JP2014229775A - プリント配線基板、半導体パッケージ、半導体装置、およびプリント配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線間の絶縁信頼性に優れたプリント配線基板を提供すること。【解決手段】プリント配線基板１００は、ビアホール１０１を有する絶縁層１０３と、絶縁層１０３の少なくとも一方の面１１０に設けられた回路層１０５とを有する。そして、プリント配線基板１００は、絶縁層１０３の一方の面１１０のビアホール１０１の周縁領域Ｃ１における、Ｘ線光電子分光により測定される炭素量に対するクロム量の比の平均値が０．０９０以下であり、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して測定される、絶縁層１０３の一方の面１１０の１０点平均粗さＲｚが１．２μｍ以上である。【選択図】図２

Description

本発明は、プリント配線基板、半導体パッケージ、半導体装置、およびプリント配線基板の製造方法に関する。

近年、電子機器の高機能化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んでおり、これらに使用されるプリント配線基板は、従来にも増して、小型薄型化、高密度化、および多層化が進んでいる。したがって、薄膜化に対応し、かつ、高密度で微細な回路を形成できるプリント配線基板が求められている。

微細な回路を形成する方法として、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）法が提案されている。ＳＡＰ法では、はじめに、絶縁層表面に粗化処理を施し、上記絶縁層表面上に下地になる無電解金属めっき膜を形成する。次いで、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けをおこなう。その後、めっきレジストを除去し、上記回路形成部以外の無電解金属めっき膜をフラッシュエッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する。ＳＡＰ法は、絶縁層上に積層する金属層を薄膜化できるので、より微細な回路配線が可能となる。

しかし、従来の絶縁層では、無電解めっき付き性が悪く、ＳＡＰ法を上手く行うことができないという問題点があった。そこで、絶縁層上にプライマー層付き無粗化金属箔を積層した金属張積層板を使用する方法が提案されている（例えば、特許文献１、２）。この方法では、金属張積層板上の無粗化金属箔を除去して得られるプライマー層表面に、粗化処理を行わずに回路形成をすることにより、絶縁層表面の無電解めっき付き性を改善している。特許文献１および特許文献２には、金属箔と絶縁層との間に特定のポリイミド樹脂層を配置した金属張積層板が開示されている。

特開２００６−１９６８６３号公報 特開２００７−３２６９６２号公報

しかし、本発明者らの検討によれば、上述の金属張積層板を用いる方法により得られたプリント配線基板は、配線間の絶縁信頼性が劣ることが明らかになってきた。

そこで、本発明では、配線間の絶縁信頼性に優れたプリント配線基板を提供することを課題とする。

本発明者らは、上述の金属張積層板を用いる方法により得られたプリント配線基板が配線間の絶縁信頼性に劣る要因を鋭意調べた。その結果、金属張積層板から金属層を除去した際に、金属層の一部が絶縁層表面に残存し、その残存金属層に含まれる金属成分が配線間の絶縁信頼性を低下させる要因の一つであることを見出した。

そこで、本発明者らは、薬液処理やプラズマ処理により、絶縁層表面の金属成分の量を調整しながら、配線間の絶縁信頼性について鋭意検討を重ねた。その結果、絶縁層表面の金属成分の量を低減させることにより、配線間の絶縁信頼性がある程度改善できる場合がある一方で、絶縁層と回路層との密着性が悪化してしまい、配線間の絶縁信頼性がかえって悪化してしまう場合があることが明らかになった。つまり、本発明者らは、絶縁層表面の金属成分の量を低減させるだけでは、配線間の絶縁信頼性を向上させることはできないことを明らかにした。

そこで、本発明者らは、さらに鋭意検討を重ねた。その結果、絶縁層表面のクロム量および表面粗さを特定の範囲とすることにより、配線間の絶縁信頼性に優れたプリント配線基板を得られることを見出して本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明によれば、
ビアホールを有する絶縁層と、上記絶縁層の少なくとも一方の面に設けられた回路層とを有するプリント配線基板であって、
上記一方の面の上記ビアホールの周縁領域における、Ｘ線光電子分光により測定される炭素量に対するクロム量の比の平均値が０．０９０以下であり、
ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して測定される、上記一方の面の１０点平均粗さＲｚが１．２μｍ以上である、プリント配線基板が提供される。

さらに、本発明によれば、上記プリント配線基板に半導体素子を搭載してなる、半導体パッケージが提供される。

さらに、本発明によれば、上記半導体パッケージを実装基板に実装してなる、半導体装置が提供される。

さらに、本発明によれば、上記プリント配線基板を製造するための製造方法であって、
絶縁層の少なくとも一方の面に金属層が積層された金属張積層板にビアホールを形成する工程と、
エッチング処理により、上記金属層を除去する工程と、
薬液処理またはプラズマ処理により、上記一方の面の上記ビアホールの周縁領域における、Ｘ線光電子分光により測定される炭素量に対するクロム量の比の平均値を０．０９０以下まで減少させ、かつ、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して測定される、上記一方の面の１０点平均粗さＲｚを１．２μｍ以上とする工程と、
を含む、プリント配線基板の製造方法が提供される。

本発明によれば、配線間の絶縁信頼性に優れたプリント配線基板を提供することができる。

本発明に係る実施形態のプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。 炭素量に対するクロム量の比の測定領域を説明するための断面図である。 本発明に係る実施形態の半導体パッケージの構成の一例を示す断面図である。 本発明に係る実施形態の半導体装置の構成の一例を示す断面図である。 本発明に係る実施形態のプリント配線基板の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。 本発明に係る実施形態のプリント配線基板の構成の一例を示す断面図である。 本発明に係る実施形態の半導体パッケージの構成の一例を示す断面図である。 本発明に係る実施形態の半導体装置の構成の一例を示す断面図である。

以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは必ずしも一致していない。

［プリント配線基板］
はじめに、本実施形態に係るプリント配線基板の構成について説明する。図１は、本発明に係る実施形態のプリント配線基板１００の構成の一例を示す断面図である。図２は、炭素量に対するクロム量の比の測定領域を説明するための断面図である。

本実施形態に係るプリント配線基板１００は、ビアホール１０１を有する絶縁層１０３と、絶縁層１０３の少なくとも一方の面１１０に設けられた回路層１０５とを有する。

そして、本実施形態に係るプリント配線基板１００は、絶縁層１０３の一方の面１１０のビアホール１０１の周縁領域Ｃ１における、Ｘ線光電子分光により測定される炭素量に対するクロム量の比の平均値（以下、単に炭素量に対するクロム量の比とも呼ぶ。）が０．０９０以下であり、好ましくは０．０８０以下であり、より好ましくは０．０７５以下である。上記平均値が上記上限値以下であることにより、絶縁層１０３の無電解めっき付き性が改善され、絶縁層１０３の表面に均質な無電解金属めっき膜を形成することができる。その結果、無電解金属めっき膜の微細配線加工性が向上し、良質な回路層１０５を形成することが可能となるため、プリント配線基板１００の配線間の絶縁信頼性を向上させることができる。また、上記平均値が上記上限値以下であることにより、絶縁層１０３表面に存在する金属成分のイオンマイグレーションを抑制できるため、プリント配線基板１００の配線間の絶縁信頼性を向上させることができる。
上記平均値の下限値については、特に限定されるものではないが、０．０００が好ましく、通常は０．００１以上である。

ここで、一方の面１１０のビアホール１０１の周縁領域Ｃ１は、例えば、図２に示したように、ビアホール１０１の周縁１０７から面内方向に１００μｍ、絶縁層１０３の一方の面１１０から厚み方向に５ｎｍの領域を示す。また、本実施形態において、Ｘ線光電子分光により測定される炭素量に対するクロム量の比の平均値は、回路層１０５と接する絶縁層１０３の表面における金属成分の量の指標を表している。つまり、上記平均値が高いほど、回路層１０５と接する絶縁層１０３の一方の面１１０には、金属成分が多く存在していることを意味する。なお、炭素量に対するクロム量の比はモル比である。
なお、本実施形態において、ビアホール１０１とは層間を電気的に接続するための孔であり、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。
また、本実施形態においてビアホール１０１が複数ある場合、少なくとも一つのビアホール１０１の周縁領域Ｃ１における炭素量に対するクロム量の比が、上記範囲を満たせばよく、すべてのビアホール１０１の周縁領域Ｃ１における炭素量に対するクロム量の比が上記範囲を満たすのが好ましい。

