JP2015012008A - Chip resistor and mounting structure of chip resistor - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 55
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract description 29
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 23
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、回路基板上に半田付けによって実装されるチップ抵抗器と、かかるチップ抵抗器の実装構造に関するものである。 The present invention relates to a chip resistor mounted on a circuit board by soldering and a mounting structure of the chip resistor.
図7は特許文献1に開示された従来のチップ抵抗器とその実装構造を示す断面図である。同図に示すように、このチップ抵抗器21は、直方体形状の絶縁性基台22と、絶縁性基台22の図示上面の長手方向両端部に設けられた一対の内部電極(表面電極)23と、一対の内部電極23間に跨って設けられた抵抗体24と、この抵抗体24を被覆する2層構造の保護コート(アンダーコート25とオーバーコート26)と、絶縁性基台22の長手方向両端面を断面コ字状に覆う外部電極27とを備えており、外部電極27にはメッキ層が被着されている。外部電極27の上端側は内部電極23に重なり合っており、外部電極27の下端側は絶縁性基台22の下面で裏面電極28に相当する領域を覆っている。このように構成されたチップ抵抗器21は、回路基板30に設けられたランド31上に裏面電極28を下向きにした状態で搭載され、外部電極27をランド31に半田32で接合することによって回路基板30上に面実装される。 FIG. 7 is a cross-sectional view showing a conventional chip resistor disclosed in Patent Document 1 and its mounting structure. As shown in the figure, the chip resistor 21 includes a rectangular parallelepiped insulating base 22 and a pair of internal electrodes (surface electrodes) 23 provided at both ends in the longitudinal direction of the upper surface of the insulating base 22 in the figure. A resistor 24 provided between the pair of internal electrodes 23, a two-layer protective coat (undercoat 25 and overcoat 26) covering the resistor 24, and the length of the insulating base 22 And an external electrode 27 that covers both end faces in a U-shaped cross section, and the external electrode 27 is coated with a plating layer. The upper end side of the external electrode 27 overlaps the internal electrode 23, and the lower end side of the external electrode 27 covers the area corresponding to the back electrode 28 on the lower surface of the insulating base 22. The thus configured chip resistor 21 is mounted on the land 31 provided on the circuit board 30 with the back electrode 28 facing downward, and the external electrode 27 is joined to the land 31 with the solder 32 to provide a circuit. Surface mounted on the substrate 30.
ところで、この種のチップ抵抗器21を光や熱あるいは湿度等の環境から保護するために、回路基板30上のチップ抵抗器21を樹脂封止剤によって封止することがある。この場合、チップ抵抗器21を回路基板30上に半田接合した状態で、チップ抵抗器21の周囲にペースト状の樹脂封止剤をディスペンサ等で供給し、必要に応じて堰き止め部材を用いて樹脂封止剤の流出を堰き止めた状態で加熱することにより、樹脂封止剤を硬化させてチップ抵抗器21を封止するようにしている。 By the way, in order to protect this type of chip resistor 21 from an environment such as light, heat, or humidity, the chip resistor 21 on the circuit board 30 may be sealed with a resin sealant. In this case, in a state where the chip resistor 21 is soldered on the circuit board 30, a paste-like resin sealant is supplied around the chip resistor 21 with a dispenser or the like, and a damming member is used as necessary. By heating in a state where the outflow of the resin sealant is blocked, the resin sealant is cured and the chip resistor 21 is sealed.
しかしながら、チップ抵抗器21を回路基板30のランド31に半田接合した場合、一対の裏面電極28間の部分において絶縁性基台22の下面と回路基板30との間に狭い空間(図7の符号Aで示す部分)ができるため、半田接合後にペースト状の樹脂封止剤を供給した際に、上記空間Aに樹脂封止剤が流れ込まずに空洞として残ってしまうことがある。このような空洞が形成されてしまうと、その後の工程で樹脂封止剤を加熱・硬化させるときに空洞内の空気が膨張してしまうため、樹脂封止剤の絶縁性基台22に対する密着強度が低下したり、最悪の場合、半田32が空間Aに流れ込んで短絡事故を招来することがある。 However, when the chip resistor 21 is soldered to the land 31 of the circuit board 30, a narrow space between the lower surface of the insulating base 22 and the circuit board 30 in the portion between the pair of back electrodes 28 (reference numeral in FIG. 7). Therefore, when a paste-like resin sealant is supplied after soldering, the resin sealant may not flow into the space A and remain as a cavity. If such cavities are formed, the air in the cavities expands when the resin sealant is heated and cured in the subsequent steps, so the adhesion strength of the resin sealant to the insulating base 22 is increased. In the worst case, the solder 32 may flow into the space A and cause a short-circuit accident.
