JP2013219115A

JP2013219115A - Method for dividing wafer

Info

Publication number: JP2013219115A
Application number: JP2012086642A
Authority: JP
Inventors: Ryoko Fujitani; 涼子藤谷; Yoshiaki Yodo; 良彰淀
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2012-04-05
Filing date: 2012-04-05
Publication date: 2013-10-24

Abstract

【課題】第１分割予定ラインと第２分割予定ラインの交差点における損傷を低減することで、薄型ウェーハを良好な加工品質で分割すること。
【解決手段】本発明の分割方法は、ウェーハ（Ｗ）の表面に形成された第１、第２分割予定ライン（３０１ａ、３０１ｂ）に沿ってレーザビームを照射して分割溝（３０４ａ、３０４ｂ）を形成するステップと、ウェーハ（Ｗ）を所定厚みまで研削することで、第１、第２分割予定ライン（３０１ａ、３０１ｂ）に沿ってウェーハ（Ｗ）を分割するステップとを有し、分割溝（３０４ａ、３０４ｂ）を形成するステップにおいて、第１、第２分割予定ライン（３０１ａ、３０１ｂ）のいずれか一方に対するレーザビームのエネルギーを、第１、第２分割予定ライン（３０１ａ、３０１ｂ）の交差点（３０６）では、いずれか他方に対するレーザビームのエネルギーよりも低減させる構成とした。
【選択図】図３A thin wafer is divided with good processing quality by reducing damage at the intersection of a first division line and a second division line.
A dividing method according to the present invention irradiates a laser beam along first and second scheduled dividing lines (301a, 301b) formed on the surface of a wafer (W), thereby dividing grooves (304a, 304b). And dividing the wafer (W) along the first and second scheduled division lines (301a, 301b) by grinding the wafer (W) to a predetermined thickness. In the step of forming (304a, 304b), the energy of the laser beam with respect to one of the first and second scheduled division lines (301a, 301b) is set to the intersection of the first and second scheduled division lines (301a, 301b). In (306), the energy is set to be lower than the energy of the laser beam with respect to the other.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、ウェーハの分割方法に関し、特に薄型ウェーハを分割するウェーハの分割方法に関する。 The present invention relates to a wafer dividing method, and more particularly to a wafer dividing method for dividing a thin wafer.

半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハの表面に格子状に分割予定ライン（ストリート）が形成され、分割予定ラインによって区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路が形成される。ウェーハは、格子状の分割予定ラインに沿って切削されることにより、個々のデバイスに分割される。このようにして分割されたデバイスは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用される。 In a semiconductor device manufacturing process, division lines (streets) are formed in a lattice pattern on the surface of a wafer, and circuits such as ICs and LSIs are formed in regions partitioned by the division lines. The wafer is divided into individual devices by being cut along a grid-like division line. Devices divided in this way are packaged and widely used in electric devices such as mobile phones and personal computers.

この製造工程では、デバイスの目的の厚みを得るために、多数のデバイスが造り込まれたウェーハの段階で薄化される。従来は、ウェーハの分割前に薄化されていたが、薄化されたウェーハが分割時に破損する恐れがあった。そこで、ウェーハの分割方法として、ウェーハの表面に所定深さの溝を形成した後、ウェーハを裏面側から研削して分割するＤＢＧ（Dicing Before Grinding）法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 In this manufacturing process, in order to obtain a target thickness of the device, the wafer is thinned at the stage where a large number of devices are built. Conventionally, the wafer is thinned before the wafer is divided, but the thinned wafer may be damaged during the division. Therefore, as a wafer dividing method, a DBG (Dicing Before Grinding) method is proposed in which a groove having a predetermined depth is formed on the front surface of the wafer and then the wafer is ground and divided from the back surface side (for example, Patent Document 1). reference).

特許文献１に記載の分割方法は、レーザビームをウェーハの表面の分割予定ラインに沿って照射し、アブレーションと呼ばれる現象によってウェーハを部分的に昇華させることで分割溝を形成している。そして、ウェーハの表面の分割溝がデバイスの仕上げ厚みに相当する深さまで形成されると、ウェーハの裏面側から分割溝が表出されるまで研削され、ウェーハが個々のデバイスに分割される。 In the dividing method described in Patent Document 1, a dividing groove is formed by irradiating a laser beam along a planned dividing line on the surface of a wafer and partially sublimating the wafer by a phenomenon called ablation. When the dividing grooves on the surface of the wafer are formed to a depth corresponding to the finished thickness of the device, the wafer is ground from the back surface side until the dividing grooves are exposed, and the wafer is divided into individual devices.

特開２０１０−２６７６５３号公報JP 2010-267653 A

特許文献１に記載の分割方法では、デバイスの仕上げ厚みに相当する深さまで分割溝が形成されるようにレーザビームのエネルギーが高く設定されている。この場合、２つの分割予定ラインの交差点では重複してレーザビームが照射されるため、交差箇所からウェーハにクラックが入り易い。ウェーハに入ったクラックは、研削工程でも取りきることができず、半導体デバイスの加工品質が悪化するという問題がある。 In the dividing method described in Patent Document 1, the energy of the laser beam is set high so that the dividing groove is formed to a depth corresponding to the finished thickness of the device. In this case, since the laser beam is irradiated at the intersection of the two division lines, the wafer is likely to crack from the intersection. Cracks that enter the wafer cannot be removed even in the grinding process, and there is a problem that the processing quality of the semiconductor device deteriorates.

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、薄型ウェーハを良好な加工品質で分割できるウェーハの分割方法を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of this point, and it aims at providing the division | segmentation method of the wafer which can divide | segment a thin wafer with favorable processing quality.

本発明のウェーハの分割方法は、表面に格子状に形成された複数の第１分割予定ラインと前記第１分割予定ラインに交差する第２分割予定ラインとによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハの分割方法であって、保持手段でウェーハ裏面側を保持してウェーハの表面からウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを前記第１分割予定ラインに沿って照射して、前記第１分割予定ラインに沿って表面から、仕上げ厚みに薄化した際に分割される深さの溝を形成する第１の溝形成工程と、ウェーハの表面からウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを前記第２分割予定ラインに沿って照射して、前記第２分割予定ラインに沿って表面から、仕上げ厚みに薄化した際に分割される深さの溝を形成する第２の溝形成工程と、前記第２の溝形成工程を実施した後に、表面側に粘着シートを貼着する粘着シート貼着工程と、前記粘着シート側を保持手段で保持してウェーハの裏面から研削手段により研削し前記デバイス仕上げ厚みへと薄化するとともに、ウェーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程、と具備し、前記第１の溝形成工程又は前記第２の溝形成工程の何れか一方において、何れか他方に対して前記第１分割予定ラインと前記第２分割予定ラインとの交差点においてレーザビームのエネルギーを低減させることを特徴とする。 According to the wafer dividing method of the present invention, devices are respectively provided in each region partitioned by a plurality of first division planned lines formed in a lattice pattern on the surface and second division planned lines intersecting the first division planned lines. A method of dividing a formed wafer, wherein a wafer back surface side is held by a holding means, and a laser beam having a wavelength having an absorptivity with respect to the wafer is irradiated along the first division planned line from the wafer surface. A first groove forming step for forming a groove having a depth to be divided when the thickness is reduced to the finished thickness from the surface along the first division line, and absorbability from the surface of the wafer to the wafer. A laser beam having a wavelength having a predetermined wavelength is irradiated along the second scheduled division line to form a groove having a depth that is divided when the thickness is reduced to the finished thickness from the surface along the second scheduled division line. After performing the second groove forming step and the second groove forming step, an adhesive sheet adhering step for adhering the adhesive sheet to the front surface side, and holding the back side of the adhesive sheet with a holding means, the back surface of the wafer From the first groove forming step or the second groove forming step, and a back surface grinding step of dividing the wafer into individual devices by grinding with a grinding means to reduce the thickness to the device finish thickness. On the other hand, the energy of the laser beam is reduced at the intersection of the first scheduled division line and the second scheduled division line with respect to either one.

