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JP2014053367A - Organic semiconductor device and attachment method of the same - Google Patents

Organic semiconductor device and attachment method of the same Download PDF

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JP2014053367A
JP2014053367A JP2012195135A JP2012195135A JP2014053367A JP 2014053367 A JP2014053367 A JP 2014053367A JP 2012195135 A JP2012195135 A JP 2012195135A JP 2012195135 A JP2012195135 A JP 2012195135A JP 2014053367 A JP2014053367 A JP 2014053367A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic semiconductor
magnet
semiconductor device
organic
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012195135A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Hirasawa
明 平沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To inhibit contact between a sealing member and an organic semiconductor element even if force is applied to the sealing member and a substrate.SOLUTION: An organic semiconductor element 20 is mounted on a first surface 12 of a substrate 10. A sealing member 30 contacts with the first surface 12 of the substrate 10 at a part (an end part in an example shown in the figure) thereof and shields a space including the organic semiconductor element 20 from the exterior. First magnets 50 are attached to the sealing member 30. Second magnets 52 are attached to a second surface 14 that is an opposite surface of the first surface 12 in the substrate 10 in a manner that the second magnets repel the first magnets 50.

Description

本発明は、有機半導体装置及び有機半導体装置の取付方法に関する。   The present invention relates to an organic semiconductor device and a method for mounting the organic semiconductor device.

近年は、有機EL(Electroluminescence)装置などの有機半導体装置の開発が進んでいる。有機EL装置に関する技術としては、例えば特許文献1〜4に記載の技術がある。   In recent years, organic semiconductor devices such as organic EL (Electroluminescence) devices have been developed. As a technique regarding the organic EL device, there are techniques described in Patent Documents 1 to 4, for example.

特許文献1には、有機EL素子が形成された基板のうち光を取り出す側とは反対側の面に磁石層を設けることが記載されている。この磁石層は、有機EL装置を有する照明装置を他の物に取り付けるために用いられる。   Patent Document 1 describes that a magnet layer is provided on the surface opposite to the light extraction side of the substrate on which the organic EL element is formed. This magnet layer is used for attaching a lighting device having an organic EL device to another object.

特許文献2には、有機ELシートを有する本体の裏面に、マグネットシートを装着することが記載されている。このマグネットシートも、本体を他の物に取り付けるために用いられる。   Patent Document 2 describes that a magnet sheet is mounted on the back surface of a main body having an organic EL sheet. This magnet sheet is also used to attach the main body to another object.

特許文献3には、有機ELパネルを照明器具に取り付けた装置が記載されている。特許文献3には、有機ELパネルを照明器具に取り付ける方法として、有機ELパネルの電極と、照明器具の電極の双方を磁石にすることが記載されている。   Patent Document 3 describes a device in which an organic EL panel is attached to a lighting fixture. Patent Document 3 describes that, as a method of attaching an organic EL panel to a lighting fixture, both the electrode of the organic EL panel and the electrode of the lighting fixture are used as magnets.

なお、特許文献4には、強磁性体からなる基板に絶縁膜を接着させること、及び、この絶縁膜上に有機化合物を含む層を有する発光素子を設けておくことが記載されている。   Patent Document 4 describes that an insulating film is bonded to a substrate made of a ferromagnetic material, and that a light-emitting element having a layer containing an organic compound is provided on the insulating film.

国際公開第2009/025286号パンフレットInternational Publication No. 2009/025286 Pamphlet 特開2006−012758号公報JP 2006-012758 A 特開2011−243431号公報JP 2011-243431 A 国際公開第2004/040649号パンフレットInternational Publication No. 2004/040649 Pamphlet

有機半導体装置が有する有機半導体素子は、耐久性を向上させるために、封止部材によって密閉される場合が多い。例えば、有機半導体素子を形成した基板の上に封止部材を設け、有機半導体素子を含む空間を外部から遮蔽する。この場合、封止部材や基板に力が加わると封止部材や基板が変形し、その結果、封止部材と有機半導体素子が接触する可能性が出てくる。封止部材と有機半導体素子が接触すると、有機半導体素子が破損してしまう。   An organic semiconductor element included in an organic semiconductor device is often sealed with a sealing member in order to improve durability. For example, a sealing member is provided on a substrate on which an organic semiconductor element is formed, and a space including the organic semiconductor element is shielded from the outside. In this case, when a force is applied to the sealing member or the substrate, the sealing member or the substrate is deformed, and as a result, there is a possibility that the sealing member and the organic semiconductor element come into contact with each other. When the sealing member and the organic semiconductor element come into contact with each other, the organic semiconductor element is damaged.

本発明が解決しようとする課題としては、封止部材や基板に力が加わっても、封止部材と有機半導体素子とが接触することを抑制することが一例として挙げられる。   An example of a problem to be solved by the present invention is to suppress contact between the sealing member and the organic semiconductor element even when a force is applied to the sealing member or the substrate.

請求項1に記載の発明は、有機半導体素子と、
第1面に前記有機半導体素子が搭載されている基板と、
前記基板の前記第1面に一部が接し、平面視で前記有機半導体素子と重なっている重なり領域を有し、かつ前記有機半導体素子を含む空間を外部から遮蔽する封止部材と、
前記重なり領域が前記第1面に近づくことを抑制する近接抑制部と、
を備える有機半導体装置である。
The invention according to claim 1 is an organic semiconductor element;
A substrate on which the organic semiconductor element is mounted on the first surface;
A sealing member that is partially in contact with the first surface of the substrate, has an overlapping region that overlaps the organic semiconductor element in plan view, and shields a space including the organic semiconductor element from the outside;
A proximity suppression unit that suppresses the overlapping region from approaching the first surface;
It is an organic semiconductor device provided with.

請求項7に記載の発明は、有機EL素子と、
第1面に前記有機EL素子が搭載されている基板と、
前記基板の前記第1面に一部が接し、前記有機EL素子を含む空間を外部から遮蔽する封止部材と、
前記封止部材に取り付けられている第1磁石と、
前記基板の前記第1面とは逆側の面である第2面に、前記第1磁石と反発しあう向きに取り付けられている第2磁石と、
を備える有機半導体装置を準備する工程と、
前記有機半導体装置を設置した後、前記第1磁石及び前記第2磁石のうち、前記有機EL素子が発光した光を外部に出射する出射面に取り付けられている磁石を取り外す工程と、
を備える有機半導体装置の取付方法である。
The invention according to claim 7 is an organic EL element;
A substrate on which the organic EL element is mounted on the first surface;
A sealing member that partially contacts the first surface of the substrate and shields a space including the organic EL element from the outside;
A first magnet attached to the sealing member;
A second magnet attached to a second surface, which is a surface opposite to the first surface of the substrate, in a direction repelling the first magnet;
Preparing an organic semiconductor device comprising:
After installing the organic semiconductor device, the step of removing the magnet attached to the emission surface that emits the light emitted by the organic EL element to the outside from the first magnet and the second magnet;
An organic semiconductor device mounting method comprising:

