JP2015056005A - センサ装置、入力装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】入力操作を高い精度で検出する。
【解決手段】本技術の一実施形態に係るセンサ装置は、第１のセンサと、第２のセンサとを具備する。前記第１のセンサは、複数の第１の容量素子がマトリクス状に配置された第１の電極基板と、前記第１の電極基板と対向する第１の導体層と、前記第１の電極基板と前記第１の導体層との間に配置された変形可能な第１の支持層と、前記第１の電極基板及び前記第１の導体層の何れか一方側に設けられた第１の入力操作面と、を有する。前記第１の電極基板と前記第１の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する。前記第２のセンサは、複数の第２の容量素子が配置された第２の電極基板と、前記第２の電極基板と対向する第２の導体層と、前記第２の電極基板と前記第２の導体層との間に配置された変形可能な第２の支持層と、を有する。前記第２のセンサは、前記第１のセンサに積層され、前記第２の電極基板と前記第２の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する。
【選択図】図１

Description

本技術は、入力操作を静電的に検出することが可能なセンサ装置、入力装置及び電子機器に関する。

電子機器用のセンサ装置として、例えば容量素子を備え、入力操作面に対する操作子の操作位置と押圧力とを検出することが可能な構成が知られている（例えば下記特許文献１参照）。

特開２０１１−１７０６５９号公報

近年、指の動きを利用したジェスチャ操作によって自由度の高い入力方法が行われているが、さらに、操作面上の入力操作を高い精度で安定的に検出することができれば、より多彩な入力操作を実現することが期待できる。

以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、入力操作を高い精度で検出することができるセンサ装置、入力装置及び電子機器を提供することにある。

以上の目的を達成するため、本技術の一形態に係るセンサ装置は、第１のセンサと、第２のセンサとを具備する。
前記第１のセンサは、複数の第１の容量素子がマトリクス状に配置された第１の電極基板と、前記第１の電極基板と対向する第１の導体層と、前記第１の電極基板と前記第１の導体層との間に配置された変形可能な第１の支持層と、前記第１の電極基板及び前記第１の導体層の何れか一方側に設けられた第１の入力操作面と、を有する。前記第１の電極基板と前記第１の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する。
前記第２のセンサは、複数の第２の容量素子が配置された第２の電極基板と、前記第２の電極基板と対向する第２の導体層と、前記第２の電極基板と前記第２の導体層との間に配置された変形可能な第２の支持層と、を有する。前記第２のセンサは、前記第１のセンサに積層され、前記第２の電極基板と前記第２の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する。

上記センサ装置においては、第１及び第２の２つの電極基板を備えているため、第１の入力操作面に入力された操作を高い精度で検出することが可能となる。

前記第１の入力操作面は、前記第１の導体層側に設けられてもよい。この場合、前記第１の電極基板は、前記第２の電極基板の上に積層される。
この場合、第１の導体層と第１の電極基板との距離の変化による第１の容量素子の容量変化と、第２の導体層と第２の電極基板との距離の変化による第２の容量素子の容量変化とに基づいて、入力操作を検出することができる。

前記センサ装置は、前記第１の電極基板と前記第２の電極基板との間に配置された第３の導体層をさらに具備してもよい。
これにより第１の電極基板と第２の電極基板との間の電磁的な干渉が防止される。

前記第１の入力操作面は、前記第１の電極基板側に設けられ、前記第１の導体層は、前記第２の電極基板の上に積層されてもよい。
あるいは、前記第１の入力操作面は、前記第１の導体層側に設けられ、前記第１の電極基板は、前記第２の導体層の上に積層されてもよい。
このような場合においても、第１の容量素子の容量変化と第２の容量素子の容量変化とに基づいて、入力操作を検出することが可能となる。

あるいは、前記第１の入力操作面は、前記第１の電極基板側に設けられ、前記第１の導体層及び前記第２の導体層は、共通の導体層で構成されてもよい。
この場合は、導体層と第１の電極基板との距離の変化による第１の容量素子の容量変化と、導体層と第２の電極基板との距離の変化による第２の容量素子の容量変化とに基づいて、入力操作が検出される。

前記複数の第２の容量素子は、前記第２の電極基板上にマトリクス状に配置されてもよい。これにより、第２の電極基板による入力操作の検出感度を高めることができる。

前記複数の第２の容量素子は、前記第１の入力操作面への入力操作に対して、前記複数の第１の容量素子よりも大きな容量変化をするように構成されてもよい。
これにより、例えば操作子の種類（例えば、指とスタイラスペン等）の区別が容易となり、入力操作の高精度な検出が可能となる。

前記第１のセンサと前記第２のセンサとの積層方向から見て、前記複数の第１の容量素子各々の中心は、前記複数の第２の容量素子各々の中心に対してオフセットして配置されてもよいし、前記複数の第２の容量素子各々の中心に対向して配置されてもよい。

前記第１の支持層は、複数の第１の柱状体を含んでもよい。
これにより、第１の導体層あるいは第１の電極基板の変形が容易となるため、検出感度の向上を図ることが可能となる。

前記第２の支持層は、複数の第２の柱状体を含んでもよい。
これにより、第２の導体層あるいは第２の電極基板の変形が容易となるため、検出感度の向上を図ることが可能となる。

あるいは、前記第１の支持層は、前記複数の第２の容量素子各々の中心に対向して配置された複数の第１の柱状体を含んでもよい。この場合、前記第２の支持層は、前記複数の第１の容量素子各々の中心に対向して配置された複数の第２の柱状体を含んでもよい。

前記複数の第２の容量素子各々の中心に対向して配置された複数の第１の柱状体により、第２の導体層あるいは第２の電極基板の変形も容易となるため、さらなる検出感度の向上を図ることが可能となる。
また、前記複数の第１の容量素子各々の中心に対向して配置された複数の第２の柱状体により、第１の導体層あるいは第１の電極基板の変形も容易となるため、さらなる検出感度の向上を図ることが可能となる。

前記第１の電極基板は、複数の第１の電極線と、前記複数の第１の電極線と交差し前記複数の第１の電極線との交差領域に前記複数の第１の容量素子を形成する複数の第２の電極線とを有してもよい。この場合、前記第２の電極基板は、前記複数の第１の電極線と対向する複数の第３の電極線と、前記複数の第３の電極線と交差し前記複数の第３の電極線との交差領域に前記複数の第２の容量素子を形成する複数の第４の電極線とを有する。

前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線の少なくとも一方は、前記複数の第１の容量素子に対応する領域においてサブ電極を有してもよい。前記複数の第３の電極線と前記複数の第４の電極線の少なくとも一方は、前記複数の第２の容量素子に対応する領域においてサブ電極を有してもよい。前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線のうち、前記第１の支持層側に配置された電極線がサブ電極を有してもよい。前記複数の第３の電極線と前記複数の第４の電極線のうち、前記第２の支持層側に配置された電極線がサブ電極を有してもよい。

前記複数の第１の電極線及び前記複数の第３の電極線は、共通の電極線で構成されてもよい。
この場合、第２及び第４の電極線を駆動電極として用いることで、共通の駆動電極線で第１及び第２の容量素子を各々駆動させることが可能となる。

前記複数の第２の電極線及び前記複数の第４の電極線は、前記複数の第１の電極線及び前記複数の第３の電極線よりも幅広に形成されてもよい。
この場合、前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線の位置関係は、前記第１の支持層側に前記複数の第１の電極線が配置されることが好ましい。前記複数の第３の電極線と前記複数の第４の電極線の位置関係は、前記第２の支持層側に前記複数の第３の電極線が配置されることが好ましい。さらに、この場合、前記複数の第２の電極線及び前記複数の第４の電極線は相互に対向して配置されることが好ましい。
これにより第２及び第４の電極線にシールド機能を付加することができ、検出感度の向上に貢献することができる。

前記センサ装置は、前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板に電気的に接続された制御部をさらに具備してもよい。前記制御部は、前記複数の第１の容量素子の容量変化及び前記複数の第２の容量素子の容量変化に基づいて、前記第１の入力操作面に対する入力操作に関する制御信号を生成するように構成される。

前記制御部は、前記第１の電極基板に電気的に接続された第１の制御素子と、前記第２の電極基板に電気的に接続された第２の制御素子とを有してもよい。

前記第１のセンサは、前記第１の入力操作面と前記第１の電極基板との間に配置された第３の支持層をさらに有してもよい。

前記センサ装置は、剛体層をさらに具備してもよい。前記剛体層は、前記第１のセンサと前記第２のセンサとの間に配置され、前記第１のセンサ及び前記第２のセンサよりも高い剛性を有する。
これにより第１のセンサに対する入力操作と第２のセンサに対する入力操作を各々検出することが可能となる。

前記センサ装置は、突起部材をさらに具備してもよい。前記突起部材は、前記第２のセンサに対向して配置され、前記第２のセンサを部分的に支持する。
前記突起部材は、特に限定されず、例えば、筐体、金具、駆動回路基板、配線、電池又は緩衝材等が挙げられる。

前記複数の第２の容量素子は、前記突起部材に対向して配置されてもよい。
これにより、例えば、第１のセンサへの入力操作時に第２のセンサに加わる反力を検出することができる。

前記第２のセンサは、前記第２の電極基板及び前記第２の導体層の何れか一方側に設けられた第２の入力操作面をさらに有してもよい。

前記第１のセンサは、前記第１の導体層及び前記第１の電極基板の少なくとも一方に積層された表示部をさらに有し、前記第１の入力操作面は、前記表示部の表示面であってもよい。

本技術の一形態に係る入力装置は、第１のセンサと、第２のセンサと、制御部とを具備する。
前記第１のセンサは、複数の第１の容量素子がマトリクス状に配置された第１の電極基板と、前記第１の電極基板と対向する第１の導体層と、前記第１の電極基板と前記第１の導体層との間に配置された変形可能な第１の支持層と、前記第１の電極基板及び前記第１の導体層の何れか一方側に設けられた入力操作面と、を有する。前記第１の電極基板と前記第１の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する。
前記第２のセンサは、複数の第２の容量素子が配置された第２の電極基板と、前記第２の電極基板と対向する第２の導体層と、前記第２の電極基板と前記第２の導体層との間に配置された変形可能な第２の支持層と、を有する。前記第２のセンサは、前記第１のセンサに積層され、前記第２の電極基板と前記第２の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する。
前記制御部は、前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板に電気的に接続され、前記複数の第１の容量素子の容量変化及び前記複数の第２の容量素子の容量変化に基づいて、前記入力操作面に対する入力操作に関する制御信号を生成するように構成される。

