JP2015050051A - Top-emission type organic electroluminescent display device - Google Patents
Top-emission type organic electroluminescent display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015050051A JP2015050051A JP2013181277A JP2013181277A JP2015050051A JP 2015050051 A JP2015050051 A JP 2015050051A JP 2013181277 A JP2013181277 A JP 2013181277A JP 2013181277 A JP2013181277 A JP 2013181277A JP 2015050051 A JP2015050051 A JP 2015050051A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- auxiliary electrode
- electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、輝度ムラが少なく、表示特性が良好であり、信頼性の高い有機EL表示装置を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された画素電極と、上記基板上に形成され、隣接する上記画素電極間に配置された補助電極と、上記基板上に形成され、隣接する上記画素電極間ならびに上記画素電極および上記補助電極の間に配置された絶縁層と、上記画素電極上に形成され、発光層を含む複数の有機層を有する有機EL層と、上記有機EL層上に形成された透明電極層とを有し、上記有機EL層を構成する少なくとも一層の上記有機層が前記補助電極上にストライプ状の開口部を有し、上記透明電極層が上記補助電極と上記有機層の開口部を介して電気的に接続されており、上記有機層の開口部の間隔が1mm以上100mm以下の範囲内であることを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置を提供する。【選択図】図1A main object of the present invention is to provide a highly reliable organic EL display device with less luminance unevenness, good display characteristics, and high reliability. The present invention includes a substrate, a pixel electrode formed on the substrate, an auxiliary electrode formed on the substrate and disposed between the adjacent pixel electrodes, and formed on the substrate. An insulating layer disposed between the adjacent pixel electrodes and between the pixel electrode and the auxiliary electrode, an organic EL layer formed on the pixel electrode and having a plurality of organic layers including a light emitting layer, and the organic EL A transparent electrode layer formed on the layer, at least one of the organic layers constituting the organic EL layer has a stripe-shaped opening on the auxiliary electrode, and the transparent electrode layer is the auxiliary electrode And a top emission type organic EL display device characterized in that the interval between the openings of the organic layer is within a range of 1 mm or more and 100 mm or less. To do. [Selection] Figure 1
Description
本発明は、補助電極を有するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関するものである。 The present invention relates to a top emission type organic electroluminescence display device having an auxiliary electrode.
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、自己発色により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体ディスプレイであるため耐衝撃性に優れていること、応答速度が速いこと、温度変化による影響が少ないこと、および視野角が大きいこと等の利点を有することから注目されており、液晶表示装置やプラズマディスプレイに続くフラットパネルディスプレイとして、研究開発、商品化が進められている。なお、以下、エレクトロルミネッセンスをELと略す場合がある。 The organic electroluminescence display device has high visibility due to self-coloring, it is an all-solid-state display unlike a liquid crystal display device, so it has excellent impact resistance, has a fast response speed, is less affected by temperature changes, In addition, it has attracted attention because of its advantages such as a large viewing angle, and research and development and commercialization are being promoted as flat panel displays following liquid crystal display devices and plasma displays. Hereinafter, electroluminescence may be abbreviated as EL.
有機EL表示装置の駆動方式には、パッシブマトリクス駆動およびアクティブマトリクス駆動があるが、大型ディスプレイの場合には低電圧による駆動が可能であるという観点から、アクティブマトリクス駆動が有利である。ここで、アクティブマトリクス駆動とは、有機EL素子が形成された有機EL素子基板にTFT等の回路を形成し、TFT等の回路により駆動する方式をいう。 There are passive matrix driving and active matrix driving as driving methods of the organic EL display device, but in the case of a large display, active matrix driving is advantageous from the viewpoint that driving by a low voltage is possible. Here, active matrix driving refers to a system in which a circuit such as a TFT is formed on an organic EL element substrate on which an organic EL element is formed, and the circuit is driven by a circuit such as a TFT.
有機EL表示装置には、有機EL素子基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、有機EL素子基板と対向して配置される対向基板側から光を取り出すトップエミッション型とがある。ここで、アクティブマトリクス駆動の有機EL表示装置の場合、ボトムエミッション型では、光の取り出し面である有機EL素子基板に形成されたTFT等の回路により開口率が制限され、光取り出し効率が低下してしまうという問題がある。これに対し、トップエミッション型では、対向基板から光を取り出すため、ボトムエミッション型に比べて高い光取り出し効率が得られる。 Organic EL display devices include a bottom emission type in which light is extracted from the organic EL element substrate side, and a top emission type in which light is extracted from the counter substrate side disposed to face the organic EL element substrate. Here, in the case of an organic EL display device driven by an active matrix, in the bottom emission type, the aperture ratio is limited by a circuit such as a TFT formed on the organic EL element substrate which is a light extraction surface, and the light extraction efficiency is reduced. There is a problem that it ends up. On the other hand, in the top emission type, since light is extracted from the counter substrate, higher light extraction efficiency can be obtained than in the bottom emission type.
有機EL表示装置において光取り出し側の電極層は透明電極層とされる。一般的に透明電極層は、AlやCu等の金属から構成される電極層に比べて抵抗が大きい。そのため、透明電極層の抵抗によって電圧降下が生じ、結果として有機EL表示装置の輝度の均一性が低下する、いわゆる輝度ムラの発生が問題になっている。また、透明電極層の面積が大きくなるほど抵抗は大きくなることから、輝度ムラの問題は大型ディスプレイの場合に顕著になる。 In the organic EL display device, the electrode layer on the light extraction side is a transparent electrode layer. Generally, a transparent electrode layer has a higher resistance than an electrode layer made of a metal such as Al or Cu. For this reason, a voltage drop occurs due to the resistance of the transparent electrode layer, and as a result, the occurrence of so-called luminance unevenness, in which the luminance uniformity of the organic EL display device is lowered, is a problem. In addition, since the resistance increases as the area of the transparent electrode layer increases, the problem of uneven brightness becomes significant in the case of a large display.
上記課題に対しては、低抵抗の補助電極を形成し、補助電極を透明電極層と電気的に接続させることにより電圧降下を抑制する方法が知られている。一般的に補助電極は、金属層を成膜した後にウェットプロセスによるエッチング処理を施しパターニングする。そのため、トップエミッション型の有機EL表示装置において、有機EL層上や透明電極層上に補助電極を形成する場合には、補助電極の形成時に用いられるエッチング液により有機EL層や透明電極層が侵されるという問題があった。そこで、例えば特許文献1〜4に記載されているように、有機EL層の下層に補助電極を形成する手法が提案されている。
For the above-described problem, a method is known in which a voltage drop is suppressed by forming a low-resistance auxiliary electrode and electrically connecting the auxiliary electrode to a transparent electrode layer. In general, the auxiliary electrode is patterned by performing a wet process etching after forming a metal layer. Therefore, in the top emission type organic EL display device, when the auxiliary electrode is formed on the organic EL layer or the transparent electrode layer, the organic EL layer or the transparent electrode layer is eroded by the etching solution used when forming the auxiliary electrode. There was a problem of being. Therefore, for example, as described in
しかしながら、有機EL層の下層に補助電極を形成する場合において、有機EL層を構成する少なくとも1層の有機層が、TFT等の回路および補助電極が形成された基板の全面に形成された場合には、この有機層によって補助電極と透明電極層との電気的な接続が妨げられてしまうという問題があった。 However, when the auxiliary electrode is formed below the organic EL layer, when at least one organic layer constituting the organic EL layer is formed on the entire surface of the substrate on which a circuit such as a TFT and the auxiliary electrode are formed. However, the organic layer hinders electrical connection between the auxiliary electrode and the transparent electrode layer.
