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JP2015050313A - Wiring board and electronic device - Google Patents

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JP2015050313A
JP2015050313A JP2013180780A JP2013180780A JP2015050313A JP 2015050313 A JP2015050313 A JP 2015050313A JP 2013180780 A JP2013180780 A JP 2013180780A JP 2013180780 A JP2013180780 A JP 2013180780A JP 2015050313 A JP2015050313 A JP 2015050313A
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Japan
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conductor
wiring board
hole
penetrating
conductors
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JP2013180780A
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Japanese (ja)
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高橋 徹
Toru Takahashi
徹 高橋
陽介 森山
Yosuke Moriyama
陽介 森山
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Kyocera Corp
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Kyocera Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board capable of achieving favorable electrical connection between penetrating conductors formed in a thickness direction of an insulating layer along a side of a through hole having a square shape in a planar view.SOLUTION: A wiring board 1 of the present invention includes: an insulating substrate 11 comprising a plurality of insulating layers laminated therein and having a through hole 12 having a square shape in a planar view; and a plurality of penetrating conductors 14 disposed along a square-shaped side that forms an external shape and penetrating through the insulating layers. Each of the penetrating conductors 14 includes a first penetrating conductor 141 and a second penetrating conductor 142. The first penetrating conductor 141 and the second penetrating conductor 142 are formed in the insulating layers located vertically, respectively, to be connected with each other. The second penetrating conductor 142 has a longer length in a direction orthogonal to the side than the first penetrating conductor 141.

Description

本発明は、半導体素子または発光素子等の電子部品を搭載するための配線基板および、電子装置に関するものである。   The present invention relates to a wiring board for mounting an electronic component such as a semiconductor element or a light emitting element, and an electronic device.

従来、半導体素子や発光素子等の電子部品を搭載するための配線基板は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料から成る絶縁基板の表面に、タングステンやモリブデン等の金属粉末メタライズから成る配線導体が配設されることにより形成されている。このような配線基板の絶縁基板は、例えば、矩形状の貫通孔が形成された複数の絶縁層を積層して形成されたものが知られており、複数の絶縁層には、厚み方向に配線導体となる貫通導体がそれぞれ埋設されている。このような配線基板は、セラミックグリーンシート積層法により形成される(例えば、特許文献1参照。)   Conventionally, wiring boards for mounting electronic components such as semiconductor elements and light emitting elements are made of a metal powder metallization such as tungsten or molybdenum on the surface of an insulating substrate made of a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body. It is formed by arranging a wiring conductor. An insulating substrate of such a wiring substrate is known, for example, formed by laminating a plurality of insulating layers in which rectangular through holes are formed, and the plurality of insulating layers are wired in the thickness direction. Each through conductor is buried. Such a wiring board is formed by a ceramic green sheet laminating method (see, for example, Patent Document 1).

特開2003−133454号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2003-133454

しかしながら、セラミックグリーンシートを積層して加圧した際、絶縁層の一辺の中央部辺りにおいては、貫通孔の内壁が、平面視で内側に凸となるように変形しやすい。特に、貫通孔の辺の長さが長い配線基板や基板厚みが厚い配線基板においては、繰り返し積層して加圧が行われると、変形が大きくなりやすい。   However, when the ceramic green sheets are stacked and pressed, the inner wall of the through hole tends to be deformed so as to protrude inward in a plan view around the central portion of one side of the insulating layer. In particular, in a wiring board having a long through-hole side or a wiring board having a thick board thickness, the deformation tends to increase when the layers are repeatedly laminated and pressed.

また、貫通孔に沿って配置された貫通導体が、複数の絶縁層の厚み方向に埋設されていると、貫通孔の内壁の内側に凸となるような変形に伴い、上下の絶縁層の一方が平面方向にて内側に大きくずれてしまい、上下の絶縁層にそれぞれ埋設された貫通導体が断線することが懸念される。   In addition, when the through conductors arranged along the through holes are embedded in the thickness direction of the plurality of insulating layers, one of the upper and lower insulating layers is deformed so as to protrude toward the inner wall of the through hole. Is greatly displaced inward in the plane direction, and there is a concern that the through conductors embedded in the upper and lower insulating layers are disconnected.

本発明の一つの態様による配線基板は、複数の絶縁層が積層されて成り、平面視で方形状の貫通孔を有している絶縁基板と、外形である前記方形状の辺に沿って配置され、前記絶縁層を貫通する複数の貫通導体とを備えており、該貫通導体は第1の貫通導体と第2の貫通導体とを含んでおり、前記第1の貫通導体と前記第2の貫通導体とは、上下に位置する前記絶縁層にそれぞれ形成されて互いに接続されており、前記第2の貫通導体は前記辺に直交する方向の長さが前記第1の貫通導体より長い。   A wiring board according to one aspect of the present invention is formed by laminating a plurality of insulating layers, and has an insulating board having a rectangular through hole in a plan view, and is arranged along the rectangular side that is an outer shape. A plurality of through conductors penetrating the insulating layer, the through conductors including a first through conductor and a second through conductor, wherein the first through conductor and the second through conductor are included. The through conductors are formed on the insulating layers positioned above and below and connected to each other, and the second through conductor is longer in the direction perpendicular to the side than the first through conductor.

本発明の他の態様による電子装置は、配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを有する。   An electronic device according to another aspect of the present invention includes a wiring board and an electronic component mounted on the wiring board.

本発明の一つの態様による配線基板によれば、貫通導体は第1の貫通導体と第2の貫通導体とを含んでおり、第1の貫通導体と第2の貫通導体とは、上下に位置する絶縁層にそれぞれ形成されて互いに接続されており、第2の貫通導体は辺に直交する方向の長さが第1の貫通導体より長い。このような構成であることから、平面視で方形状の貫通孔の内壁が、平面視で内側に凸となるように変形し、上下の絶縁層の一方が平面方向にて内側に大きくずれたとしても、第1の貫通導体と第2の貫通導体との接続位置がずれるだけで、第
1の貫通導体と第2の貫通導体とが断線する可能性を低減することができる。
According to the wiring board according to one aspect of the present invention, the through conductor includes the first through conductor and the second through conductor, and the first through conductor and the second through conductor are positioned vertically. The second through conductors are longer in the direction perpendicular to the sides than the first through conductors. Because of such a configuration, the inner wall of the through hole having a rectangular shape in plan view is deformed so as to protrude inward in plan view, and one of the upper and lower insulating layers is greatly displaced inward in the plane direction. However, it is possible to reduce the possibility that the first through conductor and the second through conductor are disconnected only by shifting the connection position between the first through conductor and the second through conductor.

