JP2014192510A - 光受信モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】高速の伝送容量を有する光受信モジュールにおいても、ピーキングやディッピング等を軽減し、高品質な伝送特性を有する光受信モジュールを提供する。
【解決手段】光受信モジュールであって、受光した光信号を電気信号に変換する受光素子と、前記受光素子及び／またはキャリアに含まれるとともに、バイアス電源が供給されるバイアスパッドと、前記バイアスパッドと並列接続となるように前記バイアスパッドと接して配置されるとともに、前記バイアスパッドよりも電気抵抗が大きい抵抗薄膜と、前記電気信号を増幅するアンプと、を含むことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、光受信モジュールに関する。

近年、１０Ｇｂｐｓ程度の伝送速度を有する光受信モジュールは、一般に同軸型パッケージ、または、箱型パッケージの形状を有する。これらのパッケージには、受光素子、トランスインピーダンスアンプが近接して内包される。また、パッケージには、レンズが搭載され、ファイバを通って入力された光信号は、レンズでビームスポットが絞り込まれた後、受光素子の吸収層（受光部）にて光電気変換により電気信号に変換される。この電気信号は、一般に、数マイクロアンペア乃至数ミリアンペア程度と微弱なため、トランスインピーダンスアンプにおいて増幅され、電圧信号として出力される。

また、受光素子に印加するバイアス、トランスインピーダンスアンプに供給する電源は、パッケージ外部に配置される。１０Ｇｂｐｓ以上の高速光受信モジュールでは、発振等によるノイズ発生・信号劣化を防ぐため、バイアスや電源線路は、パッケージ内で、平板キャパシタ、チップキャパシタ等の電極パッドを通るように設計される。

なお、パッケージ内部と外部の電気的な接続は、パッケージに取り付けられたリードピン、セラミック基板に配線された伝送線路パターン等によってなされる。このような光受信モジュールが、下記特許文献１、２、及び３に開示されている。

ここで、一般に、光受信モジュールにおいては、例えば、誤動作の原因となる共振を抑制し、ピーキングやディッピング等を減らし伝達特性をできるだけフラットにすることが望まれる。そして、当該伝達特性をできるだけフラットにするために、例えば、上記特許文献１乃至３には、キャリア（メタライズ基板）上にパターニングされたバイアスを供給するライン、または、シグナルラインの間に、直列に、抵抗薄膜または抵抗素子を挿入する点が開示されている。

特開２００３−１３４０５１号公報 特開２００５−１０８９３５号公報 特開２００７−２４２７０８号公報

しかしながら、上記のようにシグナルライン等に直列に、抵抗薄膜または抵抗素子を挿入した場合、遮断周波数（伝送帯域）が低下する。これは、ＣＲ時定数と呼ばれる物理法則（遮断周波数は、容量と抵抗に反比例する）によるものであることから、防止することができない。即ち、１０Ｇｂｐｓ以上の光受信モジュール、特に近年需要が高まることが期待される２５Ｇｂｐｓ、４０Ｇｂｐｓ、５０Ｇｂｐｓの伝送容量を持った光受信モジュールにおいては、上記方法は、適用できない。

上記課題に鑑みて、本発明は、高速の伝送容量を有する光受信モジュールにおいても、ピーキングやディッピング等を軽減し、高品質な伝送特性を有する光受信モジュールを提供することを目的とする。

（１）本発明の光受信モジュールは、受光した光信号を電気信号に変換する受光素子と、前記受光素子及び／またはキャリアに含まれるとともに、バイアス電源が供給されるバイアスパッドと、前記バイアスパッドと並列接続となるように前記バイアスパッドと接して配置されるとともに、前記バイアスパッドよりも電気抵抗が大きい抵抗薄膜と、前記電気信号を増幅するアンプと、を含むことを特徴とする。

（２）上記（１）に記載の光受信モジュールにおいて、前記薄膜抵抗は、前記バイアスパッドの外周に前記バイアスパッドと接するように設けられることを特徴とする。

（３）上記（１）または（２）に記載の光受信モジュールにおいて、前記光受信モジュールは、更に、前記バイアスパッドには接触せずに前記薄膜抵抗に接するように配置された、前記薄膜抵抗の抵抗値よりも抵抗値が小さいパッドを含むことを特徴とする。

（４）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、前記薄膜抵抗は、前記バイアスパッドの端部が、前記薄膜抵抗と接するように配置されていることを特徴とする。

（５）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、前記薄膜抵抗は、前記バイアスパッドの端部が、前記薄膜抵抗と重なるように配置されていることを特徴とする。

（６）上記（１）乃至（５）のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、前記薄膜抵抗は、前記キャリアに含まれるバイアスパッドに接するように設けられることを特徴とする。

（７）上記（１）乃至（６）のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、前記薄膜抵抗は、前記受光素子に含まれるバイアスパッドに接するように設けられることを特徴とする。

（８）上記（１）乃至（７）のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、前記バイアスパッドには、ワイヤを介して、バイアス電源が供給されることを特徴とする。

（９）上記（１）乃至（８）のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、前記アンプは、トランスイピーダンスアンプ、プリアンプ、リミティングアンプ、または、オートゲインコントローラのいずれかであることを特徴とする。

本発明の第１の実施形態の概要を説明するための図である。 図１のＩ−Ｉ断面の概要を示す図である。 薄膜抵抗をキャパシタと反対側に配置した一例を示す図である。 薄膜抵抗をバイアスパッドの内周に接するように配置した一例を示す図である。 薄膜抵抗を受光素子のバイアスパッドに接するように配置した一例を示す図である。 薄膜抵抗とバイアスパッドの位置関係の一例を示す図である。 薄膜抵抗とバイアスパッドの位置関係の他の一例を示す図である。 図１に示したキャリアとトランスインピーダンスアンプ周辺の等価回路を示す図である。 本実施の形態のシミュレーションについて説明するための図である。 本実施の形態との比較例を説明するための図である。 本実施の形態との比較例を説明するための図である。 本実施の形態におけるシミュレーションについて説明するための図である。 本実施の形態におけるシミュレーションについて説明するための図である。 薄膜抵抗の抵抗値による本実施の形態の効果を検証した図面を示す。 本実施の形態との比較例としてバイアスパッドに直列に抵抗パターンを設けた場合の伝達特性を示す図である。 ４チャンネル光受信モジュールに適用した様子を示す図である。 本発明の第２の実施形態について説明するための図である。 本発明の第３の実施形態を説明するための図である。 図１６に示した構成の等価回路の概要を示す図である。 本発明の第４の実施形態を説明するための図である。 本実施の形態の効果を説明するための図である。 図１８に示した光受信モジュールの等価回路の概要を示す図である。 本発明の第５の実施形態について説明するための図である。 図２１の受光素子の裏面からみた図である。 第２の抵抗薄膜を異なる位置に設けた一例を示す図である。 本発明の第６の実施形態について説明するための図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

