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JP2014052291A - Gain calibration sample, film thickness measurement device, and gain calibration method - Google Patents

Gain calibration sample, film thickness measurement device, and gain calibration method Download PDF

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JP2014052291A
JP2014052291A JP2012197074A JP2012197074A JP2014052291A JP 2014052291 A JP2014052291 A JP 2014052291A JP 2012197074 A JP2012197074 A JP 2012197074A JP 2012197074 A JP2012197074 A JP 2012197074A JP 2014052291 A JP2014052291 A JP 2014052291A
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JP
Japan
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gain
measuring
calibration
height
head
Prior art date
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Pending
Application number
JP2012197074A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidekazu Sakagami
英和 坂上
Tokumi Harada
徳実 原田
Chiaki Yamawaki
千明 山脇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Priority to PCT/JP2013/072580 priority patent/WO2014038405A1/en
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • G01B15/02Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness

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Abstract

【課題】測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができるゲイン校正試料を提供する。
【解決手段】ゲイン校正試料(60)は、高さ調整部(61)とゲイン調整部(62)とを有する。高さ調整部(61)は、変位センサの測定により測定ヘッドの高さを調整するための部分である。ゲイン調整部(62)は、測定ヘッドのゲインを調整するための部分である。
【選択図】図7A
A gain calibration sample capable of accurately adjusting the height of a measurement head is provided.
A gain calibration sample (60) includes a height adjustment unit (61) and a gain adjustment unit (62). The height adjusting unit (61) is a part for adjusting the height of the measuring head by measurement of the displacement sensor. The gain adjustment unit (62) is a part for adjusting the gain of the measurement head.
[Selection] Figure 7A

Description

この発明は、ゲイン校正試料、膜厚測定装置およびゲイン校正方法に関する。   The present invention relates to a gain calibration sample, a film thickness measuring device, and a gain calibration method.

従来、膜厚測定装置に用いられるゲイン校正試料としては、特開2005−156213号公報(特許文献1)に記載されたものがある。図9に示すように、この校正試料100は、試料材101と、この試料材101を覆うガラス102とを有する。   Conventionally, as a gain calibration sample used in a film thickness measuring device, there is one described in Japanese Patent Laid-Open No. 2005-156213 (Patent Document 1). As shown in FIG. 9, the calibration sample 100 includes a sample material 101 and a glass 102 that covers the sample material 101.

ところで、上記校正試料100で、上記膜厚測定装置の膜厚を測定するための測定ヘッドのゲインを調整しようとすると、まず、測定ヘッドと校正試料100との間の距離が、予め定めた設定値となるように、測定ヘッドの高さ方向の位置を調整する必要がある。   By the way, when the calibration sample 100 is used to adjust the gain of the measurement head for measuring the film thickness of the film thickness measurement device, first, the distance between the measurement head and the calibration sample 100 is set in advance. It is necessary to adjust the position of the measuring head in the height direction so as to be a value.

このとき、上記膜厚測定装置の変位センサにより、上記校正試料100との距離を測定し、この測定値に基づいて、測定ヘッドの高さ方向の位置を調整する。この変位センサは、校正試料100に光線を照射し、この校正試料100からの反射光を検出して、校正試料100との距離を測定する。   At this time, the distance from the calibration sample 100 is measured by the displacement sensor of the film thickness measuring apparatus, and the position of the measuring head in the height direction is adjusted based on the measured value. The displacement sensor irradiates the calibration sample 100 with a light beam, detects reflected light from the calibration sample 100, and measures the distance from the calibration sample 100.

しかしながら、上記変位センサからの光線は、ガラス102の上面102aよりも下面102bで多く反射するため、変位センサは、ガラス102の上面102aでなく下面102bとの距離を測定する。このため、測定ヘッドと校正試料100との間の距離が、上記設定値よりも小さくなって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができない問題がある。このため、測定ヘッドのゲインの調整も、正確に行うことができない。   However, since the light from the displacement sensor is reflected more on the lower surface 102b than on the upper surface 102a of the glass 102, the displacement sensor measures the distance to the lower surface 102b instead of the upper surface 102a of the glass 102. For this reason, the distance between the measurement head and the calibration sample 100 becomes smaller than the set value, and there is a problem that the height of the measurement head cannot be adjusted accurately. For this reason, the gain of the measurement head cannot be adjusted accurately.

特開2005−156213号公報JP 2005-156213 A

そこで、この発明の課題は、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができるゲイン校正試料、膜厚測定装置およびゲイン校正方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a gain calibration sample, a film thickness measurement device, and a gain calibration method that can accurately adjust the height of a measurement head.

上記課題を解決するため、この発明のゲイン校正試料は、
成膜された製品基板との距離を測定するための変位センサと、上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドとを有する膜厚測定装置の校正に用いられる校正試料であって、
上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整するための高さ調整部と、
上記測定ヘッドのゲインを調整するためのゲイン調整部と
を備えることを特徴としている。
In order to solve the above problems, the gain calibration sample of the present invention is
A calibration sample used for calibration of a film thickness measuring device having a displacement sensor for measuring a distance from a formed product substrate and a measurement head for measuring the thickness of the film of the product substrate,
A height adjusting unit for adjusting the height of the measuring head by measurement of the displacement sensor;
And a gain adjusting unit for adjusting the gain of the measuring head.

ここで、上記製品基板は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。   Here, the product substrate includes a substrate and one or more films formed on the substrate.

