JP2013242231A - ガスセンサ素子の保護膜の成膜方法、及び当該方法によって形成された保護膜を備えるガスセンサ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】保護膜を配設しようとするガスセンサ素子の外周面の所定の範囲において保護膜の厚みが最小となる部位(最薄部)に保護膜の材料を予め塗布してから所定の範囲の全体に保護膜の材料を改めて塗布することにより、被測定ガスがガスセンサの内部に導入される際に被測定ガスが保護膜を透過する部位(導入部位)における保護膜の厚みが必要以上に厚くなることを抑制する。
【選択図】図2
Description
ガスセンサ素子の外周面の予め定められた範囲に保護膜を形成する保護膜の成膜方法であって、
前記予め定められた範囲に含まれる特定部位に第1の保護膜を塗布する第1塗布工程、及び
前記第1塗布工程の後に、前記予め定められた範囲の全体に第1の保護膜を塗布する第2塗布工程、
を含み、
前記特定部位が、前記第1塗布工程を省いて前記第2塗布工程のみによって前記予め定められた範囲の全体に第1の保護膜を塗布した場合に第1の保護膜の厚みが最も薄くなる部位である、
保護膜の成膜方法によって達成される。
ガスセンサ素子の外周面の予め定められた範囲に保護膜を形成する保護膜の成膜方法であって、
前記予め定められた範囲に含まれる特定部位に第1の保護膜を塗布する第1塗布工程、及び
前記第1塗布工程の後に、前記予め定められた範囲の全体に第1の保護膜を塗布する第2塗布工程、
を含み、
前記特定部位が、前記第1塗布工程を省いて前記第2塗布工程のみによって前記予め定められた範囲の全体に第1の保護膜を塗布した場合に第1の保護膜の厚みが最も薄くなる部位である、
保護膜の成膜方法である。
本発明の前記第1の実施態様に係る保護膜の成膜方法であって、
前記第2塗布工程の後に、前記予め定められた範囲の全体に第2の保護膜を塗布する第3塗布工程、
を更に含む、
保護膜の成膜方法である。
本発明の前記第1又は前記第2の実施態様の何れか1つに係る保護膜の成膜方法であって、
前記第1塗布工程、前記第2塗布工程、及び前記第3塗布工程のうち少なくとも何れか1つの塗布工程の後に、塗布された保護膜を乾燥する乾燥工程、
を更に含む、
保護膜の成膜方法である。
本発明の前記第1乃至前記第3の実施態様の何れか1つに係る保護膜の成膜方法であって、
前記保護膜の材料が、セラミック粒子を含んでなるスラリー又はペーストであり、
前記保護膜が多孔質セラミック膜である、
保護膜の成膜方法である。
本発明の前記第4の実施態様に係る保護膜の成膜方法であって、
前記乾燥工程のうち少なくとも何れか1つの乾燥工程の後に、乾燥された保護膜を焼成する焼成工程、
を更に含む、
保護膜の成膜方法である。
外周面の予め定められた範囲に形成された保護膜を備えるガスセンサ素子であって、
前記保護膜が、
前記予め定められた範囲に含まれる特定部位に第1の保護膜を塗布する第1塗布工程、及び
前記第1塗布工程の後に、前記予め定められた範囲の全体に第1の保護膜を塗布する第2塗布工程、
を含む保護膜の成膜方法であって、
前記特定部位が、前記第1塗布工程を省いて前記第2塗布工程のみによって前記予め定められた範囲の全体に第1の保護膜を塗布した場合に第1の保護膜の厚みが最も薄くなる部位である、
保護膜の成膜方法によって形成された、
ガスセンサ素子である。
本発明の前記第6の実施態様に係るガスセンサ素子であって、
前記保護膜の成膜方法が、
前記第2塗布工程の後に、前記予め定められた範囲の全体に第2の保護膜を塗布する第3塗布工程、
を更に含む、
ガスセンサ素子である。
本発明の前記第6又は前記第7の実施態様の何れか1つに係るガスセンサ素子であって、
前記保護膜の成膜方法が、
前記第1塗布工程、前記第2塗布工程、及び前記第3塗布工程のうち少なくとも何れか1つの塗布工程の後に、塗布された保護膜を乾燥する乾燥工程、
を更に含む、
ガスセンサ素子である。
本発明の前記第6乃至前記第8の実施態様の何れか1つに係るガスセンサ素子であって、
前記保護膜の材料が、セラミック粒子を含んでなるスラリー又はペーストであり、
前記保護膜が多孔質セラミック膜である、
ガスセンサ素子である。
