[go: up one dir, main page]

JP2015182465A - 成形型、光学素子及びそれらの製造方法 - Google Patents

成形型、光学素子及びそれらの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015182465A
JP2015182465A JP2015030437A JP2015030437A JP2015182465A JP 2015182465 A JP2015182465 A JP 2015182465A JP 2015030437 A JP2015030437 A JP 2015030437A JP 2015030437 A JP2015030437 A JP 2015030437A JP 2015182465 A JP2015182465 A JP 2015182465A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
sulfur hexafluoride
mold
substrate
base material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015030437A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6074560B2 (ja
Inventor
山本　和也
Kazuya Yamamoto
和也 山本
山本　剛司
Tsuyoshi Yamamoto
剛司 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nalux Co Ltd
Original Assignee
Nalux Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nalux Co Ltd filed Critical Nalux Co Ltd
Publication of JP2015182465A publication Critical patent/JP2015182465A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6074560B2 publication Critical patent/JP6074560B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0273—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use
    • G02B5/0294—Diffusing elements; Afocal elements characterized by the use adapted to provide an additional optical effect, e.g. anti-reflection or filter
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
    • B29C33/424—Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
    • G02B5/021—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures
    • G02B5/0221—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place at the element's surface, e.g. by means of surface roughening or microprismatic structures the surface having an irregular structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/12—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements by surface treatment, e.g. by irradiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

