JP2015063679A - 発光材料の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】可視領域で蛍光発光するシリコン化合物ナノ・マイクロ粒子(発光材料)の製造方法であって、シリコン粉末1と、フッ硝酸溶液2と、シリコン基板3とを、密閉容器7内に区分して配置する配置ステップ(S01)と、配置ステップにおいてシリコン粉末1、フッ硝酸溶液2、シリコン基板3を内部に配置した密閉容器7を密閉する密閉ステップ(S02)と、密閉ステップにおいて密閉された密閉容器7の密閉状態を所定時間保持する保持ステップ(S03)と、保持ステップの後に密閉容器7内のシリコン基板3上に生成されたシリコン化合物ナノ・マイクロ粒子を採取する採取ステップ(S04)と、を含む。
【選択図】図2
Description
以下の条件でシリコン粉末、フッ硝酸溶液、及びシリコン基板を密閉容器内に密閉して発光材料をシリコン基板上に生成し、生成された発光材料の1時間当たりの収量(mg/h)、作製時間(h)、装置コスト(万円)、原料コスト(円)、ランニングコスト(円/h)を算出した。
・エッチング溶液総量:2ml
・原料シリコン粉末:100mg
・エッチング溶液比率(HF:HNO3): 5:5
・容器容積:400cm3
・エッチング時間:12h(時間)
スパッタリング法とアニーリング法の併用による手法(ドライプロセス)で発光材料を生成した。スパッタリング条件は、使用ガス:Ar、電力:200(W)、圧力:10(Pa)、スパッタリング時間:2(h)、アノード・カソード間隔:10(cm)、スパッタターゲット材料:8cmSiO2ディスク上に配置された36枚の5×5(mm2)シリコンチップ、とした。アニール条件は、雰囲気ガス:Ar、アニール温度:1100(℃)、アニール時間:60(min)、昇温時間:30(℃/min)、下降時間:15(℃/min)、とした(条件や実験構成等の詳細については特許文献1を参照)。生成された発光材料の1時間当たりの収量(mg/h)、作製時間(h)、装置コスト(万円)、原料コスト(円)、ランニングコスト(円/h)を算出した。
以下の条件でシリコン粉末、フッ硝酸溶液、及びシリコン基板を密閉容器内に密閉して発光材料をシリコン基板上に堆積させ、作製直後の発光材料の発光スペクトルを計測した。さらに、シリコン基板上に堆積された発光材料を50日間大気中に保存した後の発光スペクトルを計測した。
・エッチング溶液総量:2ml
・原料シリコン粉末:100mg
・エッチング溶液比率(HF:HNO3): 5:5
・容器容積:400cm3
・エッチング時間:48h
実施例2と同一条件で発光材料を作製し、作製直後の発光材料の発光スペクトルを計測した。さらに、シリコン基板上に堆積された発光材料を、超音波洗浄器を用いてエタノール中に分散させた試料を50日間大気中に保存した後の発光スペクトルを計測した。
実施例2と同一条件で発光材料を作製し、作製直後から30日後までのPL発光強度を1日ごとに計測した。PL発光強度は、PL(Photo−Luminescence)法によって測定を行った。具体的には、励起光源としてキセノンランプ(朝日分光,LAX−100)に365nmの光学帯域通過フィルターを装着し、マルチチャネル検出器(浜松ホトニクス,C8808−01)を用いて、室温下において、加算平均回数20回、繰り返し計測10回、露光時間19msの条件で、各日ごとに発光波長を測定し、発光ピーク波長における発光強度を当該日のPL発光強度とした。
化学エッチングを用いた手法(ウェットプロセス)で発光材料を作製した。ウェットプロセスの条件は、原料シリコン粉末粒径:50(nm)、シリコン粉末投入量:100(mg)、フッ化水素酸:1(mL)、硝酸:1(mL)、エッチング時間:5(分)とした。作製した発光材料について、実施例4と同様にPL発光強度を計測した。
以下の条件でシリコン粉末、フッ硝酸溶液、及びシリコン基板を密閉容器内に密閉して発光材料をシリコン基板上に堆積させ、作製した発光材料の発光スペクトルを計測した。
・エッチング溶液総量:2ml
・原料シリコン粉末:100mg
・エッチング溶液比率(HF:HNO3): 5:5
・容器容積:400cm3
・エッチング時間:12h