この発明のゲイン校正試料によれば、上記高さ調整部と上記ゲイン調整部とを備えるので、測定ヘッドの高さの調整を、測定ヘッドのゲインの調整とは異なる部分で、行うことができる。これによって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができる。   According to the gain calibration sample of the present invention, since the height adjustment unit and the gain adjustment unit are provided, the height of the measurement head can be adjusted at a portion different from the adjustment of the gain of the measurement head. . Thereby, the height of the measuring head can be adjusted accurately.

また、一実施形態の膜厚測定装置では、
基台と、
上記基台に設けられると共に、成膜された製品基板を載置する基板ステージと、
上記基台に設けられると共に、請求項1に記載の上記ゲイン校正試料を載置する校正ステージと、
上記基板ステージおよび上記校正ステージに対して第1方向に延在すると共に、上記基板ステージおよび上記校正ステージに対して第2方向に移動可能となるように上記基台に取り付けられるガントリーと、
上記ガントリーに上記第1方向に移動可能に取り付けられるスライダーと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板との距離を測定するための変位センサと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドと、
上記変位センサおよび上記測定ヘッドを上記校正ステージに移動し、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する測定機器校正手段と
を備える。
Moreover, in the film thickness measuring device of one embodiment,
The base,
A substrate stage that is provided on the base and on which the formed product substrate is placed;
A calibration stage provided on the base and on which the gain calibration sample according to claim 1 is placed;
A gantry that extends in a first direction with respect to the substrate stage and the calibration stage and is attached to the base so as to be movable in a second direction with respect to the substrate stage and the calibration stage;
A slider attached to the gantry movably in the first direction;
A displacement sensor that is fixed to the slider and measures a distance from the product substrate placed on the substrate stage;
A measuring head fixed to the slider and measuring the thickness of the film of the product substrate placed on the substrate stage;
The displacement sensor and the measurement head are moved to the calibration stage, the height adjustment unit of the gain calibration sample is used to adjust the height of the measurement head by measuring the displacement sensor, and then the gain calibration is performed. Measuring instrument calibration means for adjusting the gain of the measuring head using the gain adjusting section of the sample.

ここで、上記製品基板は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。   Here, the product substrate includes a substrate and one or more films formed on the substrate.

この実施形態の膜厚測定装置によれば、上記測定機器校正手段は、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する。これによって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッドのゲインの調整を正確に行うことができる。   According to the film thickness measurement apparatus of this embodiment, the measurement instrument calibration means adjusts the height of the measurement head by measuring the displacement sensor using the height adjustment unit of the gain calibration sample. Then, the gain of the measuring head is adjusted using the gain adjusting unit of the gain calibration sample. As a result, the height of the measuring head can be adjusted accurately, and the gain of the measuring head can be adjusted accurately.

また、一実施形態のゲイン校正方法では、
成膜された製品基板との距離を測定するための変位センサと、上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドとを、ゲイン校正試料を載置している校正ステージに移動する工程と、
上記ゲイン校正試料の高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整する工程と、
上記ゲイン校正試料のゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する工程と
を備える。
In the gain calibration method of one embodiment,
A step of moving a displacement sensor for measuring the distance from the formed product substrate and a measurement head for measuring the thickness of the film of the product substrate to a calibration stage on which a gain calibration sample is placed When,
Adjusting the height of the measurement head by measuring the displacement sensor using the height calibration unit of the gain calibration sample; and
And a step of adjusting the gain of the measurement head using the gain adjustment unit of the gain calibration sample.

ここで、上記製品基板は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。   Here, the product substrate includes a substrate and one or more films formed on the substrate.

この実施形態のゲイン校正方法によれば、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する。これによって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッドのゲインの調整を正確に行うことができる。   According to the gain calibration method of this embodiment, the height of the measurement head is adjusted by measurement of the displacement sensor using the height adjustment unit of the gain calibration sample, and then the gain of the gain calibration sample is adjusted. The gain of the measurement head is adjusted using the adjustment unit. As a result, the height of the measuring head can be adjusted accurately, and the gain of the measuring head can be adjusted accurately.

この発明のゲイン校正試料によれば、上記高さ調整部と上記ゲイン調整部とを備えるので、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができる。   According to the gain calibration sample of the present invention, since the height adjustment unit and the gain adjustment unit are provided, the height of the measurement head can be adjusted accurately.

この発明の膜厚測定装置によれば、上記測定機器校正手段は、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する。これによって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッドのゲインの調整を正確に行うことができる。   According to the film thickness measuring apparatus of the present invention, the measuring instrument calibration means adjusts the height of the measuring head by measuring the displacement sensor using the height adjusting unit of the gain calibration sample, The gain of the measurement head is adjusted using the gain adjustment unit of the gain calibration sample. As a result, the height of the measuring head can be adjusted accurately, and the gain of the measuring head can be adjusted accurately.

この発明のゲイン校正方法によれば、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する。これによって、測定ヘッドの高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッドのゲインの調整を正確に行うことができる。   According to the gain calibration method of the present invention, the height adjustment unit of the gain calibration sample is used to adjust the height of the measurement head by measuring the displacement sensor, and then the gain adjustment of the gain calibration sample is performed. Is used to adjust the gain of the measuring head. As a result, the height of the measuring head can be adjusted accurately, and the gain of the measuring head can be adjusted accurately.