この構成によれば、第１分割予定ライン及び第２分割予定ラインに沿って一定のレーザビームのエネルギーで加工される場合と比較して、第１分割予定ラインと第２分割予定ラインとの交差点でウェーハが受ける損傷が低減される。よって、第１分割予定ラインと第２分割予定ラインとの交差点でのクラックの発生が抑制され、良好な加工品質でウェーハを個々のデバイスに分割できる。 According to this configuration, the intersection of the first scheduled division line and the second scheduled division line is compared with the case where processing is performed with a constant laser beam energy along the first scheduled division line and the second scheduled division line. This reduces damage to the wafer. Therefore, the generation of cracks at the intersection of the first division planned line and the second division planned line is suppressed, and the wafer can be divided into individual devices with good processing quality.

本発明の上記ウェーハの分割方法において、前記第１の溝形成工程及び前記第２の溝形成工程において、デバイス仕上げ厚みよりも深い深さの溝をそれぞれ形成し、前記裏面研削工程においては、前記粘着シート側を保持手段で保持してウェーハの裏面から研削手段により研削し前記デバイス仕上げ厚みへと薄化するとともに裏面に前記第１の溝及び第２の溝を表出させ、ウェーハを個々のデバイスに分割する。 In the wafer dividing method of the present invention, in the first groove forming step and the second groove forming step, grooves each having a depth deeper than a device finish thickness are formed, and in the back grinding step, The pressure-sensitive adhesive sheet side is held by holding means and ground from the back surface of the wafer by grinding means to reduce the device finish thickness, and the first groove and the second groove are exposed on the back surface. Divide into devices.

本発明の上記ウェーハの分割方法において、前記第１の溝形成工程又は前記第２の溝形成工程の何れかにおいて、前記第１分割予定ラインと前記第２分割予定ラインとの交差点においてレーザビームの照射を中止する。 In the wafer dividing method of the present invention, in either the first groove forming step or the second groove forming step, a laser beam is emitted at an intersection of the first division planned line and the second division planned line. Stop irradiation.

本発明によれば、第１分割予定ラインと第２分割予定ラインの交差点における損傷を低減することで、薄型ウェーハを良好な加工品質で分割できる。 According to the present invention, it is possible to divide a thin wafer with good processing quality by reducing damage at the intersection of the first scheduled division line and the second scheduled division line.

本実施の形態に係るレーザ加工装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the laser processing apparatus which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る研削装置の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the grinding device which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るレーザ加工装置によるレーザ加工の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the laser processing by the laser processing apparatus which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るウェーハの斜視図である。It is a perspective view of the wafer which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る研削装置による研削加工の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the grinding process by the grinding apparatus which concerns on this Embodiment. 変形例に係る研削装置による研削加工の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the grinding process by the grinding device which concerns on a modification. 他の変形例に係るレーザ加工済みのウェーハの斜視図である。It is a perspective view of the laser-processed wafer which concerns on another modification.

近年、半導体デバイスの微細化に伴い、Ｌｏｗ−ｋ膜（低誘電率絶縁体被膜）付きウェーハが実用化されている。Ｌｏｗ−ｋ膜付きウェーハは、シリコンやガリウム砒素などのウェーハの表面に、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ等の無機物系膜あるいはパリレン系ポリマー等の有機物系膜からなるＬｏｗ−ｋ膜と回路を形成する機能膜とを積層して形成される。このＬｏｗ−ｋ膜は非常に脆く、切削ブレードを用いたメカニカルダイシングでは膜の剥離やクラックが生じやすいという問題がある。 In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices, wafers with low-k films (low dielectric constant insulator coatings) have been put into practical use. A wafer with a low-k film is a functional film that forms a circuit with a low-k film made of an inorganic film such as SiOF or BSG or an organic film such as a parylene polymer on the surface of a wafer such as silicon or gallium arsenide. Are laminated. This low-k film is very fragile, and mechanical dicing using a cutting blade has a problem in that film peeling or cracking is likely to occur.

また、ウェーハの表面には、チップの回路をテストする金属線からなるテストエレメントグループ（以下、ＴＥＧと称する）が分割予定ラインを横切るように形成されており、ウェーハを個々に分割するためにはＴＥＧを破断する必要がある。このようなＬｏｗ−ｋ膜及びＴＥＧ付きのウェーハを良好に分割するためには、レーザ加工、ハーフカット加工、研削加工の３段階を経て分割することが好ましい。 In addition, a test element group (hereinafter referred to as TEG) composed of metal wires for testing the circuit of the chip is formed on the surface of the wafer so as to cross the planned division line. It is necessary to break the TEG. In order to divide a wafer with such a low-k film and a TEG satisfactorily, it is preferable to divide through three stages of laser processing, half-cut processing, and grinding processing.

具体的には、分割予定ラインを挟んだ両側にレーザビームを照射し、Ｌｏｗ−ｋ膜層を貫通してシリコン層までの深さの分割予定ラインに沿う一対の浅溝（例えば１０μｍ）を形成することでＴＥＧを破断する。続いて、一対の浅溝の間を切削ブレードで所定の深さまでハーフカットして、分割予定ラインに沿った分割溝を形成する。そして、ウェーハを裏面側から研削して分割溝を表出させることで、ウェーハが個々の裏面の品質が良好なデバイス（半導体チップ）に分割される。この分割方法では、３段階に分けて加工されるため、３種類の加工装置が必要であり加工工数が増加する。 Specifically, a pair of shallow grooves (for example, 10 μm) are formed along the planned dividing line having a depth to the silicon layer through the low-k film layer by irradiating the laser beam on both sides of the planned dividing line. By doing so, the TEG is broken. Subsequently, a half groove is cut between the pair of shallow grooves to a predetermined depth with a cutting blade to form a division groove along a division planned line. Then, the wafer is ground from the back surface side to expose the divided grooves, whereby the wafer is divided into devices (semiconductor chips) having good quality on the back surface. In this division method, since processing is performed in three stages, three types of processing apparatuses are required, and the number of processing steps increases.

この場合、レーザ加工装置によるレーザ加工でハーフカットまで実施することも考えられるが、デバイスの強度が低下するおそれがある。すなわち、レーザ加工によるハーフカット（例えば、５０μｍ）は、ウェーハの表面にＬｏｗ−ｋ膜分断用の浅溝（例えば、１０μｍ）を形成する場合と比較してレーザビームのエネルギーが大きい。このため、デバイスに負荷がかかり、レーザビームが重複して照射される２つの分割予定ラインの交差点溝底においてクラックが発生する可能性がある。 In this case, it is conceivable to carry out up to half-cut by laser processing using a laser processing apparatus, but the strength of the device may be reduced. That is, half-cutting (for example, 50 μm) by laser processing has a larger energy of the laser beam than a case where a shallow groove (for example, 10 μm) for dividing a low-k film is formed on the surface of the wafer. For this reason, a load is applied to the device, and there is a possibility that a crack may occur at the bottom of the intersection groove of the two division lines to be irradiated with the laser beam.

本件出願人は、レーザ加工によるハーフカットでは、ウェーハの２つの分割予定ラインの交差点に大きな負荷がかかることに着目し、本発明に至った。すなわち、本発明の骨子は、２つの分割予定ラインの交差点では、レーザビームのエネルギーを低減して加工することで、Ｌｏｗ−ｋ膜付きウェーハであってもクラックを発生させることなく、ウェーハを良好に分割することである。 The present applicant has focused on the fact that a large load is applied to the intersection of two division lines of a wafer in the half cut by laser processing, and has reached the present invention. That is, the essence of the present invention is that, by processing with reduced laser beam energy at the intersection of two division lines, a wafer with a low-k film is excellent without causing cracks. Is to divide it.

