JP2014033050A - Imprint system and imprint method - Google Patents
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Abstract
【課題】テンプレートの離型工程におけるパターン欠陥の発生有無を検出する。
【解決手段】本実施形態によるインプリントシステムは、基板上に光硬化性材料を塗布する塗布部と、凹凸パターンが形成されたテンプレートを保持し、鉛直方向に移動する保持部と、前記テンプレートの凹凸パターンが前記光硬化性材料に接触した状態で光を照射して、前記光硬化性材料を硬化させる光照射部と、硬化した前記光硬化性材料から前記テンプレートを離型する際に前記テンプレート及び前記光硬化性材料を撮像する撮像部と、前記撮像部により生成された画像を用いて、前記テンプレートと前記光硬化性材料との接触領域の第1評価値を算出し、前記第1評価値を用いて離型動作の第2評価値を算出する算出部と、前記第2評価値に基づいて、硬化した前記光硬化性材料におけるパターン欠陥の発生有無を判定する判定部と、を備える。
【選択図】図1An object of the present invention is to detect the presence / absence of a pattern defect in a template release process.
An imprint system according to this embodiment includes an application unit that applies a photocurable material on a substrate, a holding unit that holds a template on which a concavo-convex pattern is formed, and moves in a vertical direction. A light irradiating unit that irradiates light in a state where the concavo-convex pattern is in contact with the photocurable material to cure the photocurable material, and the template when the template is released from the cured photocurable material. A first evaluation value of a contact area between the template and the photocurable material is calculated using an imaging unit that images the photocurable material, and an image generated by the imaging unit, and the first evaluation is performed. A calculation unit that calculates a second evaluation value of the mold release operation using the value, and a determination unit that determines whether or not a pattern defect has occurred in the cured photocurable material based on the second evaluation value; Equipped with a.
[Selection] Figure 1
Description
本発明の実施形態は、インプリントシステム及びインプリント方法に関する。 Embodiments described herein relate generally to an imprint system and an imprint method.
微細パターンを低コストに形成するための技術として、光ナノインプリント法が知られている。これは、基板上に形成したいパターンに対応した凹凸を有するテンプレートを、基板表面に塗布された光硬化性有機材料層に押しつけ、これに光照射を行って有機材料層を硬化させ、テンプレートを有機材料層から離型することで、パターンを転写する方法である。 As a technique for forming a fine pattern at low cost, an optical nanoimprint method is known. This is because the template having irregularities corresponding to the pattern to be formed on the substrate is pressed against the photocurable organic material layer applied on the substrate surface, and this is irradiated with light to cure the organic material layer, thereby In this method, the pattern is transferred by releasing from the material layer.
光ナノインプリント法では、テンプレートを有機材料層から離型する際に、有機材料層のパターンが破壊されるおそれがある。そのため、テンプレートの離型工程におけるパターン欠陥の発生有無を検出することが求められている。 In the optical nanoimprint method, the pattern of the organic material layer may be destroyed when the template is released from the organic material layer. Therefore, it is required to detect the presence or absence of pattern defects in the template release process.
本発明は、テンプレートの離型工程におけるパターン欠陥の発生有無を検出するインプリントシステム及びインプリント方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an imprint system and an imprint method for detecting whether or not a pattern defect is generated in a template release process.
本実施形態によれば、インプリントシステムは、基板上に光硬化性材料を塗布する塗布部と、凹凸パターンが形成されたテンプレートを保持し、鉛直方向に移動する保持部と、前記テンプレートの凹凸パターンが前記光硬化性材料に接触した状態で光を照射して、前記光硬化性材料を硬化させる光照射部と、硬化した前記光硬化性材料から前記テンプレートを離型する際に前記テンプレート及び前記光硬化性材料を撮像する撮像部と、前記撮像部により生成された画像を用いて、前記テンプレートと前記光硬化性材料との接触領域の第1評価値を算出し、前記第1評価値を用いて離型動作の第2評価値を算出する算出部と、前記第2評価値に基づいて、硬化した前記光硬化性材料におけるパターン欠陥の発生有無を判定する判定部と、を備える。 According to the present embodiment, the imprint system includes an application unit that applies a photocurable material on a substrate, a holding unit that holds a template on which an uneven pattern is formed, and moves in a vertical direction, and the unevenness of the template. Irradiating light in a state where the pattern is in contact with the photocurable material to cure the photocurable material, the template and the template when releasing the template from the cured photocurable material A first evaluation value of a contact area between the template and the photocurable material is calculated using an imaging unit that images the photocurable material and an image generated by the imaging unit, and the first evaluation value And a determination unit that calculates a second evaluation value of the mold release operation using, and a determination unit that determines presence or absence of pattern defects in the cured photocurable material based on the second evaluation value. .
