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JP2014088542A - Composition for ultraviolet absorption component and ultraviolet absorption component using the same - Google Patents

Composition for ultraviolet absorption component and ultraviolet absorption component using the same Download PDF

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JP2014088542A
JP2014088542A JP2013144480A JP2013144480A JP2014088542A JP 2014088542 A JP2014088542 A JP 2014088542A JP 2013144480 A JP2013144480 A JP 2013144480A JP 2013144480 A JP2013144480 A JP 2013144480A JP 2014088542 A JP2014088542 A JP 2014088542A
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JP
Japan
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group
carbon atoms
substituent
absorbing member
formula
Prior art date
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Pending
Application number
JP2013144480A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noriaki Fukuda
矩章 福田
Shohei SANADA
翔平 眞田
Katsumasa Yamamoto
勝政 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd filed Critical Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd
Priority to JP2013144480A priority Critical patent/JP2014088542A/en
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  • Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for ultraviolet absorption component having excellent heat resistance and capable of sufficiently shielding UV-A, and to provide an ultraviolet absorption component using the same.SOLUTION: The composition for ultraviolet absorption component comprises at least one metal complex represented in the formula (1), a benzophenone derivative, and a matrix material.

Description

本発明は、少なくとも1種類の特定の金属錯体と、少なくとも1種類のベンゾフェノン誘導体とを含む紫外線吸収部材用組成物、およびこれを用いて作製される紫外線吸収部材に関する。   The present invention relates to a composition for an ultraviolet absorbing member comprising at least one specific metal complex and at least one benzophenone derivative, and an ultraviolet absorbing member produced using the composition.

近年、可視光線を十分に透過すると同時に、紫外線を選択的に遮蔽する機能を有する部材が様々な分野で使用されている。例えば、自動車のウインドウガラスや建築物の窓ガラス等においては、日焼けや内装材の劣化を引き起こす紫外線を遮蔽するために紫外線遮蔽ガラスが広く使用されている。   2. Description of the Related Art In recent years, members that have a function of selectively blocking ultraviolet rays while simultaneously sufficiently transmitting visible light have been used in various fields. For example, in a window glass of an automobile, a window glass of a building, etc., an ultraviolet shielding glass is widely used for shielding ultraviolet rays that cause sunburn and deterioration of interior materials.

また、カーポート、ショーウインドウ、ショーケース、照明用透明シェード等に使用される透明樹脂板や、各種透明容器等の用途においても、紫外線遮蔽機能を付与したアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂等の透明な熱可塑性樹脂の成形体が用いられている。   Also, in applications such as transparent resin plates used in carports, show windows, showcases, transparent shades for lighting, and various transparent containers, acrylic resins, polycarbonate resins, polyester resins, etc. that have been provided with an ultraviolet shielding function A molded body of a transparent thermoplastic resin is used.

このように、ガラスや樹脂等の基材に紫外線を遮蔽する機能を付与するためには、紫外線吸収剤として無機系金属酸化物微粒子や有機系紫外線吸収剤を用いる方法が一般的に知られている。   As described above, in order to impart a function of shielding ultraviolet rays to a substrate such as glass or resin, a method using inorganic metal oxide fine particles or organic ultraviolet absorbers as an ultraviolet absorber is generally known. Yes.

しかしながら、無機系金属酸化物微粒子、有機系紫外線吸収剤を問わず、従来公知の紫外線吸収剤においては、遮蔽可能な紫外線は380nm以下のものに限られ、380〜400nmのUV−Aと呼ばれる紫外線を十分に遮蔽でき、かつ長期間に渡って光を照射しても劣化せず、かつ十分に可視光を透過するような紫外線吸収剤はほとんど知られていない。   However, regardless of inorganic metal oxide fine particles and organic ultraviolet absorbers, conventionally known ultraviolet absorbers are limited to 380 nm or less, and ultraviolet rays called UV-A of 380 to 400 nm. There are few known UV absorbers that can sufficiently shield the light, do not deteriorate even when irradiated with light for a long period of time, and sufficiently transmit visible light.

ここでUV−Aとは、比較的波長の長い紫外線(320〜400nm)であり、この領域の光は皮膚深部まで浸透し、皮膚老化を招き、さらには皮膚がんを引き起こすことが知られている。   Here, UV-A is ultraviolet light (320 to 400 nm) having a relatively long wavelength, and light in this region penetrates deep into the skin, leading to skin aging and further causing skin cancer. Yes.

UV−Aを遮断することが可能な有機紫外線吸収剤としては特許文献1〜3に記載の錯体がある。しかし、この紫外線吸収剤は優れた近紫外線吸収性能を有しているが、例えば、ガラスを作製する際の高温での焼成工程等のような高温に曝される処理による熱分解、吸収能の劣化や着色の問題を引き起こす可能性がある。   Examples of the organic ultraviolet absorber capable of blocking UV-A include the complexes described in Patent Documents 1 to 3. However, this ultraviolet absorber has excellent near-ultraviolet absorption performance, but for example, thermal decomposition and absorption ability due to treatment exposed to a high temperature such as a baking step at a high temperature when producing glass. May cause degradation and coloring problems.

国際公開WO2011/089794号パンフレットInternational publication WO2011 / 089794 pamphlet 国際公開WO2012/008318号パンフレットInternational Publication WO2012 / 008318 Pamphlet 特開2012−12476号公報JP 2012-12476 A

本発明は、前記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであり、優れた耐熱性を有し、さらに、UV−Aを十分に遮蔽することができる紫外線吸収部材用組成物、およびこれを用いた紫外線吸収部材を提供することを目的としている。   The present invention is intended to solve the problems associated with the prior art as described above, has excellent heat resistance, and further can sufficiently block UV-A. And it aims at providing the ultraviolet-absorbing member using this.

本発明は、以下に示すとおりの紫外線吸収部材用組成物およびこれを用いた紫外線吸収部材に関する。   The present invention relates to a composition for an ultraviolet absorbing member as shown below and an ultraviolet absorbing member using the same.

項1.式(1): Item 1. Formula (1):

Figure 2014088542
Figure 2014088542

(式中、R、R、RおよびRの各々は、存在しないか、あるいは存在する場合は、1つのベンゼン環の6個の炭素原子のうち5員環と共有された2個の炭素原子を除いた4個の炭素原子に結合する4個の水素原子のうち1ないし4個を置換することができ、4個のベンゼン環の水素原子を置換した置換基の全てはそれぞれ互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲノ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキルアミノスルホニル基、置換基を有していてもよいモルホリノスルホニル基、置換基を有していてもよいピペリジノスルホニル基、置換基を有していてもよいピロリジノスルホニル基、置換基を有していてもよいチオモルホリノスルホニル基または置換基を有していてもよいピペラジノスルホニル基である。
、Y、YおよびYはそれぞれ互いに独立して、NH、NR、酸素原子または硫黄原子であり、
、Y、YまたはYに帰属されるNRのRは、炭素数1〜8のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数6〜15のアリール基である。なお、Y、Y、YおよびYのうち少なくとも2つがNRで表される場合、これらNRのRはそれぞれ互いに独立した置換基を示す。
また、ZおよびZはそれぞれ互いに独立して、窒素原子、CHまたはCRであり、
またはZに帰属されるCRのRは、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6〜15のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数4〜12のヘテロアリール基、置換基を有していてもよい炭素数5〜12のヘテロアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数7〜15のアラルキル基を示す。なお、ZおよびZがともにCRで表される場合、これらCRのRはそれぞれ互いに独立した置換基を示す。
Mは金属原子を示す。)
で表される少なくとも1種類の金属錯体と、式(2):
In which each of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 is absent or, if present, two of the 6 carbon atoms of one benzene ring shared with a 5-membered ring 1 to 4 of the 4 hydrogen atoms bonded to the 4 carbon atoms, excluding the carbon atoms, can be substituted, and all of the substituents in which the hydrogen atoms of the 4 benzene rings are substituted with each other. Independently, an optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogeno group, and an optionally substituted carbon Formula 1-8 alkylaminosulfonyl group, morpholinosulfonyl group which may have a substituent, piperidinosulfonyl group which may have a substituent, pyrrolidinosulfonyl which may have a substituent Have a substituent, Have a good thiomorpholino sulfonyl group or substituent is also good piperazino sulfonyl group.
Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 are each independently NH, NR 5 , an oxygen atom or a sulfur atom,
R 5 of NR 5 assigned to Y 1 , Y 2 , Y 3 or Y 4 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 15 carbon atoms which may have a substituent. Incidentally, Y 1, Y 2, when Y 3 and at least two of Y 4 is represented by NR 5, the R 5 of NR 5 represent a substituent independent of each other, respectively.
Z 1 and Z 2 are each independently a nitrogen atom, CH or CR 6 ;
R 6 of CR 6 attributed to Z 1 or Z 2 is an optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or optionally substituted aryl having 6 to 15 carbon atoms. Group, an optionally substituted heteroaryl group having 4 to 12 carbon atoms, an optionally substituted heteroaralkyl group having 5 to 12 carbon atoms, or an optionally substituted carbon The aralkyl group of several 7-15 is shown. Incidentally, a substituent case, R 6 of CR 6 is that each independently of one another that Z 1 and Z 2 are both represented by CR 6.
M represents a metal atom. )
At least one metal complex represented by formula (2):

Figure 2014088542
Figure 2014088542

(式中、RおよびRは、ベンゼン環の置換基であり、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族基、炭素数1〜8のアルコキシ基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、ハロゲノ基である。なお、すべての置換基はそれぞれお互いに独立する。
m、nは、0〜5の整数であり、p、qは0〜5の整数である。
ただし、m+n≧1、m+p≦5、n+q≦5とする。)
で表わされる少なくとも1種類のベンゾフェノン誘導体とマトリックス材料とを含む紫外線吸収部材用組成物;
(In formula, R < 7 > and R < 8 > is a substituent of a benzene ring, the C1-C8 alkyl group which may have a substituent, the aromatic group which may have a substituent, These are an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an amino group, a carboxyl group, a mercapto group, and a halogeno group, and all the substituents are independent of each other.
m and n are integers of 0 to 5, and p and q are integers of 0 to 5.
However, m + n ≧ 1, m + p ≦ 5, and n + q ≦ 5. )
A composition for an ultraviolet absorbing member comprising at least one benzophenone derivative represented by the formula:

項2:式(1)における金属原子Mが、銅原子またはコバルト原子である、項1に記載の紫外線吸収部材用組成物; Item 2: The composition for an ultraviolet absorbing member according to Item 1, wherein the metal atom M in the formula (1) is a copper atom or a cobalt atom;

項3:式(2)におけるベンゾフェノン誘導体が、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、5−tert−ブチル−2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノンもしくは2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、またはその組合せである項1または2に記載の紫外線吸収部材用組成物。 Item 3: The benzophenone derivative in the formula (2) is 2,4-dihydroxybenzophenone, 3,4-dihydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxybenzophenone, 2,4′-dihydroxybenzophenone, 4,4′-dihydroxybenzophenone, In item 1 or 2, which is 5-tert-butyl-2,4-dihydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4-methoxybenzophenone or 2,2′-dihydroxy-4,4′-dimethoxybenzophenone, or a combination thereof The composition for ultraviolet absorption members as described.

項4:項1〜3のいずれかに記載の紫外線吸収部材用組成物を用いて作製される紫外線吸収部材。 Item 4: An ultraviolet absorbing member produced using the ultraviolet absorbing member composition according to any one of Items 1 to 3.

本発明によると、優れた耐熱性を有し、さらに、従来遮蔽困難であったUV−Aを十分に遮蔽することができる紫外線吸収部材用組成物、およびこれを用いた紫外線吸収部材を提供することができる。   According to the present invention, there are provided a composition for an ultraviolet absorbing member that has excellent heat resistance and can sufficiently shield UV-A, which has been difficult to shield conventionally, and an ultraviolet absorbing member using the same. be able to.

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、式(1)で表される少なくとも1種類の金属錯体と、式(2)で表わされる少なくとも1種類のベンゾフェノン誘導体とマトリックス材料とを含む紫外線吸収部材用組成物、およびこれを用いた紫外線吸収部材を提供するものである。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The present invention relates to a composition for an ultraviolet absorbing member comprising at least one metal complex represented by the formula (1), at least one benzophenone derivative represented by the formula (2), and a matrix material, and uses the composition. An ultraviolet absorbing member is provided.

式(1)におけるY、Y、YおよびY、ZおよびZ、R、R、R、R、R、RおよびMについて以下に例示する。なお、各R〜RおよびY〜Yにおいて、各基が有してもよい置換基として、例えば、ハロゲノ基、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数6〜15のアリール基等が挙げられる。 Examples of Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 , Z 1 and Z 2 , R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 and M in formula (1) are given below. In each R 1 to R 6 and Y 1 to Y 4, as the substituent which may be possessed by each group, for example, a halogeno group, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms And an aryl group having 6 to 15 carbon atoms.

式(1)中、Y、Y、YまたはYに帰属される、前記のNRのRとしては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル、n−ヘプチル基、n−オクチル基等のアルキル基や、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、3−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、3,4−ジクロロフェニル基、ナフチル基等のアリール基が挙げられる。
なお、Y、Y、Y、Yのうち少なくとも2つがNRで表される場合、これらNRのRはそれぞれ互いに独立した置換基を示す。
In formula (1), examples of R 5 of NR 5 belonging to Y 1 , Y 2 , Y 3 or Y 4 include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n- Alkyl groups such as butyl, sec-butyl, tert-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, cyclopentyl, n-hexyl, isohexyl, cyclohexyl, n-heptyl and n-octyl And aryl groups such as phenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 3-chlorophenyl group, 4-bromophenyl group, 3,4-dichlorophenyl group, naphthyl group, etc. .
Incidentally, Y 1, Y 2, Y 3, when Y least two of the four is represented by NR 5, the R 5 of NR 5 represent a substituent independent of each other, respectively.

ここで、式(1)におけるY、Y、YおよびYは、合成方法の簡便さの観点から、硫黄原子であることが特に好ましい。 Here, Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 in Formula (1) are particularly preferably sulfur atoms from the viewpoint of simplicity of the synthesis method.

