口６１ａには上流側吸引配管６４ａが接続される。上流側吸引配管６４ａには、順に、上流側吸引バルブ６３ａ、上流側吸引ポンプ６２ａが接続される。

上流側吸引ポンプ６２ａを作動させて得られる吸引力は、上流側吸引配管６４ａを伝わり、上流側吸引バルブ６３ａの開閉によりその吸引力や吸引流量を制御され、上流側共通吸引口６１ａへと伝えられる。この吸引力は、上流側吸引流路６０ａの作用により、上流側処理液供給ノズル５０ａについて各々の上流側吐出口５９ａの近傍で一定かつ適切な方向性を有する吸引力となる。

同様に、下流側共通吸引口６１ｂは、下流側吸引流路群６０ｂに吸引力を与えるために背面板４５に設けられた開口である。下流側共通吸引口６１ｂには下流側吸引配管６４ｂが接続される。下流側吸引配管６４ｂには、順に、下流側吸引バルブ６３ｂ、下流側吸引ポンプ６２ｂが接続される。下流側吸引ポンプ６２ｂを作動させて得られる吸引力は、下流側吸引配管６４ｂを伝わり、下流側吸引バルブ６３ｂの開閉によりその吸引力や吸引流量を制御され、下流側共通吸引口６１ｂへと伝えられる。この吸引力は、下流側吸引流路群６０ｂの作用により、下流側処理液供給ノズル５０ｂについて各々の下流側吐出口５９ｂの近傍で一定かつ適切な方向性を有する吸引力となる。

上流側吸引ポンプ６２ａ及び上流側吸引バルブ６３ａ、並びに下流側吸引ポンプ６２ｂ及び下流側吸引バルブ６３ｂは、それぞれが独立して制御手段１００により制御される。その他の装置構成は実施例１にて説明したものと同様である。

以下、図８及び図９（ａ）〜図９（ｃ）の工程図並びに図１１〜図１３を適宜参照して説明する。基板Ｗの周縁処理幅は１．０ｍｍとする。ステップＳ１からＳ３までは実施例１と同様に進行し、その後に処理Ａ（ステップＳ４１〜Ｓ４４）が行われる。処理Ａでは、先ずステップＳ４１が行われる。

上流側吸引ポンプ６２ａ並びに上流側吸引バルブ６３ａの調整にあたり、図１２のＬＵＴデータが読み込まれる。当該読み込まれたデータに基づき、上流側吸引ポンプ６２ａの吸引出力及び上流側吸引バルブ６３ａの開度が指定される。同様に、下流側吸引ポンプ６２ｂ並びに下流側吸引バルブ６３ｂの調整にあたり、図１３のＬＵＴデータが読み込まれる。当該読み込まれたデータに基づき、下流側吸引ポンプ６２ｂの吸引出力及び下流側吸引バルブ６３ｂの開度が指定される（ステップＳ４１）。

ここでの上流側処理液供給ノズル５０ａからのエッチング液供給の主な目的は、基板Ｗの周縁処理幅（１．０ｍｍ）の範囲内に収まるようにエッチング液を供給することである。また、下流側処理液供給ノズル５０ｂからのエッチング液供給の主な目的は、上流側処理液供給ノズル５０ａから供給されたエッチング液が基板Ｗ上で液切れしない状態にするために基板Ｗへと液を補充することである。従って、下流側処理液供給ノズル５０ｂからのエッチング液供給流量は上流側処理液供給ノズル５０ａからのエッチング液供給流量よりも少なめに設定されることが好ましい。

また、上流側吸引流路６０ａは、上流側処理液供給ノズル５０ａから供給されるエッチング液に適切な大きさと方向をもつ吸引力を与えることを主な目的としている。下流側吸引流路群６０ｂは、基板Ｗからのエッチング液や液の飛散を回収することを主な目的としている。従って、下流側吸引流路６０ｂについての吸引出力Ａ２ｂ及びバルブ開度Ａ２ｂは、上流側吸引流路６０ａについての吸引出力Ａ２ａ及びバルブ開度Ａ２ａよりも大きめの値に設定されることが好ましい。

