JP2014010269A - レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】スカムの発生が少ないレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供する。
【解決手段】樹脂と酸増殖剤とを含有し、樹脂が、放射線の照射により分解して酸を発生する構造単位と、式（ａ１−１）で表される構造単位と、式（ａ１−２）で表される構造単位とを含む樹脂であるレジスト組成物。

［式中、Ｌ^a1及びＬ^a2は酸素原子等；Ｒ^a4及びＲ^a5は水素原子又はメチル基；Ｒ^a6及びＲ^a7は炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基；ｍ１は０〜１４の整数；ｎ１は０〜１０の整数；ｎ１’は０〜３の整数を表す。］
【選択図】なし

Description

本発明は、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。

半導体の微細加工技術として、レジスト組成物を用いた光リソグラフィー技術が検討されている。特許文献１には、下記式で表される構造単位を含む樹脂とトリフェニルスルホニウム パーフルオロブタンスルホナートとトリｎ−オクチルアミンと溶剤とからなるレジスト組成物が記載されている。

特開２００７−１９７７１８号公報

従来から知られる上記のレジスト組成物では、レジストパターンを製造した際、現像で除去される部分に発生する現像残渣（スカム）が必ずしも十分に抑制できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
〔１〕 樹脂と酸増殖剤とを含有し、
樹脂が、放射線の照射により分解して酸を発生する構造単位と、式（ａ１−１）で表される構造単位と、式（ａ１−２）で表される構造単位とを含む樹脂であるレジスト組成物。

［式（ａ１−１）中、
Ｌ^a1は、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_ｊ1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｊ１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。］

［式（ａ１−２）中、
Ｌ^a2は、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a7は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］
〔２〕 樹脂が、式（Ｉ）で表される基を有する構造単位を含む樹脂である〔１〕記載のレジスト組成物。

［式（Ｉ）中、
Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｚは、１〜６の整数を表す。
Ｚ１^＋は、有機カチオンを表す。］
〔３〕 式（Ｉ）で表される基を有する構造単位が、式（Ｉ−１）で表される構造単位である〔２〕記載のレジスト組成物。

［式（Ｉ−１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、ｚ及びＺ１^＋は、上記と同じ意味を表す。
Ｒ^３は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｘ^１は、フェニレン基又は−ＣＯ−Ｏ−＊を表し、＊はＸ^２との結合手を表す。
Ｘ^２は、２価の連結基を表す。］
〔４〕 酸増殖剤が、式（ｇ）で表される化合物である〔１〕〜〔３〕のいずれか一つ記載のレジスト組成物

［式（ｇ）中、
Ｒ^ｇ１〜Ｒ^ｇ５はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ^ｇ１及びＲ^ｇ２は、互いに結合し２価の基を形成していてもよい。
Ｒ^ｇ６は、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はニトロ基に置換されていてもよい。］
〔５〕 さらにクエンチャーを含有する〔１〕〜〔４〕のいずれか一つ記載のレジスト組成物。
〔６〕 （１）〔１〕〜〔５〕のいずれか一つ記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程
を含むレジストパターンの製造方法。

本発明のレジスト組成物を用いれば、現像で除去される部分にスカムの発生が少ないレジストパターンを製造できる。

本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）及び酸増殖剤（Ｇ）を含む。
樹脂（Ａ）は、放射線の照射により分解して酸を発生する構造単位、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位を含有する樹脂（以下「樹脂（Ａ１）」という場合がある。）を含む。
さらに、本発明のレジスト組成物は、クエンチャー（Ｃ）及び／又は溶剤（Ｄ）を含むことが好ましい。
さらに、本発明のレジスト組成物は、酸発生剤（Ｂ）を含んでもよい。
本明細書において、各成分として例示する化合物は、特に断りのない限り、単独で又は複数種を組合せて使用することができる。
また、本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも一種」を意味する。

＜樹脂（Ａ）＞
樹脂（Ａ）は、樹脂（Ａ１）を含み、さらに、樹脂（Ａ１）以外の樹脂を含んでいてもよい。
〔樹脂（Ａ１）〕
樹脂（Ａ１）は、放射線の照射により分解して酸を発生する構造単位（以下「構造単位（ｐ）」という場合がある。）及び式（ａ１−１）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１−１）」という場合がある。）及び式（ａ１−２）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１−２）」という場合がある。）を含む。

構造単位（ｐ）において、「放射線の照射により分解して酸を発生する」とは、放射線の照射により構造単位の一部が分解して、酸基を有する構造単位となるか、構造単位の一部が分解して、分離される部分が酸となることを意味する。
放射線とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、超紫外線、Ｘ線、電子線等を意味する。
発生する酸としては、スルホン酸、カルボン酸等が挙げられる。

構造単位（ｐ）としては、オニウム塩構造を有する構造単位が好ましく、式（Ｉ）で表される基を有する構造単位がより好ましい。

［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｚは、１〜６の整数を表す。
Ｚ１^＋は、有機カチオンを表す。］

炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。
Ｒ^１及びＲ^２は、好ましくは、互いに独立に、ペルフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Ｒ^３及びＲ^４は、好ましくは、フッ素原子又は水素原子である。

Ｚ１^＋の有機カチオンは、有機オニウムカチオン、例えば有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンソチアゾニウムカチオン、有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオンがより好ましい。

式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）中、
Ｒ^b4、Ｒ^b5及びＲ^b6は、互いに独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基を表す。
Ｒ^b4とＲ^b5とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子とともに３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成してもよい。
Ｒ^b7及びＲ^b8は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、互いに独立に、０〜５の整数を表す。
Ｒ^b9及びＲ^b10は、互いに独立に、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ^b9とＲ^b10とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子とともに３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成してもよい。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^b11は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^b12は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表し、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^b11とＲ^b12は、一緒になってそれらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−とともに３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成していてもよい。該環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^b13〜Ｒ^b18は、互いに独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^b11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２及びｔ２は、互いに独立に、０〜５の整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、互いに独立に、０〜４の整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲ^b13は同一でも異なってもよく、ｐ２が２以上のとき、複数のＲ^b14は同一でも異なってもよく、ｓ２が２以上のとき、複数のＲ^b15は同一でも異なってもよく、ｔ２が２以上のとき、複数のＲ^b18は同一でも異なってもよい。

炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基等が挙げられる。これらを組み合わせた基としては、脂環式炭化水素基に含まれる水素原子がアルキル基で置換された基、アルキル基に含まれる水素原子が脂環式炭化水素基で置換された基、アラルキル基等が挙げられる。

アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。特に、Ｒ^b9〜Ｒ^b１２のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜１２である。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて２０以下である。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基等が挙げられる。

特に、Ｒ^b9〜Ｒ^b11の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１８、より好ましくは炭素数４〜１２である。

水素原子がアルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。

芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等が挙げられる。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、例えば、ｐ−メトキシフェニル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたアルキル基、すなわちアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基などが挙げられる。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基などが挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^b4、Ｒ^b5及びＲ^b6の置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基は、好ましくは、互いに独立に、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基であり、前記アルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式飽和炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。

Ｒ^b4とＲ^b5とが一緒になって形成してもよい硫黄原子を含む環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を１以上含むものであれば、さらに、１以上の硫黄原子及び／又は１以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数３〜１８の環が好ましく、炭素数４〜１８の環がより好ましい。