第1の実施形態に係る有機半導体装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the organic-semiconductor device which concerns on 1st Embodiment. 有機半導体素子の一例である有機EL素子の構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the organic EL element which is an example of an organic semiconductor element. 有機半導体装置の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of an organic-semiconductor device. 有機半導体装置の使用方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the usage method of an organic-semiconductor device. 有機半導体装置の使用方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the usage method of an organic-semiconductor device. 第1磁石、第2磁石、及び乾燥剤の平面レイアウトの第1例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st example of the plane layout of a 1st magnet, a 2nd magnet, and a desiccant. 第1磁石、第2磁石、及び乾燥剤の平面レイアウトの第2例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd example of the planar layout of a 1st magnet, a 2nd magnet, and a desiccant. 図1の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of FIG. 第2の実施形態に係る有機半導体装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the organic-semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment. 第3の実施形態に係る有機半導体装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the organic-semiconductor device which concerns on 3rd Embodiment. 図10の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of FIG. 第4の実施形態に係る有機半導体装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the organic-semiconductor device which concerns on 4th Embodiment. 第5の実施形態に係る有機半導体装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the organic-semiconductor device which concerns on 5th Embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る有機半導体装置100の構成を示す断面図である。有機半導体装置100は、有機半導体素子20、基板10、封止部材30、及び近接抑制部(第1磁石50、及び第2磁石52)を有している。有機半導体素子20は、基板10の第1面12に搭載されている。封止部材30は、基板10の第1面12に一部(本図に示す例では端部)が接しており、平面視で有機半導体素子20と重なっている重なり領域32を有している。封止部材30は、有機半導体素子20を含む空間を外部から遮蔽する。近接抑制部は、重なり領域32が第1面12に近づくことを抑制する。このため、基板10又は封止部材30に力が加わっても、封止部材30と有機半導体素子20が接触することを抑制できる。以下、詳細に説明する。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an organic semiconductor device 100 according to the first embodiment. The organic semiconductor device 100 includes the organic semiconductor element 20, the substrate 10, the sealing member 30, and the proximity suppressing unit (the first magnet 50 and the second magnet 52). The organic semiconductor element 20 is mounted on the first surface 12 of the substrate 10. The sealing member 30 is partially in contact with the first surface 12 of the substrate 10 (the end in the example shown in the figure) and has an overlapping region 32 that overlaps the organic semiconductor element 20 in plan view. . The sealing member 30 shields the space including the organic semiconductor element 20 from the outside. The proximity suppression unit suppresses the overlapping region 32 from approaching the first surface 12. For this reason, even if force is applied to the substrate 10 or the sealing member 30, the contact between the sealing member 30 and the organic semiconductor element 20 can be suppressed. Details will be described below.

本図に示す例において、近接抑制部は、第1磁石50、及び第2磁石52を備えている。第1磁石50は、封止部材30に取り付けられている。第2磁石52は、基板10のうち第1面12とは逆側の面である第2面14に、第1磁石50と反発しあう向きに取り付けられている。このため、基板10又は封止部材30に力が加わっても、第1磁石50と第2磁石52が反発しあうため、封止部材30と有機半導体素子20が接触することを抑制できる。   In the example shown in the figure, the proximity suppressing unit includes a first magnet 50 and a second magnet 52. The first magnet 50 is attached to the sealing member 30. The second magnet 52 is attached to the second surface 14 of the substrate 10, which is the surface opposite to the first surface 12, so as to repel the first magnet 50. For this reason, even if force is applied to the substrate 10 or the sealing member 30, the first magnet 50 and the second magnet 52 repel each other, so that the sealing member 30 and the organic semiconductor element 20 can be prevented from contacting each other.

有機半導体素子20は、複数の有機層を有している。有機半導体素子20は、これら複数の有機層を基板10上で積層させることにより、形成されている。有機半導体素子20は、例えば有機EL素子、有機メモリ、及び有機太陽電池である。基板10は、例えば石英、ガラス、金属、またはプラスチックなどの樹脂によって形成されている。   The organic semiconductor element 20 has a plurality of organic layers. The organic semiconductor element 20 is formed by laminating the plurality of organic layers on the substrate 10. The organic semiconductor element 20 is, for example, an organic EL element, an organic memory, and an organic solar battery. The substrate 10 is formed of a resin such as quartz, glass, metal, or plastic.

本図に示す例では、有機半導体装置100は照明装置であり、有機半導体素子20は有機EL素子である。有機半導体素子20が発光した光は、基板10を通って外部に放射される。このため、基板10は、有機半導体素子20が発光する光を透過させる必要がある。この場合、基板10は、石英、ガラス、又は透明な樹脂によって形成されている。   In the example shown in this figure, the organic semiconductor device 100 is a lighting device, and the organic semiconductor element 20 is an organic EL element. The light emitted from the organic semiconductor element 20 is emitted to the outside through the substrate 10. For this reason, the substrate 10 needs to transmit light emitted from the organic semiconductor element 20. In this case, the substrate 10 is made of quartz, glass, or a transparent resin.

封止部材30は、有機半導体素子20を外気から遮断している。封止部材30は、例えば石英、ガラス、金属、またはプラスチックなどの樹脂によって形成されている。封止部材30は、平板の縁を基板10に向けて略90°折れ曲がった形状を有している。そして封止部材30は、折れ曲がった部分の端面が固定層64を介して基板10に固定されている。固定層64は、例えば接着層である。なお、封止部材30及び基板10で囲まれた空間には、特定の気体又は液体が充填されている。   The sealing member 30 blocks the organic semiconductor element 20 from the outside air. The sealing member 30 is made of a resin such as quartz, glass, metal, or plastic. The sealing member 30 has a shape in which the edge of the flat plate is bent by approximately 90 ° toward the substrate 10. In addition, the end surface of the bent portion of the sealing member 30 is fixed to the substrate 10 via the fixed layer 64. The fixed layer 64 is, for example, an adhesive layer. Note that a space surrounded by the sealing member 30 and the substrate 10 is filled with a specific gas or liquid.

第1磁石50は、例えば接着剤や両面テープを用いて封止部材30に固定されている。封止部材30のうち第1磁石50が取り付けられる部分には、凹部が形成されていても良い。この場合、この凹部内に接着剤や両面テープが設けられる。なお、凹部の深さは、第1磁石50の上面が封止部材30の外面と同一面を形成するように設定されても良いし、第1磁石50の上面が封止部材30の外面よりもとび出すように設定されても良い。   The first magnet 50 is fixed to the sealing member 30 using, for example, an adhesive or a double-sided tape. A recess may be formed in a portion of the sealing member 30 to which the first magnet 50 is attached. In this case, an adhesive or a double-sided tape is provided in the recess. The depth of the recess may be set so that the upper surface of the first magnet 50 forms the same surface as the outer surface of the sealing member 30, or the upper surface of the first magnet 50 is more than the outer surface of the sealing member 30. You may set so that it may come out.

また本実施形態では、第1磁石50は封止部材30の外側の面に固定されている。このため、第1磁石50を封止部材30に取り付けても、第1磁石50が有機半導体素子20に接触することはない。   In the present embodiment, the first magnet 50 is fixed to the outer surface of the sealing member 30. For this reason, even if the first magnet 50 is attached to the sealing member 30, the first magnet 50 does not contact the organic semiconductor element 20.