本技術の一形態に係る電子機器は、第１のセンサと、第２のセンサと、表示部と、制御部とを具備する。
前記第１のセンサは、複数の第１の容量素子がマトリクス状に配置された第１の電極基板と、前記第１の電極基板と対向する第１の導体層と、前記第１の電極基板と前記第１の導体層との間に配置された変形可能な第１の支持層と、を有する。前記第１の電極基板と前記第１の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する。
前記第２のセンサは、複数の第２の容量素子が配置された第２の電極基板と、前記第２の電極基板と対向する第２の導体層と、前記第２の電極基板と前記第２の導体層との間に配置された変形可能な第２の支持層と、を有する。前記第２のセンサは、前記第１のセンサに積層され、前記第２の電極基板と前記第２の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する。
前記表示部は、入力操作面を有し、前記第１のセンサに設けられる。
前記制御部は、前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板に電気的に接続され、前記複数の第１の容量素子の容量変化及び前記複数の第２の容量素子の容量変化に基づいて、前記入力操作面に対する入力操作に関する制御信号を生成するように構成される。

以上のように、本技術によれば、入力操作を高い精度で検出することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

本技術の第１の実施形態に係る入力装置の概略断面図である。 上記入力装置の分解斜視図である。 上記入力装置の要部の概略断面図である。 上記入力装置を用いた電子機器のブロック図である。 上記入力装置における電極線の構成例を示す要部平面図である。 上記入力装置の動作を説明する要部断面図および出力の一例を示す図である。 上記入力装置の動作を説明する要部断面図および出力の一例を示す図である。 本技術の第２の実施形態に係る入力装置の概略断面図である。 上記入力装置における第１の検出部と、第１の柱状体と、第２の検出部と、第２の柱状体との位置関係を示す、センサ装置の概略平面図である。 上記入力装置の構成の変形例を示す要部の概略平面図である。 本技術の第３の実施形態に係る入力装置の概略断面図である。 上記入力装置の構成の機器適用例を示す概略断面図である。 上記入力装置における筐体の内面構造を示す概略平面図である。 上記入力装置の操作例を示す図である。 上記第１の実施形態に係る入力装置の構成の一変形例を示す概略断面図である。 上記入力装置における電極線の他の構成例を示す要部平面図であり、Ａは第１の電極基板の電極構成を、Ｂは第２の電極基板の電極構成をそれぞれ示す。 上記第１の実施形態に係る入力装置の構成の一変形例を示す概略断面図である。 上記第１の実施形態に係る入力装置の構成の一変形例を示す概略断面図である。 上記第１の実施形態に係る入力装置の構成の一変形例を示す概略断面図である。 上記第１の実施形態に係る入力装置の構成の一変形例を示す概略断面図である。 上記第１の実施形態に係る入力装置の構成の一変形例を示す概略断面図である。 上記第１の実施形態に係る入力装置の構成の一変形例を示す概略断面図である。 上記第３の実施形態に係る入力装置の構成の一変形例を示す概略断面図である。 上記第３の実施形態に係る入力装置の構成の一変形例を示す概略断面図である。 上記入力装置における電極線の構成の変形例を示す要部平面図である。 上記第１の実施形態に係る入力装置の構成の一変形例を示す概略断面図である。

以下、本技術に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
＜第１の実施形態＞
図１は本技術の第１の実施形態に係る入力装置１００の概略断面図、図２は入力装置１００の分解斜視図、図３は入力装置１００の要部の概略断面図、図４は入力装置１００を用いた電子機器７０のブロック図である。以下、本実施形態の入力装置１００の構成について説明する。なお図中、Ｘ軸及びＹ軸は相互に直交する方向（入力装置１００の面内方向）を示し、Ｚ軸はＸ軸及びＹ軸に直交する方向（入力装置１００の厚み方向又は上下方向）を示している。

［入力装置］
入力装置１００は、ユーザによる操作を受け付ける操作部材１０と、ユーザの操作を検出するセンサ装置ＳＡと、センサ装置ＳＡの出力に基づいて所定の制御信号を生成する制御部６０とを有する。

本実施形態の入力装置１００は、操作部材１０として、平面形状が略矩形のフレキシブルディスプレイ（表示素子）Ｄを含む。入力装置１００は、例えばフレキシブルなタッチパネルディスプレイとして構成され、後述する電子機器７０に組み込まれる。センサ装置ＳＡ及び操作部材１０（フレキシブルディスプレイＤ）は、Ｚ軸に垂直な方向に延びる平板状に形成される。

フレキシブルディスプレイＤは、入力操作面１１０と、その反対側の裏面１２０とを有する。フレキシブルディスプレイＤは、入力装置１００における入力操作部としての機能と、表示部としての機能とを兼ね備える。すなわちフレキシブルディスプレイＤは、入力操作面１１０を入力操作面及び表示面として機能させ、入力操作面１１０からユーザによる操作に応じた画像をＺ軸方向上方に向けて表示する。入力操作面１１０には、例えばキーボードに対応する画像や、ＧＵＩ（Graphical User Interface）等が表示される。フレキシブルディスプレイＤに対する操作を行う操作子としては、例えば、ユーザの指や、ペン（スタイラスペン）等が挙げられる。

フレキシブルディスプレイＤの具体的な構成は特に限定されない。例えば、フレキシブルディスプレイＤとして、いわゆる電子ペーパー、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）パネル、無機ＥＬパネル、液晶パネル等を採用することができる。またフレキシブルディスプレイＤの厚みも特に限定されず、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。

なお、本実施形態においてフレキシブルディスプレイＤは、センサ装置ＳＡとは別部材で構成されるが、これに限られず、センサ装置ＳＡの一部として構成されてもよい。

［センサ装置］
センサ装置ＳＡは、第１のセンサＳ１と、第２のセンサＳ２とを有する。

第１のセンサＳ１は、複数の第１の検出部２０ｓ（第１の容量素子）がマトリクス状に配置された第１の電極基板２０と、第１の電極基板２０と対向する第１の導体層Ｍ１と、第１の電極基板２０と第１の導体層Ｍ１との間に配置された変形可能な第１の支持層３０とを有する。第１の電極基板２０と第１の導体層Ｍ１の少なくとも一方は可撓性を有し、本実施形態では第１の電極基板２０及び第１の導体層Ｍ１のいずれもが可撓性を有する。

第２のセンサＳ２は、複数の第２の検出部４０ｓ（第２の容量素子）が配置された第２の電極基板４０と、第２の電極基板４０と対向する第２の導体層Ｍ２と、第２の電極基板４０と第２の導体層Ｍ２との間に配置された変形可能な第２の支持層５０とを有する。第２の電極基板４０と第２の導体層Ｍ２の少なくとも一方は可撓性を有し、本実施形態では第２の電極基板４０は可撓性を有し、第２の導体層Ｍ２は比較的高い剛性を有する。

本実施形態においてフレキシブルディスプレイＤは、第１のセンサＳ１の第１の導体層Ｍ１の上に配置されており、入力操作面１１０は、第１の導体層Ｍ１側に設けられる。第１の電極基板２０は、第２の電極基板４０の上に積層される。

センサ装置ＳＡは、第３の導体層Ｍ３をさらに有する。第３の導体層Ｍ３は、第１のセンサＳ１と第２のセンサＳ２との間に配置され、本実施形態においては第１の電極基板２０と第２の電極基板４０との間に配置される。

第１及び第３の導体層Ｍ１，Ｍ３は、フレキシブルディスプレイＤの変形に倣って変形可能なシート状に形成され、例えばＣｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属箔、あるいはメッシュ材で構成される。また、シート状の基材上に形成された導電体の蒸着膜やスパッタ膜等で構成されてもよく、導電ペースト等の塗膜であってもよい。第１及び第３の導体層Ｍ１，Ｍ３は、導電層として機能すればよく、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の酸化物導電体やカーボンナノチューブ等の有機導電体でもよい。第１及び第３の導体層Ｍ１，Ｍ３の厚みは特に限定されず、例えば数１０ｎｍ〜数１０μｍである。第１及び第３の導体層Ｍ１，Ｍ３は、所定の基準電位（例えばグランド電位）に接続される。また、金属膜１２の表面に非導電性の膜が形成されていても良い。非導電性の膜としては、例えば、耐傷性ハードコート層や耐腐食性の酸化防止膜等を形成することができる。

第１の導体層Ｍ１は、フレキシブルディスプレイＤの裏面１２０に配置されている。第１の導体層Ｍ１は、フレキシブルディスプレイＤの裏面１２０に直接貼り付けられてもよいし、接着材あるいは粘着材からなる接合層１３を介して貼り付けられてもよい（図１）。接合は部分的であってもよく、全面にて接合されていても良い。あるいは、フレキシブルディスプレイ１１に直接形成された蒸着膜やスパッタ膜等で構成されてもよく、フレキシブルディスプレイ１１の表面に印刷された導電ペースト等の塗膜であってもよい。

同様に、第３の導体層Ｍ３は、第１の電極基板２０の下面と第２の電極基板４０の上面とに直接貼り付けられてもよいし接着材あるいは粘着材からなる接合層を介して貼り付けられてもよい。なお、図３においては、第３の導体層Ｍ３は、第１の電極基板２０（後述の第２の基材２２１）の下面に直接形成され、第２の電極基板４０の上面に接合層３６を介して貼り付けられている例が図示されている。

第２の導体層Ｍ２は、入力装置１００の最下部を構成し、第１の導体層Ｍ１及び第３の導体層Ｍ３とＺ軸方向に対向して配置される。第２の導体層Ｍ２は、例えば入力装置１００の支持プレートとしても機能し、例えば、Ａｌ（アルミニウム）合金、Ｍｇ（マグネシウム）合金その他の金属材料を含む金属板、又はカーボン繊維強化型プラスチック等の導体板で構成されてもよい。あるいは第３の導体層Ｍ３は、プラスチック材料等の絶縁層上にメッキ膜や蒸着膜、スパッタリング膜、金属箔等の導体膜が形成された積層体で構成されてもよい。また第３の導体層Ｍ３の厚みは特に限定されず、例えば約０．３ｍｍ程度である。第２の導体層Ｍ２は、所定の基準電位（例えばグランド電位）に接続される。

（第１及び第２の電極基板）
第１の電極基板２０は、複数の第１の電極線２１０と、複数の第１の電極線２１０と交差し複数の第１の電極線２１０との交差領域に複数の第１の容量素子を形成する複数の第２の電極線２２０とを有する。

本実施形態において第１の電極基板２０は、複数の第１の電極線２１０と第１の基材２１１とを有する第１の配線基板２１と、複数の第２の電極線２２０と第２の基材２２１とを有する第２の配線基板２２との積層体で構成される。各第１の電極線２１０は、Ｙ軸方向に延在し、第１の基材２１１上にＸ軸方向に等間隔で配列される。各第２の電極線２２０は、Ｘ軸方向に延在し、第２の基材２２１上にＹ軸方向に等間隔で配列される。複数の第１の電極線２１０と複数の第２の電極線２２０との間にはＺ軸方向に相互に対向する複数の交差領域を有し、これら複数の交差領域各々により、ＸＹ平面に平行な面内にマトリクス状に配置された複数の第１の検出部２０ｓ（第１の容量素子）が構成される（図３）。

