JP2014039032A - プリント回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマエッチング法でテーパ状のビアホールを形成することができるとともに、多数個のビアホールを同時に形成することができるプリント回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のプリント回路基板の製造方法は、絶縁層１１１及び前記絶縁層の内部に形成された接続パッド１２２を含むベース基板１１０を準備する段階と、前記絶縁層の上部に感光性レジストを形成する段階と、前記感光性レジストをパターニングし、側面がフット（Ｆｏｏｔ）状である開口部を形成する段階と、前記開口部によって露出された前記絶縁層をエッチングし、前記接続パッドを露出させるビアホール１７１を形成する段階と、前記ビアホールを充填し、ビアを形成する段階と、を含むものである。
【選択図】図１８

Description

本発明は、プリント回路基板の製造方法に関する。

近年、半導体チップの高密度化及び信号伝達速度の高速化に対応するための技術として、半導体チップをプリント回路基板に直接実装する技術に対する要求が高まっている。これに伴い、半導体チップの高密度化に対応できる高密度及び高信頼性のプリント回路基板の開発が要求されている。

高密度及び高信頼性のプリント回路基板に対する要求仕様は、半導体チップの仕様と密接に関わっており、回路の微細化、高度の電気特性、高速の信号伝達構造、高信頼性、高機能性など多くの課題がある。このような課題に応えるべく、ビアホールを形成できるプリント回路基板の技術が要求されている。

特許文献１には、ビアホールを通常レーザやドリルを用いて加工する技術が開示されている。しかし、レーザやドリルを用いてビアホールを加工する場合、多数個のビアホールを個別に加工しなければならない。プラズマを用いてビアホールを加工する場合、多数個のビアホールを同時に加工することができる。しかし、プラズマエッチングは、プラズマの直進特性によってビアホールが直角にエッチングされる。このようにビアホールがテーパ状ではなく、直角にエッチングされる場合、後ほどビアホールを電解めっきで充填する際、内部にボイド（Ｖｏｉｄ）が発生する可能性がある。

米国特許第６２４０６３６号明細書

本発明の目的は、感光性レジストの開口部をフット状に形成することで、プラズマエッチング法でもテーパ状のビアホールを形成することができるプリント回路基板の製造方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、プラズマエッチング法で多数個のビアホールを同時に形成することができるプリント回路基板の製造方法を提供することにある。

本発明の実施例によると、絶縁層及び前記絶縁層の内部に形成された接続パッドを含むベース基板を準備する段階と、前記絶縁層の上部に感光性レジストを形成する段階と、前記感光性レジストをパターニングし、側面がフット（Ｆｏｏｔ）状である開口部を形成する段階と、前記開口部によって露出された前記絶縁層をエッチングし、前記接続パッドを露出させるビアホールを形成する段階と、前記ビアホールを充填し、ビアを形成する段階と、を含むプリント回路基板の製造方法が提供される。

前記感光性レジストは、ポジ型（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ）感光性物質で形成されることができる。

前記側面がフット状である開口部を形成する段階は、前記感光性レジストの上部に、前記開口部のパターニングのためのマスク（Ｍａｓｋ）を形成する段階と、前記感光性レジストを露光する段階と、前記マスクを除去する段階と、前記感光性レジストを現像し、前記開口部を形成する段階と、を含むことができる。

前記マスクを形成する段階において、前記マスクは、前記感光性レジストの開口部が形成される領域の上部が閉鎖されるようにパターニングされることができる。

前記開口部を形成する段階において、前記開口部のフットは、前記露光時に露光量によって調節されることができる。

前記開口部を形成する段階において、前記開口部のフットは、過現像または未現像の条件下で現像を行うことで形成されることができる。

前記開口部を形成する段階において、前記開口部のフットは、前記感光性レジストの厚さによって調節されることができる。

前記感光性レジストを露光する段階の前に、前記感光性レジストを硬化する段階をさらに含むことができる。

前記感光性レジストは、ネガ型（Ｎｅｇａｔｉｖｅ）感光性物質で形成されることができる。

前記側面がフット状である開口部を形成する段階は、前記感光性レジストの上部に、前記開口部のパターニングのためのマスク（Ｍａｓｋ）を形成する段階と、前記感光性レジストを露光する段階と、前記マスクを除去する段階と、前記感光性レジストを現像し、前記開口部を形成する段階と、を含むことができる。

