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JP2015159083A - Manufacturing method of organic EL device - Google Patents

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JP2015159083A JP2014034347A JP2014034347A JP2015159083A JP 2015159083 A JP2015159083 A JP 2015159083A JP 2014034347 A JP2014034347 A JP 2014034347A JP 2014034347 A JP2014034347 A JP 2014034347A JP 2015159083 A JP2015159083 A JP 2015159083A
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真司 大西
片山 雅之
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片山  雅之
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an organic EL device that can surely form a protection film at a desired position and suppress a protection film formed on a mask from being exfoliated from the mask and become a foreign matter.SOLUTION: A mask 2 which is opened at a formation scheduled area for a protection film 4 is disposed on a substrate 1 having an organic EL element, and then SAM 3 is formed on a portion exposed from the mask 2 on the surface of the substrate 1 and on the surface of the mask 2. Thereafter, the protection film 4 is formed on the surface of the substrate 1 having SAM 3 formed thereon and the surface of the mask 2 by using gas. As a substrate 1, a material is used which is brought into close contact with the mask 2, chemically adsorbed by SAM 3 and also is not chemically adsorbed by the material of the protection film 4. A material which is chemically adsorbed by SAM 3 while brought into close contact with the substrate 1 is used as the mask 2, and a material which is chemically adsorbed by SAM 3 and is not chemically adsorbed by the substrate 1 is used as the protection film 4.

Description

本発明は、有機EL素子の表面に保護膜をガスによる成膜によって形成する有機EL装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL device in which a protective film is formed on a surface of an organic EL element by film formation using a gas.

従来、基材上に複数の有機EL素子を並べてパネル状にした有機EL装置では、有機EL素子を覆うように保護膜を形成している。このような保護膜は、基材上の所望位置にのみ形成され、例えば配線パターンを露出させたいような場所については形成されないようにされる。   Conventionally, in an organic EL device in which a plurality of organic EL elements are arranged on a substrate to form a panel, a protective film is formed so as to cover the organic EL elements. Such a protective film is formed only at a desired position on the base material, and is not formed at a place where the wiring pattern is to be exposed, for example.

このような保護膜を所望位置にのみ形成する手法としては、マスクを用いる手法やSAM処理(Self-assembled Monolayer:自己組織化単分子層の形成処理)を用いる手法などがある。   As a method for forming such a protective film only at a desired position, there are a method using a mask and a method using a SAM process (self-assembled monolayer).

マスクを用いる手法では、保護膜を形成したくない位置を覆うようにマスクを配置した状態で保護膜を成膜することにより、マスクから露出させられた所望位置にのみ保護膜が成膜されるようにしている。   In the method using the mask, the protective film is formed in a state where the mask is arranged so as to cover the position where the protective film is not to be formed, so that the protective film is formed only at a desired position exposed from the mask. I am doing so.

また、SAM処理を用いる手法では、SAM処理によって、有機EL素子などを形成した基材の表面のうち保護膜を形成したくない位置にSAMを形成したのち、保護膜形成用のガスを吹き付けることで、SAMが形成されていない部分に保護膜を形成している。つまり、SAMを形成することによって保護膜形成用のガスの分子が吸着され難くなる表面とし、SAMが形成されていない所望位置にのみ保護膜形成用のガスの分子が吸着されて、保護膜が形成されるようにしている(特許文献1参照)。   In the method using the SAM treatment, a SAM is formed on the surface of the base material on which the organic EL element or the like is formed by the SAM treatment, and then a protective film forming gas is sprayed. Thus, a protective film is formed in a portion where the SAM is not formed. In other words, by forming the SAM, the surface of the protective film forming gas molecules is difficult to be adsorbed, and the protective film forming gas molecules are adsorbed only at a desired position where the SAM is not formed. It is made to form (refer patent document 1).

