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JP2014055839A - Current detector - Google Patents

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JP2014055839A
JP2014055839A JP2012200489A JP2012200489A JP2014055839A JP 2014055839 A JP2014055839 A JP 2014055839A JP 2012200489 A JP2012200489 A JP 2012200489A JP 2012200489 A JP2012200489 A JP 2012200489A JP 2014055839 A JP2014055839 A JP 2014055839A
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JP
Japan
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current
bus bar
magnetic detection
substrate
magnetic
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Pending
Application number
JP2012200489A
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Japanese (ja)
Inventor
Masaru Suami
勝 須網
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Toyota Industries Corp
Original Assignee
Toyota Industries Corp
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Publication date
Application filed by Toyota Industries Corp filed Critical Toyota Industries Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a current detector capable of detecting a large current while avoiding oversizing.SOLUTION: The current detector includes: a bus bar 44 where a current flows, cross-section of which is formed flat; a substrate 41 on which a notch 41a that at least a part of the bus bar 44 is inserted into and penetrates is formed; and ICs for magnetic detection 42, 43 which are installed on the substrate 41 and detect a magnetic flux generated around the bus bar 44 due to the current flowing in the bus bar 44. The ICs for magnetic detection 42, 43 are arranged, shifted from a center of the bus bar 44 in a cross-sectional longitudinal direction.

Description

本発明は、電流検出装置に関するものである。   The present invention relates to a current detection device.

導線およびセンサチップを同一基板に搭載して磁電変換回路の出力を飽和させることなく大電流を検出する方式として、特許文献1においては、被検出電流を二等分に分流させ、センサチップを二等分された中央に配置することにより、磁界が減衰される。二等分に分流した電流をさらに分流させ、その電流値を磁気抵抗効果素子にて検出する。検出した電流値から、おのおのの分流比に応じて乗算して被検出電流値が算出される。   As a method for detecting a large current without saturating the output of the magnetoelectric conversion circuit by mounting the conducting wire and the sensor chip on the same substrate, in Patent Document 1, the current to be detected is divided into two equal parts, and the sensor chip is divided into two parts. The magnetic field is attenuated by placing it in the equally divided center. The current divided into two equal parts is further divided, and the current value is detected by the magnetoresistive element. The detected current value is calculated by multiplying the detected current value according to the respective shunt ratios.

特開2011−38874号公報JP 2011-38874 A

しかし、導線および磁気検出素子を同一基板上に配置して導線を分流させると基板が大型化する。
そこで、磁気検出素子だけを基板に搭載して導線および磁気検出素子を切り離し、導線と磁気検出素子との間の距離を小さくすることが望まれている。また、大電流化すると磁気検出素子が大型化するとともに磁気検出素子を搭載する基板も大型化する。
However, if the conducting wire and the magnetic detection element are arranged on the same substrate and the conducting wire is divided, the substrate becomes large.
Therefore, it is desired to mount only the magnetic detection element on the substrate and to separate the conductive wire and the magnetic detection element to reduce the distance between the conductive wire and the magnetic detection element. Further, when the current is increased, the magnetic detection element is increased in size and the substrate on which the magnetic detection element is mounted is also increased in size.

本発明の目的は、大型化を回避しつつ大きな電流を検出することができる電流検出装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a current detection device capable of detecting a large current while avoiding an increase in size.

請求項1に記載の発明では、断面が扁平な形状をなし、電流が流れる導線と、前記導線の少なくとも一部が貫通する状態で挿入される挿入部が形成された基板と、前記基板に搭載され、前記導線を流れる電流により前記導線のまわりに発生する磁束を検出する磁気検出素子と、を有し、前記磁気検出素子は、前記導線の断面長手方向における中央からずらして配置されていることを要旨とする。   According to the first aspect of the present invention, the cross section has a flat shape, a conductive wire through which an electric current flows, a substrate on which at least a part of the conductive wire is inserted, and a substrate formed on the substrate. And a magnetic detection element that detects a magnetic flux generated around the conductive wire due to a current flowing through the conductive wire, and the magnetic detection element is arranged to be shifted from the center in the longitudinal direction of the cross section of the conductive wire. Is the gist.

請求項1に記載の発明によれば、基板に形成された挿入部に、導線の少なくとも一部が貫通する状態で挿入され、基板に搭載された磁気検出素子により、導線を流れる電流により導線のまわりに発生する磁束が検出されるので、導線と磁気検出素子との間の距離を小さくでき、コンパクト化できる。また、導線は断面が扁平な形状をなし、磁気検出素子は、導線の断面長手方向における中央からずらして配置されるので、磁気検出素子が、導線の断面長手方向における中央に配置される場合に比べて、大電流を流して検出することができる。よって、大型化を回避しつつ大きな電流を検出することができる。   According to the first aspect of the present invention, at least a part of the conducting wire is inserted into the insertion portion formed on the substrate, and the magnetic detection element mounted on the substrate causes the current of the conducting wire to be generated by the current flowing through the conducting wire. Since the magnetic flux generated around is detected, the distance between the conducting wire and the magnetic detection element can be reduced and the size can be reduced. In addition, the conducting wire has a flat cross section, and the magnetic detection element is arranged to be shifted from the center in the longitudinal direction of the cross section of the conducting wire, so that the magnetic sensing element is arranged in the center in the longitudinal direction of the cross section of the conducting wire. In comparison, it can be detected by flowing a large current. Therefore, a large current can be detected while avoiding an increase in size.

