JP2014038173A

JP2014038173A - 光変調器

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Publication number: JP2014038173A
Application number: JP2012179859A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Yamazaki; 裕史山崎
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 2012-08-14
Filing date: 2012-08-14
Publication date: 2014-02-27

Abstract

【課題】光変調器の長手方向の短尺化を図る。
【解決手段】２入力２出力の偏波分波／合波器と、ＴＥ偏波とＴＭ偏波の比が１：１の光を、前記２入力２出力の偏波分波／合波器の一方の入力ポートに出力する光源と、前記２入力２出力の偏波分波／合波器の２つの出力ポートの各々に接続され、ＴＥ偏波とＴＭ偏波の光のどちらか一方を強く変調する２つの光変調回路と、各々の光変調回路の出力に接続されたλ／４波長板と、該λ／４波長板の出力に接続されたミラーとを備え、前記２入力２出力の偏波分波／合波器の他方の入力ポートから、変調されたＴＥ偏波の光と変調されたＴＭ偏波の光とが偏波多重された偏波多重光が出力される。
【選択図】図２

Description

本発明は、光変調器の小型化に関する。

近年、通信トラフィックの増大に伴い、幹線系の光伝送ネットワークにおいては、光ファイバ１本当たりに、より多くのデータを伝送する大容量伝送が求められている。これを実現する手段として、周波数利用効率の向上と長距離伝送とを実現するための多値変調技術およびデジタルコヒーレント受信技術が注目されている。多値変調方式においては、光の位相を考慮した高機能な光変調器の実現が必須となる。

光変調器とは、電気信号を光の強弱信号などに変換する、光通信の基幹デバイスであり、一般に高速・低損失・低消費電力・小型・高信頼性が求められている。光変調器を実現する方式は、直接変調方式と外部変調方式とに分類される。高速・基幹ネットワークにおいては、高速性と長距離伝送性といった点から、外部変調方式が主流である。外部変調方式を適用した光変調器として、ＬｉＮｂＯ_３（ニオブ酸リチウム、以下、ＬＮという）などの誘電体材料、電気光学効果（以下、ＥＯという）を利用した半導体材料または有機材料、電界吸収効果を用いた半導体材料などが用いられている。

一方、多値変調方式の光変調器においては、光の偏波利用するＰＤＭ−ＱＰＳＫ（Polarization Division Multiplexed Quadrature Phase Shift Keying）方式の変調器の開発が進んでいる（例えば、非特許文献１参照）。このような変調器は、偏波多重された光信号を分波・合波する受動的な光回路を備える必要がある。

図１に、従来のＰＤＭ−ＱＰＳＫ変調器の構成を示す。図１（ａ）は、変調器の機能を説明するための図であり、図１（ｂ）は、石英−ＬＮ変調器の構成を示す図である。レーザダイオードＬＤから、ＴＭ偏波のＣＷ光が入射されると、分波器により分波されて２つの変調器ＱＰＳＫ１，ＱＰＳＫ２に入力される。変調器ＱＰＳＫ１で変調された光信号は、偏波回転器ＨＷＰによりＴＥ偏波に変換され、偏波ビームコンバイナＰＢＣに入力される。変調器ＱＰＳＫ２で変調された光信号は、ＴＭ偏波のまま偏波ビームコンバイナＰＢＣに入力され、ＴＥ偏波とＴＭ偏波とを偏波多重した光信号が、偏波ビームコンバイナＰＢＣから出力される。

ＰＤＭ−ＱＰＳＫ変調器は、変調器ＱＰＳＫ１，ＱＰＳＫ２のＬＮ導波路を構成するＬＮ基板ＬＮと、合分波器などの光機能回路が集積された石英ＰＬＣ基板ＰＬＣ−Ｌ，ＰＬＣ−Ｒから構成される。変調器ＱＰＳＫ１，ＱＰＳＫ２のＬＮ導波路に沿って電極が形成されており、光信号が透過する光導波路に電界を印加することにより、光信号を変調する。

H. Yamazaki et al., "Integrated 100-Gb/s PDM-QPSK modulator using a hybrid assembly technique with silica-based PLCs and LiNbO3 phase modulators," Proc. ECOC 2008, Mo3.C.1 A. Sano et al., "240-Gb/s polarization-multiplexed 64-QAM Integrated modulation and blind detection using PLC-LN hybrid integrated modulator and digital coherent receiver," Proc. ECOC 2009, PD2-2