次にケーシング４０が移動機構９により処理位置Ａ２へと移動される（ステップＳ４２）。切替バルブ５５は、エッチング液用の処理液配管５２Ａと連通する状態に切替られており、エッチング液用の処理液ポンプ５３Ａの出力が所定の値に調整される。処理液バルブ５１Ａが所定の開度に開くことで、処理液タンク５４Ａからのエッチング液が上流側処理液供給ノズル５０ａ及び下流側処理液供給ノズル５０ｂを通じてエッチング液が基板Ｗへと供給される（ステップＳ４３）。エッチング液の供給開始から所定時間が経過すると、上流側処理液供給ノズル５０ａ及び下流側処理液供給ノズル５０ｂの両方についてエッチング液の供給が停止する（ステップＳ４４）。こうして処理Ａ（Ｓ４１〜Ｓ４４）が終了する。

次に処理Ｂ（Ｓ５１〜Ｓ５３）が行われる。上流側吸引ポンプ６２ａ及び下流側６２ｂならびに上流側吸引バルブ６３ａ及び下流側吸引バルブ６３ｂの調整にあたり、上流用に図１２、下流用に図１３に例示するＬＵＴデータが読み込まれ、これに基づき吸引ポンプの吸引出力や吸引バルブの開度が指定され、この指定に従って作動される（ステップＳ５１）。

ここでの下流側処理液供給ノズル５０ｂからのリンス液供給の主な目的は、上流側処理液供給ノズル５０ａから供給されたリンス液が基板Ｗ上で液切れしない状態にするために、液を補充することにある。従って、下流側処理液供給ノズル５０ｂからのエッチング液供給流量は上流側処理液供給ノズル５０ａからのリンス液供給流量よりも少なめに設定されることが好ましい。

また、ここでの上流側吸引流路６０ａは、上流側処理液供給ノズル５０ａから供給されるリンス液に適切な大きさと方向をもつ吸引力を与えることを主な目的としている。一方で下流側吸引流路６０ｂは、基板Ｗからのリンス液や液の飛散を回収することが主な目的である。従って、下流側吸引流路６０ｂについての吸引出力Ｂ２ｂ及びバルブ開度Ｂ２ｂは、上流側吸引流路６０ａについての吸引出力Ｂ２ａ及びバルブ開度Ｂ２ａよりも大きめの値に設定されることが好ましい。

次にケーシング４０が移動機構９により処理位置Ｂ２へと移動される（ステップＳ５２）。処理位置Ｂ２は、処理位置Ａ２に比べて基板Ｗの内周寄りに位置する。このことにより、リンス液が供給開始された際に、基板Ｗ上に残るエッチング液を基板Ｗから外周方向へと押し流すことが可能となる。

次に切替バルブ５５の切替により処理液配管５２Ａに換わって処理液配管５２Ｂが複数の処理液供給ノズル５０へと連通する。処理液ポンプ５３Ｂ及び処理液バルブ５１Ｂが制御手段１００により作動されることにより、処理液タンク５４Ｂからリンス液が処理液配管５２Ｂを通じて処理液供給ノズル５０へと送られ、複数の処理液供給ノズル５０から基板Ｗの周縁部へとリンス液が供給される（ステップＳ５３）。

エッチング液の供給開始から所定時間が経過すると、上流側処理液供給ノズル５０ａ及び下流側処理液供給ノズル５０ｂの両方についてエッチング液の供給が停止する（ステップＳ４４）。こうして処理ＢについてのステップＳ５（Ｓ５１〜Ｓ５３）が終了する。

次に処理Ｃ（Ｓ６１〜Ｓ６６）が行われる。吸引ポンプ６２ａ及び６２ｂならびに吸引バルブ６３ａ及び６３ｂの調整にあたり、上流用に図１１、下流用に図１２に例示するＬＵＴデータが読み込まれ、これに基づき吸引ポンプの吸引出力や吸引バルブの開度が指定され、この指定に従って作動される（ステップＳ６１）。

処理Ｃにおいては、ケーシング４０がブラシ８０と基板Ｗが当接する位置まで移動する。これに伴い、上流側処理液供給ノズル５０ａからのリンス液供給の主な目的は、ブラシ８０と基板Ｗとの間に一種の潤滑油としてリンス液を流し込むことにある。また、下流側処理液供給ノズル５０ｂからのリンス液供給は、ブラシ８０により基板Ｗから除去された膜破片や汚染物を基板Ｗから洗い流すことが主な目的である。

従って、下流側処理液供給ノズル５０ｂからのエッチング液供給流量は上流側処理液供給ノズル５０ａからのリンス液供給流量よりもやや多めに設定されることが好ましい。また、下流側吸引流路６０ｂについての吸引出力Ｃ２ｂ及びバルブ開度Ｃ２ｂは、上流側吸引流路６０ａについての吸引出力Ｃ２ａ及びバルブ開度Ｃ２ａよりも大きめの値に設定されることが好ましい。