【課題】赤外域を含む広い範囲のピッチの微細凹凸構造を、大きな面積の面や曲面を含む面に形成することのできる成形型の製造方法を提供する。
【解決手段】反応性イオンエッチング装置内に、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属の材料からなる基材を配置し、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、プラズマドライエッチングプロセスにおいて、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面に、ピッチが０．３５マイクロメータよりも大きく、ピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、表面に微細凹凸構造を備えた成形型、光学素子及びそれらの製造方法に関する。
光の波長よりも小さなピッチ（周期）で配列された微細凹凸構造からなる反射防止構造が光学素子に使用されている。このような微細凹凸構造用の成形型の製造方法として、干渉露光や電子ビーム描画装置を使用してレジストをパターニングし、エッチングまたは電鋳を行う方法が知られている（たとえば、特許文献１）。しかし、これらの方法によって、大きな面積の面や曲面に微細凹凸構造を形成するのは困難である。
最近、レジストのパターニング工程なしで反射防止構造を作製する方法が開発されている。主として、ナノ粒子を基板表面に塗布することで、微細凹凸構造体を形成する方法（たとえば、特許文献２）、または、陽極酸化ポーラスアルミナを鋳型として微細凹凸構造体を形成する方法（たとえば、特許文献３）がある。これらの方法は、大きな面積の面や曲面への適用が期待されるが、プロセスの特性から微細凹凸構造体のピッチの大きさは、1マイクロメータ以下に制限される。したがって、たとえば、赤外線用の光学素子などに応用するのは困難である。
このように、赤外域を含む広い範囲のピッチの微細凹凸構造を、大きな面積の面や曲面を含む面に形成することのできる成形型、光学素子の製造方法は開発されていない。
WO2006/129514 特開2012-40878 特開2014-51710
したがって、赤外域を含む広い範囲のピッチの微細凹凸構造を、大きな面積の面や曲面を含む面に形成することのできる成形型及び光学素子の製造方法に対するニーズがある。
本発明の第１の態様による成形型の製造方法は、反応性イオンエッチング装置を使用した成形型の製造方法である。該装置内に、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属の材料からなる基材を配置し、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面に、ピッチが０．３５マイクロメータよりも大きく、ピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成する。
本態様の製造方法は、エッチング防止マスクのためのパターニングを必要としないので手間がかからない。また、本態様の製造方法によれば、赤外域を含む広い範囲のピッチの微細凹凸構造を、大きな面積の面や曲面を含む面に形成することができる。
本発明の第１の態様の第１の実施形態による成形型の製造方法においては、成形型が光学素子用のものである。
本発明の第１の態様の第２の実施形態による成形型の製造方法においては、成形型が反射防止構造用のものである。
本発明の第１の態様の第３の実施形態による成形型の製造方法においては、成形型が赤外線反射防止構造用のものである。
本発明の第１の態様の第４の実施形態による成形型の製造方法においては、成形型が拡散板用のものである。
本発明の第２の態様による成形型は、反応性イオンエッチング装置内に、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属の材料からなる基材を配置し、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面に、ピッチが０．３５マイクロメータよりも大きく、ピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成したものである。
本態様の成形型は、エッチング防止マスクのためのパターニングを使用せずに簡単な工程で製造することができる。また、赤外域を含む広い範囲のピッチの微細凹凸構造を、大きな面積の面や曲面を含む面に備えた成形型が得られる。
本発明の第３の態様による光学素子の製造方法は、反応性イオンエッチング装置を使用した光学素子の製造方法である。該装置内に、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、六フッ化硫黄と反応する半導体からなる基材を配置し、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面にピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成する。
本態様の製造方法は、エッチング防止マスクのためのパターニングを必要としないので手間がかからない。また、本態様の製造方法によれば、赤外域を含む広い範囲のピッチの微細凹凸構造を、大きな面積の面や曲面を含む面に形成することができる。
本発明の第４の態様による光学素子は、反応性イオンエッチング装置内に、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、六フッ化硫黄と反応する半導体からなる基材を配置し、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面に、ピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成したものである。
本態様の光学素子は、エッチング防止マスクのためのパターニングを使用せずに簡単な工程で製造することができる。また、赤外域を含む広い範囲のピッチの微細凹凸構造を、大きな面積の面や曲面を含む面に備えた光学素子が得られる。