本発明の前記第9の実施態様に係るガスセンサ素子であって、
前記保護膜の成膜方法が、
前記乾燥工程のうち少なくとも何れか1つの乾燥工程の後に、乾燥された保護膜を焼成する焼成工程、
を更に含む、
ガスセンサ素子である。
本発明の前記第6又は前記第10の実施態様の何れか1つに係るガスセンサ素子であって、
当該ガスセンサ素子によって特定の成分の濃度を検出しようとする被測定ガスが当該ガスセンサの内部に導入される際に当該被測定ガスが前記保護膜を透過する部分である導入部位における前記保護膜の厚みが、前記特定部位における前記保護膜の厚みの1倍以上且つ2倍未満である、
ガスセンサ素子である。
本発明の前記第6乃至前記第11の実施態様の何れか1つに係るガスセンサ素子であって、
酸素イオン伝導性を有する固体電解質層と、
前記固体電解質層の一方の主面及び他方の主面にそれぞれ配設された被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と、
前記被測定ガス側電極の前記固体電解質層とは反対側の主面に配設され且つ被測定ガスを透過することができる拡散抵抗層と、
前記基準ガス側電極の前記固体電解質層とは反対側の面に配設され且つ基準ガスを導入して前記基準ガス側電極と接触させる基準ガス室を形成する基準ガス室形成層と、
を備える、
ガスセンサ素子である。
本発明の前記第12の実施態様に係るガスセンサ素子であって、
当該ガスセンサ素子を加熱する加熱手段、
を更に備える、
ガスセンサ素子である。
本発明の前記第12又は前記第13の実施態様の何れか1つに係るガスセンサ素子であって、
前記導入部位が、前記拡散抵抗層と前記保護膜とが接触する部分に該当する、
ガスセンサ素子である。
本発明の前記第12乃至前記第14の実施態様の何れか1つに係るガスセンサ素子であって、
前記特定部位が、前記基準ガス室形成層の前記基準ガス側電極とは反対側の主面の周縁部に該当する、
ガスセンサ素子である。
ここでは、図1を参照しながら、本発明の1つの実施態様に係る保護膜の成膜方法について説明する。図1は、前述のように、本発明の1つの実施態様に係る保護膜の成膜方法を説明する模式図である。
次に、図2を参照しながら、本発明の1つの実施態様に係るガスセンサ素子の構造について説明する。図2は、前述のように、本発明の1つの実施態様に係るガスセンサ素子の構造と従来技術に係るガスセンサ素子の構造とを比較する模式図である。尚、図2(a)は、例えば、図1を参照しながら説明した成膜方法によって形成された保護膜を備える、本実施例に係るガスセンサ素子を表し、図2(b)は従来技術に係るガスセンサ素子を表す。
次に、図3を参照しながら、本発明の1つの実施態様に係るガスセンサ素子が備える保護膜の厚みについて説明する。図3は、前述のように、ガスセンサ素子の導入部位及び特定部位における保護膜の厚みを本発明の1つの実施態様に係るガスセンサ素子と従来技術に係るガスセンサ素子とで比較するグラフである。より詳しくは、図3は、図2(a)に示した本実施例に係るガスセンサ素子(斜線)並びに図2(b)に示した従来技術に係るガスセンサ素子(グレー)のそれぞれの導入部位(A部及びB部)並びに特定部位(C部及びD部)における保護膜の厚みを表すグラフである。
次に、図4を参照しながら、本発明の1つの実施態様に係るガスセンサ素子の検出感度について説明する。図4は、前述のように、ガスセンサ素子の感度を本発明の1つの実施態様に係るガスセンサ素子と従来技術に係るガスセンサ素子とで比較するグラフである。尚、本実施例においては、多気筒エンジンにおいてインバランスが発生している状態での酸素濃度に対応して変動する検出信号の最大傾斜を検出感度の指標として採用した。
Claims (15)
- ガスセンサ素子の外周面の予め定められた範囲に保護膜を形成する保護膜の成膜方法であって、
前記予め定められた範囲に含まれる特定部位に第1の保護膜を塗布する第1塗布工程、及び
前記第1塗布工程の後に、前記予め定められた範囲の全体に第1の保護膜を塗布する第2塗布工程、
を含み、
前記特定部位が、前記第1塗布工程を省いて前記第2塗布工程のみによって前記予め定められた範囲の全体に第1の保護膜を塗布した場合に第1の保護膜の厚みが最も薄くなる部位である、