以下、添付の図面を参照して、本実施の形態に係るウェーハの分割方法について説明する。本実施の形態に係る分割方法を用いたウェーハの分割は、レーザ加工装置による第１の溝形成工程および第２の溝形成工程、シート貼替装置による粘着シート貼着工程、研削装置による裏面研削工程を経て実施される。第１の溝形成工程では、ウェーハの表面で交差する２方向の分割予定ラインのうち、一方の分割予定ラインに沿ったアブレーション加工により分割溝が形成される。 Hereinafter, a wafer dividing method according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. Dividing the wafer using the dividing method according to the present embodiment includes the first groove forming step and the second groove forming step by the laser processing apparatus, the adhesive sheet attaching step by the sheet replacing device, and the back surface grinding by the grinding device. It goes through the process. In the first groove forming step, the divided grooves are formed by ablation along one of the two predetermined division lines among the two divided division lines intersecting on the surface of the wafer.

第２の溝形成工程では、ウェーハの表面で交差する２方向の分割予定ラインのうち、他方の分割予定ラインに沿ったアブレーション加工により分割溝が形成される。粘着シート貼着工程では、第１、第２の溝形成工程で分割溝が形成されたウェーハの表面に粘着シートが貼着される。裏面研削工程では、ウェーハが裏面側から研削されて仕上げ厚みまで薄化されることで、ウェーハがデバイスに分割される。以下、本実施の形態に係る分割方法の詳細について説明する。 In the second groove forming step, the divided grooves are formed by ablation along the other divided division line among the two divided division lines intersecting on the surface of the wafer. In the pressure-sensitive adhesive sheet attaching step, the pressure-sensitive adhesive sheet is attached to the surface of the wafer on which the divided grooves are formed in the first and second groove forming steps. In the back grinding process, the wafer is ground from the back side and thinned to the finished thickness, whereby the wafer is divided into devices. Hereinafter, the details of the dividing method according to the present embodiment will be described.

図１を参照して、ウェーハの表面の格子状の分割予定ラインに沿って分割溝を形成するレーザ加工装置について説明する。図１は、本実施の形態に係るレーザ加工装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る分割方法で用いられるレーザ加工装置は、図１に示す構成に限定されない。レーザ加工装置は、ウェーハに対して分割溝を形成可能であれば、どのような構成でもよい。 With reference to FIG. 1, the laser processing apparatus which forms a division | segmentation groove | channel along the lattice-like division | segmentation scheduled line of the surface of a wafer is demonstrated. FIG. 1 is a perspective view of the laser processing apparatus according to the present embodiment. Note that the laser processing apparatus used in the dividing method according to the present embodiment is not limited to the configuration shown in FIG. The laser processing apparatus may have any configuration as long as the division grooves can be formed on the wafer.

図１に示すように、レーザ加工装置１０１は、レーザビームを照射するレーザ加工ユニット１０５とウェーハＷを保持したチャックテーブル（保持手段）１０６とを相対移動させて、ウェーハＷを加工するように構成されている。ウェーハＷは、略円板状に形成されており、半導体基板の表面にデバイス層３０５（図３参照）が積層されている。デバイス層３０５は、無機物系膜及び有機物系膜からなるＬｏｗ−ｋ膜と回路を形成する機能膜とが積層された積層体により形成される。ウェーハＷは、格子状に配列された分割予定ライン３０１（図４参照）によって複数の領域に区画され、この区画された各領域にデバイスが形成されている。 As shown in FIG. 1, a laser processing apparatus 101 is configured to process a wafer W by relatively moving a laser processing unit 105 that irradiates a laser beam and a chuck table (holding means) 106 that holds the wafer W. Has been. The wafer W is formed in a substantially disc shape, and a device layer 305 (see FIG. 3) is laminated on the surface of the semiconductor substrate. The device layer 305 is formed by a stacked body in which a low-k film made of an inorganic film and an organic film and a functional film that forms a circuit are stacked. The wafer W is partitioned into a plurality of regions by division lines 301 (see FIG. 4) arranged in a lattice pattern, and devices are formed in the partitioned regions.

また、ウェーハＷは、デバイス層３０５が形成された上面を上向きにして、リングフレーム３０２に張られたダイシングシート３０３に貼着されている。なお、本実施の形態においては、ウェーハＷとしてシリコンウェーハ、ガリウムヒソ等の半導体ウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されるものではない。半導体ウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイア（Al₂O₃）系の無機材料基板、各種電気部品やミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料をウェーハＷとしてもよい。 The wafer W is attached to a dicing sheet 303 stretched on the ring frame 302 with the upper surface on which the device layer 305 is formed facing upward. In the present embodiment, a semiconductor wafer such as a silicon wafer or a gallium strain is described as an example of the wafer W, but the present invention is not limited to this configuration. Adhesive members such as DAF (Die Attach Film) provided on the backside of semiconductor wafers, semiconductor product packages, ceramics, glass, sapphire (Al ₂ O ₃ ) based inorganic material substrates, various electrical components and micron-order processing position accuracy Various processing materials that are required may be used as the wafer W.

レーザ加工装置１０１は、直方体状の基台１０２を有している。基台１０２の上面には、チャックテーブル１０６をＸ軸方向に加工送りすると共に、Ｙ軸方向に割出送りするチャックテーブル移動機構１０７が設けられている。チャックテーブル移動機構１０７の後方には、立壁部１０３が立設されている。立壁部１０３の前面からはアーム部１０４が突出しており、アーム部１０４にはチャックテーブル１０６に対向するようにレーザ加工ユニット１０５が支持されている。 The laser processing apparatus 101 has a rectangular parallelepiped base 102. A chuck table moving mechanism 107 that feeds the chuck table 106 in the X-axis direction and indexes it in the Y-axis direction is provided on the upper surface of the base 102. A standing wall 103 is erected on the rear side of the chuck table moving mechanism 107. An arm portion 104 projects from the front surface of the standing wall portion 103, and a laser processing unit 105 is supported on the arm portion 104 so as to face the chuck table 106.

チャックテーブル移動機構１０７は、基台１０２の上面に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール１１１と、一対のガイドレール１１１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル１１２とを有している。また、チャックテーブル移動機構１０７は、Ｘ軸テーブル１１２上面に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール１１３と、一対のガイドレール１１３にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル１１４とを有している。 The chuck table moving mechanism 107 includes a pair of guide rails 111 arranged on the upper surface of the base 102 and parallel to the X-axis direction, and a motor-driven X-axis table 112 slidably installed on the pair of guide rails 111. Have. The chuck table moving mechanism 107 includes a pair of guide rails 113 arranged on the top surface of the X-axis table 112 and parallel to the Y-axis direction, and a motor-driven Y-axis table 114 slidably installed on the pair of guide rails 113. And have.

Ｙ軸テーブル１１４の上部には、チャックテーブル１０６が設けられている。なお、Ｘ軸テーブル１１２、Ｙ軸テーブル１１４の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ１１５、１１６が螺合されている。そして、ボールネジ１１５、１１６の一端部に連結された駆動モータ１１７、１１８が回転駆動されることで、チャックテーブル１０６がガイドレール１１１、１１３に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。 A chuck table 106 is provided on the Y-axis table 114. Note that nut portions (not shown) are formed on the back sides of the X-axis table 112 and the Y-axis table 114, and ball screws 115 and 116 are screwed into these nut portions. Then, the drive motors 117 and 118 connected to one end portions of the ball screws 115 and 116 are rotationally driven, so that the chuck table 106 is moved along the guide rails 111 and 113 in the X-axis direction and the Y-axis direction.

チャックテーブル１０６は、円板状に形成されており、θテーブル１２１を介してＹ軸テーブル１１４の上面に回転可能に設けられている。チャックテーブル１０６の上面には、ポーラスセラミックス材により吸着面が形成されている。チャックテーブル１０６の周囲には、一対の支持アームを介して４つのクランプ部１２２が設けられている。４つのクランプ部１２２がエアアクチュエータにより駆動されることで、ウェーハＷの周囲のリングフレーム３０２が四方から挟持固定される。 The chuck table 106 is formed in a disc shape, and is rotatably provided on the upper surface of the Y-axis table 114 via the θ table 121. On the upper surface of the chuck table 106, an adsorption surface is formed of a porous ceramic material. Around the chuck table 106, four clamp portions 122 are provided via a pair of support arms. The four clamp parts 122 are driven by the air actuator, whereby the ring frame 302 around the wafer W is clamped and fixed from four directions.