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたものであり、その第1の目的は、樹脂封止剤の密着強度を高めることができるチップ抵抗器を提供することにある。また、本発明の第2の目的は、樹脂封止剤の密着強度を高めることができるチップ抵抗器の実装構造を提供することにある。 The present invention has been made in view of the actual situation of the prior art, and a first object thereof is to provide a chip resistor capable of increasing the adhesion strength of a resin sealant. A second object of the present invention is to provide a chip resistor mounting structure capable of increasing the adhesion strength of the resin sealant.
上記第1の目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁性基台と、この絶縁性基台の表面の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極と、これら一対の表面電極に接続するように前記絶縁性基台の表面に設けられた抵抗体と、前記絶縁性基台の裏面の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極と、前記絶縁性基台の両端面に設けられて前記表面電極と前記裏面電極とを橋絡している一対の端面電極とを備え、前記絶縁性基台の短手方向の両側面と裏面との間に面取り形状の傾斜面が形成されており、前記絶縁性基台の厚み寸法をT、前記傾斜面の高さ寸法をHとしたとき、これらの関係が1/3<H/T<2/3に設定されていると共に、前記絶縁性基台の短手方向の側面と前記傾斜面とのなす角度をθとしたとき、このθが30°〜60°の範囲に設定されているという構成にした。 In order to achieve the first object, a chip resistor of the present invention includes a rectangular parallelepiped insulating base and a pair of surface electrodes provided at both longitudinal ends of the surface of the insulating base. A resistor provided on the surface of the insulating base so as to be connected to the pair of surface electrodes, a pair of back electrodes provided at both longitudinal ends of the back surface of the insulating base, and the insulating property A pair of end surface electrodes provided on both end surfaces of the base and bridging the front surface electrode and the back surface electrode, and chamfered between both lateral surfaces and the back surface of the insulating base in the short direction. An inclined surface having a shape is formed, and when the thickness dimension of the insulating base is T and the height dimension of the inclined surface is H, these relationships are 1/3 <H / T <2/3. And the angle between the side surface in the short direction of the insulating base and the inclined surface is set as θ. And the configuration of this θ is set in a range of 30 ° to 60 °.
このように構成されたチップ抵抗器では、絶縁性基台の短手方向の両側面と裏面との間に面取り形状の傾斜面が形成され、この傾斜面の大きさや角度が上記の範囲に設定されているため、チップ抵抗器を回路基板上に半田接合した状態で樹脂封止剤を供給したとき、この樹脂封止剤が絶縁性基台の下面と回路基板間に存する狭い空間内に流れ込みやすくなり、樹脂封止剤の回路基板に対する密着強度を高めることができる。 In the chip resistor configured in this way, a chamfered inclined surface is formed between both lateral surfaces and the back surface of the insulating base in the short direction, and the size and angle of the inclined surface are set in the above range. Therefore, when the resin sealant is supplied with the chip resistor soldered onto the circuit board, the resin sealant flows into the narrow space between the lower surface of the insulating base and the circuit board. It becomes easy and the adhesive strength with respect to the circuit board of resin sealing agent can be raised.
また、上記第2の目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器の実装構造は、上記したような傾斜面を有するチップ抵抗器が回路基板に設けられたランド上に裏面電極を搭載して半田接合されていると共に、このチップ抵抗器の全体が樹脂封止材によって封止されているという構成にした。 In order to achieve the second object, the chip resistor mounting structure according to the present invention includes a back electrode mounted on a land on which a chip resistor having an inclined surface as described above is provided on a circuit board. The chip resistor is entirely sealed with a resin sealing material.
このように構成されたチップ抵抗器の実装構造では、回路基板のランド上に裏面電極を下向きにした状態でチップ抵抗器を搭載して端面電極とランドを半田接合した後、チップ抵抗器の周囲にペースト状の樹脂封止剤を供給する際に、この樹脂封止剤が絶縁性基台の下面と回路基板間に存する狭い空間内に流れ込みやすくなるため、その後の加熱工程で樹脂封止剤を硬化させることによって、回路基板に対する密着強度が高い樹脂封止剤を用いてチップ抵抗器を封止することができる。 In the chip resistor mounting structure configured as described above, the chip resistor is mounted on the circuit board land with the back electrode facing downward, the end surface electrode and the land are soldered, and then the periphery of the chip resistor. When the paste-like resin sealant is supplied to the substrate, the resin sealant easily flows into a narrow space existing between the lower surface of the insulating base and the circuit board. By curing the chip resistor, it is possible to seal the chip resistor using a resin sealant having high adhesion strength to the circuit board.
