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JP2015010270A - 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法 - Google Patents

成膜マスク及び成膜マスクの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】高精細な薄膜パターンを位置精度よく形成する。【解決手段】貫通する複数の開口パターン4を形成すると共に、一面に複数の開口パターン4を内包する大きさの開口を有する枠状の金属薄膜5を設けた樹脂製のフィルム1と、フィルム1の一面1a側にて金属薄膜5の開口に対応した位置にフィルム1と分離独立して設けられ、複数の開口パターン4のうち少なくとも一つの開口パターン4を内包する大きさの複数の貫通孔6を設けたメタルマスク2と、フィルム1の一面1a側に位置し、メタルマスク2の複数の貫通孔6を内包する大きさの開口部7を設けて枠状に形成され、フィルム1及びメタルマスク2を張架した状態で、金属薄膜5の部分及びメタルマスク2の縁部領域を一端面3aにスポット溶接してフィルム1及びメタルマスク2を支持する金属フレーム3と、を備えて構成したものである。【選択図】図1

Description

本発明は、基板上に成膜される複数の薄膜パターンに対応して複数の開口パターンを設けた成膜マスクに関し、特に高精細な薄膜パターンを位置精度よく形成し得る成膜マスク及び成膜マスクの製造方法に係るものである。
従来のこの種の成膜マスクは、基板上に成膜される複数の薄膜パターンに対応して貫通する複数の開口パターンを設けたメタルマスクであって、複数の貫通開口を有する第1レジストパターンを金属板上に形成し、上記第1レジストパターンの貫通開口を介してエッチング処理を行なって上記金属板に貫通する複数の貫通孔を形成した後、上記第1レジストパターンを除去し、上記複数の開口パターンの各々の周りの所定幅の金属縁部を各々が露出せしめる複数の第2貫通開口を有する第2レジストパターンを上記金属板上に形成し、上記第2レジストパターンの第2貫通開口を介してエッチング処理を行なって上記複数の貫通開口の各々の周りのマスク本体部と該マスク本体部の周囲に位置するマスク本体部の厚さより大なる厚さを有する周縁部とを形成した後、上記第2レジストパターンを除去して製造されるものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。
特開2001−237072号公報
しかし、このような従来の成膜マスクは、金属板をエッチング処理して該金属板に貫通する複数の開口パターンを形成しているので、高精細な開口パターンを精度よく形成することができなかった。特に、一辺の長さが数十cm以上の大面積の例えば有機EL表示パネル用の成膜マスクの場合、エッチングむらの発生及び等方エッチングによる開口面積の広がり等により、高精細な開口パターンをマスク全面に亘って均一に形成することができなかった。
そこで、出願人は、基板に成膜される複数の薄膜パターンに対応して該薄膜パターンと形状寸法の同じ複数の開口パターンを形成した樹脂製のフィルムと、複数の開口パターンのうち少なくとも一つの開口パターンを内包する大きさの貫通孔を形成した薄板状の磁性金属部材とを密接させた構造の複合マスクを提案している。
上記複合マスクは、厚みが10μm〜30μm程度の薄い樹脂製フィルムに開口パターンをレーザ加工して形成するものであり、高精細な開口パターンを精度よく形成することができると共に、上述のような大面積の成膜マスクもマスク全面に亘って均一に開口パターンを形成することができるという特長を有している。
しかしながら、上記複合マスクにおいては、例えばインバー又はインバー合金のような熱膨張係数の小さい磁性金属部材と樹脂製フィルムのような比較的熱膨張係数の大きい部材とを室温以上で密接させているため、フィルムには両部材間の熱膨張の差に起因して内部応力が発生する。したがって、このようなフィルムに複数の開口パターンを順繰りにレーザ加工して行くと、部分的に上記内部応力が解放され、その結果、開口パターンの位置が累積的にずれることがあった。したがって、高精細な薄膜パターンを位置精度よく形成することができないおそれがあった。
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、高精細な薄膜パターンを位置精度よく形成し得る成膜マスク及び成膜マスクの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、第1の発明による成膜マスクは、基板上に成膜される複数の薄膜パターンに対応して複数の開口パターンを設けた成膜マスクであって、貫通する前記複数の開口パターンを形成すると共に、一面に前記複数の開口パターンを内包する大きさの開口を有する枠状の金属薄膜を設けた樹脂製のフィルムと、前記フィルムの一面側にて前記金属薄膜の前記開口に対応した位置に前記フィルムと分離独立して設けられ、前記複数の開口パターンのうち少なくとも一つの開口パターンを内包する大きさの複数の貫通孔を設けたメタルマスクと、前記フィルムの一面側に位置し、前記メタルマスクの前記複数の貫通孔を内包する大きさの開口部を設けて枠状に形成され、前記フィルム及び前記メタルマスクを張架した状態で、前記金属薄膜の部分及び前記メタルマスクの縁部領域を一端面にスポット溶接して前記フィルム及び前記メタルマスクを支持する金属フレームと、を備えて構成したものである。
また、第2の発明による成膜マスクの製造方法は、基板上に成膜される複数の薄膜パターンに対応して複数の開口パターンを設けた成膜マスクの製造方法であって、樹脂製フィルムの一面に前記複数の開口パターンを内包する大きさの開口を有する枠状の金属薄膜を成膜する第1ステップと、前記金属薄膜の開口内に収まる大きさの外形寸法を有するメタルシートに、前記複数の開口パターンのうち少なくとも一つの開口パターンを内包する大きさの複数の貫通孔を設けてメタルマスクを形成する第2ステップと、前記複数の貫通孔を内包する大きさの開口部を有する枠状の金属フレームに前記メタルマスクを張架した状態で、該メタルマスクの周縁領域を前記金属フレームの一端面にスポット溶接する第3ステップと、前記フィルムの一面側を前記メタルマスク側として該メタルマスクを覆い、前記金属フレームに張架した状態で、前記フィルムの前記金属薄膜の部分を前記金属フレームの一端面にスポット溶接する第4ステップと、前記メタルマスクの貫通孔内の前記フィルムの部分にレーザ光を照射して前記開口パターンを形成する第5ステップと、を含むものである。