[第１の実施形態]
図１は、本発明の第１の実施形態の概要を説明するための図である。また、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ断面の概要を示す図である。ここで、図１は受光素子１１８が半田１１６を介して、パッド１１５、１１７上に搭載される前の図面を示す。なお、図１及び２に示した構成は、一例であって、本実施の形態はこれに限られるものではない。

図１及び図２に示すように、光受信モジュール１００は、主に、受光素子１１８、受光素子１１８が搭載されるキャリア１２０、トランスインピーダンスアンプ１０８、基板１０７を含む。そして、光信号１２５は、光ファイバ１２９内のファイバコア層１２３を通って出力され、レンズ１２４によって集光され、受光素子１１８に形成された吸収層１２６に入射する。なお、図１及び２で示した受光素子１１８は、光信号１２５が、受光素子１１８内部を通り、吸収層１２６に入る、裏面入射型受光素子である。

受光素子１１８は、例えば、ガリウム砒素、インジウムリン、シリコン、シリコンゲルマ等の半導体物質によって形成されるが、使用波長や伝送容量（通信速度）によって使われる材料は異なる。なお、受光素子１１８を構成する材料は、上記以外であってもよく、また、上記の複合物質であっても良い。

受光素子１１８の吸収層１２６に入力された光信号１２５は、電気信号に変換される。当該電気信号は、順に、受光素子１１８に形成されたシグナルパッド１２８、キャリア１２０上のシグナルパッド１１５、トランスインピーダンスアンプ１０８上のシグナルパッド１１４を介して、トランスインピーダンスアンプ１０８に形成された増幅部（図示せず）に入力される。

シグナルパッド１２８とシグナルパッド１１５は電気的・機械的に接続される。具体的には、例えば、半田１１６によって接続される。また、シグナルパッド１１５とシグナルパッド１１４はワイヤ１１２によってボンディング接続により電気的・機械的に接続される。

受光素子１１８には、バイアス電源が供給される。具体的には、例えば、バイアス電源は、外部電源線路（図示せず）からワイヤボンディング１１２により平板コンデンサ１１１上の電極を通り、バイアスパッド１０９に供給される。トランスインピーダンスアンプ１０８上にはバイアス電源線路（図示なし）がパターニングされており、当該バイアス電源線路を介して、バイアスパッド１１３に供給される。つまり、バイアス電源は、ワイヤボンディング１１２、バイアスパッド１１７、半田１１６、バイアスパッド１２７の順に通り、吸収層１２６に印加される。

トランスインピーダンスアンプ１０８の電源は、外部線路（図示せず）からワイヤ１１２により平板キャパシタ１１１上の電極（図示なし）、電源パッド１１０を通って、トランスインピーダンスアンプ１０８上の信号増幅回路（図示なし）へ供給される。

なお、トランスインピーダンスアンプ１０８の電源から、受光素子１１８のバイアス電源を供給してもよい。また、受光素子１１８へのバイアス電源供給方法は、トランスインピーダンスアンプ１０８を製造するメーカーによって異なるのが一般的である。

トランスインピーダンスアンプ１０８は、シグナルパッド１１４から入力された電気信号を増幅し、シグナルパッド１０５へ出力する。シグナルパッド１０５が２つあるのは、差動出力をしているためである。そして、差動出力された信号は、基板１０７上のシグナルパターン１０３を通って、光受信モジュール１００の外部へと出力される。

キャリア１２０は、表面にシグナルパッド１１５、バイアスパッド１１７、薄膜抵抗１１９を含む。なお、キャリア１２０の材料としては、例えば、アルミナ、アルミナイトライド、ガラス、石英などの１ＭΩｍ以上のセラミックを用いるほうが好ましい。

シグナルパッド１１５は、例えば、トランスインピーダンスアンプ１０８側の略中央部に配置される。そして、当該シグナルパッド１１５の外周に沿って、シグナルパッド１１５の周りを囲むように、バイアスパッド１１７が配置される。また、バイアスパッド１１７には、少なくともバイアスパッド１１７の外周の一部に接するように、薄膜抵抗１１９が配置される。つまり、バイアスパッド１１７と、薄膜抵抗１１９が並列接続の関係にあるように薄膜抵抗１１９を配置する。

なお、図１は、一例として、薄膜抵抗１１９が、バイアスパッド１１７のトランスインピーダンスアンプ１０８と逆側の一辺を覆うように配置される場合を示すが、薄膜抵抗１１９がバイアスパッド１１７の外周の少なくとも一部と接するように配置される限り、薄膜抵抗１１９は、図１と異なる位置、形状、サイズで配置してもよい。更に、バイアス電源については、トランスインピーダンスアンプ１０８からではなく、外部からバイアスパッドに供給されるように構成してもよい。具体的には、例えば、図３に示すように、薄膜抵抗１１１０をキャパシタ１１１４と反対側の辺の一部に接するように配置してもよい。

次に、図３を用いて、受光素子１１８に数ＧＨｚ以上の高周波光信号が入力された場合のバイアスパッド周辺の電流の流れについて説明する。受光素子１１８に数ＧＨｚ以上の高周波光信号が入力されると、受光素子１１８は、当該周波数に応じた電流をバイアスパッド１１１１から引き込もうとする。その際、表皮効果によって、高周波信号はバイアスパッド１１１１の外周及び内周に沿って流れる。つまり、図３において、それぞれ、第１の電流パス１１１２、第２の電流パス１１１３に沿って流れる。

ここで、図３に示すように、第１の電流パス１１１２は、第２の電流パス１１１３よりも長い。そのため、第２の電流パス１１１３を通る高周波電流が共振すると、より低周波側で電磁界放射が起きる。例えば、第２の電流パス１１１３を通る高周波電流が３０ＧＨｚで共振すると、第１の電流パス１１１２を通る高周波電流は２０ＧＨｚで共振するなどの現象が起きる。