本発明のチップ抵抗器は、絶縁性基台の短手方向の両側面と裏面との間に所定の大きさと角度範囲に設定された面取り形状の傾斜面が形成されているため、チップ抵抗器を回路基板上に半田接合した状態で樹脂封止剤を供給したとき、樹脂封止剤が絶縁性基台の下面と回路基板間に存する狭い空間内に流れ込みやすくなり、樹脂封止剤の回路基板に対する密着強度を高めることができる。 Since the chip resistor of the present invention has a chamfered inclined surface set in a predetermined size and an angle range between the both side surfaces and the back surface in the short direction of the insulating base, the chip resistor When the resin sealant is supplied in a state where it is soldered onto the circuit board, the resin sealant easily flows into the narrow space existing between the lower surface of the insulating base and the circuit board. The adhesion strength to the substrate can be increased.
また、本発明によるチップ抵抗器の実装構造は、チップ抵抗器の絶縁性基台の短手方向の両側面と裏面との間に所定の大きさと角度範囲に設定された面取り形状の傾斜面が形成されており、このようなチップ抵抗器を裏面電極を下向きにした状態で回路基板のランド上に搭載して端面電極とランドを半田接合した後、チップ抵抗器の周囲にペースト状の樹脂封止剤を供給する際に、この樹脂封止剤が絶縁性基台の下面と回路基板間に存する狭い空間内に流れ込みやすくなるため、その後の加熱工程で樹脂封止剤を硬化させることによって、回路基板に対する密着強度が高い樹脂封止剤を用いてチップ抵抗器を封止することができる。 Further, the mounting structure of the chip resistor according to the present invention has a chamfered inclined surface set to a predetermined size and an angle range between both side surfaces and the back surface of the insulating base of the chip resistor in the short direction. After the chip resistor is mounted on the circuit board land with the back electrode facing downward, the end surface electrode and the land are soldered together, and then a paste-like resin seal is formed around the chip resistor. When supplying the stop agent, this resin sealant is likely to flow into a narrow space existing between the lower surface of the insulating base and the circuit board, so by curing the resin sealant in the subsequent heating step, The chip resistor can be sealed using a resin sealant having high adhesion strength to the circuit board.
以下、発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1〜図3に示すように、本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器1は、直方体形状のセラミック基板2と、このセラミック基板2の裏面(図2では下面)の長手方向両端部に設けられた一対の裏面電極3と、セラミック基板2の表面(図2では上面)の長手方向両端部に設けられた一対の表面電極4と、これら一対の表面電極4に両端部を重ね合わせてセラミック基板2の表面に設けられた抵抗体5と、セラミック基板2の長手方向両端面に設けられて裏面電極3と表面電極4とを橋絡している一対の端面電極6と、抵抗体5を被覆する2層構造の保護層7と、表面電極4と端面電極6および裏面電極3を覆う断面コ字状の外部電極8とによって構成されている。 Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 to 3, a chip resistor 1 according to an embodiment of the present invention includes a rectangular parallelepiped ceramic substrate 2 and longitudinal ends of the back surface (lower surface in FIG. 2) of the ceramic substrate 2. A pair of back electrodes 3 provided, a pair of surface electrodes 4 provided at both longitudinal ends of the surface of the ceramic substrate 2 (upper surface in FIG. 2), and both ends overlapped with the pair of surface electrodes 4 A resistor 5 provided on the surface of the ceramic substrate 2, a pair of end surface electrodes 6 provided on both end surfaces in the longitudinal direction of the ceramic substrate 2 to bridge the back electrode 3 and the surface electrode 4, and the resistor 5 And a protective layer 7 having a two-layer structure covering the surface, and an external electrode 8 having a U-shaped cross-section covering the front electrode 4, the end surface electrode 6 and the back electrode 3.