そこで、例えば特許文献1〜4には、補助電極と透明電極層とを電気的に接続するために、レーザーアブレーションにより補助電極上の有機層を除去して開口部を形成する方法が提案されている。しかしながら、この方法では、レーザー照射時に有機層の材料が飛散して画素領域が汚染され、表示特性が低下してしまうという問題がある。
Therefore, for example,
上記のレーザーアブレーションによる有機層の除去方法においては、画素毎に開口部を形成するのが通常であり、例えば画素毎にドット状に開口部を設ける、または、画素に沿ってストライプ状に開口部を設けることが提案されている。有機層をストライプ状に除去する場合、ドット状に除去する場合と比較して、レーザー照射時の有機層の材料の飛散が多くなってしまう。そこで、有機層の材料の飛散を低減するために、有機層をストライプ状に除去する場合において開口部の密度を低くすることが考えられる。しかしながら、有機層の開口部の密度を低くすると、補助電極による電圧降下の抑制効果が得られなくなるおそれがある。また、有機層の開口部の密度が低いと、透明電極層と補助電極とが電気的に接続される開口部に電流が集中し断線が生じたり発熱が起こったりする場合がある。 In the above organic layer removal method by laser ablation, it is usual to form an opening for each pixel. For example, an opening is provided in a dot shape for each pixel, or an opening in a stripe shape along the pixel. Has been proposed. When the organic layer is removed in the form of stripes, the scattering of the material of the organic layer at the time of laser irradiation is greater than when the organic layer is removed in the form of dots. Therefore, in order to reduce scattering of the material of the organic layer, it is conceivable to reduce the density of the openings when the organic layer is removed in a stripe shape. However, if the density of the openings in the organic layer is lowered, the effect of suppressing the voltage drop by the auxiliary electrode may not be obtained. In addition, when the density of the openings in the organic layer is low, current may concentrate in the openings where the transparent electrode layer and the auxiliary electrode are electrically connected, resulting in disconnection or heat generation.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、輝度ムラが少なく、表示特性が良好であり、信頼性の高い有機EL表示装置を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and has as its main object to provide a highly reliable organic EL display device with less luminance unevenness, good display characteristics, and high reliability.
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、電圧降下による輝度ムラ、電流集中による断線、およびレーザーアブレーション時の有機層の材料の飛散のすべてを改善するには、有機層の開口部の間隔を所定の範囲内にすることが有効であることを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of diligent investigations to solve the above problems, the present inventors have found that in order to improve all of luminance unevenness due to voltage drop, disconnection due to current concentration, and scattering of the organic layer material during laser ablation, The inventors have found that it is effective to set the interval between the openings of the layers within a predetermined range, and have completed the present invention.
すなわち、本発明は、基板と、上記基板上に形成された画素電極と、上記基板上に形成され、隣接する上記画素電極間に配置された補助電極と、上記基板上に形成され、隣接する上記画素電極間ならびに上記画素電極および上記補助電極の間に配置された絶縁層と、上記画素電極上に形成され、発光層を含む複数の有機層を有する有機EL層と、上記有機EL層上に形成された透明電極層とを有し、上記有機EL層を構成する少なくとも一層の上記有機層が上記補助電極上にストライプ状の開口部を有し、上記透明電極層が上記補助電極と上記有機層の開口部を介して電気的に接続されており、上記有機層の開口部の間隔が1mm以上100mm以下の範囲内であることを特徴とするトップエミッション型有機EL表示装置を提供する。 That is, the present invention provides a substrate, a pixel electrode formed on the substrate, an auxiliary electrode formed on the substrate and disposed between the adjacent pixel electrodes, and formed on the substrate and adjacent thereto. An insulating layer disposed between the pixel electrodes and between the pixel electrode and the auxiliary electrode, an organic EL layer formed on the pixel electrode and having a plurality of organic layers including a light emitting layer, and the organic EL layer And at least one organic layer constituting the organic EL layer has a striped opening on the auxiliary electrode, and the transparent electrode layer includes the auxiliary electrode and the transparent electrode layer. Provided is a top emission organic EL display device which is electrically connected through an opening of an organic layer, and the interval between the openings of the organic layer is in a range of 1 mm to 100 mm.
本発明によれば、補助電極が形成されており、有機層の開口部の間隔が所定の範囲内であることにより、電圧降下による輝度ムラおよび電流集中による断線の発生を抑制することができ、さらにレーザーアブレーションにより有機層を除去して開口部を形成する場合には有機層の材料の画素領域への飛散を低減し表示特性の低下を抑制することができる。 According to the present invention, the auxiliary electrode is formed, and the interval between the openings of the organic layer is within a predetermined range, thereby suppressing the occurrence of luminance unevenness due to voltage drop and disconnection due to current concentration, Further, when the opening is formed by removing the organic layer by laser ablation, it is possible to reduce scattering of the material of the organic layer to the pixel region and suppress deterioration of display characteristics.
本発明においては、輝度ムラが少なく、表示特性が良好であり、信頼性の高い有機EL表示装置を得ることができるという効果を奏する。 In the present invention, there is an effect that there is little luminance unevenness, display characteristics are good, and a highly reliable organic EL display device can be obtained.
以下、本発明のトップエミッション型有機EL表示装置について詳細に説明する。なお、トップエミッション型有機EL表示装置を有機EL表示装置と略す場合がある。 Hereinafter, the top emission type organic EL display device of the present invention will be described in detail. The top emission type organic EL display device may be abbreviated as an organic EL display device.
本発明の有機EL表示装置は、基板と、上記基板上に形成された画素電極と、上記基板上に形成され、隣接する上記画素電極間に配置された補助電極と、上記基板上に形成され、隣接する上記画素電極間ならびに上記画素電極および上記補助電極の間に配置された絶縁層と、上記画素電極上に形成され、発光層を含む複数の有機層を有する有機EL層と、上記有機EL層上に形成された透明電極層とを有し、上記有機EL層を構成する少なくとも一層の上記有機層が上記補助電極上にストライプ状の開口部を有し、上記透明電極層が上記補助電極と上記有機層の開口部を介して電気的に接続されており、上記有機層の開口部の間隔が1mm以上100mm以下の範囲内であることを特徴とするものである。 The organic EL display device of the present invention is formed on a substrate, a pixel electrode formed on the substrate, an auxiliary electrode formed on the substrate and disposed between the adjacent pixel electrodes, and the substrate. An insulating layer disposed between the adjacent pixel electrodes and between the pixel electrode and the auxiliary electrode, an organic EL layer formed on the pixel electrode and having a plurality of organic layers including a light emitting layer, and the organic A transparent electrode layer formed on the EL layer, at least one of the organic layers constituting the organic EL layer has a stripe-shaped opening on the auxiliary electrode, and the transparent electrode layer is the auxiliary electrode The electrode and the organic layer are electrically connected to each other through an opening, and the distance between the openings of the organic layer is in a range of 1 mm to 100 mm.
まず、本発明の有機EL表示装置について図を参照して説明する。
図1(a)は本発明の有機EL表示装置の一例を示す概略平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A線断面図である。なお、図1(a)において、画素電極は破線、補助電極は一点鎖線で示されており、絶縁層および透明電極層、ならびにTFT、走査線や信号線等の配線、平坦化層等のアクティブマトリクス駆動回路は省略されている。
図1(a)、(b)に例示するように、有機EL表示装置1は、基板2と、基板2上に形成されたTFT11と、TFT11を覆うように形成された平坦化層17と、平坦化層17上にパターン状に形成された画素電極3と、基板2上にパターン状に形成され、隣接する画素電極3の間に配置された補助電極4と、基板2上に形成され、隣接する画素電極3の間ならびに画素電極3および補助電極4の間に配置された絶縁層5と、画素電極3、補助電極4および絶縁層5が形成された基板2の全面に形成され、補助電極4上にストライプ状の開口部10を有する有機EL層6と、有機EL層6の全面に形成され、有機EL層6の開口部10を介して補助電極4と電気的に接続された透明電極層7とを有している。TFT11は、ゲート電極12と、ゲート電極12上に形成されたゲート絶縁層13と、ゲート絶縁層13上に形成された半導体層14と、半導体層14上に形成されたソース電極15およびドレイン電極16とを有しており、平坦化層17を貫通するコンタクトホールを介してTFT11と画素電極3とは接続されている。また、有機EL層6のストライプ状の開口部10は所定の間隔d1で配置されている。
First, the organic EL display device of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1A is a schematic plan view showing an example of the organic EL display device of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. In FIG. 1A, the pixel electrode is indicated by a broken line, the auxiliary electrode is indicated by a one-dot chain line, and an active layer such as an insulating layer and a transparent electrode layer, a wiring such as a TFT, a scanning line or a signal line, and a planarization layer The matrix driving circuit is omitted.
