JP2014082462A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】誘電体層の薄層化が進んでも、例えば誘電体層の厚さが１．０μｍ以下になってもＣＲ積の低下抑制を的確に行える積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０は、積層方向で隣接する２つの内部電極層１２と該２つの内部電極層１２の間に介在する１つの誘電体層１３によって構成される部分を単位コンデンサとして捕らえたとき、積層方向に並ぶ計１９の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ１９の静電容量が、積層方向両側から内側に向かって徐々に増加し、且つ、両増加頂点から積層方向中央に向かって徐々に減少する分布を形成している。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された構造を有するコンデンサ本体を備えた積層セラミックコンデンサに関する。

この種の積層セラミックコンデンサに対する小型化及び大容量化のニーズは依然として高く、該ニーズを満足するには内部電極層と誘電体層の更なる薄層化は避けられない。しかしながら、誘電体層の薄層化が進むと積層セラミックコンデンサのＣＲ積（静電容量Ｃと絶縁抵抗Ｒの積）が低下する恐れが高くなる。因みに、ＣＲ積は積層セラミックコンデンサの特性を表す数値として広く知られており、一般には公称静電容量に応じてその下限値が設定されている。

下記特許文献１には、厚さが２．５μｍ以下の誘電体層に含まれる誘電体層結晶の粒径及び体積割合を制限することによってＣＲ積の低下抑制を図った発明が記載されているが、誘電体層結晶の粒径及び体積割合を正確に制限することは製法との絡みにおいて難しいことから、ＣＲ積の低下抑制を期待通りに行えない恐れがある。

特開２００１−３３８８２８号公報

本発明の目的は、誘電体層の薄層化が進んでも、例えば誘電体層の厚さが１．０μｍ以下になってもＣＲ積の低下抑制を的確に行える積層セラミックコンデンサを提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明は、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された構造を有するコンデンサ本体を備えた積層セラミックコンデンサにおいて、積層方向で隣接する２つの内部電極層と該２つの内部電極層の間に介在する１つの誘電体層によって構成される部分を単位コンデンサとして捕らえたとき、積層方向に並ぶ複数の単位コンデンサの静電容量が、積層方向両側から内側に向かって徐々に増加し、且つ、両増加頂点から積層方向中央に向かって徐々に減少する分布を形成している。

本発明によれば、誘電体層の薄層化が進んでも、例えば誘電体層の厚さが１．０μｍ以下になってもＣＲ積の低下抑制を的確に行える積層セラミックコンデンサを提供することができる。

本発明の前記目的及び他の目的と、各目的に応じた特徴と効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。

図１（Ａ）は本発明を適用した積層セラミックコンデンサの縦断面図、図１（Ｂ）は同積層セラミックコンデンサの図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う横断面図、図１（Ｃ）は同積層セラミックコンデンサの等価回路を示す図、図１（Ｄ）は同積層セラミックコンデンサにおける単位コンデンサの静電容量分布を示す図である。 図２は図１の積層セラミックコンデンサに対応したサンプルにおける単位コンデンサの静電容量分布を示す図である。 図３は図１の積層セラミックコンデンサに対応したサンプルの仕様及び特性を示す図である。

《積層セラミックコンデンサの構造と積層セラミックコンデンサにおける単位コンデンサの静電容量分布》
先ず、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０の構造と、該積層セラミックコンデンサ１０における単位コンデンサの静電容量分布について説明する。

図１（Ａ）及び（Ｂ）に示した積層セラミックコンデンサ１０は、略直方体形状のコンデンサ本体１１と、該コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に設けられた１対の外部電極１４を備えており、長さ＞幅＝高さ、或いは、長さ＞幅＞高さの基準寸法関係を有している。因みに、長さは図１（Ａ）における左右方向の寸法が該当し、幅は図１（Ｂ）における上下方向の寸法が該当し、高さは図１（Ａ）における上下方向の寸法が該当する。

