JP2014082452A - Airtight sealing package and manufacturing method for the same - Google Patents
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Abstract
【課題】内部を気密状態に保つことを目的とした気密封止パッケージの構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この気密封止パッケージは、赤外線検知素子１が搭載されたセラミック基板３と、該基板３に接続され、キャビティ部２を形成している赤外線透過窓４と、はんだ材料５で接続された第１のメタライズ層６ａ，６ｂと、第１のメタライズ層６ｂにはんだ材料５で接続された第２のメタライズ層７とを備える。第１のメタライズ層６ａ，６ｂは該基板３と該窓４の互いに対向している２つの面それぞれにキャビティ部２の全周にわたり連続して形成されている。第２のメタライズ層７は、該基板３と該窓４の互いに対向している２つの面のいずれか一方において該キャビティ部２の周囲に島状に配置されている。基板３の各第２のメタライズ層７に対面する該窓４の各部位のはんだ材料５が接合する接合部は、該窓４の第１のメタライズ層６ｂの一部分からなっている。
【選択図】図１An object of the present invention is to provide a structure of a hermetically sealed package for the purpose of keeping the inside airtight and a manufacturing method thereof.
The hermetically sealed package is connected with a ceramic substrate 3 on which an infrared detecting element 1 is mounted, an infrared transmitting window 4 connected to the substrate 3 and forming a cavity portion 2, and a solder material 5. The first metallized layers 6a and 6b and the second metallized layer 7 connected to the first metallized layer 6b by the solder material 5 are provided. The first metallized layers 6 a and 6 b are continuously formed over the entire circumference of the cavity portion 2 on each of the two surfaces of the substrate 3 and the window 4 facing each other. The second metallized layer 7 is arranged in an island shape around the cavity portion 2 on one of two surfaces of the substrate 3 and the window 4 facing each other. The joint where the solder material 5 at each part of the window 4 facing each second metallized layer 7 of the substrate 3 is composed of a part of the first metallized layer 6 b of the window 4.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、内部を気密状態に保つことを目的とした気密封止パッケージの構造及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a structure of a hermetically sealed package for the purpose of keeping the inside in an airtight state and a manufacturing method thereof.
気密封止パッケージは例えば赤外線検知器の囲いとして以下の理由で必要とされる。 The hermetically sealed package is required, for example, as an enclosure for an infrared detector for the following reasons.
赤外線検知器は、赤外領域の光を受光し電気信号に変換して、必要な情報を取り出して応用する素子である。人間の視覚を刺激しないで物を見られる、対象物の温度を遠くから非接触で瞬時に測定できるなどの特徴を持つ。 An infrared detector is an element that receives light in the infrared region, converts it into an electrical signal, extracts necessary information, and applies it. It has features such as being able to see an object without stimulating human vision and measuring the temperature of an object instantly from a distance without contact.
赤外線検知器は動作原理により、熱型と量子型の２種類に分けられる。このうち熱型赤外線検知器は、赤外線を受光すると熱によって赤外線検知素子が温められ、素子温度の上昇によって変化する電気信号を検知する。量子型に比べ感度、応答速度は低いが、波長帯域が広く常温で使えるのが特徴である。応用例として熱起電力効果を原理としたサーモパイル、焦電センサーのPZT、温度変化による電気抵抗の変化のサーミスター、ボロメーターなどがある。 Infrared detectors are classified into two types, thermal and quantum, depending on the operating principle. Among them, the thermal infrared detector warms the infrared detecting element by receiving heat, and detects an electrical signal that changes as the element temperature rises. Although it has lower sensitivity and response speed than the quantum type, it has a wide wavelength band and can be used at room temperature. Examples of applications include thermopiles based on the thermoelectromotive force effect, pyroelectric sensor PZT, thermistors that change the electrical resistance due to temperature changes, and bolometers.
赤外線検知器は赤外線エネルギーを熱に変え温度変化を計測することで光を検出するため、大気を通した熱放散を阻止するために真空状態の密閉容器に収納し、機能させることが望ましい。内部を真空に維持することで空気を通じた熱の放出が減少するため赤外線検知素子の感度が上昇することが知られている。 Since the infrared detector detects light by changing the infrared energy into heat and measuring a temperature change, it is desirable that the infrared detector be housed in a vacuum sealed container and function in order to prevent heat dissipation through the atmosphere. It is known that the sensitivity of the infrared detection element increases because the heat release through the air is reduced by maintaining the inside in a vacuum.
このような赤外線検知素子が封入される内部空間を真空状態に保持した赤外線検知器を製造する方法として、例えば特許文献１には、内側に赤外線検知素子が設置されたセラミック容器と蓋材とを真空チャンバ内で溶着する方法が開示されている。具体的には、真空チャンバ内の上下に配置されたヒータにセラミック容器と赤外線透過窓材が取り付けられた蓋材とをそれぞれセットし、真空チャンバ内を真空状態になるように排気する。その後、セラミック容器に配置されたロウ材をヒータの加熱により溶融させた状態で、セラミック容器と蓋材とを動かして加圧密着させ、ヒータの加熱を停止して該ロウ材を凝固させることによって、赤外線検知器を成すセラミック容器と蓋材の間の隙間を封止する。
As a method for manufacturing an infrared detector in which the internal space in which such an infrared detection element is sealed is kept in a vacuum state, for example,
また、特許文献２には、赤外線検知器の蓋材に設置した貫通穴の開口部に封止材料を置き、真空チャンバ内で封止材を加熱溶融させる方法が開示されている。この方法では真空チャンバに機械部品を上下させることができるような機構は不要であるため、真空チャンバのコストを低くすることが可能である。
また、特許文献３には、電子デバイスを収容する基材と、該基材と接続することにより該基材とで中空部を形成する蓋材とから構成される構造体であって、前記基材と前記蓋材を第１の熱溶融性材料で接合する環状の接合部と、該環状の接合部の外側に配置され、前記基材と前記蓋材を第２の熱溶融性材料で接合する孤立した接合部と、を備えた構造体が開示されている。この構造体を作成する際に、第２の熱溶融性材料の厚みを第１の熱溶融性材料よりも厚くすることで基材と蓋材の間に隙間を確保することができる。このため、初めから基材と蓋材を積層した状態で真空チャンバに設置したとしても、構造体の中空部内の排気を実施できる。
さらに上記構造体の製造プロセスでは、上記構造体の中空部内を排気した後、前記第２の熱溶融性材料を溶融することにより、該第２の熱溶融性材料の高さが低くなって、基材と蓋材の間の隙間が前記第１の熱溶融性材料による環状の接合部で封止されている。このためには、前記基材側のパッド部上に供給された前記第２の熱溶融性材料を、該基材側のパッド部に対面する前記蓋材側のパッド部に濡れ広がらせる必要があり、対面する前記蓋材側のパッド部の面積が前記基材側のパッド部よりも大きくされている。 Furthermore, in the manufacturing process of the structure, after evacuating the hollow portion of the structure, by melting the second heat-meltable material, the height of the second heat-meltable material is reduced, A gap between the base material and the lid member is sealed with an annular joint portion made of the first heat-meltable material. For this purpose, the second heat-meltable material supplied on the pad portion on the base material side needs to be wetted and spread on the pad portion on the lid material side facing the pad portion on the base material side. In addition, the area of the pad portion on the side of the lid material facing is larger than that of the pad portion on the base material side.
特許文献１に開示される方法では赤外線検知器の内部を真空状態にすることは可能であるが、真空チャンバ内部で機械部品を上下させることができるような機構やロボットのハンドリング機構等を設置しなければならない。そのため、真空チャンバ自体が高価になってしまい、製造装置の設備投資コストが高くなってしまうという課題がある。
In the method disclosed in
特許文献２に開示される方法においては、微細な貫通穴からパッケージ内部の気体を排気するため、真空排気時の排気抵抗が高くなり、所望の真空状態に達するまでに要する排気時間が長くなるという課題がある。加えて、排気時に封止材料が動いて貫通穴の開口部から外れたり、加熱溶融時、封止材料が開口部を避けるように流動したり、貫通穴を通って落下したりして貫通穴を完全に封止することが出来ない問題が生じやすいという課題がある。
In the method disclosed in
特許文献３に開示される方法では、前記基材側のパッド部上に供給された前記第２の熱溶融性材料が多くなってしまった場合には、前記第２の熱溶融性材料が溶融しても、基材と蓋材の間の隙間が前記第１の熱溶融性材料で封止されるように該第２の熱溶融性材料の高さが減少しない可能性がある。前記基材側のパッド部に対面する前記蓋材側のパッド部の面積を、前記第２の熱溶融性材料の供給量のばらつきを見越して大きくすることで、この課題は回避可能であるが、上記構造体のサイズが大きくなってしまう課題が生じる。
In the method disclosed in
本発明の目的は上述した課題に鑑みてなされたもので、内部を気密状態に保つことを目的とした気密封止パッケージの構造及びその製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a structure of a hermetically sealed package and a manufacturing method thereof for the purpose of keeping the inside airtight.
本発明の一態様は、電子デバイスが搭載された基材と、該基材に接続され、該基材とで少なくとも該電子デバイスを包含する中空部を形成している蓋材と、を備えた気密封止パッケージを製造する方法に係わる。 One embodiment of the present invention includes a base material on which an electronic device is mounted, and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material. The present invention relates to a method of manufacturing an airtight sealed package.
この製造方法の態様は、該基材と該蓋材の互いに対向させる２つの面それぞれに該中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、該基材と該蓋材の互いに対向させる２つの面のいずれか一方において該中空部の周囲に島状に配置された第２のメタライズ層と、を備える該基材および該蓋材と、該電子デバイスとを用意する工程を有する。 The aspect of this manufacturing method includes: a first metallized layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two surfaces of the base material and the lid material facing each other; the base material and the lid material A step of preparing the base material, the lid member, and the electronic device, each of which has a second metallization layer arranged in an island shape around the hollow portion on any one of the two surfaces facing each other Have
さらに、この態様の製造方法は、
該基材に該電子デバイスを搭載する搭載工程と、
該基材または該蓋材のいずれか一方の該第１のメタライズ層上に第１の溶着金属を形成する第１の溶着金属形成工程と、
該基材または該蓋材のいずれか一方の該第２のメタライズ層上に該第１の溶着金属よりも厚さが厚い第２の溶着金属を形成する第２の溶着金属形成工程と、
該基材と該蓋材を該第２の溶着金属を介して積層する積層工程と、
該基材と該蓋材の積層状態で該中空部を排気して真空状態にする排気工程と、
前記第１及び第２の溶着金属を溶融させることにより前記基材と前記蓋材を接続する接続工程であって、前記基材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は前記基材の前記第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属を当該第２のメタライズ層に対面する前記蓋材に形成された一続きのメタライズ層上に濡れ広がらせることにより、前記第１の溶着金属で前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続するか、あるいは、前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は前記蓋材の前記第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属を当該第２のメタライズ層に対面する前記基材に形成された一続きのメタライズ層上に濡れ広がらせることにより、前記第１の溶着金属で前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する接続工程と、
を含む。
Furthermore, the manufacturing method of this aspect includes
A mounting step of mounting the electronic device on the substrate;
A first weld metal forming step of forming a first weld metal on the first metallized layer of either the base material or the lid;
A second weld metal forming step of forming a second weld metal having a thickness greater than that of the first weld metal on the second metallized layer of either the base material or the lid;
A laminating step of laminating the base material and the lid material via the second weld metal;
An evacuation step in which the hollow portion is evacuated to a vacuum state in a laminated state of the base material and the lid material;
In the connecting step of connecting the base material and the lid material by melting the first and second weld metals, the base is formed when the second metallized layer is formed on the base material side. Wetting and spreading the second deposited metal on the second metallization layer of the material onto the continuous metallization layer formed on the lid material facing the second metallization layer, The base metal and the first metallized layer of the lid member are connected with a weld metal, or when the second metallized layer is formed on the lid member side, the second of the lid member The second deposited metal on the metallized layer is wetted and spread on the continuous metallized layer formed on the base material facing the second metallized layer, whereby the first welded metal forms the base. Material and the first member of the lid material. A connecting step of connecting the rise layer each other,
including.