As illustrated in FIGS. 1A and 1B, the organic
ここで、「有機EL層上に形成された透明電極層」とは、透明電極層が有機EL層上に形成されていることをいうが、通常は図1(b)に例示するように、透明電極層7が、画素電極3、補助電極4、絶縁層5および有機EL層6が形成された基板2の全面に連続して形成される。
Here, the “transparent electrode layer formed on the organic EL layer” means that the transparent electrode layer is formed on the organic EL layer. Usually, as illustrated in FIG. The
「画素電極上に形成された有機EL層」とは、画素電極上に有機EL層が形成されていることをいうが、通常は図1(a)に例示するように、有機EL層6を構成する少なくとも一層の有機層は画素電極3、補助電極4および絶縁層5が形成された基板2上に連続して形成される。
“The organic EL layer formed on the pixel electrode” means that the organic EL layer is formed on the pixel electrode. Usually, as illustrated in FIG. At least one organic layer to be formed is continuously formed on the
本発明によれば、補助電極が形成されており、有機層の開口部の間隔が所定の範囲内であることにより、電圧降下による輝度ムラを防ぐことができ、また電流集中による断線の発生を抑制することができ、さらにレーザーアブレーションにより有機層を除去して開口部を形成する場合には有機層の材料の画素領域への飛散を低減し表示特性の低下を抑制することができる。 According to the present invention, since the auxiliary electrode is formed and the interval between the openings of the organic layer is within a predetermined range, luminance unevenness due to voltage drop can be prevented, and disconnection due to current concentration can be prevented. In addition, when the organic layer is removed by laser ablation to form the opening, scattering of the organic layer material to the pixel region can be reduced and deterioration of display characteristics can be suppressed.
以下、本発明の有機EL表示装置における各構成について説明する。 Hereinafter, each configuration in the organic EL display device of the present invention will be described.
1.有機層の開口部
本発明において、有機EL層を構成する少なくとも一層の有機層は画素電極、補助電極および絶縁層上に形成され、補助電極上にストライプ状の開口部を有するものである。この有機層の開口部を介して透明電極層と補助電極とは電気的に接続される。
1. In the present invention, at least one organic layer constituting the organic EL layer is formed on the pixel electrode, the auxiliary electrode, and the insulating layer, and has a stripe-shaped opening on the auxiliary electrode. The transparent electrode layer and the auxiliary electrode are electrically connected through the opening of the organic layer.
有機層の開口部の間隔は、1mm以上100mm以下の範囲内であり、好ましくは5mm以上50mm以下の範囲内、さらに好ましくは10mm以上50mm以下の範囲内である。有機層の開口部の間隔が広すぎると、電圧降下の抑制効果が十分に得られず消費電力が高くなったり、また有機層の開口部での電流密度が高くなり断線が発生し信頼性が低下したりする可能性がある。一方、有機層の開口部の間隔を上記範囲よりも狭くすると、電圧降下の抑制効果にほとんど変化はないのに対し、レーザーアブレーションにより有機層を除去して開口部を形成する場合に有機層の材料の飛散が多くなり表示特性が低下する可能性や、また有機層の除去が煩雑となり長時間を要する場合がある。 The interval between the openings of the organic layer is in the range of 1 mm to 100 mm, preferably in the range of 5 mm to 50 mm, and more preferably in the range of 10 mm to 50 mm. If the spacing between the openings in the organic layer is too wide, the effect of suppressing the voltage drop will not be sufficiently obtained, resulting in high power consumption, and the current density at the openings in the organic layer will increase, resulting in disconnection and reliability. It may decrease. On the other hand, when the interval between the openings of the organic layer is narrower than the above range, the effect of suppressing the voltage drop is hardly changed, whereas when the openings are formed by removing the organic layer by laser ablation, There is a possibility that the scattering of the material increases and the display characteristics are deteriorated, and the removal of the organic layer is complicated and requires a long time.
ここで、有機層の開口部の間隔とは、隣接する開口部の中心から中心までの距離をいい、例えば図1(a)におけるd1で示される。 Here, the interval between the openings of the organic layer refers to the distance from the center to the center of the adjacent openings, and is indicated by d1 in FIG.
開口部の配置としては、開口部が補助電極上に配置されており、開口部の間隔が所定の範囲内となるような配置であれば特に限定されるものではなく、種々の配置が可能である。
中でも、開口部は画素毎、すなわち画素電極毎に配置されていないことが好ましい。開口部が画素毎に配置されていると、開口部の形成に時間がかかり生産性が低下し製造コストが高くなるからである。
開口部は規則的に配置されていてもよく不規則に配置されていてもよいが、通常は規則的に配置される。
The arrangement of the openings is not particularly limited as long as the openings are arranged on the auxiliary electrode and the distance between the openings is within a predetermined range, and various arrangements are possible. is there.
Especially, it is preferable that the opening is not arranged for each pixel, that is, for each pixel electrode. This is because if the opening is arranged for each pixel, it takes time to form the opening, and the productivity is lowered and the manufacturing cost is increased.
The openings may be arranged regularly or irregularly, but are usually arranged regularly.
有機層の開口部の平面視形状としては、透明電極層と補助電極とを電気的に接続することができる形状であれば特に限定されるものではなく、例えば矩形や楕円形等が挙げられる。 The shape of the opening of the organic layer in plan view is not particularly limited as long as the transparent electrode layer and the auxiliary electrode can be electrically connected, and examples thereof include a rectangle and an ellipse.
ここで、例えば図1(a)に示すように補助電極4上のストライプ状の開口部10は連続して形成されるものであるが、レーザーアブレーションにより有機層を除去して開口部を形成する場合、通常はレーザー光を間欠的に照射することから、ストライプ状の開口部の一部に不連続な部分があってもよい。
Here, for example, as shown in FIG. 1A, the stripe-shaped
有機層の開口部の形成方法としては、補助電極の一部が露出するように有機層にストライプ状の開口部を形成することができる方法であれば特に限定されるものではないが、レーザー光を照射して有機層を除去するレーザーアブレーション法であることが好ましい。
レーザー光は、補助電極を覆う有機層を除去することが可能なレーザー光であれば特に限定されるものではなく、レーザーアブレーションによる有機層の除去方法において一般的に用いられるレーザー光を採用することができる。例えば、YAG、Arイオン、He−Ne、KrF、炭素レーザー(CO2レーザー)等のレーザーが挙げられる。
The method for forming the opening of the organic layer is not particularly limited as long as it can form a stripe-shaped opening in the organic layer so that a part of the auxiliary electrode is exposed. It is preferable to use a laser ablation method in which the organic layer is removed by irradiating.
The laser light is not particularly limited as long as it can remove the organic layer covering the auxiliary electrode, and the laser light generally used in the method of removing the organic layer by laser ablation should be adopted. Can do. Examples thereof include lasers such as YAG, Ar ions, He—Ne, KrF, and a carbon laser (CO 2 laser).
2.補助電極
本発明における補助電極は、基板上に形成され、隣接する画素電極間に配置されるものである。
2. Auxiliary Electrode The auxiliary electrode in the present invention is formed on the substrate and disposed between adjacent pixel electrodes.
補助電極は、光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。
補助電極には金属材料が用いられる。なお、補助電極に用いられる金属材料については、後述の画素電極に用いられる金属材料と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
また、後述するように画素電極と同一平面上に補助電極が形成されている場合、その補助電極に用いられる材料は、画素電極に用いられる材料と同じであってもよく異なってもよい。中でも、画素電極および補助電極は同一の材料からなることが好ましい。画素電極および補助電極を一括して形成することができ、製造工程を簡略化することができるからである。
また、後述するようにアクティブマトリクス駆動回路の走査線または信号線等の配線と同一平面上に補助電極が形成されている場合、その補助電極に用いられる材料は、配線に用いられる材料と同じであってもよく異なってもよい。中でも、配線および補助電極は同一の材料からなることが好ましい。配線および補助電極を一括して形成することができ、製造工程を簡略化することができるからである。
The auxiliary electrode may or may not have optical transparency.
A metal material is used for the auxiliary electrode. Note that the metal material used for the auxiliary electrode can be the same as the metal material used for the pixel electrode, which will be described later, and thus the description thereof is omitted here.
Further, when an auxiliary electrode is formed on the same plane as the pixel electrode as described later, the material used for the auxiliary electrode may be the same as or different from the material used for the pixel electrode. Especially, it is preferable that a pixel electrode and an auxiliary electrode consist of the same material. This is because the pixel electrode and the auxiliary electrode can be formed collectively, and the manufacturing process can be simplified.
Further, as described later, when an auxiliary electrode is formed on the same plane as a wiring such as a scanning line or a signal line of the active matrix driving circuit, the material used for the auxiliary electrode is the same as the material used for the wiring. It may or may not be. Especially, it is preferable that a wiring and an auxiliary electrode consist of the same material. This is because the wiring and the auxiliary electrode can be collectively formed, and the manufacturing process can be simplified.
