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JP2015078169A - Novel compound - Google Patents

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JP2015078169A
JP2015078169A JP2013265479A JP2013265479A JP2015078169A JP 2015078169 A JP2015078169 A JP 2015078169A JP 2013265479 A JP2013265479 A JP 2013265479A JP 2013265479 A JP2013265479 A JP 2013265479A JP 2015078169 A JP2015078169 A JP 2015078169A
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substituted
group
ring
carbon atoms
unsubstituted
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Pending
Application number
JP2013265479A
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Japanese (ja)
Inventor
圭 吉田
Kei Yoshida
圭 吉田
俊裕 岩隈
Toshihiro Iwakuma
俊裕 岩隈
亮平 橋本
Ryohei Hashimoto
亮平 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Kosan Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co Ltd
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compound which can contribute to lower voltage and higher efficiency of a phosphorescence emission type organic EL element.SOLUTION: A compound includes an azadibenzofuran structure and the like represented by the following formula (1) or an azadibenzothiophene structure and the like in the same molecule, where A is an oxygen atom, a sulfur atom, or C(R)(R), and Y-Yare independently CRor a nitrogen atom, with at least one of Y-Ybeing a nitrogen atom.

Description

本発明は、縮合芳香族環化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。   The present invention relates to a condensed aromatic ring compound and an organic electroluminescence device using the same.

有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子には、蛍光型及び燐光型があり、それぞれの発光メカニズムに応じ、最適な素子設計が検討されている。燐光型の有機EL素子については、その発光特性から、蛍光素子技術の単純な転用では高性能な素子が得られないことが知られている。その理由は、一般的に以下のように考えられている。
燐光発光は、三重項励起子を利用した発光であるため、発光層に用いる化合物のエネルギーギャップが大きい必要がある。これは、ある化合物のエネルギーギャップ(以下、一重項エネルギーともいう。)の値は、通常、その化合物の三重項エネルギー(本発明では、最低励起三重項状態と基底状態とのエネルギー差をいう。)の値よりも大きいためである。
Organic electroluminescence (EL) elements include a fluorescent type and a phosphorescent type, and an optimum element design has been studied according to each light emission mechanism. With respect to phosphorescent organic EL elements, it is known from their light emission characteristics that high-performance elements cannot be obtained by simple diversion of fluorescent element technology. The reason is generally considered as follows.
Since phosphorescent light emission is light emission using triplet excitons, the energy gap of the compound used for the light emitting layer needs to be large. This is because the value of the energy gap (hereinafter also referred to as singlet energy) of a compound usually refers to the triplet energy of the compound (in the present invention, the energy difference between the lowest excited triplet state and the ground state). This is because it is larger than the value of).

燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーを効率的に発光層内に閉じ込めるためには、まず、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーよりも大きい三重項エネルギーのホスト材料を発光層に用いなければならない。   In order to efficiently confine the triplet energy of the phosphorescent dopant material in the light emitting layer, a host material having a triplet energy larger than the triplet energy of the phosphorescent dopant material must first be used for the light emitting layer. .

有機EL素子の駆動電圧を低減するためには、電荷注入性もしくは電荷輸送性に優れる材料を用いる必要がある。しかし、このように電荷注入性、電荷輸送性に優れる材料を用いる場合、駆動電圧が低減する代わりに、発光層内の電荷バランスが悪化し、素子の短寿命化に繋がるケースがある。即ち素子の寿命を維持した上で、駆動電圧を低減する電荷輸送材料が必要となる。   In order to reduce the driving voltage of the organic EL element, it is necessary to use a material excellent in charge injection property or charge transport property. However, in the case of using such a material excellent in charge injection property and charge transport property, there is a case in which, instead of reducing the driving voltage, the charge balance in the light emitting layer is deteriorated and the life of the device is shortened. That is, a charge transport material that reduces the driving voltage while maintaining the lifetime of the element is required.

以上のような理由から、燐光型の有機EL素子の高性能化には、蛍光型の有機EL素子と異なる材料選択及び素子設計が必要になっている。
材料研究は鋭意行われており、いくつかの報告がなされている。
For the above reasons, material selection and device design different from those of the fluorescent organic EL device are required for improving the performance of the phosphorescent organic EL device.
Material research has been conducted intensively and several reports have been made.

特許文献1は、アザジベンゾフラン化合物及びアザジベンゾチオフェン化合物と、その合成方法を開示している。また、これら化合物は高い三重項エネルギーを維持し、かつ向上された電荷輸送特性をもたらすために、トリフェニレン基及び/又は窒素含有基(例えば、インドロカルバゾール)で置換されることを開示している。   Patent Document 1 discloses an azadibenzofuran compound and an azadibenzothiophene compound and a synthesis method thereof. They also disclose that these compounds are substituted with triphenylene groups and / or nitrogen-containing groups (eg, indolocarbazole) to maintain high triplet energy and provide improved charge transport properties. .

国際公開第2010−083359号パンフレットInternational Publication No. 2010-083359 Pamphlet

本発明の目的は、有機EL素子の低電圧化及び高効率化に寄与できる化合物を提供することである。   An object of the present invention is to provide a compound that can contribute to lower voltage and higher efficiency of an organic EL device.

本発明の一態様によれば、以下の化合物が提供される。
1.下記式(1)で表わされる構造と下記式(AA)又は(AB)で表わされる構造が同一分子内に含まれる化合物。

Figure 2015078169
(式(1)中、
Aは、酸素原子、硫黄原子、又はC(R1a)(R1b)である。
〜Yは、それぞれ独立して、CR又は窒素原子であり、Y〜Yの少なくとも1つは窒素原子である。
〜Yにおいて、隣接する炭素原子にそれぞれ結合する2つのRは、互いに結合して環を形成してもよい。
は、単結合、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
1a及びR1bは、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。)
Figure 2015078169
(式(AA)、(AB)中、
及びXは、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、NR、C(R)(R)、又は単結合であり、X及びXのいずれか一方は単結合である。
Rは、単結合、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
及びRは、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
、Z及びZは、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。) According to one aspect of the present invention, the following compounds are provided.
1. A compound in which the structure represented by the following formula (1) and the structure represented by the following formula (AA) or (AB) are contained in the same molecule.
Figure 2015078169
(In the formula (1),
A is an oxygen atom, a sulfur atom, or C (R 1a ) (R 1b ).
Y 1 to Y 8 are each independently CR 1 or a nitrogen atom, and at least one of Y 1 to Y 8 is a nitrogen atom.
In Y 1 to Y 8 , two R 1 bonded to adjacent carbon atoms may be bonded to each other to form a ring.
R 1 is a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring forming carbon number. A 6-30 aromatic hydrocarbon ring group, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5-30 ring atoms.
R 1a and R 1b are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, substituted or unsubstituted. These are aromatic hydrocarbon ring groups having 6 to 30 ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic groups having 5 to 30 ring atoms. )
Figure 2015078169
(In the formulas (AA) and (AB),
X b and X c are each independently an oxygen atom, a sulfur atom, NR, C (R a ) (R b ), or a single bond, and either one of X b and X c is a single bond. .
R is a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring carbon number 6 An aromatic hydrocarbon ring group of ˜30, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
R a and R b are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, substituted or unsubstituted. These are aromatic hydrocarbon ring groups having 6 to 30 ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic groups having 5 to 30 ring atoms.
Z 1 , Z 2 and Z 3 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic group having 5 to 30 ring atoms. Group heterocyclic group. )

本発明によれば、有機EL素子の低電圧化及び高効率化に寄与できる化合物が提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the compound which can contribute to the low voltage and high efficiency of an organic EL element can be provided.

本発明の一形態に係る有機EL素子の一実施形態の層構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the layer structure of one Embodiment of the organic EL element which concerns on one form of this invention.

本発明の一態様に係る化合物(以下、化合物1という。)は、下記式(1)で表わされる構造と下記式(AA)又は(AB)で表わされる構造を同一分子内に含む。

Figure 2015078169
(式(1)中、
Aは、酸素原子、硫黄原子、又はC(R1a)(R1b)である。
〜Yは、それぞれ独立して、CR又は窒素原子であり、Y〜Yの少なくとも1つは窒素原子である。
〜Yにおいて、隣接する炭素原子にそれぞれ結合する2つのRは、互いに結合して環を形成してもよい。
は、単結合、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
1a及びR1bは、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。)
Figure 2015078169
(式(AA)、(AB)中、
及びXは、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、NR、C(R)(R)、又は単結合であり、X及びXのいずれか一方は単結合である。
Rは、単結合、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
及びRは、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
、Z及びZは、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。) A compound according to one embodiment of the present invention (hereinafter referred to as compound 1) includes a structure represented by the following formula (1) and a structure represented by the following formula (AA) or (AB) in the same molecule.
Figure 2015078169
(In the formula (1),
A is an oxygen atom, a sulfur atom, or C (R 1a ) (R 1b ).
Y 1 to Y 8 are each independently CR 1 or a nitrogen atom, and at least one of Y 1 to Y 8 is a nitrogen atom.
In Y 1 to Y 8 , two R 1 bonded to adjacent carbon atoms may be bonded to each other to form a ring.
R 1 is a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring forming carbon number. A 6-30 aromatic hydrocarbon ring group, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5-30 ring atoms.
R 1a and R 1b are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, substituted or unsubstituted. These are aromatic hydrocarbon ring groups having 6 to 30 ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic groups having 5 to 30 ring atoms. )
Figure 2015078169
(In the formulas (AA) and (AB),
X b and X c are each independently an oxygen atom, a sulfur atom, NR, C (R a ) (R b ), or a single bond, and either one of X b and X c is a single bond. .
R is a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring carbon number 6 An aromatic hydrocarbon ring group of ˜30, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
R a and R b are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, substituted or unsubstituted. These are aromatic hydrocarbon ring groups having 6 to 30 ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic groups having 5 to 30 ring atoms.
Z 1 , Z 2 and Z 3 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic group having 5 to 30 ring atoms. Group heterocyclic group. )