本発明によれば、フィルムとメタルマスクとは、前述の複合マスクと違って密着固定されたものではなく、互いに分離独立したものであるため、フィルムにはメタルマスクとの熱膨張差に基づく内部応力は存在しない。したがって、複数の開口パターンをレーザ加工した場合にも、開口パターンの位置ずれが抑えられて開口パターンを位置精度よく形成することができる。それ故、高精細な薄膜パターンを位置精度よく形成することができる。
本発明による成膜マスクの第1の実施形態を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のS−S線断面矢視図である。 上記第1の実施形態による成膜マスクの製造方法を説明する図であり、金属フレームへのメタルマスク接合工程を示す断面図である。 上記第1の実施形態による成膜マスクの製造方法を説明する図であり、金属フレームへのフィルム接合工程を示す断面図である。 上記第1の実施形態による成膜マスクの製造方法を説明する図であり、開口パターン形成工程を示す断面図である。 本発明による成膜マスクの第2の実施形態を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のT−T線断面矢視図である。 上記第2の実施形態による成膜マスクの製造方法を説明する図であり、金属フレームへのメタルマスク接合工程の前半部を示す平面図である。 上記第2の実施形態による成膜マスクの製造方法を説明する図であり、金属フレームへのメタルマスク接合工程の後半部を示す平面図である。 上記第2の実施形態による成膜マスクの製造方法を説明する図であり、金属フレームへのフィルム接合工程の前半部を示す平面図である。 上記第2の実施形態による成膜マスクの製造方法を説明する図であり、金属フレームへのフィルム接合工程の後半部を示す平面図である。 上記第2の実施形態による成膜マスクの製造方法を示す図であり、開口パターン形成工程を示す一部拡大平面図である。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による成膜マスクの第1の実施形態を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のS−S線断面矢視図である。この成膜マスクは、基板上に成膜される複数の薄膜パターンに対応して複数の開口パターンを設けたもので、樹脂製のフィルム1と、メタルマスク2と、金属フレーム3と、を備えて構成されている。
上記フィルム1は、基板上に成膜される複数の薄膜パターンに対応して該薄膜パターンと形状寸法の同じ貫通する複数の開口パターン4を形成したものであり、例えば厚みが10μm〜30μm程度のポリイミド又はポリエチレンテレフタレート(PET)等の可視光を透過する樹脂製フィルムである。
さらに、上記フィルム1の一面1aには、上記複数の開口パターン4を内包する大きさの開口を有し、一定幅の枠状を成した、例えばインバー又はインバー合金等からなる金属薄膜(以下「枠状金属薄膜」という)5がめっき等により30μm〜50μm程度の厚みに成膜して設けられている。
上記フィルム1の一面1a側にて上記枠状金属薄膜5の枠内(開口内)に対応した位置には、上記フィルム1と分離独立してメタルマスク2が設けられている。このメタルマスク2は、上記複数の開口パターン4をレーザ加工により形成する際に、上記フィルム1を下支えすると共に、成膜時には基板の裏面に設置された磁石により吸引されて上記フィルム1を基板面に密着させるためのもので、上記枠状金属薄膜5の枠内に収まる大きさの外形寸法を有し、厚みが上記枠状金属薄膜5と略同じ30μm〜50μm程度の、例えばインバー又はインバー合金等の磁性金属材料のメタルシートで形成されている。そして、上記メタルマスク2には、上記複数の開口パターン4のうち少なくとも一つの開口パターン4を内包する大きさの複数の貫通孔6が設けられている。
なお、上記メタルマスク2は、細長いスリット状の複数の貫通孔を並設したものであってもよく、又は図1に示すように、例えば一つの開口パターン4を内包する大きさの複数の貫通孔6を1列に並べた複数の貫通孔の列を予め定められた一定の配列ピッチPで並設したものであってもよい。
上記フィルム1の一面1a側に位置させて、上記メタルマスク2の複数の貫通孔6を内包する大きさの開口部7を有し、外形が上記フィルム1の枠状金属薄膜5の外形に略等しい大きさの枠状の金属フレーム3が設けられている。この金属フレーム3は、上記フィルム1及びメタルマスク2を張架した状態で、上記フィルム1の枠状金属薄膜5の部分及びメタルマスク2の縁部領域を一端面3a(図2及び図3参照)にスポット溶接してフィルム1及びメタルマスク2を支持するもので、厚みが30mm〜50mm程度の例えばインバー又はインバー合金等の磁性金属材料で形成されている。
次に、このように構成された成膜マスクの製造方法について説明する。
先ず、一面1aに複数の開口パターン4を内包する大きさの開口を有する枠状金属薄膜5を成膜したフィルム1を準備する。より詳細には、このフィルム1は、厚みが10μm〜30μmであり、方形状に切り出された例えばポリイミド等の可視光を透過する樹脂製のフィルムであり、その一面1aに、周縁部に沿って一定幅の枠状金属薄膜5が形成されたものである。このとき、上記枠状金属薄膜5の開口は、後にフィルム1に形成される複数の開口パターン4を内包し得ると共に、メタルマスク2を収容し得る大きさに設定されている。
ここで、上記枠状金属薄膜5の形成について詳細に説明する。