ＬＮ変調器のＥＯ効果を十分に引き出すためには、光導波路に沿った電極を数ｃｍ設ける必要があり、必然的に基板ＬＮの光軸方向の長さも数ｃｍ程度になる。加えて、ＬＮ変調器の入力側および出力側に、光の合波／分波用の光回路が必要なため、光回路の分だけさらに光軸方向の長さが長くなる。従来、光の合波／分波用の光回路が搭載されている基板ＰＬＣ−Ｌ，ＰＬＣ−Ｒの光軸方向の長さは、２０ｍｍ前後であり、図においては便宜上、基板ＬＮを極端に短く描いてある。

また、ＰＤＭ−ＱＰＳＫ変調器を、パッケージ収容する場合に、石英ＰＬＣに接続する光ファイバと石英ＰＬＣとの接続部と、パッケージのパイプ部との間で、光ファイバを一定の長さ座屈させるためのファイバ余長部を必要とする。

従って、ＰＤＭ−ＱＰＳＫ変調器を収容するパッケージは、両端のファイバブーツ部を含めて、長手方向の長さが１４０ｍｍ程度になる場合があり、通信装置内のボードに搭載する際、他のデバイスとの接続において、実装上の制約が大きくなるという問題があった。

本発明の目的は、ＰＤＭ−ＱＰＳＫ変調器のように複雑かつ巨大な構成となる偏波多重多値変調器の光変調器に対して小型化、特に長手方向の短尺化を図った光変調器を提供することにある。

このような目的を達成するために、本発明の実施態様は、２入力２出力の偏波分波／合波器と、ＴＥ偏波とＴＭ偏波の比が１：１の光を、前記２入力２出力の偏波分波／合波器の一方の入力ポートに出力する光源と、前記２入力２出力の偏波分波／合波器の２つの出力ポートの各々に接続され、ＴＥ偏波とＴＭ偏波の光のどちらか一方を強く変調する２つの光変調回路と、各々の光変調回路の出力に接続されたλ／４波長板と、該λ／４波長板の出力に接続されたミラーとを備え、前記２入力２出力の偏波分波／合波器の他方の入力ポートから、変調されたＴＥ偏波の光と変調されたＴＭ偏波の光とが偏波多重された偏波多重光が出力されることを特徴とする。

具体的には、前記光源からの光を入力する入力側導波路と、前記２入力２出力の偏波分波／合波器と、前記変調回路の合分波部が形成された第１の基板と、前記第１の基板に光学的に接続され、前記変調回路の高速変調部が形成された第２の基板とにより構成し、前記第２の基板において、前記第１の基板に接続された端面と反対の端面に、前記λ／４波長板と前記ミラーとを順に接続することができる。

以上説明したように、本発明によれば、ＰＤＭ−ＱＰＳＫ変調器のように複雑かつ巨大な構成となる偏波多重多値変調器の光変調器に対して、長手方向の短尺化を図ることができる。

従来のＰＤＭ−ＱＰＳＫ変調器の構成を示す図である。本発明の一実施形態にかかる光変調器の基本構成を示す図である。本発明の第１の実施例にかかる光変調器の構成を示す図である。本発明の第２の実施例にかかる光変調器の構成を示す図である。本発明の第３の実施例にかかる光変調器の構成を示す図である。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。

図２に、本発明の一実施形態にかかる光変調器の基本構成を示す。光変調器１０は、２入力２出力（２×２）偏波分波／合波器１２の一方の入力ポートに光源１１が接続され、２つの出力ポートのそれぞれに、変調回路１３，１４とλ／４波長板１５，１６とミラー１７，１８とが縦続に接続されている。

光源１１は、ＴＥ偏波とＴＭ偏波の比が１：１に相当するＣＷ光（Continuous Wave光）を出力し、２×２偏波分波／合波器１２は、ＣＷ光の偏波を分離し、一方の出力ポートにＴＥ偏波光を、他方の出力ポートにＴＭ偏波光を出力する。一方、ＴＥ偏波光が出力される出力ポートにＴＥ偏波光を入力し、ＴＭ偏波光が出力される出力ポートにＴＭ偏波光を入力すると、ＣＷ光を入力した入力ポートに、ＴＥ偏波光とＴＭ偏波光とが合波された偏波多重光光が出力される。逆に、ＴＥ偏波光が出力される出力ポートにＴＭ偏波光を入力し、ＴＭ偏波光が出力される出力ポートにＴＥ偏波光を入力すると、ＣＷ光を入力した入力ポートとは異なる入力ポートに、ＴＥ偏波光とＴＭ偏波光とが合波された偏波多重光が出力される。なお、２×２偏波分波／合波器に用いている「入力」と「出力」という用語は、２×２偏波分波／合波器の動作のうち、偏波分波時の光の入出力を基準として、便宜的に称している。

