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JP2013229563A - Adhesive tape for protecting semiconductor wafer surface - Google Patents

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JP2013229563A
JP2013229563A JP2013010667A JP2013010667A JP2013229563A JP 2013229563 A JP2013229563 A JP 2013229563A JP 2013010667 A JP2013010667 A JP 2013010667A JP 2013010667 A JP2013010667 A JP 2013010667A JP 2013229563 A JP2013229563 A JP 2013229563A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
pressure
sensitive adhesive
adhesive
adhesive tape
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Application number
JP2013010667A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshifumi Oka
祥文 岡
Hirotoki Yokoi
啓時 横井
Tomoro Uchiyama
具朗 内山
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

【課題】半導体ウェハの加工、更に詳しくはシリコンウェハなどの裏面研削工程、テープ剥離工程を経た後にウェハ表面への糊残りや表面汚染(シーページ)を抑制した半導体ウェハ表面保護用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材フィルム上の少なくとも一方の面に感圧水性エマルジョン型粘着剤層を有し、該水性エマルジョン型粘着剤の分散ポリマーのゲル分率が80%以上であり、かつ25℃における剥離時でのSUS280研磨面に対する粘着力が0.8〜2.5N/25mmであり、50℃における加熱剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力が、該25℃における剥離時でのSUS280研磨面に対する粘着力に対して50%以下であって、該粘着剤中の分散ポリマーの平均粒子径が0.13〜0.18μmである半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【選択図】図1
Provided is an adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface that suppresses adhesive residue and surface contamination (seapage) on the wafer surface after processing a semiconductor wafer, more specifically, a back grinding process and a tape peeling process for a silicon wafer or the like. To do.
SOLUTION: A pressure-sensitive water-based emulsion pressure-sensitive adhesive layer is provided on at least one surface of a base film, the gel fraction of a dispersion polymer of the water-based emulsion-type pressure-sensitive adhesive is 80% or more, and at 25 ° C. The adhesive strength to the SUS280 polished surface at the time of peeling is 0.8 to 2.5 N / 25 mm, and the adhesive strength to the SUS280 polished surface at the time of heat peeling at 50 ° C. is to the SUS280 polished surface at the time of peeling at 25 ° C. A pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface, the average particle diameter of which is 50% or less with respect to the adhesive strength and the average particle size of the dispersed polymer in the adhesive is 0.13 to 0.18 μm.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、シリコンウェハ等の半導体装置を製造するにあたり、半導体ウェハの加工のために使用される半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、半導体ウェハ等を固定しバックグラインディングするために使用される半導体ウェハ加工用粘着テープに関するものである。より詳しくは、テープ貼合プロセスからバックグラインディング工程を経て、半導体ウェハ表面への糊残りなく剥離可能な半導体ウェハ表面保護用粘着テープに関する。   The present invention is an adhesive tape for protecting a surface of a semiconductor wafer used for processing a semiconductor wafer in manufacturing a semiconductor device such as a silicon wafer, and is used for fixing and backgrinding a semiconductor wafer or the like. The present invention relates to an adhesive tape for processing semiconductor wafers. More specifically, the present invention relates to a semiconductor wafer surface protective pressure-sensitive adhesive tape that can be peeled off from the tape bonding process through the back grinding process without any adhesive residue on the semiconductor wafer surface.

半導体ウェハなどを半導体チップに加工し、電子機器に実装するに至る工程は、例えば、半導体ウェハのパターン表面に半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼り付ける工程、半導体ウェハの裏面を研削し薄化する工程、ダイシングテープへ前記の研削した半導体ウェハをマウントする工程、半導体ウェハから前記の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離する工程、ダイシングにより半導体ウェハを分割する工程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外部保護のために樹脂で封止するモールド工程等により構成されている。前記の半導体ウェハ表面保護用粘着テープには放射線硬化型と呼ばれ照射後に粘着力が著しく低下し剥離を容易にするものと、感圧型と呼ばれ放射線によって粘着力は変化せず、半導体ウェハ裏面加工中・剥離時共に同様の粘着力であることを特徴とする、大きく分けて2種が存在する。この半導体ウェハ表面保護用粘着テープとしては、エチレン−酢酸ビニル共重合体などのポリオレフィン基材樹脂フィルム上に、アクリルポリマーを主成分とした粘着剤層が設けられたものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。   The process of processing a semiconductor wafer or the like into a semiconductor chip and mounting it on an electronic device is, for example, a process of attaching a semiconductor wafer surface protective adhesive tape to the pattern surface of the semiconductor wafer, or grinding and thinning the back surface of the semiconductor wafer. A step of mounting the ground semiconductor wafer on the dicing tape, a step of peeling the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer from the semiconductor wafer, a step of dividing the semiconductor wafer by dicing, a lead frame of the divided semiconductor chip After a die bonding process for bonding to a semiconductor chip, the semiconductor chip is configured by a molding process for sealing with a resin for external protection. The above-mentioned adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer is called a radiation curable type, and the adhesive strength is remarkably lowered after irradiation and is easily peeled off. There are roughly two types characterized by the same adhesive strength during processing and peeling. As this adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer, one in which an adhesive layer mainly composed of an acrylic polymer is provided on a polyolefin base resin film such as an ethylene-vinyl acetate copolymer has been proposed (for example, , See Patent Document 1).

半導体ウェハ表面のパターンには、各種の電子回路や電極、それらを保護するポリイミドなどの保護膜、さらに半導体ウェハをチップに個片化するダイシング工程時にブレードが切り込む溝であるスクライブラインが存在する。このような構造により、半導体ウェハ表面は平滑ではなく数μm〜数十μmの段差・凹凸が存在している。   In the pattern on the surface of the semiconductor wafer, there are various electronic circuits and electrodes, a protective film such as polyimide for protecting them, and a scribe line which is a groove into which a blade cuts during a dicing process for dividing the semiconductor wafer into chips. Due to such a structure, the surface of the semiconductor wafer is not smooth and has steps and irregularities of several μm to several tens of μm.

この段差は半導体ウェハやデバイスの種類によって様々であるが、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼合することで半導体ウェハ表面の段差に密着して隙間を埋めることが期待される。しかし、半導体ウェハの段差が大きい場合や、半導体ウェハ表面保護用粘着テープが硬い場合は半導体ウェハ表面への追従性が不足する。これに起因してバックグラインド工程時に研削水が半導体ウェハと半導体ウェハ表面保護用粘着テープの隙間に浸入するシーページと呼ばれる現象が発生する。   Although the level difference varies depending on the type of semiconductor wafer and device, it is expected that the semiconductor wafer surface protective pressure-sensitive adhesive tape is bonded to closely contact the level difference on the surface of the semiconductor wafer to fill the gap. However, when the step of the semiconductor wafer is large, or when the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer is hard, followability to the surface of the semiconductor wafer is insufficient. As a result, a phenomenon called seapage occurs in which grinding water enters the gap between the semiconductor wafer and the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer during the back grinding process.

シーページが発生することで、半導体ウェハ表面保護用粘着テープが半導体ウェハから剥離しその箇所を起点として半導体ウェハにクラックが発生し破損に繋がることや、浸入水による半導体ウェハ表面の汚染や糊の付着が発生し歩留りを大きく悪化させる原因となる。   As a result of the generation of seapage, the adhesive tape for protecting the surface of the semiconductor wafer is peeled off from the semiconductor wafer, causing cracks in the semiconductor wafer from that location, leading to damage, contamination of the surface of the semiconductor wafer due to ingress water, Adhesion occurs and causes a significant deterioration in yield.

シーページの発生に対しては、例えば特許文献2に示されるように粘着剤を厚くする、粘着剤の弾性率を下げるといった方法で半導体ウェハ表面への密着性を向上させる方法が知られている。また、粘着力を上げることでも同様の効果が期待される。   For the generation of seapage, for example, as shown in Patent Document 2, there is known a method for improving the adhesion to the surface of a semiconductor wafer by increasing the thickness of the pressure-sensitive adhesive or decreasing the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive. . A similar effect can be expected by increasing the adhesive strength.

しかし、上記のような方法では、粘着剤と半導体ウェハ表面が強く密着することから半導体ウェハ表面保護用粘着テープ剥離時に粘着剤が凝集破壊すること、半導体ウェハ表面に粘着剤の一部が残ってしまう糊残りといわれる現象が発生しやすいことなどの問題がある。糊残りが発生する場合、後工程でのワイヤーボンディングや電気的接続において不具合を引き起こす原因となり得る。   However, in the method as described above, since the adhesive and the semiconductor wafer surface are strongly adhered, the adhesive is cohesive and broken when the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface is peeled off, and a part of the adhesive remains on the semiconductor wafer surface. There is a problem that a phenomenon called adhesive residue is likely to occur. In the case where adhesive residue is generated, it may cause a problem in wire bonding or electrical connection in a later process.