請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の電流検出装置において、前記磁気検出素子は、一対よりなり、前記挿入部を挟むように前記基板に配置されることを要旨とする。
請求項2に記載の発明によれば、一対の磁気検出素子が挿入部を挟むように基板に配置される。よって、それぞれ逆方向の磁束を検出するので外部ノイズをキャンセルすることができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the current detection device according to the first aspect, wherein the magnetic detection elements are a pair and are arranged on the substrate so as to sandwich the insertion portion.
According to invention of Claim 2, a pair of magnetic detection element is arrange | positioned at a board | substrate so that an insertion part may be pinched | interposed. Therefore, since the magnetic flux in the opposite direction is detected, the external noise can be canceled.

請求項3に記載の発明では、請求項1または2に記載の電流検出装置において、前記導線は、断面長手方向における前記挿入部に挿入される部位から一部が前記挿入部の外部に突出していることを要旨とする。   According to a third aspect of the present invention, in the current detection device according to the first or second aspect, a part of the conducting wire protrudes from the portion inserted into the insertion portion in the longitudinal direction of the cross section to the outside of the insertion portion. It is a summary.

請求項3に記載の発明によれば、突出する量と磁気検出素子との位置関係を調整することで導線に流す電流の自由度が増す。
請求項4に記載の発明では、請求項3に記載の電流検出装置において、突出する量は電流値に応じて決められることを要旨とする。
According to the third aspect of the present invention, the degree of freedom of the current flowing through the conducting wire is increased by adjusting the positional relationship between the protruding amount and the magnetic detection element.
According to a fourth aspect of the present invention, in the current detection device according to the third aspect, the protruding amount is determined according to the current value.

請求項4に記載の発明によれば、突出する量を電流値に応じて調整して電流を検出することができる。   According to the invention described in claim 4, it is possible to detect the current by adjusting the protruding amount according to the current value.

本発明によれば、大型化を回避しつつ大きな電流を検出することができる。   According to the present invention, a large current can be detected while avoiding an increase in size.

(a)は電流検出装置の平面図、(b)は電流検出装置の正面図。(A) is a top view of an electric current detection apparatus, (b) is a front view of an electric current detection apparatus. (a)は電流検出装置の平面図、(b)は電流検出装置の正面図、(c)は(b)のA−A線での断面図。(A) is a top view of an electric current detection apparatus, (b) is a front view of an electric current detection apparatus, (c) is sectional drawing in the AA of (b). 電流検出装置の正面図。The front view of an electric current detection apparatus. インバータの回路構成図。The circuit block diagram of an inverter. インバータの一部回路構成図。The partial circuit block diagram of an inverter. 扁平率と磁束密度の関係を示す特性図。The characteristic view which shows the relationship between flatness and magnetic flux density. 電流検出装置の正面図。The front view of an electric current detection apparatus.

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
なお、図1,2,3,7において、水平面を、直交するX,Y方向で規定するとともに、上下方向をZ方向で規定している。
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of the invention will be described with reference to the drawings.
1, 2, 3 and 7, the horizontal plane is defined by the orthogonal X and Y directions, and the vertical direction is defined by the Z direction.

図4に示すように、車載用インバータ(三相インバータ)10は、インバータ回路20と制御部30を備えている。インバータ回路20の入力側には直流電源としてのバッテリ(高電圧バッテリ)50が接続されるとともに、出力側にはモータ(走行モータ等)60が接続されている。モータ60には3相交流モータが使用されている。インバータ回路20は、6個のスイッチング素子Q1〜Q6が設けられている。各スイッチング素子Q1〜Q6には、IGBT(絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ)が使用されている。なお、スイッチング素子としてパワーMOSFETを使用してもよい。   As shown in FIG. 4, the in-vehicle inverter (three-phase inverter) 10 includes an inverter circuit 20 and a control unit 30. A battery (high voltage battery) 50 as a DC power source is connected to the input side of the inverter circuit 20, and a motor (running motor or the like) 60 is connected to the output side. As the motor 60, a three-phase AC motor is used. The inverter circuit 20 is provided with six switching elements Q1 to Q6. IGBTs (insulated gate bipolar transistors) are used for the switching elements Q1 to Q6. A power MOSFET may be used as the switching element.

インバータ回路20において、第1および第2のスイッチング素子Q1,Q2、第3および第4のスイッチング素子Q3,Q4、第5および第6のスイッチング素子Q5,Q6がそれぞれ直列に接続されている。そして、第1、第3および第5のスイッチング素子Q1,Q3,Q5が、直流電源としてのバッテリ50のプラス端子側に接続され、第2、第4および第6のスイッチング素子Q2,Q4,Q6が、バッテリ50のマイナス端子側に接続されている。   In the inverter circuit 20, the first and second switching elements Q1, Q2, the third and fourth switching elements Q3, Q4, and the fifth and sixth switching elements Q5, Q6 are connected in series, respectively. The first, third, and fifth switching elements Q1, Q3, and Q5 are connected to the positive terminal side of the battery 50 as a DC power source, and the second, fourth, and sixth switching elements Q2, Q4, and Q6 are connected. Is connected to the negative terminal side of the battery 50.

U相用の上下のアームを構成するスイッチング素子Q1,Q2の間の接続点はモータ60のU相端子に、V相用の上下のアームを構成するスイッチング素子Q3,Q4の間の接続点はモータ60のV相端子に、W相用の上下のアームを構成するスイッチング素子Q5,Q6の間の接続点はモータ60のW相端子に、それぞれ接続されている。そして、インバータ10により、モータ60の各相の巻線に交流電流が供給されてモータ60が駆動される。   The connection point between the switching elements Q1, Q2 constituting the upper and lower arms for the U phase is at the U phase terminal of the motor 60, and the connection point between the switching elements Q3, Q4 constituting the upper and lower arms for the V phase is Connection points between the switching elements Q5 and Q6 constituting the upper and lower arms for the W phase are connected to the V phase terminal of the motor 60 and the W phase terminal of the motor 60, respectively. The inverter 10 supplies an alternating current to the windings of each phase of the motor 60 to drive the motor 60.

