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JP2013211400A - Manufacturing method of print circuit board and print circuit board - Google Patents

Manufacturing method of print circuit board and print circuit board Download PDF

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JP2013211400A
JP2013211400A JP2012080261A JP2012080261A JP2013211400A JP 2013211400 A JP2013211400 A JP 2013211400A JP 2012080261 A JP2012080261 A JP 2012080261A JP 2012080261 A JP2012080261 A JP 2012080261A JP 2013211400 A JP2013211400 A JP 2013211400A
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JP
Japan
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hole
conductor
wiring board
opening
printed wiring
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Pending
Application number
JP2012080261A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuki Kajiwara
一輝 梶原
Tsutomu Yamauchi
勉 山内
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a print circuit board allowing formation of a conductor land with a small diameter, and provide a manufacturing method of the print circuit board.SOLUTION: A first conductor land 36a on a first face F of a core substrate is formed by forming a first opening 35a in a plated resist film 35 by means of a laser having high location accuracy and plating the inside of the opening. Therefore, even if the first conductor land 36 is formed in a small diameter, resulting in a not-aligned formation relative to a through-hole hole 31 by the maximum of a precision error, the first conductor land is formed with a through-hole opening 31 covered.

Description

本発明は、ICチップなどの電子部品が実装されるプリント配線板の製造方法及びプリント配線板に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a printed wiring board on which an electronic component such as an IC chip is mounted, and a printed wiring board.

多層ビルドアップ配線板の製造方法の一例が特許文献1に開示されている。ここでは、スルーホール用貫通孔を形成した後、基板の表面及び貫通孔の内壁にシード膜を設け、コア基板上に感光性のめっきレジストを被覆する。その後、露光現像を行うことで、めっきレジストに導体ランド用の開口、導体パターン用の開口を形成し、電解めっきにより、スルーホール用開口側壁にスルーホール導体を、開口内に導体ランド及び導体パターンを形成する。そして、めっきレジストを剥離し、めっきレジスト膜下のシード膜を除去する。 An example of a method for manufacturing a multilayer build-up wiring board is disclosed in Patent Document 1. Here, after the through hole for the through hole is formed, a seed film is provided on the surface of the substrate and the inner wall of the through hole, and a photosensitive plating resist is coated on the core substrate. Thereafter, exposure development is performed to form openings for conductor lands and conductor patterns in the plating resist, and through plating, through-hole conductors are formed on the side walls of the through-hole openings, and conductor lands and conductor patterns are formed in the openings. Form. Then, the plating resist is peeled off, and the seed film under the plating resist film is removed.

特開2001−244605号公報JP 2001-244605 A

近年、電子機器は急速に高性能化し,情報,通信等の広範囲な分野に使用されている。また,携帯型パソコンや携帯端末,携帯電話等の登場,普及により,電子部品のプリント配線板への実装の高密度化とともに,小型化・軽量化が要求されている。これに伴い,電子機器に搭載されるプリント配線板も小型化・軽量化が要求されるため,プリント配線板自体の厚みも薄くなる。
すなわち、ビルドアップ層の層数も低減され、より少ない層数で導体パターンを引き回す必要がある。その結果、コア基板の表面でも導体パターンの高密度化が必須となる。
上記の従来文献1に記載のプリント配線板によれば、スルーホール用貫通孔を形成する際の合わせ精度や、めっきレジストを形成する際の露光合わせ精度に起因して、スルーホール導体のランドの小径化が困難であった。
In recent years, the performance of electronic devices has been rapidly improved and used in a wide range of fields such as information and communication. In addition, with the advent and popularization of portable personal computers, mobile terminals, mobile phones, etc., there is a demand for miniaturization and weight reduction along with higher density of electronic components mounted on printed wiring boards. In connection with this, since the printed wiring board mounted in an electronic device is also required to be reduced in size and weight, the thickness of the printed wiring board itself is also reduced.
That is, the number of build-up layers is also reduced, and it is necessary to route the conductor pattern with a smaller number of layers. As a result, it is essential to increase the density of the conductor pattern even on the surface of the core substrate.
According to the printed wiring board described in the above-mentioned conventional document 1, due to the alignment accuracy when forming the through hole for the through hole and the exposure alignment accuracy when forming the plating resist, It was difficult to reduce the diameter.

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、導体ランドを小径に形成できるプリント配線板の製造方法及びプリント配線板を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a printed wiring board manufacturing method and a printed wiring board capable of forming a conductor land with a small diameter.

