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JP2015099873A - Piezoelectric device, piezoelectric device mounting substrate, hybrid IC, and electronic equipment - Google Patents

Piezoelectric device, piezoelectric device mounting substrate, hybrid IC, and electronic equipment Download PDF

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JP2015099873A
JP2015099873A JP2013239848A JP2013239848A JP2015099873A JP 2015099873 A JP2015099873 A JP 2015099873A JP 2013239848 A JP2013239848 A JP 2013239848A JP 2013239848 A JP2013239848 A JP 2013239848A JP 2015099873 A JP2015099873 A JP 2015099873A
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JP
Japan
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piezoelectric device
container
substrate
temperature sensor
protrusion
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JP2013239848A
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Japanese (ja)
Inventor
明大 坂梨
Akihiro Sakanashi
明大 坂梨
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Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

【課題】簡易な工程で形成でき、基板の面積を有効活用できる圧電デバイスと圧電デバイス搭載基板、及び、圧電デバイス搭載基板を用いたハイブリッドICと電子機器を提供する。【解決手段】本発明の圧電デバイス100は、容器120と、容器120の底面である容器底面122から隆起し、絶縁性の材質で形成された突出部130a〜dと、突出部130a〜dの底面である突出部底面の少なくとも一部に形成された実装端子とを有し、容器底面の下方であって、突出部底面を含む平面の容器底面の側に電子部品の少なくともの一部が配置可能な空間を有する。【選択図】図1A piezoelectric device and a piezoelectric device mounting substrate that can be formed by a simple process and can effectively utilize the area of the substrate, and a hybrid IC and an electronic device using the piezoelectric device mounting substrate are provided. A piezoelectric device (100) according to the present invention includes a container (120), projecting portions (130a-d) protruding from the container bottom (122) which is the bottom surface of the container (120) and formed of an insulating material, and the projecting portions (130a-d). and mounting terminals formed on at least part of the bottom surface of the projecting portion, which is the bottom surface, and at least part of the electronic component is arranged below the bottom surface of the container and on the side of the bottom surface of the container on a plane including the bottom surface of the projecting portion. have the space available. [Selection drawing] Fig. 1

Description

本発明は、圧電デバイス、圧電デバイス搭載基板、ハイブリッドIC及び電子機器に関する。特に、実装面積の小型化に対応できる圧電デバイス、圧電デバイス搭載基板、ハイブリッドIC及び電子機器に関する。   The present invention relates to a piezoelectric device, a piezoelectric device mounting substrate, a hybrid IC, and an electronic apparatus. In particular, the present invention relates to a piezoelectric device, a piezoelectric device mounting substrate, a hybrid IC, and an electronic apparatus that can cope with a reduction in mounting area.

携帯電話やパーソナルコンピュータなどの様々な電子機器には、主に周波数の選択や制御のために圧電デバイスが広く使われている。圧電デバイスは機能によって圧電振動子、圧電発振器、SAWデバイスや光学デバイス等に分類できる。そして、圧電素子に水晶を用いた水晶振動子や水晶発振器等が広く知られており、一般的に使われている。   Piezoelectric devices are widely used in various electronic devices such as mobile phones and personal computers mainly for frequency selection and control. Piezoelectric devices can be classified into piezoelectric vibrators, piezoelectric oscillators, SAW devices, optical devices, and the like according to their functions. Then, crystal resonators and crystal oscillators using crystal as a piezoelectric element are widely known and are generally used.

ここで、水晶振動子として、例えば、特許文献1では次のようなものが開示されている。まず、凹部を有するベースがある。凹部には水晶振動片が収容され、凹部を覆うようにリッドがベースに接合されて、水晶振動片が密閉される。ベースの裏面の4角部には金属材料からなる端子部材が接合される。端子部材は、ベース側の接続部と、接続部におけるベース側と反対側に位置する電極部とを備える。平面視(ベースの底面に垂直な方向から見た場合)では、接続部の面積は、電極部の面積より小さくなる。したがって、接続部と電極部とは段差を形成する。この段差は、ベースの短辺方向で対向する一対の端子部材の互いに対向する側に設けられる。そして、ベースの短辺方向で互いに対向する段差に電子部品が搭載される。   Here, as a crystal resonator, for example, Patent Document 1 discloses the following. First, there is a base having a recess. A crystal vibrating piece is accommodated in the recess, and a lid is joined to the base so as to cover the recess, and the crystal vibrating piece is sealed. A terminal member made of a metal material is joined to the four corners of the back surface of the base. A terminal member is provided with the connection part by the side of a base, and the electrode part located in the opposite side to the base side in a connection part. In plan view (when viewed from a direction perpendicular to the bottom surface of the base), the area of the connection portion is smaller than the area of the electrode portion. Therefore, a step is formed between the connection portion and the electrode portion. The step is provided on the side of the pair of terminal members facing each other in the short side direction of the base. And an electronic component is mounted in the level | step difference which mutually opposes in the short side direction of a base.

また、電子機器にはハイブリッドICが使われることがある。ハイブリッドICは、基板にIC、コンデンサ又は圧電デバイス等の電子部品を搭載したものである。ハイブリッドICは、小型の電子部品を一つのパッケージとして扱うことができ取扱いが容易になったり、小型化を可能にできたりするなどのメリットがある。このようなハイブリッドICの例が、特許文献2等に記載されている。   In addition, a hybrid IC may be used for an electronic device. A hybrid IC is one in which an electronic component such as an IC, a capacitor, or a piezoelectric device is mounted on a substrate. The hybrid IC has the merits that a small electronic component can be handled as one package and can be easily handled or can be downsized. An example of such a hybrid IC is described in Patent Document 2 and the like.

特開2013−58944号公報JP 2013-58944 A 特開2002−190663号公報JP 2002-190663 A

しかし、特許文献1の水晶振動子は、段差がある金属材料の端子部材の形成や、この段差への電子部品の搭載などの工程が必要になり、生産量を増やすことが困難だったり、生産に費用がかかったりするおそれがある。また、特許文献2等に記載のハイブリッドICでは、所定の面積の基板に搭載できる電子部品の数を増やすことが困難である。   However, the crystal resonator of Patent Document 1 requires a process such as formation of a metal material terminal member having a step and mounting of an electronic component on the step, which makes it difficult to increase the production amount, May be expensive. Further, in the hybrid IC described in Patent Document 2 and the like, it is difficult to increase the number of electronic components that can be mounted on a substrate having a predetermined area.

以上のような事情に鑑みて、本発明は、簡易な工程で形成でき、基板の面積を有効活用できる圧電デバイスと圧電デバイス搭載基板、及び、圧電デバイス搭載基板を用いたハイブリッドICと電子機器の提供を目的とする。   In view of the circumstances as described above, the present invention provides a piezoelectric device and a piezoelectric device mounting substrate that can be formed by a simple process and that can effectively use the area of the substrate, and a hybrid IC and an electronic apparatus using the piezoelectric device mounting substrate. For the purpose of provision.

本発明の第1観点の圧電デバイス搭載基板は、
基板と、
容器と、前記容器の底面である容器底面から隆起し、絶縁性の材質で形成された突出部と、前記突出部の底面である突出部底面の少なくとも一部に形成された実装端子と、を有し、前記実装端子を前記基板に接合させて前記基板に搭載された圧電デバイスと、
少なくとも一部が前記容器と前記基板との間に配置されて前記基板に搭載された電子部品と、を有することを特徴とする。
The piezoelectric device mounting substrate according to the first aspect of the present invention is:
A substrate,
A container, a protrusion protruding from the container bottom surface that is the bottom surface of the container and formed of an insulating material, and a mounting terminal formed on at least a part of the bottom surface of the protrusion that is the bottom surface of the protrusion. A piezoelectric device mounted on the substrate by bonding the mounting terminal to the substrate;
At least a part of the electronic component is disposed between the container and the substrate and mounted on the substrate.

本発明の第2観点の圧電デバイス搭載基板は、第1観点の圧電デバイス搭載基板において、前記容器底面が矩形の前記圧電デバイスが搭載される。   A piezoelectric device mounting substrate according to a second aspect of the present invention is the piezoelectric device mounting substrate according to the first aspect, in which the piezoelectric device having a rectangular bottom surface is mounted.

本発明の第3観点の圧電デバイス搭載基板は、第2観点の圧電デバイス搭載基板において、前記突出部は前記容器底面の4角部に形成された前記圧電デバイスが搭載される。   A piezoelectric device mounting substrate according to a third aspect of the present invention is the piezoelectric device mounting substrate according to the second aspect, in which the protruding device is mounted with the piezoelectric device formed at the four corners of the bottom surface of the container.

本発明の第4観点の圧電デバイス搭載基板は、第2観点の圧電デバイス搭載基板において、前記突出部は前記容器底面の2辺に形成された前記圧電デバイスが搭載される。   A piezoelectric device mounting substrate according to a fourth aspect of the present invention is the piezoelectric device mounting substrate according to the second aspect, in which the protruding device is mounted with the piezoelectric device formed on two sides of the bottom surface of the container.

本発明の第5観点の圧電デバイス搭載基板は、第2観点の圧電デバイス搭載基板において、前記突出部は前記容器底面の4辺に形成された前記圧電デバイスが搭載される。   A piezoelectric device mounting substrate according to a fifth aspect of the present invention is the piezoelectric device mounting substrate according to the second aspect, in which the piezoelectric device formed on the four sides of the bottom surface of the container is mounted.

本発明の第6観点の圧電デバイス搭載基板は、第1観点ないし第5観点のいずれか1つの圧電デバイス搭載基板において、前記実装端子は前記突出部底面における前記圧電デバイスの外側に形成された前記圧電デバイスが搭載される。   The piezoelectric device mounting substrate according to a sixth aspect of the present invention is the piezoelectric device mounting substrate according to any one of the first to fifth aspects, wherein the mounting terminal is formed outside the piezoelectric device on the bottom surface of the protrusion. A piezoelectric device is mounted.

本発明の第7観点の圧電デバイス搭載基板は、第1観点ないし第6観点のいずれか1つの圧電デバイス搭載基板において、前記電子部品は温度センサー部品である。   The piezoelectric device mounting substrate according to a seventh aspect of the present invention is the piezoelectric device mounting substrate according to any one of the first to sixth aspects, wherein the electronic component is a temperature sensor component.

本発明のハイブリッドICは、第1観点ないし第7観点のいずれか1つの圧電デバイス搭載基板を有する。   The hybrid IC of the present invention has the piezoelectric device mounting substrate according to any one of the first to seventh aspects.

本発明の電子機器は、第1観点ないし第7観点のいずれか1つの圧電デバイス搭載基板を有する。   The electronic apparatus of the present invention has the piezoelectric device mounting substrate according to any one of the first to seventh aspects.