本発明による、表面に微細凹凸構造を備えた成形型または光学素子に使用される反応性イオンエッチング装置２００の構成を示す図である。 本発明による成形型製造方法の原理を説明するための流れ図である。 平面に微細凹凸構造を備えた成形型を製造する方法を説明するための図である。 表面に微細凹凸構造を備えた光学素子を製造する方法を説明するための図である。 本発明による成形型の製造方法の一例として、反射防止構造用金型製造方法のエッチング条件を決定する方法を示す流れ図である。 表１のエッチング条件を維持して、高周波電源の電力を１００ワット及び２００ワットとした場合のエッチング時間と微細凹凸構造のピッチとの関係を示す図である。 表１のエッチング条件を維持して、高周波電源の電力を１００ワット及び２００ワットとした場合のエッチング時間と微細凹凸構造の深さとの関係を示す図である。 微細凹凸構造を備えた基材に入射する赤外線の波長と透過率との関係を示す図である。 透過率を説明するための図である。 透過率を向上させたい光の波長と、透過率を向上させる凹凸微細構造のピッチとの関係を示す図である。 表面に微細凹凸構造を備えていない基板１、表面に可視光用の微細凹凸構造を備えた基板２、及び表面に微細凹凸構造３を備えた基板３の外観写真を示す図である。 微細凹凸構造３の走査型電子顕微鏡写真である。
図１は、本発明による、表面に微細凹凸構造を備えた成形型または光学素子の製造に使用される反応性イオンエッチング装置２００の構成を示す図である。反応性イオンエッチング装置２００は、エッチング室２０１を有する。真空排気されたエッチング室２０１には、ガス供給口２０７からガスが供給される。さらに、エッチング室２０１には、ガス排気口２０９が設けられ、ガス排気口２０９には、バルブ２１７が取り付けられている。エッチング室２０１に取り付けられたガス圧力計２１３の測定値にしたがって、制御装置２１５にバルブ２１７を操作させることにより、エッチング室２０１内のガス圧力を所望の圧力値とすることができる。エッチング室２０１には、上部電極２０３及び下部電極２０５が備わり、両電極間に高周波電源２１１により高周波電圧をかけてプラズマを発生させることができる。下部電極２０５には、成形型の母材である基材１０１が配置される。下部電極２０５は、冷却装置２１９によって所望の温度に冷却することができる。冷却装置２１９は、たとえば、冷却に水冷式チラーを使用するものである。下部電極２０５を冷却するのは、基材１０１の温度を所望の温度とすることによりエッチング反応を制御するためである。
ここで、エッチング室２０１に供給されるガスは、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスである。また、基材の材料は、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属である。
図２は、本発明による成形型製造方法の原理を説明するための流れ図である。
図２のステップＳ１０１０において、プラズマドライエッチングを実施するように、高周波電圧をかけることにより、混合ガスがプラズマ化される。
図２のステップＳ１０２０において、プラズマ中の酸素イオンと、フッ素系ガス（六フッ化硫黄）に反応した基材の金属または半導体イオンとが結合し、酸化物として基材表面のランダムな位置に付着する。上記の酸化物は、六フッ化硫黄でほとんどエッチングされず、エッチング防止マスクとして機能する。
図２のステップＳ１０３０において、基材表面に付着した上記の酸化物をマスクとして六フッ化硫黄によって基材表面の酸化物に覆われていない部分のエッチングが進行する。この結果、基材表面に微細凹凸構造が形成される。
使用するガスは、上述のように、六フッ化硫黄（ＳＦ６）と酸素との混合ガスである。
基材の材料は、六フッ化硫黄と反応する、半導体、金属である。具体的には、シリコン、チタン、タングステン、タンタル、チタンに他の元素を添加したチタン合金、タングステンに他の元素を添加したタングステン合金などである。
図３は、平面に微細凹凸構造を備えた成形型を製造する方法を説明するための図である。
図３（ａ）は、エッチング前の基材１０１の断面を示す図である。
図３（ｂ）は、基材１０１の表面に反応性イオンエッチング装置を使用して微細凹凸構造の形状をエッチングしたものの断面を示す図である。なお、図３（ｂ）において、わかりやすくするために、基材と比較して微細凹凸構造の寸法を拡大して記載している。
図４は、表面に微細凹凸構造を備えた光学素子を製造する方法を説明するための図である。
図４（ａ）は、切削加工などにより曲面に加工したシリコン製の光学素子の断面を示す図である。シリコン製の光学素子は赤外線用に使用される。
図４（ｂ）はシリコン製の光学素子の表面に反応性イオンエッチング装置を使用して微細凹凸構造の形状をエッチングしたものの断面を示す図である。光学素子の表面の微細凹凸構造は、反射防止構造として機能する。なお、わかりやすくするために、図４（ｂ）において、光学素子と比較して微細凹凸構造の寸法を拡大して記載している。
図５は、本発明による成形型の製造方法の一例として、反射防止構造用成形型製造方法のエッチング条件を決定する方法を示す流れ図である。
図５のステップＳ２０１０において、エッチング条件の初期値を設定する。
図５のステップＳ２０２０において、設定したエッチング条件にしたがって反応性イオンエッチング装置を使用して基材をエッチングする。
図５のステップＳ２０３０において、製造した成形型の反射率を評価する。
図５のステップＳ２０４０において、製造した成形型の形状を評価する。形状の評価は、たとえば、走査型電子顕微鏡を使用して行う。
図５のステップＳ２０５０において、製造した成形型が反射防止構造用成形型として適切かどうか判断する。適切であれば処理を終了する。適切でなければステップＳ２０６０に進む。
図５のステップＳ２０６０において、エッチング条件を修正する。
エッチング条件について、以下において詳細に説明する。
表１は、エッチング条件の一部を示す表である。
反応性イオンエッチング装置２００のエッチング室２０１には、ガス供給口２０７から六フッ化硫黄と酸素との混合ガスが供給される。六フッ化硫黄及び酸素の供給流量は、それぞれ、毎分５０ミリ・リットルである。エッチング室２０１の圧力は、１パスカルに制御される。基材１０１が配置される下部電極２０５の温度は、摂氏３度に制御される。基材１０１はシリコン製である。
図６は、表１のエッチング条件を維持して、高周波電源２１１の電力を１００ワット及び２００ワットとした場合のエッチング時間と微細凹凸構造のピッチとの関係を示す図である。図６の横軸は、エッチング時間を表し、図６の縦軸は微細凹凸構造のピッチを表す。時間の単位は分であり、ピッチの単位はマイクロメータである。なお、高周波電源２１１の周波数は、１３．５６ＭＨｚである。