セラミック基板2はアルミナを主成分とする絶縁性基台であり、このセラミック基板2は後述する大判基板を縦横の分割溝に沿って分割して多数個取りされたものである。図3は図1に示すIII−III線での断面図であり、この図3に示すように、セラミック基板2の短手方向の両側面と裏面との間に面取り形状の傾斜面2aが形成されており、セラミック基板2の厚み寸法をT、傾斜面2aの高さ寸法をHとすると、これらの関係は1/3<H/T<2/3に設定されている。また、セラミック基板2の短手方向の側面と傾斜面2aとがなす角度をθとすると、このθは30°〜60°の範囲に設定されている。すなわち、この傾斜面2aは、欠け防止用等として施されるテーパに比べると、かなり大きなテーパ面として設定されている。 The ceramic substrate 2 is an insulating base mainly composed of alumina, and the ceramic substrate 2 is obtained by dividing a large-sized substrate, which will be described later, along a vertical and horizontal dividing groove and by taking a large number. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III shown in FIG. 1. As shown in FIG. 3, a chamfered inclined surface 2a is formed between both side surfaces and the back surface of the ceramic substrate 2 in the short direction. When the thickness dimension of the ceramic substrate 2 is T and the height dimension of the inclined surface 2a is H, these relationships are set to 1/3 <H / T <2/3. Further, if the angle formed between the lateral surface of the ceramic substrate 2 and the inclined surface 2a is θ, this θ is set in a range of 30 ° to 60 °. That is, this inclined surface 2a is set as a considerably large tapered surface as compared with a taper applied for chipping prevention or the like.
裏面電極3はAgペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、同じく表面電極4もAgペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。抵抗体5は酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、この抵抗体5にトリミング溝(図示省略)を形成することによってチップ抵抗器1の抵抗値が調整されている。端面電極6はセラミック基板2の端面にスパッタリングにより形成されたものであり、セラミック基板2に対する密着性が良いクロム(Cr)とバリヤー層の材料を含有するスパッタ膜からなる。バリヤー層は熱応力(ヒートショック)に対するクッション材として機能するものであり、ニッケル(Ni)または銅(Cu)が用いられている。外部電極8は電解メッキによって形成されたものであり、錫(Sn)−鉛(Pb)や鉛フリーのSn等からなる。なお、チップ抵抗器1の製造時には、大判基板に対して多数個分の裏面電極3や表面電極4や抵抗体5や保護層7等が一括して形成される。 The back electrode 3 is obtained by screen-printing Ag paste and drying and firing, and the front electrode 4 is also obtained by screen-printing Ag paste and drying and firing. The resistor 5 is obtained by screen-printing a resistor paste such as ruthenium oxide, drying and firing, and the resistance value of the chip resistor 1 is adjusted by forming a trimming groove (not shown) in the resistor 5. Has been. The end face electrode 6 is formed on the end face of the ceramic substrate 2 by sputtering, and is made of a sputtered film containing chromium (Cr) having good adhesion to the ceramic substrate 2 and a barrier layer material. The barrier layer functions as a cushioning material against thermal stress (heat shock), and nickel (Ni) or copper (Cu) is used. The external electrode 8 is formed by electrolytic plating, and is made of tin (Sn) -lead (Pb), lead-free Sn, or the like. When the chip resistor 1 is manufactured, a large number of back surface electrodes 3, front surface electrodes 4, resistors 5, protective layers 7 and the like are collectively formed on a large substrate.
次に、このように構成されたチップ抵抗器1の製造工程について、図4を参照しながら説明する。 Next, the manufacturing process of the chip resistor 1 configured as described above will be described with reference to FIG.
まず、図4(a)に示すように、セラミック基板2が多数個取りされる大判基板10を準備し、この大判基板10に対しレーザースクライブを用いて、図4(b)に示すような格子状の表面分割スリット(1次表面スリット10aと2次表面スリット10b)を形成すると共に、図4(c)に示すような1次裏スリット10cを形成する。その後、図4(d)に示すようなV字形状のダイシングブレード11を用いて大判基板10の裏面にV字状の溝を形成することにより、図4(e)に示すように、大判基板10の裏面に1次裏面スリット10cと直交方向へ延びる2次裏V溝10dを形成する。この2次裏V溝10dは前述したセラミック基板2の傾斜面2aに対応する大きさと角度を有する溝であり、2次裏V溝10dの溝深さは表面分割スリット10a,10bや1次裏面スリット10bの溝深さに比べて十分に大きな値に設定されている。 First, as shown in FIG. 4A, a large-sized substrate 10 on which a large number of ceramic substrates 2 are taken is prepared, and a laser scribe is used for the large-sized substrate 10 to form a lattice as shown in FIG. The surface-shaped surface split slits (primary surface slit 10a and secondary surface slit 10b) are formed, and a primary back slit 10c as shown in FIG. 4C is formed. Thereafter, a V-shaped groove is formed on the back surface of the large-sized substrate 10 by using a V-shaped dicing blade 11 as shown in FIG. 4D, so that the large-sized substrate is formed as shown in FIG. A secondary back V-groove 10d extending in a direction orthogonal to the primary back slit 10c is formed on the back surface of 10. The secondary back V-groove 10d is a groove having a size and an angle corresponding to the inclined surface 2a of the ceramic substrate 2, and the depth of the secondary back V-groove 10d is determined by the surface division slits 10a and 10b and the primary back surface. It is set to a sufficiently large value compared to the groove depth of the slit 10b.