上記態様の第２のメタライズ層が島状あるいは一続きのメタライズ層であり、上記態様の第２の溶着金属が前記第１の溶着金属よりも厚さが厚く該第２のメタライズ層よりも面積が小さいものであってもよい。このような別の態様では、上記態様の接続工程が、前記第１及び第２の溶着金属を溶融させ、前記基材と前記蓋材のいずれか一方の前記第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属を当該第２のメタライズ層上に濡れ広がらせることにより、前記第１の溶着金属で前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する工程に変更されてもよい。 The second metallized layer of the above aspect is an island shape or a continuous metallized layer, and the second weld metal of the above aspect is thicker than the first weld metal and has an area larger than that of the second metallized layer. May be small. In such another aspect, the connecting step of the above aspect melts the first and second weld metals, and the first metallization layer on the second metallized layer of either the base material or the lid material. Even if it changes into the process of connecting the said 1st metallization layer of the said base material and the said lid | cover material with the said 1st welding metal by making 2 welding metal spread on the said 2nd metallization layer, Good.
また本発明の他の態様は、電子デバイスが搭載された基材と、該基材に接続され、少なくとも該電子デバイスを包含する中空部を形成している蓋材と、を備えた気密封止パッケージに係わる。本発明の気密封止パッケージの態様は、第１のメタライズ層と第１の溶着金属と第２のメタライズ層と第２の溶着金属をさらに備える。 According to another aspect of the present invention, there is provided a hermetic seal comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device. Related to the package. The embodiment of the hermetically sealed package of the present invention further includes a first metallized layer, a first weld metal, a second metallize layer, and a second weld metal.
該第１のメタライズ層は、該基材と該蓋材の互いに対向している２つの面それぞれに該中空部の全周にわたり連続して形成されている。該第１の溶着金属は、該基材と該蓋材の該第１のメタライズ層どうしを接続している。該第２のメタライズ層は、該基材と該蓋材の互いに対向している２つの面のいずれか一方において該中空部の周囲に島状に配置されている。該第２の溶着金属は、第２のメタライズ層と該第２のメタライズ層に対面する前記基材もしくは前記蓋材の部位とを接続している。 The first metallized layer is continuously formed over the entire circumference of the hollow portion on each of two opposing surfaces of the base material and the lid member. The first weld metal connects the base material and the first metallized layers of the lid member. The second metallized layer is arranged in an island shape around the hollow portion on either one of the two surfaces of the base material and the cover member facing each other. The second weld metal connects the second metallized layer and the portion of the base material or the lid material facing the second metallized layer.
さらに、基材側に第２のメタライズ層が形成されている場合は、基材の第２のメタライズ層に対面する蓋材の部位に、第２のメタライズ層上の第２の溶着金属が接合する接合部があり、かつ、接合部は前蓋材の第１のメタライズ層の一部分からなっているか、又は前記蓋材に第１のメタライズ層とは別に形成された一続きのメタライズ層の一部分である。あるいは、蓋材側に第２のメタライズ層が形成されている場合は、蓋材の第２のメタライズ層に対面する基材の部位に、該第２のメタライズ層上の第２の溶着金属が接合する接合部があり、かつ、接合部は基材の第１のメタライズ層の一部分からなっているか、又は前記基材に前記第１のメタライズ層とは別に形成された一続きのメタライズ層の一部分である。 Furthermore, when the 2nd metallization layer is formed in the base material side, the 2nd weld metal on a 2nd metallization layer joins the site | part of the cover material which faces the 2nd metallization layer of a base material. And the joint portion is formed of a part of the first metallization layer of the front lid member, or a part of the continuous metallization layer formed on the lid member separately from the first metallization layer. It is. Or when the 2nd metallization layer is formed in the lid material side, the 2nd welding metal on this 2nd metallization layer is in the part of the substrate which faces the 2nd metallization layer of a lid material. There is a joint portion to be joined, and the joint portion is composed of a part of the first metallization layer of the base material, or a continuous metallization layer formed on the base material separately from the first metallization layer. It is a part.
この他の態様は、上記態様の第２のメタライズ層が、上記態様の第１のメタライズ層とは別に形成された島状あるいは一続きのメタライズ層でもよく、当該島状あるいは一続きのメタライズ層には第２の溶着金属が形成されており、該第２の溶着金属は前記第１の溶着金属より厚さが薄いことを含む気密封止パッケージでもよい。 In another aspect, the second metallization layer of the above aspect may be an island shape or a continuous metallization layer formed separately from the first metallization layer of the above aspect, and the island shape or the continuous metallization layer. A second weld metal is formed in the airtight seal package including that the second weld metal is thinner than the first weld metal.
本発明によれば、基材と蓋材からなる構造体の中空部を排気して真空状態にする必要がある気密封止パッケージにおいて、その排気にかかる設備や時間を削減することができる。さらに、パッケージの大型化を招くことなく、パッケージ内部を気密状態に保つことができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the airtight sealing package which needs to evacuate the hollow part of the structure which consists of a base material and a cover material and make it a vacuum state, the installation and time concerning the exhaustion can be reduced. Furthermore, the inside of the package can be kept airtight without increasing the size of the package.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図１に本発明による気密封止パッケージに適用可能な構成例の概略断面図を示す。以下では電子デバイスとして赤外線検知素子を実装した赤外線検知器を例に説明する。 FIG. 1 shows a schematic sectional view of a configuration example applicable to the hermetic sealing package according to the present invention. Hereinafter, an infrared detector mounted with an infrared detection element as an electronic device will be described as an example.
赤外線検知器は、赤外線検知素子１と、キャビティ部２を有する基材としてのセラミック基板３と、キャビティ部２を塞ぐ蓋材として赤外線透過窓４と、から構成されている。セラミック基板３と赤外線透過窓４とによって形成される中空部は赤外線検知器外部と連通することなく気密封止され、かつ真空状態に保たれている。赤外線検知素子１はセラミック基板３のキャビティ部２に実装され、かつワイヤによりセラミック基板３と接続されている。
The infrared detector includes an
なお、赤外線透過窓４はゲルマニウム、シリコン、サファイヤなどの赤外線透過性を有する材料から形成されている。
The
さらに詳述すると、セラミック基板３のキャビティ部２周囲の縁と、赤外線透過窓４との間が、はんだ材料５により気密封止されている。接続されるセラミック基板３とはんだ材料５の間および、接続される赤外線透過窓４とはんだ材料５の間にはそれぞれ、第１のメタライズ層６ａ、６ｂが形成されている。第１のメタライズ層６ａ、６ｂの幅（図１の図面で見て横方向の幅）については０．２ｍｍから５ｍｍの範囲であることが望ましい。
More specifically, the space around the
本例ではセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ａは、部分的に、各第２のメタライズ層７に対面するように大きくされている。例えば図２（ａ）はセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ａの形状を示し、図２（ｂ）は赤外線透過窓４側の第１のメタライズ層６ｂの形状を示している。赤外線透過窓４側の第１のメタライズ層６ｂはセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ａと対面するように同じ形状（四角い環形状）とし、例えば幅１ｍｍで形成される。そして、後述のセラミック基板３上の第２のメタライズ層７に対面する部分にはんだ接合部６ｂ−１が位置するように、赤外線透過窓４側の第１のメタライズ層６ｂの一部の幅が広くなっている。
In this example, the
図１を参照すると、セラミック基板３のキャビティ部２周囲の縁面には、第１のメタライズ層６ａよりも内側に第２のメタライズ層７が形成されている。第２のメタライズ層７は、独立したパッド形状を持つ。セラミック基板３上に第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７が形成され、赤外線透過窓４上には第１のメタライズ層６ｂのみが形成されている。第２のメタライズ層７と第１のメタライズ層６ｂははんだ材料５で接続されている。
Referring to FIG. 1, a
本例では、第２のメタライズ層７はセラミック基板３のキャビティ部２周囲の縁面において、第１のメタライズ層６ａよりも内側に形成されているが、図３（ａ）に示すように第２のメタライズ層７を第１のメタライズ層６ａよりも外側に設置することも可能である。
In the present example, the
さらに本例では、第２のメタライズ層７は、セラミック基板３側においてキャビティ部２の周囲に島状に配置されているが、図３（ｂ）に示すように赤外線透過窓４側においてキャビティ部２の周囲に島状に配置されていてもよい。図３（ｂ）の場合は、赤外線透過窓４上に第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７が形成され、セラミック基板３上には第１のメタライズ層６ｂのみが形成されている。つまり、第２のメタライズ層７は、セラミック基板３と赤外線透過窓４の互いに対向させる２つの面のいずれか一方に配置されていればよい。
Further, in this example, the
また本例において、セラミック基板３と赤外線透過窓４が、図２に示すように上面から見て四角形状を有しており、パッド形状の第２のメタライズ層７の位置は、四角形状のセラミック基板３のコーナー部の４箇所としている。しかし、第２のメタライズ層７の位置は任意の位置に設置することも可能である。つまり、第２のメタライズ層７は、キャビティ部２の周囲に島状に配置されていればよい。
Further, in this example, the
パッド形状の第２のメタライズ層７のサイズは、φ０．２５〜２ｍｍ程度であることが望ましく、本例では第２のメタライズ層７のサイズをφ０．５ｍｍとしている。第２のメタライズ層７の形状は円形ではなく、四角形や六角形などに変更することも可能である。
The size of the pad-shaped
はんだ材料５としてははんだ接続時の温度が、赤外線検知素子１の耐熱温度（素子が熱で壊れない温度）を超えないことが求められ、赤外線検知素子１の耐熱温度に応じてＳｎＡｇ系はんだやＳｎＢｉ系はんだなどが用いられる。また、セラミック基板３側に形成されたメタライズ層６ａ、７ａとしては、Mo、Mn、Ti、Agなどの導電性パターン上にNi、Auなどのメッキがされたものが適用される。赤外線透過性窓４側に形成されたメタライズ層６ｂ、７ｂは、例えば、Cr、Cu、Ni、Ag、Auなどから形成される。
As the
次に、本例に係る気密封止パッケージの製造方法について説明する。 Next, a manufacturing method of the hermetic sealing package according to this example will be described.