本発明の他の態様による電子装置によれば、配線基板と、配線基板に実装された電子部品を有することから、電気的接続信頼性に優れた電子装置とすることができる。   According to the electronic device according to another aspect of the present invention, since the wiring board and the electronic component mounted on the wiring board are included, an electronic device having excellent electrical connection reliability can be obtained.

本発明の第1の実施形態における電子装置を示す上面図である。It is a top view which shows the electronic device in the 1st Embodiment of this invention. (a)は、図1のA−A線における縦断面図であり、(b)は、(a)のA部における要部拡大断面図である。(A) is a longitudinal cross-sectional view in the AA line of FIG. 1, (b) is a principal part expanded sectional view in the A section of (a). (a)は、図1における配線基板の第1の貫通導体が埋設された絶縁層における内部上面図であり、(b)は、(a)のA部における要部拡大内部上面図である。(A) is an internal top view in the insulating layer with which the 1st penetration conductor of the wiring board in FIG. 1 was embed | buried, (b) is a principal part expansion internal top view in the A section of (a). (a)は、図1における配線基板の第2の貫通導体が埋設された絶縁層における内部上面図であり、(b)は、(a)のA部における要部拡大内部上面図である。(A) is an internal top view in the insulating layer with which the 2nd penetration conductor of the wiring board in FIG. 1 was embed | buried, (b) is a principal part expansion internal top view in the A section of (a). (a)は、本発明の第1の実施形態の他の例における配線基板の要部拡大断面図であり、(b)は、(a)の配線基板の第2の貫通導体が埋設された絶縁層における要部拡大内部上面図である。(A) is a principal part expanded sectional view of the wiring board in the other example of the 1st Embodiment of this invention, (b) is the 2nd penetration conductor of the wiring board of (a) embedded. It is a principal part expansion internal top view in an insulating layer. 第2の貫通導体が埋設された絶縁層における内部上面図である。It is an internal top view in the insulating layer with which the 2nd penetration conductor was embedded. (a)は、本発明の第2の実施形態における電子装置の縦断面図であり、(b)は、(a)の配線基板の第2の貫通導体が埋設された絶縁層における要部拡大内部平面図である。(A) is a longitudinal cross-sectional view of the electronic device in the 2nd Embodiment of this invention, (b) is a principal part expansion in the insulating layer by which the 2nd penetration conductor of the wiring board of (a) was embed | buried. FIG. 本発明の第3の実施形態における電子装置を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the electronic device in the 3rd Embodiment of this invention. (a)は、図8における配線基板の第1の貫通導体および第2の貫通導体が埋設された一方の絶縁層における内部上面図であり、(b)は、(a)のA部における要部拡大内部上面図である。(A) is an internal top view in one insulating layer in which the first through conductor and the second through conductor of the wiring board in FIG. 8 are embedded, and (b) is an essential part in section A of (a). FIG. (a)は、図8における配線基板の第1の貫通導体および第2の貫通導体が埋設された他方の絶縁層における内部上面図であり、(b)は、(a)のA部における要部拡大内部上面図である。(A) is an internal top view in the other insulating layer in which the first through conductor and the second through conductor of the wiring board in FIG. 8 are embedded, and (b) is an essential part in the A part of (a). FIG. 本発明の第1の実施形態の他の例における電子装置を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the electronic device in the other example of the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態の他の例における電子装置を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the electronic device in the other example of the 1st Embodiment of this invention.

本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。   Several exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態における電子装置は、図1および図2に示された例のように、配線基板1と、配線基板1の下面に搭載された電子部品2とを含んでいる。このような電子装置は、例えば外部回路基板上に実装される。
(First embodiment)
The electronic device according to the first embodiment of the present invention includes a wiring board 1 and an electronic component 2 mounted on the lower surface of the wiring board 1 as in the example shown in FIGS. 1 and 2. Such an electronic device is mounted on, for example, an external circuit board.

配線基板1は、図1および図2に示された例のように、複数の絶縁層が積層されて成る絶縁基板11と、絶縁基板11の表面および内部に設けられた複数の配線導体13と、絶縁基板11の内部に、絶縁層を貫通する複数の貫通導体14とを有している。絶縁基板11は、平面視で方形状の貫通孔12を有し、複数の絶縁層11aから形成される基部111と、基部111の上面に積層された平面視で方形状の貫通孔12を有し、複数の絶縁層から形成される第1枠部112と、第1枠部112の上面に積層され、第1枠部112の貫通孔12よりも大きい平面視で方形
状の貫通孔12を有し、複数の絶縁層から形成される第2枠部113とを有している。貫通導
体14は、平面視で方形状の貫通孔12の辺に沿って配置された第1の貫通導体141と第2の
貫通導体142とを含んでいる。第1の貫通導体141と第2の貫通導体142とは、上下に位置
する絶縁層にそれぞれ形成されて互いに接続されており、第2の貫通導体142辺に直交す
る方向の長さが第1の貫通導体141より長い。なお、図1および図2において、電子装置
は、仮想のxyz空間内に設けられており、以下便宜的に「上方向」とは仮想のz軸の正方向のことをいう。
As in the example shown in FIGS. 1 and 2, the wiring substrate 1 includes an insulating substrate 11 in which a plurality of insulating layers are stacked, and a plurality of wiring conductors 13 provided on and inside the insulating substrate 11. The insulating substrate 11 has a plurality of through conductors 14 penetrating the insulating layer. The insulating substrate 11 has a rectangular through-hole 12 in plan view, and has a base 111 formed from a plurality of insulating layers 11a and a rectangular through-hole 12 in plan view laminated on the upper surface of the base 111. And a first frame portion 112 formed of a plurality of insulating layers, and a rectangular through hole 12 that is laminated on the upper surface of the first frame portion 112 and is larger in plan view than the through hole 12 of the first frame portion 112. And a second frame 113 formed of a plurality of insulating layers. The through conductor 14 includes a first through conductor 141 and a second through conductor 142 arranged along the side of the rectangular through hole 12 in plan view. The first penetrating conductor 141 and the second penetrating conductor 142 are respectively formed on the upper and lower insulating layers and connected to each other, and the length in the direction perpendicular to the side of the second penetrating conductor 142 is the first. Longer than the through conductor 141. 1 and 2, the electronic device is provided in a virtual xyz space, and for the sake of convenience, the “upward direction” means the positive direction of the virtual z axis.