特表2013−520028号公報Special Table 2013-520028

しかしながら、マスクを用いる手法では、ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)法などのガスを用いて保護膜の成膜を行う場合、マスクが基材に密着していないと、マスクと基材との隙間からガスが回り込んでしまう。このため、成膜したくない位置まで保護膜が形成されてしまうという問題がある。特に、ガスを用いて保護膜を成膜する際に基材を加熱する場合、マスクの反りやうねりもしくは歪みによって、マスクと基材との密着性を担保できなくなることがあり、このような問題が発生し易くなる。さらに、マスク上にも成膜された保護膜がマスクから剥離して異物となり、有機EL装置の特性劣化の要因になるため、マスクの使い回しが困難であるという問題も発生し得る。   However, in the method using a mask, when a protective film is formed using a gas such as an ALD (Atomic Layer Deposition) method, if the mask is not in close contact with the base material, Gas goes around from the gap. For this reason, there exists a problem that a protective film will be formed to the position which does not want to form into a film. In particular, when a substrate is heated when a protective film is formed using a gas, the mask and the substrate may not be able to secure adhesion due to warpage, undulation, or distortion of the mask. Is likely to occur. Furthermore, since the protective film formed also on the mask peels off from the mask and becomes a foreign substance, which causes deterioration of the characteristics of the organic EL device, there is a problem that it is difficult to reuse the mask.

また、SAM処理を用いる手法では、基材などのSAMが形成される表面にパーティクル等が存在すると、その影響によってSAMが部分的に形成されていない領域ができ、その部分にも保護膜が形成されてしまうという問題がある。特に、SAM処理を行う領域が大面積である場合、SAMを均一に形成することが難しく、このような問題が発生し易くなる。   In addition, in the method using SAM treatment, if particles or the like are present on the surface of the SAM such as a base material, a region where the SAM is not partially formed is formed due to the influence, and a protective film is also formed on the region. There is a problem of being done. In particular, when the area where the SAM processing is performed is a large area, it is difficult to form the SAM uniformly, and such a problem is likely to occur.

本発明は上記点に鑑みて、保護膜を所望位置に的確に形成でき、さらに、マスク上に成膜された保護膜がマスクから剥離して異物になることを抑制できるようにすることが可能な有機EL装置の製造方法を提供することを目的とする。   In view of the above points, the present invention can accurately form a protective film at a desired position, and can further prevent the protective film formed on the mask from peeling off from the mask to become a foreign substance. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic EL device.

上記目的を達成するため、請求項1ないし5に記載の発明では、有機EL素子が備えられた基材(1)に対して自己組織化単分子層(3)の形成処理を行ったのち、ガスを用いて基材の表面における所望位置に保護膜(4)を形成する有機EL装置の製造方法であって、保護膜の材料が化学吸着されず、自己組織化単分子層の材料が化学吸着され、かつ、マスクが密着する材料で構成された基材を用意する工程と、基材の表面に、基材の表面における所望位置が開口し、自己組織化単分子層の材料が化学吸着される材料で構成されたマスクを設置する工程と、基材の表面における所望位置およびマスクの表面に、これらの表面への保護膜の形成材料の化学吸着を促進させる自己組織化単分子層を形成する工程と、基材に対して化学吸着せず、かつ、自己組織化単分子層に対して化学吸着する材料からなる保護膜の材料を含むガスを用いて、基材の表面における所望位置およびマスクの表面に形成された自己組織化単分子層の表面に保護膜を形成する工程と、を含んでいることを特徴としている。   In order to achieve the above object, in the invention according to claims 1 to 5, after the formation process of the self-assembled monolayer (3) is performed on the base material (1) provided with the organic EL element, A method of manufacturing an organic EL device that forms a protective film (4) at a desired position on the surface of a substrate using a gas, wherein the material of the protective film is not chemisorbed and the material of the self-assembled monolayer is chemical A step of preparing a base material composed of a material that is adsorbed and to which a mask adheres, and a desired position on the surface of the base material opens on the surface of the base material, and the self-assembled monolayer material is chemisorbed And a self-assembled monolayer that promotes chemisorption of the material forming the protective film on the surface of the substrate at a desired position on the surface of the substrate and the surface of the mask. The process of forming and not chemically adsorbing to the substrate, Using a gas containing a protective film made of a material that is chemically adsorbed to the self-assembled monolayer, the self-assembled monolayer formed on the surface of the mask and the desired position on the surface of the substrate is used. And a step of forming a protective film on the surface.

