JP2014049966A - 水晶デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明は、水晶素子に加わる応力を緩和することができ、水晶素子の発振周波数の変動を低減することが可能な水晶デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の水晶デバイスは、基板１１０ａと、基板１１０ａ上に設けられた一対の電極パッド１１１と、電極パッド１１１上のそれぞれに設けられた第一バンプ１１２と、電極パッド１１１上のそれぞれに設けられ、第一バンプ１１２よりも基板１１０ａの外周縁に近づくように第一バンプ１１２と間を空けて基板１１０ａの一辺に沿って設けられた第二バンプ１１３と、一対の接続用電極１２３の一方と第一バンプ１１２の一方とが接触し、一対の接続用電極１２３の他方と第一バンプ１１２の他方とが接触し、接続用電極１２３が第一バンプ１１２と第二バンプ１１３の間に位置する電極パッド１１１と導電性接着剤１４０を介して接続された水晶素子１２０と、を備えていることを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。

水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、水晶素板の両面が互いにずれるように厚みすべり振動を起こし、特定の周波数を発生させるものである。基板上に設けられた電極パッドに導電性接着剤を介して実装された水晶素子を備えた水晶デバイスが提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。水晶素子は、水晶素板の両主面に励振用電極を有しており、水晶素子の一端を基板の上面と接続した固定端とし、他端を基板の上面と間を空けた自由端とした片保持構造となる。

特開２００２−１１１４３５号公報

上述した水晶デバイスは、小型化が顕著であるが、基板に実装する水晶素子も小型化になっている。従来の電極パッド上に導電性接着剤を塗布し、水晶素子を導電性接着剤の上面に載置すると、水晶素子の自由端又は励振用電極が基板に接触し、振動が阻害されて、水晶素子の発振周波数が変動してしまう虞があった。

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、水晶素子の発振周波数が変動することを低減することが可能な水晶デバイスを提供することを目的とする。

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、矩形状の基板と、基板上に基板の一辺に沿って設けられた一対の電極パッドと、電極パッド上のそれぞれに基板の一辺に沿って設けられた第一バンプと、電極パッド上のそれぞれに設けられ、第一バンプよりも基板の外周縁に近づくように第一バンプと間を空けて基板の一辺に沿って設けられた第二バンプと、基板上に設けられ、水晶素板と、水晶素板の上下面に設けられた励振用電極と、水晶素板の下面に励振用電極と間を空けて設けられた一対の接続用電極と、を有し、一対の接続用電極の一方と第一バンプの一方とが接触し、一対の接続用電極の他方と第一バンプの他方とが接触し、接続用電極が第一バンプと第二バンプの間に位置する電極パッドと導電性接着剤を介して接続された水晶素子と、を備えていることを特徴とするものである。

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、一対の接続用電極の一方と第一バンプの一方とが接触し、一対の接続用電極の他方と第一バンプの他方とが接触し、接続用電極が第一バンプと第二バンプの間に位置する電極パッドと導電性接着剤を介して接続された水晶素子と、を備えていることによって、水晶デバイスは、水晶素子の先端部及び励振用電極が基板に接触することを低減し、水晶素子の厚みすべり振動が阻害されることがないため、安定して発振周波数を出力することができる。

本実施形態における水晶デバイスを示す分解斜視図である。 （ａ）図１に示された水晶デバイスのＡ−Ａにおける断面図であり、（ｂ）図２（ａ）に示された水晶デバイスのＸ部分拡大図である。 （ａ）本実施形態における水晶デバイスの蓋体を外した状態を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態における水晶デバイスの蓋体及び水晶素子を外した状態を示す平面図である。 本実施形態における水晶デバイスの蓋体及び水晶素子を外し、導電性接着剤が解放された箇所から電極パッド上に拡がった状態を示す平面図である。 （ａ）本実施形態の第一変形例における水晶デバイスの断面図であり、（ｂ）図５（ａ）に示された水晶デバイスのＹ部分拡大図である。 （ａ）本実施形態の第二変形例における水晶デバイスの断面図であり、（ｂ）図６（ａ）に示された水晶デバイスのＺ部分拡大図である。 （ａ）本実施形態の第三変形例における水晶デバイスの蓋体を外した状態を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態の第三変形例における水晶デバイスの蓋体及び水晶素子を外した状態を示す平面図である。