また、本実施形態に係るプリント配線基板１００は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して測定される、絶縁層１０３の一方の面１１０の１０点平均粗さＲｚが１．２μｍ以上であり、好ましくは１．３μｍ以上であり、より好ましくは１．５μｍ以上である。上記Ｒｚが上記下限値以上であることにより、絶縁層１０３と回路層１０５との密着性が向上し、回路層１０５の剥離を抑制することができる。その結果、プリント配線基板１００の配線間の絶縁信頼性を向上させることができる。上記Ｒｚの上限値については、特に限定されるものではないが、通常は４．０μｍ以下である。

また、本実施形態に係るプリント配線基板１００は、ＪＩＳ Ｃ−６４８１：１９９６に準拠して測定される、絶縁層１０３と回路層１０５との間のピール強度が、好ましくは０．５ｋＮ／ｍ以上であり、より好ましくは０．６ｋＮ／ｍ以上である。ピール強度が上記下限値以上であると、回路層１０５の剥離をより一層抑制することができ、その結果、プリント配線基板１００の配線間の絶縁信頼性をより一層向上させることができる。

図５は、本発明に係る実施形態のプリント配線基板１００の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。本実施形態に係るプリント配線基板１００は、例えば、絶縁層１０３の少なくとも一方の面１１０に金属層２０３が積層された金属張積層板２００を回路加工してなる。金属層２０３の表面は、クロメート処理がなされているため、金属層２０３はクロムを必須成分として含んでいる。詳細は後述するが、本実施形態に係るプリント配線基板１００の製造過程において、金属張積層板２００から金属層２０３を除去する。その際、金属層２０３の一部が絶縁層１０３表面に残存してしまう。したがって、本実施形態に係る絶縁層１０３の一方の面１１０には、金属層２０３に含まれていたクロムが存在している。本実施形態では、このクロムの量を制御している。

本実施形態に係るプリント配線基板１００は、図１に示すように、片面プリント配線基板であってもよいし、両面プリント配線基板または多層プリント配線基板であってもよい。両面プリント配線基板とは、絶縁層１０３の両面に回路層を積層したプリント配線基板である。また、多層プリント配線基板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法などにより、絶縁層１０３上に、層間絶縁層を介して回路層を３層以上積層したプリント配線基板である。

＜回路層＞
本実施形態に係る回路層１０５は、例えば、無電解金属めっき膜１０８と、電解金属めっき層１０９とを有する。

回路層１０５は、例えば、薬液処理またはプラズマ処理されたプライマー層１１３の面上に、ＳＡＰ法により形成される。図５は、本発明に係る実施形態のプリント配線基板１００の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。プライマー層１１３上に無電解めっき処理を施した後（図５（ｅ））、めっきレジスト２０１により非回路形成部を保護し、電解めっきにより電解金属めっき層１０９付けを行い（図５（ｆ））、めっきレジスト２０１の除去とフラッシュエッチングによる無電解金属めっき膜１０８の除去により、プライマー層１１３上に回路層１０５を形成する（図５（ｇ））。

回路層１０５の回路寸法は、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）で表わすとき、２５μｍ／２５μｍ以下とすることができ、特に１５μｍ／１５μｍ以下とすることができる。回路寸法を小さくし、微細配線にすると、密着性の低下、配線間の絶縁信頼性が低下する。しかし、本実施形態に係るプリント配線基板１００は、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）１５μｍ／１５μｍ以下の微細配線が可能であり、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）１０μｍ／１０μｍ程度までの微細化を達成できる。

本実施形態に係る回路層１０５の厚みは、特に限定されないが、通常は５μｍ以上２５μｍ以下である。

＜絶縁層＞
本実施形態に係る絶縁層１０３は、例えば、コア層１１１と、プライマー層１１３と、ビアホール１０１とを有する。また、本実施形態に係る絶縁層１０３は、図６に示すように、ビルドアップ層１１５をさらに有していても良い。

本実施形態に係る絶縁層１０３の厚さは、好ましくは０．０２５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であり、より好ましくは０．０４ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．０４ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であり、とくに好ましくは０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である。本実施形態に係る絶縁層１０３の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスがとくに優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層１０３を得ることができる。

＜プライマー層＞
プライマー層１１３は、図１に示すように、コア層１１１と回路層１０５との間に介在しており、例えば、熱硬化性樹脂と無機充填剤を含むプライマー樹脂組成物Ｐにより形成されている。
また、プライマー層１１３は、図６に示すようにビルドアップ層１１５をさらに有する場合、コア層１１１と回路層１０５との間およびビルドアップ層１１５と回路層１２０（例えば、無電解金属めっき膜１１８と電解金属めっき層１１９とを有する）との間のうち少なくとも一方に介在していてもよく、図６に示すようにコア層１１１と回路層１０５との間およびビルドアップ層１１５と回路層１２０との間の両方に介在しているのが好ましい。
プライマー層１１３の厚みは、特に限定されないが、通常は１μｍ以上１０μｍ以下であり、好ましくは２μｍ以上８μｍ以下である。プライマー層１１３の厚みが上記範囲内であることにより、コア層１１１の特性を失うことなく薄膜化に対応したプリント配線基板を得ることができる。プライマー層１１３の厚みは、絶縁信頼性を向上させる上で上記下限値以上が好ましく、多層配線板における目的の一つである薄膜化を達成する上で上記上限値以下が好ましい。

プライマー層１１３の動的粘弾性測定によるガラス転移温度（昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚ）は、好ましくは１７０℃以上３００℃以下であり、より好ましくは２００℃以上２６０℃以下である。なお、本実施形態において、ガラス転移温度は、例えば、動的粘弾性分析装置（ＤＭＡ）を用いて測定することができる。プライマー層１１３の動的粘弾性測定によるガラス転移温度が上記範囲内であると、プライマー層１１３の薬液処理またはプラズマ処理に対する耐性をより一層向上させることができる。

周波数１Ｈｚで測定したプライマー層１１３の２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'は、好ましくは１０ＭＰａ以上３５０ＭＰａ以下であり、より好ましくは５０ＭＰａ以上３００ＭＰａ以下である。なお、本実施形態において、貯蔵弾性率Ｅ'とは、ＤＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製ＤＭＡ２９８０）を用いて、温度２５０℃、周波数１Ｈｚで測定した貯蔵弾性率である。プライマー層１１３の２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'が上記範囲内であると、プライマー層１１３の薬液処理またはプラズマ処理に対する耐性、および回路層に対する密着性をより一層向上させることができる。

プライマー層１１３は、回路層１０５が形成される面が粗化されていることが好ましい。プライマー層１１３と回路層１０５との密着性は、粗化処理により形成されるプライマー層１１３表面の凹凸の形成が重要であり、加工性、信頼性の観点からプライマー層１１３の表面は均一で緻密な凹凸状であることが望まれる。

プライマー層１１３を粗化する方法としては特に限定されないが、プライマー層１１３の表面に、薬液処理、プラズマ処理またはそれら両方の表面処理を行う方法が挙げられる。

プライマー層１１３表面の１０点平均粗さＲｚは好ましくは１．２μｍ以上であり、より好ましくは１．３μｍ以上であり、さらに好ましくは１．５μｍ以上である。上記Ｒｚが上記下限値以上であることにより、プライマー層１１３と回路層１０５との密着性が向上し、回路層１０５の剥離が抑制することができる。その結果、プリント配線基板１００の配線間の絶縁信頼性を向上させることができる。上記Ｒｚの上限値については、特に限定されるものではないが、通常は４．０μｍ以下である。