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本実施形態に係るインプリントシステムの概略構成図である。図1に示すように、インプリントシステムは、テンプレート保持部10、基板保持部20、光照射部30、撮像部40、塗布部50、及び演算制御部60を備えている。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an imprint system according to the present embodiment. As illustrated in FIG. 1, the imprint system includes a
テンプレート保持部10は、テンプレート11を保持し、水平方向及び鉛直方向に移動することができる。テンプレート11は、例えば、表面に微細な凹凸パターンが形成された石英テンプレートである。テンプレート保持部10は、テンプレート11の凹凸パターンが、後述する基板21と向かい合うようにテンプレート11を保持する。テンプレート保持部10には、真空チャック又は静電チャックを使用することができる。テンプレート保持部10は、テンプレート11の面内方向において複数の領域に分割され、分割領域毎に、テンプレート11の保持のタイミングや保持力を制御することができる。
The
基板保持部20は、加工対象の基板(ウェーハ)21を保持し、水平方向に移動することができる。基板保持部20は鉛直方向に移動できてもよい。基板保持部20には、真空チャック又は静電チャックを使用することができる。基板保持部20は、基板21の面内方向において複数の領域に分割され、分割領域毎に、基板21の保持のタイミングや保持力を制御することができる。
The
塗布部50は、基板21の表面にインプリント材料22を塗布する。インプリント材料22は、例えば、アクリルモノマー等の光硬化性有機材料である。
The
照射部30は、基板21上のインプリント材料22を硬化させるための光を照射する。例えば、照射部30は紫外線を照射する。図1に示すように、照射部30は、テンプレート保持部10の上方に設けられており、テンプレート保持部10及びテンプレート11は光透過性の材料からなる。照射部30は、テンプレート11が基板21上のインプリント材料22に接触した状態で、光を照射する。
The
撮像部40は、テンプレート11が基板21上のインプリント材料22から離型される際のテンプレート11及びインプリント材料22を所定の時間間隔で撮像し、画像を生成する。
The
演算制御部60は、移動制御部61、評価値算出部62、及び判定部63を有しており、テンプレート保持部10、基板保持部20、照射部30、撮像部40、及び塗布部50の動作を制御する。
The
テンプレート11及び基板21にはそれぞれ合わせマークが形成されており、インプリントシステムには、それぞれの合わせマークの位置を検出する検出機構(図示せず)が設けられている。検出機構には例えばレーザ干渉計を用いることができる。演算制御部60は、検出機構から合わせマークの位置を取得し、テンプレート11が基板21の所望の領域の上方に位置するための、テンプレート11及び/又は基板21の移動量を算出する。移動制御部61は、算出された移動量に基づき、テンプレート保持部10及び/又は基板保持部20を制御する。これにより、テンプレート11は基板21に対して相対的に水平方向に移動し、位置合わせ(アライメント)が行われる。
Alignment marks are respectively formed on the
また、移動制御部61は、テンプレート保持部10を制御してテンプレート11を鉛直方向に移動させ、テンプレート11を基板21上のインプリント材料22に接触させたり、インプリント材料22から離型させたりする。また、移動制御部61は、テンプレート11の鉛直方向の移動速度や移動距離を制御することができる。
The
なお、テンプレート11と基板21の相対位置の移動には、テンプレート11や基板21を移動させるだけでなく、テンプレート11や基板21の保持力を変えて、テンプレート11や基板21を変形させることを含んでいてもよい。
The movement of the relative positions of the
評価値算出部62は、テンプレート11とインプリント材料22との接触領域(後述する)の評価値、及びテンプレート11の離型挙動の評価値を算出する。判定部63は、評価値算出部62により算出された離型挙動の評価値に基づいて、パターン欠陥の発生有無を判定する。図2を用いてテンプレート11の離型について説明する。
The evaluation
インプリント処理においては、図2(a)に示すように、塗布部50(図1参照)が基板21上にインプリント材料22を塗布する。
In the imprint process, as shown in FIG. 2A, the application unit 50 (see FIG. 1) applies the
次に、図2(b)に示すように、基板21と、テンプレート11との位置合わせ(アライメント)を行い、塗布されたインプリント材料22に、テンプレート11の凹凸パターン面を接触させる。液状のインプリント材料22は、テンプレート11の凹凸パターン内に流動して入り込む。
Next, as shown in FIG. 2B, the
次に、図2(c)に示すように、凹凸パターン内にインプリント材料22が充填された後、テンプレート11の裏面側(図中上側)から照射部30を用いて紫外線を照射する。これにより、インプリント材料22が硬化する。