第2磁石52は、基板10の第2面14に取り付けられている。上記したように、有機半導体素子20が発光した光は、基板10を通って外部に放射される。このため、第2磁石52が基板10に取り付けられたままだと、有機半導体素子20が発光した光が第2磁石52によって遮られてしまう。これに対して本実施形態では、第2磁石52は基板10に対して取り外し可能に設けられている。具体的には、第2磁石52は、剥離シート70(剥離部材)を介して基板10の第2面14(出射面)に取り付けられている。剥離シート70は、基板10に対して剥離できるように設けられている。このため、基板10及び封止部材30に力が加わる恐れがなくなった後は、基板10の第2面14から剥離シート70を剥がすことによって、基板10から第2磁石52を取り除くことができる。この場合、有機半導体素子20から出射する光が第2磁石52によって遮られることは無くなる。   The second magnet 52 is attached to the second surface 14 of the substrate 10. As described above, the light emitted from the organic semiconductor element 20 is radiated to the outside through the substrate 10. For this reason, when the second magnet 52 remains attached to the substrate 10, the light emitted from the organic semiconductor element 20 is blocked by the second magnet 52. On the other hand, in the present embodiment, the second magnet 52 is provided so as to be removable from the substrate 10. Specifically, the second magnet 52 is attached to the second surface 14 (the emission surface) of the substrate 10 via a release sheet 70 (a release member). The release sheet 70 is provided so as to be peelable from the substrate 10. For this reason, after the possibility that force is applied to the substrate 10 and the sealing member 30 is eliminated, the second magnet 52 can be removed from the substrate 10 by peeling the release sheet 70 from the second surface 14 of the substrate 10. In this case, the light emitted from the organic semiconductor element 20 is not blocked by the second magnet 52.

なお、第2磁石52は、固定層62を介して剥離シート70に固定されている。固定層62は、例えば接着剤や両面テープである。   The second magnet 52 is fixed to the release sheet 70 through the fixed layer 62. The fixed layer 62 is, for example, an adhesive or a double-sided tape.

また本実施形態では、平面視で、第1磁石50と第2磁石52は少なくとも一部が互いに重なっている。このようにすると、第1磁石50と第2磁石52の反発力は大きくなるため、封止部材30と有機半導体素子20が接触することをさらに抑制できる。   In the present embodiment, the first magnet 50 and the second magnet 52 at least partially overlap each other in plan view. If it does in this way, since the repulsive force of the 1st magnet 50 and the 2nd magnet 52 becomes large, it can further suppress that sealing member 30 and organic-semiconductor element 20 contact.

封止部材30と基板10によって囲まれた空間の中には、有機半導体素子20の他に乾燥剤40も配置されている。本図に示す例では、乾燥剤40は、封止部材30の内面すなわち基板10に対向する面に固定されている。この場合、乾燥剤40は、封止部材30の内面から有機半導体素子20に向けて突出した状態になるため、封止部材30よりも有機半導体素子20に接触しやすい。しかし本実施形態では、第1磁石50と第2磁石52は互いに反発しあう向きに固定されているため、乾燥剤40と有機半導体素子20が接触することを抑制できる。   In addition to the organic semiconductor element 20, a desiccant 40 is also disposed in the space surrounded by the sealing member 30 and the substrate 10. In the example shown in the figure, the desiccant 40 is fixed to the inner surface of the sealing member 30, that is, the surface facing the substrate 10. In this case, since the desiccant 40 protrudes from the inner surface of the sealing member 30 toward the organic semiconductor element 20, the desiccant 40 is easier to contact the organic semiconductor element 20 than the sealing member 30. However, in this embodiment, since the 1st magnet 50 and the 2nd magnet 52 are being fixed to the direction which mutually repels, it can suppress that the desiccant 40 and the organic-semiconductor element 20 contact.

特に本実施形態では、乾燥剤40は、平面視で第1磁石50及び第2磁石52と少なくとも一部が重なっている。このため、乾燥剤40が有機半導体素子20に接触することをさらに抑制できる。   In particular, in the present embodiment, the desiccant 40 at least partially overlaps the first magnet 50 and the second magnet 52 in plan view. For this reason, it can further suppress that desiccant 40 contacts organic semiconductor element 20.

図2は、有機半導体素子20の一例である有機EL素子の構造を示す断面図である。この有機EL素子は、基板10上に、陽極202、正孔注入層204、正孔輸送層206、発光層208、電子輸送層210、電子注入層212、及び陰極214をこの順に積層した積層構造を有している。これらのうち陽極202、正孔注入層204、正孔輸送層206、発光層208、電子輸送層210、及び電子注入層212は、塗布法及び蒸着法のいずれの方法で形成されても良い。なお、蒸着法により形成される場合、各層の材料としては、以下が例示される。   FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the structure of an organic EL element that is an example of the organic semiconductor element 20. This organic EL element has a laminated structure in which an anode 202, a hole injection layer 204, a hole transport layer 206, a light emitting layer 208, an electron transport layer 210, an electron injection layer 212, and a cathode 214 are laminated on the substrate 10 in this order. have. Among these, the anode 202, the hole injection layer 204, the hole transport layer 206, the light emitting layer 208, the electron transport layer 210, and the electron injection layer 212 may be formed by any method of coating and vapor deposition. In addition, when formed by a vapor deposition method, the following are illustrated as a material of each layer.

発光層208に用いられる燐光性の有機化合物としては、イリジウム錯体であるBis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium (III)、Tris (2-phenylpyridine) iridium(III)、Bis (2-phenylbenzothiazolato) (acetylacetonate) iridium(III)、オスミウム錯体であるOsmium(II) bis(3-trifluoromethyl -5-(2-pyridyl) -pyrazolate)dimethylphenylphosphine、希土類化合物のTris (dibenzoylmethane) phenanthroline europium(III)、白金錯体である2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H, 23H- porphine,platinum(II)等を例示することができる。   Examples of the phosphorescent organic compound used for the light-emitting layer 208 include iridium complexes such as Bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium (III), Tris (2-phenylpyridine). ) iridium (III), Bis (2-phenylbenzothiazolato) (acetylacetonate) iridium (III), Osmium (II) bis (3-trifluoromethyl-5- (2-pyridyl) -pyrazolate) dimethylphenylphosphine, a rare earth compound Tris Examples include (dibenzoylmethane) phenanthroline europium (III), platinum complexes 2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H, 23H-porphine, platinum (II) and the like.

また、発光層208、電子輸送層210、及び電子注入層212の主成分となる電子輸送性を有する有機化合物としては、p−テルフェニルやクアテルフェニル等の多環化合物およびそれらの誘導体、ナフタレン、テトラセン、ピレン、コロネン、クリセン、アントラセン、ジフェニルアントラセン、ナフタセン、フェナントレン等の縮合多環炭化水素化合物及びそれらの誘導体、フェナントロリン、バソフェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、キノリン、キノキサリン、フェナジン等の縮合複素環化合物およびそれらの誘導体や、フルオロセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、キナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体等を例示することができる。   In addition, as an organic compound having an electron transporting property which is a main component of the light-emitting layer 208, the electron transport layer 210, and the electron injection layer 212, polycyclic compounds such as p-terphenyl and quaterphenyl and derivatives thereof, naphthalene Condensed polycyclic hydrocarbon compounds such as tetracene, pyrene, coronene, chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene, phenanthrene and their derivatives, phenanthroline, bathophenanthroline, phenanthridine, acridine, quinoline, quinoxaline, phenazine, etc. Ring compounds and their derivatives, fluorescein, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, perinone, phthaloperinone, naphthaloperinone, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, oxadiazole, alda Bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, oxine, aminoquinoline, imine, diphenylethylene, vinylanthracene, diaminocarbazole, pyran, thiopyran, polymethine, merocyanine, quinacridone, rubrene, etc. and their derivatives be able to.

