JP2014086655A - フレキシブル基板 - Google Patents

Abstract

【課題】容易に折り曲げることができるフレキシブル基板を提供することである。
【解決手段】信号線２０は、誘電体素体１２に設けられている。保護層１４は、誘電体素体１２の表面上に設けられている。誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と交差する誘電体素体１２の裏面に対する山線Ｌ２、及び、信号線２０と交差する誘電体素体１２の裏面に対する谷線Ｌ１において折り曲げて用いられる。保護層１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、山線Ｌ２と重なる位置には設けられ、谷線Ｌ１と重なる位置には設けられていない。
【選択図】図２

Description

本発明は、フレキシブル基板に関し、より特定的には、可撓性を有するフレキシブル基板に関する。

従来のフレキシブル基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の高周波信号線路が知られている。該高周波信号線路は、誘電体素体、信号線及び２つのグランド導体を備えている。誘電体素体は、可撓性材料からなる複数の誘電体シートが積層されて構成されており、所定方向に直線状に延在している。信号線は、誘電体シート上に設けられている線状導体である。２つのグランド導体は、誘電体シート上に設けられており、積層方向において信号線を挟んでいる。これにより、信号線及び２つのグランド導体は、ストリップライン構造をなしている。該高周波信号線路は、例えば、電子機器内の２つの回路基板の接続に用いられる。

ところで、特許文献１に記載の高周波信号線路は、電子機器内において折り曲げて用いられる。高周波信号線路が折り曲げられる部分（以下、折り曲げ部分）では、誘電体素体の内周側の部分には圧縮応力がかかる。そのため、誘電体素体の内周側の部分には復元力が発生する。これにより、高周波信号線路が折り曲げられることが妨げられてしまう。

国際公開第２０１２／０７３５９１号パンフレット

そこで、本発明の目的は、容易に折り曲げることができるフレキシブル基板を提供することである。

本発明の一形態に係るフレキシブル基板は、第１の主面及び第２の主面を有する可撓性の誘電体素体と、前記誘電体素体に設けられている第１の導体と、前記第１の主面上に設けられている第１の保護層と、を備えており、前記誘電体素体は、前記第１の主面の法線方向から平面視したときに、前記第１の導体と交差する前記第１の主面に対して山折りされる山線と、及び、該第１の導体と交差する前記第１の主面に対して谷折りされる谷線との少なくとも２箇所において折り曲げて用いられ、前記第１の保護層は、前記第１の主面の法線方向から平面視したときに、前記山線と重なる位置には設けられ、前記谷線と重なる位置には設けられていないこと、を特徴とする。

本発明によれば、容易に折り曲げることができる。

本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 高周波信号線路の線路部の開口における断面構造図である。 高周波信号線路の線路部のブリッジ部における断面構造図である。 高周波信号線路のコネクタの外観斜視図である。 高周波信号線路のコネクタの断面構造図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。 高周波信号線路の谷線及び山線付近における断面構造図である。 比較例に係る高周波信号線路の谷線及び山線付近における断面構造図である。 本発明の第２の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。 変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。 高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。 第２の実施形態に係るフレキシブル基板の外観斜視図である。 図１４のフレキシブル基板の誘電体素体の分解図である。

（第１の実施形態）
（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、高周波信号線路１０の線路部１２ａの開口３０における断面構造図である。図４は、高周波信号線路１０の線路部１２ａのブリッジ部６０における断面構造図である。以下では、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するフラットケーブルとして用いられるフレキシブル基板である。高周波信号線路１０は、図１及び図２に示すように、誘電体素体１２、保護層１４，１５、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線２０、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１〜Ｂ６及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

誘電体素体１２は、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する線状をなす可撓性を有する板状部材であり、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面（第２の主面）と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面（第１の主面）と称す。

線路部１２ａは、図１に示すように、ｘ軸方向に延在している。線路部１２ａのｘ軸方向の両端は折り曲げられる。より詳細には、図１及び図２に示すように、線路部１２ａのｘ軸方向の正方向側の端部近傍は、線路部１２ａの表面に対する谷線Ｌ１及び山線Ｌ２において折り曲げられる。線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部近傍は、線路部１２ａの表面に対する山線Ｌ３及び谷線Ｌ４（図２には示さず）により折り曲げられる。谷線Ｌ１，Ｌ３は、線路部１２ａの表面が山折りにされ、線路部１２ａの裏面が谷折りされる線である。山線Ｌ２，Ｌ４は、線路部１２ａの表面が谷折りにされ、線路部１２ａの裏面が山折りされる線である。