レーザ加工ユニット１０５は、アーム部１０４の先端に設けられた加工ヘッド１３１を有している。アーム部１０４及び加工ヘッド１３１内には、レーザ加工ユニット１０５の光学系が設けられている。加工ヘッド１３１は、発振器１３２から発振されたレーザビームを集光レンズによって集光し、チャックテーブル１０６上に保持されたウェーハＷをレーザ加工する。この場合、レーザビームは、ウェーハＷに対して吸収性を有する波長であり、光学系においてウェーハＷの表面に集光するように調整される。 The laser processing unit 105 has a processing head 131 provided at the tip of the arm portion 104. In the arm unit 104 and the processing head 131, an optical system of the laser processing unit 105 is provided. The processing head 131 condenses the laser beam oscillated from the oscillator 132 by a condensing lens, and laser-processes the wafer W held on the chuck table 106. In this case, the laser beam has a wavelength that is absorptive with respect to the wafer W, and is adjusted so as to be focused on the surface of the wafer W in the optical system.

このレーザビームがウェーハＷに照射されることで、ウェーハＷの表面にアブレーションが生じ、部分的にエッチングされて分割溝３０４（図３参照）が形成される。ここで、アブレーションとは、レーザビームの照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。 By irradiating the wafer W with this laser beam, ablation occurs on the surface of the wafer W, and the wafer W is partially etched to form divided grooves 304 (see FIG. 3). Here, ablation means that when the irradiation intensity of the laser beam exceeds a predetermined processing threshold, it is converted into electronic, thermal, photochemical and mechanical energy on the solid surface, resulting in neutral atoms, molecules, positive and negative Ions, radicals, clusters, electrons, and light are explosively emitted and the solid surface is etched.

このように構成されたレーザ加工装置１０１では、Ｙ軸テーブル１１４の移動によって加工ヘッド１３１の射出口がウェーハＷの分割予定ライン３０１に位置合わせされる。この加工ヘッド１３１の位置合わせは、レーザ加工ユニット１０５の図示しない撮像装置によって、ウェーハＷの表面に形成されたパターン面が撮像されることで行われる。このとき、格子状の分割予定ライン３０１の交差点３０６（図４参照）の位置情報（座標）がレーザ加工装置１０１に記憶される。そして、加工ヘッド１３１からレーザビームを照射した状態でＸ軸テーブル１１２が移動されることで、ウェーハＷの表面に分割予定ライン３０１に沿った分割溝３０４が形成される。 In the laser processing apparatus 101 configured as described above, the injection port of the processing head 131 is aligned with the division planned line 301 of the wafer W by the movement of the Y-axis table 114. The alignment of the processing head 131 is performed by imaging the pattern surface formed on the surface of the wafer W by an imaging device (not shown) of the laser processing unit 105. At this time, the position information (coordinates) of the intersection 306 (see FIG. 4) of the grid-like division planned line 301 is stored in the laser processing apparatus 101. Then, the X-axis table 112 is moved in a state in which the laser beam is irradiated from the processing head 131, so that a division groove 304 along the division line 301 is formed on the surface of the wafer W.

レーザ加工では、交差する２方向の分割予定ライン３０１のいずれか一方において、いずれか他方よりも、分割予定ライン３０１の交差点３０６におけるレーザビームのエネルギーが低減されている。このため、分割予定ライン３０１の交差点３０６でウェーハＷが受ける損傷が低減され、分割予定ライン３０１の交差点３０６でのクラックの発生が抑制される。なお、レーザビームのエネルギーとは、所定領域に照射されたレーザビームのパルスエネルギー[Ｊ]の積算値である。 In the laser processing, the energy of the laser beam at the intersection 306 of the scheduled division line 301 is reduced in either one of the intersecting planned lines 301 in the two directions compared to the other. For this reason, the damage which the wafer W receives at the intersection 306 of the division | segmentation planned line 301 is reduced, and generation | occurrence | production of the crack in the intersection 306 of the division | segmentation planned line 301 is suppressed. Note that the energy of the laser beam is an integrated value of the pulse energy [J] of the laser beam irradiated to a predetermined region.

パルスエネルギーはパルス幅[ｓｅｃ]及びピークパワー[Ｗ]によって特定され、パルスエネルギー[Ｊ]の積算値はパルスエネルギーと繰り返し周波数[Ｈｚ]とによって特定される。したがって、レーザビームのエネルギーを低減する場合には、パルス幅を狭めてもよいし、ピークパワーを小さくしてもよいし、繰り返し周波数を少なくしてもよい。また、チャックテーブル１０６の送り速度を調整することで、交差点３０６に照射されるレーザビームのエネルギーを低減してもよい。なお、第１、第２の溝形成工程の詳細については後述する。 The pulse energy is specified by the pulse width [sec] and the peak power [W], and the integrated value of the pulse energy [J] is specified by the pulse energy and the repetition frequency [Hz]. Therefore, when reducing the energy of the laser beam, the pulse width may be narrowed, the peak power may be reduced, or the repetition frequency may be reduced. Further, the energy of the laser beam applied to the intersection 306 may be reduced by adjusting the feed speed of the chuck table 106. Details of the first and second groove forming steps will be described later.

加工済みのウェーハＷは、図示しないシート貼替装置に搬入される。シート貼替装置では、分割溝３０４が形成されたウェーハＷの表面に粘着シート３０７（図５参照）が貼着され、ウェーハＷの裏面からダイシングシート３０３が剥がされる。このシートの貼替作業によって、後工程の研削加工時に被研削面となるウェーハＷの裏面が露出されると共に、被保持面となるウェーハＷの表面が粘着シート３０７で保護される。なお、シートの貼着作業と剥離作業は、それぞれ個別の装置で行われてもよい。シートが貼り替えられたウェーハＷは、デバイス層３０５が形成された表面を下に向けて、研削装置２０１に搬入される。 The processed wafer W is carried into a sheet pasting device (not shown). In the sheet pasting apparatus, an adhesive sheet 307 (see FIG. 5) is stuck to the front surface of the wafer W on which the dividing grooves 304 are formed, and the dicing sheet 303 is peeled off from the back surface of the wafer W. By this sheet replacement operation, the back surface of the wafer W to be ground during the subsequent grinding process is exposed, and the surface of the wafer W to be held is protected by the adhesive sheet 307. Note that the sheet sticking operation and the peeling operation may be performed by individual apparatuses. The wafer W on which the sheet has been pasted is carried into the grinding apparatus 201 with the surface on which the device layer 305 is formed facing downward.

図２を参照して、ウェーハを研削する研削装置について説明する。図２は、本実施の形態に係る研削装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る分割方法に用いられる研削装置は、図２に示す構成に限定されない。研削装置は、研削によってウェーハを分割可能であれば、どのような構成でもよい。 A grinding apparatus for grinding a wafer will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a perspective view of the grinding apparatus according to the present embodiment. Note that the grinding apparatus used in the dividing method according to the present embodiment is not limited to the configuration shown in FIG. The grinding apparatus may have any configuration as long as the wafer can be divided by grinding.

図２に示すように、研削装置２０１は、ウェーハＷが保持されたチャックテーブル（保持手段）２０６と研削ユニット（研削手段）２０５の研削ホイール２２４とを相対回転させることで、ウェーハＷを研削するように構成されている。研削装置２０１は、略直方体状の基台２０２を有している。基台２０２の上面には、一対のチャックテーブル２０６（１つのみ図示）が配置されたターンテーブル２０４が設けられている。ターンテーブル２０４の後方には、研削ユニット２０５を支持する立壁部２０３が立設されている。 As shown in FIG. 2, the grinding apparatus 201 grinds the wafer W by relatively rotating a chuck table (holding means) 206 holding the wafer W and a grinding wheel 224 of a grinding unit (grinding means) 205. It is configured as follows. The grinding apparatus 201 has a substantially rectangular parallelepiped base 202. On the upper surface of the base 202, a turntable 204 on which a pair of chuck tables 206 (only one is shown) is provided. A standing wall portion 203 that supports the grinding unit 205 is erected on the rear side of the turntable 204.