本発明の第1観点の圧電デバイスは、容器と、前記容器の底面である容器底面から隆起し、絶縁性の材質で形成された突出部と、前記突出部の底面である突出部底面の少なくとも一部に形成された実装端子と、を有し、前記容器底面の下方であって、前記突出部底面を含む平面の前記容器底面の側に電子部品の少なくともの一部が配置可能な空間を有することを特徴とする。   The piezoelectric device according to the first aspect of the present invention includes at least a container, a protrusion raised from the container bottom surface that is the bottom surface of the container, formed of an insulating material, and a bottom surface of the protrusion that is the bottom surface of the protrusion. A space in which at least a part of the electronic component can be disposed on the side of the bottom surface of the container that is below the bottom surface of the container and includes the bottom surface of the protrusion. It is characterized by having.

本発明の第2観点の圧電デバイスは、第1観点の圧電デバイスにおいて、前記容器底面は、電子部品が搭載されておらず前記容器底面が露出する。   The piezoelectric device according to a second aspect of the present invention is the piezoelectric device according to the first aspect, wherein the container bottom surface is exposed with no electronic components mounted thereon.

本発明の第3観点の圧電デバイスは、第2観点の圧電デバイスにおいて、前記容器底面は矩形である。   The piezoelectric device according to a third aspect of the present invention is the piezoelectric device according to the second aspect, wherein the container bottom is rectangular.

本発明の第4観点の圧電デバイスは、第3観点の圧電デバイスにおいて、前記突出部は前記容器底面の4角部に形成される。   The piezoelectric device according to a fourth aspect of the present invention is the piezoelectric device according to the third aspect, wherein the protrusion is formed at four corners of the bottom surface of the container.

本発明の第5観点の圧電デバイスは、第3観点の圧電デバイスにおいて、前記突出部は前記容器底面の2辺に形成される。   The piezoelectric device according to a fifth aspect of the present invention is the piezoelectric device according to the third aspect, wherein the protrusion is formed on two sides of the bottom surface of the container.

本発明の第6観点の圧電デバイスは、第3観点の圧電デバイスにおいて、前記突出部は前記容器底面の4辺に形成される。   A piezoelectric device according to a sixth aspect of the present invention is the piezoelectric device according to the third aspect, wherein the protrusions are formed on the four sides of the bottom surface of the container.

本発明の第7観点の圧電デバイスは、第1観点ないし第6観点のいずれか1つの圧電デバイスにおいて、前記実装端子は前記突出部底面における前記圧電デバイスの外側に形成される。   The piezoelectric device according to a seventh aspect of the present invention is the piezoelectric device according to any one of the first to sixth aspects, wherein the mounting terminal is formed outside the piezoelectric device on the bottom surface of the protrusion.

本発明の圧電デバイス、圧電デバイス搭載基板、ハイブリッドIC及び電子機器によれば、生産性を悪化させることなく、圧電デバイスが搭載される基板の面積を有効活用できる。   According to the piezoelectric device, the piezoelectric device mounting substrate, the hybrid IC, and the electronic apparatus of the present invention, the area of the substrate on which the piezoelectric device is mounted can be effectively used without deteriorating the productivity.

圧電デバイス100の斜視図である。1 is a perspective view of a piezoelectric device 100. FIG. (a)は圧電デバイス100の断面図である。(b)は圧電デバイス100の底面図である。FIG. 2A is a cross-sectional view of the piezoelectric device 100. FIG. FIG. 4B is a bottom view of the piezoelectric device 100. FIG. 壁部シート124Sの平面図である。It is a top view of wall part sheet | seat 124S. 底面部シート122Sの平面図である。It is a top view of bottom part sheet 122S. 突出部シート130Sの平面図である。It is a top view of the protrusion part sheet | seat 130S. (a)は圧電デバイス搭載基板200の断面図である。(b)は圧電デバイス搭載基板200の平面図である。(A) is sectional drawing of the piezoelectric device mounting board | substrate 200. FIG. FIG. 6B is a plan view of the piezoelectric device mounting substrate 200. ハイブリッドIC300の側面図である。It is a side view of hybrid IC300. (a)は圧電デバイス400の斜視図である。(b)は圧電デバイス400の底面図である。FIG. 4A is a perspective view of the piezoelectric device 400. FIG. FIG. 4B is a bottom view of the piezoelectric device 400. FIG. (a)は圧電デバイス500の斜視図である。(b)は圧電デバイス500の底面図である。FIG. 4A is a perspective view of the piezoelectric device 500. FIG. FIG. 4B is a bottom view of the piezoelectric device 500. FIG. 圧電デバイス搭載基板700の断面図である。5 is a cross-sectional view of a piezoelectric device mounting substrate 700. FIG.

<圧電デバイス>
〔圧電デバイスの構成〕
本発明の実施形態である圧電デバイス100について、はじめに図1及び図2を用いて説明する。図1は圧電デバイス100の斜視図である。図2(a)は圧電デバイス100の、図1のA−A線についての断面図である。図2(b)は圧電デバイス100の底面図である。
<Piezoelectric device>
[Configuration of piezoelectric device]
First, a piezoelectric device 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a perspective view of the piezoelectric device 100. 2A is a cross-sectional view of the piezoelectric device 100 taken along line AA in FIG. FIG. 2B is a bottom view of the piezoelectric device 100.

圧電デバイス100は、図1に示される通り、直方体状の容器120と容器120の底面から隆起した突出部130a〜dを備える。以降の説明では、図1に示される通り、容器120の底面に垂直な方向をZ方向とする。また、Z方向に垂直な方向であり、容器120の長辺の伸びる方向をY方向とする。そして、Y方向及びZ方向に垂直な方向をX方向とする。なお、容器120の底面を基準として、突出部130a〜dの伸びる方向を−(マイナス)とし、この反対方向を+(プラス)とする。   As shown in FIG. 1, the piezoelectric device 100 includes a rectangular parallelepiped container 120 and protrusions 130 a to 130 d protruding from the bottom surface of the container 120. In the following description, as shown in FIG. 1, the direction perpendicular to the bottom surface of the container 120 is defined as the Z direction. Moreover, it is a direction perpendicular | vertical to a Z direction, and let the direction where the long side of the container 120 extends be a Y direction. A direction perpendicular to the Y direction and the Z direction is taken as an X direction. Note that, with the bottom surface of the container 120 as a reference, the extending direction of the protrusions 130a to 130d is − (minus), and the opposite direction is + (plus).

容器120は、例えばセラミックからなり、平板状の底面部122と、底面部122に積層された壁部124とを備える。底面部122はZ方向から見たときに矩形であり、図2(a)から分かる通り、壁部124は、底面部122の+Z側の面の外周部に形成される。底面部122と壁部124とに囲まれる領域が容器120の凹部になる。当該凹部には、図2(a)に示される通り、水晶振動片160が収容される。   The container 120 is made of, for example, ceramic and includes a flat bottom surface portion 122 and a wall portion 124 stacked on the bottom surface portion 122. The bottom surface portion 122 is rectangular when viewed from the Z direction. As can be seen from FIG. 2A, the wall portion 124 is formed on the outer peripheral portion of the surface on the + Z side of the bottom surface portion 122. A region surrounded by the bottom portion 122 and the wall portion 124 becomes a concave portion of the container 120. As shown in FIG. 2A, the crystal vibrating piece 160 is accommodated in the recess.

そして、容器120の開口端面となる、壁部124の+Z側の面に、リッド110が接合される。リッド110は容器120の凹部を覆うように配置されるため、水晶振動片160が密閉封入されることになる。リッド110は例えばコバールからなる。なお、コバールはFe(鉄)、Ni(ニッケル)及びCo(コバルト)の合金である。そしてリッド110の表面は例えばNiの金属膜で覆われている。そして、壁部124の+Z側の全面に形成された図示しない金属膜と、リッド110とが例えば銀ロウ等のロウ材で接合される。   Then, the lid 110 is joined to the surface on the + Z side of the wall portion 124 which becomes the opening end surface of the container 120. Since the lid 110 is disposed so as to cover the concave portion of the container 120, the crystal vibrating piece 160 is hermetically sealed. The lid 110 is made of, for example, Kovar. Kovar is an alloy of Fe (iron), Ni (nickel) and Co (cobalt). The surface of the lid 110 is covered with, for example, a Ni metal film. A metal film (not shown) formed on the entire surface of the wall portion 124 on the + Z side and the lid 110 are joined with a brazing material such as silver brazing.

容器120の凹部に収容される水晶振動片160は、Z方向から見たときに矩形である。水晶振動片160には、図2(a)に示される通り、+Z側と−Z側の主面であって、中央部分に、一対の励振電極162が形成される。+Z側の励振電極162からは−Y方向に引出電極164が伸びて、励振電極162の−Y側の端部で折り返されて、励振電極162の−Z側の面に伸びる。−Z側の励振電極162からは+Y方向に引出電極164が伸びて、励振電極162の+Y側の端部で折り返されて、励振電極162の+Z側の面に伸びる。   The quartz crystal vibrating piece 160 accommodated in the concave portion of the container 120 is rectangular when viewed from the Z direction. As shown in FIG. 2A, a pair of excitation electrodes 162 is formed on the crystal vibrating piece 160 on the + Z side and −Z side main surfaces and in the central portion. The lead electrode 164 extends in the −Y direction from the + Z side excitation electrode 162, is folded at the −Y side end of the excitation electrode 162, and extends to the −Z side surface of the excitation electrode 162. The extraction electrode 164 extends in the + Y direction from the −Z side excitation electrode 162, is folded at the + Y side end of the excitation electrode 162, and extends to the + Z side surface of the excitation electrode 162.

水晶振動片160は、水晶振動片160の−Z側の主面における+Y側及び−Y側の端部の引出電極164に少なくとも一部が接する一対の導電性接着剤166で、底面部122に固着される。それぞれの導電性接着剤166は、少なくとも一部が底面部122の+Z側の面に形成された接続電極168に接する。したがって、一対の励振電極162は、それぞれが異なる接続電極168に導通することになる。   The quartz crystal vibrating piece 160 is a pair of conductive adhesives 166 at least partially in contact with the lead electrodes 164 on the + Y side and −Y side ends of the main surface on the −Z side of the quartz crystal vibrating piece 160. It is fixed. Each of the conductive adhesives 166 is in contact with the connection electrode 168 formed at least partially on the + Z side surface of the bottom surface portion 122. Therefore, the pair of excitation electrodes 162 are electrically connected to different connection electrodes 168, respectively.

水晶振動片160が収容された容器120の底面、すなわち、底面部122の−Z側の面からは4つの突出部130a〜dが隆起するように形成される。突出部130a〜dは絶縁性の材料からなり、例えばセラミックが用いられる。そして、突出部130a〜dは、図1、図2(a)、(b)に示される通り、容器120の底面の4角部に形成される。突出部130a〜dには、−Z側から見たときに底面部122の角部に対応する部分に切欠き140a〜dが形成される。切欠き140a〜dは、図1及び図2(b)に示される通り、Z方向に伸びており、例えば壁部124まで伸びる。   Four projecting portions 130a to 130d are formed so as to protrude from the bottom surface of the container 120 in which the crystal vibrating piece 160 is accommodated, that is, from the −Z side surface of the bottom surface portion 122. The protrusions 130a to 130d are made of an insulating material, for example, ceramic. And protrusion part 130a-d is formed in the four corner | angular parts of the bottom face of the container 120 as FIG. 1, FIG. 2 (a), (b) shows. The protrusions 130a to 130d are formed with notches 140a to 140d at portions corresponding to the corners of the bottom surface 122 when viewed from the -Z side. The notches 140a to 140d extend in the Z direction as shown in FIG. 1 and FIG. 2B, and extend to the wall portion 124, for example.