このように予め大判基板10に2次裏V溝10dを含む分割溝を形成した後、第1工程として、大判基板10の表面と裏面にAgペーストを印刷して焼成することにより、1次表面スリット10aと重なり合って2次表面スリット10bとは重ならない表面電極を形成すると共に、1次裏面スリット10cと重なり合って2次裏V溝10dとは重ならない裏面電極を形成する。次に、第2工程として、大判基板10の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、両端部が表面電極と重なり合う抵抗体を形成する。 Thus, after forming the division | segmentation groove | channel including the secondary back V-groove 10d previously in the large format board | substrate 10, by printing Ag paste on the surface and the back surface of the large format substrate 10 and baking it as a 1st process, a primary surface A surface electrode which overlaps with the slit 10a and does not overlap with the secondary surface slit 10b is formed, and a back electrode which overlaps with the primary back surface slit 10c and does not overlap with the secondary back V-groove 10d is formed. Next, as a second step, a resistor paste such as ruthenium oxide is screen-printed on the surface of the large-sized substrate 10 and baked, thereby forming a resistor in which both end portions overlap with the surface electrode.
次に、第3工程として、抵抗体を覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、抵抗体を覆うアンダーコート層を形成する。しかる後、第4工程として、アンダーコート上へレーザを照射して抵抗体の一部にトリミング溝を形成することにより、所望の抵抗値に調整する。次に、第5工程として、アンダーコート層を覆うようにエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、抵抗体とアンダーコート層を覆うオーバーコート層を形成し、これらアンダーコート層とオーバーコート層によって2層構造の保護層を形成する。 Next, as a third step, an undercoat layer that covers the resistor is formed by screen-printing and baking a glass paste in a region that covers the resistor. Thereafter, as a fourth step, a laser is irradiated onto the undercoat to form a trimming groove in a part of the resistor, thereby adjusting to a desired resistance value. Next, as a fifth step, an epoxy resin paste is screen printed so as to cover the undercoat layer and baked to form an overcoat layer covering the resistor and the undercoat layer. A protective layer having a two-layer structure is formed by the coat layer.
ここまでの工程は多数個取り用の大判基板10に対する一括処理であるが、次なる第6工程では、大判基板10を1次表面スリット10aと1次裏面スリット10bに沿って分割(1次分割)することにより、図4(f)に示すような短冊状基板12を多数個取りする。そして、次なる第7工程で、短冊状基板12の分割面にCr/Niをスパッタリングすることにより、表面電極と裏面電極を橋絡する端面電極を形成する。 The process up to this point is a batch process for the large-sized substrate 10 for taking a large number of pieces. In the next sixth step, the large-sized substrate 10 is divided along the primary surface slit 10a and the primary back surface slit 10b (primary division). ), A large number of strip-shaped substrates 12 as shown in FIG. Then, in the next seventh step, Cr / Ni is sputtered onto the split surface of the strip-shaped substrate 12 to form an end face electrode that bridges the front electrode and the back electrode.
しかる後、第8工程として、短冊状基板12を2次表面スリット10bと2次裏V溝10dに沿って分割(2次分割)することにより、図4(g)に示すような個片化したチップ単体13を得る。次に、第9工程として、個片化されたチップ単体13の端面に電解メッキを施すことにより、表面電極と裏面電極および端面電極を被覆するバリヤー層(Niメッキ層)を形成し、最後に、第10工程として、このバリヤー層を被覆するように半田メッキを電解メッキで形成することにより、図1〜図3に示すような外部電極を有するチップ抵抗器1が完成する。 Thereafter, as an eighth step, the strip-shaped substrate 12 is divided (secondary division) along the secondary surface slit 10b and the secondary back V-groove 10d, whereby individualization as shown in FIG. The obtained chip 13 is obtained. Next, as a ninth step, a barrier layer (Ni plating layer) covering the front surface electrode, the back surface electrode, and the end surface electrode is formed by performing electroplating on the end surface of the separated chip unit 13, and finally In the tenth step, the chip resistor 1 having the external electrodes as shown in FIGS. 1 to 3 is completed by forming the solder plating by electrolytic plating so as to cover the barrier layer.