ところで、半導体ウェハの薄膜化が進む近年は、特に半導体メモリー用途で100μm以下の薄膜研削が一般的である。上記デバイスウェハは、裏面研削により所定の厚みまで薄膜化されたのちダイシング工程でチップ化され、複数のチップを積層、基板・チップ間でのワイヤー接続された後、樹脂で封止され製品となる。接着剤として、従来はペースト状の樹脂が半導体ウェハ裏面に塗工されていたが、半導体チップの薄膜化・小チップ化や工程簡略化のため、あらかじめ基材フィルム上に粘着剤と接着剤(ダイボンド用の接着シート)が積層されたダイシングダイボンドシートが半導体ウェハ裏面(研削面)に貼合されてダイシング工程で半導体ウェハと一括して切断するプロセスが一般的となっている(例えば、特許文献3参照)。この方法では、均一な厚さの接着剤が半導体チップと同サイズに切断されるため、接着剤塗布などの工程が不要であり、また従来のダイシングテープと同様の装置が使用できるため、作業性が良好である。   By the way, in recent years when thinning of semiconductor wafers has progressed, thin film grinding of 100 μm or less is common especially for semiconductor memory applications. The device wafer is thinned to a predetermined thickness by backside grinding, and then formed into chips in a dicing process. A plurality of chips are stacked, wire-connected between the substrate and the chip, and then sealed with a resin to become a product. . Conventionally, a paste-like resin has been applied to the back side of a semiconductor wafer as an adhesive. However, in order to reduce the thickness and size of semiconductor chips and simplify the process, adhesive and adhesive ( A process in which a dicing die bond sheet on which a bonding sheet for die bonding) is laminated is bonded to the back surface (grind surface) of a semiconductor wafer and cut together with the semiconductor wafer in a dicing process has become common (for example, Patent Documents). 3). In this method, the adhesive with a uniform thickness is cut to the same size as the semiconductor chip, so there is no need for a process such as adhesive application, and the same equipment as a conventional dicing tape can be used. Is good.

上記シート貼合の際には、半導体ウェハ表面に半導体ウェハ表面保護用粘着テープが貼合されたままチャックテーブルに吸着された状態であり、シート貼合後に半導体ウェハ表面保護用粘着テープが剥離される。このシートを半導体ウェハに密着させるため貼合時に加熱が必要だが、近年ではより高温(〜80℃)での加熱が要求される場合がある。粘着剤の弾性率を架橋剤の添加量でコントロールして低弾性率化を図った場合、凝集力が不足している状態で加温され、さらに半導体ウェハ表面の凹凸へ密着することになる。この場合、一層、糊残りのリスクが高まることになる。   When the sheet is bonded, the semiconductor wafer surface protective adhesive tape is peeled off after the sheet is bonded. The Although heating is required at the time of bonding in order to make this sheet adhere to a semiconductor wafer, in recent years, heating at a higher temperature (up to 80 ° C.) may be required. When the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive is controlled by the addition amount of the cross-linking agent to reduce the elastic modulus, the adhesive is heated in a state where the cohesive force is insufficient and further adheres to the irregularities on the surface of the semiconductor wafer. In this case, the risk of adhesive residue is further increased.

上記問題に対応するため、放射線硬化型粘着剤を使用し、剥離時には放射線硬化によって粘着力を低下させると共に凝集力を上げることで糊残りの低減をはかる方法がある。しかし放射線硬化時に粘着剤が硬化収縮を引き起こすため、薄化した半導体ウェハに対して応力がかかり、ダイシング後にチップ化した際のチップ抗折強度(チップ化したSiチップ単体での強度)の低下につながる場合もある。   In order to cope with the above problem, there is a method in which a radiation curable pressure-sensitive adhesive is used, and at the time of peeling, the adhesive strength is reduced by radiation curing and the adhesive strength is reduced by increasing the cohesive force. However, since the adhesive causes curing shrinkage during radiation curing, stress is applied to the thinned semiconductor wafer, leading to a decrease in chip bending strength (strength of the chipped Si chip alone) when it is chipped after dicing. It can be connected.

特開2000−8010号公報JP 2000-8010 A 特開2002−53819号公報JP 2002-53819 A 特開2007−53325号公報JP 2007-53325 A

本発明は、上記の問題点を解決し、半導体ウェハの加工、更に詳しくはシリコンウェハなどの裏面研削工程、テープ剥離工程を経た後に半導体ウェハ表面への糊残りや表面汚染(主としてシーページによる)を抑制できることを特徴とした、半導体ウェハ薄膜研削を可能する半導体ウェハ表面保護用粘着テープを提供することを課題とする。   The present invention solves the above-mentioned problems, and after processing a semiconductor wafer, more specifically, a back grinding process and a tape peeling process for a silicon wafer or the like, adhesive residue and surface contamination on the semiconductor wafer surface (mainly due to seapage) It is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer surface protecting adhesive tape capable of grinding a semiconductor wafer thin film, characterized by being capable of suppressing the above.

本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、特定の範囲のゲル分率の水性エマルジョンを粘着剤の主ポリマーとして適用した感圧型粘着剤層を持つ半導体ウェハ表面保護用粘着テープの適用が、裏面研削、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ剥離後の半導体ウェハ表面観察・XPS測定において、とりわけ薄膜研削の場合、粘着剤の凝集破壊による糊残りや表面汚染などを著しく低減しできることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。   As a result of earnestly examining the above problems, the present inventor has applied the adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface having a pressure-sensitive adhesive layer in which an aqueous emulsion having a gel fraction in a specific range is applied as a main polymer of the adhesive. In the semiconductor wafer surface observation and XPS measurement after the back surface grinding and peeling of the adhesive tape for protecting the semiconductor wafer surface, it has been found that, particularly in the case of thin film grinding, adhesive residue and surface contamination due to cohesive failure of the adhesive can be significantly reduced. The present invention has been made based on this finding.

すなわち本発明は、
(1)樹脂から構成された基材フィルム上の少なくとも一方の面に感圧水性エマルジョン型粘着剤層を有し、該水性エマルジョン型粘着剤の分散ポリマーのゲル分率が80%以上であり、かつ25℃における剥離時でのSUS280研磨面に対する粘着力が0.8〜2.5N/25mmであり、50℃における加熱剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力が、該25℃における剥離時でのSUS280研磨面に対する粘着力に対して50%以下であって、該粘着剤中の分散ポリマーの平均粒子径が0.13〜0.18μmであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ、
(2)前記感圧水性エマルジョン型粘着剤層に架橋剤を含有しないことを特徴とする(1)に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ、
(3)前記分散ポリマーが、炭素原子、水素原子、酸素原子、窒素原子、イオウ原子およびアルカリ金属原子から選択される原子のみで構成されていることを特徴とする(1)または(2)に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ、
(4)前記粘着剤層の該水性エマルジョン型粘着剤に含有するポリマーの主成分が、(メタ)アクリル系共重合体であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ、
(5)前記分散ポリマーが、モノマー成分として、少なくともメチルアクリレート、ブチルアクリレートおよび2−エチルヘキシルアクリレートを有することを特徴とする(1)〜(4)のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ、および、
(6)前記粘着剤層が、ポリプロピレングリコール系化合物およびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルから選ばれた少なくとも2種類の化合物を含有することを特徴とする(1)〜(5)のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ
を提供するものである。
That is, the present invention
(1) It has a pressure-sensitive aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface on a base film composed of a resin, and the gel fraction of the dispersion polymer of the aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive is 80% or more, And the adhesive force to the SUS280 polished surface at the time of peeling at 25 ° C. is 0.8 to 2.5 N / 25 mm, and the adhesive force to the SUS280 polished surface at the time of heat peeling at 50 ° C. is A pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface, characterized in that the average particle size of the dispersed polymer in the pressure-sensitive adhesive is from 0.13 to 0.18 μm with respect to the adhesive strength to a SUS280 polished surface;
(2) The pressure-sensitive aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive layer does not contain a cross-linking agent, The semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive tape according to (1),
(3) The dispersion polymer is composed of only atoms selected from carbon atoms, hydrogen atoms, oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms and alkali metal atoms. The semiconductor wafer surface protecting adhesive tape as described,
(4) Any one of (1) to (3), wherein the main component of the polymer contained in the aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive layer is a (meth) acrylic copolymer. Adhesive tape for semiconductor wafer surface protection as described in
(5) The semiconductor wafer surface protecting device according to any one of (1) to (4), wherein the dispersion polymer has at least methyl acrylate, butyl acrylate and 2-ethylhexyl acrylate as monomer components. Adhesive tape, and
(6) In any one of (1) to (5), the pressure-sensitive adhesive layer contains at least two kinds of compounds selected from a polypropylene glycol compound and a polyoxyalkylene alkylphenyl ether. The semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive tape described is provided.