光源１１としては、ＴＭ偏波のＣＷ光を発生させる半導体レーザに、偏波コントローラを組み合わせて偏波面を４５°傾け、偏波面の傾いたＣＷ光を２×２偏波分波／合波器１２に入力する構成とすることができる。また、ＴＭ偏波のＣＷ光を発生させる半導体レーザに、λ／４波長板を組み合わせて円偏光または楕円偏光に変換し、変換されたＣＷ光を２×２偏波分波／合波器１２に入力する構成とすることができる。さらに、半導体レーザからのＣＷ光を偏波保持ファイバで導き、光変調器への接続部において、偏波保持ファイバの偏波軸の向きを４５度傾けて接続してもよい。

２×２偏波分波／合波器１２としては、例えば、非特許文献１に示されている光導波路型偏波ビームスプリッタ、誘電多層膜キューブビームスプリッタなど、２入力２出力で可逆性のある偏波ビームスプリッタ（以下、ＰＢＳ（Polarization Beam Splitter）という）を用いることができる。

２×２偏波分波／合波器１２の出力ポートに接続された変調回路１３，１４は、ＴＥ偏波とＴＭ偏波の光のどちらか一方を強く変調する。例えば、Ｚカット基板のＬＮ導波路を用いた変調回路においては、ＴＭ偏波のみ変調を受ける。変調回路の具体的な構成としては変調フォーマットに応じて適切な構成を用いる。

変調回路１３，１４の出力側（２×２偏波分波／合波器が接続された側とは反対側）に接続されたλ／４波長板１５，１６は、変調回路１３，１４からの光の偏波を９０°回転させ、ミラー１７，１８において反射させる。より詳細には、λ／４波長板１５でＴＭ偏波光から円偏光に変換し、ミラー１７で反射して、再びλ／４波長板１５で円偏光からＴＥ偏波光に変換する。λ／４波長板１６でＴＥ偏波光から円偏光に変換し、ミラー１８で反射して、再びλ／４波長板１６で円偏光からＴＭ偏波光に変換する。つまり、λ／４波長板を２回透過することにより偏波面が９０°回転し、λ／２波長板を透過させた時と等価の作用をする。

このような構成を用いると、２×２偏波分波／合波器１２の出力ポートから出力される光に対して、偏波面が直交した光が同じ出力ポートに戻ってくる。また、変調回路１３，１４では、往路または復路のどちらか一方で光が変調され、他方では変調されない。２×２偏波分波／合波器１２の出力ポートに戻ってきた光は、ＣＷ光を入力した入力ポートとは異なる入力ポートに、偏波多重光として出力される。

従来においては、変調器の入力側において入力光の偏波を分離する回路と、変調器の出力側において分離された偏波を結合させる回路が必要であった。本実施形態によれば、１つの２×２偏波分波／合波器で構成することができる。また、後述する実施例に示す通り、変調回路がパッシブな光分波部および合分波部を含む場合、本実施形態のように折返し構成とすることにより、単一の回路で光合分波を兼ねることができる。さらに、入出力に用いる光ファイバの接続部位を、光変調器の一方にまとめられるため、従来、変調器の入出力側に設けられるファイバ余長部の一方を省略することができる。従って、光変調器の長手方向の短尺化が可能となる。

図２においては、基本構成の説明を明解にするために、２つの変調回路の後段に、それぞれにλ／４波長板とミラーとを備えているが、以下の実施例で説明するように共用することもでき、さらに部品点数を削減することができる。また、変調回路の出力（λ／４波長板に接続される側）を１本の線で描いているが、以下の実施例で説明するように、変調回路がパッシブな光合分波部を含む場合は複数本の出力となる。この場合も、λ／４波長板とミラーは全導波路で共用することができる。