補助電極の形成位置としては、補助電極が隣接する画素電極間に配置されており、透明電極層の抵抗による電圧降下を抑制するという補助電極の機能を発揮することができる形成位置であれば特に限定されるものではない。例えば図1(b)に示すように画素電極3と同一平面上にのみ補助電極4が形成されていてもよく、図2に示すように画素電極3と同一平面上およびアクティブマトリクス駆動回路の走査線または信号線(図示なし)と同一平面上にそれぞれ第1補助電極4a、第2補助電極4bが形成され、第1補助電極4aおよび第2補助電極4bが接続されていてもよい。後者の場合、第2補助電極は画素電極よりも基板側に形成されるため、光取り出しを考慮する必要がなく、第2補助電極の面積を大きくすることができるので、透明電極層の抵抗による電圧降下をより一層抑制することができる。
As an auxiliary electrode formation position, the auxiliary electrode is disposed between adjacent pixel electrodes, and any auxiliary electrode can be used as long as the auxiliary electrode can exhibit its function of suppressing a voltage drop due to the resistance of the transparent electrode layer. It is not limited. For example, the
補助電極の配置としては、補助電極が隣接する画素電極間に配置されており、透明電極層の抵抗による電圧降下を抑制するという補助電極の機能を発揮することができる配置であれば特に限定されるものではなく、補助電極の構成等に応じて適宜選択される。例えば図1(b)に示すように、補助電極4が画素電極3と同一平面上にのみ形成されている場合には、補助電極4は隣接する画素電極3間に配置される。一方、例えば図2に示すように、第1補助電極4aが画素電極3と同一平面上に形成され、第2補助電極4bがアクティブマトリクス駆動回路の走査線または信号線(図示なし)と同一平面上に形成されている場合には、画素電極3と同一平面上に形成されている第1補助電極4aが隣接する画素電極3間に配置されていればよく、アクティブマトリクス駆動回路の走査線または信号線(図示なし)と同一平面上に形成されている第2補助電極4bは隣接する画素電極3間に配置されている必要はない。後者の場合、第2補助電極の配置は画素電極によらず、上述のように第2補助電極の面積を大きくすることができるので、透明電極層の抵抗による電圧降下をより一層抑制することができる。
The arrangement of the auxiliary electrode is not particularly limited as long as the auxiliary electrode is arranged between adjacent pixel electrodes and can exhibit the function of the auxiliary electrode to suppress the voltage drop due to the resistance of the transparent electrode layer. It is not a thing and it selects suitably according to the structure of an auxiliary electrode, etc. For example, as shown in FIG. 1B, when the
補助電極の平面視形状としては、透明電極層の抵抗による電圧降下を抑制するという補助電極の機能を発揮することができる形状であれば特に限定されるものではなく、補助電極の構成等に応じて適宜選択される。例えば図1(b)、図2に示すように、画素電極3と同一平面上に形成されている補助電極4または第1補助電極4aは隣接する画素電極3間に配置されることから、これらの補助電極4および第1補助電極4aの平面視形状は有機EL表示装置の光取り出し効率を低下させないような形状であることが好ましい。例えば図1(a)に示すような格子状等が挙げられる。一方、例えば図2に示すように、アクティブマトリクス駆動回路の走査線または信号線(図示なし)と同一平面上に形成されている第2補助電極4bは画素電極3よりも基板2側に形成されるため、光取り出しを考慮する必要がなく、第2補助電極4bの平面視形状は任意の形状とすることができる。
The shape of the auxiliary electrode in plan view is not particularly limited as long as it can exhibit the function of the auxiliary electrode to suppress the voltage drop due to the resistance of the transparent electrode layer, and depending on the configuration of the auxiliary electrode, etc. Are appropriately selected. For example, as shown in FIGS. 1B and 2, the
補助電極の厚みとしては、補助電極の端部からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば10nm〜1000nmの範囲内であることが好ましく、中でも20nm〜500nmの範囲内であることが好ましい。なお、補助電極を画素電極と一括して形成する場合には、画素電極および補助電極の厚みは等しくなる。 The thickness of the auxiliary electrode is appropriately adjusted according to the presence or absence of leakage current from the end of the auxiliary electrode, and is preferably in the range of, for example, 10 nm to 1000 nm, and more preferably in the range of 20 nm to 500 nm. preferable. Note that when the auxiliary electrode is formed together with the pixel electrode, the pixel electrode and the auxiliary electrode have the same thickness.
補助電極の形成方法としては、基板上に補助電極をパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。例えば、マスクを用いた蒸着法、フォトリソグラフィ法等が挙げられる。蒸着法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法等が挙げられる。中でも、補助電極を画素電極やアクティブマトリクス駆動回路の配線と一括して形成することが好ましい。製造工程を簡略化することができるからである。 The method for forming the auxiliary electrode is not particularly limited as long as the auxiliary electrode can be formed in a pattern on the substrate, and a general electrode forming method can be employed. For example, the vapor deposition method using a mask, the photolithographic method, etc. are mentioned. Examples of the vapor deposition method include a sputtering method and a vacuum vapor deposition method. In particular, it is preferable to form the auxiliary electrode together with the pixel electrode and the wiring of the active matrix driving circuit. This is because the manufacturing process can be simplified.
3.有機EL層
本発明における有機EL層は、画素電極上に形成され、発光層を含む複数の有機層を有するものである。また、上述のように、有機EL層を構成する少なくとも一層の有機層は補助電極上にストライプ状の開口部を有する。
3. Organic EL Layer The organic EL layer in the present invention is formed on the pixel electrode and has a plurality of organic layers including a light emitting layer. Further, as described above, at least one organic layer constituting the organic EL layer has a stripe-shaped opening on the auxiliary electrode.
補助電極上にストライプ状の開口部を有する有機層としては、少なくとも一層であればよく、有機EL層を構成するすべての有機層がストライプ状の開口部を有していてもよく、有機EL層を構成する一部の有機層がストライプ状の開口部を有していてもよい。例えば、発光層が画素電極上のみに形成されている場合、発光層は補助電極上にストライプ状の開口部を有さない。 The organic layer having a stripe-shaped opening on the auxiliary electrode may be at least one layer, and all organic layers constituting the organic EL layer may have a stripe-shaped opening. A part of the organic layer that constitutes may have a stripe-shaped opening. For example, when the light emitting layer is formed only on the pixel electrode, the light emitting layer does not have a stripe-shaped opening on the auxiliary electrode.
有機EL層を構成する有機層としては、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。以下、有機EL層を構成する有機層について説明する。 Examples of the organic layer constituting the organic EL layer include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer in addition to the light emitting layer. Hereinafter, the organic layer which comprises an organic EL layer is demonstrated.
(1)発光層
本発明における発光層は、単色の発光層であってもよく、複数色の発光層であってもよく、有機EL表示装置のカラー化方式に応じて適宜選択される。
(1) Light-Emitting Layer The light-emitting layer in the present invention may be a single-color light-emitting layer or a multi-color light-emitting layer, and is appropriately selected according to the colorization method of the organic EL display device.
発光層に用いられる発光材料としては、蛍光もしくは燐光を発するものであればよく、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等を挙げることができる。なお、具体的な色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料については、一般的に用いられるものと同様とすることができるため、ここでの記載は省略する。 The light emitting material used for the light emitting layer may be any material that emits fluorescence or phosphorescence, and examples thereof include dye materials, metal complex materials, and polymer materials. Note that specific pigment materials, metal complex materials, and polymer materials can be the same as those generally used, and thus description thereof is omitted here.
発光層の厚みとしては、電子および正孔の再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば10nm〜500nm程度にすることができる。 The thickness of the light-emitting layer is not particularly limited as long as it can provide a function of emitting light by providing a recombination field of electrons and holes, and may be, for example, about 10 nm to 500 nm. it can.
発光層の形成方法としては、上述の発光材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた発光層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスであってもよく、真空蒸着法等のドライプロセスであってもよい。中でも、発光効率および寿命の点からドライプロセスが好ましい。 The method for forming the light emitting layer may be a wet process in which a light emitting layer forming coating solution in which the above light emitting material or the like is dissolved or dispersed in a solvent may be applied, or may be a dry process such as a vacuum deposition method. Good. Among these, a dry process is preferable in terms of luminous efficiency and life.
(2)正孔注入輸送層
本発明においては、発光層と陽極との間に正孔注入輸送層が形成されていてもよい。
正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
(2) Hole Injecting and Transporting Layer In the present invention, a hole injecting and transporting layer may be formed between the light emitting layer and the anode.