本発明の一実施形態の膜厚測定装置を示す平面図である。It is a top view which shows the film thickness measuring apparatus of one Embodiment of this invention. 図1の矢印U方向からみた膜厚測定装置の側面図である。It is a side view of the film thickness measuring apparatus seen from the arrow U direction of FIG. 変位センサの動作を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining operation | movement of a displacement sensor. 測定ヘッドの動作を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining operation | movement of a measurement head. 1次X線の照射により蛍光X線が発生する状態を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the state which a fluorescent X ray generate | occur | produces by irradiation of a primary X ray. チタン膜とモリブデン膜におけるX線強度と膜厚との関係を示す表である。It is a table | surface which shows the relationship between the X-ray intensity and film thickness in a titanium film and a molybdenum film | membrane. 図6Aのデータをプロットしたグラフである。It is the graph which plotted the data of FIG. 6A. 本発明の一実施形態のゲイン校正試料を示す平面図である。It is a top view which shows the gain calibration sample of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態のゲイン校正試料を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the gain calibration sample of one Embodiment of this invention. 変位センサの測定により測定ヘッドの高さを調整する方法を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the method to adjust the height of a measurement head by the measurement of a displacement sensor. 測定ヘッドのゲインを調整する方法を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the method to adjust the gain of a measurement head. 従来のゲインを調整する方法を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the method of adjusting the conventional gain.

以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the illustrated embodiments.

図1は、この発明の一実施形態の膜厚測定装置を示す平面図である。図2は、図1の矢印U方向からみた側面図である。図1と図2に示すように、この膜厚測定装置は、基台1と、基板ステージ2と、校正ステージ3と、ガンドリー4と、スライダー5と、複数の測定機器21,22,23と、制御手段30とを有する。   FIG. 1 is a plan view showing a film thickness measuring apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a side view seen from the direction of arrow U in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, the film thickness measuring apparatus includes a base 1, a substrate stage 2, a calibration stage 3, a gantry 4, a slider 5, and a plurality of measuring devices 21, 22, and 23. And control means 30.

上記基板ステージ2は、上記基台1に設けられ、複数に分割されたステージからなる。基板ステージ2上には、成膜された製品基板10が載置される。   The substrate stage 2 includes a stage provided on the base 1 and divided into a plurality of stages. On the substrate stage 2, the formed product substrate 10 is placed.

上記基板ステージ2には、複数の空気孔2aが設けられ、この空気孔2aからエアを吸い込むことで、製品基板10を基板ステージ2に密着でき、一方、空気孔2aからエアを吹き出すことで、製品基板10を基板ステージ2から浮上できる。   The substrate stage 2 is provided with a plurality of air holes 2a. By sucking air from the air holes 2a, the product substrate 10 can be brought into close contact with the substrate stage 2, while air is blown out from the air holes 2a. The product substrate 10 can be lifted from the substrate stage 2.

上記製品基板10は、例えば、液晶ディスプレイに用いられる液晶TFTである。この製品基板10は、基板と、この基板上に形成された一層以上の膜とを有する。上記膜は、例えば、スパッタリング工法や蒸着工法やメッキ工法により、上記基板に成膜される。上記基板は、例えば、ガラス基板であり、上記膜は、例えば、アルミニウム、チタン、タングステン、モリブデンなどの金属膜である。   The product substrate 10 is, for example, a liquid crystal TFT used for a liquid crystal display. The product substrate 10 includes a substrate and one or more films formed on the substrate. The film is formed on the substrate by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or a plating method. The substrate is, for example, a glass substrate, and the film is a metal film such as aluminum, titanium, tungsten, or molybdenum.

上記校正ステージ3は、上記基台1に設けられ、上記基板ステージ2とは別に設けられる。この校正ステージ3には、複数の凹部3aが設けられ、この凹部3aに様々な種類の校正試料60,70が嵌め込まれ、この校正試料60,70を用いて上記測定機器21,22,23の校正が行われる。   The calibration stage 3 is provided on the base 1 and is provided separately from the substrate stage 2. The calibration stage 3 is provided with a plurality of recesses 3a, and various types of calibration samples 60 and 70 are fitted into the recesses 3a, and the calibration samples 60 and 70 are used for the measurement devices 21, 22, and 23. Calibration is performed.

上記ガントリー4は、上記基板ステージ2および上記校正ステージ3に対して第1方向に延在する。ガンドリー4は、基板ステージ2および校正ステージ3に対して第2方向に移動可能となるように、基台1に取り付けられる。第1方向とは、矢印A方向をいい、第2方向とは、矢印B方向をいう。第1方向と第2方向とは、互いに直交する。   The gantry 4 extends in the first direction with respect to the substrate stage 2 and the calibration stage 3. The gantry 4 is attached to the base 1 so as to be movable in the second direction with respect to the substrate stage 2 and the calibration stage 3. The first direction refers to the direction of arrow A, and the second direction refers to the direction of arrow B. The first direction and the second direction are orthogonal to each other.

つまり、上記基台1には、第2方向(矢印B方向)に延在する2本のレール部6,6が設けられている。この2本のレール部6,6は、基板ステージ2および校正ステージ3を挟むように、配置されている。上記ガンドリー4は、この2本のレール部6,6に架け渡され、このレール部6,6に沿って第2方向に移動可能となる。   That is, the base 1 is provided with two rail portions 6 and 6 extending in the second direction (arrow B direction). The two rail portions 6 and 6 are arranged so as to sandwich the substrate stage 2 and the calibration stage 3. The gandries 4 are stretched over the two rail portions 6 and 6 and can move along the rail portions 6 and 6 in the second direction.