請求項1に記載の発明は、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを備えるコア基板と、
該コア基板の第1面上に設けられている第1導体パターンと、
該コア基板の第2面上に設けられている第2導体パターンと、
前記コア基板の内部に設けられて前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとを接続するスルーホール導体と、
を備えるプリント配線板の製造方法であって:
前記コア基板に前記スルーホール導体用の貫通孔を形成することと、
前記コア基板の第1面、第2面及び前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、
前記貫通孔を覆うように、前記コア基板の第1面上及び第2面上にドライフィルムを形成することと、
該ドライフィルムに前記貫通孔を露出させる第1開口部及び前記めっき膜の一部を露出させる第2開口部を設けることで、めっきレジストを形成することと、
前記第1開口部を通じて前記貫通孔の内部にめっきを充填することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記めっきレジスト下の前記めっき膜を除去することと、含むことを技術的特徴とする。
The invention according to claim 1 is a core substrate comprising a first surface and a second surface opposite to the first surface;
A first conductor pattern provided on the first surface of the core substrate;
A second conductor pattern provided on the second surface of the core substrate;
A through-hole conductor provided inside the core substrate and connecting the first conductor pattern and the second conductor pattern;
A method of manufacturing a printed wiring board comprising:
Forming a through-hole for the through-hole conductor in the core substrate;
Forming a plating film on the first surface, the second surface and the inner wall of the through hole of the core substrate;
Forming a dry film on the first surface and the second surface of the core substrate so as to cover the through hole;
Forming a plating resist by providing the dry film with a first opening that exposes the through hole and a second opening that exposes a portion of the plating film;
Filling the inside of the through hole with the plating through the first opening;
Removing the plating resist;
And removing the plating film under the plating resist.

本願発明では、スルーホール導体により接続される導体パターン(導体ランド)の径を極力小さくすることが可能で、コア基板上での高密度なパターンの引き回しが可能となる。 In the present invention, the diameter of the conductor pattern (conductor land) connected by the through-hole conductor can be made as small as possible, and a high-density pattern can be routed on the core substrate.

本発明の第1実施例のプリント配線板の製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the printed wiring board of 1st Example of this invention. 第1実施例のプリント配線板の製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the printed wiring board of 1st Example. 第1実施例のプリント配線板の製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the printed wiring board of 1st Example. 第1実施例のプリント配線板の製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the printed wiring board of 1st Example. 第1実施例のプリント配線板の製造工程図である。It is a manufacturing-process figure of the printed wiring board of 1st Example. 第1実施例に係るプリント配線板の断面図である。It is sectional drawing of the printed wiring board which concerns on 1st Example. ICチップを実装した状態の第1実施例に係るプリント配線板の断面図である。It is sectional drawing of the printed wiring board which concerns on 1st Example of the state which mounted the IC chip. 第2実施例に係るプリント配線板の断面図である。It is sectional drawing of the printed wiring board which concerns on 2nd Example. 図9(A)は図1(E)のサークルC1の拡大図であり、図9(B)は図2(C)のサークルC2の拡大図であり、図9(C)は第3実施例に係る導体ランドの図である。FIG. 9A is an enlarged view of the circle C1 in FIG. 1E, FIG. 9B is an enlarged view of the circle C2 in FIG. 2C, and FIG. 9C is the third embodiment. It is a figure of the conductor land concerning.

[第1実施例]
本発明の第1実施例に係るプリント配線板10の構成が図6、図7に示される。図6は、該プリント配線板10の断面図が、図7は、図6に示すプリント配線板10にICチップ90を取り付けた状態が示される。図6に示されるように、プリント配線板10では、コア基板30の第1面F(上面:ICチップ搭載側)側に第1導体パターン34Aが、第2面S(下面:外部接続基板実装側)側に第2導体パターン34Bが形成されている。コア基板30の第1面の第1導体パターン34Aと第2面の第2導体パターン34Bとはスルーホール導体36を介して接続されている。スルーホール導体36の端部のうち、第1面F側には第1導体ランド36aが、第2面S側には第2導体ランド36bが形成されている。コア基板30の第1面Fに、バイアホール60A及び導体回路58Aの形成された第1層間絶縁層50Aが配設され、第2面Sに、バイアホール60B及び導体回路58Bの形成された第2層間絶縁層50Bが配設されている。該バイアホール60A及び導体回路58Aの上層にはソルダーレジスト層70Aが、該バイアホール60B及び導体回路58Bの上層にはソルダーレジスト層70Bが形成されている。第1面F側のソルダーレジスト層70Aの開口71Aには、半田バンプ76Uが形成され、第2面S側のソルダーレジスト70Bの開口71Bには、半田バンプ76Dが形成されている。図7に示すように、上面側の半田バンプ76Dに、ICチップ90のパッド92が接続される。第1導体パターン34AのL/S(ラインスペース)が30μm/30μm以下に形成されている。
[First embodiment]
The configuration of the printed wiring board 10 according to the first embodiment of the present invention is shown in FIGS. 6 shows a cross-sectional view of the printed wiring board 10, and FIG. 7 shows a state where the IC chip 90 is attached to the printed wiring board 10 shown in FIG. As shown in FIG. 6, in the printed wiring board 10, the first conductor pattern 34A is provided on the first surface F (upper surface: IC chip mounting side) side of the core substrate 30, and the second surface S (lower surface: external connection substrate mounting). The second conductor pattern 34B is formed on the (side) side. The first conductor pattern 34 </ b> A on the first surface of the core substrate 30 and the second conductor pattern 34 </ b> B on the second surface are connected via a through-hole conductor 36. Of the end portions of the through-hole conductors 36, the first conductor land 36a is formed on the first surface F side, and the second conductor land 36b is formed on the second surface S side. A first interlayer insulating layer 50A in which a via hole 60A and a conductor circuit 58A are formed is disposed on the first surface F of the core substrate 30, and a second hole S in which a via hole 60B and a conductor circuit 58B are formed on the second surface S. A two-layer insulating layer 50B is provided. A solder resist layer 70A is formed on the via hole 60A and the conductor circuit 58A, and a solder resist layer 70B is formed on the via hole 60B and the conductor circuit 58B. Solder bumps 76U are formed in the openings 71A of the solder resist layer 70A on the first surface F side, and solder bumps 76D are formed in the openings 71B of the solder resist 70B on the second surface S side. As shown in FIG. 7, the pads 92 of the IC chip 90 are connected to the solder bumps 76D on the upper surface side. The L / S (line space) of the first conductor pattern 34A is 30 μm / 30 μm or less.

