JP2014045171A - 塗布処理方法及び塗布処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の周縁部へのハードマスクの付着を防止し、ハードマスクの塗布を容易に行えるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの表面にハードマスク液Ｈを塗布してハードマスク膜ＨＭを形成する塗布処理において、鉛直軸回りに回転するウエハの表面周縁部にマスキングノズル５４からマスキング液ＰＲを供給してウエハ周縁部にマスキング膜Ｍを形成した後、ウエハの表面にハードマスクノズル５０からハードマスク液Ｈを供給してウエハ表面にハードマスク膜ＨＭを形成し、その後、ハードマスク膜除去ノズルからウエハの周縁部に形成されているハードマスク膜にハードマスク膜除去液を供給してウエハの周縁部のハードマスク膜を除去し、その後、マスキング膜除去ノズル５５からマスキング膜除去液Ｄを供給してウエハの周縁部のマスキング膜を除去する。
【選択図】 図６

Description

この発明は、基板表面にハードマスク膜を形成し、該ハードマスク膜の周縁部を除去する塗布処理方法及び塗布処理装置に関するものである。

一般に、半導体製造工程においては、例えば半導体ウエハ等の基板を水平に保持した状態で回転させながら、基板表面に処理液であるレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等のフォトリソグラフィ工程が行われて、ウエハ上に所定のレジストパターンが形成される。例えば、フォトリソグラフィ工程には、通常、塗布・現像処理装置に露光装置を接続した塗布・現像処理システムが用いられる。

塗布・現像処理システムにおけるフォトリソグラフィ工程では、近年の２０ｎｍ以細の微細化に伴い、複数回レジスト塗布、露光及び現像処理を施すマルチパターニング（Multi-patterning）技術が盛んに検討されているが、プロセスの複雑化によるエッチング加工技術が非常に困難になっている。

そこで、エッチング加工技術の精度を更に向上させるために、有機膜及び無機膜の下層膜としてエッチングの選択比の取れるハードマスクが採用されている。ハードマスクとして、例えば、有機ポリマーで構成されるハードマスクや、有機物・無機物含有のメタルハードマスクが採用されている。また、コスト等を考慮して、ハードマスクのハードマスク膜（下層膜）をスピンコート法で形成することが求められている（例えば、特許文献１参照）。

スピンコート法でハードマスク膜を形成するには、鉛直軸回りに回転する基板の表面にハードマスク液を供給（吐出）してハードマスク液を拡散した後、乾燥（焼成）してハードマスク膜を形成することができる。しかし、このスピンコート法では、基板の周縁部のベベル部すなわち基板の周縁端部の上下角となる部分を面取りした部分にハードマスク液は回り込んで付着し、特に有機物・無機物含有のハードマスクにおいては金属例えばチタン，アルミニウム，タングステン等を含有するため、基板や装置内が金属汚染される問題がある。

基板のベベル部に付着したハードマスクを除去する手段として、基板のベベル部を洗浄する既存の洗浄技術（例えば、特許文献２参照）を用いて回転する基板のベベル部に洗浄液（ハードマスクを溶解する有機溶剤）を吐出してハードマスクを除去する方法が考えられる。

国際公開第２００７／０２０９７９号公報 特開２０１０−１１８５１９号公報

しかしながら、ハードマスク膜は基板表面に塗布後に乾燥（焼成）されて形成されるため、回転する基板のベベル部に洗浄液（ハードマスクを溶解する有機溶剤）を吐出してハードマスクを除去する既存のベベル部の洗浄技術では十分に除去できず、基板のベベル部にハードマスクが残存し、基板に付着したハードマスク剤の汚染によって基板の以後の処理例えばレジスト処理、露光処理、現像処理等に悪影響を及ぼす。また、特に有機物・無機物含有のハードマスクにおいては基板や装置内が金属汚染される問題がある。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板の周縁部へのハードマスクの付着を防止し、ハードマスクの塗布を容易に行えるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、この発明の第１の塗布処理方法は、基板表面にハードマスク液を塗布してハードマスク膜を形成する塗布処理方法において、 鉛直軸回りに回転する基板の表面周縁部にマスキング液を供給して基板周縁部にマスキング膜を形成するマスキング膜形成工程と、 上記基板の表面にハードマスク液を供給して基板表面にハードマスク膜を形成するハードマスク膜形成工程と、 上記基板の周縁部に形成されている上記ハードマスク膜にハードマスク剤を溶解するハードマスク膜除去液を供給して上記基板の周縁部のハードマスク膜を除去するハードマスク膜除去工程と、 上記マスキング膜にマスキング剤を溶解するマスキング膜除去液を供給して上記基板の周縁部のマスキング膜を除去するマスキング膜除去工程と、を具備することを特徴とする。

この発明の第１の塗布処理方法において、上記ハードマスク膜除去液と上記マスキング膜除去液は異なる処理液であるのが好ましい。また、上記ハードマスク膜除去液は上記マスキング膜を溶解しない処理液であるのが好ましい。更には、上記ハードマスク膜除去液は水又は有機溶剤であるのが好ましい。また、この発明の第１の塗布処理方法において、上記ハードマスク膜除去工程後であって上記マスキング膜除去工程前にハードマスク膜を加熱処理するハードマスク膜加熱工程を具備するのが好ましい。

この発明の第２の塗布処理方法は、基板表面にハードマスク液を塗布してハードマスク膜を形成する塗布処理方法において、 鉛直軸回りに回転する基板の表面周縁部にマスキング液を供給して基板周縁部にマスキング膜を形成するマスキング膜形成工程と、 上記基板の表面にハードマスク液を供給して基板表面にハードマスク膜を形成するハードマスク膜形成工程と、 上記マスキング膜にマスキング剤を溶解するマスキング膜除去液を供給して上記基板の周縁部のマスキング膜を除去すると共に、上記マスキング膜に付着するハードマスク膜を除去するマスキング膜除去工程と、を具備することを特徴とする。

この発明の第２の塗布処理方法において、上記マスキング膜形成工程は、基板裏面の周縁部にマスキング液を供給して基板裏面の周縁部に補助マスキング膜を形成するようにしてもよい。また、上記マスキング膜形成工程を繰り返して上記マスキング膜を積層するようにしてもよい。

この発明の第１の塗布処理装置は、この発明の第１の塗布処理方法を具現化するもので、基板表面にハードマスク液を塗布してハードマスク膜を形成する塗布処理装置において、上基板を水平に保持する基板保持部と、上記基板保持部を鉛直軸回りに回転する回転機構と、上記基板表面の周縁部にマスキング液を供給するマスキング液供給部と、上記基板表面にハードマスク液を供給するハードマスク液供給部と、上記基板の周縁部に形成されている上記ハードマスク膜にハードマスク膜除去液を供給するハードマスク膜除去液供給部と、上記基板表面の周縁部に形成されたマスキング膜を除去すべく、上記マスキング剤を溶解するマスキング膜除去液を供給するマスキング膜除去液供給部と、上記マスキング液供給部を基板の周縁部と基板の外方側との間を移動する第１の移動機構と、上記ハードマスク液供給部をハードマスク液供給位置と基板外方側との間を移動する第２の移動機構と、上記マスキング膜除去液供給部を基板の周縁部と基板の外方側との間を移動する第３の移動機構と、上記ハードマスク膜除去液供給部を基板の周縁部と基板の外方側との間を移動する第４の移動機構と、上記回転機構、マスキング液供給部、ハードマスク液供給部、上記第１ないし第４の移動機構を駆動する制御部と、を具備し、 上記制御部によって、回転する基板の表面周縁部にマスキング液を供給して基板周縁部にマスキング膜を形成し、その後、上記基板の表面にハードマスク液を供給して基板表面にハードマスク膜を形成し、その後、上記基板の周縁部に形成されている上記ハードマスク膜にハードマスク剤を溶解するハードマスク膜除去液を供給して上記基板の周縁部のハードマスク膜を除去し、その後、上記マスキング膜に上記マスキング膜除去液を供給して上記基板の周縁部のマスキング膜を除去する、ことを特徴とする。

この発明の第１の塗布処理装置において、上記ハードマスク膜を加熱する加熱部を具備し、上記加熱部の駆動を制御する上記制御部によって、上記基板の周縁部に形成されている上記ハードマスク膜を除去した後、上記マスキング膜を除去する前に、上記加熱部により上記ハードマスク膜を加熱処理するのが好ましい。また、上記ハードマスク膜除去液と上記マスキング膜除去液は異なる処理液であるのが好ましい。また、上記ハードマスク膜除去液は上記マスキング膜を溶解しない処理液であるのが好ましい。更には、上記ハードマスク膜除去液は水又は有機溶剤であるのが好ましい。

また、この発明の第２の塗布処理装置は、この発明の第２の塗布処理方法を具現化するもので、基板表面にハードマスク液を塗布してハードマスク膜を形成する塗布処理装置において、上基板を水平に保持する基板保持部と、上記基板保持部を鉛直軸回りに回転する回転機構と、上記基板表面の周縁部にマスキング液を供給するマスキング液供給部と、上記基板表面にハードマスク液を供給するハードマスク液供給部と、上記基板表面の周縁部に形成されたマスキング膜を除去すべく、上記マスキング剤を溶解するマスキング膜除去液を供給するマスキング膜除去液供給部と、上記マスキング液供給部を基板の周縁部と基板の外方側との間を移動する第１の移動機構と、上記ハードマスク液供給部をハードマスク液供給位置と基板外方側との間を移動する第２の移動機構と、上記マスキング膜除去液供給部を基板の周縁部と基板の外方側との間を移動する第３の移動機構と、上記回転機構、マスキング液供給部、ハードマスク液供給部、上記第１ないし第３の移動機構を駆動する制御部と、を具備し、上記制御部によって、回転する基板の表面周縁部にマスキング液を供給して基板周縁部にマスキング膜を形成し、その後、上記基板の表面にハードマスク液を供給して基板表面にハードマスク膜を形成し、その後、上記マスキング膜に上記マスキング膜除去液を供給して上記基板の周縁部のマスキング膜を除去すると共に、上記マスキング膜に付着するハードマスク膜を除去する、ことを特徴とする。