ここで、微細凹凸構造のピッチは、原子間力顕微鏡などによって得られた微細凹凸構造の断面における、隣接する凸部間または隣接する凹部間の基材面に平行な方向の距離の平均値である。微細凹凸構造の断面のフーリエ解析により求めてもよい。
図６によれば、微細凹凸構造のピッチは、エッチング時間が増加するにしたがって大きくなる。また、時間に対する微細凹凸構造のピッチの増加率は、高周波電源２１１の電力が増加するにしたがって大きくなる。
図７は、表１のエッチング条件を維持して、高周波電源２１１の電力を１００ワット及び２００ワットとした場合のエッチング時間と微細凹凸構造の深さとの関係を示す図である。基材１０１はシリコン製である。図７の横軸は、エッチング時間を表し、図７の縦軸は微細凹凸構造の深さを表す。時間の単位は分であり、深さの単位はマイクロメータである。
ここで、微細凹凸構造の深さは、原子間力顕微鏡などによって得られた微細凹凸構造の断面における、隣接する凸部及び凹部間の基材面に垂直な方向の距離の平均値である。
図７によれば、微細凹凸構造の深さは、エッチング時間が増加するにしたがって大きくなる。また、時間に対する微細凹凸構造の深さの増加率は、高周波電源２１１の電力が増加するにしたがって大きくなる。
このように、高周波電源２１１の電力及びエッチング時間を含むエッチング条件を調整することにより、可視光域及び赤外域に対応するピッチ及び深さを備えた微細凹凸構造を製造することができる。
図８は、微細凹凸構造を備えた基材に入射する赤外線の波長と透過率との関係を示す図である。図８の横軸は、基材に入射する赤外線の波長を表し、図８の縦軸は、赤外線の透過率を表す。図８において実線は、微細凹凸構造を備えていない基材に入射する赤外線の波長と透過率との関係を示し、二点鎖線は、以下に説明するエッチング条件１で製造した微細凹凸構造を備えた基材に入射する赤外線の波長と透過率との関係を示し、破線は、以下に説明するエッチング条件２で製造した微細凹凸構造を備えた基材に入射する赤外線の波長と透過率との関係を示す。
図９は、透過率を説明するための図である。透過率は、透過光の入射光に対する比率である。基材１０１の面に設置された微細凹凸構造１０１１の機能によって、透過率が変化する。
表２は、エッチング条件１及びエッチング条件２を示す表である。
エッチング条件１で製造した微細凹凸構造（以下、微細凹凸構造１と呼称する）のピッチは、１．０マイクロメータであり、深さは１．２１マイクロメータである。微細凹凸構造１の深さに対するピッチの比は、０．８３である。エッチング条件２で製造した微細凹凸構造（以下、微細凹凸構造２と呼称する）のピッチは、３．０マイクロメータであり、深さは２．７９マイクロメータである。微細凹凸構造２の深さに対するピッチの比は、１．１である。
図８によれば、微細凹凸構造１を備えた基材は、２乃至１５マイクロメータの波長範囲で、微細凹凸構造を備えていない基材と比較して透過率が高い。特に、３乃至７マイクロメータの波長範囲で、微細凹凸構造を備えていない基材と比較して透過率が約１０％以上高い。微細凹凸構造２を備えた基材は、６乃至１５マイクロメータの波長範囲で、微細凹凸構造を備えていない基材と比較して透過率が高い。特に、７乃至１２マイクロメータの波長範囲で、微細凹凸構造を備えていない基材と比較して透過率が約７％以上高い。上記の結果から、透過率を向上させる、すなわち、反射率を低下させる微細凹凸構造のピッチは、透過率を向上させたい波長の１／５から１／２の範囲であるのが好ましい。
図１０は、透過率を向上させたい光の波長と、透過率を向上させる凹凸微細構造のピッチとの関係の一例を示す図である。図１０の横軸は、透過率を向上させたい光の波長を表し、図１０の縦軸は、透過率を向上させる凹凸微細構造のピッチを表す。
微細凹凸構造２のピッチよりもさらに大きな赤外域のピッチの微細凹凸構造（以下、微細凹凸構造３と呼称）を製造した。
表３は、微細凹凸構造３のエッチング条件を示す表である。
微細凹凸構造３のピッチは、１８．０マイクロメータであり、深さは６．０マイクロメータである。微細凹凸構造３の深さに対するピッチの比は、３．０である。
表３に示したエッチング条件において、六フッ化硫黄の供給量よりも酸素の供給量を減少させている。この結果、基材表面に付着し、エッチングマスクとして機能する酸化物の相互の間隔が大きくなる。したがって、微細凹凸構造３の深さに対するピッチの比は、微細凹凸構造１及び２の深さに対するピッチの比よりも大きくなる。このように、六フッ化硫黄の供給量と酸素の供給量との比を変えることにより、微細凹凸構造の深さに対するピッチの比を変えることができる。
図１１は、表面に微細凹凸構造を備えていない基板１、表面に可視光用の微細凹凸構造を備えた基板２、及び表面に微細凹凸構造３を備えた基板３の外観写真を示す図である。基板２の微細構造のピッチは、０．２マイクロメータである。基板２の表面における反射は微細凹凸構造によって低減されるので、基板２は基板１と比較して黒く見える。微細凹凸構造３のピッチは、可視光の波長よりも十分に大きい。他方、微細凹凸構造３の隣接する凸部または凹部間の基材面に平行な方向の距離は一定ではなく所定の範囲に分布している。したがって、基板３の微細凹凸構造３によって、種々の波長の種々の次数の回折光が生じ、基板３は基板１と比較して白濁して見える。すなわち、表面に微細凹凸構造３を備えた基板３は、可視光を拡散させている。
このように、微細凹凸構造３を備えた基板３は、拡散板として機能する。
図１２は、微細凹凸構造３の走査型電子顕微鏡写真である。
本発明の第１の態様による成形型の製造方法は、反応性イオンエッチング装置を使用した成形型の製造方法である。該装置内に、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属の材料からなる基材を配置し、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面に、ピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成する。
本発明の第２の態様による成形型は、反応性イオンエッチング装置内に、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属の材料からなる基材を配置し、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面に、ピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成したものである。

