JP2014069339A - Stamper, stamper production apparatus and production method of the same, and fine structure transfer method - Google Patents
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Abstract
【課題】
本発明は、比較的コンパクトな装置で、気泡の入り込みを低減して被転写体に微細構造を転写できるスタンパ、該スタンパを製造できるスタンパ製造装置またはその製造方法、及び前記スタンパを用いスループットの高い被転写体への微細構造転写方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、スタンパ基材と、前記スタンパ基材の表面にパターン形成樹脂で形成された凸状の曲面に沿った微細構造パターンとを有する。また本発明は、原盤を、微細構造パターンが形成された片面とは反対側に凸状の曲面形状に変形させ、パターン形成樹脂が塗布されたスタンパ基材に、前記凸状の曲面形状を有する前記原盤を押し付けて、塗布された前記パターン形成樹脂に前記微細構造パターンを転写し、前記転写した状態で前記原盤を元の状態に戻し、戻し後、前記転写微細構造パターンを露光し、スタンパ基材に凸状の曲面形状に沿った転写微細構造パターンを有するスタンパを製造する。
【選択図】 図7【Task】
The present invention relates to a stamper capable of transferring a fine structure to a transfer target by reducing bubble intrusion with a relatively compact apparatus, a stamper manufacturing apparatus or method for manufacturing the stamper, and a high throughput using the stamper. An object of the present invention is to provide a method for transferring a fine structure to a transfer object.
[Solution]
The present invention has a stamper base material and a fine structure pattern along a convex curved surface formed of a pattern forming resin on the surface of the stamper base material. In the present invention, the master is deformed into a convex curved shape on the side opposite to the one side on which the fine structure pattern is formed, and the stamper base material coated with the pattern forming resin has the convex curved shape. The master disk is pressed to transfer the fine structure pattern to the applied pattern forming resin, and the master disk is returned to the original state in the transferred state, and then the transfer fine structure pattern is exposed to a stamper base. A stamper having a transfer fine structure pattern along a convex curved shape on the material is manufactured.
[Selection] Figure 7
Description
本発明は、微細構造を有するパターン原版から転写されたスタンパ、該スタンパのスタンパ製造装置及びその製造方法並びに前記スタンパにより被転写体の表面に微細構造を転写する微細構造転写方法に係る。 The present invention relates to a stamper transferred from a pattern master having a fine structure, a stamper manufacturing apparatus and a manufacturing method thereof, and a fine structure transfer method for transferring a fine structure onto a surface of an object to be transferred by the stamper.
近年、微細なパターン形成を低コストで行うためのインプリント技術が提案されている。このインプリント技術は、形成しようとする所定パターンの凹凸に対応する凹凸(表面形状)が形成されたスタンパを、例えば所定の基板上に樹脂層を形成して得られる被転写体に型押しするものであり、微細構造パターンを被転写体の樹脂層に形成することができる。そして、このインプリント技術は、ハードディスク等の大容量記録媒体における記録ビットのパターンの形成や、半導体集積回路のパターンの形成への応用が検討されている。 In recent years, an imprint technique for forming a fine pattern at a low cost has been proposed. In this imprint technique, a stamper having unevenness (surface shape) corresponding to the unevenness of a predetermined pattern to be formed is embossed on a transfer target obtained by forming a resin layer on a predetermined substrate, for example. Therefore, a fine structure pattern can be formed on the resin layer of the transfer object. The imprint technique is being studied for application to the formation of a recording bit pattern on a large-capacity recording medium such as a hard disk or the formation of a pattern of a semiconductor integrated circuit.
ハードディスク等の記録媒体の製造工程におけるインプリント装置では、転写パターンの原盤としてスタンパを必要とする。このスタンパの製造工程においては、電子ビーム加工装置などにより微細加工された上位のパターン原盤を、スタンパ基材上の樹脂層に転写することでスタンパを製造する。この転写による製造方法は、熱インプリントもしくは光インプリントを使用して行われる。 In an imprint apparatus in a manufacturing process of a recording medium such as a hard disk, a stamper is required as a master for a transfer pattern. In this stamper manufacturing process, a stamper is manufactured by transferring an upper pattern master, which has been finely processed by an electron beam processing apparatus or the like, to a resin layer on a stamper base material. This transfer manufacturing method is performed using thermal imprinting or optical imprinting.
このような従来のインプリント技術としては、特許文献1がある。特許文献1には微細構造を転写する方法において、表面にレジスト(パターン形成樹脂)がコーティングされた被転写体に裏面を真空吸引してスタンパを密着、加圧させる際に、スタンパを凸状に変形させて密着面を中心部から周辺部に拡大させていくことで、被転写体とスタンパとの間に気泡の入り込みを防止することに関する発明が記載されている。 There exists patent document 1 as such a conventional imprint technique. In Patent Document 1, in a method of transferring a fine structure, when a stamper is brought into close contact with a transfer target having a surface coated with a resist (pattern forming resin) by vacuum suction, the stamper is convex. There is described an invention relating to preventing bubbles from entering between the transfer target and the stamper by deforming and expanding the contact surface from the central portion to the peripheral portion.
しかしながら、前記した特許文献1に記載されている転写方式は、真空を使用してスタンパを凸状に変形させ、平面である被転写体に中心部から周辺部へ密着させ気泡入り込みを防止する方式である。このため、被転写体に変形させたスタンパを密着させる過程において、スタンパと被転写体の密着領域が拡大しパターン終端付近まで平面となる周辺部では、スタンパの剛性により真空が破壊され、変形が維持できなくなる可能性があった。変形が維持できない場合、中心から周辺部へ順番に密着せず、気泡の入り込みが発生する。この問題を解決するためには、スタンパ端とパターン終端との距離を大きくし剛性を低下させる、つまりスタンパサイズを大きく、さらには装置サイズを大きくしなければならない、という問題があった。 However, the transfer method described in Patent Document 1 described above is a method in which a stamper is deformed into a convex shape using a vacuum, and a transfer target that is a flat surface is brought into close contact from the center to the periphery to prevent bubbles from entering. It is. Therefore, in the process of bringing the deformed stamper into close contact with the transfer target, the contact area between the stamper and the transfer target is enlarged and the vacuum is broken due to the rigidity of the stamper at the periphery where the stamper is near the end of the pattern. There was a possibility that it could not be maintained. When the deformation cannot be maintained, the bubbles do not adhere in order from the center to the peripheral portion, and bubbles enter. In order to solve this problem, there is a problem that the distance between the stamper end and the pattern end is increased to reduce the rigidity, that is, the stamper size must be increased and the apparatus size must be increased.