式(1)中、ZまたはZに帰属される、前記のCRのRとしては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル、n−ヘプチル基、n−オクチル基等のアルキル基や、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、3−クロロフェニル基、4−ブロモフェニル基、3,4−ジクロロフェニル基、ナフチル基等のアリール基や、2−フリル基、2−チエニル基、5−クロロ−2−チエニル基、2−ピロリル基、2−オキサゾリル基、5−メチル−2−オキサゾリル基、2−チアゾリル基等のヘテロアリール基や、4−ピリジルメチル基、4−キノリルメチル基、2−チエニルメチル基等のヘテロアラルキル基や、
4−アセトアミドベンジル基、3−アミノベンジル基、4−アミノベンジル基、3−メトキシベンジル基、2−メトキシフェネチル基、4−(n−ペンチルオキシ)ベンジル基、2−アリルオキシフェネチル基、5−アリル−2−ヒドロキシ−3−メトキシベンジル基、4−フェニルベンジル基、2−ブロモベンジル基、3−フェネチル基、4−ブロモベンジル基、2−クロロベンジル基、3−クロロベンジル基、4−クロロベンジル基、6−ブロモ−2−ヒドロキシベンジル基、5−ブロモ−3−ニトロ−2−ヒドロキシフェネチル基、4−(n−ブチル)ベンジル基、3−ブロモ−5−メトキシ−4−ヒドロキシベンジル基、4−ベンジルオキシベンジル基、6−ブロモ−3−メトキシ−2−ヒドロキシベンジル基、(1−ブロモ−2−ナフチル)−n−プロピル基、2−ベンジルオキシベンジル基、3,5−ビストリフルオロメチルフェネチル基、4−tert−ブチルベンジル基、5−ブロモ−2−フルオロベンジル基、3−ブロモ−4−メトキシベンジル基、5−ブロモ−2−メトキシベンジル基、3−ブロモ−5−クロロ−2−ヒドロキシベンジル基、4−ブロモ−2−フルオロベンジル基、2−ブロモ−4,5−ジメトキシフェネチル基、3,4−エチレンジオキシベンジル基、3−ブロモ−4−フルオロフェネチル基、6−ブロモ−3,4−メチレンジオキシベンジル基、3−ブロモ−4−ヒドロキシベンジル基、2−ブロモ−5−フルオロフェネチル基、4−シアノベンジル基、4−トリフルオロベンジル基、4−(4−クロロフェノキシ)フェネチル基、4−(N,N−ジエチルアミノ)ベンジル基、3,4−ジアセトキシベンジル基、4−(N,N−ジフェニルアミノ)ベンジル基、4−[N−(4,4−ジオキソチオモルホリノ)]ベンジル基、4−(N−ピロリジノ)ベンジル基、3−(2−ヒドロキシエトキシ)ベンジル基、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェネチル基、4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルベンジル基、(6−ヒドロキシ−2−ナフチル)−n−プロピル基、4−イソプロピルベンジル基、4−イソブチルベンジル基等のアラルキル基が挙げられる。
In the formula (1), R 6 of the CR 6 attributed to Z 1 or Z 2 is, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl. Group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, cyclopentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, cyclohexyl, n-heptyl group, n-octyl group, alkyl group such as phenyl group, 2 -Aryl groups such as methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 3-chlorophenyl group, 4-bromophenyl group, 3,4-dichlorophenyl group, naphthyl group, 2-furyl group, 2- Thienyl group, 5-chloro-2-thienyl group, 2-pyrrolyl group, 2-oxazolyl group, 5-methyl-2-oxazolyl group, 2-thiazolyl group, etc. A heteroaryl group such as 4-pyridylmethyl group, 4-quinolylmethyl group, 2-thienylmethyl group,
4-acetamidobenzyl group, 3-aminobenzyl group, 4-aminobenzyl group, 3-methoxybenzyl group, 2-methoxyphenethyl group, 4- (n-pentyloxy) benzyl group, 2-allyloxyphenethyl group, 5- Allyl-2-hydroxy-3-methoxybenzyl group, 4-phenylbenzyl group, 2-bromobenzyl group, 3-phenethyl group, 4-bromobenzyl group, 2-chlorobenzyl group, 3-chlorobenzyl group, 4-chloro Benzyl group, 6-bromo-2-hydroxybenzyl group, 5-bromo-3-nitro-2-hydroxyphenethyl group, 4- (n-butyl) benzyl group, 3-bromo-5-methoxy-4-hydroxybenzyl group 4-benzyloxybenzyl group, 6-bromo-3-methoxy-2-hydroxybenzyl group, (1-bromo-2- Butyl) -n-propyl group, 2-benzyloxybenzyl group, 3,5-bistrifluoromethylphenethyl group, 4-tert-butylbenzyl group, 5-bromo-2-fluorobenzyl group, 3-bromo-4-methoxy Benzyl group, 5-bromo-2-methoxybenzyl group, 3-bromo-5-chloro-2-hydroxybenzyl group, 4-bromo-2-fluorobenzyl group, 2-bromo-4,5-dimethoxyphenethyl group, 3 , 4-ethylenedioxybenzyl group, 3-bromo-4-fluorophenethyl group, 6-bromo-3,4-methylenedioxybenzyl group, 3-bromo-4-hydroxybenzyl group, 2-bromo-5-fluoro Phenethyl group, 4-cyanobenzyl group, 4-trifluorobenzyl group, 4- (4-chlorophenoxy) phenethyl group, 4- (N, N -Diethylamino) benzyl group, 3,4-diacetoxybenzyl group, 4- (N, N-diphenylamino) benzyl group, 4- [N- (4,4-dioxothiomorpholino)] benzyl group, 4- ( N-pyrrolidino) benzyl group, 3- (2-hydroxyethoxy) benzyl group, 4- (2-hydroxyethoxy) phenethyl group, 4-hydroxy-3,5-dimethylbenzyl group, (6-hydroxy-2-naphthyl) Examples include aralkyl groups such as -n-propyl group, 4-isopropylbenzyl group and 4-isobutylbenzyl group.

前記のZまたはZに帰属されるCRのRとして例示したものの中では、合成方法の簡便さや反応性の観点から、アラルキル基であることが特に好ましい。
なお、ZおよびZがともにCRで表される場合、これらCRのRはそれぞれ互いに独立した置換基を示す。
Among those exemplified as R 6 of CR 6 attributed to Z 1 or Z 2 , an aralkyl group is particularly preferable from the viewpoint of simplicity of the synthesis method and reactivity.
Incidentally, a substituent case, R 6 of CR 6 is that each independently of one another that Z 1 and Z 2 are both represented by CR 6.

さらに、式(1)におけるZおよびZは、合成方法の簡便さの観点から、窒素原子であることが特に好ましい。 Furthermore, Z 1 and Z 2 in Formula (1) are particularly preferably nitrogen atoms from the viewpoint of simplicity of the synthesis method.

式(1)中、R、R、RまたはRに帰属される、前記の置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、2−メトキシエチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、3−クロロ−n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、4−ヒドロキシ−n−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル、6−フェニル−n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等が挙げられる。 In the formula (1), examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have the above-mentioned substituents belonging to R 1 , R 2 , R 3 or R 4 include, for example, methyl group, ethyl Group, 2-methoxyethyl group, n-propyl group, isopropyl group, 3-chloro-n-propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 4-hydroxy-n-butyl group, n -Pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, cyclopentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, cyclohexyl, 6-phenyl-n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group and the like.

式(1)中、R、R、RまたはRに帰属される、前記の炭素数1〜4のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、tert−ブトキシ基等が挙げられる。 In the formula (1), it is assigned to R 1, R 2, R 3 or R 4, the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, etc. tert- butoxy group can be mentioned It is done.

式(1)中、R、R、RまたはRに帰属される、前記のハロゲノ基としては、例えば、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基等が挙げられる。 In the formula (1), examples of the halogeno group belonging to R 1 , R 2 , R 3 or R 4 include a fluoro group, a chloro group, a bromo group, and an iodo group.

式(1)中、R、R、RまたはRに帰属される、前記の置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキルアミノスルホニル基としては、例えば、N−メチルアミノスルホニル基、N−エチルアミノスルホニル基、N−イソプロピルアミノスルホニル基、N−n−プロピルアミノスルホニル基、N−n−ブチルアミノスルホニル基、N,N−ジメチルアミノスルホニル基、N,N−メチルエチルアミノスルホニル基、N,N−ジエチルアミノスルホニル基、N,N−エチルイソプロピルアミノスルホニル基、N,N−ジイソプロピルアミノスルホニル基、N,N−ジ−n−プロピルアミノスルホニル基、N,N−ジ−n−ブチルアミノスルホニル基、N,N−ジイソブチルアミノスルホニル基等が挙げられる。 In the formula (1), examples of the alkylaminosulfonyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have the above-described substituent belonging to R 1 , R 2 , R 3 or R 4 include, for example, N— Methylaminosulfonyl group, N-ethylaminosulfonyl group, N-isopropylaminosulfonyl group, Nn-propylaminosulfonyl group, Nn-butylaminosulfonyl group, N, N-dimethylaminosulfonyl group, N, N- Methylethylaminosulfonyl group, N, N-diethylaminosulfonyl group, N, N-ethylisopropylaminosulfonyl group, N, N-diisopropylaminosulfonyl group, N, N-di-n-propylaminosulfonyl group, N, N- Examples thereof include a di-n-butylaminosulfonyl group and an N, N-diisobutylaminosulfonyl group.

式(1)中、R、R、RまたはRに帰属される、置換基を有していてもよいモルホリノスルホニル基としては、例えば、モルホリノスルホニル基、2−メチルモルホリノスルホニル基、3−メチルモルホリノスルホニル基、2−エチルモルホリノスルホニル基、3−n−プロピルモルホリノスルホニル基、3−n−ブチルモルホリノスルホニル基、2,3−ジメチルモルホリノスルホニル基、2,6−ジメチルモルホリノスルホニル基、3−フェニルモルホリノスルホニル基等が挙げられる。 In formula (1), examples of the morpholinosulfonyl group optionally having a substituent belonging to R 1 , R 2 , R 3 or R 4 include a morpholinosulfonyl group, a 2-methylmorpholinosulfonyl group, 3-methylmorpholinosulfonyl group, 2-ethylmorpholinosulfonyl group, 3-n-propylmorpholinosulfonyl group, 3-n-butylmorpholinosulfonyl group, 2,3-dimethylmorpholinosulfonyl group, 2,6-dimethylmorpholinosulfonyl group, 3-phenylmorpholinosulfonyl group etc. are mentioned.

式(1)中、R、R、RまたはRに帰属される、置換基を有していてもよいピペリジノスルホニル基としては、例えば、ピペリジノスルホニル基、2−メチルピペリジノスルホニル基、3−メチルピペリジノスルホニル基、4−メチルピペリジノスルホニル基、2−エチルピペリジノスルホニル基、4−n−プロピルピペリジノスルホニル基、3−n−ブチルピペリジノスルホニル基、2,4−ジメチルピペリジノスルホニル基、2,6−ジメチルピペリジノスルホニル基、4−フェニルピペリジノスルホニル基等が挙げられる。 In the formula (1), examples of the piperidinosulfonyl group optionally having a substituent belonging to R 1 , R 2 , R 3 or R 4 include a piperidinosulfonyl group and 2-methyl Piperidinosulfonyl group, 3-methylpiperidinosulfonyl group, 4-methylpiperidinosulfonyl group, 2-ethylpiperidinosulfonyl group, 4-n-propylpiperidinosulfonyl group, 3-n-butylpi Examples thereof include a peridinosulfonyl group, 2,4-dimethylpiperidinosulfonyl group, 2,6-dimethylpiperidinosulfonyl group, 4-phenylpiperidinosulfonyl group and the like.

式(1)中、R、R、RまたはRに帰属される、置換基を有していてもよいピロリジノスルホニル基としては、例えば、ピロリジノスルホニル基、2−メチルピロリジノスルホニル基、3−メチルピロリジノスルホニル基、2−エチルピロリジノスルホニル基、3−n−プロピルピロリジノスルホニル基、3−n−ブチルピロリジノスルホニル基、2,4−ジメチルピロリジノスルホニル基、2,5−ジメチルピロリジノスルホニル基、3−フェニルピロリジノスルホニル基等が挙げられる。 In formula (1), examples of the pyrrolidinosulfonyl group optionally having a substituent belonging to R 1 , R 2 , R 3 or R 4 include a pyrrolidinosulfonyl group, 2-methylpyrrolidino Sulfonyl group, 3-methylpyrrolidinosulfonyl group, 2-ethylpyrrolidinosulfonyl group, 3-n-propylpyrrolidinosulfonyl group, 3-n-butylpyrrolidinosulfonyl group, 2,4-dimethylpyrrolidinosulfonyl group, 2 , 5-dimethylpyrrolidinosulfonyl group, 3-phenylpyrrolidinosulfonyl group and the like.

式(1)中、R、R、RまたはRに帰属される、置換基を有していてもよいチオモルホリノスルホニル基としては、例えば、チオモルホルノスルホニル基、2−メチルチオモルホリノスルホニル基、3−メチルチオモルホリノスルホニル基、2−エチルチオモルホリノスルホニル基、3−n−プロピルチオモルホリノスルホニル基、3−n−ブチルチオモルホリノスルホニル基、2,3−ジメチルチオモルホリノスルホニル基、2,6−ジメチルチオモルホリノスルホニル基、3−フェニルチオモルホリノスルホニル基等が挙げられる。 In formula (1), examples of the thiomorpholinosulfonyl group which may have a substituent belonging to R 1 , R 2 , R 3 or R 4 include a thiomorpholinosulfonyl group, 2-methylthio Morpholinosulfonyl group, 3-methylthiomorpholinosulfonyl group, 2-ethylthiomorpholinosulfonyl group, 3-n-propylthiomorpholinosulfonyl group, 3-n-butylthiomorpholinosulfonyl group, 2,3-dimethylthiomorpholinosulfonyl group, 2 , 6-dimethylthiomorpholinosulfonyl group, 3-phenylthiomorpholinosulfonyl group and the like.

式(1)中、R、R、RまたはRに帰属される、置換基を有していてもよいピペラジノスルホニル基としては、例えば、ピペラジノスルホニル基、2−メチルピペラジノスルホニル基、3−メチルピペラジノスルホニル基、2−エチルピペラジノスルホニル基、3−n−プロピルピペラジノスルホニル基、3−n−ブチルピペラジノスルホニル基、2,5−ジメチルピペラジノスルホニル基、2,6−ジメチルピペラジノスルホニル基、3−フェニルピペラジノスルホニル基、2−ピリミジルピペラジノスルホニル基等が挙げられる。 In the formula (1), examples of the piperazinosulfonyl group optionally having a substituent belonging to R 1 , R 2 , R 3 or R 4 include a piperazinosulfonyl group, 2-methyl Piperazinosulfonyl group, 3-methylpiperazinosulfonyl group, 2-ethylpiperazinosulfonyl group, 3-n-propylpiperazinosulfonyl group, 3-n-butylpiperazinosulfonyl group, 2,5- Examples include dimethylpiperazinosulfonyl group, 2,6-dimethylpiperazinosulfonyl group, 3-phenylpiperazinosulfonyl group, 2-pyrimidylpiperazinosulfonyl group and the like.