Next, as shown in FIG. 2C, after the
次に、図2(d)に示すように、テンプレート11を上方へ移動させ、テンプレート11をインプリント材料22から剥がす。これがテンプレート11の離型である。
Next, as shown in FIG. 2D, the
図3は、テンプレート11の離型に伴う、テンプレート11とインプリント材料22との接触領域(図中斜線部分)の変遷の一例を示しており、これは撮像部40により画像として取得される。撮像部40による画像取得は、少なくとも10フレーム/秒、望ましくは20フレーム/秒、より望ましくは25フレーム/秒である。撮像部40は、離型動作の開始に伴い撮像を開始する。例えば、離型動作の開始は、テンプレート11の鉛直方向の移動制御信号から検出できる。図3に示すように、離型現象は、テンプレート11と基板21上のインプリント材料22との密着領域の外周から生じる。
FIG. 3 shows an example of the transition of the contact area (shaded portion in the figure) between the
評価値算出部62は、撮像部40により取得された画像から、テンプレート11とインプリント材料22との境界を認識し、接触領域を検出する。例えば、図3に示すように、画像には、接触領域と、すでに離型した領域との境界に対応する略矩形状又は略楕円状の線が写っている。図4に示すように、薄膜干渉効果などの影響によって画像中に線が複数ある場合は、所定の基準に基づき、最も内側の線を境界線とみなしてもよいし、最外周の線と最内周の線の中間の線を境界線としても良い。
The evaluation
そして、評価値算出部62は、接触領域の評価値を算出する。ここで、接触領域の評価値は、図5に示すような、テンプレート11の中心を起点とした、1以上の所定方向における接触領域の境界までの距離Li,jである。ここで、iは計測方向を示し、jは当該画像が離型開始からj・Δt経過後の画像であることを示す。Δtは画像の取得間隔(撮像部40の撮像レート)である。テンプレート11の中心からの方向は、例えば矩形のテンプレート11の対角線方向である。
Then, the evaluation
なお、接触領域の境界までの距離Li,jの計測にあたり、ダイシングラインを避けることが好ましい。従って、接触領域の境界までの距離Li,jの計測方向は、テンプレート11の外周の辺と平行な方向を含まないことが好ましい。
In measuring the distance L i, j to the boundary of the contact area, it is preferable to avoid the dicing line. Therefore, the measurement direction of the distance L i, j to the boundary of the contact area preferably does not include a direction parallel to the outer peripheral side of the
一般に、テンプレート11には、複数のチップに対応する凹凸パターンが設けられる。テンプレート11の斜め方向でLi,jを求める場合、この方向にはテンプレート11内の複数のチップを通過するため、テンプレート11内の平均的なパターン密度で評価することが可能である。
Generally, the
その後、評価値算出部62は、以下の数式1で表される評価関数を用いて、離型挙動の評価値Fを算出する。
ここで、aiは方向毎の重み関数であり、mは離型挙動に用いる画像の枚数であり、nは評価方向の個数である。この評価関数により求まる離型挙動の評価値Fは、接触領域の境界の移動速度の変化量のばらつきを示す値である。この離型挙動の評価値Fが小さい程、安定した離型処理となり、硬化したインプリント材料22からなるパターンに加わる力が小さくなる。従って、この評価関数により離型挙動を定量的に評価することができ、離型挙動の評価値Fに基づいて、パターン欠陥の発生有無を推測することができる。
Here, a i is a weight function for each direction, m is the number of images used for the release behavior, and n is the number of evaluation directions. The evaluation value F of the release behavior obtained by this evaluation function is a value indicating variation in the amount of change in the moving speed of the boundary of the contact area. The smaller the evaluation value F of the mold release behavior, the more stable the mold release process, and the smaller the force applied to the pattern made of the cured