以下、プライマー層１１３に用いられるプライマー樹脂組成物Ｐについて説明する。
プライマー樹脂組成物Ｐは、熱硬化性樹脂（Ａ）と、無機充填材（Ｂ）を含むのが好ましい。

（熱硬化性樹脂）
熱硬化性樹脂（Ａ）としては、とくに限定されないが、低線膨張率および高弾性率を有し、熱衝撃性の信頼性に優れたものであることが好ましい。
また、熱硬化性樹脂のガラス転移温度は、好ましくは１６０℃以上３５０℃以下であり、より好ましくは１８０℃以上３００℃以下である。このようなガラス転移温度を有する熱硬化性樹脂（Ａ）を用いることにより、プライマー層１１３の薬液処理またはプラズマ処理に対する耐性を向上させることができる。また、プリント配線基板の耐熱性を向上させることかができる。

具体的な熱硬化性樹脂（Ａ）として、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂；未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂；ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂；不飽和ポリエステル樹脂；ビスマレイミド樹脂；ポリウレタン樹脂；ジアリルフタレート樹脂；シリコーン樹脂；ベンゾオキサジン環を有する樹脂；シアネート樹脂；ポリイミド樹脂；ポリアミドイミド樹脂；ベンゾシクロブテン樹脂などが挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用してもよい。

プライマー樹脂組成物Ｐは、熱硬化性樹脂（Ａ）として、エポキシ樹脂を含むのが好ましい。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂；ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。

エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。

これらエポキシ樹脂の中でもとくにアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、プライマー層１１３の薬液処理またはプラズマ処理に対する耐性をより一層向上させることができる。

アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えば、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂の１種であるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば、下記一般式（IＶ）で示すことができる。

上記一般式（IＶ）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数である。ｎの下限は、とくに限定されないが、１以上が好ましく、２以上がより好ましい。ｎが上記下限値以上であると、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の結晶化を抑制でき、汎用溶媒に対する溶解性が向上するため、取り扱いが容易となる。ｎの上限は、とくに限定されないが、１０以下が好ましく、５以下がより好ましい。ｎが上記上限値以下であると、樹脂の流動性が向上し、成形不良などの発生を抑制することができる。

上記以外のエポキシ樹脂としては縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、プライマー層１１３の薬液処理またはプラズマ処理に対する耐性をより一層向上させることができる。

縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、トリフェニレン、テトラフェン、その他の縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂である。縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、複数の芳香環が規則的に配列することができるため低熱膨張性に優れる。また、ガラス転移温度も高いため耐熱性に優れる。さらに、繰返し構造の分子量が大きいため従来のノボラック型エポキシ樹脂に比べ難燃性に優れ、シアネート樹脂と組合せることでシアネート樹脂の弱点の脆弱性を改善することができる。したがって、シアネート樹脂と併用して用いることで、さらにガラス転移温度が高くなるため鉛フリー対応の実装信頼性に優れる。

縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、フェノール類化合物とホルムアルデヒド類化合物、および縮合環芳香族炭化水素化合物から合成された、ノボラック型フェノール樹脂をエポキシ化したものである。

フェノール類化合物は、とくに限定されないが、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールなどのクレゾール類、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノールなどのキシレノール類、２，３，５トリメチルフェノールなどのトリメチルフェノール類、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノールなどのエチルフェノール類、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、ｔ−ブチルフェノールなどのアルキルフェノール類、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、カテコール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレンなどのナフタレンジオール類、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、フルオログルシンなどの多価フェノール類、アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルハイドロキノンなどのアルキル多価フェノール類などが挙げられる。これらのうち、コスト面および分解反応に与える効果から、フェノールが好ましい。

アルデヒド類化合物は、とくに限定されないが、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ポリオキシメチレン、クロラール、ヘキサメチレンテトラミン、フルフラール、グリオキザール、ｎ-ブチルアルデヒド、カプロアルデヒド、アリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、テトラオキシメチレン、フェニルアセトアルデヒド、ｏ-トルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒドロキシベンズアルデヒド、４−ヒドロキシ−３−メトキシアルデヒドパラホルムアルデヒドなどが挙げられる。

縮合環芳香族炭化水素化合物は、とくに限定されないが、例えば、メトキシナフタレン、ブトキシナフタレンなどのナフタレン誘導体；メトキシアントラセンなどのアントラセン誘導体；メトキシフェナントレンなどのフェナントレン誘導体；その他テトラセン誘導体；クリセン誘導体；ピレン誘導体；トリフェニレン誘導体；テトラフェン誘導体などが挙げられる。

縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、とくに限定されないが、例えば、メトキシナフタレン変性オルトクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ブトキシナフタレン変性メタ（パラ）クレゾールノボラックエポキシ樹脂、メトキシナフタレン変性ノボラックエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、下記式（Ｖ）で表される縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。

（式中、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基である。Ｒは互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基またはハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基である。ｎ、ｐ、およびｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。）

（式（Ｖ）中のＡｒは、式（ＶI）中の（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造である。式（ＶI）中のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基、ハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基である。）

さらに上記以外のエポキシ樹脂としてはナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、プライマー層１１３の薬液処理またはプラズマ処理に対する耐性をより一層向上させることができる。
また、ベンゼン環に比べナフタレン環のπ−πスタッキング効果が高いため、低熱膨張性、低熱収縮性にとくに優れる。更に、多環構造のため剛直効果が高く、ガラス転移温度がとくに高いため、リフロー前後の熱収縮変化が小さい。ナフトール型エポキシ樹脂としては、例えば下記一般式（ＶII−１）、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂としては下記式（ＶII−２）、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂としては下記式（ＶII−３）（ＶII−４）（ＶII−５）、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、例えば、下記一般式（ＶII−６）で示すことができる。これらの中でもナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が、難燃性、耐熱性、高ガラス転移温度、および低熱膨張性の観点でとくに好ましい。

（ｎは平均１以上６以下の数を示し、Ｒはグリシジル基または炭素数１以上１０以下の炭化水素基を示す。）

（式中、Ｒ^１は水素原子またはメチル基を表す。Ｒ^２はそれぞれ独立的に水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、アラルキル基、ナフタレン基、またはグリシジルエーテル基含有ナフタレン基を表す。ｏおよびｍはそれぞれ０〜２の整数であって、かつｏまたはｍのいずれか一方は１以上である。）

エポキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、プライマー樹脂組成物Ｐ全体に対し、１質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましい。エポキシ樹脂の含有量が上記下限値以上であると、エポキシ樹脂の反応性が向上し、得られる製品の耐湿性を向上させることができる。また、エポキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、プライマー樹脂組成物Ｐ全体に対し、５５質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましい。含有量が上記上限値以下であると、耐熱性をより向上させることができる。

エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、とくに限定されないが、Ｍｗ５００以上が好ましく、とくにＭｗ８００以上が好ましい。Ｍｗが上記下限値以上であると、プライマー層１１３にタック性が生じるのを抑制することができる。Ｍｗは、とくに限定されないが、Ｍｗ２０，０００以下が好ましく、とくにＭｗ１５，０００以下が好ましい。Ｍｗが上記上限値以下であると、より均一なプライマー層１１３を得ることができる。エポキシ樹脂のＭｗは、例えばＧＰＣで測定することができる。

プライマー樹脂組成物Ｐは、熱硬化性樹脂（Ａ）としてエポキシ樹脂を用いる以外に、フェノール樹脂を用いてもよいし、併用してもよい。
フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂などが挙げられる。フェノール樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。これらの中でも、とくにアリールアルキレン型フェノール樹脂が好ましい。これにより、プライマー層１１３の薬液処理またはプラズマ処理に対する耐性をより一層向上させることができる。

アリールアルキレン型フェノール樹脂としては、例えば、キシリレン型フェノール樹脂、ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂などが挙げられる。ビフェニルジメチレン型フェノール樹脂は、例えば、下記一般式（ＶIII）で示すことができる。

