JP2015026033A - 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、半導体装置及び表示体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)フェノール樹脂、(B)光により酸を生成する化合物、及び、(C)熱架橋剤、を含み、該フェノール樹脂が、(A1)多価フェノール樹脂を炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性してなる変性多価フェノール樹脂、を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。
【選択図】なし
Description
したがって、感光性樹脂組成物のアルカリ溶解性は、感光性樹脂組成物の重要な特性の一つである。
[1]
(A)フェノール樹脂、
(B)光により酸を生成する化合物、及び、
(C)熱架橋剤、
を含み、
該(A)フェノール樹脂が、(A1)多価フェノール樹脂を炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性してなる変性多価フェノール樹脂、を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。
[2]
前記多価フェノール樹脂が、下記一般式(1):
で表される2価のアルキレンオキシド基、及び芳香族基を有する2価の有機基から成る群から選ばれる2価の有機基を表す。}
で表される繰り返し単位を有する、上記[1]に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[3]
前記一般式(1)において、Xは、下記一般式(3):
で表されるアルキレンオキシド基、及び下記式(5):
[4]
前記一般式(1)において、Xは、下記一般式(6):
[5]
前記一般式(1)において、Xは、下記一般式(7):
[6]
前記多価フェノール樹脂が、下記一般式(8):
[7]
前記多価フェノール樹脂が、多価フェノール類とアルデヒド類との反応生成物を含む、上記[1]に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[8]
前記多価フェノール類が、2価フェノール類及び3価フェノール類の一方又は両方を含む、上記[7]に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[9]
前記(A)フェノール樹脂が、(A2)不飽和炭化水素基を有する化合物で変性していない非変性フェノール樹脂、を更に含む、上記[1]〜[8]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[10]
前記(A1)変性多価フェノール樹脂の前記(A2)非変性フェノール樹脂に対する質量比が5/95〜95/5である、上記[9]に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[11]
前記(B)光により酸を生成する化合物がo−キノンジアジド化合物である、上記[1]〜[10]のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[12]
熱により酸を生成する化合物を更に含む、上記[1]〜[11]のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[13]
前記(A)フェノール樹脂100質量部に対して、前記(B)光により酸を生成する化合物3〜100質量部を含む、上記[1]〜[12]のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[14]
以下の工程:
(1)上記[1]〜[13]のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層を基板上に形成する工程、
(2)該感光性樹脂層を露光する工程、
(3)現像液により露光部を除去して、レリーフパターンを得る工程、及び
(4)該レリーフパターンを加熱処理する工程、
を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。
[15]
上記[14]に記載の方法により製造された、硬化レリーフパターン。
[16]
半導体素子と、該半導体素子の上部に設けられた硬化膜とを備える半導体装置であって、該硬化膜は、上記[15]に記載の硬化レリーフパターンである、前記半導体装置。
[17]
表示体素子と、該表示体素子の上部に設けられた硬化膜とを備える表示体装置であって、該硬化膜は、上記[15]に記載の硬化レリーフパターンである、前記表示体装置。
本発明の一態様が提供するポジ型感光性樹脂組成物は、
(A)フェノール樹脂(本開示で、「(A)成分」ということもある。)、
(B)光により酸を生成する化合物(本開示で、「(B)成分」ということもある。)、及び、
(C)熱架橋剤(本開示で、「(C)成分」ということもある。)、
を含む。(A)フェノール樹脂は、(A1)多価フェノール樹脂を炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性してなる変性多価フェノール樹脂(本開示で、「(A1)変性多価フェノール樹脂」ともいう。)を含む。
