JP2015033080A

JP2015033080A - 高周波モジュール

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Publication number: JP2015033080A
Application number: JP2013163267A
Authority: JP
Inventors: 修一小野寺; Shuichi Onodera; 秀司大和; Hideji Yamato; 竹村　忠治; Tadaharu Takemura; 忠治竹村
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2013-08-06
Filing date: 2013-08-06
Publication date: 2015-02-16
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Abstract

【課題】通過帯域外の減衰特性が優れた小型のフィルタ回路を備える高周波モジュールを提供する。【解決手段】高周波モジュール１０１は、積層基板１００、フィルタ基板２００、カバー層２９０、接続電極２９３およびインダクタ４３Ｌ，６０を備える。フィルタ基板２００の第１主面には、フィルタ部２１を構成するＩＤＴ電極が形成され、第１主面側が積層基板１００の実装面に向くように配置されている。カバー層２９０はフィルタ基板２００の第１主面に対して間隔を空けて対向する。接続電極２９３は積層基板１００とフィルタ基板２００とを接続する。インダクタ４３Ｌは第１外部接続端子とフィルタ部２１との間に接続されている。インダクタ６０はグランドとフィルタ部２１との間に接続されている。インダクタ４３Ｌ，６０は積層基板１００の内部に形成されている。インダクタ４３Ｌとインダクタ６０とは誘導性結合している。【選択図】図９

Description

本発明は、複数のフィルタ素子を備えた高周波モジュールに関するものである。

無線通信機能を備える携帯機器等では、所望周波数の高周波信号のみを通過し、当該所望周波数以外の高周波信号を減衰させるために、フィルタ回路を備えている。

例えば、特許文献１には、ＳＡＷ（弾性表面波）フィルタを複数備えたフィルタ回路が記載されている。具体的に、特許文献１のフィルタ回路は、入力端子と出力端子との間に、複数のＳＡＷフィルタが直列接続されている。直列接続された各ＳＡＷフィルタを接続する接続ラインとグランドとの間にも、それぞれＳＡＷフィルタが接続されている。

特許文献１に記載のフィルタ回路は、通過帯域外の減衰特性を改善するために、インダクタもしくはインダクタとキャパシタの直列回路（補正回路と称する）を、ＳＡＷフィルタの直列回路に対して並列接続している。この際、ＳＡＷフィルタ群からなる回路部を伝搬する通過帯域外の高周波信号（抑圧対象信号）と、補正回路を伝搬する抑圧対象信号が、振幅が一致し位相が逆転するように、補正回路を調整する。これにより、抑圧対象信号は、ＳＡＷフィルタ群からなる回路部と補正回路との接続点で相殺され、出力端子からは出力されない。

特開２０１２−１０９８１８号公報

しかしながら、上述の構成では、主たるフィルタ機能を有するＳＡＷフィルタ群からなる回路部とは別に、減衰特性を改善するためだけに、インダクタもしくはインダクタとキャパシタの直列回路からなる補正回路を設けなければならない。

したがって、フィルタ回路の構成要素が多くなり、フィルタ回路が大型化してしまい、小型化が要求される現在の携帯端末等には不向きである。

本発明の目的は、通過帯域外の減衰特性が優れた小型のフィルタ回路を備える高周波モジュールを提供することにある。

この発明の第１の高周波モジュールは、第１外部接続端子と、第２外部接続端子と、第１外部接続端子と第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、第１外部接続端子もしくは第２外部接続端子の少なくとも一方とフィルタ部との間に接続された整合回路と、グランドとフィルタ部との間に接続されたインダクタと、を備えたものであり、次の特徴を有する。

第１の高周波モジュールは、積層基板と、フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成され、第１主面側が積層基板の実装面に向くように配置された平板状のフィルタ基板と、該フィルタ基板の第１主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、第１主面から突出し、カバー層を貫通する形状を有し、積層基板とフィルタ基板とを接続する接続電極と、を備える。整合回路は積層基板またはカバー層の内部に形成されている。インダクタと整合回路とが誘導性結合もしくは容量性結合されている。

この構成では、高周波信号がフィルタ部を伝搬する主伝搬経路とは別に、グランドとフィルタ部との間に接続されたインダクタと、整合回路とによって生じる誘導性結合または容量性結合の経路を介する副伝搬経路が形成される。副伝搬経路は、誘導性結合または容量性結合の結合度によって主伝搬経路とは異なる振幅特性および位相特性となり、副伝搬経路の振幅特性および位相特性を調整することで、高周波モジュールとしての伝送特性を調整することができる。これにより、別途インダクタやキャパシタを設けなくても、高周波モジュールの伝送特性を調整し、例えば減衰特性を改善できる。

また、ＷＬＰ（ＷａｆｅｒＬｅｖｅｌＰａｃｋａｇｅ）からなるフィルタ部と積層基板とで高周波モジュールを実現できる。これにより、高周波モジュールを小型化できる。

また、この発明の第２の高周波モジュールは、第１外部接続端子と、第２外部接続端子と、第１外部接続端子と第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、第１外部接続端子もしくは第２外部接続端子の少なくとも一方とフィルタ部との間に接続された整合回路と、グランドとフィルタ部との間に接続されたインダクタと、を備えたものであり、次の特徴を有する。

第２の高周波モジュールは、積層基板と、フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成され、第１主面側が積層基板の実装面に対して間隔を空けて対向するように配置された平板状のフィルタ基板と、第１主面から突出する形状を有し、積層基板とフィルタ基板とを接続する接続電極と、フィルタ基板が配置された積層基板の実装面を覆う樹脂層と、を備える。整合回路は積層基板の内部に形成されている。インダクタと整合回路とが誘導性結合もしくは容量性結合されている。

この構成では、別途インダクタやキャパシタを設けなくても、高周波モジュールの伝送特性を調整し、例えば減衰特性を改善できる。また、ベアチップからなるフィルタ部と積層基板とで高周波モジュールを実現できる。これにより、高周波モジュールを小型化できる。

また、この発明の第１または第２の高周波モジュールは、次の構成であることが好ましい。フィルタ部は、第１外部接続端子に接続する第１シリーズ接続端子と、第２外部接続端子に接続する第２シリーズ接続端子と、インダクタを介してグランドに接続するシャント接続端子と、を備える。フィルタ部は、第１シリーズ接続端子と第２シリーズ接続端子との間に、複数の接続ラインにより直列接続された複数のシリーズ接続型のフィルタ素子を備える。フィルタ部は、前記接続ラインに一方端が接続し、シャント接続端子に他方端が接続するシャント接続型のフィルタ素子を備える。

この構成では、複数のフィルタ素子の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部の所望の帯域通過特性および通過帯域外の減衰特性を実現できる。