近年、１００Ｇｂｐｓ伝送に使われる、伝送容量２５Ｇｂｐｓの光受信モジュールにとっては、この低周波側の共振のほうが、性能劣化の原因となる。そこで、バイアスパッド１１１２の外周、つまり、電流パスが長い側のバイアスパッド１１１２の外周（第１の電流パス１１１２）の少なくとも一部に接するように抵抗薄膜１１１０を設けることにより、より低周波側の共振を抑制することができる。なお、上記においては図３を用いて共振を抑制することができる点について説明したが、これは図１及び図２についても同様である。また、当該効果の詳細については後述する。

なお、例えば、図４に示すように、薄膜抵抗１１９を、バイアスパッド１１７の内周に接するように配置してもよいが、上記のように外周の少なくとも一部に薄膜抵抗を設ける方が望ましい。例えば、光通信で使われるパターン符合は、低域からある決まった帯域まで必要とする広帯域な伝送容量を必要とし、上記のようにより低周波側の共振を抑制することが望ましいからである。

また、薄膜抵抗１１９は、更に、受光素子１１８に配置されるバイアスパッドの外周の一部に設けてもよい。例えば、図５に示すように、薄膜抵抗１１９に加えて、薄膜抵抗６０５を、受光素子１１８のキャリア１２０に設置される側の面（裏面）に形成されるバイアスパッド６０４の外周の一部に接するように設けてもよい。具体的には、例えば、バイアスパッド６０４の外周に接するように、受光部６０２の両側に２つの薄膜抵抗６０５を配置する。また、本実施の形態においてはキャリア１２０上の薄膜抵抗１１９と受光素子１１８に設けられた薄膜抵抗６０５は、どちらかにのみ設けてもよいし、両方に同時に設けても構わない。なお、どちらかがあれば、共振を抑制することができる。

上記の場合、図５に示すように、受光素子１１８の裏面には、吸収層６０２、バイアスパッド６０４、シグナルパッド６０３が配置される。そして、上記のように当該バイアスパッド６０４の外周の一部に接するように薄膜抵抗６０５を設けてもよい。なお、バイアス電源は、バイアスパッド６０４から供給され、吸収層６０２において、光信号から電気信号に変換される。また、当該電気信号はシグナルバッド６０３から出力される。なお、受光素子１１８をキャリア１２０に搭載する際には、例えば、キャリア１２０のシグナルパッド１１５及びバイアスパッド１１７と、受光素子６０１のシグナルパッド６０３及びバイアスパッド６０４をそれぞれ半田１１６によって接続する。

次に、薄膜抵抗１１９とバイアスパッド１１７との断面における配置についてより具体的に説明する。薄膜抵抗１１９は、例えば、図６または図７に示すように、バイアスパッド１１７の端部（図中Ａで示した部分）と接するように配置する。より具体的には、例えば、図６に示すように、バイアスパッド１１７の端部に重ねて薄膜抵抗１１９を配置する。または、例えば、図７に示すように、薄膜抵抗１１９上にバイアスパッド１１７の端部が位置するように、バイアスパッド１１７を重ねて配置する。なお、図２に示すように、バイアスパッド１１７と薄膜抵抗１１９を重ねずに、バイアスパッド１１７の端部と薄膜抵抗１１９の端部が接するように配置してもよい。

上記のようにバイアスパッド１１７の端部が薄膜抵抗１１９と接するように配置することにより、高周波電気（電流）信号がバイアスパッド１１７を流れた場合において、表皮効果によりバイアスパッド１１７の端部から漏れ出る高周波の電磁界は減衰され、バイアスパッドでの共振を抑制することができる。

また、薄膜抵抗１１９の電気抵抗は、バイアスパッド１１７よりも電気抵抗を大きくする。例えば、バイアスパッド１１７は、表面を電気抵抗の小さい金属（たとえばＡｕ）で形成し、薄膜抵抗１１９は、ＮｉとＣｒの化合物、ＴａとＮの化合物、Ｔｉ、Ｍｏ等の電気抵抗が大きい材料で形成する。なお、例えば、ＮｉとＣｒの化合物、ＴａとＮの化合物、Ｔｉ、Ｍｏ等の材料で、バイアスパッド１１７と薄膜抵抗１１９の位置にパターニングし、その上からバイアスパッド１１７の部分には、例えば電気抵抗が１００ｎΩｍ以下の金属（例えば、金、アルミ、白金、銀など）をメッキしてもよい。

上記のように、薄膜抵抗１１９の電気抵抗は、バイアスパッド１１７よりも電気抵抗が大きいことから、直流電流（ＤＣ）のほとんどは、バイアスパッド１１７を通って、吸収層１２６まで流れる。しかしながら、高周波周波数域においては、薄膜抵抗１１９についても電流が流れる。これにより、高周波周波数域での共振抑制やノイズ低減を図ることができる。以下図１及び図２に示したキャリア１２０とトランスインピーダンスアンプ１０８周辺の簡略化した等価回路等を用いてより具体的に説明する。

図８は、図１に示したキャリアとトランスインピーダンスアンプ周辺の等価回路を示す図である。なお、理解の容易化のために、当該等価回路は簡略化して示す。

受光素子１１８は、受光した光に比例した電流を出力する電流源２１５と、内部容量２１４、内部抵抗２１２を含む素子と考えることができる。よって、図２においては、受光素子１１８は、電流源２１５と、内部容量２１４、内部抵抗２１２で表される。また、図１及び図２におけるトランスインピーダンスアンプ１０８は、図８における増幅回路２０３及び出力線路２０２に対応する。また、図１及び図２における平板キャパシタ１１１はキャパシタ２１０に対応する。また、ワイヤ１１２は、シグナルワイヤ２０４、バイアスワイヤ２０７、２０８に対応する。

図８に示すように、キャリア１２０上のシグナルパッド（図示せず）、バイアスパッド１１７は、それぞれ、シグナルワイヤ２０４、バイアスワイヤ２０５によって、トランスインピーダンスアンプ１０８上のシグナルパッド（図示せず）、バイアスパッド（図示せず）に接続される。なお、トランスインピーダンスアンプ２０１内のバイアス線路２０６にはフィルタ等を設けてもよい。また、その引き回し方法等は、メーカー各社によって異なる。