なお、以上説明したチップ抵抗器1の製造工程では、予め2次裏V溝10dを含む全ての分割溝が形成された大判基板10を準備し、この大判基板10に対して第1工程〜第10工程を施すことによってチップ抵抗器1を得るようにしているが、2次裏V溝10dだけを後から形成することも可能である。具体的には、表面分割スリット(1次表面スリット10aと2次表面スリット10b)と1次裏面スリット10cだけが形成された大判基板10に対して、前述した第1工程(表裏電極形成工程)〜第5工程(保護層形成工程)までを実行してから大判基板10に2次裏V溝10dを形成し、しかる後に、第6工程(1次分割工程)〜第10工程(外部電極形成工程)までを実行すれば良い。このように溝深さの大きい2次裏V溝10dを後から形成すると、表裏電極や抵抗体の印刷工程での割れを確実に防止することができる。 In the manufacturing process of the chip resistor 1 described above, a large substrate 10 in which all the divided grooves including the secondary back V-groove 10d are prepared in advance is prepared. Although the chip resistor 1 is obtained by performing 10 steps, it is also possible to form only the secondary back V-groove 10d later. Specifically, the first step (front and back electrode forming step) described above for the large-sized substrate 10 on which only the surface division slits (the primary surface slit 10a and the secondary surface slit 10b) and the primary back surface slit 10c are formed. After the fifth step (protective layer forming step) is executed, the secondary back V-groove 10d is formed on the large-sized substrate 10, and then the sixth step (primary division step) to the tenth step (external electrode formation). Steps) may be executed. Thus, if the secondary back V-groove 10d having a large groove depth is formed later, cracks in the printing process of the front and back electrodes and the resistor can be reliably prevented.
また、以上説明したチップ抵抗器1の製造工程では、予め大判基板10に形成した2次裏V溝10dに沿って2次分割することにより、傾斜面2aを有するチップ単体13を得るようにしているが、大判基板10をダイシングで2次分割するときに傾斜面2aを形成することも可能である。以下、かかる製造工程について図5を参照しながら説明する。 In the manufacturing process of the chip resistor 1 described above, the chip unit 13 having the inclined surface 2a is obtained by performing secondary division along the secondary back V-groove 10d previously formed on the large substrate 10. However, it is also possible to form the inclined surface 2a when the large substrate 10 is secondarily divided by dicing. Hereinafter, this manufacturing process will be described with reference to FIG.
まず、図5(a)に示すように、セラミック基板2が多数個取りされる大判基板10を準備し、この大判基板10の表裏面に対してレーザースクライブを用いて、図5(b)に示すような1次表面スリット10aと1次裏スリット10cを形成する。この場合、前述した2次表面スリット10bと2次裏V溝10dは形成しない。 First, as shown in FIG. 5A, a large-sized substrate 10 on which a large number of ceramic substrates 2 are taken is prepared, and laser scribing is performed on the front and back surfaces of the large-sized substrate 10 in FIG. 5B. A primary surface slit 10a and a primary back slit 10c as shown are formed. In this case, the secondary surface slit 10b and the secondary back V-groove 10d described above are not formed.