図9(B)には、図1中のスルーホール導体36及び第1導体ランド36a、第2導体ランド36bが拡大され示される。
コア基板30のスルーホール用の貫通孔31の径d3と第1面F側の第1導体ランド36aの外径d1とは、ほぼ同じ径に設定されている。第2面S側の第2導体ランド36bの外径d2は上述した第1導体ランド36aの外径d1よりも大きく形成されている。
9B shows the through-hole conductor 36, the first conductor land 36a, and the second conductor land 36b in FIG. 1 in an enlarged manner.
The diameter d3 of the through hole 31 for the through hole of the core substrate 30 and the outer diameter d1 of the first conductor land 36a on the first surface F side are set to substantially the same diameter. The outer diameter d2 of the second conductor land 36b on the second surface S side is formed larger than the outer diameter d1 of the first conductor land 36a described above.

第1実施例のプリント配線板では、ICチップからの配線のファンアウトするために高集積化の求められる第1面F側の第1導体ランド36aを、信頼性を備え得る最小径に形成することで、第1導体パターンのファインピッチ化、高集積化を図ってある。 In the printed wiring board of the first embodiment, the first conductor land 36a on the first surface F side that is required to be highly integrated in order to fan out the wiring from the IC chip is formed to the minimum diameter that can provide reliability. Thus, a fine pitch and high integration of the first conductor pattern are achieved.

図6中のプリント配線板10の製造方法が図1〜図6に示される。
(1)ガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂をガラスクロス等の芯材に含浸させた厚さ0.2mmの絶縁性基板30を出発材料とする(図1(A))。上面(第1面F)側及び下面(第2面S)側から例えばレーザーによりスルーホール用貫通孔31が形成される(図1(B))。
The manufacturing method of the printed wiring board 10 in FIG. 6 is shown in FIGS.
(1) An insulating substrate 30 having a thickness of 0.2 mm obtained by impregnating a glass cloth or other core material with glass epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin is used as a starting material (FIG. 1A). Through-holes 31 for through holes are formed from the upper surface (first surface F) side and the lower surface (second surface S) side by, for example, laser (FIG. 1B).

(2)基板30上面に、パラジウム触媒(アトテック製)が付与され、無電解銅めっきが施されることにより、基板上面及びスルーホール用貫通孔31側壁に厚さ0.6μmの無電解銅めっき膜(シールド層)32が形成される(図1(C))。 (2) A palladium catalyst (manufactured by Atotech) is applied to the upper surface of the substrate 30 and electroless copper plating is performed, so that an electroless copper plating with a thickness of 0.6 μm is formed on the upper surface of the substrate and the side wall of the through hole 31. A film (shield layer) 32 is formed (FIG. 1C).

(3)そして、貫通孔31の開口を塞ぐようにして基板30の両面に、市販のドライフィルムが張り付けられ、めっきレジスト35が形成される(図1(D))。 (3) Then, a commercially available dry film is pasted on both surfaces of the substrate 30 so as to close the opening of the through hole 31, and a plating resist 35 is formed (FIG. 1D).

(4)第2面S側から貫通孔31を挿通するようにレーザが照射され、めっきレジスト35に第2面S側に第2導体ランド用の第2開口部35bが形成され、第1面F側に第1導体ランド用の第1開口部35aが形成される(図1(E))。 (4) The laser is irradiated so as to pass through the through hole 31 from the second surface S side, and the second opening 35b for the second conductor land is formed on the second surface S side in the plating resist 35, and the first surface A first opening 35a for the first conductor land is formed on the F side (FIG. 1E).

図1(E)中のサイクルC1内が拡大され図9(A)に示される。
ここで、例えば、基板30の貫通孔31の径d3が250μmの場合を例にして説明する。第1面F側の第1導体ランド用の第1開口部35aの内径d1は、貫通孔とほぼ同径の250μmに形成されている。第2面S側の第2導体ランド用の第2開口部35bの内径d2は380μmに形成されている。第1実施例では、上述したように、第2面S側から貫通孔31を挿通するようにレーザが照射されることで、レーザ光の出射側の第1面Fの第1導体ランド用の第1開口部35aの内径d1が、レーザ光の入射側の第2面Sの第2導体ランド用の第2開口部35bの内径d2よりも小径に形成される。
The inside of the cycle C1 in FIG. 1 (E) is enlarged and shown in FIG. 9 (A).
Here, for example, a case where the diameter d3 of the through hole 31 of the substrate 30 is 250 μm will be described as an example. An inner diameter d1 of the first opening 35a for the first conductor land on the first surface F side is formed to be 250 μm, which is substantially the same diameter as the through hole. An inner diameter d2 of the second opening 35b for the second conductor land on the second surface S side is 380 μm. In the first embodiment, as described above, the laser is irradiated so as to pass through the through-hole 31 from the second surface S side, so that the first conductor land for the first surface F on the laser light emission side is used. The inner diameter d1 of the first opening 35a is formed smaller than the inner diameter d2 of the second opening 35b for the second conductor land on the second surface S on the laser beam incident side.