従って、本発明の第1の目的は、比較的コンパクトな装置で、気泡の入り込みを低減して被転写体に微細構造を転写できるスタンパを提供することである。
また、本発明の第2の目的は、第1の目的を達成できるスタンパを製造できるスタンパ製造装置またはその製造方法を提供することにある。
さらに、本発明の第3の目的は、第1の目的を達成できるスタンパを用い被転写体に微細構造を転写できるスループットの高い被転写体への微細構造転写方法を提供することにある。
Accordingly, a first object of the present invention is to provide a stamper capable of transferring a fine structure to a transfer target body with a relatively compact apparatus while reducing the entry of bubbles.
A second object of the present invention is to provide a stamper manufacturing apparatus or a manufacturing method thereof that can manufacture a stamper that can achieve the first object.
Furthermore, a third object of the present invention is to provide a method for transferring a fine structure to a transferred material having a high throughput capable of transferring the fine structure to the transferred material using a stamper that can achieve the first object.
上記目的を達成するために、本発明では、少なくとも以下の特徴を有する。
本発明は、スタンパ基材と、前記スタンパ基材の表面にパターン形成樹脂で形成された凸状の曲面に沿った微細構造パターンとを有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention has at least the following features.
The present invention is characterized by having a stamper base material and a fine structure pattern along a convex curved surface formed of a pattern forming resin on the surface of the stamper base material.
また、本発明は、スタンパ基材にパターン形成樹脂を塗布する塗布ユニットと、該パターンが片面に形成された原盤を保持する原盤保持ベースと、前記原盤を、凸状の曲面に変形させ、元の状態に戻すことが可能な原盤変形手段と、前記パターン形成樹脂が塗布された前記スタンパ基材に、前記スタンパ基材とは反対側に前記凸状の曲面を有する前記原盤を押し付けて、前記微細構造パターンを転写して凸状の曲面に沿った転写微細構造パターンを形成し、前記原盤が元の状態に戻った状態で前記転写微細構造パターンを露光する転写露光ユニットと、前記転写微細構造パターンを前記原盤の前記微細構造パターンから剥離する剥離ユニットと、を有し、前記スタンパ基材に前記転写微細構造パターンを有するスタンパを製造することを特徴とする。 Further, the present invention provides a coating unit that applies a pattern forming resin to a stamper base material, a master holding base that holds a master on which the pattern is formed on one side, and the master is deformed into a convex curved surface. And pressing the master having the convex curved surface on the opposite side of the stamper base to the stamper base coated with the pattern forming resin. A transfer exposure unit that transfers the fine structure pattern to form a transfer fine structure pattern along a convex curved surface, and exposes the transfer fine structure pattern in a state where the master returns to the original state; and the transfer fine structure A peeling unit for peeling a pattern from the fine structure pattern of the master, and producing a stamper having the transfer fine structure pattern on the stamper base material. To.
さらに、本発明は、スタンパ基材にパターン形成樹脂を塗布する塗布ステップと、微細構造パターンが片面に形成された原盤を原盤保持ベースの保持する原盤保持ステップと、前記原盤を、前記片面とは反対側に第1の凸状の曲面形状に変形させる第1の原盤凸状変形ステップと、前記パターン形成樹脂が塗布された前記スタンパ基材に、前記凸状の曲面形状を有する前記原盤を押し付けて、塗布された前記パターン形成樹脂に前記微細構造パターンを転写する転写ステップと、前記転写した状態で前記原盤を元の状態に戻す原盤復帰ステップと、該原盤復帰ステップ後、前記転写微細構造パターンを露光する露光ステップと、該露光ステップ後、前記転写微細構造パターンを前記原盤の前記パターンから剥離する剥離ステップと、を有し、前記スタンパ基材に第2の凸状の曲面形状に沿った前記転写微細構造パターンを有するスタンパを製造することを特徴とする。 Furthermore, the present invention provides a coating step for applying a pattern forming resin to a stamper base material, a master holding step for holding a master on which a fine structure pattern is formed on one side by a master holding base, and the master and the one side. A first master convex deformation step that deforms the first convex curved surface on the opposite side, and the master having the convex curved shape is pressed against the stamper base material coated with the pattern forming resin. A transfer step for transferring the fine structure pattern to the applied pattern forming resin; a master return step for returning the master in the transferred state; and a transfer fine structure pattern after the master return step. Exposing step, and after the exposing step, a peeling step of peeling the transferred fine structure pattern from the pattern of the master, Characterized in that to produce a stamper having the transfer microstructured pattern along a second convex curved surface shape in serial stamper substrate.
また、本発明は、被転写体に第1のパターン形成樹脂を塗布する塗布ステップと、表面に第2のパターン形成樹脂で形成された凸状の曲面形状に沿って微細構造パターンが形成されたスタンパを、前記第1のパターン形成樹脂に押し当て、前記第2のパターン形成樹脂と前記第1のパターン形成樹脂との接触面を順次周囲に広げて前記微細構造パターンを転写する第1の転写ステップと、前記微細構造パターンが平面状になった所定微細構造パターンを得るように、前記スタンパを前記第1のパターン形成樹脂に、さらに押し当てる第2の転写ステップと、前記第2の転写ステップ後に、前記微細所定パターンを露光する露光ステップと、該露光ステップ後、前記微細所定パターンを前記スタンパから剥離する剥離ステップと、を有し、前記被写体に前記微細所定パターンを転写することを特徴とする。 Further, according to the present invention, the fine structure pattern is formed along the application step of applying the first pattern forming resin to the transfer object and the convex curved surface shape formed of the second pattern forming resin on the surface. First transfer for transferring the fine structure pattern by pressing a stamper against the first pattern forming resin and sequentially spreading the contact surface between the second pattern forming resin and the first pattern forming resin to the periphery. A second transfer step in which the stamper is further pressed against the first pattern forming resin so as to obtain a predetermined fine structure pattern in which the fine structure pattern is planar, and the second transfer step. An exposure step of exposing the fine predetermined pattern later; and a peeling step of peeling the fine predetermined pattern from the stamper after the exposure step, Characterized by transferring the fine prescribed pattern to Utsushitai.