接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも大きい。

誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されているシートである。以下では、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

誘電体シート１８ａの厚さＤ１は、図３及び図４に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＤ２と誘電体シート１８ｃの厚さＤ３との合計よりも大きい。誘電体シート１８ａ〜１８ｃの積層後において、厚さＤ１は、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＤ１は１５０μｍである。また、厚さＤ２と厚さＤ３との合計は、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＤ２は２５μｍである。厚さＤ３は２５μｍである。

また、誘電体シート１８ａは、図２に示すように、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、図２に示すように、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ−ａ及び接続部１８ｃ−ｂ，１８ｃ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａ，１８ｃ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂ，１８ｃ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃ，１８ｃ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。

信号線２０は、図２に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２内に設けられている線状の導体である。本実施形態では、信号線２０は、誘電体シート１８ｂの表面上に形成されており、誘電体素体１２に沿ってｘ軸方向に延在する直線状の導体である。信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｂの中央に位置している。信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｃの中央に位置している。また、信号線２０は、谷線Ｌ１，Ｌ３及び山線Ｌ２，Ｌ４と交差している。

信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線２０が誘電体シート１８ｂの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線２０が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線２０が形成されていることを指す。また、信号線２０の表面には平滑化が施されるので、信号線２０において誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは、信号線２０において誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

基準グランド導体２２（第２のグランド導体）は、図２に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられており、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在しているベタ状の導体層である。より詳細には、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面（すなわち、誘電体素体１２の表面）上に形成され、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向している。これにより、基準グランド導体２２は、信号線２０に対して誘電体素体１２の表面側に設けられている。基準グランド導体２２には、信号線２０と重なる位置には開口が設けられていない。

基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、基準グランド導体２２において誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは、基準グランド導体２２において誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、基準グランド導体２２は、図２に示すように、線路部２２ａ及び端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

補助グランド導体２４は、図２に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられており、信号線２０に沿ってｘ軸方向に延在している導体層である。より詳細には、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの裏面（すなわち、誘電体素体１２の裏面）上に形成され、誘電体シート１８ｂ，１８ｃを介して信号線２０と対向している。

補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｃの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｃの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｃの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、補助グランド導体２４において誘電体シート１８ｃに接している面の表面粗さは、補助グランド導体２４において誘電体シート１８ｃに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

また、補助グランド導体２４は、図２に示すように、線路部２４ａ及び端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｃ−ａの裏面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２４ｂは、線路部１８ｃ−ｂの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、接続部１８ｃ−ｃの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

また、線路部２４ａには、図２に示すように、ｘ軸方向に沿って並び、かつ、長方形状をなす複数の開口３０が設けられている。これにより、線路部２４ａは、梯子状をなしている。また、補助グランド導体２４において、隣り合う開口３０に挟まれた部分をブリッジ部６０と呼ぶ。ブリッジ部６０は、ｙ軸方向に延在している。複数の開口３０及び複数のブリッジ部６０とは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０に交互に重なっている。そして、本実施形態では、信号線２０は、開口３０及びブリッジ部６０のｙ軸方向の中央をｘ軸方向に横切っている。

以上のように、基準グランド導体２２には開口が設けられず、補助グランド導体２４には開口３０が設けられている。よって、基準グランド導体２２と信号線２０とが重なっている面積は、補助グランド導体２４と信号線２０とが重なっている面積よりも大きい。

外部端子１６ａは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部と重なっている。外部端子１６ｂは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部と重なっている。

外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されている。ここで、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることを指す。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には平滑化が施されるので、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、略等しい厚さを有している。外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の厚さは、例えば、１０μｍ〜２０μｍである。

