JP2015012158A - 電子装置およびその電子装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】大型化を抑制できる構造であり、かつ、超音波探傷装置によるモールド樹脂の内部観察をより良好に行えるようにする。
【解決手段】モールド樹脂４０の端部において、モールド樹脂４０の厚みを薄くした部分を備えるようにしつつ、モールド樹脂４０の外方に向かうに連れて徐々に薄くなるようにすることでテーパ部４１とする。この構造では、モールド樹脂４０の終端部において、厚いモールド樹脂４０が形成されている領域から形成されていない領域に急に変化するのではないため、モールド樹脂４０と基板１０との熱膨張係数差に起因する応力を緩和できる。これにより、モールド樹脂４０と基板１０との間の剥離を抑制することが可能となる。また、テーパ部４１となる領域が少ない。このため、超音波探傷装置による内部観察をモールド樹脂４０の殆どの領域で良好に行える。よって、モールド樹脂の内部観察をより良好に行うことが可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板の一面側に電子部品を搭載すると共に、その一面側をモールド樹脂で封止するようにした電子装置およびその製造方法に関するものである。

従来より、基板の一面側に電子部品が搭載された電子装置がある。この電子装置では、基板の一面に、ランドおよび外部回路と電気的に接続される表面パターンが形成されていると共に表面パターンを覆うソルダレジストが形成されている。ソルダレジストには、表面パターンのうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。電子部品は、基板の一面に形成されたランド上に、はんだ等を介して搭載されている。そして、電子部品を含む基板の一面側は、表面パターンのうち少なくとも外部回路と接続される部分が露出されるように、モールド樹脂によって封止されている。

このような電子装置は、次のように製造される。具体的には、まず、基板の一面にランドおよび表面パターンを形成する。そして、表面パターンを覆うソルダレジストを形成した後、ソルダレジストに表面パターンの一部を露出させる開口部を形成する。次に、ランド上にはんだ等を介して電子部品を搭載する。続いて、一面に凹部が形成された金型を用意し、電子部品が凹部内に配置されるように、金型の一面を基板の一面側に圧接する。その後、基板と金型の凹部との間の空間にモールド樹脂を充填することにより、電子部品を含む基板の一面側が封止された片面実装型（ハーフモールド）の電子装置が製造される。

このような構造の電子装置では、基板が樹脂よりもはみ出している辺において、モールド樹脂の側壁面（端面）が基板に対して垂直な面になっていると、厚いモールド樹脂が形成されている領域とモールド樹脂が形成されていない領域とに急に変化することになる。このため、モールド樹脂と基板との熱膨張係数差に起因する応力に基づいて、モールド樹脂と基板との間の剥離が生じる。

これを防止するためには、特許文献１に示されるように、モールド樹脂を断面台形状とし、モールド樹脂の上面、つまり基板と反対側の面から基板と密着させられる側の面にかけて、モールド樹脂の側壁面を基板に対して傾斜したテーパ状にすれば良い。このような構造とすれば、モールド樹脂の端部において、モールド樹脂の厚みがモールド樹脂の外方に向かうに連れて徐々に薄くなるため、上記応力も徐々に小さくなる。したがって、この領域に発生する応力を緩和することができ、モールド樹脂と基板との間の剥離を抑制することが可能になる。また、このような構造とすることで、モールド樹脂の側壁面を基板に対して垂直にする場合と比較して、金型からモールド樹脂を抜くときの型抜き性を良好にすることも可能になる。

特開２０１１−１８８５６号公報

しかしながら、特許文献１に示されるように、モールド樹脂の上面から基板と密着させられる側の面にかけて、モールド樹脂の側壁面をテーパ状にした場合、テーパ状とされた領域の面積が大きくなる。このテーパ状とされる領域は電子部品を配置することができないデッドスペースであるため、この領域の面積が大きくなると、電子装置の大型化を招いてしまう。また、超音波探傷装置による内部観察を行う場合に、モールド樹脂の表面に対して垂直に超音波を発することで内部観察を行うが、テーパ状の部分では超音波が垂直方向に反射されず、内部観察が行えなくなる。このため、テーパ状とされた領域が広いと、内部観察が行えない領域が増え、モールド樹脂の内部観察が良好に行えなくなる。