なお、本発明において、(メタ)アクリルは、アクリル、メタクリルの両方を含む意味で使用するものであって、これらの混合のものをも含む。
また、架橋剤を含有しないとは、粘着剤層の粘着剤に架橋剤が添加されていないことを意味する。
In addition, in this invention, (meth) acryl is used by the meaning containing both acryl and methacryl, Comprising: These are also included.
Moreover, that a crosslinking agent is not contained means that the crosslinking agent is not added to the adhesive of an adhesive layer.

本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、半導体ウェハの加工、更に詳しくはシリコンウェハなどの裏面研削工程において、BGテープラミネート、半導体ウェハ裏面研削加工、テープ剥離工程において半導体ウェハ表面への糊残りや表面汚染(シーページ)を抑止しつつ、薄膜研削処理することを可能とする。   The adhesive tape for protecting the surface of a semiconductor wafer according to the present invention is used for processing a semiconductor wafer, more specifically, in a back grinding process for a silicon wafer or the like, and for BG tape laminating, semiconductor wafer back grinding, and tape residue on the semiconductor wafer surface. And thin film grinding while suppressing surface contamination (seapage).

本発明の好ましい一実施の形態について、半導体ウェハパターン表面に本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープが貼合された状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state by which the adhesive tape for semiconductor wafer surface protection of this invention was bonded by the semiconductor wafer pattern surface about preferable one Embodiment of this invention. 本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力の測定方法の説明図である。It is explanatory drawing of the measuring method of the adhesive force of the adhesive tape for semiconductor wafer surface protections of this invention.

本発明の好ましい実施形態を図1の断面図を参照して説明する。
図中、1は基材フィルム、2はその上に塗布した粘着剤層であり、代表的にはこのような構成で半導体ウェハ表面保護用粘着テープが形成される。3は粘着剤層2が粘着する、ウェハSi層4のウェハパターン表面(配線層)を示す。
A preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the cross-sectional view of FIG.
In the figure, 1 is a base film, and 2 is an adhesive layer applied thereon. Typically, a semiconductor wafer surface protecting adhesive tape is formed in such a configuration. 3 shows the wafer pattern surface (wiring layer) of the wafer Si layer 4 to which the adhesive layer 2 adheres.

本発明では、粘着剤層で使用する粘着剤は、水性エマルジョン型粘着剤である。
なお、水性エマルジョン型粘着剤は、ポリマーの水分散物もしくはラテックスポリマー(以後、まとめて分散ポリマーと称す)を含むものである。
In the present invention, the pressure-sensitive adhesive used in the pressure-sensitive adhesive layer is an aqueous emulsion type pressure-sensitive adhesive.
The aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive includes an aqueous dispersion of polymer or a latex polymer (hereinafter collectively referred to as a dispersion polymer).

本発明では、分散ポリマーはどのようなものでも構わないが、炭素原子、水素原子、酸素原子、窒素原子、イオウ原子およびアルカリ金属原子から選択される原子のみで構成されている分散ポリマーが好ましい。ここで、アルカリ金属原子は、pKaの低い基、例えば、酸性基、において塩を形成しているものであり、より具体的には、塩形成したカルボキシル基や塩形成したスルホ基として組み込まれるものであり、ナトリウム、カリウムが挙げられる。   In the present invention, any dispersion polymer may be used, but a dispersion polymer composed only of atoms selected from a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom and an alkali metal atom is preferable. Here, the alkali metal atom forms a salt in a group having a low pKa, such as an acidic group, and more specifically, an alkali metal atom is incorporated as a salt-formed carboxyl group or a salt-formed sulfo group. And includes sodium and potassium.

炭素原子、水素原子、酸素原子、窒素原子、イオウ原子およびアルカリ金属原子から選択される原子のみで構成されるポリマーを構成するモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルもしくはアリールエステル、(メタ)アクリル酸もしくはそのアルカリ金属塩、(メタ)アクリルアミド、これ以外のエチレン性不飽和基を有するモノマー(例えば、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸もしくはこれらのアルカリ金属塩)が挙げられる。   Examples of the monomer constituting the polymer composed only of atoms selected from a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom and an alkali metal atom include (meth) acrylic acid alkyl or aryl esters, (meta ) Acrylic acid or alkali metal salts thereof, (meth) acrylamide, other monomers having an ethylenically unsaturated group (for example, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, fumaric acid, maleic acid or alkali metal salts thereof) Can be mentioned.

水性エマルジョン型粘着剤の分散ポリマーは、複数のポリマーを含んでもよいが、含有するポリマーの主成分が(メタ)アクリル系共重合体であることが好ましく、(メタ)アクリル系共重合体とすることによって粘着力の制御が容易になり、ゲル分率等をコントロールできるため、糊残りや有機物による汚染を少なくすることができる。
ここで、含有するポリマーの主成分とは、水性エマルジョン型粘着剤に含有する全ポリマーの総固形分質量の50質量%を越えることを意味するものであり、好ましくは60質量%以上であり、より好ましくは80質量%以上である。
これらの分散ポリマーは、例えば、通常の乳化重合で合成できる。また、疎水性ポリマーを微粒子化し界面活性剤で水分散しても得ることができる。なお、乳化重合は水溶液中で、界面活性剤(乳化剤)の存在下で重合を行うものである。
(メタ)アクリル系共重合体としては、例えば特開2003−82307号公報に記載のように(メタ)アクリル酸アルキルエステルを主成分とするモノマー混合物と、ラジカル重合性官能基を含みエチレンあるいはプロピレンオキサイド平均付加モル数が15以下のノニオンアニオン系反応性乳化剤と、レドックス系重合開始剤による乳化重合(エマルジョン重合)により得られる(メタ)アクリルエマルジョン系重合体を主成分とすることもできる。
The dispersion polymer of the aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive may contain a plurality of polymers, but the main component of the polymer to be contained is preferably a (meth) acrylic copolymer, and is a (meth) acrylic copolymer. As a result, the adhesive force can be easily controlled, and the gel fraction and the like can be controlled, so that contamination due to adhesive residue and organic matter can be reduced.
Here, the main component of the polymer to be contained means that it exceeds 50% by mass of the total solid content of all polymers contained in the aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive, and preferably 60% by mass or more, More preferably, it is 80 mass% or more.
These dispersion polymers can be synthesized by, for example, ordinary emulsion polymerization. It can also be obtained by making the hydrophobic polymer into fine particles and dispersing in water with a surfactant. Emulsion polymerization is carried out in an aqueous solution in the presence of a surfactant (emulsifier).
As the (meth) acrylic copolymer, for example, as described in JP-A No. 2003-82307, a monomer mixture mainly composed of (meth) acrylic acid alkyl ester and a radically polymerizable functional group containing ethylene or propylene A (meth) acryl emulsion polymer obtained by emulsion polymerization (emulsion polymerization) using a nonionic anionic reactive emulsifier having an average oxide addition mole number of 15 or less and a redox polymerization initiator may be the main component.

水性エマルジョン型粘着剤中(水性エマルジョン型粘着剤層を形成するための塗布液中)の分散ポリマーの含有量(粘着剤の総質量中の分散ポリマーの固形分質量)は、好ましくは30〜80質量%、より好ましくは40〜60質量%であるが、これに制限されるものではない。この分散ポリマーの量が少なすぎると粘着剤乾燥工程で水分が残留してしまうことがあり、多すぎると乾燥工程で融着しない粒子が存在し、部分的に未膜部分が残って均一な造膜部分の割合が低下するため、糊残りのリスクが高まる恐れがある。
分散ポリマー含有量を上記の範囲とすることにより、半導体ウェハ表面への糊残りをなくし、シーページ発生を抑制でき、これにより含有量を定めることが好ましい。
The content of the dispersion polymer in the aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive (in the coating liquid for forming the aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive layer) (the solid content mass of the dispersion polymer in the total mass of the pressure-sensitive adhesive) is preferably 30 to 80. Although it is mass%, More preferably, it is 40-60 mass%, However It is not restrict | limited to this. If the amount of the dispersed polymer is too small, moisture may remain in the pressure-sensitive adhesive drying process. If the amount is too large, particles that are not fused in the drying process exist, and a non-filmed portion remains partially. Since the ratio of the film portion decreases, the risk of adhesive residue may increase.
By setting the content of the dispersed polymer in the above range, it is possible to eliminate the adhesive residue on the surface of the semiconductor wafer and suppress the generation of seapage, thereby determining the content.