Ｒ^b9とＲ^b10とが一緒になって形成する環としては例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環及び１，４−オキサチアン−４−イウム環等が挙げられる。
Ｒ^b11とＲ^b12とが一緒になって形成する環としては例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。

式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）でそれぞれ表されるカチオンとしては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたものが挙げられる。

式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）でそれぞれ表されるカチオンの中でも、式（ｂ２−１）で表されるカチオンが好ましく、式（ｂ２−１−１）で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝０である。）又はトリトリルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝１であり、Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21がいずれもメチル基である。）がさらに好ましい。

［式（ｂ２−１−１）中、
Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21は、互いに独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式飽和炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｖ２、ｗ２及びｘ２は、互いに独立に０〜５の整数を表す。
ｖ２が２以上のとき、複数のＲ^b19は互いに同一でも異なってもよく、ｗ２が２以上のとき、複数のＲ^b20は互いに同一でも異なってもよく、ｘ２が２以上のとき、複数のＲ^b21は互いに同一でも異なってもよい。］

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、ペンタデシル基、ヘキシルデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基等が挙げられる。中でも、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数１〜１２の脂肪族飽和炭化水素基がより好ましい。
炭素数３〜１８の脂環式飽和炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基及びシクロドデシル基等のシクロアルキル基；ビシクロ〔２．２．１〕ヘプチル基、アダマンチル基及び下記式で表される炭化水素から水素原子を１つ取り去った基等の多環式脂環式炭化水素基が挙げられる。好ましくは、炭素数４〜１８の脂環式炭化水素基である。

炭素数１〜１２のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21は、好ましくは、互いに独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、又は炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

式（Ｉ）で表される基を有する構造単位は、式（Ｉ−１）で表される構造単位が好ましい。

［式（Ｉ−１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、ｚ及びＺ１^＋は、上記と同じ意味を表す。
Ｒ^３は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｘ^１は、フェニレン基又は−ＣＯ−Ｏ−＊を表し、＊はＸ^２との結合手を表す。
Ｘ^２は、２価の連結基を表す。］

Ｘ^２の２価の連結基としては、例えば、炭素数１〜１６の２価の炭化水素基が挙げられ、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わってもよく、水素原子はフッ素原子に置換されてもよい。ただし、Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）との結合位置にあるメチレン基に含まれる２つの水素原子は、ともにフッ素原子に置換されることはない。

２価の炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基；ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の２価の多環式脂環式飽和炭化水素基；等が挙げられる。

前記炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わったものとしては、例えば式（Ｘ１）〜式（Ｘ５３）で表される２価の基が挙げられる。ただし、これらの基において、メチレン基が酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基で置き換わる前の炭素数はそれぞれ１６以下である。下記式において、＊はＣ（Ｒ^１）（Ｒ^２）との結合手を表す。

Ｘ^３は、２価の炭素数１〜１５の炭化水素基を表す。
Ｘ^４は、２価の炭素数１〜１４の炭化水素基を表す。
Ｘ^５は、２価の炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。
Ｘ^６は、炭素数１〜１３のアルキル基を表す。
Ｘ^７は、３価の炭素数１〜１３の炭化水素基を表す。
Ｘ^８は、２価の炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。

２価の炭化水素基としては、例えば、式（Ｉ−１）のＸ^２の説明で挙げたものと同様の基が挙げられ、３価の炭化水素基としては、これらの２価の炭化水素基から水素原子を１つ取り去った基が挙げられる。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基及びトリデシル基等が挙げられる。

Ｘ^２は、好ましくは、式（Ｘ５）、式（Ｘ１０）、式（Ｘ３１）〜式（Ｘ４５）及び式（Ｘ５０）〜式（Ｘ５３）のいずれかで表される基であり、より好ましくは、式（Ｘ５）、式（Ｘ１０）、式（Ｘ３１）、式（Ｘ３４）、式（Ｘ４２）、式（Ｘ４３）及び式（Ｘ５３）のいずれかで表される基である。

式（Ｉ−１）で表される構造単位としては、式（Ｉ−２）〜式（Ｉ−４）でそれぞれ表される構造単位が好ましい。

［式（Ｉ−２）中、Ｒ^１１は、水素原子又はメチル基を表す。
ｘは、１又は２を表す。
Ｘ^１１は、炭素数１〜１４の２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｘ^１２は、＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−を表す。＊はＸ^１１との結合手を表す。
Ｚ２^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］

Ｘ^１１としては、例えば、炭素数１〜１４のアルカンジイル基、＊−Ｏ−Ｘ^１６−、＊−Ｏ−Ｘ^１６−、＊−Ｘ^１７−Ｏ−Ｘ^１６−、＊−Ｘ^１７−Ｏ−Ｘ^１８−Ｓ−Ｘ^１６−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^１６−等が挙げられる。＊はベンゼン環との結合手を表す。
Ｘ^１６は、炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^１７は、炭素数１〜４のアルカンジイル基を表す。
Ｘ^１８は、炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基又は炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基を表す。

２価の飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基；ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の２価の多環式脂環式飽和炭化水素基；等が挙げられる。

２価の芳香族炭化水素基としては、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）中の芳香族炭化水素基として挙げた基から水素原子を１つ取り去った基が挙げられる。

Ｘ^１２は、好ましくは＊−Ｏ−ＣＯ−である。
Ｚ２^＋の有機スルホニウムカチオンとしては、式（ｂ２−１）、式（ｂ２−３）又は式（ｂ２−４）で表されるカチオンが挙げられ、有機ヨードニウムカチオンとしては、式（ｂ２−２）で表されるカチオンが挙げらる。

［式（Ｉ−３）中、Ｒ^１２は、水素原子又はメチル基を表す。
ｙは、１又は２を表す。
Ｘ^１３は、炭素数１〜１４の２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｘ^１４は、単結合、−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−を表す。＊はＸ^１１との結合手を表す。
Ｚ３^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］

Ｘ^１３の２価の炭化水素基としては、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）中の炭化水素基として挙げた基から水素原子を１つ取り去った基が挙げられる。
Ｘ^１３は、好ましくは、＊−Ｘ^１９−、＊−Ｘ^１９−Ｏ−ＣＯ−Ｘ^２０−、＊−Ｘ^１９−ＣＯ−Ｘ^２１−Ｏ−Ｘ^２０−又は＊−Ｘ^２０−である。
Ｘ^１９は、フェニレン基又はナフタレンジイル基を表す。
Ｘ^２０は、炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^２１は、炭素数１〜４のアルカンジイル基を表す。
２価の飽和炭化水素基及びアルカンジイル基としては、上述の基が挙げられる。

Ｘ^１４は、好ましくは＊−Ｏ−ＣＯ−である。
Ｚ３^＋の有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンとしては、Ｚ３^＋で挙げたものと同様のカチオンが挙げられる。

［式（Ｉ−４）中、Ｒ^１３は、水素原子又はメチル基を表す。
ｕは、１又は２を表す。
Ｒ^１４は、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^１５は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｚ４^＋は、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンを表す。］

Ｒ^１４の飽和炭化水素基は、例えば、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２の脂環式飽和炭化水素基であり、具体的には、式（ｂ２−１−１）中のアルキル基又は脂環式飽和炭化水素基として挙げたものと同様の基が挙げられる。
Ｘ^１５は、好ましくはメチレン基又はエチレン基である。
Ｚ４^＋の有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンとしては、Ｚ３^＋で挙げたものと同様のカチオンが挙げられる。