また、この発明の第１または第２の高周波モジュールは、次の構成であることが好ましい。互いに誘導性結合もしくは容量性結合するインダクタと整合回路とは、フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスが変化するように誘導性結合もしくは容量性結合されている。

この構成に示すように、結合態様や結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、通過帯以外の特性すなわち減衰特性を変化させることができる。

また、この発明の第１または第２の高周波モジュールは、次の構成であることが好ましい。互いに誘導性結合もしくは容量性結合するインダクタと整合回路とは、フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数が変化するように誘導性結合もしくは容量性結合されている。

この構成では、減衰特性の調整態様として、減衰極周波数が調整される。

また、この発明の第１または第２の高周波モジュールでは、整合回路は、第１外部接続端子と第１シリーズ接続端子との間に直列接続されるか、もしくは、第２外部接続端子と第２シリーズ接続端子との間に直列接続される、シリーズ接続型の整合回路であってもよい。

また、この発明の第１または第２の高周波モジュールでは、整合回路は、第１外部接続端子と第１シリーズ接続端子とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるか、もしくは、第２外部接続端子と第２シリーズ接続端子とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続される、シャント接続型の整合回路であってもよい。

これらの構成では、整合回路の具体的な接続態様を示している。これらの接続態様を適宜決定することで、フィルタ部と外部とのインピーダンス整合を適切に行いながら、上述の減衰特性の調整も適切に行える。

また、この発明の第１または第２の高周波モジュールでは、次の構成であってもよい。フィルタ部は、第３端子と、第２のフィルタ部とを備える。第２のフィルタ部は、第１シリーズ接続端子および該第１シリーズ接続端子に接続するフィルタ素子を接続する接続ラインと、第３端子との間に接続されている。

この構成では、第１シリーズ接続端子を共通端子とし、第２シリーズ接続端子及び第３端子を個別端子とする合成分波器（デュプレクサ等）を実現できる。

また、この発明の第１または第２の高周波モジュールでは、インダクタは、積層基板の実装面または内部に、実装または形成され、インダクタと整合回路とは近接して配置されてもよい。

また、この発明の第１の高周波モジュールでは、インダクタはカバー層の内部に形成され、インダクタと整合回路とは近接して配置されてもよい。

また、この発明の第１の高周波モジュールでは、インダクタと整合回路とは、共に積層基板の内部に形成されているか、または、共にカバー層の内部に形成されてもよい。

また、この発明の第１の高周波モジュールでは、インダクタと整合回路とは互いに異なる層に形成されてもよい。

また、この発明の第１の高周波モジュールでは、インダクタと整合回路とは、平面視して少なくとも一部が重なるように配置されてもよい。

これらの構成では、整合回路およびインダクタの具体的な構成例を示している。これらの構成により、インダクタと整合回路との結合を確実に実現できる。

また、この発明の第１の高周波モジュールでは、インダクタと整合回路との間に形成されたグランド電極を備えてもよい。

この構成では、グランド電極の配置、大きさ等を変化させることで、インダクタと整合回路との結合度を調整できる。

また、この発明の第２の高周波モジュールでは、インダクタと整合回路とは、共に積層基板の内部に形成されてもよい。

また、この発明の第２の高周波モジュールでは、インダクタと整合回路とは互いに異なる層に形成されてもよい。

また、この発明の第２の高周波モジュールでは、インダクタと整合回路とは、平面視して少なくとも一部が重なるように配置されてもよい。

また、この発明の第２の高周波モジュールでは、インダクタと整合回路との間に形成されたグランド電極を備えてもよい。

この発明によれば、優れた通過帯域外の減衰特性を備えた小型のフィルタ回路を備える高周波モジュールを実現することができる。

本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第１回路例を示す回路ブロック図である。本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第２回路例を示す回路ブロック図である。本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第３回路例を示す回路ブロック図である。本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第４回路例を示す回路ブロック図である。図１から図４に示す高周波モジュールの整合回路の具体例を示す回路図である。整合回路とインダクタとの誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの通過特性の変化を示すグラフである。デュプレクサ構成からなる高周波モジュールの等価回路図である。整合回路とインダクタとの誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの第２外部接続端子と第３外部接続端子との間のアイソレーションの変化を示すグラフである。高周波モジュールの第１の構造の主要構造を示す側面概念図である。高周波モジュールの第１の構造における第１の変形例の主要構造を示す側面概念図である。高周波モジュールの第１の構造における第２の変形例の主要構造を示す側面概念図である。高周波モジュールの第２の構造の主要構造を示す概念図である。高周波モジュールの第３の構造の主要構造を示す概念図である。高周波モジュールの第３の構造における変形例の主要構造を示す概念図である。高周波モジュールの第４の構造の主要構造を示す側面概念図である。

本発明の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第１回路例を示す回路ブロック図である。図２は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第２回路例を示す回路ブロック図である。図３は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第３回路例を示す回路ブロック図である。図４は本発明の実施形態に係る高周波モジュールの第４回路例を示す回路ブロック図である。なお、図１〜図４では、図を視認し易くするため、誘導性結合もしくは容量性結合の代表例を示している。図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）、図５（Ｄ）は第１外部接続端子側の整合回路の具体例を示す回路図である。図５（Ｅ）、図５（Ｆ）、図５（Ｇ）、図５（Ｈ）は第２外部接続端子側の整合回路の具体例を示す回路図である。

まず、図１から図４にそれぞれ示す高周波モジュール１１，１２，１３，１４に対して共通な回路構成について説明する。

高周波モジュール１１，１２，１３，１４は、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、フィルタ部２０を備える。フィルタ部２０は、第１外部接続端子Ｐ１と第２外部接続端子Ｐ２との間に接続されている。

フィルタ部２０は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第１シャント接続端子Ｐ２３１，Ｐ２３２、第２シャント接続端子Ｐ２４を備える。第１シリーズ接続端子Ｐ２１は、後述するシリーズ接続型の整合回路もしくはシャント接続型の整合回路を介して第１外部接続端子Ｐ１に接続される。第２シリーズ接続端子Ｐ２２は、後述するシリーズ接続型の整合回路もしくはシャント接続型の整合回路を介して第２外部接続端子Ｐ２に接続される。

第１シャント接続端子Ｐ２３１は、インダクタ５０を介して、グランドに接続されている。第１シャント接続端子Ｐ２３２は、インダクタ５１を介して、グランドに接続されている。第２シャント接続端子Ｐ２４は、インダクタ６０を介して、グランドに接続されている。

フィルタ部２０は、複数のＳＡＷ共振子２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６，２０７，２０８（以下、複数のＳＡＷ共振子をまとめて説明する場合には単純に複数のＳＡＷ共振子２０１−２０８と称する）を備える。これらＳＡＷ共振子が、本発明の「シリーズ接続型のフィルタ素子」に相当する。また、複数のＳＡＷ共振子２１１，２１２，２１３，２１４を備える。これらＳＡＷ共振子が、本発明の「シャント接続型のフィルタ素子」に相当する。