以下各成分を順に説明する。
(A)フェノール樹脂((A)成分)は、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位を有する樹脂を意味する。(A)フェノール樹脂は(A1)変性多価フェノール樹脂を含む。典型的には、(A1)変性多価フェノール樹脂は、
(a1)多価フェノール類と不飽和炭化水素基を有する化合物(より具体的には炭素数が4〜100のもの)(以下、「不飽和炭化水素基含有化合物」ともいう。)との反応生成物(以下、「不飽和炭化水素基変性多価フェノール誘導体」ともいう。)と、アルデヒド類との縮重合生成物(以下、「(a1)不飽和炭化水素基変性多価フェノール誘導体とアルデヒド類との縮重合生成物」ともいう。)、又は、
(a2)多価フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物との反応生成物
である。
半導体の保護膜及び絶縁膜の用途にフェノール樹脂を用いた場合、熱硬化時のパターンダレが発生しやすい(すなわち硬化レリーフパターンの断面角度が小さくなる)理由としては、熱硬化工程において、感光性組成物の架橋剤の架橋が開始する温度より、フェノール樹脂の軟化点が低いと、組成物の溶融粘度が下がることが考えられる。
フェノール樹脂のフェノール性水酸基の数が多いと、フェノール性水酸基と当該分子又は他の分子の水素原子等とが水素結合を形成し、フェノール樹脂の分子内/分子間を疑似的に橋かけした状態になっているため、組成物の溶融粘度は下がることはなく、パターンダレが抑制され、断面角度が大きくなると推定される。
(a1)不飽和炭化水素基変性多価フェノール誘導体とアルデヒド類との縮重合生成物は、まず多価フェノール類と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させ、不飽和炭化水素基変性多価フェノール誘導体を調製した後、この不飽和炭化水素基変性多価フェノール誘導体とアルデヒド類とを重縮合させることにより生成する。
上記多価フェノール類と上記不飽和炭化水素基含有化合物との反応は、50〜130℃で行うことが好ましい。多価フェノール類と不飽和炭化水素基含有化合物との反応割合は、硬化膜の可とう性を向上させる観点から、多価フェノール類100質量部に対し、不飽和炭化水素基含有化合物1〜100質量部であることが好ましく、5〜50質量部であることがより好ましい。不飽和炭化水素基含有化合物が1質量部未満では、硬化膜の可とう性が低下する傾向があり、100質量部を超えると、硬化膜の耐熱性が低下する傾向がある。上記反応においては、必要に応じて、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等を触媒として用いてもよい。
(A1)変性多価フェノール樹脂は、多価フェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物とを反応させて得ることもできる。
ここで多価フェノール樹脂は、2価以上のフェノール類をモノマーとして用いた樹脂であれば限定されないが、硬化膜の伸度の観点からは、(a2−1)一般式(1)で表される繰り返し単位を有するフェノール樹脂(本開示で、「(a2−1)多価フェノール樹脂」ということもある。)が好ましく、また、コストの観点からは、(a2−2)多価フェノール類とアルデヒド類との縮重合生成物(本開示で、「(a2−2)多価フェノール樹脂」ということもある。)であることが好ましい。
本実施の形態では、多価フェノール樹脂は、下記一般式(1):
で表される2価のアルキレンオキシド基、及び芳香族基を有する2価の有機基から成る群から選ばれる2価の有機基を表す。}
で表される繰り返し単位を有することが好ましい。本発明の目的を損なわない範囲で(a2−1)多価フェノール樹脂が一般式(1)で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を有することは排除しないが、典型的には、(a2−1)多価フェノール樹脂が有する繰り返し単位は一般式(1)で表される繰り返し単位からなることができる。
で表されるアルキレンオキシド基、及び下記式(5):
本実施の形態では、多価フェノール樹脂は、多価フェノール類とアルデヒド類との重縮合生成物であることもまた好ましい。
(B)光により酸を生成する化合物((B)成分)は、感光剤として用いられる。本実施の形態のポジ型感光性樹脂組成物において、このような(B)成分は、光照射により酸を生成させ、光照射した部分のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有する。(B)成分としては、一般に光酸発生剤と称される化合物を用いることができる。(B)成分の具体例としては、o−キノンジアジド化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等が挙げられる。これらの中で、感度が高いことから、o−キノンジアジド化合物が好ましい。
(C)熱架橋剤((C)成分)としては、パターン形成後の感光性樹脂膜を加熱して硬化する際に、(A)成分と反応して橋架け構造を形成しうる化合物を使用できる。(C)成分の使用により、低温での硬化が可能となり、脆い硬化膜の生成及び感光性樹脂膜の硬化時の溶融を防ぐことができる。(C)成分としては、具体的には、フェノール性水酸基を有する化合物、ヒドロキシメチルアミノ基及び/又はアルコキシメチルアミノ基を有する化合物、エポキシ基を有する化合物等が好ましい。
