JP2013138051A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理液の液滴が蓋部から基板へと落下して付着することを防止または低減する。
【解決手段】基板処理装置１は、槽本体１１と、蓋部１２と、ＳＰＭ溶液をシャワー状に噴出する処理液ノズル３１と、窒素ガスを噴出するガスノズル３２とを備える。蓋部１２は槽本体１１の上部の搬入口１１０を開閉する。処理液ノズル３１は、基板９の外縁部に対向する槽本体１１の側壁１１１から基板９に処理液９１を噴出する。基板９が槽本体１１に搬入される前に、ガスノズル３２から蓋部１２の下面に向けてガスを噴出することにより、前の基板９の処理時、または、処理液ノズル３１から処理液９１を噴出する温調時に蓋部１２の下面に付着した処理液９１の液滴を除去することができる。これにより、槽本体１１に搬入直後の基板９に処理液９１の液滴が落下して付着することを防止または低減することができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、処理槽内で複数の基板を処理する技術に関連する。

従来より、処理槽内で複数の基板に洗浄、エッチング、レジスト剥離等の処理を行う基板処理装置が利用されている。このような基板処理装置として、硫酸過水（Sulfuric Acid/Hydrogen Peroxide/Water Mixture、以下、「ＳＰＭ溶液」という。）を処理槽内に貯留し、複数の基板を同時に浸漬させるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

また、薬液処理後の基板を水洗槽に投入し、基板を水洗槽内で上下に揺動させながら、水洗槽において互いに対向して配置されたノズルから、基板の表面に向けてシャワー水洗する基板水洗方法も知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００７−４９０２２号公報 特開２０００−１８３０１１号公報

ところで、特許文献２のように処理槽内でシャワー状に処理液を噴出して処理を行うと、処理槽の蓋部に処理液が付着する。次に処理する予定の基板を搬入した後に蓋部を閉じると、その振動で、蓋部から基板へと処理液の液滴が落下する虞がある。液滴が基板に付着すると、液滴に含まれるパーティクルも基板に付着し、基板に不良箇所が発生する虞がある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、液滴が蓋部から基板へと落下して付着することを防止または低減することを目的としている。

請求項１に記載の発明は、基板処理装置であって、上部の搬入口から搬入される複数の基板を、隣接する基板の主面を対向させつつ起立姿勢にて配列された状態で収容する槽本体と、前記槽本体の前記搬入口を開閉する蓋部と、前記槽本体内の前記複数の基板に向けて処理液を噴出する複数の処理液ノズルと、前記蓋部の下面に向けてガスを噴出する少なくとも１つのガスノズルとを備える。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記少なくとも１つのガスノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する少なくとも一方の側壁に設けられる。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記少なくとも１つのガスノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する両側壁に設けられる。

請求項４に記載の発明は、請求項２または３に記載の基板処理装置であって、前記少なくとも１つのガスノズルが、高さ方向において、前記蓋部と前記処理液ノズルとの間に位置する。

請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記複数の処理液ノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する両側壁に設けられ、前記少なくとも１つのガスノズルが、前記槽本体内の前記複数の基板の主面に対向する側壁に設けられる。

請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記蓋部の前記下面が、前記少なくとも１つのガスノズル近傍において、前記少なくとも１つのガスノズルから離れるに従って上方へと向かう傾斜面を含む。

請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記蓋部と前記槽本体との間の間隙の外側に、前記間隙からの処理液の漏出を妨げる遮蔽部または漏出した処理液を回収する回収部をさらに備える。

請求項８に記載の発明は、請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記少なくとも１つのガスノズルの向きを変更する向き変更機構をさらに備える。

請求項９に記載の発明は、請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置であって、複数の基板を前記槽本体内に搬入するために前記蓋部が前記搬入口を開ける前に、前記少なくとも１つのガスノズルからガスを噴出させる制御部をさらに備える。

請求項１０に記載の発明は、請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記処理液が、硫酸過水である。