(5)さらに、レーザが照射され、めっきレジスト35に基板30の第1面F側に導体回路形成用の溝35cが形成され、第2面S側に導体回路形成用の溝35dが形成される(図2(A))。 (5) Further, a laser is irradiated to form a conductor circuit forming groove 35c on the first surface F side of the substrate 30 in the plating resist 35, and a conductor circuit forming groove 35d is formed on the second surface S side. (FIG. 2A).

(6)下記条件で電解めっきが施され、スルーホール用貫通孔31内、及び、基板30のめっきレジスト35非形成部(第1開口部35a、第2開口部35b、溝35c、35d)に電解銅めっき膜33が形成される(図2(B))。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 180 g/l
硫酸銅 80 g/l
添加剤(アトテックジャパン製、商品名:カパラシドGL)
1 ml/l
〔電解めっき条件〕
電流密度 1A/dm2
時間 70分
温度 室温
(6) Electrolytic plating is performed under the following conditions, and in the through hole 31 for the through hole and in the portion where the plating resist 35 is not formed (first opening 35a, second opening 35b, grooves 35c, 35d) of the substrate 30. An electrolytic copper plating film 33 is formed (FIG. 2B).
(Electrolytic plating aqueous solution)
Sulfuric acid 180 g / l
Copper sulfate 80 g / l
Additive (product name: Kaparaside GL, manufactured by Atotech Japan)
1 ml / l
[Electrolytic plating conditions]
Current density 1A / dm2
Time 70 minutes Temperature Room temperature

(7)そして、めっきレジスト35が5%KOHで剥離された後、めっきレジストを形成していた部分の無電解めっき膜32が、塩化第2銅を主成分とするエッチング液にて溶解除去され、第1導体ランド36a、第2導体ランド36bを含む第1導体パターン34A、第2導体パターン34Bが形成される(図2(C))。スルーホール導体36内、第1導体ランド36a、第2導体ランド36b、第1導体パターン34A、第2導体パターン34Bの上面がエッチング液で粗化され粗化層(図示せず)が形成される。図9(B)を参照して上述したようにコア基板30のスルーホール用の貫通孔31の径d3は250μmに形成されている。第1面F側の第1導体ランド36aの外径d1は、第1開口部35aの内径と同じく250μmに形成されている。第2面S側の第2導体ランド36bの外径d2は、第2開口部35bの内径と同じく380μmに形成されている。 (7) Then, after the plating resist 35 is peeled off with 5% KOH, the electroless plating film 32 where the plating resist was formed is dissolved and removed with an etching solution mainly containing cupric chloride. The first conductor pattern 34A and the second conductor pattern 34B including the first conductor land 36a and the second conductor land 36b are formed (FIG. 2C). In the through-hole conductor 36, the upper surfaces of the first conductor land 36a, the second conductor land 36b, the first conductor pattern 34A, and the second conductor pattern 34B are roughened with an etching solution to form a roughened layer (not shown). . As described above with reference to FIG. 9B, the diameter d3 of the through hole 31 for the through hole of the core substrate 30 is formed to be 250 μm. The outer diameter d1 of the first conductor land 36a on the first surface F side is 250 μm, which is the same as the inner diameter of the first opening 35a. The outer diameter d2 of the second conductor land 36b on the second surface S side is formed to be 380 μm, similarly to the inner diameter of the second opening 35b.

第1実施例では、露光と比較して位置(アライメント)精度の高いレーザでめっきレジスト膜に開口が形成され後、コア基板の第1面F側の第1導体ランドが開口内にめっきにより形成される。このため、ランドを小径(貫通孔31の内径250μm+ドリル合わせ精度(±50μm=100μm)+レーザの位置合わせ精度(±5μm=10μm)=360μm)にして、精度誤差の最大値110(100+10)μm分ランド36aがスルーホール用貫通孔31に対してずれても、該第1導体ランドの端部がスルーホール用貫通孔31から大きくずれず、該導体ランドがスルーホール用貫通口31を覆うように形成することができる。即ち、貫通孔31を挿通するようにレーザを照射するので、貫通孔の第1面側開口周囲に第1開口部が形成されるので、貫通孔31から隣接して第1開口部が形成される。このため、第1導体ランドの信頼性を確保しながら、第1導体ランドを小径にでき、プリント配線板のファインピッチ化、高集積化を図ることができる。 In the first embodiment, an opening is formed in the plating resist film with a laser having higher position (alignment) accuracy than exposure, and then the first conductor land on the first surface F side of the core substrate is formed in the opening by plating. Is done. For this reason, the land has a small diameter (the inner diameter of the through hole 31 is 250 μm + the drill alignment accuracy (± 50 μm = 100 μm) + the laser alignment accuracy (± 5 μm = 10 μm) = 360 μm), and the maximum accuracy error is 110 (100 + 10) μm. Even if the split land 36 a is displaced with respect to the through-hole through hole 31, the end portion of the first conductor land is not greatly displaced from the through-hole through hole 31, so that the conductor land covers the through-hole through hole 31. Can be formed. That is, since the laser is irradiated so as to pass through the through hole 31, the first opening is formed around the first surface side opening of the through hole, so that the first opening is formed adjacent to the through hole 31. The For this reason, the diameter of the first conductor land can be reduced while ensuring the reliability of the first conductor land, and the fine pitch and high integration of the printed wiring board can be achieved.