式（Ｉ−２）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位及び特開２０１１−１５８８９６号公報記載の構造単位が挙げられる。Ｚ２^＋は、上記と同じ意味を表す。

式（Ｉ−３）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位、並びに特開２０１１−７６０８４号公報、特開２０１１−１９０２４６号公報、２０１１−２１９４５９号公報又は特開２００７−１９７７１８号公報記載の構造単位が挙げられる。Ｚ３^＋は、上記と同じ意味を表す。

式（Ｉ−４）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位及びＷＯ２０１２／０５００１５記載の構造単位が挙げられる。Ｚ４^＋は、上記と同じ意味を表す。

さらに、構造単位（ｐ）としては、例えば、上記公報及び特開２００６−１７８３１７号公報記載の構造単位が挙げられる。

構造単位（ｐ）は、上述のスルホン酸アニオン及び上述の有機カチオンの組合せであり、これらは任意に組み合わせることができる。構造単位（ｐ）としては、例えば、以下の構造単位が挙げられる。

構造単位（ｐ）の含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、通常１〜２５モル％であり、好ましくは２〜２０モル％であり、より好ましくは３〜１５モル％である。

構造単位（ａ１−１）は、式（ａ１−１）で表される。

［式（ａ１−１）中、
Ｌ^a1は、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_ｊ1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｊ１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6は、炭素数１〜１０の飽和炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。］

Ｌ^a1の＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_ｊ1−ＣＯ−Ｏ−におけるｊ１は、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１である。
Ｌ^a1は、好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a4は、好ましくはメチル基である。

Ｒ^a6の飽和炭化水素基としては、アルキル基、脂環式飽和炭化水素基が挙げられる。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。
脂環式飽和炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基及びシクロデシル基等のシクロアルキル基；ビシクロ〔２．２．１〕ヘプチル基、アダマンチル基及び下記式で表される炭化水素から水素原子を１つ取り去った基等の多環式脂環式炭化水素基が挙げられる。

Ｒ^a6の飽和炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基である。該アルキル基は、好ましくは炭素数８以下であり、より好ましくは炭素数６以下である。該脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下であり、より好ましくは炭素数６以下である。

ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ１−１）を導くモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。構造単位（ａ１−１）としては、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−８）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ１−１−１）〜（ａ１−１−４）のいずれかで表される構造単位がより好ましい。

樹脂（Ａ１）中、構造単位（ａ１−１）の含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、５〜５０モル％が好ましく、１０〜４０モル％がより好ましく、１２〜３５モル％がさらに好ましい。

構造単位（ａ１−２）は、式（ａ１−２）で表される。

［式（ａ１−２）中、
Ｌ^a2は、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a5は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a7は、炭素数１〜１０の飽和炭化水素基を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］

Ｌ^a2の^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−におけるｋ１は、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１である。Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a7の飽和炭化水素基としては、Ｒ^a6の飽和炭化水素基と同様の基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜１０の脂環式飽和炭化水素基である。該アルキル基は、好ましくは炭素数８以下であり、より好ましくは炭素数６以下である。該脂環式飽和炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下であり、より好ましくは炭素数６以下である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ１−２）を導くモノマーとしては、例えば、１−エチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘプタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート及び１−イソプロピルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレートなどが挙げられる

構造単位（ａ１−２）としては、好ましくは、式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−１２）のいずれかで表される構造単位であり、より好ましくは、式（ａ１−２−３）、式（ａ１−２−４）、式（ａ１−２−７）又は式（ａ１−２−８）で表される構造単位であり、さらに好ましくは式（ａ１−２−３）又は式（ａ１−２−７）で表される構造単位である。

樹脂（Ａ１）中、構造単位（ａ１−２）の含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、４〜４０モル％が好ましく、８〜３０モル％がより好ましく、１０〜２５モル％がさらに好ましい。

樹脂（Ａ１）は、酸の作用（例えば、酸との接触）によりアルカリ水溶液への溶解性が増大する特性を有する樹脂である。酸の作用がなければアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となることが好ましい。樹脂が酸不安定基を有するため、当該特性を示すものとなる。
本明細書において、「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸の作用により脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。酸不安定基としては、第三アルコールのエステル構造を含む基や、アセタール構造又はケタール構造を含む基が挙げられる。
構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）は、酸不安定基を有する構造単位である。

樹脂（Ａ１）は、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）以外の酸不安定基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」という場合がある。）を含有してもよい。その場合、構造単位（ａ１−１）、構造単位（ａ１−２）及び構造単位（ａ）の合計含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、１０〜９５モル％が好ましく、２０〜８５モル％がより好ましく、２５〜６５モル％がさらに好ましい。

構造単位（ａ１）を導くモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という場合がある。）としては、式（ａ１−３）で表されるモノマー（以下「モノマー（ａ１−３）」という場合がある。）が挙げられる。このようなモノマーに由来する構造単位を有する樹脂（Ａ１）は、主鎖に剛直なノルボルナン環を含む樹脂となるため、該樹脂を本発明のレジスト組成物に用いると、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを製造できる傾向がある。

式（ａ１−３）中、
Ｒ^a9は、水素原子、置換基（例えばヒドロキシ基）を有していてもよい炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、又は−ＣＯＯＲ^a13を表し、Ｒ^a13は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子はヒドロキシ基等に置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｒ^a10、Ｒ^a11及びＲ^a12は、互いに独立に、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基を表すか、Ｒ^a10及びＲ^a11は互いに結合してこれらが結合する炭素原子とともに環を形成し、Ｒ^a12は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基及に含まれる水素原子はヒドロキシ基等で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。

Ｒ^a9〜Ｒ^a12の脂肪族炭化水素基としては、アルキル基が挙げられる。置換基、特にヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素基としては、例えば、ヒドロキシメチル基及び２−ヒドロキシエチル基等である。
Ｒ^a13としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、２−オキソ−オキソラン−３−イル基及び２−オキソ−オキソラン−４−イル基等が挙げられる。

Ｒ^a10とＲ^a11とが結合しこれらが結合する炭素原子とともに形成される環としては、シクロへキサン環及びアダマンタン環等が挙げられる。

モノマー（ａ１−３）としては例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたものが挙げられる。これらの中でも、式（ａ１−３−１）、式（ａ１−３−２）、式（ａ１−３−３）又は式（ａ１−３−４）で表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−３−２）又は（ａ１−３−４）で表されるモノマーがより好ましく、式（ａ１−３−２）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ１）が、モノマー（ａ１−３）に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、１０〜８５モル％が好ましく、１５〜８０モル％がより好ましく、２０〜７５モル％がさらに好ましい。

構造単位（ａ１）としては、さらに、式（ａ１−５）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１−５）」という場合がある。）が挙げられる。

式（ａ１−５）中、
Ｒ^a8は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^１は、単結合、酸素原子又はカルボニル基を表す。
Ａ^２は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ^a1〜Ｒ^a3は、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^a3は炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、Ｒ^a1及びＲ^a2は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成する。

Ｒ^a1〜Ｒ^a3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ｒ^a1〜Ｒ^a3のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜６である。
Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、下記の基（＊は結合手を表す。）等が挙げられる。Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１６である。

アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。

Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して２価の炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）としては、例えば、下記の基が挙げられる。＊は−Ｏ−との結合手を表す。

２価の炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。この場合の−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）としては、Ｒ^a3が結合する炭素原子とともに、アダマンタン環又はシクロヘキサン環を形成する基がより好ましい。