まず、図４（ａ）に示すようにセラミック基板３のキャビティ部２に赤外線検知素子１を搭載し、ワイヤボンディングにより赤外線検知素子１とセラミック基板３を電気接続する。この搭載工程後のセラミック基板の平面図を図５（ａ）に示す。本例では四角形状のセラミック基板３の４箇所のコーナー部にそれぞれ個別に、パッド状の第２のメタライズ層７が形成されている。しかし、図５（ｂ）に示すような他の形状とすることもできる。図５（ｂ）の形状では、一続きの第２のメタライズ層７ａが、四角形状のセラミック基板３の４箇所のコーナー部すべてを通って延在しているが、第２のメタライズ層７ａの両端は繋がらずに離れている。
First, as shown in FIG. 4A, the infrared detecting
続いて、図４（ｂ）に示すようにセラミック基板３の外周縁面に形成された第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の上にそれぞれ、はんだ材料５を供給する。第１のメタライズ層６ａに供給したはんだ材料５（第１の融着金属）の厚さは、第２のメタライズ層７に供給したはんだ材料５（第２の融着金属）の厚さより薄く形成されている。本例ではセラミック基板３の第１のメタライズ層６ａに形成したはんだ材料５の厚さは０．２ｍｍ、第２のメタライズ層７ａに形成したはんだ材料５の厚さは０．５ｍｍとした。
Subsequently, as shown in FIG. 4B, the
また、セラミック基板３の第１のメタライズ層６ａ上へのはんだ材料５の供給（第１の溶着金属形成工程）は、板状のはんだを第１のメタライズ層６ａの上に設置し、溶融させることで行われることが望ましい。第２のメタライズ層７ａ上へのはんだ材料５の供給（第２の溶着金属形成工程）は、ボール形状のはんだを第２のメタライズ層７の上に設置し、溶融させることで形成することが望ましい。
In addition, in supplying the
また、本例ではセラミック基板３の第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の両方にはんだ材料を供給した。しかし、図３（ｂ）に示したように赤外線透過窓４側に第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７が形成され、セラミック基板３側に第１のメタライズ層６ｂが形成されている場合は、図６（ａ）に示すように、赤外線透過窓４に形成された第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の両方にはんだ材料を供給することが可能である。あるいは、図６（ｂ）に示すように、赤外線透過窓４側の第２のメタライズ層７とセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ｂにはんだ材料を供給することも可能である。これらの場合、赤外線透過窓４側に形成された第２のメタライズ層７がパッド形状に形成されている。
In this example, the solder material is supplied to both the
また、本例ではセラミック基板３に赤外線検知素子１を実装後に、第１のメタライズ層６と第２のメタライズ層７にはんだ材料５を供給している。しかし、セラミック基板３へ赤外線検知素子を搭載する工程は第１のメタライズ層６、第２のメタライズ層７へのはんだ材料５の供給後に実施してもよい。
In this example, the
次に、図４（ｃ）に示すようにセラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態で、不図示の真空チャンバ内に設置する。セラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態では、第２のメタライズ層７に供給したはんだ材料５により、セラミック基板３と赤外線透過窓４の間には隙間が形成されている。この積層工程において、赤外線透過窓４の上におもりを載せることも可能である。
Next, as shown in FIG. 4C, the
続いて、図４（ｄ）に示すように、セラミック基板３と赤外線透過窓４から構成される赤外線検知器の中空部を真空チャンバ内で排気して真空状態にした後、該赤外線検知器をはんだ材料５の融点以上に加熱することで、該はんだ材料５を溶融させ、セラミック基板３と赤外線透過窓４を接続する（接続工程）。なお、該赤外線検知器の中空部を真空にするために排気している際に、該赤外線検知器を、はんだ材料５が溶融しない温度であって赤外線検知素子１の耐熱性に問題がない温度まで予備加熱すると良い。これにより、該赤外線検知器の中空部が所定の真空度に達するまでの時間を短縮できるため、上記接続工程の時間を短縮することが可能である。この接続工程は真空雰囲気中で行われるが、真空チャンバ内に不活性ガスを導入して行われてもよい。
Subsequently, as shown in FIG. 4 (d), the hollow portion of the infrared detector composed of the
なお、上記接続工程では第２のメタライズ層７と第１のメタライズ層６ｂの間のはんだ材料５が溶融することで該はんだが濡れ広がって該はんだの高さが低くなり、その結果、第１のメタライズ層６ａ，６ｂ間が接続される。このとき、はんだが供給されるパッド状の第２のメタライズ層７の面積よりも、キャビティ２を取り囲んだ一続きの第１のメタライズ層６ｂの面積の方がはるかに大きい。このため、溶融した該はんだは、はんだ接合部６ｂ−１とつながった第１のメタライズ層６ｂを濡れ広がって、該はんだの高さが目的の高さまで低くなる。
In the connection step, the
すなわち本実施例の場合、図２に示したように、はんだ材料が供給されるセラミック基板３側の第２のメタライズ層７に対面する赤外線透過窓４側の位置に、第１のメタライズ層６ｂの一部を拡大してなるはんだ接合部６ｂ−１が形成されている。言い換えれば、第２のメタライズ層７に対面する赤外線透過窓４側の位置に設ける必要のあるパッド部が第１のメタライズ層６ｂと一体化された形態になっている。一方、該パッド部が第１のメタライズ層６ｂから孤立している形態では、パッド状の第２のメタライズ層７へのはんだ供給量のばらつきを見越して、該パッド部の径を該パッド状の第２のメタライズ層７よりも大きくすることで、上記接続工程を良好に実施することが可能になる。しかし、単純に該パッド部の径を大きくすると気密封止パッケージのサイズアップを招く虞がある。そこで本実施例は、該パッド部を第１のメタライズ層６ｂの一部（はんだ接合部６ｂ−１）で形成することで、該気密封止パッケージのサイズアップを抑制している。
That is, in the case of the present embodiment, as shown in FIG. 2, the
以上のように、第１のメタライズ層６ａに供給したはんだ材料５より厚いサイズのはんだ材料５を第２のメタライズ層７に供給することにより、セラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態で両者の間に隙間が確保される。このため、セラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態で真空チャンバに設置したとしても、赤外線検知器の中空部を排気して真空状態にすることができる。これは、真空チャンバ内を真空状態にした後に、該真空チャンバ内で何らかの機構によりセラミック基板３と赤外線透過窓４を積層する方法に比べて、設備投資を安価にできる。
As described above, by supplying the
また、赤外線検知器の中空部を真空状態にするために微細な貫通穴から排気を行う方法に比べて、はんだ材の厚さにより制御されたセラミック基板３と赤外線透過窓４の間の隙間から排気を行うため、排気するためのエリアを広くできる。結果、該中空部が真空状態に排気されるまでに要する時間を短縮することができる。
Moreover, compared with the method of exhausting from a fine through-hole in order to make the hollow part of an infrared detector into a vacuum state, the gap between the
次に、上述した構成および方法を用いた本発明の実施形態をいくつか示す。なお、上述した構成例の部材と同じ部材については同一の符号を用いて説明する。 Next, some embodiments of the present invention using the above-described configuration and method will be described. Note that the same members as those in the configuration example described above will be described using the same reference numerals.
（第１の実施形態）
図７は、本発明の第１の実施形態による気密封止パッケージを示す概略断面図である。
(First embodiment)
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a hermetically sealed package according to the first embodiment of the present invention.
本実施の形態においては、第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の両方のすぐ下のセラミック基板３の内層に抵抗体８が形成されている。
In the present embodiment, the
セラミック基板３の内層の抵抗体８は第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７から０．０５〜１ｍｍ下にあることが望ましい。本実施形態では抵抗体８を第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７から０．１ｍｍ下の層に形成している。
It is desirable that the
抵抗体８は、セラミック基板３に形成された不図示の配線により、セラミック基板３の裏面のパッドまで結線されている。セラミック基板３の裏面パッドに電圧を印加し、抵抗体８に電流を流すことで、抵抗体８を発熱させることができる。
The
本実施形態によれば、赤外線検知器全体を加熱するのでなくはんだ材料５を抵抗体８で直接加熱することができる。このため、第１のメタライズ層６ａ及び６ｂを接続するはんだ材料５と、第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７を接続するはんだ材料５は、赤外線検知素子１の耐熱温度を超える温度で溶融するはんだ材料であっても問題ない。本実施形態ではＳｎＳｂ系はんだを使用している。
According to this embodiment, the
次に、本実施の形態に係る気密封止パッケージの製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the hermetic sealing package according to the present embodiment will be described.
まず、図８（ａ）に示すようにセラミック基板３のキャビティ部２に赤外線検知素子１を搭載し、ワイヤボンディングにより赤外線検知素子１とセラミック基板３を電気接続する。
First, as shown in FIG. 8A, the
続いて、図８（ｂ）に示すようにセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の上にはんだ材料５を供給する。本実施形態ではセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７にそれぞれはんだ材料５を供給した。しかし、図３（ｂ）に示したように赤外線透過窓４側に第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７が形成され、セラミック基板３側に第１のメタライズ層６ｂが形成されている場合は、図６（ａ）に示すように、赤外線透過窓４に形成された第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の両方にはんだ材料を供給することが可能である。あるいは、図６（ｂ）に示すように、赤外線透過窓４側の第２のメタライズ層７とセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ｂにはんだ材料を供給することも可能である。これらの場合、赤外線透過窓４側に形成された第２のメタライズ層７がパッド形状に形成されている。
Subsequently, as shown in FIG. 8B, the
第２のメタライズ層７に形成されたボール状のはんだ材料５の厚さは、第１のメタライズ層６ａに形成された板状のはんだ材料５の厚みより厚い。
The thickness of the ball-shaped
次に、図８（ｃ）に示すようにセラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態で、不図示の真空チャンバ内に設置する。セラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態では、第１のメタライズ層６ａのはんだ材料５よりも厚い第２のメタライズ層７のはんだ材料５により、セラミック基板３と赤外線透過窓４の間には隙間が形成されている。
Next, as shown in FIG. 8C, the
その後、セラミック基板３と赤外線透過窓４から構成される赤外線検知器の中空部を真空チャンバ内で排気して真空状態にした後、セラミック基板３の内層に形成された抵抗体８に電圧を印加し、電流を流すことで抵抗体８を発熱させる。そして、その熱により、第１のメタライズ層６ａ及び６ｂ間のはんだ材料５と、第２のメタライズ層７と第１のメタライズ層６ｂの間のはんだ材料５を溶融させ、図８（ｄ）に示すようにセラミック基板３と赤外線透過窓４を接続する。
Thereafter, the hollow portion of the infrared detector composed of the
該赤外線検知器の中空部を真空にするために排気している際には、該赤外線検知素子の耐熱温度以下であってはんだ材料５が溶融しない温度近くまで該赤外線検知器を予備加熱することが好ましい。この方法によると、該赤外線検知器の中空部が所定の真空度に達するまでの時間を短縮できるため、上記セラミック基板３と赤外線透過窓４の接続工程の時間を短縮することが可能である。
When evacuating the hollow portion of the infrared detector to make a vacuum, the infrared detector is preheated to a temperature not higher than the heat resistance temperature of the infrared detector element and close to a temperature at which the
なお、図８（ｃ）〜（ｄ）の接続工程では第２のメタライズ層７と第１のメタライズ層６ｂの間のはんだ材料５が溶融することで該はんだが濡れ広がって該はんだの高さが低くなり、その結果、第１のメタライズ層６ａ，６ｂ間が接続される。このとき、はんだが供給されるパッド状の第２のメタライズ層７の面積よりも、キャビティ２を取り囲んだ一続きの第１のメタライズ層６ｂの面積の方がはるかに大きいため、溶融した該はんだは、はんだ接合部６ｂ−１とつながった第１のメタライズ層６ｂを濡れ広がって、該はんだの高さが目的の高さまで低くなる。
8C to 8D, the
すなわち本実施例の場合、図２に示したように、はんだ材料が供給されるセラミック基板３側の第２のメタライズ層７に対面する赤外線透過窓４側の位置に、第１のメタライズ層６ｂの一部を拡大してなるはんだ接合部６ｂ−１が形成されている。言い換えれば、第２のメタライズ層７に対面する赤外線透過窓４側の位置に設ける必要のあるパッド部が第１のメタライズ層６ｂと一体化された形態になっている。一方、該パッド部が第１のメタライズ層６ｂから孤立している形態では、パッド状の第２のメタライズ層７へのはんだ供給量のばらつきを見越して、該パッド部の径を該パッド状の第２のメタライズ層７よりも大きくすることで、上記接続工程を良好に実施することが可能になる。しかし、単純に該パッド部の径を大きくすると気密封止パッケージのサイズアップを招く虞がある。そこで本実施例は、該パッド部を第１のメタライズ層６ｂの一部（はんだ接合部６ｂ−１）で形成することで、該気密封止パッケージのサイズアップを抑制している。
That is, in the case of the present embodiment, as shown in FIG. 2, the
さらに、本実施形態の製造方法によると、第１のメタライズ層６ａ上及び第２のメタライズ層７上に供給されたはんだ材料５が、抵抗体８の発熱による局所加熱により溶融する。このため、はんだ材料５の溶融温度が赤外線検知素子の耐熱温度以上の温度であっても赤外線検知素子にダメージを与えずにセラミック基板３と赤外線透過窓４を接続することが出来る。さらに、溶融温度の比較的高いはんだ材料を使用することができるため、測定環境に対してより信頼性の高い赤外線検知器を提供することができる。
Furthermore, according to the manufacturing method of the present embodiment, the
また、抵抗体の発熱による局所加熱であるため、赤外線検知器の周囲全体を加熱する方法に比べて、短時間ではんだ材料を昇温することが出来る。 Moreover, since it is the local heating by heat_generation | fever of a resistor, compared with the method of heating the whole circumference | surroundings of an infrared detector, it can heat up solder material in a short time.