前記のR、R、RおよびRの各々は、存在しないか、あるいは存在する場合は、1つのベンゼン環の6個の炭素原子のうち5員環と共有された2個の炭素原子を除いた4個の炭素原子に結合する4個の水素原子のうち1ないし4個、好ましくは1または2個を置換することができ、4個のベンゼン環の水素原子を置換した置換基の全てはそれぞれ互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲノ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキルアミノスルホニル基、置換基を有していてもよいモルホリノスルホニル基、置換基を有していてもよいピペリジノスルホニル基、置換基を有していてもよいピロリジノスルホニル基、置換基を有していてもよいチオモルホリノスルホニル基または置換基を有していてもよいピペラジノスルホニル基であり、経済性すなわち原料の入手の簡便さや収率の観点から、存在しないか、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、ハロゲノ基、炭素数1〜4のアルコキシ基であることが好ましく、存在しないか、ハロゲノ基、炭素数1〜4のアルコキシ基であることがより好ましく、存在しないことがさらに好ましい。 Each of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 is absent or, if present, two carbons shared with a 5-membered ring of the six carbon atoms of one benzene ring. Substituent in which 1 to 4, preferably 1 or 2 of 4 hydrogen atoms bonded to 4 carbon atoms excluding atoms can be substituted, and hydrogen atoms of 4 benzene rings are substituted All independently have an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogeno group, and a substituent which may have a substituent. An optionally substituted alkylaminosulfonyl group having 1 to 8 carbon atoms, an optionally substituted morpholinosulfonyl group, an optionally substituted piperidinosulfonyl group, and a substituent. Pyrrolidinosulfonyl , A thiomorpholinosulfonyl group which may have a substituent or a piperazinosulfonyl group which may have a substituent, and is not present from the viewpoint of economy, that is, the availability of raw materials and the yield , Preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogeno group, or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, which may have a substituent, is not present, or is a halogeno group or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. It is more preferably a group, and even more preferably not present.

また、炭素数1〜8のアルキルアミノスルホニル基、置換基を有していてもよいモルホリノスルホニル基、置換基を有していてもよいピペリジノスルホニル基、置換基を有していてもよいピロリジノスルホニル基、置換基を有していてもよいチオモルホリノスルホニル基または置換基を有していてもよいピペラジノスルホニル基である場合には、溶媒に対する溶解性の面で特に有利であり、中でも置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキルアミノスルホニル基または置換基を有していてもよいモルホリノスルホニル基である場合に特に有利となる。   Moreover, it may have a C1-C8 alkylaminosulfonyl group, the morpholinosulfonyl group which may have a substituent, the piperidinosulfonyl group which may have a substituent, and a substituent. The pyrrolidinosulfonyl group, the optionally substituted thiomorpholinosulfonyl group, or the optionally substituted piperazinosulfonyl group is particularly advantageous in terms of solubility in a solvent. Of these, the alkylaminosulfonyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have a substituent or the morpholinosulfonyl group which may have a substituent is particularly advantageous.

、Y、YおよびY、ZおよびZ、R、R、RおよびRはそれぞれ互いに独立したものであるが、合成方法の簡便さおよび取得する該金属錯体の品質(純度)管理の観点から、好ましくはY=YかつY=YかつZ=ZかつR=R=R=Rである。また、該金属錯体の各種溶媒に対する溶解性の観点から言えば、Y=Y≠Y=YかつZ=ZかつR=R=R=R、またはY=Y=Y=YかつZ=ZかつR=R≠R=Rであることが好ましい。 Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 , Z 1 and Z 2 , R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are independent of each other, but the synthesis method is simple and the metal complex to be obtained From the viewpoint of quality (purity) control, it is preferable that Y 1 = Y 2 and Y 3 = Y 4 and Z 1 = Z 2 and R 1 = R 2 = R 3 = R 4 . From the viewpoint of solubility of the metal complex in various solvents, Y 1 = Y 3 ≠ Y 2 = Y 4 and Z 1 = Z 2 and R 1 = R 3 = R 2 = R 4 , or Y 1 It is preferred that Y = Y 3 = Y 2 = Y 4 and Z 1 = Z 2 and R 1 = R 3 ≠ R 2 = R 4 .

式(1)中、Mで表される金属原子として、例えば、コバルト原子、ニッケル原子、銅原子、または亜鉛原子等が挙げられる。   In the formula (1), examples of the metal atom represented by M include a cobalt atom, a nickel atom, a copper atom, or a zinc atom.

これらの金属錯体は、単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を組み合わせて使用する場合の混合比率は所望に応じて適宜選択することができる。   These metal complexes may be used alone or in combination of two or more. The mixing ratio when two or more types are used in combination can be appropriately selected as desired.

式(1)で表される金属錯体は、下記式(3)で表される配位子と、金属ハロゲン化物、金属硫酸塩、金属酢酸塩、金属硝酸塩等の金属塩とを反応させることで合成することができる。   The metal complex represented by the formula (1) is obtained by reacting a ligand represented by the following formula (3) with a metal salt such as a metal halide, metal sulfate, metal acetate, or metal nitrate. Can be synthesized.

式(3):   Formula (3):

Figure 2014088542
Figure 2014088542

式(3)において、Y、Y、Z、R、Rは、それぞれ式(1)中のY(および/またはY)、Y(および/またはY)、Z(および/またはZ)、R(および/またはR)、R(および/またはR)に対応している。 In formula (3), Y 1 , Y 2 , Z 1 , R 1 , R 2 are Y 1 (and / or Y 3 ), Y 2 (and / or Y 4 ), Z in formula (1), respectively. 1 (and / or Z 2 ), R 1 (and / or R 3 ), R 2 (and / or R 4 ).

式(1)で表わされる錯体および式(3)で表わされる配位子は、例えば、特許文献2に記載の方法で製造することができる。   The complex represented by the formula (1) and the ligand represented by the formula (3) can be produced, for example, by the method described in Patent Document 2.

式(2)で表されるベンゾフェノン誘導体において、RおよびRは、ベンゼン環の置換基であり、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族基、炭素数1〜8のアルコキシ基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、ハロゲノ基である。なお、すべての置換基はそれぞれお互いに独立する。
これらの中でも、RおよびRは置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族基、炭素数1〜8のアルコキシ基が好ましい。
In the benzophenone derivative represented by the formula (2), R 7 and R 8 are substituents of the benzene ring, and have an optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms and a substituent. And an aromatic group, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an amino group, a carboxyl group, a mercapto group, and a halogeno group. All substituents are independent of each other.
Among these, R 1 and R 2 are an optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an optionally substituted aromatic group, and an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms. preferable.

前記の置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、2−メトキシエチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、3−クロロ−n−プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、4−ヒドロキシ−n−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル、6−フェニル−n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等が挙げられる。   Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms which may have the substituent include, for example, methyl group, ethyl group, 2-methoxyethyl group, n-propyl group, isopropyl group, 3-chloro-n- Propyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 4-hydroxy-n-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, cyclopentyl group, n-hexyl group, isohexyl group, cyclohexyl , 6-phenyl-n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group and the like.

前記の置換基を有していてもよい芳香族基としては、フェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、3,4−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル基、2,4,5−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、4−ビフェニル基、1−ナフチル基、2−メトキシフェニル基、3−メトキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、2−クロロフェニル基、2−フルオロフェニル基、4−フルオロフェニル基、2−トリフルオロメチルフェニル基、4−トリフルオロメチルフェニル基等が挙げられる。   Examples of the aromatic group which may have a substituent include a phenyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 2,4-dimethylphenyl group, 2,5- Dimethylphenyl group, 3,4-dimethylphenyl group, 3,5-dimethylphenyl group, 2,4,5-trimethylphenyl group, 2,4,6-trimethylphenyl group, 4-biphenyl group, 1-naphthyl group, 2-methoxyphenyl group, 3-methoxyphenyl group, 4-methoxyphenyl group, 2-chlorophenyl group, 2-fluorophenyl group, 4-fluorophenyl group, 2-trifluoromethylphenyl group, 4-trifluoromethylphenyl group Etc.

前記の炭素数1〜8のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペントキシ基、iso−ペントキシ基、neo−ペントキシ基、2−メチルブトキシ基、n−ヘキソキシ基、iso−ヘキソキシ基、n−ヘプトキシ基、iso−ヘプトキシ基、n−オクトキシ基、iso−オクトキシ基2−エチル−ヘキソキシ基等が挙げられる。   Examples of the alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group, an iso-butoxy group, a sec-butoxy group, and a t-butoxy group. N-pentoxy group, iso-pentoxy group, neo-pentoxy group, 2-methylbutoxy group, n-hexoxy group, iso-hexoxy group, n-heptoxy group, iso-heptoxy group, n-octoxy group, iso-octoxy group The group 2-ethyl-hexoxy and the like.

前記のハロゲノ基としては、ブロモ基、クロロ基、フルオロ基等が挙げられる。   Examples of the halogeno group include a bromo group, a chloro group, and a fluoro group.

式(2)中、m、nは、0〜5の整数であり、p、qは0〜5の整数である。ただし、m+n≧1、m+p≦5、n+q≦5とする
これらの中でも、m、nは、m+n≧2になるような組み合わせが好ましく、m+n=2になるような組み合わせがより好ましい。
In formula (2), m and n are integers of 0 to 5, and p and q are integers of 0 to 5. However, m + n ≧ 1, m + p ≦ 5, and n + q ≦ 5 Among these, m and n are preferably a combination that satisfies m + n ≧ 2, and more preferably a combination that satisfies m + n = 2.

ベンゾフェノン誘導体としては、2−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクトキシベンゾフェノン、2,4−ジメトキシ−4’−ヒドロキシベンゾフェノン、2−フルオロ−4’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−フルオロ−4−ヒドロキシベンゾフェノン、5−クロロ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、5−クロロ−2−ヒドロキシ−4−メチルベンゾフェノン、3,5−ジクロロ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、5−ブロモ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、4−アリロキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、2−(4−ジエチルアミノ−2−ヒドロキシベンゾイル)安息香酸、2−(4−ジブチルアミノ−2−ヒドロキシベンゾイル)安息香酸、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、5−tert−ブチル−2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,5’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,3’,4,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。   Examples of benzophenone derivatives include 2-hydroxybenzophenone, 4-hydroxybenzophenone, 2-hydroxy-5-methylbenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octoxybenzophenone, and 2,4-dimethoxy-4. '-Hydroxybenzophenone, 2-fluoro-4'-hydroxybenzophenone, 4-fluoro-4-hydroxybenzophenone, 5-chloro-2-hydroxybenzophenone, 5-chloro-2-hydroxy-4-methylbenzophenone, 3,5- Dichloro-2-hydroxybenzophenone, 5-bromo-2-hydroxybenzophenone, 4-allyloxy-2-hydroxybenzophenone, 2- (4-diethylamino-2-hydroxybenzoyl) benzoic acid, 2- (4 Dibutylamino-2-hydroxybenzoyl) benzoic acid, 2,4-dihydroxybenzophenone, 3,4-dihydroxybenzophenone, 2,2'-dihydroxybenzophenone, 2,4'-dihydroxybenzophenone, 4,4'-dihydroxybenzophenone, 5 -Tert-butyl-2,4-dihydroxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2, , 4,4′-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,5′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone , 2, 3, 3 ', 4 4 ', 5'-hexahydroxybenzophenone and the like.

これらの中でも、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、5−tert−ブチル−2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,5’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノンが好ましく、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、5−tert−ブチル−2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノンがより好ましい。   Among these, 2,4-dihydroxybenzophenone, 3,4-dihydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxybenzophenone, 2,4′-dihydroxybenzophenone, 4,4′-dihydroxybenzophenone, 5-tert-butyl-2, 4-dihydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4,4′-dimethoxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,4′-tri Hydroxybenzophenone, 2,3,4,5′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone are preferred, 2,4- Dihydroxybenzophenone, 3,4- Hydroxybenzophenone, 2,2'-dihydroxybenzophenone, 2,4'-dihydroxybenzophenone, 4,4'-dihydroxybenzophenone, 5-tert-butyl-2,4-dihydroxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxy Benzophenone and 2,2′-dihydroxy-4,4′-dimethoxybenzophenone are more preferred.

これらのベンゾフェノン誘導体は、単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を組み合わせて使用する場合の混合比率は所望に応じて適宜選択することができる。   These benzophenone derivatives may be used alone or in combination of two or more. The mixing ratio when two or more types are used in combination can be appropriately selected as desired.

前記ベンゾフェノン誘導体の使用量は、金属錯体100質量部に対し、0.1〜10000質量部、好ましくは1.0〜100質量部、さらに好ましくは2.5〜50質量部の範囲とすることが好ましい。0.1質量部未満では、耐熱性向上効果が十分に発揮されないおそれがあり、10000質量部を超えて添加しても添加量に見合う効果が得られず経済的でない。   The benzophenone derivative is used in an amount of 0.1 to 10000 parts by weight, preferably 1.0 to 100 parts by weight, and more preferably 2.5 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the metal complex. preferable. If it is less than 0.1 part by mass, the effect of improving the heat resistance may not be sufficiently exhibited, and even if it is added in excess of 10000 parts by mass, an effect commensurate with the amount added cannot be obtained and it is not economical.

マトリックス材料としては、ポリシロキサン、ポリチタノキサン、ポリジルコノキサン、ポリアルミノキサン、ポリスタノキサンなどのポリメタロキサン等が挙げられる。この場合、ポリメタロキサンの前駆体として金属アルコキシドおよび/または金属アルコキシドの加水分解・重縮合反応により得られるゾル溶液等を好適に用いることができる。
また、これらのマトリックス材料として、ポリシロキサンを好適に用いることができ、この場合、シリコンアルコキシドおよび/またはシリコンアルコキシドの加水分解・重縮合反応により得られるゾル溶液を好適に用いることができる。
Examples of the matrix material include polymetalloxanes such as polysiloxane, polytitanoxane, polyzirconoxane, polyaluminoxane, and polystannoxane. In this case, a metal alkoxide and / or a sol solution obtained by hydrolysis / polycondensation reaction of a metal alkoxide as a precursor of polymetalloxane can be suitably used.
Further, polysiloxane can be preferably used as these matrix materials, and in this case, a sol solution obtained by hydrolysis / polycondensation reaction of silicon alkoxide and / or silicon alkoxide can be preferably used.