The hole injection transport layer may be a hole injection layer having a hole injection function, or a hole transport layer having a hole transport function, and the hole injection layer and the hole transport layer are laminated. And may have both a hole injection function and a hole transport function.
正孔注入輸送層に用いられる材料としては、発光層への正孔の注入、輸送を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、一般的な材料を用いることができる。 The material used for the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection and transportation of holes to the light emitting layer, and a general material can be used. .
正孔注入輸送層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には0.5nm〜1000nmの範囲内、中でも10nm〜500nmの範囲内であることが好ましい。 The thickness of the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as the hole injecting function and the hole transporting function are sufficiently exhibited. Specifically, the thickness is in the range of 0.5 nm to 1000 nm, particularly 10 nm to It is preferable to be in the range of 500 nm.
正孔注入輸送層の形成方法としては、上述の材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスであってもよく、真空蒸着法等のドライプロセスであってもよく、材料の種類等に応じて適宜選択される。 The formation method of the hole injection transport layer may be a wet process in which a coating liquid for forming a hole injection transport layer in which the above-described materials or the like are dissolved or dispersed in a solvent may be applied. It may be a process and is appropriately selected according to the type of material.
(3)電子注入輸送層
本発明においては、発光層と陰極との間に電子注入輸送層が形成されていてもよい。
電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
(3) Electron Injecting and Transporting Layer In the present invention, an electron injecting and transporting layer may be formed between the light emitting layer and the cathode.
The electron injection / transport layer may be an electron injection layer having an electron injection function, may be an electron transport layer having an electron transport function, or may be a laminate of an electron injection layer and an electron transport layer. It may have both an electron injection function and an electron transport function.
電子注入層に用いられる材料としては、発光層への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、また、電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではない。電子注入層および電子輸送層に用いられる具体的な材料としては、一般的な材料を用いることができる。 The material used for the electron injection layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection of electrons into the light emitting layer, and the material used for the electron transport layer is from the cathode. The material is not particularly limited as long as the injected electrons can be transported to the light emitting layer. A general material can be used as a specific material used for the electron injection layer and the electron transport layer.
また、発光層および透明電極層の間に電子注入層が形成されている場合には、開口部を有する有機層が形成された基板の全面に電子注入層を形成し、電子注入層上に透明電極層を形成することにより、有機層の開口部を介して補助電極と電子注入層および透明電極層とを電気的に接続することもできる。電子注入層の厚みが極めて薄い場合には、有機層の開口部に電子注入層が形成されている場合であっても、補助電極と透明電極層とを電気的に接続させることができる。この場合、有機層の開口部を形成する際の電子注入層の劣化を防ぐことができるため、比較的不安定とされるフッ化リチウム等のアルカリ金属を含む材料を電子注入層に用いることが可能になる。 In addition, when an electron injection layer is formed between the light emitting layer and the transparent electrode layer, the electron injection layer is formed on the entire surface of the substrate on which the organic layer having the opening is formed, and the electron injection layer is transparent on the electron injection layer. By forming the electrode layer, the auxiliary electrode, the electron injection layer, and the transparent electrode layer can be electrically connected through the opening of the organic layer. When the electron injection layer is extremely thin, the auxiliary electrode and the transparent electrode layer can be electrically connected even when the electron injection layer is formed in the opening of the organic layer. In this case, since the deterioration of the electron injection layer when forming the opening of the organic layer can be prevented, a material containing an alkali metal such as lithium fluoride, which is relatively unstable, is used for the electron injection layer. It becomes possible.
電子注入輸送層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。 The thickness of the electron injection / transport layer is not particularly limited as long as the electron injection function and the electron transport function are sufficiently exhibited.
電子注入輸送層の形成方法としては、上述の材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた電子注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスであってもよく、真空蒸着法等のドライプロセスであってもよく、材料の種類等に応じて適宜選択される。 The method for forming the electron injecting and transporting layer may be a wet process in which a coating liquid for forming an electron injecting and transporting layer in which the above-described materials or the like are dissolved or dispersed in a solvent may be applied, or by a dry process such as a vacuum evaporation method. There may be, and it chooses suitably according to the kind etc. of material.
4.画素電極
本発明における画素電極は、基板上にパターン状に形成されるものである。
画素電極は、光透過性を有していてもよく、有さなくてもよいが、本発明の有機EL表示装置はトップエミッション型であり、透明電極層側から光を取り出すため、通常は光透過性を有さないものとされる。
4). Pixel electrode The pixel electrode in the present invention is formed in a pattern on a substrate.
The pixel electrode may or may not have optical transparency, but the organic EL display device of the present invention is a top emission type and usually takes out light from the transparent electrode layer side. It is assumed that it does not have transparency.
画素電極は、陽極および陰極のいずれであってもよい。
画素電極は、抵抗が小さいことが好ましく、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Au、Cr、Mo等の金属;酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物;金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、MgAg等のマグネシウム合金、AlLi、AlCa、AlMg等のアルミニウム合金、Li、Cs、Ba、Sr、Ca等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。また、Mo、Al、Moの積層膜、Ti、Al、Tiの積層膜等も用いることができる。
The pixel electrode may be either an anode or a cathode.
The pixel electrode preferably has a low resistance, and a metal material that is a conductive material is generally used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
For the anode, a conductive material having a large work function is preferably used so that holes can be easily injected. Examples thereof include metals such as Au, Cr, and Mo; inorganic oxides such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide, and indium oxide; and conductive polymers such as metal-doped polythiophene. It is done. These conductive materials may be used alone or in combination of two or more. When two or more types are used, layers made of each material may be stacked.
For the cathode, it is preferable to use a conductive material having a low work function so that electrons can be easily injected. Examples thereof include magnesium alloys such as MgAg, aluminum alloys such as AlLi, AlCa, and AlMg, and alloys of alkali metals and alkaline earth metals such as Li, Cs, Ba, Sr, and Ca. Further, a laminated film of Mo, Al, Mo, a laminated film of Ti, Al, Ti, or the like can also be used.
画素電極の厚みとしては、画素電極の端部からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば10nm〜1000nm程度にすることができ、好ましくは20nm〜500nm程度である。また、画素電極の厚みは、後述の補助電極の厚みと同じであってもよく異なっていてもよい。なお、画素電極および補助電極を一括して形成する場合には、画素電極および補助電極の厚みは等しくなる。 The thickness of the pixel electrode is appropriately adjusted according to the presence or absence of leakage current from the end of the pixel electrode, and can be set to, for example, about 10 nm to 1000 nm, and preferably about 20 nm to 500 nm. The thickness of the pixel electrode may be the same as or different from the thickness of the auxiliary electrode described later. Note that when the pixel electrode and the auxiliary electrode are collectively formed, the pixel electrode and the auxiliary electrode have the same thickness.
画素電極の形成方法としては、基板上に画素電極をパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。例えば、マスクを用いた蒸着法、フォトリソグラフィ法等が挙げられる。蒸着法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法等が挙げられる。 The method for forming the pixel electrode is not particularly limited as long as the pixel electrode can be formed in a pattern on the substrate, and a general electrode forming method can be employed. For example, the vapor deposition method using a mask, the photolithographic method, etc. are mentioned. Examples of the vapor deposition method include a sputtering method and a vacuum vapor deposition method.
5.透明電極層
本発明における透明電極層は、上記有機EL層上に形成され、有機EL層を構成する有機層の開口部を介して補助電極と電気的に接続されるものである。
5. Transparent electrode layer The transparent electrode layer in this invention is formed on the said organic EL layer, and is electrically connected with an auxiliary electrode through the opening part of the organic layer which comprises an organic EL layer.
透明電極層は、陽極および陰極のいずれであってもよい。
透明電極層の材料としては、透明導電性材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物や、金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの透明導電性材料は、単独で用いても2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、MgAg等のマグネシウム合金、アルミニウム、カルシウム等の金属材料を用いることもでき、この場合には光透過性を有する程度の薄膜とすることで透明電極層として用いることができる。
The transparent electrode layer may be either an anode or a cathode.
The material of the transparent electrode layer is not particularly limited as long as it is a transparent conductive material. For example, an inorganic oxide such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide, indium oxide, And conductive polymers such as metal-doped polythiophene. These transparent conductive materials may be used alone or in combination of two or more. When two or more types are used, layers made of each material may be stacked. Further, a magnesium alloy such as MgAg, or a metal material such as aluminum or calcium can also be used. In this case, a thin film having a light-transmitting property can be used as the transparent electrode layer.