以上のように、信号線２０は、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によってｚ軸方向の両側から挟まれている。すなわち、信号線２０、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図３及び図４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＤ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔は、１５０μｍである。また、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図３及び図４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＤ２と誘電体シート１８ｃの厚さＤ３との合計と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２０と補助グランド導体２４との間隔は、５０μｍである。よって、信号線２０と基準グランド導体２２とのｚ軸方向の距離は、信号線２０と補助グランド導体２４とのｚ軸方向の距離よりも大きい。

複数のビアホール導体Ｂ１は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ２は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ３は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体Ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されている。ビアホール導体Ｂ３のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されており、より詳細には、ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の正方向側において補助グランド導体２４に接続されている。ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ３は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに形成されたビアホールに対して銀、スズ、または銅等を主成分とする導電性ペーストが充填され、固化されることによって形成される。

複数のビアホール導体Ｂ４は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において誘電体シート１８ａをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ５は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。複数のビアホール導体Ｂ６は、図２に示すように、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において誘電体シート１８ｃをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体Ｂ４のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されている。ビアホール導体Ｂ６のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されており、より詳細には、ブリッジ部６０よりもｙ軸方向の負方向側において補助グランド導体２４に接続されている。ビアホール導体Ｂ４〜Ｂ６は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃに形成されたビアホールに対して銀、スズ、または銅等を主成分とする導電性ペーストが充填され、固化されることによって形成される。

ビアホール導体ｂ１は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、外部端子１６ａに接続されている。ビアホール導体ｂ１のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。

ビアホール導体ｂ２は、図２に示すように、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ−ｃをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の正方向側の端部は、外部端子１６ｂに接続されている。ビアホール導体ｂ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、誘電体シート１８ａに形成されたビアホールに対して銀、スズ、または銅等を主成分とする導電性ペーストが充填され、固化されることによって形成される。

保護層１４（第２の保護層）は、誘電体素体１２の表面上に設けられている絶縁体層であり、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁体層である。これにより、保護層１４は、基準グランド導体２２上及び誘電体素体１２の裏面上に設けられている。保護層１４は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃよりも硬い材質から構成され、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の略全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。ただし、図２に示すように、線路部１４ａは、ｚ軸方向（誘電体素体１２の表面の法線方向）から平面視したときに、誘電体素体１２の裏面（第１の主面）に対して山折りされる山線Ｌ２，Ｌ４と重なる位置には設けられておらず、誘電体素体１２の裏面（第１の主面）に対して谷折りされる谷線Ｌ１，Ｌ３と重なる位置には設けられている。そのため、基準グランド導体２２は、山線Ｌ２，Ｌ４において外部に露出している。

接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

保護層１５（第１の保護層）は、誘電体シート１８ｃの裏面上に設けられている絶縁体層であり、誘電体シート１８ｃの裏面の略全面を覆っている絶縁体層である。これにより、保護層１５は、補助グランド導体２４上及び誘電体素体１２の表面上に設けられている。保護層１５は、誘電体シート１８ａ〜１８ｃよりも硬い材質から構成され、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

また、保護層１５は、図２に示すように、線路部１５ａ及び接続部１５ｂ，１５ｃにより構成されている。線路部１５ａは、線路部１８ｃ−ａの裏面の略全面を覆うことにより、線路部２４ａを覆っている。ただし、図２に示すように、線路部１５ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２の裏面（第１の主面）に対して山折りされる山線Ｌ２，Ｌ４と重なる位置には設けられており、誘電体素体１２の裏面（第１の主面）に対して谷折りされる谷線Ｌ１，Ｌ３と重なる位置には設けられていない。そのため、補助グランド導体２４は、谷線Ｌ１，Ｌ３において外部に露出している。

接続部１５ｂは、線路部１５ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ｃ−ｂの裏面を覆っている。接続部１５ｃは、線路部１５ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ｃ−ｃの裏面を覆っている。

以上のように構成された高周波信号線路１０では、高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。より詳細には、信号線２０において開口３０と重なっている区間Ａ１では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に相対的に小さな容量が形成される。そのため、区間Ａ１における高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、相対的に高いインピーダンスＺ１となる。