この発明の第２の塗布処理装置において、上記基板の裏面側周縁部にマスキング液を供給する補助マスキング液供給部を具備するのが好ましい。

この発明の第１，第２の塗布処理方法（装置）において、上記ハードマスク液としては、有機物又は有機物・無機物含有のハードマスク液を使用することができるが、この発明の塗布処理方法は、特に有機物・無機物含有のハードマスク液の場合に有効である。

また、この発明の第１，第２の塗布処理方法（装置）において、上記マスキング液は、フォトレジスト液，液浸用上層保護膜液又は上部反射防止膜液のいずれかを使用することができる。

また、この発明の第１，第２の塗布処理方法（装置）において、上記マスキング膜除去液には、水又は有機溶剤を使用することができる。この場合、有機溶剤には、ネガ用フォトレジスト剤や液浸用上層保護膜を溶解する現像液，上部反射防止膜を溶解する２−プロパノール又はポジ用フォトレジスト剤を溶解する現像液を使用することができる。

この発明によれば、上記のように構成されているので、基板の周縁部へのハードマスクの付着がなく、基板の周縁部にハードマスク剤の汚染例えば金属汚染を防止することができ、ハードマスクの塗布を容易に行うことができる。

この発明に係る塗布処理装置を適用した塗布・現像処理装置に露光装置を接続した塗布・現像処理システムの全体を示す概略平面図である。 上記塗布・現像処理システムの概略斜視図である。 上記塗布・現像処理システムの概略縦断面図である。 この発明に係る塗布処理装置の第１実施形態を示す断面図である。 この発明に係る塗布処理装置の第１実施形態を示す平面図である。 この発明におけるマスキング液供給ノズルと除去液供給ノズルの一例を示す斜視図である。 上記マスキング液供給ノズルと除去液供給ノズルの使用状態を示す概略側面図である。 第１実施形態の塗布処理方法の処理手順の一例を示す概略平面図及び概略斜視図である。 この発明におけるハードマスク膜の除去工程を示す概略断面図である。 この発明におけるマスキング膜の除去工程を示す概略断面図である。 第１実施形態の塗布処理方法を示すフローチャートである。 この発明に係る塗布処理装置の第２実施形態を示す断面図である。 第２実施形態の塗布処理装置に裏面マスキング液供給ノズルを付加した断面図である。 上記塗布処理装置の平面図である。 第２実施形態の塗布処理方法の処理手順の一例を示す概略平面図及び概略斜視図である。 この発明に係る塗布処理方法の処理手順の別の一例を示す概略平面図及び概略斜視図である。 この発明におけるマスキング膜の除去工程の別の例を示す概略断面図である。 この発明におけるマスキング膜の除去工程の更に別の例を示す概略断面図である。 この発明におけるマスキング膜の除去工程の更に別の例を示す概略断面図である。 この発明におけるマスキング膜の除去工程の更に別の例を示す概略断面図である。 この発明に係る第２実施形態の塗布処理方法を示すフローチャートである。 この発明に係る塗布処理装置の第３実施形態を示す断面図である。 第３実施形態の塗布処理方法を示すフローチャートである。

以下に、この発明の実施形態について、添付図面に基づいて詳細に説明する。まず、この発明に係る塗布処理装置が適用される塗布・現像処理システムの構成について説明する。

上記塗布・現像処理システム１には、図１に示すように、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、マルチパーパスブロック（Multi Purpose Block）Ｓ２と、ウエハＷに対して、処理を行うための処理ブロックＳ３と、インターフェイスブロックＳ４と、を直線状に配列して構成されている。インターフェイスブロックＳ４には、液浸露光を行う露光装置Ｓ５が接続されている。

キャリアブロックＳ１には、前記キャリアＣを載置する載置台１１と、この載置台１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受渡しアーム１３とが設けられている。受渡しアーム１３は、上下方向に５つのウエハ保持部１４を備え、水平のＸ，Ｙ方向に進退自在、鉛直のＺ方向に昇降自在、鉛直軸回りのθ方向に回転自在に形成されると共に、キャリアＣの配列方向に移動自在に構成されている。

キャリアブロックＳ１には、マルチパーパスブロックＳ２が接続されており、このマルチパーパスブロックＳ２には、ウエハＷを載置する後述する複数の載置部であるモジュールを積層した棚ユニットＵ７と、この棚ユニットＵ７の積層された各モジュールとの間でウエハＷを受け渡す前処理用受渡しアーム３０が配設されている。前処理用受渡しアーム３０は、水平のＹ方向に進退自在、鉛直のＺ方向に昇降自在に形成されている。

なお、ウエハＷを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハＷに対して加熱、液処理、ガス供給または周縁露光などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハＷに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載し、ウエハＷに熱処理を施すモジュールを熱処理モジュール、熱処理モジュールを構成する加熱部分を加熱モジュールと記載する。

マルチパーパスブロックＳ２には、処理ブロックＳ３が接続されており、この処理ブロックＳ３は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６のブロックＢ１〜Ｂ６が下から順に積層されて構成されている。前段処理用の単位ブロックである第１の単位ブロックＢ１は、ウエハＷにハードマスク膜の形成及びレジスト膜の形成を行う。また、第２の単位ブロックＢ２は同様に構成されており、ウエハＷに反射防止膜の形成及びレジスト膜の形成を行う。

後段処理用の単位ブロックである第３の単位ブロックＢ３及び第４の単位ブロックＢ４は同様に構成されており、液浸露光用の保護膜の形成及びウエハＷの裏面側洗浄を行う。現像処理用の単位ブロックである第５の単位ブロックＢ５及び第６の単位ブロックＢ６は同様に構成されており、液浸露光後のウエハＷに現像処理を行う。このようにウエハＷに処理を行う単位ブロックが、５層設けられている。また、便宜上、第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４を塗布ブロック、第５〜第６の単位ブロックＢ５〜Ｂ６を現像ブロックと呼ぶ。

これら単位ブロックＢ１〜Ｂ６は、液処理モジュールと、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段である搬送アームＡ１〜Ａ６と、搬送アームＡ１〜Ａ６が移動する搬送領域Ｒ１〜Ｒ６と、を備えており、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６では、これらの配置レイアウトが同様に構成されている。各単位ブロックＢ１〜Ｂ６では、搬送アームＡ１〜Ａ６により互いに独立してウエハＷが搬送され、処理が行われる。搬送領域Ｒ１〜Ｒ６は、キャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ４へと伸びる直線搬送路である。図１では第１の単位ブロックＢ１について示しており、以下、代表してこの第１の単位ブロックＢ１について説明する。

この第１の単位ブロックＢ１の中央には、前記搬送領域R１が形成されている。この搬送領域R１をキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ４側へ見た左右には液処理モジュール２１、棚ユニットＵ１〜Ｕ６が夫々配置されている。

液処理モジュール２１には、ハードマスク膜形成モジュールＨＭＣＴと、２基のレジスト膜形成モジュールＣＯＴとが設けられており、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ４側に向かってハードマスク膜形成モジュールＨＭＣＴ、２基のレジスト膜形成モジュールＣＯＴが、この順に配列されている。レジスト膜形成モジュールＣＯＴはスピンチャック２２を備えており、スピンチャック２２は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中２３は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ２３は、スピンチャック２２の周囲を囲み、薬液の飛散を抑える。ウエハＷを処理するときには、当該処理カップ２３内にウエハＷが収容され、ウエハＷの裏面中央部はスピンチャック２２に保持される。

また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴには、両モジュールで共用されるノズル２４が設けられている。図中２５は、ノズル２４を支持するアームであり、図中２６はノズル移動機構である。ノズル移動機構２６は、アーム２５を介してノズル２４を各処理カップ２３の配列方向に移動させると共にアーム２５を介してノズル２４を昇降させる。ノズル移動機構２６により、ノズル２４は一方のレジスト膜形成モジュールＣＯＴの処理カップ２３上と他方のレジスト膜形成モジュールＣＯＴの処理カップ２３上との間を移動し、各スピンチャック２２に受け渡されたウエハＷの中心にフォトレジスト液を供給（吐出）する。供給されたフォトレジスト液は、スピンチャック２２により鉛直軸回りに回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの周縁へと展伸し、レジスト膜が成膜される。

なお、ここでは１つの液処理モジュールごとに各処理カップ２３が設けられ、２つの液処理モジュールが１つのノズル２４を共有しているものとして説明しているが、１つの液処理モジュールが、１つのノズル２４と２つの処理カップ２３とを備え、ノズル２４が２つの処理カップ２３に共有されているようにしてもよい。

ハードマスク形成モジュールＨＭＣＴは、ここでは詳細は省略するが、後述するこの発明に係る塗布処理装置４０により形成されており、ウエハＷの周縁部にマスキング膜を形成した後、ウエハＷの表面にハードマスク膜を形成し、その後、マスキング膜を除去して、周縁部を除くウエハＷの表面にハードマスク膜を形成するように構成されている。