(8)基板30の上面(第1面)及び下面(第2面)に、芯材を備えず基板より少し小さめの層間絶縁層用樹脂フィルム(味の素社製:商品名;ABF−45SH)が載置され、圧力0.45MPa、温度80℃、圧着時間10秒の条件で仮圧着され裁断された後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けられることにより、スルーホール導体36内の中空部に樹脂50が充填され、第1層間絶縁層50A、第2層間絶縁層50Bが形成される(図2(D))。すなわち、層間絶縁層用樹脂フィルムが基板上に、真空度67Pa、圧力0.47MPa、温度85℃、圧着時間60秒の条件で本圧着され、その後、170℃で40分間熱硬化される。 (8) On the upper surface (first surface) and lower surface (second surface) of the substrate 30, there is a resin film for an interlayer insulating layer (made by Ajinomoto Co., Inc .; trade name; ABF-45SH) that is slightly smaller than the substrate without the core material. After being placed and temporarily crimped and cut under the conditions of a pressure of 0.45 MPa, a temperature of 80 ° C., and a crimping time of 10 seconds, the through-hole conductor 36 is attached by using a vacuum laminator device by the following method. The hollow portion is filled with the resin 50 to form the first interlayer insulating layer 50A and the second interlayer insulating layer 50B (FIG. 2D). That is, the interlayer insulating layer resin film is subjected to main pressure bonding on the substrate under the conditions of a degree of vacuum of 67 Pa, a pressure of 0.47 MPa, a temperature of 85 ° C., and a pressure bonding time of 60 seconds, and then thermally cured at 170 ° C. for 40 minutes.

(9)次に、CO2 ガスレーザにて、層間絶縁層50A、50Bにバイアホール用開口51A、51Bが形成される(図3(A))。 (9) Next, via hole openings 51A and 51B are formed in the interlayer insulating layers 50A and 50B by a CO2 gas laser (FIG. 3A).

(10)バイアホール用開口51A、51Bを形成した基板が、60g/lの過マンガン酸を含む80℃の溶液に10分間浸漬され、層間絶縁層50A、50Bの上面に存在する粒子が除去されることにより、バイアホール用開口51の内壁を含む層間絶縁層50A、50Bの上面が粗化され粗化面が形成される(図示せず)。 (10) The substrate on which the via holes 51A and 51B are formed is dipped in an 80 ° C. solution containing 60 g / l permanganic acid for 10 minutes to remove particles present on the upper surfaces of the interlayer insulating layers 50A and 50B. As a result, the upper surfaces of the interlayer insulating layers 50A and 50B including the inner wall of the via hole opening 51 are roughened to form a roughened surface (not shown).

(11)次に、上記処理を終えた基板が、中和溶液(シプレイ社製)に浸漬されてから水洗いされる。さらに、粗面化処理した該基板の上面に、パラジウム触媒が付与されることにより、層間絶縁層の上面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核が付着される。 (11) Next, the substrate after the above treatment is immersed in a neutralization solution (manufactured by Shipley Co., Ltd.) and then washed with water. Furthermore, by applying a palladium catalyst to the upper surface of the roughened substrate, catalyst nuclei are attached to the upper surface of the interlayer insulating layer and the inner wall surface of the via hole opening.

(12)次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液(スルカップPEA)中に、触媒を付与した基板が浸漬され、粗面全体に厚さ0.3〜3.0μmの無電解銅めっき膜が形成され、バイアホール用開口51A、51Bの内壁を含む第1層間絶縁層50A、第2層間絶縁層50Bの上面に無電解銅めっき膜52の形成された基板が得られる(図3(B))。 (12) Next, the substrate provided with the catalyst is immersed in an electroless copper plating aqueous solution (Sulcup PEA) manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd., and the entire surface is electroless copper plated with a thickness of 0.3 to 3.0 μm. A film is formed, and a substrate on which the electroless copper plating film 52 is formed on the upper surfaces of the first interlayer insulating layer 50A and the second interlayer insulating layer 50B including the inner walls of the via hole openings 51A and 51B is obtained (FIG. 3 ( B)).

(13)無電解銅めっき膜52の形成された基板に市販の感光性ドライフィルムが張り付けられ、マスクが載置され、110mJ/cm2 で露光され、0.8%炭酸ナトリウム水溶液で現像処理されることにより、厚さ25μmのめっきレジスト54が設けられる(図3(C))。 (13) A commercially available photosensitive dry film is attached to the substrate on which the electroless copper plating film 52 is formed, a mask is placed, exposed at 110 mJ / cm @ 2, and developed with a 0.8% aqueous sodium carbonate solution. Thus, a plating resist 54 having a thickness of 25 μm is provided (FIG. 3C).