なお、本発明において使用する「マトリックス材料」という表現は、前記金属アルコキシドおよび/または金属アルコキシドの加水分解・重縮合反応により得られるゾル溶液等のマトリックス前駆体も含む。   The expression “matrix material” used in the present invention includes a matrix precursor such as a sol solution obtained by hydrolysis / polycondensation reaction of the metal alkoxide and / or metal alkoxide.

前記金属アルコキシドのゾル溶液は、通常、有機溶媒中で酸触媒存在下、金属アルコキシドに水を添加し、加水分解・重縮合させることにより、調製することができるが、市販のゾル溶液を使用してもよい。   The metal alkoxide sol solution can usually be prepared by adding water to the metal alkoxide in the presence of an acid catalyst in an organic solvent, followed by hydrolysis and polycondensation. However, a commercially available sol solution is used. May be.

(金属アルコキシド)
前記金属アルコキシドとしては、シリコンアルコキシド、チタンアルコキシド、ジルコニアアルコキシド、アルミニウムアルコキシド、スズアルコキシド等が挙げられる。
(Metal alkoxide)
Examples of the metal alkoxide include silicon alkoxide, titanium alkoxide, zirconia alkoxide, aluminum alkoxide, and tin alkoxide.

シリコンアルコキシドとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等の4官能アルコキシシランや、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、メチル−トリス(2−メトキシエトキシ)シラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、エチルトリブトキシシラン、エチル−トリス(2−メトキシエトキシ)シラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリプロポキシシラン、ヘキシルトリブトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、フェニルトリブトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メチルジメトキシ(エトキシ)シラン、エチルジエトキシ(メトキシ)シラン、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等の3官能アルコキシシランや、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ビス(2−メトキシエトキシ)ジメチルシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等の2官能アルコキシシランが挙げられる。   Examples of the silicon alkoxide include tetrafunctional silanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, and tetrabutoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltripropoxysilane, methyltributoxysilane, Methyl-tris (2-methoxyethoxy) silane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltripropoxysilane, ethyltributoxysilane, ethyl-tris (2-methoxyethoxy) silane, hexyltrimethoxysilane, hexyltriethoxy Silane, hexyltripropoxysilane, hexyltributoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltripropoxysilane, phenyl Tributoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, methyldimethoxy (ethoxy) silane, ethyldiethoxy (methoxy) silane, ureidopropyltriethoxysilane, mercaptopropyltrimethoxysilane, Trifunctional alkoxysilanes such as isocyanatepropyltriethoxysilane, glycidoxypropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, bis (2-methoxyethoxy) dimethylsilane, diethyldi Ethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, mercaptopropylmethyldimethoxysilane, glycidoxypropylmethyldimeth Bifunctional alkoxysilanes such as xysilane and glycidoxypropylmethyldiethoxysilane are exemplified.

チタンアルコキシドとしては、例えば、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラプロポキシチタン、テトラブトキシチタン、テトラ(2−エチルヘキソシド)チタン等が挙げられる。   Examples of the titanium alkoxide include tetramethoxy titanium, tetraethoxy titanium, tetrapropoxy titanium, tetrabutoxy titanium, tetra (2-ethylhexoside) titanium, and the like.

ジルコニアアルコキシドとしては、例えば、テトラメトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テトラプロポキシジルコニウム、テトラブトキシジルコニウム、テトラ(1−メトキシ−2−メチル−2−プロポキシ)ジルコニウム等が挙げられる。   Examples of the zirconia alkoxide include tetramethoxyzirconium, tetraethoxyzirconium, tetrapropoxyzirconium, tetrabutoxyzirconium, tetra (1-methoxy-2-methyl-2-propoxy) zirconium and the like.

アルミニウムアルコキシドとしては、例えば、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム、ジエチルエトキシアルミニウム等が挙げられる。   Examples of the aluminum alkoxide include trimethoxyaluminum, triethoxyaluminum, tripropoxyaluminum, tributoxyaluminum, diethylethoxyaluminum and the like.

スズアルコキシドとしては、例えば、テトラメトキシスズ、テトラエトキシスズ、テトラプロポキシスズ、テトラブトキシスズ等が挙げられる。   Examples of the tin alkoxide include tetramethoxytin, tetraethoxytin, tetrapropoxytin, and tetrabutoxytin.

これらの金属アルコキシドは、単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を組み合わせて使用する場合の混合比率は所望に応じて適宜選択することができる。   These metal alkoxides may be used alone or in combination of two or more. The mixing ratio when two or more types are used in combination can be appropriately selected as desired.

前記マトリックス材料中、得られる膜の状態や強度、経済性の観点から、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランから選択される1種類または2種類以上のシリコンアルコキシドを用いて調製することによって得られるゾル溶液がより好ましい。   In the matrix material, from the viewpoint of the state, strength, and economical efficiency of the obtained film, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, phenyltrimethoxy Silane, phenyltriethoxysilane, glycidoxypropyltrimethoxysilane, glycidoxypropyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, A sol solution obtained by using one or more silicon alkoxides selected from cidoxypropylmethyldiethoxysilane is more preferable.

これらのシリコンアルコキシドは、単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を組み合わせて使用する場合の混合比率は所望に応じて適宜選択することができる。   These silicon alkoxides may be used alone or in combination of two or more. The mixing ratio when two or more types are used in combination can be appropriately selected as desired.

以下、金属アルコキシドのゾル溶液の調製方法を、シリコンアルコキシドのゾル溶液(シロキサンオリゴマー溶液)を例に、具体的に説明する。   Hereinafter, a method for preparing a metal alkoxide sol solution will be described in detail by taking a silicon alkoxide sol solution (siloxane oligomer solution) as an example.

(酸触媒)
酸触媒としては、特に限定されないが、例えば、硝酸、塩酸、硫酸等の無機酸や、ギ酸、酢酸、シュウ酸等の有機酸が挙げられる。加水分解・重縮合反応終了後に酸が残存すると、縮合安定性が悪化するため、低沸点で揮発性が高く、pKaの小さなギ酸を用いることが好ましい。
(Acid catalyst)
The acid catalyst is not particularly limited, and examples thereof include inorganic acids such as nitric acid, hydrochloric acid, and sulfuric acid, and organic acids such as formic acid, acetic acid, and oxalic acid. If acid remains after completion of the hydrolysis / polycondensation reaction, condensation stability deteriorates. Formic acid having a low boiling point and high volatility and a small pKa is preferably used.

酸触媒の添加量としては、十分な触媒作用を発揮する限り、特に限定されるものではないが、通常シリコンアルコキシド1molに対して0.01mol以上、より好ましくは0.3mol以上を配合することが好ましい。0.01mol未満では十分な触媒作用が得られないおそれがあり、また過剰に添加した場合には、最終的に得られるシリコンアルコキシドのゾル溶液が、残存する酸により経時的に劣化するおそれがある。よって、シリコンアルコキシド1molに対して1mol以下の割合で配合することが好ましい。   The addition amount of the acid catalyst is not particularly limited as long as sufficient catalytic action is exerted, but usually 0.01 mol or more, more preferably 0.3 mol or more per 1 mol of silicon alkoxide. preferable. If the amount is less than 0.01 mol, sufficient catalytic action may not be obtained, and if excessively added, the finally obtained silicon alkoxide sol solution may deteriorate over time due to the remaining acid. . Therefore, it is preferable to mix | blend in the ratio of 1 mol or less with respect to 1 mol of silicon alkoxides.

(水)
上記シリコンアルコキシドの加水分解を引き起こし得る限り、特に限定されないが、シリコンアルコキシド1molに対し、2〜6molの割合で水を添加することが好ましい。2mol未満では十分に加水分解が進行しないおそれがあり、6molを超えると加水分解が速く進行しすぎてしまい、続く重縮合反応の進行を妨げることに加え、反応後に除去する水の量が多くなり効率的でない。
(water)
Although it does not specifically limit as long as it can cause the hydrolysis of the said silicon alkoxide, It is preferable to add water in the ratio of 2-6 mol with respect to 1 mol of silicon alkoxide. If the amount is less than 2 mol, the hydrolysis may not proceed sufficiently. If the amount exceeds 6 mol, the hydrolysis proceeds too quickly, preventing the subsequent polycondensation reaction from proceeding, and increasing the amount of water removed after the reaction. Not efficient.

(反応溶媒)
シリコンアルコキシド、水、酸触媒に加えて反応溶媒を使用することにより、加水分解速度を適度に低め、確実に加水分解・重縮合を進行させることができる。さらに、最終的に得られるシリコンアルコキシドのゾル溶液(シロキサンオリゴマー溶液)の粘度をハンドリングしやすいレベルにまで調整するための希釈剤としての役割も兼ねる。
(Reaction solvent)
By using a reaction solvent in addition to silicon alkoxide, water, and an acid catalyst, the hydrolysis rate can be moderately reduced, and hydrolysis and polycondensation can proceed reliably. Further, it also serves as a diluent for adjusting the viscosity of the finally obtained silicon alkoxide sol solution (siloxane oligomer solution) to a level that is easy to handle.

反応溶媒としては、前記シリコンアルコキシドが溶解するものであれば特に限定されることなく、適宜選択し使用することができる。例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール(IPA)、ブタノール、テトラフルオロプロパノール等のアルコール類や、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素類や、エチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、ジエチレングリコール等のグリコール類や、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、3−オクタノン等のケトン類や、酢酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−メチル−3−メトキシプロピオン酸−n−ブチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸−n−ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸−n−アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸−n−ブチル、酪酸エチル、酪酸イソプロピル、酪酸−n−ブチル、ピルビン酸エチル、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル等のエステル類や、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類や、トルエン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類や、n−ペンタン、シクロペンタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ヘプタン、シクロヘプタン等の炭化水素類や、2−ピロリドン、N−メチル−2−ピロリドン、ε−カプロラクタム等のラクタム類や、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエーテル類や、その他アセトニトリル、スルホラン、ジメチルスルホキシド、DMF等が挙げられる。   The reaction solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the silicon alkoxide, and can be appropriately selected and used. For example, alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol (IPA), butanol and tetrafluoropropanol, halogenated hydrocarbons such as chloroform and dichloromethane, ethylene glycol, 1,2-propanediol and 1,3-propanediol Glycols such as 1,4-butanediol and diethylene glycol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone and 3-octanone; and acetic acid Ethyl, ethyl 2-hydroxypropionate, 3-methyl-3-methoxypropionate-n-butyl, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, vinegar Esters such as n-butyl, isobutyl acetate, n-amyl formate, isoamyl acetate, n-butyl propionate, ethyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate, ethyl pyruvate, γ-butyrolactone, and ethyl lactate And ethers such as diethyl ether, cyclopentyl methyl ether, tetrahydrofuran, aromatics such as toluene, xylene, monochlorobenzene, dichlorobenzene, n-pentane, cyclopentane, n-hexane, cyclohexane, n-heptane, cyclo Hydrocarbons such as heptane, lactams such as 2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyrrolidone, and ε-caprolactam, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, ethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol mono Glycol ethers such as chill ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monoethyl ether acetate, and other acetonitrile, sulfolane, dimethyl sulfoxide, DMF, etc. Is mentioned.

反応性や経済性の観点から、好ましくは、メタノール、エタノール、IPA、ブタノール、テトラフルオロプロパノール等のアルコール類、エチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、ジエチレングリコール等のグリコール類、酢酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−メチル−3−メトキシプロピオン酸−n−ブチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸−n−ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸−n−アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸−n−ブチル、酪酸エチル、酪酸イソプロピル、酪酸−n−ブチル、ピルビン酸エチル、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル等のエステル類、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート、PGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエーテル類等である。   From the viewpoint of reactivity and economy, preferably alcohols such as methanol, ethanol, IPA, butanol, tetrafluoropropanol, ethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,4-butane Diols, glycols such as diethylene glycol, ethyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, n-butyl 3-methyl-3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3-ethoxypropion Ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl formate, isoamyl acetate, propionate-n-butyl, ethyl butyrate, isopropyl butyrate, butyric acid n-butyl, ethyl pyruvate, γ-butyrolactone, ethyl lactate Esters such as diethyl Ethers such as ether, cyclopentyl methyl ether, tetrahydrofuran, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, ethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether acetate, PGMEA, And glycol ethers such as propylene glycol monoethyl ether acetate.

後工程において、該シリコンアルコキシドのゾル溶液(シロキサンオリゴマー溶液)に式(1)で表される金属錯体を溶解・混合する場合には、あらかじめ該金属錯体の溶解性が良好な溶媒を該シリコンアルコキシドのゾル溶液の調整における反応溶媒として使用することで、該金属錯体を溶解・混合する際の労力を軽減することができる。   In the subsequent step, when the metal complex represented by the formula (1) is dissolved and mixed in the sol solution (siloxane oligomer solution) of the silicon alkoxide, a solvent having good solubility of the metal complex is previously added to the silicon alkoxide. By using it as a reaction solvent in the preparation of the sol solution, it is possible to reduce labor when dissolving and mixing the metal complex.

ただし、該金属錯体の貧溶媒を用いて本工程におけるシリコンアルコキシドのゾル溶液(シロキサンオリゴマー溶液)を調製した場合であっても、該金属錯体を溶解・混合する前に該シリコンアルコキシドのゾル溶液の溶媒を該金属錯体の良溶媒に置換する、あるいは該シリコンアルコキシドのゾル溶液(シロキサンオリゴマー溶液)に該金属錯体の良溶媒を添加することによって、溶解・混合することも可能である。   However, even when the silicon alkoxide sol solution (siloxane oligomer solution) in this step is prepared using a poor solvent for the metal complex, the sol solution of the silicon alkoxide is dissolved before the metal complex is dissolved and mixed. It is also possible to dissolve and mix the solvent by substituting the good solvent for the metal complex or by adding the good solvent for the metal complex to the silicon alkoxide sol solution (siloxane oligomer solution).