本実施形態における水晶デバイスは、図１〜図３に示されているように、パッケージ１１０と、パッケージ１１０の基板１１０ａに接合された水晶素子１２０とを含んでいる。パッケージ１１０は、基板１１０ａの上面と枠体１１０ｂの内側面によって囲まれた収容空間Ｋが形成されている。

基板１１０ａは、矩形状であり、上面で実装された水晶素子１２０を支持するための支持部材として機能するものである。基板１１０ａは、基板１１０ａの上面に、水晶素子１２０を接合するための電極パッド１１１が設けられている。また、基板１１０ａの下面の四隅には、外部接続用電極端子Ｇが設けられている。

基板１１０ａは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板１１０ａは、絶縁層を１層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０ａの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド１１１と下面の外部接続用電極端子Ｇとを電気的に接続するための配線パターン及びビア導体が設けられている。

枠体１１０ｂは、基板１１０ａ上に収容空間Ｋを形成するためのものである。枠体１１０ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板１１０ａと一体的に形成されている。枠体１１０ｂの上面には、封止用導体パターン１１４が設けられている。

封止用導体パターン１１４は、蓋体１３０と封止部材１３１を介して接合する際に、封止部材１３１の濡れ性をよくする役割を果たしている。また、封止用導体パターン１１４は、基板１１０ａの内部に形成されたビア導体（図示せず）及び配線パターン（図示せず）により少なくとも１つの外部接続用電極端子Ｇに接続されている。少なくとも１つの外部接続用電極端子Ｇは、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、封止用導体パターン１１４に接合される蓋体１３０がグランドに接続されることとなり、蓋体１３０による収容空間Ｋ内のシールド性が向上する。封止用導体パターン１１４は、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、枠体１１０ｂの上面を環状に囲む形態で施すことによって、例えば１０〜２５μｍの厚みに形成されている。

電極パッド１１１は、一対で設けられており、基板１１０ａの一辺に沿うように隣接して設けられている。一対の電極パッド１１１上には、第一バンプ１１２と第二バンプ１１３がそれぞれ設けられている。第一バンプ１１２は、
電極パッド１１１上のそれぞれに基板１１０ａの一辺に沿って設けられている。第二バンプ１１３は、第一バンプ１１２よりも基板１１０ａの外周縁に近づくように第一バンプ１１２と間を空けて基板１１０ａの一辺に沿って設けられている。

また、一対の第一バンプ１１２は、基板１１０ａの一辺と平行となる直線に対して同一直線上に並ぶようにして設けられている。このようにすることによって、水晶素子１１１の接続用電極１２３を一対の第一バンプ１１２に接触させながら電極パッド１１１に実装する際に、水晶素子１２０が傾くことなく安定した状態で実装することができる。

ここでパッケージ１１０を平面視したときの一辺の寸法が、１．０〜２．５ｍｍである場合を例にして、電極パッド１１１、第一バンプ１１２及び第二バンプ１１３の大きさを説明する。基板１１０ａの一辺と平行となる電極パッド１１１の辺の長さは、０．２５〜０．４０ｍｍとなる。また、基板１１０ａの一辺と交わる辺と平行となる電極パッド１１１の辺の長さは、０．２５〜０．４０ｍｍとなる。電極パッド１１１の上下方向の厚みの長さは、１０〜５０μｍとなる。基板１１０ａの一辺と平行となる第一バンプ１１２の辺の長さは、０．１５〜０．３ｍｍとなる。また、基板１１０ａの一辺と交わる辺と平行となる第一バンプ１１２の辺の長さは、５０〜１００μｍとなる。第一バンプ１１２の上下方向の厚みの長さは、７〜２５μｍとなる。基板１１０ａの一辺と平行となる第二バンプ１１３の辺の長さは、０．１５〜０．３ｍｍとなる。また、基板１１０ａの一辺と交わる辺と平行となる第二バンプ１１３の辺の長さは、５０〜１００μｍとなる。第二バンプ１１３の上下方向の厚みの長さは、７〜２５μｍとなる。また、第一バンプ１１２と第二バンプ１１３の間の長さは、８０〜１００μｍである。