ここで、当該等価回路の周波数特性には、増幅回路２０３の性能や受光素子１１８のキャリア走行時間が影響し、また、バイアスワイヤインダクタンス２０５、内部容量２１４、内部抵抗２１２、シグナルワイヤインダクタンス２０４が大きく影響する。

具体的には、当該等価回路の遮断周波数Ｆは、Ｆ＝１／（２＊ｐｉ＊Ｃ＊Ｒ）(C:容量、R：抵抗)・・・（１）で表される。ここで、Ｃ、Ｒは、バイアス線路２０６から出て、増幅回路２０３に入るまでの電流パスに内包される容量と、抵抗である。式（１）からわかるように、ＣとＲが小さい方が、遮断周波数Ｆが大きく、伝送帯域が広くなる。

電流源２１５は、受光信号の周波数に応じた電流をバイアスパッド１１７から引き込もうとする。ところが、バイアスパッド１１７とトランスインピーダンスアンプ１０８のバイアスパッド（図示せず）の間にワイヤインダクタンス２０５があるため、バイアス線路２０６とバイアスパッド１１７の間に電位差を生じる。このような場合、バイアスパッド１１７は、その形状と、長さに応じて、特定の周波数で共振を起す場合がある。そして、バイアスパッド１１７上の共振は、増幅回路２０３に入力されるシグナル信号の劣化を引き起こす。

ここで、共振する周波数は、一般に数ＧＨｚ〜数十ＧＨｚまでの高周波である。これらの高周波は、一般に表皮効果と呼ばれる物理現象により、バイアスパッド１１７の周辺に局在する。そこで、本実施の形態においては、上記のように、薄膜抵抗１１９をバイアスパッド１１７と並列接続となるように設ける。したがって、当該薄膜抵抗１１９にわずかながら高周波電流が流れるようになり、共振効率が下がる。その結果、シグナル信号の劣化を抑制することができる。

次に、図９乃至図１１を用いて、本実施の形態における効果について、シミュレーション結果を用いてより具体的に説明する。なお、シミュレーションにはＡＮＳＹＳ社の電磁界シミュレータＨＦＳＳを用いた。

本シミュレーションにおいては、図９に示すように、パッケージ基板３０１上にトランスインピーダンスアンプ３０２が搭載され、トランスインピーダンスアンプ３０２上に受光素子３０４が搭載される。このように、図９においては、トランスインピーダンスアンプ３０２上に受光素子３０４が搭載されている点で、図１とは異なる。しかし、図１及び図９の構成は実質的に同一であり、キャリア３０３に設けた抵抗薄膜３１５の有無による性能比較を論じる上では問題ない。また、図９においては、バイアスパッド３０６の間に抵抗パターン３１６を挿入しているが、これは、従来の方法のディメリットを述べるためであり、結果については、後述する。なお、本実施の形態において図１ではなく図９に示した構成としてもよいことはいうまでもない。

図１０Ａ及び図１０Ｂは、薄膜抵抗を設けない場合に相当するキャリア上の電磁界分布を説明するための図である。図１０Ａに示すように、キャリア３０３上に薄膜抵抗３１５は設けられていない。図１０Ｂは、図１０Ａに示した場合におけるパッケージ基板３０１を見たキャリア３０３上面の電磁界分布を表す。なお、図１０Ａ及び図１０Ｂは、図９を上方向から見た平面図を表す。

なお、当該シミュレーションにおいては、抵抗パターン３１６は、０Ωとした。また、受光部に入力される信号は、３２．４ＧＨｚとした。なお、理解の容易化のため、図１０Ａ及び図１０Ｂにおいては受光素子３０４を透明で表す。

図１０Ｂに示すように、薄膜抵抗３１５を設けない場合、受光部３１４に光信号が入力されると、バイアスパッド３０６が共振する。具体的には、例えば、図１０Ｂの斜線部分が空中に飛び出している電磁界を示す。そして、共振電磁界は、バイアスパッド３０６の内周ではなく外周に集中する。これは、表皮効果といって、高周波電流がバイアスパッドの外周を流れるようになる現象を表すものである。当該共振した電磁界は、バイアスパッド３０６から空中に飛び出し、光受信モジュールのパッケージ内を飛び交い、トランスインピーダンスアンプ３０２の誤動作を引き起こす場合がある。

図１１Ａは、本実施の形態における薄膜抵抗３１５を設けた場合に相当するキャリア３０３上の電磁界分布を表す図である。具体的には、当該シミュレーションにおいては、図１１Ａに示すように、キャリア３０３上のバイアスパッド３０６と接するように薄膜抵抗３１５（２７０μｍ×３００μｍ）を配置する。また、抵抗値は、１ｃｍ角の正方形で１００Ωを示す値である。また、入力される光信号は３２．４ＧＨｚである。

バイアスパッド３０６を流れる共振は抑制され、電気信号はシグナルパッド３０５を流れる。つまり、図１０Ｂと図１１Ｂを比較するとわかるように、電磁界が空間中に飛び出すことなく、正常に動作する。具体的には、３２．４ＧＨｚの高周波電流がバイアスパッド３０６の端部を流れると、わずかながら薄膜抵抗３１５内を流れる。これにより、共振効率が著しく悪くなり、シグナル信号の劣化が抑制される。

図１２は、薄膜抵抗３１５の抵抗値による効果を検証した図面を示す。ここで、図１２においては、縦軸が伝達特性（S21）を示し、横軸が周波数を示す。図１２からわかるように、薄膜抵抗３１５を設けない場合、３２．４ＧＨｚの周辺に鋭いディップが見られる。すなわち、この周波数近傍の電磁波は、バイアスパッド３０６を離れ、空間中に飛び出すことが分かる。

しかしながら、薄膜抵抗３１５を設けると、薄膜抵抗３１５を設けない場合と比べて、伝達特性劣化が改善していることが分かる。具体的には、１０Ω/□（１ｃｍの正方形で１０Ω）乃至１０００Ω/□の薄膜抵抗３１５を設けた場合に伝達特性劣化が改善する。より具体的には、特に５０Ω/□（１ｃｍの正方形で５０Ω）乃至１００Ω/□の薄膜抵抗３１５を設けた場合、ディッピングやピーキングが少なく、よりフラットな伝達特性を実現することができる。