第１の配線基板２１と第２の配線基板２２とは接着材あるいは粘着材からなる接合層２３を介して相互に接合される。第１の配線基板２１は、第２の配線基板２２よりも上層側（フレキシブルディスプレイＤ側）に積層されるが、これに限られず、第２の配線基板２２が第１の配線基板２１よりも上層側に積層されてもよい。

複数の第１の電極線２１０及び複数の第２の電極線２２０のうち一方が駆動電極（Ｅ１１）として機能し、他方が検出電極（Ｅ１２）として機能する。駆動電極（Ｅ１１）及び検出電極（Ｅ１２）は、第１の電極基板２０を駆動する検出回路（制御部６０）にそれぞれ接続される。各駆動電極（Ｅ１１）には、上記検出回路から所定の駆動信号（電圧信号）が順次印加され、検出電極（Ｅ１２）は、駆動電極（Ｅ１１）と容量結合する交差領域（第１の検出部２０ｓ）の容量変化に関する信号を出力する。

第２の電極基板４０は、複数の第３の電極線４１０と、複数の第３の電極線４１０と交差し複数の第３の電極線４１０との交差領域に複数の第２の容量素子を形成する複数の第４の電極線４２０とを有する。

本実施形態において第２の電極基板４０は、複数の第３の電極線４１０と第３の基材４１１とを有する第３の配線基板４１と、複数の第４の電極線４２０と第２の基材４２１とを有する第４の配線基板４２との積層体で構成される。各第３の電極線４１０は、Ｙ軸方向に延在し、第３の支持体４１１上にＸ軸方向に等間隔で配列される。各第４の電極線４２０は、Ｘ軸方向に延在し、第２の基材４２１上にＹ軸方向に等間隔で配列される。複数の第３の電極線４１０と複数の第４の電極線４２０との間にはＺ軸方向に相互に対向する複数の交差領域を有し、これら複数の交差領域各々により、ＸＹ平面に平行な面内にマトリクス状に配置された複数の第２の検出部４０ｓ（第２の容量素子）が構成される（図３）。

第３の配線基板４１と第４の配線基板４２とは接着材あるいは粘着材からなる接合層４３を介して相互に接合される。第３の配線基板４１は、第４の配線基板４２よりも上層側（フレキシブルディスプレイＤ側）に積層されるが、これに限られず、第４の配線基板４２が第３の配線基板４１よりも上層側に積層されてもよい。

複数の第３の電極線４１０及び複数の第４の電極線４２０のうち一方が駆動電極（Ｅ２１）として機能し、他方が検出電極Ｅ２２として機能する。駆動電極（Ｅ２１）及び検出電極（Ｅ２２）は、第２の電極基板４０を駆動する検出回路（制御部６０）にそれぞれ接続される。各駆動電極（Ｅ２１）には、上記検出回路から所定の駆動信号（電圧信号）が順次印加され、検出電極（Ｅ２２）は、駆動電極Ｅ２１と容量結合する交差領域（第２の検出部４０ｓ）の容量変化に関する信号を出力する。

本実施形態において、複数の第１の検出部２０ｓ及び複数の第２の検出部４０ｓは、積層方向（Ｚ軸方向）に対向する位置にそれぞれ配置される。これに限られず、これら検出部２０ｓ及び検出部４０ｓはＺ軸方向に対向しない位置にそれぞれ配置されてもよい。

第１〜第４の基材２１１，２２１，４１１，４２１は、例えばフレキシブル性を有するシート材で構成され、具体的にはＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ポリイミド等の電気絶縁性のプラスチックシート（フィルム）等で構成される。第１の基材２１１の厚みは特に限定されず、例えば数１０μｍ〜数１００μｍである。

第１及び第３の電極線２１０，４１０を構成する各電極線は、単一の電極線で構成されてもよいし、Ｘ軸方向に沿って配列された複数の電極群で構成されてもよい。同様に、第２及び第４の電極線２２０，４２０を構成する各電極線は、単一の電極線で構成されてもよいし、Ｙ軸方向に沿って配列された複数の電極線で構成されてもよい。

相互容量型（容量減少型）では各電極線の端部から漏れている電界を第１及び第２、第３の導体層が吸い取る量で、容量変化が決まるため、各電極線を複数のサブ電極線で構成することで、容量変化を大きくすることができる。また、サブ電極間の隙間部分の面積割合が多いほど、容量変化率（変形による容量変化/変形前容量）が大きくなるため、サブ電極は幅が細く、多数である方が良い。

本実施形態では、図５に示すように、複数の第１及び第３の電極線２１０，４１０を構成する個々の電極線、複数の第２及び第４の電極線２２０，４２０を構成する個々の電極線は、複数の電極線からなる電極線群（サブ電極）で構成されている。なお、サブ電極の幅は、複数の第１の電極線と複数の第２の電極線で異なっていても良く、複数の第３の電極線と複数の第４の電極線で異なっていても良い。また、サブ電極の幅は、複数の第１の電極線と複数の第２の電極線の少なくとも一方が単一の電極線で構成されていても良く、複数の第３の電極線と複数の第４の電極線の少なくとも一方が単一の電極線で構成されていても良い。

また後述するように、第１〜第４の電極線２１０，２２０，４１０，４２０は、各々の交差領域のみ複数本の並列した電極線（サブ電極）で構成されてもよい（図２４Ａ，Ｂ）。

（第１及び第２の支持層）
第１の支持層３０は、第１の電極基板２０と第１の導体層Ｍ１との間に配置され、弾性変形可能に構成される。本実施形態において第１の支持層３０は、複数の第１の柱状体３１０と、第１の枠体３２０と、第１の空間部３３０とを有する。第１の支持層３０は、粘着材あるいは接着剤からなる接合層３５（図３）を介して第１の電極基板２０の上接合されている。

複数の第１の柱状体３１０は、第１の電極基板２０と第１の導体層Ｍ１とをＺ軸方向に離間させる構造体であって、各々略同一の高さで形成される。第１の枠体３２０は、第１の電極基板２０の周縁に沿って、複数の第１の柱状体３１０を取り囲むように形成される。第１の空間部３３０は、複数の第１の柱状体３１０の間に形成される。第１の空間部３３０は、第１の枠体３２０によって気密に構成されてもよいし、第１の枠体３２０に形成された通孔（図示略）を介して入力装置１００の外部と連通していてもよい。

次に、第１の柱状体３１０、第１の枠体３２０及び第１の空間部３３０を構成する第１の支持層３０の層構造について説明する。

図３に示すように本実施形態に係る第１の支持層３０は、基材３１と、基材３１の表面（上面）に設けられた構造層３２と、構造層３２上の所定位置に形成された複数の接合部３４１との積層構造を有する。

基材３１は、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＣ等の電気絶縁性のプラスチックシートで構成される。基材３１の厚みは特に限定されず、例えば数μｍ〜数１００μｍである。

構造層３２は、ＵＶ樹脂等の電気絶縁性の樹脂材料で構成され、基材３１の上に複数の第１の凸部３２１と、第２の凸部３２２と、凹部３２３とを形成する。第１の凸部３２１各々は、例えば、Ｚ軸方向に突出する円柱状、角柱状、錐台形状等の形状を有し、基材３１の上に所定間隔で配列される。第２の凸部３２２は、基材３１の周囲を取り囲むように所定の幅で形成される。

また構造層３２は、入力操作面１１０上での入力操作により第１の電極基板２０を変形させることが可能な適度な剛性を有する材料で構成されるが、入力操作時に操作部材１０（フレキシブルディスプレイＤ）とともに変形可能な弾性材料で構成されてもよい。すなわち構造層３２の弾性率は特に限定されず、目的とする操作感や検出感度が得られる範囲で適宜選択可能である。

凹部３２３は、第１及び第２の凸部３２１，３２２の間に形成された平坦面で構成される。すなわち、凹部３２３上の空間領域は、第１の空間部３３０を構成する。

複数の接合部３４１は、第１及び第２の凸部３２１，３２２の上に各々設けられ、粘着性の樹脂材料等で構成される。すなわち、第１の柱状体３１０各々は、第１の凸部３２１とその上に形成された接合部３４１との積層体で構成され、第１の枠体３２０は、第２の凸部３２２とその上に形成された接合部３４１との積層体で構成される。第１の柱状体３１０及び第１の枠体３２０の厚み（高さ）は、略同一に構成され、本実施形態において例えば数μｍ〜数１００μｍの範囲である。

複数の第１の柱状体３１０各々は、積層方向（Ｚ軸方向）から見て、複数の第１の検出部２０ｓ各々の中心に対向して配置される。なおこれに限られず、後述するように、複数の第１の柱状体３１０は、複数の第１の検出部２０ｓ各々の中心に対してオフセットして配置されてもよい（図９）。

一方、第２の支持層５０は、第２の電極基板４０と第２の導体層Ｍ２との間に配置される。第２の支持層５０は、複数の第２の柱状体５１０と、第２の枠体５２０と、第２の空間部５３０とを有する。

複数の第２の柱状体５１０は、第２の電極基板４０と第２の導体層Ｍ２とをＺ軸方向に離間させる構造体であって、各々略同一の高さで形成される。第２の枠体５２０は、第２の電極基板４０の周縁に沿って、複数の第２の柱状体５１０を取り囲むように形成される。第２の空間部５３０は、複数の第２の柱状体５１０の間に形成される。第２の空間部５３０は、第２の枠体５２０によって気密に構成されてもよいし、第２の枠体５２０に形成された通孔（図示略）を介して入力装置１００の外部と連通していてもよい。

図３に示すように本実施形態に係る第２の支持層５０は、第２の導体層Ｍ２上に直接第２の柱状体５１０及び第２の枠体５２０が形成される。第２の柱状体５１０及び第２の枠体５２０は、例えば粘着性を有する絶縁性の樹脂材料で構成され、第２の導体層Ｍ２と第２の電極基板４０との間を接合する接合部の機能も兼ねる。第２の柱状体５１０及び第２の枠体５２０の厚みは特に限定されないが、例えば数μｍ〜数１００μｍである。

複数の第２の柱状体５１０各々は、積層方向（Ｚ軸方向）から見たときに、隣り合う第１の柱状体３１０間にそれぞれ配置される。すなわち複数の第２の柱状体５１０各々は、複数の第２の検出部４０ｓ各々の中心に対してオフセットして配置されている。なおこれに限られず、複数の第２の柱状体５１０は、複数の第２の検出部４０ｓ各々の中心に対向して配置されてもよい。