先ず、樹脂製フィルム1の一面1aに良電導性の金属膜からなるシード層を蒸着、スパッタリング又は無電解めっき等の公知の成膜技術により50nm程度の厚みで形成する。この場合、フィルム1がポリイミドであるときには、シード層としてニッケル等を使用するのがよい。銅はポリイミド内に拡散するため、ポリイミドに対するシード層としては好ましくない。一方、フィルム1がPETの場合には、密着性の点からシード層として銅等を使用するのが好ましい。
次いで、上記シード層上にフォトレジストを例えば30μmの厚みに塗布した後、フォトマスクを使用して露光現像し、上記枠状金属薄膜5の枠内(開口内)に対応した部分及び枠外に対応した部分に島パターンを形成する。
続いて、上記島パターンの外側のシード層上に公知のめっき技術により例えばインバー又はインバー合金等の磁性金属材料からなる金属薄膜を例えば30μmの厚みに成膜する。その後、上記島パターンを除去すると共に、該島パターンの下部に位置するシード層をエッチングして除去する。これにより、フィルム1の一面1aに枠状金属薄膜5が形成される。
また、複数の貫通孔6を設けたメタルマスク2が準備される。このメタルマスク2は、上記枠状金属薄膜5の枠内に収まる大きさの外形寸法を有し、例えば厚みが30μmの、例えばインバー又はインバー合金等の磁性金属材料から成るメタルシートに、上記フィルム1に形成される複数の開口パターン4のうち少なくとも一つの開口パターン4を内包する大きさの複数の貫通孔6を設けたものである。
上記複数の貫通孔6の形成は、次のようにして行われる。即ち、メタルシートの一面にフォトレジストを一定厚みに塗布し、フォトマスクを使用して露光現像し、上記複数の貫通孔6に対応した位置にそれぞれ開口を有するレジストマスクを形成する。次いで、このレジストマスクを使用してメタルシートをエッチングし、上記開口に対応したメタルシートの部分に貫通孔6を形成する。これにより、上記メタルマスク2が形成される。
さらに、枠状の金属フレーム3が準備される。この金属フレーム3は、外形寸法が上記フィルム1の枠状金属薄膜5の外形寸法に略一致し、枠内の開口部7が複数の貫通孔6を内包する大きさに設定されたものであり、厚みが30mm〜50mmの例えばインバー又はインバー合金の磁性金属板を例えば切削加工して上記開口部7を形成したものである。
以下、本発明による成膜マスクの第1の実施形態の製造方法を図2〜図4を参照して説明する。
先ず、図2(a)に示すように、メタルマスク2の周縁部をテンショングリップ8で掴んでメタルマスク2の面に平行な側方に引張って一定のテンションを架けた状態で、金属フレーム3の一端面3aにメタルマスク2を張架する。そして、この状態で、同図(b)に示すようにメタルマスク2の周縁領域に、例えばYAGレーザを使用してレーザ光Lを照射し、メタルマスク2を金属フレーム3の一端面3aにスポット溶接する。このスポット溶接は、複数個所で行うとよい。その後、同図(c)に示すように、メタルマスク2がフィルム1に形成される枠状金属薄膜5の枠内に収まるように、メタルマスク2の周縁部をカッターにより切除する。
次に、図3(a)に示すように、フィルム1が枠状金属薄膜5を設けた一面1a側をメタルマスク2側として、周縁部を複数のテンショングリップ8により掴んでフィルム1の面に平行な側方に引張り、フィルム1に該フィルム1が伸びない程度の一定のテンションがかけられる。そして、その状態で、フィルム1は、メタルマスク2を覆って金属フレーム3の上方に位置づけられる。次に、同図(b)に示すように、金属フレーム3に支持されたメタルマスク2がフィルム1の枠状金属薄膜5の枠内に位置するように調整された後、フィルム1の枠状金属薄膜5が金属フレーム3の一端面3aに密着される。続いて、同図(c)に示すように、上記枠状金属薄膜5の部分にレーザ光が照射され、枠状金属薄膜5が金属フレーム3の一端面3aにスポット溶接される。このスポット溶接は、メタルマスク2のスポット溶接と同様に、複数個所で行うのがよい。なお、上記スポット溶接が終わるまでは、フィルム1には一定のテンションがかけられたままである。その後、同図(d)に示すように、フィルム1は、金属フレーム3の外周縁に沿ってカットされる。これにより、フィルム1が金属フレーム3に固定して支持される。この場合、フィルム1とメタルマスク2とは互いに分離独立している。
次いで、上記金属フレーム3がレーザ加工装置のXYステージ上にフィルム1を上側として載置される。そして、図4に示すように、メタルマスク2の貫通孔6に対応したフィルム1の部分に、例えば400nm以下のレーザ光Lが照射面積を開口パターン4の面積に等しくなるように整形して照射され、フィルム1がアブレーションして除去される。これにより、一つの貫通孔6に対応して例えば一つの開口パターン4がフィルム1を貫通して形成される。以後、XYステージを予め定められた所定ピッチでXY方向にステップ移動しながらメタルマスク2の貫通孔6に対応したフィルム1の部分にレーザ光Lが照射され、開口パターン4が形成される。こうして、図1に示す成膜マスクが完成する。
本発明の成膜マスクによれば、フィルム1とメタルマスク2とは、前述の複合マスクと違って密着固定されたものではなく、互いに分離独立したものであるため、フィルム1にはメタルマスク2との熱膨張差に基づく内部応力は存在しない。したがって、複数の開口パターン4をレーザ加工した場合にも、開口パターン4の位置ずれが抑えられて開口パターン4を位置精度よく形成することができる。
また、フィルム1に開口パターン4を形成する際に、フィルム1はメタルマスク2によって下支えされているため撓まない。したがって、このメタルマスク2の下支え効果によっても開口パターン4を位置精度よく形成することができる。
なお、フィルム1には、フィルム1が伸びない程度の一定のテンションがかけられているため、このテンションに起因した僅かな内部応力は存在し得る。したがって、開口パターン4を形成した際に開口パターン4の若干の位置づれが生ずるおそれはある。しかしながら、上記テンションは、フィルム1の面内に平行な側方に均等にかけられているため、フィルム1の内部応力は、フィルム1の面内に一様に分布しており、上記開口パターン4の位置ずれの方向及び位置ずれ量は、予め実験等により確認して容易に予測することができる。したがって、上記位置ずれを見込んでレーザ光Lの照射位置を調整しながら開口パターン4をレーザ加工すれば、最終的に、形成された全ての開口パターン4が正しい位置に位置づけられることになる。