図１３は、本実施の形態との比較例としてバイアスパッドに直列に抵抗パターンを設けた場合の伝達特性を示す図である。図１３に示すように、当該抵抗パターン３１６の抵抗値が２０Ω〜６０Ωのとき、３２．４ＧＨｚにある共振ディップが小さくなっていることが分かる。しかしながら、この場合、図１２に示した場合と比較すると分かるように、２０ＧＨｚ以下の周波数域において、伝達特性の劣化（低下）が見られる。すなわち、バイアスパッド３０６に直列に抵抗パターン３１６を挿入すると、上記（１）式にしたがって、遮断周波数が低下する。これは、伝送帯域の広い高速光ファイバ通信に使われる、光受信モジュールの性能としては不十分である。これに対し、本実施の形態によれば、図１２と図１３を比較するとわかるように、３０ＧＨｚ以下の周波数域及び３０ＧＨｚ以上の周波数域の両周波数域において、伝達特性をよりフラットにすることができる。

なお、薄膜抵抗３１５に使う抵抗値は、バイアスパッド３０６の形状、大きさ、位置によって異なるが、たとえば１０Ω/□程度の小さな抵抗値から１０００Ω/□程度の抵抗値ぐらいまでが、製造上、無理のない範囲と言える。

本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。

具体的には、例えば、図１４に示すように、上記光受信モジュール１００は、４チャンネル光受信モジュールとして構成してもよい。具体的には、図１４に示すように、アレイ受光素子１８１７は、４チャンネルの吸収層を持ち、それぞれのチャンネルにシグナルパッド(図示なし)、バイアスパッド（図示なし）を有する。そして、上記と同様に、アレイ受光素子１８１７の各パッドは、半田１８１６によってキャリア１８１２上のシグナルパッド１８１３、バイアスパッド１８１４上に搭載される。なお、キャリア１８１２上のバイアスパッド１８１４は、図１４においては、各チャンネルで独立しているが、全チャンネルで共通化されていても良い。

また、上記と同様に、各チャンネルのバイアスパッド１８１４には、抵抗薄膜１８１５が、バイアスパッド１８１４の外周に接するようにされている。これにより、キャリア１８１２上のバイアスパッド１８１４の共振を防止することができる。なお、詳細については、上記光受信モジュール１００と同様であることから、説明を省略する。

アレイ受光素子１８１７において光信号は電気信号に変換され、トランスインピーダンスアンプ１８１１において、チャンネル毎に増幅・出力される。出力するためのパッドは、２つのＧＮＤパッド１８０９の間に、２つの差動のシグナルパッド１８１０があるが、これはＧＳＳＧ構造とよばれる出力パッドの並びである。また、図１４においては、アレイ受光素子１８１７のバイアスは、トランスインピーダンスアンプ１８１１から供給されているがトランスインピーダンスアンプ１８１１を経ずに、外部からバイアスを供給してもよい。その場合、バイアスパッド１８１４は、チャンネル毎で独立させてもよいし、一部を共通化させても良い。

[第２の実施形態]
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。本実施の形態においては、バイアスパッド４１３に印加するバイアス電源を、外部から、ワイヤ４０７、平板コンデンサ４０９等を介して供給する点等が、主に、第１の実施形態と異なる。なお、下記において第１の実施形態と同様である点については説明を省略する。

図１５は、本発明の第２の実施形態について説明するための図である。図１５に示すように、バイアスパッド４１３に印加するバイアス電源は、トランスインピーダンス４１０のパッドから供給するのではなく、外部からワイヤ４０７、平板コンデンサ４０９上の電極を経て供給する。

また、上記第１の実施形態と同様に、バイアスパッド４１３の外周の一部に薄膜抵抗４１２を設ける。具体的には、例えば、本実施の形態においては、バイアスパッド４１３は、Ｌ字形状を有し、薄膜抵抗４１２は、シグナルパッド４１６と反対側に位置する外周の２辺に接するように設ける。なお、当該バイアスパッド４１３の形状は、一例であって、これに限定されるものではない。

更に、上記第１の実施形態と同様に、ある周波数の光信号が受光素子４１７に入力され、その周波数に対応した電流をバイアスパッド４１３から引き込んだ場合、表皮効果の影響が少ないＤＣ〜数ＧＨｚの電流であれば、電流はバイアスパッド４１３の全体にわたって通ることになり、薄膜抵抗４１２の影響を受けることはない。しかし、数ＧＨｚ以上の高周波になると、電流密度はバイアスパッド４１３の縁に局在するようになり、わずかながら、薄膜抵抗４１２の内部を通るようになる。そのため、バイアスパッド４１３での共振は抑えられ、バイアスパッド４１３から電磁界放射の発生を防止することができる。

本発明は、上記第１及び第２の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。

[第３の実施形態]
図１６は、本発明の第３の実施形態を説明するための図である。本実施の形態においては、いわゆるパッケージ基板７０１に光受信モジュールである点が上記第２の実施形態と主に異なる。なお、下記において第２の実施形態と同様である点については説明を省略する。

具体的には、図１６は、トランスインピーダンスアンプ７０５やキャリア７１５を上方からみた概要を示す図である。図１６に示すように、パッケージ基板７０１は、一般的にはステムともよばれ、同軸形状を有する。当該パッケージ基板７０１は、ＣＡＮ型パッケージ等として知られている。当該パッケージ基板７０１の材質としては、例えば、コバール、鉄、ＳＵＳ、ＣｕＷ等に金メッキしたものを用いる。

受光素子７１３へのバイアス電源やトランスインピーダンスアンプ７０５への電源は、リードピン７０９、７１９によって外部から供給される。また、トランスインピーダンスアンプ７０５から出力される電気信号は、シグナルピン７０４によって、光受信モジュールの外部へ出力される。

なお、受光素子７１３等は、外気からの湿度・ゴミ等の影響をさけるため、気密封止してもよい。その場合、パッケージ基板７０１上には、レンズ付きＣＡＰを溶接搭載する。また、誘電体７０３、７１０、７２０としては、例えば、気密性に優れたガラスやセラミックなどの無機材質を用いる。

バイアス電源には、フィルタ抵抗基板７１８と、平板コンデンサ７０２が搭載されており、当該平板コンデンサ７０２は、外部からバイアスピン７１９を通って、受光素子７１３に入るノイズを低減する。