さらに、電子輸送性を有する有機化合物として、金属キレート錯体化合物、特に金属キレート化オキサノイド化合物では、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス[ベンゾ(f)−8−キノリノラト]亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニル−フェノラト)アルミニウム、トリス(8−キノリノラト)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−キノリノラト)カルシウム等の8−キノリノラト或いはその誘導体を配位子として少なくとも一つ有する金属錯体も例示することができる。   Further, as an organic compound having an electron transporting property, a metal chelate complex compound, particularly a metal chelated oxanoid compound, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis [benzo (f) -8-quinolinolato ] Zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenyl-phenolato) aluminum, tris (8-quinolinolato) indium, tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris Examples also include metal complexes having at least one 8-quinolinolato or a derivative thereof such as (5-chloro-8-quinolinolato) gallium and bis (5-chloro-8-quinolinolato) calcium as a ligand.

また、電子輸送性を有する有機化合物として、オキサジアゾール類、トリアジン類、スチルベン誘導体およびジスチリルアリーレン誘導体、スチリル誘導体、ジオレフィン誘導体も好適に使用され得る。   In addition, oxadiazoles, triazines, stilbene derivatives, distyrylarylene derivatives, styryl derivatives, and diolefin derivatives can also be suitably used as the organic compound having an electron transporting property.

さらに、電子輸送性を有する有機化合物として使用できる有機化合物として、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ベンチル−2−ベンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアゾール、4,4'−ビス(5,7−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)スチルベン、4,4'−ビス[5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル]スチルベン、2,5−ビス(5.7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、2,5−ビス[5−(α,α−ジメチルベンジル)−2−ベンゾオキサゾリル]チオフェン、2,5−ビス[5,7−ジ−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリル]−3,4−ジフェニルチオフェン、2,5−ビス(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、4,4'−ビス(2−ベンゾオキサゾリル)ビフェニル、5−メチル−2−{2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル}ベンゾオキサゾール、2−[2−(4−クロロフェニル)ビニル]ナフト(1,2−d)オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、2,2'−(p−フェニレンジピニレン)−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、2−{2−[4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル〕ビニル}ベンゾイミダゾール、2−[2−(4−カルボキシフェニル)ビニル]ベンゾイミダゾール等も挙げられる。   Furthermore, as an organic compound that can be used as an organic compound having an electron transporting property, 2,5-bis (5,7-di-t-benzyl-2-benzoxazolyl) -1,3,4-thiazole, 4, 4′-bis (5,7-t-pentyl-2-benzoxazolyl) stilbene, 4,4′-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazoly Ru] stilbene, 2,5-bis (5.7-di-t-pentyl-2-benzoxazolyl) thiophene, 2,5-bis [5- (α, α-dimethylbenzyl) -2-benzoxa Zolyl] thiophene, 2,5-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl] -3,4-diphenylthiophene, 2,5-bis (5- Methyl-2-benzoxazolyl) thiophene, 4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl, 5-methyl-2- {2- [4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl} benzoxazole, 2- [2- (4-chlorophenyl) ) Vinyl] naphtho (1,2-d) oxazole and other benzoxazoles, 2,2 ′-(p-phenylenedipinylene) -bisbenzothiazole and other benzothiazoles, 2- {2- [4- ( And 2-benzoimidazolyl) phenyl] vinyl} benzimidazole, 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl] benzimidazole, and the like.

さらに、電子輸送性を有する有機化合物として、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−メチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン、ジスチリルベンゼン、1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(3−エチルスチリル)ベンゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−メチルベンゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−エチルベンゼン等も挙げられる。   Furthermore, as an organic compound having an electron transporting property, 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (4-methylstyryl) benzene, Distyrylbenzene, 1,4-bis (2-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-methylbenzene, 1,4 -Bis (2-methylstyryl) -2-ethylbenzene and the like are also included.

また、さらに、電子輸送性を有する有機化合物として、2,5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2−(1−ナフチル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラジン等が挙げられる。   Further, as an organic compound having an electron transporting property, 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (1- Naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis [2- (1-pyrenyl) vinyl ] Pyrazine etc. are mentioned.

その他、さらに、電子輸送性を有する有機化合物として、1,4−フェニレンジメチリディン、4,4'−フェニレンジメチリディン、2,5−キシリレンジメチリディン、2,6−ナフチレンジメチリディン、1,4−ビフェニレンジメチリディン、1,4−p−テレフェニレンジメチリディン、9,10−アントラセンジイルジメチリディン、4,4'−(2,2−ジ−t−ブチルフェニルビニル)ビフェニル、4,4'−(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル等、従来有機EL素子の作製に使用されている公知のものを適宜用いることができる。   In addition, as an organic compound having an electron transporting property, 1,4-phenylene dimethylidin, 4,4′-phenylene dimethylidin, 2,5-xylylene dimethylidin, 2,6-naphthylene dimethyl methacrylate Din, 1,4-biphenylene dimethylidin, 1,4-p-terephenylene dimethylidin, 9,10-anthracenediyl dimethylidin, 4,4 ′-(2,2-di-t-butylphenyl vinyl) A well-known thing conventionally used for preparation of organic electroluminescent element, such as biphenyl and 4,4'- (2, 2- diphenyl vinyl) biphenyl, can be used suitably.