前記反応溶媒の使用量は、シリコンアルコキシド100質量部に対し、50〜1000質量部、好ましくは100〜500質量部の範囲とすることが望ましい。50質量部未満では、加水分解・重縮合反応を適度な反応速度で進行させることが困難になるおそれがあり、1000質量部を超えると、加水分解・重縮合反応の速度が低下するため効率的でないことに加えて、後述の減圧・留去工程に長時間を必要とするおそれがある。   The reaction solvent is used in an amount of 50 to 1000 parts by mass, preferably 100 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of silicon alkoxide. If the amount is less than 50 parts by mass, the hydrolysis / polycondensation reaction may be difficult to proceed at an appropriate reaction rate. If the amount exceeds 1000 parts by mass, the rate of the hydrolysis / polycondensation reaction is reduced, which is efficient. In addition to this, there is a possibility that a long time is required for the pressure reduction / distillation step described later.

まず、1種類または2種類以上のシリコンアルコキシドを、酸触媒、水および溶媒と混合する。この溶液を0〜150℃、好ましくは50〜100℃の温度に維持することにより、加水分解・重縮合反応を進行させる。0℃未満では、加水分解・重縮合反応が進行しにくくなるおそれがある。また150℃を超えると加水分解・重縮合反応が急速に進行するため、未反応のアルコキシ基が残存したり、ゲル化や着色を招くおそれがある。加水分解・重縮合反応の時間は、温度条件にもよるが、通常1〜24時間、より好ましくは2〜8時間である。1時間未満では、十分に加水分解・重縮合反応が進行しないおそれがあり、24時間を超えてもそれ以上反応が進まないことから経済的でない。   First, one or more silicon alkoxides are mixed with an acid catalyst, water, and a solvent. By maintaining this solution at a temperature of 0 to 150 ° C., preferably 50 to 100 ° C., the hydrolysis / polycondensation reaction proceeds. If it is less than 0 degreeC, there exists a possibility that a hydrolysis and a polycondensation reaction may become difficult to advance. On the other hand, when the temperature exceeds 150 ° C., the hydrolysis / polycondensation reaction proceeds rapidly, so that an unreacted alkoxy group may remain or cause gelation or coloring. The time for the hydrolysis / polycondensation reaction is usually 1 to 24 hours, more preferably 2 to 8 hours, although it depends on temperature conditions. If it is less than 1 hour, there is a possibility that the hydrolysis / polycondensation reaction does not proceed sufficiently, and even if it exceeds 24 hours, the reaction does not proceed any further, which is not economical.

加水分解・重縮合反応により副生するアルコールと水を系外に除去するために、反応終了後、あるいは反応中に、反応液を減圧留去することが好ましい。減圧留去しながら反応を進行させれば、重縮合反応の反応速度を向上させる効果も見込めるためより好ましい。この工程において、前記酸触媒としてギ酸等の低沸点で揮発性の高い触媒を用いれば、溶媒とともに酸触媒も系外に除去でき、反応終了後のゾル溶液の安定性を確保することができる。   In order to remove alcohol and water by-produced by the hydrolysis / polycondensation reaction from the system, it is preferable to distill off the reaction solution under reduced pressure after completion of the reaction or during the reaction. If the reaction is allowed to proceed while distilling off under reduced pressure, the effect of improving the reaction rate of the polycondensation reaction can be expected, which is more preferable. In this step, if a low-boiling and highly volatile catalyst such as formic acid is used as the acid catalyst, the acid catalyst can be removed from the system together with the solvent, and the stability of the sol solution after completion of the reaction can be ensured.

このようにして加水分解・重縮合反応の進行により、ポリメタロキサンとしての金属アルコキシドのゾル溶液を得ることができる。他の金属アルコキシドについても同様に調製することができる。   Thus, a sol solution of metal alkoxide as polymetalloxane can be obtained by the progress of hydrolysis and polycondensation reaction. Other metal alkoxides can be similarly prepared.

マトリックス材料の使用量は、金属錯体100質量部に対し、500〜100000質量部、好ましくは1000〜30000質量部の範囲とすることが好ましい。500質量部未満では、膜強度が得られないおそれがあり、100000質量部を超えると紫外線吸収部材に十分な紫外線吸収性能を付与できないおそれがある。   The amount of the matrix material used is preferably in the range of 500 to 100,000 parts by mass, preferably 1000 to 30000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal complex. If the amount is less than 500 parts by mass, the film strength may not be obtained, and if it exceeds 100000 parts by mass, sufficient ultraviolet absorbing performance may not be imparted to the ultraviolet absorbing member.

本発明の紫外線吸収部材用組成物において、これらの式(1)で表される金属錯体、式(2)で表されるベンゾフェノン誘導体、およびマトリックス材料は、それぞれ、単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を組み合わせて使用する場合の混合比率は所望に応じて適宜選択することができる。   In the composition for ultraviolet absorbing member of the present invention, the metal complex represented by the formula (1), the benzophenone derivative represented by the formula (2), and the matrix material may be used alone, Two or more types may be used in combination. The mixing ratio when two or more types are used in combination can be appropriately selected as desired.

≪紫外線吸収部材用組成物の製造方法≫
本発明の紫外線吸収部材用組成物は、前記の式(1)で表される少なくとも1種類の金属錯体と、前記の式(2)で表わされる少なくとも1種類のベンゾフェノン誘導体と、前記マトリックス材料とを混合することにより製造される。これらの各成分を混合する方法としては、特に限定されず、混合装置および器具の使用を含めた従来公知の混合方法が挙げられる。
≪Method for producing composition for ultraviolet absorbing member≫
The composition for ultraviolet absorbing members of the present invention comprises at least one metal complex represented by the above formula (1), at least one benzophenone derivative represented by the above formula (2), and the matrix material. It is manufactured by mixing. The method for mixing these components is not particularly limited, and includes conventionally known mixing methods including the use of mixing devices and instruments.

また、前記の金属錯体、ベンゾフェノン誘導体およびマトリックス材料の混合において、それらに溶解性が良好な溶媒を用いてもよい。
前記の金属錯体と、ベンゾフェノン誘導体とマトリックス材料との相溶性が良好であり、かつ前記の金属錯体の溶解性が良好な溶媒としては、前記の金属錯体と、ベンゾフェノン誘導体とマトリックス材料の種類に応じて適宜選択し、使用することができる。
In the mixing of the metal complex, the benzophenone derivative, and the matrix material, a solvent having good solubility may be used.
The solvent having good compatibility between the metal complex, the benzophenone derivative and the matrix material, and the solubility of the metal complex is good depending on the type of the metal complex, the benzophenone derivative and the matrix material. Can be appropriately selected and used.

前記の金属錯体、ベンゾフェノン誘導体、ポリメタロキサンおよび/またはポリメタロキサン前駆体としての金属アルコキシドおよび/または金属アルコキシドの加水分解・重縮合反応により得られるゾル溶液の溶解性が良好な溶媒としては、該金属錯体の種類に応じて適宜選択し、使用することができる。例えば、メタノール、エタノール、IPA、ブタノール、テトラフルオロプロパノール等のアルコール類や、エチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、ジエチレングリコール等のグリコール類や、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素類や、アセトン、MEK、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−オクタノン等のケトン類や、酢酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−メチル−3−メトキシプロピオン酸−n−ブチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸−n−ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸n−アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸−n−ブチル、酪酸エチル、酪酸イソプロピル、酪酸−n−ブチル、ピルビン酸エチル、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル等のエステル類や、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類や、トルエン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類や、n−ペンタン、シクロペンタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ヘプタン、シクロヘプタン等の炭化水素類や、2−ピロリドン、N−メチル−2−ピロリドン、ε−カプロラクタム等のラクタム類や、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート、PGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエーテル類や、その他アセトニトリル、スルホラン、ジメチルスルホキシド、DMF等が挙げられる。   As a solvent with good solubility of the sol solution obtained by hydrolysis / polycondensation reaction of metal alkoxide and / or metal alkoxide as the metal complex, benzophenone derivative, polymetalloxane and / or polymetalloxane precursor, It can be appropriately selected and used according to the type of the metal complex. For example, alcohols such as methanol, ethanol, IPA, butanol, tetrafluoropropanol, glycols such as ethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, diethylene glycol, Halogenated hydrocarbons such as chloroform and dichloromethane; ketones such as acetone, MEK, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, 2-heptanone, and 3-octanone; ethyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, 3 -Methyl-3-methoxypropionate-n-butyl, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl formate, isoacetate , Esters of propionate-n-butyl, ethyl butyrate, isopropyl butyrate, butyrate-n-butyl, ethyl pyruvate, γ-butyrolactone, ethyl lactate, ethers such as diethyl ether, cyclopentyl methyl ether, tetrahydrofuran, Aromatics such as toluene, xylene, monochlorobenzene, dichlorobenzene, hydrocarbons such as n-pentane, cyclopentane, n-hexane, cyclohexane, n-heptane, cycloheptane, 2-pyrrolidone, N-methyl Lactams such as 2-pyrrolidone and ε-caprolactam, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, ethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethyl Glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono -n- butyl ether acetate, PGMEA, glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether acetate and other acetonitrile, sulfolane, dimethyl sulfoxide, DMF, and the like.

これらの中で、該金属錯体の溶解性の観点からより好ましいものを挙げると、メタノール、エタノール、IPA、ブタノール、テトラフルオロプロパノール等のアルコール類や、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素類や、アセトン、MEK、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−オクタノン等のケトン類や、酢酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−メチル−3−メトキシプロピオン酸−n−ブチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸−n−ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸n−アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸−n−ブチル、酪酸エチル、酪酸イソプロピル、酪酸−n−ブチル、ピルビン酸エチル、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル等のエステル類や、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類や、トルエン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類や、2−ピロリドン、N−メチル−2−ピロリドン、ε−カプロラクタム等のラクタム類や、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート、PGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のグリコールエーテル類や、その他アセトニトリル、スルホラン、ジメチルスルホキシド、DMF等である。   Among these, more preferable from the viewpoint of solubility of the metal complex, alcohols such as methanol, ethanol, IPA, butanol and tetrafluoropropanol, halogenated hydrocarbons such as chloroform and dichloromethane, Ketones such as acetone, MEK, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-octanone, ethyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, n-butyl 3-methyl-3-methoxypropionate , Ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl formate, isoamyl acetate, n-butyl propionate, ethyl butyrate, butyric acid Isopropyl, butyric acid-n-but , Esters such as ethyl pyruvate, γ-butyrolactone and ethyl lactate, ethers such as diethyl ether, cyclopentyl methyl ether and tetrahydrofuran, aromatics such as toluene, xylene, monochlorobenzene and dichlorobenzene, 2- Lactams such as pyrrolidone, N-methyl-2-pyrrolidone, ε-caprolactam, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, ethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono- glycol ethers such as n-butyl ether acetate, PGMEA, propylene glycol monoethyl ether acetate, Other acetonitrile, sulfolane, dimethyl sulfoxide, DMF and the like.

さらに好ましくは、アルコール類としてはテトラフルオロプロパノール等が、ハロゲン化炭化水素類としてはクロロホルム、ジクロロメタン等が、ケトン類としてはMEK、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等が、エステル類としてはγ−ブチロラクトン、乳酸エチル、酢酸−n−ブチル等が、エーテル類としてはシクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等が、芳香族類としてはトルエン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼンが、ラクタム類としては2−ピロリドン、N−メチル−2−ピロリドン、ε−カプロラクタム等が、グリコールエーテル類としては2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、PGMEA等が、その他スルホラン、ジメチルスルホキシド、DMF等が挙げられる。   More preferably, the alcohols are tetrafluoropropanol, the halogenated hydrocarbons are chloroform, dichloromethane, etc., the ketones are MEK, cyclopentanone, cyclohexanone, etc., and the esters are γ-butyrolactone, lactic acid. Ethyl, n-butyl acetate, etc., ethers such as cyclopentyl methyl ether, tetrahydrofuran and the like, aromatics such as toluene, xylene, monochlorobenzene and dichlorobenzene, lactams as 2-pyrrolidone, N-methyl- Examples include 2-pyrrolidone, ε-caprolactam, and glycol ethers such as 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, and PGMEA, and other sulfolanes, dimethyl sulfoxide, DMF, and the like.

前記溶媒の使用量は、所望する紫外線吸収部材用組成物中の該金属錯体の濃度や、使用する溶媒の種類、使用するマトリックス材料の前駆体の溶解度等を考慮した上で適宜調整することができ、特に限定されるものではないが、該金属錯体の溶解性の観点から言えば、通常該金属錯体100質量部に対して50〜100000質量部、好ましくは100〜5000質量部、より好ましくは200〜3000質量部である。50質量部より少ないと、該金属錯体が完全に溶解しないおそれがあり、最終的に得られる紫外線吸収部材の可視光透過率の低下を招くおそれがある。また100000質量部よりも多いと、紫外線吸収部材用組成物中の該金属錯体濃度が低下し、最終的に得られる紫外線吸収部材に十分な紫外線吸収能を付与できない可能性がある。   The amount of the solvent used may be appropriately adjusted in consideration of the concentration of the metal complex in the desired composition for ultraviolet absorbing members, the type of solvent used, the solubility of the precursor of the matrix material used, and the like. Although not particularly limited, from the viewpoint of solubility of the metal complex, it is usually 50 to 100,000 parts by weight, preferably 100 to 5000 parts by weight, more preferably 100 parts by weight of the metal complex. 200 to 3000 parts by mass. If the amount is less than 50 parts by mass, the metal complex may not be completely dissolved, and the visible light transmittance of the finally obtained ultraviolet absorbing member may be lowered. On the other hand, when the amount is more than 100000 parts by mass, the concentration of the metal complex in the composition for ultraviolet absorbing member is lowered, and there is a possibility that sufficient ultraviolet absorbing ability cannot be imparted to the finally obtained ultraviolet absorbing member.

これらの溶媒は、単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を組み合わせた混合溶媒を使用する場合の混合比率は適宜選択することができる。   These solvents may be used alone or in combination of two or more. The mixing ratio in the case of using a mixed solvent in which two or more types are combined can be appropriately selected.