前記マスクを形成する段階において、前記マスクは、前記感光性レジストの開口部が形成される領域の上部が開放されるようにパターニングされることができる。

前記開口部を形成する段階において、前記開口部のフットは、前記露光時に露光量によって調節されることができる。

前記開口部を形成する段階において、前記開口部のフットは、過現像または未現像の条件下で現像を行うことで形成されることができる。

前記開口部を形成する段階において、前記開口部のフットは、前記感光性レジストの厚さによって調節されることができる。

前記ビアホールを形成する段階において、前記ビアホールは、プラズマ（Ｐｌａｓｍａ）エッチング法で形成されることができる。

前記ビアホールを形成する段階の後、前記絶縁層の上部に残存する感光性レジストを除去する段階をさらに含むことができる。

前記感光性レジストを形成する段階において、前記感光性レジストは、液状で塗布されることができる。

本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法によると、感光性レジストの開口部をフット状に形成することで、プラズマエッチング法でテーパ状のビアホールを形成することができる。

本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法によると、プラズマエッチング法でビアホールを形成することで、多数個のビアホールを同時に形成することができる。

本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。 本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。

本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ相違する図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。

以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。

図１から図９は、本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。

図１を参照すると、ベース基板１１０を準備することができる。ベース基板１１０は、絶縁層１１１及び回路層１２０を含むことができる。

絶縁層１１１は、通常、層間絶縁素材として使用される複合高分子樹脂で形成することができる。例えば、絶縁層１１１は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂で形成することができる。また、絶縁層は、基板またはフィルムの形状に形成することができる。しかし、本発明の実施例において、絶縁層の材質及び形状は限定されるものではない。

回路層１２０は、回路パターン１２１、接続パッド１２２及びビア（不図示）を含むことができる。回路層１２０は、伝導性金属で形成することができる。例えば、伝導性金属は、金、銀、亜鉛、ニッケル、銅などの電気伝導が可能な金属であることができる。

回路層１２０は、絶縁層１１１の内部に形成することができる。図１では、絶縁層１１１内に形成された回路層１２０が単層で図示されているが、これに限定されない。即ち、回路層１２０は、単層だけでなく、多層に形成することができる。

図２を参照すると、ベース基板１１０の上部に感光性レジスト１３１を形成することができる。感光性レジスト１３１は、ベース基板１１０の絶縁層１１１の上部に形成することができる。本発明の実施例において、感光性レジスト１３１は、ポジ型（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ）感光性物質で形成することができる。また、感光性レジスト１３１は、液状で絶縁層１１１の上部に塗布することで形成することができる。感光性レジスト１３１は、後ほど形成される開口部１４０にフット（Ｆｏｏｔ）を形成するほどの厚さを有するように形成することができる。即ち、感光性レジスト１３１の厚さによって、後ほど形成される開口部１４０のフットの形状を調節することができる。例えば、感光性レジスト１３１は、商業用として一般的な範囲である１０μｍ〜１５０μｍの厚さを有することができる。しかし、感光性レジスト１３１の厚さは、これに限定されず、開口部１４０を形成する際、フットを形成することができる数ｎｍ〜数ｍｍの範囲内の厚さを有することができる。

図３を参照すると、感光性レジスト１３１の上部にマスク２１０を形成することができる。マスク２１０は、感光性レジスト１３１の開口部１４０が形成される領域の上部に形成することができる。マスク２１０は、感光性レジスト１３１の開口部１４０が形成される領域に相当する部分が閉鎖された形状に形成することができる。即ち、マスク２１０は、感光性レジスト１３１の開口部１４０が形成される領域以外の領域が外部に露出されるように形成することができる。

図４を参照すると、感光性レジスト１３１に開口部１４０を形成することができる。感光性レジスト１３１の開口部１４０は、接続パッド１２２の上部に位置した絶縁層１１１が露出されるように形成することができる。

開口部１４０は、感光性レジスト１３１に対して露光及び現像を行うことで形成することができる。先ず、感光性レジスト１３１に対して熱硬化を行うことができる。

熱硬化を行った後、感光性レジスト１３１に対して露光を行うことができる。この際、感光性レジスト１３１のマスク２１０によって閉鎖された領域以外の部分に対して、露光を行うことができる。この際、露光量を調節することで、後ほど開口部１４０をフット状に形成することができる。例えば、露光は、ステップ段数が±２０％〜２５０％の範囲内の露光量で行うことができる。しかし、露光を行う際、露光量は、これに限定されず、開口部１４０のフットを調節することができれば、ステップ段数が±１％〜５００％である条件下で行うことができる。