上記スライダー5は、上記ガントリー4に第1方向(矢印A方向)に移動可能に取り付けられる。このスライダー5には、上記測定機器としてのカメラ21、変位センサ22および測定ヘッド23が、固定されている。   The slider 5 is attached to the gantry 4 so as to be movable in the first direction (arrow A direction). A camera 21, a displacement sensor 22, and a measurement head 23 as the measurement device are fixed to the slider 5.

そして、上記測定機器21,22,23は、ガンドリー4の可動範囲Z1により、基板ステージ2および校正ステージ3の第2方向(矢印B方向)の全範囲をカバーできる。また、上記測定機器21,22,23は、スライダー5の可動範囲Z2により、基板ステージ2および校正ステージ3の第1方向(矢印A方向)の全範囲をカバーできる。   The measuring devices 21, 22, and 23 can cover the entire range of the substrate stage 2 and the calibration stage 3 in the second direction (arrow B direction) by the movable range Z1 of the gantry 4. Further, the measuring devices 21, 22, and 23 can cover the entire range of the substrate stage 2 and the calibration stage 3 in the first direction (arrow A direction) by the movable range Z <b> 2 of the slider 5.

上記制御手段30は、基板位置補正手段31と、ヘッド位置調整手段32と、解析手段33と、測定機器校正手段34とを有する。   The control unit 30 includes a substrate position correction unit 31, a head position adjustment unit 32, an analysis unit 33, and a measurement device calibration unit 34.

上記カメラ21は、基板ステージ2に載置された製品基板10のアライメントマークを検出する。このアライメントマークは、カメラ21で判別可能なマークであり、例えば、製品基板10の四隅に設けられる。   The camera 21 detects an alignment mark of the product substrate 10 placed on the substrate stage 2. This alignment mark is a mark that can be identified by the camera 21, and is provided at, for example, the four corners of the product substrate 10.

上記基板位置補正手段31は、上記カメラ21の検出結果に基づいて、基板ステージ2に載置された製品基板10の平面方向(第1、第2方向)の位置情報を補正する。具体的に述べると、上記基台1には、製品基板10の周囲の各辺を押圧するように、複数のクランプ7が設けられている。クランプ7により製品基板10を所定の位置に固定後、カメラ21にてアライメントマークを検出し、この検出結果に基づいて基板位置補正手段31によって、製品基板10の位置情報を補正する。   The substrate position correcting unit 31 corrects position information in the planar direction (first and second directions) of the product substrate 10 placed on the substrate stage 2 based on the detection result of the camera 21. Specifically, the base 1 is provided with a plurality of clamps 7 so as to press each side around the product substrate 10. After fixing the product substrate 10 to a predetermined position by the clamp 7, the alignment mark is detected by the camera 21, and the position information of the product substrate 10 is corrected by the substrate position correcting means 31 based on the detection result.

上記変位センサ22は、図3に示すように、基板ステージ2に載置された製品基板10との高さ方向の距離を測定する。変位センサ22は、例えば赤外線などの光線を、製品基板10の予め定めた測定ポイントPに照射し、この測定ポイントPからの反射光を検出して、測定ポイントPとの距離を測定する。   As shown in FIG. 3, the displacement sensor 22 measures a distance in the height direction from the product substrate 10 placed on the substrate stage 2. The displacement sensor 22 irradiates a predetermined measurement point P of the product substrate 10 with light rays such as infrared rays, detects the reflected light from the measurement point P, and measures the distance to the measurement point P.

上記ヘッド位置調整手段32は、上記変位センサ22の測定値に基づいて、基板ステージに載置された製品基板10と測定ヘッド23との間の距離が予め定められた設定値となるように、測定ヘッド23の高さ方向の位置を調整する。具体的に述べると、製品基板10の測定ポイントPと測定ヘッド23の受発光部23aとの間の高さ方向の距離が、2mm±30μmとなるように、調整される。   Based on the measurement value of the displacement sensor 22, the head position adjusting means 32 is configured so that the distance between the product substrate 10 placed on the substrate stage and the measurement head 23 becomes a predetermined set value. The position of the measuring head 23 in the height direction is adjusted. Specifically, the distance in the height direction between the measurement point P of the product substrate 10 and the light emitting / receiving unit 23a of the measurement head 23 is adjusted to be 2 mm ± 30 μm.

また、上記ヘッド位置調整手段32は、測定ヘッド23の高さ方向の位置を調整した後、測定ヘッド23が製品基板10の測定ポイントPを測定できる位置に、測定ヘッド23を移動する。   The head position adjusting means 32 adjusts the position of the measurement head 23 in the height direction, and then moves the measurement head 23 to a position where the measurement head 23 can measure the measurement point P of the product substrate 10.

上記測定ヘッド23は、図4に示すように、X線照射部231と蛍光X線検出部232とを有する。   As shown in FIG. 4, the measurement head 23 includes an X-ray irradiation unit 231 and a fluorescent X-ray detection unit 232.

上記X線照射部231は、受発光部23aから製品基板10の測定ポイントPへ、1次X線51を照射する。1次X線51は、例えば、ロジウムや、モリブデンや、タングステンなどである。すると、図5に示すように、製品基板10の基板11上の膜12は、1次X線51の照射により、蛍光X線52を発生する。   The X-ray irradiation unit 231 irradiates the measurement point P of the product substrate 10 with the primary X-ray 51 from the light emitting / receiving unit 23a. The primary X-ray 51 is, for example, rhodium, molybdenum, tungsten, or the like. Then, as shown in FIG. 5, the film 12 on the substrate 11 of the product substrate 10 generates fluorescent X-rays 52 by irradiation with the primary X-rays 51.