複数のＳＡＷ共振子２０１−２０８，２１１，２１２，２１３，２１４は、それぞれに共振周波数を有し、それぞれ個別に帯域通過特性を有する帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）として機能する。複数のＳＡＷ共振子２０１−２０８は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との間に、複数の接続ラインにより直列接続されている。

ＳＡＷ共振子２１１は、ＳＡＷ共振子２０２，２０３を接続する接続ラインと第１シャント接続端子Ｐ２３１との間に接続されている。ＳＡＷ共振子２１４は、ＳＡＷ共振子２０４，２０５を接続する接続ラインと第１シャント接続端子Ｐ２３２との間に接続されている。

ＳＡＷ共振子２１２は、ＳＡＷ共振子２０６，２０７を接続する接続ラインと第２シャント接続端子Ｐ２４との間に接続されている。ＳＡＷ共振子２１３は、ＳＡＷ共振子２０８と第２シリーズ接続端子Ｐ２２とを接続する接続ラインと、第２シャント接続端子Ｐ２４との間に接続されている。すなわち、第２シャント接続端子Ｐ２４は、ＳＡＷ共振子２１２，２１３に対する共通の端子であり、これらのＳＡＷ共振子２１２，２１３の一方端をまとめてグランドに接続する。

フィルタ部２０は、このような構成により所謂ラダー接続型フィルタを構成し、ＳＡＷ共振子２０１−２０８，２１１，２１２，２１３，２１４の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２０としての所望の帯域通過特性および通過帯域外の減衰特性を実現している。なお、ＳＡＷ共振子の数や配置は、通過させたい信号の周波数帯域および通過帯域外における所望の減衰特性を得るために適宜変更しても構わない。

このような高周波モジュール１１，１２，１３，１４の共通回路構成に対して、各高周波モジュールは、具体的に次に示すような回路構成からなる。

（第１回路例）
図１に示す高周波モジュール１１は、シリーズ接続型の整合回路４１，４２を備える。なお、整合回路４１，４２の一方は、省略しても構わない。

整合回路４１は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に接続されている。整合回路４１は、具体的には、図５（Ａ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に直列接続されたインダクタ４１Ｌであったり、図５（Ｂ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１との間に直列接続されたキャパシタ４１Ｃである。整合回路４１の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。

整合回路４２は、フィルタ部２０の第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に接続されている。整合回路４２は、具体的には、図５（Ｅ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に直列接続されたインダクタ４２Ｌであったり、図５（Ｆ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２との間に直列接続されたキャパシタ４２Ｃである。整合回路４２の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。

さらに、整合回路４１，４２の少なくとも一方は、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つに対して誘導性結合しているか、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。結合している整合回路がインダクタであれば、この整合回路は、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。結合している整合回路がキャパシタであれば、この整合回路は、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。

例えば、整合回路４１がインダクタ４１Ｌであれば、インダクタ４１Ｌは、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。整合回路４１がキャパシタ４１Ｃであれば、キャパシタ４１Ｃは、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。

また、例えば、整合回路４２がインダクタ４２Ｌであれば、インダクタ４２Ｌは、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。整合回路４２がキャパシタ４２Ｃであれば、キャパシタ４２Ｃは、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。

このような構成とすることで、結合するインダクタと整合回路とは、高周波的に接続される。例えば、整合回路４１がインダクタ４１Ｌであり、インダクタ４１Ｌとインダクタ６０とが誘導性結合した場合（図１参照）、インダクタ４１Ｌ（整合回路４１）とインダクタ６０との間に相互インダクタンスを有する誘導性結合回路が構成される。これにより、高周波信号は、第１外部接続端子Ｐ１と第２外部接続端子Ｐ２との間で、フィルタ部２０を伝搬経路とする主伝搬経路のみで伝搬されず、高周波信号の一部がインダクタ４１Ｌ（整合回路４１）、誘導性結合回路およびインダクタ６０を伝搬経路とする副伝搬経路にも伝搬される。

これにより、高周波モジュール１１としては、主伝搬経路の伝送特性と副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。

ここで、結合する整合回路とインダクタとの結合態様および結合度を調整することで、副伝搬経路を伝搬する高周波信号の振幅および位相を調整することができる。言い換えれば、副伝搬経路の伝送特性を調整することができる。伝送特性とは、例えば減衰特性（振幅特性）や位相特性である。

さらに、この結合態様および結合度を調整することで、高周波モジュール１１として通過させたい高周波信号（所望の高周波信号）の周波数帯域の伝送特性に殆ど影響を与えることなく、通過帯域外の減衰特性にのみ副伝搬経路を設置したことによる影響を与えることができる。

そして、このように副伝搬経路の伝送特性を調整することで、高周波モジュール１１としての伝送特性を調整できる。例えば、後述するように、通過帯域外の減衰特性を調整することができる。

この際、従来構成のような高周波フィルタの伝送特性を調整するためのインダクタやキャパシタを別途必要としないので、所望の減衰特性を有する高周波フィルタを簡素な構成で実現できる。これにより、高周波フィルタを小型に形成することができる。

また、上述の結合による相互誘導分によって、インダクタ４１Ｌ（整合回路４１）およびインダクタ６０の実効的なインダクタンス値を大きくさせることができる。これにより、インダクタ４１Ｌおよびインダクタ６０の線路長をより短くすることも可能である。

（第２回路例）
図２に示す高周波モジュール１２は、シャント接続型の整合回路４３，４４を備える。なお、整合回路４３，４４の一方は、省略しても構わない。

整合回路４３は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されている。整合回路４３は、具体的には、図５（Ｃ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたインダクタ４３Ｌであったり、図５（Ｄ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたキャパシタ４３Ｃである。整合回路４３の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。

整合回路４４は、フィルタ部２０の第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されている。整合回路４４は、具体的には、図５（Ｇ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されたインダクタ４４Ｌであったり、図５（Ｈ）に示す第２シリーズ接続端子Ｐ２２と第２外部接続端子Ｐ２とを接続する接続ライン４０２とグランドとの間に接続されたキャパシタ４４Ｃである。整合回路４４の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第２外部接続端子Ｐ２側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。

さらに、整合回路４３，４４の少なくとも一方は、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つに対して誘導性結合しているか、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。結合している整合回路がインダクタであれば、この整合回路は、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。結合している整合回路がキャパシタであれば、この整合回路は、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。

例えば、整合回路４３がインダクタ４３Ｌであれば、インダクタ４３Ｌは、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。整合回路４３がキャパシタ４３Ｃであれば、キャパシタ４３Ｃは、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。

また、例えば、整合回路４４がインダクタ４４Ｌであれば、インダクタ４４Ｌはインダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合している。整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであれば、キャパシタ４４Ｃは、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一つと容量性結合している。