本実施形態の構成を、石英ＰＣＬ−ＬＮ変調器に適用する例を説明する。このような、平面光波回路（Planer Lightwave circuit、以下、ＰＬＣという）を接続した光機能部材が一体化されたマルチチップ集積デバイスは、以下の点から特性上有利である。

ＬＮ、半導体材料、有機材料などからなる光機能部材の光学的特性は、ガラス材料と比較して、低損失性、光ファイバとの接続性の観点から劣る。一方で、石英ガラスをＳｉ基板などの上に堆積させたＰＬＣを用いると、受動的な光回路を低損失で実現可能である。そのため、石英ガラス系材料からなる石英ＰＬＣの優れた光学的特性を利用し、石英ＰＬＣと、ＬＮ等の誘電体材料または半導体材料、有機材料などからなる光機能部材とを組み合わせることにより、両者の長所を生かすことができる。

このような光変調器においては、石英ＰＬＣのチップと光機能部材のチップとの間の光入出力部が、適切に接続されて一体化されている。２つ以上のチップを集積したものを、１つのデバイス（以下、マルチチップ集積デバイス）として扱い、外部との光入出力を行う光ファイバとマルチチップ集積デバイスとを接続する。マルチチップ集積デバイスを用いた光変調器の代表的な例としては、石英ＰＬＣとＬＮ導波路とを組み合わせた変調器（以下、石英−ＬＮ変調器という）が知られている（例えば、非特許文献２参照）。

図３に、本発明の第１の実施例にかかる光変調器の構成を示す。光変調器１１０は、石英ＰＬＣ基板１１１とＬＮ基板１１２とを接続したマルチチップ集積デバイスである。なお、図においては便宜上、ＬＮ基板１１２を極端に短かく描いてある。石英ＰＬＣ基板１１１には、偏波ビームスプリッタＰＢＳと、変調回路ＱＰＳＫ１，ＱＰＳＫ２の合分波部（１×４分岐／結合回路）が形成されている。ＬＮ基板１１２には、ＬＮ導波路と変調用の電極とから構成された、変調回路ＱＰＳＫ１，ＱＰＳＫ２の高速変調部が形成されている。本実施形態の偏波ビームスプリッタＰＢＳは、２入力×２出力の導波路型スプリッタ（例えば、非特許文献１参照）を用いているが、バルク型スプリッタを用いてもよい。

ＬＮ基板１１２には、変調回路ＱＰＳＫ１，ＱＰＳＫ２のＬＮ導波路と、これに沿った変調用の電極が形成されている。ＬＮ基板１１２の一方の端面は、研磨処理がなされ、ＬＮ導波路と、石英ＰＬＣ基板１１１に形成された合分波器に接続された光導波路とが光学的に接続される。他方の端面も、研磨処理がなされ、λ／４波長板１２１とミラー１２２とが光学的に接続される。λ／４波長板１２１は、ポリイミドの薄板からなり、ミラー１２２は、石英ガラス板に金属膜を蒸着したものを用いる。ＬＮ基板１１２とλ／４波長板１２１との間、λ／４波長板１２１とミラー１２２との間は、それぞれ紫外線硬化樹脂等の光学接着剤を用いて、直接貼り合わされている。

光源であるレーザダイオードから、ＴＭ偏波のＣＷ光を偏波コントローラ１３１に入射する。石英ＰＬＣ基板１１１の基板平面に対して鉛直方向に電場が振動するＴＭ偏波は、偏波コントローラ１３１により４５度傾いた偏波に変換され、石英ＰＬＣ１１１の偏波ビームスプリッタＰＢＳの一方の入力側導波路に入力される。偏波ビームスプリッタＰＢＳは、一方の出力側導波路からＴＭ偏波のＣＷ光を出力して、変調回路ＱＰＳＫ１に入力し、他方の出力側導波路からＴＥ偏波のＣＷ光を出力して、変調回路ＱＰＳＫ２に入力する。

変調回路ＱＰＳＫ１に入力されたＴＭ偏波のＣＷ光は、石英ＰＬＣ上の合分波部によって４分岐された後、ＬＮ導波路において変調され、変調されたＴＭ偏波の信号光がλ／４波長板１２１に入力される。λ／４波長板１２１においてＴＭ偏波の信号光は、円偏波に変換され、ミラー１２２で反射されて、再びλ／４波長板１２１を透過して、ＴＥ偏波の信号光としてＬＮ導波路に入力される。ＴＥ偏波の信号光は、ＬＮ導波路においては変調動作を受けず、そのまま石英ＰＬＣ基板上の合分波部によって結合させられた後、偏波ビームスプリッタＰＢＳの一方の出力側導波路に入力される。