図5は本発明による成膜マスクの第2の実施形態を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)のT−T線断面矢視図である。ここでは、第1の実施形態と異なる部分について説明する。
この第2の実施形態は、一辺の長さが1m以上の大面積の基板に対応し得るものであり、一辺の長さが1m以上の枠状金属薄膜付きフィルム1と、同じく一辺の長さが1m以上の外形寸法を有する金属フレーム3とを備えている。一方、メタルマスク2は、基材となるメタルシートの幅が製造設備の問題から制限され(現状、最大500mm程度)、幅の選択自由度がフィルム1や金属フレーム3に比べて小さい。したがって、第2の実施形態においては、メタルマスク2は、幅が最大500mm程度の短冊状の複数の単位マスク9を、その長軸に平行に並設して構成したものである。
より詳細には、上記単位マスク9は、その長軸に沿って複数の貫通孔を1列に並べて設けた複数の貫通孔の列、又は上記長軸に沿って伸びたスリット状の複数の貫通孔を上記長軸に交差する方向に、図5(b)に示すように一定の配列ピッチPで形成したものである。そして、複数の上記単位マスク9は、隣接する単位マスク9間に、少なくとも一つの貫通孔の列又はスリット状の貫通孔が上記配列ピッチを維持して存在し得る隙間10を空けて並設され、金属フレーム3の一端面3aにスポット溶接されている。なお、図5においては、複数の貫通孔6を1列に並べたものを示し、上記隙間10には貫通孔6の列が一つ存在し得る場合を示している。
このような成膜マスクは、次のようにして製造される。
先ず、フィルム1は、ロール状に巻き上げられた幅が1m以上で、厚みが10μm〜30μmのフィルムシートから切り出されて1辺の長さが1m以上の方形状に形成される。その後、第1の実施形態と同様にして、フィルム1の一面1aに枠状金属薄膜5が形成される。
一方、上記単位マスク9は、ロール状に巻き上げられた、例えば500mm以下の幅を有し、厚みが30μm〜50μmの帯状のメタルシートから切り出され、予め定められた所定長さの短冊状に形成されたメタルシートに第1の実施形態と同様にして複数の貫通孔6を設けて形成される。
次に、金属フレーム3に対する上記単位マスク9の取り付け工程が実施される。
先ず、図6(a)に示すように、金属フレーム3がXYステージ上の予め定められた所定位置に設置される。例えば、XYステージ上に設けられた位置決めピンにより金属フレーム3の少なくとも直交する2辺が規制されて位置決めされる。
次いで、図6(b)に示すように、単位マスク9Aは、テンショングリップ8により長軸方向の縁部が掴まれて同方向に引張られて一定の張力が付与された状態で、金属フレーム3の一端面3aに張架される。さらに、その状態で、金属フレーム3に予め形成された図示省略のアライメントマークと単位マスク9Aに予め形成された図示省略のアライメントマークとがアライメントカメラにより撮像され、両マークが一定の位置関係を成すように例えば単位マスク9Aの位置が調整され、金属フレーム3に対して単位マスク9Aがアライメントされる。その後、単位マスク9Aの長軸方向(Y方向)の縁部領域にレーザ光Lが照射され、単位マスク9Aが金属フレーム3の一端面3aにスポット溶接して固定される。
続いて、図7(a)に示すように、2枚目の単位マスク9Bが上記1枚目の単位マスク9Aと同様にして金属フレーム3の一端面3aに位置決めして取り付けられる。この場合、同図(a)に示しているように、1枚目の単位マスク9Aと2枚目の単位マスク9Bとの間の繋ぎ目には、隣接する貫通孔6の列に対して配列ピッチPを維持して少なくとも1列の貫通孔6が存在し得る隙間10が生ずるように2枚目の単位マスク9Bが取り付けられる。なお、同図(a)においては、1列の貫通孔(仮想の貫通孔6′)が存在し得る隙間10を設けた場合を示す。
このようにして金属フレーム3の一端面3aに複数の単位マスク9A,9Bがスポット溶接して固定されると、単位マスク9A,9Bは、図7(b)に示すように長軸方向(Y方向)の長さがフィルム1に設けられた枠状金属薄膜5の枠内に収まる寸法となるように同方向の両端部がカッターにより切除される。
次に、金属フレーム3に対するフィルム1の取り付け工程が実施される。
先ず、図8(a)に示すように、XYステージ上に位置決め固定された金属フレーム3上にメタルマスク2を覆うようにしてフィルム1が載置される。さらに、同図(b)に示すように、フィルム1の周縁部をテンショングリップ8により掴んでフィルム1の面に平行な側方に引張り、フィルム1に一定のテンションが加えられる。そして、その状態で、例えば上方からフィルム1を透かしてメタルマスク2を観察しながら、メタルマスク2がフィルム1の枠状金属薄膜5の枠内に収まるようにフィルム1の位置調整がなされる。その後、枠状金属薄膜5の部分にレーザ光が照射されて枠状金属薄膜5が金属フレーム3の一端面3aにスポット溶接される。これにより、フィルム1が金属フレーム3に固定される。
次いで、図9に示すように、金属フレーム3の外周縁に沿ってフィルム1が切断され、成膜マスクの外形が整えられる。
その後、第1の実施形態と同様にして、XYステージをXY方向にステップ移動しながら、メタルマスク2の複数の貫通孔6に対応したフィルム1の部分にレーザ光Lが照射され、複数の開口パターン4が形成される。この場合、図10に拡大して示すように、隣接する単位マスク9A,9B間の隙間10の部分にも仮想の貫通孔6′に対応して開口パターン4が形成されるため、フィルム1には、例えばY方向に一列に並んだ開口パターン4の列がX方向に配列ピッチPで並んで形成される。
このように、本発明による成膜マスクの第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を有すると共に、1辺の長さが1m以上の大面積の成膜マスクも容易に製造することができる。