従って、本発明によれば、比較的コンパクトな装置で、気泡の入り込みを低減して被転写体に微細構造を転写できるスタンパを提供できる。
また、本発明によれば、上記スタンパを製造できるスタンパ製造装置またはその製造方法を提供できる。
さらに、本発明によれば、上記スタンパを用い被転写体に微細構造を転写できるスループットの高い被転写体への微細構造転写方法を提供できる。
Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a stamper that can transfer a fine structure to a transfer target body with a relatively compact apparatus while reducing the entry of bubbles.
Further, according to the present invention, a stamper manufacturing apparatus or a manufacturing method thereof that can manufacture the stamper can be provided.
Furthermore, according to the present invention, it is possible to provide a method for transferring a fine structure to a transfer target having a high throughput that can transfer a fine structure to the transfer target using the stamper.
実施形態である微細構造転写装置は、図1に示す微細構造のパターンを備えるスタンパ原盤(以下、単に原盤という)からスタンパを製造するスタンパ製造装置500と、図2に示す当該スタンパに形成された微細構造である微細構造パターンを被転写体に転写する被転写体用の微細構造転写装置700とを有する。本実施形態では、スタンパ製造装置500で微細構造を有する原盤から樹脂スタンパ(以下、単にスタンパという)を製造し、当該スタンパを用いディスク等の被転写物に微細構造パターンを転写露光した。
The fine structure transfer apparatus according to the embodiment is formed on a
(実施例1)
まず、微細構造である微細構造パターンを有する原盤からスタンパを製造するスタンパ製造装置500およびスタンパ製造方法の発明を実施するための実施例1を、図を用いて説明する。図3は、スタンパ製造装置500の全体の処理フローを示す図である。
Example 1
First, a first embodiment for carrying out the invention of a
図1において、スタンパ基材109は、基板搬送ステージ502に移動される(S301)。基板搬送ステージ502に移動されたスタンパ基材109は、ノズル503によってスタンパ基材上面にパターン形成樹脂(レジスト)が塗布される(S302)。スタンパ基材上面にパターン形成樹脂が塗布された状態で、スタンパ基材109は転写露光ユニット504に搬送される(S303)。転写露光ユニット504に搬送されたスタンパ基材109は、正規の位置にスタンパ基材がくるように調整され、転写露光ユニット504に設置される(S304)。
In FIG. 1, the
スタンパ基材109には、原盤にあらかじめ描画された微細構造が転写露光される(S305)。露光が終了すると、スタンパ基材と固化密着し微細構造が転写されたパターン形成樹脂、即ちスタンパが原盤から剥離される(S306)。原盤にあらかじめ描画された微細構造が転写されたスタンパ基板109は、基板搬送ステージ505により、スタンパ待機場506に搬送される(S307)。
On the
なお、制御装置520は、上述のフローに従い、各構成要素及び全体の制御を行う。また、入力装置530は、製造するスタンパ枚数などの製造条件や製造に必要な項目などを入力するものである。モニタ531は、装置の状態や条件などの表示、製造したスタンパの枚数の表示、入力時の支援画面の表示が可能である。
In addition, the
スタンパを製造するには、原盤103から原盤にあらかじめ描画された微細構造がスタンパに転写され、転写後スタンパを原盤103から剥離する転写剥離工程がある。
In order to manufacture the stamper, there is a transfer peeling process in which a fine structure previously drawn on the master disk is transferred from the
まず、転写剥離工程の転写工程前半の詳細な処理フローを、図4及び図5に基づいて説明する。図4は、原盤からスタンパを転写する転写処理フローの前半を示す。図5は、転写露光ユニット504の構造を示すと共に、図4に示す転写処理フローを図示化したものである。
First, a detailed processing flow in the first half of the transfer process of the transfer peeling process will be described with reference to FIGS. FIG. 4 shows the first half of the transfer processing flow for transferring the stamper from the master. FIG. 5 shows the structure of the
転写露光ユニット504は、原盤保持ベース104と、所定の微細構造パターンPを備える原盤103を原盤保持ベース104に吸着保持する真空ポンプ101とを有する。原盤保持ベース104は、その内部には空間を形成する原盤変形用チャンバ102が設けられており、空間内の圧力を制御することにより、原盤保持ベース面を凸状又は凹状に変形させることができる。この形状は、圧力により任意に調整可能である。
The
次に、転写処理フローを説明する。まず、原盤103を原盤保持ベース104にチャッキングして、原盤を原盤保持ベースに固定させ、原盤保持ベース104に真空ポンプ101で吸着保持させる(図4のS401、図5のS701(以下同順に示す))。このとき、原盤103のパターン面(表面)は、原盤保持ベース104に接触する面とは反対に向いている。原盤103の裏面および原盤保持ベース面は平滑であり、強固に原盤103と原盤保持ベース104を密着させることが出来る。
Next, the transfer process flow will be described. First, the
原盤保持ベース104内にある空間を真空ポンプ105で負圧とすることにより、原盤103と接触する原盤保持ベース104の接触面が凹状104aとなり、原盤は凸状の曲面となる(S402、S702)。原盤103は原盤保持ベース104より剛性が低く、また、負圧により強固に原盤保持ベース104に固定されているため、原盤保持ベース上の原盤103は凸103aとなる。この凹凸形状は、原盤103および原盤保持ベース104の弾性範囲内にて決定される。
When the space in the
基板搬送ステージ502にて、スタンパ基材109を凸状の原盤103a付近に移動する(S403、S702)。
In the
光硬化性のパターン形成樹脂(レジスト)108が滴下されたスタンパ基材109を転写露光ユニット504に搬入する(S404、S702)。滴下量は、パターン形成樹脂108の仕上がり面積と厚さから計算により規定される。
The
スタンパ基材109を均一に押圧することにより、凸状の原盤103aとスタンパ基材109に挟まれたパターン形成樹脂108は、中心部から周辺部へ徐々に押し広げられた状態108aになる(S405、S703)。このスタンパ基材109は、あらかじめパターン形成樹脂108aとの密着力を増す処理が行われている。
By uniformly pressing the
原盤103aの所定位置までパターン形成樹脂108aが広がっていること、及びパターン形成樹脂108aが変形した凸状の原盤103aに沿って充填されていることを確認する(S406、S704)。例えば、時間で管理し、一定時間経ったら凸状の原盤103aに沿って充填されているとする。凸状の原盤103aとスタンパ基材109に挟まれたパターン形成樹脂108aがさらに薄く広げられる。