上記蛍光X線検出部232は、上記膜12から発生した上記蛍光X線52を、受発光部23aから検出する。蛍光X線検出部232は、例えば、シリコンドリフト検出器である。   The fluorescent X-ray detection unit 232 detects the fluorescent X-ray 52 generated from the film 12 from the light emitting / receiving unit 23a. The fluorescent X-ray detector 232 is, for example, a silicon drift detector.

上記解析手段33は、上記測定ヘッド23により検出された上記蛍光X線52の強度から上記膜12の厚みを求める。具体的に述べると、解析手段33は、プリアンプ331とマルチ・チャンネル・アナライザ(以下、MCAという)332とを有する。   The analyzing means 33 obtains the thickness of the film 12 from the intensity of the fluorescent X-ray 52 detected by the measuring head 23. Specifically, the analysis means 33 includes a preamplifier 331 and a multi-channel analyzer (hereinafter referred to as MCA) 332.

上記プリアンプ331は、蛍光X線検出部232から出力される電気信号を増幅する。上記MCA332は、プリアンプ331で増幅された電気信号を解析する。MCA332では、蛍光X線検出部232から出力されたエネルギーを選別し、パルスを計測することで、膜12を構成する元素のX線強度を求める。そして、このX線強度に基づいて、既知のデータから、膜12の厚みを求める。なお、MCA332を用いているため、膜12に混入する異物や不純物を検出できる。   The preamplifier 331 amplifies the electric signal output from the fluorescent X-ray detection unit 232. The MCA 332 analyzes the electrical signal amplified by the preamplifier 331. In the MCA 332, the energy output from the fluorescent X-ray detection unit 232 is selected, and the pulse is measured to obtain the X-ray intensity of the elements constituting the film 12. And based on this X-ray intensity, the thickness of the film | membrane 12 is calculated | required from known data. Note that since the MCA 332 is used, foreign matters and impurities mixed in the film 12 can be detected.

例えば、上記膜12が、チタン膜、または、モリブデン膜である場合、X線強度と膜厚との関係は、図6Aと図6Bに示すような関係となる。   For example, when the film 12 is a titanium film or a molybdenum film, the relationship between the X-ray intensity and the film thickness is as shown in FIGS. 6A and 6B.

なお、上述では、単層の膜(図5)の厚みの測定を説明したが、複数層の膜の厚みを測定することもできる。この場合、各膜から発生する蛍光X線を測定ヘッド23によって検出し、解析手段33によって、各膜を構成する各元素のX線強度を求め、このX線強度に基づいて、各膜の厚みを求める。さらに、この各元素のX線強度から、各元素の組成比をも、求めることができる。   In the above description, the measurement of the thickness of the single-layer film (FIG. 5) has been described. However, the thickness of the multi-layer film can also be measured. In this case, fluorescent X-rays generated from each film are detected by the measuring head 23, and the X-ray intensity of each element constituting each film is obtained by the analyzing means 33, and the thickness of each film is determined based on this X-ray intensity. Ask for. Furthermore, the composition ratio of each element can also be obtained from the X-ray intensity of each element.

上記測定機器校正手段34は、図1に示すように、上記測定機器21,22,23を校正ステージ3に移動して、測定機器21,22,23の校正を行う。測定機器21,22,23の校正は、所定間隔で、行う。この所定間隔とは、例えば、1日に1回の校正を行うといった所定時間毎や、所定枚数の製品基板10の膜厚を測定した後に校正を行うといった所定処理数毎である。   As shown in FIG. 1, the measuring instrument calibration means 34 moves the measuring instruments 21, 22, 23 to the calibration stage 3 to calibrate the measuring instruments 21, 22, 23. Calibration of the measuring devices 21, 22, and 23 is performed at predetermined intervals. The predetermined interval is, for example, every predetermined time such as performing calibration once a day, or every predetermined number of processes such as performing calibration after measuring the film thickness of a predetermined number of product substrates 10.

上記校正ステージ3には、ゲイン校正試料60とオフセット量校正試料70とが、設置されている。ゲイン校正試料60は、測定ヘッド23の蛍光X線検出部232のゲインを調整するための試料である。オフセット量校正試料70は、各測定機器21,22,23のオフセット量を調整するための試料である。   On the calibration stage 3, a gain calibration sample 60 and an offset amount calibration sample 70 are installed. The gain calibration sample 60 is a sample for adjusting the gain of the fluorescent X-ray detection unit 232 of the measurement head 23. The offset amount calibration sample 70 is a sample for adjusting the offset amount of each measuring device 21, 22, 23.

上記ゲイン校正試料60は、図7Aと図7Bに示すように、高さ調整部61とゲイン調整部62とを有する。上記高さ調整部61は、上記変位センサ22の測定により上記測定ヘッド23の高さを調整するための部分である。上記ゲイン調整部62は、上記測定ヘッド23のゲインを調整するための部分である。   The gain calibration sample 60 includes a height adjusting unit 61 and a gain adjusting unit 62 as shown in FIGS. 7A and 7B. The height adjusting unit 61 is a part for adjusting the height of the measuring head 23 by the measurement of the displacement sensor 22. The gain adjusting unit 62 is a part for adjusting the gain of the measuring head 23.