コンデンサ本体１１は、計２０の内部電極層１２が誘電体層１３（計１９）を介して積層され、且つ、最上位の内部電極層１２の上側と最下位の内部電極層１２の下側に複数の誘電体層１３のみを積層して構成された上側保護部と下側保護部（符号無し）が設けられた構造を有している。また、各内部電極層１２の幅が誘電体層１３の幅よりも小さいことから、コンデンサ本体１１の幅方向の一側及び他側には複数の誘電体層１３のみから成るマージン（符号無し）が存在する。因みに、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）には、図示の便宜上、内部電極層１２の数を２０としてあるが、小型化及び大容量化のニーズを満足する実際の積層セラミックコンデンサの内部電極層の数は１００以上に及ぶ。

各内部電極層１２は、ニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、又はこれらの合金等から成り、各々の材料は同じで、且つ、各々の厚さ及び形状（略矩形）は略同じである。各誘電体層１３は、上側保護部と下側保護部を構成する誘電体層１３も含め、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、又は酸化チタン等から成り、各々の材料は同じで、且つ、各々の厚さ及び形状（略矩形）は略同じであり、各々の形状は各内部電極層１２の形状よりも長さ及び幅が大きい。

計２０の内部電極層１２のうち、図１（Ａ）における上から奇数番目の内部電極層１２（計１０）と上から偶数番目の内部電極層１２（計１０）は長さ方向にずれていて、上から奇数番目の内部電極層１２の端は左側の外部電極１４に電気的に接続され、且つ、上から偶数番目の内部電極層１２の端は右側の外部電極１４に電気的に接続されている。

各外部電極１４は、コンデンサ本体１１の長さ方向両端部に密着した下地層（符号無し）と該下地層の表面に形成された表面層との２層構造、或いは、下地層と表面層との間に少なくとも１つの中間層を有する多層構造を有している。下地層は好ましくは内部電極層１２と同じ材料から成り、表面層はスズ、パラジウム、金、又は亜鉛等から成り、中間層は白金、パラジウム、金、銅、又はニッケル等から成る。

前記積層セラミックコンデンサ１０は、コンデンサ本体１１の上下方向、即ち、積層方向で隣接する２つの内部電極層１２と該２つの内部電極層１２の間に介在する１つの誘電体層１３によって構成される部分を単位コンデンサとして捕らえたとき、図１（Ｃ）に示したように、積層方向に並ぶ計１９の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ１９を含み、且つ、該単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ１９が１対の外部電極１４に並列接続されたものとなっている。

また、前記積層セラミックコンデンサ１０にあっては、図１（Ｄ）に太実線で示したように、積層方向に並ぶ計１９の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ１９の静電容量が、積層方向両側から内側に向かって徐々に増加し、且つ、両増加頂点から積層方向中央に向かって徐々に減少する略Ｗ字状の分布を形成している。加えて、積層方向両側の単位コンデンサＵＣ１及びＵＣ１９の静電容量が、積層方向中央の単位コンデンサＵＣ１０の静電容量よりも小さくなっている。

《積層セラミックコンデンサの製法例》
次に、前記積層セラミックコンデンサ１０を得るのに好適な製法例について、各内部電極層１２がニッケルから成り各誘電体層１３がチタン酸バリウムから成る場合を例に挙げて説明する。

製造に際しては、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤を含むベーススラリーを用意し、該ベーススラリーに焼結抑制剤を添加して得た第１の誘電体層用スラリーと、該ベーススラリーに焼結助剤を添加して得た第２の誘電体層用スラリーを準備する。第１の誘電体層用スラリーの焼結抑制剤には例えば希土類酸化物が利用でき、第２の誘電体層用スラリーの焼結助剤には例えばシリカやガラス化合物が利用でき、各々の好ましい添加量は例えば０．５〜５．０ｗｔ％である。また、ニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤を含む内部電極層用ペーストを準備する。