請求項１１に記載の発明は、基板処理方法であって、ａ）槽本体の上部の搬入口が蓋部により閉じられた状態で、少なくとも１つのガスノズルから前記蓋部の下面に向けてガスを噴出する工程と、ｂ）前記搬入口を開ける工程と、ｃ）隣接する基板の主面を対向させつつ起立姿勢にて配列された状態で、前記搬入口から複数の基板を前記槽本体内に搬入する工程と、ｄ）前記搬入口を蓋部により閉じる工程と、ｅ）複数の処理液ノズルから前記複数の基板に向けて処理液を噴出する工程と、ｆ）前記搬入口を開ける工程と、ｇ）前記搬入口から前記複数の基板を搬出する工程とを備える。

請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の基板処理方法であって、前記ａ）工程の前に、前記複数の処理液ノズルから前記槽本体内に向けて前記処理液を噴出して前記処理液の温度を調整する工程をさらに備える。

請求項１３に記載の発明は、請求項１１または１２に記載の基板処理方法であって、前記少なくとも１つのガスノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する両側壁に設けられ、前記ｅ）工程において、前記両側壁に設けられたガスノズルから交互にガスが噴出される。

請求項１４に記載の発明は、基板処理方法であって、ａ）槽本体の上部の搬入口を開ける工程と、ｂ）隣接する基板の主面を対向させつつ起立姿勢にて配列された状態で、前記搬入口から複数の基板を前記槽本体内に搬入する工程と、ｃ）前記搬入口を蓋部により閉じる工程と、ｄ）複数の処理液ノズルから前記複数の基板に向けて処理液を噴出する工程と、ｅ）前記ｄ）工程の終了と同時またはその直前もしくは直後から、少なくとも１つのガスノズルから前記蓋部の下面に向けてガスの噴出を開始し、前記噴出を終了する工程と、ｆ）前記搬入口を開ける工程と、ｇ）前記搬入口から前記複数の基板を搬出する工程とを備える。

請求項１５に記載の発明は、請求項１１ないし１４のいずれかに記載の基板処理方法であって、前記処理液が、硫酸過水である。

本発明によれば、処理液の液滴が蓋部から基板へと落下して付着することを防止または低減することができる。

基板処理装置の正面図である。 基板処理装置の側面図である。 基板処理装置の構成を示す図である。 基板処理装置の動作の流れを示す図である。 基板処理装置の動作の流れを示す図である。 ガスノズル近傍を示す図である。 基板処理装置の動作の流れの一部を示す図である。 ガスノズルの他の配置を簡略化して示す図である。 ガスノズルの他の配置を簡略化して示す図である。 ガスノズルの他の配置を簡略化して示す図である。 ガスノズルの他の配置を簡略化して示す図である。 蓋部の他の例を示す図である。 回収部を示す図である。

図１は本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の正面図であり、図２は側面図である。図１および図２では、処理槽１０を断面にて示している。

基板処理装置１は、処理槽１０と、基板９を昇降するリフタ２と、複数の処理液ノズル３１と、複数のガスノズル３２とを備える。処理槽１０は、上部が開口する略箱状の槽本体１１と、一対の蓋部１２とを備える。蓋部１２は、図１における左右に配置され、紙面に垂直な軸を中心として回動することにより、槽本体１１の上部の開口を開閉する。一対の蓋部１２の下面の間には隙間はほとんど存在せず、段差もない。すなわち、蓋部１２の下面の少なくとも中央領域は平面である。

リフタ２は、複数の基板９を下方から保持する基板保持部２１と、基板保持部２１を昇降する昇降機構２２と、基板保持部２１と昇降機構２２とを接続する接続部２３とを備える。基板保持部２１は、図２の左右方向である前後方向に延びる複数の棒状部材であり、棒状部材に形成された溝に基板９の下部が保持される。複数の基板９は、隣接する基板９の主面を対向させつつ等間隔かつ起立姿勢にて配列される。基板９は、この状態で槽本体１１に収容される。