次に、このような大判基板10に対して前述した第1工程(表裏電極形成工程)〜第5工程(保護層形成工程)までを実行した後、次の第6工程で大判基板10を1次表面スリット10aと1次裏面スリット10bに沿って分割(1次分割)することにより、図5(c)に示すような短冊状基板12を多数個取りする。次に、第7工程として短冊状基板12の分割面にスパッタリングによって端面電極を形成した後、次なる第8工程で、図5(d)に示す形状のダイシングブレード14を用いて短冊状基板12を1次表面スリット10aと直交する方向へ切断(2次分割)する。このダイシングブレード14には所定角度の斜面14aが付けられているため、図5(e)に示すように、短冊状基板12を2次分割することによってダイシングブレード14の形状に対応する傾斜面を有するチップ単体13が得られる。 Next, after performing the above-described first step (front and back electrode forming step) to fifth step (protective layer forming step) on such a large substrate 10, the large substrate 10 is changed to 1 in the next sixth step. By dividing (primary division) along the next front surface slit 10a and the first back surface slit 10b, a large number of strip-shaped substrates 12 as shown in FIG. 5C are obtained. Next, after forming an end face electrode by sputtering on the dividing surface of the strip-shaped substrate 12 as a seventh step, in the next eighth step, the strip-shaped substrate 12 using the dicing blade 14 having the shape shown in FIG. Is cut (secondary division) in a direction perpendicular to the primary surface slit 10a. Since the dicing blade 14 has an inclined surface 14a having a predetermined angle, as shown in FIG. 5E, an inclined surface corresponding to the shape of the dicing blade 14 is formed by secondary division of the strip-shaped substrate 12. The chip | tip simple substance 13 which has is obtained.
しかる後、第9工程として、個片化されたチップ単体13の端面に電解メッキを施すことにより、表面電極と裏面電極および端面電極を被覆するバリヤー層(Niメッキ層)を形成し、最後に、第10工程として、このバリヤー層を被覆するように半田メッキを電解メッキで形成することにより、図1〜図3に示すような外部電極を有するチップ抵抗器1を完成する。なお、図5(b)に示した1次表面スリット10aと1次裏スリット10cを省略することも可能であり、その場合は、第6工程において大判基板10をダイシングで切断して1次分割すれば良い。 Thereafter, as a ninth step, a barrier layer (Ni plating layer) that covers the front surface electrode, the back surface electrode, and the end surface electrode is formed by performing electrolytic plating on the end surface of the separated chip 13, and finally, As a tenth step, the chip resistor 1 having the external electrodes as shown in FIGS. 1 to 3 is completed by forming a solder plating by electrolytic plating so as to cover the barrier layer. In addition, it is possible to omit the primary surface slit 10a and the primary back slit 10c shown in FIG. 5B. In that case, the large substrate 10 is cut by dicing in the sixth step to perform primary division. Just do it.
本実施形態例に係るチップ抵抗器1は、図6に示すように、回路基板30に設けられたランド31上に裏面電極3を下向きにした状態で搭載され、端面電極6を覆う最外層の外部電極8を半田32で接合することによって回路基板30に面実装されるようになっている。また、チップ抵抗器1を光や熱あるいは湿度等の環境から保護するために、チップ抵抗器1の周囲全体が樹脂封止剤40によって封止されている。 As shown in FIG. 6, the chip resistor 1 according to the present embodiment is mounted on the land 31 provided on the circuit board 30 with the back surface electrode 3 facing downward, and is the outermost layer covering the end surface electrode 6. The external electrode 8 is surface-mounted on the circuit board 30 by bonding with the solder 32. Further, the entire periphery of the chip resistor 1 is sealed with a resin sealant 40 in order to protect the chip resistor 1 from an environment such as light, heat, or humidity.
この樹脂封止剤40の充填方法について説明すると、まず、チップ抵抗器1を回路基板30に搭載して外部電極8をランド31に半田接合した後、チップ抵抗器1の周囲にエポキシ樹脂等の樹脂ペーストをディスペンサ等で供給し、必要に応じて堰き止め部材を用いて樹脂ペーストの流出を堰き止める。このとき、一対の裏面電極3間の部分においてセラミック基板2の下面と回路基板30との間に狭い空間が存在するが、セラミック基板2の短手方向の両側面と裏面との間に傾斜面2aが形成されているため、樹脂ペーストは傾斜面2aに沿って当該空間内にスムーズに流れ込むことになり、空間内に残る空洞の発生量を極力少なくすることができる。しかる後、チップ抵抗器1が実装された回路基板30をリフロー炉に搬送し、樹脂ペーストを加熱・硬化させて樹脂封止剤40となせば、図6に示すようなチップ抵抗器1の実装構造が得られる。 The filling method of the resin sealing agent 40 will be described. First, after mounting the chip resistor 1 on the circuit board 30 and soldering the external electrode 8 to the land 31, an epoxy resin or the like around the chip resistor 1. Resin paste is supplied by a dispenser or the like, and if necessary, the outflow of the resin paste is stopped using a blocking member. At this time, a narrow space exists between the lower surface of the ceramic substrate 2 and the circuit board 30 in a portion between the pair of back surface electrodes 3, but an inclined surface is formed between both side surfaces of the ceramic substrate 2 in the short direction and the back surface. Since 2a is formed, the resin paste smoothly flows into the space along the inclined surface 2a, and the amount of cavities remaining in the space can be reduced as much as possible. After that, if the circuit board 30 on which the chip resistor 1 is mounted is conveyed to a reflow furnace and the resin paste is heated and cured to form the resin sealant 40, the chip resistor 1 is mounted as shown in FIG. A structure is obtained.