インバータ回路20とモータ60との間には3つの電流検出装置(電流センサ)40が設けられている。各電流検出装置40はモータ60に供給されるU,V,Wの各相の電流値を検出する。   Three current detection devices (current sensors) 40 are provided between the inverter circuit 20 and the motor 60. Each current detection device 40 detects the current value of each phase of U, V, and W supplied to the motor 60.

制御部30には各スイッチング素子Q1〜Q6のゲートが接続されている。制御部30は駆動信号を各スイッチング素子Q1〜Q6のゲートに出力する。これにより、インバータ回路20はバッテリ50から供給される直流を適宜の周波数の3相交流に変換してモータ60に出力する。また、制御部30には各電流検出装置40が接続されている。そして、制御部30は、各電流検出装置40の検出信号に基づいて、モータ60への目標電流となるように各スイッチング素子Q1〜Q6を制御する。   The control unit 30 is connected to the gates of the switching elements Q1 to Q6. Control unit 30 outputs a drive signal to the gates of switching elements Q1 to Q6. As a result, the inverter circuit 20 converts the direct current supplied from the battery 50 into a three-phase alternating current having an appropriate frequency and outputs it to the motor 60. In addition, each current detection device 40 is connected to the control unit 30. And the control part 30 controls each switching element Q1-Q6 so that it may become the target electric current to the motor 60 based on the detection signal of each electric current detection apparatus 40. FIG.

各電流検出装置40は図2に示す構成となっている。図2において、電流検出装置40(電流センサ)は、箱型のケース45を備えている。ケース45の内部において、基板41と、磁気検出素子としての磁気検出用IC42,43が配置されている。図1にはケース45内の基板41と磁気検出用IC42,43を示す。つまり、ケース45の内部構成を図1に示す。   Each current detection device 40 has a configuration shown in FIG. In FIG. 2, the current detection device 40 (current sensor) includes a box-shaped case 45. Inside the case 45, a substrate 41 and magnetic detection ICs 42 and 43 as magnetic detection elements are arranged. FIG. 1 shows a substrate 41 and magnetic detection ICs 42 and 43 in a case 45. That is, the internal configuration of the case 45 is shown in FIG.

図1において基板41は全体形状として長方形をなしている。基板41は、立設した状態、即ち、X−Z平面において配置された状態で使用される。基板41には、挿入部としての切欠部41aが形成されている。切欠部41aは、図1(b)に示すように長方形状をなしている。切欠部41aは、長方形の基板41における一方の辺、具体的には、図1(b)における左の辺において開口している。基板41の切欠部41aに導線としてのバスバー44が通っている。バスバー44は断面形状が長方形状をなしている。即ち、バスバー44は断面が扁平な形状をなし、電流が流れる。バスバー44は水平面(X−Y面)に配置され、Y方向に延設されている。ここで、バスバー44は、図1(b)に示すように、断面長手方向の寸法がaであり、断面短手方向の寸法がbである。具体的には、a=10mm、b=2mmである。バスバー44には約300アンペアが流れる。このように、基板41は、バスバー44の少なくとも一部が貫通する状態で挿入される挿入部としての切欠部41aが形成されている。   In FIG. 1, the substrate 41 has a rectangular shape as a whole. The substrate 41 is used in an upright state, that is, in a state of being arranged in the XZ plane. The substrate 41 has a notch 41a as an insertion portion. The notch 41a has a rectangular shape as shown in FIG. The notch 41a is open on one side of the rectangular substrate 41, specifically, on the left side in FIG. A bus bar 44 as a conducting wire passes through the notch 41 a of the substrate 41. The bus bar 44 has a rectangular cross-sectional shape. That is, the bus bar 44 has a flat cross section, and a current flows. The bus bar 44 is disposed on a horizontal plane (XY plane) and extends in the Y direction. Here, as shown in FIG. 1B, the bus bar 44 has a dimension in the cross-sectional longitudinal direction of “a” and a dimension in the cross-sectional short direction of “b”. Specifically, a = 10 mm and b = 2 mm. Approximately 300 amps flow through the bus bar 44. Thus, the substrate 41 is formed with a notch 41a as an insertion portion to be inserted in a state where at least a part of the bus bar 44 penetrates.

基板41における一方の面には磁気検出用IC42,43が実装されている。磁気検出用IC42,43は、GMR素子(Giant Magneto Resistance;巨体磁気抵抗素子)を信号処理回路と共にパッケージして構成されている。このように、磁気検出素子としての磁気検出用IC42,43が基板41に搭載され、バスバー44を流れる電流によりバスバー44のまわりに発生する磁束を検出する。   Magnetic detection ICs 42 and 43 are mounted on one surface of the substrate 41. The magnetic detection ICs 42 and 43 are configured by packaging GMR elements (Giant Magneto Resistance) together with signal processing circuits. As described above, the magnetic detection ICs 42 and 43 as the magnetic detection elements are mounted on the substrate 41, and the magnetic flux generated around the bus bar 44 is detected by the current flowing through the bus bar 44.