で表される化合物が、露光部の溶解促進効果と感光性樹脂膜の硬化時の溶融を防止する効果とのバランスに優れることから、特に好ましい。
で表される2価の有機基であることが好ましい。
で表される化合物が好ましい。
本実施形態におけるポジ型感光性樹脂組成物は、必要に応じて溶剤を含むことができる。
溶剤としては、アミド類、スルホキシド類、ウレア類、ケトン類、エステル類、ラクトン類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類等が挙げられ、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、シュウ酸ジエチル、乳酸エチル、乳酸メチル、乳酸ブチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ベンジルアルコール、フェニルグリコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、モルフォリン、ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、1,4−ジクロロブタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、アニソール、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等を使用することができる。中でも、樹脂の溶解性、樹脂組成物の安定性、及び硬化膜の基板への接着性の観点から、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、酢酸ブチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ベンジルアルコール、フェニルグリコール、及びテトラヒドロフルフリルアルコールが好ましい。
本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応じて、シランカップリング剤、界面活性剤又はレベリング剤、熱酸発生剤、溶解促進剤、溶解阻害剤、アクリル樹脂、エラストマー、染料等の各種添加剤を含有させることが可能である。
シランカップリング剤としては、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業株式会社製:商品名 KBM803、チッソ株式会社製:商品名 サイラエースS810)、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン(アズマックス株式会社製:商品名 SIM6475.0)、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン(信越化学工業株式会社製:商品名 LS1375、アズマックス株式会社製:商品名 SIM6474.0)、メルカプトメチルトリメトキシシラン(アズマックス株式会社製:商品名 SIM6473.5C)、メルカプトメチルメチルジメトキシシラン(アズマックス株式会社製:商品名 SIM6473.0)、3−メルカプトプロピルジエトキシメトキシシラン、3−メルカプトプロピルエトキシジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリプロポキシシラン、3−メルカプトプロピルジエトキシプロポキシシラン、3−メルカプトプロピルエトキシジプロポキシシラン、3−メルカプトプロピルジメトキシプロポキシシラン、3−メルカプトプロピルメトキシジプロポキシシラン、2−メルカプトエチルトリメトキシシラン、2−メルカプトエチルジエトキシメトキシシラン、2−メルカプトエチルエトキシジメトキシシラン、2−メルカプトエチルトリプロポキシシラン、2−メルカプトエチルトリプロポキシシラン、2−メルカプトエチルエトキシジプロポキシシラン、2−メルカプトエチルジメトキシプロポキシシラン、2−メルカプトエチルメトキシジプロポキシシラン、4−メルカプトブチルトリメトキシシラン、4−メルカプトブチルトリエトキシシラン、4−メルカプトブチルトリプロポキシシラン、N−(3−トリエトキシシリルプロピル)ウレア(信越化学工業株式会社製:商品名 LS3610、アズマックス株式会社製:商品名 SIU9055.0)、N−(3−トリメトキシシリルプロピル)ウレア(アズマックス株式会社製:商品名 SIU9058.0)、N−(3−ジエトキシメトキシシリルプロピル)ウレア、N−(3−エトキシジメトキシシリルプロピル)ウレア、N−(3−トリプロポキシシリルプロピル)ウレア、N−(3−ジエトキシプロポキシシリルプロピル)ウレア、N−(3−エトキシジプロポキシシリルプロピル)ウレア、N−(3−ジメトキシプロポキシシリルプロピル)ウレア、N−(3−メトキシジプロポキシシリルプロピル)ウレア、N−(3−トリメトキシシリルエチル)ウレア、N−(3−エトキシジメトキシシリルエチル)ウレア、N−(3−トリプロポキシシリルエチル)ウレア、N−(3−トリプロポキシシリルエチル)ウレア、N−(3−エトキシジプロポキシシリルエチル)ウレア、N−(3−ジメトキシプロポキシシリルエチル)ウレア、N−(3−メトキシジプロポキシシリルエチル)ウレア、N−(3−トリメトキシシリルブチル)ウレア、N−(3−トリエトキシシリルブチル)ウレア、N−(3−トリプロポキシシリルブチル)ウレア、3−(m−アミノフェノキシ)プロピルトリメトキシシラン(アズマックス株式会社製:商品名 