ターンテーブル２０４は、大径の円板状に形成されており、上面には回転軸を中心とした点対称位置に一対のチャックテーブル２０６が配置されている。また、ターンテーブル２０４は、図示しない回転駆動機構によって矢印Ｄ１方向に１８０度間隔で間欠回転される。このため、一対のチャックテーブル２０６は、ウェーハＷが搬入搬出される載せ換え位置と研削ユニット２０５に対峙する研削位置との間で移動される。 The turntable 204 is formed in the shape of a large-diameter disk, and a pair of chuck tables 206 are disposed on the upper surface at point-symmetric positions about the rotation axis. Further, the turntable 204 is intermittently rotated at an interval of 180 degrees in the arrow D1 direction by a rotation driving mechanism (not shown). For this reason, the pair of chuck tables 206 are moved between a repositioning position where the wafer W is carried in and out and a grinding position facing the grinding unit 205.

チャックテーブル２０６は、小径の円板状に形成されており、ターンテーブル２０４の上面に回転可能に設けられている。チャックテーブル２０６の上面には、ウェーハＷの表面側を保持する吸着面がポーラスセラミック材によって形成されている。チャックテーブル２０６の周囲には、環状のマグネット２１１が設けられている。ウェーハＷの周囲のリングフレーム３０２は、磁性体で形成されているため、環状のマグネット２１１によって吸着固定される。 The chuck table 206 is formed in a small-diameter disk shape, and is rotatably provided on the upper surface of the turntable 204. On the upper surface of the chuck table 206, a suction surface that holds the front side of the wafer W is formed of a porous ceramic material. An annular magnet 211 is provided around the chuck table 206. Since the ring frame 302 around the wafer W is made of a magnetic material, it is attracted and fixed by the annular magnet 211.

基台２０２の上面において、ターンテーブル２０４の研削位置の近傍にはハイトゲージ２１２が設けられている。ハイトゲージ２１２は、ウェーハＷの上面に接触して、厚み測定する１本の接触子２１３を有している。ハイトゲージ２１２では、接触子２１３によってチャックテーブル２０６の表面位置が事前に測定され、表面位置を基準にウェーハＷの厚みが測定される。ハイトゲージ２１２による測定値は、伝送路を介して図示しない制御部に入力される。 On the upper surface of the base 202, a height gauge 212 is provided in the vicinity of the grinding position of the turntable 204. The height gauge 212 has one contact 213 that contacts the upper surface of the wafer W and measures the thickness. In the height gauge 212, the surface position of the chuck table 206 is measured in advance by the contact 213, and the thickness of the wafer W is measured based on the surface position. A measurement value obtained by the height gauge 212 is input to a control unit (not shown) via a transmission path.

立壁部２０３には、研削ユニット２０５を上下動させる研削ユニット移動機構２０７が設けられている。研削ユニット移動機構２０７は、立壁部２０３の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール２１５と、一対のガイドレール２１５にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸テーブル２１６とを有している。Ｚ軸テーブル２１６の前面には、研削ユニット２０５が支持されている。Ｚ軸テーブル２１６の背面には、立壁部２０３の開口２１７を介して後方に突出したナット部が設けられている。 The standing wall 203 is provided with a grinding unit moving mechanism 207 that moves the grinding unit 205 up and down. The grinding unit moving mechanism 207 includes a pair of guide rails 215 arranged in front of the standing wall portion 203 and parallel to the Z-axis direction, and a motor-driven Z-axis table 216 slidably installed on the pair of guide rails 215. Have. A grinding unit 205 is supported on the front surface of the Z-axis table 216. On the back surface of the Z-axis table 216, a nut portion that protrudes rearward through the opening 217 of the standing wall portion 203 is provided.

Ｚ軸テーブル２１６のナット部には、立壁部２０３の裏面に設けられたボールネジが螺合されている。そして、ボールネジの一端部に連結された駆動モータ２１８が回転駆動されることで、研削ユニット２０５がガイドレール２１５に沿ってＺ軸方向に移動される。 A ball screw provided on the back surface of the standing wall portion 203 is screwed into the nut portion of the Z-axis table 216. Then, the drive motor 218 connected to one end of the ball screw is driven to rotate, whereby the grinding unit 205 is moved along the guide rail 215 in the Z-axis direction.

研削ユニット２０５は、円筒状のスピンドル２２１の下端にマウント２２２が設けられている。マウント２２２には、複数の研削砥石２２３が固定された研削ホイール２２４が装着されている。研削砥石２２３は、例えば、ダイヤモンド砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成されている。研削砥石２２３は、スピンドル２２１の駆動に伴ってＺ軸回りに高速回転される。そして、研削ホイール２２４とウェーハＷとが平行状態で回転接触させることで、ウェーハＷが研削される。 The grinding unit 205 is provided with a mount 222 at the lower end of a cylindrical spindle 221. The mount 222 is equipped with a grinding wheel 224 to which a plurality of grinding wheels 223 are fixed. The grinding wheel 223 is made of, for example, a diamond wheel in which diamond abrasive grains are hardened with a binder such as metal bond or resin bond. The grinding wheel 223 is rotated around the Z axis at a high speed as the spindle 221 is driven. Then, the grinding wheel 224 and the wafer W are rotationally contacted in a parallel state, whereby the wafer W is ground.

このように構成された研削装置２０１では、ハイトゲージ２１２によってウェーハＷの厚みがリアルタイムに測定される。ハイトゲージ２１２の測定結果が、目標厚みであるウェーハＷの最終的な仕上げ厚みに近付くように研削ユニット２０５の送り量が制御される。ウェーハＷは、裏面側から研削されて仕上げ厚みまで薄化されることで、個々のデバイスに分割される。なお、裏面研削工程の詳細については後述する。 In the grinding apparatus 201 configured as described above, the thickness of the wafer W is measured in real time by the height gauge 212. The feed amount of the grinding unit 205 is controlled so that the measurement result of the height gauge 212 approaches the final finished thickness of the wafer W, which is the target thickness. The wafer W is ground from the back surface side and thinned to a finished thickness, so that it is divided into individual devices. Details of the back grinding process will be described later.

ここで、レーザ加工装置によるレーザ加工動作（第１、第２の溝形成工程）について説明する。図３は、本実施の形態に係るレーザ加工装置によるレーザ加工の一例を示す図である。なお、以下の説明では、交差する２方向の分割予定ラインのうち、一方を第１分割予定ライン、他方を第２分割予定ラインとして説明する。 Here, the laser processing operation (first and second groove forming steps) by the laser processing apparatus will be described. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of laser processing by the laser processing apparatus according to the present embodiment. In the following description, one of the intersecting scheduled lines in two directions will be described as a first scheduled line and the other as a second scheduled line.

図３Ａに示すように、チャックテーブル１０６にウェーハＷが載置されると、チャックテーブル１０６が加工ヘッド１３１に臨む加工位置に移動される。そして、加工ヘッド１３１の射出口がウェーハＷの第１分割予定ライン３０１ａ上に位置付けられ、レーザビームの集光点がウェーハＷの表面Ｗ１に調整される。次に、加工ヘッド１３１からレーザビームが照射されることで、アブレーション加工によってウェーハＷの表面の一部が除去される。 As shown in FIG. 3A, when the wafer W is placed on the chuck table 106, the chuck table 106 is moved to a processing position that faces the processing head 131. Then, the exit of the processing head 131 is positioned on the first scheduled division line 301a of the wafer W, and the condensing point of the laser beam is adjusted to the surface W1 of the wafer W. Next, by irradiating the processing head 131 with a laser beam, a part of the surface of the wafer W is removed by ablation processing.