Claims (8)

  1. 反応性イオンエッチング装置を使用した成形型の製造方法であって、該装置内に、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属の材料からなる基材を配置し、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、プラズマドライエッチングプロセスにおいて、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面に、ピッチが０．３５マイクロメータよりも大きく、ピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成する、成形型の製造方法。
  2. 成形型が光学素子用のものである請求項１に記載の成形型の製造方法。
  3. 成形型が反射防止構造用のものである請求項２に記載の成形型の製造方法。
  4. 成形型が赤外線反射防止構造用のものである請求項３に記載の成形型の製造方法。
  5. 成形型が拡散板用のものである請求項２に記載の成形型の製造方法。
  6. 反応性イオンエッチング装置内に、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属の材料からなる基材を配置し、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、プラズマドライエッチングプロセスにおいて、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面に、ピッチが０．３５マイクロメータよりも大きく、ピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成したものである成形型。
  7. 反応性イオンエッチング装置を使用した光学素子の製造方法であって、該装置内に、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属の材料からなる基材を配置し、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、プラズマドライエッチングプロセスにおいて、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面にピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成する、光学素子の製造方法。
  8. 反応性イオンエッチング装置内に、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属の材料からなる基材を配置し、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、プラズマドライエッチングプロセスにおいて、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面に、ピッチの上限が赤外域である微細凹凸構造を形成したものである光学素子。
JP2015030437A 2014-03-21 2015-02-19 光学素子の製造方法及び光学素子用成型型の製造方法 Active JP6074560B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461968629P 2014-03-21 2014-03-21
US61/968,629 2014-03-21