そして、キャリアフィルム上に第１の誘電体層用スラリーをダイコータ等を用いて所定厚さ及び幅で塗工し乾燥処理を施して、第１シート（焼結抑制剤含有）を作製する。また、キャリアフィルム上に第２の誘電体層用スラリーをダイコータ等を用いて所定厚さ及び幅で塗工し乾燥処理を施して、第２シート（焼結助剤含有）を作製する。さらに、第２シート上に内部電極層用ペーストをスクリーン印刷機等を用いて所定厚さ及び形状でマトリクス状或いは千鳥状に印刷し乾燥処理を施して、内部電極層用のパターン群が形成された第３シートを作製する。

そして、打ち抜き刃及びヒータを有する吸着ヘッド等を用いて、第１シートから打ち抜いた所定形状の第１単位シート（焼結抑制剤含有）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、その上に第３シートから打ち抜いた所定形状の第２単位シート（焼結助剤含有、内部電極層用のパターン群を含む）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、その上に第１シートから打ち抜いた所定形状の第１単位シート（焼結抑制剤含有）を所定数に至るまで積み重ねて熱圧着し、これを熱間静水圧プレス機等を用いて最終的に熱圧着して未焼成積層シートを作製する。

そして、未焼成積層シートをダイシング機等を用いて格子状に切断して、コンデンサ本体１１に対応した未焼成チップを作製する。

そして、多数の未焼成チップを焼成炉に投入し、還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、前記ニッケル粉末及び前記チタン酸バリウム粉末に応じた温度プロファイルで焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）を行う。この焼成工程で肝要なところは、焼成処理における昇温に急速昇温、例えば５０００〜１００００℃／ｈｒを採用して、未焼成チップの表面から中心に向かって焼結進行度の低下が積極的に現れるようにすることにある。

そして、焼成済みチップの長さ方向両端部にローラ塗布機等を用いて外部電極用ペースト（内部電極層用ペーストを流用）を塗布し前記同様の雰囲気下で焼付け処理を施して下地層を形成し、続いて該下地層の表面に表面層、又は中間層及び表面層を電解メッキ等で形成して、１対の外部電極を作製する。

《サンプルの構造及び製法》
次に、前記静電容量分布等を確認するために用意したサンプル１ａ〜２ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇの構造及び製法について説明する。

各サンプル１ａ〜１ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇは、前記積層セラミックコンデンサ１０と同等の構造を有する積層セラミックコンデンサであり、各々の長さと幅の基準寸法は１．０ｍｍと０．５ｍｍ、内部電極層１２の数は１００、内部電極層１２の平均厚さは１．２μｍである。

また、各サンプル１ａ〜１ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇの誘電体層１３の平均厚さは、サンプル１ａ〜１ｇが１．０μｍ、サンプル２ａ〜２ｇが０．８μｍ、サンプル３ａ〜３ｇが３．０μｍである（図３を参照）。

尚、各サンプル１ａ〜２ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇの上側保護部と下側保護部の厚さは略３０μｍであり、該数値は前記《積層セラミックコンデンサの製法例》欄で述べた未焼成積層シート作製工程で積み重ねられる第１単位シートの数によって調整されている。

各サンプル１ａ〜２ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇは、前記《積層セラミックコンデンサの製法例》欄で述べた製法に準じて製造されたものであり、各々の内部電極層１２はニッケルから成り誘電体層１３はチタン酸バリウムから成り、製造時に用いた第２の誘電体層用スラリーに含まれる焼結助剤の量は０．５ｗｔ％である。

また、各サンプル１ａ〜２ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇの製造時に用いた第１の誘電体スラリーに含まれる焼結抑制剤の量は、サンプル１ａ、２ａ及び３ａが０．５ｗｔ％、サンプル１ｂ、２ｂ及び３ｂが０．５ｗｔ％、サンプル１ｃ、２ｃ及び３ｃが０．５ｗｔ％、サンプル１ｄ、２ｄ及び３ｄが０．５ｗｔ％、サンプル１ｅ、２ｅ及び３ｅが０％、サンプル１ｆ、２ｆ及び３ｆが５．０％、サンプル１ｇ、２ｇ及び３ｇが３．０％である（図３を参照）。