複数の第２の柱状体５１０は、第２の電極基板４０を変形可能に支持する。第２の柱状体５１０各々は、例えば、Ｚ軸方向に突出する円柱状、角柱状、錐台形状等の形状を有し、第２の導体層Ｍ２の上に所定間隔で配列される。複数の第２の柱状体５１０は、第１の柱状体３１０を構成する構造層３２と同様に弾性率は特に限定されない。すなわち、目的とする操作感や検出感度が得られる範囲で適宜選択可能であり、入力操作時に第２の電極基板４０とともに変形可能な弾性材料で構成されてもよい。

（制御部）
制御部６０は、第１の電極基板２０及び第２の電極基板４０にそれぞれ電気的に接続される。より詳細には、制御部６０は、複数の第１〜第４の電極線２１０，２２０，４１０，４２０各々にそれぞれ接続される。制御部６０は、検出回路と、信号処理回路とを有する。上記検出回路は、上記各電極線のうち駆動電極（Ｅ１１，Ｅ２１）に相当する電極線に所定の周期で駆動信号を印加したときに得られる検出電極（Ｅ１２，Ｅ２２）に相当する電極線からの出力に基づいて、各検出部２０ｓ，４０ｓの容量変化量を取得する。上記信号処理回路は、各検出部２０ｓ，４０ｓの容量変化量に基づいて、入力操作面１１０に対する入力操作に関する情報（制御信号）を生成する。

制御部６０は、本字実施形態では単一の素子あるいは部品で構成される。すなわち、制御部６０は、ＩＣ等のチップ部品で構成されてもよいし、複数の回路部品を集積したモジュール部品で構成されてもよい。制御部６０は、入力装置１００に搭載されてもよいし、入力装置１００が組み込まれる電子機器７０に搭載されてもよい。

本実施形態の制御部６０は、図３に示すように、第１の検出回路６１１と、第２の検出回路６１２と、信号処理回路６２とを有する。制御部６０は、典型的には、ＣＰＵ／ＭＰＵ、メモリ等を有するコンピュータで構成される。

第１の検出回路６１１は、第１の電極基板２０に電気的に接続され、第２の検出回路６１２は、第２の電極基板４０に電気的に接続される。第１及び第２の検出回路６１１，６１２は、上記駆動信号を生成する信号発生器、検出部２０ｓ，４０ｓの容量変化量を演算する演算器等をそれぞれ有する。

信号処理回路６２は、第１及び第２の検出回路６１１，６１２の出力に基づいて、入力操作面１１０に対する入力操作に関する情報（制御信号）を生成し、当該信号を操作信号として電子機器７０のコントローラ７１０（図４）へ出力する。

本実施形態では、第１の検出部２０ｓ及び第２の検出部４０ｓの各容量変化を制御部６０によって共通に検出するように構成されている。これに限られず、後述するように、各検出部２０ｓ，４０ｓの容量変化を各々異なる制御部（第１及び第２の制御素子）によって個別に検出するように構成されてもよい（図１５）。

図４に示す電子機器７０は、入力装置１００とコントローラ７１０とを有する。コントローラ７１０は、制御部６０から出力される操作信号に基づいた処理を実行する。コントローラ７１０によって処理された操作信号は、例えば画像信号として、フレキシブルディスプレイＤに出力される。フレキシブルディスプレイＤは、フレキシブル配線基板１１３（図２参照）を介してコントローラ７１０に接続される。

電子機器７０としては、典型的には、携帯電話、スマートフォン、ノート型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）、タブレット型ＰＣ、携帯型ゲーム機等が挙げられるが、これら携帯型電子機器に限られず、ＡＴＭ（現金自動預け払い機）、自動券売機等の据置型電子機器等にも適用可能である。

［入力装置の動作］
次に、本実施形態の入力装置１００（センサ装置ＳＡ）の典型的な動作について説明する。

図６は、指Ｆによる入力操作時における入力装置１００の動作を説明する要部断面図である。

指Ｆによって入力操作面１１０を押圧操作したとき、直下の第１の柱状体３１０を弾性変形させながら第１の導体層Ｍ１が第１の電極基板２０へ接近する。したがって第１のセンサＳ１に関しては、押圧位置近傍の第１の検出部２０ｓ１，２０ｓ２，２０ｓ３の静電容量が第１の導体層Ｍ１との距離に応じてそれぞれ変化し、その変化量に応じたカウント値２０ｃ１，２０ｃ２，２０ｃ３が第１の検出回路６１１によってそれぞれ検出される。図示の例では、押圧位置直下の検出部２０ｓ２が最も大きな容量変化量を示す。

一方、入力操作面１１０に入力された押圧力は、第１の柱状体３１０を介して第１の電極基板２０、第３の導体層Ｍ３及び第２の電極基板４０に伝達され、これにより第１の電極基板２０、第３の導体層Ｍ３及び第２の電極基板４０が一体的に変形する。したがって第２のセンサＳ２に関しては、押圧位置近傍の第２の検出部４０ｓ１，４０ｓ２，４０ｓ３の静電容量が第２の導体層Ｍ２との距離に応じてそれぞれ変化し、その変化量に応じたカウント値４０ｃ１，４０ｃ２，４０ｃ３が第２の検出回路６１２によってそれぞれ検出される。図示の例では、押圧位置直下の検出部４０ｓ２が最も大きな容量変化量を示す。

制御部６０は、第１の検出回路６１１及び第２の検出回路６１２の出力に基づいて、入力操作面１１０上における指Ｆの押圧位置（入力位置）とその押圧力を判定する。本実施形態では第１の検出部２０ｓと第２の検出部４０ｓとがそれぞれ厚み方向（Ｚ軸方向）に対向して配置されている。このため、典型的には、最もカウント値が高い検出部２０ｓ２，４０ｓ２のＸＹ座標近傍が押圧位置（入力位置）と判定され、これら検出部２０ｓ２，４０ｓ２の容量変化量などに基づいて押圧力が判定される。

図６に示す例において、２０ｓ２が最も大きく、２０ｓ１と２０ｓ３とは略同一で、かつ２０ｓ２よりも小さい。この場合に演算部６１は、２０ｓ１、２０ｓ２、２０ｓ３の比率に基づいて重心などを算出し、操作位置として検出部２０ｓ２近傍のＸＹ座標を算出することができる。また、図６に示す例においては、４０ｓ２が最も大きく、４０ｓ１と４０ｓ３とは略同一で、かつ４０ｓ２よりも小さい。この場合に演算部６１は、４０ｓ１、４０ｓ２、４０ｓ３の比率に基づいて重心などを算出し、操作位置として検出部４０ｓ２近傍のＸＹ座標を算出することができる。検出部２０ｓの容量変化から算出されたＸＹ座標と検出部４０ｓの容量変化から算出されたＸＹ座標は独立である。

本実施形態では、入力操作面に近い第１のセンサＳ１の検出部２０ｓ２の出力に基づいて押圧位置及び押圧力がそれぞれ判定される。この場合、制御部６０は、各検出部２０ｓのカウント値に所定のタッチ閾値を設定し、例えば検出部２０ｓ２のカウント値２０ｃ２が上記タッチ閾値を超えたときに、タッチ操作（入力操作）ＯＮと判定する。

制御部６０は、押圧位置及び押圧力に関する操作信号を生成し、それを電子機器７０のコントローラ７１０へ出力する。コントローラ７１０は、操作信号に応じてフレキシブルディスプレイＤで表示される画像の表示制御あるいは押圧位置の変化に応じた画像の表示制御を実行する。

次に、図７は、ペンＰによる入力操作時における入力装置１００の動作を説明する要部断面図である。ペンＰを用いた入力操作においても、上述と同様にして入力装置１００が動作する。

すなわち第１のセンサＳ１に関しては、押圧位置近傍の第１の検出部２０ｓ１，２０ｓ２，２０ｓ３の静電容量が第１の導体層Ｍ１との距離に応じて変化し、その変化量に応じたカウント値２０ｃ１，２０ｃ２，２０ｃ３が第１の検出回路６１１によってそれぞれ検出される。この例の場合においても、押圧位置直下の検出部２０ｓ２が最も大きな容量変化量を示す。第２のセンサＳ２に関しては、押圧位置近傍の第２の検出部４０ｓ１，４０ｓ２，４０ｓ３の静電容量が第２の導体層Ｍ２との距離に応じてそれぞれ変化し、その変化量に応じたカウント値４０ｃ１，４０ｃ２，４０ｃ３が第２の検出回路６１２によってそれぞれ検出される。この例の場合においても、押圧位置直下の検出部４０ｓ２が最も大きな容量変化量を示す。入力操作面１１０におけるペンＰの押圧位置（入力位置）及びその押圧力は、上述と同様にして制御部６０によって判定されるとともに、上述と同様にして、コントローラ７１０を介してフレキシブルディスプレイＤの表示画像が制御される。

本実施形態では第１の検出部２０ｓと第２の検出部４０ｓとがそれぞれ厚み方向（Ｚ軸方向）に対向して配置されているが、後述のように第１の検出部２０ｓが第２の検出部４０ｓに対してオフセットしていてもよい。また、本実施形態では第１の検出部２０ｓと第２の検出部４０ｓが同じ間隔で配置されているが、異なる間隔でも良く、例えば第２の検出部４０ｓは第１の検出部より少ない個数であっても良い。このような場合も、第１のセンサＳ１及び第２のセンサＳ２からは押圧位置座標（ＸＹ座標）及び押圧力の大きさ（Ｚ座標）に関する信号が各々独立して出力される。

上述のように本実施形態の入力装置１００においては、第１のセンサＳ１及び第２のセンサＳ２からは押圧位置座標（ＸＹ座標）及び押圧力の大きさ（Ｚ座標）に関する信号が各々独立して出力され、これらの出力に基づいてフレキシブルディスプレイＤの画像制御が実行される。

したがって本実施形態の入力装置１００によれば、第１の検出部２０ｓと第１の導体層Ｍ１との間の相対距離、及び、第２の検出部４０ｓと第２の導体層Ｍ２との間の相対距離がそれぞれ押圧力によって可変であることから、第１のセンサＳ１及び第２のセンサＳ２の２つのセンサを用いた押圧位置検出及び押圧力検出が可能となる。これにより入力操作の検出感度あるいは検出動作の信頼性が高められるため、指等の動きを利用した任意のジェスチャ操作によって自由度の高い入力操作が可能となるとともに、当該入力操作を高い精度で安定的に検出することが可能となる。

また本実施形態によれば、第１のセンサＳ１と第２のセンサＳ２との間に第３の導体層Ｍ３が配置されているため、第１及び第２の検出部２０ｓ，４０ｓとの間の電磁気的な干渉が防止される。これにより第１のセンサＳ１及び第２のセンサＳ２の各々において、入力操作に応じた容量変化に関する信号を高精度に出力することが可能となる。