化合物1は、電子輸送性に優れたアザ化縮合環と平面性が高いヘテロラダー環を同時に有するため、有機EL素子に適用した場合に低電圧化に寄与する。特に電子輸送層に適用すると低電圧化の効果が高い。
また、化合物1はヘテロラダー環に酸素原子又は硫黄原子を有するため、電子輸送性が高い。ヘテロラダー環の2つのヘテロ原子として窒素原子を含む場合、正孔注入・輸送性が高く、電子輸送能が相対的に低下する懸念がある。
さらに、化合物1はワイドギャップ材料であり、青燐光素子に用いた場合、三重項エネルギーを効率よく閉じ込め、高効率化効果が大きい。
Compound 1 contributes to lowering the voltage when applied to an organic EL device, since it has both an aza-condensed ring with excellent electron transporting properties and a hetero-ladder ring with high planarity. In particular, when applied to an electron transport layer, the effect of lowering the voltage is high.
Moreover, since the compound 1 has an oxygen atom or a sulfur atom in a hetero ladder ring, it has a high electron transport property. When a nitrogen atom is contained as two hetero atoms of the hetero ladder ring, there is a concern that the hole injection / transport property is high and the electron transport ability is relatively lowered.
Further, Compound 1 is a wide gap material, and when used in a blue phosphorescent element, triplet energy is efficiently confined and a high efficiency improvement effect is great.

化合物1において、式(1)で表わされる構造と式(AA)又は(AB)で表わされる構造は、直接又は他の構造を介して結合している。
式(1)で表わされる構造は、Rの単結合において式(AA)又は(AB)で表わされる構造等と結合する。
式(AA)又は(AB)で表わされる構造は、Rの単結合又はZ、Z又はZの置換位置のいずれかにおいて式(1)で表わされる構造等と結合する。
化合物1は、1分子内に式(1)で表わされる構造が2以上(例えば2又は3)含まれていてもよいし、式(AA)又は(AB)で表わされる構造が2以上(例えば2又は3)含まれていてもよい。好ましくは、1分子内に式(1)で表わされる構造を1つ又は2つ含み、式(AA)又は(AB)で表わされる構造を1つ又は2つ含む。
また、1分子内に式(AA)で表わされる構造と式(AB)で表わされる構造の両方が含まれていてもよい。
In the compound 1, the structure represented by the formula (1) and the structure represented by the formula (AA) or (AB) are bonded directly or via another structure.
The structure represented by the formula (1) is bonded to the structure represented by the formula (AA) or (AB) at the single bond of R 1 .
The structure represented by the formula (AA) or (AB) is bonded to the structure represented by the formula (1) or the like at a single bond of R or a substitution position of Z 1 , Z 2 or Z 3 .
Compound 1 may contain 2 or more (for example, 2 or 3) of the structure represented by the formula (1) in one molecule, or 2 or more of the structure represented by the formula (AA) or (AB) (for example, 2 or 3) may be included. Preferably, one or two structures represented by the formula (1) are included in one molecule, and one or two structures represented by the formula (AA) or (AB) are included.
Moreover, both the structure represented by Formula (AA) and the structure represented by Formula (AB) may be contained in one molecule.

式(1)で表わされる構造において、Aは好ましくは酸素原子又は硫黄原子である。
〜Yのうち、好ましくはY又はYが窒素原子である。
〜Yのうち、好ましくはY、Y、Y、Yのいずれか1つ以上がCR(Rは単結合)であり、即ち、他の構造との結合に用いられる。
In the structure represented by the formula (1), A is preferably an oxygen atom or a sulfur atom.
Of Y 1 to Y 8, preferably Y 1 or Y 8 is a nitrogen atom.
Among Y 1 to Y 8 , any one or more of Y 2 , Y 4 , Y 5 , and Y 7 is preferably CR 1 (R 1 is a single bond), that is, used for binding to another structure. It is done.

式(AA)、(AB)で表わされる構造において、X、Xは、単結合でない場合、好ましくは酸素原子、硫黄原子、NRである。また、NRである場合、Rは好ましくは単結合である。 In the structures represented by the formulas (AA) and (AB), X b and X c are preferably an oxygen atom, a sulfur atom or NR when not a single bond. When it is NR, R is preferably a single bond.

化合物1は、好ましくは下記式(A−a)〜(A−e)のいずれかで表わされる。

Figure 2015078169
(式(A−a)、(A−b)、(A−c)、(A−d)及び(A−e)中、
は、前記式(1)で表わされる構造である。
Laは、単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
及びXは、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、NR、又はC(R2a)(R2b)である。但し、X及びXのいずれか一方は酸素原子又は硫黄原子である。
11〜Y20は、それぞれ独立して、CR又は窒素原子である。
及びRは、それぞれ独立して、単結合、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
11〜Y20において、隣接する炭素原子にそれぞれ結合する2つのRは、互いに結合して環を形成してもよい。
2a及びR2bは、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
Laが単結合でない場合、Laは2価の基であり、X〜X及びY11〜Y20のいずれか、並びにY〜Yのいずれかと結合する。) The compound 1 is preferably represented by any of the following formulas (Aa) to (Ae).
Figure 2015078169
(In the formulas (A-a), (A-b), (A-c), (A-d) and (A-e),
L 1 is a structure represented by the formula (1).
La is a single bond, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
X 1 and X 2 are each independently an oxygen atom, a sulfur atom, NR 2 , or C (R 2a ) (R 2b ). However, one of X 1 and X 2 is an oxygen atom or a sulfur atom.
Y 11 to Y 20 are each independently CR 3 or a nitrogen atom.
R 2 and R 3 are each independently a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, substituted Alternatively, it is an unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
In Y 11 to Y 20 , two R 3 bonded to adjacent carbon atoms may be bonded to each other to form a ring.
R 2a and R 2b are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, substituted or unsubstituted. These are aromatic hydrocarbon ring groups having 6 to 30 ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic groups having 5 to 30 ring atoms.
When La is not a single bond, La is a divalent group and is bonded to any one of X 1 to X 2 and Y 11 to Y 20 and any one of Y 1 to Y 8 . )

式(A−a)〜(A−e)において、X及びXの一方がNRであり、他方が酸素原子又は硫黄原子であると好ましい。
また、式(A−a)〜(A−e)において、X及びXがそれぞれ独立して、酸素原子又は硫黄原子であると好ましい。
Laは、好ましくは単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜18の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜20の芳香族複素環基である。
In the formulas (Aa) to (Ae), it is preferable that one of X 1 and X 2 is NR 2 and the other is an oxygen atom or a sulfur atom.
In formulas (Aa) to (Ae), X 1 and X 2 are each independently preferably an oxygen atom or a sulfur atom.
La is preferably a single bond, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 18 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 20 ring atoms.

上記化合物は、好ましくは下記式(B)で表わされる。

Figure 2015078169
(式(B)中、Xは酸素原子又は硫黄原子であり、Y11〜Y20、La及びLは、前記式(A−a)と同じである。) The above compound is preferably represented by the following formula (B).
Figure 2015078169
(In the formula (B), X 1 is an oxygen atom or a sulfur atom, Y 11 to Y 20, La and L 1 are the same as those in the formula (A-a).)

上記化合物は、好ましくは下記式(C)で表わされる。

Figure 2015078169
(式(C)中、X、X、Y11〜Y16、Y18〜Y20、La及びLは、前記式(A−a)と同じである。) The above compound is preferably represented by the following formula (C).
Figure 2015078169
(In the formula (C), X 1 , X 2 , Y 11 to Y 16 , Y 18 to Y 20 , La and L 1 are the same as the above formula (Aa).)

式(A−a)〜(A−e)、(B)、(C)において、好ましくは、Lは下記式(2)で表わされる。

Figure 2015078169
(式(2)中、
Aは酸素原子又は硫黄原子である。
21〜Y26及びY28は、それぞれ独立して、CR21又は窒素原子であり、Y21〜Y26及びY28の少なくとも1つは窒素原子である。
21は、単結合、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
21が複数存在する場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
*は、Laとの結合位置を示す。)
21〜Y26及びY28のうち、好ましくはY21が窒素原子である。 In the formulas (Aa) to (Ae), (B), and (C), L 1 is preferably represented by the following formula (2).
Figure 2015078169
(In the formula (2),
A is an oxygen atom or a sulfur atom.
Y 21 to Y 26 and Y 28 are each independently CR 21 or a nitrogen atom, and at least one of Y 21 to Y 26 and Y 28 is a nitrogen atom.
R 21 represents a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring forming carbon number. A 6-30 aromatic hydrocarbon ring group, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5-30 ring atoms.
When a plurality of R 21 are present, they may be the same or different.
* Indicates a binding position with La. )
Of Y 21 to Y 26 and Y 28 , Y 21 is preferably a nitrogen atom.