このような製造方法においては、保護膜を形成する際に基材とマスクとの間に隙間が生じてガスがその隙間内に回り込んだとしても、保護膜がSAMの表面以外には形成されないようにできる。また、マスク上にも保護膜が形成されることになるが、マスクの表面にSAMを形成してあるため、マスクに対してSAMが化学吸着され、かつ、SAMに対して保護膜が化学吸着された状態になっている。このため、保護膜がマスクから剥離し難くなって、異物になることを抑制できる。したがって、マスクに形成された保護膜が剥離して異物となることで有機EL装置の特性劣化の要因になることもないため、マスクを繰り返し使い回すことも可能となる。   In such a manufacturing method, even when a gap is formed between the base material and the mask when the protective film is formed and the gas wraps into the gap, the protective film is not formed on the surface other than the surface of the SAM. You can A protective film is also formed on the mask. Since SAM is formed on the surface of the mask, SAM is chemisorbed on the mask, and the protective film is chemisorbed on the SAM. It is in the state that was done. For this reason, it can suppress that a protective film becomes difficult to peel from a mask and becomes a foreign material. Therefore, since the protective film formed on the mask is peeled off and becomes a foreign substance, it does not cause deterioration of the characteristics of the organic EL device, and the mask can be used repeatedly.

よって、保護膜を所望位置に的確に形成でき、さらにマスクの上に成膜された保護膜がマスクから剥離して異物になることを抑制することが可能な有機EL装置の製造方法とすることが可能となる。   Therefore, a method of manufacturing an organic EL device capable of accurately forming a protective film at a desired position and further suppressing the protective film formed on the mask from peeling off from the mask to become a foreign substance. Is possible.

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each said means shows an example of a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第1実施形態にかかる有機EL装置の製造工程を示した断面図である。It is sectional drawing which showed the manufacturing process of the organic electroluminescent apparatus concerning 1st Embodiment of this invention. 水素終端された基材1の様子を示した図である。It is the figure which showed the mode of the base material 1 terminated with hydrogen. アミノ基を有するシランカップリング剤が基材1の表面に吸着されたときの様子を示した図である。1 is a view showing a state when a silane coupling agent having an amino group is adsorbed on the surface of a base material 1. FIG.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.

(第1実施形態)
本発明の第1実施形態にかかる有機EL装置の製造方法について、図1(a)〜図1(c)に各製造工程を示して説明する。
(First embodiment)
The manufacturing method of the organic EL device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the respective manufacturing steps shown in FIGS.

〔図1(a)に示す工程〕
まず、基材1を用意し、この基材1の上にマスク2を設置する。基材1には、図示していないが複数の有機EL素子が並べて配置されていると共に、各有機EL素子を駆動するための配線パターンなどが形成されている。
[Step shown in FIG. 1 (a)]
First, a base material 1 is prepared, and a mask 2 is set on the base material 1. Although not shown, the substrate 1 is provided with a plurality of organic EL elements arranged side by side and a wiring pattern for driving each organic EL element.

このとき、基材1の材料としては、マスク2と密着させられると共に、後述するSAM処理で用いる材料が化学吸着し、かつ、最終的にガスを用いて成膜する保護膜4(図1(c)参照)の材料が化学吸着しない材料を用いるようにしている。例えば、ガラス基板、シリコン基板、ポリイミド基板などを基材1として用いている。また、マスク2としては、基材1と密着しつつ、SAM処理で用いる材料が化学吸着する材料によって構成されるハードマスクを用いるようにしている。例えば、ガラス、SUS、樹脂などをマスク2の材料として用いている。マスク2の材料については適宜選択可能であるが、マスク2の変形を考慮して成膜温度によって使い分けるようにすると好ましい。   At this time, as the material of the base material 1, the protective film 4 (FIG. 1 (FIG. 1)) is adhered to the mask 2 and is chemically adsorbed by a material used in the SAM treatment described later. The material of (c) is not chemically adsorbed. For example, a glass substrate, a silicon substrate, a polyimide substrate or the like is used as the base material 1. As the mask 2, a hard mask composed of a material that is chemically adsorbed by a material used in the SAM process while being in close contact with the base material 1 is used. For example, glass, SUS, resin, or the like is used as the material for the mask 2. The material of the mask 2 can be selected as appropriate, but it is preferable to use the material properly depending on the film formation temperature in consideration of the deformation of the mask 2.