本発明は上記点に鑑みて、大型化を抑制できる構造であり、かつ、超音波探傷装置によるモールド樹脂の内部観察をより良好に行うことができる電子装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１ないし４に記載の発明では、一面（１１）および一面の反対面となる他面（１２）とを有する基板（１０）と、基板の一面側に実装された電子部品（２０、３０）と、基板の一面側に設けられ、電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、基板のうちの少なくとも一部がモールド樹脂の外側まで配置されており、基板がモールド樹脂の外側まで配置されている部分において、モールド樹脂には、該モールド樹脂のうち基板の一面側を下面、該下面と反対側を上面として、該モールド樹脂の側面における上面よりも下面側の位置から該モールド樹脂の外方に向かって突き出し、かつ、一面に対して傾斜させられ、該モールド樹脂の外方に向かうに連れて徐々に一面からの高さが低くなるテーパ部（４１）が備えられていることを特徴としている。

このように、モールド樹脂の端部において、モールド樹脂の厚みを薄くした部分を備えるようにしつつ、モールド樹脂の外方に向かうに連れて徐々に薄くなるようにすることでテーパ部としている。このため、モールド樹脂の終端部において、厚いモールド樹脂が形成されている領域から形成されていない領域に急に変化するのではないため、モールド樹脂と基板との熱膨張係数差に起因する応力を緩和できる。これにより、モールド樹脂と基板との間の剥離を抑制することが可能となる。また、テーパ部をモールド樹脂の上面から基板の一面に掛けて形成していないため、テーパ部となる領域が少ない。このため、超音波探傷装置による内部観察をモールド樹脂の殆どの領域で行える。よって、モールド樹脂の内部観察をより良好に行うことが可能となる。

請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４に記載の電子装置の製造方法に相当する。具体的には、請求項５に記載の発明では、モールド成形によりモールド樹脂を形成する場合において、キャビティが形成された第２型（９２）として、第２型のうちキャビティを構成する内壁面が、基板の一面側に向かってキャビティが徐々に広がるテーパ状とされたものを用いることで、モールド樹脂に、モールド樹脂のうち基板の一面側を下面、下面と反対側を上面として、モールドの側面における上面よりも下面側の位置からモールド樹脂の外方に張り出し、かつ、基板の一面に対して傾斜させられ、モールド樹脂の外方に向かうに連れて徐々に厚さが薄くなるテーパ部（４１）を備えるようにしている。これにより、請求項１ないし４に記載の電子装置を製造することが可能となり、モールド樹脂と基板との間の剥離を抑制することが可能となると共に、超音波探傷装置による内部観察をモールド樹脂の殆どの領域で良好に行うことが可能な電子装置を製造できる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。

本発明の第１実施形態にかかる電子装置の断面図である。 図１中のII−II矢視断面図である。 図１中の領域Ｒの拡大図である。 図１に示す電子装置におけるモールド樹脂４０をコンプレッション成形によって製造する場合の断面模式図である。 本発明の第２実施形態にかかる電子装置について、図１中の領域Ｒと対応する部分を拡大した断面図である。 本発明の第３実施形態にかかる電子装置について、図１中の領域Ｒと対応する部分を拡大した断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態にかかる電子装置Ｓ１の全体構成について説明する。この電子装置Ｓ１は、例えば自動車などの車両に搭載され、車両用の各装置を駆動するための装置として適用される。

図１および図２に示すように、電子装置Ｓ１は、基板１０、電子部品２０、３０、モールド樹脂４０、ヒートシンク５０、ケース６０、蓋７０および放熱ゲル８０などを有した構成とされている。

図１に示すように、基板１０は、電子部品２０、３０が実装されると共にモールド樹脂４０にて覆われる一面１１と、その反対面となる他面１２とを有する板状部材をなすものである。本実施形態では、基板１０は、図２に示すように上面形状が矩形状の板状部材とされている。具体的には、基板１０は、エポキシ樹脂等の樹脂をベースとした配線基板とされ、例えば、貫通基板やビルドアップ基板などによって構成されている。

基板１０には、内層配線もしくは表層配線などによって構成される図示しない配線パターンが形成されており、配線パターンがモールド樹脂４０の外部まで延設されることで、配線パターンを通じて電子部品２０、３０との電気的な接続が図れるようになっている。また、基板１０のうちの長手方向（図１の左右方向）の両側には、配線パターンに繋がる金属メッキなどが施されたスルーホール１３が備えられている。このスルーホール１３を通じて、配線パターンと基板外部との電気的な接続が行えるようになっている。