さらに、各サンプル１ａ〜２ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇの製造時における焼成工程の昇温速度は、サンプル１ａ、２ａ及び３ａが１００００℃／ｈｒ（急速昇温）、サンプル１ｂ、２ｂ及び３ｂが７０００℃／ｈｒ（急速昇温）、サンプル１ｃ、２ｃ及び３ｃが５０００℃／ｈｒ（急速昇温）、サンプル１ｄ、２ｄ及び３ｄが急速昇温よりも低い４５００℃／ｈｒ、サンプル１ｅ、２ｅ及び３ｅが通常昇温に相当する６００℃／ｈｒ、サンプル１ｆ、２ｆ及び３ｆが５０００℃／ｈｒ（急速昇温）、サンプル１ｇ、２ｇ及び３ｇが５０００℃／ｈｒ（急速昇温）である（図３を参照）。

さらにまた、各サンプル１ａ〜１ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇは、積層方向で隣接する２つの内部電極層１２と該２つの内部電極層１２の間に介在する１つの誘電体層１３によって構成される部分を単位コンデンサとして捕らえたとき、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ９９（図２を参照）を含み、且つ、該単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ９９が１対の外部電極１４に並列接続されたものとなっている。

《サンプルにおける単位コンデンサの静電容量分布》
次に、図２を引用して、前記サンプル１ａ〜２ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇにおける単位コンデンサの静電容量分布について説明する。

図２の太実線は、前記サンプル１ａにおける単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ９９の静電容量分布を示し、一方、図２の太破線は、前記サンプル１ｅにおける単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ９９の静電容量分布を示す。因みに、図２に太実線及び太破線で示した静電容量分布は、前記サンプル１ａ及び１ｅをそれぞれ１０個用意し、各々から１対の外部電極１４を取り除いた状態で、計９９の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ９９それぞれの静電容量をマニュアルプローバーとＬＣＲメータ（Ａｇｉｌｅｎｔ製 ４２８４Ａ）によって個別に測定した結果（何れも１０個の平均値）に基づいている。

図２の太実線から分かるように、前記サンプル１ａにあっては、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ９９の静電容量が、積層方向両側（Ｃｏを参照）から内側に向かって徐々に増加し、且つ、両増加頂点（Ｃｐを参照）から積層方向中央（Ｃｓを参照）に向かって徐々に減少する略Ｗ字状の分布を形成している。加えて、積層方向両側の単位コンデンサＵＣ１及びＵＣ９９の静電容量が、積層方向中央の単位コンデンサＵＣ５０の静電容量Ｃｓよりも小さくなっている。一方、図２の太破線から分かるように、前記サンプル１ｅにあっては、積層方向に並ぶ計９９の単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ９９の静電容量が、略直線的な分布を形成している。

尚、図２のＮｃｐは、前記両増加頂点（Ｃｐを参照）に対応する単位コンデンサの番号（図２中はＵＣ６とＵＣ９４、図３を参照）を表している。

図示を省略したが、前記サンプル１ｂ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇと前記サンプル２ａ〜２ｇと前記サンプル３ａ〜３ｇに対して前記同様の測定を行ったところ、前記サンプル１ｂ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇと前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇと前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇのそれぞれにおける単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ９９の静電容量は、図２の太実線の如き略Ｗ字状の分布を形成していることが確認されている。一方、前記サンプル２ｅと前記サンプル３ｅのそれぞれにおける単位コンデンサＵＣ１〜ＵＣ９９の静電容量は、図２の太破線の如き略直線的な分布を形成していることが確認されている。

また、前記測定により判明したことではあるが、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」には、分布を表す太実線が略滑らかな線となる場合と、分布を現す太実線がギザギザ線となる場合と、両者のコンビネーションとなる場合の３種類が存在していた。一方、前記「略直線的な分布（図２の太破線を参照）」には、分布を表す太破線が略滑らかな線となる場合と、分布を表す太破線がギザギザ線となる場合と、両者のコンビネーションとなる場合の３種類が存在していた。