このような構成とすることで、結合するインダクタと整合回路とは、高周波的に接続される。例えば、整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであり、キャパシタ４４Ｃとインダクタ５１を構成する導体とが容量性結合した場合（図２参照）、キャパシタ４４Ｃ（整合回路４４）とインダクタ５１を構成する導体との間に結合容量を有する容量性結合回路が構成される。これにより、高周波信号は、第１外部接続端子Ｐ１と第２外部接続端子Ｐ２との間で、フィルタ部２０を伝搬経路とする主伝搬経路のみで伝搬されず、高周波信号の一部がインダクタ５１、容量性結合回路およびキャパシタ４４Ｃ（整合回路４４）を伝搬経路とする副伝搬経路にも伝搬される。

これにより、高周波モジュール１２としては、主伝搬経路の伝送特性と副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。

このような構成の高周波モジュール１２であっても、上述の高周波モジュール１１と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。

（第３回路例）
図３に示す高周波モジュール１３は、シリーズ接続型の整合回路４１およびシャント接続型の整合回路４４を備える。

さらに、整合回路４１，４４の少なくとも一方は、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つに対して誘導性結合しているか、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。結合している整合回路がインダクタであれば、この整合回路は、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。結合している整合回路がキャパシタであれば、この整合回路は、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。

また、例えば、整合回路４４がインダクタ４４Ｌであれば、インダクタ４４Ｌは、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。整合回路４４がキャパシタ４４Ｃであれば、キャパシタ４４Ｃは、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。

これにより、高周波モジュール１３としては、フィルタ部２０を介する主伝搬経路の伝送特性と、結合部を介する副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。このような構成の高周波モジュール１３であっても、上述の高周波モジュール１１，１２と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。

（第４回路例）
図４に示す高周波モジュール１４は、シリーズ接続型の整合回路４２およびシャント接続型の整合回路４３を備える。

整合回路４３は、フィルタ部２０の第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されている。整合回路４３は、具体的には、図５（Ｃ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１と接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたインダクタ４３Ｌであったり、図５（Ｄ）に示す第１シリーズ接続端子Ｐ２１と第１外部接続端子Ｐ１とを接続する接続ライン４０１とグランドとの間に接続されたキャパシタ４３Ｃである。整合回路４３の素子値（インダクタンスまたはキャパシタンス）は、第１外部接続端子Ｐ１側に接続される回路とフィルタ部２０とのインピーダンス整合を実現する素子値に設定されている。

さらに、整合回路４２，４３の少なくとも一方は、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つに対して誘導性結合しているか、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。結合している整合回路がインダクタであれば、この整合回路は、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。結合している整合回路がキャパシタであれば、この整合回路は、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。

例えば、整合回路４２がインダクタ４２Ｌであれば、インダクタ４２Ｌは、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。整合回路４２がキャパシタ４２Ｃであれば、キャパシタ４２Ｃは、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。

また、例えば、整合回路４３がインダクタ４３Ｌであれば、インダクタ４３Ｌは、インダクタ５０，５１，６０の少なくとも一つと誘導性結合、または、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。整合回路４３がキャパシタ４３Ｃであれば、キャパシタ４３Ｃは、インダクタ５０，５１，６０を構成する各導体の少なくとも一部と容量性結合している。

これにより、高周波モジュール１４としては、フィルタ部２０を介する主伝搬経路の伝送特性と、結合部を介する副伝搬経路の伝送特性とが合成された合成伝送特性となる。このような構成の高周波モジュール１４であっても、上述の高周波モジュール１１，１２，１３と同様に、所望の減衰特性を、従来構成よりも簡素な構成で実現できる。

図６は、整合回路とインダクタとの誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの通過特性の変化を示すグラフである。図６の横軸は周波数を示し、図６の縦軸は第１外部接続端子Ｐ１から第２外部接続端子Ｐ２へ伝搬する信号の減衰量を示す。図６に示す点線の特性は、整合回路とインダクタとの誘導性結合が弱い場合を示す。図６に示す実線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。図６に示す破線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。なお、本実施形態における高周波モジュールは、８００ＭＨｚ帯を通過帯域とする帯域通過フィルタである。

図６に示すように、誘導性結合が強くなるほど、通過帯域の高周波数側に現れる減衰極の周波数は高くなる。なお、図６における減衰極の周波数とは、周波数軸のほぼ中央にあるピーク周波数のことである。

また、誘導性結合を適宜設定することで、通過帯域の高周波数側の減衰特性を変化させることができる。例えば、誘導性結合が弱くなるほど、通過帯域付近での減衰量が小さいが、減衰極の周波数での減衰量を大きく取ることができる。また、誘導性結合が強くなるほど、通過帯域付近での減衰量を、より大きく取ることができる。

そして、図６に示すように、誘導性結合の強さに影響されることなく、通過帯域の周波数位置、周波数幅および挿入損失は殆ど変化しない。

したがって、本実施形態の構成を用いて、誘導性結合の結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、高周波数側の減衰特性を所望の特性に調整することができる。言いかえれば、所望の通過帯域特性と減衰特性を有する高周波モジュールを実現することができる。

なお、図示していないが、整合回路とインダクタを構成する導体とを容量性結合させた場合、容量性結合が強くなるほど、通過帯域の高周波数側に現れる減衰極の周波数は低くなる。そして、容量性結合の強さに影響されることなく、通過帯域の周波数位置、周波数幅および挿入損失は殆ど変化しない。したがって、本実施形態の構成を用いて、容量性結合の結合度を適宜調整することで、通過帯域の特性を変化させることなく、高周波数側の減衰特性を所望の特性に調整することができる。

このような構成からなる高周波モジュールは、具体的な適用例として、図７に示すデュプレクサ構成に利用することができる。図７は、デュプレクサ構成からなる高周波モジュールの等価回路図である。

高周波モジュール１０１は、フィルタ部２１、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、および、フィルタ部２１の第３端子Ｐ３１，Ｐ３２を兼用する第３外部接続端子を備える。具体的な適用例として、第１外部接続端子Ｐ１は、アンテナに接続される。第２外部接続端子Ｐ２は送信回路に接続される。第３外部接続端子（第３端子Ｐ３１，Ｐ３２）は受信回路に接続される。

フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第１シャント接続端子Ｐ２３、第２シャント接続端子Ｐ２４および第３端子Ｐ３１，Ｐ３２、を備える。

第１シリーズ接続端子Ｐ２１’は、接続ライン４０１を介して第１外部接続端子Ｐ１に接続されている。接続ライン４０１とグランドとの間には、上述の整合回路に対応するインダクタ４３Ｌが接続されている。第２シリーズ接続端子Ｐ２２は、接続ライン４０２を介して第２外部接続端子Ｐ２に接続されている。