この場合、チャックテーブル１０６がウェーハＷを保持した状態でＸ軸方向に加工送りされ、第１分割予定ライン３０１ａに沿ってウェーハＷの表面に所定深さの１本の分割溝３０４ａが形成される。続いて、加工ヘッド１３１の射出口に対してチャックテーブル１０６が１ライン分だけＹ軸方向に割出送りされ、隣接する第１分割予定ライン３０１ａに沿ってウェーハＷの表面に分割溝３０４ａが形成される。この動作が繰り返されて、全ての第１分割予定ライン３０１ａに沿って分割溝３０４ａが形成される。 In this case, the chuck table 106 is processed and fed in the X-axis direction while holding the wafer W, and one division groove 304a having a predetermined depth is formed on the surface of the wafer W along the first division planned line 301a. . Subsequently, the chuck table 106 is indexed and fed in the Y-axis direction by one line to the injection port of the processing head 131, and a division groove 304a is formed on the surface of the wafer W along the adjacent first division planned line 301a. Is done. This operation is repeated to form the division grooves 304a along all the first division lines 301a.

次に、図３Ｂに示すように、チャックテーブル１０６がθテーブル１２１によって９０度回転され、加工ヘッド１３１の射出口がウェーハＷの第２分割予定ライン３０１ｂ上に位置付けられる。そして、第１分割予定ライン３０１ａと同様に全ての第２分割予定ライン３０１ｂに沿って所定深さの分割溝３０４ｂが形成される。この第２分割予定ライン３０１ｂに沿ったアブレーション加工では、図４に示す第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６で、レーザビームのエネルギー（パルスエネルギーの積算値）が低減されている。 Next, as shown in FIG. 3B, the chuck table 106 is rotated 90 degrees by the θ table 121, and the injection port of the processing head 131 is positioned on the second division planned line 301 b of the wafer W. Similarly to the first planned division line 301a, the division grooves 304b having a predetermined depth are formed along all the second planned division lines 301b. In the ablation processing along the second scheduled division line 301b, the energy of the laser beam (integrated value of pulse energy) is reduced at the intersection 306 of the first and second scheduled division lines 301a and 301b shown in FIG. .

このレーザビームのエネルギーの調整によって、レーザビームが重複して照射される交差点３０６でのウェーハＷの損傷が抑えられている。レーザビームのエネルギーを低減するためには、上記したように、パルス幅を狭めてもよいし、ピークパワーを小さくしてもよいし、繰り返し周波数を少なくしてもよい。また、交差点３０６に対するレーザビームの照射量を減らすように、チャックテーブル１０６の送り速度を調整してもよい。 By adjusting the energy of the laser beam, damage to the wafer W at the intersection 306 where the laser beam is irradiated in an overlapping manner is suppressed. In order to reduce the energy of the laser beam, as described above, the pulse width may be narrowed, the peak power may be reduced, or the repetition frequency may be reduced. Further, the feed rate of the chuck table 106 may be adjusted so as to reduce the amount of laser beam irradiation to the intersection 306.

次に、図３Ｃに示すように、ウェーハＷの第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの全てに分割溝３０４ａ、３０４ｂが形成されると、レーザビームの集光点が下動される。そして、レーザビームの集光点が第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの分割溝３０４ａ、３０４ｂの底面Ｗ３に調整され、分割溝３０４ａ、３０４ｂがさらに深く形成される。この集光点の下動とレーザビームの照射が繰り返されて、複数段階に分けて分割溝３０４ａ、３０４ｂが深く形成される。 Next, as shown in FIG. 3C, when the dividing grooves 304a and 304b are formed in all of the first and second scheduled dividing lines 301a and 301b of the wafer W, the condensing point of the laser beam is moved downward. Then, the condensing point of the laser beam is adjusted to the bottom surface W3 of the dividing grooves 304a and 304b of the first and second scheduled dividing lines 301a and 301b, so that the dividing grooves 304a and 304b are formed deeper. The downward movement of the condensing point and the irradiation of the laser beam are repeated, and the dividing grooves 304a and 304b are formed deeply in a plurality of stages.

次に、図３Ｄに示すように、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂに沿ったアブレーション加工は、分割溝３０４ａ、３０４ｂがウェーハＷの最終的な仕上げ厚みＬ（表面Ｗ１からの深さ）を超えるまで繰り返される。分割溝３０４ａ、３０４ｂが形成されたウェーハＷは、チャックテーブル１０６から取り外されて、図示しないシート貼替装置に搬入される。ウェーハＷは、分割溝３０４ａ、３０４ｂが形成された表面に粘着シート３０７が貼着されると共に、裏面からダイシングシート３０３が剥がされる。粘着シート３０７が貼着されたウェーハＷは、粘着シート３０７が貼着されたデバイス層３０５を下向きにして、研削装置２０１に搬入される。 Next, as shown in FIG. 3D, in the ablation processing along the first and second scheduled division lines 301a and 301b, the division grooves 304a and 304b are subjected to final finishing thickness L (depth from the surface W1) of the wafer W. ) Will be repeated. The wafer W on which the divided grooves 304a and 304b are formed is removed from the chuck table 106 and carried into a sheet pasting device (not shown). As for wafer W, adhesive sheet 307 is stuck on the surface where division grooves 304a and 304b were formed, and dicing sheet 303 is peeled off from the back. The wafer W to which the adhesive sheet 307 is attached is carried into the grinding apparatus 201 with the device layer 305 to which the adhesive sheet 307 is attached facing downward.

なお、ウェーハＷに第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂに沿った分割溝３０４ａ、３０４ｂを形成可能であれば、分割溝３０４ａ、３０４ｂの形成順序は特に限定されない。例えば、第１分割予定ライン３０１ａに沿って仕上げ厚みＬを超える分割溝３０４ａを形成した後に、第２分割予定ライン３０１ｂに沿って仕上げ厚みＬを超える分割溝３０４ｂを形成してもよい。すなわち、第１の溝形成工程の完了後に、第２の溝形成工程が開始されてもよい。 In addition, as long as the dividing grooves 304a and 304b along the first and second scheduled dividing lines 301a and 301b can be formed on the wafer W, the order of forming the dividing grooves 304a and 304b is not particularly limited. For example, after forming the division groove 304a exceeding the finishing thickness L along the first division line 301a, the division groove 304b exceeding the finishing thickness L may be formed along the second division line 301b. That is, the second groove forming process may be started after the completion of the first groove forming process.

図５を参照して、本実施の形態に係る研削装置による研削動作（裏面研削工程）について説明する。図５は、本実施の形態に係る研削装置による研削加工の一例を示す図である。 With reference to FIG. 5, the grinding operation (back grinding process) by the grinding apparatus according to the present embodiment will be described. FIG. 5 is a diagram showing an example of grinding by the grinding apparatus according to the present embodiment.

図５Ａに示すように、チャックテーブル２０６にウェーハＷが載置されると、チャックテーブル２０６が研削ホイール２２４に臨む研削位置に移動される。研削位置では、ハイトゲージ２１２（図２参照）の接触子２１３がウェーハＷの裏面Ｗ２に接触され、ウェーハＷの厚さ測定が開始される。そして、研削ホイール２２４が回転しながらチャックテーブル２０６に近付けられ、研削ホイール２２４の研削面２２５がウェーハＷの裏面Ｗ２に押し当てられて研削加工がおこなわれる。このとき、ハイトゲージ２１２によってウェーハＷの厚さがリアルタイムに測定される。 As shown in FIG. 5A, when the wafer W is placed on the chuck table 206, the chuck table 206 is moved to a grinding position facing the grinding wheel 224. At the grinding position, the contact 213 of the height gauge 212 (see FIG. 2) is brought into contact with the back surface W2 of the wafer W, and the thickness measurement of the wafer W is started. Then, the grinding wheel 224 is moved closer to the chuck table 206 while rotating, and the grinding surface 225 of the grinding wheel 224 is pressed against the back surface W2 of the wafer W to perform grinding. At this time, the thickness of the wafer W is measured by the height gauge 212 in real time.