透明電極層の面抵抗は小さいことが好ましく、具体的には200Ω/□以下であることが好ましく、中でも100Ω/□以下、特に40Ω/□以下であることが好ましい。透明電極層の抵抗による電圧降下を抑制することができるからである。
なお、面抵抗は例えば三菱化学社製の抵抗率計ロレスタを用いて測定することができる。
The sheet resistance of the transparent electrode layer is preferably small, specifically 200Ω / □ or less, more preferably 100Ω / □ or less, and particularly preferably 40Ω / □ or less. This is because the voltage drop due to the resistance of the transparent electrode layer can be suppressed.
The sheet resistance can be measured using, for example, a resistivity meter Loresta manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.
透明電極層の形成方法としては、有機EL層上に形成可能な方法であればよく、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、EB蒸着法、イオンプレーティング法等のPVD法、またはCVD法等を挙げることができる。 As a method for forming the transparent electrode layer, any method can be used as long as it can be formed on the organic EL layer, and a general electrode forming method can be used. For example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an EB deposition method, an ion Examples thereof include a PVD method such as a plating method, a CVD method, and the like.
6.絶縁層
本発明における絶縁層は、基板上にパターン状に形成され、隣接する上記画素電極間ならびに上記画素電極および補助電極の間に配置されるものである。絶縁層により、隣接する画素電極間ならびに画素電極および補助電極の間で発生し得るリーク電流による短絡を防ぐことができる。
6). Insulating layer The insulating layer in the present invention is formed in a pattern on the substrate, and is disposed between the adjacent pixel electrodes and between the pixel electrode and the auxiliary electrode. The insulating layer can prevent a short circuit due to a leak current that may occur between adjacent pixel electrodes and between the pixel electrode and the auxiliary electrode.
絶縁層の材料としては、有機EL表示装置における一般的な絶縁層の材料を用いることができ、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、無機材料等を挙げることができる。 As a material of the insulating layer, a material of a general insulating layer in an organic EL display device can be used. For example, a photo-curable resin such as a photosensitive polyimide resin or an acrylic resin, a thermosetting resin, an inorganic material, or the like. Can be mentioned.
絶縁層は隣接する画素電極間ならびに画素電極および補助電極の間に配置されていればよいが、少なくとも画素電極の端部を覆うように形成されていることが好ましい。画素電極の端部からのリーク電流の発生を抑制することができる。通常は図1(b)に例示するように絶縁層5は隣接する画素電極3間ならびに画素電極3および補助電極4の間の領域全体に形成される。
このように絶縁層は隣接する画素電極間ならびに画素電極および補助電極の間に形成されるため、絶縁層の配置は画素電極の配列に応じて適宜選択される。例えば格子状が挙げられる。また、絶縁層により画素が画定される。
The insulating layer may be disposed between adjacent pixel electrodes and between the pixel electrode and the auxiliary electrode, but is preferably formed so as to cover at least an end portion of the pixel electrode. Generation of leakage current from the end portion of the pixel electrode can be suppressed. Usually, as illustrated in FIG. 1B, the insulating
As described above, since the insulating layer is formed between adjacent pixel electrodes and between the pixel electrode and the auxiliary electrode, the arrangement of the insulating layer is appropriately selected according to the arrangement of the pixel electrodes. For example, a lattice shape can be mentioned. In addition, a pixel is defined by the insulating layer.
絶縁層の厚みとしては、画素を画定し、隣接する画素電極間ならびに画素電極および補助電極の間を絶縁することができる程度の厚みであれば特に限定されるものではないが、例えば、0.3μm〜100μmの範囲内であることが好ましく、中でも0.5μm〜50μmの範囲内であることが好ましく、特に1μm〜20μmの範囲内であることが好ましい。 The thickness of the insulating layer is not particularly limited as long as it defines a pixel and can insulate between adjacent pixel electrodes and between a pixel electrode and an auxiliary electrode. It is preferably within the range of 3 μm to 100 μm, more preferably within the range of 0.5 μm to 50 μm, and particularly preferably within the range of 1 μm to 20 μm.
絶縁層の形成方法としては、基板上に絶縁層をパターン状に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、印刷法、フォトリソグラフィ法等が挙げられる。 The method for forming the insulating layer is not particularly limited as long as the insulating layer can be formed in a pattern on the substrate, and examples thereof include a printing method and a photolithography method.
7.基板
本発明における基板は、上記の各部材を支持するものである。
本発明の有機EL表示装置はトップエミッション型であるため、基板は光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。
また、基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機EL表示装置の用途により適宜選択される。
このような基板の材料としては、例えば、ガラスや樹脂が挙げられる。また、基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
基板の厚みとしては、基板の材料および有機EL表示装置の用途により適宜選択され、具体的には0.005mm〜5mm程度である。
7). Substrate The substrate in the present invention supports the above-described members.
Since the organic EL display device of the present invention is a top emission type, the substrate may or may not have optical transparency.
The substrate may or may not have flexibility, and is appropriately selected depending on the use of the organic EL display device.
Examples of such a substrate material include glass and resin. A gas barrier layer may be formed on the surface of the substrate.
The thickness of the substrate is appropriately selected depending on the material of the substrate and the use of the organic EL display device, and is specifically about 0.005 mm to 5 mm.
8.アクティブマトリクス駆動回路
本発明においては、基板上にアクティブマトリクス駆動回路が形成されていてもよい。
アクティブマトリクス駆動回路としては、一般的なものを使用することができるので、ここでの説明は省略する。
8). Active Matrix Drive Circuit In the present invention, an active matrix drive circuit may be formed on the substrate.
Since an active matrix drive circuit can be used, a description thereof is omitted here.
9.封止基板
本発明においては、透明電極層上に封止基板が配置され封止されていてもよい。
本発明の有機EL表示装置はトップエミッション型であるため、封止基板は光透過性を有している。封止基板の光透過性としては、可視光領域の波長に対して透過性を有していればよく、具体的には、可視光領域の全波長範囲に対する光透過率が80%以上であることが好ましく、中でも85%以上、特に90%以上であることが好ましい。
ここで、光透過率は、例えば島津製作所製紫外可視光分光光度計UV−3600により測定することができる。
9. Sealing substrate In the present invention, a sealing substrate may be disposed and sealed on the transparent electrode layer.
Since the organic EL display device of the present invention is a top emission type, the sealing substrate has light transmittance. The light transmittance of the sealing substrate only needs to be transparent to the wavelength in the visible light region. Specifically, the light transmittance for the entire wavelength range in the visible light region is 80% or more. Of these, 85% or more, particularly 90% or more is preferable.
Here, the light transmittance can be measured by, for example, an ultraviolet-visible light spectrophotometer UV-3600 manufactured by Shimadzu Corporation.
また、封止基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機EL表示装置の用途により適宜選択される。 Further, the sealing substrate may or may not have flexibility, and is appropriately selected depending on the use of the organic EL display device.
封止基板の材料としては、光透過性を有する封止基板が得られるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、石英、ガラス等の無機材料や、アクリル樹脂、COPと称されるシクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂が挙げられる。また、樹脂製の封止基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。 The material of the sealing substrate is not particularly limited as long as a light-transmitting sealing substrate can be obtained. For example, inorganic materials such as quartz and glass, acrylic resin, and COP are used. Examples thereof include resins such as cycloolefin polymer, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyimide, polyamideimide, polyethersulfone, polyetherimide, and polyetheretherketone. A gas barrier layer may be formed on the surface of the resin sealing substrate.
封止基板の厚みとしては、封止基板の材料および有機EL表示装置の用途により適宜選択される。具体的に、封止基板の厚みは0.001mm〜5mm程度である。 The thickness of the sealing substrate is appropriately selected depending on the material of the sealing substrate and the use of the organic EL display device. Specifically, the thickness of the sealing substrate is about 0.001 mm to 5 mm.
10.有機EL表示装置の製造方法
本発明の有機EL表示装置の製造方法は、上記構成の有機EL表示装置を製造できる方法であれば特に限定されないが、レーザーアブレーションにより有機層を除去することが好ましい。以下、本発明の有機EL表示装置の製造方法の一例を挙げる。
10. Manufacturing Method of Organic EL Display Device The manufacturing method of the organic EL display device of the present invention is not particularly limited as long as it is a method capable of manufacturing the organic EL display device having the above configuration, but it is preferable to remove the organic layer by laser ablation. Hereinafter, an example of the manufacturing method of the organic EL display device of the present invention will be given.