該金属錯体と、ポリメタロキサンおよび/またはポリメタロキサン前駆体としての金属アルコキシドおよび/または金属アルコキシドの加水分解・重縮合反応により得られるゾル溶液およびベンゾフェノン誘導体を溶媒中に溶解させる際には、事前にベンゾフェノン誘導体とポリシロキサンおよび/またはポリメタロキサン前駆体としての金属アルコキシドおよび/または金属アルコキシドの加水分解・重縮合反応により得られるゾル溶液を溶媒中に溶解させておき、ここに該金属錯体を添加し溶解させてもよいし、事前に該金属錯体を溶媒に溶解させ、この溶液にベンゾフェノン誘導体とポリメタロキサンおよび/またはポリメタロキサン前駆体としての金属アルコキシドおよび/または金属アルコキシドの加水分解・重縮合反応により得られるゾル溶液を混合し溶解させてもよいし、あるいは該金属錯体とベンゾフェノン誘導体とポリメタロキサンおよび/またはポリメタロキサン前駆体としての金属アルコキシドおよび/または金属アルコキシドの加水分解・重縮合反応により得られるゾル溶液を同時に溶媒と混合し溶解させてもよい。   When the sol solution and the benzophenone derivative obtained by hydrolysis / polycondensation reaction of the metal complex and the metal alkoxide and / or metal alkoxide as the polymetalloxane and / or polymetalloxane precursor are dissolved in a solvent, A sol solution obtained by hydrolysis / polycondensation reaction of a benzophenone derivative and a metal alkoxide and / or metal alkoxide as a polysiloxane and / or polymetalloxane precursor in advance is dissolved in a solvent, and the metal complex is added thereto. The metal complex may be dissolved in a solvent in advance, and a benzophenone derivative and polymetalloxane and / or metal alkoxide and / or metal alkoxide as a polymetalloxane precursor may be hydrolyzed in this solution.・ Obtained by polycondensation reaction The sol solution may be mixed and dissolved, or obtained by hydrolysis / polycondensation reaction of the metal complex, the benzophenone derivative, polymetalloxane and / or metal alkoxide and / or metal alkoxide as a polymetalloxane precursor. The resulting sol solution may be mixed and dissolved simultaneously with the solvent.

ここで、用いるマトリックス材料が、溶液状態であり、かつ該溶液状態での溶媒が前記の金属錯体と、ベンゾフェノン誘導体の良溶媒である場合には、前記の金属錯体と、ベンゾフェノン誘導体と該溶液状態でのマトリックス材料とを混合するだけでもよい。   Here, when the matrix material to be used is in a solution state and the solvent in the solution state is a good solvent for the metal complex and benzophenone derivative, the metal complex, the benzophenone derivative and the solution state It is also possible to simply mix the matrix material with

また、本発明の効果を損なわない範囲内であれば、光吸収剤、硬化剤、硬化触媒、架橋剤、カップリング剤、レベリング剤、潤滑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、熱安定剤、難燃剤、フィラー、着色剤、光触媒材料、防錆剤、撥水剤、導電性材料、アンチブロッキング材、軟化剤、離型剤、蛍光増白剤等を適宜添加してもよい。   Moreover, as long as the effect of the present invention is not impaired, a light absorber, a curing agent, a curing catalyst, a crosslinking agent, a coupling agent, a leveling agent, a lubricant, an antistatic agent, an antioxidant, a thermal stabilizer, Flame retardants, fillers, colorants, photocatalytic materials, rust inhibitors, water repellents, conductive materials, antiblocking materials, softeners, mold release agents, fluorescent whitening agents, and the like may be added as appropriate.

《紫外線吸収部材用組成物を用いて作製される紫外線吸収部材》
かくして得られた紫外線吸収部材用組成物を用いて紫外線吸収部材を作製することができる。
<< Ultraviolet absorbing member produced using composition for ultraviolet absorbing member >>
An ultraviolet absorbing member can be produced using the composition for an ultraviolet absorbing member thus obtained.

基材上に該金属錯体を含有するマトリックス材料の膜(以下、マトリックス膜という)を有する積層体としての紫外線吸収部材
前記で得られた紫外線吸収部材用組成物を基材に塗布し、乾燥および/または焼成して硬化することにより、基材上に該金属錯体を含有するマトリックス膜を有する積層体としての紫外線吸収部材を作製することができる。
An ultraviolet absorbing member as a laminate having a film of a matrix material containing the metal complex (hereinafter referred to as a matrix film) on the substrate, the ultraviolet absorbing member composition obtained above is applied to the substrate, dried and By curing by baking / or curing, an ultraviolet absorbing member as a laminate having a matrix film containing the metal complex on a substrate can be produced.

前記紫外線吸収部材用組成物を基材に塗布する方法としては、特に限定されないが、例えばディップコート法、スピンコート法、フローコート法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、バーコート法、スプレー法、リバースコート法等の公知の塗布方法が挙げられる。   The method for applying the composition for an ultraviolet absorbing member to a substrate is not particularly limited. For example, a dip coating method, a spin coating method, a flow coating method, a roll coating method, a gravure coating method, a flexographic printing method, a screen printing method. And known coating methods such as inkjet printing, bar coating, spraying, and reverse coating.

基材は、所望によりフィルムでもボードでもよく、形状は限定されない。材質についても特に限定されるものではなく、用途に応じて適宜選択し、使用することができる。例えば、ガラス、金属板、セラミックス等の無機系基材や、ポリ(シクロ)オレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、(メタ)アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエーテルケトン系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等の有機系基材が挙げられる。中でも、透明性の観点から、ガラス、ポリ(シクロ)オレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、(メタ)アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエーテルケトン系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等が好ましい。   The substrate may be a film or a board as desired, and the shape is not limited. The material is not particularly limited, and can be appropriately selected and used according to the application. For example, inorganic substrates such as glass, metal plates and ceramics, poly (cyclo) olefin resins, polycarbonate resins, (meth) acrylic resins, polyester resins, polystyrene resins, epoxy resins, polyvinyl chloride Resin, polyvinylidene chloride resin, polyacetal resin, polyamide resin, polyimide resin, fluorine resin, silicone resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyetherketone resin, polyetheretherketone resin Examples thereof include organic base materials such as resins and polyphenylene sulfide resins. Among them, from the viewpoint of transparency, glass, poly (cyclo) olefin resin, polycarbonate resin, (meth) acrylic resin, polyester resin, polystyrene resin, epoxy resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride Of these, a resin based on polyacetal, a resin based on polyacetal, a polyamide based resin, a polyimide based resin, a polysulfone based resin, a polyether sulfone based resin, a polyether ketone based resin, a polyether ether ketone based resin and a polyphenylene sulfide resin are preferred.

塗布により形成されるコーティング被膜の膜厚は特に限定されるものではなく、用途に応じて適宜調整することができるが、通常0.05〜500μm、好ましくは0.5〜100μm、さらに好ましくは1〜100μmである。0.05μm未満では、十分な紫外線吸収能が得られないおそれがあり、500μmを超えると、乾燥時に溶媒(分散媒)等が膜内部から蒸発し、膜表面に凹凸が生じたり、膜が白濁したり、クラックを生じ、可視光域における透明性が損なわれるおそれがある。   The film thickness of the coating film formed by coating is not particularly limited and can be appropriately adjusted according to the application, but is usually 0.05 to 500 μm, preferably 0.5 to 100 μm, and more preferably 1. ˜100 μm. If the thickness is less than 0.05 μm, there is a risk that sufficient UV absorption ability may not be obtained. If the thickness exceeds 500 μm, the solvent (dispersion medium) evaporates from the inside of the film during drying, resulting in unevenness on the film surface or cloudiness of the film. Or cracks, and transparency in the visible light range may be impaired.

乾燥温度、乾燥時間は、用いる溶媒や分散媒等の種類によって適宜設定することができる。
乾燥後、該金属錯体を含有する薄膜の機械的強度等の物性を目的に見合うようにコントロールするため、養生工程や焼成工程を設けてもよい。
The drying temperature and drying time can be appropriately set depending on the type of solvent and dispersion medium used.
After drying, in order to control the physical properties such as mechanical strength of the thin film containing the metal complex so as to meet the purpose, a curing process and a baking process may be provided.

例えば、マトリックス材料としてポリシロキサンを用いた場合、前記乾燥工程の後に80〜500℃、好ましくは90〜400℃、より好ましくは100〜300℃での焼成工程を設けることによって膜自体の機械的強度を向上させることができる。
すなわち、前記乾燥工程において、ゾル(シロキサンオリゴマー)溶液同士が重縮合反応を起こすことでシロキサンネットワークを拡大し、ゲル体の骨格構造を形成する。このゲル体を焼成することでさらにシロキサンネットワークが拡大する。このシロキサンネットワーク(ポリシロキサンの分子量)の大きさにより、得られるコーティング膜の機械的強度をコントロールすることができる。
80℃より低温では、機械的強度が十分向上しないおそれがあり、500℃より高温では、コーティング膜中に含まれる該金属錯体が熱分解するおそれがある。
For example, when polysiloxane is used as the matrix material, the mechanical strength of the film itself is provided by providing a baking step at 80 to 500 ° C., preferably 90 to 400 ° C., more preferably 100 to 300 ° C. after the drying step. Can be improved.
In other words, in the drying step, the sol (siloxane oligomer) solution undergoes a polycondensation reaction to expand the siloxane network and form a skeleton structure of a gel body. By baking this gel body, the siloxane network further expands. The mechanical strength of the resulting coating film can be controlled by the size of the siloxane network (polysiloxane molecular weight).
If the temperature is lower than 80 ° C, the mechanical strength may not be sufficiently improved, and if the temperature is higher than 500 ° C, the metal complex contained in the coating film may be thermally decomposed.

焼成時間は、所望のコーティング膜の物性に応じて適宜調整可能であるが、通常、5分間〜5時間、好ましくは10分間〜3時間である。5分間より短いと機械的強度が十分向上しないおそれがあり、5時間より長いと、時間に見合う効果が得られず経済的でない。   The firing time can be appropriately adjusted according to the desired physical properties of the coating film, but is usually 5 minutes to 5 hours, preferably 10 minutes to 3 hours. If it is shorter than 5 minutes, the mechanical strength may not be sufficiently improved, and if it is longer than 5 hours, an effect commensurate with the time cannot be obtained and it is not economical.

以下に実施例および比較例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本発明は、これら実施例によって何ら限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples.

実施例で用いた金属錯体の各配位子(L1〜L10)は、特許文献2に記載の方法で製造した。   Each ligand (L1 to L10) of the metal complex used in the examples was produced by the method described in Patent Document 2.

<金属錯体の製造方法>
製造例1:金属錯体C1−Cu
配位子(L1)28.3g(0.1mol)を温メタノール2250g(60℃)に溶解させ、ここに酢酸銅・1水和物10.0g(0.05mol)を温メタノール400gに溶解させた溶液を滴下した。生じた析出物をろ別し、メタノールで洗浄後、乾燥し、灰緑色の銅錯体(C1−Cu)24.8gを得た。収率は配位子(L1)に対して78.9%であった。
<Method for producing metal complex>
Production Example 1: Metal Complex C1-Cu
28.3 g (0.1 mol) of the ligand (L1) was dissolved in 2250 g (60 ° C.) of warm methanol, and 10.0 g (0.05 mol) of copper acetate monohydrate was dissolved in 400 g of warm methanol. The solution was added dropwise. The resulting precipitate was filtered, washed with methanol, and dried to obtain 24.8 g of a grey-green copper complex (C1-Cu). The yield was 78.9% based on the ligand (L1).

製造例2:金属錯体C1−Co
製造例1において酢酸銅・1水和物10.0g(0.05mol)に代えて、酢酸コバルト・4水和物12.5g(0.05mol)を用いた以外は製造例1と同様にして、橙色のコバルト錯体(C1−Co)28.5gを得た。収率は配位子(L1)に対して91.4%であった。
Production Example 2: Metal Complex C1-Co
In the same manner as in Production Example 1, except that 12.5 g (0.05 mol) of cobalt acetate tetrahydrate was used instead of 10.0 g (0.05 mol) of copper acetate monohydrate in Production Example 1. 28.5 g of an orange cobalt complex (C1-Co) was obtained. The yield was 91.4% based on the ligand (L1).

製造例3:金属錯体C2−Cu
製造例1において配位子(L1)28.3g(0.1mol)に代えて、配位子(L2)33.9g(0.1mol)を用いた以外は製造例1と同様にして、灰緑色の銅錯体(C2−Cu)28.4gを得た。収率は配位子(L2)に対して76.7%であった。
Production Example 3: Metal Complex C2-Cu
In the same manner as in Production Example 1 except that 33.9 g (0.1 mol) of ligand (L2) was used instead of 28.3 g (0.1 mol) of ligand (L1) in Production Example 1, ash 28.4 g of a green copper complex (C2-Cu) was obtained. The yield was 76.7% based on the ligand (L2).

製造例4:金属錯体C2−Co
製造例3において酢酸銅・1水和物10.0g(0.05mol)に代えて、酢酸コバルト・4水和物12.5g(0.05mol)を用いた以外は製造例2と同様にして、橙色のコバルト錯体(C2−Co)32.3gを得た。収率は配位子(L2)に対して87.8%であった。
Production Example 4: Metal Complex C2-Co
In the same manner as in Production Example 2, except that 12.5 g (0.05 mol) of cobalt acetate tetrahydrate was used instead of 10.0 g (0.05 mol) of copper acetate monohydrate in Production Example 3. , 32.3 g of an orange cobalt complex (C2-Co) was obtained. The yield was 87.8% based on the ligand (L2).

製造例5:金属錯体C3−Cu
製造例1において配位子(L1)28.3g(0.1mol)に代えて、配位子(L3)35.2g(0.1mol)を用いた以外は製造例1と同様にして、灰緑色の銅錯体(C3−Cu)26.9gを得た。収率は配位子(L3)に対して70.2%であった。
Production Example 5: Metal Complex C3-Cu
In the same manner as in Production Example 1 except that 35.2 g (0.1 mol) of ligand (L3) was used instead of 28.3 g (0.1 mol) of ligand (L1) in Production Example 1, ash 26.9 g of a green copper complex (C3-Cu) was obtained. The yield was 70.2% based on the ligand (L3).

製造例6:金属錯体C3−Co
製造例5において酢酸銅・1水和物10.0g(0.05mol)に代えて、酢酸コバルト・4水和物12.5g(0.05mol)を用いた以外は製造例2と同様にして、橙色のコバルト錯体(C3−Co)34.3gを得た。収率は配位子(L3)に対して90.2%であった。
Production Example 6: Metal Complex C3-Co
In the same manner as in Production Example 2, except that instead of 10.0 g (0.05 mol) of copper acetate monohydrate in Production Example 5, 12.5 g (0.05 mol) of cobalt acetate tetrahydrate was used. , 34.3 g of an orange cobalt complex (C3-Co) was obtained. The yield was 90.2% based on the ligand (L3).