(14)基板が50℃の水で洗浄されて脱脂され、25℃の水で水洗された後、さらに硫酸で洗浄されてから、上記(6)と同条件で電解めっきが施され、めっきレジスト54非形成部に、厚さ15μmの電解銅めっき膜56が形成される(図4(A))。 (14) The substrate is washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., then further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic plating under the same conditions as in (6) above. An electrolytic copper plating film 56 having a thickness of 15 μm is formed in the non-formed part 54 (FIG. 4A).

(15)さらに、めっきレジスト54が5%KOHで剥離除去された後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜が硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング溶解除去され、導体回路58A、58B及びバイアホール60A、60Bが形成される(図4(B))。ついで、上記(7)と同様の処理が行われ、導体回路58A、58B及びバイアホール60A、60Bの上面が粗化され粗化面が形成される(図示せず)。 (15) Further, after the plating resist 54 is peeled and removed with 5% KOH, the electroless plating film under the plating resist is removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the conductor circuits 58A, 58B and Via holes 60A and 60B are formed (FIG. 4B). Next, the same processing as in (7) is performed, and the upper surfaces of the conductor circuits 58A and 58B and the via holes 60A and 60B are roughened to form roughened surfaces (not shown).

(16)次に、多層配線基板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物が20μmの厚さで塗布され、乾燥処理が行われた後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ5mmのフォトマスクがソルダーレジスト層に密着されて紫外線で露光され、DMTG溶液で現像処理され、上面側に小径の開口71A、下面側に大径の開口71Bが形成される(図5(A))。さらに、加熱処理によりソルダーレジスト層が硬化され、開口を有し、その厚さが15〜25μmのソルダーレジスト層70A、70Bが形成される。 (16) Next, a commercially available solder resist composition is applied to both surfaces of the multilayer wiring board in a thickness of 20 μm, and after drying treatment, a pattern of the solder resist opening is drawn to a thickness of 5 mm. A photomask is brought into close contact with the solder resist layer, exposed to ultraviolet light, and developed with a DMTG solution to form a small-diameter opening 71A on the upper surface side and a large-diameter opening 71B on the lower surface side (FIG. 5A). Furthermore, the solder resist layer is cured by heat treatment, and solder resist layers 70A and 70B having openings and a thickness of 15 to 25 μm are formed.

(17)次に、ソルダーレジスト層70A、70Bを形成した基板が無電解ニッケルめっき液に浸漬されて、開口部71A、71Bに厚さ5μmのニッケルめっき層72が形成される。さらに、その基板が無電解金めっき液に浸漬されて、ニッケルめっき層72上に、厚さ0.03μmの金めっき層74が形成される(図5(B))。ニッケル−金層以外にも、スズ、貴金属層(金、銀、パラジウム、白金など)の単層を形成してもよい。 (17) Next, the substrate on which the solder resist layers 70A and 70B are formed is dipped in an electroless nickel plating solution to form a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm in the openings 71A and 71B. Further, the substrate is immersed in an electroless gold plating solution, and a gold plating layer 74 having a thickness of 0.03 μm is formed on the nickel plating layer 72 (FIG. 5B). In addition to the nickel-gold layer, a single layer of tin or a noble metal layer (gold, silver, palladium, platinum, etc.) may be formed.

(18)開口71A、71B内にフラックス(図示せず)が塗布された後、上面側ソルダーレジスト層70Aの開口71Aに小径半田ボール77Uが搭載され、下面側ソルダーレジスト層70Bの開口71Bに大径半田ボール77Dが搭載され(図5(C))、リフローにより上面に半田バンプ76Uが、下面側に半田バンプ76Dが形成される(図6)。 (18) After a flux (not shown) is applied in the openings 71A and 71B, small diameter solder balls 77U are mounted in the openings 71A of the upper surface side solder resist layer 70A, and large in the openings 71B of the lower surface side solder resist layer 70B. A diameter solder ball 77D is mounted (FIG. 5C), and solder bumps 76U are formed on the upper surface and solder bumps 76D are formed on the lower surface side by reflow (FIG. 6).

(19)プリント配線板10にICチップ90が載置され、リフローを行うことで、半田バンプ76Uを介してプリント配線板の接続パッドとICチップ90の電極82が接続される(図7)。 (19) The IC chip 90 is placed on the printed wiring board 10 and reflowed, whereby the connection pads of the printed wiring board and the electrodes 82 of the IC chip 90 are connected via the solder bumps 76U (FIG. 7).