構造単位（ａ１−５）としては、例えば、以下の構造単位が挙げられる。式中、Ｒ^a8は、水素原子又はメチル基を表す。

樹脂（Ａ１）が、構造単位（ａ１−５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、３〜７０モル％が好ましく、５〜６０モル％がより好ましく、５〜５０モル％がさらに好ましい。

樹脂（Ａ１）は、さらに、酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ｓ）」という場合がある。）を有することが好ましい。構造単位（ｓ）は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場合がある）から導かれる。

樹脂（Ａ１）が構造単位（ｓ）を有する場合、酸不安定基を有する構造単位と構造単位（ｓ）との含有比（〔酸不安定基を有する構造単位〕／〔構造単位（ｓ）〕；モル比）は、好ましくは１０／９０〜８０／２０であり、より好ましくは２０／８０〜６０／４０である。このような含有比であると、本発明のレジスト組成物から得られるレジストパターンのドライエッチング耐性がより一層良好になる傾向がある。ここで、酸不安定基を有する構造単位の含有量とは、構造単位（ａ１−１）、構造単位（ａ１−２）及び構造単位（ａ１）の合計含有量を意味する。

構造単位（ｓ）としては、ヒドロキシ基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ２）」というという場合がある。）及びラクトン環を有する構造単位（以下「構造単位（ａ３）」というという場合がある。）が挙げられる。これらの構造単位を有する樹脂（Ａ１）を本発明のレジスト組成物に用いると、本発明のレジスト組成物を基板に塗布した膜及び／又は組成物層は、基板との密着性に優れる傾向があるため、高解像度で、レジストパターンを製造できる。

＜構造単位（ａ２）＞
構造単位（ａ２）としては、式（ａ２−１）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−１）」というという場合がある。）が挙げられる。

式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−（ｋ２は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基（−ＣＯ−）との結合手を表す。）で表される基を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、互いに独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。

Ｌ^a3は、好ましくは、酸素原子又は、ｋ２が１〜４の整数である−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−で表される基であり、より好ましくは、酸素原子又は、−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−であり、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ２−１）としては、例えば、以下のもの及び特開２０１０−２０４６４６号公報に記載のモノマーに由来する構造単位が挙げられる。

これらの中でも、式（ａ２−１−１）、式（ａ２−１−２）、式（ａ２−１−３）及び式（ａ２−１−４）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ２−１−１）又は（ａ２−１−３）で表される構造単位がさらに好ましい。

樹脂（Ａ１）が構造単位（ａ２−１）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、１〜４５モル％が好ましく、２〜３５モル％がより好ましく、３〜３０モル％がさらに好ましい。

＜構造単位（ａ３）＞
構造単位（ａ３）が有するラクトン環は例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環及びδ−バレロラクトン環のような単環式でもよく、多環式のラクトン環でもよい。これらラクトン環の中で、γ−ブチロラクトン環及びγ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環が好ましい。

構造単位（ａ３）は好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される構造単位である。

［式（ａ３−１）中、
Ｌ^a4は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a18は、水素原子又はメチル基を表す。
ｐ１は０〜５の整数を表す。
Ｒ^a21は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表し、ｐ１が２以上の場合、複数のＲ^a21は互いに同一でも異なってもよい。
式（ａ３−２）中、
Ｌ^a5は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^ａ１９は、水素原子又はメチル基を表す。
ｑ１は、０〜３の整数を表す。
Ｒ^a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表し、ｑ１が２以上の場合、複数のＲ^a22は互いに同一でも異なってもよい。
式（ａ３−３）中、
Ｌ^a6は、酸素原子又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７の整数を表す。）で表される基を表す。＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^a20は、水素原子又はメチル基を表す。
ｒ１は、０〜３の整数を表す。
Ｒ^a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表し、ｒ１が２以上の場合、複数のＲ^a23は互いに同一でも異なってもよい。］

Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、互いに独立に、酸素原子又は、ｋ３が１〜４の整数である＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−で表される基が好ましく、酸素原子及び、＊−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−がより好ましく、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a18〜Ｒ^a21は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、互いに独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、互いに独立に、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０又は１である。

式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される構造単位としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。
式（ａ３−１）で表される構造単位は、式（ａ３−１−１）、式（ａ３−１−２）、式（ａ３−１−３）又は式（ａ３−１−４）で表される構造単位が好ましい。

式（ａ３−２）で表される構造単位は、式（ａ３−２−１）、式（ａ３−２−２）、式（ａ３−２−３）又は式（ａ３−２−４）で表される構造単位が好ましい。

式（ａ３−３）で表される構造単位は、式（ａ３−３−１）、式（ａ３−３−２）、式（ａ３−３−３）又は式（ａ３−３−４）で表される構造単位が好ましい。

特に、構造単位（ａ３）は、式（ａ３−１）で表される構造単位又は式（ａ３−２）で表される構造単位が好ましく、式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−２）又は式（ａ３−２−３）〜式（ａ３−２−４）で表される構造単位がより好ましく、式（ａ３−１−１）又は式（ａ３−２−３）で表される構造単位がさらに好ましい。

樹脂（Ａ１）が、構造単位（ａ３）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、５〜７０モル％が好ましく、１０〜６５モル％がより好ましく、１０〜６０モル％がさらに好ましい。

さらに、上記以外のその他の構造単位（ｓ）（以下「構造単位（ａ４）」という場合がある。）を導くモノマーとしては、レジスト分野で公知のモノマー、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、４-メチルスチレン、２-メチルスチレン、３−メチルスチレン、イソイソボロニルアクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート及びテトラシクロドデセニル（メタ）アクリレートなどが挙げられる。中でも、好ましくは、スチレン、α−メチルスチレン、４-メチルスチレン、２-メチルスチレン及び３−メチルスチレンが挙げられる。

樹脂（Ａ１）が、構造単位（ａ４）を有する場合、その含有割合は、該樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、１〜４０モル％が好ましく、３〜３０モル％がより好ましく、５〜２０モル％がさらに好ましい。

樹脂（Ａ１）は、樹脂（Ａ１）が含有する各構造単位を導くそれぞれのモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。各構造単位の含有率は、樹脂（Ａ１）を製造する際に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ａ１）は、好ましくは、構造単位（ｐ）を導くモノマーと、構造単位（ａ１−１）を導くモノマーと、構造単位（ａ１−２）を導くモノマーとモノマー（ｓ）との共重合体であり、より好ましくは、式（Ｉ−１）で表される構造単位を導くモノマーを導くモノマーと、構造単位（ａ１−１）を導くモノマーと、構造単位（ａ１−２）を導くモノマーと、構造単位（ａ２）を導くモノマー及び／又は構造単位（ａ３）を導くモノマーとの共重合体である。

樹脂（Ａ１）の具体例を構造単位の組み合わせで示すと、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１２２）のいずれかで表される樹脂が挙げられる。

樹脂（Ａ１）の重量平均分子量は、好ましくは、１，５００以上５０，０００以下であり、より好ましくは２，０００以上３０，０００以下である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の実施例に記載する。