尚、前記測定時に確認できた前記ギザギザ線の最大起伏は、［隣接する２つの単位コンデンサの静電容量の差］／［隣接する２つの単位コンデンサの低値側の静電容量］で表すと２．０％であった。

《サンプルの特性（効果を含む）》
次に、図３を引用して、前記サンプル１ａ〜２ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇの特性（効果を含む）について説明する。

図３の「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」には、前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇと前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇと前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇをそれぞれ１０個用意し、前記同様の測定で得た単位コンデンサ毎の静電容量を利用して、Ｃｐ（２つの増加頂点に対応する単位コンデンサの静電容量の平均値）とＣｏ（積層方向両側の単位コンデンサ（ＵＣ１及びＵＣ９９）の静電容量の平均値）の差をＣｏを基準とした百分率で表したもの（何れも１０個の平均値）を記してある。先に述べたように、前記サンプル１ｅと前記サンプル２ｅと前記サンプル３ｅは前記「略直線的な分布（図２の太破線を参照）」に該当するものであるため、「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」の記載を省略した。

また、図３の「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」には、前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇと前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇと前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇをそれぞれ１０個用意し、前記同様の測定で得た単位コンデンサ毎の静電容量を利用して、Ｃｐ（２つの増加頂点に対応する単位コンデンサの静電容量の平均値）とＣｓ（積層方向中央の単位コンデンサ（ＵＣ５０）の静電容量）の差をＣｓを基準とした百分率で表したもの（何れも１０個の平均値）を記してある。先に述べたように、前記サンプル１ｅと前記サンプル２ｅと前記サンプル３ｅは前記「略直線的な分布（図２の太破線を参照）」に該当するものであるため、「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の記載を省略した。

さらに、図３の「Ｎｃｐ」には、前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇと前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇと前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇをそれぞれ１０個用意し、前記同様の測定で得た単位コンデンサ毎の静電容量を利用して、２つの増加頂点に対応する単位コンデンサの番号を記してある。因みに、各１０個の中で２つの増加頂点に対応する単位コンデンサの番号にバラツキがある場合には、１０個の中で最も多い単位コンデンサの番号を「Ｎｃｐ」として定めた。先に述べたように、前記サンプル１ｅと前記サンプル２ｅと前記サンプル３ｅは前記「略直線的な分布（図２の太破線を参照）」に該当するものであるため、「Ｎｃｐ」の記載を省略した。

さらにまた、図３の「ＣＲ積（ΩＦ）」には、前記サンプル１ａ〜２ｇと前記サンプル２ａ〜２ｇと前記サンプル３ａ〜３ｇをそれぞれ１０個用意し、各々の静電容量をＬＣＲメータ（Ａｇｉｌｅｎｔ製 ４２８４Ａ）によって測定すると共に各々の絶縁抵抗を絶縁抵抗計（ＡＤＣ社製 Ｒ８３４０Ａ）によって測定し、測定により得た静電容量と絶縁抵抗の積（何れも１０個の平均値）を記してある。因みに、絶縁抵抗の測定には、直流１Ｖを２０秒間印加した直後に電気抵抗を測定する方法を採用した。

前記サンプル１ａ〜２ｇ、２ａ〜２ｇ及び３ａ〜３ｇについては、図３の「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」、「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」、「Ｎｃｐ」及び「ＣＲ積（ΩＦ）」に記した数値等に基づいて以下のことが言える。

（１）前記サンプル１ａ〜１ｇのうち、前記「略直線的な分布（図２の太破線を参照）」に該当する前記サンプル１ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」は１０００ΩＦである。これに対し、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇの「ＣＲ積（ΩＦ）」は何れも１０００ΩＦよりも高い。

また、前記サンプル２ａ〜２ｇのうち、前記「略直線的な分布（図２の太破線を参照）」に該当する前記サンプル２ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」は６１０ΩＦである。これに対し、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇの「ＣＲ積（ΩＦ）」は何れも６１０ΩＦよりも高い。