露光を行った後、感光性レジスト１３１の上部に形成されたマスク２１０を除去することができる。

マスク２１０を除去した後、感光性レジスト１３１に対して現像を行うことができる。感光性レジスト１３１の露光が行われていない部分は、現像液によって除去することができる。即ち、感光性レジスト１３１のマスク２１０によって閉鎖された領域が除去されることで、開口部１４０を形成することができる。この際、過現像または未現像が生じる条件下で現像を行うことで、開口部１４０のフットを形成することができる。

このように、熱硬化、露光及び現像を行うことで、感光性レジスト１３１には、側面１４１がフット状である開口部１４０を形成することができる。

本発明の実施例において、側面１４１がフット状である開口部１４０を形成するために、露光前に熱硬化を行ったが、これに限定されない。熱硬化段階は、感光性レジスト１３１の材質などにより当業者によって容易に省略することができる。

また、本発明の実施例において、開口部１４０のフットを形成するために露光と現像の両方をそれぞれの条件に従って行ったが、これに限定されない。即ち、開口部１４０のフットを形成するための露光条件及び現像条件のうち何れか一つのみを選択して行うことで、フット状の開口部１４０を形成することができる。

図５を参照すると、ベース基板１１０にビアホール１５０を形成することができる。ビアホール１５０は、感光性レジスト１３１の開口部１４０によって露出された絶縁層１１１をエッチングすることで形成することができる。ビアホール１５０は、プラズマ（Ｐｌａｓｍａ）エッチング法で形成することができる。プラズマエッチングは、多数個のビアホール１５０を同時に形成することができる利点がある。プラズマエッチングは、接続パッド１２２が外部に露出するまで行うことができる。

ここで、プラズマエッチングの際、感光性レジスト１３１のフット状の開口部１４０によって、ビアホール１５０をテーパ（Ｔａｐｅｒ）状に形成することができる。開口部１４０の側面１４１が傾斜を有するフット状であって、開口部１４０の上部直径と下部直径がそれぞれ異なる。即ち、開口部１４０の側面１４１は、開口部１４０の中心に向かって高さが徐々に小さくなる形状を有することができる。従って、開口部１４０の中心に向かって感光性レジスト１３１の厚さが徐々に小さくなる形状に形成することができる。プラズマエッチングの際、感光性レジスト１３１の厚さに比例して、絶縁層１１１をエッチングすることができる。即ち、感光性レジスト１３１の厚さの厚い領域は、絶縁層１１１が薄くエッチングされ、感光性レジスト１３１の厚さの薄い領域は、絶縁層１１１が深くエッチングされ、感光性レジスト１３１が存在していない領域は、最大限にエッチングされる。

このように感光性レジスト１３１の開口部１４０がフット状に形成されることで、直進性を有するプラズマでエッチングを行う場合にも、ビアホール１５０をテーパ状に形成することができる。

プラズマエッチングの特性によって絶縁層１１１をエッチングする際、プラズマに露出された感光性レジスト１３１も同時にエッチングすることができる。従って、図５に図示されたように、ビアホール１５０を形成することで、感光性レジスト１３１は、除去されたり、厚さを減少することができる。

図６を参照すると、ベース基板１１０の上部に残存する感光性レジスト１３１を除去することができる。ビアホール１５０を形成するために行われたプラズマエッチングによって、感光性レジスト１３１も除去することができる。しかし、感光性レジスト１３１の厚さが厚いと、ビアホール１５０を形成した後にもベース基板１１０の上部に感光性レジスト１３１が残存し得る。このように、ベース基板１１０に残存する感光性レジスト１３１を除去するために、デスミア（Ｄｅｓｍｅａｒ）工程を行うことができる。

図７を参照すると、絶縁層１１１の上部及びビアホール１５０の内壁にシード層１６０を形成することができる。シード層１６０は、後ほど行われる電解メッキのための引込み線の機能を果たすために形成することができる。シード層１６０を形成する方法は、特に限定されず、当業界に公知された通常の蒸着法によって形成することができる。例えば、シード層１６０は、無電解メッキ法のような湿式メッキ法で形成することができる。また、シード層１６０は、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）のような乾式メッキ法で形成することができる。

図８を参照すると、シード層１６０の上部及びビアホール１５０の内部に、金属層１７０を形成することができる。金属層１７０は、伝導性金属で形成することができる。例えば、伝導性金属は、金、銀、亜鉛、ニッケル、銅などの電気伝導が可能な金属であることができる。金属層１７０を形成する方法は、特に限定されず、当業界に公知された通常の蒸着法によって形成することができる。例えば、金属層１７０は、シード層１６０を引込み線にして、電解メッキ法を用いて形成することができる。