上記一般式（ＶIII）で示されるビフェニルジメチレン型フェノール樹脂の繰り返し単位ｎは任意の整数である。繰り返し単位ｎは、とくに限定されないが、１以上が好ましく、２以上がより好ましい。繰り返し単位ｎが上記下限値以上であると、耐熱性をより向上させることができる。また、繰り返し単位ｎは、とくに限定されないが、１２以下が好ましく、８以下がより好ましい。繰り返し単位ｎが上記上限値以下であると、他の樹脂との相溶性が向上し、作業性を向上させることができる。

フェノール樹脂の含有量は、とくに限定されないが、プライマー樹脂組成物Ｐ全体に対し、１質量％以上が好ましく、５質量％以上がより好ましい。フェノール樹脂の含有量が上記下限値以上であると、耐熱性をより一層向上させることができる。また、フェノール樹脂の含有量は、とくに限定されないが、プライマー樹脂組成物Ｐ全体に対し、５５質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましい。フェノール樹脂の含有量が上記上限値以下であると、低熱膨張の特性を向上させることができる。

フェノール樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、とくに限定されないが、Ｍｗ４００以上が好ましく、とくにＭｗ５００以上が好ましい。Ｍｗが上記下限値以上であると、プライマー層１１３にタック性が生じるのを抑制することができる。また、フェノール樹脂のＭｗは、とくに限定されないが、Ｍｗ１８，０００以下が好ましく、とくにＭｗ１５，０００以下が好ましい。Ｍｗが上記上限値以下であると、より均一なプライマー層１１３を得ることができる。フェノール樹脂のＭｗは、例えばＧＰＣで測定することができる。

プライマー樹脂組成物Ｐは、熱硬化性樹脂（Ａ）としてエポキシ樹脂やフェノール樹脂を用いる場合、さらにシアネート樹脂を併用してもよい。シアネート樹脂を用いることにより、プライマー層１１３の線膨張係数を小さくすることができる。さらに、シアネート樹脂は、電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度などにも優れる。

シアネート樹脂は、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させたものや、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化したものなどを用いることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂;ナフトールアラルキル型の多価ナフトール類と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂;ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂;ビフェニルアルキル型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。ノボラック型シアネート樹脂を用いることにより、架橋密度が増加し、耐熱性が向上する。

この理由としては、ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成することが挙げられる。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。また、ノボラック型シアネート樹脂を含むプライマー層１１３は優れた剛性を有する。よって、プライマー層１１３の薬液処理またはプラズマ処理に対する耐性をより一層向上させることができる。
ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。

一般式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数である。平均繰り返し単位ｎは、とくに限定されないが、１以上が好ましく、２以上がより好ましい。平均繰り返し単位ｎが上記下限値以上であると、ノボラック型シアネート樹脂の耐熱性が向上し、加熱時に低量体が脱離、揮発することを抑制できる。また、平均繰り返し単位ｎは、とくに限定されないが、１０以下が好ましく、７以下がより好ましい。ｎが上記上限値以下であると、溶融粘度が高くなるのを抑制でき、プライマー層１１３の成形性を向上させることができる。

また、シアネート樹脂としては、下記一般式（II）で表わされるナフトール型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式（II）で表わされるナフトール型シアネート樹脂は、例えば、α−ナフトールあるいはβ−ナフトールなどのナフトール類とｐ−キシリレングリコール、α，α'−ジメトキシ−ｐ−キシレン、１，４−ジ（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼンなどとの反応により得られるナフトールアラルキル樹脂とシアン酸とを縮合させて得られるものである。一般式（II）の繰り返し単位ｎは１０以下であることが好ましい。繰り返し単位ｎが１０以下であると、より均一なプライマー層１１３を得ることができる。また、合成時に分子内重合が起こりにくく、水洗時の分液性が向上し、収量の低下を防止できる傾向がある。

（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示し、ｎは１以上の整数を示す。）

また、シアネート樹脂としては、下記一般式（III）で表わされるジシクロペンタジエン型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式（III）で表わされジシクロペンタジエン型シアネート樹脂は、下記一般式（III）の繰り返し単位ｎが０以上８以下であることが好ましい。繰り返し単位ｎが８以下であると、より均一なプライマー層１１３を得ることができる。また、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂を用いることで、プライマー層１１３の低吸湿性および耐薬品性を向上させることができる。

（ｎは０以上８以下の整数を示す。）

シアネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、とくに限定されないが、Ｍｗ５００以上が好ましく、Ｍｗ６００以上がより好ましい。Ｍｗが上記下限値以上であると、プライマー層１１３を作製した場合にタック性の発生を抑制でき、プライマー層１１３同士が接触したとき互いに付着したり、プライマー層１１３の転写が生じたりするのを抑制することができる。また、Ｍｗは、とくに限定されないが、Ｍｗ４，５００以下が好ましく、Ｍｗ３，０００以下がより好ましい。また、Ｍｗが上記上限値以下であると、反応が速くなるのを抑制でき、プライマー層１１３に不良が生じたり、プライマー層１１３と回路層１０５とのピール強度が低下したりするのを抑制することができる。
シアネート樹脂のＭｗは、例えば、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。

また、シアネート樹脂は１種類を単独で用いてもよいし、異なるＭｗを有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。

プライマー樹脂組成物Ｐ中に含まれる熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、その目的に応じて適宜調整されれば良く、とくに限定されないが、プライマー樹脂組成物Ｐ全体に対し、５質量％以上９０質量％以下が好ましく、１０質量％以上８０質量％以下がより好ましく、２０質量％以上５０質量％以下がとくに好ましい。熱硬化性樹脂の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、プライマー層１１３を形成するのが容易となる。熱硬化性樹脂の含有量が上記上限値以下であると、プライマー層１１３の強度、難燃性および低熱膨張性を向上させることができる。

（無機充填材）
プライマー層１１３に用いられるプライマー樹脂組成物Ｐは、熱硬化性樹脂（Ａ）に加えて、無機充填材（Ｂ）を含むのが好ましい。これにより、機械強度、および剛性を向上させることができる。さらに、プライマー層１１３の低熱膨張化をより一層向上させることができる。

無機充填材（Ｂ）としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩；などを挙げることができる。

無機充填材（Ｂ）として、これらの中の１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、とくにシリカが好ましい。シリカの形状には破砕状および球状がある。無機充填材（Ｂ）の高充填化を確保するためには、プライマー樹脂組成物Ｐの溶融粘度を下げるため球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法を採用することができる。

無機充填材（Ｂ）の平均粒子径は、とくに限定されないが、０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましい。無機充填材（Ｂ）の平均粒子径が上記下限値以上であると、ワニスの粘度が高くなるのを抑制でき、プライマー層１１３作製時の作業性を向上させることができる。また、無機充填材（Ｂ）の平均粒子径は、とくに限定されないが、５．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。無機充填材（Ｂ）の平均粒子径が上記上限値以下であると、ワニス中で無機充填材（Ｂ）の沈降などの現象を抑制でき、より均一なプライマー層１１３を得ることができる。また、プリント配線基板１００の回路寸法がＬ／Ｓが２０／２０μｍを下回る際には、配線間の絶縁性に影響を与えるのを抑制することができる。
無機充填材（Ｂ）の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ_５０）を平均粒子径とすることができる。

また、無機充填材（Ｂ）は、とくに限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材（Ｂ）を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の無機充填材（Ｂ）を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および／または多分散の無機充填材（Ｂ）を１種類または２種類以上で併用してもよい。

無機充填材（Ｂ）は、平均粒子径５．０μｍ以下の球状シリカが好ましく、平均粒子径０．０１μｍ以上２．０μｍ以下の球状シリカがより好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以上１．０μｍ以下である。これにより、無機充填材（Ｂ）の充填性をさらに向上させることができる。

無機充填材（Ｂ）の含有量は、とくに限定されないが、プライマー樹脂組成物Ｐ全体に対し、１重量％以上６０重量％以下が好ましく、５重量％以上５０重量％以下がより好ましい。含有量が上記範囲内であると、プライマー層１１３をとくに低熱膨張、低吸水とすることができる。