図1(b)に示すように、磁気検出用IC42,43は、一対よりなり、切欠部41aを挟むように基板41に配置される。具体的には、基板41の切欠部41aの上側に磁気検出用IC42が配置されているとともに基板41の切欠部41aの下側に磁気検出用IC43が配置されている。つまり、バスバー44を挟んで上側に磁気検出用IC42が、下側に磁気検出用IC43が等距離に配置され、バスバー44に流れる電流に応じてバスバー44のまわりに発生する磁束(磁束密度B)が磁気検出用IC42,43において検出され、磁気検出用IC42,43から磁束(磁束密度B)の大きさに応じたレベルの電気信号が出力される。   As shown in FIG. 1B, the magnetic detection ICs 42 and 43 are made of a pair and are arranged on the substrate 41 so as to sandwich the notch 41a. Specifically, the magnetic detection IC 42 is disposed above the notch 41 a of the substrate 41 and the magnetic detection IC 43 is disposed below the notch 41 a of the substrate 41. That is, the magnetic detection IC 42 is arranged on the upper side with the bus bar 44 in between, and the magnetic detection IC 43 is arranged at an equal distance on the lower side, and the magnetic flux (magnetic flux density B) generated around the bus bar 44 according to the current flowing through the bus bar 44. Are detected by the magnetic detection ICs 42 and 43, and an electric signal of a level corresponding to the magnitude of the magnetic flux (magnetic flux density B) is output from the magnetic detection ICs 42 and 43.

ここで、磁気検出用IC42は図1(b)において右向きの磁束を検出し、磁気検出用IC43は図1(b)において左向きの磁束を検出する。
図5に示すように、2つの磁気検出用IC42,43は、制御部30の差動回路70に接続されている。差動回路70において、磁気検出用IC42,43による磁気検出信号の差動が取られる(引き算される)。よって、外来ノイズが入ってきたときに差動処理することによりノイズ分をキャンセルすることができる。
Here, the magnetic detection IC 42 detects the rightward magnetic flux in FIG. 1B, and the magnetic detection IC 43 detects the leftward magnetic flux in FIG. 1B.
As shown in FIG. 5, the two magnetic detection ICs 42 and 43 are connected to the differential circuit 70 of the control unit 30. In the differential circuit 70, the magnetic detection signals by the magnetic detection ICs 42 and 43 are differentiated (subtracted). Therefore, the noise component can be canceled by performing differential processing when external noise enters.

図5において差動回路70にはCPU71が接続され、磁気検出用IC42,43による磁気検出信号の差動信号がCPU71に送られる。制御部30のCPU71は当該差動信号に基づいて所定の電流がモータ60に流れるように各スイッチング素子Q1〜Q6を制御する。   In FIG. 5, a CPU 71 is connected to the differential circuit 70, and a differential signal of a magnetic detection signal by the magnetic detection ICs 42 and 43 is sent to the CPU 71. The CPU 71 of the control unit 30 controls the switching elements Q1 to Q6 so that a predetermined current flows through the motor 60 based on the differential signal.

図2において、ケース45は絶縁性を有する。ケース45はケース本体46と蓋材47により構成されている。ケース本体46は一方の面が開口する箱型をなし、ケース本体46の開口部を蓋材47により塞いでいる。ケース45を、導線としてのバスバー44が貫通している。ケース45における基板41の切欠部41aに対応する部位も切り欠かれており、ケース本体46の底面における当該部位には図2(b),(c)に示すように突条46aが蓋材47に向かって延びるように形成されている。バスバー44と基板41(磁気検出用IC42,43)との間にケース本体46の突条46aが位置し、ケース本体46の突条46aによりバスバー44と基板41(磁気検出用IC42,43)とが絶縁されている。   In FIG. 2, the case 45 has an insulating property. The case 45 includes a case main body 46 and a lid material 47. The case main body 46 has a box shape with one surface opened, and the opening of the case main body 46 is closed with a lid material 47. A bus bar 44 as a conducting wire passes through the case 45. A part of the case 45 corresponding to the notch 41a of the substrate 41 is also notched, and a protrusion 46a is formed on the part of the bottom surface of the case body 46 as shown in FIGS. 2 (b) and 2 (c). It is formed to extend toward. A protrusion 46a of the case main body 46 is located between the bus bar 44 and the substrate 41 (magnetic detection ICs 42, 43), and the bus bar 44 and the substrate 41 (magnetic detection ICs 42, 43) are connected by the protrusion 46a of the case main body 46. Is insulated.

図1に示す電流検出装置は、インバータ10の出力仕様(モータ60の仕様)が300アンペアの場合であり、図3に示す電流検出装置は、インバータ10の出力仕様(モータ60の仕様)が600アンペアの場合である。図1に示す電流検出装置のバスバー44は、a=10mm、b=2mmであり、図3に示す電流検出装置のバスバー44は、a=20mm、b=2mmである。図1に示す電流検出装置においては基板41の切欠部41aにバスバー44が全て入っている。これに対し、図3に示す電流検出装置においては基板41の切欠部41aにバスバー44の3/5程度が入っているが残り2/5程度は基板41の切欠部41aから出ている。   1 is a case where the output specification of the inverter 10 (specification of the motor 60) is 300 amperes, and the current detection device shown in FIG. 3 has an output specification of the inverter 10 (specification of the motor 60) of 600. This is the case for amps. The bus bar 44 of the current detection device shown in FIG. 1 has a = 10 mm and b = 2 mm, and the bus bar 44 of the current detection device shown in FIG. 3 has a = 20 mm and b = 2 mm. In the current detection device shown in FIG. 1, all the bus bars 44 are contained in the notches 41 a of the substrate 41. On the other hand, in the current detection device shown in FIG. 3, about 3/5 of the bus bar 44 is in the notch 41 a of the substrate 41, but the remaining 2/5 is coming out of the notch 41 a of the substrate 41.