また、エマルジョンの分散ポリマーの平均粒子径は0.13〜0.18μmであり、好ましく0.14〜0.16μmである。この平均粒子径は、原子間力顕微鏡(AFM)により粒子50個〔A4サイズにカットした半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着剤面の1μm(A4サンプル内数箇所を無作為にサンプリング)をAFM形状像で確認〕について測定した結果の平均粒子径をいう。この平均粒子径が小さすぎるものは、乾燥後の粘着剤表面から脱落しやすく糊残りしやすいという問題が生じやすく、大きすぎても半導体ウェハ表面凹凸への密着性が低下しシーページを誘発するという支障が出ることがある。分散ポリマーの平均粒子径を上記の範囲とすることが、発明の目的の効果を奏する上で好ましい。 Moreover, the average particle diameter of the dispersion polymer of an emulsion is 0.13-0.18 micrometer, Preferably it is 0.14-0.16 micrometer. This average particle diameter is 50 particles [Atomic force microscope (AFM)] [1 μm 2 of the pressure-sensitive adhesive surface of the semiconductor wafer surface protecting adhesive tape cut to A4 size (sampling at a few points in the A4 sample) Mean particle diameter as a result of measurement for [confirmed with AFM shape image]. If the average particle size is too small, it tends to drop off from the pressure-sensitive adhesive surface after drying and easily leave glue, and if it is too large, the adhesion to the semiconductor wafer surface irregularities will decrease and induce sea page. May be a problem. It is preferable that the average particle diameter of the dispersed polymer is in the above range in order to achieve the object effect of the invention.

分散ポリマーである(メタ)アクリル共重合体(アクリルエマルジョン系重合体)は、(メタ)アクリル酸アルキルエステルおよび(メタ)アクリル酸もしくはそのアルカリ金属塩から構成されるものが好ましく、(メタ)アクリル酸アルキルエステルで構成されるものがより好ましい。また、(メタ)アクリル酸アルキルエステルは分散ポリマーを構成するモノマーの50質量%以上であることが好ましく、60質量%以上であることがより好ましく、80質量%以上であることがさらに好ましく、90〜100質量%であることが特に好ましい。
ここで、(メタ)アクリル酸アルキルエステルのアルキル部の炭素数は1〜12が好ましく、無置換であっても置換基で置換されていても構わない。
置換基としては、どのような置換基でも構わないが、水酸基、エポキシ基が好ましい。
The (meth) acrylic copolymer (acrylic emulsion polymer) which is a dispersion polymer is preferably composed of (meth) acrylic acid alkyl ester and (meth) acrylic acid or an alkali metal salt thereof. Those composed of acid alkyl esters are more preferred. Further, the (meth) acrylic acid alkyl ester is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, still more preferably 80% by mass or more, based on the monomer constituting the dispersion polymer. It is especially preferable that it is -100 mass%.
Here, as for carbon number of the alkyl part of (meth) acrylic-acid alkylester, 1-12 are preferable, and it may be unsubstituted or may be substituted by the substituent.
The substituent may be any substituent, but is preferably a hydroxyl group or an epoxy group.

(メタ)アクリル酸アルキルエステルの具体例としては、例えば(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸イソアミル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸イソデシルなどが挙げられる。これらは上記のように単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。この中で、2種以上を混合して用いることが好ましく、2種以上を混合することで様々な粘着剤としての機能を発揮させることができる。3種以上を混合することが更に好ましく、(メタ)アクリル酸メチル(メチルアクリレート)、アクリル酸ブチル(ブチルアクリレート)および(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル(2−エチルヘキシルアクリレート)の3種を少なくとも含むモノマーを共重合することが特に好ましい。3種類以上のモノマーを共重合することで段差への追従性及び糊残りを含む非汚染性をより良好に両立できるようになる。   Specific examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, ( Examples include isoamyl acrylate, hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, and isodecyl (meth) acrylate. These may be used alone as described above, or may be used in combination of two or more. Among these, it is preferable to use a mixture of two or more types, and by mixing two or more types, various functions as an adhesive can be exhibited. It is more preferable to mix three or more kinds, including at least three kinds of methyl (meth) acrylate (methyl acrylate), butyl acrylate (butyl acrylate), and (meth) acrylate 2-ethylhexyl (2-ethylhexyl acrylate). It is particularly preferred to copolymerize the monomers. By copolymerizing three or more types of monomers, it is possible to more satisfactorily balance the step following ability and the non-contamination property including the adhesive residue.

本発明においては、(メタ)アクリル酸アルキルエステルのアルキル部が水酸基やエポキシ基で置換されたモノマーも好ましく、例えば、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸グリシジルが挙げられ、(メタ)アクリル酸グリシジルが中でも好ましい。
本発明においては、(メタ)アクリル酸の無置換アルキルに、(メタ)アクリル酸アルキルエステルのアルキル部が置換された化合物を併用するのが好ましく、4種類以上のモノマーを共重合したものが特に好ましい。
なお、上記の(メタ)アクリル酸アルキルエステルのアルキル部が置換基を有するものや(メタ)アクリル酸もしくはそのアルカリ金属塩は、(メタ)アクリル酸系以外の下記のモノマーとともに、分散ポリマー粒子の安定化、粘着剤層の基材への密着性の向上、また被着体への初期接着性の向上などを調整できる。
In the present invention, a monomer in which the alkyl part of (meth) acrylic acid alkyl ester is substituted with a hydroxyl group or an epoxy group is also preferable, for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, Examples include glycidyl (meth) acrylate, and glycidyl (meth) acrylate is particularly preferable.
In the present invention, it is preferable to use a compound in which the alkyl part of the (meth) acrylic acid alkyl ester is substituted for the unsubstituted alkyl of (meth) acrylic acid, and particularly those obtained by copolymerizing four or more types of monomers. preferable.
In addition, those in which the alkyl part of the above (meth) acrylic acid alkyl ester has a substituent, (meth) acrylic acid or an alkali metal salt thereof, together with the following monomers other than the (meth) acrylic acid type, are dispersed polymer particles. Stabilization, improvement in adhesion of the pressure-sensitive adhesive layer to the substrate, improvement in initial adhesion to the adherend, and the like can be adjusted.

(メタ)アクリル酸系以外のモノマーとしては、マレイン酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和基を有するカルボン酸、N,N−ジエチルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリルアミド、N−イソプロピルアクリルアミド、アクリロイルモルホリン等の(メタ)アクリルアミド、酢酸ビニル、スチレンなどが挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。
これらの(メタ)アクリル酸アルキルエステルのアルキル部が置換基を有するものや(メタ)アクリル酸もしくはそのアルカリ金属塩や上記のモノマーは、(メタ)アクリル系共重合体を構成するモノマー成分の総質量に対し、0.1〜10質量%が好ましく、0.5〜5質量%がより好ましい。
Examples of monomers other than (meth) acrylic acid-based monomers include carboxylic acids having ethylenically unsaturated groups such as maleic acid and crotonic acid, N, N-diethylacrylamide, N, N-diethylacrylamide, N-isopropylacrylamide, and acryloylmorpholine. (Meth) acrylamide, vinyl acetate, styrene and the like. These may be used singly or in combination of two or more.
These (meth) acrylic acid alkyl esters in which the alkyl part has a substituent, (meth) acrylic acid or an alkali metal salt thereof, and the above monomers are all of the monomer components constituting the (meth) acrylic copolymer. 0.1-10 mass% is preferable with respect to mass, and 0.5-5 mass% is more preferable.

また、粘着剤層のゲル分率の調整のため、(メタ)アクリル共重合体を重合する際に多官能モノマー成分を加えて共重合することができる。
なお、水分散性の架橋剤を混ぜることによってもゲル分率を調整することができる。水分散性架橋剤としては、主にエポキシ系の架橋剤が用いられる。
本発明においては、このような架橋剤を使用しないことが好ましく、このような架橋剤(水分散性架橋剤も含む)を使用すると、残留した架橋剤による汚染が生じる。
上記の多官能性モノマー成分は、主モノマー成分に対し、30質量%以下が好ましく、5〜25質量%が好ましい。
Moreover, in order to adjust the gel fraction of the pressure-sensitive adhesive layer, a polyfunctional monomer component can be added and copolymerized when the (meth) acrylic copolymer is polymerized.
The gel fraction can also be adjusted by mixing a water dispersible crosslinking agent. As the water dispersible crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent is mainly used.
In the present invention, it is preferable not to use such a crosslinking agent. When such a crosslinking agent (including a water-dispersible crosslinking agent) is used, contamination due to the remaining crosslinking agent occurs.
30 mass% or less is preferable with respect to the main monomer component, and, as for said polyfunctional monomer component, 5-25 mass% is preferable.