〔樹脂（Ａ１）以外の樹脂〕
樹脂（Ａ）は、必要に応じて、樹脂（Ａ１）以外の樹脂を樹脂（Ａ１）とともに含んでもよい。樹脂（Ａ１）以外の樹脂を構成する構造単位としては、樹脂（Ａ１）の構造単位として挙げたもののうち、構造単位（ｐ）以外のものが挙げられ、好ましい構造単位、及び該構造単位の好ましい含有率も上記と同じである。樹脂（Ａ１）以外の樹脂としては、例えば、構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）と構造単位（ｓ）とからなる樹脂、構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）と構造単位（ａ１）と構造単位（ｓ）とからなる樹脂等が挙げられる。
樹脂（Ａ１）以外の樹脂の重量平均分子量は、好ましくは、２，５００以上５０，０００以下であり、より好ましくは３，０００以上３０，０００以下である。

＜酸増殖剤（Ｇ）＞
酸増殖剤（Ｇ）は、酸の作用により分解して、酸、好ましくは強酸、より好ましくはスルホン酸を発生する化合物である。かかる酸増殖剤（Ｇ）はレジスト分野で公知のものを用いることができる。酸増殖剤として用いられる化合物としては、例えば、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１０（１９９７）３１５、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１２（１９９９）５０９、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１２（１９９９）２９３、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎ ２１（２０００）１０５０、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１１（１９９９）２１１９、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．２０１（２０００）１３２、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２０（１９９８）３７、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．１３（２０００）２１５、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１３１（２００９）９８６２記載の化合物が挙げられる。

なかでも酸増殖剤は、式（ｇ）で表される化合物が好ましい。

［式（ｇ）中、
Ｒ^ｇ１〜Ｒ^ｇ５はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ^ｇ１及びＲ^ｇ２は、互いに結合し２価の基を形成していてもよい。
Ｒ^ｇ６は、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はニトロ基に置換されていてもよい。］

Ｒ^ｇ１〜Ｒ^ｇ５のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^ｇ１及びＲ^ｇ２は、それぞれ独立に、好ましくは、水素原子、メチル基又はエチル基であり、より好ましくは、Ｒ^ｇ１及びＲ^ｇ２がともにメチル基である。
Ｒ^ｇ３、Ｒ^ｇ４及びＲ^ｇ５は、それぞれ独立に、好ましくは水素原子、メチル基又はエチル基であり、より好ましくは、いずれも水素原子である。

Ｒ^ｇ６の炭化水素基としては、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）で説明した炭化水素基と同じものが挙げられる。
炭化水素基の置換基であるハロゲン原子は、好ましくはフッ素原子である。
Ｒ^ｇ６は、好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、及び、脂環式炭化水素環又は芳香族環を含む炭素数３〜１５の炭化水素基であり、該脂環式炭化水素環を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わってもよい。
Ｒ^ｇ６は、より好ましくは、脂環式炭化水素環を含む炭素数３〜１２の炭化水素基又はフェニル基であり、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わってもよく、該フェニル基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ニトロ基又はペルフルオロメチル基に置換されていてもよい。

式（ｇ）で表される化合物としては、例えば、式（ｇ−１）〜式（ｇ−３９）でそれぞれ表される化合物が挙げられる。これらの中でも式（ｇ−３）〜式（ｇ−１６）及び式（ｇ−２４）〜式（ｇ−３９）でそれぞれ表される化合物が好ましく、式（ｇ−３）〜式（ｇ−６）でそれぞれ表される化合物がさらに好ましい。なお、ここに例示した化合物は、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４９（２０１０）０４１６０２記載の方法に準じることにより製造することできる。

＜クエンチャー（Ｃ）＞
本発明のレジスト組成物におけるクエンチャーは、酸拡散抑制作用、つまり、露光により酸発生剤から発生する酸をトラップする作用を有する化合物であればよく、この作用に加えて、自ら酸を発生し得る化合物であってもよい。クエンチャーとしては、例えば、塩基性の含窒素有機化合物及び弱酸塩が挙げられる。

塩基性の含窒素有機化合物としては、例えば、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。
アミンとしては、例えば、式（Ｃ１）〜式（Ｃ８）及び式（Ｃ１−１）のいずれかで表される化合物が挙げられ、好ましくは式（Ｃ１−１）で表される化合物である。

［式（Ｃ１）中、
Ｒ^c1、Ｒ^c2及びＲ^c3は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］

［式（Ｃ１−１）中、
Ｒ^c2及びＲ^c3は、前記と同義である。
Ｒ^c4は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表す。
ｍ３は０〜３の整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲ^c4は、互いに同一でも異なってもよい。］

［式（Ｃ２）、式（Ｃ３）及び式（Ｃ４）中、
Ｒ^c5、Ｒ^c6、Ｒ^c7及びＲ^c8は、互いに独立に、Ｒ^c1と同義である。
Ｒ^c9は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６の脂環式炭化水素基又は炭素数２〜６のアルカノイル基を表す。
ｎ３は０〜８の整数を表し、ｎ３が２以上のとき、複数のＲ^c9は、互いに同一又は相異なる。］

［式（Ｃ５）及び式（Ｃ６）中、
Ｒ^c10、Ｒ^c11、Ｒ^c12、Ｒ^c13及びＲ^c16は、互いに独立に、Ｒ^c1と同義である。
Ｒ^c14、Ｒ^c15及びＲ^c17は、互いに独立に、Ｒ^c4と同義である。
ｏ３及びｐ３は、互いに独立に０〜３の整数を表し、ｏ３が２以上のとき、複数のＲ^c14は互いに同一でも異なってもよく、ｐ３が２以上のとき、複数のＲ^c15は互いに同一でも異なってもよい。
Ｌ^c1は、炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

［式（Ｃ７）及び式（Ｃ８）中、
Ｒ^c18、Ｒ^c19及びＲ^c20は、互いに独立に、Ｒ^c4と同義である。
ｑ３、ｒ３及びｓ３は、互いに独立に０〜３の整数を表し、ｑ３が２以上のとき、複数のＲ^c18は互いに同一でも異なってもよく、ｒ３が２以上のとき、複数のＲ^c19は互いに同一でも異なってもよく、ｓ３が２以上のとき、複数のＲ^c20は互いに同一でも異なってもよい。
Ｌ^c2は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

式（Ｃ１）〜式（Ｃ８）及び式（Ｃ１−１）においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基及びアルカンジイル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、２−メチルアセチル基、２，２−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。

式（Ｃ１）で表される化合物としては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン及び４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。

式（Ｃ２）で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式（Ｃ３）で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式（Ｃ４）で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式（Ｃ５）で表される化合物としては、２，２’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式（Ｃ６）で表される化合物としては、イミダゾール及び４−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式（Ｃ７）で表される化合物としては、ピリジン及び４−メチルピリジン等が挙げられる。
式（Ｃ８）で表される化合物としては、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン及びビピリジン等が挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。

弱酸塩としては、構造単位（ｐ）から発生する酸及び酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも弱い酸の塩が挙げられ、例えば、カルボン酸塩やスルホン酸塩であり、好ましくは、式（Ｃ１０）又は式（Ｃ１１）で表される塩である。

［式（Ｃ１０）中、
Ｒ^Ｃ２１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の複素環基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
Ｚ６^＋は、有機カチオンを表す。］

［式（Ｃ１１）中、
Ｒ^Ｃ２２及びＲ^Ｃ２３は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式飽和炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基又は炭素数７〜２１のアラルキル基を表し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式飽和炭化水素基、該芳香族炭化水素基及びアラルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、シアノ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基又はニトロ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよく、Ｒ^Ｃ２２及びＲ^Ｃ２３は互いに結合してこれらが結合する窒素原子とともに炭素数４〜２０の環を形成してもよい。
Ｚ７^＋は、有機カチオンを表す。］