また、図3の磁気検出用IC42,43は、バスバー44の断面長手方向における中央からずらして配置されている。具体的には、図3において磁気検出用IC42,43がバスバー44の断面長手方向における中央から右側にずらして配置されている。このとき、バスバー44は、断面長手方向における切欠部41aに挿入される部位から一部が切欠部41aの外部に突出するが、突出する量は電流値に応じて決められる。   Further, the magnetic detection ICs 42 and 43 in FIG. 3 are arranged to be shifted from the center in the longitudinal direction of the cross section of the bus bar 44. Specifically, in FIG. 3, the magnetic detection ICs 42 and 43 are shifted from the center in the longitudinal direction of the cross section of the bus bar 44 to the right side. At this time, the bus bar 44 partially protrudes from the portion inserted into the notch 41a in the longitudinal direction of the cross section to the outside of the notch 41a, but the amount of protrusion is determined according to the current value.

図6には、バスバーの扁平率fと磁束密度の関係を示す。図6の横軸にバスバーの扁平率fをとり、縦軸に磁束密度をとっている。バスバーの扁平率fは、バスバー44の断面長手方向の寸法が「a」、断面短手方向の寸法が「b」であるとき、(a−b)/aで定義している。図6において、磁気検出用IC42,43を用いたときの磁束密度が20mT以下の領域が、磁束密度に応じて出力がリニアに変化する磁気検出領域(磁気検出可能領域)である。また、図6において、点P1が図1の場合であり、点P2が図3の場合である。   FIG. 6 shows the relationship between the flatness f of the bus bar and the magnetic flux density. The horizontal axis of FIG. 6 represents the bus bar flatness f, and the vertical axis represents the magnetic flux density. The flatness f of the bus bar is defined as (ab) / a when the dimension in the longitudinal direction of the cross section of the bus bar 44 is “a” and the dimension in the short direction of the cross section is “b”. In FIG. 6, a region where the magnetic flux density is 20 mT or less when the magnetic detection ICs 42 and 43 are used is a magnetic detection region (magnetic detectable region) whose output changes linearly according to the magnetic flux density. Moreover, in FIG. 6, the point P1 is a case of FIG. 1, and the point P2 is a case of FIG.

次に、このように構成した電流検出装置の作用について説明する。
図1,2において、バスバー44に300アンペア程度の電流Iが流れ、バスバー44の周囲に磁束が発生する。磁気検出用IC42,43がバスバー44の上下両側に配置されており、磁気検出用IC42,43により磁束(磁束密度B)が検出される。これにより、電流Iに応じたレベルの電気信号が磁気検出用IC42,43から出力される。このように、図1,2の電流検出装置においては、小電流用の電流検出装置となっている。
Next, the operation of the current detection device configured as described above will be described.
In FIGS. 1 and 2, a current I of about 300 amperes flows through the bus bar 44, and a magnetic flux is generated around the bus bar 44. Magnetic detection ICs 42 and 43 are arranged on both upper and lower sides of the bus bar 44, and magnetic flux (magnetic flux density B) is detected by the magnetic detection ICs 42 and 43. As a result, an electric signal having a level corresponding to the current I is output from the magnetic detection ICs 42 and 43. As described above, the current detection device shown in FIGS. 1 and 2 is a current detection device for small current.

一方、図3において、バスバー44に600アンペア程度の電流Iが流れ、バスバー44の周囲に磁束が発生する。磁気検出用IC42,43がバスバー44の上下両側に配置されており、磁気検出用IC42,43により磁束(磁束密度B)が検出される。これにより、電流Iに応じたレベルの電気信号が磁気検出用IC42,43から出力される。このように、図3の電流検出装置においては、大電流用の電流検出装置となっている。   On the other hand, in FIG. 3, a current I of about 600 amperes flows through the bus bar 44, and a magnetic flux is generated around the bus bar 44. Magnetic detection ICs 42 and 43 are arranged on both upper and lower sides of the bus bar 44, and magnetic flux (magnetic flux density B) is detected by the magnetic detection ICs 42 and 43. As a result, an electric signal having a level corresponding to the current I is output from the magnetic detection ICs 42 and 43. As described above, the current detection device of FIG. 3 is a current detection device for a large current.

ここで、大電流においては、バスバー44の断面積が大きくなり、磁束も増大することから、電流検出装置の形状や磁気検出用IC(GMR素子)42,43の大型化が避けられない。そのため、図3に示すようにバスバー44をより扁平な形状に変更する。このような形状に変更することにより、磁気検出用IC42,43を通る磁束(磁気検出用IC42,43に鎖交する磁束)が減少し、図1に示す電流が小さい場合の電流検出装置と共通化が図れる。   Here, in the case of a large current, the cross-sectional area of the bus bar 44 increases and the magnetic flux also increases. Therefore, the shape of the current detection device and the size of the magnetic detection ICs (GMR elements) 42 and 43 cannot be avoided. Therefore, the bus bar 44 is changed to a flatter shape as shown in FIG. By changing to such a shape, the magnetic flux passing through the magnetic detection ICs 42 and 43 (magnetic flux interlinked with the magnetic detection ICs 42 and 43) is reduced, and is common to the current detection device in the case where the current shown in FIG. 1 is small. Can be achieved.

図7は比較のための図であり、図1に示す300アンペア仕様のバスバー44と同じ扁平率のバスバー80で600アンペア仕様にした場合を示す。図7とした場合を図6において点P3で示している。図7の場合、バスバー80に大きな電流が流れると、大きな磁束密度となり、これを、磁気検出用IC42,43で検出することになるが、磁気検出用IC42,43の許容範囲外となってしまい(所定レベル以下しか測定できないので、そのレベルを超えて測定が必要となってくるので)、そのままでは使用できない。   FIG. 7 is a diagram for comparison, and shows a case where the bus bar 80 having the same flat rate as the bus bar 44 of 300 amp specification shown in FIG. The case shown in FIG. 7 is indicated by a point P3 in FIG. In the case of FIG. 7, when a large current flows through the bus bar 80, a large magnetic flux density is detected and detected by the magnetic detection ICs 42 and 43, but is outside the allowable range of the magnetic detection ICs 42 and 43. (Because it can measure only below a predetermined level, it becomes necessary to measure beyond that level), so it cannot be used as it is.