[第2実施例]
本発明の第2実施例に係るプリント配線板10の断面図が図8に示される。
コア基板30の第1面Fに、バイアホール60A及び導体回路58Aの形成された第1層間絶縁層50Aが配設され、第2面Sに、バイアホール60B及び導体回路58Bの形成された第2層間絶縁層50Bが配設されている。第1層間絶縁層50Aの上層には、バイアホール160A及び導体回路158Aの形成された第3層間絶縁層150Aが配設されている。第2層間絶縁層50Bの上層には、バイアホール160B及び導体回路158Bの形成された第4層間絶縁層150Bが配設されている。該バイアホール160A及び導体回路158Aの上層にはソルダーレジスト層70Aが、該バイアホール160B及び導体回路158Bの上層にはソルダーレジスト層70Bが形成されている。第1面F側のソルダーレジスト層70Aの開口71Aには、半田バンプ76Uが形成され、第2面S側のソルダーレジスト70Bの開口71Bには、半田バンプ76Dが形成されている。
[Second Embodiment]
FIG. 8 shows a cross-sectional view of the printed wiring board 10 according to the second embodiment of the present invention.
A first interlayer insulating layer 50A in which a via hole 60A and a conductor circuit 58A are formed is disposed on the first surface F of the core substrate 30, and a second hole S in which a via hole 60B and a conductor circuit 58B are formed on the second surface S. A two-layer insulating layer 50B is provided. A third interlayer insulating layer 150A in which a via hole 160A and a conductor circuit 158A are formed is disposed on the first interlayer insulating layer 50A. A fourth interlayer insulating layer 150B in which via holes 160B and conductor circuits 158B are formed is disposed above the second interlayer insulating layer 50B. A solder resist layer 70A is formed on the via hole 160A and the conductor circuit 158A, and a solder resist layer 70B is formed on the via hole 160B and the conductor circuit 158B. Solder bumps 76U are formed in the openings 71A of the solder resist layer 70A on the first surface F side, and solder bumps 76D are formed in the openings 71B of the solder resist 70B on the second surface S side.

第2実施例では、第1実施例と同一の製造方法により、図9(B)を参照して上述した第1実施例と同様に、コア基板30のスルーホール用の貫通孔31の径d3は250μmに形成されている。第1面F側の第1導体ランド36aの外径d1は250μmに形成されている。第2面S側の第2導体ランド36bの外径d2は380μmに形成されている。 In the second embodiment, the diameter d3 of the through hole 31 for the through hole of the core substrate 30 is obtained by the same manufacturing method as that of the first embodiment, as in the first embodiment described above with reference to FIG. 9B. Is formed to 250 μm. The outer diameter d1 of the first conductor land 36a on the first surface F side is 250 μm. The outer diameter d2 of the second conductor land 36b on the second surface S side is 380 μm.

[第3実施例]
図9(C)は第3実施例に係る導体ランドを示している。
内径d3:250μmの貫通孔31内壁に無電解銅めっき膜32の厚さ1μmで形成され、電解めっき膜33が充填されている。
[Third embodiment]
FIG. 9C shows a conductor land according to the third embodiment.
An inner surface of the through hole 31 having an inner diameter d3 of 250 μm is formed with an electroless copper plating film 32 having a thickness of 1 μm and filled with an electrolytic plating film 33.

第3実施例では、第1面F側の第1導体ランド36aの外径d1’は240μmに形成されている。第2面S側の第2導体ランド36bの外径d2は380μmに形成されている。第3実施例では、コア基板の第1面F側の第1導体ランドを、(貫通孔31の内径250μm+ドリル合わせ精度(±50μm=100μm)+レーザの位置合わせ精度(±5μm=10μm)=360μm)よりも小さな240μmに形成する。第1導体ランド36aの径d1’を240μmにして、精度誤差の最大値110(100+10)μm分ランド36aがスルーホール用貫通孔31に対してずれても、該第1導体ランドの端部がスルーホール用貫通孔31内に充填されたスルーホール導体36からずれず、該第1導体ランド36aがスルーホール導体36を覆うように形成することができる。このため、導体ランドの信頼性を確保しながら、導体ランドを小径にでき、プリント配線板のファインピッチ化、高集積化を図ることができる。 In the third embodiment, the outer diameter d1 'of the first conductor land 36a on the first surface F side is 240 μm. The outer diameter d2 of the second conductor land 36b on the second surface S side is 380 μm. In the third embodiment, the first conductor land on the first surface F side of the core substrate is represented by (the inner diameter 250 μm of the through hole 31 + the drill alignment accuracy (± 50 μm = 100 μm) + the laser alignment accuracy (± 5 μm = 10 μm) = 360 μm) to 240 μm. Even when the diameter d1 ′ of the first conductor land 36a is set to 240 μm and the land 36a is displaced from the through hole 31 for the through hole 31 by the maximum accuracy error of 110 (100 + 10) μm, the end of the first conductor land 36 The first conductor land 36 a can be formed so as to cover the through-hole conductor 36 without shifting from the through-hole conductor 36 filled in the through-hole through hole 31. For this reason, it is possible to reduce the diameter of the conductor land while ensuring the reliability of the conductor land, and to achieve a fine pitch and high integration of the printed wiring board.