上記高さ調整部61は、直方体に形成され、この上面には、円柱状の凹部61aが設けられている。この凹部61aに、上記ゲイン調整部62が嵌め込まれている。高さ調整部61は、変位センサ22の光線を略全反射する材料から構成されている。高さ調整部61は、例えば、ステンレスやアルミなどの金属からなる。   The height adjusting portion 61 is formed in a rectangular parallelepiped shape, and a cylindrical recess 61a is provided on the upper surface. The gain adjusting unit 62 is fitted into the recess 61a. The height adjustment unit 61 is made of a material that substantially totally reflects the light beam of the displacement sensor 22. The height adjusting unit 61 is made of a metal such as stainless steel or aluminum.

上記ゲイン調整部62は、試料材621と、この試料材621を覆うガラス622とを有する。試料材621は、測定ヘッド23からの1次X線の照射により蛍光X線を発生する。この試料材621の特性は既知であるため、この試料材621に基づいて、測定ヘッド23のゲインを調整することができる。ガラス622は、試料材621を保護する。ゲイン調整部62は、円柱状に形成され、上記高さ調整部61の上記凹部61aに嵌め込まれた状態で、ガラス622の上面と、高さ調整部61の上面とは、同じ高さとなる。   The gain adjusting unit 62 includes a sample material 621 and a glass 622 that covers the sample material 621. The sample material 621 generates fluorescent X-rays when irradiated with primary X-rays from the measurement head 23. Since the characteristics of the sample material 621 are known, the gain of the measuring head 23 can be adjusted based on the sample material 621. The glass 622 protects the sample material 621. The gain adjustment unit 62 is formed in a columnar shape, and the upper surface of the glass 622 and the upper surface of the height adjustment unit 61 are at the same height in a state where the gain adjustment unit 62 is fitted in the recess 61 a of the height adjustment unit 61.

上記ゲイン校正試料60を用いて、上記測定ヘッド23のゲインを調整する方法を説明する。   A method for adjusting the gain of the measurement head 23 using the gain calibration sample 60 will be described.

まず、上記測定ヘッド23と上記ゲイン校正試料60との間の距離が、予め定めた設定値となるように、測定ヘッド23の高さ方向の位置を調整する。このとき、図8Aに示すように、上記変位センサ22により、上記ゲイン校正試料60の上記高さ調整部61との距離を測定し、この測定値に基づいて、測定ヘッド23の高さ方向の位置を調整する。   First, the position of the measurement head 23 in the height direction is adjusted so that the distance between the measurement head 23 and the gain calibration sample 60 becomes a predetermined set value. At this time, as shown in FIG. 8A, the distance between the gain calibration sample 60 and the height adjusting unit 61 is measured by the displacement sensor 22, and the height of the measuring head 23 is measured based on the measured value. Adjust the position.

その後、図8Bに示すように、上記測定ヘッド23を上記ゲイン校正試料60の上記ゲイン調整部62に対向する位置に移動して、ゲイン調整部62を用いて、測定ヘッド23のゲインを調整する。   Thereafter, as shown in FIG. 8B, the measurement head 23 is moved to a position facing the gain adjustment unit 62 of the gain calibration sample 60, and the gain of the measurement head 23 is adjusted using the gain adjustment unit 62. .

次に、上記構成の膜厚測定装置の動作を説明する。   Next, the operation of the film thickness measuring apparatus having the above configuration will be described.

図1に示すように、まず、上記製品基板10が、膜厚測定装置の右方向(矢印R方向)から基板ステージ2上に、搬送される。基板ステージ2上に搬送された製品基板10は、クランプ7により所定の位置に固定される。その後、カメラ21にてアライメントマークを検出し、この検出結果に基づいて基板位置補正手段31によって、製品基板10の位置情報を補正する。   As shown in FIG. 1, first, the product substrate 10 is transferred onto the substrate stage 2 from the right direction (arrow R direction) of the film thickness measuring device. The product substrate 10 transported onto the substrate stage 2 is fixed at a predetermined position by the clamp 7. Thereafter, the alignment mark is detected by the camera 21, and the position information of the product substrate 10 is corrected by the substrate position correcting unit 31 based on the detection result.

その後、上記製品基板10の複数の測定ポイントのうちの第1の測定ポイントにおいて、変位センサ22により、第1の測定ポイントと変位センサ22との間の高さ方向の距離を測定する。そして、上記ヘッド位置調整手段32は、この測定値に基づいて、第1の測定ポイントと測定ヘッド23との間の距離が設定値となるように、測定ヘッド23の高さ方向の位置を調整する。   Then, the distance in the height direction between the first measurement point and the displacement sensor 22 is measured by the displacement sensor 22 at the first measurement point among the plurality of measurement points of the product substrate 10. The head position adjusting means 32 adjusts the position of the measuring head 23 in the height direction so that the distance between the first measuring point and the measuring head 23 becomes a set value based on the measured value. To do.

その後、上記測定ヘッド23は、ヘッド位置調整手段32により、第1の測定ポイントの直上に移動され、製品基板10の膜に1次X線を照射してこの膜から発生する蛍光X線を検出する。そして、上記解析手段33は、この検出された蛍光X線の強度から膜の厚みを求める。   Thereafter, the measurement head 23 is moved directly above the first measurement point by the head position adjusting means 32, and the film of the product substrate 10 is irradiated with primary X-rays to detect fluorescent X-rays generated from this film. To do. Then, the analysis means 33 obtains the thickness of the film from the detected intensity of the fluorescent X-ray.