第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との間には、複数のＳＡＷ共振子２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６が、複数の接続ラインにより直列接続されている。

ＳＡＷ共振子２０２とＳＡＷ共振子２０３とを接続する接続ラインは、ＳＡＷ共振子２１１を介して第１シャント接続端子Ｐ２３に接続されている。第１シャント接続端子Ｐ２３は、インダクタ５０を介してグランドに接続されている。

ＳＡＷ共振子２０４とＳＡＷ共振子２０５とを接続する接続ラインは、ＳＡＷ共振子２１２を介して第２シャント接続端子Ｐ２４に接続されている。ＳＡＷ共振子２０６と第２シリーズ接続端子Ｐ２２を接続する接続ラインは、ＳＡＷ共振子２１３を介して第２シャント接続端子Ｐ２４に接続されている。第２シャント接続端子Ｐ２４は、インダクタ６０を介してグランドに接続されている。

この構成により、フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第２シリーズ接続端子Ｐ２２との間に対して、これらＳＡＷ共振子２０１−２０８，２１１，２１２，２１３の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２１の第１、第２シリーズ接続端子間としての所望の第１帯域通過特性および第１通過帯域外の第１減衰特性を実現している。

第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第３端子Ｐ３１，Ｐ３２との間には、ＳＡＷ共振子２２１と縦結合型ＳＡＷ共振子２３１，２３２が直列接続されている。ＳＡＷ共振子２２１および縦結合型ＳＡＷ共振子２３１，２３２は第２のフィルタ部２２を構成する。この構成により、フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’と第３端子Ｐ３１，Ｐ３２との間に対して、これらＳＡＷ共振子２２１，２３１，２３２の帯域通過特性および減衰特性を組み合わせることで、フィルタ部２１の第１シリーズ接続端子、第３端子間としての所望の第２帯域通過特性および第２通過帯域外の第２減衰特性を実現している。第２通過帯域は、第１通過帯域とは異なる周波数帯域であり、第２通過帯域は、第１通過帯域外の減衰帯域範囲内となるように設定されている。

これにより、フィルタ部２１は、第１シリーズ接続端子Ｐ２１’を共通端子とし、第２シリーズ接続端子Ｐ２２および第３端子Ｐ３１，Ｐ３２をそれぞれ個別端子とするデュプレクサとして機能する。

さらに、高周波モジュール１０１では、インダクタ５０，６０の少なくとも１つとインダクタ４３Ｌとを誘導性結合させる。そして、この結合度を調整することで、第１減衰特性を調整することができる。

ここで、本実施形態の構成を用いれば、第２通過帯域に重ねるように、第１減衰特性における減衰量を大きく取る周波数帯域の帯域幅および減衰量を調整することができる。これは、インダクタ４３Ｌに結合させるインダクタ５０，６０の選択と、その結合度を調整すれば可能である。

図８は、整合回路とインダクタとの誘導性結合の結合度を変化させた時の高周波モジュールの第２外部接続端子と第３外部接続端子との間のアイソレーションの変化を示すグラフである。図８の横軸は周波数を示し、図８の縦軸はアイソレーション量を示す。図８ではアイソレーション量が低いほど、第２シリーズ接続端子、第３端子間で強くアイソレーションされていることを示している。図８に示す点線の特性は、誘導性結合が弱い場合を示す。図８に示す実線の特性は、点線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。図８に示す破線の特性は、実線の特性よりも誘導性結合が強い場合を示す。

図８に示すように、誘導性結合が強くなるほど、受信回路Ｒｘ（第３端子側）の通過帯域付近に現れる減衰極の周波数は高くなる。このため、誘導性結合を調整することにより、受信回路Ｒｘの通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性を調整することができる。また、図８に示すように、誘導性結合を調整しても、送信回路Ｔｘ（第２端子側）の通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性は殆ど変化しない。

このように、高周波モジュール１０１の構成を用いることで、第２シリーズ接続端子、第３端子間のアイソレーション特性を適切に調整することができる。すなわち、送信回路と受信回路との間のアイソレーション特性を最適化することができる。

なお、図示していないが、整合回路としてインダクタ４３Ｌの代わりにキャパシタ４３Ｃを用いて、その整合回路とインダクタを構成する導体とを容量性結合させた場合、容量性結合が強くなるほど、受信回路Ｒｘの通過帯域付近に現れる減衰極の周波数は低くなる。このため、容量性結合を調整することにより、受信回路Ｒｘ（第３端子側）の通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性を調整することができる。また、容量性結合を調整しても、送信回路Ｔｘの通過帯域のアイソレーション量およびアイソレーション特性は殆ど変化しない。このように、容量性結合を適宜調整することによっても、第２シリーズ接続端子、第３端子間のアイソレーション特性を適切に調整することができる。

以上のような構成からなる高周波モジュールは、次に示すような構造によって実現することができる。なお、以下では、上述のデュプレクサ構成からなる高周波モジュール１０１を構造的に実現する例を示す。

（第１の構造）
図９は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。高周波モジュール１０１は、積層基板１００、フィルタ基板２００、カバー層２９０、側面カバー層２９１を備える。

積層基板１００は、複数の誘電体層を積層してなる。積層基板１００の天面（実装面）１００Ｓおよび内層には、所定パターンの電極が形成されており、高周波モジュール１０１のフィルタ部２１を除く配線パターンやインダクタ４３Ｌ，５０，６０が形成されている。積層基板１００の底面１００Ｒには、外部接続用電極が形成されており、これら外部接続用電極により、上述の第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、第３外部接続端子が実現される。

フィルタ部２１は、フィルタ基板２００、カバー層２９０、側面カバー層２９１、接続電極２９３、および実装用電極２９４によって形成されている。

フィルタ基板２００は、平板状の圧電基板からなる。フィルタ基板２００の第１主面には、フィルタ電極や配線パターンが形成されている。フィルタ電極は、例えば、所謂ＩＤＴ電極からなる。このように、圧電基板の主面にＩＤＴ電極を形成することで、上述の各ＳＡＷ共振子を実現することができる。フィルタ基板２００の第１主面側には、平板状のカバー層２９０が配置されている。カバー層２９０は、平板状の絶縁性材料からなり、平面視してフィルタ基板２００と同じ形状からなる。また、カバー層２９０は、平面視して、フィルタ基板２００と重なるように配置されており、フィルタ基板２００の第１主面から所定距離の間隔を空けて配置されている。

フィルタ基板２００の第１主面とカバー層２９０との間には、側面カバー層２９１が配置されている。側面カバー層２９１も絶縁性材料からなり、平面視して、フィルタ基板２００およびカバー層２９０の全周に亘って、外周端から内側へ所定幅の範囲にのみ形成されている。すなわち、側面カバー層２９１は、中央に開口を有する枠状の構造である。