図3(a)〜(e)は本発明の有機EL表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図3(a)に例示するように基板2上に画素電極3および補助電極4をパターン状に形成する。次いで、図3(b)に例示するように、基板2上の隣接する画素電極3間ならびに画素電極3および補助電極4の間に絶縁層5をパターン状に形成する。次に、図3(c)に例示するように、画素電極3、補助電極4および絶縁層5が形成された基板2の全面に有機EL層6を形成する。次いで、図3(d)に例示するように、補助電極4上に形成された有機EL層6にレーザー光Lを照射して、補助電極4上の有機EL層6を除去し、補助電極4を露出させて開口部10を形成する。この際、開口部10を所定の間隔で形成する。その後、図3(e)に例示するように、開口部10にて補助電極4と電気的に接続されるように有機EL層6上に透明電極層7を形成する。このようにして有機EL表示装置1が得られる。
3A to 3E are process diagrams showing an example of a method for manufacturing an organic EL display device of the present invention. First, as illustrated in FIG. 3A, the
本発明においては、有機層に開口部を所定の間隔で形成するので、開口部形成の時間を短縮することができ、生産性を向上させ、製造コストを削減することができる。 In the present invention, the openings are formed in the organic layer at predetermined intervals, so that the time for forming the openings can be shortened, the productivity can be improved, and the manufacturing cost can be reduced.
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.
[実施例1]
透明電極層および補助電極の面抵抗を変化させたときの有機層の開口部の間隔と電圧降下との関係についてシミュレーションを行った。
電圧降下は下記式(1)により計算した。
ΔV=Σ(n)ir=1/2n(n+1)ir (1)
(上記式(1)中、ΔVは電圧降下(V)、iは電流(A)、rは面抵抗(Ω/□)、nは有機層の開口部間に存在する発光画素数である。)
計算条件は下記に示すとおりである。
・各画素に流れる電流は一定値とした。
・1画素の面積を300μm×300μmとした。
・透明電極層はCaおよびAlの積層膜、補助電極はTiおよびAlの積層膜とし、透明電極層の面抵抗は40Ω/□、補助電極の面抵抗は0.1Ω/□とした。
・輝度は3000cd/m2、発光効率は60cd/Aとした。
・有機層の開口部の間隔は0.45mm〜300mmの範囲内で変化させた。
評価結果を表1および図4に示す。
[Example 1]
A simulation was performed on the relationship between the gap between the openings of the organic layer and the voltage drop when the surface resistance of the transparent electrode layer and the auxiliary electrode was changed.
The voltage drop was calculated by the following formula (1).
ΔV = Σ (n) ir = 1 / 2n (n + 1) ir (1)
(In the above formula (1), ΔV is the voltage drop (V), i is the current (A), r is the sheet resistance (Ω / □), and n is the number of light-emitting pixels existing between the openings of the organic layer. )
The calculation conditions are as shown below.
• The current flowing through each pixel was set to a constant value.
-The area of one pixel was 300 μm × 300 μm.
The transparent electrode layer was a laminated film of Ca and Al, the auxiliary electrode was a laminated film of Ti and Al, the surface resistance of the transparent electrode layer was 40Ω / □, and the surface resistance of the auxiliary electrode was 0.1Ω / □.
The luminance was 3000 cd / m 2 and the luminous efficiency was 60 cd / A.
-The space | interval of the opening part of an organic layer was changed within the range of 0.45 mm-300 mm.
The evaluation results are shown in Table 1 and FIG.
消費電力を考慮するとΔV<1.5Vを許容範囲とすることができ、開口部の間隔は100mm以下であることが望ましいことが確認された。また、開口部の間隔が10mm以下では電圧降下にほとんど変化がなく、ほぼ同等の性能となることが分かった。 In consideration of power consumption, it was confirmed that ΔV <1.5V can be set within the allowable range, and the interval between the openings is desirably 100 mm or less. Further, it was found that when the gap between the openings was 10 mm or less, the voltage drop hardly changed and the performance was almost equivalent.
[実施例2]
(有機EL表示装置の作製)
膜厚0.7mmの無アルカリガラスからなる基板上に、スパッタリング法により膜厚500nmのMo−Al−Moの積層膜を成膜し、第2補助電極を形成した。Mo膜の厚みは50nm、Al膜の厚みは400nmとした。次に、この基板上にピッチ100μmのストライプ状の開口部を有する第1絶縁層をフォトリソグラフィ法により形成した。次いで、第1絶縁層上にスパッタリング法により膜厚500nmのTi−Al−Tiの積層膜を形成し、フォトリソグラフィ法によりパターニングして、画素電極および第1補助電極を形成した。画素電極は幅70μm、ピッチ100μmのストライプ状に形成し、隣接する画素電極間に第1絶縁層のストライプ状の開口部が位置するようにした。また、第2補助電極は第1絶縁層のストライプ状の開口部内に形成した。次に、画素電極および補助電極の間に幅7μm、厚み1.5μmの第2絶縁層を形成した。
次に、画素電極、第1補助電極、第2補助電極、第1絶縁層および第2絶縁層が形成された基板の全面に、厚さ100nmの正孔注入層と、厚さ300nmの発光層と、厚さ300nmの電子輸送層とを順に形成した。
[Example 2]
(Production of organic EL display device)
On the substrate made of alkali-free glass with a thickness of 0.7 mm, a Mo—Al—Mo laminated film with a thickness of 500 nm was formed by sputtering to form a second auxiliary electrode. The thickness of the Mo film was 50 nm, and the thickness of the Al film was 400 nm. Next, a first insulating layer having striped openings with a pitch of 100 μm was formed on the substrate by photolithography. Next, a Ti—Al—Ti laminated film having a thickness of 500 nm was formed on the first insulating layer by a sputtering method, and was patterned by a photolithography method to form a pixel electrode and a first auxiliary electrode. The pixel electrodes were formed in a stripe shape having a width of 70 μm and a pitch of 100 μm, and the stripe-shaped openings of the first insulating layer were positioned between adjacent pixel electrodes. The second auxiliary electrode was formed in the stripe-shaped opening of the first insulating layer. Next, a second insulating layer having a width of 7 μm and a thickness of 1.5 μm was formed between the pixel electrode and the auxiliary electrode.
Next, a hole injection layer having a thickness of 100 nm and a light emitting layer having a thickness of 300 nm are formed on the entire surface of the substrate on which the pixel electrode, the first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, the first insulating layer, and the second insulating layer are formed. And an electron transport layer having a thickness of 300 nm were sequentially formed.
電子輸送層の形成後、エネルギー500mJ/cm2、スポット径15μmφ、波長355nm、パルス幅5nsecのYAGレーザー光を1ショットずつずらしながら照射し、補助電極を覆う正孔注入層、発光層および電子輸送層をストライプ状に除去し、補助電極を露出させて開口部を形成した。この際、図5に例示するように正孔注入層、発光層および電子注入層の開口部10の間隔d1を下記表2に示すように変化させた。
After the formation of the electron transport layer, irradiation with YAG laser light having an energy of 500 mJ / cm 2 , a spot diameter of 15 μmφ, a wavelength of 355 nm, and a pulse width of 5 nsec is performed by shifting one shot at a time to cover the auxiliary electrode, a hole injection layer, a light emitting layer, The layer was removed in a stripe shape, and the auxiliary electrode was exposed to form an opening. At this time, as illustrated in FIG. 5, the distance d1 between the
次に、正孔注入層、発光層および電子注入層の開口部において露出した第1補助電極に電気的に接続されるようにフッ化リチウムを膜厚0.5nmとなるように真空蒸着法により成膜し、電子注入層を形成した。次いで、カルシウムを膜厚10nm、アルミニウムを膜厚5nmとなるように真空蒸着法により成膜し、透明電極層を形成した。
その後、接着材を塗布した封止基板を貼り合せ封止を行った。
Next, lithium fluoride is vacuum-deposited to a thickness of 0.5 nm so as to be electrically connected to the first auxiliary electrode exposed at the openings of the hole injection layer, the light emitting layer, and the electron injection layer. A film was formed to form an electron injection layer. Next, the film was formed by vacuum deposition so that the calcium film thickness was 10 nm and the aluminum film thickness was 5 nm to form a transparent electrode layer.
Then, the sealing substrate which apply | coated the adhesive material was bonded and sealed.