なお、このようにして用意した基材1の表面には、図2に示すように、大気に含まれる水分によって水酸基(OH基)が化学吸着し、水酸基によって終端された構造となる。また、基材1には、有機EL素子を構成する各層、例えば下部電極層、有機EL層および上部電極層などに加えて配線パターンなどが形成されているが、これらの膜厚は非常に薄い。このため、部分的にマスク2の下に位置していたとしても、マスク2と基材1との密着性は損なわれない。   As shown in FIG. 2, the surface of the base material 1 prepared in this way has a structure in which hydroxyl groups (OH groups) are chemically adsorbed by moisture contained in the atmosphere and terminated with hydroxyl groups. In addition to the layers constituting the organic EL element, for example, the lower electrode layer, the organic EL layer, the upper electrode layer, and the like, the substrate 1 is formed with a wiring pattern, etc., but these film thicknesses are very thin. . For this reason, even if it is partially located under the mask 2, the adhesion between the mask 2 and the substrate 1 is not impaired.

〔図1(b)に示す工程〕
続いて、SAM処理を行うことにより、基材1のうちマスク2から露出させられている部分の表面、つまり保護膜4を成膜したい所望位置およびマスク2の表面に、保護膜4が化学吸着されることを促すSAM3を形成する。例えば、マスク2を配置した基材1を成膜チャンバに投入し、マスク2が変形しない温度(例えば、50℃以下)で真空中(減圧雰囲気)でSAM処理を行う。SAM処理時の真空度は任意であるが、後述する保護膜4の成膜時よりも低真空の方が平均自由工程が短いため、好ましい。
[Step shown in FIG. 1B]
Subsequently, by performing SAM treatment, the protective film 4 is chemically adsorbed on the surface of the portion of the substrate 1 exposed from the mask 2, that is, the desired position where the protective film 4 is to be formed and the surface of the mask 2. SAM3 that encourages the user to be executed is formed. For example, the base material 1 on which the mask 2 is disposed is put into a film forming chamber, and SAM processing is performed in a vacuum (depressurized atmosphere) at a temperature at which the mask 2 is not deformed (for example, 50 ° C. or less). Although the degree of vacuum at the time of SAM treatment is arbitrary, a lower vacuum is preferable because a mean free process is shorter than that at the time of forming a protective film 4 described later.

具体的には、水酸基(OH基)と反応する反応基(結合手)と、後述する保護膜4の材料と反応する反応基(接合手)を有するカップリング剤を用いた表面処理、例えばカップリング剤を含むガスをSAM3の形成予定位置に吹き付けることでSAM処理を行う。これによって、大気中の水分によって形成された基材1の表面やマスク2の表面の水酸基と反応してこれらの表面に的確に化学吸着されつつ、基材1の表面の所望位置およびマスク2の表面に保護膜4の材料と反応する反応基を有するSAM3を形成する。   Specifically, surface treatment using a coupling agent having a reactive group (bonding hand) that reacts with a hydroxyl group (OH group) and a reactive group (bonding hand) that reacts with the material of the protective film 4 described later, for example, a cup The SAM treatment is performed by spraying a gas containing a ring agent onto the position where the SAM 3 is to be formed. This reacts with the hydroxyl groups on the surface of the substrate 1 and the surface of the mask 2 formed by moisture in the atmosphere and is chemisorbed accurately on these surfaces, while the desired position on the surface of the substrate 1 and the mask 2 A SAM 3 having a reactive group that reacts with the material of the protective film 4 is formed on the surface.