絶縁基板11は、平面視において矩形の板状の形状を有している。絶縁基板11は、電子部品2を支持するための支持体として機能し、例えば、下面に電子部品2が低融点ろう材または樹脂、ガラス等の接合材を介して接着され固定される。   The insulating substrate 11 has a rectangular plate shape in plan view. The insulating substrate 11 functions as a support for supporting the electronic component 2. For example, the electronic component 2 is bonded and fixed to the lower surface via a low melting point brazing material or a bonding material such as resin or glass.

絶縁基板11の材料は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,炭化珪素質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,窒化珪素質焼結体,ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁性セラミックスである。   Examples of the material of the insulating substrate 11 include an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a silicon nitride sintered body, and a glass ceramic sintered body. It is an electrically insulating ceramic.

絶縁基板11は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合には、まず、アルミナ(Al),シリカ(SiO),カルシア(CaO)およびマグネシア(MgO)等の原料粉末に適当な有機溶剤および溶媒を添加混合して泥漿物を作製する。これを従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等を採用してシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製する。次に、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜きまたはレーザー加工を施すとともに必要に応じて複数枚積層して加圧することによりセラミック生積層体を形成し、高温(約1500〜1800℃)で焼成することによって絶縁基板11が製作される。 When the insulating substrate 11 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, first, it is suitable for a raw material powder such as alumina (Al 2 O 3 ), silica (SiO 2 ), calcia (CaO), and magnesia (MgO). An organic solvent and a solvent are added and mixed to produce a slurry. A ceramic green sheet is produced by forming this into a sheet by employing a conventionally known doctor blade method or calendar roll method. Next, by subjecting the ceramic green sheet to appropriate punching or laser processing, a ceramic green laminate is formed by laminating and pressing as necessary, and firing at a high temperature (about 1500 to 1800 ° C.). An insulating substrate 11 is manufactured.

絶縁基板11は、それぞれが複数の絶縁層からなる基部111と、第1枠部112と、第2枠部113とを有しており、基部111と、第1枠部112と、第2枠部113とには、それぞれ平面視で方形状の貫通孔12が設けられている。ここで、方形状の貫通孔12は、角部が円弧状あるいは面取りされている貫通孔12や辺に凹部を有する貫通孔12を含んでいる。   The insulating substrate 11 includes a base 111, a first frame 112, and a second frame 113, each of which includes a plurality of insulating layers. The base 111, the first frame 112, and the second frame Each part 113 is provided with a rectangular through-hole 12 in plan view. Here, the rectangular through-hole 12 includes a through-hole 12 whose corners are arcuate or chamfered and a through-hole 12 having a recess on the side.

なお、絶縁基板11となる基部111および第1枠部112ならびに第2枠部113に形成される
貫通孔12は、上述の打ち抜きまたはレーザー加工時に、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートのそれぞれに基部111および第1枠部112ならびに第2枠部113の貫通孔12となる
孔を金型、パンチングによる打ち抜きまたはレーザー加工等によりそれぞれ形成しておけばよい。
Note that the base 111, the first frame 112, and the second frame 113 that form the insulating substrate 11 have a through hole 12 formed in each of the ceramic green sheets for the insulating substrate 11 during the above-described punching or laser processing. The holes to be the through holes 12 of the 111, the first frame part 112, and the second frame part 113 may be formed by a die, punching by punching, laser processing, or the like.

配線導体13は、絶縁基板11の各絶縁層の上面および下面に設けられている。配線導体13は、配線基板1に搭載された電子部品2と外部回路基板とを電気的に接続するため、および電子部品2と配線基板1とを接合するため、配線基板1と外部回路基板とを接合するために用いられる。   The wiring conductor 13 is provided on the upper and lower surfaces of each insulating layer of the insulating substrate 11. The wiring conductor 13 is used to electrically connect the electronic component 2 mounted on the wiring board 1 and the external circuit board, and to join the electronic component 2 and the wiring board 1. Is used to join.

貫通導体14は、絶縁基板11を構成する基部111,第1枠部112,第2枠部113である各絶縁
層を厚み方向に貫通して設けられており、上下に位置する配線導体13同士を電気的に接続するために用いられる。
The through conductors 14 are provided so as to penetrate through the insulating layers of the base portion 111, the first frame portion 112, and the second frame portion 113 that constitute the insulating substrate 11 in the thickness direction. Is used for electrical connection.

配線導体13および貫通導体14の材料は、タングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn),銀(Ag)または銅(Cu)等を主成分とするメタライズである。   The material of the wiring conductor 13 and the through conductor 14 is metallization mainly composed of tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), silver (Ag), copper (Cu), or the like.

配線導体13は、例えば絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに配線導体13用のメタライズペーストをスクリーン印刷法等の印刷手段によって印刷塗布し、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。   The wiring conductor 13 is formed by, for example, applying a metallized paste for the wiring conductor 13 to a ceramic green sheet for the insulating substrate 11 by printing means such as a screen printing method, and firing together with the ceramic green sheet for the insulating substrate 11. The

貫通導体14は、例えば絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに金型またはパンチングによる打ち抜き加工またはレーザー加工等の加工方法によって貫通導体14用の孔を形成
し、この孔に貫通導体14用のメタライズペーストを上記印刷手段によって充填しておき、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。
The through conductor 14 is formed, for example, by forming a hole for the through conductor 14 in a ceramic green sheet for the insulating substrate 11 by a die or punching method by punching or laser processing, and a metallized paste for the through conductor 14 in this hole. Is filled with the above printing means and fired together with the ceramic green sheet for the insulating substrate 11.