それぞれの突出部130a〜dの底面、すなわち、突出部130a〜dの−Z側の面には、例えば全面に実装端子150a〜dが形成される。実装端子150a〜dは、切欠き140a〜dに形成された側面電極152a〜dに導通する。側面電極152a〜dの2つ、例えば−Z側から見て底面部122の対角線上にある側面電極152b、dは、それぞれ異なる接続電極168に導通する。したがって、この場合、励振電極162は切欠き140b、dと導通する。そして、励振電極162と導通しない実装端子150a、cはダミー端子となる。   For example, the mounting terminals 150a to 150d are formed on the entire bottom surfaces of the protrusions 130a to 130d, that is, the -Z side surfaces of the protrusions 130a to 130d. The mounting terminals 150a to 150d are electrically connected to the side electrodes 152a to 152d formed in the notches 140a to 140d. Two of the side electrodes 152 a to 152 d, for example, the side electrodes 152 b and d on the diagonal line of the bottom surface portion 122 when viewed from the −Z side, are electrically connected to different connection electrodes 168. Therefore, in this case, the excitation electrode 162 is electrically connected to the notches 140b and d. The mounting terminals 150a and 150c that are not electrically connected to the excitation electrode 162 are dummy terminals.

突出部130a〜dの高さ、すなわち、突出部130a〜dのZ方向の大きさは、後述する温度センサー部品220aの高さ以上の高さになる。そして、容器120の底面の下方(−Z側)であって、突出部130a〜dの底面を含む平面の+Z側に温度センサー部品220aの少なくともの一部が配置可能な空間を持つ。また、図2(a)(b)から分かる通り、容器120の底面には電子部品が搭載されておらず容器120の底面が露出する。   The height of the protrusions 130a to 130d, that is, the size of the protrusions 130a to 130d in the Z direction is higher than the height of the temperature sensor component 220a described later. In addition, there is a space in which at least a part of the temperature sensor component 220a can be disposed on the + Z side below the bottom surface of the container 120 (on the −Z side) and including the bottom surfaces of the projecting portions 130a to 130d. Further, as can be seen from FIGS. 2A and 2B, no electronic components are mounted on the bottom surface of the container 120, and the bottom surface of the container 120 is exposed.

〔圧電デバイスの製造方法〕
次に圧電デバイス100の製造方法を、図3ないし図6を参照して説明する。図3は壁部シート124Sの平面図であり、図4は底面部シート122Sの平面図であり、図5は突出部シート130Sの平面図である。
[Piezoelectric Device Manufacturing Method]
Next, a method for manufacturing the piezoelectric device 100 will be described with reference to FIGS. 3 is a plan view of the wall sheet 124S, FIG. 4 is a plan view of the bottom sheet 122S, and FIG. 5 is a plan view of the protruding sheet 130S.

まず、図3に示される壁部シート124Sを用意する。壁部シート124Sは例えばセラミックグリーンシートで構成されたものである。壁部シート124Sには、壁部124に相当する仮想的な領域が複数設けられる。この仮想的な領域は、図3に示される、X方向に伸びる仮想領域V10及びY方向に伸びる仮想領域V11で囲まれた領域である。なお、図3では壁部124に相当する仮想的な領域は9個設けられているが、壁部シート124Sの大きさや壁部124の大きさによって適宜変更される。この点は、後述の底面部シート122S及び突出部シート130Sでも同様である。   First, the wall sheet 124S shown in FIG. 3 is prepared. The wall sheet 124S is made of, for example, a ceramic green sheet. The wall portion sheet 124S is provided with a plurality of virtual regions corresponding to the wall portion 124. This virtual region is a region surrounded by a virtual region V10 extending in the X direction and a virtual region V11 extending in the Y direction shown in FIG. In FIG. 3, nine virtual regions corresponding to the wall portion 124 are provided, but may be appropriately changed depending on the size of the wall portion sheet 124 </ b> S and the size of the wall portion 124. This also applies to the bottom sheet 122S and the protrusion sheet 130S described later.

壁部シート124Sには、壁部124となる仮想的な領域の中央部分に、Z方向から見たときに矩形となる貫通孔HL10が形成される。貫通孔HL10が、容器120における凹部となり、貫通孔HL10及び仮想領域V10、V11で囲まれた領域が壁部124になる。   In the wall sheet 124S, a through-hole HL10 that is rectangular when viewed from the Z direction is formed at the center of the virtual region that becomes the wall 124. The through hole HL10 becomes a concave portion in the container 120, and a region surrounded by the through hole HL10 and the virtual regions V10 and V11 becomes a wall portion 124.

さらに、壁部シート124Sには、壁部124となる仮想的な領域の角部に、Z方向から見たときに円形となる貫通孔HL11が形成される。それぞれの貫通孔HL11は、図3に示される通り、互いに隣接する、壁部124となる仮想的な領域にかかるように形成される。そして、貫通孔HL11は、図1及び図2(b)に示される切欠き140a〜dになる。   Furthermore, the through hole HL11 that is circular when viewed from the Z direction is formed in the corner portion of the virtual region that becomes the wall portion 124 in the wall portion sheet 124S. As shown in FIG. 3, each through hole HL <b> 11 is formed so as to cover virtual regions that are adjacent to each other and become the wall portion 124. And through-hole HL11 becomes notch 140a-d shown by FIG.1 and FIG.2 (b).

また、図4に示される底面部シート122Sを用意する。底面部シート122Sは例えばセラミックグリーンシートで構成されたものである。底面部シート122Sには、底面部122に相当する仮想的な領域が複数設けられる。この仮想的な領域は、図4に示される、X方向に伸びる仮想領域V20及びY方向に伸びる仮想領域V21で囲まれた領域である。   Also, a bottom sheet 122S shown in FIG. 4 is prepared. The bottom sheet 122S is made of, for example, a ceramic green sheet. The bottom surface sheet 122S is provided with a plurality of virtual regions corresponding to the bottom surface portion 122. This virtual area is an area surrounded by a virtual area V20 extending in the X direction and a virtual area V21 extending in the Y direction shown in FIG.

底面部シート122Sには、底面部122となる仮想的な領域の角部に、Z方向から見たときに円形となる貫通孔HL20が形成される。それぞれの貫通孔HL20は、図4に示される通り、互いに隣接する、底面部122となる仮想的な領域にかかるように形成される。そして、貫通孔HL20は、図1及び図2(b)に示される切欠き140a〜dになる。   A through hole HL20 that is circular when viewed from the Z direction is formed in the corner of the virtual region that becomes the bottom surface portion 122 in the bottom surface sheet 122S. As shown in FIG. 4, each through hole HL <b> 20 is formed so as to cover a virtual region that is adjacent to each other and becomes the bottom surface portion 122. And the through-hole HL20 becomes the notches 140a-d shown by FIG.1 and FIG.2 (b).

さらに、底面部シート122Sには、スクリーン印刷などにより、例えばW(タングステン)を含んだ導電ペーストを印刷する。この印刷は、例えば、接続電極168となる領域と、貫通孔HL20の内周と、接続電極168から伸びて貫通孔HL20に到達する導電路169となる領域と、に行う。   Further, a conductive paste containing W (tungsten), for example, is printed on the bottom surface sheet 122S by screen printing or the like. This printing is performed, for example, in a region to be the connection electrode 168, an inner periphery of the through hole HL20, and a region to be the conductive path 169 extending from the connection electrode 168 and reaching the through hole HL20.

また、図5に示される突出部シート130Sを用意する。突出部シート130Sは例えばセラミックグリーンシートで構成されたものである。突出部シート130Sには、突出部130a〜dに相当する仮想的な領域が複数設けられる。この仮想的な領域は、図5に示される、X方向に伸びる仮想領域V30及びY方向に伸びる仮想領域V31で囲まれた領域である。   Moreover, the protrusion part sheet | seat 130S shown by FIG. 5 is prepared. The protrusion sheet 130S is made of, for example, a ceramic green sheet. The projection sheet 130S is provided with a plurality of virtual areas corresponding to the projections 130a to 130d. This virtual area is an area surrounded by a virtual area V30 extending in the X direction and a virtual area V31 extending in the Y direction shown in FIG.

突出部シート130Sには、突出部130a〜dとなる仮想的な領域の中央に、Z方向から見たときに十字となる貫通孔HL31が形成される。貫通孔HL31は、突出部130a〜dとなる仮想的な領域のそれぞれで、+Y側及び−Y側の仮想領域V30まで伸び、さらに、+X側及び−X側の仮想領域V31まで伸びる。そして、貫通孔HL31及び仮想領域V30、V31で囲まれた領域が突出部130a〜dになる。   In the protruding portion sheet 130S, a through hole HL31 that forms a cross when viewed from the Z direction is formed in the center of the virtual region that becomes the protruding portions 130a to 130d. The through hole HL31 is a virtual region that becomes the protrusions 130a to 130d, and extends to the + Y side and −Y side virtual region V30, and further extends to the + X side and −X side virtual region V31. And the area | region enclosed by through-hole HL31 and virtual area V30, V31 becomes protrusion part 130a-d.

また、突出部シート130Sには、突出部130a〜dとなる仮想的な領域の角部に、Z方向から見たときに円形となる貫通孔HL30が形成される。それぞれの貫通孔HL30は、図5に示される通り、互いに隣接する、突出部130a〜dとなる仮想的な領域にかかるように形成される。そして、貫通孔HL30は、図1及び図2(b)に示される切欠き140a〜dになる。   Moreover, the through-hole HL30 which becomes circular when it sees from a Z direction is formed in the corner | angular part of the virtual area | region used as protrusion part 130a-d in the protrusion part sheet | seat 130S. As shown in FIG. 5, each through hole HL <b> 30 is formed so as to cover virtual regions that are adjacent to each other and become the protruding portions 130 a to 130 d. And the through-hole HL30 becomes the notches 140a-d shown by FIG.1 and FIG.2 (b).

さらに、突出部シート130Sには、スクリーン印刷などにより、例えばW(タングステン)を含んだ導電ペーストを印刷する。この印刷は、例えば、貫通孔HL30の内周と、突出部130a〜dの−Z側の面に配置される実装端子150a〜dとなる領域と、に行う。なお、図5では実装端子150a〜dは図示されない。   Further, a conductive paste containing, for example, W (tungsten) is printed on the protrusion sheet 130S by screen printing or the like. This printing is performed, for example, on the inner periphery of the through-hole HL30 and the regions to be the mounting terminals 150a to d disposed on the −Z side surface of the protrusions 130a to 130d. In FIG. 5, the mounting terminals 150a to 150d are not shown.