SLA0598.0)、m−アミノフェニルトリメトキシシラン(アズマックス株式会社製:商品名 SLA0599.0)、p−アミノフェニルトリメトキシシラン(アズマックス株式会社製:商品名 SLA0599.1)アミノフェニルトリメトキシシラン(アズマックス株式会社製:商品名 SLA0599.2)、2−(トリメトキシシリルエチル)ピリジン(アズマックス株式会社製:商品名 SIT8396.0)、2−(トリエトキシシリルエチル)ピリジン、2−(ジメトキシシリルメチルエチル)ピリジン、2−(ジエトキシシリルメチルエチル)ピリジン、(3−トリエトキシシリルプロピル)−t−ブチルカルバメート、(3−グリシドキシプロピル)トリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−i−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシシラン、テトラ−i−ブトキシシラン、テトラ−t−ブトキシシラン、テトラキス(メトキシエトキシシラン)、テトラキス(メトキシ−n−プロポキシシラン)、テトラキス(エトキシエトキシシラン)、テトラキス(メトキシエトキシエトキシシラン)、ビス(トリメトキシシリル)エタン、ビス(トリメトキシシリル)ヘキサン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)エタン、ビス(トリエトキシシリル)エチレン、ビス(トリエトキシシリル)オクタン、ビス(トリエトキシシリル)オクタジエン、ビス[3−(トリエトキシシリル)プロピル]ジスルフィド、ビス[3−(トリエトキシシリル)プロピル]テトラスルフィド、ジ−t−ブトキシジアセトキシシラン、ジ−i−ブトキシアルミノキシトリエトキシシラン、ビス(ペンタジオネート)チタン−O,O’−ビス(オキシエチル)−アミノプロピルトリエトキシシラン、フェニルシラントリオール、メチルフェニルシランジオール、エチルフェニルシランジオール、n−プロピルフェニルシランジオール、イソプロピルフェニルシランジオール、n−ブチルシフェニルシランジオール、イソブチルフェニルシランジオール、tert−ブチルフェニルシランジオール、ジフェニルシランジオール、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシジ−p−トリルシラン、エチルメチルフェニルシラノール、n−プロピルメチルフェニルシラノール、イソプロピルメチルフェニルシラノール、n−ブチルメチルフェニルシラノール、イソブチルメチルフェニルシラノール、tert−ブチルメチルフェニルシラノール、エチルn−プロピルフェニルシラノール、エチルイソプロピルフェニルシラノール、n−ブチルエチルフェニルシラノール、イソブチルエチルフェニルシラノール、tert−ブチルエチルフェニルシラノール、メチルジフェニルシラノール、エチルジフェニルシラノール、n−プロピルジフェニルシラノール、イソプロピルジフェニルシラノール、n−ブチルジフェニルシラノール、イソブチルジフェニルシラノール、tert−ブチルジフェニルシラノール、トリフェニルシラノール等が挙げられるが、これらに限定されない。これらは単独でも複数組み合わせて用いてもよい。
界面活性剤又はレベリング剤を上述のポジ型感光性樹脂組成物に配合することによって、塗布性、例えばストリエーション(膜厚のムラ)を防いだり、現像性を向上させたりすることができる。このような界面活性剤又はレベリング剤としては、例えば、ポリオキシエチレンウラリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテルが挙げられる。市販品としては、メガファックスF171、F173、R−08(大日本インキ化学工業株式会社製、商品名)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム株式会社、商品名)、オルガノシロキサンポリマーKP341、KBM303、KBM403、KBM803(信越化学工業社製、商品名)がある。
熱酸発生剤は、硬化温度を下げた場合でも、良好な硬化物の熱物性及び機械的物性を発現させるという観点から、配合することが好ましい。
溶解促進剤としては、水酸基又はカルボキシル基を有する化合物が好ましい。水酸基を有する化合物の例としては、前述のナフトキノンジアジド化合物に使用しているバラスト剤、並びにパラクミルフェノール、ビスフェノール類、レゾルシノール類、及びMtrisPC、MtetraPC等の直鎖状フェノール類、TrisP−HAP、TrisP−PHBA、TrisP−PA等の非直鎖状フェノール類(全て本州化学工業社製)、ジフェニルメタンの2〜5個のフェノール置換体、3,3−ジフェニルプロパンの1〜5個のフェノール置換体、2,2−ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンと5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物とをモル比1対2で反応させて得られる化合物、ビス−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホンと1,2−シクロヘキシルジカルボン酸無水物とをモル比1対2で反応させて得られる化合物、N−ヒドロキシコハク酸イミド、N−ヒドロキシフタル酸イミド、N−ヒドロキシ5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸イミド等が挙げられる。