このようなカップリング剤としては、例えば、水酸基と反応する反応基(結合手)となる酸素、および、保護膜4の材料と反応する反応基(接合手)となるアミノ基(NH2)を有するシランカップリング剤を用いることができる。このようなシランカップリング剤を用いた表面処理を行うことで、例えば図3に示すように、酸素が配置された接合手が水酸基と反応して基材1の表面やマスク2の表面に化学吸着されつつ、基材1の表面の所望位置およびマスク2の表面がアミノ基で終端されたSAM3を形成することができる。 Examples of such a coupling agent include oxygen as a reactive group (bond) that reacts with a hydroxyl group and an amino group (NH 2 ) as a reactive group (joint) that reacts with the material of the protective film 4. The silane coupling agent which has can be used. By performing surface treatment using such a silane coupling agent, for example, as shown in FIG. 3, a bond in which oxygen is arranged reacts with a hydroxyl group to cause chemical reaction on the surface of the substrate 1 or the surface of the mask 2. While adsorbed, SAM3 in which the desired position on the surface of the substrate 1 and the surface of the mask 2 are terminated with an amino group can be formed.

なお、SAM3を形成する工程については、基本的には後述する保護膜4の形成工程の際の温度よりも低い温度、好ましくは図1(a)の工程に対して温度変化が無い温度、例えば室温で行うことが可能である。この場合、この工程までの間に基材1の表面とマスク2との間に隙間が生じないため、SAM3が基材1とマスク2との間に回り込むことは無い。   Note that the process for forming the SAM 3 is basically a temperature lower than the temperature in the process of forming the protective film 4 to be described later, preferably a temperature that does not change with respect to the process of FIG. It can be performed at room temperature. In this case, since no gap is generated between the surface of the substrate 1 and the mask 2 until this step, the SAM 3 does not wrap around between the substrate 1 and the mask 2.

〔図1(c)に示す工程〕
この後、保護膜4の材料を含むガスを用いて、例えばALD法によってSAM3の表面に保護膜4を形成する。具体的には、SAM3の表面の終端構造、例えばSAM3を形成する時のカップリング剤としてアミノ基を有するシランカップリング剤を用いている場合、アミノ基と反応するテレフタル酸ジクロライドに加えて、エチレングリコール、エチレンジアミンを用いる。そして、これらを交互に用いて吹き付けることにより、SAM3の表面のアミノ基と反応してテレフタル酸ジクロライドがSAM3の表面に化学吸着され、SAM3の表面に保護膜4を形成することができる。
[Step shown in FIG. 1 (c)]
Thereafter, the protective film 4 is formed on the surface of the SAM 3 by, for example, the ALD method using a gas containing the material of the protective film 4. Specifically, when a silane coupling agent having an amino group is used as a termination structure on the surface of SAM3, for example, a coupling agent when forming SAM3, in addition to terephthalic acid dichloride that reacts with the amino group, ethylene Glycol and ethylenediamine are used. Then, by alternately spraying these, the terephthalic acid dichloride reacts with the amino group on the surface of SAM3 and is chemically adsorbed on the surface of SAM3, and the protective film 4 can be formed on the surface of SAM3.

このとき、基材1の表面やマスク2の表面に形成されたSAM3の表面が保護膜4の材料に対して反応する反応基によって終端された状態になっているため、そのSAM3の表面に保護膜4の材料が化学吸着されて保護膜4が形成される。   At this time, since the surface of the SAM 3 formed on the surface of the substrate 1 or the surface of the mask 2 is terminated by a reactive group that reacts with the material of the protective film 4, the surface of the SAM 3 is protected. The protective film 4 is formed by chemical adsorption of the material of the film 4.

またこのとき、保護膜4の材料を含むガスを吹き付ける際に、加熱により基材1の温度が例えば100℃程度まで高くなる工程とすることもあり、基材1とマスク2との間に隙間が生じる可能性もある。しかしながら、基材1の材料として、保護膜4の材料が化学吸着しない材料を用いているため、仮に保護膜4の材料を含むガスが基材1とマスク2との隙間に回り込んだとしても、SAM3が形成されていない部分では基材1の表面上に保護膜4が形成されない。   At this time, when the gas containing the material of the protective film 4 is blown, there is a case where the temperature of the base material 1 is increased to, for example, about 100 ° C. by heating, and there is a gap between the base material 1 and the mask 2. May occur. However, since the material of the protective film 4 is not chemically adsorbed as the material of the base material 1, even if the gas containing the material of the protective film 4 wraps around the gap between the base material 1 and the mask 2. The protective film 4 is not formed on the surface of the substrate 1 in the portion where the SAM 3 is not formed.