保護膜の成膜方法。 - 請求項1に記載の保護膜の成膜方法であって、
前記第2塗布工程の後に、前記予め定められた範囲の全体に第2の保護膜を塗布する第3塗布工程、
を更に含む、
保護膜の成膜方法。 - 請求項1又は2の何れか1項に記載の保護膜の成膜方法であって、
前記第1塗布工程、前記第2塗布工程、及び前記第3塗布工程のうち少なくとも何れか1つの塗布工程の後に、塗布された保護膜を乾燥する乾燥工程、
を更に含む、
保護膜の成膜方法。 - 請求項1乃至3の何れか1項に記載の保護膜の成膜方法であって、
前記保護膜の材料が、セラミック粒子を含んでなるスラリー又はペーストであり、
前記保護膜が多孔質セラミック膜である、
保護膜の成膜方法。 - 請求項4に記載の保護膜の成膜方法であって、
前記乾燥工程のうち少なくとも何れか1つの乾燥工程の後に、乾燥された保護膜を焼成する焼成工程、
を更に含む、
保護膜の成膜方法。 - 外周面の予め定められた範囲に形成された保護膜を備えるガスセンサ素子であって、
前記保護膜が、
前記予め定められた範囲に含まれる特定部位に第1の保護膜を塗布する第1塗布工程、及び
前記第1塗布工程の後に、前記予め定められた範囲の全体に第1の保護膜を塗布する第2塗布工程、
を含む保護膜の成膜方法であって、
前記特定部位が、前記第1塗布工程を省いて前記第2塗布工程のみによって前記予め定められた範囲の全体に第1の保護膜を塗布した場合に第1の保護膜の厚みが最も薄くなる部位である、
保護膜の成膜方法によって形成された、
ガスセンサ素子。 - 請求項6に記載のガスセンサ素子であって、
前記保護膜の成膜方法が、
前記第2塗布工程の後に、前記予め定められた範囲の全体に第2の保護膜を塗布する第3塗布工程、
を更に含む、
ガスセンサ素子。 - 請求項6又は7の何れか1項に記載のガスセンサ素子であって、
前記保護膜の成膜方法が、
前記第1塗布工程、前記第2塗布工程、及び前記第3塗布工程のうち少なくとも何れか1つの塗布工程の後に、塗布された保護膜を乾燥する乾燥工程、
を更に含む、
ガスセンサ素子。 - 請求項6乃至8の何れか1項に記載のガスセンサ素子であって、
前記保護膜の材料が、セラミック粒子を含んでなるスラリー又はペーストであり、
前記保護膜が多孔質セラミック膜である、
ガスセンサ素子。 - 請求項9に記載のガスセンサ素子であって、
前記保護膜の成膜方法が、
前記乾燥工程のうち少なくとも何れか1つの乾燥工程の後に、乾燥された保護膜を焼成する焼成工程、
を更に含む、
ガスセンサ素子。 - 請求項6乃至10の何れか1項に記載のガスセンサ素子であって、
当該ガスセンサ素子によって特定の成分の濃度を検出しようとする被測定ガスが当該ガスセンサの内部に導入される際に当該被測定ガスが透過する部分である導入部位における前記保護膜の厚みが、前記特定部位における前記保護膜の厚みの1倍以上且つ2倍未満である、
ガスセンサ素子。 - 請求項6乃至11の何れか1項に記載のガスセンサ素子であって、
酸素イオン伝導性を有する固体電解質層と、
前記固体電解質層の一方の主面及び他方の主面にそれぞれ配設された被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と、
前記被測定ガス側電極の前記固体電解質層とは反対側の主面に配設され且つ被測定ガスを透過することができる拡散抵抗層と、
前記基準ガス側電極の前記固体電解質層とは反対側の面に配設され且つ基準ガスを導入して前記基準ガス側電極と接触させる基準ガス室を形成する基準ガス室形成層と、
を備える、
ガスセンサ素子。 - 請求項12に記載のガスセンサ素子であって、
当該ガスセンサ素子を加熱する加熱手段、
を更に備える、
ガスセンサ素子。 - 請求項12又は13の何れか1項に記載のガスセンサ素子であって、
前記導入部位が、前記拡散抵抗層と前記保護膜とが接触する部分に該当する、
ガスセンサ素子。 - 請求項12乃至14の何れか1項に記載のガスセンサ素子であって、
前記特定部位が、前記基準ガス室形成層の前記基準ガス側電極とは反対側の主面の周縁部に該当する、
ガスセンサ素子。
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