このように、カバー層２９０と側面カバー層２９１が配置されることで、フィルタ基板２００の第１主面のフィルタ電極が形成される領域は、フィルタ基板２００、カバー層２９０、および側面カバー層２９１によって密閉空間２９２内に配置される。これにより、ＳＡＷ共振子の共振特性を向上させることができ、フィルタとしての所望の特性を精確に実現することができる。

接続電極２９３は、フィルタ基板２００の第１主面に一方端が接し、他方端がカバー層２９０におけるフィルタ基板２００側と反対側の面に露出する形状からなる。この際、接続電極２９３は、側面カバー層２９１およびカバー層２９０を貫通するように形成されている。接続電極２９３の一方端は、フィルタ基板２００の第１主面に形成された配線パターンに接続されている。

実装用電極２９４は、接続電極２９３の他方端に接続し、カバー層２９０におけるフィルタ基板２００側と反対側の面から突出する形状で形成されている。この接続電極２９３と実装用電極２９４の組を複数設けることにより、上述のフィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第３端子Ｐ３１，Ｐ３２、第１シャント接続端子Ｐ２３および第２シャント接続端子Ｐ２４が実現される。なお、接続電極２９３の他方端に半田やＡｕ等を用いたバンプを形成し、そのバンプを介して実装用電極２９４と接続してもよい。

以上のような構成とすることで、フィルタ部２１は、所謂ＷＬＰ（ＷａｆｅｒＬｅｖｅｌＰａｃｋａｇｅ）の構造となり、フィルタ部２１を小型に形成することができる。

そして、このＷＬＰ構造のフィルタ部２１は、積層基板１００の天面１００Ｓに実装されている。これにより、フィルタ部２１は、第１外部接続端子Ｐ１、第２外部接続端子Ｐ２、第３外部接続端子に接続される。

インダクタ４３Ｌは、積層基板１００の内部に形成されたスパイラル電極からなる。スパイラル電極は、積層基板１００を構成する複数の誘電体層に形成された一部が分断された管状の線状電極と層間接続電極によって実現される。各誘電体層の線状電極は、層間接続電極によって積層方向に接続され、一本の線状電極になるように接続されている。この構成により、中心軸が積層方向に沿ったスパイラル電極を実現することができる。インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極の一方端は、ビア導体４３１Ｖを介して、フィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’となる実装用電極２９４が実装されるランド電極に接続されている。ランド電極は、積層基板１００の天面１００Ｓに形成されている。インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極の他方端は、ビア導体４３２Ｖを介して、積層基板１００内の底面１００Ｒ近傍に形成されたグランド電極２９６に接続されている。

インダクタ５０は、積層基板１００内の天面１００Ｓ近傍に形成された、一部が分断された管状の線状電極から構成されている。この線状電極の一方端は、ビア導体５０１Ｖを介して、フィルタ部２１の第１シャント接続端子Ｐ２３となる実装用電極２９４が実装されるランド電極に接続されている。インダクタ５０を構成する線状電極の他方端は、ビア導体５０２Ｖを介して、積層基板１００内に形成されたグランド電極２９５に接続されている。

インダクタ６０は、積層基板１００内の天面１００Ｓ近傍に形成された、一部が分断された管状の線状電極から構成されている。この線状電極の一方端は、ビア導体６０１Ｖを介して、フィルタ部２１の第２シャント接続端子Ｐ２４となる実装用電極（図示せず）に接続されるランド電極に接続されている。インダクタ５０を構成する線状電極の他方端は、ビア導体６０２Ｖを介して、積層基板１００内に形成されたグランド電極２９５に接続されている。

インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極とインダクタ６０を構成する線状電極とは、近接して配置されている。また、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極は、平面視して、インダクタ６０を構成する線状電極と少なくとも一部が重なり合うようにして形成されている。

この構成により、スパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌと、線状電極からなるインダクタ６０との間で、図９の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。このような構成とすることで、減衰特性調整用の素子を別途設けることなく、所望の減衰特性を有する高周波モジュール１０１を実現することができる。

この際、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極と、インダクタ６０を構成する線状電極との距離、および、当該スパイラル電極と線状電極との重なる面積を変化させることで、インダクタ４３Ｌとインダクタ６０との結合度を調整できる。これにより、高周波モジュール１０１の減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。

また、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極とインダクタ６０を構成する線状電極とは、互いに異なる層に形成されている。そして、当該スパイラル電極が形成されている層と、当該線状電極が形成されている層との間の層に、グランド電極２９５が形成されている。グランド電極２９５の配置、大きさ等を変化させることで、インダクタ４３Ｌとインダクタ６０との結合度を調整できる。

なお、図１０に示すように、インダクタ６０は、積層基板１００内ではなく、カバー層２９０内に形成されていてもよい。インダクタ６０は、一部が分断された管状の線状電極から構成されている。そして、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極と、インダクタ６０を構成する線状電極とは近接して配置されている。これにより、上述と同様に、インダクタ４３Ｌとインダクタ６０との間で、図１０の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。

また、図１１に示すように、インダクタ４３Ｌが、積層基板１００内ではなく、カバー層２９０内に形成されていてもよい。インダクタ４３Ｌは上述のスパイラル電極から構成されている。そして、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極と、インダクタ６０を構成する線状電極とは近接して配置されている。これにより、上述と同様に、インダクタ４３Ｌとインダクタ６０との間で、図１１の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。

また、図示していないが、インダクタ４３Ｌ，６０を共にカバー層２９０内に形成してもよいし、インダクタ４３Ｌをカバー層２９０内に形成し、インダクタ６０を積層基板１００の天面１００Ｓに形成してもよい。

（第２の構造）
図１２（Ａ）は、高周波モジュールの主要構造を示す分解斜視図である。図１２（Ｂ）は、高周波モジュールの主要構造を示す平面概念図である。なお、図１２に図示されていない、高周波モジュール１０１Ａのその他の構成は、図９に示したものと同じである。

積層基板１００は、誘電体層１０１，１０２，１０３，１０４を備える。誘電体層１０１，１０２，１０３，１０４はこの順に積層されている。誘電体層１０１には、一部が分断された管状の線状電極が形成されている。インダクタ６０は当該線状電極から構成されている。誘電体層１０２，１０３，１０４には、一部が分断された管状の線状電極４３１，４３２，４３３がそれぞれ形成されている。線状電極４３１，４３２，４３３は、一本の線状電極になるように、層間接続電極によって積層方向に接続されている。これにより、中心軸が積層方向に沿ったスパイラル電極が形成されている。インダクタ４３Ｌは当該スパイラル電極から構成されている。