さらに、前記サンプル３ａ〜３ｇのうち、前記「略直線的な分布（図２の太破線を参照）」に該当する前記サンプル３ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」は１０６０ΩＦである。これに対し、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇの「ＣＲ積（ΩＦ）」は何れも１０６０ΩＦよりも高い。

即ち、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇと前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇと前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇであれば、ＣＲ積の低下抑制を的確に行える。

（２）前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇのうち、前記サンプル１ａの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル１ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の４０．０％増し、前記サンプル１ｂの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル１ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の３４．０％増し、前記サンプル１ｃの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル１ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の２２．０％増し、前記サンプル１ｄの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル１ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の４．０％増し、前記サンプル１ｆの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル１ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の３８．０％増し、前記サンプル１ｇの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル１ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の３３．０％増しとなっている。

また、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇのうち、前記サンプル２ａの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル２ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の６２．３％増し、前記サンプル２ｂの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル２ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の３９．３％増し、前記サンプル２ｃの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル２ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の１９．７％増し、前記サンプル２ｄの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル２ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の３．３％増し、前記サンプル２ｆの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル２ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の４４．３％増し、前記サンプル２ｇの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル２ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の３７．７％増しとなっている。

さらに、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇのうち、前記サンプル３ａの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル３ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の２２．６％増し、前記サンプル３ｂの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル３ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の２０．８％増し、前記サンプル３ｃの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル３ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の１９．８％増し、前記サンプル３ｄの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル３ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の４．７％増し、前記サンプル３ｆの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル３ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の１９．８％増し、前記サンプル３ｇの「ＣＲ積（ΩＦ）」は前記サンプル３ｅの「ＣＲ積（ΩＦ）」の１８．９％増しとなっている。

即ち、前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇそれぞれの誘電体層１３の平均厚さが１．０μｍであり、前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇそれぞれの誘電体層１３の平均厚さが０．８μｍであり、前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇそれぞれの誘電体層１３の平均厚さが３．０μｍであることを考慮すると、誘電体層１３の平均厚さが薄い方、具体的には誘電体層１３の平均厚さが１．０μｍ以下の方がＣＲ積の増加効果が高いため、ＣＲ積の低下抑制をより一層的確に行える。

（３）前記（２）の説明からも分かるように、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇ中でも、前記サンプル１ｄの「ＣＲ積（ΩＦ）」の増加量（４．０％）は他のサンプル１ａ〜１ｃ、１ｆ及び１ｇの増加量（２２．０％以上）よりも低い。

また、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇ中でも、前記サンプル２ｄの「ＣＲ積（ΩＦ）」の増加量（３．３％）は他のサンプル２ａ〜２ｃ、２ｆ及び２ｇの増加量（１９．７％以上）よりも低い。

さらに、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇ中でも、前記サンプル３ｄの「ＣＲ積（ΩＦ）」の増加量（４．７％）は他のサンプル３ａ〜３ｃ、３ｆ及び３ｇの増加量（１８．９％以上）よりも低い。

即ち、製造時に生じ得る「ＣＲ積（ΩＦ）」の公差（±５．０％程度）を考慮すると、前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇの中では前記サンプル１ａ〜１ｃ、１ｆ及び１ｇが実用に適しており、前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇの中では前記サンプル２ａ〜２ｃ、２ｆ及び２ｇが実用に適しており、前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇの中では前記サンプル３ａ〜３ｃ、３ｆ及び３ｇが実用に適している。

このことを「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の数値を用いて言い換えれば、前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇの中では「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」が３．２％以上で「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」が３．０％以上である前記サンプル１ａ〜１ｃ、１ｆ及び１ｇが実用に適しており、前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇの中では「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」が３．４％以上で「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」が３．１％以上である前記サンプル２ａ〜２ｃ、２ｆ及び２ｇが実用に適しており、前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇの中では「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」が３．１％以上で「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」が３．０％以上である前記サンプル３ａ〜３ｃ、３ｆ及び３ｇが実用に適している。包括すれば、「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」が３．１％以上で「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」が３．０％以上であれば、実用に適したＣＲ積の増加効果を得て、ＣＲ積の低下抑制をより一層的確に行える。