クエンチャーとしては、窒素原子を有するスルホン酸塩、例えば、式（Ｃ９）で表される塩も挙げられる。

［式（Ｃ９）中、
Ｑ^ｅ1及びＱ^ｅ2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^ｅ２は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ｙ^Ｎは窒素原子を含む有機基を表す。
Ｚ５^＋は、有機カチオンを表す。］

Ｑ^ｅ1及びＱ^ｅ2は、式（Ｉ）のＲ¹及びＲ²と同じ基が挙げられ、好ましいものも同じである。
Ｙ^Ｎは、好ましくは、窒素原子を含む複素環基である。該複素環を構成する複素環としては、例えば、イミダゾール環、モリホリン環等が挙げられる。

Ｌ^ｅ２の飽和炭化水素基は、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基、ヘプタデカン−１，１７−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基及びプロパン−２，２−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
１−メチルブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。

Ｌ^ｅ２の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）でそれぞれ表される基が挙げられる。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）は、その左右を式（Ｃ９）に合わせて記載しており、それぞれ＊で表される２つの結合手のうち、左側でＣ（Ｑ¹）（Ｑ²）と結合し、右側でＹ^Ｎと結合している。以下の式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）の具体例も同様である。

式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−７）中、
Ｌ^b2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b3は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b4は、炭素数１〜１３の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b3及びＬ^b4の合計炭素数の上限は１３である。
Ｌ^b５は、単結合又は炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b６は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b5及びＬ^b6の合計炭素数の上限は１５である。
Ｌ^b７は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b８は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b７及びＬ^b８の合計炭素数の上限は１６である。
Ｌ^b9は、単結合又は炭素数１〜１３の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b10は、炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b9及びＬ^b10の合計炭素数の上限は１４である。
Ｌ^b11及びＬ^b12は、単結合又は炭素数１〜１１の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b13は、炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b11、Ｌ^b12及びＬ^b13の合計炭素数の上限は１２である。
Ｌ^b14及びＬ^b15は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１〜１３の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b16は、炭素数１〜１４の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b14、Ｌ^b15及びＬ^b16の合計炭素数の上限は１４である。

Ｌ^b１は、式（ｂ１−１）で表される基が好ましく、Ｌ^b2が単結合又は炭素数１〜６の脂肪族飽和炭化水素基である式（ｂ１−１）で表される基がより好ましい。

式（ｂ１−１）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−２）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−４）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−５）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−６）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−７）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Ｚ５^＋、Ｚ６^＋及びＺ７^＋の有機カチオンとしては、式（Ｉ）のＺ１^＋、と同様の有機カチオンが挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオンである。

式（Ｃ９）で表される塩としては、例えば、下記式で表される塩及び特開２０１２−６９０８号公報記載の塩が挙げられる。

式（Ｃ１０）で表される塩としては、例えば、下記で表される塩及び特開２０１１−３９５０２号公報記載の塩が挙げられる。

式（Ｃ１１）で表される塩としては、例えば、下記で表される塩及び特開２０１１−１９１７４５号公報記載の塩が挙げられる。

＜溶剤（Ｄ）＞
溶剤（Ｄ）は、本発明のレジスト組成物に含まれる成分を溶解するものであれば、特に限定されず、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等のラクトン類等、及びこれらの混合溶剤が挙げられる。

＜酸発生剤（Ｂ）＞
酸発生剤（Ｂ）は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、いずれでもよい。
非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン４−スルホネート）、及びスルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）などが挙げられる。イオン系酸発生剤としては、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）などが挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、及びスルホニルメチドアニオンなどが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）としては、例えば特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号、米国特許第３，７７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。

酸発生剤（Ｂ）は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは、式（Ｂ１）で表される基を含むアニオンを有する酸発生剤である。このような酸発生剤としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号及び特開２０１１−４３７０９号公報記載の塩等が挙げられる。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］

＜その他の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある）＞
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料等が挙げられる。

＜本発明のレジスト組成物の製造方法＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）及び酸増殖剤（Ｇ）、並びに、必要に応じて用いられる酸発生剤（Ｂ）、溶剤（Ｄ）、クエンチャー（Ｃ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製できる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、樹脂の種類や溶剤（Ｄ）への溶解度等に応じて、１０〜４０℃の範囲で適宜選択できる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の範囲で適宜選択できる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。

樹脂（Ａ）の含有量は、固形分の総量に対して、好ましくは８０質量％以上９９質量％以下である。尚、本明細書において「固形分」とは、本発明のレジスト組成物から溶剤（Ｄ）を除いた成分の合計を意味する。固形分の総量及び本発明のレジスト組成物に含まれる各成分の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
樹脂（Ａ１）の含有量は、樹脂（Ａ）の総量に対して、好ましくは１０質量％以上１００質量％以下であり、より好ましくは１５質量％以上１００質量％以下である。

酸増殖剤（ｇ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは、０．１質量部以上１０質量部以下、より好ましくは、０．５質量部以上５質量部以下である。

酸発生剤（Ｂ）を含有する場合、その含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．１質量部以上２０質量部以下である。

本発明のレジスト組成物がクエンチャー（Ｃ）を含む場合、その含有率は、固形分の総量に対して、０．０１〜４質量％程度が好ましい。

溶剤（Ｄ）の含有率は、本発明のレジスト組成物の総量に対して、９０質量％以上が好ましく、９２質量％以上がより好ましく、９４質量％以上がさらに好ましく、９９．９質量％以下が好ましく、９９．５質量％以下がより好ましい。溶剤（Ｄ）の含有率が上記範囲内であると、レジストパターンを製造する際に、厚み３０〜３００ｎｍ程度の組成物層を形成しやすい。

その他の成分（Ｆ）を用いる場合、その含有量は、その他の成分（Ｆ）の種類に応じて適宜選択する。

＜レジストパターンの製造方法＞
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程
を含む。

工程（１）における本発明のレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、通常、当該分野で用いられている塗布装置によって行うことができる。基板としては、例えば、シリコンウェハ等が挙げられる。本発明のレジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜等が形成されていてもよい。

工程（２）により、塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤が除去され、基板上に組成物層が形成される。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱乾燥（いわゆるプリベーク）、減圧装置を用いた減圧乾燥、或いはこれらの手段を組み合わせて行われる。この場合の温度は、例えば、５０〜２００℃程度が好ましい。また、圧力は、１〜１．０×１０^５Ｐａ程度が好ましい。

工程（３）は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光する工程である。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域又は真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。該露光機は液浸露光機であってもよい。尚、本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。

工程（４）は、露光後の組成物層を加熱する工程（いわゆるポストエキスポジャーベーク）であり、好ましくは、加熱装置により現像する工程である。加熱装置としては、ホットプレート等が挙げられる。加熱温度としては、通常、５０〜２００℃、好ましくは、７０〜１５０℃である。加熱時間としては、通常、２０〜９０秒、好ましくは、３０〜７０秒である。工程（４）を行うことにより、樹脂（Ａ１）が有する酸不安定基の脱保護反応が促進される。

工程（５）は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像する工程である。現像には、通常、アルカリ現像液が利用される。該アルカリ現像液としては例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。現像により、工程（３）の未露光部に相当する部分が除去される。
現像後、超純水等でリンス処理を行い、さらに基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。