以上説明したように、本実施形態例に係るチップ抵抗器1は、セラミック基板2の短手方向の両側面と裏面との間に傾斜面2aが形成され、セラミック基板2の厚み寸法をT、傾斜面2aの高さ寸法をHとしたとき、これらの関係が1/3<H/T<2/3に設定されているため、チップ抵抗器1を回路基板30上に半田接合した状態で樹脂封止剤40を供給したとき、この樹脂封止剤40がセラミック基板2の下面と回路基板30間に存する狭い空間内に流れ込みやすくなり、樹脂封止剤40の回路基板30に対する密着強度を高めることができる。 As described above, in the chip resistor 1 according to the present embodiment example, the inclined surface 2a is formed between the lateral surface and the back surface of the ceramic substrate 2 in the short direction, and the thickness dimension of the ceramic substrate 2 is T, When the height dimension of the inclined surface 2a is H, these relationships are set to 1/3 <H / T <2/3. Therefore, the chip resistor 1 is soldered on the circuit board 30. When the resin sealant 40 is supplied, the resin sealant 40 easily flows into a narrow space existing between the lower surface of the ceramic substrate 2 and the circuit board 30, and the adhesion strength of the resin sealant 40 to the circuit board 30 is increased. Can be increased.
なお、上記の実施形態例では、回路基板30上に半田接合されたチップ抵抗器1を樹脂封止剤40で封止するものについて説明したが、ネットワーク抵抗器のような内装タイプのものにも本発明は適用可能である。 In the above embodiment, the chip resistor 1 soldered onto the circuit board 30 is sealed with the resin sealant 40. However, the chip resistor 1 may be an internal type such as a network resistor. The present invention is applicable.
1 チップ抵抗器
2 セラミック基板(絶縁性基台)
2a 傾斜面
3 裏面電極
4 表面電極
5 抵抗体
6 端面電極
7 保護層
8 外部電極
10 大判基板
10a 1次表面スリット
10b 2次表面スリット
10c 1次裏スリット
10d 2次裏V溝
11,14 ダイシングブレード
12 短冊状基板
13 チップ単体
30 回路基板
31 ランド
40 樹脂封止剤
1 Chip resistor 2 Ceramic substrate (insulating base)
2a Inclined surface 3 Back electrode 4 Surface electrode 5 Resistor 6 End surface electrode 7 Protective layer 8 External electrode 10 Large format substrate 10a Primary surface slit 10b Secondary surface slit 10c Primary back slit 10d Secondary back V-groove 11, 14 Dicing blade 12 Strip board 13 Chip unit 30 Circuit board 31 Land 40 Resin sealant
Claims (2)
前記絶縁性基台の短手方向の両側面と裏面との間に面取り形状の傾斜面が形成されており、前記絶縁性基台の厚み寸法をT、前記傾斜面の高さ寸法をHとしたとき、これらの関係が1/3<H/T<2/3に設定されていると共に、前記絶縁性基台の短手方向の側面と前記傾斜面とのなす角度をθとしたとき、このθが30°〜60°の範囲に設定されていることを特徴とするチップ抵抗器。 A rectangular parallelepiped insulating base, a pair of surface electrodes provided at both longitudinal ends of the surface of the insulating base, and provided on the surface of the insulating base so as to be connected to the pair of surface electrodes A pair of back electrodes provided at both ends in the longitudinal direction of the back surface of the insulating base, and the surface electrode and the back electrode provided at both end surfaces of the insulating base. A pair of end electrodes in contact with each other;
A chamfered inclined surface is formed between both lateral surfaces and the back surface of the insulating base in the lateral direction, and the thickness dimension of the insulating base is T and the height dimension of the inclined surface is H. When these relationships are set to 1/3 <H / T <2/3, and the angle formed between the side surface in the short direction of the insulating base and the inclined surface is θ, The chip resistor, wherein θ is set in a range of 30 ° to 60 °.
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