次に、このように形成された壁部シート124S、底面部シート122S及び突出部シート130Sを積層する。具体的には、突出部シート130Sの+Z側に底面部シート122Sを積層し、底面部シート122Sの+Z側に壁部シート124Sを積層する。この際に、壁部124、底面部122及び突出部130a〜dの各仮想的な領域が重なるようにする。そして、焼成する。次に、電解メッキ又は無電解メッキにより、スクリーン印刷等で形成したW等の金属表面に、例えば、Ni(ニッケル)の金属膜及びAu(金)の金属膜を順次形成する。そして、仮想領域V10、V11、V20、V21、V30、V31で切断することで、容器120と容器120から隆起する突出部130a〜dとが形成される。   Next, the wall portion sheet 124S, the bottom surface portion sheet 122S, and the protruding portion sheet 130S formed in this way are stacked. Specifically, the bottom sheet 122S is stacked on the + Z side of the protruding sheet 130S, and the wall sheet 124S is stacked on the + Z side of the bottom sheet 122S. At this time, the virtual regions of the wall portion 124, the bottom surface portion 122, and the projecting portions 130a to 130d overlap each other. Then, it is fired. Next, for example, a Ni (nickel) metal film and an Au (gold) metal film are sequentially formed on a metal surface such as W formed by screen printing or the like by electrolytic plating or electroless plating. And it cut | disconnects by virtual area | region V10, V11, V20, V21, V30, V31, and the protrusion parts 130a-d which protrude from the container 120 are formed.

次に、予め用意した、励振電極162及び引出電極164が形成された水晶振動片160を、導電性接着剤166を用いて、底面部122の凹部の底面となる底面部122の+Z側の面に固着させる。   Next, the crystal vibrating piece 160 on which the excitation electrode 162 and the extraction electrode 164 are prepared is prepared using a conductive adhesive 166 on the + Z side surface of the bottom surface portion 122 that becomes the bottom surface of the recess of the bottom surface portion 122. Secure to.

最後に、リッド110を、容器120の開口端面となる、壁部124の+Z側の面に、接合して、水晶振動片160を密閉封入する。この際、例えば、予め、当該開口端面、又は、リッド110の−Z側の面の外周部に銀ロウ等のロウ材を形成する。次に、当該開口端面に、リッド110の−Z側の面を対向させて重ね合せ、シーム溶接等で接合する。このようにして圧電デバイス100が形成される。   Finally, the lid 110 is bonded to the surface on the + Z side of the wall portion 124 that becomes the opening end surface of the container 120, and the crystal vibrating piece 160 is hermetically sealed. At this time, for example, a brazing material such as silver brazing is formed in advance on the opening end surface or the outer peripheral portion of the surface on the −Z side of the lid 110. Next, the -Z side surface of the lid 110 is opposed to the opening end surface and overlapped, and joined by seam welding or the like. In this way, the piezoelectric device 100 is formed.

<圧電デバイス搭載基板>
次に圧電デバイス搭載基板200について、図6を参照して説明する。図6(a)は圧電デバイス搭載基板200の断面図である。図6(b)は圧電デバイス搭載基板200の平面図である。なお、図6(a)の圧電デバイス100は、図1のA−A線での断面図であり、図6(a)の圧電デバイス搭載基板200は図6(b)のB−B線での断面図である。
<Piezoelectric device mounting substrate>
Next, the piezoelectric device mounting substrate 200 will be described with reference to FIG. FIG. 6A is a cross-sectional view of the piezoelectric device mounting substrate 200. FIG. 6B is a plan view of the piezoelectric device mounting substrate 200. 6A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1, and the piezoelectric device mounting substrate 200 in FIG. 6A is taken along line BB in FIG. 6B. FIG.

圧電デバイス搭載基板200は、例えばガラスエポキシの基板210を有し、基板210には温度補償型発振回路が形成される。当該温度補償型発振回路は、圧電デバイス100と、圧電デバイス100の温度を検知する温度センサー部品220aと、温度補償型発振回路を構成するその他の回路素子とから構成される。温度補償型発振回路を用いることで、圧電デバイス100の温度が変化しても、圧電デバイス100の周波数温度特性に対して温度補償を行うことができ、周波数変動を小さくできる。   The piezoelectric device mounting substrate 200 includes a glass epoxy substrate 210, for example, and a temperature compensated oscillation circuit is formed on the substrate 210. The temperature-compensated oscillation circuit includes the piezoelectric device 100, a temperature sensor component 220a that detects the temperature of the piezoelectric device 100, and other circuit elements that constitute the temperature-compensated oscillation circuit. By using the temperature compensated oscillation circuit, even if the temperature of the piezoelectric device 100 changes, the temperature compensation can be performed on the frequency temperature characteristics of the piezoelectric device 100, and the frequency fluctuation can be reduced.

圧電デバイス100は、図6(a)に示される通り、ハンダ232で基板210の+Z側の面に接合される。ハンダ232によって、実装端子150a〜dと、基板210に形成された配線パターン230とが導通する。   As shown in FIG. 6A, the piezoelectric device 100 is bonded to the + Z side surface of the substrate 210 with solder 232. Due to the solder 232, the mounting terminals 150a to 150d are electrically connected to the wiring pattern 230 formed on the substrate 210.

圧電デバイス100の温度を検知する温度センサー部品220aには、サーミスタ又はダイード等が用いられ、基板210の+Z側の面にハンダで搭載される。温度センサー部品220aは、図6(a)に示される通り、圧電デバイス100の容器120の−Z側に配置される。したがって、温度センサー部品220aは容器120と基板210との間に配置されることになる。   The temperature sensor component 220a that detects the temperature of the piezoelectric device 100 uses a thermistor or a diode, and is mounted on the surface of the substrate 210 on the + Z side with solder. The temperature sensor component 220a is disposed on the −Z side of the container 120 of the piezoelectric device 100 as illustrated in FIG. Therefore, the temperature sensor component 220a is disposed between the container 120 and the substrate 210.

この温度センサー部品220aの配置を+Z側から見たのが図6(b)である。図6(b)に示される通り、+Z側から見ると、温度センサー部品220aは圧電デバイス100の中央に配置される。すなわち、温度センサー部品220aと突出部130a〜dのそれぞれと、との距離が、ほぼ等しくなるように配置される。そして、図6(a)に示される通り、温度センサー部品220aの+Z方向に水晶振動片160が位置するように配置する。   FIG. 6B shows the arrangement of the temperature sensor component 220a as viewed from the + Z side. As shown in FIG. 6B, when viewed from the + Z side, the temperature sensor component 220a is disposed at the center of the piezoelectric device 100. That is, the temperature sensor component 220a and the protrusions 130a to 130d are arranged so that the distances between them are substantially equal. Then, as shown in FIG. 6A, the quartz crystal vibrating piece 160 is disposed in the + Z direction of the temperature sensor component 220a.

なお、圧電デバイス搭載基板200には、当該温度補償型発振回路以外の回路があってもよい。例えば当該温度補償型発振回路の周波数を利用する回路や、当該温度補償型発振回路と独立して機能する回路があってもよい。   The piezoelectric device mounting substrate 200 may include a circuit other than the temperature compensated oscillation circuit. For example, there may be a circuit that uses the frequency of the temperature compensated oscillation circuit or a circuit that functions independently of the temperature compensated oscillation circuit.

<ハイブリッドIC>
次にハイブリッドIC300について、図7を参照して説明する。ハイブリッドIC300の側面図である。
<Hybrid IC>
Next, the hybrid IC 300 will be described with reference to FIG. It is a side view of hybrid IC300.

ハイブリッドIC300には、基板210を有する圧電デバイス搭載基板200が用いられる。基板210には、圧電デバイス100、温度センサー部品220a、電子部品220b又はその他の電子部品を繋ぐ導電路が形成されている。この導電路のいくつかは基板210に形成された図示しない貫通孔まで伸びる。当該貫通孔は、例えば基板210を+Z側から見たときの角部や外周部分に形成される。そして、当該貫通孔にリードフレーム310の一方の端部を、例えば基板210の−Z側から挿入して、ハンダなどで基板210に固定する。したがって、リードフレーム310の少なくともいくつかは基板210の導電路に導通する。   The hybrid IC 300 uses a piezoelectric device mounting substrate 200 having a substrate 210. A conductive path that connects the piezoelectric device 100, the temperature sensor component 220a, the electronic component 220b, or other electronic components is formed on the substrate 210. Some of the conductive paths extend to through holes (not shown) formed in the substrate 210. The through-hole is formed, for example, in a corner portion or an outer peripheral portion when the substrate 210 is viewed from the + Z side. Then, one end of the lead frame 310 is inserted into the through hole from, for example, the −Z side of the substrate 210 and fixed to the substrate 210 with solder or the like. Accordingly, at least some of the lead frame 310 is conducted to the conductive path of the substrate 210.

<効果>
以上説明した圧電デバイス100、圧電デバイス搭載基板200及びハイブリッドIC300によれば、以下に列記する優れた効果が得られる。
(1)圧電デバイス100は、容器120の底面から突出部130a〜dが隆起する。また、容器120の底面の下方(−Z側)であって、突出部130a〜dの底面を含む平面の+Z側に温度センサー部品220aの少なくともの一部が配置可能な空間を持つ。よって、圧電デバイス100を基板210に搭載した場合に、容器120の底面の下方(−Z側)であって、突出部130a〜dの底面を含む平面の+Z側に温度センサー部品220aを配置し、温度センサー部品220aを基板210に実装できる。したがって、圧電デバイス100と温度センサー部品220aとを重ねて当該基板に実装できるため、基板210の面積を有効活用できる。
<Effect>
According to the piezoelectric device 100, the piezoelectric device mounting substrate 200, and the hybrid IC 300 described above, the excellent effects listed below can be obtained.
(1) In the piezoelectric device 100, the protrusions 130a to 130d are raised from the bottom surface of the container 120. Further, there is a space in which at least a part of the temperature sensor component 220a can be disposed on the + Z side below the bottom surface of the container 120 (on the −Z side) and including the bottom surfaces of the projecting portions 130a to 130d. Therefore, when the piezoelectric device 100 is mounted on the substrate 210, the temperature sensor component 220a is disposed on the + Z side below the bottom surface (−Z side) of the container 120 and including the bottom surfaces of the protrusions 130a to 130d. The temperature sensor component 220a can be mounted on the substrate 210. Therefore, since the piezoelectric device 100 and the temperature sensor component 220a can be stacked and mounted on the substrate, the area of the substrate 210 can be effectively utilized.