一方、信号線２０においてブリッジ部６０と重なっている区間Ａ２では、信号線２０と補助グランド導体２４との間に相対的に大きな容量が形成される。そのため、区間Ａ２における高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、相対的に低いインピーダンスＺ２となる。そして、区間Ａ１と区間Ａ２とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。よって、高周波信号線路１０の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。インピーダンスＺ１は、例えば、５５Ωであり、インピーダンスＺ２は、例えば、４５Ωである。そして、高周波信号線路１０全体の平均の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、図１に示すように、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図５は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図６は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。

コネクタ１００ｂは、図１、図５及び図６に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図５及び図６に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図７は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図８は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。

電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

高周波信号線路１０の表面は、バッテリーパック２０６に接触している。そして、高周波信号線路１０とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、開口が設けられていないベタ状の基準グランド導体２２が存在している。

高周波信号線路１０のｘ軸方向の両端近傍は、谷線Ｌ１，Ｌ３において誘電体素体１２の裏面（第１の主面）に対して谷折りされ、山線Ｌ２，Ｌ４において誘電体素体１２の裏面（第１の主面）に対して山折りされている。これにより、高周波信号線路１０のｘ軸方向の両端近傍は、バッテリーパック２０６の角に沿うように折り曲げられている。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

まず、一方の主面の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ〜１８ｃを準備する。具体的には、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの一方の主面に銅箔を張り付ける。更に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８ａ〜１８ｃは、液晶ポリマである。また、銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。

次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示すように、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面の銅箔上に、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、洗浄液を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。

次に、図２に示すように、信号線２０を誘電体シート１８ｂの表面上に形成する。また、図２に示すように、補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｃの裏面上に形成する。なお、信号線２０及び補助グランド導体２４の形成工程は、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線２０及び基準グランド導体２２の形成工程と同じであるので説明を省略する。

次に、誘電体シート１８ａ〜１８ｃのビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填し、ビアホール導体ｂ１〜ｂ４，Ｂ１〜Ｂ６を形成する。

次に、信号線２０と基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４とが対向するように、誘電体シート１８ａ〜１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層及び圧着する。

次に、図２に示すように、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。

次に、図２に示すように、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ｃの裏面上に補助グランド導体２４を覆う保護層１５を形成する。

最後に、接続部１２ｂ，１２ｃ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子部２２ｂ，２２ｃ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。

（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能となる。図９は、高周波信号線路１０の谷線Ｌ１及び山線Ｌ２付近における断面構造図である。図１０は、比較例に係る高周波信号線路の谷線Ｌ１１及び山線Ｌ１２付近における断面構造図である。図１０において、図９と同じ構成には同じ参照符号を付した。

図１０の比較例に係る高周波信号線路では、保護層１５は、ｚ軸方向から平面視したときに、谷線Ｌ１１と重なる位置に設けられている。図１０に示す高周波信号線路が谷線Ｌ１１において折り曲げられると、谷線Ｌ１１において信号線２０よりも内周側に位置する保護層１５には圧縮応力がかかる。そのため、保護層１５に復元力が発生し、高周波信号線路が折り曲げられることが妨げられる。

そこで、高周波信号線路１０では、図９に示すように、保護層１５は、ｚ軸方向から平面視したときに、谷線Ｌ１，Ｌ３と重なる位置には設けられていない。これにより、谷線Ｌ１，Ｌ３における内周側の保護層１５が存在しなくなる。その結果、谷線Ｌ１，Ｌ３において高周波信号線路１０が折り曲げられた際に、高周波信号線路１０において発生する圧縮応力が緩和される。よって、高周波信号線路１０を容易に折り曲げることが可能となる。

また、図１０の比較例に係る高周波信号線路では、保護層１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、山線Ｌ１２と重なる位置に設けられている。図１０に示す高周波信号線路が山線Ｌ１２において折り曲げられると、山線Ｌ１２において信号線２０よりも内周側に位置する保護層１５には圧縮応力がかかる。そのため、保護層１４に復元力が発生し、高周波信号線路が折り曲げられることが妨げられる。