図９を参照すると、ビア１７１を形成することができる。ビア１７１は、ビアホール１５０の内部に充填された金属層１７０以外の他の金属層１７０とシード層１６０を除去することで形成することができる。例えば、金属層１７０及びシード層１６０は、物理的な研磨加工によって除去することができる。また、金属層１７０及びシード層１６０は、乾式エッチング法または湿式エッチング法で除去することができる。図９では、ビア１７１のみが形成されることを図示しているが、これに限定されない。即ち、金属層１７０をパターニングすることで、ビア１７１だけでなく絶縁層１１１の上部に回路パターンを形成することができる。

図１０から図１８は、本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法を示す例示図である。

図１０を参照すると、ベース基板１１０を準備することができる。ベース基板１１０は、絶縁層１１１及び回路層１２０を含むことができる。

絶縁層１１１は、通常、層間絶縁素材として使用される複合高分子樹脂で形成することができる。例えば、絶縁層１１１は、プリプレグ、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ ｕｐ Ｆｉｌｍ）及びＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などのエポキシ系樹脂で形成することができる。また、絶縁層は、基板またはフィルムの形状に形成することができる。しかし、本発明の実施例において、絶縁層の材質及び形状は限定されるものではない。

回路層１２０は、回路パターン１２１、接続パッド１２２及びビア（不図示）を含むことができる。回路層１２０は、伝導性金属で形成することができる。例えば、伝導性金属は、金、銀、亜鉛、ニッケル、銅などの電気伝導が可能な金属であることができる。

回路層１２０は、絶縁層１１１の内部に形成することができる。図１では、絶縁層１１１内に形成された回路層１２０が単層で図示されているが、これに限定されない。即ち、回路層１２０は、単層だけでなく多層に形成することができる。

図１１を参照すると、ベース基板１１０の上部に感光性レジスト１３２を形成することができる。感光性レジスト１３２は、ベース基板１１０の絶縁層１１１の上部に形成することができる。本発明の実施例において、感光性レジスト１３２は、ネガ型（Ｎｅｇａｔｉｖｅ）感光性物質で形成することができる。また、感光性レジスト１３２は、液状で絶縁層１１１の上部に塗布することで形成することができる。感光性レジスト１３２は、後ほど形成される開口部１４０にフット（Ｆｏｏｔ）を形成するほどの厚さを有するように形成することができる。即ち、感光性レジスト１３２の厚さによって、後ほど形成される開口部１４０のフットの形状を調節することができる。例えば、感光性レジスト１３２は、商業用として一般的な範囲である１０μｍ〜１５０μｍの厚さを有することができる。しかし、感光性レジスト１３２の厚さは、これに限定されず、開口部１４０を形成する際、フットを形成することができる数ｎｍ〜数ｍｍの範囲内の厚さを有することができる。

図１２を参照すると、感光性レジスト１３２の上部にマスク２１０を形成することができる。マスク２１０は、感光性レジスト１３２の開口部１４０が形成される領域に相当する部分が開放された形状に形成することができる。即ち、マスク２１０は、感光性レジスト１３２の開口部１４０が形成される領域のみが外部に露出されるように形成することができる。

図１３を参照すると、感光性レジスト１３２に開口部１４０を形成することができる。感光性レジスト１３２の開口部１４０は、接続パッド１２２の上部に位置した絶縁層１１１が露出されるように形成することができる。

開口部１４０は、感光性レジスト１３２に対して露光及び現像を行うことで形成することができる。

先ず、感光性レジスト１３２に対して露光を行うことができる。この際、感光性レジスト１３２のマスク２１０によって開放された領域のみに対して露光を行うことができる。この際、露光量を調節することで、後ほど開口部１４０をフット状に形成することができる。例えば、露光は、ステップ段数が±２０％〜２５０％の範囲内の露光量で行うことができる。しかし、露光を行う際、露光量は、これに限定されず、開口部１４０のフットを調節することができれば、ステップ段数が±１％〜５００％の条件下で行うことができる。

露光を行った後、感光性レジスト１３２の上部に形成されたマスク２１０を除去することができる。

マスク２１０を除去した後、感光性レジスト１３２に対して現像を行うことができる。感光性レジスト１３２の露光が行われた部分を現像液によって除去することができる。この際、過現像または未現像が生じる条件下で現像を行うことで、開口部１４０のフットを形成することができる。