＜用途＞
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）照射用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物等に有用である。特に、スカムの発生が少なく、さらにラインエッジラフネスが良好なレジストパターンを得ることができるため、電子線用又はＥＵＶ用のレジスト組成物に有用である。

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
樹脂の重量平均分子量は、下記の分析条件でゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。
装置 ：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型（東ソー（株）製）
カラム：TSKgel Multipore H_XL-M x 3 + guardcolumn（東ソー（株）製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μｌ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー（株）製）

樹脂（Ａ）の合成
樹脂（Ａ）の合成に使用した化合物（モノマー）を下記に示す。

以下、これらのモノマーを、その符号に応じて、「モノマーＡ」等という。

合成例１〔樹脂Ａ１の合成〕
モノマーＧを特開２００７−１９７７１８号公報に記載された方法で合成した。
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、モノマーＣ１．７５部及びメチルエチルケトン８．４６部を仕込み、７５℃まで昇温した。そこへモノマーＣ５．２５部、モノマーＤ２．４０部、モノマーＢ１．１３部、モノマーＦ４．０１部、モノマーＥ５．１９部、モノマーＧ５．６４部〔モル比；モノマーＣ：モノマーＤ：モノマーＢ：モノマーＦ：モノマーＥ：モノマーＧ＝２８：１５：５：１５：３２：５〕、アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル０．１９部及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．８５部をメチルエチルケトン２２．６部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後８５℃を保ったまま５時間攪拌を継続した。反応溶液を４０℃に冷却した。次にイソプロピルアルコール２３４部と水５９部の混合溶液を１０℃に冷却し、そこへ反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し、メタノールで２回洗浄し、減圧乾燥することで重量平均分子量６．０×１０^３の樹脂を１１．５部得た。この樹脂を樹脂Ａ１とする。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有する。

合成例２〔樹脂Ａ２の合成〕
モノマーＨを特開２０１１−７６０８４号公報に記載された方法で合成した。
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、モノマーＣ２．００部及びメチルエチルケトン９．８２部を仕込み、７５℃まで昇温した。そこへモノマーＣ６．００部、モノマーＤ２．７５部、モノマーＢ１．２９部、モノマーＦ４．５８部、モノマーＥ５．９３部、モノマーＨ６．０９部〔モル比；モノマーＣ：モノマーＤ：モノマーＢ：モノマーＦ：モノマーＥ：モノマーＨ＝２８：１５：５：１５：３２：５〕、アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル０．２１部及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．９７部をメチルエチルケトン２７．０部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後８５℃を保ったまま５時間攪拌を継続した。反応溶液を４０℃に冷却した。次にイソプロピルアルコール２７２部と水６８部の混合溶液を１０℃に冷却し、そこへ反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し、メタノールで２回洗浄し、減圧乾燥することで重量平均分子量５．３×１０^３の樹脂を９．５２部得た。この樹脂を樹脂Ａ２とする。この樹脂Ａ２は、以下の構造単位を有する。

合成例３〔樹脂Ａ３の合成〕
モノマーＩを特開２０１１−７６０８４号公報に記載された方法で合成した。
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、モノマーＣ２．００部及びメチルエチルケトン９．９２部を仕込み、７５℃まで昇温した。そこへモノマーＣ６．００部、モノマーＤ２．７５部、モノマーＢ１．２９部、モノマーＦ４．５８部、モノマーＥ５．９３部、モノマーＩ６．５２部〔モル比；モノマーＣ：モノマーＤ：モノマーＢ：モノマーＦ：モノマーＥ：モノマーＩ＝２８：１５：５：１５：３２：５〕、アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル０．２１部及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．９７部をメチルエチルケトン２７．０部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後８５℃を保ったまま５時間攪拌を継続した。反応溶液を４０℃に冷却した。次にイソプロピルアルコール２７２部と水６８部の混合溶液を１０℃に冷却し、そこへ反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し、メタノールで２回洗浄し、減圧乾燥することで重量平均分子量５．０×１０^３の樹脂を１０．５部得た。この樹脂を樹脂Ａ３とする。この樹脂Ａ３は、以下の構造単位を有する。

合成例４〔樹脂Ａ４の合成〕
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、モノマーＣ２．００部及びメチルエチルケトン９．９２部を仕込み、７５℃まで昇温した。そこへモノマーＣ６．００部、モノマーＤ２．７５部、モノマーＢ１．２９部、モノマーＦ４．５８部、モノマーＥ５．９３部、モノマーＪ（セントラル硝子（株）製）６．５９部〔モル比；モノマーＣ：モノマーＤ：モノマーＢ：モノマーＦ：モノマーＥ：モノマーＪ＝２８：１５：５：１５：３２：５〕、アゾビス−２，４−ジメチルバレロニトリル０．２１部及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．９７部をメチルエチルケトン２７．０部に溶解した溶液を１時間かけて滴下した。その後８５℃を保ったまま５時間攪拌を継続した。反応溶液を４０℃に冷却した。次にイソプロピルアルコール２７２部と水６８部の混合溶液を１０℃に冷却し、そこへ反応溶液を注ぐことにより、樹脂を析出させた。析出した樹脂を濾取し、メタノールで２回洗浄し、減圧乾燥することで重量平均分子量５．１×１０^３の樹脂を９．７１部得た。この樹脂を樹脂Ａ４とする。この樹脂Ａ４は、以下の構造単位を有する。

合成例１〔樹脂Ｈ１の合成〕
モノマーＫを特開２０１１−７６０８４号公報に記載された方法で合成した。
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、モノマーＡ１０．０部、モノマーＣ３．２６部、モノマーＨ７．４２部、モノマーＧ３．９２部及びモノマーＫ〔モル比；モノマーＡ：モノマーＣ：モノマーＨ：モノマーＧ：モノマーＫ＝３５：１２：２３：２０：１０〕を７．７２部仕込み、１，４−ジオキサンジオキサン４８．４部を加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．２３部とアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）１．０３部を添加し、７３℃で約５時間加熱した。その後、反応液を大量のメタノールに注いで沈殿させた後、大量のメタノールで沈殿物を洗浄し、減圧乾燥することで、重量平均分子量２．１×１０^３の共重合体を４．８部で得た。この樹脂を樹脂Ｈ１とする。この樹脂Ｈ１は、以下の構造単位を有する。

合成例６〔樹脂Ｈ２の合成〕
冷却管、攪拌機を備えた四つ口フラスコに、モノマーＡ１５．００部、モノマーＣ３．５７部、モノマーＩ３．３６部及びモノマーＧ５．１４部〔モル比；モノマーＡ：モノマーＣ：モノマーＩ：モノマーＧ＝５０：１２．５：１２．５：２５〕を仕込み、１，４−ジオキサン４０．６部を加えて溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル０．２部とアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）０．９部を添加し、７７℃で約５時間加熱した。その後、反応液を大量の含水メタノールに注いで沈殿させた後、大量の含水メタノールで沈殿物を洗浄し、減圧乾燥することで、重量平均分子量８．１×１０^３の樹脂を２１．１部得た。これを樹脂Ｈ２とする。この樹脂Ｈ２は、以下の構造単位を有する。