このように構成された基板１０が四隅においてケース６０に支持されている。本実施形態の場合、基板１０の四隅に貫通孔となる固定用孔１４を形成しており、この中にケース６０の底面６１から突出させた機械的接続部６４を嵌め込んだ後、機械的接続部６４の先端を熱かしめすることで、基板１０をケース６０に支持している。

電子部品２０、３０は、基板１０に実装されることで配線パターンに電気的に接続されるものであり、表面実装部品やスルーホール実装部品などどのようなものであってもよい。本実施形態の場合、電子部品２０、３０として、半導体素子２０および受動素子３０を例に挙げてある。半導体素子２０としては、マイコンや制御素子もしくはＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子等が挙げられる。この半導体素子２０は、ボンディングワイヤ２１およびはんだ等のダイボンド材２２により、基板１０の配線パターンに繋がるランドもしくは配線パターンの一部によって構成されたランドに接続されている。また、受動素子３０としては、チップ抵抗、チップコンデンサ、水晶振動子等が挙げられる。この受動素子３０は、はんだ等のダイボンド材３１により基板１０に備えられたランドに接続されている。これらの構成により、電子部品２０、３０は、基板１０に形成された配線パターンに電気的に接続され、配線パターンに接続されたスルーホール１３を通じて外部と電気的に接続可能とされている。

モールド樹脂４０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等より構成されるもので、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法により形成されている。本実施形態の場合、基板１０の一面１１側をモールド樹脂４０で封止しつつ、基板１０の他面１２側をモールド樹脂４０で封止せずに露出させた、いわゆるハーフモールド構造とされている。なお、本明細書では、モールド樹脂４０のうち、基板１０の一面１１側を下面、その反対側を上面と呼ぶことにする。ここでは、モールド樹脂４０の上面を平面とているが、必ずしも平面である必要はなく、例えば中央線が最も一面１１からの高さが高くされた屋根形状や曲面形状とされていても良いし、凹凸が形成されていても良い。

また、モールド樹脂４０は、図２に示すように上面形状が矩形状とされ、基板１０の相対する二辺、具体的には基板１０のうち長手方向と垂直な両辺を露出させるように、この両辺よりも内側にのみ形成されている。つまり、基板１０の長手方向両端がモールド樹脂４０からはみ出し、外側まで配置されることでモールド樹脂４０から露出させられている。このモールド樹脂４０から露出させられている部分にスルーホール１３が配置されており、このスルーホール１３を通じて、基板１０に形成された配線パターンと外部との電気的接続が可能とされている。また、基板１０の両辺がモールド樹脂４０から露出させられることで、基板１０の四隅が露出させられており、このモールド樹脂４０から露出させられた部分において、上記したように基板１０がケース６０に支持されている。

さらに、図３に示すように、モールド樹脂４０の側面の一部、具体的には側面のうちの基板１０の一面１１側の部分に、テーパ状に突き出したテーパ部４１を備えている。モールド樹脂４０の側面について、モールド樹脂４０の上面側の部分では一面１１に対して垂直とし、一面１１側の部分では一面１１に対して傾斜させることでテーパ部４１を備えている。換言すれば、モールド樹脂４０の端部において、モールド樹脂４０の上面よりも下方位置からのモールド樹脂４０の厚みを薄くした部分を備えるようにしつつ、モールド樹脂４０の外方に向かうに連れて徐々に薄くなるようにすることでテーパ部４１としている。つまり、モールド４０の外方に向かうに連れて、モールド樹脂４０の一面１１からの高さを徐々に低くすることでテーパ部４１を構成している。本実施形態の場合、テーパ部４１の表面を平面としており、一面１１に対して任意の角度で傾斜させられ、モールド樹脂４０の側面のうちテーパ部４１以外の部分に対しても任意の角度で傾斜させた構成としている。

このテーパ部４１におけるモールド樹脂４０の厚みは、基板１０における一面１１からの最も高さの高い電子部品２０、３０よりも低くされている。このため、モールド樹脂４０のうち厚みが薄くされている領域は限定的であり、モールド樹脂４０の外縁部近傍においても、一面１１からのモールド樹脂４０の高さが電子部品２０、３０を覆える高さになっている。