図５Ｂに示すように、研削ホイール２２４による研削によってウェーハＷが仕上げ厚みＬに近付くと、ウェーハＷの裏面Ｗ２側から分割溝３０４ａ、３０４ｂが表出される。分割溝３０４ａ、３０４ｂの表出によって、ウェーハＷが分割予定ライン３０１に沿って分割される。そして、仕上げ厚みＬまでウェーハＷが研削されると、研削ユニット２０５による研削加工が停止される。このようにして、ウェーハＷが所望の仕上げ厚みＬまで薄化されることで、個々のデバイス３０８に分割される。なお、研削加工では、砥粒系の大きな粗研削用の砥石を用いて加工し、ウェーハＷが仕上げ厚みＬに近づいたところで、砥粒系の小さな仕上げ研削用の砥石を用いて加工してもよい。これにより、研削加工時のチッピングの発生を防止できる。 As shown in FIG. 5B, when the wafer W approaches the finished thickness L by grinding with the grinding wheel 224, the divided grooves 304a and 304b are exposed from the back surface W2 side of the wafer W. The wafer W is divided along the division line 301 by the division grooves 304 a and 304 b being exposed. Then, when the wafer W is ground to the finished thickness L, the grinding process by the grinding unit 205 is stopped. In this way, the wafer W is thinned to a desired finish thickness L, and is divided into individual devices 308. In the grinding process, a rough grinding wheel having a large abrasive grain system is used for processing, and when the wafer W approaches the finish thickness L, a grinding wheel having a small abrasive grain system may be used for processing. Good. Thereby, generation | occurrence | production of the chipping at the time of grinding can be prevented.

以上のように、本実施の形態に係るウェーハＷの分割方法によれば、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂに沿って一定のレーザビームのエネルギーで加工される場合と比較して、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６でウェーハＷが受ける損傷が低減される。よって、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６でのクラックの発生が抑制され、良好な加工品質でウェーハＷを個々のデバイス３０８に分割することができる。 As described above, according to the method for dividing the wafer W according to the present embodiment, as compared with the case of processing with the energy of a constant laser beam along the first and second scheduled division lines 301a and 301b, Damage to the wafer W at the intersection 306 of the first and second scheduled division lines 301a and 301b is reduced. Therefore, the generation of cracks at the intersection 306 of the first and second scheduled division lines 301a and 301b is suppressed, and the wafer W can be divided into individual devices 308 with good processing quality.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

例えば、本実施の形態では、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂに沿った分割溝３０４ａ、３０４ｂが仕上げ厚みＬよりも深く形成される構成としたが、この構成に限定されない。分割溝３０４ａ、３０４ｂは、ウェーハＷを仕上げ厚みＬまで薄化した際に分割される深さを有すれば、仕上げ厚みＬよりも浅く形成されてもよい。この構成により、研削加工時の研削負荷によってウェーハＷに分割溝３０４ａ、３０４ｂを分割起点とした割れが生じ、個々のデバイス３０８に分割される。 For example, in the present embodiment, the divided grooves 304a and 304b along the first and second scheduled division lines 301a and 301b are formed deeper than the finish thickness L, but the present invention is not limited to this configuration. The dividing grooves 304 a and 304 b may be formed shallower than the finishing thickness L as long as they have a depth that is divided when the wafer W is thinned to the finishing thickness L. With this configuration, the wafer W is cracked with the dividing grooves 304a and 304b as the division starting points due to a grinding load at the time of grinding, and is divided into individual devices 308.

また、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂのいずれか一方には仕上げ厚みＬよりも深く分割溝３０４が形成され、いずれか他方には仕上げ厚みＬよりも浅く分割溝３０４が形成されてもよい。例えば、図６の変形例に示すように、分割溝３０４ａは仕上げ厚みよりも深く形成され、分割溝３０４ｂは仕上げ厚みよりも浅く形成されてもよい。なお、図６Ａ、Ｂにおいて、図示左側は第１分割予定ライン３０１ａを正面に向けた図であり、図示右側は第２分割予定ライン３０１ｂを正面に向けた図である。 Further, a divided groove 304 is formed deeper than the finished thickness L in one of the first and second scheduled division lines 301a and 301b, and a divided groove 304 is formed shallower than the finished thickness L in either of the other lines. Also good. For example, as shown in the modified example of FIG. 6, the dividing groove 304a may be formed deeper than the finished thickness, and the dividing groove 304b may be formed shallower than the finished thickness. 6A and 6B, the left side in the drawing is a diagram in which the first division line 301a is directed to the front, and the right side in the drawing is a diagram in which the second division line 301b is directed to the front.

この分割溝３０４ａ、３０４ｂは、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂに沿ったアブレーション加工が繰り返されることで、所定の深さまで形成される。続いて、第２分割予定ライン３０１ｂに沿ったアブレーション加工が停止され、第１分割予定ライン３０１ａに沿ったアブレーション加工だけが繰り返されることで、分割溝３０４ａだけが最終的な仕上げ厚みＬまで形成される。 The dividing grooves 304a and 304b are formed to a predetermined depth by repeating the ablation process along the first and second scheduled dividing lines 301a and 301b. Subsequently, the ablation process along the second scheduled division line 301b is stopped, and only the ablation process along the first scheduled division line 301a is repeated, so that only the division groove 304a is formed to the final finished thickness L. The

このとき、第１分割予定ライン３０１ａに対するレーザビームのエネルギーよりも、アブレーション加工を停止した分だけ、第２分割予定ライン３０１ｂに対するレーザビームのエネルギーが低減されている。すなわち、本変形例では第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６だけでなく、第２分割予定ライン３０１ｂのライン全体に対するレーザビームのエネルギーが低減されている。なお、分割溝３０４ｂは、ウェーハＷを仕上げ厚みＬまで薄化した際に分割される深さを有すればよい。また、分割溝３０４ｂの代わりに分割溝３０４ａを浅く形成する構成としてもよい。 At this time, the energy of the laser beam for the second scheduled division line 301b is reduced by the amount of the ablation processing being stopped, compared to the energy of the laser beam for the first scheduled division line 301a. In other words, in this modification, the energy of the laser beam is reduced not only at the intersection 306 of the first and second scheduled division lines 301a and 301b but also the entire second divided scheduled line 301b. The dividing groove 304b only needs to have a depth that is divided when the wafer W is thinned to the finished thickness L. Alternatively, the dividing groove 304a may be formed shallowly instead of the dividing groove 304b.

ここで、変形例に係る研削動作（裏面研削工程）について説明する。図６Ａに示すように、研削ホイール２２４が回転しながらチャックテーブル２０６に近付けられ、研削ホイール２２４の研削面２２５がウェーハＷの裏面Ｗ２に押し当てられて研削加工が行われる。このとき、ハイトゲージ２１２によってウェーハＷの厚さがリアルタイムに測定される。 Here, the grinding operation (back surface grinding process) according to the modification will be described. As shown in FIG. 6A, the grinding wheel 224 rotates and approaches the chuck table 206, and the grinding surface 225 of the grinding wheel 224 is pressed against the back surface W <b> 2 of the wafer W to perform grinding. At this time, the thickness of the wafer W is measured by the height gauge 212 in real time.

図６Ｂに示すように、研削ホイール２２４による研削によってウェーハＷが仕上げ厚さＬに近付くと、ウェーハＷの裏面Ｗ２側から分割溝３０４ａが表出されると共に、分割溝３０４ｂに対して研削ホイール２２４からの研削負荷が加えられる。ウェーハＷは、裏面Ｗ２からの分割溝３０４ａの表出によって第１分割予定ライン３０１ａに沿って分割され、分割溝３０４ｂを分割起点とした割れによって第２分割予定ライン３０１ｂに沿って分割される。そして、仕上げ厚さＬまでウェーハＷが研削されると、研削ユニット２０５による研削加工が停止される。 As shown in FIG. 6B, when the wafer W approaches the finished thickness L by grinding with the grinding wheel 224, the divided grooves 304a are exposed from the back surface W2 side of the wafer W, and from the grinding wheel 224 to the divided grooves 304b. The grinding load is applied. The wafer W is divided along the first scheduled division line 301a by the appearance of the dividing groove 304a from the back surface W2, and is divided along the second scheduled division line 301b by the crack starting from the dividing groove 304b. Then, when the wafer W is ground to the finished thickness L, the grinding process by the grinding unit 205 is stopped.