合成例７〔式（ｇ−６）で表される化合物の合成〕
四つ口フラスコに、３−メチル−１，３−ブタンジオール６．２３部、酢酸エチル８０部、トリエチルアミン４．４４部を仕込み攪拌した。そこへ、（＋）−１０−カンファースルホニルクロリド１０．０部を添加した。反応溶液を室温で、２４時間攪拌した。反応溶液に水４０部加え攪拌し静置後、分液した。この分液水洗操作を計５回行った。得られた有機層を濃縮し、減圧乾燥して、式（ｇ−６）で表される化合物１０．９部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ３１８．１

合成例８〔式（ｇ−１２）で表される化合物の合成〕
四つ口フラスコに、３−メチル−１，３−ブタンジオール５．６４部、酢酸エチル８０部、トリエチルアミン５．０２部を仕込み攪拌した。そこへ、４−ニトロベンゼンスルホニルクロリド１０．０部を添加した。反応溶液を６０℃で、２時間攪拌した。反応溶液を室温まで冷却後、水４０部を反応溶液に加え攪拌し静置後、分液した。この分液水洗操作を計５回行った。得られた有機層を濃縮し、減圧乾燥して、式（ｇ−１２）で表される化合物７．９３部を得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ２８９．０

合成例９〔式（ｇ−１１）で表される化合物の合成〕
四つ口フラスコに、３−メチル−１，３−ブタンジオール２．５０部、酢酸エチル４０部、トリエチルアミン１．７８部を仕込み攪拌した。そこへ、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルクロリド５．００部を添加した。反応溶液を室温で、２４時間攪拌した。反応溶液を室温まで冷却後、水２０部を反応溶液に加え攪拌し静置後、分液した。この分液水洗操作を計５回行った。得られた有機層を濃縮し、減圧乾燥して、式（ｇ−１１）で表される化合物４．３１部得た。
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ３８０．０

（レジスト組成物の調製）
以下に示す成分の各々を表１に示す質量部で混合して溶剤に溶解させた後、孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
Ａ１：樹脂Ａ１
Ａ２：樹脂Ａ２
Ａ３：樹脂Ａ３
Ａ４：樹脂Ａ４
Ｈ１：樹脂Ｈ１
Ｈ２：樹脂Ｈ２

＜酸増殖剤＞
Ｇ１：式（ｇ−６）で表される化合物
Ｇ２：式（ｇ−１２）で表される化合物
Ｇ３：式（ｇ−１１）で表される化合物

＜酸発生剤＞
Ｂ１：式（Ｂ−１）で表される塩；特開２０１１−１２６８６９号公報記載の方法で合成

Ｂ２：式（Ｂ−２）で表される塩；特開２００７−２２４００８号公報記載の方法で合成

＜クエンチャー＞
Ｃ１：式（Ｃ９−１）で表される塩；特開２０１２−６９０８号記載の方法で合成

Ｃ２：２，６−ジイソプロピルアニリン（東京化成工業（株）製）
＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ４００部
プロピレングリコールモノメチルエーテル １５０部
γ−ブチロラクトン ５部

実施例１〜９及び比較例１
（レジスト組成物の電子線露光評価）
６インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を組成物層の膜厚が０．０４μｍとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上で、表１の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして組成物層を形成した。シリコンウェハ上に形成された組成物層に、電子線描画機〔（株）日立製作所製の「ＨＬ−８００Ｄ ５０ｋｅＶ」〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを直接描画した。
露光後、ホットプレート上にて表１の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
得られたレジストパターン（ラインアンドスペースパターン）を走査型電子顕微鏡で観察し、線幅１００ｎｍのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが１：１となる露光量を実効感度とした。

ラインエッジラフネス評価（ＬＥＲ）：実効感度で製造されたレジストパターンの側壁面の凹凸の振れ幅を走査型電子顕微鏡で測定し、ラインエッジラフネスを求めた。その結果を表２に示す。

スカム評価：実効感度で製造されたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、ラインアンドスペースパターンのスペース部における現像残渣（スカム）の発生が、通常の半導体製造に問題にならない程度に少なかったものを○、多かったものを×とした。その結果を表２に示す。

実施例１０及び１１
（レジスト組成物のＥＵＶ露光評価）
８インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を組成物層の膜厚が０．０３５μｍとなるようにスピンコートした。
その後、ダイレクトホットプレート上で、表１の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして組成物層を形成した。シリコンウェハ上に形成された組成物層に、ＥＵＶ露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表１の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行うことにより、レジストパターンを得た。
得られたレジストパターン（ラインアンドスペースパターン）を走査型電子顕微鏡で観察し、線幅２２ｎｍのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが１：１となる露光量を実効感度とした。

ラインエッジラフネス評価（ＬＥＲ）：実効感度で製造されたレジストパターンの側壁面の凹凸の振れ幅を走査型電子顕微鏡で測定し、ラインエッジラフネスを求めた。その結果を表３に示す。

スカム評価：実効感度で製造されたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、ラインアンドスペースパターンのスペース部における現像残渣（スカム）の発生が、通常の半導体製造に問題にならない程度に少なかったものを○、多かったものを×とした。その結果を表３に示す。

上記の結果から、本発明のレジスト組成物によれば、未露光部におけるスカム発生が少なく、さらに得られるレジストパターンはラインエッジラフネスにも優れることがわかる。

本発明のレジスト組成物を用いれば、スカムの発生が少ないレジストパターンを製造できる。

Claims (6)

1. 樹脂と酸増殖剤とを含有し、
   樹脂が、放射線の照射により分解して酸を発生する構造単位と、式（ａ１−１）で表される構造単位と、式（ａ１−２）で表される構造単位とを含む樹脂であるレジスト組成物。
   

   

   ［式（ａ１−１）中、
   Ｌ^a1は、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_ｊ1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｊ１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
   Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a6は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
   ｍ１は０〜１４の整数を表す。］
   

   

   ［式（ａ１−２）中、
   Ｌ^a2は、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
   Ｒ^a5は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｒ^a7は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。
   ｎ１は０〜１０の整数を表す。
   ｎ１’は０〜３の整数を表す。］
2. 樹脂が、式（Ｉ）で表される基を有する構造単位を含む樹脂である請求項１記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（Ｉ）中、
   Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   ｚは、１〜６の整数を表す。
   Ｚ１^＋は、有機カチオンを表す。］
3. 式（Ｉ）で表される基を有する構造単位が、式（Ｉ−１）で表される構造単位である請求項２記載のレジスト組成物。
   

   

   ［式（Ｉ−１）中、Ｒ^１、Ｒ^２、ｚ及びＺ１^＋は、上記と同じ意味を表す。
   Ｒ^３は、水素原子又はメチル基を表す。
   Ｘ^１は、フェニレン基又は−ＣＯ−Ｏ−＊を表し、＊はＸ^２との結合手を表す。
   Ｘ^２は、２価の連結基を表す。］
4. 酸増殖剤が、式（ｇ）で表される化合物である請求項１〜３のいずれか一項記載のレジスト組成物
   

   

   ［式（ｇ）中、
   Ｒ^ｇ１〜Ｒ^ｇ５はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ^ｇ１及びＲ^ｇ２は、互いに結合し２価の基を形成していてもよい。
   Ｒ^ｇ６は、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、硫黄原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はニトロ基に置換されていてもよい。］
5. さらにクエンチャーを含有する請求項１〜４のいずれか一項記載のレジスト組成物。
6. （１）請求項１〜５のいずれか一項記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
   （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
   （３）組成物層を露光する工程、
   （４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
   （５）加熱後の組成物層を現像する工程
   を含むレジストパターンの製造方法。