このように露光及び現像を行うことで、感光性レジスト１３２には、側面１４１がフット状である開口部１４０を形成することができる。

本発明の実施例において、開口部１４０のフットを形成するために露光と現像の両方をそれぞれの条件に従って行ったが、これに限定されない。即ち、開口部１４０のフットを形成するための露光条件及び現像条件のうち何れか一つのみを選択して行うことで、フット状の開口部１４０を形成することができる。

図１４を参照すると、ベース基板１１０にビアホール１５０を形成することができる。ビアホール１５０は、感光性レジスト１３２の開口部１４０によって露出された絶縁層１１１をエッチングすることで形成することができる。ビアホール１５０は、プラズマ（Ｐｌａｓｍａ）エッチング法で形成することができる。プラズマエッチングは、接続パッド１２２が外部に露出されるまで行うことができる。

ここで、プラズマエッチングの際、感光性レジスト１３２のフット状の開口部１４０によって、ビアホール１５０をテーパ（Ｔａｐｅｒ）状に形成することができる。開口部１４０の側面１４１が傾斜を有するフット状であって、開口部１４０の上部直径と下部直径がそれぞれ異なる。即ち、開口部１４０の側面１４１は、開口部１４０の中心に向かって高さが徐々に小さくなる形状を有することができる。従って、開口部１４０の中心に向かって感光性レジスト１３２の厚さが徐々に小さくなる形状に形成することができる。プラズマエッチングの際、感光性レジスト１３２の厚さに比例して、絶縁層１１１をエッチングすることができる。即ち、感光性レジスト１３２の厚さの厚い領域は、絶縁層１１１が薄くエッチングされ、感光性レジスト１３２の厚さの薄い領域は、絶縁層１１１が深くエッチングされ、感光性レジスト１３２が存在していない領域は、最大限にエッチングされる。

このように感光性レジスト１３２の開口部１４０がフット状に形成されることで、直進性を有するプラズマでエッチングを行う場合にも、ビアホール１５０をテーパ状に形成することができる。

プラズマエッチングの特性によって絶縁層１１１をエッチングする際、プラズマに露出された感光性レジスト１３２も同時にエッチングすることができる。従って、図１４に図示されたように、ビアホール１５０が形成されることで、感光性レジスト１３２は、除去されたり、厚さを減少することができる。

図１５を参照すると、ベース基板１１０の上部に残存する感光性レジスト１３２を除去することができる。ビアホール１５０を形成するために行われたプラズマエッチングによって、感光性レジスト１３２も除去することができる。しかし、感光性レジスト１３２の厚さが厚いと、ビアホール１５０を形成した後にもベース基板１１０の上部に感光性レジスト１３２が残存し得る。このようにベース基板１１０に残存する感光性レジスト１３２を除去するために、デスミア（Ｄｅｓｍｅａｒ）工程を行うことができる。

図１６を参照すると、絶縁層１１１の上部及びビアホール１５０の内壁にシード層１６０を形成することができる。シード層１６０は、後ほど行われる電解メッキのための引込み線の機能を果たすために形成することができる。シード層１６０を形成する方法は、特に限定されず、当業界に公知された通常の蒸着法によって形成することができる。例えば、シード層１６０は、無電解メッキ法のような湿式メッキ法で形成することができる。また、シード層１６０は、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）のような乾式メッキ法で形成することができる。

図１７を参照すると、シード層１６０の上部及びビアホール１５０の内部に金属層１７０を形成することができる。金属層１７０は、伝導性金属で形成することができる。例えば、伝導性金属は、金、銀、亜鉛、ニッケル、銅などの電気伝導が可能な金属であることができる。金属層１７０を形成する方法は、特に限定されず、当業界に公知された通常の蒸着法によって形成することができる。例えば、金属層１７０は、シード層１６０を引込み線にして、電解メッキ法を用いて形成することができる。

図１８を参照すると、ビア１７１を形成することができる。ビア１７１は、ビアホール１５０の内部に充填された金属層１７０以外の他の金属層１７０とシード層１６０を除去することで形成することができる。例えば、金属層１７０及びシード層１６０は、物理的な研磨加工によって除去することができる。また、金属層１７０及びシード層１６０は、乾式エッチング法または湿式エッチング法によって除去することができる。図９では、ビア１７１のみが形成されることを図示しているが、これに限定されない。即ち、金属層１７０をパターニングすることで、ビア１７１だけでなく絶縁層１１１の上部に回路パターンを形成することができる。