搬送領域Ｒ１〜Ｒ６に対して液処理モジュール２１と対向する位置に配置される熱処理モジュール２７には、棚ユニットＵ１〜Ｕ６が配置されている。これら棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ４側に向けて順に配列されている。各棚ユニットＵ１〜Ｕ５は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュール２８が例えば２段に積層されて構成されている。加熱モジュール２８はウエハＷを加熱する熱板２９ａと、加熱後にウエハＷを冷却する冷却プレート２９ｂとを備えている。従って単位ブロックＢ１は１０基の加熱モジュールを備えている。棚ユニットＵ６は、レジスト塗布後のウエハＷに対して周縁露光を行う周縁露光モジュールＷＥＥ１，ＷＥＥ２が積層されて構成されている。

上記搬送領域Ｒ１には、搬送アームＡ１が設けられている。この搬送アームＡ１は、Ｘ，Ｙ方向に進退自在、Ｚ方向に昇降自在、鉛直軸回り（θ方向）に回転自在に形成されると共に、処理ブロックＳ３の長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックＢ１の全てのモジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。

なお、搬送アームＡ１の各部の移動機構，駆動機構は後述する制御部６０に電気的に接続されており、制御部６０からの信号に基づいて、Ｘ，Ｙ方向に進退自在、Ｚ方向に昇降自在、鉛直軸回り（θ方向）に回転自在に形成されると共に、処理ブロックＳ３の長さ方向に移動自在に、かつ、マルチパーパスブロックＳ２側又はインターフェイスブロック側の待機位置に移動可能に構成される。

他の単位ブロックについて説明する。第２の単位ブロックＢ２は、２基の反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及び２基のレジスト膜形成モジュールＣＯＴが設けられている。また、各棚ユニットＵ１〜Ｕ５を構成する加熱モジュールとして１０基が設けられている。棚ユニットＵ６を構成する周縁露光モジュールの２基が設けられている。

第３の単位ブロックＢ３は、第２の単位ブロックＢ２と略同様の構成であるが、差異点として、反射防止膜形成モジュールＢＣＴの代わりに液浸露光用の保護膜形成モジュールＴＣＴを備えている。また、レジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに裏面洗浄モジュールＢＳＴを備えている。保護膜形成モジュールＴＣＴは、ウエハＷに擬水性の保護膜を形成するための薬液を供給することを除いて、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様の構成である。つまり、各保護膜形成モジュールＴＣＴは、各々ウエハＷを処理するための処理カップ２３及びスピンチャック２２を備えており、ノズル２４がこれら２つの処理カップ２３及びスピンチャック２２に共有されている。

裏面洗浄モジュールＢＳＴは、ウエハＷの表面に薬液を供給するノズル２４が設けられる代わりに、ウエハＷの裏面及び周縁のべベル部に洗浄液を供給し、ウエハＷの裏面を洗浄するノズルが夫々個別に設けられる。このような違いを除いては、反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様の構成である。なお、裏面洗浄モジュールＢＳＴはウエハＷの裏面側のみ、または上記ベベル部のみを洗浄するように構成されていてもよい。また、第３の単位ブロックＢ３の棚ユニットＵ６は、周縁露光モジュールＷEEの代わりに加熱モジュール２８により構成されている。

第４の単位ブロックＢ４は、既述の第３の単位ブロックＢ３と同様に構成されており、保護膜形成モジュールＴＣＴ及び裏面洗浄モジュールＢＳＴが設けられている。第４の単位ブロックＢ４の棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、加熱モジュール２８により構成されている。

第５の単位ブロックＢ５は、単位ブロックＢ１と略同様の構成であるが、差異点として、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに４基の現像モジュールＤＥＶを備えている。現像モジュールＤＥＶは、ウエハＷにレジストの代わりに現像液を供給する他は、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されている。また、第５の単位ブロックＢ５の棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、加熱モジュール２８により構成されている。

第６の単位ブロックＢ６は、単位ブロックＢ５と同様に構成されており、４基の現像モジュールＤＥＶが設けられている。また、第６の単位ブロックＢ６の棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、加熱モジュール２８により構成されている。

次に、マルチパーパスブロックＳ２に戻って、マルチパーパスブロックＳ２に設けられた棚ユニットＵ７の構成について説明する。棚ユニットＵ７は、互いに積層された複数の載置部であるモジュールにより構成され、第１の単位ブロックＢ１のメインアームＡ１がアクセスできる高さ位置に、疎水化処理モジュールＡＤＨ１，ＡＤＨ２及び受渡しモジュールＣＰＬ１〜ＣＰＬ３が設けられている。

第２の単位ブロックＢ２のメインアームＡ２がアクセスできる高さ位置には、疎水化処理モジュールＡＤＨ３，ＡＤＨ４及び受渡しモジュールＣＰＬ４〜ＣＰＬ６が設けられている。説明中、ＣＰＬと記載した受渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。ＢＵと記載した受渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを収容し、滞留させることができるように構成されている。

また、疎水化処理モジュールＡＤＨ１〜ＡＤＨ４は、ウエハＷに処理ガスを供給し、ウエハＷ表面の疎水性を向上させる。それによって、液浸露光時にウエハＷから各膜の剥がれを抑える。特にウエハＷのべベル部(周端部)の疎水性を向上させることにより、各液処理モジュール２１で当該周端部の膜が除去されてウエハＷの表面が剥き出しになった状態でも、当該表面が擬水作用を有し、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれを抑えるように処理が行われる。

また、単位ブロックＢ３，Ｂ４のメインアームＡ３，Ａ４がアクセスできる高さ位置に、受渡しモジュールＣＰＬ７〜ＣＰＬ８，ＣＰＬ９〜ＣＰＬ１０が設けられている。更に、キャリアブロックＳ１の受渡しアーム１３がアクセスできる高さ位置に、受渡しモジュールＢＵ１，ＢＵ２及びＣＰＬＯが設けられている。受渡しモジュールＢＵ１，ＢＵ２は、既述の受渡しアーム１３から搬送されたウエハＷを一括で受け取るために、上下方向に５つのウエハＷの保持部を備えている。受渡しモジュールＣＰＬＯは、現像処理されたウエハＷをキャリアＣに戻すために使用される。

更に、単位ブロックＢ５のメインアームＡ５がアクセスできる高さ位置に、受渡しモジュールＣＰＬ１２〜ＣＰＬ１３及びＢＵ３が設けられており、単位ブロックＢ６のメインアームＡ６がアクセスできる位置に、受渡しモジュールＣＰＬ１４〜ＣＰＬ１５及びＢＵ４が設けられている。

処理ブロックＳ３のインターフェイスブロックＳ４側には、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６のメインアームＡ１〜Ａ６がアクセスできる位置に処理棚ユニットＵ８が設けられている。処理棚ユニットＵ８は、第３の単位ブロックＢ３〜第６の単位ブロックＢ６に対応する位置に受渡しモジュールＢＵ５を備えている。受渡しモジュールＢＵ４の下方には、受渡しモジュールＴＲＳ，ＣＰＬ１６〜ＣＰＬ１８が、互いに積層されて設けられている。この処理棚ユニットＵ８は、インターフェイスブロックＳ４内へ移動可能になっている。

また、処理棚ユニットＵ８に対して装置正面側（図１の紙面下側）の対向する位置に４基の露光後洗浄モジュールＰＩＲが積層されて設けられている。この露光後洗浄モジュールＰＩＲと処理棚ユニットＵ８の間には、処理用受渡しアーム３１が配設されている。この処理用受渡しアーム３１は、水平のＸ，Ｙ方向に進退自在、鉛直のＺ方向に昇降自在、鉛直軸回りのθ方向に回転自在に形成されており、処理棚ユニットＵ８の各モジュールと露光後洗浄モジュールＰＩＲとの間、及び液処理モジュール２１との間でウエハＷの受け渡しを行うようになっている。

また、処理棚ユニットＵ８の装置裏面側（図１の紙面上側）の近傍には、処理用受渡しアーム３２が配設されている。この処理用受渡しアーム３２は、処理棚ユニットＵ８と熱処理モジュール４１との間でウエハＷの受け渡しを行うようになっている。

上記インターフェイスブロックＳ４には、処理棚ユニットＵ８の受渡しモジュールＢＵ５，露光後洗浄モジュールＰＩＲと露光装置Ｓ５との間でウエハＷを受け渡すインターフェイスアーム３３が配設されている。このインターフェイスアーム３３は、水平のＸ，Ｙ方向に進退自在、鉛直のＺ方向に昇降自在、鉛直軸回りのθ方向に回転自在に形成されている。

上記インターフェイスアーム３３の移動機構３５とインターフェイスアーム３３の各部の移動機構及び駆動機構は、制御コンピュータ９０の制御部６０に電気的に接続されており、制御コンピュータ９０からの信号に基づいてウエハＷの受け渡しを行うと共に、インターフェイスブロックＳ４からガイドレール３４の一部とインターフェイスアーム３３がインターフェイスブロックＳ４外に移動されるようになっている。

上記のように構成される塗布・現像処理システムにおけるウエハＷの流れの一例について、図１ないし図３を参照しながら簡単に説明する。まず、例えば２５枚のウエハＷを収納したキャリアＣが載置台１１に載置されると、開閉部１２と共にキャリアＣの蓋体が外されて受渡しアーム１３によりウエハＷが取り出される。そして、受渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ１，ＡＤＨ２→受渡しアーム３０→受渡しモジュールＣＰＬ１の順で搬送される。続いて、メインアームＡ１が、ウエハＷをハードマスク膜形成モジュールＨＭＣＴ→加熱モジュール２８→受渡しモジュールＣＰＬ２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ→加熱モジュール２８→周縁露光モジュールＷＥＥ→受渡しモジュールＣＰＬ３に搬送する。その後、ウエハＷは、受渡しアーム３０→受渡しモジュールＣＰＬ９の順で搬送され、搬送アームＡ４により、保護膜形成モジュールＴＣＴ→加熱モジュール２８→受渡しモジュールＣＰＬ１０→裏面洗浄モジュールＢＳＴ３，ＢＳＴ４→受渡しモジュールＢＵ４の順で搬送される。