It is confirmed that the
この時、パターン形成樹脂108aは、表面張力により凸状の原盤103aとスタンパ基材109を強く引き合わせ、お互いの面を密着させようとする力を発生させる。しかし、原盤103aは、負圧により強固に固定されているため、該引き合わせ力によって変形しない。これに対し、スタンパ基材109は、ただ単に載置されており固定されていないため、凸状の原盤103aに倣い凸状に変形する109a。ただし、スタンパ基材109aの曲率は、原盤103aとスタンパ基材109aの端部が接触、変形することによる弾性力の発生により、原盤103aの曲率より小さくなる。
At this time, the
この曲率差は、原盤面とスタンパ基材面間の空間高さの差を生じさせる。つまり、これに伴い、原盤中心から周辺へむけた緩やかな厚さ勾配を有し、凹形状の曲面を持つパターン形成樹脂108bにもたらす。この曲率の異なる原盤面とスタンパ基材面の間を、パターン形成樹脂108aはさらに濡れひろがる。規定した範囲にまでパターン形成樹脂が満たされることにより、中心部から周辺部に向け、厚さ勾配を持った、やや凸状の曲面を有する形状108bが形成される。
This difference in curvature causes a difference in space height between the master surface and the stamper base material surface. That is, along with this, the
次に、転写剥離工程の後半の工程を説明する。図6は、原盤103aからスタンパを剥離するまでの詳細な転写剥離処理フローの後半を示す。図7は、図6に示す転写剥離処理フローの後半を図示化したものである。
Next, the latter half of the transfer peeling step will be described. FIG. 6 shows the second half of the detailed transfer peeling process flow until the stamper is peeled off from the
規定した範囲にパターン形成樹脂108bがぬれ広がったことを確認した後、原盤保持ベース104の負圧を開放し、大気圧とする(S601、S705)。これにより、原盤保持ベース104は、元の平面を回復する。同じく、原盤も凸状の状態103aから平面状態103を回復する。
After confirming that the
しかし、この勾配を持ったパターン樹脂108bの厚さは、中心部で10um〜100um、周辺部で50um以下と非常に薄いため、流動性が阻害されている。このため、上述により形成されたパターン樹脂108bは、凸形状108bとは反対方向に凸状の厚さ勾配を有する、即ち凹形状108cとなり、その形状は一定時間保持される。この時パターン樹脂108cに転写された微細構造パターンPは、原盤103の平面状態の回復に伴い平面状態となる。また、スタンパ基材109もパターン樹脂108cに倣い、凹状の曲面を有する形状109bとなる。なお、長時間放置した場合、厚さ勾配は開放され、スタンパ基材も凹形状109bから元の平面状態109となる。
However, since the thickness of the
パターン形成樹脂の厚さ勾配が保たれている状態にて、UV光源116からUVを照射し、パターン形成樹脂108cを硬化108dさせる(S602、S706)。パターン形成樹脂108の硬化108dにより、平面となっている原盤103から微細構造パターンがパターン形成樹脂上に転写される。UV光源116はLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)もしくはHgランプにて行った。
In a state where the thickness gradient of the pattern forming resin is maintained, UV is irradiated from the UV
硬化後、原盤変形用チャンバ102に加圧エア105bを導入することにより、原盤保持ベース104を凸状の状態104bに変形させる。これに伴い、原盤保持ベース上の原盤103も凸状の状態103bとなり、密着していたパターン形成樹脂108dと原盤103bは、パターン形成樹脂108dとスタンパ基材109との間の密着力が強いので、剥離される(S603、S707)。
After curing, the
剥離後、凸状に変形させられていたスタンパ基材109bは、平面状態109を回復する。この原盤103bとの剥離により、表面張力により原盤103bとスタンパ基材109を結び付けていたパターン形成樹脂108dは、スタンパ基材109のみと密着することとなる。スタンパ基材109は、パターン形成樹脂108cと比較して剛性が高いため、平面状態への回復が可能となり、それに伴い、パターン形成樹脂108dは凸状の曲面を有する状態となる。
After peeling, the
前記剥離後、原盤保持ベース104の加圧を開放し、大気圧とする(S604、S708)。これにより、原盤保持ベース104は元の平面状態を回復する。同じく、原盤103も平面状態を回復する。平面状態となった原盤103は負圧により原盤保持ベース104に保持されつづける。
After the peeling, the pressurization of the
S708に示すように、平面状態のスタンパ基材109上に凸状の曲面を備えるパターン形成樹脂108dを有するスタンパ207が製造される。製造されたスタンパ207は、スタンパ待機場に移動して待機させる(S605)。
As shown in S708, the
ここで、図8に、上述したスタンパ製造装置500における原盤103の湾曲状態を示すため、原盤の表面高さをプロットしたグラフ800を示す。変形前の状態を801に、変形後の状態(4段階)を802〜805により示す。即ち、上記で説明した初期状態の原盤103は、グラフの曲線801の状態である。また、原盤保持ベース104の原盤変形用チャンバ102が真空排気されて凸形状に変形した状態の原盤S103a(S702参照)は、802〜803の状態である。さらに、原盤保持ベース104の原盤変形用チャンバ102が加圧されて凸形状に変形した状態の原盤S103b(図7のS707参照)は、804〜805の状態である。
Here, FIG. 8 shows a
このことから、原盤保持ベース104の凹形状、即ち被転写物の形状を、被転写物の材料に適した状態に合わせて、又は、被転写物の大きさに合わせて最適に変更することができる。
Therefore, the concave shape of the
以上の説明した実施例1では、原盤保持ベース104の内部空間の圧力を変えることにより、原盤103の形状を制御した。原盤保持ベース104を図5のS702に示すように初めから凸状の曲面を持たせ、原盤103との間にできる外部空間の圧力を変えることにより、原盤の形状を制御してもよい。
In the first embodiment described above, the shape of the
以上説明した実施例1によれば、被転写面に凸状の曲面に沿った微細構造パターンを有するスタンパを提供できる。 According to the first embodiment described above, it is possible to provide a stamper having a fine structure pattern along a convex curved surface on a transfer surface.
さらに、以上説明した実施例1によれば、被転写面に凸状の曲面に沿った微細構造パターンを有するスタンパを製造できるスタンパ製造装置及びその製造方法を提供できる。 Furthermore, according to Example 1 demonstrated above, the stamper manufacturing apparatus which can manufacture the stamper which has the fine structure pattern along a convex-shaped curved surface in a to-be-transferred surface, and its manufacturing method can be provided.