昇降機構２２により基板保持部２１が昇降することにより、複数の基板９が、処理槽１０内にて実線にて示す処理位置と、二点鎖線にて示す受け渡し位置との間にて移動する。受け渡し位置にて、図示省略の搬送装置と基板保持部２１との間で基板９の受け渡しが行われる。基板保持部２１が昇降する際には、蓋部１２により槽本体１１の上部の開口が開けられる。以下の説明では、基板９の搬出入に利用される槽本体１１の上部の開口を「搬入口１１０」と呼ぶ。

蓋部１２には、接続部２３を避ける切り欠きが形成されており、基板保持部２１が槽本体１１内に位置する状態で、搬入口１１０を閉じることができる。基板保持部２１が複数の基板９を保持して槽本体１１内に位置する状態で蓋部１２が搬入口１１０を閉じることにより、基板９は処理槽１０内に収容される。

複数の処理液ノズル３１は、槽本体１１の基板９の外縁部に対向する、図１の左右の側壁１１１に設けられる。処理液ノズル３１は、基板９の配列方向に平行に３列に配列され、３つの配列が、側壁１１１の上部、中央部、下部に配置される。処理液ノズル３１は、槽本体１１内の複数の基板９に向けてシャワー状に処理液を噴出する。本実施の形態では、処理液はＳＰＭ溶液（硫酸過水）であり、基板処理装置１により、基板９上のレジスト膜の剥離やメタルの除去が行われる。シャワー方式を採用することにより、浸漬方式に比べて、処理液の使用量を削減することができる。上段の処理液ノズル３１は、水平方向に対して下方に傾斜する方向かつ基板９に向かう方向に処理液を噴出する。中段の処理液ノズル３１は水平方向かつ基板９に向かう方向に処理液を噴出する。下段の処理液ノズル３１は水平方向に対して上方に傾斜する方向かつ基板９に向かう方向に処理液を噴出する。

ガスノズル３２も槽本体１１の複数の基板９の外縁部に対向する両側壁１１１に設けられ、上段の処理液ノズル３１の上方に設けられる。換言すれば、ガスノズル３２は、高さ方向において、蓋部１２と処理液ノズル３１との間に位置する。ガスノズル３２の噴出口は、処理液ノズル３１と同様に、基板９の配列方向に平行に配列される。ガスノズル３２からは窒素ガスが蓋部１２の下面に向けて噴出される。すなわち、ガスノズル３２は、図１の左右から水平方向に対して上方に傾斜する方向かつ中央に向かう方向にガスを噴出する。図１では、ガスおよび処理液が噴出される様子を破線にて示しているが、原則として、ガスと処理液とは同時には噴出されない。

ガスノズル３２を基板９の外縁部に対向する側壁１１１に設けることにより、処理槽１０内に接続部２３が存在しても、接続部２３に妨げられることなく、ガスを蓋部１２に向けて噴出することができる。ガスノズル３２が処理液ノズル３１と蓋部１２との間に位置することにより、ガスノズル３２への処理液の付着を抑制することができ、かつ、斜め下から蓋部１２の下面にブローを行うことができる。また、両側壁１１１にガスノズル３２を設けることにより、蓋部１２の下面全体を容易にブローすることができる。

図３は、処理槽１０、処理液ノズル３１およびガスノズル３２に接続される構成を示す図である。なお、処理槽１０の断面の平行斜線を省略している。槽本体１１の底部は、槽排出路５１に接続される。処理時には、槽本体１１の底部に処理液９１が貯溜される。槽排出路５１上には弁６１が設けられ、弁６１が開放されることにより、槽本体１１から処理液９１が排出される。槽排出路５１は分岐し、一方はポンプ４１に接続され、他方は排液路５２に接続される。排液路５２には弁６２が設けられる。ポンプ４１は加熱部４２に接続され、加熱部４２はフィルタ４３に接続される。