その後、上記製品基板10の他の測定ポイントについても、同様に、測定ヘッド23の高さを調整してから、測定ヘッド23によって他の測定ポイントの膜厚を測定する。   Thereafter, with respect to the other measurement points of the product substrate 10, similarly, after adjusting the height of the measurement head 23, the film thickness of the other measurement points is measured by the measurement head 23.

このようにして、上記製品基板10の全ての測定ポイントの膜厚を測定し、この測定結果に基づいて、製品基板10が不良品であるか否かを判断する。   In this way, the film thicknesses of all measurement points of the product substrate 10 are measured, and based on the measurement result, it is determined whether or not the product substrate 10 is defective.

その後、上記測定機器校正手段34は、所定間隔で、上記測定機器21,22,23を校正ステージ3に移動して、校正試料60,70を用いて測定機器21,22,23の校正を行う。   Thereafter, the measuring instrument calibration means 34 moves the measuring instruments 21, 22, 23 to the calibration stage 3 at predetermined intervals, and calibrates the measuring instruments 21, 22, 23 using the calibration samples 60, 70. .

上記構成のゲイン校正試料60によれば、上記高さ調整部61と上記ゲイン調整部62とを備えるので、測定ヘッド23の高さの調整を、測定ヘッド23のゲインの調整とは異なる部分で、行うことができる。これによって、測定ヘッド23の高さの調整を正確に行うことができる。   According to the gain calibration sample 60 having the above configuration, since the height adjusting unit 61 and the gain adjusting unit 62 are provided, the adjustment of the height of the measurement head 23 is performed at a portion different from the adjustment of the gain of the measurement head 23. ,It can be carried out. Thereby, the height of the measuring head 23 can be adjusted accurately.

上記構成の膜厚測定装置によれば、上記測定機器校正手段は、上記ゲイン校正試料60の上記高さ調整部61を用いて、上記変位センサ22の測定により上記測定ヘッド23の高さを調整してから、上記ゲイン校正試料60の上記ゲイン調整部62を用いて、上記測定ヘッド23のゲインを調整する。これによって、測定ヘッド23の高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッド23のゲインの調整を正確に行うことができる。   According to the film thickness measuring apparatus having the above configuration, the measuring instrument calibration means adjusts the height of the measuring head 23 by the measurement of the displacement sensor 22 using the height adjusting unit 61 of the gain calibration sample 60. Then, the gain of the measuring head 23 is adjusted using the gain adjusting unit 62 of the gain calibration sample 60. As a result, the height of the measurement head 23 can be adjusted accurately, and the gain of the measurement head 23 can be adjusted accurately.

上記構成のゲイン校正方法によれば、上記ゲイン校正試料60の上記高さ調整部61を用いて、上記変位センサ22の測定により上記測定ヘッド23の高さを調整してから、上記ゲイン校正試料60の上記ゲイン調整部62を用いて、上記測定ヘッド23のゲインを調整する。これによって、測定ヘッド23の高さの調整を正確に行うことができ、さらに、測定ヘッド23のゲインの調整を正確に行うことができる。   According to the gain calibration method of the above configuration, the height calibration unit 61 of the gain calibration sample 60 is used to adjust the height of the measurement head 23 by measurement of the displacement sensor 22, and then the gain calibration sample. The gain of the measuring head 23 is adjusted using the 60 gain adjusting unit 62. As a result, the height of the measurement head 23 can be adjusted accurately, and the gain of the measurement head 23 can be adjusted accurately.

また、蛍光X線分析法により膜厚を求めるので、製品基板10の膜12の微小領域を測定できて、膜厚の測定精度を向上できる。また、蛍光X線分析法では、X線反射率法に比べて、膜厚の測定時間を短縮できる。   In addition, since the film thickness is obtained by fluorescent X-ray analysis, a minute region of the film 12 of the product substrate 10 can be measured, and the film thickness measurement accuracy can be improved. Further, in the fluorescent X-ray analysis method, the film thickness measurement time can be shortened as compared with the X-ray reflectance method.

また、上記測定ヘッド23は、上記基板ステージ2に対して第1方向および第2方向に移動可能であるので、この測定ヘッド23で、製品基板10の複数箇所の膜厚を測定できる。これにより、大型の製品基板10の膜厚測定に好適となる。   Further, since the measurement head 23 is movable in the first direction and the second direction with respect to the substrate stage 2, the film thickness at a plurality of locations on the product substrate 10 can be measured with the measurement head 23. Thereby, it becomes suitable for the film thickness measurement of the large-sized product substrate 10.

なお、この発明は上述の実施形態に限定されない。例えば、高さ調整部61を、ゲイン校正試料60のゲイン調整部62以外の全ての部分としたが、ゲイン校正試料60のゲイン調整部62を除く上面部分としてもよい。   In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment. For example, the height adjustment unit 61 is the entire portion other than the gain adjustment unit 62 of the gain calibration sample 60, but may be the upper surface portion of the gain calibration sample 60 other than the gain adjustment unit 62.

また、ガントリー4の延在方向である第1方向と、ガントリー4の移動方向である第2方向とは、互いに直交しないで、交差するようにしてもよい。   Further, the first direction that is the extending direction of the gantry 4 and the second direction that is the moving direction of the gantry 4 may cross each other without being orthogonal to each other.