また、圧電デバイス搭載基板200及びハイブリッドIC300では、温度センサー部品220aは容器120と基板210との間に配置されて基板210に搭載される。したがって、圧電デバイス100と温度センサー部品220aとを重ねて基板210に実装されるため、基板210の面積を有効活用できる。   Further, in the piezoelectric device mounting substrate 200 and the hybrid IC 300, the temperature sensor component 220 a is disposed between the container 120 and the substrate 210 and mounted on the substrate 210. Therefore, since the piezoelectric device 100 and the temperature sensor component 220a are mounted on the substrate 210 in an overlapping manner, the area of the substrate 210 can be effectively utilized.

(2)圧電デバイス100は、容器120の底面に突出部130a〜dを形成するのみであり、圧電デバイス100に温度センサー部品220aを搭載していない。よって、圧電デバイス100に温度センサー部品220aを搭載する工程を経ることなく圧電デバイス100を形成できる。すなわち、圧電デバイス100の製造工程の複雑化を回避しつつ、上記の通り、圧電デバイス100の面積を有効活用できる。   (2) The piezoelectric device 100 only forms the protrusions 130 a to 130 d on the bottom surface of the container 120, and the temperature sensor component 220 a is not mounted on the piezoelectric device 100. Therefore, the piezoelectric device 100 can be formed without going through the process of mounting the temperature sensor component 220a on the piezoelectric device 100. That is, as described above, the area of the piezoelectric device 100 can be effectively used while avoiding complication of the manufacturing process of the piezoelectric device 100.

また、圧電デバイス搭載基板200及びハイブリッドIC300では、所定箇所にハンダを塗布した基板210に対して、図6(a)に示すように、圧電デバイス100と温度センサー部品220aとを重ねて載置する。次に加熱してハンダを溶融させ、その後冷却することで、圧電デバイス100と温度センサー部品220aとを、電子部品220b等の他の電子部品と同時に基板210に固着できる。したがって、圧電デバイス搭載基板200及びハイブリッドIC300での製造工程の複雑化を回避しつつ、上記の通り、圧電デバイス100の面積を有効活用できる。   Further, in the piezoelectric device mounting substrate 200 and the hybrid IC 300, as shown in FIG. 6A, the piezoelectric device 100 and the temperature sensor component 220a are stacked and placed on a substrate 210 coated with solder at a predetermined location. . Next, the piezoelectric device 100 and the temperature sensor component 220a can be fixed to the substrate 210 simultaneously with other electronic components such as the electronic component 220b by heating to melt the solder and then cooling. Therefore, as described above, the area of the piezoelectric device 100 can be effectively utilized while avoiding complication of the manufacturing process in the piezoelectric device mounting substrate 200 and the hybrid IC 300.

(3)圧電デバイス100の突出部130a〜dは絶縁性の材料であるセラミックで形成される。ここで、圧電デバイス100を基板に実装し、容器120の底面の下方(−Z側)であって、突出部130a〜dの底面を含む平面の+Z側に温度センサー部品220aを配置して、温度センサー部品220aを当該基板に実装した場合を考える。このとき、温度センサー部品220aに隣接して突出部130a〜dが配置されることになる。しかし、突出部130a〜dが絶縁性の材料からなる。したがって、温度センサー部品220aと突出部130a〜dとの間で容量をもって圧電デバイス100又は温度センサー部品220aの特性が変化する、というおそれを低減できる。   (3) The protrusions 130a to 130d of the piezoelectric device 100 are formed of ceramic which is an insulating material. Here, the piezoelectric device 100 is mounted on the substrate, and the temperature sensor component 220a is disposed on the + Z side below the bottom surface (−Z side) of the container 120 and including the bottom surfaces of the protrusions 130a to 130d. Consider a case where the temperature sensor component 220a is mounted on the board. At this time, the protrusions 130a to 130d are disposed adjacent to the temperature sensor component 220a. However, the protrusions 130a to 130d are made of an insulating material. Therefore, the possibility that the characteristics of the piezoelectric device 100 or the temperature sensor component 220a change with a capacity between the temperature sensor component 220a and the protrusions 130a to 130d can be reduced.

また、圧電デバイス搭載基板200及びハイブリッドIC300では、圧電デバイス100を基板に実装し、容器120の底面の下方(−Z側)であって、突出部130a〜dの底面を含む平面の+Z側に温度センサー部品220aを配置して、温度センサー部品220aを当該基板に実装している。したがって、前述の通り、温度センサー部品220aと突出部130a〜dとの間で容量をもって圧電デバイス100又は温度センサー部品220aの特性が変化する、というおそれを低減できる。   Further, in the piezoelectric device mounting substrate 200 and the hybrid IC 300, the piezoelectric device 100 is mounted on the substrate, and is below the bottom surface (−Z side) of the container 120 and on the + Z side of the plane including the bottom surfaces of the protrusions 130a to 130d. The temperature sensor component 220a is arranged, and the temperature sensor component 220a is mounted on the substrate. Therefore, as described above, it is possible to reduce the possibility that the characteristics of the piezoelectric device 100 or the temperature sensor component 220a change with capacity between the temperature sensor component 220a and the protrusions 130a to 130d.

(4)圧電デバイス100は、容器120の底面の下方(−Z側)であって、突出部130a〜dの底面を含む平面の+Z側に温度センサー部品220aが配置可能な空間を持つ。また、圧電デバイス搭載基板200及びハイブリッドIC300では、圧電デバイス100を基板に実装し、容器120の底面の下方(−Z側)であって、突出部130a〜dの底面を含む平面の+Z側に温度センサー部品220aを配置して、温度センサー部品220aを当該基板に実装している。よって、温度センサー部品220aが圧電デバイス100に近接して配置できる。したがって、温度センサー部品220aは正確に圧電デバイス100の温度を測定することが可能になり、温度補償回路での正確な温度補償が可能になる。   (4) The piezoelectric device 100 has a space where the temperature sensor component 220a can be arranged on the + Z side below the bottom surface of the container 120 (on the −Z side) and including the bottom surfaces of the protrusions 130a to 130d. Further, in the piezoelectric device mounting substrate 200 and the hybrid IC 300, the piezoelectric device 100 is mounted on the substrate, and is below the bottom surface (−Z side) of the container 120 and on the + Z side of the plane including the bottom surfaces of the protrusions 130a to 130d. The temperature sensor component 220a is arranged, and the temperature sensor component 220a is mounted on the substrate. Therefore, the temperature sensor component 220a can be disposed close to the piezoelectric device 100. Therefore, the temperature sensor component 220a can accurately measure the temperature of the piezoelectric device 100, and the temperature compensation circuit can accurately compensate for the temperature.

(5)圧電デバイス100の容器120の底面には電子部品が搭載されておらず前記容器底面が露出する。よって、容器120の底面と、圧電デバイス100を搭載する基板210と、の間の容積を、容器120の底面に電子部品が搭載された場合と比べて大きくできる。したがって、使用できる温度センサー部品220aの種類が増えるため、温度補償型発振回路の設計の自由度が増す。   (5) An electronic component is not mounted on the bottom surface of the container 120 of the piezoelectric device 100, and the container bottom surface is exposed. Therefore, the volume between the bottom surface of the container 120 and the substrate 210 on which the piezoelectric device 100 is mounted can be increased as compared with the case where electronic components are mounted on the bottom surface of the container 120. Therefore, since the types of temperature sensor components 220a that can be used increase, the degree of freedom in designing the temperature compensated oscillation circuit increases.

(6)圧電デバイス100の容器120の底面には電子部品が搭載されておらず前記容器底面が露出する。よって、圧電デバイス100及び温度センサー部品220aを基板210に搭載した際に、例えば温度センサー部品220aが容器120の底面に接触しても、電気的な短絡が生じるおそれを低減できる。   (6) Electronic components are not mounted on the bottom surface of the container 120 of the piezoelectric device 100, and the container bottom surface is exposed. Therefore, when the piezoelectric device 100 and the temperature sensor component 220a are mounted on the substrate 210, for example, even if the temperature sensor component 220a contacts the bottom surface of the container 120, it is possible to reduce the possibility of an electrical short circuit.

(7)圧電デバイス100の容器120の底面は矩形である。したがって、他の形状と比べて、壁部シート124S、底面部シート122S及び突出部シート130Sから多くの容器120を形成できる。   (7) The bottom surface of the container 120 of the piezoelectric device 100 is rectangular. Therefore, many containers 120 can be formed from the wall part sheet | seat 124S, the bottom face part sheet | seat 122S, and the protrusion part sheet | seat 130S compared with another shape.

(8)圧電デバイス100の突出部130a〜dは、容器120の底面の4角部に形成される。よって、突出部130a〜dの隣接する一対の突出部の間にも温度センサー部品220aの少なくともの一部が配置可能になる。したがって、容器120の底面の下方(−Z側)であって、突出部130a〜dの底面を含む平面の+Z側に温度センサー部品220aの少なくともの一部が配置可能な空間を大きく確保できる。このため、使用できる温度センサー部品220aの種類が増えるため、温度補償型発振回路の設計の自由度が増す。   (8) The protrusions 130 a to 130 d of the piezoelectric device 100 are formed at the four corners of the bottom surface of the container 120. Therefore, at least a part of the temperature sensor component 220a can be disposed between a pair of adjacent protrusions 130a to 130d. Therefore, it is possible to ensure a large space in which at least a part of the temperature sensor component 220a can be disposed on the + Z side below the bottom surface of the container 120 (on the −Z side) and including the bottom surfaces of the protrusions 130a to 130d. For this reason, since the types of temperature sensor components 220a that can be used increase, the degree of freedom in designing the temperature compensated oscillation circuit increases.

<その他の実施の形態>
本発明にかかる圧電デバイス100、圧電デバイス搭載基板200及びハイブリッドIC300は上記実施の形態で例示した構成に限定されるものではなく、これを適宜変更した例えば次のような形態として実施することもできる。
<Other embodiments>
The piezoelectric device 100, the piezoelectric device mounting substrate 200, and the hybrid IC 300 according to the present invention are not limited to the configurations exemplified in the above-described embodiment, and can be implemented as, for example, the following forms appropriately modified. .

・圧電デバイス搭載基板200はハイブリッドIC300に組み込まれて使用された。しかし、圧電デバイス搭載基板200は携帯電話やパーソナルコンピュータ等の電子機器に直接組み込まれてもよい。   The piezoelectric device mounting substrate 200 was used by being incorporated in the hybrid IC 300. However, the piezoelectric device mounting substrate 200 may be directly incorporated into an electronic apparatus such as a mobile phone or a personal computer.