本実施形態では、図2(d)に示す離型工程において、撮像部40がテンプレート11及びインプリント材料22を所定の撮像レートで複数回撮像する。そして、離型処理後、評価値算出部62が、撮像部40により生成された画像を用いて、上述した方法により、接触領域の評価値、及び離型挙動の評価値を算出する。判定部63は、算出された離型挙動の評価値が所定値以下の場合、図2(d)に示すテンプレート11の離型工程においてパターン欠陥は発生していないと判定し、評価値が所定値より大きい場合、パターン欠陥が発生したと判定する。
In the present embodiment, in the mold release step shown in FIG. 2D, the
このように、本実施形態によれば、テンプレート11の離型挙動を定量的に評価し、テンプレートの離型工程におけるパターン欠陥の発生有無を検出することができる。
Thus, according to the present embodiment, it is possible to quantitatively evaluate the mold release behavior of the
上記実施形態では、1つの基板21の複数領域に対してインプリント処理が行われる。インプリントシステムは、少なくとも1つの領域に対するインプリント処理について離型挙動の評価値Fを算出し、評価値Fが所定範囲を逸脱していた場合、この基板21についての異常判定の信号を生産管理システムへ送信してもよい。異常判定が生じた基板21に対しては、所定の検査工程、又はワーク処理が行われる。評価値Fを生産管理に用いることで、生産効率を向上させることができる。
In the above embodiment, imprint processing is performed on a plurality of regions of one
上記実施形態では、照射部30が紫外線を照射することでインプリント材料22が硬化していたが、インプリント材料22が熱硬化性有機材料である場合、照射部30が赤外線を照射してインプリント材料22を加熱して硬化させてもよい。
In the above-described embodiment, the
(第1変形例)
上記実施形態では、テンプレート11の中心を起点とした、1以上の所定方向における接触領域の境界までの距離Li,jを接触領域の評価値としていたが、接触領域の中心を起点としてもよい。これにより、接触領域の中心がテンプレート11の中心とずれる場合であっても、テンプレート11の離型挙動をより安定的に定量評価することができる。
(First modification)
In the above embodiment, the distance L i, j from the center of the
(第2変形例)
接触領域の境界までの距離Li,jを求めるにあたり、テンプレート11に設けられた凹凸パターンの側壁密度の重心を起点としてもよい。パターン側壁密度は、凹凸パターンの側壁の面積の合計に対応するものであり、パターン密度とは異なる。例えば、図6(a)、(b)に示すテンプレート11A、11Bは、パターン密度は同じであるが、パターン側壁密度はテンプレート11Bの方が大きい。
(Second modification)
In obtaining the distance L i, j to the boundary of the contact region, the center of gravity of the side wall density of the uneven pattern provided on the
パターン側壁密度の重心として、テンプレート11の凹凸パターンの凸部の重心、凹凸パターンの凹部の重心、又は凹凸パターンの外形線の長さの重心を用いることができる。凹凸パターンの外形線を、テンプレート11の外形片方向に沿った2方向に分割し、方向毎に算出しても良い。
As the center of gravity of the pattern sidewall density, the center of gravity of the convex part of the concave / convex pattern of the
また、テンプレート11を所定サイズの領域に分割し、分割領域の平均パターン側壁密度を算出し、各分割領域の中心及び各分割領域の平均パターン側壁密度に基づいて、テンプレート11全体のパターン側壁密度の重心を求めてもよい。これらの手法は、フォトリソグラフィの光近接効果補正やEUVリソグラフィのフレア補正に部分的に用いられている面積の代表化方法を適用することができる。
Further, the
パターン側壁密度によって離型速度が変わるため、パターン側壁密度の重心付近に、離型の終了点、すなわち接触領域の終点が存在することが望ましい。このような方法で接触領域の境界までの距離Li,jを求めることで、離型挙動をより正確に定量化することができる。 Since the mold release speed varies depending on the pattern side wall density, it is desirable that the end point of the mold release, that is, the end point of the contact area exists near the center of gravity of the pattern side wall density. By determining the distance L i, j to the boundary of the contact area by such a method, the release behavior can be quantified more accurately.