そして、テーパ部４１を備えることによって、モールド樹脂４０の厚みがモールド樹脂４０の外方に向かうに連れて徐々に薄くなるようにしている。このため、モールド樹脂４０の終端部において、厚いモールド樹脂４０が形成されている領域から形成されていない領域に急に変化するのではないため、モールド樹脂４０と基板１０との熱膨張係数差に起因する応力を緩和できる。これにより、モールド樹脂４０と基板１０との間の剥離を抑制することが可能となる。また、テーパ部４１をモールド樹脂４０の上面から基板１０の一面１１に掛けて形成していないため、テーパ部４１となる領域が少ない。このため、超音波探傷装置による内部観察をモールド樹脂４０の殆どの領域で良好に行える。よって、モールド樹脂４０の内部観察をより良好に行うことが可能となる。

なお、矩形状とされたモールド樹脂４０のうち図２中の紙面上下に位置している２辺については、モールド樹脂４０のうち側面の位置が基板１０の側面の位置と一致している、この部分については、モールド樹脂４０の側面を平面状にしており、基板１０の側面と同一平面となるようにしている。このように、モールド樹脂４０の側面と基板１０の側面とが同一平面になる場合には、基板１０の外縁部までモールド樹脂４０から受ける応力が均一である。このため、この部分にはテーパ部４１を備えていなくてもモールド樹脂４０と基板１０との間の剥離の問題が生じ難い。

ヒートシンク５０は、熱伝達率の高い金属材料、例えばアルミニウムや銅によって構成されており、基板１０の他面１２側に、接合部材５１を介して密着させられている。接合部材５１としては、例えば金属フィラーを含有した導電性接着剤、はんだ材料などの導電材料、放熱ゲルや放熱シートなどの絶縁材料を用いている。ヒートシンク５０は、電子部品２０、３０が発した熱が基板１０の他面１２側から伝えられると、それを放熱させる役割を果たすものであり、熱伝導率の高い金属材料、例えば銅などにより構成されている。特に、半導体素子２０がＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴによって構成される場合、これらが発熱素子であることから、多くの熱を発するが、この熱がヒートシンク５０に伝えられることで、半導体素子２０や受動素子３０の高温化が抑制されるようになっている。本実施形態の場合、ヒートシンク５０は、放熱ゲル８０を介して蓋７０に対して熱的に接続されており、基板１０の裏面から伝えられた熱を更に放熱ゲル８０を通じて蓋７０に伝え、蓋７０から外部に放熱させるようにしている。

ケース６０は、基板１０の一面１１側に電子部品２０、３０を実装してモールド樹脂４０で封止したものを収容する長方体形状の筐体となるものである。本実施形態の場合、ケース６０は、底面６１の周囲を側壁面６２によって覆った収容凹部６３を構成する部材とされ、電子部品２０、３０を実装してモールド樹脂４０で封止した基板１０を、一面１１側が底面６１側を向くようにして収容凹部６３内に収容している。

ケース６０の底面６１には、上記したように基板１０を支持する機械的接続部６４が形成されている。機械的接続部６４は、底面６１から垂直方向に突出し、部分的に断面寸法が変化させられた段付き棒状部材とされている。具体的には、機械的接続部６４は、基板１０を固定する前の状態では、底面側の断面寸法が基板１０に形成した固定用孔１４より大きく、先端側の断面寸法が固定用孔１４とほぼ同じもしくは若干小さくされている。このような寸法とされているため、機械的接続部６４は、先端側が固定用孔１４に挿入されつつ、先端側と底面側との段差部にて基板１０を保持する。そして、機械的接続部６４の先端側が固定用孔１４内に嵌め込まれてから熱かしめされることで、基板１０から突き出した部分が固定用孔１４よりも断面寸法が大きくされ、その部分と段差部との間に基板１０が挟み込まれて支持されている。