・ハイブリッドIC300の基板210にはリードフレーム310がなく、端子電極が形成された構成でもよい。具体的には次のような構成になる。まず、基板210にはリードフレーム310がなく、一方の主面に複数の端子電極を有する。また、基板210の他方の主面に、図6(a)(b)に示すように、圧電デバイス100、温度センサー部品220a及び電子部品220b等の電子部品を搭載する。そして、基板210の端子電極が、基板210の導電路に導通する。このようなハイブリッドICは端子電極を用いて表面実装できるため望ましい。   The substrate 210 of the hybrid IC 300 may have a configuration in which the lead frame 310 is not provided and terminal electrodes are formed. Specifically, the configuration is as follows. First, the substrate 210 does not have the lead frame 310, and has a plurality of terminal electrodes on one main surface. Further, as shown in FIGS. 6A and 6B, electronic components such as the piezoelectric device 100, the temperature sensor component 220a, and the electronic component 220b are mounted on the other main surface of the substrate 210. Then, the terminal electrode of the substrate 210 is conducted to the conductive path of the substrate 210. Such a hybrid IC is desirable because it can be surface-mounted using terminal electrodes.

・圧電デバイス100の突出部130a〜dは、図1、図2(a)、(b)に示される通り、容器120の底面の4角部に形成される。しかし、突出部130a〜dは、その他の部分、例えば容器120の底面の各辺の中央部分に形成されてもよい。また、突出部は必ずしも4つ必要なわけではない。例えば一対の突出部は、容器120の底面の一方の短辺の両端に形成され、もう一つの突出部が、他方の短辺の中央に形成されてもよい。この場合、突出部は3つ形成されることになる。すなわち、容器120と基板210との間に温度センサー部品220aが配置可能な空間が確保できれば突出部の位置や数は任意である。   -Protrusion part 130a-d of the piezoelectric device 100 is formed in the four corners of the bottom face of the container 120 as FIG.1, FIG.2 (a) and (b) show. However, the protrusions 130a to 130d may be formed in other parts, for example, the central part of each side of the bottom surface of the container 120. Moreover, four protrusions are not necessarily required. For example, the pair of protrusions may be formed at both ends of one short side of the bottom surface of the container 120, and the other protrusion may be formed at the center of the other short side. In this case, three protrusions are formed. That is, the position and the number of the protrusions are arbitrary as long as a space in which the temperature sensor component 220a can be arranged can be secured between the container 120 and the substrate 210.

・圧電デバイス100の突出部130a〜dは容器120の底面の4角部に形成される。しかし、突出部は容器120の底面の4辺に形成されてもよい。この点を、図8を参照して説明する。図8(a)は圧電デバイス400の斜視図である。図8(b)は圧電デバイス400の底面図である。   The protrusions 130 a to 130 d of the piezoelectric device 100 are formed at the four corners of the bottom surface of the container 120. However, the protrusions may be formed on the four sides of the bottom surface of the container 120. This point will be described with reference to FIG. FIG. 8A is a perspective view of the piezoelectric device 400. FIG. 8B is a bottom view of the piezoelectric device 400.

図8(a)(b)に示す圧電デバイス400と圧電デバイス100との違いは突出部である。圧電デバイス400には、容器120の底面、すなわち、底面部122の−Z側の面の4辺に突出部430が形成される。よって、突出部430は容器120の底面の外周領域を周回するように形成されることになる。また、突出部430の底面、すなわち、突出部430の−Z側の面には4つの実装端子150a〜dが形成される。実装端子150a〜dは、図8(b)に示す通り、突出部430の底面の4角部に形成される。   The difference between the piezoelectric device 400 and the piezoelectric device 100 shown in FIGS. 8A and 8B is a protrusion. In the piezoelectric device 400, protrusions 430 are formed on the bottom surface of the container 120, that is, on the four sides of the −Z side surface of the bottom surface portion 122. Therefore, the protrusion 430 is formed so as to go around the outer peripheral region of the bottom surface of the container 120. In addition, four mounting terminals 150 a to 150 d are formed on the bottom surface of the protruding portion 430, that is, on the −Z side surface of the protruding portion 430. The mounting terminals 150a to 150d are formed at the four corners of the bottom surface of the protrusion 430 as shown in FIG.

圧電デバイス400は、突出部430に囲まれた領域に温度センサー部品220aを配置できる。具体的には、図2(a)の圧電デバイス100と同様に、圧電デバイス400が基板210に実装される。そして、突出部430に囲まれた領域に温度センサー部品220aが配置され、温度センサー部品220aは基板210に実装される。   In the piezoelectric device 400, the temperature sensor component 220 a can be arranged in a region surrounded by the protrusion 430. Specifically, the piezoelectric device 400 is mounted on the substrate 210 in the same manner as the piezoelectric device 100 of FIG. Then, the temperature sensor component 220a is disposed in a region surrounded by the protruding portion 430, and the temperature sensor component 220a is mounted on the substrate 210.

このように、温度センサー部品220aは突出部430に囲まれた領域に配置できる。したがって、温度センサー部品220aに加わる外部環境の影響を小さくでき、容器120に収容された水晶振動片160の温度の検出精度を高められる。また、温度センサー部品220aは突出部430に囲まれた領域に配置される。したがって、温度センサー部品220aを基板210に載置する際に突出部430を案内として用いることができ、温度センサー部品220aの位置決めが容易になる。   Thus, the temperature sensor component 220a can be disposed in the region surrounded by the protrusion 430. Therefore, the influence of the external environment applied to the temperature sensor component 220a can be reduced, and the temperature detection accuracy of the crystal vibrating piece 160 accommodated in the container 120 can be increased. Further, the temperature sensor component 220a is disposed in a region surrounded by the protrusion 430. Therefore, the protrusion 430 can be used as a guide when the temperature sensor component 220a is placed on the substrate 210, and positioning of the temperature sensor component 220a is facilitated.

なお、圧電デバイス400では、図8(b)に示す通り、突出部430に囲まれた領域は−Z側から見て矩形である。しかし、矩形以外にも円形又は楕円形等の他の形状でもよく、温度センサー部品220aが配置可能であればよい。また、圧電デバイス400では4つの実装端子150a〜dが形成されたが、実装端子は2つでもよい。実装端子を2つにする場合は、一方の実装端子を、突出部430の底面の−Y側であってX方向に伸びるように形成し、他方の実装端子を、突出部430の底面の+Y側であってX方向に伸びるように形成してもよい。また、一方の実装端子を、突出部430の底面の−X側であってY方向に伸びるように形成し、他方の実装端子を、突出部430の底面の+X側であってY方向に伸びるように形成してもよい。   In the piezoelectric device 400, as shown in FIG. 8B, the region surrounded by the protrusion 430 is rectangular when viewed from the −Z side. However, in addition to the rectangle, other shapes such as a circle or an ellipse may be used as long as the temperature sensor component 220a can be arranged. In addition, although the four mounting terminals 150a to 150d are formed in the piezoelectric device 400, the number of mounting terminals may be two. When two mounting terminals are used, one mounting terminal is formed so as to extend in the X direction on the −Y side of the bottom surface of the projecting portion 430, and the other mounting terminal is + Y on the bottom surface of the projecting portion 430. It may be formed to extend in the X direction on the side. Also, one mounting terminal is formed to extend in the Y direction on the −X side of the bottom surface of the protruding portion 430, and the other mounting terminal extends in the Y direction on the + X side of the bottom surface of the protruding portion 430. You may form as follows.

・圧電デバイス100の突出部130a〜dは容器120の底面の4角部に形成される。しかし、突出部は容器120の底面の2辺に形成されてもよい。この点を、図9を参照して説明する。図9(a)は圧電デバイス500の斜視図である。図9(b)は圧電デバイス500の底面図である。   The protrusions 130 a to 130 d of the piezoelectric device 100 are formed at the four corners of the bottom surface of the container 120. However, the protrusions may be formed on the two sides of the bottom surface of the container 120. This point will be described with reference to FIG. FIG. 9A is a perspective view of the piezoelectric device 500. FIG. 9B is a bottom view of the piezoelectric device 500.

図9(a)(b)に示す圧電デバイス500と圧電デバイス100との違いは突出部である。圧電デバイス500は、容器120の底面、すなわち、底面部122の−Z側の面の2辺に一対の突出部530a、bが形成される。当該2辺は、容器120の底面の一対の長辺である。そして、突出部530a、bの底面、すなわち、突出部530a、bの−Z側の面には、図9(b)に示す通り、実装端子150a〜dが形成される。実装端子150a、bは突出部530aの底面の両端に形成され、実装端子150c、dは突出部530bの底面の両端に形成される。   The difference between the piezoelectric device 500 and the piezoelectric device 100 shown in FIGS. 9A and 9B is a protrusion. In the piezoelectric device 500, a pair of protrusions 530a and 530b are formed on the bottom surface of the container 120, that is, on the two sides of the −Z side surface of the bottom surface portion 122. The two sides are a pair of long sides on the bottom surface of the container 120. As shown in FIG. 9B, mounting terminals 150a to 150d are formed on the bottom surfaces of the protrusions 530a and b, that is, on the −Z side surface of the protrusions 530a and b. The mounting terminals 150a and 150b are formed at both ends of the bottom surface of the protruding portion 530a, and the mounting terminals 150c and 150d are formed at both ends of the bottom surface of the protruding portion 530b.

圧電デバイス500は、一対の突出部530a、bに挟まれた領域に温度センサー部品220aを配置できる。具体的には、図2(a)の圧電デバイス100と同様に、圧電デバイス500が基板210に実装される。そして、一対の突出部530a、bに挟まれた領域に温度センサー部品220aが配置され、温度センサー部品220aは基板210に実装される。   In the piezoelectric device 500, the temperature sensor component 220a can be disposed in a region sandwiched between the pair of protrusions 530a and 530b. Specifically, the piezoelectric device 500 is mounted on the substrate 210 in the same manner as the piezoelectric device 100 of FIG. And the temperature sensor component 220a is arrange | positioned in the area | region pinched | interposed into a pair of protrusion part 530a, b, and the temperature sensor component 220a is mounted in the board | substrate 210. FIG.

このように、温度センサー部品220aは一対の突出部530a、bに挟まれた領域に配置できる。したがって、温度センサー部品220aに加わる外部環境の影響を小さくでき、容器120に収容された水晶振動片160の温度の検出精度を高められる。また、温度センサー部品220aは突出部530a、bに挟まれた領域に配置される。したがって、温度センサー部品220aを基板210に載置する際に一対の突出部530a、bを案内として用いることができ、温度センサー部品220aの位置決めが容易になる。   As described above, the temperature sensor component 220a can be disposed in a region sandwiched between the pair of protrusions 530a and 530b. Therefore, the influence of the external environment applied to the temperature sensor component 220a can be reduced, and the temperature detection accuracy of the crystal vibrating piece 160 accommodated in the container 120 can be increased. The temperature sensor component 220a is disposed in a region sandwiched between the protrusions 530a and 530b. Therefore, when placing the temperature sensor component 220a on the substrate 210, the pair of protrusions 530a and 530b can be used as a guide, and positioning of the temperature sensor component 220a is facilitated.