なお、本発明による成膜マスクは、例えば有機EL表示パネルの有機EL層等の蒸着用マスクに限られず、例えば静電容量式タッチパネルの透明電極等のスパッタリング成膜用マスクとしても適用することができる。
1…フィルム
2…メタルマスク
3…金属フレーム
4…開口パターン
5…枠状金属薄膜
6…貫通孔
7…開口部
9,9A,9B…単位マスク

Claims (8)

  1. 基板上に成膜される複数の薄膜パターンに対応して複数の開口パターンを設けた成膜マスクであって、
    貫通する前記複数の開口パターンを形成すると共に、一面に前記複数の開口パターンを内包する大きさの開口を有する枠状の金属薄膜を設けた樹脂製のフィルムと、
    前記フィルムの一面側にて前記金属薄膜の前記開口に対応した位置に前記フィルムと分離独立して設けられ、前記複数の開口パターンのうち少なくとも一つの開口パターンを内包する大きさの複数の貫通孔を設けたメタルマスクと、
    前記フィルムの一面側に位置し、前記メタルマスクの前記複数の貫通孔を内包する大きさの開口部を設けて枠状に形成され、前記フィルム及び前記メタルマスクを張架した状態で、前記金属薄膜の部分及び前記メタルマスクの縁部領域を一端面にスポット溶接して前記フィルム及び前記メタルマスクを支持する金属フレームと、
    を備えて構成したことを特徴とする成膜マスク。
  2. 前記メタルマスクは、短冊状の複数の単位マスクを、その長軸に平行に並設したものであることを特徴とする請求項1記載の成膜マスク。
  3. 前記単位マスクは、その長軸に沿って複数の貫通孔を1列に並べて設けた複数の貫通孔の列、又は前記長軸に沿って伸びたスリット状の複数の貫通孔を前記長軸に交差する方向に一定の配列ピッチで形成したものであり、
    前記複数の単位マスクは、隣接する前記単位マスク間に、少なくとも一つの前記貫通孔の列又は前記スリット状の貫通孔が前記配列ピッチを維持して存在し得る隙間を空けて並設されていることを特徴とする請求項2記載の成膜マスク。
  4. 隣接する前記単位マスク間の前記隙間に対応した前記フィルムの部分にも複数の前記開口パターンが形成されていることを特徴とする請求項3記載の成膜マスク。
  5. 基板上に成膜される複数の薄膜パターンに対応して複数の開口パターンを設けた成膜マスクの製造方法であって、
    樹脂製フィルムの一面に前記複数の開口パターンを内包する大きさの開口を有する枠状の金属薄膜を成膜する第1ステップと、
    前記金属薄膜の開口内に収まる大きさの外形寸法を有するメタルシートに、前記複数の開口パターンのうち少なくとも一つの開口パターンを内包する大きさの複数の貫通孔を設けてメタルマスクを形成する第2ステップと、
    前記複数の貫通孔を内包する大きさの開口部を有する枠状の金属フレームに前記メタルマスクを張架した状態で、該メタルマスクの周縁領域を前記金属フレームの一端面にスポット溶接する第3ステップと、
    前記フィルムの一面側を前記メタルマスク側として該メタルマスクを覆い、前記金属フレームに張架した状態で、前記フィルムの前記金属薄膜の部分を前記金属フレームの一端面にスポット溶接する第4ステップと、
    前記メタルマスクの貫通孔内の前記フィルムの部分にレーザ光を照射して前記開口パターンを形成する第5ステップと、
    を含むことを特徴とする成膜マスクの製造方法。
  6. 前記メタルマスクは、短冊状の複数の単位マスクを、その長軸に平行に並設したものであり、
    前記第3ステップにおいて、前記複数の単位マスクを夫々前記金属フレームに張架し、その長軸方向の両端縁部領域を前記金属フレームの一端面にスポット溶接する、
    ことを特徴とする請求項5記載の成膜マスクの製造方法。
  7. 前記単位マスクは、その長軸に沿って前記複数の貫通孔を1列に並べて設けた複数の貫通孔の列、又は前記長軸に沿って伸びたスリット状の複数の貫通孔を前記長軸に交差する方向に一定の配列ピッチで形成したものであり、
    前記第3ステップにおいて、隣接する前記単位マスク間に、少なくとも一つの前記貫通孔の列又は前記スリット状の貫通孔が前記配列ピッチを維持して存在し得る隙間を空け、前記複数の単位マスクを前記金属フレームの一端面にスポット溶接することを特徴とする請求項6記載の成膜マスクの製造方法。
  8. 隣接する前記単位マスク間の前記隙間に対応した前記フィルムの部分にも、前記第5ステップにおいてレーザ光が照射され、前記開口パターンが形成されることを特徴とする請求項7記載の成膜マスクの製造方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017014582A (ja) * 2015-07-02 2017-01-19 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及びその製造装置
WO2017163443A1 (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機半導体素子の製造方法
JP2017179591A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
WO2017170172A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
JP2017186617A (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
WO2018146941A1 (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク固定装置
WO2018146904A1 (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および蒸着マスクの製造装置
US10439138B2 (en) 2017-08-31 2019-10-08 Sakai Display Products Corporation Method for producing deposition mask