処理液ノズル３１は、ノズル供給路５３を介してフィルタ４３に接続される。ノズル供給路５３はフィルタ４３から複数の分岐路に分岐して処理液ノズル３１へと向かう。各分岐路上には弁６３が設けられる。弁６３が開けられた状態でポンプ４１が駆動されることにより、処理液ノズル３１から処理液９１が噴出される。加熱部４２は、処理液９１の温度を制御するために利用される。フィルタ４３は、処理液９１中のパーティクルを除去する。ノズル供給路５３からはバイパス路５４が分岐し、バイパス路５４は弁６４を介して槽本体１１の下部の吐出口３３に接続される。なお、図３では、片側の処理液ノズル３１とノズル供給路５３との接続のみを示している。

基板処理装置１は、バッファタンク４４と、処理液供給源４５と、ガス供給源４６とをさらに備える。バッファタンク４４は、タンク排出路５５を介してポンプ４１に接続される。タンク排出路５５上には弁６５が設けられる。バッファタンク４４は、タンク供給路５６を介してフィルタ４３に接続される。タンク供給路５６上には弁６６が設けられる。バッファタンク４４は処理液供給源４５に接続される。処理液供給源４５にて硫酸、過酸化水素水および純水が所定の割合にて混合されることにより、ＳＰＭ溶液が生成され、バッファタンク４４に供給される。これらの溶液は、混合されることなくバッファタンク４４に供給されてもよい。

ガスノズル３２は、ガス供給路５７を介してガス供給源４６に接続される。ガス供給路５７上には弁６７が設けられ、弁６７が開けられることにより、窒素ガスがガスノズル３２から噴出される。処理槽１０には排気路５８が接続され、排気路５８上に弁６８が設けられる。

基板処理装置１は制御部７を備え、各弁、ポンプ４１および加熱部４２は、制御部７により制御される。制御部７は、リフタ２の動作や蓋部１２の開閉も制御する。

図４および図５は、基板処理装置１の動作の流れを示す図である。図３に示すように、処理が開始される際には、事前に槽本体１１に処理液９１が貯留される。処理液９１の量は、処理位置に配置された基板９に触れない量である。

具体的一例として、処理液９１は、バッファタンク４４にて調整される。処理液供給源４５から各種液がバッファタンク４４に供給され、弁６５，６６を開け、他の弁を閉じた状態でポンプ４１が駆動される。これにより、処理液９１がバッファタンク４４からタンク排出路５５、ポンプ４１、加熱部４２、フィルタ４３、タンク供給路５６を循環する。バッファタンク４４には温度計および濃度計が設けられ、処理液供給源４５からの各種液の供給および加熱部４２を制御することにより、処理液９１が所望の濃度および温度となる。弁６６を閉じて弁６４を開くことにより、処理液９１は、タンク排出路５５、ポンプ４１、加熱部４２、フィルタ４３、バイパス路５４を介して処理槽１０に供給される。なお、処理液９１は、処理液供給源４５から処理槽１０に直接各種液が供給される等の他の方法により処理槽１０に貯留されてもよい。

基板処理では、まず、プレ温調が必要か否かが確認される（ステップＳ１１）。例えば、前の基板９の処理から次の基板９の処理まで長時間が経過している場合に、処理液９１、ノズル供給路５３、槽本体１１、処理槽１０内のガス等の温度を所望の温度とするためにプレ温調が行われる（ステップＳ１２）。プレ温調では、弁６１，６３が開けられ、他の弁は閉じられる。ただし、弁６４は開けられてもよい。処理槽１０内の処理液９１は、槽排出路５１から排出され、ポンプ４１、加熱部４２、フィルタ４３、ノズル供給路５３を介して処理液ノズル３１から噴出される。槽本体１１には温度計および濃度計が設けられており、処理液９１の温度が所望の温度に調整され、処理液９１の濃度が監視される。処理液９１の噴出は所定時間行われる。

プレ温調が終了すると、制御部７により弁６７が開けられ、ガス供給源４６からガス供給路５７を介してガスノズル３２に窒素ガスが供給される。これにより、搬入口１１０が蓋部１２により閉じられた状態で、ガスノズル３２から蓋部１２の下面に向けてガスが噴出される（ステップＳ１３）。実際には、左右からのガスの流れの衝突を避けるため、ガスは、左右の側壁１１１のガスノズル３２から交互に噴出される。その結果、プレ温調または前回の基板処理にて蓋部１２の下面に付着した処理液９１の大部分が側壁１１１に向かって流れる。