また、製造された赤外線検知器の蓋材である赤外線透過窓４を開けて内部の電子デバイスの検査や交換を行い場合、抵抗体８に通電することによりはんだ材料５を溶融させて赤外線透過窓４を取り外すことが容易である。また抵抗体８の発熱は蓋材の接続部への局所加熱であるため、パッケージ内の電子部品への熱的ダメージが少ない。こうした装置における利点もある。
When the
（第２の実施形態）
図９は、本発明の第２の実施形態による気密封止パッケージを示す概略断面図である。
(Second Embodiment)
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing an airtight sealed package according to the second embodiment of the present invention.
上記した第１の実施形態と同様に、本実施の形態においても、抵抗体８が、第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の両方のすぐ下のセラミック基板３の内層に形成されている。
Similar to the first embodiment described above, also in this embodiment, the
第１のメタライズ層６ａ及び６ｂ間に配置される第１のはんだ材料５ａは、第２のメタライズ層７と第１のメタライズ層６ｂの間に配置される第２のはんだ材料５ｂより融点が低いものとしている。本実施形態では、第１のはんだ材料５ａにＳｎＡｇ系はんだが使用され、第２のはんだ材料５ｂにＳｎＳｂ系はんだが使用されている。
The
次に、本実施の形態に係る気密封止パッケージの製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the hermetic sealing package according to the present embodiment will be described.
まず、図１０（ａ）に示すようにセラミック基板３のキャビティ部２に赤外線検知素子１を搭載し、ワイヤボンディングにより赤外線検知素子１とセラミック基板３を電気接続する。
First, as shown in FIG. 10A, the infrared detecting
次いで、図１０（ｂ）に示すようにセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ａに第１のはんだ材料５ａ、第２のメタライズ層７に第２のはんだ材料５ｂを供給する。第２のはんだ材料５ｂは第１のはんだ材料５ａより溶融温度が高いものを使用している。本実施例では例えば第１のはんだ材料５ａにＳｎＡｇ系はんだ、第２のはんだ材料５ｂにＳｎＳｂ系はんだを使用している。
Next, as shown in FIG. 10B, the
第２のメタライズ層７に形成されたボール状のはんだ材料５ｂの厚さは、第１のメタライズ層６ａに形成された板状のはんだ材料５ａの厚みより厚い。
The thickness of the ball-shaped
本実施形態ではセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７にはんだ材料５ａ、５ｂをそれぞれ供給した。しかし、図３（ｂ）に示したように赤外線透過窓４側に第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７が形成され、セラミック基板３側に第１のメタライズ層６ｂが形成されている場合は、図６（ａ）に示すように、赤外線透過窓４に形成された第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の両方にはんだ材料を供給することが可能である。あるいは、図６（ｂ）に示すように、赤外線透過窓４側の第２のメタライズ層７とセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ｂにはんだ材料を供給してもよい。これらの場合、第２のメタライズ層７に供給するはんだ材料の方が、第１のメタライズ層６ａ又は６ｂに供給するはんだ材料よりも溶融温度が高い。また、赤外線透過窓４側に形成された第２のメタライズ層７がパッド形状に形成されている。
In the present embodiment, the
次に、図１０（ｃ）に示すようにセラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態で、不図示の真空チャンバ内に設置する。セラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態では、第１のメタライズ層６ａのはんだ材料５ａよりも厚い第２のメタライズ層７のはんだ材料５ｂにより、セラミック基板３と赤外線透過窓４の間には隙間が形成されている。
Next, as shown in FIG. 10C, the
その後、セラミック基板３と赤外線透過窓４から構成される赤外線検知器の中空部を真空チャンバ内で排気して真空状態にした後、セラミック基板３の内層に形成された抵抗体８に電圧を印加し、電流を流すことで抵抗体８を発熱させる。そして、その熱により、第１のメタライズ層６ａ及び６ｂ間のはんだ材料５ａと、第２のメタライズ層７と第１のメタライズ層６ｂの間のはんだ材料５ｂを溶融させ、図１０（ｄ）に示すようにセラミック基板３と赤外線透過窓４を接続する。
Thereafter, the hollow portion of the infrared detector composed of the
該赤外線検知器の中空部を真空にするために排気している際には、該赤外線検知素子の耐熱温度以下であって第２のはんだ材料５ｂが溶融しない温度近くまで該赤外線検知器を予備加熱することが好ましい。この方法によると、該赤外線検知器の中空部が所定の真空度に達するまでの時間を短縮できるため、上記セラミック基板３と赤外線透過窓４の接続工程の時間を短縮することが可能である。
When the hollow portion of the infrared detector is evacuated to make a vacuum, the infrared detector is preliminarily kept at a temperature not higher than the heat resistance temperature of the infrared detector element and close to a temperature at which the
本実施形態では、上記赤外線検知器の中空部の排気中、第２のメタライズ層７と第１のメタライズ層６ｂの間に配置された第２のはんだ材料５ｂによってセラミック基板３と赤外線透過窓４の間の隙間が維持されている。このため、第１のメタライズ層６ａ上に供給するはんだ材料は該排気中に溶融するはんだ材であっても問題がない。この事により、第１のメタライズ層６ａ上のはんだ材料については、第２のはんだ材料５ｂよりも汎用的で低コストのはんだを選定することができる。
In the present embodiment, the
なお、図１０（ｃ）〜（ｄ）の接続工程では第２のメタライズ層７ａと第１のメタライズ層６ｂの間の第２のはんだ材料５ｂが溶融することで該はんだが濡れ広がって該はんだの高さが低くなり、その結果、第１のメタライズ層６ａ，６ｂ間が接続される。このとき、はんだが供給されるパッド状の第２のメタライズ層７の面積よりも、キャビティ２を取り囲んだ一続きの第１のメタライズ層６ｂの面積の方がはるかに大きい。このため、溶融した該はんだは、はんだ接合部６ｂ−１とつながった第１のメタライズ層６ｂを濡れ広がって、該はんだの高さが目的の高さまで低くなる。
10C to 10D, when the
すなわち本実施例の場合、図２に示したように、はんだ材料が供給されるセラミック基板３側の第２のメタライズ層７に対面する赤外線透過窓４側の位置に、第１のメタライズ層６ｂの一部を拡大してなるはんだ接合部６ｂ−１が形成されている。言い換えれば、第２のメタライズ層７に対面する赤外線透過窓４側の位置に設ける必要のあるパッド部が第１のメタライズ層６ｂと一体化された形態になっている。一方、該パッド部が第１のメタライズ層６ｂから孤立している形態では、パッド状の第２のメタライズ層７へのはんだ供給量のばらつきを見越して、該パッド部の径を該パッド状の第２のメタライズ層７よりも大きくすることで、上記接続工程を良好に実施することが可能になる。しかし、単純に該パッド部の径を大きくすると気密封止パッケージのサイズアップを招く虞がある。そこで本実施例は、該パッド部を第１のメタライズ層６ｂの一部（はんだ接合部６ｂ−１）で形成することで、該サイズアップを抑制している。
That is, in the case of the present embodiment, as shown in FIG. 2, the
（第３の実施形態）
図１１は、本発明の第３の実施形態による気密封止パッケージを示す概略断面図である。
(Third embodiment)
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an airtight sealed package according to the third embodiment of the present invention.
本実施の形態においては、抵抗体８が、第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の両方に対応する位置ではなく、第２のメタライズ層７のみの下に位置するセラミック基板３の内層に形成されている。
In the present embodiment, the
第１のメタライズ層６ａ及び６ｂ間に配置される第１のはんだ材料５ａは、第２のメタライズ層７と第１のメタライズ層６ｂの間に配置される第２のはんだ材料５ｂより融点が低いものとしている。本実施形態では、第１のはんだ材料５ａにＳｎＡｇ系はんだが使用され、第２のはんだ材料５ｂにＳｎＳｂ系はんだが使用されている。
The
次に、本実施の形態に係る気密封止パッケージの製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the hermetic sealing package according to the present embodiment will be described.
まず、図１２（ａ）に示すようにセラミック基板３のキャビティ部２に赤外線検知素子１を搭載し、ワイヤボンディングにより赤外線検知素子１とセラミック基板３を電気接続する。
First, as shown in FIG. 12A, the infrared detecting
次いで、図１２（ｂ）に示すようにセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ａに第１のはんだ材料５ａ、第２のメタライズ層７に第２のはんだ材料５ｂを供給する。第２のはんだ材料５ｂは第１のはんだ材料５ａより溶融温度が高いものを使用している。本実施例では例えば第１のはんだ材料５ａにＳｎＡｇ系はんだ、第２のはんだ材料５ｂにＳｎＳｂ系はんだを使用している。
Next, as shown in FIG. 12B, the
第２のメタライズ層７ａに形成されたボール状のはんだ材料５ｂの厚さは、第１のメタライズ層６ａに形成された板状のはんだ材料５ａの厚みより厚い。
The thickness of the ball-shaped
本実施形態ではセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７にはんだ材料５ａ、５ｂをそれぞれ供給した。しかし、図３（ｂ）に示したように赤外線透過窓４側に第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７が形成され、セラミック基板３側に第１のメタライズ層６ｂが形成されている場合は、図６（ａ）に示すように、赤外線透過窓４に形成された第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の両方にはんだ材料を供給することが可能である。あるいは、図６（ｂ）に示すように、赤外線透過窓４側の第２のメタライズ層７とセラミック基板３側の第１のメタライズ層６ｂにはんだ材料を供給してもよい。これらの場合、第２のメタライズ層７に供給するはんだ材料の方が、第１のメタライズ層６ａ又は６ｂに供給するはんだ材料よりも溶融温度が高い。また、赤外線透過窓４側に形成された第２のメタライズ層７がパッド形状に形成されている。
In the present embodiment, the
次に、図１２（ｃ）に示すようにセラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態で、不図示の真空チャンバ内に設置する。セラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態では、第１のメタライズ層６ａのはんだ材料５ａよりも厚い第２のメタライズ層７のはんだ材料５ｂにより、セラミック基板３と赤外線透過窓４の間には隙間が形成されている。
Next, as shown in FIG. 12C, the
その後、セラミック基板３と赤外線透過窓４から構成される赤外線検知器の中空部を真空チャンバ内で排気して真空状態にする。この排気中は、第１のはんだ材料５ａが溶融する温度で該赤外線検知器を加熱する。その排気後、セラミック基板３の内層に形成された抵抗体８に電圧を印加し、電流を流すことで抵抗体８を発熱させる。そして、その熱により、第２のメタライズ層７と第１のメタライズ層６ｂの間の第２のはんだ材料５ｂを溶融させ、図１２（ｄ）に示すようにセラミック基板３と赤外線透過窓４を接続する。
Thereafter, the hollow portion of the infrared detector composed of the
本実施形態の製造方法によると、セラミック基板３の内層に抵抗体８を形成する箇所を第２のメタライズ層７の下層のみとすることで、抵抗体８に印加する電圧を小さくすることが出来るほか、より短時間で加熱することができるというメリットがある。
According to the manufacturing method of the present embodiment, the voltage applied to the
なお、図１２（ｃ）〜（ｄ）の接続工程では第２のメタライズ層７ａと第１のメタライズ層６ｂの間の第２のはんだ材料５ｂが溶融することで該はんだが濡れ広がって該はんだの高さが低くなり、その結果、第１のメタライズ層６ａ，６ｂ間が接続される。このとき、はんだが供給されるパッド状の第２のメタライズ層７の面積よりも、キャビティ２を取り囲んだ一続きの第１のメタライズ層６ｂの面積の方がはるかに大きい。このため、溶融した該はんだは、はんだ接合部６ｂ−１とつながった第１のメタライズ層６ｂを濡れ広がって、該はんだの高さが目的の高さまで低くなる。
In the connection process of FIGS. 12C to 12D, the
すなわち本実施例の場合、図２に示したように、はんだ材料が供給されるセラミック基板３側の第２のメタライズ層７に対面する赤外線透過窓４側の位置に、第１のメタライズ層６ｂの一部を拡大してなるはんだ接合部６ｂ−１が形成されている。言い換えれば、第２のメタライズ層７に対面する赤外線透過窓４側の位置に設ける必要のあるパッド部が第１のメタライズ層６ｂと一体化された形態になっている。一方、該パッド部が第１のメタライズ層６ｂから孤立している形態では、パッド状の第２のメタライズ層７へのはんだ供給量のばらつきを見越して、該パッド部の径を該パッド状の第２のメタライズ層７よりも大きくすることで、上記接続工程を良好に実施することが可能になる。しかし、単純に該パッド部の径を大きくすると気密封止パッケージのサイズアップを招く虞がある。そこで本実施例は、該パッド部を第１のメタライズ層６ｂの一部（はんだ接合部６ｂ−１）で形成することで、該サイズアップを抑制している。
That is, in the case of the present embodiment, as shown in FIG. 2, the
以上のように、本発明の気密封止パッケージとして、電子デバイスに赤外線検知素子を実装した赤外線検知器を例に説明したが、電子デバイスに赤外線検知素子以外のデバイスを使用することも出来る。またセラミック基板のキャビティ部の形状や赤外線透過窓の形状は四角形状に限らず、円形や三角形などとすることも可能である。 As described above, as the hermetic sealing package of the present invention, the infrared detector in which the infrared detection element is mounted on the electronic device has been described as an example. However, a device other than the infrared detection element can be used for the electronic device. Further, the shape of the cavity portion of the ceramic substrate and the shape of the infrared transmission window are not limited to a square shape, but may be a circle or a triangle.