さらに本実施形態によれば、指による入力操作と、ペンによる入力操作とを各々区別して検出することが可能である。

例えば、指の方がペンよりも大きな接触面積を有するため、同じ荷重（押圧力）を印加した場合、指の方が押圧力に対する圧力が小さくなる。したがって、指で入力操作したときと比較してペンで入力操作したときの方が、押圧位置直下における第１のセンサＳ１における検出部２０ｓ２の容量変化量と、当該検出部２０ｓ２の隣接の検出部２０ｓ１，２０ｓ３の容量変化量との差を大きくすることができる（図６及び図７の検出部２０ｓ２のカウント値参照）。つまり、局所的な容量変化量の分布とすることができる。

そこで、第１のセンサＳ１をペン用センサとし、第２のセンサＳ２を指用センサとすると共に、第１のセンサＳ１を構成する複数の第１の検出部２０ｓのカウント値に所定のペン操作閾値を設定する。これにより複数の第１の検出部２０ｓのうち最も容量変化の大きい検出部（押圧位置直下の検出部２０ｓ２）のカウント値が上記ペン操作閾値を超えたときにペンによる入力操作であると判定することができる。上記ペン操作閾値の大きさは特に限定されないが、指による通常の入力操作の際に出力される、押圧位置直下の検出部４０ｓ２のカウント値よりも大きい値に設定されるのが好ましい。

以上のように第１のセンサＳ１をペン用センサとして構成することにより、入力モードの切り替えに必要な特別な操作を必要とすることなく、指又はペンによる通常の入力操作に基づいて、入力モードを自動的に切り替えることが可能となる。

指による入力操作とペンによる入力操作とを精度よく判別するために、指用センサ（第２のセンサＳ２）とペン用センサ（第１のセンサＳ１）とで異なる設計にしてもよい。例えば、指はペンより圧力が小さいため、指用センサはペン用センサよりも高感度に構成されてもよい。

指用センサをペン用センサよりも高感度に設定するためには、例えば以下の構成が採用可能である。
（１）指用センサの支持層（第２の支持層５０）の高さを、ペン用センサの支持層（第１の支持層３０）の高さよりも小さくする。
（２）ペン用センサの支持層を構成する柱状体（第１の柱状体３１０）の数を、指用センサの支持層を構成する柱状体（第２の柱状体５１０）の本数よりも多くする。
（３）ペン用センサのタッチ判定（入力操作）閾値を、指用センサのタッチ判定閾値よりも高くする。

例えば上記（１）〜（３）により、指用センサの各検出部（第２の検出部４０ｓ）をペン用センサの各検出部（第１の検出部２０ｓ）よりも、入力操作面１１０への入力操作に対して、大きな容量変化をするように構成することができる。

ペン用センサを指用センサよりも局所的な容量変化量の分布とするためには、例えば以下の構成が採用可能である。
（４）ペン用センサを、指用センサよりも入力操作面側に配置する。
（５）ペン用センサの支持層を構成する柱状体（第１の柱状体３１０）の数を、指用センサの支持層を構成する柱状体（第２の柱状体５１０）の本数よりも多くする。
（６）ペン用センサの検出部（第１の検出部２０ｓ）に対向する部分に、ペン用センサの支持層を構成する柱状体（第１の柱状体３１０）を１本または複数本配置する。

図６および図７における検出部２０ｓ２の容量変化は、入力操作により、第１の柱状体３１０（図６における検出部２０ｓ２上の第１の柱状体）を圧縮して検出部２０ｓ２と導体層Ｍ１の距離を変化させることで発生している。また、図６および図７における検出部４０ｓ２の容量変化は、第１の柱状体３１０により電極基板が曲げられて第２の柱状体５１０間の第２の空間部５３０が圧縮され、検出部４０ｓ２と導体層Ｍ２の距離を変化させることで発生している。一般的に前者のような柱状体を圧縮させる変形の方が、後者の電極基板を曲げる変形に比べて、高い圧力が必要になる。よって、ペン用センサは、ペン用センサの柱状体を圧縮させるような変形構造とすること、または、ペン用センサの柱状体数を増やすこと、または、検出部に対向する部分にペン用センサの柱状体を配置することで、局所的な圧力を検出できるようになる。

例えば上記（４）〜（６）により、ペン用センサの各検出部（第１の検出部２０ｓを）指用センサの各検出部（第２の検出部４０ｓ）よりも、入力操作面１１０への入力操作に対して、局所的な容量変化量の分布となるように構成することができる。

また、図６および図７に示すように、第２のセンサＳ２（指用センサ）の容量変化分布は、ペンで操作した場合と指で操作した場合で似ている。この場合は、第２のセンサＳ２（指用センサ）の階調分解能を上げて、容量変化量の分布の差（４０ｓ２と４０ｓ１の差、４０ｓ２と４０ｓ３の差）を用いてペンか指かの判別を行うと良い。または、ペンか指かの判別は第１のセンサＳ１（ペン用センサ）で行い、ペン用センサと指用センサの両方が閾値を超えた場合はペンとするというアルゴリズムを信号処理回路６２やコントローラ７１０に導入しても良い。

＜第２の実施形態＞
図８及び図９は、本技術の第２の実施形態を示している。以下、第１の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。

図８は、本実施形態の入力装置２００の概略側断面図である。図９は、第１の検出部２０ｓと、第１の柱状体３１０と、第２の検出部４０ｓと、第２の柱状体５１０との位置関係を示す、Ｚ軸方向から見たセンサ装置ＳＢの概略平面図である。

本実施形態の入力装置２００は、フレキシブルディスプレイＤと、センサ装置ＳＢとを有する。センサ装置ＳＢは、第１のセンサＳ１と、第２のセンサＳ２と、第１のセンサＳ１と第２のセンサＳ２との間に配置された第３の導体層Ｍ３とを有する。

第１のセンサＳ１は、フレキシブルディスプレイＤに接合された第１の導体層Ｍ１と、複数の第１の検出部２０ｓ（第１の容量素子）がマトリクス状に配置された第１の電極基板２０と、複数の第１の柱状体３１０を有し第１の導体層Ｍ１と第１の電極基板２０との間に配置された第１の支持層３０とを有する。第２のセンサＳ２は、複数の第２の検出部４０ｓ（第２の容量素子）がマトリクス状に配置された第２の電極基板４０と、第２の導体層Ｍ２と、複数の第２の柱状体５１０を有し第２の電極基板４０と第２の導体層Ｍ２との間に配置された第２の支持層５０とを有する。

なお図８及び図９において、第１の検出部２０ｓ及び第２の検出部４０ｓはそれぞれ簡略的に描かれており、容量素子を構成する各電極線の交差領域のみが概略的に示されている。

本実施形態の入力装置２００は、第１及び第２の検出部２０ｓ，４０ｓの位置関係と、第１及び第２の柱状体３１０，５１０の位置関係との点で、第１の実施形態で説明した入力装置１００と異なる。

本実施形態の入力装置２００（センサ装置ＳＢ）においては、第１のセンサＳ１と第２のセンサＳ２との積層方向（Ｚ軸方向）から見て、複数の第１の検出部２０ｓ各々の中心は、複数の第２の検出部４０ｓ各々の中心に対してオフセットして配置されている。より具体的に、４つの第２の検出部４０ｓで構成される四角形の中心に１つの第１の検出部２０ｓが配置され、４つの第１の検出部２０ｓで構成される四角形の中心に１つの第２の検出部４０ｓが配置される。

一方、複数の第１の柱状体３１０と複数の第２の柱状体５１０もまた、Ｚ軸方向から見て相互にオフセットした位置に配置されている。そして、各第１の柱状体３１０は、第２の検出部４０ｓ各々の中心に対向して配置され、各第２の柱状体５１０は、第１の検出部２０ｓ各々の中心に対向して配置されている。

以上のように構成される本実施形態の入力装置２００においても上述の第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

特に本実施形態によれば、第１及び第２の検出部２０ｓ，４０ｓ各々の中心が相互にオフセットして配置されているため、入力操作面１１０の面内において検出部２０ｓ，４０ｓを密に配置でき、これにより感度分布を滑らかにすることができる。

また、第１の柱状体３１０が第１の検出部２０ｓの周囲に配置されているため、入力操作面１１０への入力操作を第１の検出部２０ｓによって高い感度で検出することが可能となる。しかも、第１の柱状体３１０と第２の検出部４０ｓとがＺ軸方向に対向しているため、ペン入力操作を第２の検出部４０ｓによって効率よく検出することが可能となる。これにより、第１及び第２のセンサＳ１，Ｓ２を用いて指による入力操作とペンによる入力操作とを高精度に識別することが可能となる。

さらに、第１のセンサＳ１と第２のセンサＳ２との間で柱状体３１０，５１０の位置や本数を異ならせることで、第１のセンサＳ１の感度を第２のセンサＳ２の感度よりも高めてもよい。図１０に、第２の柱状体５１０を第１の検出部２０ｓの直下に４本ずつ配置した例を示す。この場合に、第１のセンサＳ１を指用センサ、第２のセンサＳ２をペン用センサとすることで、指用センサの感度をペン用センサの感度よりも高めてもよい。なお、図示しないが、第１の柱状体３１０を第２の検出部４０ｓの直上に４本ずつ配置し、第２のセンサＳ２の感度を第１のセンサＳ１の感度よりも高めてもよい。

＜第３の実施形態＞
図１１は本技術の第３の実施形態に係る入力装置３００の概略側断面図である。以下、第１の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。

本実施形態の入力装置３００は、フレキシブルディスプレイＤと、センサ装置ＳＣとを有する。センサ装置ＳＣは、第１のセンサＳ１と、第２のセンサＳ２と、第１のセンサＳ１と第２のセンサＳ２との間に配置された剛体層Ｒとを有する。なお制御部６０の図示は省略されている。

剛体層Ｒは、例えば金属材料等の導体板で構成され、第１及び第２の導体層Ｍ１，Ｍ２と同様に、所定の基準電位（例えばグランド電位）に接続されている。剛体層Ｒは、第１のセンサＳ１（あるいはフレキシブルディスプレイＤ、第１の導体層Ｍ１、第１の電極基板２０）及び第２のセンサＳ２（あるいは第２の導体層Ｍ２、第２の電極基板４０）よりも高い剛性を有している。

剛体層Ｒは、第１のセンサＳ１及び第２のセンサＳ２相互間における変形の伝播を規制するためのものであり、典型的には、比較的厚い金属板によって構成される。なおこれに限られず、剛体層Ｒは、例えば、樹脂プレートで構成されてもよいし、電極基板等と一体的に構成されてもよい。

本実施形態の入力装置３００は、ディスプレイＤの表面（上面）が第１の入力操作面１１１として、第２の導体層Ｍ２の表面（下面）が第２の入力操作面１１２としてそれぞれ構成される。すなわち入力装置３００は、ディスプレイＤ側からの入力操作と、第２の導体層Ｍ２側からの入力操作とが可能に構成されている。