本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物(例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物)の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が6であり、ナフタレン環は環形成炭素数が10であり、ピリジニル基は環形成炭素数5であり、フラニル基は環形成炭素数4である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合(スピロフルオレン環を含む)、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。   In this specification, the number of ring-forming carbon atoms constitutes the ring itself of a compound having a structure in which atoms are bonded cyclically (for example, a monocyclic compound, a condensed ring compound, a bridged compound, a carbocyclic compound, or a heterocyclic compound). Represents the number of carbon atoms in the atom. When the ring is substituted with a substituent, the carbon contained in the substituent is not included in the number of ring-forming carbons. The “ring-forming carbon number” described below is the same unless otherwise specified. For example, the benzene ring has 6 ring carbon atoms, the naphthalene ring has 10 ring carbon atoms, the pyridinyl group has 5 ring carbon atoms, and the furanyl group has 4 ring carbon atoms. Further, when an alkyl group is substituted as a substituent on the benzene ring or naphthalene ring, the carbon number of the alkyl group is not included in the number of ring-forming carbons. In addition, for example, when a fluorene ring is bonded to the fluorene ring as a substituent (including a spirofluorene ring), the carbon number of the fluorene ring as a substituent is not included in the number of ring-forming carbons.

本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造(例えば単環、縮合環、環集合)の化合物(例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物)の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子(例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子)や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は環形成原子数が6であり、キナゾリン環は環形成原子数が10であり、フラン環の環形成原子数が5である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合(スピロフルオレン環を含む)、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。   In this specification, the number of ring-forming atoms means a compound (for example, a monocyclic compound, a condensed ring compound, a bridging compound, a carbocyclic compound, a heterocycle) having a structure in which atoms are bonded in a cyclic manner (for example, a monocyclic ring, a condensed ring, or a ring assembly) Of the ring compound) represents the number of atoms constituting the ring itself. An atom that does not constitute a ring (for example, a hydrogen atom that terminates a bond of an atom that constitutes a ring) or an atom contained in a substituent when the ring is substituted by a substituent is not included in the number of ring-forming atoms. The “number of ring-forming atoms” described below is the same unless otherwise specified. For example, the pyridine ring has 6 ring atoms, the quinazoline ring has 10 ring atoms, and the furan ring has 5 ring atoms. A hydrogen atom bonded to a carbon atom of a pyridine ring or a quinazoline ring or an atom constituting a substituent is not included in the number of ring-forming atoms. Further, when, for example, a fluorene ring is bonded to the fluorene ring as a substituent (including a spirofluorene ring), the number of atoms of the fluorene ring as a substituent is not included in the number of ring-forming atoms.

本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数XX〜YYのZZ基」という表現における「炭素数XX〜YY」は、ZZ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。ここで、「YY」は「XX」よりも大きく、「XX」と「YY」はそれぞれ1以上の整数を意味する。
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数XX〜YYのZZ基」という表現における「原子数XX〜YY」は、ZZ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。ここで、「YY」は「XX」よりも大きく、「XX」と「YY」はそれぞれ1以上の整数を意味する。
In the present specification, the “carbon number XX to YY” in the expression “substituted or unsubstituted ZZ group having XX to YY” represents the number of carbon atoms in the case where the ZZ group is unsubstituted. The carbon number of the substituent in the case where it is present is not included. Here, “YY” is larger than “XX”, and “XX” and “YY” each mean an integer of 1 or more.
In the present specification, “atom number XX to YY” in the expression “a ZZ group having a substituted or unsubstituted atom number XX to YY” represents the number of atoms when the ZZ group is unsubstituted, In this case, the number of substituent atoms is not included. Here, “YY” is larger than “XX”, and “XX” and “YY” each mean an integer of 1 or more.

また、「置換若しくは無置換の・・・」における置換基としては、特記しない限り、後述するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、芳香族複素環基、シアノ基、フッ素原子、パーフルオロアルキル基(例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基)等が挙げられる。
これらの置換基には、上記の置換基によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
In addition, as a substituent in “substituted or unsubstituted...”, Unless otherwise specified, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aromatic heterocyclic group, a cyano group, a fluorine atom, a perfluoroalkyl group, which will be described later. (For example, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group) and the like.
These substituents may be further substituted with the above substituents. A plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.
The term “unsubstituted” in the case of “substituted or unsubstituted” means that a hydrogen atom is bonded without being substituted with the substituent.

本発明において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素(protium)、重水素(deuterium)及び三重水素(tritium)を包含する。   In the present invention, the hydrogen atom includes isotopes having different numbers of neutrons, that is, light hydrogen (protium), deuterium (deuterium) and tritium (tritium).

上記化合物における各基及び「置換若しくは無置換の・・・」における各置換基について、以下に詳細に述べる。   Each group in the above compound and each substituent in “substituted or unsubstituted...” Will be described in detail below.

芳香族炭化水素環基(アリ−ル基)の具体例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ[c]フェナントリル基、ベンゾ[g]クリセニル基、ベンゾアントリル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、9,9−ジメチルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられ、好ましくはフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基である。
置換基を有する芳香族炭化水素基としては、トリル基、キシリル基、9,9−ジメチルフルオレニル基等が挙げられる。
具体例が示すように、アリール基は、縮合アリール基及び非縮合アリール基の両方を含む。
Specific examples of the aromatic hydrocarbon ring group (aryl group) include phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, phenanthryl group, pyrenyl group, chrysenyl group, benzo [c] phenanthryl group, benzo [g] Examples include chrycenyl group, benzoanthryl group, triphenylenyl group, fluorenyl group, 9,9-dimethylfluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, biphenyl group, terphenyl group, and fluoranthenyl group. And preferably a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a triphenylenyl group, or a fluorenyl group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group having a substituent include a tolyl group, a xylyl group, and a 9,9-dimethylfluorenyl group.
As specific examples indicate, aryl groups include both fused and non-fused aryl groups.

芳香族複素環基(ヘテロアリール基、ヘテロ芳香族環基、複素環基)の具体例としては、ピロリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピリジル基、トリアジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾ[1,2−a]ピリジニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、ナフチリジニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、ベンズオキサゾリル基、チエニル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンズチアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基等が挙げられ、好ましくは、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基である。   Specific examples of the aromatic heterocyclic group (heteroaryl group, heteroaromatic ring group, heterocyclic group) include pyrrolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, pyridyl group, triazinyl group, indolyl group, Isoindolyl group, imidazolyl group, benzimidazolyl group, indazolyl group, imidazo [1,2-a] pyridinyl group, furyl group, benzofuranyl group, isobenzofuranyl group, dibenzofuranyl group, azadibenzofuranyl group, thiophenyl group, Benzothiophenyl group, dibenzothiophenyl group, azadibenzothiophenyl group, quinolyl group, isoquinolyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, naphthyridinyl group, carbazolyl group, azacarbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl Group, fe Examples include a dinyl group, a phenothiazinyl group, a phenoxazinyl group, an oxazolyl group, an oxadiazolyl group, a furanyl group, a benzoxazolyl group, a thienyl group, a thiazolyl group, a thiadiazolyl group, a benzthiazolyl group, a triazolyl group, and a tetrazolyl group. A dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, a carbazolyl group, a pyridyl group, an azadibenzofuranyl group, and an azadibenzothiophenyl group;

上記カルバゾリル基は以下の構造も含む。

Figure 2015078169
The carbazolyl group also includes the following structure.
Figure 2015078169

上記アザカルバゾリル基は、例えば2〜5個の窒素原子を含むアザカルバゾリル基であり、下記アザカルバゾールから誘導される1価の基が挙げられる。結合手はいずれの窒素原子、いずれの炭素原子上に存在していてもよく、また、いずれの窒素原子、いずれの炭素原子も置換されていてもよい。   The azacarbazolyl group is, for example, an azacarbazolyl group containing 2 to 5 nitrogen atoms, and examples thereof include monovalent groups derived from the following azacarbazole. The bond may be present on any nitrogen atom or any carbon atom, and any nitrogen atom or any carbon atom may be substituted.

アルキル基としては、直鎖状、分岐状及び環状のアルキル基がある。直鎖状及び分岐状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基が挙げられ、さらに好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基である。   Examples of the alkyl group include linear, branched and cyclic alkyl groups. Examples of linear and branched alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, n-pentyl, and n-hexyl. Group, n-heptyl group, n-octyl group and the like, preferably methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group and tert-butyl group. More preferred are methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group and t-butyl group.

シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基等が挙げられる。好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基である。   Examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a 1-adamantyl group, a 2-adamantyl group, a 1-norbornyl group, and a 2-norbornyl group. Preferred are a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

化合物1の具体例を以下に示す。尚、化合物1は下記具体例に限定されない。

Figure 2015078169
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Specific examples of Compound 1 are shown below. Compound 1 is not limited to the following specific examples.
Figure 2015078169
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本発明の一形態に係る化合物は、有機EL素子の材料として用いることができ、有機EL素子の発光層の材料として好適に用いることができ、青色燐光発光層のホスト材料として特に好適に用いることができる。
これは、本発明の一形態に係る化合物は、三重項エネルギーが十分に大きいため、青色の燐光発光性ドーパント材料を使用しても、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーを効率的に発光層内に閉じ込めることができるからである。
また、本発明の一形態に係る化合物は、青色発光層に限らず、より長波長の光(緑〜赤色等)の発光層にも使用できる。
The compound according to one embodiment of the present invention can be used as a material for an organic EL element, can be preferably used as a material for a light-emitting layer of an organic EL element, and is particularly preferably used as a host material for a blue phosphorescent light-emitting layer. Can do.
This is because the triplet energy of the compound according to one embodiment of the present invention is sufficiently large, so that even when a blue phosphorescent dopant material is used, the triplet energy of the phosphorescent dopant material is efficiently emitted. This is because it can be confined inside.
Further, the compound according to one embodiment of the present invention can be used not only for a blue light emitting layer but also for a light emitting layer of longer wavelength light (such as green to red).

[有機EL素子]
本発明の一形態に係る有機EL素子は、陰極と陽極の間に発光層を含有する有機薄膜層を有し、この有機薄膜層のうちの少なくとも1層が本発明の一形態に係る化合物を含む。これにより、有機EL素子の低電圧駆動が可能となる。
有機薄膜層の例としては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、スペース層、及び障壁層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
[Organic EL device]
An organic EL device according to one embodiment of the present invention has an organic thin film layer containing a light emitting layer between a cathode and an anode, and at least one of the organic thin film layers contains a compound according to one embodiment of the present invention. Including. Thereby, the organic EL element can be driven at a low voltage.
Examples of the organic thin film layer include, but are not limited to, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a space layer, and a barrier layer.

図1は、本発明の一形態に係る有機EL素子の一実施形態の層構成を示す概略図である。
有機EL素子1は、基板10上に、陽極20、正孔輸送帯域30、発光層40、電子輸送帯域50及び陰極60を、この順で積層した構成を有する。
正孔輸送帯域30は、陽極20と発光層40に挟まれた層をいい、例えば正孔輸送層、正孔注入層、電子障壁層等を意味する。同様に、電子輸送帯域50は、陰極60と発光層40に挟まれた層をいい、例えば電子輸送層、電子注入層、正孔障壁層等を意味する。
障壁層は、電子や正孔を発光層40に閉じ込めて、発光層40における励起子の生成確率を高めることができる。これらは形成しなくともよいが、好ましくは1層以上形成する。この素子において有機薄膜層は、正孔輸送帯域30に設けられる各有機層、発光層40及び電子輸送帯域50に設けられる各有機層である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a layer configuration of an embodiment of an organic EL element according to an embodiment of the present invention.
The organic EL element 1 has a configuration in which an anode 20, a hole transport zone 30, a light emitting layer 40, an electron transport zone 50, and a cathode 60 are laminated on a substrate 10 in this order.
The hole transport zone 30 refers to a layer sandwiched between the anode 20 and the light emitting layer 40 and means, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron barrier layer, or the like. Similarly, the electron transport zone 50 refers to a layer sandwiched between the cathode 60 and the light emitting layer 40 and means, for example, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole barrier layer, or the like.
The barrier layer can confine electrons and holes in the light emitting layer 40 and increase the probability of exciton generation in the light emitting layer 40. These need not be formed, but preferably one or more layers are formed. In this element, the organic thin film layer is each organic layer provided in the hole transport zone 30, each light emitting layer 40, and each organic layer provided in the electron transport zone 50.

以下、各層の材料等について説明するが、各層の材料は下記材料に限定されず、公知の材料等を使用できる。
[発光層]
本発明の一形態に係る化合物を含む発光層は、好ましくは燐光ドーパント(燐光発光性材料)を含有する。
上記燐光ドーパントとしては、金属錯体化合物が挙げられ、好ましくはIr,Pt,Os,Au,Cu,Re及びRuから選択される金属原子と、配位子とを有する化合物である。配位子は、オルトメタル結合を有すると好ましい。
燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、燐光ドーパントは、Ir,Os及びPtから選ばれる金属原子を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体及び白金錯体がより好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が最も好ましい。
ドーパントは、1種単独でも、2種以上の混合物でもよい。
Hereinafter, although the material of each layer is demonstrated, the material of each layer is not limited to the following material, A well-known material etc. can be used.
[Light emitting layer]
The light emitting layer containing the compound according to one embodiment of the present invention preferably contains a phosphorescent dopant (phosphorescent material).
Examples of the phosphorescent dopant include metal complex compounds, preferably a compound having a metal atom selected from Ir, Pt, Os, Au, Cu, Re and Ru and a ligand. The ligand preferably has an ortho metal bond.
The phosphorescent dopant is preferably a compound containing a metal atom selected from Ir, Os and Pt in that the phosphorescent quantum yield is high and the external quantum efficiency of the light-emitting element can be further improved, and an iridium complex, It is more preferable that it is a metal complex such as an osmium complex and a platinum complex, among which an iridium complex and a platinum complex are more preferable, and an orthometalated iridium complex is most preferable.
The dopant may be a single type or a mixture of two or more types.

発光層における燐光ドーパントの添加濃度は特に限定されるものではないが、好ましくは0.1〜30質量%、より好ましくは0.1〜20質量%である。   Although the addition density | concentration of the phosphorescence dopant in a light emitting layer is not specifically limited, Preferably it is 0.1-30 mass%, More preferably, it is 0.1-20 mass%.

発光層は、ダブルホスト(ホスト・コホストともいう)としてもよい。具体的に、発光層において電子輸送性のホストと正孔輸送性のホストを組み合わせることで、発光層内のキャリアバランスを調整してもよい。
また、ダブルドーパントとしてもよい。発光層において、量子収率の高いドーパント材料を2種類以上入れることによって、それぞれのドーパントが発光する。例えば、ホストと赤色ドーパント、緑色のドーパントを共蒸着することによって、黄色の発光層を実現することがある。
The light emitting layer may be a double host (also referred to as a host / cohost). Specifically, the carrier balance in the light emitting layer may be adjusted by combining an electron transporting host and a hole transporting host in the light emitting layer.
Moreover, it is good also as a double dopant. In the light emitting layer, each dopant emits light by adding two or more dopant materials having a high quantum yield. For example, a yellow light emitting layer may be realized by co-evaporating a host, a red dopant, and a green dopant.

発光層は単層でもよく、また、積層構造でもよい。発光層を積層させると、発光層界面に電子と正孔を蓄積させることによって再結合領域を発光層界面に集中させることができる。これによって、量子効率を向上させることができる。   The light emitting layer may be a single layer or a laminated structure. When the light emitting layer is stacked, the recombination region can be concentrated on the light emitting layer interface by accumulating electrons and holes at the light emitting layer interface. Thereby, quantum efficiency can be improved.

[阻止層]
発光層に隣接する層に本発明の一形態に係る化合物を使用することも好ましい。
例えば、図1の素子の正孔輸送帯域30において発光層40に隣接するように、本発明の材料を含有する層(陽極側隣接層)を形成した場合、該層は電子障壁層としての機能や励起子阻止層としての機能を有する。
電子輸送帯域50において発光層40に隣接するように本発明の一形態に係る化合物を含有する層(陰極側隣接層)を形成した場合、該層は正孔障壁層としての機能や励起子阻止層としての機能できる。
[Blocking layer]
It is also preferable to use the compound according to one embodiment of the present invention for a layer adjacent to the light emitting layer.
For example, when a layer containing the material of the present invention (anode side adjacent layer) is formed so as to be adjacent to the light emitting layer 40 in the hole transport zone 30 of the device of FIG. 1, the layer functions as an electron barrier layer. And functions as an exciton blocking layer.
When a layer containing a compound according to an embodiment of the present invention (cathode side adjacent layer) is formed adjacent to the light emitting layer 40 in the electron transport zone 50, the layer functions as a hole barrier layer or exciton blocking. Can function as a layer.

上記障壁層(阻止層)とは、キャリアの移動障壁、又は励起子の拡散障壁の機能を有する層である。発光層から正孔輸送帯域へ電子が漏れることを防ぐための有機層を主に電子障壁層と定義でき、発光層から電子輸送帯域へ正孔が漏れることを防ぐための有機層を正孔障壁層と定義できる。また、発光層で生成された三重項励起子が、三重項エネルギーが発光層よりも低い準位を有する周辺層へ拡散することを防止するための有機層を励起子阻止層(トリプレット障壁層)と定義する場合がある。
また、本発明の一形態に係る化合物を発光層40に隣接する層に用い,かつさらにその隣接する層に接合する他の有機薄膜層に用いてもよい。
加えて、発光層を2層以上形成する場合、本発明の一形態に係る化合物は、発光層間に形成するスペース層材料としても好適に用いることができる。
The barrier layer (blocking layer) is a layer having a function of a carrier movement barrier or an exciton diffusion barrier. The organic layer for preventing electrons from leaking from the light-emitting layer to the hole transport zone can be defined mainly as an electron barrier layer, and the organic layer for preventing holes from leaking from the light-emitting layer to the electron transport zone is defined as a hole barrier. Can be defined as a layer. In addition, an exciton blocking layer (triplet barrier layer) is an organic layer for preventing triplet excitons generated in the light emitting layer from diffusing into a peripheral layer having triplet energy lower than that of the light emitting layer. May be defined.
Further, the compound according to one embodiment of the present invention may be used for a layer adjacent to the light emitting layer 40 and further used for another organic thin film layer bonded to the adjacent layer.
In addition, when two or more light-emitting layers are formed, the compound according to one embodiment of the present invention can be preferably used as a space layer material formed between the light-emitting layers.