（第４の実施形態）
その他に、図１３に示すようにセラミック基板３はキャビティ部がない構造体とすることもでき、その場合は赤外線透過窓４とスペーサ部材９を組み合わせることで中空部を構成する。
(Fourth embodiment)
In addition, as shown in FIG. 13, the
また、上述したように、セラミック基板３と赤外線透過窓４との接続工程を良好に実施するためには、はんだが供給されるセラミック基板３側のパッド状の第２のメタライズ層７に対面する赤外線透過窓４側のはんだ接合部を、該第２のメタライズ層７の面積よりも大きく設ける必要がある。この方策の一つとして、例えば図２（ｂ）のように、該はんだ接合部を第１のメタライズ層６ｂと一体化させた構成例を示した。しかし、これ以外でも、例えば図１４及び図１５に示すように、セラミック基板３側のパッド状の第２のメタライズ層７ａそれぞれに対面する赤外線透過窓４側の各はんだ接合部を一続きのメタライズ層で接続した構成（第２のメタライズ層７ｂ）を採ることが可能である。
Further, as described above, in order to satisfactorily carry out the connection process between the
特に図１５に示すように、セラミック基板３及び赤外線透過窓４の平面形状が四角形状でなく円形の場合、上記第２のメタライズ層７ｂをリング形状にするとともに、第１のメタライズ層６ａ及び６ｂも同じリング形状にして該リング状の第２のメタライズ層７ｂの内側または外側に配置することが可能である。この構成の場合、セラミック基板３に対して垂直な軸線を中心として回転方向に赤外線透過窓４がずれても、セラミック基板３に赤外線透過窓４を接続することが容易である。
In particular, as shown in FIG. 15, when the planar shape of the
なお、図１４及び図１５に示した例では、セラミック基板３側にパッド状の第２のメタライズ層７ａを島状に配置し、すべての第２のメタライズ層７ａに接合できるように赤外線透過窓４側にリング形状の第２のメタライズ層７ｂを配置している。しかし、パッド状の第２のメタライズ層７ａを赤外線透過窓４側に配置し、リング形状の第２のメタライズ層７ｂをセラミック基板３側に配置することも可能である。
In the example shown in FIGS. 14 and 15, a pad-like
（第５の実施形態）
図１６は、本発明の第５の実施形態による気密封止パッケージを示す概略断面図である。本実施の形態においてはセラミック基板３のキャビティ部２周囲の縁と、赤外線透過窓４との間が、はんだ材料５により気密封止されている。接続されるセラミック基板３とはんだ材料５の間および、接続される赤外線透過窓４とはんだ材料５の間にはそれぞれ、第１のメタライズ層６ａ、６ｂが形成されている。
(Fifth embodiment)
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing an airtight sealed package according to the fifth embodiment of the present invention. In the present embodiment, the space around the
セラミック基板３のキャビティ部２周囲の縁面には、第１のメタライズ層６ａよりも内側に第２のメタライズ層７が形成されており、第２のメタライズ層７には、はんだ材料５が形成されている。本実施例では第１のメタライズ層６ａの外側４箇所に第２のメタライズ層７が形成されている。第２のメタライズ層７上に形成されたはんだ材料５は第１のメタライズ層６ａ，６ｂどうしを接続するはんだ材料５と比べて厚さが同等もしくは薄いことが望ましい。本例では、該第２のメタライズ層７が形成された部材と接続される部材（本例ではセラミック基板３と接続される赤外線透過窓４）の、該該第２のメタライズ層７に対向する部位にはメタライズ層は設けられていない。つまり本発明は、図１６に示すように、該第２のメタライズ層７上のはんだ材料５でセラミック基板３と赤外線透過窓４の接合を行なっていない構成であってもよい。このような構成により、気密封止パッケージのサイズアップの抑制とともにコストダウンを図ることが出来る。
A
第２のメタライズ層７は、独立したパッド形状を持ち、本実施の形態では第２のメタライズ層７のサイズは例えば１×３ｍｍ角としている。図１６には第２のメタライズ層７はセラミック基板３のキャビティ部２周囲の縁面において、第１のメタライズ層６ａよりも内側に形成されているが、第２のメタライズ層７を第１のメタライズ層６ａよりも外側に設置することも可能である。
The
また、図１６では第２のメタライズ層７は独立した島状のパッド形状としたが、一続きのリング形状とすることもできる。
In FIG. 16, the
次に、本実施の形態に係る気密封止パッケージの製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the hermetic sealing package according to the present embodiment will be described.
まず、図１７（ａ）に示すように、セラミック基板３のキャビティ部２に赤外線検知素子１を搭載し、ワイヤボンディングにより赤外線検知素子１とセラミック基板３を電気接続する。
First, as shown in FIG. 17A, the
続いて、図１７（ｂ）に示すように、セラミック基板３の外周縁面に形成された第１のメタライズ層６ａと第２のメタライズ層７の上にそれぞれ、はんだ材料５を供給する。第１のメタライズ層６ａに供給したはんだ材料５（第１の融着金属）の厚さは、第２のメタライズ層７に供給したはんだ材料５（第２の融着金属）の厚さより薄く形成されている。本例ではセラミック基板３の第１のメタライズ層６ａに形成したはんだ材料５の厚さは０．２ｍｍ、第２のメタライズ層７ａに形成したはんだ材料５の厚さは０．５ｍｍとした。
Subsequently, as shown in FIG. 17B, the
また、セラミック基板３の第１のメタライズ層６ａ上へのはんだ材料５の供給（第１の溶着金属形成工程）は、板状のはんだを第１のメタライズ層６ａの上に設置し、溶融させることで行われることが望ましい。第２のメタライズ層７上へのはんだ材料５の供給（第２の溶着金属形成工程）は、板状（直方体形状）のはんだを第２のメタライズ層７の上に設置するだけでよい。このとき、板状（直方体形状）のはんだサイズは第２のメタライズ層７のサイズより小さいことが望ましく、本実施例では第２のメタライズ層７のサイズが１×３ｍｍ角に対して、板状のはんだサイズは０．５×１ｍｍ角としている。尚、第２のメタライズ層７のサイズとこの上のはんだ材料５のサイズの大小関係は、それらが形成される面を平面視した際のそれらの占有面積での大小を意図する。
In addition, in supplying the
また、本例ではセラミック基板３の第１のメタライズ層６ａにはんだ材料を供給しているが、赤外線透過窓４に形成された第１のメタライズ層６ｂにはんだ材料を供給することが可能である。
In this example, the solder material is supplied to the
次に、図１７（ｃ）に示すようにセラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態で、不図示の真空チャンバ内に設置する。セラミック基板３と赤外線透過窓４を積層した状態では、第２のメタライズ層７に供給したはんだ材料５により、セラミック基板３と赤外線透過窓４の間には隙間が形成されている。
Next, as shown in FIG. 17C, the
続いて、図１７（ｄ）に示すように、セラミック基板３と赤外線透過窓４から構成される赤外線検知器の中空部を真空チャンバ内で排気して真空状態にした後、該赤外線検知器をはんだ材料５の融点以上に加熱する。これにより、該はんだ材料５（第１のメタライズ層６ｂ及び第２のメタライズ層７の両方の上のはんだ材料５）を溶融させ、セラミック基板３と赤外線透過窓４を接続する（接続工程）。なお、該赤外線検知器の中空部を真空にするために排気している際に、該赤外線検知器を、はんだ材料５が溶融しない温度であって赤外線検知素子１の耐熱性に問題がない温度まで予備加熱すると良い。これにより、該赤外線検知器の中空部が所定の真空度に達するまでの時間を短縮できるため、上記接続工程の時間を短縮することが可能である。
Subsequently, as shown in FIG. 17 (d), the hollow portion of the infrared detector composed of the
なお、上記接続工程では第２のメタライズ層７上のはんだ材料５が溶融することで該はんだが濡れ広がって該はんだの高さが低くなり、その結果、第１のメタライズ層６ａ，６ｂ間が接続される。このとき、はんだが供給されるパッド状の第２のメタライズ層７の面積よりも、第２のメタライズ層７上のはんだ材料５のサイズがはるかに小さい。このため、溶融した該はんだは、第２のメタライズ層７上を濡れ広がって、該はんだの高さが目的の高さまで低くなる。
In the above connection step, the
以上のように本実施例では、第２のメタライズ層７のサイズに対して、はるかに小さいサイズのはんだ材料５を供給しているため、はんだ材料を供給する際の搭載精度は低くても問題がない。このため、はんだ材料５を供給する設備費用を安価にできる。また、セラミック基板３の第２のメタライズ層７上に形成したはんだ材料５は赤外線透過窓４と接続していない。このため、セラミック基板３の４箇所に設置した第２のメタライズ層７上のはんだ材料５が夫々の第２のメタライズ層７上を濡れ広がる際、時間差があったとしても、赤外線透過窓４が傾くことを防止できる。
As described above, in this embodiment, since the
以上に例示した本発明に係る気密封止パッケージの製造方法によれば、次のような作用・効果を奏する。 According to the method for manufacturing the hermetic sealing package according to the present invention exemplified above, the following operations and effects are achieved.