（その他の添加剤）
このほか、必要に応じて、プライマー樹脂組成物Ｐにはカップリング剤、硬化促進剤、硬化剤、熱可塑性樹脂、有機充填材などの添加剤を適宜配合することができる。本実施形態で用いられるプライマー樹脂組成物Ｐは、上記成分を有機溶剤などにより溶解および／または分散させた液状形態で好適に用いることができる。

カップリング剤の使用により、熱硬化性樹脂（Ａ）と無機充填材（Ｂ）との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、プライマー層１１３の耐熱性を改良することができる。

カップリング剤としては、カップリング剤として通常用いられるものであれば使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材（Ｂ）の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることができる。

カップリング剤の添加量は、無機充填材（Ｂ）の比表面積に依存するのでとくに限定されないが、無機充填材（Ｂ）１００質量部に対して０．０５質量部以上が好ましく、０．１質量部以上がより好ましい。カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材（Ｂ）を十分に被覆することができ、プライマー層１１３の耐熱性を向上させることができる。また、カップリング剤の添加量は、とくに限定されないが、５質量部以下が好ましく、３質量部以下がより好ましい。含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、プライマー層１１３の曲げ強度などの低下を抑制することができる。

硬化促進剤としては公知のものを用いることができる。例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩；トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類；２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類；フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物；酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸；オニウム塩化合物；などが挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いてもよいし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用してもよい。

オニウム塩化合物は、とくに限定されないが、例えば、下記一般式（ＩＸ）で表されるオニウム塩化合物を用いることができる。

（式中、Ｐはリン原子、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ⁻は分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｎ（ｎ≧１）価のプロトン供与体のアニオン、またはその錯アニオンを示す。）

硬化促進剤の含有量は、とくに限定されないが、プライマー樹脂組成物Ｐ全体に対し、０．０１重量％以上５重量％以下が好ましく、０．１重量％以上２重量％以下がより好ましい。硬化促進剤の含有量が上記下限値以上であると、硬化を促進する効果が十分に発揮することができる。硬化促進剤の含有量が上記上限値以下であるとプライマー層１１３の保存性をより向上させることができる。

本実施形態におけるプライマー樹脂組成物Ｐは、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂；スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー；ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー；ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマー；ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマー；をさらに併用してもよい。これらの中でも、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、エポキシ変性ポリブタジエンが好ましい。

フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂などが挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。

これらの中でも、フェノキシ樹脂には、ビフェニル骨格およびビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂を用いるのが好ましい。ビフェニル骨格が有する剛直性により、フェノキシ樹脂のガラス転移温度を高くすることができるとともに、ビスフェノールＳ骨格の存在により、フェノキシ樹脂と金属との密着性を向上させることができる。その結果、プライマー層１１３の耐熱性の向上を図ることができるとともに、コア層１１１と回路層１０５との密着性をより一層向上させることができる。また、フェノキシ樹脂には、ビスフェノールＡ骨格およびビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂を用いるのも好ましい。これにより、コア層１１１と回路層１０５との密着性をより一層向上させることができる。
また、下記一般式（Ｘ）で表されるビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂を用いるのも好ましい。

（式中、Ｒ_１は互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基およびハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ_２は、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基およびハロゲン元素から選ばれる基であり、Ｒ_３ は、水素原子または炭素数１以上１０以下の炭化水素基であり、ｍは０以上５以下の整数である。）

ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂は、嵩高い構造を持っているため、溶剤溶解性や、配合する熱硬化性樹脂（Ａ）との相溶性に優れる。また、低粗度で均一な粗面を形成することができるため微細配線形成性に優れる。

ビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂を触媒で高分子量化させる方法などの公知の方法で合成することができる。

ビスフェノールアセトフェノン構造を有するフェノキシ樹脂は、一般式（Ｘ）のビスフェノールアセトフェノン構造以外の構造が含まれていても良く、その構造はとくに限定されないが、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、ビフェニル型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型などの構造が挙げられる。中でも、ビフェニル型の構造を含むものが、ガラス転移温度が高く好ましい。

ビスフェノールアセトフェノン構造を含むフェノキシ樹脂中の一般式（Ｘ）のビスフェノールアセトフェノン構造の含有量はとくに限定されないが、好ましくは５モル％以上９５モル％以下であり、より好ましくは１０モル％以上８５モル％以下であり、さらに好ましくは１５モル％以上７５モル％以下である。含有量が上記下限値以上であると、耐熱性、耐湿信頼性を向上させる効果を十分に発揮させることができる。また、含有量が上記上限値以下であると、溶剤溶解性を向上させることができる。

フェノキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、とくに限定されないが、Ｍｗ５，０００以上１００，０００以下が好ましく、１０，０００以上７０，０００以下がより好ましく、１５，０００以上５０，０００以下がさらに好ましい。Ｍｗが上記上限値以下であると、他の樹脂との相溶性や溶剤への溶解性を向上させることができる。上記下限値以上であると、プライマー層１１３の製膜性を向上させることができる。

フェノキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、無機充填材（Ｂ）を除くプライマー樹脂組成物Ｐに対し、０．５質量％以上４０質量％以下が好ましく、１質量％以上２５質量％以下がより好ましい。含有量が上記下限値以上であるとプライマー層１１３の機械強度や、コア層１１１と回路層１０５との密着性を向上させることができる。上記上限値以下であると、プライマー層１１３の熱膨張率の増加を抑制でき、耐熱性を向上させることができる。

プライマー樹脂組成物Ｐには、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。

顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青などの無機顔料、フタロシアニンなどの多環顔料、アゾ顔料などが挙げられる。

染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン 、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン 、アントラキノン、インジゴイド 、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン 、フタロシアニン、アゾメチンなどが挙げられる。

＜コア層＞
コア層１１１は、絶縁性の材料により構成されていれば特に限定されないが、たとえば、エポキシ樹脂、ガラス基材−エポキシ樹脂積層板、ガラス基材−ポリイミド樹脂積層板、ガラス基材−テフロン（登録商標）樹脂積層板、ガラス基材−ビスマレイミド・トリアジン樹脂積層板、ガラス基材−シアネート樹脂積層板、ガラス基材−ポリフェニレンエーテル樹脂積層板、ポリエステル樹脂、セラミック、樹脂含浸セラミック、プリプレグのいずれか等により構成することができる。これらの中でも、プリプレグはシート状材料であり、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性などの各種特性に優れ、プリント配線基板用のコア層１１１の製造に適しており好ましい。

＜ビルドアップ層＞
ビルドアップ層１１５は、絶縁性の材料により構成されていれば特に限定されないが、たとえば、樹脂フィルム、プリプレグのいずれか等により構成することができる。これらの中でも、プリプレグはシート状材料であり、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性などの各種特性に優れ、プリント配線基板用のビルドアップ層１１５の製造に適しており好ましい。

［プリント配線基板の製造方法］
つづいて、本実施形態に係るプリント配線基板１００の製造方法の一例について説明する。図５は、本発明に係る実施形態のプリント配線基板１００の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。

また、本実施形態のプリント配線基板１００を得るためには、上述したプライマー樹脂組成物Ｐに使用する各材料を適切に選択し、各材料の配合量を適切に調整することが重要である。また、絶縁層１０３の少なくとも一方の面１１０に対しておこなう、薬液処理またはプラズマ処理の条件を適切に調整することも重要である。

以下、本実施形態に係るプリント配線基板１００の製造方法の一例について説明する。ただし、本実施形態に係るプリント配線基板１００の製造方法は、以下の例に限定されない。