なお、機械的接続部６４の突き出し量は、側壁面６２の高さよりも低くされており、基板１０が側壁面６２の先端よりも収容凹部６３の内側に入り込むようにしてある。

さらに、ケース６０の底面６１には、複数本の接続端子６５が底面６１に対して垂直方向に立設されている。例えば、各接続端子６５は、銅合金に錫メッキやニッケルメッキが施されたものにより構成されている。複数本の接続端子６５は、それぞれ、基板１０に形成されたスルーホール１３に挿通させられており、はんだ等の接続部材１５を介してスルーホール１３に電気的に接続されている。ケース６０は、基本的にはＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂をベースとした絶縁体によって構成されているが、ケース６０の外部まで延設された配線パターンを備えている。この配線パターンに対して複数本の接続端子６５が接続され、各接続端子６５および配線パターンを通じて、各電子部品２０、３０が実装された基板１０の配線パターンと外部との電気的接続がなされている。

蓋７０は、ケース６０の開口端、つまり側壁面６２の先端に接続されることで、ケース６０内を密閉するものである。蓋７０は、例えば接着剤などを介してケース６０に固定される。本実施形態の場合、蓋７０は、熱伝達率の高い金属材料、例えばアルミニウムや銅によって構成されており、矩形板状部材によって構成されている。

放熱ゲル８０は、ヒートシンク５０と蓋７０との間に配置されており、これら両方に接するように配置されることで、ヒートシンク５０から蓋７０への伝熱を行う。例えば、放熱ゲル８０は、熱伝導率の高いシリコーンオイルコンパウンドなどによって構成されている。放熱ゲル８０をなくしてヒートシンク５０と蓋７０とが直接接する構造とすることもできるが、ヒートシンク５０の高さ合わせなどが難しく、蓋７０を固定する際にヒートシンク５０を押圧してしまう可能性があることから、変形自在な放熱ゲル８０を備えると好ましい。

以上のようにして、本実施形態にかかる電子装置Ｓ１が構成されている。このような電子装置Ｓ１は、次のような製造方法により製造される。

まず、配線パターンおよびスルーホール１３などが形成された基板１０を用意したのち、基板１０の一面１１上に電子部品２０、３０を実装する。次に、電子部品２０、３０が実装された基板１０を、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法によってモールド樹脂４０で封止する。

図４は、例えばコンプレッション成形によってモールド樹脂４０による樹脂封止を行う場合の様子を示している。この図に示すように、成形型となる金型９０として、下型（第１型）９１と上型（第２型）９２およびプランジャ９３を用いる。まず、下型９１の上に基板１０を配置する。下型９１側に他面１２側が向くようにして配置する。続いて、上型９２を配置したのち、コンプレッション成形に用いる樹脂粉末を上型９２の開口部９２ａ内に充填してから、プランジャ９３を開口部９２ａ内において摺動させ、加熱加圧することで樹脂成形を行う。これにより、モールド樹脂４０が形成される。

このとき、上型９２のうち基板１０の一面１１と接する側において、一面１１に向かってキャビティが徐々に広がるように内壁面をテーパ状にしている。このため、モールド樹脂４０の側面のうち一面１１側の部分について、モールド樹脂４０の厚みがモールド樹脂４０の外方に向かうに連れて徐々に薄くなるようなテーパ部４１が形成される。

そして、基板１０の他面１２側に接合部材５１を介してヒートシンク５０を接合したのち、基板１０をケース６０の収容凹部６３内に、一面１１側が底面６１側を向くようにして配置する。このとき、スルーホール１３に複数の接続端子６５が挿入され、固定用孔１４内に機械的接続部６４の先端が嵌め込まれるようにする。

その後、機械的接続部６４の先端を熱かしめすると共に、はんだ付けなどによりスルーホール１３と複数の接続端子６５とを接続部材１５にて接続する。最後に、ヒートシンク５０の表面に放熱ゲル８０を配置したのち、その上に蓋７０を配置し、蓋７０とケース６０の側壁面６２との間を接着剤などによって固定することで、本実施形態にかかる電子装置Ｓ１が完成する。

なお、従来のように、モールド樹脂４０の上面から基板１０と密着させられる面にかけてモールド樹脂４０の側面全域をテーパ状にする場合、モールド樹脂４０をコンプレッション成形によって形成するのであれば、プランジャ９３の押し込み量の調整が難しい。すなわち、プランジャ９３が押し込まれ過ぎたり、逆にプランジャ９３の押し込み量が足りないという状態になり得る。このため、プランジャ９３の押し込み量に応じてモールド樹脂４０の上面形状が変化してしまい、安定して断面台形状にすることが難しく、モールド樹脂４０の上面から基板１０と接する面にかけてモールド樹脂４０の側面全域をテーパ状にするのが困難である。そして、プランジャ９３が押し込まれ過ぎた場合にはモールド樹脂４０の上面側の外縁部において、樹脂の尖ったバリが形成され、それが後工程で欠けてしまうといった問題を発生させる。このため、モールド樹脂４０の上面から基板１０と密着させられる面にかけてモールド樹脂４０の側面全域をテーパ状にするという構造は、コンプレッション成形には向かない構造であると言える。