[電子注入層]
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム(Li)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)、リチウム酸化物(LiOx)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。
[Electron injection layer]
The electron injection layer is a layer containing a substance having a high electron injection property. The electron injection layer includes an alkali metal such as lithium (Li), lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), calcium fluoride (CaF 2 ), lithium oxide (LiOx), or an alkaline earth metal. Or compounds thereof.

[電子輸送層]
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、2)イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、3)高分子化合物を使用することができる。
[Electron transport layer]
The electron transport layer is a layer containing a substance having a high electron transport property. For the electron transport layer, 1) metal complexes such as aluminum complexes, beryllium complexes, and zinc complexes, 2) heteroaromatic compounds such as imidazole derivatives, benzimidazole derivatives, azine derivatives, carbazole derivatives, and phenanthroline derivatives, and 3) polymer compounds Can be used.

[正孔注入層]
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、芳香族アミン化合物、又は高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)等も使用できる。
[Hole injection layer]
The hole injection layer is a layer containing a substance having a high hole injection property. Substances with high hole injection properties include molybdenum oxide, titanium oxide, vanadium oxide, rhenium oxide, ruthenium oxide, chromium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, silver oxide, Tungsten oxide, manganese oxide, aromatic amine compound, or high molecular compound (oligomer, dendrimer, polymer, etc.) can also be used.

[正孔輸送層]
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用することができる。ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いることもできる。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。尚、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が2層以上積層したものとしてもよい。
[Hole transport layer]
The hole transport layer is a layer containing a substance having a high hole transport property. An aromatic amine compound, a carbazole derivative, an anthracene derivative, or the like can be used for the hole transport layer. A high molecular compound such as poly (N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK) or poly (4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA) can also be used. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Note that the layer containing a substance having a high hole-transport property is not limited to a single layer, and two or more layers containing the above substances may be stacked.

[基板]
基板は、発光素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる(フレキシブル)基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。
[substrate]
The substrate is used as a support for the light emitting element. For example, glass, quartz, plastic, or the like can be used as the substrate. Further, a flexible substrate may be used. The flexible substrate is a substrate that can be bent (flexible), and examples thereof include a plastic substrate made of polycarbonate or polyvinyl chloride.

[陽極]
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金(Au)、白金(Pt)、又は金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
[anode]
For the anode formed on the substrate, it is preferable to use a metal, an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like having a high work function (specifically, 4.0 eV or more). Specifically, for example, indium oxide-tin oxide (ITO: Indium Tin Oxide), indium oxide-tin oxide containing silicon or silicon oxide, indium oxide-zinc oxide, tungsten oxide, and indium oxide containing zinc oxide. And graphene. In addition, gold (Au), platinum (Pt), a nitride of a metal material (for example, titanium nitride), or the like can be given.

[陰極]
陰極には、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族又は第2族に属する元素、即ちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、及びマグネシウム(Mg)等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
[cathode]
For the cathode, it is preferable to use a metal, an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like having a small work function (specifically, 3.8 eV or less). Specific examples of such cathode materials include elements belonging to Group 1 or Group 2 of the Periodic Table of Elements, that is, alkali metals such as lithium (Li) and cesium (Cs), and alkaline earth such as magnesium (Mg). And other rare earth metals such as alloys, alloys containing them (for example, MgAg, AlLi), and alloys containing these.

本発明の有機EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法等の公知の方法を適用することができる。   For the formation of each layer of the organic EL device of the present invention, a known method such as a dry film forming method such as vacuum deposition, sputtering, plasma, or ion plating, or a wet film forming method such as spin coating, dipping, or flow coating is applied. be able to.

各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は5nm〜10μmの範囲が適しているが、10nm〜0.2μmの範囲がさらに好ましい。   The thickness of each layer is not particularly limited, but must be set to an appropriate thickness. If the film thickness is too thick, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, resulting in poor efficiency. If the film thickness is too thin, pinholes and the like are generated, and sufficient light emission luminance cannot be obtained even when an electric field is applied. The normal film thickness is suitably in the range of 5 nm to 10 μm, but more preferably in the range of 10 nm to 0.2 μm.

上記の有機EL素子は、様々な電子機器に使用でき、例えば壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の化合物は、有機EL素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。   The organic EL element can be used in various electronic devices, for example, a flat light emitter such as a flat panel display of a wall-mounted television, a light source such as a copying machine, a printer, a backlight of a liquid crystal display or an instrument, a display board, a marker lamp Can be used for etc. Moreover, the compound of this invention can be used not only in an organic EL element but in fields, such as an electrophotographic photoreceptor, a photoelectric conversion element, a solar cell, an image sensor.

実施例1[化合物Aの合成]
(1)中間体Bの合成

Figure 2015078169
アルゴン雰囲気下、国際公開第2009−148015号パンフレットに記載の方法で合成した中間体A2.57g(10mmol)、国際公開第2009−008100号パンフレットに記載の方法で合成した2,8−ジブロモジベンゾフラン3.26g(10mmol)、ヨウ化銅1.9g(10mmol)、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン1.1g(10mmol)、リン酸三カリウム4.2g(20mmol)を脱水1,4−ジオキサン30mlに加えて、48時間加熱還流撹拌した。反応溶液を減圧下で濃縮して得られた残渣に、トルエン100mlを加えて120℃に加熱し、不溶物を濾別した。濾液を減圧下で濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/トルエン=3/1)で精製することにより、中間体B1.75g(収率35%)を白色固体として得た。 Example 1 [Synthesis of Compound A]
(1) Synthesis of intermediate B
Figure 2015078169
Intermediate A2.57 g (10 mmol) synthesized by the method described in WO2009-148015 pamphlet under argon atmosphere, 2,8-dibromodibenzofuran 3 synthesized by the method described in WO2009-008100 pamphlet .26 g (10 mmol), copper iodide 1.9 g (10 mmol), trans-1,2-cyclohexanediamine 1.1 g (10 mmol), tripotassium phosphate 4.2 g (20 mmol) in dehydrated 1,4-dioxane 30 ml In addition, the mixture was heated to reflux with stirring for 48 hours. To the residue obtained by concentrating the reaction solution under reduced pressure, 100 ml of toluene was added and heated to 120 ° C., and insoluble matters were filtered off. The residue obtained by concentrating the filtrate under reduced pressure was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: hexane / toluene = 3/1) to obtain 1.75 g of intermediate B (yield 35%) as a white solid. Obtained.

(2)化合物Aの合成

Figure 2015078169
アルゴン雰囲気下、中間体B1.51g(3mmol)、国際公開第2013−038650号パンフレットに記載の方法で合成した中間体C1.18g(4mmol)、Pd(PPh0.1g(0.09mmol)、2MNaCO水溶液5mlを1,2−ジメトキシエタン(DME)20mlに加えて、加熱還流条件で36時間撹拌した。室温に戻したのち、酢酸エチル200mlを加えて有機相を分取した後、溶媒を減圧下で留去した。得られた残渣をジクロロメタンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/ジクロロメタン=1/1)で精製することにより、化合物Aを白色固体として1.33g(収率75%)得た。 (2) Synthesis of Compound A
Figure 2015078169
Under an argon atmosphere, Intermediate B 1.51 g (3 mmol), Intermediate C 1.18 g (4 mmol) synthesized by the method described in International Publication No. 2013-038650, Pd (PPh 3 ) 4 0.1 g (0.09 mmol) ) 5 ml of 2M Na 2 CO 3 aqueous solution was added to 20 ml of 1,2-dimethoxyethane (DME), and the mixture was stirred for 36 hours under heating and reflux conditions. After returning to room temperature, 200 ml of ethyl acetate was added to separate the organic phase, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. The obtained residue was dissolved in dichloromethane and purified by silica gel column chromatography (developing solvent: hexane / dichloromethane = 1/1) to obtain 1.33 g (yield 75%) of compound A as a white solid.