次にブラシ８０が回転し（ステップＳ６３）、ケーシング４０が移動機構９により処理位置Ｃ２へと移動される。この移動により、ブラシ８０と基板Ｗが接触し、基板Ｗ端部の汚染除去が開始される（ステップＳ６４）。

所定時間が経過した後、ケーシング４０が移動機構９により退避位置へと移動される（ステップＳ６５）。この移動に伴い、ブラシ８０と基板Ｗの端部とが非接触の状態となる。次にケーシング４０が退避位置へ到着するのを待たずに、並行してリンス液の供給が停止される（ステップＳ６６）。ケーシング４０が退避位置へ到着すると、リンス液を回収する必要がもうなくなるので、上流側吸引流路６０ａおよび下流側吸引流路６０ｂからの吸引力は定常状態となる。こうして、処理Ｃ（ステップＳ６１〜Ｓ６６）が終了する。

引き続いて、実施例１で説明したものと同様な方法により、基板乾燥処理（ステップＳ８）、基板回転停止（ステップＳ９）、基板Ｗの処理室２の外への搬出（ステップＳ１０）が行われ、一連の処理動作が終了する。

以上、実施例１及び実施例２について説明したが、実施形態に当業者の通常有する技術常識の範囲内において実施形態の改変を加えることが可能である。

例えば、複数の吸引流路６０を整流板７０にて構成する代わりに、複数の配管を配設することにより構成しても良い。この場合においては、複数の配管で構成された複数の吸引流路６０のそれぞれの端部が対応する複数の処理液供給ノズル５０の各々から供給される処理液に基板Ｗの外周方向に適切な大きさの吸引力を与えるように、上記配管の形状や配置に留意する必要がある。

また、実施例１および実施例２においては、基板処理機構４を１つだけ用いる例について説明したが、基板処理機構４を複数用意して、そのうちの１つの基板処理機構４のケーシング４０にはエッチング液専用の複数の処理液供給ノズル５０及び対応する複数の吸引流路６０を設け、別の基板処理機構４のケーシング４０にはリンス液専用の複数の処理液供給ノズル５０及び対応する複数の吸引流路６０を設ける構成としても良い。

また、実施例１および実施例２においては、ブラシ８０が回転する場合について説明したが、ブラシ８０がケーシング４０内に回転せずにケーシング４０に配設されても良い。この場合には、ブラシ回転軸８１やブラシモータ８２を配設する必要が無い。また、ブラシ８０とケーシング４０との間にバネ等を介在することでブラシ８０と基板Ｗが接触した際にブラシ８０に位置の「遊び」をもたせた構造としても良い。

また、実施例１および実施例２においては、複数の処理液供給ノズル５０及び複数の吸引流路６０について、基板Ｗが保持回転機構３に載置されている高さを基準にほぼ上下対称に配置されている。ここで、基板Ｗからみて上側部分の複数の処理液供給ノズル５０と下側部分の複数の処理液供給ノズル５０とについて独立した配管系を設けて、上下で異なる処理液流量や異なる種類の処理液を基板Ｗに供給できる構成としても良い。また、基板Ｗからみて上側部分の複数の吸引流路６０と下側部分の複数の吸引流路６０とについて独立した配管系を設けて、上下それぞれについて基板Ｗの周縁部を処理するときの吸引出力やバルブ開度を格納したＬＵＴを準備しておくことで、基板Ｗの上面と下面で異なる吸引を行うことが可能な構成としても良い。

また、実施例１および実施例２においては、複数の処理液供給ノズル５０及び複数の吸引流路６０が、基板Ｗが保持回転機構３に載置されている高さを基準にほぼ上下対称に配置されている構成について説明したが、基板処理機構４を、基板Ｗの片面のみを処理するように装置を構成しても良い。