貫通導体14は、平面視で方形状の貫通孔12の辺に沿って配置される第1の貫通導体141
と第2の貫通導体142とを有している。図1〜図4に示される例において、第1の貫通導
体141と第2の貫通導体142とは、第1枠部112の貫通孔12の辺に沿って配置されており、
第2の貫通導体142は、辺に直交する方向の長さが第1の貫通導体141より長くなっている。ここで、辺に直交する方向の長さが第1の貫通導体141より長くなっているとは、辺に
平行な方向における貫通導体14の長さをφ1、辺に直交する方向における貫通導体14の長さをφ2とすると、φ2>φ1であり、すなわち、第1の貫通導体141または第2の貫通
導体142が平面透視において楕円形状あるいは平行な2辺を有する長円形状であることを
示す。また、図1〜図4に示す例において、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142とは、平面透視において重なって配置されており、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142との間に、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142との接続を良好にするためのランドパターンを配置していても良い。例えば、第1の貫通導体141が円形状、第2の貫通導体142が長円形状の場合、辺に平行な方向の第2の貫通導体142の長さφ1が100μm、辺に直交する方向の第2の貫通導体142の長さφ2が200μmであり、辺に平行な方向および直交する方向の第1の貫通導体141の長さφ3が100μmである。なお、辺に直交する方向のランドパターンのみを長くしたとしても、ランドパターンの厚みが充分でなく、上下の絶縁層の一方が平面方向にて内側に大きくずれた時にランドパターンが破断してしまう可能性があるため、第2の貫通導体142が辺に直交する方向の長さが第1の貫通導体141より長いものとすることが重要である。
The through conductor 14 is a first through conductor 141 disposed along the side of the rectangular through hole 12 in plan view.
And a second through conductor 142. In the example shown in FIGS. 1 to 4, the first through conductor 141 and the second through conductor 142 are disposed along the side of the through hole 12 of the first frame portion 112.
The length of the second through conductor 142 in the direction orthogonal to the side is longer than that of the first through conductor 141. Here, the length in the direction orthogonal to the side is longer than that of the first through conductor 141 means that the length of the through conductor 14 in the direction parallel to the side is φ1, and the through conductor 14 in the direction orthogonal to the side. When φ2 is φ2, φ2> φ1, that is, the first through conductor 141 or the second through conductor 142 has an elliptical shape or an elliptical shape having two parallel sides in a plan view. . In the example shown in FIGS. 1 to 4, the first through conductor 141 and the second through conductor 142 are disposed so as to overlap each other in a plan view, and the first through conductor 141 and the second through conductor are disposed. A land pattern for improving the connection between the first through conductor 141 and the second through conductor 142 may be disposed between the first through conductor 141 and the second through conductor 142. For example, when the first through conductor 141 has a circular shape and the second through conductor 142 has an oval shape, the length φ1 of the second through conductor 142 in the direction parallel to the side is 100 μm, and the direction is perpendicular to the side. The length φ2 of the second through conductor 142 is 200 μm, and the length φ3 of the first through conductor 141 in the direction parallel to and perpendicular to the side is 100 μm. Even if only the land pattern in the direction perpendicular to the side is lengthened, the land pattern is not thick enough, and the land pattern breaks when one of the upper and lower insulating layers is greatly displaced inward in the plane direction. Therefore, it is important that the length of the second through conductor 142 in the direction orthogonal to the side is longer than that of the first through conductor 141.

ここで、第1の貫通導体141の貫通孔12の内壁からの距離をL1とし、第2の貫通導体142の貫通孔12の内壁からの距離をL2、第1の貫通導体141が埋設された絶縁層の貫通孔12の内壁面が、第2の貫通導体142が埋設された絶縁層の貫通孔12の内壁面から突出した長さをL3とした場合、L3≧L1−L2≧0、かつφ2≧φ3+L3とされる。すなわち、一方の絶縁層が平面視で内側に凸となるように変形した際に、一方の貫通導体14を辺に直交する方向に長くしている。   Here, the distance from the inner wall of the through hole 12 of the first through conductor 141 is L1, the distance from the inner wall of the through hole 12 of the second through conductor 142 is L2, and the first through conductor 141 is embedded. When the length of the inner wall surface of the through hole 12 in the insulating layer protruding from the inner wall surface of the through hole 12 in the insulating layer in which the second through conductor 142 is embedded is L3 ≧ L1−L2 ≧ 0, and φ2 ≧ φ3 + L3. That is, when one insulating layer is deformed so as to protrude inward in plan view, one through conductor 14 is elongated in a direction perpendicular to the side.

なお、図3および図4に示す例においては、L1≧L2であり、第1の貫通導体141が
円形状、第2の貫通導体142が長円形状とし、第2の貫通導体142を、第1の貫通導体141
よりも貫通孔12の内壁側に向かって長く形成している。図5に示す例のように、L1≒L2の場合は、第2の貫通導体142を、第1の貫通導体141よりも貫通孔12の内壁側の反対側に向かって長く形成している。この場合は、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142とを貫通孔12から遠く配置し、貫通孔12の内壁面と貫通導体141との間を広くすることで、絶
縁基体11にクラック等が発生することを抑制することができるので、貫通導体14の長さが大きく、かつ貫通導体14と貫通孔12との距離が小さい、低抵抗配線の小型の配線基板1に好適に使用できる。
In the example shown in FIGS. 3 and 4, L1 ≧ L2, and the first through conductor 141 is circular, the second through conductor 142 is oval, and the second through conductor 142 is One through conductor 141
It is formed longer toward the inner wall side of the through hole 12 than. As in the example shown in FIG. 5, in the case of L1≈L2, the second through conductor 142 is formed longer than the first through conductor 141 toward the opposite side of the inner wall side of the through hole 12. In this case, the first through conductor 141 and the second through conductor 142 are arranged far from the through hole 12 and the space between the inner wall surface of the through hole 12 and the through conductor 141 is increased, so that Since it is possible to suppress the occurrence of cracks and the like, it is suitably used for a small wiring board 1 of low resistance wiring in which the length of the through conductor 14 is large and the distance between the through conductor 14 and the through hole 12 is small. it can.

また、図5に示される例のように、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142とで、辺に平行な方向の貫通導体14の長さの幅を異ならせても構わない。例えば、一方の長円形状の貫通導体14の辺に直交する方向の長さを、他方の円形状の貫通導体14の直径すなわち辺に平行な方向および直交する方向の長さよりも小さくしても構わない。この場合、配線基板1の製作工程において、例えば、隣接する長円形状の貫通導体14間の絶縁層の幅を大きくすることで、長円形状の貫通導体14が絶縁層から脱落する可能性を低減し、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142との電気的接続を良好なものとすることができるとともに、隣接する長円形状の貫通導体14間にクラックが発生する可能性を低減することができる。また、貫通導体14の長さが長く横断面積が大きいと、配線基板1の製作工程において、メタライズペースト141の充填性が低下したり、充填されたメタライズペースト141が抜け落ち
たりしやすいものとなるため、辺に平行な長さを小さくするとよい。
Further, as in the example shown in FIG. 5, the lengths of the lengths of the through conductors 14 in the direction parallel to the sides may be different between the first through conductors 141 and the second through conductors 142. For example, the length in the direction perpendicular to the side of one oval through conductor 14 may be smaller than the diameter of the other circular through conductor 14, that is, the direction parallel to the side and the direction perpendicular to the side. I do not care. In this case, in the manufacturing process of the wiring board 1, for example, by increasing the width of the insulating layer between the adjacent oval through conductors 14, there is a possibility that the oval through conductor 14 may fall off the insulating layer. The electrical connection between the first through-conductor 141 and the second through-conductor 142 can be improved, and the possibility of cracks occurring between the adjacent elliptical through-conductors 14 is reduced. Can be reduced. Moreover, if the length of the through conductor 14 is long and the cross-sectional area is large, the filling property of the metallized paste 141 is lowered or the filled metallized paste 141 is easily dropped off in the manufacturing process of the wiring board 1. It is better to reduce the length parallel to the side.