第１の入力操作面１１１に対する入力操作は、第１の導体層Ｍ１と第１の電極基板２０との距離の変化に基づく第１の検出部２０ｓの容量変化によって検出される。一方、第２の入力操作面１１２に対する入力操作は、第２の導体層Ｍ２と第２の電極基板４０との距離の変化に基づく第２の検出部４０ｓの容量変化によって検出される。

各検出部２０ｓ，４０ｓにおける容量検出の際は、導体からなる剛体層Ｒによって相互干渉が防止されると共に、剛体層Ｒの剛性によって一方側から他方側への操作力の伝播が抑制される。このため、両入力操作面１１１，１１２に操作力が同時に入力された場合においても、これらの入力操作を第１及び第２の検出部２０ｓ，４０ｓによって各々独立かつ適正に検出することができる。

本実施形態の入力装置３００においては、例えば、同一のユーザによる第１及び第２の入力操作面１１１，１１２への入力操作が可能である。入力操作例としては、入力装置３００を同じ手の親指と人差し指で挟む、あるいは、これらの指で挟みながら手指を縦方向や横方向に移動させる等のジェスチャ入力が挙げられる。

第２の入力操作面１１２は、第２の導体層Ｍ２の表面に積層された他の層あるいは部材の表面で構成されてもよい。当該他の層あるいは部材は、導電性であってもよいし非導電性であってもよい。また、当該他の層あるいは部材として、フレキシブルディスプレイ等の表示素子が設けられてもよい。この場合、一台の入力装置によって複数のユーザへ各人の入力操作に応じた画像を表示することが可能となる。

図１１に示した入力装置３００において、第２の柱状体５１０は、第２の検出部４０ｓと厚み方向（Ｚ軸方向）に対向するように配置されたが、これに限られず、第２の検出部４０ｓの周囲に配置されてもよい。同様に、第１の柱状体３１０は、第１の検出部２０ｓの周囲に配置されたが、第１の検出部２０ｓと厚み方向に対向するように配置されてもよい。

＜第４の実施形態＞
図１２は本技術の第４の実施形態に係る入力装置４００の概略側断面図である。以下、第１の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。

本実施形態の入力装置４００は、フレキシブルディスプレイＤと、センサ装置ＳＤと、筐体ＣＨとを有する。センサ装置ＳＤは、第１のセンサＳ１と、第２のセンサＳ２と、第１のセンサＳ１と第２のセンサＳ２との間に配置された剛体層Ｒとを有する。なお制御部６０の図示は省略されている。

筐体ＣＨは、金属材料、合成樹脂材料、セラミクス材料等からなる成形体で形成され、センサ装置ＳＤの裏面及び側周面を被覆する外装体として構成される。筐体ＣＨの内面には、複数の突起部ＣＨ１が設けられている。複数の突起部ＣＨ１は、第２のセンサＳ２に対向して配置され、第２のセンサＳ２を部分的に支持する。

図１３は、筐体ＣＨの内面構造を示す概略的に示す平面図である。筐体ＣＨの内面にはリブ構造体ＣＨ２が形成されている。リブ構造体ＣＨ２は、直線的なリブを複数組み合わせて構成されており、突起部ＣＨ１は、リブ構造体ＣＨ２上の所定の部位に所定の形状で形成される。典型的には、突起部ＣＨ１は、複数のリブの交点や所定のリブ上面に一体的に設けられる。

突起部ＣＨ１は、筐体ＣＨのリブで構成される場合に限られず、例えば、筐体内面に配置された金具や回路基板、配線、電池あるいは緩衝材等の突起部材で構成されてもよい。

図１４は、ユーザによる入力装置４００の操作例を示す概略平面図である。図示の例では、ユーザが入力装置４００の一つ隅部を一方の手Ｈで把持しながら、図示しない他方の手指で入力操作面１１０を操作する様子を示している。この場合、入力操作面１１０に対する操作力の反力がユーザの手Ｈを介して入力装置４００の裏面側（図において領域Ｗで示す。）に作用する。当該反力は、入力操作面１１０の操作位置によって変化し、手Ｈから遠い位置ほど大きくなる。

このとき、裏面側の第２のセンサによって上記反力が検出されることで、入力装置の誤作動を招くおそれがある。また、第１及び第２のセンサＳ１，Ｓ２の間に剛体層Ｒが設けられているが、操作位置あるいは操作力によっては剛体層Ｒの変形を第１のセンサが誤検出するおそれがある。

そこで本実施形態の入力装置４００は、第２のセンサＳ２が装置裏面からの圧力を検出したときは、当該圧力による入力をキャンセルする（無効にする）ように構成される。つまり、第２のセンサＳ２は装置裏面からの圧力を検出し、第１のセンサＳ１は入力操作面１１０からの通常の入力を検出するように構成される。さらに、裏面からの高い圧力による剛体層Ｒの変形を第１のセンサが検出した際に、第２のセンサＳ２が当該圧力を検出した場合には、当該圧力による第１のセンサの信号をキャンセル（無効にする）するように設定する。これにより入力装置４００の誤動作を抑制し、操作性を維持することが可能となる。なお、この裏面からの圧力のキャンセル（無効化）の処理は、信号処理回路６２で行っても良く、コントローラ７１０で行っても良い。

特に本実施形態においては、筐体ＣＨによって第２のセンサＳ２を支持する領域が突起部ＣＨ１の形成位置に限られている。このため、入力装置の持ち方に関係なく、常に一定の位置で操作反力を検出することができるため、当該限定された領域及びその周辺領域に位置する検出部４０ｓの信号をキャンセルの対象とすることができる。

さらに上述のように操作反力が限定された位置に発生するため、操作反力を検出するための検出部４０ｓは、マトリクス状に配置される必要はない。このため第２の検出部４０ｓは、筐体ＣＨの突起部ＣＨ１に対向する位置にのみ配置されてもよい（図１２参照）。

［変形例］
以上、本技術の実施形態について説明したが、本技術は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

（変形例１：制御部）
例えば以上の各実施形態では、入力装置は、複数の第１及び第２の検出部２０ｓ，４０ｓの容量変化量を共通の制御部６０で判定するように構成された。これに代えて、入力装置は、図１５に模式的に示すように、第１及び第２の電極基板２０，４０に電気的に接続された第１及び第２の制御素子６０１，６０２を用いて、各検出部２０ｓ，４０ｓの容量変化量を各制御素子６０１，６０２において個別に判定するように構成されてもよい。

（変形例２：電極線）
第１の実施形態では、複数の第１及び第３の電極線２１０，４１０を構成する個々の電極線、複数の第２及び第４の電極線２２０，４２０を構成する個々の電極線は、複数の電極線からなる電極線群（サブ電極）で構成されていた。これに代えて、図１６Ａ，Ｂに示すように、複数の第２及び第４の電極線２２０，４２０を構成する個々の電極線は、複数の第１及び第３の電極線２１０，４１０を構成する個々の電極線よりも幅広に形成されていてもよい。図１６Ａは第１の電極基板２０の他の電極構成例を示す要部平面図、図１６Ｂは第２の電極基板４０の他の電極構成例を示す要部平面図である。
そして、複数の第１及び第３の電極線２１０，４１０各々は複数の電極線からなる電極線群で構成されているのに対して、複数の第２及び第４の電極線２２０，４２０各々は、単一の電極線で構成されていてもよい。

第１の実施形態では、第２の電極基板４０は、第３の電極線４１０が第４の電極線４２０よりも上層側（第１の電極基板２０側）に位置するように構成されたが、これに代えて、図１７に模式的に示すように、第４の電極線４２０が第３の電極線４１０よりも上層側に位置するように構成されてもよい。

この場合、複数の第１の電極線２１０と複数の第２の電極線２２０の位置関係は、第１の支持層３０側に複数の第１の電極線２１０が配置されることが好ましい。複数の第３の電極線４１０と複数の第４の電極線４２０の位置関係は、第２の支持層５０側に複数の第３の電極線４１０が配置されることが好ましい。さらに、この場合、複数の第２の電極線２２０及び複数の第４の電極線４２０は相互に対向して配置されることが好ましい。相互容量型（容量減少型）では各電極線の端部から漏れている電界を第１及び第２、第３の導体層Ｍ１，Ｍ２、Ｍ３が吸い取る量で、容量変化が決まるため、各々のセンサにおいて変形層（支持層）が存在する方向に、複数のサブ電極線で構成された電極線を配置することで、容量変化を大きくすることができる。

複数の第２及び第４の電極線２２０，４２０を構成する個々の電極線は、幅広もしくは単一電極に形成されているため、これら第２及び第４の電極線２２０，４２０をそれぞれ駆動電極（Ｅ１１，Ｅ２１）として制御部６０に接続すれば、シールドとしての機能も有する。
つまり、複数の第２の電極線がフレキシブルディスプレイＤ側に配置されていればフレキシブルディスプレイＤからのノイズをシールドすることができ、複数の第２の電極線が第２のセンサＳ２側に配置されていれば、第２のセンサＳ２からのノイズをシールドすることができる。
複数の第４の電極線４２０が第２の導体層Ｍ２側に配置されていれば、第２の導体層Ｍ２の背面に実装された電気回路等からのノイズをシールドすることができ、複数の第４の電極線４２０が第１のセンサＳ１側に配置されていれば、第１のセンサＳ１からのノイズをシールドすることができる。

なお、サブ電極間の隙間部分の面積割合が多いほどノイズの影響を受けやすいため、複数の第２及び第４の電極線２２０，４２０を構成する個々の電極線は、複数の第１及び第３の電極線２１０，４１０を構成する個々の電極線よりも、サブ電極間の隙間部分の面積割合が小さい（サブ電極間の隙間が狭い）方が良い。

また、この場合、第１及び第３の電極線２１０，４１０よりも幅広の第２及び第４の電極線２２０，４２０が相互に対向して配置されることになる。そして、これら第２及び第４の電極線２２０，４２０をそれぞれ駆動電極（Ｅ１１，Ｅ２１）として制御部６０に接続すれば、図１６に示すように第３の導体層Ｍ３を省略することが可能となる。すなわち駆動電極（Ｅ１１，Ｅ２１）は、検出電極（Ｅ１２，Ｅ２２）よりもノイズの影響を受けにくく、しかも幅広に形成されているためシールドとしての機能をも有するため、第２及び第４の電極線２２０，４２０によって第３の導体層Ｍ３としての機能を果たすことができる。

また上述の例において、相互に対向配置された第２及び第４の電極線２２０，４２０を駆動電極（Ｅ１１，Ｅ２１）として構成することにより、図１８に模式的に示すように、第２及び第４の電極線２２０，４２０を共通の電極線で構成することが可能となる。これにより配線層の数を減少でき、センサ装置のさらなる薄型化が可能となる。