FD−MS分析の結果、分子量590に対してm/e=590であった。
H−NMRの分析結果を以下に示す。
H−NMR(400MHz、DMSO−d)δ7.43−7.58(7H、m)、7.84−7.94(4H、m)、8.04−8.09(3H、m)、8.17−8.21(3H、m)、8.49(1H、d)、8.55(1H、s)、8.65−8.68(2H、m)、8.82(1H、d)
As a result of FD-MS analysis, it was m / e = 590 with respect to molecular weight 590.
The results of 1 H-NMR analysis are shown below.
1 H-NMR (400 MHz, DMSO-d 6 ) δ 7.43-7.58 (7H, m), 7.84-7.94 (4H, m), 8.04-8.09 (3H, m) 8.17-8.21 (3H, m), 8.49 (1H, d), 8.55 (1H, s), 8.65-8.68 (2H, m), 8.82 (1H) D)

実施例2[化合物Bの合成]
(1)中間体Dの合成

Figure 2015078169
ジベンゾチオフェン−4−ボロン酸12.9g(56.6mmol)、2−ニトロブロモベンゼン12.6g(62.2mmol)、Pd(PPh1.3g(1.13mmol)、2MNaCO水溶液85mlを1,2−ジメトキシエタン(DME)260mlに加えて、アルゴン雰囲気下、加熱還流条件で24時間撹拌した。室温に戻したのち、トルエン500mlを加えて有機相を分取した後、溶媒を減圧下で留去した。得られた残渣をトルエンに溶解し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:トルエン)で精製し、さらにトルエン溶媒で再結晶を繰り返すことにより、中間体D13.7g(収率80%)を得た。 Example 2 [Synthesis of Compound B]
(1) Synthesis of intermediate D
Figure 2015078169
Dibenzothiophene-4-boronic acid 12.9 g (56.6 mmol), 2-nitrobromobenzene 12.6 g (62.2 mmol), Pd (PPh 3 ) 4 1.3 g (1.13 mmol), 2M Na 2 CO 3 aqueous solution 85 ml was added to 260 ml of 1,2-dimethoxyethane (DME), and the mixture was stirred for 24 hours under heating and reflux conditions in an argon atmosphere. After returning to room temperature, 500 ml of toluene was added to separate the organic phase, and then the solvent was distilled off under reduced pressure. The obtained residue was dissolved in toluene, purified by silica gel column chromatography (developing solvent: toluene), and further recrystallized with toluene solvent to obtain 13.7 g of intermediate D (yield 80%).

(2)中間体Eの合成

Figure 2015078169
中間体D13.7g(44.9mmol)、トリフェニルホスフィン29.4g(112mmol)をo−ジクロロベンゼン200mlに加えて、185℃で20時間撹拌した。溶媒を減圧下で留去して、メタノールを加えて析出した固体を濾集し、トルエンを加えて加熱懸濁洗浄することにより、中間体E5.5g(収率45%)を得た。 (2) Synthesis of Intermediate E
Figure 2015078169
Intermediate D 13.7 g (44.9 mmol) and triphenylphosphine 29.4 g (112 mmol) were added to 200 ml of o-dichlorobenzene, and the mixture was stirred at 185 ° C. for 20 hours. The solvent was distilled off under reduced pressure, methanol was added, and the precipitated solid was collected by filtration. Toluene was added, and suspension suspension washing was performed to obtain 5.5 g of intermediate E (yield 45%).

(3)中間体Fの合成

Figure 2015078169
アルゴン雰囲気下、3−ブロモカルバゾール24.6g(100mmol)、p−トルエンスルホニルクロリド(TsCl)22.9g(120mmol)、水酸化カリウム7.9g(140mmol)を脱水アセトン400mlに加えて、80℃で12時間加熱撹拌した。室温に戻した後、反応溶液を水1Lに注ぎ、析出した固体を濾集した。濾集した固体をメタノールで洗浄することにより、中間体F28.0g(収率70%)を得た。 (3) Synthesis of intermediate F
Figure 2015078169
Under an argon atmosphere, 24.6 g (100 mmol) of 3-bromocarbazole, 22.9 g (120 mmol) of p-toluenesulfonyl chloride (TsCl), and 7.9 g (140 mmol) of potassium hydroxide were added to 400 ml of dehydrated acetone at 80 ° C. The mixture was heated and stirred for 12 hours. After returning to room temperature, the reaction solution was poured into 1 L of water, and the precipitated solid was collected by filtration. The collected solid was washed with methanol to obtain 28.0 g of Intermediate F (yield 70%).

(4)中間体Gの合成

Figure 2015078169
アルゴン雰囲気下、中間体F5.9g(10mmol)、中間体E3.0g(11mmol)、ヨウ化銅1.9g(10mmol)、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン1.1g(10mmol)、リン酸三カリウム4.2g(20mmol)を脱水1,4−ジオキサン30mlに加えて、48時間加熱還流撹拌した。反応溶液を減圧下で濃縮して得られた残渣に、トルエン300mlを加えて120℃に加熱し、不溶物を濾別した。濾液を減圧下で濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/トルエン=3/1)で精製することにより、中間体G3.9g(収率65%)を白色固体として得た。 (4) Synthesis of intermediate G
Figure 2015078169
Under an argon atmosphere, intermediate F 5.9 g (10 mmol), intermediate E 3.0 g (11 mmol), copper iodide 1.9 g (10 mmol), trans-1,2-cyclohexanediamine 1.1 g (10 mmol), triphosphate 4.2 g (20 mmol) of potassium was added to 30 ml of dehydrated 1,4-dioxane, and the mixture was heated and refluxed for 48 hours. To the residue obtained by concentrating the reaction solution under reduced pressure, 300 ml of toluene was added and heated to 120 ° C., and the insoluble material was filtered off. The residue obtained by concentrating the filtrate under reduced pressure was purified by silica gel column chromatography (hexane / toluene = 3/1) to obtain 3.9 g of Intermediate G (yield 65%) as a white solid.

(5)中間体Hの合成

Figure 2015078169
中間体G3.0g(5mmol)、水酸化カリウム3.9g(70mmol)をジメチルスホキシド10ml、THF20ml、水4mlの混合溶媒に加え、加熱還流条件下で、24時間撹拌した。反応溶液を水に注ぎ、硫酸を加えて酸性にした後、ジクロロメタンで抽出した。有機相を減圧下で濃縮し得られた残渣をヘキサン/ジクロロメタン=1/1)で精製することにより、中間体H2.0g(収率90%)を白色固体として得た。 (5) Synthesis of intermediate H
Figure 2015078169
Intermediate G (3.0 g, 5 mmol) and potassium hydroxide (3.9 g, 70 mmol) were added to a mixed solvent of dimethyl sulfoxide (10 ml), THF (20 ml), and water (4 ml), and the mixture was stirred under heating and refluxing conditions for 24 hours. The reaction solution was poured into water, acidified with sulfuric acid, and extracted with dichloromethane. The organic phase was concentrated under reduced pressure, and the resulting residue was purified with hexane / dichloromethane = 1/1) to obtain 2.0 g of intermediate H (yield 90%) as a white solid.

(6)化合物Bの合成

Figure 2015078169
アルゴン雰囲気下、中間体H2.0g(4.6mmol)、国際公開第2013−038650号パンフレットに記載の方法で合成した中間体I1.24g(5mmol)、ヨウ化銅0.95g(5mmol)、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン1.1g(10mmol)、リン酸三カリウム2.1g(10mmol)を脱水1,4−ジオキサン20mlに加えて、48時間加熱還流撹拌した。反応溶液を減圧下で濃縮して得られた残渣に、トルエン200mlを加えて120℃に加熱し、不溶物を濾別した。濾液を減圧下で濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/ジクロロメタン=1/3)で精製することにより、化合物B1.5g(収率55%)を白色固体として得た。 (6) Synthesis of Compound B
Figure 2015078169
Under an argon atmosphere, Intermediate H 2.0 g (4.6 mmol), Intermediate I 1.24 g (5 mmol) synthesized by the method described in International Publication No. 2013-038650, copper iodide 0.95 g (5 mmol), trans -1,2-Cyclohexanediamine (1.1 g, 10 mmol) and tripotassium phosphate (2.1 g, 10 mmol) were added to dehydrated 1,4-dioxane (20 ml), followed by heating under reflux for 48 hours. To the residue obtained by concentrating the reaction solution under reduced pressure, 200 ml of toluene was added and heated to 120 ° C., and the insoluble material was filtered off. The residue obtained by concentrating the filtrate under reduced pressure was purified by silica gel column chromatography (hexane / dichloromethane = 1/3) to obtain Compound B (1.5 g, yield 55%) as a white solid.

FD−MS分析の結果、分子量605に対してm/e=605であった。
H−NMRの分析結果を以下に示す。
H−NMR(400MHz、DMSO−d)δ7.36(1H、t)、7.48−7.58(8H、m)、7.64−7.69(3H、m)、8.01(1H、dd)、8.14−8.18(2H、m)、8.25−8.31(2H、m)、8.38−8.44(3H、m)、8.50(1H、d)、8.66(1H、s)、8.73(1H、dd)
As a result of FD-MS analysis, m / e = 605 with respect to molecular weight 605.
The results of 1 H-NMR analysis are shown below.
1 H-NMR (400 MHz, DMSO-d 6 ) δ 7.36 (1H, t), 7.48-7.58 (8H, m), 7.64-7.69 (3H, m), 8.01 (1H, dd), 8.14-8.18 (2H, m), 8.25-8.31 (2H, m), 8.38-8.44 (3H, m), 8.50 (1H D), 8.66 (1H, s), 8.73 (1H, dd)

実施例3[化合物Cの合成]
実施例2(4)において、中間体Eの代わりに中間体Aを用いた以外は、実施例2に記載の方法に従って化合物Cを合成した。

Figure 2015078169
FD−MS分析の結果、分子量589に対してm/e=589であった。
H−NMRの分析結果を以下に示す。
H−NMR(400MHz、DMSO−d)δ7.36−7.55(9H、m)、7.65−7.71(3H、m)、7.89(1H、d)、8.02(1H、dd)、8.16−8.19(3H、m)、8.31(1H、dd)、8.40(1H、d)、8.47−8.51(2H、m)、8.67(1H、s)、8.74(1H、dd) Example 3 [Synthesis of Compound C]
Compound C was synthesized according to the method described in Example 2 except that Intermediate A was used instead of Intermediate E in Example 2 (4).
Figure 2015078169
As a result of FD-MS analysis, it was m / e = 589 with respect to the molecular weight 589.
The results of 1 H-NMR analysis are shown below.
1 H-NMR (400 MHz, DMSO-d 6 ) δ 7.36-7.55 (9H, m), 7.65-7.71 (3H, m), 7.89 (1H, d), 8.02 (1H, dd), 8.16-8.19 (3H, m), 8.31 (1H, dd), 8.40 (1H, d), 8.47-8.51 (2H, m), 8.67 (1H, s), 8.74 (1H, dd)