また、図6に示される例のように、平面視で方形状の貫通孔12の辺の中心部付近が最も平面視で内側に凸となるような変形が大きく、方形状の貫通孔12の辺の角部付近では内側に凸となるような変形は小さいので、方形状の貫通孔12の辺の中心部付近において、第2の貫通導体142の辺に直交する方向の長さを長くし、方形状の貫通孔12の辺の角部付近に
おいて、貫通導体14を円形状としても構わない。例えば、方形状の貫通孔12の辺の中心部付近から角部にかけて貫通導体14の長さを漸次小さくしても良いし、方形状の貫通孔12の辺に沿って隣接する複数の貫通導体14の領域毎に小さくしても構わない。
In addition, as in the example shown in FIG. 6, the deformation is such that the vicinity of the central portion of the side of the rectangular through hole 12 in the plan view is most convex inward in the plan view. Since the deformation that protrudes inward is small near the corner of the side, the length in the direction perpendicular to the side of the second through conductor 142 is increased near the center of the side of the rectangular through hole 12. The through conductors 14 may be circular in the vicinity of the corners of the sides of the rectangular through holes 12. For example, the length of the through conductor 14 may be gradually reduced from the vicinity of the center of the side of the rectangular through hole 12 to the corner, or a plurality of through conductors adjacent to each other along the side of the rectangular through hole 12 You may make it small for every 14 area | regions.

配線導体13の絶縁基板11から露出した表面には、ニッケル,金等の耐蝕性に優れる金属めっき層が被着される。配線導体13が腐食することを低減できるとともに、電子部品2の電極またはボンディングワイヤと配線導体13との接合または、外部回路基板と外部端子13との接合を強固にできる。例えば、配線導体13の絶縁基板11から露出した表面には、厚さ1〜10μm程度のニッケルめっき層と厚さ0.1〜3μm程度の金めっき層とが順次被着さ
れる。
A surface of the wiring conductor 13 exposed from the insulating substrate 11 is coated with a metal plating layer having excellent corrosion resistance such as nickel and gold. Corrosion of the wiring conductor 13 can be reduced, and bonding between the electrode or bonding wire of the electronic component 2 and the wiring conductor 13 or bonding between the external circuit board and the external terminal 13 can be strengthened. For example, a nickel plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm and a gold plating layer having a thickness of about 0.1 to 3 μm are sequentially deposited on the surface of the wiring conductor 13 exposed from the insulating substrate 11.

そして、配線基板1の下面に電子部品2を搭載することにより、図1および図2の例に示されるような電子装置が作製される。   Then, by mounting the electronic component 2 on the lower surface of the wiring board 1, an electronic device as shown in the example of FIGS. 1 and 2 is manufactured.

搭載される電子部品2は、ICチップやLSIチップ等の半導体素子,水晶振動子や圧電振動子等の圧電素子、発光素子、各種センサ等である。電子部品2の搭載は、例えば、電子部品2がワイヤボンディング型の半導体素子である場合には、電子部品を接合材によって絶縁基板11に固定した後、ボンディングワイヤを介して半導体素子の電極と配線導体13とを電気的に接続することによって行なわれる。あるいは、電子部品2がフリップチップ型の半導体素子である場合には、はんだバンプや金バンプまたは導電性樹脂(異方性導電樹脂等)等の接合材を介して、半導体素子の電極と配線導体13とを電気的および機械的に接続することによって行なわれる。また、接合材によって電子部品2を配線基板に接合した後に、電子部品2と配線基板1との間にアンダーフィルを注入してもよい。また、例えば、電子部品2が水晶振動子等の圧電素子である場合には、導電性樹脂等の接合材によって圧電素子の固定と圧電素子の電極と配線導体13との電気的な接続を行なう。また、必要に応じて、電子部品2の周囲に抵抗素子や容量素子等の第2の電子部品を搭載してもよい。   The electronic component 2 to be mounted is a semiconductor element such as an IC chip or an LSI chip, a piezoelectric element such as a crystal vibrator or a piezoelectric vibrator, a light emitting element, or various sensors. For example, when the electronic component 2 is a wire bonding type semiconductor element, the electronic component 2 is fixed to the insulating substrate 11 with a bonding material, and then the electrodes and wiring of the semiconductor element are connected via the bonding wire. This is done by electrically connecting the conductor 13. Alternatively, when the electronic component 2 is a flip-chip type semiconductor element, the electrode of the semiconductor element and the wiring conductor are connected via a bonding material such as a solder bump, a gold bump, or a conductive resin (anisotropic conductive resin, etc.). 13 is electrically and mechanically connected. Further, after the electronic component 2 is bonded to the wiring board with a bonding material, an underfill may be injected between the electronic component 2 and the wiring board 1. For example, when the electronic component 2 is a piezoelectric element such as a crystal resonator, the piezoelectric element is fixed and the electrode of the piezoelectric element and the wiring conductor 13 are electrically connected by a bonding material such as a conductive resin. . Moreover, you may mount 2nd electronic components, such as a resistive element and a capacitive element, around the electronic component 2 as needed.