また、カメラ21、変位センサ22および測定ヘッド23の数量は、一つに限らず、複数であってもよい。また、カメラ21を省略してもよい。   Further, the number of the camera 21, the displacement sensor 22, and the measuring head 23 is not limited to one and may be plural. Further, the camera 21 may be omitted.

また、校正ステージ3には、2つの校正試料60,70を設置しているが、校正試料の数量の増減は、自由である。また、他の種類の校正試料であってもよく、例えば、X線強度のドリフトを校正するための校正試料であってもよい。   In addition, although two calibration samples 60 and 70 are installed on the calibration stage 3, the number of calibration samples can be freely increased or decreased. Also, other types of calibration samples may be used, for example, calibration samples for calibrating X-ray intensity drift.

また、本発明の膜厚測定装置にて、小型の製品基板の膜厚を測定するようにしてもよく、また、液晶TFT以外に、有機ELなどの半導体基板の膜厚を測定するようにしてもよい。   In addition, the film thickness measuring device of the present invention may be used to measure the film thickness of a small product substrate. In addition to the liquid crystal TFT, the film thickness of a semiconductor substrate such as an organic EL may be measured. Also good.

1 基台
2 基板ステージ
3 校正ステージ
4 ガントリー
5 スライダー
6 レール部
7 クランプ
10 製品基板
21 カメラ
22 変位センサ
23 測定ヘッド
30 制御手段
31 基板位置補正手段
32 ヘッド位置調整手段
33 解析手段
34 測定機器校正手段
60 ゲイン校正試料
61 高さ調整部
62 ゲイン調整部
621 試料材
622 ガラス
70 オフセット量校正試料
A 第1方向
B 第2方向
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base 2 Substrate stage 3 Calibration stage 4 Gantry 5 Slider 6 Rail part 7 Clamp 10 Product substrate 21 Camera 22 Displacement sensor 23 Measuring head 30 Control means 31 Substrate position correcting means 32 Head position adjusting means 33 Analyzing means 34 Measuring equipment calibration means 60 Gain calibration sample 61 Height adjustment unit 62 Gain adjustment unit 621 Sample material 622 Glass 70 Offset amount calibration sample A 1st direction B 2nd direction

Claims (3)

成膜された製品基板との距離を測定するための変位センサと、上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドとを有する膜厚測定装置の校正に用いられる校正試料であって、
上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整するための高さ調整部と、
上記測定ヘッドのゲインを調整するためのゲイン調整部と
を備えることを特徴とするゲイン校正試料。
A calibration sample used for calibration of a film thickness measuring device having a displacement sensor for measuring a distance from a formed product substrate and a measurement head for measuring the thickness of the film of the product substrate,
A height adjusting unit for adjusting the height of the measuring head by measurement of the displacement sensor;
A gain calibration sample comprising: a gain adjusting unit for adjusting the gain of the measuring head.
基台と、
上記基台に設けられると共に、成膜された製品基板を載置する基板ステージと、
上記基台に設けられると共に、請求項1に記載の上記ゲイン校正試料を載置する校正ステージと、
上記基板ステージおよび上記校正ステージに対して第1方向に延在すると共に、上記基板ステージおよび上記校正ステージに対して第2方向に移動可能となるように上記基台に取り付けられるガントリーと、
上記ガントリーに上記第1方向に移動可能に取り付けられるスライダーと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板との距離を測定するための変位センサと、
上記スライダーに固定されると共に、上記基板ステージに載置された上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドと、
上記変位センサおよび上記測定ヘッドを上記校正ステージに移動し、上記ゲイン校正試料の上記高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整してから、上記ゲイン校正試料の上記ゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する測定機器校正手段と
を備えることを特徴とする膜厚測定装置。
The base,
A substrate stage that is provided on the base and on which the formed product substrate is placed;
A calibration stage provided on the base and on which the gain calibration sample according to claim 1 is placed;
A gantry that extends in a first direction with respect to the substrate stage and the calibration stage and is attached to the base so as to be movable in a second direction with respect to the substrate stage and the calibration stage;
A slider attached to the gantry movably in the first direction;
A displacement sensor that is fixed to the slider and measures a distance from the product substrate placed on the substrate stage;
A measuring head fixed to the slider and measuring the thickness of the film of the product substrate placed on the substrate stage;
The displacement sensor and the measurement head are moved to the calibration stage, the height adjustment unit of the gain calibration sample is used to adjust the height of the measurement head by measuring the displacement sensor, and then the gain calibration is performed. A film thickness measuring apparatus comprising: a measuring device calibration unit that adjusts the gain of the measuring head using the gain adjusting unit of the sample.
成膜された製品基板との距離を測定するための変位センサと、上記製品基板の膜の厚みを測定するための測定ヘッドとを、ゲイン校正試料を載置している校正ステージに移動する工程と、
上記ゲイン校正試料の高さ調整部を用いて、上記変位センサの測定により上記測定ヘッドの高さを調整する工程と、
上記ゲイン校正試料のゲイン調整部を用いて、上記測定ヘッドのゲインを調整する工程と
を備えることを特徴とするゲイン校正方法。
A step of moving a displacement sensor for measuring the distance from the formed product substrate and a measurement head for measuring the thickness of the film of the product substrate to a calibration stage on which a gain calibration sample is placed When,
Adjusting the height of the measurement head by measuring the displacement sensor using the height calibration unit of the gain calibration sample; and
And a step of adjusting the gain of the measurement head using a gain adjustment unit of the gain calibration sample.
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