導電性接着剤１４０は、平面視して第一バンプ１１２上から第二バンプ１１２上に広がって形成され、水晶素子１２０の励振用電極１２２と間をあけて配置されている。水晶デバイスは、導電性接着剤１４０と励振用電極１２２とが間を空けて配置されていることにより、導電性接着剤１４０が励振用電極１２２に付着することで生じる短絡を低減することができる。

導電性接着剤１４０は、図３（ｂ）に示されているように、第一バンプ１１２と第二バンプ１１３とで挟まれている箇所から第一バンプ１１２及び第二バンプ１１３を超えて水晶素子１２０の励振用電極１２２に近接する方向にある電極パッド１１１上への拡がりを第一バンプ１１２の壁面と第二バンプ１１３の壁面の濡れ性効果及び第一バンプ１１２と第二バンプ１１３との間の毛細管現象効果により抑えることができる。よって、水晶デバイスは、導電性接着剤１４０が第一バンプ１１２と第二バンプ１１３とで挟まれている箇所から水晶素子１２０の励振用電極１２２に近接する方向には漏れ拡がりにくいため、導電性接着剤１４０を介して、安定して水晶素子１２０を電極パッド１１１に実装することが可能となる。また、安定して水晶素子１２０が実装することができるので、安定して水晶素子１２０の発振周波数を出力することが可能となる。

また、導電性接着剤１４０の粘度が、３５〜４５Ｐａ・ｓのものを使用することによって、第一バンプ１１２と第二バンプ１１３とで挟まれている箇所に塗布した際に、導電性接着剤１４０は、第一バンプ１１２及び第二バンプ１１３を超えて電極パッド１１１上へ流れ出ることなく、第一バンプ１１２と第二バンプ１１３とで挟まれた電極パッド１１１上に留まり、上下方向の厚みが維持される。

また、導電性接着剤１４０は、第一バンプ１１２と第二バンプ１１３とで挟まれている箇所に塗布されている。このようにすることで、水晶デバイスは、導電性接着剤１４０の塗布量及び塗布位置を視覚的によりわかりやすくすることができる。

また、導電性接着剤１４０は、電極パッド１１１から漏れ拡がりにくいため、導電性接着剤１４０の上下方向の厚みも確保することができる。導電性接着剤１４０の上下方向の厚みの長さは、１５〜３０μｍである。このように導電性接着剤１４０の厚みを確保できることによって、落下試験により加わった衝撃が水晶素子１２０に対して導電性接着剤１４０を中心にして上下方向へ加わったとしても、その衝撃を導電性接着剤１４０で十分に吸収緩和することができる。また、導電性接着剤１４０が第一バンプ１１２上から第二バンプ１１３上に拡がって形成されるため、導電性接着剤１４０と電極パッド１１１、第一バンプ１１２及び第二バンプ１１３との接着面積も確保することができる。

また、導電性接着剤１４０は、図４に示されているように、第一バンプ１１２と第二バンプ１１３との間の解放されている箇所から、水晶素子１２０を第一バンプ１１２に接触させる際に、溢れ出るようにして電極パッド１１１上に拡がる。よって、水晶素子１２０に余分な導電性接着剤１４０が付着することを低減することができる。また、溢れ出た導電性接着剤１４０が電極パッド１１１上に拡がるため、導電性接着剤１４０と電極パッド１１１との接触面積が大きくなり、接合強度も向上させることができる。