尚、図３には「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」の最大値として１６．０％（サンプル２ｆを参照）が記され、「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の最大値として７．７％（サンプル１ａを参照）が記されているが、「ＣＲ積（ΩＦ）」の数値傾向等からして、「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」が１６．０％を越える場合、例えば３０．０％となる場合や、「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」が７．７％を越える場合、例えば２０．０％となる場合でも、実用に適したＣＲ積の増加効果が得られると考えられる。

（４）前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル１ａ〜１ｄ、１ｆ及び１ｇのうち、前記サンプル１ａの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は４．４％、前記サンプル１ｂの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は３．３％、前記サンプル１ｃの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は０．２％、前記サンプル１ｄの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は０．１％、前記サンプル１ｆの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は１１．７％、前記サンプル１ｇの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は６．１％となっている。

また、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル２ａ〜２ｄ、２ｆ及び２ｇのうち、前記サンプル２ａの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は７．３％、前記サンプル２ｂの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は４．４％、前記サンプル２ｃの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は０．３％、前記サンプル２ｄの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は０．１％、前記サンプル２ｆの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は１２．５％、前記サンプル２ｇの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は７．９％となっている。

さらに、前記「略Ｗ字状の分布（図２の太実線を参照）」に該当する前記サンプル３ａ〜３ｄ、３ｆ及び３ｇのうち、前記サンプル３ａの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は３．１％、前記サンプル３ｂの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は１．３％、前記サンプル３ｃの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は０．１％、前記サンプル３ｄの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は０．１％、前記サンプル３ｆの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は８．３％、前記サンプル３ｇの「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差は４．６％となっている。

即ち、積層方向両側の単位コンデンサＵＣ１及びＵＣ９９の静電容量が積層方向中央の単位コンデンサＵＣ５０の静電容量よりも小さい関係下にあって、「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差が大きい方が、具体的には「（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏ（％）」と「（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓ（％）」の差が１．３％以上の方がＣＲ積の増加効果が高いため、ＣＲ積の低下抑制をより一層的確に行える。

１０…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、１２…内部電極層、１３…誘電体層、１４…外部電極、ＵＣ…単位コンデンサ。

Claims (7)

1. 複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された構造を有するコンデンサ本体を備えた積層セラミックコンデンサにおいて、
   積層方向で隣接する２つの内部電極層と該２つの内部電極層の間に介在する１つの誘電体層によって構成される部分を単位コンデンサとして捕らえたとき、積層方向に並ぶ複数の単位コンデンサの静電容量が、積層方向両側から内側に向かって徐々に増加し、且つ、両増加頂点から積層方向中央に向かって徐々に減少する分布を形成している、
   ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
2. 前記積層方向両側の単位コンデンサの静電容量が、前記積層方向中央の単位コンデンサの静電容量よりも小さい、
   ことを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 前記誘電体層の平均厚さが１．０μｍ以下である、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
4. 前記積層方向両側の単位コンデンサの静電容量の平均値をＣｏとし、前記両増加頂点に対応する単位コンデンサの静電容量の平均値をＣｐと、前記積層方向中央の単位コンデンサの静電容量をＣｓとしたとき、（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏが３．１％以上で（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓが３．０％以上である、
   ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
5. 前記積層方向両側の単位コンデンサの静電容量の平均値をＣｏとし、前記両増加頂点に対応する単位コンデンサの静電容量の平均値をＣｐと、前記積層方向中央の単位コンデンサの静電容量をＣｓとしたとき、（Ｃｐ−Ｃｏ）／Ｃｏと（Ｃｐ−Ｃｓ）／Ｃｓの差が１．３％以上である、
   ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
6. 前記内部電極層の数が１００以上である、
   ことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
7. 前記各誘電体層の材料が同じで、且つ、前記各誘電体層の厚さが略同じである、
   ことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。

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