（金属張積層板の作製）
はじめに、コア層１１１の両面または片面に、プライマー層１１３を介して金属層２０３を積層させることにより、金属張積層板２００を作製する（図５（ａ））。以下、具体的に説明する。まず、前述したプライマー樹脂組成物Ｐに溶剤を添加して樹脂ワニスとし、その樹脂ワニスを金属層２０３の上に塗布して乾燥させることによって、プライマー層１１３付き金属層２０３を得る。
次いで、得られたプライマー層１１３付き金属層２０３を、プライマー層１１３を内側にして配し、コア層１１１にプレス積層することによって、金属張積層板２００を得ることができる（図５（ａ））。
プライマー層１１３は、コア層１１１の片面のみに積層してもよいし、両面に積層してもよい。本実施形態に係る金属張積層板２００は、コア層１１１の表面にプライマー層１１３を積層し、当該プライマー層１１３の表面に金属層２０３を積層する方法により製造することもできる。
また、図６に示すような、絶縁層１０３がコア層１１１とビルドアップ層１１５とプライマー層１１３とを含むプリント配線基板１３０を作製する場合、ビルドアップ層１１５の表面に、プライマー層１１３を介して金属層２０３を積層させることにより、金属張積層板２００を作製することもできる。

プライマー樹脂組成物Ｐを溶解させる上記溶媒は、熱硬化性樹脂（Ａ）に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどが挙げられる。

金属層２０３は、金属箔を好適に用いることができる。この金属箔の表面は、通常は、クロメート処理がなされている。金属層２０３を構成する金属としては、例えば、銅および銅系合金、アルミおよびアルミ系合金、銀および銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金、鉄および鉄系合金、コバール（商標名）、４２アロイ、インバーまたはスーパーインバーなどのＦｅ−Ｎｉ系の合金、ＷまたはＭｏなどが挙げられる。これらの中でも、金属層２０３を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。また、金属層２０３は、としては、キャリア付金属箔なども使用することができる。

金属層２０３の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは１．５μｍ以上１２μｍ以下である。金属層２０３は、表面粗さ（Ｒｚ）が０．５μｍ以上３．０μｍ以下であり、クロメート処理がなされた電解銅箔または圧延銅箔を用いることが特に好ましい。

次に、金属張積層板２００にビアホール１０１を形成する（図５（ｂ））。ビアホール１０１は、例えば、ドリル機やレーザー照射を用いて形成することができる。レーザー照射に用いるレーザーは、エキシマレーザー、ＵＶレーザーおよび炭酸ガスレーザーなどが挙げられる。
ビアホール１０１を形成後の樹脂残渣等は、過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより除去してもよい。

次いで、エッチング処理により、金属層２０３を除去する（図５（ｃ））。なお、エッチング処理により、金属張積層板２００から金属層２０３を除去してから、ビアホール１０１を形成してもよい。

次いで、絶縁層１０３の少なくとも一方の面１１０に対して、薬液処理またはプラズマ処理を行う（図５（ｄ））。薬液処理またはプラズマ処理により、絶縁層１０３の一方の面１１０のビアホール１０１の周縁領域Ｃ１における、Ｘ線光電子分光により測定される炭素量に対するクロム量の比の平均値を０．０９０以下まで減少させ、かつ、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して測定される、絶縁層１０３の一方の面１１０の１０点平均粗さＲｚを１．２μｍ以上とする。

薬液処理としては、特に限定されず、有機物分解作用を有する酸化剤溶液等を使用する方法などが挙げられる。また、プラズマ処理としては、対象物となるものに直接酸化作用の強い活性種（プラズマ、ラジカル等）を照射して有機物残渣を除去する方法などが挙げられる。

薬液処理としては、具体的には、絶縁層１０３表面の膨潤処理を施した後、アルカリ処理によりエッチングを行い、続いて中和処理を行う方法等が挙げられる。
また、プラズマ処理としては、数ｍＴｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒのガス雰囲気下において数ｋＨｚ〜数十ＭＨｚ程度の高周波電源にて放電することにより行う方法等が挙げられる。なお、使用ガスとしては、例えば、酸素等の反応性ガス、または窒素やアルゴン等の不活性ガスを用いることができる。プラズマにより活性化されたガス成分は、圧力と使用ガスの種類によって、化学的反応、ガス分子そのものの衝突（ボンバリング）による物理的反応、またはこれら両方が生じることによって、ビアホール中の残渣や低分子による表面汚れを除去することができる。プラズマ処理によるクリーニングは、例えば、平行平板方式により行うことができる。
プラズマ処理により、薬液によるクリーニングでは除去しきれないような強固な樹脂組成物の残滓を除去することができる。

次に、本実施形態に係る回路層１０５を形成する。本実施形態に係る回路層１０５は、セミアディティブプロセスにより形成することができる。以下、具体的に説明する。

はじめに、無電解めっき法を用いて、絶縁層１０３の少なくとも一方の面１１０上に無電解金属めっき膜１０８を形成する（図５（ｅ））。無電解めっき法の例を説明する。例えば、まず、絶縁層１０３の少なくとも一方の面１１０上に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により無電解金属めっき膜１０８を形成する。無電解めっきには、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウム等を含むものを用いることができる。なお、無電解めっき後に、１００〜２５０℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることが好ましい。１２０〜１８０℃の加熱処理が酸化を抑制できる被膜を形成できる点で、特に好ましい。また、無電解金属めっき膜１０８の平均厚さは、例えば、０．１〜１μｍ程度である。

次いで、無電解金属めっき膜１０８上に所定の開口パターンを有するめっきレジスト２０１を形成する。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。めっきレジスト２０１としては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、めっきレジスト２０１としては、感光性ドライフィルム等を用いることが好ましい。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、無電解金属めっき膜１０８上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、めっきレジスト２０１を形成する。

次いで、図５（ｆ）に示すように、少なくともめっきレジスト２０１の開口パターン内部かつ無電解金属めっき膜１０８上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層１０９を形成する。電気めっきとしては、特に限定されないが、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅等のめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流す等の方法を使用することができる。電解金属めっき層１０９は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層１０９の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか１種以上を用いることができる。

次いで、図５（ｇ）に示すように、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液等を用いてめっきレジスト２０１を除去する。

次いで、図５（ｇ）に示すように、電解金属めっき層１０９が形成されている領域以外の無電解金属めっき膜１０８を除去する。例えば、ソフトエッチング（フラッシュエッチング）等を用いることにより、無電解金属めっき膜１０８を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、回路層１０５を形成することができる。回路層１０５は無電解金属めっき膜１０８および電解金属めっき層１０９で構成されることになる。

以上により、本実施形態のプリント配線基板１００が得られる。

（半導体パッケージ）
つづいて、本実施形態に係る半導体パッケージ３００について説明する。図３は、本発明に係る実施形態の半導体パッケージ３００の構成の一例を示す断面図である。図７は、本発明に係る実施形態の半導体パッケージ３００の構成の一例を示す断面図である。本実施形態に係るプリント配線基板１００は、図３および図７に示すような半導体パッケージ３００に用いることができる。半導体パッケージ３００の製造方法としては、とくに限定されないが、例えば以下のような方法がある。

まず、本実施形態に係るプリント配線基板１００上に、必要に応じてビルドアップ層１１５（図７）を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じてソルダーレジスト層３０１を積層する。

ソルダーレジスト層３０１の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像により形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。

つづいて、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子３０７を配線パターンの一部である接続端子上に半田バンプ３１０を介して固着させる。その後、半導体素子３０７、半田バンプ３１０等を封止材３１３で封止することによって、図３に示す様な半導体パッケージ３００が得られる。

（半導体装置）
つづいて、本実施形態に係る半導体装置４００について説明する。図４は、本発明に係る実施形態の半導体装置の構成の一例を示す断面図である。図８は、本発明に係る実施形態の半導体装置の構成の一例を示す断面図である。
プリント配線基板１００および半導体パッケージ３００は、図４および図８に示すような半導体装置４００に用いることができる。半導体装置４００の製造方法としては、とくに限定されないが、例えば以下のような方法がある。

はじめに、得られた半導体パッケージ３００のソルダーレジスト層４０１の開口部に半田ペーストを塗布、次いで半田ボールを搭載後、リフロー処理を行なうことによって半田バンプ４１０を形成する。また、半田バンプ４１０は、あらかじめ作製した半田ボールを開口部に取り付けることによっても形成できる。

つぎに、実装基板４２０の接続端子４２５と半田バンプ４１０とを接合することによって半導体パッケージ３００を実装基板４２０に実装し、図４および図８に示した半導体装置４００が得られる。