これに対して、本実施形態では、モールド樹脂４０の側面のうち一面１１側の部分のみをテーパ形状にしている。このため、プランジャ９３の押し込み量にかかわらず、モールド樹脂４０の上面形状が変化しないし、プランジャ９３が押し込まれすぎることによるバリの発生もない。したがって、モールド樹脂４０を安定して同じ形状で形成できるし、バリが後工程で欠けてしまうといった問題を発生させることもない。

以上説明したように、本実施形態にかかる電子装置Ｓ１では、モールド樹脂４０の端部において、モールド樹脂４０の厚みを薄くした部分を備えるようにしつつ、モールド樹脂４０の外方に向かうに連れて徐々に薄くなるようにすることでテーパ部４１としている。このため、モールド樹脂４０の終端部において、厚いモールド樹脂４０が形成されている領域から形成されていない領域に急に変化するのではないため、モールド樹脂４０と基板１０との熱膨張係数差に起因する応力を緩和できる。これにより、モールド樹脂４０と基板１０との間の剥離を抑制することが可能となる。また、テーパ部４１をモールド樹脂４０の上面から基板１０の一面１１に掛けて形成していないため、テーパ部４１となる領域が少ない。このため、超音波探傷装置による内部観察をモールド樹脂４０の殆どの領域で良好に行える。よって、モールド樹脂の内部観察をより良好に行うことが可能となる。

また、テーパ部４１をモールド樹脂４０の上面から基板１０の一面１１に至る全域に形成しておらず、モールド樹脂４０の上面よりも下方から形成しているため、モールド樹脂４０のうちテーパ部４１となる領域を限定的にできる。このため、モールド樹脂４０の外縁部の近傍まで電子部品２０、３０を配置することが可能となり、デッドスペースを縮小できて、電子装置Ｓ１の大型化を抑制することが可能となる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してテーパ部４１の形状を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

図５に示すように、本実施形態では、モールド樹脂４０の側面のうちテーパ部４１以外の部分とテーパ部４１との境界位置およびテーパ部４１と基板１０の一面との境界位置がＲ形状の曲面となるようにしている。このように、テーパ部４１の表面を曲面にしても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、テーパ部４１の表面を曲面にすることで、各境界位置でのモールド樹脂４０と基板１０との熱膨張係数差に起因する応力が滑らかに変化するようにできる。これにより、よりモールド樹脂４０と基板１０との間の剥離を抑制することが可能となる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態も、第１実施形態に対してテーパ部４１の形状を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

図６に示すように、本実施形態では、モールド樹脂４０の側面のうちテーパ部４１以外の部分とテーパ部４１との境界位置がＲ形状の曲面となるようにしている。このように、モールド樹脂４０の側面のうちテーパ部４１以外の部分とテーパ部４１との境界位置を曲面にしても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、この境界位置でのモールド樹脂４０と基板１０との熱膨張係数差に起因する応力が滑らかに変化するようにできる。これにより、よりモールド樹脂４０と基板１０との間の剥離を抑制することが可能となる。

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、上記各実施形態では、基板１０の一面１１上に電子部品２０、３０を実装したのち、電子部品２０、３０をモールド樹脂４０で樹脂封止する形態が適用された電子装置Ｓ１の一例を示したが、上記各実施形態で説明した構造でなくても良い。例えば、基板１０の一面１１側、つまりモールド樹脂４０側がケース６０の底面６１側に向けられるように配置しているが、他面１２側、つまりモールド樹脂４０と反対側が底面６１側に向けられるように配置しても良い。

また、テーパ部４１の形成位置についても、モールド樹脂４０の上面よりも下方位置から形成されていれば良いし、上記各実施形態で説明した形状に限るものではない。例えば、上記各実施形態では、デッドスペースをより縮小できるようにするために、電子部品２０、３０のうち最も高さの高いものよりも低い位置からテーパ部４１を備えるようにしたが、それよりも上の位置からテーパ部４１を形成しても良い。さらに、第３実施形態では、モールド樹脂４０の側面のうちテーパ部４１以外の部分とテーパ部４１との境界位置のみを曲面としたが、テーパ部４１と基板１０の一面との境界位置のみを曲面としても良い。