図１２（Ｂ）に示すように、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極は、平面視して、インダクタ６０を構成する線状電極に重なり合うようにして形成されている。この構成により、スパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌと、線状電極からなるインダクタ６０との間で、強い誘導性結合を生じさせることができる。この際、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極と、インダクタ６０を構成する線状電極との距離、および、当該スパイラル電極と線状電極との重なる面積を変化させることで、インダクタ４３Ｌとインダクタ６０との結合度を調整できる。これにより、上述の第１の構造と同様に、高周波モジュール１０１Ａの減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。

また、上述のように、誘導性結合による相互誘導分によって、インダクタ４３Ｌおよびインダクタ６０の実効的なインダクタンス値を大きくさせることができる。これにより、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極およびインダクタ６０を構成する線状電極の線路長をより短くすることができる。また、上述のように、当該スパイラル電極および線状電極は、平面視して、重なり合うようにして配置されている。このため、当該スパイラル電極および線状電極を配置するために必要な領域を小さくすることができる。すなわち、積層基板１００のレイアウト領域の効率良く利用することができる。

（第３の構造）
図１３（Ａ）は、高周波モジュールの主要構造を示す分解斜視図である。図１３（Ｂ）は、高周波モジュールの主要構造を示す平面概念図である。なお、図１３に図示されていない、高周波モジュール１０１Ｂのその他の構成は、図９に示したものと同じである。

積層基板１００は、誘電体層１０１，１０２，１０３を備える。誘電体層１０１，１０２，１０３はこの順に積層されている。誘電体層１０１には、インダクタ６０を構成する、一部が分断された管状の線状電極が形成されている。誘電体層１０１，１０２，１０３には、一部が分断された管状の線状電極４３１，４３２，４３３がそれぞれ形成されている。線状電極４３１，４３２，４３３は、一本の線状電極になるように、層間接続電極によって積層方向に接続されている。これにより、中心軸が積層方向に沿ったスパイラル電極が形成されている。インダクタ４３Ｌは当該スパイラル電極から構成されている。

図１３（Ｂ）に示すように、インダクタ６０を構成する線状電極は、平面視して、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極を囲むようにして形成されている。この構成により、スパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌと、線状電極からなるインダクタ６０との間で、強い誘導性結合を生じさせることができる。これにより、第１の構造または第２の構造と同様に、高周波モジュール１０１Ｂの減衰特性を調整することができ、所望とする減衰特性をより精確に実現することができる。
また、上述のように、インダクタ６０を構成する線状電極が、平面視して、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極を囲むようにして形成されている。このため、第２の構造と同様に、積層基板１００のレイアウト領域を効率良く利用することができる。

なお、図１４に示すように、インダクタ６０を構成する線状電極は、平面視して、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極を囲まずに、当該スパイラル電極に近接して配置されてもよい。この場合でも、スパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌと、線状電極からなるインダクタ６０との間で、誘導性結合を生じさせることができる。また、積層基板１００のレイアウト領域を効率良く利用することができる。

また、図１２，図１３，図１４において、誘電体層１０１は最上層であってもよいし、内層であってもよい。すなわち、インダクタ６０を構成する線状電極は、積層基板１００の天面に形成されていてもよいし、積層基板１００の内部に形成されていてもよい。

（第４の構造）
図１５は、高周波モジュールの主要構造を示す側面概念図である。図１５に示す高周波モジュール１０１Ｃでは、フィルタ部２１が、図９に示したＷＬＰ構造で実現されず、所謂ベアチップにより実現される。高周波モジュール１０１Ｃのその他の構成は、図９に示した高周波モジュール１０１と同様であり、説明は省略する。

フィルタ部２１を構成するフィルタ基板２００は、平板状の圧電基板からなる。フィルタ基板２００の第１主面には、フィルタ電極や配線パターンが形成されている。フィルタ電極は、例えば、所謂ＩＤＴ電極からなる。フィルタ基板２００は、第１主面側が積層基板１００の天面１００Ｓに対して所定の間隔を空けて対向するように、第１主面側から突出する形状の接続電極２９３により実装されている。接続電極２９３の一方端は、フィルタ基板２００の第１主面に形成された配線パターンに接続されている。接続電極２９３の他方端は、積層基板１００の天面１００Ｓに形成された配線パターンに接続されている。フィルタ基板２００が配置された積層基板１００の天面１００Ｓには、フィルタ部２００を封止するための樹脂層２８３が塗布されている。ただし、ＩＤＴ電極には樹脂層２８３は塗布されておらず、ＩＤＴ電極の部分は中空構造となっている。

この構成により、上述の各ＳＡＷ共振子を実現することができる。また、接続電極２９３を複数設けることにより、上述のフィルタ部２１の第１シリーズ接続端子Ｐ２１’、第２シリーズ接続端子Ｐ２２、第３端子Ｐ３１，Ｐ３２、第１シャント接続端子Ｐ２３および第２シャント接続端子Ｐ２４が実現される。

この構成においても、スパイラル電極からなるインダクタ４３Ｌと、線状電極からなるインダクタ４２Ｌとの間で、図１５の太破線矢印に示すように、誘導性結合を生じさせることができる。これにより、第１の構造と同様に、所望の減衰特性を有する高周波モジュール１０１Ｃを実現することができる。

なお、高周波モジュール１０１Ｃでは、インダクタ６０を構成する電極が積層基板１００の内部に形成されているが、インダクタ６０を構成する線状電極は、積層基板１００の天面１００Ｓに形成されてもよい。

また、上述の各実現構造では、積層基板１００またはカバー層２９０に形成された線状電極によりインダクタ６０を実現しているが、実装用回路素子を積層基板１００に実装することによりインダクタ６０を実現してもよい。

また、上述の各実現構造では、整合回路としてインダクタを用いる例を示したが、整合回路がキャパシタの場合についても、同様の構造で実現することができる。例えば、積層基板やカバー層内の異なる層に互いに対向するように形成した複数の平板電極によって、キャパシタを実現してもよい。また、積層基板の天面に形成した電極パターンによってキャパシタを実現してもよい。

また、整合回路とインダクタとの結合は、間に介するＳＡＷ共振子が多いほど、減衰特性に与える影響を大きくすることができる。例えば、第１の構造（図９参照）であれば、インダクタ４３Ｌを構成するスパイラル電極と、インダクタ６０を構成する線状電極との位置関係が同じであれば、間に介するＳＡＷ共振子が多い整合回路とインダクタとを結合させるほど、減衰特性に与える影響を大きくすることができる。なお、整合回路４１−４４は、インダクタを複数、キャパシタを複数、あるいは、インダクタとキャパシタとを組み合わせた複合回路としても構わない。

また、上述のフィルタ部２０は、所謂ラダー接続型フィルタであったが、フィルタ部は、例えば、縦結合共振器フィルタであってもよい。この場合でも、上述の第１整合回路と第２整合回路の間の誘導性結合また容量性結合を調整することにより、所望の減衰特性を有する高周波モジュールを実現することができる。