そこで、高周波信号線路１０では、図９に示すように、保護層１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、山線Ｌ２，Ｌ４と重なる位置には設けられていない。これにより、山線Ｌ２，Ｌ４における内周側の保護層１４が存在しなくなる。その結果、山線Ｌ２，Ｌ４において高周波信号線路１０が折り曲げられた際に、高周波信号線路１０において発生する圧縮応力が緩和される。よって、高周波信号線路１０を容易に折り曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０では、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。より詳細には、図１０の比較例に係る高周波信号線路では、図１０に示す高周波信号線路が谷線Ｌ１１において折り曲げられると、谷線Ｌ１１において信号線２０よりも内周側に位置する保護層１５には圧縮応力がかかる。これにより、保護層１５の厚みが大きくなって、補助グランド導体２４が信号線２０に近づくように保護層１５によって押される。その結果、補助グランド導体２４と信号線２０との距離が小さくなり、補助グランド導体２４と信号線２０との間の容量が大きくなる。よって、谷線Ｌ１１における高周波信号線路の特性インピーダンスが小さくなって所定の特性インピーダンスからずれてしまう。

そこで、高周波信号線路１０では、図９に示すように、保護層１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、谷線Ｌ１，Ｌ３と重なる位置には設けられていない。これにより、谷線Ｌ１，Ｌ３における内周側の保護層１５が存在しなくなる。その結果、谷線Ｌ１，Ｌ３において高周波信号線路１０が折り曲げられた際に、高周波信号線路１０において発生する圧縮応力が緩和される。これにより、保護層１５によって、補助グランド導体２４が信号線２０に近づくように押されることが抑制される。その結果、谷線Ｌ１，Ｌ３において高周波信号線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

また、図１０の比較例に係る高周波信号線路では、図１０に示す高周波信号線路が山線Ｌ１２において折り曲げられると、山線Ｌ１２において信号線２０よりも内周側に位置する保護層１４には圧縮応力がかかる。これにより、保護層１４の厚みが大きくなって、基準グランド導体２２が信号線２０に近づくように保護層１４によって押される。その結果、基準グランド導体２２と信号線２０との距離が小さくなり、基準グランド導体２２と信号線２０との間の容量が大きくなる。よって、山線Ｌ１２における高周波信号線路の特性インピーダンスが小さくなって所定の特性インピーダンスからずれてしまう。

そこで、高周波信号線路１０では、図９に示すように、保護層１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、山線Ｌ２，Ｌ４と重なる位置には設けられていない。これにより、山線Ｌ２，Ｌ４における内周側の保護層１４が存在しなくなる。その結果、山線Ｌ２，Ｌ４において高周波信号線路１０が折り曲げられた際に、高周波信号線路１０において発生する圧縮応力が緩和される。これにより、保護層１４によって、基準グランド導体２２が信号線２０に近づくように押されることが抑制される。その結果、山線Ｌ２，Ｌ４において高周波信号線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

また、高周波信号線路１０では、誘電体素体１２に傷がつくことを抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０では、誘電体素体１２を容易に曲げる観点からは、山線Ｌ２，Ｌ４と重なる位置に保護層１５が設けられないことが好ましい。しかしながら、山線Ｌ２，Ｌ４では、保護層１５が外周側に位置するようになるので、高周波信号線路１０が折り曲げられると保護層１５に覆われていない領域が広がってしまう。そのため、保護層１５から露出する誘電体素体１２の面積が大きくなってしまう。したがって、外部からの衝撃によって誘電体素体１２に傷がつくおそれがある。誘電体素体１２に傷がつくと、誘電体素体１２内の信号線２０が露出して不要輻射が増大したり、誘電体素体１２内の信号線２０が傷ついたりするおそれがある。

そこで、高周波信号線路１０では、ｚ軸方向から平面視したときに、山線Ｌ２，Ｌ４と重なる位置に保護層１５が設けられている。これにより、誘電体素体１２が傷つくことが抑制される。また、山線Ｌ２，Ｌ４において、基準グランド導体２２が露出している場合には、基準グランド導体２２が傷つくことが抑制される。

また、高周波信号線路１０では、以下の理由によっても、誘電体素体１２に傷がつくことを抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０では、誘電体素体１２が傷つくことを抑制する観点からは、谷線Ｌ１，Ｌ３と重なる位置に保護層１５が設けられていることが好ましい。しかしながら、谷線Ｌ１，Ｌ３では、保護層１５が内周側に位置するようになるので、高周波信号線路１０が折り曲げられると保護層１５に覆われていない領域が狭くなる。そのため、保護層１５から露出する誘電体素体１２の面積が小さい。したがって、外部からの衝撃によって誘電体素体１２に傷がつく可能性が低い。以上のように、高周波信号線路１０では、容易に折り曲げることができることと、誘電体素体１２に傷がつくことを抑制できることとを両立できる。