また、図9(b)に示される通り、一対の突出部530a、bに挟まれた領域の両端(+Y側及び−Y側)は解放されており、突出部でさえぎられていない。よって、突出部でさえぎられる場合と比べて、当該領域の大きさを大きくできる。したがって、例えば、当該領域に大きな温度センサー部品220aを配置したり、複数の電子部品を配置したりして、当該領域を有効活用できる。   Further, as shown in FIG. 9B, both ends (+ Y side and −Y side) of the region sandwiched between the pair of protrusions 530a and 530b are released and are not blocked by the protrusions. Therefore, the size of the region can be increased as compared with the case where the protrusion is blocked. Therefore, for example, a large temperature sensor component 220a can be arranged in the area, or a plurality of electronic components can be arranged to effectively use the area.

なお、圧電デバイス500では一対の突出部530a、bを容器120の底面の一対の長辺に形成した。しかし、一対の突出部530a、bは容器120の底面の一対の短辺に形成されてもよい。また、一対の突出部530a、bは容器120の底面の一つの短辺と一つの長辺とに形成されてもよい。また、圧電デバイス400では4つの実装端子150a〜dが形成されたが、実装端子は2つでもよい。例えば、一対の突出部530a、bのそれぞれの底面に1つずつ実装端子を形成してもよい。   In the piezoelectric device 500, the pair of protrusions 530 a and b are formed on the pair of long sides on the bottom surface of the container 120. However, the pair of projecting portions 530 a and b may be formed on the pair of short sides on the bottom surface of the container 120. Further, the pair of protrusions 530 a and b may be formed on one short side and one long side of the bottom surface of the container 120. In addition, although the four mounting terminals 150a to 150d are formed in the piezoelectric device 400, the number of mounting terminals may be two. For example, one mounting terminal may be formed on each bottom surface of the pair of projecting portions 530a and 530b.

・圧電デバイス100では、突出部130a〜dの底面の全面に実装端子150a〜dが形成される。しかし、実装端子150a〜dは突出部130a〜dの底面における圧電デバイスの外側にのみ形成してもよい。この点を、図10を参照して説明する。図10は、圧電デバイス搭載基板700の断面図である。   In the piezoelectric device 100, the mounting terminals 150a to 150d are formed on the entire bottom surface of the protrusions 130a to 130d. However, the mounting terminals 150a to 150d may be formed only outside the piezoelectric device on the bottom surfaces of the protrusions 130a to 130d. This point will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view of the piezoelectric device mounting substrate 700.

圧電デバイス搭載基板700には圧電デバイス600が搭載される。圧電デバイス600の突出部130a〜dの底面には実装端子650a〜dが形成される。実装端子650a〜dは、−Z側から見て容器120の底面の外側に形成される。そして、突出部130a〜dにおける、容器120の底面の中心側には実装端子650a〜dが形成されない。また、圧電デバイス600の外側面となる突出部130a〜dの側面には、実装端子650a〜dに接続した突出部電極654a〜dが形成される。なお、突出部130a、b、実装端子650a、b及び突出部電極654a〜dは図10に図示されない。   A piezoelectric device 600 is mounted on the piezoelectric device mounting substrate 700. Mounting terminals 650 a to 650 d are formed on the bottom surfaces of the protruding portions 130 a to 130 d of the piezoelectric device 600. The mounting terminals 650a to 650d are formed outside the bottom surface of the container 120 when viewed from the −Z side. And mounting terminal 650a-d is not formed in the center part of the bottom face of container 120 in protrusion part 130a-d. Further, projecting portion electrodes 654a to 654d connected to the mounting terminals 650a to 650d are formed on the side surfaces of the projecting portions 130a to 130d which are the outer surfaces of the piezoelectric device 600. The protrusions 130a and 130b, the mounting terminals 650a and b, and the protrusion electrodes 654a to 654d are not shown in FIG.

このように、実装端子150a〜dは突出部130a〜dの底面における圧電デバイスの外側にのみ形成される。ここで、図10に示す通り、圧電デバイス600をハンダ632で基板210に実装した場合を考える。このとき、+Z側から見ると、ハンダ632は圧電デバイス600の外周側のみ配置され、圧電デバイス600の中心側に流れ込むことを回避できる。したがって、圧電デバイス600の容器120の−Z側に配置される温度センサー部品220aにまでハンダ632が流れ込む可能性を低減でき、短絡を防止できる。   As described above, the mounting terminals 150a to 150d are formed only outside the piezoelectric device on the bottom surfaces of the protrusions 130a to 130d. Here, a case where the piezoelectric device 600 is mounted on the substrate 210 with the solder 632 as shown in FIG. At this time, when viewed from the + Z side, the solder 632 is disposed only on the outer peripheral side of the piezoelectric device 600 and can be prevented from flowing into the center side of the piezoelectric device 600. Therefore, the possibility that the solder 632 flows into the temperature sensor component 220a arranged on the −Z side of the container 120 of the piezoelectric device 600 can be reduced, and a short circuit can be prevented.

また、圧電デバイス600の外側面となる突出部130a〜dの側面には、実装端子650a〜dに接続した突出部電極654a〜dが形成される。よって、圧電デバイス600をハンダ632で基板210に実装した場合、ハンダ632が突出部電極654a〜dを伝って這い上がり、ハンダのフィレットが形成される。したがって、圧電デバイス600が強固に基板210に接合される。なお、突出部電極654a〜dが無い場合でも、ハンダ632が側面電極152a〜dを伝って這い上がり、ハンダのフィレットが形成され、一定の強度で圧電デバイス600が基板210に接合される。   Further, projecting portion electrodes 654a to 654d connected to the mounting terminals 650a to 650d are formed on the side surfaces of the projecting portions 130a to 130d which are the outer surfaces of the piezoelectric device 600. Therefore, when the piezoelectric device 600 is mounted on the substrate 210 with the solder 632, the solder 632 crawls along the projecting portion electrodes 654a to 654d, and a solder fillet is formed. Accordingly, the piezoelectric device 600 is firmly bonded to the substrate 210. Even if there are no projecting portion electrodes 654a to 654d, the solder 632 crawls along the side electrodes 152a to 152d to form solder fillets, and the piezoelectric device 600 is bonded to the substrate 210 with a certain strength.

・圧電デバイス100の容器120の底面には電子部品が搭載されていない。しかし、容器120の底面にIC又はコンデンサ等の電子部品が搭載されていてもよい。この場合は、突出部130a〜dの高さ(Z方向の長さ)を高くすることで、容器120の底面の下方(−Z側)であって、突出部130a〜dの底面を含む平面の容器120の側に、温度センサー部品220aを配置可能な空間を確保できる。なお、容器120の底面に搭載するICに発振回路を形成した場合、圧電デバイス搭載基板200からは、当該発振回路についてのICを省略できる。   An electronic component is not mounted on the bottom surface of the container 120 of the piezoelectric device 100. However, an electronic component such as an IC or a capacitor may be mounted on the bottom surface of the container 120. In this case, by increasing the height (the length in the Z direction) of the protrusions 130a to 130d, a plane that is below the bottom surface (−Z side) of the container 120 and includes the bottom surfaces of the protrusions 130a to 130d. A space in which the temperature sensor component 220a can be disposed can be secured on the container 120 side. When an oscillation circuit is formed on an IC mounted on the bottom surface of the container 120, the IC for the oscillation circuit can be omitted from the piezoelectric device mounting substrate 200.

・圧電デバイス100を基板210に搭載し、さらに温度センサー部品220aを基板210に搭載して、温度センサー部品220aを圧電デバイス100と基板210との間に配置したときに、温度センサー部品220aの一部のみが、圧電デバイス100と基板210との間に来るように配置してもよい。すなわち、Z方向から見て、圧電デバイス100と、温度センサー部品220aの一部とが重なるように、温度センサー部品220aを配置してもよい。この場合でも基板210の面積を有効活用できる。   When the piezoelectric device 100 is mounted on the substrate 210, the temperature sensor component 220a is mounted on the substrate 210, and the temperature sensor component 220a is disposed between the piezoelectric device 100 and the substrate 210, one of the temperature sensor components 220a Only the portion may be disposed between the piezoelectric device 100 and the substrate 210. That is, the temperature sensor component 220a may be arranged so that the piezoelectric device 100 and a part of the temperature sensor component 220a overlap when viewed from the Z direction. Even in this case, the area of the substrate 210 can be effectively utilized.

・圧電デバイス100を基板210に搭載し、さらに温度センサー部品220aを基板210に搭載して、温度センサー部品220aを圧電デバイス100と基板210との間に配置したときに、圧電デバイス100と基板210との間には温度センサー部品220a以外の1つ以上の電子部品を配置して、当該電子部品を基板210に搭載してもよい。すなわち、Z方向から見て、圧電デバイス100と、温度センサー部品220a及び1つ以上の電子部品とが重なるように、温度センサー部品220a及び1つ以上の電子部品を配置してもよい。この場合でも基板210の面積を有効活用できる。   When the piezoelectric device 100 is mounted on the substrate 210, the temperature sensor component 220a is further mounted on the substrate 210, and the temperature sensor component 220a is disposed between the piezoelectric device 100 and the substrate 210, the piezoelectric device 100 and the substrate 210. One or more electronic components other than the temperature sensor component 220a may be arranged between the two and the electronic components may be mounted on the substrate 210. In other words, the temperature sensor component 220a and the one or more electronic components may be arranged so that the piezoelectric device 100 overlaps the temperature sensor component 220a and the one or more electronic components as viewed from the Z direction. Even in this case, the area of the substrate 210 can be effectively utilized.

・圧電デバイス100と基板210との間には温度センサー部品220aを配置した。しかし、圧電デバイス100と基板210との間には、温度センサー部品220a以外の電子部品、例えばIC又はコンデンサ等の電子部品を配置して基板210に搭載してもよい。この場合でも、Z方向から見て圧電デバイス100と当該電子部品とが重なるように配置できる。したがって、基板210の面積を有効活用できる。   A temperature sensor component 220 a is disposed between the piezoelectric device 100 and the substrate 210. However, an electronic component other than the temperature sensor component 220a, for example, an electronic component such as an IC or a capacitor, may be disposed between the piezoelectric device 100 and the substrate 210 and mounted on the substrate 210. Even in this case, the piezoelectric device 100 and the electronic component can be arranged so as to overlap each other when viewed from the Z direction. Therefore, the area of the substrate 210 can be effectively utilized.

・圧電デバイス100では、切欠き140a〜dに形成された側面電極152a〜dの少なくとも2つによって、励振電極162と、実装端子150a〜dの少なくとも2つとが導通される。しかし、例えば突出部130a〜dに貫通孔を形成し、当該貫通孔内に電極を形成して励振電極162と、実装端子150a〜dの少なくとも2つが導通されてもよい。この場合は切欠き140a〜dがなくてよい。   In the piezoelectric device 100, the excitation electrode 162 and at least two of the mounting terminals 150a to 150d are electrically connected by at least two of the side electrodes 152a to 152d formed in the notches 140a to 140d. However, for example, through holes may be formed in the protrusions 130a to 130d, electrodes may be formed in the through holes, and at least two of the excitation electrode 162 and the mounting terminals 150a to 150d may be electrically connected. In this case, the notches 140a to 140d may be omitted.