(実施例2)
次に、上述により製造したスタンパ100を用いて、ディスク基板等の被転写体に微細構造を転写する被転写体用の微細構造転写装置700の一実施例とその微細構造転写方法を説明する。
(Example 2)
Next, an embodiment of a fine
図2に、本発明の実施例2である被転写体用微細構造転写装置700の構成を示す。装置は主に、被転写物であるディスク基板109Dの移動するディスク供給マテハン702、ディスク基板109Dの表面に凹凸パターンを転写する転写部703、転写終了後にディスク基板109Dの移動を行うディスク排出用マテハン709を備えている。
FIG. 2 shows a configuration of a fine
また、被転写体用の微細構造転写装置700は、前述した各構成要素及び全体の制御を行う制御部720、入力装置730、モニタ731を備えて構成されている。入力装置730は、ディスク転写枚数などの製造条件や製造に必要な項目などを入力するものである。モニタ731は、装置の状態や条件などの表示、同一のスタンパで処理した累積処理枚数の表示、入力時の支援画面の表示が可能である。
Further, the fine
この被転写体用の微細構造転写装置700により、ディスク基板109Dに微細なパターンを形成する処理フローを、図9を用いて説明する。
A processing flow for forming a fine pattern on the
まず、転写前のディスク基板109Dは、両面に凹凸パターンを転写するために、ディスク供給マテハン702により、前ディスク待機場711から転写部703におけるディスク待機ステージ704に移動される(S901)。転写部703は、ディスク待機ステージ704、転写用マテハンユニット705、レジスト塗布ユニット706、転写露光ユニット707、剥離ユニット708及び撮像する撮像ユニット710を備えて構成される。撮像ユニット710は、レジスト塗布ユニット706から転写露光ユニット707へ搬送される途中のディスク基板109Dを撮像する。転写部703は、装置の設定生産能力により、単独または複数配置される。
First, the
ディスク待機ステージ704に移送されたディスク基板109Dは、転写用マテハンユニット705によりレジスト塗布ユニット706に移動し(S902)、ディスク基板109Dの両面にパターン形成樹脂(レジスト)110の塗布が行われる(S903)。この塗布方式には、スピンコートまたはインクジェットなどが用いられる。塗布終了後ディスク基板109Dは、スタンパおよび露光装置を実装された転写露光ユニット707に移動される(S904)。
The
移動の際、ディスク基板109Dは撮像ユニット710により撮像され(S905)、その画像が制御部720で処理されてディスク基板109Dの位置情報が取得され、転写露光ユニット707のスタンパ207u及び207d(図10のS101参照、以下両スタンパを表す時は207で示す)が、ディスク基板109Dの所望の位置と接触するように依頼ディスク基板109Dを加圧露光ユニット707へ設置する位置座標を決定する(S906)。
During the movement, the
スタンパ207の表面には微細構造パターンが形成されており、両面にパターン形成樹脂110が塗布されたディスク基板109Dと所望の位置にて密着させ、この状態でスタンパ207を介して露光光をパターン形成樹脂110に照射して露光を行う(S907)。この露光により前述のパターン形成樹脂110が固化し、スタンパ207の表面の微細構造パターンがディスク基板109Dの両面のパターン形成樹脂110に転写される。
A fine structure pattern is formed on the surface of the
次に、ディスク基板109Dを上側のスタンパ207uに密着させた状態で下側のスタンパ207dと分離し、上側のスタンパ207uに密着させた状態で転写用マテハンユニット705により、上側のスタンパ207uとディスク基板109Dとを剥離ユニット708に移送される(S908)。剥離ユニット708では、上側のスタンパ207uとディスク基板109Dとを分離する(S909)。上側のスタンパ207uから分離された表面のパターン形成樹脂層に微細構造体が形成されたディスク基板109Dを、転写部703から排出用マテハン709により排出し、転写完了ディスク待機場713に格納する(S910)。また、転写露光ユニット707に装着されているスタンパ207は、スタンパ待機ステージ712に格納されているスタンパと、排出用マテハン709により、適宜交換される。
Next, the
次に、転写部703の処理動作のより詳細なフローを、図10を用いて説明する。転写部703は、表面に微細構造パターンが形成されたスタンパ207をパターン形成樹脂110が塗布されたディスク基板109Dに密着させ、スタンパ207の表面の微細構造パターンをディスク基板109D上のパターン形成樹脂110に転写する。
Next, a more detailed flow of the processing operation of the
図2でも説明したように、転写部703は、主にレジスト塗布ユニット706、転写露光ユニット707、剥離ユニット708を備えて構成され、共通のベース板220上に設置されている。
まず、ディスク基板109Dは、制御部720のステージ制御ユニット721で制御される転写用マテハンユニット705により、ディスク待機ステージ704からレジスト塗布ユニット706における回転塗布用のスピンドル203上に設置される。スピンドル203は、パターン形成樹脂110が飛散するのを防止するために、防護壁201で周囲を囲われている。その後、制御部720の塗布制御ユニットで制御してスピンドル203を回転させつつ、図示していないディスペンサからパターン形成樹脂110をディスク基板109Dの両面に塗布し、ディスク基板109Dの両面にパターン形成樹脂110の薄膜を形成させる(S101)。
As described with reference to FIG. 2, the
First, the
パターン形成樹脂110の薄膜が形成されたディスク基板109Dを、転写用マテハンユニット705により転写露光ユニット707に移動する。転写露光ユニット707は上面加圧密着ユニット205、上面バックアップガラス206、上面UV露光ユニット214、上面加圧密着ユニット205に取り付けられた上面スタンパ207u、下面加圧密着ユニット208、下面バックアップガラス209、下面UV露光ユニット215、下面加圧密着ユニット208に取り付けられた下面スタンパ207dを備えて構成され、基台211の上に設置されている。パターン形成樹脂110の薄膜が形成されたディスク基板109Dは、上面スタンパ207uと下面スタンパ207dの間に導入される(S102)。