図６は、ガスノズル３２近傍を拡大して示す断面図である。ガスノズル３２は上段の処理液ノズル３１が設けられるノズルブロック３１１に設けられる。具体的には、ノズルブロック３１１内に紙面に垂直な方向（すなわち、基板９の配列方向）に延びる流路３２１が形成され、流路３２１に沿って複数のガス噴出口３２２が形成される。

ノズルブロック３１１の上端は鋭角に尖っており、蓋部１２の下面１２１に対向する。ノズルブロック３１１の上端と蓋部１２との間、すなわち、槽本体１１と蓋部１２との間には僅かな間隙３０が存在し、間隙３０の外側に、断面が三角形の遮蔽部３１２が設けられる。遮蔽部３１２は、蓋部１２のうち槽本体１１の外部に位置する部位の下面に設けられる。図６に例示する遮蔽部３１２は、間隙３０から離れるに従って下方へと向かう傾斜面３１３を有する。これにより、ガスの噴出が行われる際に、間隙３０から処理液９１の液滴または微粒子（ミスト）が処理槽１０の外部へと漏出することが妨げられる。間隙３０からの処理液９１の漏出を低減するために、ガスの噴出時には、図３に示す弁６８が開けられ、排気路５８からの排気が行われる。なお、処理液９１の漏出の低減のためには、これ以外に、例えば、処理槽１０が納められるチャンバ（図示せず）内に下降気流（ダウンフロー）を形成して、ミストを排出するようにしてもよい。

ガスの噴出が停止されると、蓋部１２が搬入口１１０を開け（ステップＳ１４）、基板保持部２１が上昇して外部の搬送装置から複数の基板９を受け取る。基板保持部２１は下降し、槽本体１１に基板９が搬入され、蓋部１２が搬入口１１０を閉じる（ステップＳ１５，Ｓ１６）。

その後、プレ温調と同様に、弁６１，６３が開けられ、処理槽１０内の処理液９１が、槽排出路５１、ポンプ４１、加熱部４２、フィルタ４３、ノズル供給路５３を介して処理液ノズル３１へと導かれ、処理液９１が処理液ノズル３１から基板９に向けて噴出される（図５：ステップＳ２１）。基板処理中は、リフタ２が基板保持部２１を上下に揺動することにより、処理の均一性の向上が図られてもよい。

基板処理が完了すると、弁６３が閉じられ、蓋部１２が搬入口１１０を開ける（ステップＳ２２）。基板保持部２１が上昇することにより基板９は槽本体１１から搬出され、外部の搬送装置に渡される（ステップＳ２３）。基板保持部２１は下降し、蓋部１２が搬入口１１０を閉じる（ステップＳ２４）。

次の基板９を処理する場合（ステップＳ２５）、ポスト温調が必要か否かが確認される（ステップＳ２６）。ポスト温調は基板９の処理後に処理液９１の温度を所望の温度に維持する動作であり、基板９の搬出動作と並行して行われてもよい。ポスト温調では、弁６１，６４が開けられ、処理槽１０内の処理液９１が、槽排出路５１、ポンプ４１、加熱部４２、フィルタ４３、バイパス路５４を介して吐出口３３へと導かれる。これにより、処理液９１を噴出することなく処理槽１０を利用して処理液９１の温調が行われる（ステップＳ２７）。

その後、ステップＳ１１に戻り、次の基板９の処理の前にプレ温調が必要か否か確認される。プレ温調が行われる場合は、プレ温調およびガス噴出が行われ（ステップＳ１２，Ｓ１３）、プレ温調が行われない場合は、ガス噴出が行われる（ステップＳ１３）。いずれの場合においても、制御部７の制御により、複数の基板９を槽本体１１内に搬入するために蓋部１２が開く前に、ガスノズル３２からガスを噴出することにより、蓋部１２の下面に付着した処理液９１が除去される。その結果、基板９の搬入後に蓋部１２が閉じる際に、基板９に処理液９１の液滴が落下して、基板９に液滴と共にパーティクルが付着してしまうことを防止または低減することができる。