カルボキシル基を有する化合物の例としては、3−フェニル乳酸、4−ヒドロキシフェニル乳酸、4−ヒドロキシマンデル酸、3,4−ジヒドロキシマンデル酸、4−ヒドロキシ−3−メトキシマンデル酸、2−メトキシ−2−(1−ナフチル)プロピオン酸、マンデル酸、アトロラクチン酸、α−メトキシフェニル酢酸、O−アセチルマンデル酸、イタコン酸等を挙げることができる。
溶解阻害剤としては、(A)フェノール樹脂のアルカリ水溶液に対する溶解性を阻害する化合物を使用できる。溶解阻害剤は、残膜厚、現像時間及びコントラストをコントロールするために用いられる。その具体例としては、ジフェニルヨードニウムニトラート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムブロミド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨージド等が挙げられる。溶解阻害剤を用いる場合の配合量は、感度及び現像時間の許容幅の点から、(A)フェノール樹脂100質量部に対して0.01〜20質量部が好ましく、0.01〜15質量部がより好ましく、0.05〜10質量部が特に好ましい。
アクリル樹脂を使用することにより、良好な感光特性を維持しつつ、耐熱衝撃性を向上することができる。
で表される繰り返し単位の1種又は2種以上を有するアクリル樹脂が好ましい。
ポジ型感光性樹脂組成物は、さらにエラストマーを含むことができる。これにより、得られる硬化膜は柔軟性の点でさらに優れるものとなり、硬化膜の機械特性及び耐熱衝撃性をより一層向上させることができる。エラストマーとしては、従来公知のものを用いることができるが、エラストマーを構成する重合体のガラス転移温度(Tg)が20℃以下であることが好ましい。
染料としては、例えば、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、マラカイトグリーン等が挙げられる。染料の配合量としては、(A)フェノール樹脂100質量部に対して、0.1〜30質量部が好ましい。
本実施形態の別の態様は、(1)上述した本発明の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層を基板上に形成する工程、(2)該感光性樹脂層を露光する工程、(3)現像液により露光部を除去してレリーフパターンを得る工程、及び(4)該レリーフパターンを加熱処理する工程を含む、硬化レリーフパターンの製造方法を提供する。硬化レリーフパターンの製造方法の一例を以下に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
また、本実施形態の感光性樹脂組成物を用いて上述の方法で製造された硬化レリーフパターンを有して成る半導体装置も本実施形態の一態様である。本実施形態の半導体装置は、半導体素子と該半導体素子の上部に設けられた硬化膜とを備え、該硬化膜は上述の硬化レリーフパターンである。ここで当該硬化レリーフパターンは、当該半導体素子に直接接して積層されていてもよく、別の層を間に挟んで積層されていてもよい。例えば、該硬化膜として、表面保護膜、層間絶縁膜、再配線用絶縁膜、フリップチップ装置用保護膜、及びバンプ構造を有する半導体装置の保護膜が挙げられる。本実施形態の半導体装置は、公知の半導体装置の製造方法と上述した本発明の硬化レリーフパターンの製造方法とを組み合わせることで製造することができる。
本実施形態の表示体装置は、表示体素子と該表示体素子の上部に設けられた硬化膜とを備え、該硬化膜は上述の硬化レリーフパターンである。ここで当該硬化レリーフパターンは、当該表示体素子に直接接して積層されていてもよく、別の層を間に挟んで積層されていてもよい。例えば、該硬化膜として、TFT液晶表示素子及びカラーフィルター素子の表面保護膜、絶縁膜、及び平坦化膜、MVA型液晶表示装置用の突起、並びに有機EL素子陰極用の隔壁を挙げることができる。
本実施形態の表示体装置は、本実施形態の半導体装置と同様に、公知の表示体装置の製造方法と上述した本実施形態の硬化レリーフパターンの製造方法とを組み合わせることで製造することができる。
なお、各評価項目の測定条件は以下に示すとおりである。
<フェノール樹脂(A−1)の合成>
容量0.5リットルのディーン・スターク装置付きセパラブルフラスラスコ中で、レゾルシノール88.1g(0.8mol)、4,4’−ビス(メトキシメチル)ビフェニル(以下「BMMB」ともいう。)121.2g(0.5mol)、ジエチル硫酸3.9g(0.025mol)、ジエチレングリコールジメチルエーテル140gを70℃で混合攪拌し、固形物を溶解させた。
検出器:JASCO RI−930
カラムオーブン:JASCO CO−965 40℃
カラム:Shodex KD−806M 直列に2本
移動相:0.1mol/l LiBr/NMP
流速:1ml/min.