The
その後、上面加圧密着ユニット205が駆動手段(図5参照)で駆動されて下降し、上面スタンパ207uと下面スタンパ207dに挟まれたディスク基板109Dは、上面スタンパ207u及び下面スタンパ207dと密着する。上面スタンパ207u及び下面スタンパ207dの表面には、微細構造パターンが形成されている。両面にパターン形成樹脂110が塗布されたディスク基板109Dと密着した状態で、上面UV露光ユニット214と下面UV露光ユニット215とから発射したUV光(Ultra Violet Light:紫外光)を上面スタンパ207u及び下面スタンパ207dを透過させて、パターン形成樹脂110に照射して露光する。この露光により、前述のパターン形成樹脂110が固化し、スタンパ表面の微細構造パターンがディスク基板の両面に転写される。このUV光は、複数のLED216を光源として発射される(S103)。
Thereafter, the upper surface
上面スタンパ207u及び下面スタンパ207dに形成されている微細構造パターンが転写されたディスク基板109Dは、転写用マテハンユニット705により剥離ユニット708に移動する際に、後述するように下面スタンパ207dから剥離され、上面スタンパ207u側に密着された状態となる。剥離ユニット708への移動完了後、基台212上に設置されたディスク固定具213を用い、転写されたディスク基板109Dを固定する。その後、駆動手段で上面加圧密着ユニット205を上昇させることにより、上面スタンパ207uと微細構造パターンが転写されたディスク基板109Dを分離する(S104)。
The
上面スタンパ207uから分離されたディスク基板109Dは、転写用マテハンユニット705により剥離ユニット708から取り出され、転写完了ディスク待機場113に格納される。
The
次に、図9におけるS907のステップ、すなわち、ディスク基板109Dの両面にスタンパ207のパターンを転写露光する工程、即ち、図10のS103の工程を、図11及び図12を用いて詳細に説明する。図11は、転写露光工程の処理フローを示す図である。図12は、図11に示す転写露光工程の処理フローを図示化した図である。ちなみに上面加圧密着ユニット205と下面加圧密着ユニット208は、基本的には同一の機構であるので、上面加圧密着ユニット205を用いて説明する。
Next, the step of S907 in FIG. 9, that is, the step of transferring and exposing the pattern of the
上面加圧密着ユニット205は、上面スタンパ207u、スタンパ弾性体で形成されたスタンパを球面化するための球面化用弾性体303、加圧ベース304、加圧用弾性体305、上面バックアップガラス206、上面UV露光ユニット214を備えている。ここで、球面化弾性体303の上面スタンパ207uの側の面と、加圧用弾性体305の上面スタンパ207uの側の面とは、高さが同じか又は加圧用弾性体305のほうが少し低い状態になっている。また、球面化弾性体303は、加圧用弾性体305よりも柔らかい(弾性率が高い)材料で形成されている。
The upper surface pressing
まず、撮像ユニット710で撮像して得たディスク基板109Dの画像を、制御部720のアライメント制御ユニットで処理する。制御部720は、処理結果で得られたディスク基板109Dの位置情報に基づいて転写用マテハンユニット705を制御し、パターン形成樹脂(レジスト)110が塗布されたディスク基板109Dと上面スタンパ207uとの位置関係が所定の状態になるように、ディスク基板109Dを露光転写ユニット707に配置する(S111、図12のS121(以下同順に示す))。
First, the image of the
次に、上面スタンパ207uの背面(微細構造パターンが形成されていない側の面)の空間を、真空排気手段320により真空排気して微負圧(-5〜-15kPaG程度)にする。この結果、上面スタンパ207uは大気圧との差圧力で吸い寄せられ、上面スタンパ207uの外周部付近が弾性体で形成された球面化弾性体303に押し付けられ、上面加圧密着ユニット205に保持される(S112、図10のS121)。なお、真空排気手段320は、真空配管322で接続された真空排気ポンプ321と真空計323とを備えて構成される。
Next, the space on the back surface (the surface on which the fine structure pattern is not formed) of the
次に、真空計323で圧力を監視しながら真空排気手段320により真空排気し、上面スタンパ207uの背面の空間307の圧力を更に低下させる。ここで球面化弾性体303は弾性体で形成されているため、上面スタンパ207uの背面の空間307の圧力が低下すると、それによって生じる大気圧との差圧力に応じて球面化弾性体303は、上面スタンパ207uの周辺部により押されて圧縮され変形する(S113、S122)。
Next, while the pressure is monitored by the
一方、上面スタンパ207uの中心部付近は、加圧用弾性体305と接触する。加圧用弾性体305は、大気圧との差圧力に応じて、上面スタンパ207uの中心部付近により押し付けられて圧縮し変形する。このとき、球面化弾性体303は、加圧用弾性体305よりも柔らかい(弾性率が高い)材料で形成されており、真空を保持しつつ機械的に移動する。そのために、ディスク基板109Dの周辺部と接触している球面化弾性体303の方が、加圧用弾性体305より変形量が大きくなる。上面スタンパ207uは、ディスク基板109D側に凸状に変形する。この凸状の形状は、被転写面に設けられた微細構造パターンPを有するパターン形成樹脂108dも凸状であるために、より急峻な凸状の曲面になる(S113、S122)。
On the other hand, the vicinity of the center portion of the
上面スタンパ端面の変形は、パターンPがより急峻な凸状であるために、大きくする必要がなく、スタンパの破壊される可能性は大幅に低下する。 The deformation of the end face of the upper stamper does not need to be increased because the pattern P has a steeper convex shape, and the possibility that the stamper is destroyed is greatly reduced.