(第3変形例)
接触領域の面積を接触領域の評価値としてもよい。接触領域の面積は、取得された画像における接触領域のピクセル数などで表すことができる。
(Third Modification)
The area of the contact region may be used as the evaluation value of the contact region. The area of the contact area can be represented by the number of pixels of the contact area in the acquired image.
この場合、離型挙動の評価関数は以下の数式2で表すことができる。
ここで、Sjは離型開始からj・Δt経過後の画像における接触面積であるである。この評価関数により求まる離型挙動の評価値Fが小さいほど、面積の時間変化率が一定に近いこととなる。 Here, S j is the contact area in the image after elapse of j · Δt from the start of mold release. The smaller the evaluation value F of the mold release behavior obtained by this evaluation function, the closer the area change rate with time is.
より一般的には、以下の数式3に示すように、所定の理想的な面積の時間変化関数f(mΔt)に対する差分を求めてもよい。
数式2又は数式3で求まる離型挙動の評価値Fが小さい程、安定した離型処理となり、硬化したインプリント材料22からなるパターンに加わる力が小さくなる。判定部63は、算出した評価値Fが所定値以下の場合、図2(d)に示すテンプレート11の離型工程においてパターン欠陥は発生していないと判定し、評価値が所定値より大きい場合、パターン欠陥が発生したと判定する。
The smaller the evaluation value F of the mold release behavior obtained by Formula 2 or Formula 3, the more stable the mold release process, and the smaller the force applied to the pattern made of the cured
(第4変形例)
テンプレート11の所定位置が接触領域に含まれるか否かを、接触領域の評価値としてもよい。テンプレート11の所定位置は、例えば、テンプレート11の中心位置、又はテンプレート11のパターン側壁密度の重心位置である。
(Fourth modification)
Whether the predetermined position of the
この場合、離型挙動の評価関数は、以下の数式4及び数式5で表すことができる。数式5では、テンプレート11の所定位置をパターン側壁密度の重心位置としている。
この評価関数により求まる評価値Fが大きい程、安定した離型処理となり、硬化したインプリント材料22からなるパターンに加わる力が小さくなる。判定部63は、算出した評価値Fが所定値以上の場合、図2(d)に示すテンプレート11の離型工程においてパターン欠陥は発生していないと判定し、評価値Fが所定値未満の場合、パターン欠陥が発生したと判定する。
The larger the evaluation value F obtained from this evaluation function, the more stable the mold release processing is, and the smaller the force applied to the pattern made of the cured
また、接触領域の中心と、パターン側壁密度の重心位置のずれを考慮してもよい。この場合、離型挙動の評価関数は、以下の数式6及び数式7で表すことができる。
さらに、接触領域の面積を考慮してもよい。この場合、離型挙動の評価関数は、以下の数式8及び数式9で表すことができる。
(第5変形例)
テンプレート11の離型処理時に、接触領域が分割することがある。このような場合、接触領域の外形に窪みが生じる。このため、密着領域の閉空間性を元に評価関数を決定してもよい。一例としては、密着領域の外周の外接線のベクトル和で評価することが挙げられる。
(5th modification)
When the
(第6変形例)
上記実施形態に係るインプリントシステムに、算出した離型挙動の評価値Fと、離型動作の制御因子とを組み合わせて記憶する記憶部をさらに設けてもよい。離型動作の制御因子は、例えば、テンプレート11の鉛直方向の移動速度、テンプレート保持部10の各分割領域のテンプレート11の保持力、基板保持部20の各分割領域の基板21の保持力、インプリント材料22の硬化エネルギー量である。また、基板21内の押印位置を制御因子に含めてもよい。基板21内の押印位置によって、離型時の基板21の変形量が変化するためである。
(Sixth Modification)
The imprint system according to the embodiment may further include a storage unit that stores the calculated evaluation value F of the release behavior and the control factor of the release operation in combination. Control factors for the mold release operation include, for example, the vertical movement speed of the
また、インプリントシステムに、記憶部に記憶された離型動作の制御因子及び離型挙動の評価値に基づいて、離型動作の各制御因子の最適値を算出する最適制御因子算出部をさらに設けてもよい。また、演算制御部60が、算出された制御因子の最適値を用いて、制御因子の最適化を行うようにしてもよい。