ここで、パッケージ１１０の作製方法について説明する。基板１１０ａ及び枠体１１０ｂがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、一対の電極パッド１１１又は外部接続用電極端子Ｇとなる部位にニッケルメッキ又は金メッキ等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。

水晶素子１２０は、図２及び図３（ａ）に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。

水晶素子１２０は、図２（ａ）に示されているように、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに励振用電極１２２、接続用電極１２３及び引き出し電極１２４を被着させた構造を有している。励振用電極１２２は、水晶素板１２１の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。引き出し電極１２４は、励振用電極１２２から水晶素板１２１の短辺に向かって延出されている。接続用電極１２３は、引き出し電極１２４と接続されており、水晶素板１２１の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。

本実施形態においては、電極パッド１１１と接続されている水晶素子１２０の一端を基板１１０ａの上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０ａの上面と間を空けた自由端とした片保持構造にて水晶素子１２０が基板１１０ａ上に固定されている。

水晶素子１２０の接続用電極１２３の一方は、第一バンプ１１２の一方と接触し、水晶素子１２０の接続用電極１２３の他方は、第一バンプ１１２の他方と接触している。このように水晶素子１２０の接続用電極１２３を第一バンプ１１２に接触させることにより、水晶素子１２０が傾くことを低減することできるため、水晶素子１２０の先端部及び励振用電極１２２が基板１１０ａに接触することを低減することができる。

水晶素板１２１の固定端側の外周縁は、図３（ａ）に示されているように、平面視して、基板１１０ａの一辺と平行であり、第二バンプ１１３よりも基板１１０ａの外周縁に近付くように設けられている。このようにすることにより、水晶素子１２０の実装位置を視覚的によりわかりやすくすることができるので、水晶デバイスの生産性を向上させることが可能となる。また、このようにすることによって、パッケージ１１０の枠体１１０ｂと、水晶素子１２０の外周縁とが接触することを低減することができ、水晶素子１２０の欠けを防ぐことが可能となる。

ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が接続用電極１２３から引き出し電極１２４及び励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。

ここで、水晶素子１２０の作製方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２、接続用電極１２３及び引き出し電極１２４を形成することにより作製される。

水晶素子１２０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって、第一バンプ１１２上から第二バンプ１１２上に拡がるようにして塗布される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送される。さらに、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の固定端側の外周縁が、平面視して、基板１１０ａの一辺と平行であり、第二バンプ１１３よりも基板１１０ａの外周縁に近付くようにして導電性接着剤１４０上に載置される。そして導電性接着剤１４０は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０が硬化収縮する際に、水晶素子１２０の固定端側が下方向に引っ張られ、第一バンプ１１２を支点とした梃子の原理が働くことになり、水晶素子１２０の先端部が浮くようにして、一対の電極パッド１１１に接合される。

導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。

蓋体１３０は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような蓋体１３０は、真空状態にある収容空間Ｋ又は窒素ガスなどが充填された収容空間Ｋを気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上に載置され、枠体１１０ｂの封止用導体パターン１１４と蓋体１３０の封止部材１３１とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、枠体１１０ｂに接合される。

封止部材１３１は、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上面に設けられた封止用導体パターン１１４に相対する蓋体１３０の箇所に設けられている。封止部材１３１は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられている。金錫の場合は、その厚みは、１０〜４０μｍである。例えば、成分比率が、金が７８〜８２％、錫が１８〜２２％ｂのものが使用されている。銀ロウの場合は、その厚みは、１０〜２０μｍである。例えば、成分比率は、銀が７２〜８５％、銅が１５〜２８％のものが使用されている。