（変形例３：センサの層構造）
第１の実施形態では、第１のセンサＳ１として、下層側から第１の電極基板２０、第１の支持層３０及び第１の導体層Ｍ１が順に積層されたが、これに限られない。例えば図１９に模式的に示すように、第１のセンサＳ１’として、下層側から第１の導体層Ｍ１、第１の支持層３０及び第１の電極基板２０が順に積層されてもよい。この場合、入力操作面１１０は第１の電極基板２０側に設けられ、第１の導体層Ｍ１は第２の電極基板４０の上に積層される。第１の電極基板２０とフレキシブルディスプレイＤとの間には、例えばグランド電位に接続された第４の導体層Ｍ４が配置される。このような構成においても、第１の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。

第１の実施形態では、第２のセンサＳ２として、下層側から第２の導体層Ｍ２、第２の支持層５０及び第２の電極基板４０が順に積層されたが、これに限られない。例えば図２０に模式的に示すように、第２のセンサＳ２’として、下層側から第２の電極基板４０、第２の支持層５０及び第２の導体層Ｍ２が順に積層されてもよい。この場合、入力操作面１１０は第１の導体層Ｍ１側に設けられ、第１の電極基板２０は第２の導体層Ｍ２の上に積層される。第２の電極基板４０の下面側には、例えばグランド電位に接続された第５の導体層Ｍ５が配置される。このような構成においても、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

図２１は、第１のセンサＳ１’と第２のセンサＳ２’とを組み合わせて構成された入力装置の模式断面図である。入力操作面１１０は第１の電極基板２０側に設けられ、第１の導体層Ｍ１及び第２の導体層Ｍ２は、共通の導体層で構成される。この場合においても、第１の電極基板２０とフレキシブルディスプレイＤとの間に第４の導体層Ｍ４が配置され、第２の電極基板４０の下面側に第５の導体層Ｍ５が配置される。このような構成においても、第１の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。また、第１及び第２の導体層Ｍ１，Ｍ２が相互に積層される構造になるため、これらを共通の導体層として構成することができる。

（変形例４：第３の支持層）
図２２は、第１のセンサＳ１’と第２のセンサＳとを組み合わせ、さらに第１のセンサＳ１’とフレキシブルディスプレイＤ（及び第４の導体層Ｍ４）との間に第３の支持層８０を配置して構成された入力装置の模式断面図である。本例では、第３の支持層８０は、第１の電極基板２０とフレキシブルディスプレイＤとの間に配置される。なお、第１のセンサＳ１’がフレキシブルディスプレイＤを含む構成とした場合、第３の支持層８０は、入力操作面１１０と第１の電極基板２０との間に配置されることになる。

第３の支持層８０は、第１及び第２の支持層３０，５０と同様に、複数の柱状体８１０（第３の柱状体）で構成することができる。本例では、第１の柱状体３１０は第１の検出部２０ｓの中心とはオフセットした位置に配置され、第２の柱状体５１０は第２の検出部４０ｓの中心と対向する位置に配置されたが、勿論この例に限られない。

上記構成においても、第１の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。また第３の支持層８０を有しているため、第１のセンサＳ１の検出感度を任意に最適化することができるとともに、入力操作面１１０に対する押圧操作感を増加させることができる。

図２３は、図２２に示した入力装置において、第１の導体層Ｍ１が剛体層Ｒで構成された例を示している。このような構成においても、第３の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また第３の支持層８０を有しているため、第１のセンサＳ１の検出感度を任意に最適化することができるとともに、入力操作面１１０に対する押圧操作感を増加させることができる。

図２４は、図２３に示した入力装置と筐体ＣＨとを組み合わせて構成された例を示している。このような構成においても上述の第３の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。

（変形例５：サブ電極）
第１の実施形態では、複数の第１及び第２の電極線２１０，２２０は直線的な電極線で構成されたが、これに限られず、図２５Ａ，Ｂに示すような形態で構成されてもよい。

図２５Ａは、第１の電極線２１０の構成の変形例を示す模式的な平面図である。例えば第１の電極線２１０は、複数の単位電極体２１０ｍと、複数の単位電極体２１０ｍ同士を連結する複数の連結部２１０ｎとを有する。各単位電極体２１０ｍは、複数のサブ電極（電極要素）２１０ｗを含む。複数のサブ電極２１０ｗは、電極線が枝分かれした複数の電極要素からなる電極であり、規則的または不規則的なパターンを有している。図２５Ａでは、複数のサブ電極２１０ｗが、規則的なパターンを有している例が示されている。この例では、複数のサブ電極２１０ｗは、Ｙ軸方向に延在する線状の導電部材であり、それらの導電部材が、ストライプ状に配列されている。連結部２１０ｎは、Ｙ軸方向に延在しており、隣り合う単位電極体２１０ｍ同士を連結する。

図２５Ｂは、第２の電極線２２０の構成の変形例を示す模式的な平面図である。例えば第２の電極線２２０は、複数の単位電極体２２０ｍと、複数の単位電極体２２０ｍ同士を連結する複数の連結部２２０ｎとを有する。単位電極体２２０ｍは、複数のサブ電極（電極要素）２２０ｗを含む。複数のサブ電極２２０ｗは、規則的または不規則的なパターンを有しており、図２５Ｂでは、複数のサブ電極２２０ｗが、規則的なパターンを有している例が示されている。この例では、複数のサブ電極２２０ｗは、Ｘ軸方向に延在する線状の導電部材であり、それらの導電部材が、ストライプ状に配列されている。連結部２２０ｎは、Ｘ軸方向に延在しており、隣り合う単位電極体２２０ｍ同士を連結する。

第１及び第２の電極線２１０、２２０は、Ｚ軸方向から見て単位電極体２１０ｍと単位電極体２２０ｍとがＺ軸方向に対向して重なるように交差して配置され、当該交差領域が検出部２０ｓを構成する。なお、単位電極体２１０ｍ、２２０ｍは上述の構成に限定されるものではなく、種々の構成のものを採用することができる。

上述の構成は、複数の第１及び第２の電極線２１０，２２０だけでなく、複数の第３及び第４の電極線４１０，４２０についても同様に適用可能である。

（変形例６：支持層）
第１の実施形態においては、第１及び第２の支持層３０，５０じゃそれぞれ複数の柱状体で構成されたが、これに限られない。例えば図２６Ａは、第２の支持層５０Ｅをゴムしシート等の弾性層で構成された例を示し、図２６Ｂは、第１の支持層３０Ｅを当該弾性層で構成された例を示している。勿論、第１及び第２の支持層のいずれもが上記弾性層で構成されてもよい。

なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１） 複数の第１の容量素子がマトリクス状に配置された第１の電極基板と、前記第１の電極基板と対向する第１の導体層と、前記第１の電極基板と前記第１の導体層との間に配置された変形可能な第１の支持層と、前記第１の電極基板及び前記第１の導体層の何れか一方側に設けられた第１の入力操作面と、を有し、前記第１の電極基板と前記第１の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する、第１のセンサと、
複数の第２の容量素子が配置された第２の電極基板と、前記第２の電極基板と対向する第２の導体層と、前記第２の電極基板と前記第２の導体層との間に配置された変形可能な第２の支持層と、を有し、前記第１のセンサに積層され、前記第２の電極基板と前記第２の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する、第２のセンサと
を具備するセンサ装置。
（２）上記（１）に記載のセンサ装置であって、
前記第１の入力操作面は、前記第１の導体層側に設けられ、
前記第１の電極基板は、前記第２の電極基板の上に積層される
センサ装置。
（３）上記（２）に記載のセンサ装置であって、
前記第１の電極基板と前記第２の電極基板との間に配置された第３の導体層をさらに具備する
センサ装置。
（４）上記（１）に記載のセンサ装置であって、
前記第１の入力操作面は、前記第１の電極基板側に設けられ、
前記第１の導体層は、前記第２の電極基板の上に積層される
センサ装置。
（５）上記（１）に記載のセンサ装置であって、
前記第１の入力操作面は、前記第１の導体層側に設けられ、
前記第１の電極基板は、前記第２の導体層の上に積層される
センサ装置。
（６）上記（１）に記載のセンサ装置であって、
前記第１の入力操作面は、前記第１の電極基板側に設けられ、
前記第１の導体層及び前記第２の導体層は、共通の導体層で構成される
センサ装置。
（７）上記（１）〜（６）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記複数の第２の容量素子は、前記第２の電極基板上にマトリクス状に配置される
センサ装置。
（８）上記（１）〜（７）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記複数の第１の容量素子は、前記第１の入力操作面への入力操作に対して、前記複数の第２の容量素子よりも大きな容量変化をするように構成される
センサ装置。
（９）上記（１）〜（８）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記第１のセンサと前記第２のセンサとの積層方向から見て、前記複数の第１の容量素子各々の中心は、前記複数の第２の容量素子各々の中心に対してオフセットしている
センサ装置。
（１０）上記（１）〜（９）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記第１の支持層は、複数の第１の柱状体を含む
センサ装置。
（１１）上記（１）〜（１０）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記第２の支持層は、複数の第２の柱状体を含む
センサ装置。
（１２）上記（１）〜（９）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記第１の支持層は、前記複数の第２の容量素子各々の中心に対向して配置された複数の第１の柱状体を含み、
前記第２の支持層は、前記複数の第１の容量素子各々の中心に対向して配置された複数の第２の柱状体を含む
センサ装置。
（１３）上記（１）〜（１２）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記第１の電極基板は、複数の第１の電極線と、前記複数の第１の電極線と交差し前記複数の第１の電極線との交差領域に前記複数の第１の容量素子を形成する複数の第２の電極線とを有し、
前記第２の電極基板は、前記複数の第１の電極線と対向する複数の第３の電極線と、前記複数の第３の電極線と交差し前記複数の第３の電極線との交差領域に前記複数の第２の容量素子を形成する複数の第４の電極線とを有する
センサ装置。
（１４）上記（１３）に記載のセンサ装置であって、
前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線の少なくとも一方は、前記複数の第１の容量素子に対応する領域においてサブ電極を有する
センサ装置。
（１５）上記（１３）又は（１４）に記載のセンサ装置であって、
前記複数の第３の電極線と前記複数の第４の電極線の少なくとも一方は、前記複数の第２の容量素子に対応する領域においてサブ電極を有する
センサ装置。
（１６）上記（１４）に記載のセンサ装置であって、
前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線のうち、前記第１の支持層側に配置された電極線がサブ電極を有する
センサ装置。
（１７）上記（１５）に記載のセンサ装置であって、
前記複数の第３の電極線と前記複数の第４の電極線のうち、前記第２の支持層側に配置された電極線がサブ電極を有する
センサ装置。
（１８）上記（１３）〜（１７）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記複数の第２の電極線及び前記複数の第４の電極線は、共通の電極線で構成される
センサ装置。
（１９）上記（１４）〜（１８）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記複数の第２の電極線及び前記複数の第４の電極線は、前記複数の第１の電極線及び前記複数の第３の電極線よりも幅広またはサブ電極間の隙間が狭く形成されており、前記複数の第２の電極線及び前記複数の第４の電極線は相互に対向して配置される
センサ装置。
（２０）上記（１）〜（１９）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板に電気的に接続された制御部をさらに具備し、
前記制御部は、前記複数の第１の容量素子の容量変化及び前記複数の第２の容量素子の容量変化に基づいて、前記第１の入力操作面に対する入力操作に関する制御信号を生成するように構成される
センサ装置。
（２１）上記（２０）に記載のセンサ装置であって、
前記制御部は、
前記第１の電極基板に電気的に接続された第１の制御素子と、
前記第２の電極基板に電気的に接続された第２の制御素子とを有する
センサ装置。
（２２）上記（１）〜（２１）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記第１のセンサは、前記第１の入力操作面と前記第１の電極基板との間に配置された第３の支持層をさらに有する
センサ装置。
（２３）上記（１）〜（２２）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記第１のセンサと前記第２のセンサとの間に配置され、前記第１のセンサ及び前記第２のセンサよりも高い剛性を有する剛体層をさらに具備する
センサ装置。
（２４）上記（２３）に記載のセンサ装置であって、
前記第２のセンサに対向して配置され前記第２のセンサを部分的に支持する突起部材をさらに具備する
センサ装置。
（２５）上記（２４）に記載のセンサ装置であって、
前記突起部材は、筐体、金具、回路基板、配線、電池又は緩衝材である
センサ装置。
（２６）上記（２４）又は（２５）に記載のセンサ装置であって、
前記複数の第２の容量素子は、前記突起部材に対向して配置される
センサ装置。
（２７）上記（１）〜（２６）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記第２のセンサは、前記第２の電極基板及び前記第２の導体層の何れか一方側に設けられた第２の入力操作面をさらに有する
センサ装置。
（２８）上記（１）〜（２７）の何れか１つに記載のセンサ装置であって、
前記第１のセンサは、前記第１の導体層及び前記第１の電極基板の少なくとも一方に積層された表示部をさらに有し、
前記第１の入力操作面は、前記表示部の表示面である
センサ装置。