<フェノール樹脂(A−2)の合成>
合成例1のレゾルシノールの代わりに、フロログルシノール100.9g(0.8mol)を用いて、合成例1と同様に合成を行い、フロログルシノール/BMMBを縮合したフェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物を反応させた不飽和炭化水素基含有化合物変性フェノール樹脂(A−2)を得た。このA−2のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は15,000であった。
<フェノール樹脂(A−3)の合成>
合成例1のレゾルシノールの代わりに、3,5−ジヒドロキシ安息香酸メチル128.3g(0.76mol)を用いて、合成例1と同様に合成を行い、3,5−ジヒドロキシ安息香酸メチル/BMMBを縮合したフェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物を反応させた不飽和炭化水素基含有化合物変性フェノール樹脂(A−3)を得た。このA−3のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は13,000であった。
<フェノール樹脂(A−4)の合成>
容量1.0Lのディーン・スターク装置付きセパラブルフラスコを窒素置換し、その後、該セパラブルフラスコ中で、レゾルシノール81.3g(0.738mol)、BMMB84.8g(0.35mol)、p−トルエンスルホン酸3.81g(0.02mol)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(以下、PGMEとも言う)116gを50℃で混合攪拌し、固形物を溶解させた。
<フェノール樹脂(A−5)の合成>
フェノール/レゾルシノール混合物{(モル比)=50/50}100質量部、亜麻仁油43質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120℃で2時間撹拌し、植物油変性フェノール/レゾルシノール誘導体を得た。次いで、植物油変性フェノール/レゾルシノール誘導体130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90℃で3時間撹拌し反応を行った。次に、120℃に昇温して減圧下で3時間撹拌後、反応液を大気圧下で室温まで冷却し、反応生成物である植物油変性フェノール/レゾルシノール/ホルムアルデヒド樹脂(フェノール/レゾルシノールノボラックとも言う)(A−5)を得た。このA−5のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は16,000であった。
<フェノール樹脂(A−6)の合成>
レゾルシノール100質量部、亜麻仁油43質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120℃で2時間撹拌し、植物油変性フェノール/レゾルシノール誘導体を得た。次いで、植物油変性レゾルシノール誘導体130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90℃で3時間撹拌し反応を行った。次に、120℃に昇温して減圧下で3時間撹拌後、反応液を大気圧下で室温まで冷却し、反応生成物である植物油変性レゾルシノール/ホルムアルデヒド樹脂(レゾルシノールノボラックとも言う)(A−6)を得た。このA−6のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は17,000であった。
<フェノール樹脂(A−7)の合成>
レゾルシノール/カテコール混合物{(モル比)=50/50}100質量部、亜麻仁油43質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120℃で2時間撹拌し、植物油変性レゾルシノール/カテコール誘導体を得た。次いで、植物油変性レゾルシノール/カテコール誘導体130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90℃で3時間撹拌し反応を行った。次に、120℃に昇温して減圧下で3時間撹拌後、反応液を大気圧下で室温まで冷却し、反応生成物である植物油変性レゾルシノール/カテコール/ホルムアルデヒド樹脂(レゾルシノール/カテコールノボラックとも言う)(A−7)を得た。このA−7のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は17,000であった。
<フェノール樹脂(A−8)の合成>
ピロガロール100質量部、亜麻仁油43質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120℃で2時間撹拌し、植物油変性ピロガロール誘導体を得た。次いで、植物油変性ピロガロール誘導体130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90℃で3時間撹拌し反応を行った。次に、120℃に昇温して減圧下で3時間撹拌後、反応液を大気圧下で室温まで冷却し、反応生成物である植物油変性ピロガロール/ホルムアルデヒド樹脂(ピロガロールノボラックとも言う)(A−8)を得た。このA−6のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は18,000であった。
<フェノール樹脂(A−10)の合成>
容量0.5リットルのディーン・スターク装置付きセパラブルフラスラスコ中で、フェノール75.3g(0.8mol)、4,4’−ビス(メトキシメチル)ビフェニル(以下「BMMB」ともいう。)121.2g(0.5mol)、ジエチル硫酸3.9g(0.025mol)、ジエチレングリコールジメチルエーテル140gを70℃で混合攪拌し、固形物を溶解させた。
<フェノール樹脂(A−11)の合成>
フェノール100質量部、亜麻仁油43質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120℃で2時間撹拌し、植物油変性フェノール誘導体を得た。次いで、植物油変性フェノール誘導体130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90℃で3時間撹拌し反応を行った。次に、120℃に昇温して減圧下で3時間撹拌後、反応液を大気圧下で室温まで冷却し、反応生成物である植物油変性フェノール/ホルムアルデヒド樹脂(フェノールノボラックとも言う)(A−11)を得た。このA−11のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は16,000であった。