なお、この上面スタンパ207uの背面の空間307の圧力は、-10kPa〜-90kPa程度で、パターン面積およびスタンパ材質により最適値を決定する。本実施例では−20kPa〜−60kPaにて変形させた。
The pressure in the
次に、駆動機構310は、上面加圧密着ユニット205を駆動し、加圧ベース304をディスク基板109D方向へ移動させ、凸状態のスタンパ207uをディスク基板109Dに接触し、密着させる(S114、S123)。このとき、駆動機構310は、トルクセンサ313でモータ311の出力し、駆動軸312を介して上面加圧密着ユニット205を駆動する。
Next, the drive mechanism 310 drives the upper surface
上面スタンパ207uは凸状態のため、ディスク基板109Dの中心部から外周部に向かって順次接触し、接触面を順次周囲に広げていく。この時、順次接触していく途中から、空間307の負圧を開放して大気圧にし、S122に示す急峻な凸状の曲面を緩和し、上面スタンパの端部が、パターン形成樹脂の端部側に接触し易くする(S115、S124)。
このとき、ディスク基板109D端は、上面スタンパ207u面が急峻になっているために、上面スタンパと接触していなく、気泡の巻き込みを減少することができる。
Since the
At this time, the end of the
ディスク基板109Dへの所定微細構造パターンの転写を得るために、駆動機構310により上面加圧密着ユニット205を駆動し、加圧ベース304をさらに下げ、上面スタンパ207u背面を加圧する。この加圧によりスタンパ基材109(図7のS708参照)が変形し、被転写物であるディスク基板109Dにならう(S116、S125)。従って、被転写体であるディスク基板109Dの剛性をスタンパ基材109より高くする必要がある。
In order to obtain the transfer of the predetermined fine structure pattern to the
本状態は、図7のS706に示すスタンパ207を作成する際に、原盤103と接触していた状態である。即ち、スタンパ207を製造するとき時は、スタンパの役目をする原盤103は平板状態であり、被転写体であるスタンパ基材109(パターン形成樹脂108d)は曲面状態である。逆に、図12のS125に示すように、上面スタンパ207uのスタンパ基材109Dが曲面状態であり、被転写体であるディスク基板109D(パターン形成樹脂110)が平板状態である。
This state is a state in which the
従って、ディスク基板109Dに転写された微細構造パターンは、原盤103が有する微細構造パターンPと同一となる。即ち、図12のS125に示すように、スタンパ207が原盤103に接触していた状態が被転写物 (ディスク基板109D)上にて再現される。
Therefore, the fine structure pattern transferred to the
従って、S116(S125)後、この密着した状態にてUV光116を露光し、パターン形成樹脂110を硬化させ、被転写物の表面に原盤103の表面と同一の所定の微細構造パターンが形成される(S117、S125)。
Therefore, after S116 (S125), the
最後に、駆動機構310で上面加圧密着ユニット205上昇,後退させ、上面スタンパ207uとディスク基板109D(被転写体)を剥離し(S118、S127)、ディスク基板109Dを取り出す。ディスク基板表面には、スタンパにより微細構造パターンが形成されている。
Finally, the upper surface
以上の説明では、図12のS121に示す区間307を負圧にし、スタンパ207を凸状にしたが、スタンパ上のパターン形成樹脂108dの凸状の曲面形状によっては、負圧にせず、直接上面加圧密着ユニットを下降させて、転写するようにしてもよい。
In the above description, the
以上説明した実施例2によれば、転写部が凸状のスタンパを用いることで、スタンパ端面の変形を抑えることができるので、被転写体用微細構造転写装置を大きくすることなく、ディスク基板等の被転写体に微細構造を転写できる。 According to the second embodiment described above, the use of a stamper having a convex transfer portion can suppress the deformation of the stamper end face. The fine structure can be transferred to the object to be transferred.
また、以上説明した実施例2によれば、転写部が凸状のスタンパを用いることで、スタンパ端面が球面化弾性体と接触しないで、被転写体に微細構造を転写できるので、スタンパの破壊の可能性を大幅に低減でき、信頼性の高い微細構造転写方法を提供できる。 Further, according to the second embodiment described above, the stamper breaks the stamper by using the stamper having the convex shape so that the stamper end face does not contact the spherical elastic body and the fine structure can be transferred to the transfer target. Therefore, it is possible to provide a highly reliable fine structure transfer method.
さらに、以上説明した実施例2によれば、転写部が凸状のスタンパを用いることで、接触面を順次周囲に広げていき、気泡の巻き込みを減少することができる。 Further, according to the second embodiment described above, by using a stamper having a convex transfer portion, the contact surface can be gradually spread to the periphery, and the entrainment of bubbles can be reduced.
101;真空ポンプ 102:原盤変形用チャンバ
103:原盤 104:原盤保持ベース
105:真空ポンプ
108、108a、108b、108c、108d:パターン形成樹脂
109:スタンパ基材 109D:ディスク基板
110:パターン形成樹脂 116:UV光源
205:上面加圧密着ユニット 206:上面バックアップガラス
207、207d、207u:スタンパ 208:下面加圧密着ユニット
209:下面バックアップガラス 214:上面UV露光ユニット
215:下面UV露光ユニット 216:LED
310:駆動機構 320:真空排気手段
500:スタンパ製造装置 502:基板搬送ステージ
503:ノズル 504:転写露光ユニット
505:微細構造が転写されたスタンパ基板を載せる基板搬送ステージ
506:スタンパ待機場 520:スタンパ製造装置の制御装置
700:被転写体用の微細構造転写装置 702:ディスク供給マテハン
703:転写部 704:ディスク待機ステージ
705:転写用マテハンユニット 706:レジスト塗布ユニット
707:転写露光ユニット 708:剥離ユニット
709:ディスク排出用マテハン 710:撮像ユニット
711:前ディスク待機場 712:スタンパ待機ステージ
713:転写完了ディスク待機場 720:制御部
P:微細構造パターン
101: Vacuum pump 102: Master disk deformation chamber 103: Master disk 104: Master disk holding base 105:
310: Drive mechanism 320: Vacuum evacuation means 500: Stamper manufacturing apparatus 502: Substrate transport stage 503: Nozzle 504: Transfer exposure unit 505: Substrate transport stage on which a stamper substrate onto which a fine structure has been transferred is placed 506: Stamper standby area 520: Stamper Manufacturing device control device 700: Fine structure transfer device for transfer target 702: Disc supply material handling 703: Transfer section 704: Disc standby stage 705: Transfer material handling unit 706: Resist coating unit 707: Transfer exposure unit 708: Stripping unit 709: Material ejection for disk ejection 710: Imaging unit 711: Front disk standby field 712: Stamper standby stage 713: Transfer completion disk standby field 720: Control unit P: Fine structure pattern
Claims (11)
該パターンが片面に形成された原盤を保持する原盤保持ベースと、
前記原盤を、凸状の曲面に変形させ、元の状態に戻すことが可能な原盤変形手段と、
前記パターン形成樹脂が塗布された前記スタンパ基材に、前記スタンパ基材とは反対側に前記凸状の曲面を有する前記原盤を押し付けて、前記微細構造パターンを転写して凸状の曲面に沿った転写微細構造パターンを形成し、前記原盤が元の状態に戻った状態で前記転写微細構造パターンを露光する転写露光ユニットと、
前記転写微細構造パターンを前記原盤の前記微細構造パターンから剥離する剥離ユニットと、
を有し、前記スタンパ基材に前記転写微細構造パターンを有するスタンパを製造することを特徴とするスタンパ製造装置。 An application unit for applying a pattern forming resin to a stamper substrate;
A master holding base for holding a master on which the pattern is formed on one side;
A master deforming means capable of deforming the master into a convex curved surface and returning it to the original state;
The master disk having the convex curved surface on the opposite side of the stamper base is pressed against the stamper base coated with the pattern forming resin, and the fine structure pattern is transferred along the convex curved surface. A transfer exposure unit for forming the transfer microstructure structure pattern, and exposing the transfer microstructure structure pattern in a state in which the master has returned to its original state;
A peeling unit for peeling the transfer fine structure pattern from the fine structure pattern of the master;
And a stamper manufacturing apparatus for manufacturing a stamper having the transferred fine structure pattern on the stamper base material.