US10533245B2 (en) 2016-01-12 2020-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly, method of manufacturing thereof, and apparatus including the same
WO2020158302A1 (ja) * 2019-02-01 2020-08-06 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103882375B (zh) * 2014-03-12 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制作方法
KR102352280B1 (ko) * 2015-04-28 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 제조 장치 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체 제조 방법
KR102441557B1 (ko) * 2015-04-28 2022-09-08 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
CN112176284B (zh) * 2015-07-03 2023-09-01 大日本印刷株式会社 制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机el显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模
JP6563758B2 (ja) * 2015-09-25 2019-08-21 新東エスプレシジョン株式会社 メタルマスク製造方法
CN108884555B (zh) * 2015-12-25 2021-02-09 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
JP6430668B2 (ja) * 2016-02-10 2018-11-28 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
US11433484B2 (en) * 2016-03-10 2022-09-06 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Deposition mask, mask member for deposition mask, method of manufacturing deposition mask, and method of manufacturing organic EL display apparatus
US10886128B2 (en) * 2016-03-28 2021-01-05 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing vapor deposition mask
CN105951040A (zh) * 2016-05-03 2016-09-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 掩膜块、掩膜版及掩膜版的制造方法
JP7017032B2 (ja) * 2016-06-28 2022-02-08 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、および有機elディスプレイの製造方法
KR102010217B1 (ko) * 2016-08-05 2019-08-12 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
KR20180023139A (ko) * 2016-08-24 2018-03-07 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 어셈블리
CN107797376A (zh) * 2016-09-07 2018-03-13 上海和辉光电有限公司 一种掩膜版及其制作方法
CN106299152B (zh) * 2016-09-18 2019-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 顶发射amoled顶电极光罩、顶发射amoled顶电极及顶发射amoled
CN106271167B (zh) * 2016-09-26 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种金属掩膜板焊接贴合器件及其焊接方法
CN113463029A (zh) * 2016-09-30 2021-10-01 大日本印刷株式会社 框架一体式的蒸镀掩模及其制备体和制造方法、蒸镀图案形成方法
JP6521182B2 (ja) * 2016-10-06 2019-05-29 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及び有機elディスプレイの製造方法
CN113737128A (zh) * 2017-01-31 2021-12-03 堺显示器制品株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
TWI648867B (zh) * 2018-01-16 2019-01-21 美屬薩摩亞商茂邦電子有限公司 Light guide plate with high aspect ratio light guide hole array and manufacturing method thereof
JP6658790B2 (ja) * 2018-04-19 2020-03-04 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、有機elディスプレイの製造方法、及びパターンの形成方法