The imprint system further includes an optimum control factor calculation unit that calculates an optimum value of each control factor of the release operation based on the release factor control factor and the release behavior evaluation value stored in the storage unit. It may be provided. The
半導体装置の量産時にインプリント装置を使用する場合、複数のインプリント装置に対して、制御因子の最適化を行う必要となる。また、半導体装置の複数のレイヤに対してインプリント処理を行う場合、レイヤ毎にパターンレイアウトが異なることから、レイヤ毎に制御因子の最適化を行う必要がある。また、インプリント材料の厚さや種類等を変更した場合にも、再度、制御因子の最適化を行う必要がある。制御因子の最適化を自動化することで、装置の立上げ調整期間を大幅に短縮できる。 When an imprint apparatus is used during mass production of semiconductor devices, it is necessary to optimize control factors for a plurality of imprint apparatuses. Further, when imprint processing is performed on a plurality of layers of a semiconductor device, it is necessary to optimize a control factor for each layer because the pattern layout is different for each layer. In addition, when the thickness or type of the imprint material is changed, it is necessary to optimize the control factor again. By automating optimization of control factors, the start-up adjustment period of the device can be greatly shortened.
離型挙動の評価値に対して、基板上に形成されたパターンの欠陥密度や、電気的特性の収率などの情報を相関付けて、制御因子の最適値を求めるようにしてもよい。 The optimum value of the control factor may be obtained by correlating information such as the defect density of the pattern formed on the substrate and the yield of the electrical characteristics with the evaluation value of the release behavior.
また、離型動作の制御因子の最適化において、インプリント装置で検出される他の物理量、例えば最大離型力の上限値や離型動作の所要時間の最大値、を制約条件に含めてもよい。 Further, in the optimization of the control factor of the mold release operation, other physical quantities detected by the imprint apparatus, for example, the upper limit value of the maximum mold release force and the maximum value of the time required for the mold release operation may be included in the constraint condition. Good.
半導体装置の量産においてインプリント装置を使用した場合、装置の長期安定性、インプリント材料の保存安定性、テンプレート11の表面状態の変化などによって、制御因子の最適値が変化し得る。量産過程において、所定のサンプリングルールに従って離型挙動の評価値Fを算出し、定期的に離型動作の制御因子の最適化を行うことで、随時最適な制御因子をインプリント装置に設定することができる。これにより、欠陥発生を低減し、長期的な製造効率を向上させることができる。
When an imprint apparatus is used in mass production of semiconductor devices, the optimum value of the control factor can be changed depending on the long-term stability of the apparatus, the storage stability of the imprint material, the change in the surface state of the
上述した実施形態で説明した演算制御部60の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、演算制御部60の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやCD−ROM等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。
At least a part of the
また、演算制御部60の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線(無線通信も含む)を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。
Further, a program for realizing at least a part of the functions of the
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.
