JP2015020914A - ガラスパッケージの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のガラスパッケージの製造方法は、55×10−7〜100×10−7/℃の熱膨張係数を有する第一のガラス基板を用意する工程と、封着材料ペーストを第一のガラス基板上に塗布して、封着材料膜を形成する工程と、封着材料膜を焼成して、第一のガラス基板上に封着材料層を形成する工程と、第二のガラス基板を用意すると共に、第一のガラス基板と第二のガラス基板を封着材料層を介して重ね合わせる工程と、照射スポットが略楕円形となるレーザー光を封着材料層に照射して、第一のガラス基板と第二のガラス基板とを封着する工程と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図4
Description
2、6、8 封着材料層
3 第二のガラス基板
4、7 レーザー光
9 照射スポット
Claims (16)
- 55×10−7〜100×10−7/℃の熱膨張係数を有する第一のガラス基板を用意する工程と、
封着材料ペーストを第一のガラス基板上に塗布して、封着材料膜を形成する工程と、
封着材料膜を焼成して、第一のガラス基板上に封着材料層を形成する工程と、
第二のガラス基板を用意すると共に、第一のガラス基板と第二のガラス基板を封着材料層を介して重ね合わせる工程と、
照射スポットが略楕円形となるレーザー光を封着材料層に照射して、第一のガラス基板と第二のガラス基板とを封着する工程と、を備えることを特徴とするガラスパッケージの製造方法。 - 照射スポットの長径/短径比が1.1以上であることを特徴とする請求項1に記載のガラスパッケージの製造方法。
- 封着材料層に沿って、レーザー光を0.3mm/秒以上の速度で走査することを特徴とする請求項1又は2に記載のガラスパッケージの製造方法。
- 照射スポットの長径側の方向とレーザー光の走査方向を略整合させることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のガラスパッケージの製造方法。
- 封着材料層の平均厚みが10μm未満であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のガラスパッケージの製造方法。
- 第二のガラス基板の熱膨張係数が55×10−7〜100×10−7/℃であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のガラスパッケージの製造方法。
- 第一のガラス基板側からレーザー光を照射することを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載のガラスパッケージの製造方法。
- 第一のガラス基板の外周端縁領域に沿って、封着材料ペーストを額縁状に塗布することを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載のガラスパッケージの製造方法。
- 第一のガラス基板と封着材料層の熱膨張係数の差が30×10−7/℃未満であり、且つ第二のガラス基板と封着材料層の熱膨張係数の差が30×10−7/℃未満であることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載のガラスパッケージの製造方法。
- 第一のガラス基板の板厚が0.5mm以上2.8mm未満であり、且つ第二のガラス基板の板厚が0.5mm以上2.8mm未満であることを特徴とする請求項1〜9の何れかに記載のガラスパッケージの製造方法。
- 第一のガラス基板が、ガラス組成として、Na2Oを1質量%以上含み、且つ第二のガラス基板が、ガラス組成として、Na2Oを1質量%以上含むことを特徴とする請求項1〜10の何れかに記載のガラスパッケージの製造方法。
- 封着材料ペーストが、封着材料とビークルを含有すると共に、封着材料が、55〜95体積%のビスマス系ガラスと5〜45体積%の耐火性フィラーを含有することを特徴とする請求項1〜11の何れかに記載のガラスパッケージの製造方法。
- ビスマス系ガラスが、ガラス組成として、遷移金属酸化物を0.5質量%以上含むことを特徴とする請求項12に記載のガラスパッケージの製造方法。
- ビスマス系ガラスが、ガラス組成として、質量%で、Bi2O3 67〜87%、B2O3 2〜12%、ZnO 1〜20%、CuO+Fe2O3 0.5〜18%を含有することを特徴とする請求項12に記載のガラスパッケージの製造方法。
- 耐火性フィラーの最大粒径D99が5μm未満であることを特徴とする請求項12に記載のガラスパッケージの製造方法。
- ガラスパッケージが、非シリコン型太陽電池、有機ELデバイス、リチウムイオン二次電池の何れかであることを特徴とする請求項1〜15の何れかに記載のガラスパッケージの製造方法。
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