評価例1[三重項エネルギーの測定]
実施例1〜3で合成した材料の三重項エネルギーを測定した。結果を表1に示す。
三重項エネルギー(E(eV))は下記方法で評価した。
まず、試料をEPA溶媒(ジエチルエーテル:イソペンタン:エタノール=5:5:2(容積比))に10μmol/Lで溶解させ、燐光測定用試料とした。この燐光測定用試料を石英セルに入れ、温度77Kで励起光を照射し、放射される燐光スペクトルを測定した。これをもとに換算式E(eV)=1239.85/λedgeによって求めた値を三重項エネルギーと定義した。上記「λedge」とは、縦軸に燐光強度、横軸に波長をとって、燐光スペクトルを表したときに、燐光スペクトルの短波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸の交点の波長値(単位:nm)を意味する。
燐光スペクトルの測定には、(株)日立ハイテクノロジー製のF−4500型分光蛍光光度計本体と低温測定用オプション部品を用いた。
Evaluation Example 1 [Measurement of Triplet Energy]
The triplet energy of the materials synthesized in Examples 1 to 3 was measured. The results are shown in Table 1.
Triplet energy (E T (eV)) was evaluated by the following method.
First, a sample was dissolved in an EPA solvent (diethyl ether: isopentane: ethanol = 5: 5: 2 (volume ratio)) at 10 μmol / L to obtain a sample for phosphorescence measurement. This phosphorescence measurement sample was placed in a quartz cell, irradiated with excitation light at a temperature of 77 K, and the emitted phosphorescence spectrum was measured. Based on this, the value obtained by the conversion formula E T (eV) = 1239.85 / λ edge was defined as triplet energy. The above-mentioned “λ edge ” means that when the phosphorescence spectrum is represented by taking the phosphorescence intensity on the vertical axis and the wavelength on the horizontal axis, the tangent line is drawn with respect to the rising edge on the short wavelength side of the phosphorescence spectrum. Means the wavelength value (unit: nm) of the intersection.
For the measurement of the phosphorescence spectrum, an F-4500 type spectrofluorometer main body manufactured by Hitachi High-Technology Co., Ltd. and an optional component for low temperature measurement were used.

Figure 2015078169
Figure 2015078169

表1から、実施例1〜3の化合物は青色燐光発光素子材料として必要な高い三重項エネルギーを有していることが分かる。   From Table 1, it can be seen that the compounds of Examples 1 to 3 have high triplet energy necessary for blue phosphorescent light emitting device materials.

評価例2[有機EL素子の作製及び評価]
25mm×75mm×1.1mmのITO透明電極付きガラス基板(ジオマティック社製)に、イソプロピルアルコール中での5分間の超音波洗浄を施し、さらに、30分間のUV(Ultraviolet)オゾン洗浄を施した。
洗浄後のITO電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずITO電極ラインが形成されている側の面上に、ITO電極ラインを覆うようにして下記化合物(HI1)を厚さ20nmで、次いで下記化合物(HT1)を厚さ60nmで抵抗加熱蒸着し、順次薄膜を成膜した。成膜レートは1Å/sとした。これらの薄膜は、それぞれ正孔注入層及び正孔輸送層として機能する。
次に、正孔輸送層上に、ホスト材料である化合物(H1)と燐光発光材料である化合物(D1)とを同時に抵抗加熱蒸着して膜厚50nmの薄膜を成膜した。このとき、化合物(D1)を、化合物(H1)と化合物(D1)の総質量に対し質量比で20%になるように蒸着した。この薄膜は、燐光発光層として機能する。
次に、この燐光発光層上に、化合物Aを抵抗加熱蒸着して膜厚10nmの薄膜を成膜した。この薄膜は正孔阻止層として機能する。
次に、この障壁層上に、下記化合物(ET1)を抵抗加熱蒸着して膜厚10nmの薄膜を成膜した。この膜は電子注入層として機能する。
次に、この電子注入層上に膜厚1.0nmのLiFを蒸着した。
次に、このLiF膜上に金属アルミニウムを蒸着し、膜厚80nmの金属陰極を形成して有機EL素子を製造した。
Evaluation Example 2 [Production and Evaluation of Organic EL Element]
A 25 mm × 75 mm × 1.1 mm glass substrate with an ITO transparent electrode (manufactured by Geomatic) was subjected to ultrasonic cleaning for 5 minutes in isopropyl alcohol, and further subjected to UV (Ultraviolet) ozone cleaning for 30 minutes. .
The glass substrate with the ITO electrode line after cleaning is attached to the substrate holder of the vacuum deposition apparatus, and the following compound (HI1) is first thickened to cover the ITO electrode line on the surface on which the ITO electrode line is formed. Then, the following compound (HT1) was vapor-deposited by resistance heating at a thickness of 60 nm, and thin films were sequentially formed. The film formation rate was 1 Å / s. These thin films function as a hole injection layer and a hole transport layer, respectively.
Next, on the hole transport layer, a compound (H1) as a host material and a compound (D1) as a phosphorescent material were simultaneously deposited by resistance heating to form a thin film having a thickness of 50 nm. At this time, the compound (D1) was deposited so as to have a mass ratio of 20% with respect to the total mass of the compound (H1) and the compound (D1). This thin film functions as a phosphorescent light emitting layer.
Next, a thin film having a thickness of 10 nm was formed on the phosphorescent light emitting layer by resistance heating vapor deposition of Compound A. This thin film functions as a hole blocking layer.
Next, a thin film having a thickness of 10 nm was formed on this barrier layer by resistance heating vapor deposition of the following compound (ET1). This film functions as an electron injection layer.
Next, LiF having a film thickness of 1.0 nm was deposited on the electron injection layer.
Next, metal aluminum was vapor-deposited on the LiF film to form a metal cathode having a thickness of 80 nm, thereby manufacturing an organic EL element.

以下に、有機EL素子の作製で使用した化合物を示す。

Figure 2015078169
Below, the compound used by preparation of an organic EL element is shown.
Figure 2015078169

上記で得られた有機EL素子を直流電流駆動により発光させ、輝度、電流密度を測定し、電流密度1mA/cmにおける電圧及び発光効率(外部量子効率)を求めた。さらに初期輝度3,000cd/mにおける輝度70%寿命(輝度が70%まで低下する時間)を求めた。これら発光性能の評価結果を表2に示す。 The organic EL device obtained above was caused to emit light by direct current drive, the luminance and current density were measured, and the voltage and luminous efficiency (external quantum efficiency) at a current density of 1 mA / cm 2 were determined. Furthermore, the brightness | luminance 70% lifetime (time when a brightness | luminance falls to 70%) in initial stage brightness | luminance 3,000cd / m < 2 > was calculated | required. Table 2 shows the evaluation results of these light emission performances.

評価例3
化合物Aの代わりに化合物Cを用いた他は評価例2と同様にして有機EL素子を製造し、評価した。結果を表2に示す。
Evaluation Example 3
An organic EL device was produced and evaluated in the same manner as in Evaluation Example 2 except that Compound C was used instead of Compound A. The results are shown in Table 2.

比較例1
化合物Aの代わりに化合物HB1を用いた他は評価例2と同様にして有機EL素子を製造し、評価した。結果を表2に示す。
Comparative Example 1
An organic EL device was produced and evaluated in the same manner as in Evaluation Example 2 except that Compound HB1 was used instead of Compound A. The results are shown in Table 2.

比較例2
化合物Aの代わりに化合物HB2を用いた他は評価例2と同様にして有機EL素子を製造し、評価した。結果を表2に示す。
Comparative Example 2
An organic EL device was produced and evaluated in the same manner as in Evaluation Example 2 except that Compound HB2 was used instead of Compound A. The results are shown in Table 2.

比較例3
化合物Aの代わりに化合物HB3を用いた他は評価例2と同様にして有機EL素子を製造し、評価した。結果を表2に示す。

Figure 2015078169
Comparative Example 3
An organic EL device was produced and evaluated in the same manner as in Evaluation Example 2 except that Compound HB3 was used instead of Compound A. The results are shown in Table 2.
Figure 2015078169

Figure 2015078169
Figure 2015078169

表2の結果から、本発明の化合物は、低電圧・高効率・長寿命な有機EL素子を作製するための有用な材料であることが分かる。   From the results in Table 2, it can be seen that the compound of the present invention is a useful material for producing an organic EL device having low voltage, high efficiency, and long life.