10 テンプレート保持部
11 テンプレート
20 基板保持部
21 基板
22 インプリント材料
30 光照射部
40 撮像部
50 塗布部
60 演算制御部
61 移動制御部
62 評価値算出部
63 判定部
DESCRIPTION OF
Claims (6)
凹凸パターンが形成されたテンプレートを保持し、鉛直方向に移動する保持部と、
前記テンプレートの凹凸パターンが前記光硬化性材料に接触した状態で光を照射して、前記光硬化性材料を硬化させる光照射部と、
硬化した前記光硬化性材料から前記テンプレートを離型する際に前記テンプレート及び前記光硬化性材料を撮像する撮像部と、
前記撮像部により生成された画像を用いて、前記テンプレートと前記光硬化性材料との接触領域の第1評価値を算出し、前記第1評価値を用いて離型動作の第2評価値を算出する算出部と、
前記第2評価値に基づいて、硬化した前記光硬化性材料におけるパターン欠陥の発生有無を判定する判定部と、
を備え、
前記第1評価値は、前記テンプレートの中心を起点とした所定方向における前記接触領域の長さであり、
前記第2評価値は、前記接触領域の境界の移動速度の変化量のばらつきを示す値であり、
前記判定部は、前記第2評価値が所定値以下の場合はパターン欠陥が発生していないと判定し、前記第2評価値が所定値より大きい場合にパターン欠陥が発生したと判定することを特徴とするインプリントシステム。 An application part for applying a photocurable material on the substrate;
Holding a template on which a concavo-convex pattern is formed, and a holding part that moves in a vertical direction;
A light irradiation unit for irradiating light in a state where the uneven pattern of the template is in contact with the photocurable material, and curing the photocurable material;
An imaging unit that images the template and the photocurable material when releasing the template from the cured photocurable material;
A first evaluation value of a contact area between the template and the photocurable material is calculated using an image generated by the imaging unit, and a second evaluation value of the mold release operation is calculated using the first evaluation value. A calculation unit for calculating,
Based on the second evaluation value, a determination unit that determines the presence or absence of pattern defects in the cured photocurable material;
With
The first evaluation value is a length of the contact area in a predetermined direction starting from the center of the template,
The second evaluation value is a value indicating a variation in the amount of change in the moving speed of the boundary of the contact area,
The determination unit determines that a pattern defect has not occurred when the second evaluation value is less than or equal to a predetermined value, and determines that a pattern defect has occurred when the second evaluation value is greater than a predetermined value. Characteristic imprint system.
凹凸パターンが形成されたテンプレートを保持し、鉛直方向に移動する保持部と、
前記テンプレートの凹凸パターンが前記光硬化性材料に接触した状態で光を照射して、前記光硬化性材料を硬化させる光照射部と、
硬化した前記光硬化性材料から前記テンプレートを離型する際に前記テンプレート及び前記光硬化性材料を撮像する撮像部と、
前記撮像部により生成された画像を用いて、前記テンプレートと前記光硬化性材料との接触領域の第1評価値を算出し、前記第1評価値を用いて離型動作の第2評価値を算出する算出部と、
前記第2評価値に基づいて、硬化した前記光硬化性材料におけるパターン欠陥の発生有無を判定する判定部と、
を備えるインプリントシステム。 An application part for applying a photocurable material on the substrate;
Holding a template on which a concavo-convex pattern is formed, and a holding part that moves in a vertical direction;
A light irradiation unit for irradiating light in a state where the uneven pattern of the template is in contact with the photocurable material, and curing the photocurable material;
An imaging unit that images the template and the photocurable material when releasing the template from the cured photocurable material;
A first evaluation value of a contact area between the template and the photocurable material is calculated using an image generated by the imaging unit, and a second evaluation value of the mold release operation is calculated using the first evaluation value. A calculation unit for calculating,
Based on the second evaluation value, a determination unit that determines the presence or absence of pattern defects in the cured photocurable material;
An imprint system comprising:
凹凸パターンが形成されたテンプレートを前記光硬化性材料に接触させ、
前記テンプレートを接触させた状態で前記光硬化性材料に光を照射し、前記光硬化性材料を硬化させ、
前記テンプレートを硬化した前記光硬化性材料から離型するとともに、前記テンプレート及び前記光硬化性材料を撮像して画像を生成し、
前記画像を用いて、前記テンプレートと前記光硬化性材料との接触領域の第1評価値を算出し、
前記第1評価値を用いて離型動作の第2評価値を算出し、
前記第2評価値に基づいて、硬化した前記光硬化性材料におけるパターン欠陥の発生有無を判定する、
インプリント形成方法。 Apply a photo-curing material on the substrate,
Contact the template on which the concavo-convex pattern is formed with the photocurable material,
Irradiating light to the photocurable material in a state where the template is in contact with the template, curing the photocurable material,
Release the template from the cured photocurable material, and image the template and the photocurable material to generate an image,
Using the image, a first evaluation value of a contact area between the template and the photocurable material is calculated,
A second evaluation value of the mold release operation is calculated using the first evaluation value;
Based on the second evaluation value, the presence or absence of occurrence of pattern defects in the cured photocurable material is determined.
Imprint formation method.
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