基材と蓋材それぞれに、電子デバイスを取り囲むように第１のメタライズ層が形成されており、基材または蓋材の一方には、電子デバイスを取り囲むように孤立した島状の第２のメタライズ層が配置されている。そして、孤立した各第２のメタライズ層に対面する、該基材または蓋材の他方の各部位には、該第２のメタライズ層上の第２の溶着金属が接合する接合部が存在する。第１のメタライズ層は、積層した基材と蓋材の間にできる中空部を気密封止するために該中空部の周りに連続して形成され、第２のメタライズ層は、その中空部の気密封止前に中空部内を排気する排気口を確保するために該中空部の周りに島状に設けられている。その排気後、該第２のメタライズ層上の第２の溶着金属を溶融させて該第２の溶着金属の厚みを小さくすることで、該中空部の周りの該第１のメタライズ層どうしが第１の溶着金属で接続される。 A first metallization layer is formed on each of the base material and the cover material so as to surround the electronic device, and one of the base material and the cover material is an island-like second metalization isolated so as to surround the electronic device. Layers are arranged. And in each other site | part of this base material or cover material which faces each isolated 2nd metallization layer, the junction part which the 2nd welding metal on this 2nd metallization layer joins exists. The first metallized layer is continuously formed around the hollow part in order to hermetically seal the hollow part formed between the laminated base material and the lid member, and the second metallized layer is formed of the hollow part. In order to secure an exhaust port for exhausting the inside of the hollow portion before hermetic sealing, an island shape is provided around the hollow portion. After the evacuation, the second metallization layer on the second metallization layer is melted to reduce the thickness of the second metallization metal, so that the first metallization layers around the hollow portion are separated from each other. 1 are connected by welding metal.
このような接続工程を良好に行うためには、第２の溶着金属が溶融時に濡れ広がれるように、上記各第２のメタライズ層に対面する各接合部の面積を大きくすることが望ましいが、接合部の面積を単独で拡大するとパッケージの大型化を招く虞がある。しかし本発明では、各接合部を、該基材または蓋材の他方に形成されている第１のメタライズ層の一部分からなるものとするか、あるいは、当該第１のメタライズ層とは別に形成された一続きのメタライズ層の一部分であることにした。これにより、接合部とつながったメタライズ層へ第２の溶着金属を濡れ広げることができる。また接合部の面積を単独で拡大しないので、パッケージの大型化を招かない。 In order to perform such a connection step satisfactorily, it is desirable to increase the area of each joint facing each of the second metallized layers so that the second weld metal spreads when wet. If the area of the joint is enlarged alone, there is a risk of increasing the size of the package. However, in the present invention, each joint portion is made of a part of the first metallization layer formed on the other of the base material or the lid member, or is formed separately from the first metallization layer. Decided to be part of a series of metallization layers. Thereby, the 2nd welding metal can be spread on the metallization layer connected with the junction part. In addition, since the area of the joint is not enlarged independently, the package does not increase in size.
また、気密封止パッケージのサイズアップの抑制とともにコストダウンを図るため、孤立した各第２のメタライズ層に対面する該基材または蓋材に、該第２のメタライズ層上の第２の溶着金属が接合する接合部を設けない構成であってもよい。この構成の場合は、該第２の溶着金属を供給する第２のメタライズ層の面積よりも該第２の溶着金属を十分小さくしておくことで、基材と蓋材の接合時に第２の溶着金属を溶融させて第２のメタライズ層上に濡れ広がらせ、該第２の溶着金属の厚みを小さくすることが可能である。つまり、上記排気後の接続工程で該第２の溶着金属の高さを容易に目的の高さまで低くして、該中空部の周りの該第１のメタライズ層どうしを第１の溶着金属で接続させられる。 Further, in order to suppress the increase in the size of the hermetically sealed package and to reduce the cost, the second weld metal on the second metallized layer is attached to the base material or the cover material facing each isolated second metallized layer. The structure which does not provide the junction part which joins may be sufficient. In the case of this configuration, the second weld metal is sufficiently smaller than the area of the second metallized layer that supplies the second weld metal, so that the second weld metal is bonded to the base material and the lid member. The weld metal can be melted and spread on the second metallized layer, and the thickness of the second weld metal can be reduced. That is, in the connection step after exhaust, the height of the second weld metal is easily lowered to the target height, and the first metallized layers around the hollow portion are connected with the first weld metal. Be made.
加えて、本発明に係る気密封止パッケージによれば、次のような効果も得られる。 In addition, according to the hermetic sealing package of the present invention, the following effects can be obtained.
第一に、第１の溶着金属よりも厚さが厚い第２の溶着金属により、基材と蓋材の間に隙間が確保される。このため、基材と蓋材を積層した状態で真空チャンバに設置したとしても、気密封止パッケージの中空部を排気して真空状態にする工程を実施できる。よって、内部を真空状態にした真空チャンバ内で基材と蓋材を積層する方法に比べて、設備投資を安価にできる。 First, a gap is secured between the base material and the cover material by the second weld metal having a thickness larger than that of the first weld metal. For this reason, even if it installs in a vacuum chamber in the state which laminated | stacked the base material and the cover material, the process of exhausting the hollow part of an airtight sealing package and making it a vacuum state can be implemented. Therefore, compared with the method of laminating the base material and the lid material in the vacuum chamber whose inside is in a vacuum state, the capital investment can be made inexpensive.
第二に、気密封止パッケージの中空部を排気して真空状態にする工程を、蓋材に開けた微細な貫通穴を使って排気する方法に比べて、第２の溶着金属の高さにより制御された基材と蓋材の隙間から排気するため、排気するためのエリアを広くでき、中空部を真空状態にするのに要する排気時間を短縮できる。 Secondly, the process of evacuating the hollow portion of the hermetically sealed package to a vacuum state is more dependent on the height of the second weld metal than the method of evacuating using a fine through hole opened in the lid. Since the air is exhausted from the gap between the controlled base material and the lid member, the exhaust area can be widened, and the exhaust time required for making the hollow portion into a vacuum state can be shortened.
第三に、積層した基材と蓋材の間にできた中空部を上記隙間から排気した後、該中空部を気密封止するために、上記第１及び第２の溶着金属を溶融させることで該第２の溶着金属の高さを容易に目的の高さまで低くして、基材と蓋材の第１のメタライズ層どうしを接続することができる。該第２の溶着金属が十分に濡れ広がることができる部位が確保されている為である。 Third, after the hollow portion formed between the laminated base material and the lid member is exhausted from the gap, the first and second weld metals are melted in order to hermetically seal the hollow portion. Thus, the height of the second weld metal can be easily lowered to the target height to connect the base material and the first metallized layers of the lid. This is because a portion where the second weld metal can be sufficiently wet and spread is secured.
なお、本発明の気密封止パッケージ及びその製造方法は、上記実施形態に基づいて説明されているが、上記実施形態に限定されない。つまり、本発明の範囲内において、かつ本発明の基本的技術思想に基づいて、上記実施形態に対し種々の変形、変更及び改良をしたものも本願発明に含まれる。また、本発明の請求の範囲の枠内において、種々の開示要素の多様な組み合わせ・置換ないし選択が可能である。 In addition, although the airtight sealing package and its manufacturing method of this invention were demonstrated based on the said embodiment, it is not limited to the said embodiment. That is, the present invention includes various modifications, changes, and improvements made to the above embodiment within the scope of the present invention and based on the basic technical idea of the present invention. Further, various combinations, substitutions, or selections of various disclosed elements are possible within the scope of the claims of the present invention.
さらに、本願発明は、以下の付記１〜付記１６を包含する。
（付記１）
電子デバイスが搭載された基材と、該基材に接続され、該基材とで少なくとも該電子デバイスを包含する中空部を形成している蓋材と、を備えた気密封止パッケージを製造する方法であって、
前記基材と前記蓋材の互いに対向させる２つの面それぞれに前記中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、前記基材と前記蓋材の互いに対向させる２つの面のいずれか一方において前記中空部の周囲に島状に配置された一又は複数の第２のメタライズ層と、を備える前記基材および前記蓋材と、前記電子デバイスとを用意する工程と、
前記基材に前記電子デバイスを搭載する搭載工程と、
前記基材または前記蓋材のいずれか一方の前記第１のメタライズ層上に第１の溶着金属を形成する第１の溶着金属形成工程と、
前記基材と前記蓋材のいずれか一方の各前記第２のメタライズ層上に前記第１の溶着金属よりも厚さが厚い第２の溶着金属を形成する第２の溶着金属形成工程と、
前記基材と前記蓋材を前記第２の溶着金属を介して積層する積層工程と、
前記基材と前記蓋材の積層状態で前記中空部を排気して真空状態にする排気工程と、
前記第１及び第２の溶着金属を溶融させることにより前記基材と前記蓋材を接続する接続工程であって、前記基材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は前記基材の各前記第２のメタライズ層上の該溶融した第２の溶着金属を当該第２のメタライズ層に対面する前記蓋材に形成された一続きのメタライズ層上に濡れ広がらせることにより、該溶融した第１の溶着金属で前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続するか、あるいは、前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は前記蓋材の各前記第２のメタライズ層上の該溶融した第２の溶着金属を当該第２のメタライズ層に対面する前記基材に形成された一続きのメタライズ層上に濡れ広がらせることにより、該溶融した第１の溶着金属で前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する接続工程と、
を含む、気密封止パッケージの製造方法。
（付記２）
前記基材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記基材の各前記第２のメタライズ層に対面する前記蓋材の各部位に、該各第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、該各接合部は前記一続きのメタライズ層を形成するように前記蓋材の前記第１のメタライズ層の一部分からなっており、
前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記蓋材の各前記第２のメタライズ層に対面する前記基材の各部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、該各接合部は前記一続きのメタライズ層を形成するように前記基材の前記第１のメタライズ層の一部分からなっていることを含む、付記１に記載の気密封止パッケージの製造方法。
（付記３）
前記基材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記基材の各前記第２のメタライズ層に対面する前記蓋材の各部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、該各接合部は、前記蓋材に前記第１のメタライズ層とは別に形成された前記一続きのメタライズ層の一部分であり、
前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記蓋材の各前記第２のメタライズ層に対面する前記基材の各部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、該各接合部は、前記蓋材に前記第１のメタライズ層とは別に形成された前記一続きのメタライズ層の一部分であることを含む、付記１に記載の気密封止パッケージの製造方法。
（付記４）
電子デバイスが搭載された基材と、該基材に接続され、該基材とで少なくとも該電子デバイスを包含する中空部を形成している蓋材と、を備えた気密封止パッケージを製造する方法であって、
前記基材と前記蓋材の互いに対向させる２つの面それぞれに前記中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、前記基材と前記蓋材の互いに対向させる２つの面のいずれか一方において前記中空部の周囲に形成された島状あるいは一続きの第２のメタライズ層と、を備える前記基材および前記蓋材と、前記電子デバイスとを用意する工程と、
前記基材に前記電子デバイスを搭載する搭載工程と、
前記基材または前記蓋材のいずれか一方の前記第１のメタライズ層上に第１の溶着金属を形成する第１の溶着金属形成工程と、
前記基材と前記蓋材のいずれか一方の各前記第２のメタライズ層上に前記第１の溶着金属よりも厚さが厚く該第２のメタライズ層よりも面積が小さい第２の溶着金属を搭載する第２の溶着金属形成工程と、
前記基材と前記蓋材を前記第２の溶着金属を介して積層する積層工程と、
前記基材と前記蓋材の積層状態で前記中空部を排気して真空状態にする排気工程と、
前記第１及び第２の溶着金属を溶融させ、前記基材と前記蓋材のいずれか一方の各前記第２のメタライズ層上の該溶融した第２の溶着金属を当該第２のメタライズ層上に濡れ広がらせることにより、前記第１の溶着金属で前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する接続工程と、
を含む、気密封止パッケージの製造方法。
（付記５）
少なくとも前記第２のメタライズ層に対応する前記基材の内部の位置に抵抗体が設置されており、
前記接続工程において、前記基材の内部の前記抵抗体に通電することにより発熱した熱で前記第１の溶着金属と前記第２の溶着金属を溶融させることを含む、付記１から付記４のいずれかに記載の気密封止パッケージの製造方法。
（付記６）
前記抵抗体は前記第２のメタライズ層に対応する位置にのみ設置されていることを含む、付記５に記載の気密封止パッケージの製造方法。
（付記７）
前記第２の溶着金属形成工程は、
前記第１の溶着金属の溶融温度より高い温度で溶融する前記第２の溶着金属を形成する工程を含む、付記１から付記６のいずれかに記載の気密封止パッケージの製造方法。
（付記８）
前記接続工程は、
前記第１の溶着金属の溶融温度より高く、前記第２の溶着金属の溶融温度より低い温度にて、前記積層工程で積層された前記基材と前記蓋材の周囲全体を加熱する工程と、
前記基材の内部の前記抵抗体に通電することにより該抵抗体を発熱させ、前記第２の溶着金属を溶融させる工程と、
を含む、付記５または付記６に記載の気密封止パッケージの製造方法。
（付記９）
電子デバイスが搭載された基材と、該基材に接続され、該基材とで少なくとも該電子デバイスを包含する中空部を形成している蓋材と、を備えた気密封止パッケージにおいて、
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面それぞれに前記中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、
前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する第１の溶着金属と、
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面のいずれか一方において前記中空部の周囲に島状に配置された一又は複数の第２のメタライズ層と、
各前記第２のメタライズ層と該各第２のメタライズ層に対面する前記基材もしくは前記蓋材の各部位とを接続する第２の溶着金属と、
をさらに備え、
前記基材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記基材の各前記第２のメタライズ層に対面する前記蓋材の各部位に、該各第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、かつ、該各接合部は前記蓋材の前記第１のメタライズ層の一部分からなっており、
前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記蓋材の各前記第２のメタライズ層に対面する前記基材の各部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、かつ、該各接合部は前記基材の前記第１のメタライズ層の一部分からなっていることを含む、気密封止パッケージ。
（付記１０）
電子デバイスが搭載された基材と、該基材に接続され、該基材とで少なくとも該電子デバイスを包含する中空部を形成している蓋材と、を備えた気密封止パッケージにおいて、
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面それぞれに前記中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、
前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する第１の溶着金属と、
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面のいずれか一方において前記中空部の周囲に島状に配置された一又は複数の第２のメタライズ層と、
各前記第２のメタライズ層と該各第２のメタライズ層に対面する前記基材もしくは前記蓋材の各部位とを接続する第２の溶着金属と、
をさらに備え、
前記基材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記基材の各前記第２のメタライズ層に対面する前記蓋材の各部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、かつ、該各接合部は、前記蓋材に前記第１のメタライズ層とは別に形成された一続きのメタライズ層の一部分であり、
前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記蓋材の各前記第２のメタライズ層に対面する前記基材の各部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、かつ、該各接合部は、前記基材に前記第１のメタライズ層とは別に形成された一続きのメタライズ層の一部分であることを含む、気密封止パッケージ。