上記基板処理は最後の複数の基板９が処理されるまで繰り返され、全ての基板９が処理されると、基板処理装置１による処理が終了する（ステップＳ２５）。

図７は、基板処理装置１の他の動作例を示す図であり、図５のステップＳ２１に対応する部分の詳細を示す。図７に示す動作では、基板９の搬入後に、まず、処理液９１の噴出が開始され（ステップＳ２１１）、所定の時間が経過するとガスの噴出が開始される（ステップＳ２１２）。ガスの噴出が開始されるとすぐに処理液９１の噴出が停止される（ステップＳ２１３）。その後、ガスが両側壁１１１のガスノズル３２から交互に噴出され、ガスの噴出が停止される（ステップＳ２１４）。

処理液９１の噴出の終了直前からガスの噴出が開始されることにより、処理液９１の噴出を停止した後に蓋部１２の下面から基板９に液滴が落下する可能性が低減される。なお、処理液９１の落下の可能性が低減可能であれば、ガスの噴出開始は、処理液９１の噴出の停止と同時であってもよく、停止の直後であってもよい。

図８ないし図１１は、ガスノズル３２の他の配置を簡略化して示す図である。処理液ノズル３１は一部のもののみを示す。図８では、ガスノズル３２は、蓋部１２の下面に取り付けられる。これにより、ガスの一部が蓋部１２の下面に向かって流れ、下面上の処理液が押し流される。図９では、ガスノズル３２は、２つの蓋部１２の先端側の下面に取り付けられ、ガスは蓋部１２の継ぎ目側から左右へと流れる。すなわち、ガスノズル３２は処理位置に位置する基板９の真上に設けられる。これにより、基板９の真上の領域から処理液を除去することができる。図９の場合、ガスノズル３２からのガスの噴出は、蓋部１２が搬入口１１０を閉じた状態で行われてもよく、図９に示すように半分だけ開いた状態で行われてもよい。

図１０に示す例では、処理液ノズル３１は揺動機構３４に設けられ、ガスノズル３２も揺動機構３４に設けられる。処理液ノズル３１は、処理液を噴出する間に、揺動機構３４により上下および／または左右に揺動される。これにより、基板９の処理がより均一に行われる。ガスノズル３２から蓋部１２の下面に向けてガスが噴出される際にも、ガスノズル３２が上下および／または左右に揺動される。揺動機構３４は、ガスノズル３２の向きを変更する向き変更機構として機能する。これにより、蓋部１２の下面からの処理液の除去をより適切に行うことが実現される。なお、ガスノズル３２は揺動されるのではなく、向き変更機構により、所望の向きへと変更されるのみでもよい。ガスノズル３２の向きは、作業者により変更されて調整されてもよく、制御部７により自動的に変更されてもよい。

図１１に示す例では、ガスノズル３２は、槽本体１１内の複数の基板９の主面に対向する側壁１１１に設けられ、ガスノズル３２からガスが蓋部１２の下面に向けて斜め上方へと噴出される。すなわち、ガスノズル３２は、基板保持部２１が槽本体１１内に位置する場合の接続部２３（図２参照）側の側壁１１１に設けられる。実際には、複数のガスノズル３２が図１１の紙面に垂直な方向に配列される。処理液ノズル３１は、図１および図２と同様に、槽本体の複数の基板９の外縁部に対向する両側壁１１１に設けられる。ガスノズル３２をこのように設けることにより、蓋部１２の下面の処理液は、蓋部１２の継ぎ目を跨ぐことなく蓋部１２の端までガスにより移動することができる。また、処理液の配管との干渉を避けつつガスノズル３２を容易に設けることができる。