また、電子部品2は、必要に応じて、蓋体や樹脂によって封止される。蓋体は、金属やセラミックス,ガラスおよび樹脂等からなるキャップ状のものである。蓋体は、配線基板1の絶縁基板11の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有するものが好ましく、例えば絶縁基板11が酸化アルミニウム質焼結体から成り、金属から成る蓋体を用いる場合であれば、Fe−Ni(鉄−ニッケル)合金やFe−Ni−Co(鉄−ニッケル−コバルト)合金等から成るものを用いればよい。電子部品2が固体撮像素子や発光素子である場合には、蓋体として、ガラスや樹脂等からなる透光性の板材から成るものだけでなく、ガラスや樹脂等からなる透光性のレンズ、あるいはレンズが取り付けられた蓋体を用いてもよい。また、樹脂によって封止する場合には、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂によって電子部品2を被覆しても構わない。また、電子部品2が発光素子である場合には、蛍光体を含有した樹脂を用いて被覆して、発光素子から発光される光を被覆した樹脂中の蛍光体によって波長変換させるようにしてもよい。   In addition, the electronic component 2 is sealed with a lid or resin as necessary. The lid has a cap shape made of metal, ceramics, glass, resin, or the like. The lid body preferably has a thermal expansion coefficient close to the thermal expansion coefficient of the insulating substrate 11 of the wiring board 1. For example, the insulating substrate 11 is made of an aluminum oxide sintered body and a lid made of metal is used. For example, an Fe-Ni (iron-nickel) alloy or an Fe-Ni-Co (iron-nickel-cobalt) alloy may be used. When the electronic component 2 is a solid-state image sensor or a light emitting element, the lid is not only made of a light transmissive plate made of glass or resin, but also a light transmissive lens made of glass or resin, Or you may use the cover body to which the lens was attached. Moreover, when sealing with resin, you may coat | cover the electronic component 2 with resin, such as an epoxy resin and a silicone resin. Further, when the electronic component 2 is a light emitting element, it is coated with a resin containing a phosphor, and wavelength conversion is performed by the phosphor in the resin coated with the light emitted from the light emitting element. Good.

本実施形態の配線基板1は、複数の絶縁層が積層されて成り、平面視で方形状の貫通孔12を有している絶縁基板11と、外形である方形状の辺に沿って配置され、絶縁層を貫通する複数の貫通導体14とを備えており、貫通導体14は第1の貫通導体141と第2の貫通導体1
42とを含んでおり、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142とは、上下に位置する絶縁層にそれぞれ形成されて互いに接続されており、第2の貫通導体142は辺に直交する方向の
長さが第1の貫通導体141より長い。このような構成であることから、平面視で方形状の
貫通孔12の内壁が、平面視で内側に凸となるように変形し、上下の絶縁層の一方が平面方向にて内側に大きくずれたとしても、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142とで辺に直交する方向の長さが長いことで、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142との接続位置がずれるだけで、第1の貫通導体141と第2の貫通導体とが断線する可能性を低減すること
ができる。
The wiring board 1 of the present embodiment is formed by laminating a plurality of insulating layers, and is disposed along an insulating substrate 11 having a rectangular through hole 12 in plan view and a rectangular side that is an outer shape. And a plurality of through conductors 14 penetrating the insulating layer, the through conductors 14 comprising a first through conductor 141 and a second through conductor 1.
42, and the first through conductor 141 and the second through conductor 142 are formed on the upper and lower insulating layers and connected to each other, and the second through conductor 142 is orthogonal to the side. The length in the direction to be longer than the first through conductor 141. Due to such a configuration, the inner wall of the rectangular through hole 12 in a plan view is deformed so as to be convex inward in a plan view, and one of the upper and lower insulating layers is greatly displaced inward in the plane direction. Even if the length of the first through conductor 141 and the second through conductor 142 in the direction perpendicular to the side is long, the connection position between the first through conductor 141 and the second through conductor 142 is The possibility of disconnection of the first through conductor 141 and the second through conductor can be reduced only by shifting.

本発明の他の態様による電子装置によれば、配線基板と、配線基板に実装された電子部品を有することから、電気的接続信頼性に優れた電子装置とすることができる。   According to the electronic device according to another aspect of the present invention, since the wiring board and the electronic component mounted on the wiring board are included, an electronic device having excellent electrical connection reliability can be obtained.

次に、上述のような配線基板1の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the wiring board 1 as described above will be described.

第1の実施形態の配線基板1の製造方法の例では、まず、基部111、第1枠部112、第2枠部113用のセラミックグリーンシートをそれぞれ複数枚ずつ準備する。   In the example of the method for manufacturing the wiring substrate 1 of the first embodiment, first, a plurality of ceramic green sheets for the base 111, the first frame 112, and the second frame 113 are prepared.

次に、それぞれのセラミックグリーンシートに、平面視で方形状の貫通孔12用および貫通導体14用の孔を形成する。これらの孔は、金型やパンチングによる打ち抜き加工またはレーザー加工により形成することができる。   Next, holes for the through holes 12 and the through conductors 14 having a square shape in plan view are formed in each ceramic green sheet. These holes can be formed by punching by a die or punching or laser processing.

また、各セラミックグリーンシートの表面に、スクリーン印刷法により、配線導体13用のメタライズペースト131を印刷するとともに、各セラミックグリーンシートの貫通導体14用の孔に、スクリーン印刷法により、貫通導体14用のメタライズペースト141を充填する。   In addition, the metalized paste 131 for the wiring conductor 13 is printed on the surface of each ceramic green sheet by screen printing, and the holes for the through conductors 14 of each ceramic green sheet are used for the through conductors 14 by screen printing. The metallized paste 141 is filled.

そして、これらのセラミックグリーンシートを、貫通孔12となる孔の小さい順に順次積層して加圧することにより、貫通孔12を有するセラミック生積層体を作製する。積層して加圧する際は、必要に応じて加熱しながら行ってもよい。   Then, these ceramic green sheets are sequentially laminated and pressed in the ascending order of the holes to be the through holes 12, thereby producing a ceramic green laminate having the through holes 12. When pressing after laminating, it may be performed while heating as necessary.

そして、貫通孔12が形成されたセラミック生積層体を高温で焼成することにより、貫通孔12を有する配線基板1を製作される。   And the wiring board 1 which has the through-hole 12 is manufactured by baking the ceramic raw laminated body in which the through-hole 12 was formed at high temperature.

(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態による電子装置について、図7を参照しつつ説明する。
(Second Embodiment)
Next, an electronic device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態における電子装置において、上記した実施形態の電子装置と異なる点は、
辺に直交する方向の長さが長い第2の貫通導体142同士が上下に配置されて接続されてい
る点である。
The electronic device in this embodiment differs from the electronic device in the above-described embodiment in that
The second through conductors 142 having a long length in the direction orthogonal to the side are arranged in the vertical direction and connected.