本実施形態における水晶デバイスは、水晶素子１２０が一対の接続用電極１２３の一方と第一バンプ１１２の一方とが接触し、一対の接続用電極１２３の他方と第一バンプ１１２の他方とが接触し、接続用電極１２３が第一バンプ１１２と第二バンプ１１３の間に位置する電極パッド１１１と導電性接着剤１４０を介して接続されたことにより、導電性接着剤１４０の硬化収縮時に水晶素子１２０の固定端側が下方向に引っ張られ、第一バンプ１１２を支点とした梃子の原理により、水晶素子１２０の先端部が浮き上がる。よって、水晶デバイスは、水晶素子１２０の先端部及び励振用電極１２２が基板１１０ａに接触することを低減することができる。また、水晶デバイスは、水晶素子１２０の厚みすべり振動が阻害されることがないため、安定して発振周波数を出力することができる。

（第一変形例）
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。

本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図５に示されているように、第一バンプ２１２の上下方向の厚みが第二バンプ２１３の上下方向の厚みに比べて長くなっている点で本実施形態と異なる。

本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、第一バンプ２１２の上下方向の厚みが第二バンプ２１３の上下方向の厚みに比べて長くなっている。ここでパッケージ２１０を平面視したときの一辺の寸法が、１．０〜２．５ｍｍである場合を例にして、第一バンプ２１２及び第二バンプ２１３の大きさを説明する。第一バンプ２１２の上下方向の厚みの長さは、７〜２５μｍとなる。第二バンプ２１３の上下方向の厚みの長さは、５〜１５μｍとなる。

本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、第一バンプ２１２の上下方向の厚みが第二バンプ２１３の上下方向の厚みに比べて長くなっていることによって、導電性接着剤１４０の硬化収縮時に水晶素子１２０の固定端側が下方向に引っ張られ、第一バンプ２１２を支点にした梃子の原理がさらに働き、水晶素子１２０の先端部がさらに浮くようにして実装することができる。よって、水晶デバイスは、水晶素子１２０の先端部及び励振用電極１２２が基板２１０ａに接触することを低減し、水晶素子１２０の厚みすべり振動が阻害されることがないため、さらに安定して発振周波数を出力することができる。

（第二変形例）
以下、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第二変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。

本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、図６に示されているように、一対の接続用電極１２３の一方と第二バンプ２１３の一方とが接触し、一対の接続用電極１２３の他方と第二バンプ２１３の他方とが接触している点で本実施形態と異なる。

本実施形態の第二変形例における水晶デバイスは、一対の接続用電極１２３の一方と第二バンプ２１３の一方とが接触し、一対の接続用電極１２３の他方と第二バンプ２１３の他方とが接触していることによって、水晶素子１２０の固定端側が導電性接着剤１４０の硬化収縮前に、水晶素子１２０の先端部が上方向に持ち上がるようにして載置されるため、導電性接着剤１４０の硬化収縮時に水晶素子１２０の固定端側が下方向に引っ張られ、第一バンプ２１２及び第二バンプ２１３を支点とした梃子の原理により、水晶素子１２０の先端部がさらに浮き上がる。よって、水晶デバイスは、水晶素子１２０の先端部及び励振用電極１２２が基板２１０ａに接触することを防止することができる。

（第三変形例）
以下、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第三変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。

本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、図７に示されているように、第一バンプ３１２の短辺の長さが第二バンプ３１３の短辺の長さに比べて長くなっている点で本実施形態と異なる。