合成例1〜10で得られた樹脂A−1〜A−8、A−10,A−11単独並びに、これらの樹脂と、不飽和炭化水素基を有する化合物で変性していないフェノール樹脂(EP−4020G)との混合物を、γ−ブチロラクトンに固形分濃度が37質量%となるように溶解させた。得られた樹脂溶液をシリコンウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上において該スピンコート膜を塗布したシリコンウエハーを120℃で180秒間ホットプレートにてプリベークを行い、10μmの膜厚の塗膜を形成した。膜厚は大日本スクリーン製造社製膜厚測定装置(ラムダエース)にて測定した。次いで、膜を2.38質量%、液温23.0℃のTMAH水溶液(AZエレクトロニックマテリアルズ社製AZ300MIF)中にディップした後に、再び膜厚を測定し、塗布膜の溶解速度を算出した。この時の溶解速度が0.01μm/sec以上のものを、アルカリ溶解性評価「○」とし、0.01μm/sec未満のものをアルカリ溶解性評価「×」とした。得られた結果を表1に示す。
A−1:レゾルシノール/BMMBを縮合したフェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物を反応させた不飽和炭化水素基含有化合物変性フェノール樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=8,000
A−2:フロログルシノール/BMMBを縮合したフェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物を反応させた不飽和炭化水素基含有化合物変性フェノール樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=15,000
A−3:3,5−ジヒドロキシ安息香酸メチル/BMMBを縮合したフェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物を反応させた不飽和炭化水素基含有化合物変性フェノール樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=13,000
A−4:レゾルシノール/BMMB/2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールを縮合したフェノール樹脂と不飽和炭化水素基含有化合物を反応させた不飽和炭化水素基含有化合物変性フェノール樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=9,900
A−5:炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物(乾性油)変性フェノール樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=16,000
A−6:炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物(乾性油)変性フェノール樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=17,000
A−7:炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物(乾性油)変性フェノール樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=17,000
A−8:炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物(乾性油)変性フェノール樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=18,000
A−9:クレゾールノボラック樹脂(クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、m−クレゾール/p−クレゾール(モル比)=60/40、ポリスチレン換算重量平均分子量=10,600、旭有機材工業社製、商品名「EP4020G」)
A−10:フェノール/BMMBを縮合したフェノール樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=7,000
A−11:炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物(乾性油)変性フェノール樹脂、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=16,000
実施例1〜10及び比較例1〜4の感光性樹脂組成物をシリコンウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上において該シリコンウエハー及びスピンコート膜を120℃で180秒間ホットプレートにてプリベークを行い、10μmの膜厚の塗膜を形成した。この塗膜に、テストパターン付きレチクルを通して、i線(365nm)の露光波長を有するステッパーNSR2005i8A(ニコン社製)を用いて露光量500mJ/cm2のi線を照射することにより露光した。次に、現像機(D−SPIN)にて23℃で2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液AZ−300MIF(AZエレクトロニックマテリアルズ社製)を用いて、100秒間現像し、純水でリンスし、縦型キュア炉VF200B(光洋サーモシステム社製)にて窒素雰囲気下、キュア炉に130℃にて投入し、130℃で1hr硬化後、130℃から200℃まで5℃/minで昇温し、200℃で1時間硬化を行うことにより、硬化レリーフパターンを得た。その後、100μmのスペース部位と、100μmのライン部位の断面形状をSEM(日立ハイテクノロジーズ社製、型式名S−4800)を用いて観察した。硬化膜の高さ(すなわち厚さ)の半分の位置にてパターン側壁に対する接線L1を引いた。基材と硬化膜との界面に対応する画像上の線分L2と接線L1とがなす角度(すなわち硬化レリーフパターン内角)を硬化レリーフパターン断面角度として測定した。得られた結果を表3に示す。
評価基準は下記の通りである。結果を表2に記載する。
○:上記方法で評価した場合の硬化レリーフパターン断面角度が40度以上である。
△:上記方法で評価した場合の硬化レリーフパターン断面角度が20度超40度未満である。
×:上記方法で評価した場合の硬化レリーフパターン断面角度が20度以下である。
−:アルカリ溶解性が不十分であり現像後レリーフパターンの形成ができなかったため、評価できなかった。
表2に示すとおり、フェノール樹脂(A−1)100質量部、光酸発生剤(B−1)10質量部、及び架橋剤(C−1)10質量部を、組成物の濾過後粘度が1.2Pasになるように溶剤γ−ブチロラクトンに溶解させ、0.1μmのフィルターで濾過してポジ型感光性樹脂組成物を調製した。この組成物及びその硬化膜の特性を前記の評価方法に従って測定した。得られた結果を表3に示す。
表2に示した成分からなる組成物を実施例1と同様に調製し、組成物及びその硬化膜の特性を実施例1と同様に測定した。得られた結果を表3に示す。
表1の説明参照。
C−1:1,1−ビス{3,5−ビス(メトキシメチル)−4−ヒドロキシフェニル}メタン(本州化学工業社製、商品名;TMOM−pp−BPF)
<(D)添加剤(熱酸発生剤)>
D−1:トリ−p−トリルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート(東京化成社製)