一方、正孔輸送層206や正孔輸送性の発光層に用いられ、正孔輸送性を有する有機化合物としては、N,N,N',N'−テトラフェニル−4,4'−ジアミノフェニル、N,N'−ジフェニル−N,N'−ジ(3−メチルフェニル)−4,4'−ジアミノビフェニル、2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン、N,N,N',N'−テトラ−p−トリル−4,4'−ジアミノビフェニル、ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン、N,N'−ジフェニル−N,N'−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4'−ジアミノビフェニル、N,N,N',N'−テトラフェニル−4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル、4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン、3−メトキシ−4'−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン、N−フェニルカルバゾール、1,1−ビス(4−ジ−p−トリアミノフェニル)−シクロヘキサン、1,1−ビス(4−ジ−p−トリアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニルメタン、N,N,N−トリ(p−トリル)アミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4'−[4(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、N,N,N',N'−テトラ−p−トリル−4,4'−ジアミノ−ビフェニル、N,N,N',N'−テトラフェニル−4,4'−ジアミノ−ビフェニルN−フェニルカルバゾール、4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4''−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]p−ターフェニル、4,4'−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(3−アセナフテニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、1,5−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ナフタレン、4,4'−ビス[N−(9−アントリル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4''−ビス[N−(1−アントリル)−N−フェニル−アミノ]p−ターフェニル、4,4'−ビス[N−(2−フェナントリル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(8−フルオランテニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(2−ピレニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(2−ペリレニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4'−ビス[N−(1−コロネニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、2,6−ビス(ジ−p−トリルアミノ)ナフタレン、2,6−ビス[ジ−(1−ナフチル)アミノ]ナフタレン、2,6−ビス[N−(1−ナフチル)−N−(2−ナフチル)アミノ]ナフタレン、4.4''−ビス[N,N−ジ(2−ナフチル)アミノ]ターフェニル、4.4'−ビス{N−フェニル−N−[4−(1−ナフチル)フェニル]アミノ}ビフェニル、4,4'−ビス[N−フェニル−N−(2−ピレニル)−アミノ]ビフェニル、2,6−ビス[N,N−ジ(2−ナフチル)アミノ]フルオレン、4,4''−ビス(N,N−ジ−p−トリルアミノ)ターフェニル、ビス(N−1−ナフチル)(N−2−ナフチル)アミン等を例示することができる。   On the other hand, as an organic compound having a hole transporting property, which is used for the hole transporting layer 206 or the hole transporting light emitting layer, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl is used. N, N′-diphenyl-N, N′-di (3-methylphenyl) -4,4′-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, N, N , N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl, bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N′-diphenyl-N, N′-di ( 4-methoxyphenyl) -4,4′-diaminobiphenyl, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-bis (diphenylamino) quadriphenyl, 4, -N, N-diphenylamino- (2-diphe Nylvinyl) benzene, 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene, N-phenylcarbazole, 1,1-bis (4-di-p-triaminophenyl) -cyclohexane, 1,1-bis ( 4-di-p-triaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) -phenylmethane, N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di -P-tolylamino) -4 '-[4 (di-p-tolylamino) styryl] stilbene, N, N, N', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diamino-biphenyl, N, N , N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diamino-biphenyl N-phenylcarbazole, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4 ′ '-Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] p-terphenyl, 4,4'-bis [N- (2-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4' -Bis [N- (3-acenaphthenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 1,5-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] naphthalene, 4,4'-bis [N- (9-anthryl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4 ″ -bis [N- (1-anthryl) -N-phenyl-amino] p-terphenyl, 4,4′-bis [N— (2-Phenanthryl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4′-bis [N- (8-fluoranthenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4′-bis [N- (2 -Pyrenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, , 4′-bis [N- (2-perylenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4′-bis [N- (1-coronenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 2,6-bis (Di-p-tolylamino) naphthalene, 2,6-bis [di- (1-naphthyl) amino] naphthalene, 2,6-bis [N- (1-naphthyl) -N- (2-naphthyl) amino] naphthalene 4.4 ″ -bis [N, N-di (2-naphthyl) amino] terphenyl, 4.4′-bis {N-phenyl-N- [4- (1-naphthyl) phenyl] amino} biphenyl 4,4′-bis [N-phenyl-N- (2-pyrenyl) -amino] biphenyl, 2,6-bis [N, N-di (2-naphthyl) amino] fluorene, 4,4 ″- Bis (N, N-di-p-tolylamino) terphenyl, bis ( N-1-naphthyl) (N-2-naphthyl) amine and the like can be exemplified.

さらに、正孔輸送性を有する有機化合物としては、上述の有機化合物をポリマ中に分散したものや、ポリマ化したものも使用できる。ポリパラフェニレンビニレンやその誘導体等のいわゆるπ共役ポリマ、ポリ(N−ビニルカルバゾール)に代表される正孔輸送性非共役ポリマ、ポリシラン類のシグマ共役ポリマも用いることができる。   Furthermore, as the organic compound having a hole transporting property, those obtained by dispersing the above-described organic compound in a polymer or those obtained by polymerizing can be used. So-called π-conjugated polymers such as polyparaphenylene vinylene and derivatives thereof, hole-transporting non-conjugated polymers represented by poly (N-vinylcarbazole), and sigma-conjugated polymers of polysilanes can also be used.

正孔注入層204としては、特に限定はないが、銅フタロシアニン(CuPc:Copper Phthalocyanine)等の金属フタロシアニン類および無金属フタロシアニン類、カーボン膜、ポリアニリン等の導電性ポリマが好適に使用できる。   The hole injection layer 204 is not particularly limited, but conductive polymers such as metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine (CuPc: Copper Phthalocyanine) and metal-free phthalocyanines, carbon films, and polyaniline can be preferably used.

図3の各図は、有機半導体装置100の製造方法を説明するための図である。まず、図3(a)に示すように、基板10の第1面12上に有機半導体素子20を形成する。有機半導体素子20は、図2に示した各層を第1面12上に順に積層することにより、形成される。   Each drawing in FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing the organic semiconductor device 100. First, as shown in FIG. 3A, the organic semiconductor element 20 is formed on the first surface 12 of the substrate 10. The organic semiconductor element 20 is formed by sequentially stacking the layers shown in FIG. 2 on the first surface 12.

また、封止部材30を準備し、封止部材30に乾燥剤40及び第1磁石50を固定する。次いで、固定層64を用いて封止部材30を基板10の第1面12に固定する。   In addition, the sealing member 30 is prepared, and the desiccant 40 and the first magnet 50 are fixed to the sealing member 30. Next, the sealing member 30 is fixed to the first surface 12 of the substrate 10 using the fixing layer 64.

次いで図3(b)に示すように、基板10の第2面14上に、剥離シート70を貼り付ける。その後、固定層62を用いて剥離シート70に第2磁石52を固定する。なお、第2磁石52は、剥離シート70を基板10に貼り付ける前に剥離シート70に固定されていてもよい。このようにして有機半導体装置100は形成される。   Next, as shown in FIG. 3B, a release sheet 70 is attached on the second surface 14 of the substrate 10. Thereafter, the second magnet 52 is fixed to the release sheet 70 using the fixing layer 62. The second magnet 52 may be fixed to the release sheet 70 before the release sheet 70 is attached to the substrate 10. In this way, the organic semiconductor device 100 is formed.

図3に示す例では、封止部材30を基板10に固定する工程では、第2磁石52は基板10に取り付けられていない。このため、封止部材30を基板10に固定する際に、封止部材30と基板10が互いに反発しあうことを抑制できる。   In the example shown in FIG. 3, the second magnet 52 is not attached to the substrate 10 in the step of fixing the sealing member 30 to the substrate 10. For this reason, when fixing the sealing member 30 to the board | substrate 10, it can suppress that the sealing member 30 and the board | substrate 10 mutually repel each other.

なお、基板10を封止部材30に取り付ける工程の前に、第2磁石52を基板10に取り付けておいて、その代わりに第1磁石50を封止部材30に取り付けないようにしても良い。また、第1磁石50及び第2磁石52の双方を、封止部材30を基板10に固定した後に取り付けても良い。   Note that the second magnet 52 may be attached to the substrate 10 before the step of attaching the substrate 10 to the sealing member 30 and the first magnet 50 may not be attached to the sealing member 30 instead. Further, both the first magnet 50 and the second magnet 52 may be attached after the sealing member 30 is fixed to the substrate 10.

図4及び図5は、有機半導体装置100の使用方法を説明するための図である。ここで説明する例において、有機半導体装置100は、有機半導体素子20として有機EL素子を有している。   4 and 5 are diagrams for explaining a method of using the organic semiconductor device 100. FIG. In the example described here, the organic semiconductor device 100 includes an organic EL element as the organic semiconductor element 20.