このため、基材1の表面のうち保護膜4を成膜したい所望位置およびマスク2の表面に形成されたSAM3の上にのみ保護膜4が形成され、SAM3が形成されていない部分では基材1の表面上に保護膜4が形成されないようにできる。この後、マスク2を基材1から取り外すことで、基材1の表面の所望位置を保護膜4で覆った有機EL素子を有する有機EL装置が完成する。   Therefore, the protective film 4 is formed only on the desired position where the protective film 4 is to be formed on the surface of the substrate 1 and the SAM 3 formed on the surface of the mask 2, and the substrate is not formed on the portion where the SAM 3 is not formed. The protective film 4 can be prevented from being formed on the surface of 1. Thereafter, the mask 2 is removed from the base material 1 to complete an organic EL device having an organic EL element in which a desired position on the surface of the base material 1 is covered with a protective film 4.

以上説明したように、本実施形態では、有機EL素子が備えられた基材1の上に保護膜4の形成予定領域が開口したマスク2を配置したのち、基材1の表面のうちマスク2から露出させられた部分およびマスク2の表面にSAM3を形成している。その後、SAM3が形成された基材1の表面およびマスク2の表面に、ガスを用いて保護膜4を形成している。   As described above, in the present embodiment, the mask 2 in which the region where the protective film 4 is to be formed is opened on the base material 1 provided with the organic EL element, and then the mask 2 on the surface of the base material 1. SAM3 is formed on the exposed part of the mask and the surface of the mask 2. Thereafter, a protective film 4 is formed on the surface of the substrate 1 on which the SAM 3 is formed and the surface of the mask 2 using a gas.

そして、基材1として、マスク2が密着させられると共にSAM3が化学吸着し、かつ、保護膜4の材料が化学吸着しない材料を用いている。また、マスク2として、基材1に密着しつつ、SAM3が化学吸着する材料を用い、さらに保護膜4として、SAM3に化学吸着され、基材1に化学吸着しない材料を用いている。   As the base material 1, a material to which the mask 2 is brought into close contact and the SAM 3 is chemically adsorbed and the material of the protective film 4 is not chemically adsorbed is used. Further, as the mask 2, a material that is chemically adsorbed by the SAM 3 while being in close contact with the base material 1 is used. Further, as the protective film 4, a material that is chemically adsorbed by the SAM 3 and is not chemically adsorbed by the base material 1 is used.

このため、保護膜4を形成する際に基材1とマスク2との間に隙間が生じてガスがその隙間内に回り込んだとしても、保護膜4がSAM3の表面以外には形成されないようにできる。また、マスク2上にも保護膜4が形成されることになるが、マスク2の表面にSAM3を形成してあり、マスク2に対してSAM3が化学吸着され、かつ、SAM3に対して保護膜4が化学吸着された状態になっているため、保護膜4がマスク2から剥離し難くなっている。したがって、マスク2に形成された保護膜4が剥離して異物となることで有機EL装置の特性劣化の要因になることもないため、マスク2を繰り返し使い回すことも可能となる。   For this reason, even when a gap is formed between the base material 1 and the mask 2 when the protective film 4 is formed and gas flows into the gap, the protective film 4 is not formed on the surface other than the surface of the SAM 3. Can be. Further, the protective film 4 is also formed on the mask 2, but the SAM 3 is formed on the surface of the mask 2, the SAM 3 is chemisorbed on the mask 2, and the protective film is applied to the SAM 3. Since 4 is in a chemically adsorbed state, the protective film 4 is difficult to peel off from the mask 2. Therefore, since the protective film 4 formed on the mask 2 is peeled off and becomes a foreign substance, it does not cause deterioration of the characteristics of the organic EL device, so that the mask 2 can be repeatedly used.