多官能モノマーとしては、例えばジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジビニルベンゼンなどが挙げられる。   Examples of the polyfunctional monomer include diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, neopentyl glycol diacrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, 1 , 6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate Jibi Rubenzen and the like.

本発明において、水性エマルジョン型粘着剤の分散ポリマーのゲル分率は、80%以上、好ましくは80〜97%、より好ましくは90〜95%である。このゲル分率が低すぎると、糊残りや表面汚染を抑制することができない。このゲル分率を上記のように高くすることが架橋密度の低下を防ぎ、結果、糊残りをさらに防止できるようになることから好ましい。   In the present invention, the gel fraction of the dispersion polymer of the aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive is 80% or more, preferably 80 to 97%, more preferably 90 to 95%. If the gel fraction is too low, adhesive residue and surface contamination cannot be suppressed. Increasing the gel fraction as described above is preferable because it prevents a decrease in cross-linking density and as a result further prevents adhesive residue.

上記モノマー混合物に常法により重合開始剤および界面活性剤(乳化剤)などを加え、通常の乳化重合(エマルジョン重合方法)で(メタ)アクリル系重合体を合成することができる。乳化重合は、一般的な一括重合、連続滴下重合、分割滴下重合など任意の方法を用いることができ、特に限定されるものではない。   A polymerization initiator and a surfactant (emulsifier) are added to the monomer mixture by a conventional method, and a (meth) acrylic polymer can be synthesized by a usual emulsion polymerization (emulsion polymerization method). The emulsion polymerization can be performed by any method such as general batch polymerization, continuous dropping polymerization, and divided dropping polymerization, and is not particularly limited.

界面活性剤としては、ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウムなどのアニオン系、ポリプロピレングリコール系化合物や、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル(例えばポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル)などのノニオン系界面活性剤などを併用することができる。
なお、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルは、アリル基を付加させたポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルが好ましい。
これらの界面活性剤の中から、1種または2種以上が用いられるが、好ましくは2種以上の界面活性剤が併用して用いられる。
本発明では、ポリプロピレングリコール系化合物およびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルを併用することが特に好ましく、これによって半導体ウェハへの有機物汚染を減らすことができる。
Surfactants include anionic and polypropylene glycol compounds such as sodium lauryl sulfate, ammonium lauryl sulfate, sodium dodecylbenzene sulfonate, sodium polyoxyethylene alkyl ether sulfate, sodium polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfate, and polyoxyethylene alkyl Nonionic surfactants such as ether and polyoxyalkylene alkylphenyl ether (for example, polyoxyethylene alkylphenyl ether) can be used in combination.
The polyoxyalkylene alkyl phenyl ether is preferably a polyoxyalkylene alkyl phenyl ether to which an allyl group is added.
Among these surfactants, one or more kinds are used, but preferably two or more kinds of surfactants are used in combination.
In the present invention, it is particularly preferable to use a polypropylene glycol compound and polyoxyalkylene alkylphenyl ether in combination, whereby organic contamination on the semiconductor wafer can be reduced.

界面活性剤の配合量は全モノマー混合物100質量部に対して0.5〜10質量部、好ましくは1〜7質量部程度である。界面活性剤の配合量が10質量部を超えると粘着剤の凝集力が低下して被着体への汚染量が増加し、また界面活性剤が粘着剤層の表面にブリードすることによる汚染も起こる場合がある。また乳化剤の配合量が0.5質量部未満では安定した乳化が維持できない場合がある。   The compounding quantity of surfactant is 0.5-10 mass parts with respect to 100 mass parts of all monomer mixtures, Preferably it is about 1-7 mass parts. When the blending amount of the surfactant exceeds 10 parts by mass, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive decreases and the amount of contamination on the adherend increases, and contamination due to bleeding of the surfactant on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer is also caused. May happen. Moreover, when the compounding quantity of an emulsifier is less than 0.5 mass part, the stable emulsification may not be maintained.

重合開始剤としては、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2‐アミジノプロパン)ジヒドロクロライド、2,2’−アゾビス(N,N’−ジメチレンイソブチルアミジン)などのアゾ系化合物やその他に過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩、ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルハイドロパーオキサイドなどの過酸化物系化合物、過酸化水素水とアスコルビン酸、過酸化水素水と塩化第一鉄、過硫酸塩と亜硫酸水素ナトリウムなどのレドックス系重合開始剤などが挙げられる。   As polymerization initiators, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride, 2,2′-azobis (N, N′-dimethyleneisobutylamidine) Other azo compounds such as potassium persulfate, persulfates such as ammonium persulfate, peroxide compounds such as benzoyl peroxide and t-butyl hydroperoxide, hydrogen peroxide solution and ascorbic acid, hydrogen peroxide solution And redox polymerization initiators such as ferrous chloride, persulfate and sodium bisulfite.

重合開始剤は、全モノマー混合物100質量部あたり、0.01〜1.0質量部の範囲で使用するのが望ましい。   The polymerization initiator is desirably used in the range of 0.01 to 1.0 part by mass per 100 parts by mass of the total monomer mixture.

本発明に用いられる基材フィルムの材質としては、特開2004−186429号公報に記載のものを挙げることができる。基材フィルムとしては、公知のものを使用することができ、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、またはポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等の熱可塑性エラストマーが挙げられる。またはこれらの群から選ばれる2種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよい。基材フィルムの厚さは50〜200μmが好ましい。   Examples of the material of the base film used in the present invention include those described in JP-A No. 2004-186429. As the base film, known materials can be used, such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, ionomer, etc. And α-olefin homopolymers or copolymers, engineering plastics such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, and polymethyl methacrylate, and thermoplastic elastomers such as polyurethane, styrene-ethylene-butene, and pentene copolymers. Alternatively, a mixture of two or more selected from these groups or a multilayered structure may be used. As for the thickness of a base film, 50-200 micrometers is preferable.

基材フィルム上に上記の粘着剤層を形成するためには、基材フィルムの少なくても片面に、少なくても1種類の粘着剤を任意の方法で塗布すればよい。粘着剤層の厚さは10〜300μmが好ましい。また、基材フィルムと粘着剤層の間に、必要に応じてプライマー層などの中間層を設けてもよい。   In order to form the above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer on the base film, at least one type of pressure-sensitive adhesive may be applied by any method to at least one side of the base film. As for the thickness of an adhesive layer, 10-300 micrometers is preferable. Moreover, you may provide intermediate | middle layers, such as a primer layer, as needed between a base film and an adhesive layer.

また、必要に応じて、実用に供するまでの間、粘着剤層を保護するため通常セパレータとして用いられる合成樹脂フィルムを粘着剤層側に貼付しておいてもよい。   Moreover, you may stick the synthetic resin film normally used as a separator on the adhesive layer side in order to protect an adhesive layer until it uses for practical use as needed.

以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these Examples.

<実施例1>
脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレートを33質量部、ブチルアクリレートを33質量部、2−エチルヘキシルアクリレートを32重量部、メタクリル酸グリシジルを2質量部、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルジョン粘着剤組成物を得た。
25μmのPET(ポリエチレンテレフタレート)セパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、110℃で2分間乾燥させて、厚み165μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚40μm厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
<Example 1>
A polyoxyethylene alkylphenyl ether compound and a polypropylene glycol compound to which an allyl group was added as a surfactant were added to deionized pure water, and ammonium persulfate was added as a polymerization initiator and stirred while heating. Next, 33 parts by weight of methyl methacrylate, 33 parts by weight of butyl acrylate, 32 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 2 parts by weight of glycidyl methacrylate are added dropwise to the stirring solution, and the stirring is continued to carry out the polymerization. A composition was obtained.
The pressure-sensitive adhesive composition was applied on a 25 μm PET (polyethylene terephthalate) separator, dried at 110 ° C. for 2 minutes, and laminated on a 165 μm thick ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film, A pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 40 μm was laminated to prepare a pressure-sensitive adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface.