本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法によると、感光性レジストの開口部をフット状に形成することで、プラズマエッチング法でテーパ状のビアホールを形成することができる。また、本発明の実施例によるプリント回路基板の製造方法によると、プラズマエッチング法でビアホールを形成することで、多数個のビアホールを同時に形成することができる。

以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。

本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。

本発明は、プリント回路基板の製造方法に適用可能である。

１１０ ベース基板
１１１ 絶縁層
１２０ 回路層
１２１ 回路パターン
１２２ 接続パッド
１３１、１３２ 感光性レジスト
１４０ 開口部
１４１ 側面
１５０ ビアホール
１６０ シード層
１７０ 金属層
１７１ ビア
２１０ マスク

Claims (17)

1. 絶縁層及び前記絶縁層の内部に形成された接続パッドを含むベース基板を準備する段階と、
   前記絶縁層の上部に感光性レジストを形成する段階と、
   前記感光性レジストをパターニングし、側面がフット（Ｆｏｏｔ）状である開口部を形成する段階と、
   前記開口部によって露出された前記絶縁層をエッチングし、前記接続パッドを露出させるビアホールを形成する段階と、
   前記ビアホールを充填し、ビアを形成する段階と、
   を含むプリント回路基板の製造方法。
2. 前記感光性レジストは、ポジ型（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ）感光性物質で形成される請求項１に記載のプリント回路基板の製造方法。
3. 前記側面がフット状である開口部を形成する段階は、
   前記感光性レジストの上部に、前記開口部のパターニングのためのマスク（Ｍａｓｋ）を形成する段階と、
   前記感光性レジストを露光する段階と、
   前記マスクを除去する段階と、
   前記感光性レジストを現像し、前記開口部を形成する段階と、
   を含む請求項２に記載のプリント回路基板の製造方法。
4. 前記マスクを形成する段階において、
   前記マスクは、前記感光性レジストの開口部が形成される領域の上部が閉鎖されるようにパターニングされる請求項３に記載のプリント回路基板の製造方法。
5. 前記開口部を形成する段階において、
   前記開口部のフットは、前記露光時に露光量によって調節される請求項３に記載のプリント回路基板の製造方法。
6. 前記開口部を形成する段階において、
   前記開口部のフットは、過現像または未現像の条件下で現像を行うことで形成される請求項３に記載のプリント回路基板の製造方法。
7. 前記開口部を形成する段階において、
   前記開口部のフットは、前記感光性レジストの厚さによって調節される請求項３に記載のプリント回路基板の製造方法。
8. 前記感光性レジストを露光する段階の前に、
   前記感光性レジストを硬化する段階をさらに含む請求項３に記載のプリント回路基板の製造方法。
9. 前記感光性レジストは、ネガ型（Ｎｅｇａｔｉｖｅ）感光性物質で形成される請求項１に記載のプリント回路基板の製造方法。
10. 前記側面がフット状である開口部を形成する段階は、
    前記感光性レジストの上部に、前記開口部のパターニングのためのマスク（Ｍａｓｋ）を形成する段階と、
    前記感光性レジストを露光する段階と、
    前記マスクを除去する段階と、
    前記感光性レジストを現像し、前記開口部を形成する段階と、
    を含む請求項９に記載のプリント回路基板の製造方法。
11. 前記マスクを形成する段階において、
    前記マスクは、前記感光性レジストの開口部が形成される領域の上部が開放されるようにパターニングされる請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。
12. 前記開口部を形成する段階において、
    前記開口部のフットは、前記露光時に露光量によって調節される請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。
13. 前記開口部を形成する段階において、
    前記開口部のフットは、過現像または未現像の条件下で現像を行うことで形成される請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。
14. 前記開口部を形成する段階において、
    前記開口部のフットは、前記感光性レジストの厚さによって調節される請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。
15. 前記ビアホールを形成する段階において、
    前記ビアホールは、プラズマ（Ｐｌａｓｍａ）エッチング法で形成される請求項１に記載のプリント回路基板の製造方法。
16. 前記ビアホールを形成する段階の後、
    前記絶縁層の上部に残存する感光性レジストを除去する段階をさらに含む請求項１に記載のプリント回路基板の製造方法。
17. 前記感光性レジストを形成する段階において、
    前記感光性レジストは、液状で塗布される請求項１に記載のプリント回路基板の製造方法。

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