図１２は、図１１に示す例における蓋部１２の他の例を示す図である。蓋部１２の下面１２１は、ガスノズル３２近傍において、ガスノズル３２から離れるに従って上方へと向かう傾斜面１２２を含む。ガスの流れに沿う傾斜面１２２が設けられることにより、蓋部１２の下面１２１上の処理液は、ガスの流れに沿って滑らかに流れる。これにより、例えば、蓋部１２の中央部を薄くするために段差を設ける場合に比べて、広範囲の処理液９１を蓋部１２の下面１２１から容易に除去することができる。

図１３は、図６の遮蔽部３１２に代えて回収部３５が設けられた例を示す図である。回収部３５は、蓋部１２とノズルブロック３１１との間の間隙３０の外側を覆うように設けられ、排出路５９に接続される。間隙３０から漏出する処理液の液滴または微粒子は、回収部３５にて受け止められ、排出路５９から回収される。これにより、間隙３０を介して処理槽１０から処理液が外部へと漏れ出すことが防止される。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。

ガスの噴出は、様々なタイミングにて行われよく、例えば、プレ温調が行われない場合において、基板９を搬出して蓋部１２が搬入口１１０を閉じた直後からガスの噴出が開始されてもよい。逆に、蓋部１２が搬入口１１０を開く直前のみにおいて、ガスの噴出が行われてもよい。さらには、基板９を処理している最中にガスの噴出が行われてもよい。

ガスは空気でもよく、他の種類のガスでもよい。ガスの流量は、制御部７により調整可能でもよい。処理液ノズル３１が上下に揺動する場合、処理液ノズル３１自体からガスが蓋部１２の下面に向けて噴出されてもよい。

図１に示す構成において、ガスノズル３２は、槽本体１１の複数の基板９の外縁部に対向する一方の側壁１１１のみに設けられてもよい。この場合、ガスは、蓋部１２の下面を一方向のみに流れる。ガスノズル３２を基板９の外縁部に対向する少なくとも一方の側壁１１１に設けることにより、基板９の主面に対向する側壁１１１に設ける場合に比べて、処理液９１の液滴の移動距離を短くすることができ、かつ、広い範囲の液滴を適切に除去することができる。

ガスノズル３２は１つでもよい。すなわち、基板処理装置１には、少なくとも１つのガスノズル３２が設けられる。ガスノズル３２の開口は様々な形状であってよく、例えば、水平方向に延びるスリット状でもよい。

図１２に示すように蓋部１２の下面１２１に傾斜面１２２を設ける手法は、槽本体１１の基板９の外縁部に対向する側壁１１１にガスノズル３２が設けられる場合に適用されてもよい。蓋部１２は槽本体１１に直接設けられる必要はなく、例えば、槽本体１１がチャンバに収容され、このチャンバに蓋部が設けられてもよい。この場合においても、槽本体１１の上部の開口である搬入口は、実質的に蓋部により開閉される。

処理液ノズル３１は蓋部１２に設けられてもよい。ポスト温調と同様の温調動作は、基板９の処理中に行われてもよく、基板９の搬入や搬出時に行われてもよい。

図１３に示す回収部３５には、排出路５９に加えて、ガスを吸引する排気路が設けられてもよい。排気路に気液分離機能が設けられてもよい。

基板処理装置１にて行われる処理は、ＳＰＭ溶液による処理には限定されず、いわゆるＳＣ−１（アンモニア水や過酸化水素水と純水との混合液を使用して高温で処理する洗浄処理）やＳＣ−２（塩酸および過酸化水素水と純水との混合液を使用する洗浄処理）等の他の処理でもよい。さらには、基板処理装置１による処理対象は半導体基板には限定されず、表示装置、光磁気ディスク、フォトマスク、太陽電池等に使用される様々な基板であってよい。

上記実施形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。

１ 基板処理装置
７ 制御部
９ 基板
１１ 槽本体
１２ 蓋部
３１ 処理液ノズル
３２ ガスノズル
３４ 揺動機構（向き変更機構）
３５ 回収部
９１ 処理液
１１０ 搬入口
１１１ 側壁
１２１ 下面
１２２ 傾斜面
３１２ 遮蔽部
Ｓ１１〜Ｓ１６，Ｓ２１〜Ｓ２７，Ｓ２１１〜Ｓ２１４ ステップ