前記原盤を保持する前記原盤保持ベースの保持面は凸状の曲面に変形可能であり、
前記変形手段は、前記原盤保持ベースの内部に設けた内部空間と、前記空間内の圧力を制御する圧力制御手段と備える、
ことを特徴とするスタンパ製造装置。 The stamper manufacturing apparatus according to claim 2,
The holding surface of the master holding base that holds the master can be transformed into a convex curved surface,
The deformation means includes an internal space provided inside the master holding base, and pressure control means for controlling the pressure in the space.
The stamper manufacturing apparatus characterized by the above-mentioned.
前記原盤を保持する保持面は凸状の曲面を有し、変形可能であり、
前記変形手段は、前記保持面と前記原盤とで形成される外部空間の圧力を制御する圧力制御手段と備える、
ことを特徴とするスタンパ製造装置。 The stamper manufacturing apparatus according to claim 2,
The holding surface for holding the master disc has a convex curved surface and is deformable,
The deformation means includes pressure control means for controlling the pressure of an external space formed by the holding surface and the master.
The stamper manufacturing apparatus characterized by the above-mentioned.
前記変形手段は、前記内部空間又は前記外部空間を前記スタンプ基材側に凸状にする圧力制御手段を備えることを特徴とするスタンパ製造装置。 The stamper manufacturing apparatus according to claim 3 or 4,
The stamper manufacturing apparatus, wherein the deforming means includes pressure control means for projecting the internal space or the external space toward the stamp base material.
微細構造パターンが片面に形成された原盤を原盤保持ベースの保持する原盤保持ステップと、
前記原盤を、前記片面とは反対側に第1の凸状の曲面形状に変形させる第1の原盤凸状変形ステップと、
前記パターン形成樹脂が塗布された前記スタンパ基材に、前記凸状の曲面形状を有する前記原盤を押し付けて、塗布された前記パターン形成樹脂に前記微細構造パターンを転写する転写ステップと、
前記転写した状態で前記原盤を元の状態に戻す原盤復帰ステップと、
該原盤復帰ステップ後、前記転写微細構造パターンを露光する露光ステップと、
該露光ステップ後、前記転写微細構造パターンを前記原盤の前記パターンから剥離する剥離ステップと、
を有し、前記スタンパ基材に第2の凸状の曲面形状に沿った前記転写微細構造パターンを有するスタンパを製造することを特徴とするスタンパ製造方法。 An application step of applying a pattern forming resin to the stamper substrate;
A master holding step for holding a master on which a fine structure pattern is formed on one side by a master holding base;
A first master convex deformation step for deforming the master into a first convex curved surface on the side opposite to the one side;
A transfer step of pressing the master having the convex curved shape onto the stamper base material to which the pattern forming resin is applied, and transferring the fine structure pattern to the applied pattern forming resin;
A master return step for returning the master to the original state in the transferred state;
An exposure step of exposing the transferred fine structure pattern after the master return step;
After the exposure step, a peeling step for peeling the transfer microstructure pattern from the pattern of the master,
And a stamper having the transfer fine structure pattern along the second convex curved surface shape is manufactured on the stamper base material.
該露光ステップ後、前記原盤を前記スタンパ基材側に第3の凸状の曲面形状に変形させる第2の原盤凸状変形ステップと備え、
前記剥離ステップは、該第2の原盤凸状変形ステップ後に行うことを特徴とするスタンパ製造方法。 The stamper manufacturing method according to claim 6, wherein
After the exposure step, a second master disk convex deformation step for deforming the master disk into a third convex curved surface shape on the stamper base side,
The stamper manufacturing method, wherein the peeling step is performed after the second master disk convex deformation step.
表面に第2のパターン形成樹脂で形成された凸状の曲面形状に沿って微細構造パターンが形成されたスタンパを、前記第1のパターン形成樹脂に押し当て、前記第2のパターン形成樹脂と前記第1のパターン形成樹脂との接触面を順次周囲に広げて前記微細構造パターンを転写する第1の転写ステップと、
前記微細構造パターンが平面状になった所定微細構造パターンを得るように、前記スタンパを前記第1のパターン形成樹脂に、さらに押し当てる第2の転写ステップと、
前記第2の転写ステップ後に、前記微細所定パターンを露光する露光ステップと、
該露光ステップ後、前記微細所定パターンを前記スタンパから剥離する剥離ステップと、
を有し、前記被写体に前記微細所定パターンを転写することを特徴とする微細構造転写方法。 An application step of applying a first pattern forming resin to a transfer object;
A stamper having a microstructure pattern formed along a convex curved surface formed of a second pattern forming resin on the surface is pressed against the first pattern forming resin, and the second pattern forming resin and the A first transfer step of transferring the fine structure pattern by sequentially spreading the contact surface with the first pattern forming resin to the periphery; and
A second transfer step of further pressing the stamper against the first pattern forming resin so as to obtain a predetermined fine structure pattern in which the fine structure pattern is planar;
An exposure step of exposing the fine predetermined pattern after the second transfer step;
A peeling step for peeling the fine predetermined pattern from the stamper after the exposure step;
And transferring the predetermined fine pattern to the subject.
前記第1の転写ステップの後であって、前記第1の転写ステップの実施中に、前記急峻な凸状の曲面形状を緩和する緩和ステップと、
を有することを特徴とする請求項8に記載の微細構造転写方法。 Before the first transfer step, a curved surface forming step for making the fine structure pattern of the stamper a steeper convex curved surface shape;
A relaxation step for relaxing the steep convex curved surface shape after the first transfer step and during the execution of the first transfer step;
The fine structure transfer method according to claim 8, comprising:
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|
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| A977 | Report on retrieval |
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