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016185660A Division JP6539813B2 (ja) 2014-03-21 2016-09-23 光学素子の製造方法及び光学素子用成型型の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015182465A true JP2015182465A (ja) 2015-10-22
JP6074560B2 JP6074560B2 (ja) 2017-02-08

Family

ID=54053774

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015030437A Active JP6074560B2 (ja) 2014-03-21 2015-02-19 光学素子の製造方法及び光学素子用成型型の製造方法
JP2016185660A Active JP6539813B2 (ja) 2014-03-21 2016-09-23 光学素子の製造方法及び光学素子用成型型の製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016185660A Active JP6539813B2 (ja) 2014-03-21 2016-09-23 光学素子の製造方法及び光学素子用成型型の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (2) JP6074560B2 (ja)
DE (1) DE102015103931B4 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017159573A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 ナルックス株式会社 射出圧縮成形装置及び射出圧縮成形方法
WO2019073729A1 (ja) * 2017-10-13 2019-04-18 株式会社エンプラス ドライエッチング法による成形型の製造方法
JP2019072886A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 株式会社エンプラス ドライエッチング法による成形型の製造方法
WO2019211920A1 (ja) * 2018-04-30 2019-11-07 ナルックス株式会社 表面に微細凹凸構造を備えたプラスチック成型品の製造方法
CN113727827A (zh) * 2019-06-11 2021-11-30 纳卢克斯株式会社 在表面具备微细凹凸结构的塑料元件的制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09232482A (ja) * 1996-02-23 1997-09-05 Denso Corp 半導体の表面処理方法および半導体装置
JP2009132010A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Panasonic Electric Works Co Ltd マイクロレンズアレイ用金型の製造方法
WO2009125769A1 (ja) * 2008-04-08 2009-10-15 株式会社ニコン 光学素子及びその製造方法、光学装置
WO2010074190A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 ソニー株式会社 微細加工体、およびその製造方法、ならびにエッチング装置
JP2012078831A (ja) * 2011-09-29 2012-04-19 Oji Paper Co Ltd 非平面上単粒子膜の製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた微細構造体。

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001133772A (ja) * 1999-11-02 2001-05-18 Hitachi Ltd 導光板の製造方法、導光板及び液晶表示装置
JP2002022911A (ja) * 2000-07-05 2002-01-23 Nikon Corp マイクロプリズムアレイの製造方法および型材
JP2005303255A (ja) * 2004-03-17 2005-10-27 Shinryo Corp 太陽電池用シリコン基板の低反射率加工方法
JP4206447B2 (ja) 2005-06-03 2009-01-14 ナルックス株式会社 微細格子およびその金型
WO2007042521A2 (de) 2005-10-10 2007-04-19 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Herstellung von selbstorganisierten nadelartigen nano-strukturen und ihre recht umfangreichen anwendungen
DE102006013670A1 (de) 2006-03-24 2007-09-27 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Breitbandig entspiegelte optische Bauteile mit gekrümmten Oberflächen
JP4986137B2 (ja) 2006-12-13 2012-07-25 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノ構造体を有する光学素子用又はナノ構造体用成形型の製造方法
JP2009128543A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Panasonic Corp 反射防止構造体の製造方法
FR2949276B1 (fr) * 2009-08-24 2012-04-06 Ecole Polytech Procede de texturation de la surface d'un substrat de silicium et substrat de silicium texture pour cellule solaire
JP2014051710A (ja) 2012-09-07 2014-03-20 Mitsubishi Rayon Co Ltd 陽極酸化ポーラスアルミナの製造方法、モールドの製造方法および微細凹凸構造を表面に有する成形体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09232482A (ja) * 1996-02-23 1997-09-05 Denso Corp 半導体の表面処理方法および半導体装置
JP2009132010A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Panasonic Electric Works Co Ltd マイクロレンズアレイ用金型の製造方法
WO2009125769A1 (ja) * 2008-04-08 2009-10-15 株式会社ニコン 光学素子及びその製造方法、光学装置
WO2010074190A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 ソニー株式会社 微細加工体、およびその製造方法、ならびにエッチング装置
JP2012078831A (ja) * 2011-09-29 2012-04-19 Oji Paper Co Ltd 非平面上単粒子膜の製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた微細構造体。