ここで、上記第１及び第２の実施形態と同様に、平板コンデンサ７０２とバイアスパッド７２１の間にはワイヤ７１１があるため、特に高周波域において電位がわずかにずれる。そのため、キャリア７１５上のバイアスパッド７２１は、その寸法と形状に応じて、ある特定の周波数において共振を起しやすくなる。共振が起きた場合、その電磁界は、バイアスパッド７２１から光受信モジュール内部の空間中に放出される。その電磁界ノイズが、トランスインピーダンスアンプ７０５上にシグナルや電源パッドから入力され、増幅出力されると、光受信モジュールの性能は著しく劣化する。

そこで、本実施の形態においても、上記第１及び第２の実施形態と同様に、抵抗薄膜７１４をバイアスパッド７２１の外周に接するように形成する。これにより、共振による電磁界ノイズ放出を抑制することができる。

図１７は、図１６に示した構成の等価回路の概要を示す図である。上記第１の実施形態と同様に、受光素子７１３は、内部抵抗８１３、電流源８１２、内部容量８１０で表される。また、シグナルワイヤ７１１等が、ワイヤインダクタンス８１４等で表される点も上記第１の実施形態と同様であるので、詳細な説明については省略する。

図１７に示すように、受光素子７１３は、キャリア７１５上に搭載され、キャリア７１５とトランスインピーダンスアンプ７０５の間にはワイヤインダクタンス８１４が配置される。ここで、平板コンデンサ８０６とフィルタ抵抗８０４は、光受信モジュール外部にあるバイアス電源８０２から進入するノイズを防ぐ。

しかしながら、高周波領域では、平板コンデンサ８０６の電位と、バイアスパッド７２１の電位は、わずかながら一致しない。そのため、バイアスパッド７２１は、ある周波数において、共振を起しやすい。しかしながら、上記第１の実施形態と同様に、薄膜抵抗７１４がバイアスパッド７２１に並列接続されていることから、共振効率が低下し、電磁界ノイズ放射が抑制されている。

本発明は、上記第１乃至第３の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。

[第４の実施形態]
図１８は、本発明の第４の実施形態を説明するための図である。本実施の形態においては、バイアスパッドとは別に、薄膜抵抗に接するパッドを設ける点が、主に、上記第３の実施形態と異なる。なお、下記において第３の実施形態と同様である点については説明を省略する。

図１８に示すように、キャリア９１５上のバイアスパッド９２１の外周の一部に接するように、薄膜抵抗９１４を設ける。本実施の形態においては、更に、当該薄膜抵抗９１４に接するように、また、バイアスパッド９２１とは接しないようにパッド９２４を形成する。

ここで、パッド９２４は、薄膜抵抗９１４よりも抵抗値を低くする。具体的には、例えば、パッド９２４には、ＤＣが通るように、例えば、０．１Ω以下となるように金メッキ等を行う。

図１９は、本実施の形態の効果を説明するためのシミュレーション結果を示す図である。具体的には、図１９は、３０Ω/□の薄膜抵抗９１４を設けた場合において、パッド９２４を設けた場合と設けなかった場合における伝達特性と周波数の関係を示す。図１９からわかるように、パッド９２４を設けた方が、設けない場合に比べて伝達特性をよりフラットにすることができる。なお、横軸が周波数を表す等については、上記第１の実施形態と同様である説明を省略する。また、図１９においては、パッド９２４を第２電極として示す。

図２０は、図１８で示した光受信モジュールの等価回路の概要を示す。図２０に示すように、キャリア１０１７上のバイアスパッド９２１には、薄膜抵抗９１４を介して、パッド９２４が配置される。

ここで、上記第１乃至第３の実施形態と同様に、光信号が受光素子９１３に入射された場合、電流源１０１２は、電流パス１０１９にしたがって、電流を引き込もうとする。電流がＤＣ〜数ＧＨｚの低周波であれば、電流は、薄膜抵抗９１４やパッド９２４の影響を受けることはない。

しかし、電流が、数ＧＨｚ以上になると、電流は、薄膜抵抗９１４及びパッド９２４の影響を受けるようになる。つまり、薄膜抵抗９１４やパッド９２４がバイアスパッド９２１に対して並列となり、薄膜抵抗９１４やパッド９２４を流れるようになる。なお、当該影響による効果の詳細については、図１９を用いて上記において説明したとおりである。

なお、本実施の形態によれば、シグナルパッド９１２とパッド９２４にプローブ等を押しつけることにより、受光素子９１３のＤＣ特性や高周波特性を検査することもできる。

本発明は、上記第１乃至第４の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。

[第５の実施形態]
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。本実施の形態においては、主に、第４の実施形態と同様にバイアスパッドと並列に接続された抵抗薄膜及び当該抵抗薄膜に接するパッドを設ける点に加え、更に、バイアスパッドに直列に接続された抵抗薄膜を設ける点が異なる。なお、下記において第４の実施形態と同様である点については説明を省略する。

図２１は、本発明の第５の実施形態について説明するための図である。具体的には図２１は、本実施の形態における光受信モジュールの概要を表す斜視図である。また、図２２は、受光素子１３０５の裏面（キャリア１３０１に設置する側の面）からみた平面図である。

図２１及び図２２に示すように、受光素子１３０５上のシグナルパッド１３１７、バイアスパッド１３１６、半田パッド１３１４は、半田１３０３によって、それぞれ、シグナルパッド１３０２、バイアスパッド１３１２、半田パッド１３０４上に搭載される。半田パッド１３０４は、受光素子１３０５とキャリア１３０１との接着強度を高めるためのものである。

受光素子１３０５へのバイアス電源は、外部からワイヤ１３０７、平板コンデンサ１３０８上のパッドを介して、バイアスパッド１３１１に印加される。つまり、外部から入力されるＤＣから数ＧＨｚの電流は、電流パス１３１３に示すように、バイアスパッド１３１１に印加される。

ここで、本実施の形態においては第１の抵抗薄膜１３０６を、バイアスパッド１３１１とバイアスパッド１３１２の間に配置する。つまり、第１の抵抗薄膜１３０６が、電流パス１３１３に沿って、バイアスパッド１３１１及びバイアスパッド１３１２と直列になるように設ける。したがって、第１の抵抗薄膜１３０６をすべての周波数の電流が通る。そのため、遮断周波数を小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、第１の抵抗薄膜１３０６を所定の位置に所定の形状で設けることにより、所望の性能を持った光受信モジュールを提供することができる