有機半導体装置100は、照明やディスプレイとして使用されるとき、特定の場所、例えば壁や天井に固定される場合がある。この固定作業時に、基板10や封止部材30に、封止部材30や乾燥剤40が有機半導体素子20に近づく方向の力が加わることがある。これに対して本実施形態では、基板10には第2磁石52が取り付けられており、封止部材30には第1磁石50が取り付けられている。このため、封止部材30や乾燥剤40が有機半導体素子20に接触することを抑制できる。   When the organic semiconductor device 100 is used as an illumination or a display, the organic semiconductor device 100 may be fixed to a specific place, for example, a wall or a ceiling. During the fixing operation, a force in a direction in which the sealing member 30 or the desiccant 40 approaches the organic semiconductor element 20 may be applied to the substrate 10 or the sealing member 30. On the other hand, in the present embodiment, the second magnet 52 is attached to the substrate 10, and the first magnet 50 is attached to the sealing member 30. For this reason, it can suppress that the sealing member 30 and the desiccant 40 contact the organic-semiconductor element 20. FIG.

そして有機半導体装置100を壁や天井に固定した後、図4に示したように、剥離シート70を基板10から取り外す。これにより、図5に示すように、基板10の第2面14から第2磁石52が取り除かれる。このため、有機半導体素子20から出射する光が第2磁石52によって遮られることは無くなる。   Then, after fixing the organic semiconductor device 100 to the wall or ceiling, the release sheet 70 is removed from the substrate 10 as shown in FIG. Thereby, as shown in FIG. 5, the second magnet 52 is removed from the second surface 14 of the substrate 10. For this reason, the light emitted from the organic semiconductor element 20 is not blocked by the second magnet 52.

図6は、第1磁石50、第2磁石52、及び乾燥剤40の平面レイアウトの第1例を説明するための図である。上記したように、封止部材30の内面に乾燥剤40が固定されていると、封止部材30よりも乾燥剤40が有機半導体素子20に接触しやすくなる。これに対して本図に示すように、第1磁石50及び第2磁石52を乾燥剤40と重ねると、乾燥剤40は有機半導体素子20に接触しにくくなる。   FIG. 6 is a diagram for explaining a first example of a planar layout of the first magnet 50, the second magnet 52, and the desiccant 40. As described above, when the desiccant 40 is fixed to the inner surface of the sealing member 30, the desiccant 40 is easier to contact the organic semiconductor element 20 than the sealing member 30. On the other hand, as shown in this figure, when the first magnet 50 and the second magnet 52 are overlapped with the desiccant 40, the desiccant 40 is less likely to contact the organic semiconductor element 20.

なお、複数の乾燥剤40が封止部材30の内面に固定されている場合、これら複数の乾燥剤40それぞれと重なる位置に、第1磁石50及び第2磁石52を設けるのが好ましい。ただし、いずれかの乾燥剤40には第1磁石50及び第2磁石52が重なっていなくても良い。   In addition, when the several desiccant 40 is being fixed to the inner surface of the sealing member 30, it is preferable to provide the 1st magnet 50 and the 2nd magnet 52 in the position which overlaps with each of these some desiccant 40. FIG. However, the first magnet 50 and the second magnet 52 do not have to overlap with any of the desiccants 40.

図7は、第1磁石50、第2磁石52、及び乾燥剤40の平面レイアウトの第2例を説明するための図である。封止部材30は、中央が最も有機半導体素子20に近づきやすい。これに対して本図に示す例では、第1磁石50及び第2磁石52は、平面視で封止部材30の中央と重なる位置に設けられている。このようにすると、封止部材30は有機半導体素子20に接触しにくくなる。   FIG. 7 is a view for explaining a second example of the planar layout of the first magnet 50, the second magnet 52, and the desiccant 40. The center of the sealing member 30 is most likely to approach the organic semiconductor element 20. On the other hand, in the example shown in this drawing, the first magnet 50 and the second magnet 52 are provided at a position overlapping the center of the sealing member 30 in plan view. If it does in this way, it will become difficult for the sealing member 30 to contact the organic-semiconductor element 20. FIG.

なお、図6に示したレイアウトにおいて、第1磁石50及び第2磁石52は、平面視で封止部材30の中央と重なる位置にも設けられていてもよい。   In the layout shown in FIG. 6, the first magnet 50 and the second magnet 52 may be provided at a position overlapping the center of the sealing member 30 in plan view.

以上、本実施形態によれば、有機半導体装置100は近接抑制部(第1磁石50、及び第2磁石52)を有している。近接抑制部は、重なり領域32が第1面12に近づくことを抑制する。このため、封止部材30又は基板10に、有機半導体素子20と封止部材30が互いに近づく方向の力が加わっても、封止部材30又は乾燥剤40が有機半導体素子20に接触することを抑制できる。また、本実施形態では、近接抑制部として第1磁石50及び第2磁石52を用いているが、有機半導体装置100を固定した後、第2磁石52を取り外すため、有機半導体素子20が出射する光が第2磁石52によって遮られることを防止できる。   As described above, according to the present embodiment, the organic semiconductor device 100 includes the proximity suppressing unit (the first magnet 50 and the second magnet 52). The proximity suppression unit suppresses the overlapping region 32 from approaching the first surface 12. For this reason, the sealing member 30 or the desiccant 40 is in contact with the organic semiconductor element 20 even when a force in a direction in which the organic semiconductor element 20 and the sealing member 30 approach each other is applied to the sealing member 30 or the substrate 10. Can be suppressed. Moreover, in this embodiment, although the 1st magnet 50 and the 2nd magnet 52 are used as a proximity | contact suppression part, in order to remove the 2nd magnet 52, after fixing the organic-semiconductor apparatus 100, the organic-semiconductor element 20 radiate | emits. It is possible to prevent light from being blocked by the second magnet 52.

特に有機半導体素子20が有機EL素子である場合、有機半導体素子20の一部に封止部材30又は乾燥剤40が接触すると、有機半導体素子20のうち封止部材30又は乾燥剤40に接触した部分は光らなくなる可能性がある。この場合、有機半導体素子20の他の部分が正常であっても、有機半導体装置100は不良品として扱われる。本実施形態では、このような原因で有機半導体装置100が不良になることを抑制できる。   In particular, when the organic semiconductor element 20 is an organic EL element, when the sealing member 30 or the desiccant 40 contacts a part of the organic semiconductor element 20, the organic semiconductor element 20 contacts the sealing member 30 or the desiccant 40. The part may not shine. In this case, even if the other part of the organic semiconductor element 20 is normal, the organic semiconductor device 100 is treated as a defective product. In the present embodiment, it is possible to suppress the organic semiconductor device 100 from becoming defective due to such a cause.

なお図1においては、基板10の第2面14の全面に剥離シート70が設けられていたが、図8に示すように、剥離シート70は第2面14のうち第2磁石52が配置される領域及びその周囲にのみ設けられても良い。   In FIG. 1, the release sheet 70 is provided on the entire surface of the second surface 14 of the substrate 10. However, as shown in FIG. 8, the release sheet 70 has the second magnet 52 disposed on the second surface 14. It may be provided only in the surrounding area and its periphery.