インターフェイスブロックＳ４では、ウエハＷは、第１及び第３の単位ブロックＢ１，Ｂ３に搬送されたウエハＷと同様に搬送され、露光処理及び露光後洗浄処理を受けて、さらに受渡しモジュールＢＵ５の第６の単位ブロックＢ６における高さ位置に受け渡される。その後、ウエハＷは搬送アームＡ６により、受渡しモジュールＣＰＬ１４→現像モジュールＤＥＶ→加熱モジュール２８→受渡しモジュールＣＰＬ１５→受渡しアーム３０→受渡しモジュールＣＰＬO→受け渡しアーム１３→キャリアＣの順で搬送される。

次に、この発明に係る塗布処理装置について、図４ないし図２０を参照して説明する。

＜第１実施形態＞
塗布処理装置４０は、図４に示すように処理容器４１を有し、その処理容器４１内の中央部には、ウエハＷを保持して回転させる基板保持部であるスピンチャック４２が設けられている。スピンチャック４２は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウエハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられており、この吸引口からの吸引により、ウエハＷをスピンチャック４２上に吸着保持する。

スピンチャック４２は、例えばモータなどの回転機構４３を有している。回転機構４３は後述する制御部６０からの制御信号に基づいて、所定の速度に回転できるようになっている。また、回転機構４３には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック４２は上下動可能になっている。

スピンチャック４２の周囲には、ウエハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収する処理カップ４４が設けられている。処理カップ４４の下面には、回収した液体を排出するドレイン管路４５と処理カップ４４内の雰囲気を排気する排気管路４６が接続されている。

図５に示すように、処理カップ４４のＹ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｘ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するガイドレール４７が形成されている。ガイドレール４７は、例えば処理カップ４４のＸ方向負方向（図５の左方向）側の外方からＸ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。ガイドレール４７には、第１及び第２のノズル移動機構４８ａ，４８ｂが移動自在に装着されている。第１及び第２のノズル移動機構４８ａ，４８ｂは、制御部６０に電気的に接続されており、制御部６０からの制御信号に基づいてガイドレール４７に沿って移動自在に形成されている。

第１のノズル移動機構４８ａには、Ｙ方向に向かって第１のアーム４９ａが取り付けられており、この第１のアーム４９ａには、図４及び図５に示すようにハードマスク液を供給するハードマスク液供給ノズル５０（以下にハードマスクノズル５０という）が支持されている。第１のアーム４９ａは、第１のノズル移動機構４８ａにより、ガイドレール４７上を移動自在に構成されている。これにより、ハードマスクノズル５０は、処理カップ４４のＸ方向正方向側の外方に設置された待機部５１から処理カップ４４内のウエハＷの中心部上方まで移動でき、更にウエハＷの表面上をウエハＷの径方向に移動できる。また、第１のアーム４９ａは、第１のノズル移動機構４８ａによって昇降自在であり、ハードマスクノズル５０の高さを調整できる。

ハードマスクノズル５０には、図４に示すように、ハードマスク液供給源５２に接続するハードマス液供給管路５３が接続されている。ハードマスク液供給源５２は、ハードマスク液を貯留するボトルにて形成されており、気体供給源例えばＮ２ガス供給源（図示せず）から供給される気体（Ｎ２ガス）の加圧によって塗布液がハードマスクノズル５０側へ供給（圧送）されるようになっている。ハードマス液供給管路５３には、流量調節機能を有する第１の開閉弁Ｖ１が介設されている。なお、ハードマスク液は、有機物・無機物含有のメタルハードマスク液が用いられる。このメタルハードマスク液は金属例えばチタン，アルミニウム，タングステン等が含有されている。

第２のノズル移動機構４８ｂには、Ｙ方向に向かって第２のアーム４９ｂが取り付けられており、この第２のアーム４９ｂには、マスキング液例えばネガ用フォトレジスト液を供給するマスキング液供給ノズル５４（以下にマスキングノズル５４という）と、マスキング剤であるネガ用フォトレジストを溶解する除去液例えば現像液を供給するマスキング膜除去液供給ノズル５５（以下にマスキング膜除去ノズル５５という）がＸ方向に並設されている。第２のアーム４９ｂは、図５に示すように、第２のノズル移動機構４８ｂによってガイドレール４７上を移動自在であり、マスキングノズル５４及びマスキング膜除去ノズル５５を、処理カップ４４のＸ方向負方向側の外方に設けられた待機部５６から処理カップ４４内のウエハＷの周縁部上方まで移動させることができる。また、第２のノズル移動機構４８ｂによって、第２のアーム４９ｂは昇降自在であり、マスキングノズル５４及びマスキング膜除去ノズル５５の高さを調節できる。なお、マスキングノズル５４及びマスキング膜除去ノズル５５は、それぞれウエハＷの中心側から外方側に向かって傾斜する傾斜ノズルにて形成されている（図４及び図５Ａ参照）。

マスキングノズル５４には、図４に示すように、マスキング液供給源５７に接続するマスキング液供給管路５８ａが接続されている。マスキング液供給管路５８ａには、流量調節機能を有する第２の開閉弁Ｖ２が介設されている。一方、マスキング膜除去ノズル５５には、図４に示すように、除去液供給源５９に接続する除去液供給管路５８ｂが接続されている。除去液供給管路５８ｂには、流量調節機能を有する第３の開閉弁Ｖ３が介設されている。

また、処理カップ４４の底部にはウエハＷの裏面側の周縁部に向かって除去液（現像液）を供給（吐出）する裏面マスキング膜除去液供給ノズル５５Ａ（以下に裏面マスキング膜除去ノズル５５Ａという）が配置されている。裏面マスキング膜除去ノズル５５Ａには、図４に示すように、除去液供給源５９に接続する除去液供給管路５８ｃが接続されている。除去液供給管路５８ｃには、流量調節機能を有する第４の開閉弁Ｖ４が介設されている。

また、塗布処理装置４０には、マスキング膜が除去された後のウエハＷを洗浄する洗浄ノズル５００が設けられている。この場合、洗浄ノズル５００はアーム５０４によって支持され、アーム５０４を取り付けた洗浄ノズル移動機構５０３によってウエハＷの外方側からウエハＷの内方側に向かって水平のＸ，Ｙ及び鉛直のＺ方向に移動可能に構成されている。

洗浄ノズル５００には、図４に示すように、洗浄液例えば純水（ＤＩＷ）の供給源５０１に接続する洗浄液供給管路５０２が接続されている。また、洗浄液供給管路５０２流量調節機能を有する第５の開閉弁Ｖ５が介設されている。

また、第１実施形態の塗布処理装置４０は、ハードマスク液（ハードマスク剤）例えば有機物・無機物含有のメタルハードマスク液（ハードマスク剤）を溶解するハードマスク膜除去液例えばPGME.・PGMEAの混合液（プロピレングリコールモノメチルエーテル−プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの混合液）を供給するハードマスク膜除去液供給部８０（以下にハードマスク膜除去ノズル８０という）を具備している。この場合、図５に示すように、ハードマスク膜除去ノズル８０は、アーム８１によって支持され、該アーム８１を取り付けた第４のノズル移動機構８２によって処理カップ４４の外方に設置された待機部８４から処理カップ４４内のウエハＷの周縁部上方まで移動可能に形成されている。また、第４のノズル移動機構８２によって、アーム８１は昇降自在であり、ハードマスク膜除去ノズル８０の高さを調整できる。

ハードマスク膜除去ノズル８０には、図４に示すように、ハードマスク膜除去液供給源８３に接続するハードマスク膜除去液供給管路８３ａが接続されている。ハードマスク膜除去液供給管路８３ａには、流量調節機能を有する第６の開閉弁Ｖ６が介設されている。

上記回転機構４３，第１，第２及び第４のノズル移動機構４８ａ，４８ｂ，８２，洗浄ノズル移動機構５０３及び第１ないし第６の開閉弁Ｖ１〜Ｖ６は、それぞれ制御部６０に電気的に接続されており、制御部６０からの制御信号に基づいて駆動制御されるようになっている。制御部６０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布処理装置４０におけるマスキング膜形成、ハードマスク膜形成，ウエハＷの周縁部に形成されているハードマスク膜除去及びマスキング膜除去等の処理を実現できる。なお、塗布処理装置４０におけるマスキング膜形成、ハードマスク膜形成，ウエハＷの周縁部に形成されているハードマスク膜除去及びマスキング膜除去等の処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＤ）、メモリーカードなどの記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御部６０にインストールされたものが用いられている。

なお、上記実施の形態では、マスキングノズル５４とマスキング膜除去ノズル５５とが同一の第２のアーム４９ｂに支持され、第２のノズル移動機構４８ｂに取り付けられているが、マスキングノズル５４とマスキング膜除去ノズル５５を別々のアームで支持し、マスキング膜除去ノズル５５を図示しない第３のノズル移動機構に取り付けて、そのアームの移動の制御により、マスキングノズル５４とマスキング膜除去ノズル５５の移動と供給タイミングを制御してもよい。また、上記実施の形態では、ハードマスクノズル５０とマスキングノズル５４及びマスキング膜除去ノズル５５が別々の第１及び第２のアーム４９ａ，４９ｂに支持されているが、これらハードマスクノズル５０とマスキングノズル５４及びマスキング膜除去ノズル５５を同一のアームで支持し、そのアームの移動の制御により、ハードマスクノズル５０とマスキングノズル５４及びマスキング膜除去ノズル５５の移動と供給タイミングを制御してもよい。また、上記実施の形態では、マスキング膜除去ノズル５５と裏面マスキング膜除去ノズル５５Ａが別個に形成されているが、マスキング膜除去ノズル５５と裏面マスキング膜除去ノズル５５Ａを同一のアームで支持し、そのアームの移動の制御により、マスキング膜除去ノズル５５と裏面マスキング膜除去ノズル５５Ａの移動と供給タイミングを制御してもよい。