（付記１１）
電子デバイスが搭載された基材と、該基材に接続され、該基材とで少なくとも該電子デバイスを包含する中空部を形成している蓋材と、を備えた気密封止パッケージにおいて、
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面それぞれに前記中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、
前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する第１の溶着金属と、
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面のいずれか一方において前記中空部の周囲に前記第１のメタライズ層とは別に形成された島状あるいは一続きのメタライズ層を備え、
前記第１のメタライズ層とは別に形成された島状あるいは一続きのメタライズ層には第２の溶着金属が形成されており、該第２の溶着金属は前記第１の溶着金属と比べて厚さが同等もしくは薄いことを含む、気密封止パッケージ。
（付記１２）
前記第１のメタライズ層及び前記一続きのメタライズ層は円環形状を有することを含む、付記９から付記１１のいずれかに記載の気密封止パッケージ。
（付記１３）
少なくとも前記第２のメタライズ層に対応する前記基材の内部の位置に設置された抵抗体をさらに備えたことを含む、付記９から付記１２のいずれかに記載の気密封止パッケージ。
（付記１４）
前記抵抗体は前記第２のメタライズ層に対応する位置にのみ設置されていることを含む、付記１３に記載の気密封止パッケージ。
（付記１５）
前記第１の溶着金属の溶融温度は前記第２の溶着金属の溶融温度より低いことを含む、付記９から付記１２のいずれかに記載の気密封止パッケージ。
（付記１６）
前記蓋材は赤外線透過性を有することを含む、付記９から付記１５のいずれかに記載の気密封止パッケージ。
Furthermore, this invention includes the following
(Appendix 1)
An airtight sealed package comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material. A method,
A first metallized layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two surfaces of the base material and the lid material facing each other, and two surfaces of the base material and the lid material opposed to each other A step of preparing one or a plurality of second metallized layers arranged in an island shape around the hollow portion in any one of the base material, the lid member, and the electronic device;
A mounting step of mounting the electronic device on the substrate;
A first weld metal forming step of forming a first weld metal on the first metallized layer of either the base material or the lid;
A second weld metal forming step of forming a second weld metal having a thickness greater than that of the first weld metal on each of the second metallized layers of either the base material or the lid;
A laminating step of laminating the base material and the lid material via the second weld metal;
An evacuation step of evacuating the hollow portion in a laminated state of the base material and the lid material to make a vacuum state;
In the connecting step of connecting the base material and the lid material by melting the first and second weld metals, the base is formed when the second metallized layer is formed on the base material side. Spreading the molten second deposited metal on each second metallization layer of material onto a series of metallization layers formed on the lid material facing the second metallization layer; The molten first weld metal connects the base material and the first metallized layers of the lid material, or the lid when the second metallized layer is formed on the lid material side. Wetting and spreading the molten second deposited metal on each second metallization layer of material onto a series of metallization layers formed on the substrate facing the second metallization layer; The molten first deposited metal A connecting step of connecting the timber to the first metallization layer to each other of said cap member,
A method for manufacturing a hermetically sealed package.
(Appendix 2)
In the case where the second metallized layer is formed on the base material side, on each second metallized layer on each part of the lid material facing each second metallized layer of the base material There are joints to which the second weld metal is joined, each joint comprising a portion of the first metallization layer of the lid so as to form the continuous metallization layer;
When the second metallized layer is formed on the lid material side, the portions of the base material facing the second metallized layer of the lid material are arranged on the second metallized layer. Additional notes, wherein there are joints to which the second weld metal joins, each joint comprising a portion of the first metallization layer of the substrate so as to form the continuous metallization layer. 2. A method for producing a hermetic sealing package according to 1.
(Appendix 3)
In the case where the second metallized layer is formed on the base material side, the portions on the second metallized layer on each part of the lid material facing each second metallized layer of the base material There are joints to which the second weld metal is joined, and each joint is a part of the continuous metallization layer formed separately from the first metallization layer on the lid;
When the second metallized layer is formed on the lid material side, the portions of the base material facing the second metallized layer of the lid material are arranged on the second metallized layer. Note that there are joint portions to which the second weld metal is joined, and each joint portion is a part of the continuous metallization layer formed separately from the first metallization layer on the lid member. 2. A method for producing a hermetic sealing package according to 1.
(Appendix 4)
An airtight sealed package comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material. A method,
A first metallized layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two surfaces of the base material and the lid material facing each other, and two surfaces of the base material and the lid material opposed to each other A step of preparing the base material, the lid member, and the electronic device, each having an island shape or a continuous second metallization layer formed around the hollow portion in any one of
A mounting step of mounting the electronic device on the substrate;
A first weld metal forming step of forming a first weld metal on the first metallized layer of either the base material or the lid;
A second weld metal that is thicker than the first weld metal and has a smaller area than the second metallization layer on each of the second metallization layers of either the base material or the lid. A second weld metal forming step to be mounted;
A laminating step of laminating the base material and the lid material via the second weld metal;
An evacuation step of evacuating the hollow portion in a laminated state of the base material and the lid material to make a vacuum state;
The first and second weld metals are melted, and the melted second weld metal on each of the second metallized layers of either the base material or the lid is placed on the second metallized layer. Connecting the base metal and the first metallized layers of the lid material with the first deposited metal by wetting and spreading,
A method for manufacturing a hermetically sealed package.
(Appendix 5)
A resistor is installed at a position inside the base material corresponding to at least the second metallization layer,
Any one of
(Appendix 6)
6. The method for manufacturing an airtight sealed package according to
(Appendix 7)
The second weld metal forming step includes
The manufacturing method of the hermetic sealing package in any one of
(Appendix 8)
The connecting step includes
Heating the entire periphery of the base material and the lid member laminated in the lamination step at a temperature higher than the melting temperature of the first weld metal and lower than the melting temperature of the second weld metal;
Causing the resistor to generate heat by energizing the resistor inside the substrate, and melting the second deposited metal;
The manufacturing method of the hermetic sealing package of
(Appendix 9)
In a hermetically sealed package comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material.
A first metallization layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two opposing surfaces of the base material and the lid material;
A first weld metal that connects the base and the first metallized layer of the lid;
One or a plurality of second metallization layers disposed in an island shape around the hollow portion on either one of the two surfaces of the base material and the cover material facing each other;
A second weld metal that connects each second metallized layer and each part of the base material or the lid facing the second metallized layer;
Further comprising
In the case where the second metallized layer is formed on the base material side, on each second metallized layer on each part of the lid material facing each second metallized layer of the base material There are joints to which the second weld metal is joined, and each joint comprises a portion of the first metallized layer of the lid;
When the second metallized layer is formed on the lid material side, the portions of the base material facing the second metallized layer of the lid material are arranged on the second metallized layer. A hermetic sealing package, comprising: a joining portion to which a second weld metal is joined, and each joining portion including a part of the first metallized layer of the substrate.
(Appendix 10)
In a hermetically sealed package comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material.
A first metallization layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two opposing surfaces of the base material and the lid material;
A first weld metal that connects the base and the first metallized layer of the lid;
One or a plurality of second metallization layers disposed in an island shape around the hollow portion on either one of the two surfaces of the base material and the cover material facing each other;
A second weld metal that connects each second metallized layer and each part of the base material or the lid facing the second metallized layer;
Further comprising
In the case where the second metallized layer is formed on the base material side, the portions on the second metallized layer on each part of the lid material facing each second metallized layer of the base material There are joints to which the second weld metal is joined, and each joint is a part of a continuous metallization layer formed separately from the first metallization layer on the lid;
When the second metallized layer is formed on the lid material side, the portions of the base material facing the second metallized layer of the lid material are arranged on the second metallized layer. There are joints to which the second weld metal is joined, and each joint includes a part of a series of metallization layers formed separately from the first metallization layer on the base material. Airtight sealed package.
(Appendix 11)
In a hermetically sealed package comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material.
A first metallization layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two opposing surfaces of the base material and the lid material;
A first weld metal that connects the base and the first metallized layer of the lid;
In either one of the two surfaces of the base material and the cover material facing each other, an island shape or a continuous metallization layer formed separately from the first metallization layer around the hollow portion,
A second weld metal is formed on the island-shaped or continuous metallization layer formed separately from the first metallization layer, and the second weld metal is thicker than the first weld metal. Hermetically sealed package, including the same or thin.
(Appendix 12)
12. The hermetic sealed package according to any one of
(Appendix 13)
13. The hermetically sealed package according to any one of
(Appendix 14)
14. The hermetic sealing package according to appendix 13, wherein the resistor is disposed only at a position corresponding to the second metallized layer.