製造例7: 金属錯体C4−Cu
製造例1において配位子(L1)28.3g(0.1mol)に代えて、配位子(L4)34.3g(0.1mol)を用いた以外は製造例1と同様にして、灰緑色の銅錯体(C4−Cu)26.2gを得た。収率は配位子(L4)に対して70.0%であった。
Production Example 7: Metal Complex C4-Cu
In the same manner as in Production Example 1 except that 34.3 g (0.1 mol) of ligand (L4) was used instead of 28.3 g (0.1 mol) of ligand (L1) in Production Example 1, ash 26.2 g of a green copper complex (C4-Cu) was obtained. The yield was 70.0% based on the ligand (L4).

製造例8: 金属錯体C5−Cu
製造例1において配位子(L1)28.3g(0.1mol)に代えて、配位子(L5)28.2g(0.1mol)を用いた以外は製造例1と同様にして、灰緑色の銅錯体(C5−Cu)23.1gを得た。収率は配位子(L5)に対して77.4%であった。
Production Example 8: Metal Complex C5-Cu
In the same manner as in Production Example 1 except that 28.2 g (0.1 mol) of ligand (L5) was used instead of 28.3 g (0.1 mol) of ligand (L1) in Production Example 1, ash 23.1 g of a green copper complex (C5-Cu) was obtained. The yield was 77.4% based on the ligand (L5).

製造例9: 金属錯体C6−Cu
製造例1において配位子(L1)28.3g(0.1mol)に代えて、配位子(L6)28.1g(0.1mol)を用いた以外は製造例1と同様にして、灰緑色の銅錯体(C6−Cu)23.6gを得た。収率は配位子(L6)に対して75.5%であった。
Production Example 9: Metal Complex C6-Cu
In the same manner as in Production Example 1 except that 28.1 g (0.1 mol) of ligand (L6) was used instead of 28.3 g (0.1 mol) of ligand (L1) in Production Example 1, ash 23.6 g of a green copper complex (C6-Cu) was obtained. The yield was 75.5% based on the ligand (L6).

製造例10:金属錯体C7−Cu
製造例1において配位子(L1)28.3g(0.1mol)に代えて、配位子(L7)30.2g(0.1mol)を用いた以外は製造例1と同様にして、灰緑色の銅錯体(C7−Cu)26.6gを得た。収率は配位子(L7)に対して79.9%であった。
Production Example 10: Metal complex C7-Cu
In the same manner as in Production Example 1 except that 30.2 g (0.1 mol) of ligand (L7) was used instead of 28.3 g (0.1 mol) of ligand (L1) in Production Example 1, ash 26.6 g of a green copper complex (C7-Cu) was obtained. The yield was 79.9% based on the ligand (L7).

製造例11:金属錯体C8−Cu
製造例1において配位子(L1)28.3g(0.1mol)に代えて、配位子(L8)28.2g(0.1mol)を用いた以外は製造例1と同様にして、灰緑色の銅錯体(C8−Cu)16.6gを得た。収率は配位子(L8)に対して55.9%であった。
Production Example 11: Metal Complex C8-Cu
In the same manner as in Production Example 1 except that 28.2 g (0.1 mol) of ligand (L8) was used instead of 28.3 g (0.1 mol) of ligand (L1) in Production Example 1, ash 16.6 g of a green copper complex (C8-Cu) was obtained. The yield was 55.9% based on the ligand (L8).

製造例12:金属錯体C9−Cu
配位子(L9)4.0g(0.006mol)を温DMF24g(70℃)に溶解させ、ここに酢酸銅・1水和物0.60g(0.003mol)を添加した。この混合物を70℃で1時間攪拌し、室温まで冷却した後メタノール20gを滴下した。生じた析出物をろ別し、メタノールで洗浄後、乾燥し、灰緑色の銅錯体(C9−Cu)2.9gを得た。収率は配位子(L9)に対して68.5%であった。
Production Example 12: Metal Complex C9-Cu
4.0 g (0.006 mol) of the ligand (L9) was dissolved in 24 g (70 ° C.) of warm DMF, and 0.60 g (0.003 mol) of copper acetate monohydrate was added thereto. The mixture was stirred at 70 ° C. for 1 hour, cooled to room temperature, and 20 g of methanol was added dropwise. The generated precipitate was separated by filtration, washed with methanol, and dried to obtain 2.9 g of a grayish green copper complex (C9-Cu). The yield was 68.5% based on the ligand (L9).

製造例13:金属錯体C10−Co
製造例12において配位子(L9)4.0g(0.006mol)に代えて、配位子(L10)3.49g(0.006mol)を、さらに、酢酸銅・1水和物0.60g(0.003mol)に代えて酢酸コバルト・4水和物0.75g(0.003mol)を用いた以外は製造例12と同様にして、黄色のコバルト錯体(C10−Co)3.14gを得た。収率は配位子(L10)に対して85.8%であった。
Production Example 13: Metal complex C10-Co
Instead of 4.0 g (0.006 mol) of ligand (L9) in Production Example 12, 3.49 g (0.006 mol) of ligand (L10) was further added to 0.60 g of copper acetate monohydrate. 3.14 g of yellow cobalt complex (C10-Co) was obtained in the same manner as in Production Example 12 except that 0.75 g (0.003 mol) of cobalt acetate tetrahydrate was used instead of (0.003 mol). It was. The yield was 85.8% based on the ligand (L10).

金属錯体における各配位子の構造式を表1に示す。   Table 1 shows the structural formula of each ligand in the metal complex.

Figure 2014088542
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Figure 2014088542
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Figure 2014088542
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製造例14:マトリックス材料(1)
フェニルトリエトキシシラン(PTES)61.3g(0.255モル)と、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(GPTMS)10.6g(0.045モル)と、イソプロパノール30gとを混合し、室温で攪拌し、溶液を得た。この溶液に、触媒としてギ酸4.2g(0.091モル)および水16.2gを添加し、室温で30分間攪拌することにより、加水分解を行った。次に加水分解後の溶液を70 ℃まで昇温し、2時間保温し、加水分解・重縮合反応を進行させ、さらに減圧下で、副生したアルコールと水を留去しつつ、さらに2時間加水分解・重縮合反応を進行させた。その後、テトラヒドロフラン(THF)60.7gを添加することで、ポリシロキサン成分としての、シリコンアルコキシドの40質量%ゾル/THF溶液を得た。
Production Example 14: Matrix material (1)
61.3 g (0.255 mol) of phenyltriethoxysilane (PTES), 10.6 g (0.045 mol) of glycidoxypropyltrimethoxysilane (GPTMS) and 30 g of isopropanol were mixed and stirred at room temperature. A solution was obtained. To this solution, 4.2 g (0.091 mol) of formic acid and 16.2 g of water were added as catalysts, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes for hydrolysis. Next, the temperature of the hydrolyzed solution is raised to 70 ° C. and kept for 2 hours to allow the hydrolysis and polycondensation reaction to proceed. Further, under reduced pressure, by-produced alcohol and water are distilled off, and further 2 hours Hydrolysis / polycondensation reaction was allowed to proceed. Thereafter, 60.7 g of tetrahydrofuran (THF) was added to obtain a 40 mass% sol / THF solution of silicon alkoxide as a polysiloxane component.

製造例15:マトリックス材料(2)
フェニルトリエトキシシラン(PTES)54.1g(0.225モル)、メチルトリエトキシシラン(MTES)6.7g(0.038モル)及びグリシドキシプロピルトリメトキシシラン(GPTMS)8.9g(0.038モル)と、イソプロパノール30gとを混合し、室温で攪拌し、溶液を得た。この溶液に、触媒としてギ酸4.2g(0.091モル)および水16.2gを添加し、室温で30分間攪拌することにより、加水分解を行った。次に加水分解後の溶液を70 ℃まで昇温し、2時間保温し、加水分解・重縮合反応を進行させ、さらに減圧下で、副生したアルコールと水を留去しつつ、さらに2時間加水分解・重縮合反応を進行させた。その後、テトラヒドロフラン(THF)56.8gを添加することで、ポリシロキサン成分としての、シリコンアルコキシドの40質量%ゾル/THF溶液を得た。
Production Example 15: Matrix material (2)
Phenyltriethoxysilane (PTES) 54.1 g (0.225 mol), methyltriethoxysilane (MTES) 6.7 g (0.038 mol) and glycidoxypropyltrimethoxysilane (GPTMS) 8.9 g (0. 038 mol) and 30 g of isopropanol were mixed and stirred at room temperature to obtain a solution. To this solution, 4.2 g (0.091 mol) of formic acid and 16.2 g of water were added as catalysts, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes for hydrolysis. Next, the temperature of the hydrolyzed solution is raised to 70 ° C. and kept for 2 hours to allow the hydrolysis and polycondensation reaction to proceed. Further, under reduced pressure, by-produced alcohol and water are distilled off, and further 2 hours Hydrolysis / polycondensation reaction was allowed to proceed. Thereafter, 66.8 g of tetrahydrofuran (THF) was added to obtain a 40 mass% sol / THF solution of silicon alkoxide as a polysiloxane component.

Figure 2014088542
Figure 2014088542

(紫外線吸収部材用組成物およびこれを用いた紫外線吸収部材)
実施例1
製造例14で得られたマトリックス材料(1)2.0gに金属錯体C1−Cuを8.0mg、さらに、4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)を攪拌しながら加え、混合することにより紫外線吸収部材用組成物を得た。
得られた紫外線吸収部材用組成物を、スピンコーター(株式会社アクティブ製、型番:ACT−300A)を用いてカバーガラス基材上に塗布し、その後、室温下、窒素雰囲気において5分間予備乾燥させた後に150℃で1時間焼成し、紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は9μmであった。
(Composition for ultraviolet absorbing member and ultraviolet absorbing member using the same)
Example 1
To 2.0 g of the matrix material (1) obtained in Production Example 14, 8.0 mg of metal complex C1-Cu and 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone are added with stirring and mixed. Thus, a composition for an ultraviolet absorbing member was obtained.
The obtained composition for ultraviolet absorbing member was applied onto a cover glass substrate using a spin coater (manufactured by Active Co., Ltd., model number: ACT-300A), and then pre-dried in a nitrogen atmosphere at room temperature for 5 minutes. And then baked at 150 ° C. for 1 hour to obtain an ultraviolet absorbing member. The coating film thickness was 9 μm.

実施例2
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン(シプロ化成製Seesorb101)0.2mg(0.0009mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 2
In Example 1, instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone, 0.2 mg (0.0009 mmol) of 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone (Seeprob 101 manufactured by Cypro Kasei) was used. In the same manner as in Example 1, an ultraviolet absorbing member composition and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例3
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2−ヒドロキシ−4−オクチロキシベンゾフェノン(シプロ化成製Seesorb102)0.2mg(0.0006mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は7μmであった。
Example 3
In Example 1, instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone, 0.2 mg (0.0006 mmol) of 2-hydroxy-4-octyloxybenzophenone (Cypro Kasei Seesorb 102) was used. In the same manner as in Example 1, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The coating film thickness was 7 μm.

実施例4
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン(シプロ化成製Seesorb100)0.08mg(0.0004mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 4
In Example 1, instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone, 0.08 mg (0.0004 mmol) of 2,4-dihydroxybenzophenone (Seeprob 100 manufactured by Cypro Kasei) was used. Similarly, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例5
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン(シプロ化成製Seesorb100)0.2mg(0.0009mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 5
In Example 1, instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone, 0.2 mg (0.0009 mmol) of 2,4-dihydroxybenzophenone (Seeprob 100 manufactured by Cypro Kasei) was used. Similarly, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例6
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン(シプロ化成製Seesorb100)0.4mg(0.0019mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 6
In Example 1, instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone, 0.4 mg (0.0019 mmol) of 2,4-dihydroxybenzophenone (Seeprob 100 manufactured by Cypro Kasei) was used. Similarly, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例7
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン(シプロ化成製Seesorb100)2.0mg(0.0093mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は7μmであった。
Example 7
In Example 1, instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone, 2.0 mg (0.0093 mmol) of 2,4-dihydroxybenzophenone (Seeprob 100 manufactured by Cypro Kasei) was used. Similarly, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The coating film thickness was 7 μm.

実施例8
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン(シプロ化成製Seesorb100)4.0mg(0.0187mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 8
In Example 1, instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone, 4.0 mg (0.0187 mmol) of 2,4-dihydroxybenzophenone (Seeprob 100 manufactured by Cypro Kasei) was used. Similarly, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例9
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン0.2mg(0.0009mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 9
In the same manner as in Example 1 except that 0.2 mg (0.0009 mmol) of 2,4′-dihydroxybenzophenone was used instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone in Example 1, ultraviolet rays were used. A composition for an absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例10
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン0.2mg(0.0009mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 10
In the same manner as in Example 1 except that 0.2 mg (0.0009 mmol) of 4,4′-dihydroxybenzophenone was used instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone in Example 1, ultraviolet rays were used. A composition for an absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例11
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン(シプロ化成製Seesorb107)0.2mg(0.0007mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は7μmであった。
Example 11
Instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone in Example 1, 0.2 mg (0.0007 mmol) of 2,2′-dihydroxy-4,4′-dimethoxybenzophenone (Seeprob 107 manufactured by Cypro Kasei) was used. Except having used, it carried out similarly to Example 1, and obtained the composition for ultraviolet absorbers, and an ultraviolet absorber. The coating film thickness was 7 μm.

実施例12
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン0.2mg(0.0008mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は7μmであった。
Example 12
Example 1 except that 0.2 mg (0.0008 mmol) of 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone was used instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone in Example 1. In the same manner as above, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The coating film thickness was 7 μm.

実施例13
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)に代えて、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン0.2mg(0.0008mmol)を用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は7μmであった。
Example 13
Example 1 except that 0.2 mg (0.0008 mmol) of 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone was used instead of 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone in Example 1. Similarly, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The coating film thickness was 7 μm.

実施例14
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C2−Cu8.0mgを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 14
A composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained in the same manner as in Example 5, except that 8.0 mg of the metal complex C2-Cu was used instead of 8.0 mg of the metal complex C1-Cu in Example 5. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例15
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C3−Cu8.0mgを、さらにマトリックス材料(1)2.0gに代えて、マトリックス材料(2)2.0gを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 15
In Example 5, instead of using 8.0 mg of the metal complex C1-Cu, 8.0 mg of the metal complex C3-Cu, and further using 2.0 g of the matrix material (2) instead of 2.0 g of the matrix material (1). In the same manner as in Example 5, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例16
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C4−Cu8.0mgを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は9μmであった。
Example 16
A composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained in the same manner as in Example 5, except that 8.0 mg of the metal complex C4-Cu was used instead of 8.0 mg of the metal complex C1-Cu in Example 5. The coating film thickness was 9 μm.