つまり、図6における磁束密度について磁気検出領域が広くなり、図6の点P3で示すように、磁気検出用IC42,43での出力が飽和する可能性が出てくる。そのため、図7では磁気検出領域が広い大型の磁気検出用IC90,91を用いることになる。   That is, the magnetic detection area becomes wider with respect to the magnetic flux density in FIG. 6, and the output from the magnetic detection ICs 42 and 43 may be saturated, as indicated by a point P3 in FIG. Therefore, in FIG. 7, large-sized magnetic detection ICs 90 and 91 having a wide magnetic detection region are used.

これに対し本実施形態では、600アンペア仕様の電流検出装置として図3に示すものを用いてバスバーの形状を変えている。具体的には、バスバーの断面積を増やすときにバスバーの縦横の比率(a対b)を変えて横長にしてバスバーの断面積を増やす。すると、磁束が通る1周の経路が長くなり、その結果、磁束が少なくなる。これを、図6においてバスバーに流す電流が300アンペアの場合のライン(300Aライン)と、バスバーに流す電流が600アンペアの場合のライン(600Aライン)で示す。これを考慮して、図1に対し図7に示すようにバスバーの断面を相似的に大きくするのではなく図3に示すようにバスバーの扁平率を大きくして断面積が同じでも磁束が通る長さを増やす。   On the other hand, in this embodiment, the shape of the bus bar is changed using the current detection device of 600 ampere specification shown in FIG. Specifically, when the cross-sectional area of the bus bar is increased, the cross-sectional area of the bus bar is increased by changing the vertical / horizontal ratio (a to b) of the bus bar to be horizontally long. As a result, the one-round path through which the magnetic flux passes becomes longer, and as a result, the magnetic flux decreases. This is shown in FIG. 6 by a line when the current flowing through the bus bar is 300 amperes (300 A line) and a line when the current flowing through the bus bar is 600 amperes (600 A line). Considering this, the cross section of the bus bar is not enlarged similarly as shown in FIG. 7 with respect to FIG. 1, but the magnetic flux passes even if the flatness of the bus bar is increased and the cross sectional area is the same as shown in FIG. Increase the length.

つまり、300アンペア仕様から600アンペア仕様に変更する際に、バスバーの扁平率を大きくして、バスバーの1周の長さ、即ち、周囲長(=2×a+2×b)を大きくする。このようにバスバーの1周の長さ(周囲長)を大きくして磁気検出用IC42,43において受ける磁束密度を小さくすることにより、300アンペア仕様時の磁気検出領域を広げることなく600アンペア仕様に対応可能となる。   That is, when changing from the 300 ampere specification to the 600 ampere specification, the flatness of the bus bar is increased to increase the length of the circumference of the bus bar, that is, the peripheral length (= 2 × a + 2 × b). Thus, by increasing the length of one circumference of the bus bar (peripheral length) and reducing the magnetic flux density received in the magnetic detection ICs 42 and 43, the magnetic detection area at the time of 300 amperes can be increased to 600 amperes without increasing the magnetic detection area. It becomes possible to respond.

このようにして、コアレス電流センサにおいて、バスバーの断面積が同じでも周囲長を長くする。即ち、より扁平にすることにより、磁束密度を小さくすることができる。よって、小電流用の電流センサと大電流用の電流センサをバスバー44の形状を工夫することにより、磁気検出用IC42,43を共通化できるとともに磁気検出用IC42,43の出力が飽和することなく使用可能となる。また、磁気検出素子の大型化が避けられる。さらに、共通化によるコストメリットがある。   In this way, in the coreless current sensor, the peripheral length is increased even if the cross-sectional area of the bus bar is the same. That is, the magnetic flux density can be reduced by making it flatter. Therefore, by devising the shape of the bus bar 44 for the current sensor for small current and the current sensor for large current, the magnetic detection ICs 42 and 43 can be shared, and the output of the magnetic detection ICs 42 and 43 is not saturated. Can be used. Further, an increase in size of the magnetic detection element can be avoided. Furthermore, there is a cost merit by sharing.