第2の実施形態の配線基板によれば、辺に直交する方向の長さが長い第2の貫通導体142同士が上下に配置されて接続されていることから、貫通導体14の辺に直交する方向の長
さを短くし、貫通導体14周囲の絶縁基体11が厚くなるので、配線基板1の製作段階において、第1の貫通導体141または第2の貫通導体142が絶縁層から脱落する可能性を低減することができ、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142との接続を良好なものとすることができるとともに、隣接する第1の貫通導体141同士の間または第2の貫通導体142同士の間にクラックが発生する可能性を低減することができる。
According to the wiring board of the second embodiment, since the second through conductors 142 having a long length in the direction orthogonal to the side are arranged so as to be connected to each other, they are orthogonal to the side of the through conductor 14. Since the length in the direction is shortened and the insulating base 11 around the through conductor 14 is thickened, there is a possibility that the first through conductor 141 or the second through conductor 142 may fall off the insulating layer in the manufacturing stage of the wiring board 1. , The connection between the first through conductor 141 and the second through conductor 142 can be improved, and between the adjacent first through conductors 141 or the second through conductor. The possibility of cracks occurring between the conductors 142 can be reduced.

第2の実施形態の配線基板において、第1の貫通導体141が円形状、第2の貫通導体142のそれぞれが楕円形状あるいは平行な2辺を有する長円形状である。第2の貫通導体142
は、第1の貫通導体141よりも貫通孔12の内壁側の反対側に長くしたものと第1の貫通導
体141よりも貫通孔12の内壁側に長くしているものとを含んでいる。第1の貫通導体141は、第2の貫通導体142のそれぞれと接続している。
In the wiring board of the second embodiment, the first through conductor 141 has a circular shape, and each of the second through conductors 142 has an elliptical shape or an oval shape having two parallel sides. Second through conductor 142
Includes those that are longer than the first through conductor 141 on the opposite side of the inner wall side of the through hole 12 and those that are longer than the first through conductor 141 on the inner wall side of the through hole 12. The first through conductor 141 is connected to each of the second through conductors 142.

ここで、一方の第2の貫通導体142の辺に平行な方向における長さをφ11、辺に直交す
る方向における長さをφ12、他方の第2の貫通導体142の貫通導体142の辺に平行な方向における長さをφ13、辺に直交する方向における長さをφ14とし、一方の第2の貫通導体142の貫通孔12の内壁からの距離をL1とし、他方の第2の貫通導体142の貫通孔12の内壁からの距離をL2、φ11=φ31とした場合、第1の貫通導体141が埋設された絶縁層の貫通孔12の内壁面が、第2の貫通導体142が埋設された絶縁層の貫通孔12の内壁面から突出した
長さをL3とした場合、L3≧L1−L2≧0、かつφ21+φ41≧φ11+φ31+L3とされる。なお、第1の貫通導体141は、図7に示される例のように、第2の貫通導体142のそれぞれと接続されており、その直径はそれぞれφ11またはφ31である。
Here, the length in the direction parallel to the side of one of the second through conductors 142 is φ11, the length in the direction orthogonal to the side is φ12, and is parallel to the side of the through conductor 142 of the other second through conductor 142 The length in one direction is φ13, the length in the direction perpendicular to the side is φ14, the distance from the inner wall of the through hole 12 of one second through conductor 142 is L1, and the length of the other second through conductor 142 is When the distance from the inner wall of the through hole 12 is L2 and φ11 = φ31, the inner wall surface of the through hole 12 of the insulating layer in which the first through conductor 141 is embedded is insulated with the second through conductor 142 embedded. When the length of the layer protruding from the inner wall surface of the through hole 12 is L3, L3 ≧ L1−L2 ≧ 0 and φ21 + φ41 ≧ φ11 + φ31 + L3. The first through conductor 141 is connected to each of the second through conductors 142 as in the example shown in FIG. 7, and the diameter thereof is φ11 or φ31, respectively.

なお、図7に示す例においては、φ21=φ41としているが、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142のいずれか一方の辺に直交する方向の長さを他方の辺に直交する方向の長さ
よりも長くしても構わない。
In the example shown in FIG. 7, φ21 = φ41, but the length in the direction perpendicular to either one of the first through conductor 141 and the second through conductor 142 is perpendicular to the other side. It may be longer than the length in the direction.

また、φ11≠φ31の場合は、φ11とφ31のうち大きな長さの方に合わせればよく、例えば、φ11>φ31の場合、φ21+φ41≧2φ11+L3とすればよい。   If φ11 ≠ φ31, the length of φ11 and φ31 may be adjusted. For example, if φ11> φ31, φ21 + φ41 ≧ 2φ11 + L3.

(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態による電子装置について、図8〜図10を参照しつつ説明する。
(Third embodiment)
Next, an electronic device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本実施形態における電子装置において、上記した実施形態の電子装置と異なる点は、同じ絶縁層において、辺に平行な方向(y方向)で第1の貫通導体141と第2の貫通導体142とが交互に配置されている点である。   The electronic device according to this embodiment differs from the electronic device according to the above-described embodiment in that the first through conductor 141 and the second through conductor 142 are arranged in the same insulating layer in a direction parallel to the side (y direction). It is a point arranged alternately.

第3の実施形態の配線基板によれば、辺に直交する方向の長さの長い第2の貫通導体142同士の距離を長くすることで、配線基板1の製作段階において、第2の貫通導体142が絶縁層から脱落する可能性を低減することができ、第1の貫通導体141と第2の貫通導体142との接続を良好なものとすることができるとともに、第1の貫通導体141と第2の貫通導
体142との間または第2の貫通導体142同士の間にクラックが発生する可能性を低減することができる。
According to the wiring board of the third embodiment, by increasing the distance between the second through conductors 142 that are long in the direction orthogonal to the side, the second through conductor in the manufacturing stage of the wiring board 1 is increased. 142 can be reduced from falling off the insulating layer, the connection between the first through conductor 141 and the second through conductor 142 can be improved, and the first through conductor 141 The possibility of cracks occurring between the second through conductors 142 or between the second through conductors 142 can be reduced.

なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、配線導体13は、絶縁基板11の上面または下面に導出しているが、絶縁基板11の側面に切欠きを形成し、この切欠きの内面に導出させて、いわゆるキャスタレーション導体としてもよい。   In addition, this invention is not limited to the example of the above-mentioned embodiment, A various change is possible. For example, although the wiring conductor 13 is led out to the upper surface or the lower surface of the insulating substrate 11, a cutout may be formed on the side surface of the insulating substrate 11, and the so-called castoration conductor may be led out to the inner surface of the notch. .