また、高周波信号線路１０によれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号線路１０では、図２に示すように、区間Ａ１において、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。そのため、信号線２０と補助グランド導体２４との間に容量が形成されにくい。したがって、信号線２０と補助グランド導体２４とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線２０と補助グランド導体２４との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。

また、高周波信号線路１０によれば、高周波信号線路１０がバッテリーパック２０６等の金属体に貼り付けられた場合に、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが変動することが抑制される。より詳細には、高周波信号線路１０は、信号線２０とバッテリーパック２０６との間にベタ状の基準グランド導体２２が位置するように、バッテリーパック２０６に貼り付けられる。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６とが開口を介して対向しなくなり、信号線２０とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、高周波信号線路１０がバッテリーパック２０６に貼り付けられることによって、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが低下することが抑制される。

（変形例）
以下に、変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１１は、本発明の第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ａの外観斜視図である。図１２は、変形例に係る高周波信号線路１０ａの誘電体素体１２の分解図である。図１３は、高周波信号線路１０ａが用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。

高周波信号線路１０ａは、コプレナー構造を有している点において、高周波信号線路１０と相違する。より詳細には、高周波信号線路１０ａは、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の代わりに、グランド導体１２２を備えている。グランド導体１２２は、誘電体シート１８ｂの表面上に形成されており、線路部１２２ａ，１２２ｂ及び接続部１２２ｃ，１２２ｄを備えている。

信号線２０は、線路部１２２ａ，１２２ｂにｙ軸方向の両側から挟まれている。線路部１２２ａは、信号線２０のｙ軸方向の正方向側に設けられ、線路部１２２ｂは、信号線２０のｙ軸方向の負方向側に設けられている。

接続部１２２ｃは、矩形状の環状の一部が切り欠かれた構造をなしており、接続部１８ｂ−ｂの表面に設けられている。接続部１２２ｃは、線路部１２２ａ，１２２ｂのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。なお、接続部１２２ｃは、接続部２２ｂと略同じ構造であるのでこれ以上の説明を省略する。

接続部１２２ｄは、矩形状の環状の一部が切り欠かれた構造をなしており、接続部１８ｂ−ｃの表面に設けられている。接続部１２２ｄは、線路部１２２ａ，１２２ｂのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。なお、接続部１２２ｄは、接続部２２ｃと略同じ構造であるのでこれ以上の説明を省略する。

また、高周波信号線路１０ａには、誘電体シート１８ａ，１８ｃが設けられていない。

なお、高周波信号線路１０ａのその他の構成は、高周波信号線路１０と同じであるのでこれ以上の説明を省略する。

以上のように構成された高周波信号線路１０ａでは、ｘ軸方向の両端において折り曲げられる。より詳細には、線路部１２ａは、図１２に示すように、ｘ軸方向に延在している。線路部１２ａのｘ軸方向の両端は折り曲げられる。線路部１２ａのｘ軸方向の正方向側の端部近傍は、図１２及び図１３に示すように、線路部１２ａの表面に対する谷線Ｌ３１及び山線Ｌ３２において折り曲げられる。また、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部近傍は、図１２及び図１３に示すように、線路部１２ａの表面に対する谷線Ｌ３３及び山線Ｌ３４において折り曲げられる。谷線Ｌ３１，Ｌ３３は、線路部１２ａの表面（第１の主面）が谷折りされる線である。山線Ｌ３２，Ｌ３４は、線路部１２ａの表面（第１の主面）が山折りされる線である。

以上のように構成された高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ａを容易に曲げることが可能となる。