(第2の実施形態)
図9は、第2の実施形態に係る有機半導体装置100の構成を示す断面図である。本実施形態において、有機半導体素子20は有機EL素子である。そして本実施形態に係る有機半導体装置100は、光学シート80を有している点を除いて、第1の実施形態に係る有機半導体装置100と同様の構成である。
(Second Embodiment)
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the configuration of the organic semiconductor device 100 according to the second embodiment. In the present embodiment, the organic semiconductor element 20 is an organic EL element. The organic semiconductor device 100 according to this embodiment has the same configuration as that of the organic semiconductor device 100 according to the first embodiment except that the organic semiconductor device 100 includes the optical sheet 80.

光学シート80は、例えば光取り出しシートと呼ばれるシートであり、基板10の第2面14と剥離シート70の間に取り付けられている。光学シート80は、基板10からの光の出射効率を向上させるために設けられており、例えば光を散乱させる層を有している。   The optical sheet 80 is a sheet called a light extraction sheet, for example, and is attached between the second surface 14 of the substrate 10 and the release sheet 70. The optical sheet 80 is provided in order to improve the light emission efficiency from the substrate 10, and has a layer that scatters light, for example.

本実施形態において、剥離シート70は、光学シート80の上に取り付けられている。このため、剥離シート70を剥がしても、光学シート80は基板10の第2面14に貼り付けられたままである。   In the present embodiment, the release sheet 70 is attached on the optical sheet 80. For this reason, even if the release sheet 70 is peeled off, the optical sheet 80 remains adhered to the second surface 14 of the substrate 10.

本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、光学シート80を有しているため、基板10からの光の取り出し効率を高くすることができる。また、剥離シート70は光学シート80の上に貼り付けられているため、剥離シート70を剥がしても、光学シート80を基板10の第2面14に残すことができる。   Also according to this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Moreover, since the optical sheet 80 is provided, the light extraction efficiency from the substrate 10 can be increased. In addition, since the release sheet 70 is affixed on the optical sheet 80, the optical sheet 80 can remain on the second surface 14 of the substrate 10 even if the release sheet 70 is peeled off.

(第3の実施形態)
図10は、第3の実施形態に係る有機半導体装置100の構成を示す断面図である。本実施形態に係る有機半導体装置100は、以下の点を除いて第1の実施形態に係る有機半導体装置100と同様の構成である。
(Third embodiment)
FIG. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of the organic semiconductor device 100 according to the third embodiment. The organic semiconductor device 100 according to the present embodiment has the same configuration as the organic semiconductor device 100 according to the first embodiment except for the following points.

まず、有機半導体素子20は有機EL素子である。そして有機半導体素子20が発光した光は、封止部材30から外部に出射する。   First, the organic semiconductor element 20 is an organic EL element. The light emitted from the organic semiconductor element 20 is emitted from the sealing member 30 to the outside.

また、第2磁石52は基板10に固定されている。第2磁石52は、両面テープ又は接着層を用いて、基板10に直接固定されている。なお、基板10のうち第2磁石52が取り付けられている部分には、凹部が形成されていても良い。凹部の深さは、第2磁石52の上面が基板10の第2面14と同一面を形成するように設定されても良いし、第2磁石52の上面が第2面14よりもとび出すように設定されても良い。   The second magnet 52 is fixed to the substrate 10. The second magnet 52 is directly fixed to the substrate 10 using a double-sided tape or an adhesive layer. A concave portion may be formed in a portion of the substrate 10 where the second magnet 52 is attached. The depth of the recess may be set such that the upper surface of the second magnet 52 forms the same surface as the second surface 14 of the substrate 10, or the upper surface of the second magnet 52 protrudes from the second surface 14. It may be set as follows.

また第1磁石50は、剥離シート70を介して封止部材30の外面に取り付けられている。すなわち本実施形態では、有機半導体装置100の基板10を壁や天井などに取り付けた後、封止部材30から剥離シート70を剥がすことにより、第1磁石50を封止部材30から取り外す。   The first magnet 50 is attached to the outer surface of the sealing member 30 via the release sheet 70. That is, in the present embodiment, the first magnet 50 is removed from the sealing member 30 by peeling the release sheet 70 from the sealing member 30 after the substrate 10 of the organic semiconductor device 100 is attached to a wall or a ceiling.

このため、本実施形態によれば、封止部材30が光取り出し面になっていても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。   For this reason, according to this embodiment, even if the sealing member 30 is a light extraction surface, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

また、本実施形態において、基板10に有機半導体素子20を形成する前に、第2磁石52を基板10に取り付けおくと、第2磁石52を用いて基板10を搬送することができる。この場合、基板10を搬送するための搬送機構を簡略化することができる。   Moreover, in this embodiment, if the 2nd magnet 52 is attached to the board | substrate 10 before forming the organic-semiconductor element 20 in the board | substrate 10, the board | substrate 10 can be conveyed using the 2nd magnet 52. FIG. In this case, the transport mechanism for transporting the substrate 10 can be simplified.

なお、図11に示すように、本実施形態において、封止部材30と剥離シート70の間に光学シート80が設けられていても良い。このようにすると、第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。   As shown in FIG. 11, in this embodiment, an optical sheet 80 may be provided between the sealing member 30 and the release sheet 70. If it does in this way, the same effect as a 2nd embodiment can be acquired.

(第4の実施形態)
図12は、第4の実施形態に係る有機半導体装置100の構成を示す断面図である。本実施形態に係る有機半導体装置100は、封止部材30に背面板90が取り付けられている点を除いて、第1の実施形態に係る有機半導体装置100と同様の構成である。背面板90は、有機半導体装置100を補強するために設けられている。背面板90は、例えばアルミニウムなどの金属によって形成されている。
(Fourth embodiment)
FIG. 12 is a cross-sectional view showing the configuration of the organic semiconductor device 100 according to the fourth embodiment. The organic semiconductor device 100 according to the present embodiment has the same configuration as that of the organic semiconductor device 100 according to the first embodiment, except that the back plate 90 is attached to the sealing member 30. The back plate 90 is provided to reinforce the organic semiconductor device 100. The back plate 90 is made of a metal such as aluminum.

本実施形態によっても、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、背面板90が設けられているため、封止部材30が撓むことを抑制できる。   Also according to this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. Further, since the back plate 90 is provided, it is possible to suppress the sealing member 30 from being bent.

また、背面板90を封止部材30に取り付ける際に、封止部材30が撓んで封止部材30又は乾燥剤40が有機半導体素子20に接触する可能性がある。これに対して本実施形態では、第1磁石50及び第2磁石52が設けられているため、この可能性を低くすることができる。   Further, when the back plate 90 is attached to the sealing member 30, the sealing member 30 may be bent and the sealing member 30 or the desiccant 40 may come into contact with the organic semiconductor element 20. On the other hand, in this embodiment, since the 1st magnet 50 and the 2nd magnet 52 are provided, this possibility can be made low.

なお、本実施形態において、第2の実施形態と同様に光学シート80が設けられていても良い。この場合、上述した効果に加えて、第2の実施形態に示した効果も得ることができる。   In the present embodiment, the optical sheet 80 may be provided as in the second embodiment. In this case, in addition to the effects described above, the effects shown in the second embodiment can also be obtained.