よって、本実施形態の製造方法により、保護膜4を所望位置に的確に形成することが可能となる。また、マスク2の上に成膜された保護膜4がマスク2から剥離して異物になることを抑制することも可能となる。   Therefore, the protective film 4 can be accurately formed at a desired position by the manufacturing method of the present embodiment. It is also possible to prevent the protective film 4 formed on the mask 2 from peeling off from the mask 2 and becoming a foreign substance.

(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the embodiment described above, and can be appropriately changed within the scope described in the claims.

例えば、上記実施形態では、基材1としてガラス基板やシリコン基板もしくはポリイミド基板、マスク2の材料としてガラスやSUSもしくは樹脂を例に挙げた。また、SAM3として反応基(結合手)に酸素やアミノ基を有するシランカップリング剤、保護膜4の材料としてテレフタル酸ジクロライドを例に挙げた。   For example, in the above embodiment, a glass substrate, a silicon substrate, or a polyimide substrate is used as the base material 1, and glass, SUS, or a resin is used as an example of the material of the mask 2. Further, SAM3 is exemplified by a silane coupling agent having oxygen or an amino group as a reactive group (bonding hand), and terephthalic acid dichloride as a material of the protective film 4.

しかしながら、(1)基材1の材料は、マスク2が密着させられると共にSAM3が化学吸着し、かつ、保護膜3の材料が化学吸着しない材料であること、(2)マスク2の材料は、基材1に密着しつつ、SAM3が化学吸着する材料であること、(3)保護膜4の材料は、SAM3に化学吸着され、基材1に化学吸着しない材料であること、を満たしていれば、どのような組み合わせであっても良い。   However, (1) the material of the substrate 1 is a material to which the mask 2 is brought into close contact and the SAM 3 is chemically adsorbed and the material of the protective film 3 is not chemically adsorbed. (2) The material of the mask 2 is SAM3 is a material that is chemically adsorbed while being in close contact with the substrate 1, and (3) the material of the protective film 4 is a material that is chemically adsorbed to the SAM3 and not chemically adsorbed to the substrate 1. Any combination is possible.

また、保護膜4を単層膜とせず、例えばAl23などとの積層によって構成される膜応力緩和膜の役割として積層構造としても良い。 Further, the protective film 4 may not be a single layer film, but may have a stacked structure as a role of a film stress relaxation film formed by stacking with, for example, Al 2 O 3 .

また、保護膜4としては、有機EL素子の表面保護用以外にも、他の用途、例えば安価な樹脂基板を基材1として用いる場合のガスバリア層として基材1の任意の場所を覆う際に適用するものなどが挙げられる。   In addition to protecting the surface of the organic EL element, the protective film 4 may be used for other purposes, for example, when covering an arbitrary place of the base material 1 as a gas barrier layer when an inexpensive resin substrate is used as the base material 1. Applicable ones are listed.

なお、本明細書では、基材1、マスク2、SAM3、保護膜4の材質を説明する上で、「化学吸着する材料」もしくは「化学吸着しない材料」という語句を用いている。「化学吸着する材料」とは、言い換えると、化学吸着し易い材料ということができる。「化学吸着しない材料」とは、言い換えると、化学吸着し難い材料ということができる。化学吸着し難い材料とは、完全に化学吸着しない場合を除くものではなく、化学吸着し易い材料と比較して化学吸着する確率が小さかったり、化学吸着に長時間を要する材料、もしくは、化学吸着したとしても剥離し易い材料であることを意味している。化学吸着する材料であっても、使用時のガス濃度を通常の1/10とすると、化学吸着する確立が小さくなったり、化学吸着に長時間を要することになる場合、そのガス濃度で使用する場合においては、化学吸着し難い材料に含まれることになる。   In the present specification, the terms “material that is chemically adsorbed” or “material that is not chemically adsorbed” are used to describe the materials of the substrate 1, the mask 2, the SAM 3, and the protective film 4. In other words, the “material that is chemisorbed” can be said to be a material that is easily chemisorbed. In other words, the “material that does not chemisorb” can be said to be a material that is difficult to chemisorb. Materials that are difficult to chemisorb do not exclude the case where they are not completely chemisorbed. Materials that have a low probability of chemisorption or require a long time for chemisorption or chemisorption compared to materials that are easily chemisorbed. Even if it does, it means that it is a material which peels easily. Even if it is a material that is chemically adsorbed, if the gas concentration at the time of use is set to 1/10 of the usual, if the probability of chemical adsorption becomes small or it takes a long time for chemical adsorption, use it at that gas concentration. In some cases, it will be included in materials that are difficult to chemisorb.