また、図11に示される例のように、絶縁基板11の下面に、貫通孔12を覆うように平板状の放熱体15が接合されていても構わない。このような場合、放熱体15の搭載面に搭載された電子部品2に生じた熱を放熱体15を介して良好に放熱させることによって、放熱性に優れた電子装置とすることができる。   In addition, as in the example shown in FIG. 11, a flat plate heat radiator 15 may be bonded to the lower surface of the insulating substrate 11 so as to cover the through hole 12. In such a case, the heat generated in the electronic component 2 mounted on the mounting surface of the heat radiating body 15 can be radiated well through the heat radiating body 15, whereby an electronic device with excellent heat dissipation can be obtained.

放熱体15は、絶縁基板11よりも熱伝導率の高い材料、例えば、絶縁基板11が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合、銅(Cu),銅−タングステン(Cu−W)またはアルミニウム(Al)等の金属材料や、窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料等を用いることができる。   The radiator 15 is made of a material having a higher thermal conductivity than the insulating substrate 11, for example, when the insulating substrate 11 is made of an aluminum oxide sintered body, copper (Cu), copper-tungsten (Cu-W) or aluminum (Al ) Or a ceramic material such as an aluminum nitride sintered body can be used.

また、放熱体15を外部回路基板と接合することによって、電子装置の放熱性を高めることができる。   Further, the heat dissipation of the electronic device can be enhanced by bonding the heat dissipating body 15 to the external circuit board.

放熱体15が金属材料から成る場合には、絶縁基板11と放熱体15との接合は、例えば、絶縁基板11の放熱体15と接する部位に接続層を設けておくことによって、Ag−Cuろう材等の接合材を用いて行なうことができる。   In the case where the radiator 15 is made of a metal material, the insulating substrate 11 and the radiator 15 can be joined by, for example, providing a connection layer at a portion of the insulating substrate 11 that is in contact with the radiator 15 so that the Ag—Cu brazing is performed. It can be performed using a bonding material such as a material.

なお、図11に示す例において、平板状の放熱体15が絶縁基板11の下面に接合させているが、貫通孔12内に嵌合するような凸部を設けた放熱体15が接合された配線基板1であっても構わない。   In the example shown in FIG. 11, the flat radiator 15 is bonded to the lower surface of the insulating substrate 11, but the radiator 15 provided with a convex portion that fits into the through hole 12 is bonded. The wiring board 1 may be used.

また、図12に示される例のように、絶縁基板11の貫通孔12の内面に電子部品2が接合されていても構わない。   Further, as in the example shown in FIG. 12, the electronic component 2 may be bonded to the inner surface of the through hole 12 of the insulating substrate 11.

また、図1〜図12に示す例において、第1枠部112および第2枠部113は、基部111の上
面にのみ形成されているが、基部111の上面および下面の両面に形成されている配線基板
1であっても構わない。
1 to 12, the first frame portion 112 and the second frame portion 113 are formed only on the upper surface of the base portion 111, but are formed on both the upper surface and the lower surface of the base portion 111. The wiring board 1 may be used.

また、図1〜図12に示す例において、第1の貫通導体141および第2の貫通導体142は、それぞれが第1枠部112に形成された例を示しているが、基部111と第1の枠部112との間
、あるいは第1の枠部112と第2の枠部113との間に形成された第1の貫通導体141および
第2の貫通導体142であっても構わない。
In the example shown in FIGS. 1 to 12, the first through conductor 141 and the second through conductor 142 are each formed in the first frame 112, but the base 111 and the first The first through conductor 141 and the second through conductor 142 may be formed between the first frame portion 112 and the first frame portion 112 and the second frame portion 113.

また、図1〜図12に示す例において、2つの絶縁層間での第1の貫通導体141と第2の
貫通導体142との例を示しているが、複数の絶縁層に跨って第1の貫通導体141と第2の貫通導体142とが形成されているものであっても構わない。
Moreover, in the example shown in FIGS. 1-12, although the example of the 1st penetration conductor 141 and the 2nd penetration conductor 142 between two insulation layers is shown, the 1st across a plurality of insulation layers is shown. The through conductor 141 and the second through conductor 142 may be formed.

また、絶縁基体11の基部111の上面に電子部品2が接合されるものであっても構わない
Further, the electronic component 2 may be bonded to the upper surface of the base 111 of the insulating base 11.

1・・・配線基板
11・・・絶縁基板
111・・基部
112・・第1枠部
113・・第2枠部
114・・第3の枠部
12・・・貫通孔
12a・・凹部
12b・・第2凹部
13・・・配線導体
14・・・貫通導体
15・・・放熱体
2・・・電子部品
3・・・接続部材
1 ... Wiring board
11 ... Insulating substrate
111 ・ ・ Base
112 ・ ・ First frame
113 ・ ・ Second frame
114 .. Third frame
12 ... Through hole
12a ... recess
12b ・ ・ Second recess
13 ... Wiring conductor
14 ... Penetration conductor
15 ... Heat radiator 2 ... Electronic component 3 ... Connecting member

Claims (2)

複数の絶縁層が積層されて成り、平面視で方形状の貫通孔を有している絶縁基板と、
外形である前記方形状の辺に沿って配置され、前記絶縁層を貫通する複数の貫通導体とを備えており、
該貫通導体は第1の貫通導体と第2の貫通導体とを含んでおり、
前記第1の貫通導体と前記第2の貫通導体とは、上下に位置する前記絶縁層にそれぞれ形成されて互いに接続されており、
前記第2の貫通導体は前記辺に直交する方向の長さが前記第1の貫通導体より長いことを特徴とする配線基板。
An insulating substrate having a plurality of insulating layers stacked and having a rectangular through hole in plan view;
A plurality of penetrating conductors arranged along the rectangular side that is an outer shape and penetrating the insulating layer;
The through conductor includes a first through conductor and a second through conductor,
The first penetrating conductor and the second penetrating conductor are formed on the insulating layers positioned above and below and connected to each other,
The wiring board, wherein the second through conductor has a length in a direction perpendicular to the side longer than that of the first through conductor.
請求項1に記載の配線基板と、
該配線基板に実装された電子部品とを有することを特徴とする電子装置。
The wiring board according to claim 1;
An electronic device comprising: an electronic component mounted on the wiring board.
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