以上に説明したように、本実施形態によれば、配線間の絶縁信頼性に優れたプリント配線基板１００、半導体パッケージ３００および半導体装置４００を得ることができる。

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例では、部はとくに特定しない限り質量部を表す。また、それぞれの厚みは平均膜厚で表わされている。

実施例および比較例では、以下の原料を用いた。

（１）エポキシ樹脂Ａ（ＮＣ−３０００、日本化薬社製ビフェニルアラルキル型エポキシ、エポキシ当量１７５）
（２）エポキシ樹脂Ｂ（ｊＥＲ６０４、三菱化学社製テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、エポキシ当量１２０）
（３）フェノール樹脂Ａ（ＧＰＨ−６５、日本化薬社製ビフェニルアラルキル型フェノール、水酸基当量１９８）
（４）フェノール樹脂Ｂ（ＳＮ−４８５、新日鐵住金化学社製ナフトールアラルキル型フェノール、水酸基当量２１０）
（５）フェノール樹脂Ｃ（ＬＡ−７０５４、ＤＩＣ社製トリアジン骨格含有フェノールノボラック、水酸基当量１２５）
（６）シアネート樹脂（ＰＴ−３０、ロンザ社製フェノールノボラック型シアネートエステル）
（７）フェノキシ樹脂（ＹＸ６９５４ＢＨ３０、三菱化学社製ビフェニル型フェノキシ、ＭＷ＝３８，０００）
（８）ポリアミド（ＢＰＡＭ−１５５、日本化薬社製フェノール変性ポリアミド）
（９）硬化促進剤（２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業社製２−エチル−４−メチルイミダゾール）
（１０）無機充填材Ａ（ＳＦＰ−２０Ｍ、電気化学工業社製球状シリカ、平均粒子径０．３５μｍ）
（１１）無機充填材Ｂ（Ａｃｈｉｌｏｘ２００ＳＭ、ナバルテック社製ベーマイト、平均粒子径０．３μｍ）
（１２）粗化付銅箔Ａ（ＭＴ１８Ｅｘ−２、三井金属鉱業社製キャリア付極薄銅箔、キャリア１８μｍ、極薄箔２μｍ、Ｒｚ＝１．９μｍ）
（１３）粗化付銅箔Ｂ（ＮＳＡＰ−２Ｂ、日本電解社製キャリア付極薄銅箔、キャリア１８μｍ、極薄箔２μｍ、Ｒｚ＝１．４μｍ）
（１４）無粗化銅箔Ｃ（ＮＳ−ＶＬＰ−９、三井金属鉱業社製無粗化箔、９μｍ、Ｒｚ＝１．０μｍ）

（実施例１）
１．樹脂ワニスの調製
エポキシ樹脂Ａ４６．０質量部、フェノール樹脂Ａ３２．０質量部、フェノキシ樹脂２０．０質量部、硬化促進剤２．０質量部を溶剤メチルエチルケトンに溶解、分散させた。次に、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌して、不揮発分７０質量％となるように調整し、樹脂材料のワニス（樹脂ワニス）を調製した。

２．プライマー層付き銅箔の作製
樹脂ワニスを、粗化付きの銅箔Ａの上にグラビアコーター装置を用いて、乾燥後の樹脂層の厚さが４μｍとなるように塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で５分間乾燥させて溶剤を除去して、プライマー層付き銅箔を得た。

３．銅張積層板の作製
０．１ｍｍのプリプレグ（住友ベークライト社製ＥＩ−６７８５ＧＳ−ＦＧ）２枚を重ねた両面にプライマー層付き銅箔を配し（プライマー層側がプリプレグ側になるように）重ね合わせた。次いで、２２０℃、３．０ＭＰａで２時間加熱加圧成形することにより、銅張積層板を得た。得られた積層板のコア層（樹脂基板からなる部分）の厚みは、０．２０ｍｍであった。

４．プリント配線基板の作製
上記で得られた銅張積層板を用い、銅箔をエッチングで除去し、プライマー層を露出させた。次に、炭酸ガスレーザーによりスルーホール（貫通孔）を形成した。次にその両面にセミアディティブ法で微細回路パターン形成（残銅率７０％、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍ）した内層回路基板を作成した。
その両面に、同じく０．０３ｍｍのプリプレグ（住友ベークライト社製ＥＩ−６７８５ＧＳ−ＦＧ）とプライマー層付き銅箔を配し（プライマー層側がプリプレグ側になるように）重ね合わせ、２２０℃、３．０ＭＰａで２時間加熱加圧成形することにより、銅張積層板を得た。上記同様に、銅箔をエッチングで除去し、プライマー層を露出させた。次に、炭酸ガスレーザーによりブラインドビアホール（非貫通孔）を形成した。次にその両面にセミアディティブ法で微細回路パターン形成（残銅率５０％、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍ）したプリント配線基板を得た。

（実施例２〜７、比較例１〜５）
１．銅張積層板の作製
使用した材料の種類とその配合割合を表１に記載のものにそれぞれ変えた以外は実施例１と同様の手順で銅張積層板をそれぞれ作製した。

２．プリント配線基板の作製
上記で得られた銅張積層板を用い、銅箔をエッチングで除去し、プライマー層を露出させた。次に、炭酸ガスレーザーによりスルーホール（貫通孔）を形成した。次に、後述する各種処理（薬液処理Ａ〜Ｃ、またはドライ処理）をそれぞれ行い、表面のＣｒ量をそれぞれ調整した。次にその両面にセミアディティブ法で微細回路パターン形成（残銅率７０％、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍ）した内層回路基板をそれぞれ作成した。
その両面に、同じく０．０３ｍｍのプリプレグ（住友ベークライト社製ＥＩ−６７８５ＧＳ−ＦＧ）とプライマー層付き銅箔を配し（プライマー層側がプリプレグ側になるように）重ね合わせ、２２０℃、３．０ＭＰａで２時間加熱加圧成形することにより、銅張積層板をそれぞれ得た。前記同様に、銅箔をエッチングで除去し、プライマー層を露出させた。次に、炭酸ガスレーザーによりブラインドビアホール（非貫通孔）を形成した。次に、各種処理（薬液処理Ａ〜Ｃ、またはドライ処理）をそれぞれ行い、表面のＣｒ量をそれぞれ調整した。次にその両面にセミアディティブ法で微細回路パターン形成（残銅率５０％、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍ）したプリント配線基板をそれぞれ得た。

（薬液処理）
薬液処理Ａ：酸性中和溶液（ＮＥ：リダクションソリューション・セキュリガントＰ）を用いて４０℃、５分間処理した。
薬液処理Ｂ：アルカリ膨潤溶液（ＳＷ：アトテックジャパン社製、スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ）を用いて６０℃、２分間処理し、次いで、過マンガン酸溶液（ＭＥ：アトテックジャパン社製、コンセントレート・コンパクトＣＰ）を用いて、８０℃、１分間処理し、次いで、酸性中和溶液（ＮＥ：リダクションソリューション・セキュリガントＰ）を用いて４０℃、３分間処理した。
薬液処理Ｃ：アルカリ膨潤溶液（ＳＷ：アトテックジャパン社製、スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ）を用いて６０℃、２分間処理し、次いで、過マンガン酸溶液（ＭＥ：アトテックジャパン社製、コンセントレート・コンパクトＣＰ）を用いて、８０℃、３分間処理し、次いで、酸性中和溶液（ＮＥ：リダクションソリューション・セキュリガントＰ）を用いて４０℃、３分間処理した。

（ドライ処理）
真空チャンバーを備えたボックス内で、真空度が１×１０^−３Ｐａになるまで真空引きした後、真空チャンバー内にＮ_２ガスを導入して、真空度を０．２Ｐａに調整した。この際、Ｎ_２ガスの流量は２０ｓｃｃｍであった。次に、平行平板式の一対の電極間に直流電圧を印加することで、真空チャンバー内に低温プラズマを発生させて、基板保持部に保持した基板の露出させた面をプラズマ処理した。プラズマ処理の条件は３００Ｗ（パワー密度０．２７Ｗ／ｃｍ^２）で２分間行った。