変調回路ＱＰＳＫ２に入力されたＴＥ偏波のＣＷ光は、石英ＰＬＣ上の合分波部によって４分岐された後、ＬＮ導波路においては変調動作を受けず、そのままλ／４波長板１２１に入力される。λ／４波長板１２１においてＴＥ偏波のＣＷ光は、円偏波に変換され、ミラー１２２で反射されて、再びλ／４波長板１２１を透過して、ＴＭ偏波のＣＷ光としてＬＮ導波路に入力される。ＴＭ偏波のＣＷ光は、ＬＮ導波路において変調され、変調されたＴＭ偏波の信号光は石英ＰＬＣ基板上の合分波部によって結合させられた後、偏波ビームスプリッタＰＢＳの他方の出力側導波路に入力される。

変調回路ＱＰＳＫ１からのＴＥ偏波の信号光と、変調回路ＱＰＳＫ２からのＴＭ偏波の信号光とは、偏波ビームスプリッタＰＢＳにおいて偏波多重された信号光となり、偏波コントローラ１３１からの入力光を入力した入力側導波路とは別の入力側導波路から出力される。なお、光入力部においては、偏波コントローラ１３１を省き、入力ファイバ（偏波保持ファイバ）と石英ＰＬＣ１１１との接続部において入力ファイバの偏波軸を４５度傾けて接続する構成としてもよい。

第１の実施例によれば、従来の光変調器と比較すると、一方の石英ＰＬＣ基板を省略することができる。また、入出力用の光ファイバを、石英ＰＬＣ基板の一方の端面に接続して、パッケージの一方の面から取り出すことができる。従って、一方の光ファイバ余長部も省略することができ、パッケージの長手方向の大幅な短尺化を図ることができる。例えば、一実施例では、従来、両端ファイバブーツ部込みで長手方向に１４０ｍｍ程度のパッケージを、片端ファイバブーツ部込みで１００ｍｍ程度に短縮することができる。

光変調器１１０を通信装置内のボードに搭載する際、他のデバイスとの接続において、実装上の制約を緩和することができる。従来、光変調器をボード上に搭載した後に、パッケージの両端から出る光ファイバを、ボード上の他の素子と接続するための取り回しが必要であった。取り回しとは、ボード上で光ファイバを一定の半径Ｒ以上で曲げながら、素子と素子との間を接続することである。従って、従来のパッケージを用いると、ボード上に、パッケージの長手方向にさらに半径Ｒ以上の取り回しのための空間が必要であった。第１の実施形態によれば、このような取り回しのための空間の一方も省略することができる。従って、通信装置内のボードの小型化にも資することができる。

第１の実施形態で示したように、光機能部材としてＬＮ変調器を用いると、パッケージが短尺化された上で、従来のパッケージサイズの場合と同等の変調機能を有するマルチチップ集積デバイスを実現できることが確認された。変調された信号光またはＣＷ光がＬＮ導波路を折り返すことによる伝搬損失は１-２ｄＢ、λ／４波長板１２１の接続部における損失は１ｄＢ程度であり、実用上の影響はなかった。

本実施形態では、光機能部材としては、ＬＮ以外の誘電材料、例えば、ＬｉＴａＯ_３（以下、「ＬＴ」という）からなるＬＴ変調器を用いても、同等の短尺化および変調機能を実現することができる。さらに、半導体材料であるＧａＮからなるＧａＮ変調器、ＩｎＰからなるＩｎＰ変調器を用いても、それらの高いＥＯ効率を活かしたまま、同等の作用効果を得ること、および、有機ＥＯ材料を用いても、その高速応答性の利点を低減させることなく、同等の作用効果を得ることができる。

光機能部材は、第１の実施形態で示した変調機能に限られず、例えば、有機材料、半導体材料からなるＥＯスイッチ導波路や、Ｓｉからなる熱光学スイッチ導波路を用いることもできる。これらの場合でも、光スイッチ機能を維持したまま、パッケージの長手方向の短尺化を図ることが可能である。