１１，１２，１３，１４，１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ，１０１Ｃ：高周波モジュール、
２０，２１：フィルタ部、
２２：第２のフィルタ部
２０１−２０８，２１１−２１４，２２１：ＳＡＷ共振子、
２３１，２３２：縦結合型ＳＡＷ共振子、
４１，４２：（シリーズ接続型の）整合回路、
４３，４４：（シャント接続型の）整合回路、
４１Ｌ，４２Ｌ，４３Ｌ，４４Ｌ：インダクタ、
４１Ｃ，４２Ｃ，４３Ｃ，４４Ｃ：キャパシタ、
４０１，４０２：接続ライン、
５０，５１，６０：インダクタ、
Ｐ１：第１外部接続端子、
Ｐ２：第２外部接続端子、
Ｐ２１，Ｐ２１’：第１シリーズ接続端子、
Ｐ２２：第２シリーズ接続端子、
Ｐ３１，Ｐ３２：第３端子、
Ｐ２３，Ｐ２３１，Ｐ２３２：第１シャント接続端子、
Ｐ２４：第２シャント接続端子、
１００：積層基板、
１０１，１０２，１０３，１０４：誘電体層
１００Ｓ：天面、
１００Ｒ：底面、
２００：フィルタ基板、
２８３：樹脂層、
２９０：カバー層、
２９１：側面カバー層、
２９２：密閉空間
２９３：接続電極、
２９４：実装用電極、
２９５，２９６：グランド電極、
４３１，４３２，４３３：線状電極
４３１Ｖ，４３２Ｖ，５０１Ｖ，５０２Ｖ，６０１Ｖ，６０２Ｖ：ビア導体

Claims

第１外部接続端子と、
第２外部接続端子と、
前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、
前記第１外部接続端子もしくは前記第２外部接続端子の少なくとも一方と前記フィルタ部との間に接続された整合回路と、
グランドと前記フィルタ部との間に接続されたインダクタと、
を備えた高周波モジュールであって、
積層基板と、
前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成され、前記第１主面側が前記積層基板の実装面に向くように配置された平板状のフィルタ基板と、
該フィルタ基板の前記第１主面に対して間隔を空けて対向する平板状のカバー層と、
前記第１主面から突出し、前記カバー層を貫通する形状を有し、前記積層基板と前記フィルタ基板とを接続する接続電極と、
を備え、
前記整合回路は前記積層基板または前記カバー層の内部に形成され、
前記インダクタと前記整合回路とが誘導性結合もしくは容量性結合されている、高周波モジュール。
第１外部接続端子と、
第２外部接続端子と、
前記第１外部接続端子と前記第２外部接続端子との間に接続されたフィルタ部と、
前記第１外部接続端子もしくは前記第２外部接続端子の少なくとも一方と前記フィルタ部との間に接続された整合回路と、
グランドと前記フィルタ部との間に接続されたインダクタと、
を備えた高周波モジュールであって、
積層基板と、
前記フィルタ部を構成するＩＤＴ電極が第１主面に形成され、前記第１主面側が前記積層基板の実装面に対して間隔を空けて対向するように配置された平板状のフィルタ基板と、
前記第１主面から突出する形状を有し、前記積層基板と前記フィルタ基板とを接続する接続電極と、
前記フィルタ基板が配置された前記積層基板の実装面を覆う樹脂層と、
を備え、
前記整合回路は前記積層基板の内部に形成され、
前記インダクタと前記整合回路とが誘導性結合もしくは容量性結合されている、高周波モジュール。
前記フィルタ部は、
前記第１外部接続端子に接続する第１シリーズ接続端子と、
前記第２外部接続端子に接続する第２シリーズ接続端子と、
前記インダクタを介してグランドに接続するシャント接続端子と、
前記第１シリーズ接続端子と前記第２シリーズ接続端子との間に、複数の接続ラインにより直列接続された複数のシリーズ接続型のフィルタ素子と、
前記接続ラインに一方端が接続し、前記シャント接続端子に他方端が接続するシャント接続型のフィルタ素子と、を備える、請求項１または請求項２に記載の高周波モジュール。
互いに前記誘導性結合もしくは前記容量性結合する前記インダクタと前記整合回路とは、
前記フィルタ部の通過帯域外のインピーダンスが変化するように前記誘導性結合もしくは前記容量性結合されている、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
互いに前記誘導性結合もしくは前記容量性結合する前記インダクタと前記整合回路とは、
前記フィルタ部の通過帯域外の減衰極周波数が変化するように前記誘導性結合もしくは前記容量性結合されている、請求項４に記載の高周波モジュール。
前記整合回路は、前記第１外部接続端子と前記第１シリーズ接続端子との間に直列接続されるか、もしくは、前記第２外部接続端子と前記第２シリーズ接続端子との間に直列接続される、シリーズ接続型の整合回路である、
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の高周波モジュール。
前記整合回路は、前記第１外部接続端子と前記第１シリーズ接続端子とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続されるか、もしくは、前記第２外部接続端子と前記第２シリーズ接続端子とを接続する接続ラインとグランドとの間に接続される、シャント接続型の整合回路である、
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の高周波モジュール。
前記フィルタ部は、第３端子と、第２のフィルタ部とを備え、
前記第２のフィルタ部は、前記第１シリーズ接続端子および該第１シリーズ接続端子に接続するフィルタ素子を接続する接続ラインと、前記第３端子との間に接続されている、
請求項３乃至請求項７のいずれかに記載の高周波モジュール。
前記インダクタは、前記積層基板の実装面または内部に、実装または形成され、
前記インダクタと前記整合回路とは近接して配置されている、
請求項１乃至請求項８に記載の高周波モジュール。
前記インダクタは前記カバー層の内部に形成され、
前記インダクタと前記整合回路とは近接して配置されている、
請求項１に記載の高周波モジュール。
前記インダクタと前記整合回路とは、共に前記積層基板の内部に形成されているか、または、共に前記カバー層の内部に形成されている、請求項１に記載の高周波モジュール。
前記インダクタと前記整合回路とは互いに異なる層に形成されている、請求項１１に記載の高周波モジュール。
前記インダクタと前記整合回路とは、平面視して少なくとも一部が重なるように配置されている、請求項１に記載の高周波モジュール。
前記インダクタと前記整合回路との間に形成されたグランド電極を備える、請求項１に記載の高周波モジュール。
前記インダクタと前記整合回路とは、共に前記積層基板の内部に形成されている、請求項２に記載の高周波モジュール。
前記インダクタと前記整合回路とは互いに異なる層に形成されている、請求項１５に記載の高周波モジュール。
前記インダクタと前記整合回路とは、平面視して少なくとも一部が重なるように配置されている、請求項２に記載の高周波モジュール。
前記インダクタと前記整合回路との間に形成されたグランド電極を備える、請求項２に記載の高周波モジュール。