また、上記第４の実施形態と同様に、バイアスパッド１３１１に接するように第２の薄膜抵抗１３１０を設け、更に、第２の抵抗薄膜１３１０に接するようにパッド１３０９を設ける。当該第２の抵抗薄膜１３１０及びパッド１３０９は、電流パス１３１３の中にないため、ＤＣ〜数ＧＨｚでは、ほとんど影響をもたらさない。しかしながら、数ＧＨｚ以上で効果を発揮し、抵抗薄膜１３１０、パッド１３０９の大きさ・形状に応じておきる共振を抑制する。

上記のように、上記第４の実施の形態の効果に加え、本実施の形態によれば、所望の性能を持った光受信モジュールを提供することができる。

本発明は、上記第１乃至第５の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。

例えば、上記第２の抵抗薄膜１３１０を図２３に示す位置に設けてもよい。この場合、上記と同様に、受光素子１３０５に対するバイアス電源は、ワイヤ１３０７、平板コンデンサ１３０８上のパッドを介して供給される。ＤＣ〜数ＧＨｚという比較的低い周波数の電流は、第１の抵抗薄膜１３０６、バイアスパッド１３１１の経路、すなわち、電流パス１３１３にしたがって流れる。全周波数の電流が流れる第１の抵抗薄膜１３０６は、遮断周波数を低くする。そして、数ＧＨｚ以上の高周波になると、バイアスパッド１３１１に流れた電流の一部が、第２の抵抗薄膜１３１０にも流れるようになる。そのため、バイアスパッド１３１１での共振を抑制することができる。すなわち、第１の抵抗薄膜１３０６と、第２の抵抗薄膜１３１０をバイアスパッド１３１１につける位置、組み合わせによって、所望の性能を持った光受信モジュールを提供することができる。

[第６の実施形態]
次に、本発明の第６の実施形態について説明する。本実施の形態においては、トランスインピーダンスアンプ１５０１上に、受光素子１５０４を設ける点が、主に、上記第１の実施形態と異なる。なお、下記において第１の実施形態等と同様である点については説明を省略する。

図２４は、本実施の形態における光受信モジュールについて説明するための図である。図２４に示すように、受光素子１５０４は、例えば、接着剤等によりトランスインピーダンスアンプ１５０１上に搭載固定される。

上記第１の実施形態と同様に、トランスインピーダンスアンプ１５０１の電源は、外部よりワイヤ１５０５、平板キャパシタ１５１２上のパッドを経て、電源パッド１５１１に供給される。受光素子１５０４のバイアスは、トランスインピーダンスアンプ１５０１内で電源から生成または分岐され、バイアスパッド１５０３から受光素子１５０４上のバイアスパッド１５０６に供給される。

ここで、受光素子１５０４は、吸収層１５０８が表面（図２４の上側）に位置する表面入射型受光素子である。よって、シグナルパッド１５０７、バイアスパッド１５０６も、受光素子１５０４の表面側にある。

上記第１の実施形態と同様に、抵抗薄膜１５０９を、バイアスパッド１５０６の外周に沿ってバイアスパッド１５０６と並列接続となるように配置する。これにより、バイアスパッド１５０６における共振を抑制することができる。

本発明は、上記第１乃至第６の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。例えば、上記においては、トランスインピーダンスアンプを用いた場合を例として説明したが、プリアンプ、リミッティングアンプ、オートゲインコントローラ等のアンプを用いてもよい。