1 有機EL素子
10 基板
20 陽極
30 正孔輸送帯域
40 発光層
50 電子輸送帯域
60 陰極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL element 10 Substrate 20 Anode 30 Hole transport zone 40 Light emitting layer 50 Electron transport zone 60 Cathode

Claims (19)

下記式(1)で表わされる構造と下記式(AA)又は(AB)で表わされる構造が同一分子内に含まれる化合物。
Figure 2015078169
(式(1)中、
Aは、酸素原子、硫黄原子、又はC(R1a)(R1b)である。
〜Yは、それぞれ独立して、CR又は窒素原子であり、Y〜Yの少なくとも1つは窒素原子である。
〜Yにおいて、隣接する炭素原子にそれぞれ結合する2つのRは、互いに結合して環を形成してもよい。
は、単結合、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
1a及びR1bは、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。)
Figure 2015078169
(式(AA)、(AB)中、
及びXは、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、NR、C(R)(R)、又は単結合であり、X及びXのいずれか一方は単結合である。
Rは、単結合、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
及びRは、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
、Z及びZは、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。)
A compound in which the structure represented by the following formula (1) and the structure represented by the following formula (AA) or (AB) are contained in the same molecule.
Figure 2015078169
(In the formula (1),
A is an oxygen atom, a sulfur atom, or C (R 1a ) (R 1b ).
Y 1 to Y 8 are each independently CR 1 or a nitrogen atom, and at least one of Y 1 to Y 8 is a nitrogen atom.
In Y 1 to Y 8 , two R 1 bonded to adjacent carbon atoms may be bonded to each other to form a ring.
R 1 is a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring forming carbon number. A 6-30 aromatic hydrocarbon ring group, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5-30 ring atoms.
R 1a and R 1b are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, substituted or unsubstituted. These are aromatic hydrocarbon ring groups having 6 to 30 ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic groups having 5 to 30 ring atoms. )
Figure 2015078169
(In the formulas (AA) and (AB),
X b and X c are each independently an oxygen atom, a sulfur atom, NR, C (R a ) (R b ), or a single bond, and either one of X b and X c is a single bond. .
R is a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring carbon number 6 An aromatic hydrocarbon ring group of ˜30, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
R a and R b are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, substituted or unsubstituted. These are aromatic hydrocarbon ring groups having 6 to 30 ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic groups having 5 to 30 ring atoms.
Z 1 , Z 2 and Z 3 are each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic group having 5 to 30 ring atoms. Group heterocyclic group. )
下記式(A−a)〜(A−e)のいずれかで表わされる請求項1に記載の化合物。
Figure 2015078169
(式(A−a)〜(A−e)中、
は、前記式(1)で表わされる構造である。
Laは、単結合、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
及びXは、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、NR、又はC(R2a)(R2b)である。但し、X及びXのいずれか一方は酸素原子又は硫黄原子である。
11〜Y20は、それぞれ独立して、CR又は窒素原子である。
及びRは、それぞれ独立して、単結合、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
11〜Y20において、隣接する炭素原子にそれぞれ結合する2つのRは、互いに結合して環を形成してもよい。
2a及びR2bは、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
Laが単結合でない場合、Laは2価の基であり、X〜X及びY11〜Y20のいずれか、並びにY〜Yのいずれかと結合する。)
The compound of Claim 1 represented by either of following formula (Aa)-(Ae).
Figure 2015078169
(In the formulas (Aa) to (Ae),
L 1 is a structure represented by the formula (1).
La is a single bond, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 ring carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
X 1 and X 2 are each independently an oxygen atom, a sulfur atom, NR 2 , or C (R 2a ) (R 2b ). However, one of X 1 and X 2 is an oxygen atom or a sulfur atom.
Y 11 to Y 20 are each independently CR 3 or a nitrogen atom.
R 2 and R 3 are each independently a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, substituted Alternatively, it is an unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 30 ring carbon atoms or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 30 ring atoms.
In Y 11 to Y 20 , two R 3 bonded to adjacent carbon atoms may be bonded to each other to form a ring.
R 2a and R 2b are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, substituted or unsubstituted. These are aromatic hydrocarbon ring groups having 6 to 30 ring carbon atoms, or substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic groups having 5 to 30 ring atoms.
When La is not a single bond, La is a divalent group and is bonded to any one of X 1 to X 2 and Y 11 to Y 20 and any one of Y 1 to Y 8 . )
前記式(A−a)〜(A−e)におけるX及びXの一方がNRであり、他方が酸素原子又は硫黄原子である請求項2に記載の化合物。 The compound according to claim 2 , wherein one of X 1 and X 2 in the formulas (Aa) to (Ae) is NR 2 and the other is an oxygen atom or a sulfur atom. 前記式(A−a)〜(A−e)におけるX及びXがそれぞれ独立して、酸素原子又は硫黄原子である請求項2に記載の化合物。 The compound according to claim 2, wherein X 1 and X 2 in the formulas (Aa) to (Ae) are each independently an oxygen atom or a sulfur atom. 下記式(B)で表わされる請求項2〜4のいずれかに記載の化合物。
Figure 2015078169
(式(B)中、Xは酸素原子又は硫黄原子であり、Y11〜Y20、La及びLは、前記式(A−a)と同じである。)
The compound in any one of Claims 2-4 represented by a following formula (B).
Figure 2015078169
(In the formula (B), X 1 is an oxygen atom or a sulfur atom, Y 11 to Y 20, La and L 1 are the same as those in the formula (A-a).)
下記式(C)で表わされる請求項2〜4のいずれかに記載の化合物。
Figure 2015078169
(式(C)中、X、X、Y11〜Y16、Y18〜Y20、La及びLは、前記式(A−a)と同じである。)
The compound in any one of Claims 2-4 represented by a following formula (C).
Figure 2015078169
(In the formula (C), X 1 , X 2 , Y 11 to Y 16 , Y 18 to Y 20 , La and L 1 are the same as the above formula (Aa).)
Aが酸素原子又は硫黄原子である請求項1〜6のいずれかに記載の化合物。   A is an oxygen atom or a sulfur atom, The compound in any one of Claims 1-6. が下記式(2)で表わされる請求項2〜6のいずれかに記載の化合物。
Figure 2015078169
(式(2)中、
Aは酸素原子又は硫黄原子である。
21〜Y26及びY28は、それぞれ独立して、CR21又は窒素原子であり、Y21〜Y26及びY28の少なくとも1つは窒素原子である。
21は、単結合、水素原子、置換若しくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数3〜30のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環基、又は置換若しくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環基である。
21が複数存在する場合、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
*は、Laとの結合位置を示す。)
The compound according to any one of claims 2 to 6, wherein L 1 is represented by the following formula (2).
Figure 2015078169
(In the formula (2),
A is an oxygen atom or a sulfur atom.
Y 21 to Y 26 and Y 28 are each independently CR 21 or a nitrogen atom, and at least one of Y 21 to Y 26 and Y 28 is a nitrogen atom.
R 21 represents a single bond, a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring forming carbon number. A 6-30 aromatic hydrocarbon ring group, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5-30 ring atoms.
When a plurality of R 21 are present, they may be the same or different.
* Indicates a binding position with La. )
21が窒素原子である請求項8に記載の化合物。 The compound according to claim 8, wherein Y 21 is a nitrogen atom. 請求項1〜9のいずれかに記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。   The organic electroluminescent element material containing the compound in any one of Claims 1-9. 陰極と陽極の間に、発光層を含む1以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層のうち少なくとも1層が、請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element which has one or more organic thin film layers containing a light emitting layer between a cathode and an anode, and at least 1 layer contains the organic electroluminescent element material of Claim 10 among the said organic thin film layers. . 前記発光層が前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 11, wherein the light emitting layer contains the material for an organic electroluminescent element. 前記有機薄膜層が、1以上の発光層を含み、
前記発光層の少なくとも1層が、請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料と燐光発光性材料とを含む請求項11又は12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
The organic thin film layer includes one or more light emitting layers,
The organic electroluminescent element according to claim 11 or 12, wherein at least one of the light emitting layers includes the material for an organic electroluminescent element according to claim 10 and a phosphorescent material.
前記燐光発光性材料が金属錯体化合物を含有し、
前記金属錯体化合物が、Ir、Pt、Os、Au、Cu、Re及びRuからなる群より選択される金属原子と配位子とを有する請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
The phosphorescent material contains a metal complex compound;
The organic electroluminescence device according to claim 13, wherein the metal complex compound has a metal atom and a ligand selected from the group consisting of Ir, Pt, Os, Au, Cu, Re, and Ru.
前記発光層と前記陰極との間に電子輸送帯域を有し、前記電子輸送帯域が1以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも1層が前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   There is an electron transport zone between the light emitting layer and the cathode, the electron transport zone has one or more organic thin film layers, and at least one of the organic thin film layers contains the material for an organic electroluminescence element. The organic electroluminescent element according to claim 11. 前記電子輸送帯域が前記発光層に隣接する請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 15, wherein the electron transport zone is adjacent to the light emitting layer. 前記発光層と前記陽極との間に正孔輸送帯域を有し、前記正孔輸送帯域が1以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも1層が前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   There is a hole transport zone between the light emitting layer and the anode, the hole transport zone has one or more organic thin film layers, and at least one of the organic thin film layers is the material for an organic electroluminescence device The organic electroluminescent element of Claim 11 containing. 前記正孔輸送帯域が前記発光層に隣接する請求項17に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence device according to claim 17, wherein the hole transport zone is adjacent to the light emitting layer. 請求項11〜18のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器。   The electronic device containing the organic electroluminescent element in any one of Claims 11-18.
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