本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、第一バンプ３１２の短辺の長さが第二バンプ３１３の短辺の長さに比べて長くなっている。ここでパッケージ３１０を平面視したときの一辺の寸法が、１．０〜２．５ｍｍである場合を例にして、第一バンプ３１２及び第二バンプ３１３の大きさを説明する。基板３１０ａの一辺と平行となる電極パッド３１１の辺の長さは、０．２５〜０．４０ｍｍとなる。また、基板３１０ａの一辺と交わる辺と平行となる電極パッド３１１の辺の長さは、０．２５〜０．４０ｍｍとなる。基板３１０ａの一辺と平行となる第一バンプ１１２の辺の長さは、０．１５〜０．３ｍｍとなる。また、基板３１０ａの一辺と交わる辺と平行となる第一バンプ３１２の辺の長さは、１００〜１５０μｍとなる。基板３１０ａの一辺と平行となる第二バンプ３１３の辺の長さは、０．１５〜０．３ｍｍとなる。また、基板３１０ａの一辺と交わる辺と平行となる第二バンプ３１３の辺の長さは、５０〜１００μｍとなる。また、第一バンプ３１１と第二バンプ３１２の間の長さは、８０〜１００μｍである。

本実施形態の第三変形例における水晶デバイスは、第一バンプ３１２の短辺の長さが第二バンプ３１３の短辺の長さに比べて長くなっていることによって、水晶素子１２０の接続用電極１２３と第一バンプ３１２との接触面積が増すことになっているので、水晶素子１２０が傾くことをさらに低減することができる。

尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記実施形態では、枠体１１０ｂが基板１１０ａと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体１１０ｂが金属製であっても構わない。この場合、枠体は、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。

上記実施形態では、基板の上面に枠体が設けられている場合について説明したが、基板に水晶素子を実装した後に、下面に壁部が設けられた蓋体を用いて、水晶素子を気密封止する構造であっても構わない。

上記実施形態では、水晶素子は、ＡＴ用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。

また、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の外周部と比べて水晶素板１２１の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を用いても構わない。また、水晶素子１２０のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板１２１とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板１２１とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板１２１とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板１２１が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。

１１０、２１０、３１０・・・パッケージ
１１０ａ、２１０ａ、３１０ａ・・・基板
１１０ｂ、２１０ｂ、３１０ｂ・・・枠体
１１１、２１１、３１１・・・電極パッド
１１２、２１２、３１２・・・第一バンプ
１１３、２１３、３１３・・・第二バンプ
１１４、２１４・・・封止用導体パターン
１２０・・・水晶素子
１２１・・・水晶素板
１２２・・・励振用電極
１２３・・・接続用電極
１２４・・・引き出し電極
１３０・・・蓋体
１３１・・・封止部材
１４０・・・導電性接着剤
Ｋ・・・収容空間
Ｇ・・・外部接続用端子

Claims (4)

1. 矩形状の基板と、
   前記基板上に前記基板の一辺に沿って設けられた一対の電極パッドと、
   前記電極パッド上のそれぞれに前記基板の一辺に沿って設けられた第一バンプと、
   前記電極パッド上のそれぞれに設けられ、前記第一バンプよりも前記基板の外周縁に近づくように前記第一バンプと間を空けて前記基板の一辺に沿って設けられた第二バンプと、
   前記基板上に設けられ、水晶素板と、前記水晶素板の上下面に設けられた励振用電極と、前記水晶素板の下面に前記励振用電極と間を空けて設けられた一対の接続用電極と、を有し、前記一対の接続用電極の一方と前記第一バンプの一方とが接触し、前記一対の接続用電極の他方と前記第一バンプの他方とが接触し、前記接続用電極が前記第一バンプと前記第二バンプの間に位置する前記電極パッドと導電性接着剤を介して接続された水晶素子と、を備えていることを特徴とする水晶デバイス。
2. 請求項１記載の水晶デバイスであって、
   前記一対の第一バンプは、同一直線上に並ぶようにして設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
3. 請求項１記載の水晶デバイスであって、
   前記第一バンプの上下方向の厚みが前記第二バンプの上下方向の厚みに比べて長くなっていることを特徴とする水晶デバイス。
4. 請求項１乃至請求項３に記載の水晶デバイスであって、
   前記一対の接続用電極の一方と前記第二バンプの一方とが接触し、前記一対の接続用電極の他方と前記第二バンプの他方とが接触していることを特徴とする水晶デバイス。

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