なお、上記実施の形態では、ハードマスク膜除去ノズル８０を単独のアーム８１で支持しているが、例えば第１のアーム４９ａあるいは第２のアーム４９ｂにて支持し、第１あるいは第２のアーム４９ａ，４９ｂの移動の制御により、マスキングノズル５４とマスキング膜除去ノズル５５又はハードマスクノズル５０の移動と供給タイミングを制御してもよい。

また、塗布処理装置４０は、処理カップ４４の開口部の上方に配設される加熱体例えばＬＥＤ照明加熱体７０と、ＬＥＤ照明加熱体７０をスピンチャック４２によって保持されたウエハＷの表面に対して接離移動する加熱体移動機構７３とを具備し、ＬＥＤ照明加熱体７０と加熱体移動機構７３は制御部６０によって制御されている。

ＬＥＤ照明加熱体７０の詳細な説明は省略するが、同一平面上に配列される複数のＬＥＤ７１と、ＬＥＤ７１への給電制御を行う制御電源７２とを具備する。この場合、ＬＥＤ７１は、マスキング膜Ｍとハードマスク膜ＨＭを加熱処理することができる波長、例えば８００ｎｍ〜９００ｎｍの波長を出力するものであればよい。

次に、以上のように構成された第１実施形態の塗布処理装置４０で行われる処理プロセスについて図６ないし図９を参照して説明する。図９は、塗布処理装置４０における処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。

（ステップＳ−１１）まず、搬送アームＡ１によって搬送されたウエハＷをスピンチャック４２で保持する。マスキングノズル５４をウエハＷの周縁部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば２５０ｒｐｍの回転数で回転させながら、マスキングノズル５４からウエハＷの周縁部にマスキング液例えばネガ用フォトレジスト液ＰＲを例えば２秒間吐出（供給）する。ネガ用フォトレジスト液ＰＲは遠心力によりウエハＷの周縁部に広がり、ウエハＷの表面周縁部にマスキング膜Ｍが形成される｛マスキング膜形成工程：図６（ａ），（ａ１）参照｝。

（ステップＳ−１２）次に、ウエハＷの表面にＬＥＤ照明加熱体７０を移動し、この状態で、スピンチャック４２の回転を停止し、ＬＥＤ７１から照射される光によって変換された熱エネルギによってウエハＷの表面周縁部に形成されたマスキング膜Ｍを例えば２５０〜４００℃で６０秒間加熱して加熱処理する｛マスキング膜加熱工程：図６（ｂ），（ｂ１）参照｝。このようにマスキング膜Ｍを加熱することにより、マスキング膜Ｍをハードマスク液及びハードマスク膜除去液（PGME.・PGMEAの混合液）に不溶解にすることができる。なお、マスキング膜Ｍを加熱した場合でも、マスキング膜Ｍがフォトレジスト（ポジ・ネガ不問）によって形成されている場合は、マスキング膜除去液例えば現像液であるTMAH（水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）には溶解する。

（ステップＳ−１３）マスキング膜Ｍを加熱処理した後、ハードマスクノズル５０をウエハＷの中心部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２の回転例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、ハードマスクノズル５０からウエハＷの中心部にハードマスク液Ｈを例えば５秒間吐出（供給）する。これにより、ハードマスク液ＨはウエハＷの表面に広がり、ウエハＷの表面にハードマスク膜ＨＭが形成される｛ハードマスク膜形成工程：図６（ｃ），（ｃ１）参照｝。

（ステップＳ−１４）ウエハＷの表面にハードマスク膜ＨＭを形成した後、ハードマスク膜除去ノズル８０をウエハＷの周縁部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、ハードマスク膜除去ノズル８０からウエハＷの周縁部にハードマスク剤（有機物・無機物含有のメタルハードマスク液）を溶解するハードマスク膜除去液（PGME.・PGMEAの混合液）を例えば１５秒間吐出（供給）する。ハードマスク膜除去液はウエハＷの表面周縁部に形成されたハードマスク膜ＨＭを溶解して除去する｛ハードマスク膜除去工程：図６（ｄ），図７参照｝。

（ステップＳ−１５）次に、ウエハＷの表面にＬＥＤ照明加熱体７０を移動し、この状態で、スピンチャック４２の回転を停止し、ＬＥＤ７１から照射される光によって変換された熱エネルギによってウエハＷの表面に形成されたハードマスク膜ＨＭを例えば２５０℃で６０秒間加熱処理する｛ハードマスク膜加熱工程：図６（ｅ）参照｝。このようにハードマスク膜ＨＭを加熱することにより、ハードマスク膜HＭが架橋し、マスキング膜除去液に不溶解にすることができる。

（ステップＳ−１６）ハードマスク膜ＨＭを加熱処理した後、マスキング膜除去ノズル５５をウエハＷの周縁部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば１１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、マスキング膜除去ノズル５５からウエハＷの周縁部にマスキング剤（ネガ用フォトレジスト）を溶解するマスキング膜除去液例えばTMAHを例えば１５秒間吐出（供給）する。TMAHは遠心力によりウエハＷの周縁部に広がり、ウエハＷの表面周縁部に形成されたマスキング膜Ｍを溶解して除去する｛マスキング膜除去工程：図６（ｆ），（ｆ１），（ｇ），図８参照｝。

上記のようにして、ウエハＷの周縁部に形成されたマスキング膜Ｍを除去した後、洗浄ノズル５００をウエハＷの周縁部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、洗浄ノズル５００からウエハＷの周縁部に洗浄液例えば純水（ＤＩＷ）を例えば１５秒間吐出（供給）してウエハＷの周縁部に残渣するマスキング膜を除去する｛ステップＳ−１７：洗浄工程｝。洗浄工程の後、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で例えば１５秒間回転させて、洗浄液を振り切り乾燥して処理が終了する｛ステップＳ−１８：乾燥工程｝。

以上の一連のステップＳ−１１〜Ｓ−１８は、制御部６０の制御コンピュータのメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータが読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。

上記のように構成される第１実施形態の塗布処理装置（方法）によれば、ウエハＷの周縁部に形成されているハードマスク膜ＨＭにハードマスク剤（有機物・無機物含有のメタルハードマスク液）を溶解するハードマスク膜除去液（PGME.・PGMEAの混合液）を供給してウエハＷの周縁部のハードマスク膜ＨＭを除去した後、マスキング膜Ｍにマスキング剤を溶解するマスキング膜除去液を供給してウエハＷの周縁部のマスキング膜Ｍを除去することで、２段階的にウエハＷの周縁部のハードマスク膜ＨＭを除去することができる。したがって、ウエハＷの周縁部に付着するハードマスク膜を確実に除去することができ、ハードマスクの塗布を容易にすることができる。

なお、第１実施形態において、ハードマスク膜ＨＭを加熱することにより、ハードマスク膜HＭが架橋し、マスキング膜除去液に不溶解にすることができるが、元からマスキング膜除去液がハードマスク膜HＭを溶解しない性質の薬液であれば、ハードマスク膜加熱工程は不要である。ただし、マスキング膜除去液がハードマスク膜HＭを溶解しなくても当該マスキング膜加熱工程を実施してもよい。

＜第２実施形態＞
図１０は、この発明に係る塗布処理装置の第２実施形態を示す断面図、図１１は、平面図である。第２実施形態の塗布処理装置４０Ａは、第１実施形態の塗布処理装置４０からＬＥＤ照明加熱体７０とハードマスク膜除去ノズル８０等を除いた構造となっている。以下に、第２実施形態の塗布処理装置４０Ａについて、第１実施形態と同様の部分には同一補号を付して簡単に説明する。

すなわち、第２実施形態の塗布処理装置４０Ａは、図１０に示すように、処理容器４１内の中央部には、ウエハＷを保持して回転させる基板保持部であるスピンチャック４２が設けられており、スピンチャック４２の周囲には、ウエハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収する処理カップ４４が設けられている。

また、図１１に示すように、処理カップ４４のＹ方向負方向（図１１の下方向）側には、Ｘ方向（図１１の左右方向）に沿って延伸するガイドレール４７が形成されており、ガイドレール４７には、第１及び第２のノズル移動機構４８ａ，４８ｂが移動自在に装着されている。

第１のノズル移動機構４８ａには、Ｙ方向に向かって第１のアーム４９ａが取り付けられており、この第１のアーム４９ａには、ハードマスクノズル５０が支持されている。これにより、ハードマスクノズル５０は、処理カップ４４のＸ方向正方向側の外方に設置された待機部５１から処理カップ４４内のウエハＷの中心部上方まで移動でき、更にウエハＷの表面上をウエハＷの径方向に移動できる。また、第１のアーム４９ａは、第１のノズル移動機構４８ａによって昇降自在であり、ハードマスクノズル５０の高さを調整できる。

ハードマスクノズル５０には、図１０に示すように、ハードマスク液供給源５２に接続するハードマス液供給管路５３が接続されている。ハードマス液供給管路５３には、流量調節機能を有する第１の開閉弁Ｖ１が介設されている。