KR102342736B1 (ko) * 2018-07-10 2021-12-28 주식회사 오럼머티리얼 프레임 일체형 마스크의 제조 방법
KR102342735B1 (ko) * 2018-07-10 2021-12-28 주식회사 오럼머티리얼 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 및 마스크 지지에 사용되는 트레이
US20210265602A1 (en) * 2018-08-08 2021-08-26 Sakai Display Products Corporation Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask, and method for manufacturing organic semiconductor element
KR102704885B1 (ko) 2018-11-29 2024-09-11 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이의 제조 방법
CN111534789A (zh) * 2019-02-07 2020-08-14 悟勞茂材料公司 缩减掩模单元片材部的变形量的方法、框架一体型掩模及其制造方法
CN110838565B (zh) * 2019-11-26 2022-07-29 京东方科技集团股份有限公司 金属掩模版、显示面板和显示装置
JP7749925B2 (ja) * 2020-03-13 2025-10-07 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法
JP2021155763A (ja) * 2020-03-25 2021-10-07 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクの製造方法
CN112226731B (zh) * 2020-09-30 2023-05-26 昆山国显光电有限公司 掩膜板框架及蒸镀掩膜板组件
CN112376016B (zh) * 2020-11-24 2022-08-02 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 蒸镀掩膜板组件及其制作方法
CN113684444B (zh) * 2021-08-06 2023-08-04 昆山国显光电有限公司 支撑条及张网方法
KR102371486B1 (ko) * 2021-10-08 2022-03-07 풍원정밀(주) 파인메탈 마스크
CN118932282A (zh) * 2024-07-24 2024-11-12 京东方科技集团股份有限公司 掩膜条及其制备方法、掩膜基板、掩膜板的制备方法
CN119243083B (zh) * 2024-12-03 2025-02-25 深圳市湃泊科技有限公司 一种掩膜版装置及掩膜版的制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006188748A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Samsung Sdi Co Ltd シャドウマスクパターンの形成方法
JP2013083704A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 V Technology Co Ltd マスク及びそれに使用するマスク用部材
JP2013095992A (ja) * 2011-11-04 2013-05-20 V Technology Co Ltd 薄膜パターン形成方法及びマスク

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07300664A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Fujitsu Ltd メタルマスクの製造方法とその再生方法
JP2001237072A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
KR100490534B1 (ko) * 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
KR100534580B1 (ko) * 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
CN102482759B (zh) * 2009-04-03 2014-11-12 欧司朗光电半导体有限公司 用于将衬底保持在材料沉积设备中的装置
KR101135544B1 (ko) * 2009-09-22 2012-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 조립체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치
JP5899585B2 (ja) * 2011-11-04 2016-04-06 株式会社ブイ・テクノロジー マスクの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006188748A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Samsung Sdi Co Ltd シャドウマスクパターンの形成方法
JP2013083704A (ja) * 2011-10-06 2013-05-09 V Technology Co Ltd マスク及びそれに使用するマスク用部材
JP2013095992A (ja) * 2011-11-04 2013-05-20 V Technology Co Ltd 薄膜パターン形成方法及びマスク

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017014582A (ja) * 2015-07-02 2017-01-19 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及びその製造装置