Claims (17)
- (A)フェノール樹脂、
(B)光により酸を生成する化合物、及び、
(C)熱架橋剤、
を含み、
該(A)フェノール樹脂が、(A1)多価フェノール樹脂を炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性してなる変性多価フェノール樹脂、を含む、ポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記多価フェノール樹脂が、下記一般式(1):
{式中、aは、2又は3の整数であり、bは、0〜2の整数であり、2≦(a+b)≦4であり、R1は、炭素数1〜20の1価の有機基、ハロゲン原子、ニトロ基及びシアノ基から成る群から選ばれる1価の置換基を表し、bが2である場合には、2つのR1は、互いに同一であるか、又は異なっていてよく、そしてXは、不飽和結合を有していてもよい炭素数2〜10の2価の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3〜20の2価の脂環式炭化水素基、下記一般式(2):
(式中、pは、1〜10の整数である。)
で表される2価のアルキレンオキシド基、及び芳香族基を有する2価の有機基から成る群から選ばれる2価の有機基を表す。}
で表される繰り返し単位を有する、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記一般式(1)において、Xは、下記一般式(3):
{式中、R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜10の1価の脂肪族炭化水素基、又は水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子で置換されている炭素数1〜10の1価の脂肪族炭化水素基であり、n1は、0〜4の整数であり、R6は、ハロゲン原子、水酸基又は1価の有機基であり、n1が1である場合には、R6は、水酸基、又は水酸基を有する1価の有機基であり、そしてn1が2〜4の整数である場合には、R6の少なくとも1つは、水酸基、又は水酸基を有する1価の有機基であり、かつ複数のR6は、それぞれ同一であるか、又は異なっていてよい。}で表される2価の基、及び/又は下記一般式(4):
{式中、R7、R8、R9及びR10は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜10の1価の脂肪族炭化水素基、又は水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子で置換されている炭素数1〜10の1価の脂肪族炭化水素基を表し、そしてYは、単結合、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜10の鎖状脂肪族炭化水素基、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数3〜20の脂環式炭化水素基、下記一般式(2):
(式中、pは、1〜10の整数である。)
で表されるアルキレンオキシド基、及び下記式(5):
で表される2価の基から成る群から選ばれる2価の有機基である。}で表される2価の基を含む、請求項2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記多価フェノール樹脂が、下記一般式(8):
{式中、R11は、炭化水素基及びアルコキシ基から成る群から選ばれる炭素数1〜10の1価の基であり、n2は、2又は3の整数であり、n3は、0〜2の整数であり、m1は、1〜500の整数であり、2≦(n2+n3)≦4であり、そしてn3が2である場合には、2つのR11は、互いに同一であるか、又は異なっていてよい。}で表される構造及び下記一般式(9):
{式中、R12及びR13は、それぞれ独立に、炭化水素基及びアルコキシ基から選ばれる炭素数1〜10の1価の基であり、n4は、2又は3の整数であり、n5は、0〜2の整数であり、n6は、0〜3の整数であり、m2は、1〜500の整数であり、2≦(n4+n5)≦4であり、n5が2である場合には、2つのR12は、互いに同一であるか、又は異なっていてよく、そしてn6が2〜3である場合には、複数のR13は、互いに同一であるか、又は異なっていてよい。}で表される構造の両方を同一樹脂骨格内に有するフェノール樹脂を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記多価フェノール樹脂が、多価フェノール類とアルデヒド類との反応生成物を含む、請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記多価フェノール類が、2価フェノール類及び3価フェノール類の一方又は両方を含む、請求項7に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記(A)フェノール樹脂が、(A2)不飽和炭化水素基を有する化合物で変性していない非変性フェノール樹脂、を更に含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記(A1)変性多価フェノール樹脂の前記(A2)非変性フェノール樹脂に対する質量比が5/95〜95/5である、請求項9に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記(B)光により酸を生成する化合物がo−キノンジアジド化合物である、請求項1〜10のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 熱により酸を生成する化合物を更に含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記(A)フェノール樹脂100質量部に対して、前記(B)光により酸を生成する化合物3〜100質量部を含む、請求項1〜12のいずれか一項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 以下の工程:
(1)請求項1〜13のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を含む感光性樹脂層を基板上に形成する工程、
(2)該感光性樹脂層を露光する工程、
(3)現像液により露光部を除去して、レリーフパターンを得る工程、及び
(4)該レリーフパターンを加熱処理する工程、
を含む、硬化レリーフパターンの製造方法。 - 請求項14に記載の方法により製造された、硬化レリーフパターン。
- 半導体素子と、該半導体素子の上部に設けられた硬化膜とを備える半導体装置であって、該硬化膜は、請求項15に記載の硬化レリーフパターンである、前記半導体装置。
- 表示体素子と、該表示体素子の上部に設けられた硬化膜とを備える表示体装置であって、該硬化膜は、請求項15に記載の硬化レリーフパターンである、前記表示体装置。
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