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)電流検出装置の構成として、バスバー44と、切欠部41aが形成された基板41と、磁気検出用IC42,43と、を有し、磁気検出用IC42,43は、バスバー44の断面長手方向における中央からずらして配置されている。基板41に形成された切欠部41aに、バスバー44の少なくとも一部が貫通する状態で挿入され、基板41に搭載された磁気検出用IC42,43により、バスバー44を流れる電流によりバスバー44のまわりに発生する磁束が検出されるので、バスバー44と磁気検出用IC42,43との間の距離を小さくでき、コンパクト化できる。また、バスバー44は断面が扁平な形状をなし、磁気検出用IC42,43は、バスバー44の断面長手方向における中央からずらして配置されるので、磁気検出用IC42,43が、バスバー44の断面長手方向における中央に配置される場合に比べて、大電流を流して検出することができる。よって、大型化を回避しつつ大きな電流を検出することができる。即ち、磁気検出用IC42,43の大きさおよび磁気検出用IC42,43が搭載される基板41の大きさを大型化することなく、磁気検出用IC42,43の検出可能範囲よりも大きい電流をバスバー44に流すことができる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained.
(1) As a configuration of the current detection device, it has a bus bar 44, a substrate 41 on which a notch 41a is formed, and magnetic detection ICs 42 and 43. The magnetic detection ICs 42 and 43 are longitudinally cross-sectional views of the bus bar 44. It is shifted from the center in the direction. At least a part of the bus bar 44 is inserted into a notch 41 a formed in the substrate 41, and around the bus bar 44 by the current flowing through the bus bar 44 by the magnetic detection ICs 42 and 43 mounted on the substrate 41. Since the generated magnetic flux is detected, the distance between the bus bar 44 and the magnetic detection ICs 42 and 43 can be reduced and the size can be reduced. Further, the bus bar 44 has a flat cross section, and the magnetic detection ICs 42 and 43 are arranged so as to be shifted from the center in the longitudinal direction of the cross section of the bus bar 44. Compared with the case where it is arranged at the center in the direction, it can be detected by flowing a large current. Therefore, a large current can be detected while avoiding an increase in size. That is, a current larger than the detectable range of the magnetic detection ICs 42 and 43 can be applied to the bus bar without increasing the size of the magnetic detection ICs 42 and 43 and the size of the substrate 41 on which the magnetic detection ICs 42 and 43 are mounted. 44.

詳しく説明する。特許文献1においては、分流比をちょうど二等分にする等の調整が難しく、誤差が増大する。また、二等分にする電流経路を銅バー等にて構成することになるが、部品のコストアップにつながる。これに対し本実施形態においては、特性として、バスバーの周囲長が長くなればなるほどバスバーからの距離の磁束密度が下がるので、磁気抵抗素子における磁束に応じてリニアに抵抗値が変化するリニア領域に入るまでバスバーの扁平率を大きくした。分流方式では分流させた箇所での電流しか検出できず、正確に電流を測定する上で好ましくない。本実施形態では、分流しておらず正確に測定できる(精度がよくなる)。   explain in detail. In Patent Document 1, it is difficult to adjust the diversion ratio to be exactly bisected, and the error increases. In addition, the current path to be bisected is constituted by a copper bar or the like, which leads to an increase in the cost of parts. On the other hand, in the present embodiment, as the characteristic, the longer the peripheral length of the bus bar, the lower the magnetic flux density at the distance from the bus bar. Therefore, in the linear region where the resistance value linearly changes according to the magnetic flux in the magnetoresistive element. The flatness of the bus bar was increased until it entered. In the shunt method, only the current at the shunted location can be detected, which is not preferable for accurately measuring the current. In the present embodiment, it is possible to measure accurately without dividing (the accuracy is improved).

また、ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)など、高電圧にて動作するインバータの電流を検出しようとした場合、電流経路は高電圧である。そのため、特許文献1においては、周囲部品との絶縁が必要となるが、電流経路を分流させることにより、絶縁しなければならない部位が増大し、サイズアップ、コストアップを招く。これに対し本実施形態では、電流検出装置における制御部(基板)の最も高額部品となる磁気検出用ICを、電流定格毎に変更する必要がなくなり、共通化が図れ、コストダウンとなる。   Moreover, when trying to detect the current of an inverter that operates at a high voltage, such as a hybrid vehicle (HV) or an electric vehicle (EV), the current path is at a high voltage. For this reason, in Patent Document 1, it is necessary to insulate from surrounding parts, but by dividing the current path, the number of parts that must be insulated increases, resulting in an increase in size and cost. On the other hand, in the present embodiment, it is not necessary to change the magnetic detection IC, which is the most expensive part of the control unit (board) in the current detection device, for each current rating, so that it can be shared and the cost can be reduced.

(2)磁気検出用IC42,43は、一対よりなり、挿入部としての切欠部41aを挟むように基板41に配置される。よって、一対の磁気検出用IC42,43が切欠部41aを挟むように基板41に配置されるので、それぞれ逆方向の磁束(磁束線)を検出することにより外部ノイズをキャンセルすることができる。   (2) The magnetic detection ICs 42 and 43 are a pair, and are arranged on the substrate 41 so as to sandwich the notch 41a as the insertion portion. Therefore, since the pair of magnetic detection ICs 42 and 43 are arranged on the substrate 41 so as to sandwich the notch 41a, external noise can be canceled by detecting the magnetic flux (magnetic flux lines) in the opposite directions.

(3)導線としてのバスバー44は、断面長手方向における切欠部41aに挿入される部位から一部が切欠部41aの外部に突出している。よって、突出する量と磁気検出用IC42,43との位置関係を調整することでバスバー44に流す電流の自由度が増す。   (3) A part of the bus bar 44 as a conducting wire protrudes outside the notch 41a from a portion inserted into the notch 41a in the longitudinal direction of the cross section. Therefore, the degree of freedom of the current flowing through the bus bar 44 is increased by adjusting the positional relationship between the protruding amount and the magnetic detection ICs 42 and 43.

(4)突出する量は電流値に応じて決められる。よって、突出する量を電流値に応じて調整して電流を検出することができる。
(5)大電流でも基板41が大型化しない。つまり、図3に示すようにバスバー44を基板41から突出させることにより、左側には基板が不要となる(基板の占有面積を小さくできる)。
(4) The protruding amount is determined according to the current value. Therefore, the current can be detected by adjusting the protruding amount according to the current value.
(5) The substrate 41 does not increase in size even with a large current. That is, as shown in FIG. 3, by projecting the bus bar 44 from the substrate 41, no substrate is required on the left side (the area occupied by the substrate can be reduced).