US10533245B2 (en) 2016-01-12 2020-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly, method of manufacturing thereof, and apparatus including the same
WO2017163443A1 (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機半導体素子の製造方法
US11313027B2 (en) 2016-03-23 2022-04-26 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Vapor deposition mask, vapor deposition mask production method, and organic semiconductor element production method
US10934614B2 (en) 2016-03-23 2021-03-02 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Vapor deposition mask, vapor deposition mask production method, and organic semiconductor element production method
JP2018188740A (ja) * 2016-03-23 2018-11-29 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機半導体素子の製造方法
JPWO2017163443A1 (ja) * 2016-03-23 2019-01-10 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機半導体素子の製造方法
JP2017179591A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
WO2017170172A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
US10920311B2 (en) 2016-03-29 2021-02-16 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, method for manufacturing the same, and method for repairing the same
JP2017186617A (ja) * 2016-04-06 2017-10-12 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
WO2018146941A1 (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク固定装置
JP2018127704A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および蒸着マスクの製造装置
WO2018146904A1 (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および蒸着マスクの製造装置
JP2018127703A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク固定装置
US10439138B2 (en) 2017-08-31 2019-10-08 Sakai Display Products Corporation Method for producing deposition mask
US10658591B2 (en) 2017-08-31 2020-05-19 Sakai Display Products Corporation Method for producing deposition mask
WO2020158302A1 (ja) * 2019-02-01 2020-08-06 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
JP2020125506A (ja) * 2019-02-01 2020-08-20 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
CN113348263A (zh) * 2019-02-01 2021-09-03 株式会社日本显示器 蒸镀掩模
JP7149196B2 (ja) 2019-02-01 2022-10-06 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
CN113348263B (zh) * 2019-02-01 2024-05-14 株式会社日本显示器 蒸镀掩模

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Publication number Publication date
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KR20160029032A (ko) 2016-03-14
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CN105358732A (zh) 2016-02-24
US10053767B2 (en) 2018-08-21
CN105358732B (zh) 2017-12-19
TW201518522A (zh) 2015-05-16

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