実施例および比較例で得られた銅張積層板およびプリント配線基板について以下の評価をそれぞれおこなった。

（１）残留Ｃｒ量（対Ｃ量比）
プリント配線基板の薬液処理またはプラズマ処理後（セミアディティブ法で微細回路パターン形成前）の樹脂表面について、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏ Ａｎａｌｙｚｅｒ）で測定し、残留しているＣｒ量を分析し、クロムｍｏｌ％／炭素ｍｏｌ％の値を算出した。

（２）表面粗さ（Ｒｚ）
プリント配線基板の薬液処理またはプラズマ処理後（セミアディティブ法で微細回路パターン形成前）の樹脂表面について、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準じて、Ｖｅｅｃｏ社製ＷＹＫＯ ＮＴ１１００を用いて、十点平均粗さ（Ｒｚ）を測定した。

（３）無電解めっき付き性
セミアディティブ法で微細回路パターン形成する過程において、全面無電解めっき工程後の樹脂表面を目視観察した。以下の基準で評価した。
◎：全面均一に無電解銅が付着していた（問題なし）
○：一部薄い箇所があったが、全面に無電解銅が付着していた（実用上問題なし）
×：無電解銅が不均一で、一部樹脂面が露出していた（問題あり）

（４）ピール強度
プリント配線基板のセミアディティブ法による微細回路パターンの形成をおこなう代わりに、全面に銅をめっきアップし２０μｍの銅層を有する基板を得た。ピール強度は、ＪＩＳ Ｃ−６４８１：１９９６に準じて測定した。以下の基準で評価した。
○：０．５ｋＮ／ｍ以上
×：０．５ｋＮ／ｍ未満

（５）微細配線加工性
セミアディティブ法でＬ／Ｓ＝１５／１５μｍの微細回路パターンを形成した後のプリント配線基板について、レーザー顕微鏡で細線の外観検査及び銅通チェックにより評価した。以下の基準で評価した。
◎：形状、導通ともに問題なし
○：ショート、配線切れはなく、実質上問題ない
×：ショート、配線切れあり

（６）線間絶縁信頼性
プリント配線基板のＬ／Ｓ＝１５／１５μｍの微細回路パターン部を絶縁樹脂シート（住友ベークライト社製、ＢＬＡ−３７００ＧＳ）により被覆（積層後温度２００℃で硬化）して試験サンプルを作製した。この試験サンプルについて、温度１３０℃、湿度８５％、印加電圧３．３Ｖの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値１０^６Ω以下を故障とした。以下の基準で評価した。
◎：３００時間以上故障なし
○：１５０〜３００時間未満で故障あり
×：１５０時間未満で故障あり

１００ プリント配線基板
１０１ ビアホール
１０３ 絶縁層
１０５ 回路層
１０７ 周縁
１０８ 無電解金属めっき膜
１０９ 電解金属めっき層
１１０ 一方の面
１１１ コア層
１１３ プライマー層
１１５ ビルドアップ層
１１８ 無電解金属めっき膜
１１９ 電解金属めっき層
１２０ 回路層
１３０ プリント配線基板
２００ 金属張積層板
２０１ めっきレジスト
２０３ 金属層
３００ 半導体パッケージ
３０１ ソルダーレジスト層
３０７ 半導体素子
３１０ 半田バンプ
３１３ 封止材
４００ 半導体装置
４０１ ソルダーレジスト層
４１０ 半田バンプ
４２０ 実装基板
４２５ 接続端子

Claims (18)

1. ビアホールを有する絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一方の面に設けられた回路層とを有するプリント配線基板であって、
   前記一方の面の前記ビアホールの周縁領域における、Ｘ線光電子分光により測定される炭素量に対するクロム量の比の平均値が０．０９０以下であり、
   ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して測定される、前記一方の面の１０点平均粗さＲｚが１．２μｍ以上である、プリント配線基板。
2. 請求項１に記載のプリント配線基板において、
   前記回路層は無電解金属めっき膜を含む、プリント配線基板。
3. 請求項１または２に記載のプリント配線基板において、
   当該プリント配線基板は、前記絶縁層の少なくとも前記一方の面に金属層が積層された金属張積層板を回路加工してなり、
   前記金属張積層板に積層されている前記金属層は、表面にクロメート処理がなされている、プリント配線基板。
4. 請求項１乃至３いずれか一項に記載のプリント配線基板において、
   ＪＩＳ Ｃ−６４８１：１９９６に準拠して測定される、前記絶縁層と前記回路層との間のピール強度が０．５ｋＮ／ｍ以上である、プリント配線基板。
5. 請求項１乃至４いずれか一項に記載のプリント配線基板において、
   前記回路層の厚みが５μｍ以上２５μｍ以下である、プリント配線基板。
6. 請求項１乃至５いずれか一項に記載のプリント配線基板において、
   前記絶縁層は、コア層とプライマー層とを含み、
   前記プライマー層は、前記コア層と前記回路層との間に介在している、プリント配線基板。
7. 請求項１乃至５いずれか一項に記載のプリント配線基板において、
   前記絶縁層は、コア層と、ビルドアップ層と、プライマー層とを含み、
   前記プライマー層は、前記コア層と前記回路層との間および前記ビルドアップ層と前記回路層との間のうち少なくとも一方に介在している、プリント配線基板。
8. 請求項７に記載のプリント配線基板において、
   前記プライマー層の厚みが１μｍ以上１０μｍ以下である、プリント配線基板。
9. 請求項７または８に記載のプリント配線基板において、
   前記プライマー層の動的粘弾性測定によるガラス転移温度が、１７０℃以上３００℃以下である、プリント配線基板。
10. 請求項７乃至９いずれか一項に記載のプリント配線基板において、
    前記プライマー層の２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'が１０ＭＰａ以上３５０ＭＰａ以下である、プリント配線基板。
11. 請求項７乃至１０いずれか一項に記載のプリント配線基板において、
    前記プライマー層はエポキシ樹脂を含む、プリント配線基板。
12. 請求項１乃至１１いずれか一項に記載のプリント配線基板に半導体素子を搭載してなる、半導体パッケージ。
13. 請求項１２に記載の半導体パッケージを実装基板に実装してなる、半導体装置。
14. 請求項１に記載のプリント配線基板を製造するための製造方法であって、
    絶縁層の少なくとも一方の面に金属層が積層された金属張積層板にビアホールを形成する工程と、
    エッチング処理により、前記金属層を除去する工程と、
    薬液処理またはプラズマ処理により、前記一方の面の前記ビアホールの周縁領域における、Ｘ線光電子分光により測定される炭素量に対するクロム量の比の平均値を０．０９０以下まで減少させ、かつ、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して測定される、前記一方の面の１０点平均粗さＲｚを１．２μｍ以上とする工程と、
    を含む、プリント配線基板の製造方法。
15. 請求項１４に記載のプリント配線基板の製造方法において、
    セミアディティブプロセスにより回路層を形成する工程をさらに含む、プリント配線基板の製造方法。
16. 請求項１４または１５に記載のプリント配線基板の製造方法において、
    前記金属層がクロメート処理された金属箔により形成されている、プリント配線基板の製造方法。
17. 請求項１４乃至１６いずれか一項に記載のプリント配線基板の製造方法において、
    前記絶縁層は、コア層とプライマー層とを含むものであり、
    前記コア層の両面または片面に、前記プライマー層を介して前記金属層を積層させることにより、前記金属張積層板を作製する工程をさらに含む、プリント配線基板の製造方法。
18. 請求項１４乃至１７いずれか一項に記載のプリント配線基板の製造方法において、
    前記絶縁層は、コア層とビルドアップ層とプライマー層とを含むものであり、
    前記ビルドアップ層の表面に、前記プライマー層を介して前記金属層を積層させることにより、前記金属張積層板を作製する工程をさらに含む、プリント配線基板の製造方法。

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