(6)大電流でも磁気検出素子(磁気検出用IC42,43)が大型化しない。
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
・磁気検出用IC42,43は、GMR素子(Giant Magneto Resistance;巨体磁気抵抗素子)を信号処理回路と共にパッケージして構成したが、これに限らない。例えば、IC化してなくてもよく、素子のみでもよい。また、GMR素子の代わりに、トンネル磁気抵抗(TMR)型、弾道磁気抵抗(BMR)型、異方性磁気抵抗(AMR)型などの各種の磁気抵抗効果素子を用いることができる。
(6) The magnetic detection elements (magnetic detection ICs 42 and 43) do not increase in size even with a large current.
The embodiment is not limited to the above, and may be embodied as follows, for example.
The magnetic detection ICs 42 and 43 are configured by packaging a GMR element (Giant Magneto Resistance) together with a signal processing circuit, but the invention is not limited thereto. For example, it may not be an IC and may be only an element. Various magnetoresistive elements such as a tunnel magnetoresistive (TMR) type, a ballistic magnetoresistive (BMR) type, and an anisotropic magnetoresistive (AMR) type can be used instead of the GMR element.

・ホール素子を用いた電流検出装置にも適用可能である。
・磁気検出用IC(素子)は1つみでもよい。
次に、上記実施形態および別例から把握できる技術的思想について、効果とともに以下に追記する。
-It is applicable also to the electric current detection apparatus using a Hall element.
-One magnetic detection IC (element) may be used.
Next, the technical idea that can be grasped from the above embodiment and other examples will be described below together with the effects.

(イ)断面が扁平な形状をなし、電流が流れる導線と、
前記導線の少なくとも一部が貫通する状態で挿入される挿入部が形成された基板と、
前記基板に搭載され、前記導線を流れる電流により前記導線のまわりに発生する磁束を検出する磁気検出素子と、
を有し、
前記導線の断面積を大きくして流れる電流を大きくするとき前記導線の扁平率を大きくするようにしたことを特徴とする電流検出装置。
(A) a cross-sectionally flat shape and a conducting wire through which current flows;
A substrate on which an insertion portion to be inserted in a state where at least a part of the conducting wire penetrates is formed;
A magnetic detection element mounted on the substrate and detecting a magnetic flux generated around the conductive wire by a current flowing through the conductive wire;
Have
A current detecting apparatus characterized in that when the cross-sectional area of the conducting wire is increased to increase the flowing current, the flatness of the conducting wire is increased.

従って、この(イ)に記載の技術的思想によれば、基板に形成された挿入部に、導線の少なくとも一部が貫通する状態で挿入され、基板に搭載された磁気検出素子により、導線を流れる電流により導線のまわりに発生する磁束が検出される。ここで、導線は断面が扁平な形状をなし、導線の断面積を大きくして流れる電流を大きくするとき導線の扁平率を大きくするようにしたので、導線の扁平率が同じである場合に比べて、磁気検出素子を通る磁束が減少する。これにより、電流が小さい場合の磁気検出素子を用いて磁束を検出することが可能となる。その結果、磁気検出素子の共通化を図ることが可能となり、設計の自由度が向上する。   Therefore, according to the technical idea described in (a), at least a part of the conducting wire is inserted into the insertion portion formed on the substrate, and the conducting wire is inserted by the magnetic detection element mounted on the substrate. Magnetic flux generated around the conducting wire is detected by the flowing current. Here, the conductor has a flat cross section, and when the current flowing through the conductor is increased by increasing the cross-sectional area of the conductor, the flatness of the conductor is increased. Thus, the magnetic flux passing through the magnetic detection element is reduced. As a result, the magnetic flux can be detected using the magnetic detection element when the current is small. As a result, it is possible to share the magnetic detection element, and the degree of design freedom is improved.

40…電流検出装置、41…基板、41a…切欠部、42…磁気検出用IC、43…磁気検出用IC、44…バスバー。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 40 ... Current detection apparatus, 41 ... Board | substrate, 41a ... Notch part, 42 ... Magnetic detection IC, 43 ... Magnetic detection IC, 44 ... Bus bar.

Claims (4)

断面が扁平な形状をなし、電流が流れる導線と、
前記導線の少なくとも一部が貫通する状態で挿入される挿入部が形成された基板と、
前記基板に搭載され、前記導線を流れる電流により前記導線のまわりに発生する磁束を検出する磁気検出素子と、
を有し、
前記磁気検出素子は、前記導線の断面長手方向における中央からずらして配置されていることを特徴とする電流検出装置。
The cross-section has a flat shape, a conducting wire through which current flows,
A substrate on which an insertion portion to be inserted in a state where at least a part of the conducting wire penetrates is formed;
A magnetic detection element mounted on the substrate and detecting a magnetic flux generated around the conductive wire by a current flowing through the conductive wire;
Have
The magnetic detection element is arranged to be shifted from the center in the longitudinal direction of the cross section of the conducting wire.
前記磁気検出素子は、一対よりなり、前記挿入部を挟むように前記基板に配置されることを特徴とする請求項1に記載の電流検出装置。   2. The current detection device according to claim 1, wherein the magnetic detection element includes a pair and is arranged on the substrate so as to sandwich the insertion portion. 前記導線は、断面長手方向における前記挿入部に挿入される部位から一部が前記挿入部の外部に突出していることを特徴とする請求項1または2に記載の電流検出装置。   3. The current detection device according to claim 1, wherein a part of the conducting wire protrudes from a portion inserted into the insertion portion in a longitudinal direction of the cross section to the outside of the insertion portion. 突出する量は電流値に応じて決められることを特徴とする請求項3に記載の電流検出装置。   The current detection device according to claim 3, wherein the protruding amount is determined according to a current value.
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