10 プリント配線板
30 絶縁性基板
31 スルーホール用貫通孔
34A 第1導体パターン
34B 第2導体パターン
35 めっきレジスト
35a 第1開口部
35b 第2開口部
36 バイアホール導体
36a 第1導体ランド
36b 第2導体ランド
50A 第1層間絶縁層
50B 第2層間絶縁層
58A、58B 導体回路
60A、60B バイアホール
70A、70B ソルダーレジスト層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Printed wiring board 30 Insulating board 31 Through-hole for through holes 34A 1st conductor pattern 34B 2nd conductor pattern 35 Plating resist 35a 1st opening part 35b 2nd opening part 36 Via-hole conductor 36a 1st conductor land 36b 2nd conductor Land 50A First interlayer insulating layer 50B Second interlayer insulating layer 58A, 58B Conductor circuit 60A, 60B Via hole 70A, 70B Solder resist layer

Claims (10)

第1面と該第1面とは反対側の第2面とを備えるコア基板と、
該コア基板の第1面上に設けられている第1導体パターンと、
該コア基板の第2面上に設けられている第2導体パターンと、
前記コア基板の内部に設けられて前記第1導体パターンと前記第2導体パターンとを接続するスルーホール導体と、
を備えるプリント配線板の製造方法であって:
前記コア基板に前記スルーホール導体用の貫通孔を形成することと、
前記コア基板の第1面、第2面及び前記貫通孔の内壁にめっき膜を形成することと、
前記貫通孔を覆うように、前記コア基板の第1面上及び第2面上にドライフィルムを形成することと、
該ドライフィルムに前記貫通孔を露出させる第1開口部及び前記めっき膜の一部を露出させる第2開口部を設けることで、めっきレジストを形成することと、
前記第1開口部を通じて前記貫通孔の内部にめっきを充填することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記めっきレジスト下の前記めっき膜を除去することと、
を含むプリント配線板の製造方法。
A core substrate comprising a first surface and a second surface opposite to the first surface;
A first conductor pattern provided on the first surface of the core substrate;
A second conductor pattern provided on the second surface of the core substrate;
A through-hole conductor provided inside the core substrate and connecting the first conductor pattern and the second conductor pattern;
A method of manufacturing a printed wiring board comprising:
Forming a through-hole for the through-hole conductor in the core substrate;
Forming a plating film on the first surface, the second surface and the inner wall of the through hole of the core substrate;
Forming a dry film on the first surface and the second surface of the core substrate so as to cover the through hole;
Forming a plating resist by providing the dry film with a first opening that exposes the through hole and a second opening that exposes a portion of the plating film;
Filling the inside of the through hole with the plating through the first opening;
Removing the plating resist;
Removing the plating film under the plating resist;
A method of manufacturing a printed wiring board including:
請求項1のプリント配線板の製造方法であって:
前記第1開口部はレーザーで形成される。
A method of manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein:
The first opening is formed by a laser.
請求項1のプリント配線板の製造方法であって:
前記第1開口部の径は、前記貫通孔の径と略同一である。
A method of manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein:
The diameter of the first opening is substantially the same as the diameter of the through hole.
請求項1のプリント配線板の製造方法であって:
前記コア基板の第1面側のドライフィルムに設けられる第1開口部と、前記第2面側のドライフィルムに設けられる第1開口部とは、連続して設けられる。
A method of manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein:
The first opening provided in the dry film on the first surface side of the core substrate and the first opening provided in the dry film on the second surface side are provided continuously.
請求項4のプリント配線板の製造方法であって:
前記コア基板の第2面側からレーザーを照射することで前記第1開口部を形成する。
A method of manufacturing a printed wiring board according to claim 4, wherein:
The first opening is formed by irradiating a laser from the second surface side of the core substrate.
請求項5のプリント配線板の製造方法であって:
前記第1面側の第1開口部の径は、前記第2面側の開口部の径よりも小さい。
A method of manufacturing a printed wiring board according to claim 5, comprising:
The diameter of the first opening on the first surface side is smaller than the diameter of the opening on the second surface side.
請求項6のプリント配線板の製造方法であって:
前記コア基板の第1面は、半導体素子が実装される側の面である。
A method of manufacturing a printed wiring board according to claim 6, comprising:
The first surface of the core substrate is a surface on which a semiconductor element is mounted.
請求項6のプリント配線板の製造方法であって:
前記第1導体パターンのL/S(ラインスペース)が30μm/30μm以下である。
A method of manufacturing a printed wiring board according to claim 6, comprising:
L / S (line space) of the first conductor pattern is 30 μm / 30 μm or less.
請求項1のプリント配線板の製造方法であって:
前記貫通孔はレーザーにより形成される。
A method of manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein:
The through hole is formed by a laser.
第1面と該第1面とは反対側の第2面とを備えるコア基板と、
該コア基板の第1面側に設けられている第1導体ランドと、
該コア基板の第2面側に設けられている第2導体ランドと、
前記コア基板の内部に設けられて前記第1導体ランドと前記第2導体ランドとを接続するスルーホール導体と、を備えるプリント配線板であって:
前記第1導体ランドの径は前記第2ランドの径よりも小さい。
A core substrate comprising a first surface and a second surface opposite to the first surface;
A first conductor land provided on the first surface side of the core substrate;
A second conductor land provided on the second surface side of the core substrate;
A printed wiring board comprising a through-hole conductor provided inside the core substrate and connecting the first conductor land and the second conductor land:
The diameter of the first conductor land is smaller than the diameter of the second land.
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