２０…第１の電極基板
３０…第１の支持層
４０…第２の電極基板
５０…第２の支持層
６０…制御部
７０…電子機器
１００〜４００…入力装置
Ｓ…センサ装置
Ｓ１，Ｓ１’…第１のセンサ
Ｓ２，Ｓ２’…第２のセンサ
Ｍ１…第１の導体層
Ｍ２…第２の導体層
Ｍ３…第３の導体層

Claims (30)

1. 複数の第１の容量素子がマトリクス状に配置された第１の電極基板と、前記第１の電極基板と対向する第１の導体層と、前記第１の電極基板と前記第１の導体層との間に配置された変形可能な第１の支持層と、前記第１の電極基板及び前記第１の導体層の何れか一方側に設けられた第１の入力操作面と、を有し、前記第１の電極基板と前記第１の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する、第１のセンサと、
   複数の第２の容量素子が配置された第２の電極基板と、前記第２の電極基板と対向する第２の導体層と、前記第２の電極基板と前記第２の導体層との間に配置された変形可能な第２の支持層と、を有し、前記第１のセンサに積層され、前記第２の電極基板と前記第２の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する、第２のセンサと
   を具備するセンサ装置。
2. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
   前記第１の入力操作面は、前記第１の導体層側に設けられ、
   前記第１の電極基板は、前記第２の電極基板の上に積層される
   センサ装置。
3. 請求項２に記載のセンサ装置であって、
   前記第１の電極基板と前記第２の電極基板との間に配置された第３の導体層をさらに具備する
   センサ装置。
4. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
   前記第１の入力操作面は、前記第１の電極基板側に設けられ、
   前記第１の導体層は、前記第２の電極基板の上に積層される
   センサ装置。
5. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
   前記第１の入力操作面は、前記第１の導体層側に設けられ、
   前記第１の電極基板は、前記第２の導体層の上に積層される
   センサ装置。
6. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
   前記第１の入力操作面は、前記第１の電極基板側に設けられ、
   前記第１の導体層及び前記第２の導体層は、共通の導体層で構成される
   センサ装置。
7. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
   前記複数の第２の容量素子は、前記第２の電極基板上にマトリクス状に配置される
   センサ装置。
8. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
   前記複数の第２の容量素子は、前記第１の入力操作面への入力操作に対して、前記複数の第１の容量素子よりも大きな容量変化をするように構成される
   センサ装置。
9. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
   前記第１のセンサと前記第２のセンサとの積層方向から見て、前記複数の第１の容量素子各々の中心は、前記複数の第２の容量素子各々の中心に対してオフセットしている
   センサ装置。
10. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
    前記第１の支持層は、複数の第１の柱状体を含む
    センサ装置。
11. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
    前記第２の支持層は、複数の第２の柱状体を含む
    センサ装置。
12. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
    前記第１の支持層は、前記複数の第２の容量素子各々の中心に対向して配置された複数の第１の柱状体を含み、
    前記第２の支持層は、前記複数の第１の容量素子各々の中心に対向して配置された複数の第２の柱状体を含む
    センサ装置。
13. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
    前記第１の電極基板は、複数の第１の電極線と、前記複数の第１の電極線と交差し前記複数の第１の電極線との交差領域に前記複数の第１の容量素子を形成する複数の第２の電極線とを有し、
    前記第２の電極基板は、前記複数の第１の電極線と対向する複数の第３の電極線と、前記複数の第３の電極線と交差し前記複数の第３の電極線との交差領域に前記複数の第２の容量素子を形成する複数の第４の電極線とを有する
    センサ装置。
14. 請求項１３に記載のセンサ装置であって、
    前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線の少なくとも一方は、前記複数の第１の容量素子に対応する領域においてサブ電極を有する
    センサ装置。
15. 請求項１３に記載のセンサ装置であって、
    前記複数の第２の電極線と前記複数の第４の電極線の少なくとも一方は、前記複数の第２の容量素子に対応する領域においてサブ電極を有する
    センサ装置。
16. 請求項１４に記載のセンサ装置であって、
    前記複数の第１の電極線と前記複数の第２の電極線のうち、前記第１の支持層側に配置された電極線がサブ電極を有する
    センサ装置。
17. 請求項１５に記載のセンサ装置であって、
    前記複数の第３の電極線と前記複数の第４の電極線のうち、前記第２の支持層側に配置された電極線がサブ電極を有する
    センサ装置。
18. 請求項１３に記載のセンサ装置であって、
    前記複数の第２の電極線及び前記複数の第４の電極線は、共通の電極線で構成される
    センサ装置。
19. 請求項１４に記載のセンサ装置であって、
    前記複数の第２の電極線及び前記複数の第４の電極線は、前記複数の第１の電極線及び前記複数の第３の電極線よりも幅広またはサブ電極間の隙間が狭く形成されており、前記複数の第２の電極線及び前記複数の第４の電極線は相互に対向して配置される
    センサ装置。
20. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
    前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板に電気的に接続された制御部をさらに具備し、
    前記制御部は、前記複数の第１の容量素子の容量変化及び前記複数の第２の容量素子の容量変化に基づいて、前記第１の入力操作面に対する入力操作に関する制御信号を生成するように構成される
    センサ装置。
21. 請求項２０に記載のセンサ装置であって、
    前記制御部は、
    前記第１の電極基板に電気的に接続された第１の制御素子と、
    前記第２の電極基板に電気的に接続された第２の制御素子とを有する
    センサ装置。
22. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
    前記第１のセンサは、前記第１の入力操作面と前記第１の電極基板との間に配置された第３の支持層をさらに有する
    センサ装置。
23. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
    前記第１のセンサと前記第２のセンサとの間に配置され、前記第１のセンサ及び前記第２のセンサよりも高い剛性を有する剛体層をさらに具備する
    センサ装置。
24. 請求項２３に記載のセンサ装置であって、
    前記第２のセンサに対向して配置され前記第２のセンサを部分的に支持する突起部材をさらに具備する
    センサ装置。
25. 請求項２４に記載のセンサ装置であって、
    前記突起部材は、筐体、金具、回路基板、配線、電池又は緩衝材である
    センサ装置。
26. 請求項２４に記載のセンサ装置であって、
    前記複数の第２の容量素子は、前記突起部材に対向して配置される
    センサ装置。
27. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
    前記第２のセンサは、前記第２の電極基板及び前記第２の導体層の何れか一方側に設けられた第２の入力操作面をさらに有する
    センサ装置。
28. 請求項１に記載のセンサ装置であって、
    前記第１のセンサは、前記第１の導体層及び前記第１の電極基板の少なくとも一方に積層された表示部をさらに有し、
    前記第１の入力操作面は、前記表示部の表示面である
    センサ装置。
29. 複数の第１の容量素子がマトリクス状に配置された第１の電極基板と、前記第１の電極基板と対向する第１の導体層と、前記第１の電極基板と前記第１の導体層との間に配置された変形可能な第１の支持層と、前記第１の電極基板及び前記第１の導体層の何れか一方側に設けられた入力操作面と、を有し、前記第１の電極基板と前記第１の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する、第１のセンサと、
    複数の第２の容量素子が配置された第２の電極基板と、前記第２の電極基板と対向する第２の導体層と、前記第２の電極基板と前記第２の導体層との間に配置された変形可能な第２の支持層と、を有し、前記第１のセンサに積層され、前記第２の電極基板と前記第２の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する、第２のセンサと、
    前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板に電気的に接続され、前記複数の第１の容量素子の容量変化及び前記複数の第２の容量素子の容量変化に基づいて、前記入力操作面に対する入力操作に関する制御信号を生成するように構成された制御部と
    を具備する入力装置。
30. 複数の第１の容量素子がマトリクス状に配置された第１の電極基板と、前記第１の電極基板と対向する第１の導体層と、前記第１の電極基板と前記第１の導体層との間に配置された変形可能な第１の支持層と、を有し、前記第１の電極基板と前記第１の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する、第１のセンサと、
    複数の第２の容量素子が配置された第２の電極基板と、前記第２の電極基板と対向する第２の導体層と、前記第２の電極基板と前記第２の導体層との間に配置された変形可能な第２の支持層と、を有し、前記第１のセンサに積層され、前記第２の電極基板と前記第２の導体層の少なくとも一方は可撓性を有する、第２のセンサと、
    入力操作面を有し、前記第１のセンサに設けられた表示部と、
    前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板に電気的に接続され、前記複数の第１の容量素子の容量変化及び前記複数の第２の容量素子の容量変化に基づいて、前記入力操作面に対する入力操作に関する制御信号を生成するように構成された制御部と
    を具備する電子機器。

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