<実施例2>
脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレートを25質量部、ブチルアクリレートを32質量部、2−エチルヘキシルアクリレートを41質量部、メタクリル酸グリシジルを2質量部、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルジョン粘着剤組成物を得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、130℃で2分間乾燥させて、厚み165μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚40μm厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
<Example 2>
A polyoxyethylene alkylphenyl ether compound and a polypropylene glycol compound to which an allyl group was added as a surfactant were added to deionized pure water, and ammonium persulfate was added as a polymerization initiator and stirred while heating. Next, 25 parts by weight of methyl methacrylate, 32 parts by weight of butyl acrylate, 41 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 2 parts by weight of glycidyl methacrylate are added dropwise to the stirring solution, and the stirring is continued to carry out the polymerization. A composition was obtained.
A pressure-sensitive adhesive composition is applied onto a 25 μm PET separator, dried at 130 ° C. for 2 minutes, and laminated on a 165 μm thick ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film to obtain a film thickness of 40 μm. The pressure-sensitive adhesive layer was laminated to produce a semiconductor wafer surface protective pressure-sensitive adhesive tape.

<実施例3>
脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレートを20質量部、ブチルアクリレートを37質量部、2−エチルヘキシルアクリレートを41質量部、メタクリル酸グリシジルを2質量部、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルジョン粘着剤組成物を得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、130℃で2分間乾燥させて、厚み165μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚40μm厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
<Example 3>
A polyoxyethylene alkylphenyl ether compound and a polypropylene glycol compound to which an allyl group was added as a surfactant were added to deionized pure water, and ammonium persulfate was added as a polymerization initiator and stirred while heating. Next, 20 parts by mass of methyl methacrylate, 37 parts by mass of butyl acrylate, 41 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 2 parts by mass of glycidyl methacrylate, are added dropwise to the stirring solution, and the polymerization is continued while stirring to prepare an acrylic emulsion adhesive. A composition was obtained.
A pressure-sensitive adhesive composition is applied onto a 25 μm PET separator, dried at 130 ° C. for 2 minutes, and laminated on a 165 μm thick ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film to obtain a film thickness of 40 μm. The pressure-sensitive adhesive layer was laminated to produce a semiconductor wafer surface protective pressure-sensitive adhesive tape.

<実施例4>
脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレートを22質量部、ブチルアクリレートを35質量部、2−エチルヘキシルアクリレートを41質量部、メタクリル酸グリシジルを2質量部、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルジョン粘着剤組成物を得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、130℃で2分間乾燥させて、厚み165μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚40μm厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
<Example 4>
A polyoxyethylene alkylphenyl ether compound and a polypropylene glycol compound to which an allyl group was added as a surfactant were added to deionized pure water, and ammonium persulfate was added as a polymerization initiator and stirred while heating. Next, 22 parts by mass of methyl methacrylate, 35 parts by mass of butyl acrylate, 41 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 2 parts by mass of glycidyl methacrylate are added dropwise to the stirring solution, and the polymerization is continued while stirring to prepare an acrylic emulsion adhesive. A composition was obtained.
A pressure-sensitive adhesive composition is applied onto a 25 μm PET separator, dried at 130 ° C. for 2 minutes, and laminated on a 165 μm thick ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film to obtain a film thickness of 40 μm. The pressure-sensitive adhesive layer was laminated to produce a semiconductor wafer surface protective pressure-sensitive adhesive tape.

<実施例5>
脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレートを35質量部、ブチルアクリレートを22質量部、2−エチルヘキシルアクリレートを41質量部、メタクリル酸グリシジルを2質量部、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルジョン粘着剤組成物を得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、130℃で2分間乾燥させて、厚み165μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚40μm厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
<Example 5>
A polyoxyethylene alkylphenyl ether compound and a polypropylene glycol compound to which an allyl group was added as a surfactant were added to deionized pure water, and ammonium persulfate was added as a polymerization initiator and stirred while heating. Next, 35 parts by weight of methyl methacrylate, 22 parts by weight of butyl acrylate, 41 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 2 parts by weight of glycidyl methacrylate are added dropwise to the stirring solution, and the stirring is continued to carry out the polymerization. A composition was obtained.
A pressure-sensitive adhesive composition is applied onto a 25 μm PET separator, dried at 130 ° C. for 2 minutes, and laminated on a 165 μm thick ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film to obtain a film thickness of 40 μm. The pressure-sensitive adhesive layer was laminated to produce a semiconductor wafer surface protective pressure-sensitive adhesive tape.

<実施例6>
脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレートを40質量部、ブチルアクリレートを17質量部、2−エチルヘキシルアクリレートを41質量部、メタクリル酸グリシジルを2質量部、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルジョン粘着剤組成物を得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、130℃で2分間乾燥させて、厚み165μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚40μm厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
<Example 6>
A polyoxyethylene alkylphenyl ether compound and a polypropylene glycol compound to which an allyl group was added as a surfactant were added to deionized pure water, and ammonium persulfate was added as a polymerization initiator and stirred while heating. Next, 40 parts by mass of methyl methacrylate, 17 parts by mass of butyl acrylate, 41 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 2 parts by mass of glycidyl methacrylate, are added dropwise to the stirring solution, and further stirred and polymerized to obtain an acrylic emulsion adhesive. A composition was obtained.
A pressure-sensitive adhesive composition is applied onto a 25 μm PET separator, dried at 130 ° C. for 2 minutes, and laminated on a 165 μm thick ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film to obtain a film thickness of 40 μm. The pressure-sensitive adhesive layer was laminated to produce a semiconductor wafer surface protective pressure-sensitive adhesive tape.

<実施例7>
脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレートを27質量部、ブチルアクリレートを30質量部、2−エチルヘキシルアクリレートを41質量部、メタクリル酸グリシジルを2質量部、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルジョン粘着剤組成物を得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、130℃で2分間乾燥させて、厚み165μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚40μm厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
<Example 7>
A polyoxyethylene alkylphenyl ether compound and a polypropylene glycol compound to which an allyl group was added as a surfactant were added to deionized pure water, and ammonium persulfate was added as a polymerization initiator and stirred while heating. Next, 27 parts by mass of methyl methacrylate, 30 parts by mass of butyl acrylate, 41 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 2 parts by mass of glycidyl methacrylate, are added dropwise to the stirring solution, and the polymerization is continued while stirring to prepare an acrylic emulsion adhesive. A composition was obtained.
A pressure-sensitive adhesive composition is applied onto a 25 μm PET separator, dried at 130 ° C. for 2 minutes, and laminated on a 165 μm thick ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film to obtain a film thickness of 40 μm. The pressure-sensitive adhesive layer was laminated to produce a semiconductor wafer surface protective pressure-sensitive adhesive tape.

<比較例1>
2−エチルヘキシルアクリレートを69質量部、2−ヒドロキシエチルアクリレートを29質量部、メタクリル酸を2質量部、酢酸エチル中で重合を行い、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を2.5質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて、厚み165μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚40μm厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
<Comparative Example 1>
Polymerization was performed in 69 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 29 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and ethyl acetate to obtain an acrylic copolymer. 2.5 parts by weight of adduct isocyanate crosslinking agent Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) is blended into the polymerized acrylic copolymer, and adjusted with ethyl acetate to adjust the viscosity to be easy to apply, A pressure-sensitive adhesive composition was obtained.
A pressure-sensitive adhesive composition is applied on a 25 μm PET separator, dried, and laminated on a 165 μm-thick ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 40 μm. The adhesive tape for surface protection of a semiconductor wafer was produced by laminating.

<比較例2>
2−エチルヘキシルアクリレートを69質量部、2−ヒドロキシエチルアクリレートを29質量部、メタクリル酸を2質量部、酢酸エチル中で重合を行い、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を0.5質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて、厚み165μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚40μm厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
<Comparative example 2>
Polymerization was performed in 69 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 29 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, 2 parts by mass of methacrylic acid, and ethyl acetate to obtain an acrylic copolymer. 0.5 parts by mass of adduct isocyanate crosslinker coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) is blended into the polymerized acrylic copolymer, and adjusted with ethyl acetate to adjust the viscosity to be easy to apply, A pressure-sensitive adhesive composition was obtained.
A pressure-sensitive adhesive composition is applied on a 25 μm PET separator, dried, and laminated on a 165 μm-thick ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 40 μm. The adhesive tape for surface protection of a semiconductor wafer was produced by laminating.

<比較例3>
アクリル系共重合体であるATR−340(サイデン化学社製)にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を1.0質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて、厚み100μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルム上に貼り合わせることで積層し、膜厚30μm厚の粘着剤層を積層して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
<Comparative Example 3>
ATR-340 (manufactured by Seiden Chemical Co., Ltd.), an acrylic copolymer, is blended with 1.0 part by mass of adduct isocyanate cross-linking agent Coronate L (trade name, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) to adjust the viscosity to be easy to apply. Therefore, the pressure-sensitive adhesive composition was obtained by adjusting with ethyl acetate.
A pressure-sensitive adhesive composition is applied onto a 25 μm PET separator, dried, and laminated by being laminated on an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film having a thickness of 100 μm to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 μm. The adhesive tape for surface protection of a semiconductor wafer was produced by laminating.