このように、変形例に係るウェーハＷの分割方法でも、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６でのレーザビームのエネルギーが低減される。よって、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６でのクラックの発生が抑制され、良好な加工品質でウェーハＷを個々のデバイス３０８に分割できる。 As described above, also in the method for dividing the wafer W according to the modification, the energy of the laser beam at the intersection 306 of the first and second scheduled division lines 301a and 301b is reduced. Therefore, the generation of cracks at the intersection 306 of the first and second scheduled division lines 301a and 301b is suppressed, and the wafer W can be divided into individual devices 308 with good processing quality.

また、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂに沿ったアブレーション加工のいずれか一方において、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６ではレーザビームの照射を中止する構成としてもよい。 Further, in any one of the ablation processes along the first and second scheduled division lines 301a and 301b, the laser beam irradiation may be stopped at the intersection 306 of the first and second scheduled division lines 301a and 301b. .

例えば、図７の他の変形例に示すように、第１分割予定ライン３０１ａに対しては、ラインに沿って連続的にレーザビームが照射される。第２分割予定ライン３０１ｂに対しては、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６でレーザビームの照射を中止し、ラインに沿って断続的にレーザビームが照射される。この結果、分割溝３０４ａは第１分割予定ライン３０１ａに沿って形成され、分割溝３０４ｂは第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６を抜かして、第２分割予定ライン３０１ｂに沿って形成される。 For example, as shown in another modified example of FIG. 7, the first division planned line 301a is continuously irradiated with a laser beam along the line. The laser beam irradiation is stopped at the intersection 306 of the first and second scheduled division lines 301a and 301b, and the laser beam is irradiated intermittently along the lines. As a result, the division groove 304a is formed along the first division planned line 301a, and the division groove 304b passes along the second division division line 301b by removing the intersection 306 of the first and second division division lines 301a and 301b. It is formed.

このように、他の変形例に係るウェーハＷの分割方法でも、第２分割予定ライン３０１ｂに対するアブレーション加工時に、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６でレーザビームの照射を中止した分だけ、交差点３０６でのレーザビームのエネルギーが低減される。よって、第１、第２分割予定ライン３０１ａ、３０１ｂの交差点３０６でのクラックの発生が抑制され、良好な加工品質でウェーハＷを個々のデバイス３０８に分割できる。 As described above, also in the method of dividing the wafer W according to another modification, the laser beam irradiation is stopped at the intersection 306 of the first and second scheduled division lines 301a and 301b during the ablation processing with respect to the second scheduled division line 301b. The energy of the laser beam at the intersection 306 is reduced by that amount. Therefore, the generation of cracks at the intersection 306 of the first and second scheduled division lines 301a and 301b is suppressed, and the wafer W can be divided into individual devices 308 with good processing quality.

なお、他の変形例に係るウェーハＷの分割方法では、分割溝３０４ａ、３０４ｂが仕上げ厚みＬよりも深く形成されてもよいし、仕上げ厚みＬよりも浅く形成されてもよい。分割溝３０４ａ、３０４ｂが仕上げ厚みＬよりも深く形成される場合には、研削加工において研削によって分割溝３０４ａ、３０４ｂが表出されることで分割される。仕上げ厚みＬよりも浅く形成される場合には、研削加工時の研削負荷によって分割溝３０４ａ、３０４ｂを分割起点として分割される。よって、分割溝３０４ａ、３０４ｂは、ウェーハＷを仕上げ厚みＬまで薄化した際に分割される深さを有すればよい。 In the wafer W dividing method according to another modification, the dividing grooves 304a and 304b may be formed deeper than the finished thickness L or may be formed shallower than the finished thickness L. When the dividing grooves 304a and 304b are formed deeper than the finished thickness L, the dividing grooves 304a and 304b are divided by being exposed by grinding in the grinding process. When formed to be shallower than the finishing thickness L, the division grooves 304a and 304b are divided as division starting points depending on the grinding load during grinding. Therefore, the dividing grooves 304a and 304b may have a depth that is divided when the wafer W is thinned to the finished thickness L.

また、本実施の形態及び各変形例においては、アブレーション加工により分割溝３０４が形成される構成としたが、この構成に限定されない。分割溝３０４は、レーザビームの照射によって分割溝３０４が形成されれば、どのような加工方法で形成されてもよい。 Moreover, in this Embodiment and each modification, although it was set as the structure in which the division | segmentation groove | channel 304 is formed by ablation processing, it is not limited to this structure. The dividing groove 304 may be formed by any processing method as long as the dividing groove 304 is formed by laser beam irradiation.

また、本実施の形態及び各変形例においては、第１、第２の溝形成工程がレーザ加工装置、貼着工程が貼替装置、裏面研削工程が研削装置で行われるが、一部の工程又は全ての工程が１つの装置で行われてもよい。 Moreover, in this Embodiment and each modification, although a 1st, 2nd groove | channel formation process is performed by a laser processing apparatus, an adhering process is a re-applying apparatus, and a back surface grinding process is performed by a grinding apparatus, some processes Or all the processes may be performed by one apparatus.

以上説明したように、本発明は、薄型ウェーハを良好な加工品質で分割できるという効果を有し、特に、薄型ウェーハを分割するウェーハの分割方法に有用である。 As described above, the present invention has an effect that a thin wafer can be divided with good processing quality, and is particularly useful for a wafer dividing method for dividing a thin wafer.

１０１レーザ加工装置
１０５レーザ加工ユニット
１０６チャックテーブル（保持手段）
２０１研削装置
２０５研削ユニット（研削手段）
２０６チャックテーブル（保持手段）
３０１ａ第１分割予定ライン
３０１ｂ第２分割予定ライン
３０４ａ、３０４ｂ分割溝
３０５デバイス層
３０６交差点
３０７粘着シート
３０８デバイス
Ｗウェーハ
Ｗ１表面
Ｗ２裏面 101 Laser processing device 105 Laser processing unit 106 Chuck table (holding means)
201 grinding device 205 grinding unit (grinding means)
206 Chuck table (holding means)
301a 1st division planned line 301b 2nd division planned line 304a, 304b Dividing groove 305 Device layer 306 Intersection 307 Adhesive sheet 308 Device W Wafer W1 Surface W2 Back surface

Claims

A wafer dividing method in which a device is formed in each region defined by a plurality of first division planned lines formed in a lattice pattern on the surface and a second division planned line intersecting the first division planned line. And
The wafer backside is held by a holding means, and a laser beam having a wavelength that absorbs the wafer is irradiated from the front surface of the wafer along the first planned division line, and the front surface along the first divided line. From the first groove forming step of forming a groove of a depth that is divided when thinned to the finished thickness,
When a laser beam having a wavelength having an absorptivity to the wafer is irradiated from the surface of the wafer along the second planned division line, and when the thickness is reduced from the surface along the second planned division line to the finished thickness. A second groove forming step for forming a groove having a depth to be divided;
After carrying out the second groove forming step, an adhesive sheet attaching step for attaching an adhesive sheet to the surface side, and
Holding the pressure-sensitive adhesive sheet side with a holding means and grinding from the back surface of the wafer by a grinding means to thin the device finish thickness, and comprising a back surface grinding step for dividing the wafer into individual devices,
In either one of the first groove forming step and the second groove forming step, the energy of the laser beam is reduced at the intersection of the first division planned line and the second division planned line with respect to the other. A method for dividing a wafer.

In the first groove forming step and the second groove forming step, grooves each having a depth deeper than a device finish thickness are formed,
In the back surface grinding step, the pressure-sensitive adhesive sheet side is held by a holding unit and ground from the back surface of the wafer by the grinding unit to reduce the device finish thickness, and the first groove and the second groove are formed on the back surface. 2. The wafer dividing method according to claim 1, wherein the wafer is divided into individual devices.

The laser beam irradiation is stopped at an intersection of the first division planned line and the second division planned line in either the first groove forming step or the second groove forming step. Item 3. A method for dividing a wafer according to Item 1 or 2.