さらに、多連基板、つまり１枚の母材から基板１０を複数枚製造するような場合において、モールド樹脂４０も複数枚同時に形成することがある。この場合、複数枚の基板１０に跨るようにモールド樹脂４０を形成しておき、モールド樹脂４０と共に多連基板を切断することで複数枚の基板１０を形成することができるが、その切断面において、モールド樹脂４０の側面と基板１０の側面とが同一平面になる。したがって、このように多連基板を用いて複数枚の基板１０を形成する場合にも、上記した各実施形態で説明した構造の基板１０およびモールド樹脂４０を製造できる。なお、この場合には、切断前の状態において、モールド樹脂４０のすべての辺にテーパ部４１を形成できることから、さらに成形時の型抜き性を良好にすることが可能となる。

また、機械的接続部６４による基板１０の固定手法も、熱かしめに限らず、圧入やネジ締め固定などであっても良い。また、接続端子６５とスルーホール１３との接続も、はんだ付けに限らず、プレスフィットなどであっても良い。

１０ 基板
１１ 一面
１２ 他面
１２ａ 導体パターン
１８ 空間
２０、３０ 電子部品
４０ モールド樹脂
４１ テーパ部
９０ 金型

Claims (5)

1. 一面（１１）および前記一面の反対面となる他面（１２）とを有する基板（１０）と、
   前記基板の一面側に実装された電子部品（２０、３０）と、
   前記基板の一面側に設けられ、前記電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、
   前記基板のうちの少なくとも一部が前記モールド樹脂の外側まで配置されており、
   前記基板が前記モールド樹脂の外側まで配置されている部分において、前記モールド樹脂には、該モールド樹脂のうち前記基板の一面側を下面、該下面と反対側を上面として、該モールド樹脂の側面における前記上面よりも前記下面側の位置から該モールド樹脂の外方に向かって突き出し、かつ、前記一面に対して傾斜させられ、該モールド樹脂の外方に向かうに連れて徐々に前記一面からの高さが低くなるテーパ部（４１）が備えられていることを特徴とする電子装置。
2. 前記モールド樹脂の側面のうち前記テーパ部とは異なる部分は前記基板の一面に対して垂直であることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 前記テーパ部は、前記モールド樹脂の側面のうち該テーパ部とは異なる部分と該テーパ部との境界位置および該テーパ部と前記基板の一面との境界位置の少なくとも一方がＲ形状の曲面とされていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
4. 前記テーパ部は、前記モールド樹脂の側面のうち、前記電子部品のうち最も前記基板の一面からの高さが高いものよりも低い位置から形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子装置。
5. 一面（１１）および前記一面の反対面となる他面（１２）とを有する基板（１０）と、
   前記基板の一面側に実装された電子部品（２０、３０）と、
   前記基板の一面側に設けられ、前記電子部品を封止するモールド樹脂（４０）と、を備える電子装置の製造方法であって、
   前記基板を用意し、該基板の一面に前記電子部品を実装する工程と、
   前記電子部品が実装された前記基板の他面側において第１型（９１）に接触させた状態で前記基板の一面側にキャビティが設けられた第２型（９２）を配置し、前記キャビティ内に樹脂材料を充填すると共に、該キャビティを含む前記第１型の開口部内にプランジャを摺動させて加熱加圧を行うことで、モールド成形により前記モールド樹脂を形成する工程とを含み、
   前記モールド樹脂を形成する工程では、前記第２型として、該第２型のうち前記キャビティを構成する内壁面が、前記基板の一面側に向かって前記キャビティが徐々に広がるテーパ状とされたものを用いることで、前記モールド樹脂のうち前記基板の一面側を下面、該下面と反対側を上面として、前記モールド樹脂に、前記モールドの側面における前記上面よりも前記下面側の位置から該モールド樹脂の外方に向かって突き出し、かつ、前記一面に対して傾斜させられ、該モールド樹脂の外方に向かうに連れて徐々に前記一面からの高さが低くなるテーパ部（４１）を形成することを特徴とする電子装置の製造方法。

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