１０１ ＧＮＤパターン、１０２ スルーホール、１０３ シグナルパターン、１０４ ＧＮＤ パッド、１０５ シグナルパッド、１０６ ＧＮＤパッド、１０７ 基板、１０８ トランスインピーダンスアンプ、１０９ バイアスパッド、１１０ 電源パッド、１１１ 平板キャパシタ、１１２ ワイヤ、１１３ バイアスパッド、１１４ シグナルパッド、１１５ シグナルパッド、１１６ 半田、１１７ バイアスパッド、１１８ 受光素子、１１９ 薄膜抵抗、１２０ キャリア、１２１ パッケージ基板、１２２ ファイバクラッド層、１２３ ファイバコア層、１２４ レンズ、１２５ 光軸、１２６ 吸収層、１２７ バイアスパッド、１２８ シグナルパッド、１２９ ファイバ、２０１ トランスインピーダンスアンプ、２０２ 出力線路、２０３ 増幅回路、２０４ シグナルワイヤインダクタンス、２０５ バイアスワイヤインダクタンス、２０６ バイアス線路、２０７ バイアスワイヤインダクタンス、２０８ バイアス線路インダクタンス、２０９ バイアス電源、２１０ キャパシタ、２１１ グランド、２１２ 内部抵抗、２１４ 内部容量、２１５ 電流源、３０１ パッケージ基板、３０２ トランスインピーダンスアンプ、３０３ キャリア、３０４ 受光素子、３０５ シグナルパッド、３０６ バイアスパッド、３０７ バイアスワイヤ、３０８ シグナルワイヤ、３０９ シグナルパッド、３１０ バイアスパッド、３１１ シグナルパッド、３１２ バイアスパッド、３１３ 半田用パッド、３１４ 受光部、３１６ 抵抗パターン、４０１ ＧＮＤパターン、４０２ スルーホール、４０３ シグナルパターン、４０４ 基板、４０５ シグナルパッド、４０６ ＧＮＤパッド、４０７ ワイヤ、４０８ 電源パッド、４０９ 平板コンデンサ、４１０ トランスインピーダンスアンプ、４１１ シグナルパッド、４１２ 薄膜抵抗、４１３ バイアスパッド、４１４ 半田、４１５ キャリア、４１６ シグナルパッド、４１７ 受光素子、６０２ 吸収層、６０３ シグナルパッド、６０４ バイアスパッド、６０５ 薄膜抵抗、７０１ パッケージ基板、７０２ 平板コンデンサ、７０３ 誘電体、７０４ シグナルピン、７０５ トランスインピーダンスアンプ、７０６ シグナルパッド、７０７ ＧＮＤパッド、７０８ 平板コンデンサ、７０９ 電源ピン、７１０ 誘電体、７１１ シグナルワイヤ、７１２ シグナルパッド、７１３ 受光素子、７１４ 薄膜抵抗、７１５ キャリア、７１６ バイアスパッド、７１７ フィルタ抵抗、７１８ フィルタ抵抗基板、７１９ バイアスピン、７２０ 誘電体、７２１ バイアスパッド、７２２ 電流パス、７２３ 電流パス、８０１ ＧＮＤ、８０２ バイアス電源、８０３ 線路インダクタンス、８０４ フィルタ抵抗、８０５ ワイヤインダクタンス、８０６ 平板コンデンサ、８０７ ワイヤインダクタンス、８１０ 内部容量、８１２ 電流源、８１３ 内部抵抗、８１４ ワイヤインダクタンス、８１５ 増幅回路、８１６ 差動出力線路、８１９ 電流パス、８２０ 電流パス、９０１ パッケージ基板、９０２ 平板コンデンサ、９０３ 誘電体、９０４ シグナルピン、９０５ トランスインピーダンスアンプ、９０６ シグナルパッド、９０７ ＧＮＤパッド、９０８ 平板コンデンサ、９０９ 電源ピン、９１０ 誘電体、９１１ シグナルワイヤ、９１２ シグナルパッド、９１３ 受光素子、９１４ 薄膜抵抗、９１５ キャリア、９１６ バイアスパッド、９１７ フィルタ抵抗、９１８ フィルタ抵抗基板、９１９ バイアスピン、９２０ 誘電体、９２１ バイアスパッド、９２２ 電流パス、９２３ 電流パス、９２４ パッド、１００１ ＧＮＤ、１００２ バイアス電源、１００３ 線路インダクタンス、１００４ フィルタ抵抗、１００５ ワイヤインダクタンス、１００６ 平板コンデンサ、１００７ ワイヤインダクタンス、１０１０ 内部容量、１０１２ 電流源、１０１３ 内部抵抗、１０１４ ワイヤインダクタンス、１０１５ 増幅回路、１０１６ 差動出力線路、１０１７ キャリア、１０１９ 電流パス、１０２０ 電流パス、１１０１ トランスインピーダンスアンプ、１１０２ シグナルパッド、１１０３ ＧＮＤパッド、１１０４ ワイヤ、１１０５ キャリア、１１０６ ワイヤ、１１０７ シグナルパッド、１１０８ 電流パス、１１０９ 半田、１１１０ 薄膜抵抗、１１１１ バイアスパッド、１１１２ 第１の電流パス、１１１３ 第２の電流パス、１１１４ キャパシタ、１１１５ ワイヤ、１３０１ キャリア、１３０２ シグナルパッド、１３０３ 半田、１３０４ 半田パッド、１３０５ 受光素子、１３０６ 第１の薄膜抵抗、１３０７ ワイヤ、１３０８ 平板コンデンサ、１３０９ パッド、１３１０ 第２の薄膜抵抗、１３１１ バイアスパッド、１３１２ バイアスパッド、１３１３ 電流パス、１３１４ 半田パッド、１３１５ 吸収層、１３１６ バイアスパッド、１３１７ シグナルパッド、１５０１ トランスインピーダンスアンプ、１５０２ シグナルパッド、１５０３ バイアスパッド、１５０４ 受光素子、１５０５ ワイヤ、１５０６ バイアスパッド、１５０７ シグナルパッド、１５０８ 吸収層、１５０９ 抵抗薄膜、１５１０ 平板キャパシタ、１５１１ 電源パッド、１５１２ 平板キャパシタ、１５１３ ＧＮＤパッド、１５１４ 基板、１５１５ ＧＮＤパッド、１５１６ シグナルパッド、１５１７ スルーホール、１８０１ 基板、１８０２ ＧＮＤパッド、１８０３ スルーホール、１８０４ シグナルパッド、１８０５ ワイヤ、１８０６ 平板コンデンサ、１８０７ 電源パッド、１８０８ ＧＮＤパッド、１８０９ ＧＮＤパッド、１８１０ シグナルパッド、１８１１ トランスインピーダンスアンプ、１８１２ キャリア、１８１３ シグナルパッド、１８１４ バイアスパッド、１８１５ 抵抗薄膜、１８１６ 半田、１８１７ アレイ受光素子。

Claims (9)

1. 受光した光信号を電気信号に変換する受光素子と、
   前記受光素子及び／または前記受光素子が搭載されるキャリアに含まれるとともに、バイアス電源が供給されるバイアスパッドと、
   前記バイアスパッドと並列接続となるように前記バイアスパッドと接して配置されるとともに、前記バイアスパッドよりも電気抵抗が大きい抵抗薄膜と、
   前記電気信号を増幅するアンプと、
   を含むことを特徴とする光受信モジュール。
2. 請求項１に記載の光受信モジュールにおいて、
   前記薄膜抵抗は、前記バイアスパッドの外周に前記バイアスパッドと接するように設けられることを特徴とする光受信モジュール。
3. 請求項１または２に記載の光受信モジュールにおいて、
   前記光受信モジュールは、更に、前記バイアスパッドには接触せずに前記薄膜抵抗に接するように配置された、前記薄膜抵抗の抵抗値よりも抵抗値が小さいパッドを含むことを特徴とする光受信モジュール。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、
   前記薄膜抵抗は、前記バイアスパッドの端部が、前記薄膜抵抗と接するように配置されていることを特徴とする光受信モジュール。
5. 請求項１乃至３のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、
   前記薄膜抵抗は、前記バイアスパッドの端部が、前記薄膜抵抗と重なるように配置されていることを特徴とする光受信モジュール。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、
   前記薄膜抵抗は、前記キャリアに含まれるバイアスパッドに接するように設けられることを特徴とする光受信モジュール。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、
   前記薄膜抵抗は、前記受光素子に含まれるバイアスパッドに接するように設けられることを特徴とする光受信モジュール。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、
   前記バイアスパッドには、ワイヤを介して、バイアス電源が供給されることを特徴とする光受信モジュール。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の光受信モジュールにおいて、
   前記アンプは、トランスイピーダンスアンプ、プリアンプ、リミティングアンプ、または、オートゲインコントローラのいずれかであることを特徴とする光受信モジュール。

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