(第5の実施形態)
図13は、第5の実施形態に係る有機半導体装置100の構成を示す断面図である。本実施形態に係る有機半導体装置100は、基板10の第2面14に背面板90を取り付けている点を除いて、第3の実施形態に係る有機半導体装置100と同様の構成である。なお、本図に示す例では剥離シート70を設けていないが、図11と同様に剥離シート70を設けても良い。
(Fifth embodiment)
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an organic semiconductor device 100 according to the fifth embodiment. The organic semiconductor device 100 according to the present embodiment has the same configuration as that of the organic semiconductor device 100 according to the third embodiment, except that a back plate 90 is attached to the second surface 14 of the substrate 10. Although the release sheet 70 is not provided in the example shown in this figure, the release sheet 70 may be provided as in FIG.

本実施形態によっても、第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、背面板90が設けられているため、基板10が撓むことを抑制できる。また、第1磁石50及び第2磁石52が設けられているため、基板10に背面板90を取り付ける際に、封止部材30又は乾燥剤40が有機半導体素子20に接触することを抑制できる。   According to this embodiment, the same effect as that of the third embodiment can be obtained. Further, since the back plate 90 is provided, it is possible to suppress the substrate 10 from being bent. Moreover, since the 1st magnet 50 and the 2nd magnet 52 are provided, when attaching the backplate 90 to the board | substrate 10, it can suppress that the sealing member 30 or the desiccant 40 contacts the organic-semiconductor element 20. FIG.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.

10 基板
12 第1面
14 第2面
20 有機半導体素子
30 封止部材
32 重なり領域
40 乾燥剤
50 第1磁石(近接抑制部)
52 第2磁石(近接抑制部)
70 剥離シート(剥離部材)
80 光学シート
100 有機半導体装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate 12 1st surface 14 2nd surface 20 Organic-semiconductor element 30 Sealing member 32 Overlapping area | region 40 Desiccant 50 1st magnet (proximity suppression part)
52 2nd magnet (proximity suppression part)
70 Peeling sheet (peeling member)
80 Optical sheet 100 Organic semiconductor device

Claims (7)

有機半導体素子と、
第1面に前記有機半導体素子が搭載されている基板と、
前記基板の前記第1面に一部が接し、平面視で前記有機半導体素子と重なっている重なり領域を有し、かつ前記有機半導体素子を含む空間を外部から遮蔽する封止部材と、
前記重なり領域が前記第1面に近づくことを抑制する近接抑制部と、
を備える有機半導体装置。
An organic semiconductor element;
A substrate on which the organic semiconductor element is mounted on the first surface;
A sealing member that is partially in contact with the first surface of the substrate, has an overlapping region that overlaps the organic semiconductor element in plan view, and shields a space including the organic semiconductor element from the outside;
A proximity suppression unit that suppresses the overlapping region from approaching the first surface;
An organic semiconductor device comprising:
請求項1に記載の有機半導体装置において、
前記近接抑制部は、
前記封止部材に取り付けられている第1磁石と、
前記基板の前記第1面とは逆側の面である第2面に、前記第1磁石と反発しあう向きに取り付けられている第2磁石と、
を有する有機半導体装置。
The organic semiconductor device according to claim 1,
The proximity suppression unit is
A first magnet attached to the sealing member;
A second magnet attached to a second surface, which is a surface opposite to the first surface of the substrate, in a direction repelling the first magnet;
An organic semiconductor device having
請求項2に記載の有機半導体装置において、
前記有機半導体素子は、有機EL素子である有機半導体装置。
The organic semiconductor device according to claim 2,
The organic semiconductor device is an organic semiconductor device in which the organic semiconductor element is an organic EL element.
請求項3に記載の有機半導体装置において、
前記封止部材及び前記基板の一方は、前記有機EL素子が発光した光を外部に出射する出射面を含んでおり、
前記第1磁石及び前記第2磁石のうち前記出射面に取り付けられている磁石は取り外し可能に取り付けられている有機半導体装置。
The organic semiconductor device according to claim 3,
One of the sealing member and the substrate includes an emission surface that emits light emitted from the organic EL element to the outside,
An organic semiconductor device in which a magnet attached to the emission surface among the first magnet and the second magnet is detachably attached.
請求項4に記載の有機半導体装置において、
前記出射面に剥離可能に取り付けられた剥離部材をさらに備え、
前記出射面に取り付けられている磁石は、前記剥離部材を介して前記出射面に取り付けられている有機半導体装置。
The organic semiconductor device according to claim 4,
Further comprising a peeling member attached to the emitting surface so as to be peelable,
The organic semiconductor device, wherein the magnet attached to the emission surface is attached to the emission surface via the peeling member.
請求項5に記載の有機半導体装置において、
前記出射面に取り付けられた光学フィルムを備え、
前記剥離部材は、前記光学フィルムに取り付けられている有機半導体装置。
The organic semiconductor device according to claim 5,
Comprising an optical film attached to the exit surface;
The peeling member is an organic semiconductor device attached to the optical film.
有機EL素子と、
第1面に前記有機EL素子が搭載されている基板と、
前記基板の前記第1面に一部が接し、前記有機EL素子を含む空間を外部から遮蔽する封止部材と、
前記封止部材に取り付けられている第1磁石と、
前記基板の前記第1面とは逆側の面である第2面に、前記第1磁石と反発しあう向きに取り付けられている第2磁石と、
を備える有機半導体装置を準備する工程と、
前記有機半導体装置を設置した後、前記第1磁石及び前記第2磁石のうち、前記有機EL素子が発光した光を外部に出射する出射面に取り付けられている磁石を取り外す工程と、
を備える有機半導体装置の取付方法。
An organic EL element;
A substrate on which the organic EL element is mounted on the first surface;
A sealing member that partially contacts the first surface of the substrate and shields a space including the organic EL element from the outside;
A first magnet attached to the sealing member;
A second magnet attached to a second surface, which is a surface opposite to the first surface of the substrate, in a direction repelling the first magnet;
Preparing an organic semiconductor device comprising:
After installing the organic semiconductor device, the step of removing the magnet attached to the emission surface that emits the light emitted by the organic EL element to the outside from the first magnet and the second magnet;
An organic semiconductor device mounting method comprising:
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10600664B2 (en) * 2017-05-03 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Fluorescence based thermometry for packaging applications
JP2022190620A (en) * 2021-06-14 2022-12-26 日本放送協会 Organic electroluminescent element, manufacturing method for organic electroluminescent element, display device, and illumination device
JP2024505602A (en) * 2021-12-09 2024-02-07 ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド Tiling components and tiling display screens

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10600664B2 (en) * 2017-05-03 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Fluorescence based thermometry for packaging applications
US10971383B2 (en) 2017-05-03 2021-04-06 Applied Materials, Inc. Fluorescence based thermometry for packaging applications
JP2022190620A (en) * 2021-06-14 2022-12-26 日本放送協会 Organic electroluminescent element, manufacturing method for organic electroluminescent element, display device, and illumination device
JP7787655B2 (en) 2021-06-14 2025-12-17 日本放送協会 Organic electroluminescent element, method for manufacturing organic electroluminescent element, display device, and lighting device
JP2024505602A (en) * 2021-12-09 2024-02-07 ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド Tiling components and tiling display screens
JP7516431B2 (en) 2021-12-09 2024-07-16 ティーシーエル チャイナスター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッド Tiling components and tiling display screens
US12075573B2 (en) 2021-12-09 2024-08-27 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Tiling component and tiled display screen

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