(Appendix 15)
The hermetic sealing package according to any one of
(Appendix 16)
The hermetic sealing package according to any one of
１ 赤外線検知素子
２ キャビティ部
３ セラミック基板
４ 赤外線透過窓
５、５ａ、５ｂ はんだ材料
６ａ、６ｂ 第１のメタライズ層
７、７ａ、７ｂ 第２のメタライズ層
８ 抵抗体
９ スペーサ部材
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記基材と前記蓋材の互いに対向させる２つの面それぞれに前記中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、前記基材と前記蓋材の互いに対向させる２つの面のいずれか一方において前記中空部の周囲に島状に配置された第２のメタライズ層と、を備える前記基材および前記蓋材と、前記電子デバイスとを用意する工程と、
前記基材に前記電子デバイスを搭載する搭載工程と、
前記基材または前記蓋材のいずれか一方の前記第１のメタライズ層上に第１の溶着金属を形成する第１の溶着金属形成工程と、
前記基材と前記蓋材のいずれか一方の前記第２のメタライズ層上に前記第１の溶着金属よりも厚さが厚い第２の溶着金属を形成する第２の溶着金属形成工程と、
前記基材と前記蓋材を前記第２の溶着金属を介して積層する積層工程と、
前記基材と前記蓋材の積層状態で前記中空部を排気して真空状態にする排気工程と、
前記第１及び第２の溶着金属を溶融させることにより前記基材と前記蓋材を接続する接続工程であって、前記基材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は前記基材の前記第２のメタライズ層上の該溶融した第２の溶着金属を当該第２のメタライズ層に対面する前記蓋材に形成された一続きのメタライズ層上に濡れ広がらせることにより、該溶融した第１の溶着金属で前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続するか、あるいは、前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は前記蓋材の前記第２のメタライズ層上の該溶融した第２の溶着金属を当該第２のメタライズ層に対面する前記基材に形成された一続きのメタライズ層上に濡れ広がらせることにより、該溶融した第１の溶着金属で前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する接続工程と、
を含むことを特徴とする気密封止パッケージの製造方法。 An airtight sealed package comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material. A method,
A first metallized layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two surfaces of the base material and the lid material facing each other, and two surfaces of the base material and the lid material opposed to each other A step of preparing the base material, the lid member, and the electronic device comprising a second metallization layer disposed in an island shape around the hollow portion in any one of
A mounting step of mounting the electronic device on the substrate;
A first weld metal forming step of forming a first weld metal on the first metallized layer of either the base material or the lid;
A second weld metal forming step of forming a second weld metal having a thickness greater than that of the first weld metal on the second metallized layer of either the base material or the lid;
A laminating step of laminating the base material and the lid material via the second weld metal;
An evacuation step of evacuating the hollow portion in a laminated state of the base material and the lid material to make a vacuum state;
In the connecting step of connecting the base material and the lid material by melting the first and second weld metals, the base is formed when the second metallized layer is formed on the base material side. The molten second deposited metal on the second metallized layer of material by wetting and spreading on the continuous metallized layer formed on the lid material facing the second metallized layer The base metal and the first metallized layer of the lid material are connected to each other by the first weld metal, or the lid material when the second metallized layer is formed on the lid material side. The molten second deposited metal on the second metallized layer is wetted and spread on a series of metallized layers formed on the substrate facing the second metallized layer. The base material with the first weld metal A connecting step of connecting said first metallization layer to each other of said cap member,
The manufacturing method of the airtight sealing package characterized by including.
前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記蓋材の前記第２のメタライズ層に対面する前記基材の部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、該接合部は前記一続きのメタライズ層を形成するように前記基材の前記第１のメタライズ層の一部分からなっていることを特徴とする請求項１に記載の気密封止パッケージの製造方法。 In the case where the second metallized layer is formed on the base material side, the second metallized layer on the second metallized layer is formed on the portion of the lid material facing the second metallized layer of the base material. There is a joint portion to which the weld metal is joined, and the joint portion includes a part of the first metallized layer of the lid member so as to form the continuous metallized layer,
In the case where the second metallized layer is formed on the lid material side, the second metallized layer on the second metallized layer is formed on the portion of the base material facing the second metallized layer of the lid material. 2. A bonding portion to which the weld metal is bonded, and the bonding portion is formed of a part of the first metallized layer of the substrate so as to form the continuous metallized layer. The manufacturing method of the airtight sealing package as described in 2.
前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記蓋材の前記第２のメタライズ層に対面する前記基材の部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、該接合部は、前記蓋材に前記第１のメタライズ層とは別に形成された前記一続きのメタライズ層の一部分であることを特徴とする請求項１に記載の気密封止パッケージの製造方法。 In the case where the second metallized layer is formed on the base material side, the second metallized layer on the second metallized layer is formed on the portion of the lid material facing the second metallized layer of the base material. The weld metal is joined, the joint is a part of the continuous metallized layer formed separately from the first metallized layer on the lid,
In the case where the second metallized layer is formed on the lid material side, the second metallized layer on the second metallized layer is formed on the portion of the base material facing the second metallized layer of the lid material. 2. A bonding portion to which the weld metal is bonded, and the bonding portion is a part of the continuous metallized layer formed separately from the first metallized layer on the lid member. The manufacturing method of the airtight sealing package as described in 2.
前記基材と前記蓋材の互いに対向させる２つの面それぞれに前記中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、前記基材と前記蓋材の互いに対向させる２つの面のいずれか一方において前記中空部の周囲に形成された島状あるいは一続きの第２のメタライズ層と、を備える前記基材および前記蓋材と、前記電子デバイスとを用意する工程と、
前記基材に前記電子デバイスを搭載する搭載工程と、
前記基材または前記蓋材のいずれか一方の前記第１のメタライズ層上に第１の溶着金属を形成する第１の溶着金属形成工程と、
前記基材と前記蓋材のいずれか一方の前記第２のメタライズ層上に前記第１の溶着金属よりも厚さが厚く該第２のメタライズ層よりも面積が小さい第２の溶着金属を搭載する第２の溶着金属形成工程と、
前記基材と前記蓋材を前記第２の溶着金属を介して積層する積層工程と、
前記基材と前記蓋材の積層状態で前記中空部を排気して真空状態にする排気工程と、
前記第１及び第２の溶着金属を溶融させ、前記基材と前記蓋材のいずれか一方の前記第２のメタライズ層上の該溶融した第２の溶着金属を当該第２のメタライズ層上に濡れ広がらせることにより、前記第１の溶着金属で前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する接続工程と、
を含むことを特徴とする気密封止パッケージの製造方法。 An airtight sealed package comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material. A method,
A first metallized layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two surfaces of the base material and the lid material facing each other, and two surfaces of the base material and the lid material opposed to each other A step of preparing the base material, the lid member, and the electronic device, each having an island shape or a continuous second metallization layer formed around the hollow portion in any one of
A mounting step of mounting the electronic device on the substrate;
A first weld metal forming step of forming a first weld metal on the first metallized layer of either the base material or the lid;
Mounted on the second metallized layer of either the base material or the lid is a second welded metal that is thicker than the first welded metal and smaller in area than the second metallized layer. A second weld metal forming step,
A laminating step of laminating the base material and the lid material via the second weld metal;
An evacuation step of evacuating the hollow portion in a laminated state of the base material and the lid material to make a vacuum state;
The first and second weld metals are melted, and the melted second weld metal on the second metallized layer of either the base material or the lid is placed on the second metallized layer. Connecting the base metal and the first metallized layers of the lid member with the first deposited metal by wetting and spreading; and
The manufacturing method of the airtight sealing package characterized by including.
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面それぞれに前記中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、
前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する第１の溶着金属と、
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面のいずれか一方において前記中空部の周囲に島状に配置された第２のメタライズ層と、
前記第２のメタライズ層と該第２のメタライズ層に対面する前記基材もしくは前記蓋材の部位とを接続する第２の溶着金属と、
をさらに備え、
前記基材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記基材の前記第２のメタライズ層に対面する前記蓋材の部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、かつ、該接合部は前記蓋材の前記第１のメタライズ層の一部分からなっており、
前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記蓋材の前記第２のメタライズ層に対面する前記基材の部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、かつ、該接合部は前記基材の前記第１のメタライズ層の一部分からなっていることを特徴とする気密封止パッケージ。 In a hermetically sealed package comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material.
A first metallization layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two opposing surfaces of the base material and the lid material;
A first weld metal that connects the base and the first metallized layer of the lid;
A second metallization layer disposed in an island shape around the hollow portion on either one of the two surfaces of the base material and the cover material facing each other;
A second weld metal that connects the second metallized layer and the portion of the base material or the cover material facing the second metallized layer;
Further comprising
In the case where the second metallized layer is formed on the base material side, the second metallized layer on the second metallized layer is formed on the portion of the lid material facing the second metallized layer of the base material. There is a joint to which the weld metal is joined, and the joint consists of a part of the first metallized layer of the lid,
In the case where the second metallized layer is formed on the lid material side, the second metallized layer on the second metallized layer is formed on the portion of the base material facing the second metallized layer of the lid material. A hermetic sealing package comprising: a joining portion to which the weld metal is joined; and the joining portion is formed of a part of the first metallized layer of the base material.
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面それぞれに前記中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、
前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する第１の溶着金属と、
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面のいずれか一方において前記中空部の周囲に島状に配置された第２のメタライズ層と、
前記第２のメタライズ層と該第２のメタライズ層に対面する前記基材もしくは前記蓋材の部位とを接続する第２の溶着金属と、
をさらに備え、
前記基材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記基材の前記第２のメタライズ層に対面する前記蓋材の部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、かつ、該接合部は、前記蓋材に前記第１のメタライズ層とは別に形成された一続きのメタライズ層の一部分であり、
前記蓋材側に前記第２のメタライズ層が形成されている場合は、前記蓋材の前記第２のメタライズ層に対面する前記基材の部位に、該第２のメタライズ層上の前記第２の溶着金属が接合する接合部があり、かつ、該接合部は、前記基材に前記第１のメタライズ層とは別に形成された一続きのメタライズ層の一部分であることを特徴とする気密封止パッケージ。 In a hermetically sealed package comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material.
A first metallization layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two opposing surfaces of the base material and the lid material;
A first weld metal that connects the base and the first metallized layer of the lid;
A second metallization layer disposed in an island shape around the hollow portion on either one of the two surfaces of the base material and the cover material facing each other;
A second weld metal that connects the second metallized layer and the portion of the base material or the cover material facing the second metallized layer;
Further comprising
In the case where the second metallized layer is formed on the base material side, the second metallized layer on the second metallized layer is formed on the portion of the lid material facing the second metallized layer of the base material. The weld metal is joined, and the joint is a part of a continuous metallized layer formed separately from the first metallized layer on the lid,
In the case where the second metallized layer is formed on the lid material side, the second metallized layer on the second metallized layer is formed on the portion of the base material facing the second metallized layer of the lid material. There is a joint part to which the weld metal is joined, and the joint part is a part of a continuous metallization layer formed separately from the first metallization layer on the base material. Stop package.
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面それぞれに前記中空部の全周にわたり連続して形成された第１のメタライズ層と、
前記基材と前記蓋材の前記第１のメタライズ層どうしを接続する第１の溶着金属と、
前記基材と前記蓋材の互いに対向している２つの面のいずれか一方において前記中空部の周囲に前記第１のメタライズ層とは別に形成された島状あるいは一続きのメタライズ層を備え、
前記第１のメタライズ層とは別に形成された島状あるいは一続きのメタライズ層には第２の溶着金属が形成されており、該第２の溶着金属は前記第１の溶着金属と比べて厚さが同等もしくは薄いことを特徴とする気密封止パッケージ。 In a hermetically sealed package comprising: a base material on which an electronic device is mounted; and a lid member connected to the base material and forming a hollow portion including at least the electronic device with the base material.
A first metallization layer formed continuously over the entire circumference of the hollow portion on each of two opposing surfaces of the base material and the lid material;
A first weld metal that connects the base and the first metallized layer of the lid;
In either one of the two surfaces of the base material and the cover material facing each other, an island shape or a continuous metallization layer formed separately from the first metallization layer around the hollow portion,
A second weld metal is formed on the island-shaped or continuous metallization layer formed separately from the first metallization layer, and the second weld metal is thicker than the first weld metal. Hermetically sealed package characterized by being equal or thin.
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