[特性評価試験]
実施例1〜7、比較例1〜3の半導体ウェハ加工用粘着テープについて、特性評価試験を下記のように行った。
[Characteristic evaluation test]
About the adhesive tape for semiconductor wafer processing of Examples 1-7 and Comparative Examples 1-3, the characteristic evaluation test was done as follows.

・ポリマーのゲル分率測定
実施例および比較例の半導体ウェハ加工用粘着テープから100mm×120mmの試験片を2片切り出し、セパレータ剥離後、試験片の半導体ウェハ加工用粘着テープの質量を測定した。試験片が入る直径のポリプロピレン製容器内に試験片の半導体ウェハ加工用粘着テープを、粘着剤面を上にしてピンで固定した。500mlのトルエンを試験片が溶液中に浸漬されるように容器内に入れた後、溶媒の揮発を防ぐため、蓋をして24時間(25℃環境下にて)放置した。
24時間後、容器内の溶媒をメッシュ径#150の金属製メッシュでろ過しつつ廃棄した。その後容器内に試験片の半導体ウェハ加工用粘着テープを載置した状態で24時間(25℃環境下にて)乾燥した。24時間後に電子天秤で質量を測定した。以下に示す計算式で算出した値をポリマーのゲル分率とした。
なお、基材の質量はテープ化前に測定するか、テープ化後に粘着剤層を溶媒などで剥離して測定した。
-Measurement of polymer gel fraction Two test pieces of 100 mm x 120 mm were cut out from the adhesive tapes for semiconductor wafer processing of Examples and Comparative Examples, and after separating the separator, the mass of the adhesive tape for semiconductor wafer processing of the test pieces was measured. An adhesive tape for processing a semiconductor wafer of a test piece was fixed with a pin with the adhesive side facing up in a polypropylene container having a diameter into which the test piece was placed. After putting 500 ml of toluene into the container so that the test piece was immersed in the solution, the sample was covered with a lid for 24 hours (in an environment of 25 ° C.) to prevent the solvent from volatilizing.
After 24 hours, the solvent in the container was discarded while being filtered with a metal mesh having a mesh diameter of # 150. Thereafter, the test piece was dried for 24 hours (in an environment of 25 ° C.) with the pressure-sensitive adhesive tape for processing semiconductor wafers placed in the container. After 24 hours, the mass was measured with an electronic balance. The value calculated by the following formula was used as the gel fraction of the polymer.
In addition, the mass of the base material was measured before tape formation, or the adhesive layer was peeled off with a solvent or the like after tape formation.

ポリマーのゲル分率[%]
=(溶媒抽出後テープ質量−基材質量)/(溶媒抽出前テープ質量−基材質量)×100
Polymer gel fraction [%]
= (Tape mass after solvent extraction-substrate mass) / (Tape mass before solvent extraction-substrate mass) x 100

・粘着力測定試験
(a)25℃における剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力
実施例および比較例の半導体ウェハ加工用粘着テープから幅25mm×長さ300mmの試験片を3点採取し、セパレータを剥離後、その試験片5について、図2に示す方法で、JIS R 6253に規定する280番の耐水研磨紙で仕上げたJIS G 4305に規定する厚さ1.5mm〜2.0mmのSUS鋼板6上に2kgのゴムローラを3往復かけ圧着し、1時間放置後、測定値がその容量の15〜85%の範囲に入るJIS B 7721に適合する引張試験機7を用いて粘着力を測定した。図中、矢印は引張方向を示す。測定は25℃で実施し、180度引きはがし法によるものとし、この時の引張速さは300mm/minとした。
なお、下記表1、2には、25℃粘着力として示した。
・ Adhesive strength measurement test (a) Adhesive strength to SUS280 polished surface at 25 ° C. at the time of peeling Three samples of 25 mm wide × 300 mm long test pieces were collected from the adhesive tapes for semiconductor wafer processing of Examples and Comparative Examples, and separators were removed. After peeling, the SUS steel plate 6 having a thickness of 1.5 mm to 2.0 mm specified in JIS G 4305 finished with 280 of the water-resistant abrasive paper specified in JIS R 6253 for the test piece 5 by the method shown in FIG. A 2 kg rubber roller was pressure-bonded over 3 reciprocations on the top, and after standing for 1 hour, the adhesive strength was measured using a tensile tester 7 conforming to JIS B 7721 whose measured value was in the range of 15 to 85% of its capacity. In the figure, the arrow indicates the tensile direction. The measurement was performed at 25 ° C., and the 180-degree peeling method was used. The tensile speed at this time was 300 mm / min.
In Tables 1 and 2 below, the adhesive strength is shown as 25 ° C. adhesive strength.

(b)50℃における加熱剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力
上記SUS鋼板6を50℃に加熱したSUS鋼板により、測定温度50℃で実施した以外は、上記方法と同様の手順で粘着力を測定し、この値を50℃における加熱剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力とした。
なお、下記表1、2には、50℃粘着力として示した。
(B) Adhesive strength to the polished surface of SUS280 at the time of heat peeling at 50 ° C. The adhesive strength was applied in the same manner as in the above method except that the SUS steel plate 6 was heated to 50 ° C. at a measurement temperature of 50 ° C. Measured, and this value was defined as the adhesive strength to the polished surface of SUS280 at the time of heat peeling at 50 ° C.
In Tables 1 and 2 below, it is shown as 50 ° C. adhesive strength.

(c)25℃における剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力に対する50℃における加熱剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力の割合
上記のようにして得られた粘着力を、下記式により、25℃における剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力に対する50℃における加熱剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力の割合を算出した。
(C) Ratio of adhesive strength to the SUS280 polished surface at 50 ° C. with respect to the adhesive strength to the SUS280 polished surface at the time of peeling at 25 ° C. The adhesive strength obtained as described above at 25 ° C. The ratio of the adhesive strength with respect to the SUS280 polished surface at the time of heat peeling at 50 ° C. with respect to the adhesive strength with respect to the SUS280 polished surface at the time of peeling was calculated.

25℃での粘着力に対する50℃での粘着力の割合=
(50℃での粘着力/25℃での粘着力)×100
Ratio of adhesive strength at 50 ° C. to adhesive strength at 25 ° C. =
(Adhesive strength at 50 ° C./Adhesive strength at 25 ° C.) × 100

・テープ貼合
作製した半導体ウェハ加工用粘着テープの貼合性は、自動ラミネータ(日東電工製DR−3000II)で8インチ(inch)PI膜付(膜厚5.5μm)Siウェハへ貼合・カットを行った。
・ Tape bonding The adhesiveness of the produced adhesive tape for processing semiconductor wafers is an automatic laminator (DR-3000II manufactured by Nitto Denko), which is bonded to an 8-inch (inch) PI film (film thickness 5.5 μm) Si wafer. A cut was made.

・エマルジョン粒子の平均粒子径測定
粘着剤塗布乾燥後のテープをA4サイズにカットし、A4サンプル中の数箇所を無作為にサンプリングした。セイコーインスツル(SII)社製原子間力顕微鏡(AFM)SPI4000にセットし、オリンパス社製標準品カンチレバーによりダイナミックフォースモード(DFM)にて粘着剤面の1μmの領域の形状像を測定した。測定後の画像中50個の粒子径を測定し、その平均値を平均粒子径とした。
-Measurement of average particle diameter of emulsion particles The tape after applying and drying the adhesive was cut into A4 size, and several locations in the A4 sample were randomly sampled. It was set on an atomic force microscope (AFM) SPI4000 manufactured by Seiko Instruments Inc. (SII), and a shape image of a 1 μm 2 region of the pressure-sensitive adhesive surface was measured by a dynamic force mode (DFM) using an Olympus standard product cantilever. The particle diameter of 50 particles in the image after measurement was measured, and the average value was defined as the average particle diameter.

・糊残り評価
剥離実験にて剥離を行った半導体ウェハ表面の観察を行い、糊残りの有無を下記の基準で評価した。
糊残り無し:○
糊残り有り:×
-Adhesive residue evaluation The surface of the semiconductor wafer that was peeled in the peeling experiment was observed, and the presence or absence of adhesive residue was evaluated according to the following criteria.
No adhesive residue: ○
With adhesive residue: ×

・テープ剥離性
半導体ウェハ裏面研削後(80μm厚仕上げ)のテープ剥離性については、DISCO社製フルオートグラインダDGP8760+ウェハマウンタDFM2700を用いて、自動的に剥離を実施し、熱融着タイプの剥離テープ・リンテック社製S−75Cを用い170℃で2秒間加熱融着して剥離した。(チャックテーブル加熱50℃)
自動剥離可能だった場合は○、数回のリトライで剥離可能だったものを△、剥離不可能だった場合は×とした。
・ Tape peelability With regard to tape peelability after semiconductor wafer backside grinding (80μm thick finish), using a full auto grinder DGP8760 + wafer mounter DFM2700 manufactured by DISCO, peeling is performed automatically, and a heat-fusing type peeling tape. -Using S-75C manufactured by Lintec Co., Ltd., heat-sealed at 170 ° C. for 2 seconds and peeled off. (Chuck table heating 50 ° C)
In the case where automatic peeling was possible, the mark was ◯, in the case where peeling was possible after several retries, the mark was △, and when peeling was impossible, the mark was ×.