・圧電デバイス100に収容される水晶振動片160の一対の引出電極164は、一対の励振電極162から、同じ方向、例えば−Y方向に伸びるように形成されてもよい。この場合、水晶振動片160の−Y側の端部で、一方の引出電極164は+X側、他方の引出電極164は−X側に来るようにして、一対の引出電極164が短絡しないようにする。そして、水晶振動片160の−Y側の端部に一対の導電性接着剤166を塗布して、水晶振動片160を底面部122に接合する。   The pair of extraction electrodes 164 of the crystal vibrating piece 160 accommodated in the piezoelectric device 100 may be formed so as to extend from the pair of excitation electrodes 162 in the same direction, for example, the −Y direction. In this case, at one end of the crystal vibrating piece 160 on the −Y side, one extraction electrode 164 is positioned on the + X side and the other extraction electrode 164 is positioned on the −X side so that the pair of extraction electrodes 164 are not short-circuited. To do. Then, a pair of conductive adhesives 166 is applied to the −Y side end of the crystal vibrating piece 160 to bond the crystal vibrating piece 160 to the bottom surface portion 122.

・圧電デバイス100の容器120及び突出部130a〜dは、セラミック以外の材料、例えばガラスや水晶を用いてもよい。圧電デバイス100のリッド110も同様に金属以外の例えばガラスや水晶を用いてもよい。   The container 120 and the protrusions 130a to 130d of the piezoelectric device 100 may be made of a material other than ceramic, such as glass or quartz. Similarly, the lid 110 of the piezoelectric device 100 may use glass or quartz other than metal.

・圧電デバイス100は、容器120及びリッド110にガラス又は水晶を用いて次の構成にしてもよい。まず、水晶振動片と当該水晶振動片の外周を囲む枠部と、がある。当該水晶振動片と枠部とは連結部で連結されている。これらの水晶振動片、枠部及び連結部は水晶で一体に形成される。枠部の両方の主面には、ガラス又は水晶等で形成された一対の板状部材が接合される。枠部及び一対の板状部材で囲まれた領域に水晶振動片が密閉される。この枠部及び一対の板状部材が、リッド110及び容器120に相当する。そして、一方の板状部材における、枠部に接合した面の反対面に、突出部130a〜dが形成される。   The piezoelectric device 100 may be configured as follows using glass or quartz for the container 120 and the lid 110. First, there is a crystal vibrating piece and a frame portion surrounding the outer periphery of the crystal vibrating piece. The quartz crystal resonator element and the frame part are connected by a connecting part. These quartz crystal vibrating pieces, the frame portion, and the connecting portion are integrally formed of quartz. A pair of plate-like members formed of glass or quartz is joined to both main surfaces of the frame portion. The quartz crystal vibrating piece is sealed in a region surrounded by the frame portion and the pair of plate-like members. The frame portion and the pair of plate-like members correspond to the lid 110 and the container 120. And protrusion part 130a-d is formed in the opposite surface of the surface joined to the frame part in one plate-shaped member.

・水晶振動片160は矩形以外の形状、例えば音叉型の形状であってもよい。また圧電デバイス100には、水晶振動片160の代わりに、水晶以外の圧電材料、例えばタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム又は圧電セラミックを用いてもよい。また、圧電デバイス100に発振回路を搭載して、圧電デバイス100を圧電発振器として用いてもよい。また、必要に応じて圧電デバイス100の実装端子の数を増やしてもよい。また、圧電デバイス100はZ方向から見たときに矩形以外の形状、例えば円形又は楕円形等の形状でもよい。   The quartz crystal vibrating piece 160 may have a shape other than a rectangle, for example, a tuning fork shape. The piezoelectric device 100 may use a piezoelectric material other than quartz, for example, lithium tantalate, lithium niobate, or piezoelectric ceramic, instead of the quartz crystal vibrating piece 160. Further, an oscillation circuit may be mounted on the piezoelectric device 100, and the piezoelectric device 100 may be used as a piezoelectric oscillator. Moreover, you may increase the number of the mounting terminals of the piezoelectric device 100 as needed. The piezoelectric device 100 may have a shape other than a rectangle when viewed from the Z direction, for example, a shape such as a circle or an ellipse.

100、500、600 ... 圧電デバイス
110 ... リッド
120 ... 容器
122 ... 底面部
122S ... 底面部シート
124 ... 壁部
124S ... 壁部シート
130a〜d ... 突出部
130S ... 突出部シート
140a〜d ... 切欠き
150a〜d ... 実装端子
152a〜d ... 側面電極
160 ... 水晶振動片
162 ... 励振電極
164 ... 引出電極
166 ... 導電性接着剤
168 ... 接続電極
169 ... 導電路
200,700 ... 圧電デバイス搭載基板
210 ... 基板
220a ... 温度センサー部品
220b ... 電子部品
230 ... 配線パターン
232 ... ハンダ
300 ... ハイブリッドIC
310 ... リードフレーム
400 ... 圧電デバイス
430 ... 突出部
530a、b ... 突出部
632 ... ハンダ
650a ... 実装端子
HL10、HL11、HL20、HL30、HL31 ... 貫通孔
V10、V11、V20、V21、V30、V31 ... 仮想領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100, 500, 600 ... Piezoelectric device 110 ... Lid 120 ... Container 122 ... Bottom part 122S ... Bottom part sheet 124 ... Wall part 124S ... Wall part sheet 130a-d. .. Projection 130S ... Projection Sheet 140a-d ... Notch 150a-d ... Mounting Terminal 152a-d ... Side Electrode 160 ... Crystal Vibrating Piece 162 ... Excitation Electrode 164. .. Extraction electrode 166 ... Conductive adhesive 168 ... Connection electrode 169 ... Conductive path 200,700 ... Piezoelectric device mounting board 210 ... Board 220a ... Temperature sensor component 220b ... Electronic component 230 ... Wiring pattern 232 ... Solder 300 ... Hybrid IC
310 ... Lead frame 400 ... Piezoelectric device 430 ... Protruding part 530a, b ... Protruding part 632 ... Solder 650a ... Mounting terminal HL10, HL11, HL20, HL30, HL31 ... Through Hole V10, V11, V20, V21, V30, V31 ... Virtual region

Claims (16)

基板と、
容器と、前記容器の底面である容器底面から隆起し、絶縁性の材質で形成された突出部と、前記突出部の底面である突出部底面の少なくとも一部に形成された実装端子と、を有し、前記実装端子を前記基板に接合させて前記基板に搭載された圧電デバイスと、
少なくとも一部が前記容器と前記基板との間に配置されて前記基板に搭載された電子部品と、を有することを特徴とする圧電デバイス搭載基板。
A substrate,
A container, a protrusion protruding from the container bottom surface that is the bottom surface of the container and formed of an insulating material, and a mounting terminal formed on at least a part of the bottom surface of the protrusion that is the bottom surface of the protrusion. A piezoelectric device mounted on the substrate by bonding the mounting terminal to the substrate;
A piezoelectric device mounting substrate comprising: an electronic component mounted at least partially between the container and the substrate and mounted on the substrate.
前記容器底面が矩形の前記圧電デバイスが搭載された請求項1に記載の圧電デバイス搭載基板。   The piezoelectric device mounting substrate according to claim 1, wherein the piezoelectric device having a rectangular bottom surface is mounted. 前記突出部は前記容器底面の4角部に形成された前記圧電デバイスが搭載された請求項2に記載の圧電デバイス搭載基板。   The piezoelectric device mounting substrate according to claim 2, wherein the piezoelectric device formed at the four corners of the bottom surface of the container is mounted on the protruding portion. 前記突出部は前記容器底面の2辺に形成された前記圧電デバイスが搭載された請求項2に記載の圧電デバイス搭載基板。   The piezoelectric device mounting substrate according to claim 2, wherein the projecting portion is mounted with the piezoelectric device formed on two sides of the bottom surface of the container. 前記突出部は前記容器底面の4辺に形成された前記圧電デバイスが搭載された請求項2に記載の圧電デバイス搭載基板。   The piezoelectric device mounting substrate according to claim 2, wherein the protrusion is mounted with the piezoelectric device formed on four sides of the bottom surface of the container. 前記実装端子は前記突出部底面における前記圧電デバイスの外側に形成された前記圧電デバイスが搭載された請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の圧電デバイス搭載基板。   The piezoelectric device mounting substrate according to claim 1, wherein the mounting terminal is mounted with the piezoelectric device formed outside the piezoelectric device on the bottom surface of the protrusion. 前記電子部品は温度センサー部品である請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の圧電デバイス搭載基板を有する電子機器。   The electronic device having a piezoelectric device mounting substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein the electronic component is a temperature sensor component. 請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の圧電デバイス搭載基板を有するハイブリッドIC。   A hybrid IC comprising the piezoelectric device mounting substrate according to any one of claims 1 to 7. 請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の圧電デバイス搭載基板を有する電子機器。   An electronic apparatus comprising the piezoelectric device mounting substrate according to any one of claims 1 to 7. 容器と、前記容器の底面である容器底面から隆起し、絶縁性の材質で形成された突出部と、前記突出部の底面である突出部底面の少なくとも一部に形成された実装端子と、を有し、前記容器底面の下方であって、前記突出部底面を含む平面の前記容器底面の側に電子部品の少なくともの一部が配置可能な空間を有することを特徴とする圧電デバイス。   A container, a protrusion protruding from the container bottom surface that is the bottom surface of the container and formed of an insulating material, and a mounting terminal formed on at least a part of the bottom surface of the protrusion that is the bottom surface of the protrusion. And a space under which at least a part of the electronic component can be disposed on the side of the bottom surface of the container that is below the bottom surface of the container and includes the bottom surface of the projecting portion. 前記容器底面は、電子部品が搭載されておらず前記容器底面が露出した請求項10に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 10, wherein an electronic component is not mounted on the bottom surface of the container and the bottom surface of the container is exposed. 前記容器底面は矩形である請求項10又は請求項11に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 10 or 11, wherein the container bottom has a rectangular shape. 前記突出部は前記容器底面の4角部に形成された請求項12に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 12, wherein the protrusions are formed at four corners of the bottom surface of the container. 前記突出部は前記容器底面の2辺に形成された請求項12に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 12, wherein the protrusion is formed on two sides of the bottom surface of the container. 前記突出部は前記容器底面の4辺に形成された請求項12に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 12, wherein the protrusions are formed on four sides of the bottom surface of the container. 前記実装端子は前記突出部底面における前記圧電デバイスの外側に形成された請求項10ないし請求項15のいずれか1項に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 10, wherein the mounting terminal is formed outside the piezoelectric device on a bottom surface of the protrusion.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2023150162A (en) * 2022-03-31 2023-10-16 Tdk株式会社 composite electronic components
JP2024008759A (en) * 2022-07-08 2024-01-19 成都泰美克晶体技術有限公司 Packaging method of piezoelectric crystal sensor and piezoelectric crystal sensor

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