Ｗ 基板
１ 基板処理装置
２ 処理室
３ 保持回転機構
３０ 基板吸着保持機構
３２ スピン軸
３３ スピンモータ
４ 基板処理機構
４１ ケーシング
４１ 蓋部材
４２ 跳ね返り防止部材
４３ 開口部
４４ 側面板
４５ 背面板
５０ 処理液供給ノズル
５０ａ 上流側処理液供給ノズル
５０ｂ 下流側処理液供給ノズル
５１ 処理液バルブ
５１Ａ 処理液バルブ（エッチング液用）
５１Ｂ 処理液バルブ（リンス液用）
５２ 処理液配管
５２ａ 上流側処理液配管
５２ｂ 下流側処理液配管
５２Ａ 処理液配管（エッチング液用）
５２Ｂ 処理液配管（リンス液用）
５３ 処理液ポンプ
５３Ａ 処理液ポンプ（エッチング液用）
５３Ｂ 処理液ポンプ（リンス液用）
５４ 処理液タンク
５４Ａ 処理液タンク（エッチング液用）
５４Ｂ 処理液タンク（リンス液用）
５５ 切替バルブ
５９ 吐出口
５９ａ 上流側吐出口
５９ｂ 下流側吐出口
６０ 吸引流路
６０ａ 上流側吸引流路
６０ｂ 下流側吸引流路
６１ 共通吸引口
６１ａ 上流側共通吸引口
６１ｂ 下流側共通吸引口
６２ 吸引ポンプ
６２ａ 上流側吸引ポンプ
６２ｂ 下流側吸引ポンプ
６３ 吸引バルブ
６３ａ 上流側吸引バルブ
６３ｂ 下流側吸引バルブ
６４ 吸引配管
６４ａ 上流側吸引配管
６４ｂ 下流側吸引配管
７０ 整流板
８０ ブラシ
８１ ブラシ回転軸
８２ ブラシモータ
９ 移動機構
９１ ロッド
９２ 平行移動機構
１００ 制御手段
１１０ 入出力装置
１２０ 記憶手段

Claims (9)

1. 基板の端部及び周縁部を処理する基板処理装置であって、
   前記基板を保持回転させる保持回転機構と、
   前記基板の端部及び周縁部が進入可能である開口部と前記開口部に対向する共通吸引口とを有するケーシングと、
   前記ケーシングに配設された複数の処理液供給ノズルと、
   前記複数の処理液供給ノズルの端部に設けられ、前記基板の端部及び周縁部が前記開口部へと進入した際に前記基板の周縁部に対向するように配設された複数の吐出口と、
   各々の一端が前記複数の吐出口の一に対向し且つ各々の他端が前記共通吸引口に対向するように、前記複数の吐出口に対応して前記ケーシングに配設された複数の吸引流路と、
   前記基板の端部及び周縁部が前記開口部に進入した状態である処理位置と前記基板の端部及び周縁部が前記開口部から退出した状態である退避位置との間で前記ケーシングを移動させる移動機構とを備える基板処理装置。
2. 前記複数の吸引流路が整流板を備えることを特徴とする、請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記複数の処理液供給ノズルが前記ケーシングに弧状に配設されていることを特徴とする、請求項１〜２記載の基板処理装置。
4. 前記ケーシングに、前記基板の周縁部又は端部を処理するためのブラシが更に配設されていることを特徴とする、請求項１〜３記載の基板処理装置。
5. 前記複数の吐出口が上流側吐出口を備えており、前記上流側吐出口は前記ケーシングを前記処理位置へと移動させた際に前記ブラシに対して前記基板の回転上流側に位置しており、前記複数の吸引流路が上流側吸引流路を備えており、前記上流側吸引流路は、その一端が前記上流側吐出口に対向し且つその他端が前記共通吸引口に対向するように前記ケーシングに配設されていることを特徴とする、請求項１〜４記載の基板処理装置。
6. 前記複数の吐出口が下流側吐出口をさらに備え、前記下流側吐出口は前記ケーシングを前記処理位置に移動させた際に前記ブラシに対して前記基板の回転下流側に位置しており、前記複数の吸引流路が下流側吸引流路を備えており、前記下流側吸引流路は、その一端が前記下流側吐出口に対向し且つその他端が前記共通吸引口に対向するように前記ケーシングに配設されていることを特徴とする、請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記上流側吸引流路と前記下流側吸引流路の形状が異なることを特徴とする、請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記処理液で処理する前記基板の周縁処理幅に応じて、前記処理位置、前記複数の処理液ノズルから供給される処理液の処理液流量又は前記共通吸引口による吸引力のうち少なくとも一つを制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜７記載の基板処理装置。
9. 前記周縁処理幅と、前記処理位置、前記処理液流量又は前記共通吸引口による吸引力のうち少なくとも１つとの関係を記憶する記憶手段をさらに備え、前記制御手段が前記記憶手段から前記関係を読み込むことにより、前記処理位置、前記複数の処理液ノズルから供給される前記処理液流量、又は前記共通吸引口による前記吸引力のうち少なくとも一つを制御することを特徴とする、請求項８記載の基板処理装置。

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