・ダスト侵入(シーページ)
表面の全面に亘って幅50μm、深さ30μmの溝が5mm間隔で形成された直径8インチのシリコンウェハの、溝を形成した面にラミネータ(商品名:DR−8500II、日東電工製)を用いて半導体ウェハ表面保護テープを貼合した。半導体ウェハ表面保護テープが貼合された半導体ウェハを、グラインダー(商品名:DGP8760、DISCO製)で厚み50μmまで裏面研削を行い、研削後の半導体ウェハ外周部から溝への切削水の浸入を調査した。
侵入が全くなかったものを◎、浸入がほとんど見られなかったものを○、浸入が見られたものを×とした。
・ Dust intrusion (seapage)
A laminator (trade name: DR-8500II, manufactured by Nitto Denko) is used on the groove-formed surface of an 8-inch diameter silicon wafer in which grooves having a width of 50 μm and a depth of 30 μm are formed at intervals of 5 mm over the entire surface. The semiconductor wafer surface protection tape was bonded. The semiconductor wafer to which the semiconductor wafer surface protection tape is bonded is ground to a thickness of 50μm with a grinder (trade name: DGP8760, manufactured by DISCO), and the penetration of cutting water into the grooves from the outer periphery of the semiconductor wafer after grinding is investigated. did.
The case where no intrusion occurred was marked with ◎, the case where almost no intrusion was observed was marked with ○, and the case where intrusion was seen was marked with ×.

・薄膜研削性
上記のダスト侵入と同様に厚み50μmまで裏面研削を行い、研削後の半導体ウェハに割れが無かったものを○、一部が割れていたものを×とした。
・ Thin film grindability Back grinding was performed to a thickness of 50 μm in the same manner as the dust intrusion described above, and “◯” indicates that there was no crack in the ground semiconductor wafer, and “×” indicates that the part was cracked.

各実施例、比較例における粘着力、ゲル分率、剥離性を含め、下記の表1および2にまとめた。   The adhesive strength, gel fraction, and peelability in each Example and Comparative Example are summarized in Tables 1 and 2 below.

Figure 2013229563
Figure 2013229563

Figure 2013229563
Figure 2013229563

表1および2に示すように、比較例1〜3は、いずれも薄膜研削性が悪く、また比較例2、3では糊残りも発生した。比較例3ではこれに加えてダスト浸入が観測された。
なお、比較例2と3は、加熱後の剥離については、25℃の粘着力に対する50℃の粘着力の割合から判断して、剥離力は、目標レベルであるものの、糊残りと薄膜研削性が悪く、比較例1のように25℃の粘着力を下げると糊残りは改良されるものの薄膜研削性は改善されず、ダスト浸入も改善されないかまたは悪化した。
比較例2では凹凸に対する密着性はダスト浸入の評価結果から優位であるものの、弾性率制御を架橋剤で行うことになり、粘着剤の凝集力が不足し糊残りにつながった。
これらの結果は、主に、ゲル分率が低いこと、水性エマルジョンでないことに起因しているものと思われる。
これに対して実施例1〜7では水性エマルジョン系粘着剤で、架橋剤による弾性率制御ではなくモノマー比、ゲル分率制御によって物性をコントロールしたことから良好な特性を示した。
As shown in Tables 1 and 2, Comparative Examples 1 to 3 all had poor thin film grindability, and Comparative Examples 2 and 3 also had adhesive residue. In Comparative Example 3, dust intrusion was observed in addition to this.
In Comparative Examples 2 and 3, the peeling after heating was judged from the ratio of the adhesive strength at 50 ° C. to the adhesive strength at 25 ° C., and the peeling force was the target level, but the adhesive residue and the thin film grindability However, when the adhesive strength at 25 ° C. was lowered as in Comparative Example 1, the adhesive residue was improved, but the thin film grindability was not improved, and the dust penetration was not improved or deteriorated.
In Comparative Example 2, the adhesion to unevenness was superior from the evaluation result of dust intrusion, but the elastic modulus was controlled with a crosslinking agent, and the cohesive force of the adhesive was insufficient, leading to adhesive residue.
These results are mainly due to the low gel fraction and non-aqueous emulsion.
On the other hand, in Examples 1 to 7, water-based emulsion adhesives showed good characteristics because the physical properties were controlled not by controlling the elastic modulus using a crosslinking agent but by controlling the monomer ratio and gel fraction.

上記の結果から明らかなように、本発明の半導体ウェハ加工用粘着テープは、半導体ウェハをバックグラインドする際にパターン表面を保護する用途で用いることができ、薄膜研削加工後のパターン表面への糊残りを抑制する効果が高くかつ、剥離も容易であることから研削加工に用いるのに好適であることがわかる。   As is apparent from the above results, the adhesive tape for processing a semiconductor wafer of the present invention can be used for the purpose of protecting the pattern surface when the semiconductor wafer is back-ground, and the paste on the pattern surface after the thin film grinding process. It can be seen that it is suitable for use in grinding because it has a high effect of suppressing the remainder and is easy to peel off.

1 基材フィルム
2 粘着剤層
3 ウェハパターン表面(配線層)
4 ウェハSi層
5 粘着テープ試験片
6 SUS鋼板
7 引張試験機
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base film 2 Adhesive layer 3 Wafer pattern surface (wiring layer)
4 Wafer Si layer 5 Adhesive tape test piece 6 SUS steel plate 7 Tensile tester

Claims (6)

樹脂から構成された基材フィルム上の少なくとも一方の面に感圧水性エマルジョン型粘着剤層を有し、該水性エマルジョン型粘着剤の分散ポリマーのゲル分率が80%以上であり、かつ25℃における剥離時でのSUS280研磨面に対する粘着力が0.8〜2.5N/25mmであり、50℃における加熱剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力が、該25℃における剥離時でのSUS280研磨面に対する粘着力に対して50%以下であって、該粘着剤中の分散ポリマーの平均粒子径が0.13〜0.18μmであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。   A pressure-sensitive aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface of a base film made of a resin, the gel fraction of the dispersion polymer of the aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive is 80% or more, and 25 ° C. The adhesion to the SUS280 polished surface at the time of peeling at 0.8 to 2.5 N / 25 mm, and the adhesive strength to the SUS280 polished surface at the time of heat peeling at 50 ° C. is the SUS280 polished surface at the time of peeling at 25 ° C. An adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface, wherein the average particle size of the dispersed polymer in the adhesive is 0.13 to 0.18 μm. 前記感圧水性エマルジョン型粘着剤層に架橋剤を含有しないことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。   The pressure-sensitive aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive layer does not contain a crosslinking agent, and the semiconductor wafer surface protecting pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1. 前記分散ポリマーが、炭素原子、水素原子、酸素原子、窒素原子、イオウ原子およびアルカリ金属原子から選択される原子のみで構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。   3. The semiconductor wafer surface according to claim 1, wherein the dispersion polymer is composed of only atoms selected from a carbon atom, a hydrogen atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, and an alkali metal atom. Protective adhesive tape. 前記粘着剤層の該水性エマルジョン型粘着剤に含有するポリマーの主成分が、(メタ)アクリル系共重合体であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。   4. The semiconductor wafer according to claim 1, wherein a main component of a polymer contained in the aqueous emulsion-type pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive layer is a (meth) acrylic copolymer. Adhesive tape for surface protection. 前記分散ポリマーが、モノマー成分として、少なくともメチルアクリレート、ブチルアクリレートおよび2−エチルヘキシルアクリレートを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。   The adhesive tape for protecting a semiconductor wafer surface according to any one of claims 1 to 4, wherein the dispersion polymer has at least methyl acrylate, butyl acrylate, and 2-ethylhexyl acrylate as monomer components. 前記粘着剤層が、ポリプロピレングリコール系化合物およびポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテルから選ばれた少なくとも2種類の化合物を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。   6. The semiconductor wafer surface according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains at least two kinds of compounds selected from a polypropylene glycol compound and a polyoxyalkylene alkylphenyl ether. Protective adhesive tape.
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