[比較例1]
正孔注入層、発光層および電子注入層に開口部を形成しなかったこと以外は実施例2と同様にして有機EL表示装置を作製した。
[Comparative Example 1]
An organic EL display device was produced in the same manner as in Example 2 except that no opening was formed in the hole injection layer, the light emitting layer, and the electron injection layer.
[評価]
実施例2で得られた有機EL表示装置に関して、画素領域への有機層の材料の飛散および断線について評価した。
[Evaluation]
Regarding the organic EL display device obtained in Example 2, scattering of the material of the organic layer into the pixel region and disconnection were evaluated.
画素領域への有機層の材料の飛散については、トプコン社製輝度計 BM−8を用いて輝度を測定して評価した。具体的には、比較例1の有機EL表示装置の輝度をXcd/m2、実施例2の有機EL表示装置の輝度をYcd/m2としたとき、下記式(2)で評価した。
輝度の比率(%)=Y/X×100 (2)
輝度の比率が100%を「A」、100%未満95%以上を「B」、95%未満85%以上を「C」、85%未満を「D」とした。
The scattering of the organic layer material into the pixel region was evaluated by measuring the luminance using a luminance meter BM-8 manufactured by Topcon Corporation. Specifically, when the luminance of the organic EL display device of Comparative Example 1 was Xcd / m 2 and the luminance of the organic EL display device of Example 2 was Ycd / m 2 , the evaluation was performed by the following formula (2).
Luminance ratio (%) = Y / X × 100 (2)
The luminance ratio was 100% for “A”, less than 100% for 95% or more as “B”, less than 95% for 85% or more for “C”, and less than 85% for “D”.
断線については、補助電極に端子を接続し、電流を注入した際に流れた電流密度で評価した。0.15mA/mm2以上の電流密度となるように電流を流しても断線しないものを「A」、0.1mA/mm2以下の電流密度であれば断線しないものを「B」、0.05mA/mm2以下の電流密度であれば断線しないものを「C」とした。
評価結果を表2に示す。
About disconnection, the terminal was connected to the auxiliary electrode, and the current density that flowed when the current was injected was evaluated. 0.15 mA / mm 2 or more which do not break even by applying a current so that the current density "A", one that does not break if a current density of 0.1 mA / mm 2 or less "B", 0. If the current density was 05 mA / mm 2 or less, the one that was not disconnected was designated as “C”.
The evaluation results are shown in Table 2.
開口部の間隔が1mm以上である場合に、有機層の材料の画素領域への飛散を十分に低減し、かつ、電流集中による断線の発生を抑制することができることが確認された。 It was confirmed that when the distance between the openings is 1 mm or more, the scattering of the organic layer material to the pixel region can be sufficiently reduced, and the occurrence of disconnection due to current concentration can be suppressed.
1 … 有機EL表示装置
2 … 基板
3 … 画素電極
4 … 補助電極
5 … 絶縁層
6 … 有機EL層
7 … 透明電極層
10 … 開口部
d1 … 開口部の間隔
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記基板上に形成された画素電極と、
前記基板上に形成され、隣接する前記画素電極間に配置された補助電極と、
前記基板上に形成され、隣接する前記画素電極間ならびに前記画素電極および前記補助電極の間に配置された絶縁層と、
前記画素電極上に形成され、発光層を含む複数の有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成された透明電極層と
を有するトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス層を構成する少なくとも一層の前記有機層が前記補助電極上にストライプ状の開口部を有し、
前記透明電極層が前記補助電極と前記有機層の開口部を介して電気的に接続されており、
前記有機層の開口部の間隔が1mm以上100mm以下の範囲内であることを特徴とするトップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 A substrate,
A pixel electrode formed on the substrate;
An auxiliary electrode formed on the substrate and disposed between the adjacent pixel electrodes;
An insulating layer formed on the substrate and disposed between the adjacent pixel electrodes and between the pixel electrode and the auxiliary electrode;
An organic electroluminescent layer formed on the pixel electrode and having a plurality of organic layers including a light emitting layer;
A top emission type organic electroluminescence display device comprising: a transparent electrode layer formed on the organic electroluminescence layer;
At least one of the organic layers constituting the organic electroluminescence layer has a stripe-shaped opening on the auxiliary electrode,
The transparent electrode layer is electrically connected to the auxiliary electrode through the opening of the organic layer;
A top emission type organic electroluminescence display device characterized in that an interval between openings of the organic layer is in a range of 1 mm or more and 100 mm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013181277A JP2015050051A (en) | 2013-09-02 | 2013-09-02 | Top-emission type organic electroluminescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013181277A JP2015050051A (en) | 2013-09-02 | 2013-09-02 | Top-emission type organic electroluminescent display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015050051A true JP2015050051A (en) | 2015-03-16 |
Family
ID=52699906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013181277A Pending JP2015050051A (en) | 2013-09-02 | 2013-09-02 | Top-emission type organic electroluminescent display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2015050051A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170060213A (en) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same |
| KR20190074534A (en) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Light Emitting Display Device and Method of Manufacturing the same |
| CN110574498A (en) * | 2017-05-11 | 2019-12-13 | 索尼公司 | Display devices and electronic equipment |
| JP2020009676A (en) * | 2018-07-10 | 2020-01-16 | 株式会社Joled | Organic el display panel and method for manufacturing the same |
| US12041842B2 (en) | 2018-07-02 | 2024-07-16 | Jdi Design And Development G.K. | Display panel patterning device |
-
2013
- 2013-09-02 JP JP2013181277A patent/JP2015050051A/en active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170060213A (en) * | 2015-11-23 | 2017-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same |
| KR102616580B1 (en) | 2015-11-23 | 2023-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing the same |
| US12279499B2 (en) | 2015-11-23 | 2025-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same |
| CN110574498A (en) * | 2017-05-11 | 2019-12-13 | 索尼公司 | Display devices and electronic equipment |
| KR20190074534A (en) * | 2017-12-20 | 2019-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Light Emitting Display Device and Method of Manufacturing the same |
| KR102430584B1 (en) * | 2017-12-20 | 2022-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | Light Emitting Display Device and Method of Manufacturing the same |
| US12041842B2 (en) | 2018-07-02 | 2024-07-16 | Jdi Design And Development G.K. | Display panel patterning device |
| JP2020009676A (en) * | 2018-07-10 | 2020-01-16 | 株式会社Joled | Organic el display panel and method for manufacturing the same |
| JP7014421B2 (en) | 2018-07-10 | 2022-02-01 | 株式会社Joled | Manufacturing method of organic EL display panel and organic EL display panel |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4356899B2 (en) | Organic EL light emitting device and method for manufacturing the same | |
| KR101582719B1 (en) | Organic light emitting device and method for preparing the same | |
| JP6052825B2 (en) | ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | |
| JP6559708B2 (en) | ORGANIC LIGHT EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | |
| KR102174663B1 (en) | Top-emission organic electroluminescence display device and production method therefor | |
| JP5787015B2 (en) | Top emission type organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof | |
| JP2017517106A (en) | ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD | |
| JP2015050051A (en) | Top-emission type organic electroluminescent display device | |
| JP5478954B2 (en) | Organic electroluminescence display device | |
| JPWO2011093146A1 (en) | Organic EL device | |
| KR101780893B1 (en) | Electro luminescence device included in lighting apparatus and method of manufacturing the same | |
| JP5967272B2 (en) | Top emission type organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof | |
| JP2015050046A (en) | Top-emission type organic electroluminescent display device | |
| JP2017123342A (en) | Top emission type organic electroluminescence display | |
| KR20120090595A (en) | Organic light emitting device | |
| JP6102419B2 (en) | Top emission type organic electroluminescence display device manufacturing method and top emission type organic electroluminescence display device | |
| JP5427253B2 (en) | ORGANIC EL ELEMENT OR DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH SAME | |
| JP2015005434A (en) | Method for manufacturing top-emission type organic electroluminescent display device and top-emission type organic electroluminescent display device | |
| JP5698921B2 (en) | Organic EL light emitting device and method for manufacturing the same | |
| KR100866886B1 (en) | Manufacturing method of ODL device | |
| KR100768720B1 (en) | Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same | |
| JP2015049962A (en) | Method for manufacturing top-emission type organic electroluminescent display device | |
| KR20110104269A (en) | Large Area Transparent Organic Electroluminescent Device | |
| JP2007095405A (en) | Organic el display | |
| JP2010003570A (en) | Plane emission light source using organic electroluminescent element |