1 基材
2 マスク
3 SAM
4 保護膜
1 base material 2 mask 3 SAM
4 Protective film

Claims (5)

有機EL素子が備えられた基材(1)に対して自己組織化単分子層(3)の形成処理を行ったのち、ガスを用いて前記基材の表面における所望位置に保護膜(4)を形成する有機EL装置の製造方法であって、
前記保護膜の材料が化学吸着されず、前記自己組織化単分子層の材料が化学吸着され、かつ、前記マスクが密着する材料で構成された前記基材を用意する工程と、
前記基材の表面に、前記基材の表面における前記所望位置が開口し、前記自己組織化単分子層の材料が化学吸着される材料で構成された前記マスクを設置する工程と、
前記基材の表面における所望位置および前記マスクの表面に、該表面への前記保護膜の形成材料の化学吸着を促進させる前記自己組織化単分子層を形成する工程と、
前記基材に対して化学吸着せず、かつ、前記自己組織化単分子層に対して化学吸着する材料からなる前記保護膜の材料を含むガスを用いて、前記基材の表面における所望位置および前記マスクの表面に形成された前記自己組織化単分子層の表面に前記保護膜を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする有機EL装置の製造方法。
After the formation process of the self-assembled monolayer (3) is performed on the base material (1) provided with the organic EL element, the protective film (4) is formed at a desired position on the surface of the base material using a gas. An organic EL device manufacturing method for forming
A step of preparing the base material made of a material in which the material of the protective film is not chemisorbed, the material of the self-assembled monolayer is chemisorbed, and the mask adheres;
Placing the mask made of a material on the surface of the substrate where the desired position on the surface of the substrate is opened and the material of the self-assembled monolayer is chemisorbed;
Forming the self-assembled monolayer that promotes chemical adsorption of the material for forming the protective film on the surface at a desired position on the surface of the substrate and the surface of the mask;
Using a gas containing a material of the protective film made of a material that does not chemisorb to the substrate and chemisorbs to the self-assembled monolayer, a desired position on the surface of the substrate and And a step of forming the protective film on the surface of the self-assembled monolayer formed on the surface of the mask.
前記保護膜を形成する工程では、前記保護膜の材料として水酸基に化学吸着されない材料を用いることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置の製造方法。   2. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein in the step of forming the protective film, a material that is not chemically adsorbed by a hydroxyl group is used as the material of the protective film. 前記自己組織化単分子層を形成する工程を前記保護膜を形成する工程よりも低い温度で行うことを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置の製造方法。   3. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein the step of forming the self-assembled monolayer is performed at a lower temperature than the step of forming the protective film. 前記基材を用意する工程では、前記基材としてガラスもしくはポリイミドを用い、
前記マスクを設定する工程では、前記マスクとして樹脂を用い、
前記自己組織化単分子層を形成する工程では、前記自己組織化単分子層の材料として、水酸基および前記保護膜の材料と反応する反応基を有するカップリング剤を用いることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の有機EL装置の製造方法。
In the step of preparing the base material, glass or polyimide is used as the base material,
In the step of setting the mask, a resin is used as the mask,
The step of forming the self-assembled monolayer uses a coupling agent having a hydroxyl group and a reactive group that reacts with the material of the protective film as the material of the self-assembled monolayer. The manufacturing method of the organic electroluminescent apparatus as described in any one of 1-3.
前記保護膜を形成する工程では、前記ガスを用いた成膜方法としてALD法を用いることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の有機EL装置の製造方法。   5. The method of manufacturing an organic EL device according to claim 1, wherein in the step of forming the protective film, an ALD method is used as a film forming method using the gas.
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