Claims (15)

1. 基板処理装置であって、
   上部の搬入口から搬入される複数の基板を、隣接する基板の主面を対向させつつ起立姿勢にて配列された状態で収容する槽本体と、
   前記槽本体の前記搬入口を開閉する蓋部と、
   前記槽本体内の前記複数の基板に向けて処理液を噴出する複数の処理液ノズルと、
   前記蓋部の下面に向けてガスを噴出する少なくとも１つのガスノズルと、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記少なくとも１つのガスノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する少なくとも一方の側壁に設けられることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記少なくとも１つのガスノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する両側壁に設けられることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項２または３に記載の基板処理装置であって、
   前記少なくとも１つのガスノズルが、高さ方向において、前記蓋部と前記処理液ノズルとの間に位置することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記複数の処理液ノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する両側壁に設けられ、
   前記少なくとも１つのガスノズルが、前記槽本体内の前記複数の基板の主面に対向する側壁に設けられることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記蓋部の前記下面が、前記少なくとも１つのガスノズル近傍において、前記少なくとも１つのガスノズルから離れるに従って上方へと向かう傾斜面を含むことを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記蓋部と前記槽本体との間の間隙の外側に、前記間隙からの処理液の漏出を妨げる遮蔽部または漏出した処理液を回収する回収部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記少なくとも１つのガスノズルの向きを変更する向き変更機構をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   複数の基板を前記槽本体内に搬入するために前記蓋部が前記搬入口を開ける前に、前記少なくとも１つのガスノズルからガスを噴出させる制御部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置であって、
    前記処理液が、硫酸過水であることを特徴とする基板処理装置。
11. 基板処理方法であって、
    ａ）槽本体の上部の搬入口が蓋部により閉じられた状態で、少なくとも１つのガスノズルから前記蓋部の下面に向けてガスを噴出する工程と、
    ｂ）前記搬入口を開ける工程と、
    ｃ）隣接する基板の主面を対向させつつ起立姿勢にて配列された状態で、前記搬入口から複数の基板を前記槽本体内に搬入する工程と、
    ｄ）前記搬入口を蓋部により閉じる工程と、
    ｅ）複数の処理液ノズルから前記複数の基板に向けて処理液を噴出する工程と、
    ｆ）前記搬入口を開ける工程と、
    ｇ）前記搬入口から前記複数の基板を搬出する工程と、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。
12. 請求項１１に記載の基板処理方法であって、
    前記ａ）工程の前に、前記複数の処理液ノズルから前記槽本体内に向けて前記処理液を噴出して前記処理液の温度を調整する工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
13. 請求項１１または１２に記載の基板処理方法であって、
    前記少なくとも１つのガスノズルが、前記槽本体の前記複数の基板の外縁部に対向する両側壁に設けられ、
    前記ｅ）工程において、前記両側壁に設けられたガスノズルから交互にガスが噴出されることを特徴とする基板処理方法。
14. 基板処理方法であって、
    ａ）槽本体の上部の搬入口を開ける工程と、
    ｂ）隣接する基板の主面を対向させつつ起立姿勢にて配列された状態で、前記搬入口から複数の基板を前記槽本体内に搬入する工程と、
    ｃ）前記搬入口を蓋部により閉じる工程と、
    ｄ）複数の処理液ノズルから前記複数の基板に向けて処理液を噴出する工程と、
    ｅ）前記ｄ）工程の終了と同時またはその直前もしくは直後から、少なくとも１つのガスノズルから前記蓋部の下面に向けてガスの噴出を開始し、前記噴出を終了する工程と、
    ｆ）前記搬入口を開ける工程と、
    ｇ）前記搬入口から前記複数の基板を搬出する工程と、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。
15. 請求項１１ないし１４のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記処理液が、硫酸過水であることを特徴とする基板処理方法。

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