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017159573A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 ナルックス株式会社 射出圧縮成形装置及び射出圧縮成形方法
WO2019073729A1 (ja) * 2017-10-13 2019-04-18 株式会社エンプラス ドライエッチング法による成形型の製造方法
JP2019072886A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 株式会社エンプラス ドライエッチング法による成形型の製造方法
JP2019072885A (ja) * 2017-10-13 2019-05-16 株式会社エンプラス ドライエッチング法による成形型の製造方法
JP6993837B2 (ja) 2017-10-13 2022-02-04 株式会社エンプラス ドライエッチング法による成形型の製造方法
WO2019211920A1 (ja) * 2018-04-30 2019-11-07 ナルックス株式会社 表面に微細凹凸構造を備えたプラスチック成型品の製造方法
CN113727827A (zh) * 2019-06-11 2021-11-30 纳卢克斯株式会社 在表面具备微细凹凸结构的塑料元件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6539813B2 (ja) 2019-07-10
DE102015103931A1 (de) 2015-09-24
JP2016221980A (ja) 2016-12-28
DE102015103931B4 (de) 2022-06-30
JP6074560B2 (ja) 2017-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6539813B2 (ja) 光学素子の製造方法及び光学素子用成型型の製造方法
JP5584907B1 (ja) 反射防止構造用金型製造方法、及び反射防止構造用金型としての使用方法
US10353119B2 (en) Method for manufacturing mold or optical element
TW202006424A (zh) 形成光柵構件的方法以及形成增強實境/虛擬實境裝置的方法
CN103896206B (zh) 基于硅片刻穿的体硅加工工艺
TW201534956A (zh) 具有反射防止功能之構件及其製造方法
JP5948691B1 (ja) 成形型、成形型の製造方法及び複製品の製造方法
KR102606558B1 (ko) 광학적 격자 컴포넌트를 생성하는 방법
CN113727827B (zh) 在表面具备微细凹凸结构的塑料元件的制造方法
CN112889134A (zh) 使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法
CN117826298A (zh) 一种闪耀光栅的制备方法、衍射光波导及增强现实设备
KR100969988B1 (ko) 반도체 광학 렌즈 형성 공정 및 이에 의해 제조된 반도체광학 렌즈
Rao et al. Fabrication of 2D silicon nano-mold based on sidewall transfer
JP3979439B2 (ja) 半導体光学レンズの製造方法
JP6794308B2 (ja) マイクロレンズアレイ製造用金型の作製方法
JP2012162450A (ja) 微細周期構造を有する炭化ケイ素モールド及びその製造方法
JP4025886B2 (ja) 結晶ＴｉＯ２の微細加工方法及び微細加工された結晶ＴｉＯ２
CN107193068A (zh) 利用电场操控空穴分布制造闪耀光栅的方法
JP4725502B2 (ja) 半導体光学レンズの製造方法
CN106226851B (zh) 一种微透镜阵列和其制造方法
TW202511776A (zh) 一種閃耀光柵的製造方法
CN121165236A (zh) 一种二氧化钛光栅的制备方法及二氧化钛光栅
JP2007313814A (ja) モールドおよびその製造方法
WO2019211920A1 (ja) 表面に微細凹凸構造を備えたプラスチック成型品の製造方法
JP2009188247A (ja) ステンシルマスク用ｓｏｉ基板、ステンシルマスクブランクス、ステンシルマスク、ステンシルマスクの製造方法及びステンシルマスクを用いたパターン露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160223

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160531

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160705

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160831

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160929

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6074560

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250