図４に、本発明の第２の実施例にかかる光モジュールの構成を示す。第１の実施例との相違点は、λ／４波長板２２１とミラー２２２の接続方法が異なる。ＬＮ基板２１２の一方の端面には、第１の実施例と同じ石英ＰＬＣ基板２１１が接続され、他方の端面にも、石英ＰＬＣ基板２１３が接続される。石英ＰＬＣ基板２１３には、ＬＮ基板２１２に形成されたＬＮ導波路と光学的に接続される光導波路が形成されている。この複数の光導波路を横断するように溝が形成され、溝の中にλ／４波長板２２１とミラー２２２とが挿入されている。

第１の実施例では、ＬＮ基板１１２に直接λ／４波長板１２１を貼付けていたが、第２の実施例では、石英ＰＬＣ基板２１３にλ／４波長板２２１とミラー２２２とを取り付けることにより、同等の構成とすることができる。

図５に、本発明の第３の実施例にかかる光モジュールの構成を示す。第１の実施例との相違点は、λ／４波長板３２１とミラー３２２の接続方法が異なる。ＬＮ基板２１２の一方の端面には、第１の実施例と同じ石英ＰＬＣ基板３１１が接続され、他方の端面の近くに、ＬＮ基板３１２に形成された複数のＬＮ導波路を横断するように溝が形成され、この溝の中にλ／４波長板３２１とミラー３２２とが挿入されている。

第１の実施例では、ＬＮ基板１１２に直接λ／４波長板１２１を貼付けていたが、第３の実施例では、ＬＮ基板３１２の溝にλ／４波長板３２１とミラー３２２とを取り付けることにより、同等の構成とすることができる。

第２および３の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、長手方向の短尺化を図ることができる。

第１ないし３の実施例では、石英ＰＣＬ−ＬＮ変調器というマルチチップ集積デバイスを用いて本実施形態の構成を説明した。このほかにも、例えば、１つのＬＮ基板上に、ＬＮ変調器の他に石英ＰＬＣの光回路に相当する光回路を実装して、モノリシックに近い構成としても、本実施形態の構成に沿ったものとなる。また、ＰＢＳをディスクリートで用意し、空間光学系でＰＢＳとＬＮ変調器とを光結合したものでもよい。

ＬＤレーザダイオード
１３，１４，ＱＰＳＫ１，ＱＰＳＫ２変調回路
ＨＷＰ偏波回転器
ＰＢＣ偏波ビームコンバイナ
ＬＮ，１１２，２１２，３１２ＬＮ基板
ＰＬＣ−Ｌ，ＰＬＣ−Ｒ，１１１，２１１，３１１石英ＰＬＣ基板
ＰＢＳ偏波ビームスプリッタ
１０，１１０，２１０，３１０光変調器
１１光源
１２入力２出力（２×２）偏波分波／合波器
１５，１６，１２１，２２１，３２１ λ／４波長板
１７，１８，１２２，２２２，３２２ミラー
１３１，２３１，３３１偏波コントローラ

Claims

２入力２出力の偏波分波／合波器と、
ＴＥ偏波とＴＭ偏波の比が１：１の光を、前記２入力２出力の偏波分波／合波器の一方の入力ポートに出力する光源と、
前記２入力２出力の偏波分波／合波器の２つの出力ポートの各々に接続され、ＴＥ偏波とＴＭ偏波の光のどちらか一方を強く変調する２つの光変調回路と、
各々の光変調回路の出力に接続されたλ／４波長板と、
該λ／４波長板の出力に接続されたミラーとを備え、
前記２入力２出力の偏波分波／合波器の他方の入力ポートから、変調されたＴＥ偏波の光と変調されたＴＭ偏波の光とが偏波多重された偏波多重光が出力されることを特徴とする光変調器。
前記光源からの光を入力する入力側導波路と、前記２入力２出力の偏波分波／合波器と、前記変調回路の合分波部が形成された第１の基板と、
前記第１の基板に光学的に接続され、前記変調回路の高速変調部が形成された第２の基板とから構成され、
前記第２の基板は、前記第１の基板に接続された端面と反対の端面に、前記λ／４波長板と前記ミラーとが順に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の光変調器。
前記第１の基板は、ガラス系材料からなり、前記第２の基板は、ＬｉＮｂＯ_３からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光変調器。