また、高周波信号線路１０ａでは、高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０ａでは、保護層１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、谷線Ｌ３１と重なる位置には設けられていない。これにより、谷線Ｌ３１における内周側の保護層１４が存在しなくなる。その結果、谷線Ｌ３１において高周波信号線路１０が折り曲げられた際に、高周波信号線路１０ａにおいて発生する圧縮応力が緩和される。これにより、誘電体シート１８ｃの厚さが大きくなることが抑制される。そのため、折り曲げ前において信号線２０の周囲に存在している誘電体シート１８ｃの厚みと折り曲げ後において信号線２０の周囲に存在している誘電体シート１８ｃの厚みとの差が大きくなることが抑制される。よって、信号線２０に寄生している容量が変動することが抑制され、高周波信号線路１０ａの特性インピーダンスが変動することが抑制される。

また、高周波信号線路１０ａでは、高周波信号線路１０と同様に、誘電体素体１２に傷がつくことを抑制できる。

（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係るフレキシブル基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１４は、第２の実施形態に係るフレキシブル基板１０ｂの外観斜視図である。図１５は、図１４のフレキシブル基板１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。図１５では、フレキシブル基板１０ｂの要部の構成のみを記載し、要部以外の構成については省略した。以下では、フレキシブル基板１０ｂの積層方向をｚ軸方向と定義する。また、ｚ軸方向から平面視したときに、フレキシブル基板１０ｂの長辺が延在している方向をｘ軸方向と定義し、フレキシブル基板１０ｂの短辺が延在している方向をｙ軸方向と定義する。

フレキシブル基板１０ｂは、例えば、携帯電話等の電子機器内において、例えば、アンテナが設けられた送受信回路である。高周波信号線路１０は、図１４及び図１５に示すように、誘電体素体１２、保護層１４、アンテナ部７０、接続部７２及び信号線７４を備えている。

誘電体素体１２は、図１に示すように、可撓性を有する矩形状の板状部材であり、図２に示すように、誘電体シート１８ａ，１８ｂがｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面（第１の主面）と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面（第２の主面）と称す。

誘電体素体１２は、図１に示すように、２箇所において折り曲げられて用いられる。より詳細には、図２に示すように、誘電体素体１２のｘ軸方向の中央近傍においてｙ軸方向に延在している谷線Ｌ２１及び山線Ｌ２２において折り曲げられる。谷線Ｌ２１は、山線Ｌ２２よりもｘ軸方向の正方向側に位置している。谷線Ｌ２１は、誘電体素体１２の表面が谷折りされる線である。山線Ｌ２２は、誘電体素体１２の表面が山折りされる線である。

誘電体シート１８ａ，１８ｂは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ，１８ｂは、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されているシートである。以下では、誘電体シート１８ａ，１８ｂのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ，１８ｂのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

アンテナ部７０は、誘電体シート１８ａの表面に形成されており、誘電体シート１８ａのｘ軸方向の正方向側の短辺近傍に設けられている。アンテナ部７０は、例えば、渦巻状のコイルパターンなどによって構成されるアンテナである。

端子部７２は、誘電体シート１８ｂの表面に形成されており、誘電体シート１８ａのｘ軸方向の負方向側の短辺近傍に設けられている。端子部７２は、例えば、コネクタが実装されるランド電極である。

信号線７４は、図１５に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２内に設けられている線状の導体である。本実施形態では、信号線７４は、誘電体シート１８ａの表面上に形成されており、アンテナ部７０と端子部７２とを接続している。また、信号線７４は、谷線Ｌ２１と山線Ｌ２２と交差している。

保護層１４（第１のグランド導体）は、誘電体素体１２の表面上に設けられている絶縁膜であり、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。保護層１４には、開口Ｈｉが設けられている。端子部７２は、開口Ｈｉを介して外部に露出している。また、保護層１４は、ｚ軸方向（誘電体素体１２の表面の法線方向）から平面視したときに、山線Ｌ２２と重なる位置には設けられており、谷線Ｌ２１と重なる位置には設けられていない。

以上のように構成されたフレキシブル基板１０ｂによれば、高周波信号線路１０と同様に、フレキシブル基板１０ｂを容易に曲げることが可能となる。

また、フレキシブル基板１０ｂにおいて、ｚ軸方向において信号線２０と重なるグランド導体を形成してマイクロストリップラインもしくはストリップラインとして構成した場合、高周波信号線路１０ａと同様に、信号線７４の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。