第２のノズル移動機構４８ｂには、Ｙ方向に向かって第２のアーム４９ｂが取り付けられており、この第２のアーム４９ｂには、マスキング液例えばネガ用フォトレジスト液を供給するマスキングノズル５４と、マスキング剤であるネガ用フォトレジストを溶解する除去液例えば現像液を供給するマスキング膜除去ノズル５５がＸ方向に並設されている。第２のアーム４９ｂは、図１１に示すように、第２のノズル移動機構４８ｂによってガイドレール４７上を移動自在であり、マスキングノズル５４及びマスキング膜除去ノズル５５を、処理カップ４４のＸ方向負方向側の外方に設けられた待機部５６から処理カップ４４内のウエハＷの周縁部上方まで移動させることができる。また、第２のノズル移動機構４８ｂによって、第２のアーム４９ｂは昇降自在であり、マスキングノズル５４及びマスキング膜除去ノズル５５の高さを調節できる。なお、マスキングノズル５４及びマスキング膜除去ノズル５５は、それぞれウエハＷの中心側から外方側に向かって傾斜する傾斜ノズルにて形成されている（図１０及び図５Ａ参照）。

マスキングノズル５４には、図１０に示すように、マスキング液供給源５７に接続するマスキング液供給管路５８ａが接続されている。マスキング液供給管路５８ａには、流量調節機能を有する第２の開閉弁Ｖ２が介設されている。一方、マスキング膜除去ノズル５５には、図１０に示すように、除去液供給源５９に接続する除去液供給管路５８ｂが接続されている。除去液供給管路５８ｂには、流量調節機能を有する第３の開閉弁Ｖ３が介設されている。

また、処理カップ４４の底部にはウエハＷの裏面側の周縁部に向かって除去液（現像液）を供給（吐出）する裏面マスキング膜除去ノズル５５Ａが配置されている。裏面マスキング膜除去ノズル５５Ａには、図１１に示すように、除去液供給源５９に接続する除去液供給管路５８ｃが接続されている。除去液供給管路５８ｃには、流量調節機能を有する第４の開閉弁Ｖ４が介設されている。

また、塗布処理装置４０Ａには、マスキング膜が除去された後のウエハＷを洗浄する洗浄ノズル５００が設けられている。この場合、洗浄ノズル５００はアーム５０４によって支持され、アーム５０４を取り付けた洗浄ノズル移動機構５０３によってウエハＷの外方側からウエハＷの内方側に向かって水平のＸ，Ｙ及び鉛直のＺ方向に移動可能に構成されている。

洗浄ノズル５００には、図１０に示すように、洗浄液例えば純水（ＤＩＷ）の供給源５０１に接続する洗浄液供給管路５０２が接続されている。また、洗浄液供給管路５０２流量調節機能を有する第５の開閉弁Ｖ５が介設されている。

上記回転機構４３，第１及び第２のノズル移動機構４８ａ，４８ｂ，洗浄ノズル移動機構５０３及び第１ないし第５の開閉弁Ｖ１〜Ｖ５は、それぞれ制御部６０に電気的に接続されており、制御部６０からの制御信号に基づいて駆動制御されるようになっている。制御部６０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布処理装置４０におけるマスキング膜形成、ハードマスク膜形成及びマスキング膜除去等の処理を実現できる。なお、塗布処理装置４０におけるマスキング膜形成、ハードマスク膜形成及びマスキング膜除去等の処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＤ）、メモリーカードなどの記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御部６０にインストールされたものが用いられている。

なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

次に、以上のように構成された塗布処理装置４０で行われる処理プロセスについて説明する。図１２は、塗布処理装置４０Ａにおける処理手順の一例を示す概略平面図及び概略斜視図である。図１８は、塗布処理装置４０Ａにおける処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。

（ステップＳ−１）まず、搬送アームＡ１によって搬送されたウエハＷをスピンチャック４２で保持する。マスキングノズル５４をウエハＷの周縁部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば２５０ｒｐｍの回転数で回転させながら、マスキングノズル５４からウエハＷの周縁部にマスキング液例えばネガ用フォトレジスト液ＰＲを例えば２秒間吐出（供給）する。これにより、ネガ用フォトレジスト液ＰＲは遠心力によりウエハＷの周縁部に広がり、ウエハＷの表面周縁部にマスキング膜Ｍが形成される｛マスキング膜形成工程：図５Ｂ（ａ），図１２（ａ），（ａ１）参照｝。

（ステップＳ−２）次に、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で例えば１０秒間回転させてウエハＷの表面周縁部に形成されたマスキング膜Ｍを乾燥する｛マスキング膜乾燥工程：図１２（ｂ）参照）。

（ステップＳ−３）マスキング膜Ｍを乾燥した後、ハードマスクノズル５０をウエハＷの中心部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、ハードマスクノズル５０からウエハＷの中心部にハードマスク液Ｈを例えば５秒間吐出（供給）する。ハードマスク液ＨはウエハＷの表面に広がり、ウエハＷの表面にハードマスク膜ＨＭが形成される｛ハードマスク膜形成工程：図１２（ｃ），（ｃ１）参照｝。

（ステップＳ−４）次に、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で例えば３０秒間回転させてウエハＷの表面に形成されたハードマスク膜ＨＭを乾燥する｛ハードマスク膜乾燥工程：図１２（ｄ）参照）。

（ステップＳ−５）ハードマスク膜ＨＭを乾燥した後、マスキング膜除去ノズル５５をウエハＷの周縁部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、マスキング膜除去ノズル５５からウエハＷの周縁部にマスキング剤（ネガ用フォトレジスト）を溶解する除去液例えば現像液Ｄを例えば１０秒間吐出（供給）する。これにより、現像液Ｄは遠心力によりウエハＷの周縁部に広がり、ウエハＷの表面周縁部に形成されたマスキング膜Ｍを溶解して除去する｛マスキング膜除去工程：図５Ｂ（ｂ）、図１２（ｅ），（ｅ１），（ｆ）及び図１４参照｝。

上記のようにして、ウエハＷの周縁部に形成されたマスキング膜Ｍを除去した後、洗浄ノズル５００をウエハＷの周縁部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、洗浄ノズル５００からウエハＷの周縁部に洗浄液例えば純水（ＤＩＷ）を例えば１５秒間吐出（供給）してウエハＷの周縁部に残渣するマスキング膜を除去する｛ステップＳ−６：洗浄工程｝。洗浄工程の後、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で例えば１５秒間回転させて、洗浄液を振り切り乾燥して処理が終了する｛ステップＳ−７：乾燥工程｝。

以上の一連のステップＳ−１〜Ｓ−７は、制御部６０の制御コンピュータのメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータが読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。

なお、上記実施の形態では、マスキング膜除去ノズル５５からウエハＷの周縁部に除去液例えば現像液Ｄを吐出（供給）してマスキング膜Ｍを除去する場合について説明したが、図１３（ｇ），（ｇ１）に示すように、マスキング膜除去ノズル５５をウエハＷの中心部の上方に移動した状態で、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、マスキング膜除去ノズル５５からウエハＷの中心部に除去液例えば現像液Ｄを例えば１０秒間吐出（供給）して、現像液Ｄを遠心力によりウエハＷの表面全体に広げて、ウエハＷの表面周縁部に形成されたマスキング膜Ｍを溶解して除去するようにしてもよい。

なお、図１３において、その他の部分は図１２と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

また、上記実施の形態では、マスキング膜除去ノズル５５からウエハＷの周縁部に除去液例えば現像液Ｄを吐出（供給）してマスキング膜Ｍを除去する場合について説明したが、ハードマスク膜ＨＭがマスキング膜Ｍの表面に上積みされる場合や、ウエハＷのベベル部すなわちウエハＷの周縁端部の上下角となる部分を面取りした部分や裏面に回り込む場合には、図１５に示すように、裏面マスキング膜除去ノズル５５ＡからウエハＷの裏面側の周縁部（ベベル部）にマスキング膜除去液例えば現像液Ｄを吐出（供給）することで、マスキング膜Ｍ及びマスキング膜Ｍに付着するハードマスク膜ＨＭを除去することができる。

なお、ウエハＷの裏面周縁部にハードマスク液Ｈが回り込むのを想定して、ウエハＷの裏面側周縁部にマスキング液を供給する補助マスキング液供給部を設けるようにしてもよい。例えば、図１０Ａに示すように、処理カップ４４の底部にウエハＷの裏面側の周縁部に向かってマスキング液例えばフォトレジスト液を供給（吐出）する補助マスキング液供給部である裏面マスキング液供給ノズル５４Ａ（以下に裏面マスキングノズル５４Ａという）を配置する。この裏面マスキングノズル５４Ａには、図１０Ａに示すように、マスキング液供給源５７に接続する補助マスキング液供給管路５８ｄが接続されている。補助マスキング液供給管路５８ｄには、流量調節機能を有する第７の開閉弁Ｖ７が介設されている。第７の開閉弁Ｖ７は制御部６０に電気的に接続されており、制御部６０からの制御信号に基づいて駆動制御される。なお、図１０Ａにおいて、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

上記のように構成することにより、図１６（ａ）に示すように、裏面マスキングノズル５４ＡからウエハＷの裏面周縁部にマスキング液（ネガ用フォトレジスト液ＰＲ）を吐出（供給）してウエハＷの裏面周縁部にマスキング膜Ｍを形成することができる。したがって、ハードマスク膜ＨＭがウエハＷの裏面周縁部に回り込んだ場合でも図１６（ｂ），（ｃ）に示すように、裏面マスキング膜除去ノズル５５ＡからウエハＷの裏面側の周縁部（ベベル部）に除去液例えば現像液Ｄを吐出（供給）することで、マスキング膜Ｍ及びマスキング膜Ｍに付着するハードマスク膜ＨＭを除去することができる。