実施例17
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C5−Cu8.0mgを、さらにマトリックス材料(1)2.0gに代えて、マトリックス材料(2)2.0gを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 17
Example 5 except that in place of metal complex C1-Cu 8.0 mg, metal complex C5-Cu 8.0 mg was used, and in addition to 2.0 g of matrix material (1), 2.0 g of matrix material (2) was used. In the same manner as in Example 5, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例18
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C6−Cu8.0mgを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は7μmであった。
Example 18
In Example 5, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained in the same manner as in Example 5 except that 8.0 mg of the metal complex C6-Cu was used instead of 8.0 mg of the metal complex C1-Cu. The coating film thickness was 7 μm.

実施例19
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C7−Cu8.0mgを、さらにマトリックス材料(1)2.0gに代えて、マトリックス材料(2)2.0gを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 19
Example 5 except that in place of metal complex C1-Cu 8.0 mg, metal complex C7-Cu 8.0 mg was used, and in addition to 2.0 g of matrix material (1), 2.0 g of matrix material (2) was used. In the same manner as in Example 5, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例20
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C8−Cu8.0mgを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は7μmであった。
Example 20
In Example 5, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained in the same manner as in Example 5 except that 8.0 mg of the metal complex C8-Cu was used instead of 8.0 mg of the metal complex C1-Cu. The coating film thickness was 7 μm.

実施例21
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C9−Cu8.0mgを、さらにマトリックス材料(1)2.0gに代えて、マトリックス材料(2)2.0gを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 21
In Example 5, the metal complex C1-Cu 8.0 mg was used instead of the metal complex C1-Cu 8.0 mg, and the matrix material (2) 2.0 g was used instead of the matrix material (1) 2.0 g. In the same manner as in Example 5, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例22
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C1−Co8.0mgを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は7μmであった。
Example 22
In Example 5, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained in the same manner as in Example 5, except that 8.0 mg of the metal complex C1-Co was used instead of 8.0 mg of the metal complex C1-Cu. The coating film thickness was 7 μm.

実施例23
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C2−Co8.0mgを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は7μmであった。
Example 23
A composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained in the same manner as in Example 5, except that 8.0 mg of the metal complex C2-Co was used instead of 8.0 mg of the metal complex C1-Cu in Example 5. The coating film thickness was 7 μm.

実施例24
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C3−Co8.0mgを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Example 24
A composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained in the same manner as in Example 5 except that 8.0 mg of the metal complex C3-Co was used instead of 8.0 mg of the metal complex C1-Cu in Example 5. The thickness of the coating film was 8 μm.

実施例25
実施例5において金属錯体C1−Cu8.0mgに代えて、金属錯体C10−Co8.0mgを用いた以外は実施例5と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は7μmであった。
Example 25
A composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained in the same manner as in Example 5, except that 8.0 mg of the metal complex C10-Co was used instead of 8.0 mg of the metal complex C1-Cu in Example 5. The coating film thickness was 7 μm.

比較例1
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)を用いなかった以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Comparative Example 1
A composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained in the same manner as in Example 1 except that 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone was not used in Example 1. The thickness of the coating film was 8 μm.

比較例2
実施例1において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)を用いず、さらに、マトリックス材料(1)2.0gに代えてマトリックス材料(2)2.0gを用いた以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Comparative Example 2
Example 1 except that 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone was not used in Example 1, and 2.0 g of matrix material (2) was used instead of 2.0 g of matrix material (1). In the same manner as above, a composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained. The thickness of the coating film was 8 μm.

比較例3
実施例23において4−ヒドロキシベンフェノン0.2mg(0.0010mmol)を用いなかった以外は実施例1と同様にして、紫外線吸収部材用組成物および紫外線吸収部材を得た。コーティング膜の膜厚は8μmであった。
Comparative Example 3
A composition for an ultraviolet absorbing member and an ultraviolet absorbing member were obtained in the same manner as in Example 1 except that 0.2 mg (0.0010 mmol) of 4-hydroxybenphenone was not used in Example 23. The thickness of the coating film was 8 μm.

[紫外線吸収部材の評価]
実施例1〜25および比較例1〜3で得られた紫外線吸収部材について、以下の手順により実施した。
(1)耐熱性評価(金属錯体残存率)
実施例1〜25および比較例1〜3で得られた紫外線吸収部材について、分光光度計(株式会社日立製作所製、型番:U−4100)を用いて特定波長(λ=376nm:紫外線UV−A)における透過率を測定し、紫外線吸収能(UV−A吸収能)の評価を実施した。その後、紫外線吸収部材をホットプレート(アズワン製)上で200℃10分間加熱し、十分に室温まで冷却した後に、透過率を測定した。
なお、測定はガラス基材にマトリックス層を施した試験片(紫外線吸収剤は含まず、マトリックスの種類は測定対象試料と同じものをそれぞれ使用し、同条件で試験片を作製)を別途作製し、これをブランクとして用いてバックグラウンド補正を行った。すなわち、膜自体の透過性能は反映しておらず、専ら紫外線吸収剤に由来するものと見なすことができる。
耐熱性の評価方法としては、200℃10分間の加熱前後のλ=376nmにおける透過率より、次式を用いて金属錯体残存率(%)を算出した。
[Evaluation of UV absorbing member]
About the ultraviolet-absorbing member obtained in Examples 1-25 and Comparative Examples 1-3, it implemented by the following procedures.
(1) Evaluation of heat resistance (metal complex remaining rate)
About the ultraviolet-absorbing member obtained in Examples 1-25 and Comparative Examples 1-3, specific wavelength ((lambda) = 376nm: ultraviolet-ray UV-A is used using a spectrophotometer (the Hitachi, Ltd. make, model number: U-4100). ) Was measured, and ultraviolet absorption ability (UV-A absorption ability) was evaluated. Thereafter, the ultraviolet absorbing member was heated at 200 ° C. for 10 minutes on a hot plate (manufactured by ASONE) and sufficiently cooled to room temperature, and then the transmittance was measured.
For the measurement, separately prepare a test piece in which a glass substrate is coated with a matrix layer (not including the UV absorber, use the same matrix as the sample to be measured, and prepare the test piece under the same conditions). This was used as a blank to perform background correction. That is, the permeation performance of the membrane itself is not reflected, and can be regarded as originating exclusively from the ultraviolet absorber.
As a heat resistance evaluation method, the metal complex residual ratio (%) was calculated from the transmittance at λ = 376 nm before and after heating at 200 ° C. for 10 minutes using the following formula.

Figure 2014088542
Figure 2014088542

(2)耐熱性評価(色相変化)
実施例1〜25および比較例1〜3で得られた紫外線吸収部材について、耐熱性試験(200℃10分間)前後の色相を目視によって評価した。結果を表4に示す。
(2) Heat resistance evaluation (color change)
About the ultraviolet-absorbing member obtained in Examples 1-25 and Comparative Examples 1-3, the hue before and behind a heat resistance test (200 degreeC for 10 minutes) was evaluated by visual observation. The results are shown in Table 4.

Figure 2014088542
Figure 2014088542

Figure 2014088542
※実施例および比較例における金属錯体は100質量部、マトリックス材料は25000質量部用いた。
Figure 2014088542
* In the examples and comparative examples, 100 parts by mass of the metal complex and 25000 parts by mass of the matrix material were used.

実施例1〜3は、ベンゾフェノン誘導体を用いた系であり、残存率、色相変化共に優れていることが分かる。
さらに、実施例4〜11は、ヒドロキシル基を2つ有するベンゾフェノン誘導体として2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノンを用いた系であり、その中でも、配合量が金属錯体100質量部に対して2.5質量部以上を用いた実施例5〜11においては、前記実施例1〜3と比べてもさらに優れた残存率、色相変化であることが分かる。
一方で、比較例1〜3は、ベンゾフェノン誘導体を用いなかった系である。残存率、色相変化ともに、耐熱性試験後に大きく劣化していることが分かる。
Examples 1 to 3 are systems using a benzophenone derivative, and it can be seen that both the residual rate and the hue change are excellent.
Further, Examples 4 to 11 are 2,4-dihydroxybenzophenone, 2,4′-dihydroxybenzophenone, 4,4′-dihydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxy-4, benzophenone derivatives having two hydroxyl groups. 4'-dimethoxybenzophenone is a system, and among them, in Examples 5 to 11 in which the compounding amount is 2.5 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the metal complex, It can be seen that the remaining rate and hue change are even better.
On the other hand, Comparative Examples 1 to 3 are systems in which no benzophenone derivative was used. It can be seen that both the residual ratio and the hue change are greatly deteriorated after the heat resistance test.

Claims (4)

式(1):
Figure 2014088542
(式中、R、R、RおよびRの各々は、存在しないか、あるいは存在する場合は、1つのベンゼン環の6個の炭素原子のうち5員環と共有された2個の炭素原子を除いた4個の炭素原子に結合する4個の水素原子のうち1ないし4個を置換することができ、4個のベンゼン環の水素原子を置換した置換基の全てはそれぞれ互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲノ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキルアミノスルホニル基、置換基を有していてもよいモルホリノスルホニル基、置換基を有していてもよいピペリジノスルホニル基、置換基を有していてもよいピロリジノスルホニル基、置換基を有していてもよいチオモルホリノスルホニル基または置換基を有していてもよいピペラジノスルホニル基である。
、Y、YおよびYはそれぞれ互いに独立して、NH、NR、酸素原子または硫黄原子であり、
、Y、YまたはYに帰属されるNRのRは、炭素数1〜8のアルキル基または置換基を有してもよい炭素数6〜15のアリール基である。なお、Y、Y、YおよびYのうち少なくとも2つがNRで表される場合、これらNRのRはそれぞれ互いに独立した置換基を示す。
また、ZおよびZはそれぞれ互いに独立して、窒素原子、CHまたはCRであり、
またはZに帰属されるCRのRは、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数6〜15のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数4〜12のヘテロアリール基、置換基を有していてもよい炭素数5〜12のヘテロアラルキル基または置換基を有していてもよい炭素数7〜15のアラルキル基を示す。なお、ZおよびZがともにCRで表される場合、これらCRのRはそれぞれ互いに独立した置換基を示す。
Mは金属原子を示す。)
で表される少なくとも1種類の金属錯体と、式(2):
Figure 2014088542
(式中、RおよびRは、ベンゼン環の置換基であり、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族基、炭素数1〜8のアルコキシ基、アミノ基、カルボキシル基、メルカプト基、ハロゲノ基である。なお、すべての置換基はそれぞれお互いに独立する。
m、nは、0〜5の整数であり、p、qは0〜5の整数である。
ただし、m+n≧1、m+p≦5、n+q≦5とする。)
で表わされる少なくとも1種類のベンゾフェノン誘導体とマトリックス材料とを含む紫外線吸収部材用組成物。
Formula (1):
Figure 2014088542
In which each of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 is absent or, if present, two of the 6 carbon atoms of one benzene ring shared with a 5-membered ring 1 to 4 of the 4 hydrogen atoms bonded to the 4 carbon atoms, excluding the carbon atoms, can be substituted, and all of the substituents in which the hydrogen atoms of the 4 benzene rings are substituted with each other. Independently, an optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a hydroxyl group, a carboxyl group, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogeno group, and an optionally substituted carbon Formula 1-8 alkylaminosulfonyl group, morpholinosulfonyl group which may have a substituent, piperidinosulfonyl group which may have a substituent, pyrrolidinosulfonyl which may have a substituent Have a substituent, Have a good thiomorpholino sulfonyl group or substituent is also good piperazino sulfonyl group.
Y 1 , Y 2 , Y 3 and Y 4 are each independently NH, NR 5 , an oxygen atom or a sulfur atom,
R 5 of NR 5 assigned to Y 1 , Y 2 , Y 3 or Y 4 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or an aryl group having 6 to 15 carbon atoms which may have a substituent. Incidentally, Y 1, Y 2, when Y 3 and at least two of Y 4 is represented by NR 5, the R 5 of NR 5 represent a substituent independent of each other, respectively.
Z 1 and Z 2 are each independently a nitrogen atom, CH or CR 6 ;
R 6 of CR 6 attributed to Z 1 or Z 2 is an optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms or optionally substituted aryl having 6 to 15 carbon atoms. Group, an optionally substituted heteroaryl group having 4 to 12 carbon atoms, an optionally substituted heteroaralkyl group having 5 to 12 carbon atoms, or an optionally substituted carbon The aralkyl group of several 7-15 is shown. Incidentally, a substituent case, R 6 of CR 6 is that each independently of one another that Z 1 and Z 2 are both represented by CR 6.
M represents a metal atom. )
At least one metal complex represented by formula (2):
Figure 2014088542
(In formula, R < 7 > and R < 8 > is a substituent of a benzene ring, the C1-C8 alkyl group which may have a substituent, the aromatic group which may have a substituent, These are an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an amino group, a carboxyl group, a mercapto group, and a halogeno group, and all the substituents are independent of each other.
m and n are integers of 0 to 5, and p and q are integers of 0 to 5.
However, m + n ≧ 1, m + p ≦ 5, and n + q ≦ 5. )
A composition for an ultraviolet absorbing member comprising at least one benzophenone derivative represented by the formula (1) and a matrix material.
式(1)における金属原子Mが、銅原子またはコバルト原子である請求項1に記載の紫外線吸収部材用組成物。   The composition for ultraviolet absorbing members according to claim 1, wherein the metal atom M in the formula (1) is a copper atom or a cobalt atom. 式(2)におけるベンゾフェノン誘導体が、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、3,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、4,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、5−tert−ブチル−2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノンもしくは2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、またはその組合せである請求項1または2に記載の紫外線吸収部材用組成物。   The benzophenone derivative in formula (2) is 2,4-dihydroxybenzophenone, 3,4-dihydroxybenzophenone, 2,2′-dihydroxybenzophenone, 2,4′-dihydroxybenzophenone, 4,4′-dihydroxybenzophenone, 5-tert. The butyl-2,4-dihydroxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone or 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, or a combination thereof. Composition for ultraviolet absorbing member. 請求項1〜3のいずれかに記載の紫外線吸収部材用組成物を用いて作製される紫外線吸収部材。   The ultraviolet absorption member produced using the composition for ultraviolet absorption members in any one of Claims 1-3.
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