エッチング溶液比率(HF:HNO3)を1:9とした点以外は実施例5と同様の条件で発光材料を作製し、作製した発光材料の発光スペクトルを計測した。
以下の条件でシリコン粉末、フッ硝酸溶液、及びシリコン基板を密閉容器内に密閉して発光材料をシリコン基板上に堆積させ、原料シリコン粉末の分量が異なる4種類の発光材料を作製した。作製した発光材料の発光強度を計測した。
・エッチング溶液総量:2ml
・原料シリコン粉末:10,100,500,1000mg
・エッチング溶液比率(HF:HNO3): 5:5
・容器容積:400cm3
・エッチング時間:6h
エッチング時間を12時間とした点以外は実施例7と同様の条件で発光材料を作製し、作製した発光材料の発光強度を計測した。
以下の条件でシリコン粉末、フッ硝酸溶液、及びシリコン基板を密閉容器内に密閉して発光材料をシリコン基板上に堆積させ、エッチング溶液比率が異なる5種類の発光材料を作製した。作製した発光材料の発光強度を計測した。
・エッチング溶液総量:2ml
・原料シリコン粉末:100mg
・エッチング溶液比率(HF:HNO3): 1:9,3:7,5:5,7:3,9:1
・容器容積:400cm3
・エッチング時間:12h
以下の条件でシリコン粉末、フッ硝酸溶液、及びシリコン基板を密閉容器内に密閉して発光材料をシリコン基板上に堆積させ、容器容積が異なる3種類の発光材料を作製した。作製した発光材料の発光強度を計測した。
・エッチング溶液総量:2ml
・原料シリコン粉末:100mg
・エッチング溶液比率(HF:HNO3): 5:5
・容器容積:400,800,1800cm3
・エッチング時間:12h
以下の条件でシリコン粉末、フッ硝酸溶液、及びシリコン基板を密閉容器内に密閉して発光材料をシリコン基板上に堆積させ、作製した発光材料の粒子サイズ、その分布、表面電位分布を計測した。
・エッチング溶液総量:2ml
・原料シリコン粉末:100mg
・エッチング溶液比率(HF:HNO3): 5:5
・容器容積:400cm3
・エッチング時間:12h
以下の条件でシリコン粉末、フッ硝酸溶液、及びシリコン基板を密閉容器内に密閉して発光材料をシリコン基板上に堆積させ、シリコン基板上に堆積された発光材料の単位面積当たりの回収量(mg/cm2)を計測した。
・エッチング溶液総量:2ml
・原料シリコン粉末:100mg
・エッチング溶液比率(HF:HNO3): 5:5
・容器容積:400cm3
・エッチング時間:2h,4h,6h
実施例12の条件のうち、原料シリコン粉末を0mgに変更し、すなわち、シリコン粉末を密閉容器内に配置せずに、フッ硝酸溶液及びシリコン基板を密閉容器内に密閉して発光材料をシリコン基板上に堆積させ、シリコン基板上に堆積された発光材料の単位面積当たりの回収量(mg/cm2)を計測した。
2 フッ硝酸溶液(エッチング媒体)
3 シリコン基板(基板)
4 原料用容器
5 溶液用容器
6 基板用容器
7 密閉容器(容器)
8 収容部
9 蓋部
S01 配置ステップ(収容ステップ)
S02 密閉ステップ(収容ステップ)
S03 保持ステップ
S04 採取ステップ
Claims (3)
- 可視領域で蛍光発光する発光材料の製造方法であって、
シリコン原料と、シリコンを溶解可能なエッチング媒体と、前記シリコンを含む材料により形成される基板とを、密閉空間内に区分して収容する収容ステップと、
前記収容ステップにおいて前記シリコン原料、前記エッチング媒体及び前記基板が収容された前記密閉空間の密閉状態を所定時間保持する保持ステップと、
前記保持ステップの後に前記密閉空間内の前記基板上に生成された前記発光材料を採取する採取ステップと、
を含むことを特徴とする発光材料の製造方法。 - 前記収容ステップが、
前記シリコン原料、前記エッチング媒体、及び前記基板を、容器内に区分して配置する配置ステップと、
前記配置ステップにおいて前記シリコン原料、前記エッチング媒体及び前記基板を内部に配置した前記容器を密閉して前記密閉空間を形成する密閉ステップと、
を含むことを特徴とする、請求項1に記載の発光材料の製造方法。 - 前記シリコン原料がシリコン粉末であり、前記エッチング媒体がフッ硝酸溶液であり、前記基板がシリコン基板である、請求項1または2に記載の発光材料の製造方法。
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