また、フレキシブル基板１０ｂでは、高周波信号線路１０と同様に、誘電体素体１２に傷がつくことを抑制できる。

（その他の実施形態）
本発明に係るフレキシブル基板は、高周波信号線路１０，１０ａ及びフレキシブル基板１０ｂに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

保護層１４，１５は、スクリーン印刷によって形成されているが、フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよい。

なお、高周波信号線路１０において、保護層１４が設けられていなくてもよい。ただし、保護層１４が設けられていない場合には、基準グランド導体２２は、誘電体素体１２内に内蔵（例えば、基準グランド導体２２を覆う誘電体シートを更に設ける）されている。また、高周波信号線路１０ａにおいて、保護層１５が設けられていてもよい。この場合、保護層１５は、山線Ｌ３２，Ｌ３４と重なる位置には設けられていない。

なお、高周波信号線路１０，１０ａにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、高周波信号線路１０，１０ａの端部と回路基板とがはんだによって接続される。なお、高周波信号線路１０，１０ａの一方の端部のみにコネクタ１００ａが実装されてもよい。

また、コネクタ１００ａ，１００ｂは、高周波信号線路１０，１０ａの表面に実装されているが、高周波信号線路１０，１０ａの裏面に実装されていてもよい。また、コネクタ１００ａが高周波信号線路１０，１０ａの表面に実装され、コネクタ１００ｂが高周波信号線路１０，１０ａの裏面に実装されてもよい。

また、高周波信号線路１０，１０ａにおいて、基準グランド導体２２又は補助グランド導体２４のいずれか一方が設けられていなくてもよい。すなわち、高周波信号線路１０，１０ａは、マイクロストリップラインであってもよい。

また、フレキシブル基板１０ｂにおいて、信号線７４は、高周波信号が伝送される信号線に限らず、電源線やグランド線であってもよい。

以上のように、本発明は、フレキシブル基板に有用であり、特に、容易に折り曲げることができる点において優れている。

Ｌ１，Ｌ３，Ｌ１１，Ｌ２１，Ｌ３２，Ｌ３３ 谷線
Ｌ２，Ｌ４，Ｌ１２，Ｌ２２，Ｌ３１，Ｌ３４ 山線
１０，１０ａ 高周波信号線路
１０ｂ フレキシブル基板
１２ 誘電体素体
１４，１５ 保護層
２０，７４ 信号線
２２ 基準グランド導体
２４ 補助グランド導体
７０ アンテナ部
７２ 接続部
１２２ グランド導体

Claims (5)

1. 第１の主面及び第２の主面を有する可撓性の誘電体素体と、
   前記誘電体素体に設けられている第１の導体と、
   前記第１の主面上に設けられている第１の保護層と、
   を備えており、
   前記誘電体素体は、前記第１の主面の法線方向から平面視したときに、前記第１の導体と交差する前記第１の主面に対して山折りされる山線と、及び、該第１の導体と交差する前記第１の主面に対して谷折りされる谷線との少なくとも２箇所において折り曲げて用いられ、
   前記第１の保護層は、前記第１の主面の法線方向から平面視したときに、前記山線と重なる位置には設けられ、前記谷線と重なる位置には設けられていないこと、
   を特徴とするフレキシブル基板。
2. 前記第１の導体に対して前記第１の主面側に設けられている第１のグランド導体を、
   更に備えており、
   前記第１の導体は、高周波信号が伝送される信号線であること、
   を特徴とする請求項１に記載のフレキシブル基板。
3. 前記第１のグランド導体は、前記第１の主面上に設けられており、
   前記第１の保護層は、前記第１のグランド導体及び前記第１の主面上に設けられていること、
   を特徴とする請求項２に記載のフレキシブル基板。
4. 前記第２の主面上に設けられている第２のグランド導体と、
   前記第２のグランド導体及び前記第２の主面上に設けられている第２の保護層と、
   を更に備えており、
   前記第２の保護層は、前記第１の主面の法線方向から平面視したときに、前記山線と重なる位置には設けられておらず、前記谷線と重なる位置には設けられていること、
   を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載のフレキシブル基板。
5. 前記第１の保護層は、前記誘電体素体よりも硬い材質からなること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のフレキシブル基板。

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