上記のように、ウエハＷの裏面側の周縁部（ベベル部）に裏面マスキング膜除去ノズル５５Ａから除去液例えば現像液Ｄを吐出（供給）すると、マスキング膜Ｍに除去液（現像液Ｄ）が接触すると共に毛管現象によってマスキング膜Ｍに浸透するため、マスキング膜Ｍに付着するハードマスク膜ＨＭはマスキング膜Ｍと一緒に除去される。なお、この場合、裏面マスキング膜除去ノズル５５ＡからウエハＷの裏面側の周縁部（ベベル部）にマスキング膜除去液例えば現像液Ｄを吐出（供給）すると同時に、マスキング膜除去ノズル５５からウエハＷの周縁部に除去液例えば現像液Ｄを吐出（供給）してもよい。これにより、更にマスキング膜Ｍ及びマスキング膜Ｍに付着するハードマスク膜ＨＭの除去を確実にすることができる。

なお、ハードマスク膜ＨＭがマスキング膜Ｍの表面に上積みされる現象や、ウエハＷのベベル部や裏面に回り込む現象を防止するには、マスキング膜Ｍの膜厚を厚くするのがよい。上記実施の形態では、マスキング膜形成工程とマスキング膜乾燥工程を１回行ってウエハＷの周縁部にマスキング膜Ｍを形成する場合について説明したが、図１８に二点鎖線で示すように、マスキング膜形成工程とマスキング膜乾燥工程を２回行ってマスキング膜Ｍを積層することで、ハードマスク膜ＨＭの上積みや裏面への回り込みを防止することができる。この場合は、図１７に示すように、マスキング膜除去ノズル５５からウエハＷの周縁部にマスキング膜除去液例えば現像液Ｄを吐出（供給）してマスキング膜Ｍを除去することができる。

＜第３実施形態＞
図１９は、この発明に係る塗布処理装置の第３実施形態を示す断面図である。第３実施形態の塗布処理装置４０Ｂは、マスキング膜とハードマスク膜の乾燥を加熱処理によって行うようにした場合である。

第３実施形態の塗布処理装置４０Ｂは、第１実施形態と同様に、処理カップ４４の開口部の上方に配設される加熱体例えばＬＥＤ照明加熱体７０と、ＬＥＤ照明加熱体７０をスピンチャック４２によって保持されたウエハＷの表面に対して接離移動する加熱体移動機構７３とを具備し、ＬＥＤ加熱体７０と加熱体移動機構７３は制御部６０によって制御されている。

ＬＥＤ照明加熱体７０は第１実施形態のＬＥＤ照明加熱体と同様の構造に形成されており、の詳細な説明は省略するが、同一平面上に配列される複数のＬＥＤ７１と、ＬＥＤ７１への給電制御を行う制御電源７２とを具備する。この場合、ＬＥＤ７１は、マスキング膜Ｍとハードマスク膜ＨＭを加熱乾燥することができる波長、例えば８００ｎｍ〜９００ｎｍの波長を出力するものであればよい。なお、第３実施形態において、その他の部分は第１，２実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

次に、以上のように構成された第３実施形態の塗布処理装置４０Ａで行われる処理プロセスについて説明する。図２０は、塗布処理装置４０Ｂにおける処理プロセスの主な工程を示すフローチャートである。なお、以下に説明するステップのうち、第２実施形態と同じ部分は同一の符号、図面（図１２）を示して説明する。

（ステップＳ−１）まず、搬送アームＡ１によって搬送されたウエハＷをスピンチャック４２で保持する。マスキングノズル５４をウエハＷの周縁部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば２５０ｒｐｍの回転数で回転させながら、マスキングノズル５４からウエハＷの周縁部にマスキング液例えばネガ用フォトレジスト液ＰＲを例えば２秒間吐出（供給）する。ネガ用フォトレジスト液ＰＲは遠心力によりウエハＷの周縁部に広がり、ウエハＷの表面周縁部にマスキング膜Ｍが形成される｛マスキング膜形成工程：図５Ｂ（ａ）、図１２（ａ），（ａ１）参照｝。

（ステップＳ−２ａ）次に、ウエハＷの表面にＬＥＤ照明加熱体７０を移動し、この状態で、スピンチャック４２の回転を停止し、ＬＥＤ７１から照射される光によって変換された熱エネルギによってウエハＷの表面周縁部に形成されたマスキング膜Ｍを例えば１００℃で５秒間加熱して乾燥する｛マスキング膜乾燥工程｝。

（ステップＳ−３）マスキング膜Ｍを加熱乾燥した後、ハードマスクノズル５０をウエハＷの中心部の上方に移動し、スピンチャック４２を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、ハードマスクノズル５０からウエハＷの中心部にハードマスク液Ｈを例えば５秒間吐出（供給）する。これにより、ハードマスク液ＨはウエハＷの表面に広がり、ウエハＷの表面にハードマスク膜ＨＭが形成される｛ハードマスク膜形成工程：図１２（ｃ），（ｃ１）参照｝。

（ステップＳ−４ａ）次に、ウエハＷの表面にＬＥＤ照明加熱体７０を移動し、ＬＥＤ７１から照射される光によって変換された熱エネルギによってウエハＷの表面に形成されたハードマスク膜ＨＭを例えば３００℃で１０秒間加熱して乾燥する｛ハードマスク膜乾燥工程｝。

（ステップＳ−５）ハードマスク膜ＨＭを乾燥した後、マスキング膜除去ノズル５５をウエハＷの周縁部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、マスキング膜除去ノズル５５からウエハＷの周縁部にマスキング剤（ネガ用フォトレジスト）を溶解する除去液例えば現像液Ｄを例えば１０秒間吐出（供給）する。現像液Ｄは遠心力によりウエハＷの周縁部に広がり、ウエハＷの表面周縁部に形成されたマスキング膜Ｍを溶解して除去する｛マスキング膜除去工程：図１２（ｅ），（ｅ１），（ｆ）及び図１４参照｝。

上記のようにして、ウエハＷの周縁部に形成されたマスキング膜Ｍを除去した後、洗浄ノズル５００をウエハＷの周縁部の上方に移動する。この状態で、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、洗浄ノズル５００からウエハＷの周縁部に洗浄液例えば純水（ＤＩＷ）を例えば１５秒間吐出（供給）してウエハＷの周縁部に残渣するマスキング膜を除去する｛ステップＳ−６：洗浄工程｝。洗浄工程の後、スピンチャック４２を例えば１５００ｒｐｍの回転数で例えば１５秒間回転させて、洗浄液を振り切り乾燥して処理が終了する｛ステップＳ−７：乾燥工程｝。

以上の一連のステップＳ−１，Ｓ−２ａ，Ｓ−３，Ｓ−４ａ，Ｓ−５〜Ｓ−７は、制御部６０の制御コンピュータのメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータが読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。

＜その他の実施形態＞
以上、いくつかの実施形態を参照しながらこの発明を説明したが、この発明は上記の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に含まれる事項の範囲で種々の変形が可能である。

例えば、第３実施形態において、マスキング膜乾燥工程とハードマスク膜乾燥工程を塗布処理装置４０Ｂ内に配設されるＬＥＤ照射加熱体７０によって行う場合について説明したが、第２実施形態において、マスキング膜形成工程後、ハードマスク膜形成工程後に、塗布処理装置４０ＡからウエハＷを専用の加熱処理モジュール例えば熱処理モジュール２７のいずれかの加熱モジュール２８に搬送してマスキング膜乾燥工程、ハードマスク膜乾燥工程を行ってもよい。

また、第１実施形態において、マスキング膜加熱工程とハードマスク膜加熱工程を塗布処理装置４０内に配設されるＬＥＤ照射加熱体７０によって行う場合について説明したが、第２実施形態において、マスキング膜形成工程後、ハードマスク膜形成工程後に、塗布処理装置４０からウエハＷを専用の加熱処理モジュール例えば熱処理モジュール２７のいずれかの加熱モジュール２８に搬送してマスキング膜加熱工程、ハードマスク加熱燥工程を行ってもよい。

また、上記実施形態では、マスキング液がネガ用フォトレジスト液である場合について説明したが、マスキング液はネガ用フォトレジスト液以外に、液浸用上層保護膜液（例えばフッ素含有の有機ポリマー）又は上部反射防止膜液を用いてもよい。

また、上記実施形態では、マスキング膜除去液がネガ用フォトレジスト剤を溶解する現像液である場合について説明したが、その他の除去液としては、例えば液浸用上層保護膜を溶解する現像液，上部反射防止膜を溶解する水又は２−プロパノールを用いてもよい。

また、上記実施形態では、マスキング液がネガ用フォトレジスト液である場合について説明したが、マスキング液にポジ用フォトレジスト液を用いることも可能である。この場合、除去液には、ポジ用フォトレジスト剤を溶解する現像液例えば水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（TMAH）を用いる。マスキング液にポジ用フォトレジスト液を用いる場合は、ウエハＷの表面にポジ用フォトレジスト液を塗布してマスキング膜を形成した後、ウエハＷを周辺露光モジュールＷＥＥに搬送し、周辺露光モジュールＷＥＥにおいて、ウエハＷの表面周縁部に形成されたマスキング膜を露光してマスキング膜を除去液（TMAH）の可溶状態にする。その後、ウエハＷをハードマスク膜形成モジュールＨＭＣＴに搬送して、上記実施形態と同様に、ハードマスク膜を形成し、ハードマスク膜を乾燥した後、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの裏面周縁部にポジ用フォトレジスト剤を溶解する除去液TMAHを吐出（供給）して、ウエハＷの表面周縁部に形成されたマスキング膜を除去することができる。

４０，４０Ａ，４０Ｂ 塗布処理装置
４２ スピンチャック（基板保持部）
４３ 回転機構
４８ａ 第１のノズル移動機構
４８ｂ 第２のノズル移動機構（第３のノズル移動機構を兼用）
５０ ハードマスクノズル（ハードマスク液供給部）
５４ マスキングノズル（マスキング液供給部）
５４Ａ 裏面マスキングノズル（裏面マスキング液供給ノズル、補助マスキング液供給部）
５５ マスキング膜除去ノズル（マスキング膜除去液供給部）
５５Ａ 裏面マスキング膜除去ノズル（裏面マスキング膜除去液供給部）
６０ 制御部
７０ ＬＥＤ照射加熱体（加熱部）
７３ 加熱体移動機構
８０ ハードマスク膜除去ノズル（ハードマスク膜除去液供給部）
８２ 第４のノズル移動機構

Claims (25)

1. 基板表面にハードマスク液を塗布してハードマスク膜を形成する塗布処理方法において、
   鉛直軸回りに回転する基板の表面周縁部にマスキング液を供給して基板周縁部にマスキング膜を形成するマスキング膜形成工程と、
   上記基板の表面にハードマスク液を供給して基板表面にハードマスク膜を形成するハードマスク膜形成工程と、
   上記基板の周縁部に形成されている上記ハードマスク膜にハードマスク剤を溶解するハードマスク膜除去液を供給して上記基板の周縁部のハードマスク膜を除去するハードマスク膜除去工程と、
   上記マスキング膜にマスキング剤を溶解するマスキング膜除去液を供給して上記基板の周縁部のマスキング膜を除去するマスキング膜除去工程と、
   を具備することを特徴とする塗布処理方法。
2. 請求項１に記載の塗布処理方法において、
   上記ハードマスク膜除去液と上記マスキング膜除去液は異なる処理液であることを特徴とする塗布処理方法。
3. 請求項１に記載の塗布処理方法において、
   上記ハードマスク膜除去液は上記マスキング膜を溶解しない処理液であることを特徴とする塗布処理方法。
4. 請求項１に記載の塗布処理方法において、
   上記ハードマスク膜除去液は水又は有機溶剤であることを特徴とする塗布処理方法。
5. 請求項１に記載の塗布処理方法において、
   上記ハードマスク膜除去工程後であって上記マスキング膜除去工程前にハードマスク膜を加熱処理するハードマスク膜加熱工程を具備することを特徴とする塗布処理方法。
6. 基板表面にハードマスク液を塗布してハードマスク膜を形成する塗布処理方法において、
   鉛直軸回りに回転する基板の表面周縁部にマスキング液を供給して基板周縁部にマスキング膜を形成するマスキング膜形成工程と、
   上記基板の表面にハードマスク液を供給して基板表面にハードマスク膜を形成するハードマスク膜形成工程と、
   上記マスキング膜にマスキング剤を溶解するマスキング膜除去液を供給して上記基板の周縁部のマスキング膜を除去すると共に、上記マスキング膜に付着するハードマスク膜を除去するマスキング膜除去工程と、
   を具備することを特徴とする塗布処理方法。
7. 請求項６に記載の塗布処理方法において、
   上記マスキング膜形成工程は、基板裏面の周縁部にマスキング液を供給して基板裏面の周縁部に補助マスキング膜を形成することを含む、ことを特徴とする塗布処理方法。
8. 請求項６又は７に記載の塗布処理方法において、
   上記マスキング膜形成工程を繰り返して上記マスキング膜を積層する、ことを特徴とする塗布処理方法。
9. 請求項１又は６に記載の塗布処理方法において、
   上記ハードマスク液は、有機物又は有機物・無機物含有のハードマスク液であることを特徴とする塗布処理方法。
10. 請求項１又は６に記載の塗布処理方法において、
    上記マスキング液は、フォトレジスト液，液浸用上層保護膜液又は上部反射防止膜液のいずれかであることを特徴とする塗布処理方法。
11. 請求項１０に記載の塗布処理方法において、
    上記マスキング膜除去液は、水又は有機溶剤であることを特徴とする塗布処理方法。
12. 請求項１１に記載の塗布処理方法において、
    上記有機溶剤は、ネガ用フォトレジスト剤や液浸用上層保護膜を溶解する現像液，上部反射防止膜を溶解する２−プロパノール又はポジ用フォトレジスト剤を溶解する現像液のいずれかであることを特徴とする塗布処理方法。
13. 請求項１又は６に記載の塗布処理方法において、
    上記マスキング膜除去液は、上記ハードマスク膜を溶解しない処理液であることを特徴とする塗布処理方法。
14. 基板表面にハードマスク液を塗布してハードマスク膜を形成する塗布処理装置において、
    上基板を水平に保持する基板保持部と、
    上記基板保持部を鉛直軸回りに回転する回転機構と、
    上記基板表面の周縁部にマスキング液を供給するマスキング液供給部と、
    上記基板表面にハードマスク液を供給するハードマスク液供給部と、
    上記基板の周縁部に形成されている上記ハードマスク膜にハードマスク膜除去液を供給するハードマスク膜除去液供給部と、
    上記基板表面の周縁部に形成されたマスキング膜を除去すべく、上記マスキング剤を溶解するマスキング膜除去液を供給するマスキング膜除去液供給部と、
    上記マスキング液供給部を基板の周縁部と基板の外方側との間を移動する第１の移動機構と、
    上記ハードマスク液供給部をハードマスク液供給位置と基板外方側との間を移動する第２の移動機構と、
    上記マスキング膜除去液供給部を基板の周縁部と基板の外方側との間を移動する第３の移動機構と、
    上記ハードマスク膜除去液供給部を基板の周縁部と基板の外方側との間を移動する第４の移動機構と、
    上記回転機構、マスキング液供給部、ハードマスク液供給部、上記第１ないし第４の移動機構を駆動する制御部と、を具備し、
    上記制御部によって、回転する基板の表面周縁部にマスキング液を供給して基板周縁部にマスキング膜を形成し、その後、上記基板の表面にハードマスク液を供給して基板表面にハードマスク膜を形成し、その後、上記基板の周縁部に形成されている上記ハードマスク膜にハードマスク剤を溶解するハードマスク膜除去液を供給して上記基板の周縁部のハードマスク膜を除去し、その後、上記マスキング膜に上記マスキング膜除去液を供給して上記基板の周縁部のマスキング膜を除去する、
    ことを特徴とする塗布処理装置。
15. 請求項１４に記載の塗布処理装置において、
    上記ハードマスク膜を加熱する加熱部を具備し、上記加熱部の駆動を制御する上記制御部によって、上記基板の周縁部に形成されている上記ハードマスク膜を除去した後、上記マスキング膜を除去する前に、上記加熱部により上記ハードマスク膜を加熱処理する、ことを特徴とする塗布処理装置。
16. 請求項１４に記載の塗布処理装置において、
    上記ハードマスク膜除去液と上記マスキング膜除去液は異なる処理液であることを特徴とする塗布処理装置。
17. 請求項１４に記載の塗布処理装置において、
    上記ハードマスク膜除去液は上記マスキング膜を溶解しない処理液であることを特徴とする塗布処理装置。
18. 請求項１４に記載の塗布処理装置において、
    上記ハードマスク膜除去液は水又は有機溶剤であることを特徴とする塗布処理装置。
19. 基板表面にハードマスク液を塗布してハードマスク膜を形成する塗布処理装置において、
    上基板を水平に保持する基板保持部と、
    上記基板保持部を鉛直軸回りに回転する回転機構と、
    上記基板表面の周縁部にマスキング液を供給するマスキング液供給部と、
    上記基板表面にハードマスク液を供給するハードマスク液供給部と、
    上記基板表面の周縁部に形成されたマスキング膜を除去すべく、上記マスキング剤を溶解するマスキング膜除去液を供給するマスキング膜除去液供給部と、
    上記マスキング液供給部を基板の周縁部と基板の外方側との間を移動する第１の移動機構と、
    上記ハードマスク液供給部をハードマスク液供給位置と基板外方側との間を移動する第２の移動機構と、
    上記マスキング膜除去液供給部を基板の周縁部と基板の外方側との間を移動する第３の移動機構と、
    上記回転機構、マスキング液供給部、ハードマスク液供給部、上記第１ないし第３の移動機構を駆動する制御部と、を具備し、
    上記制御部によって、回転する基板の表面周縁部にマスキング液を供給して基板周縁部にマスキング膜を形成し、その後、上記基板の表面にハードマスク液を供給して基板表面にハードマスク膜を形成し、その後、上記マスキング膜に上記マスキング膜除去液を供給して上記基板の周縁部のマスキング膜を除去すると共に、上記マスキング膜に付着するハードマスク膜を除去する、
    ことを特徴とする塗布処理装置。
20. 請求項１９に記載の塗布処理装置において、
    上記基板の裏面側周縁部にマスキング液を供給する補助マスキング液供給部を具備する、ことを特徴とする塗布処理装置。
21. 請求項１４又は１９に記載の塗布処理装置において、
    上記ハードマスク液は、有機物又は有機物・無機物含有のハードマスク液であることを特徴とする塗布処理装置。
22. 請求項１４又は１９に記載の塗布処理装置において、
    上記マスキング液は、フォトレジスト液，液浸用上層保護膜液又は上部反射防止膜液のいずれかであることを特徴とする塗布処理装置。
23. 請求項２２に記載の塗布処理装置において、
    上記マスキング膜除去液は、水又は有機溶剤であることを特徴とする塗布処理装置。
24. 請求項２３に記載の塗布処理装置において、
    上記マスキング膜除去液は、ネガ用フォトレジスト剤や液浸用上層保護膜を溶解する現像液，上部反射防止膜を溶解する２−プロパノール現像液，２−プロパノール又はポジ用フォトレジスト剤を溶解する現像液のいずれかであることを特徴とする塗布処理装置。
25. 請求項１４又は１９に記載の塗布処理装置において、
    上記マスキング膜除去液は、上記ハードマスク膜を溶解しない処理液であることを特徴とする塗布処理装置。

Images