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JP2013118366A - Support, lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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JP2013118366A
JP2013118366A JP2012239420A JP2012239420A JP2013118366A JP 2013118366 A JP2013118366 A JP 2013118366A JP 2012239420 A JP2012239420 A JP 2012239420A JP 2012239420 A JP2012239420 A JP 2012239420A JP 2013118366 A JP2013118366 A JP 2013118366A
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Japan
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support surface
support
movable part
substrate
movable
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JP2012239420A
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Japanese (ja)
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Noud Jan Gilissen
ヒリッセン,ナウド,ヤン
Agnes Willem Cuijpers Martinus
クイパーズ,マルティヌス,アグネス,ウィレム
Menno Fien
フィエン,メンノ
Anko Jozef Cornelus Sijben
シベン,アンコ,ホゼフ,コルネラス
Martin France Pierre Smeets
スミーツ,マーティン,フランス,ピエール
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ASML Netherlands BV
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ASML Netherlands BV
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Abstract

【課題】ローディング中の基板の曲りを減少させるための措置を取ったサポートを提供する。
【解決手段】物体を支持するように構成されたサポート表面を有する、物体のためのサポートであって、サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあり、延在位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分の平面から突出する。
【選択図】図2
A support is provided that takes measures to reduce bending of a substrate during loading.
A support for an object having a support surface configured to support the object, the support surface including a main portion and a movable portion, the movable portion of the support surface extending in a retracted position and extending. In the retracted position, the movable part of the support surface is substantially in the same plane as the main part of the support surface, and in the extended position, the movable part of the support surface is the main part of the support surface. Projects from the plane of the part.
[Selection] Figure 2

Description

[0001] 本発明は、サポート、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to a support, a lithographic apparatus, and a device manufacturing method.

[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に用いることができる。その場合、ICの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板(例えば、シリコンウェーハ)上のターゲット部分(例えば、ダイの一部、または1つ以上のダイを含む)に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料(レジスト)層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向(「スキャン」方向)にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。   A lithographic apparatus is a machine that applies a desired pattern onto a substrate, usually onto a target portion of the substrate. A lithographic apparatus can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). In that case, a patterning device, also referred to as a mask or a reticle, may be used to generate a circuit pattern formed on an individual layer of the IC. This pattern can be transferred onto a target portion (eg including part of, one, or more dies) on a substrate (eg a silicon wafer). Usually, the pattern is transferred by imaging on a radiation-sensitive material (resist) layer provided on the substrate. In general, a single substrate will contain a network of adjacent target portions that are successively patterned. Known lithographic apparatus include a so-called stepper that irradiates each target portion by exposing the entire pattern onto the target portion at once, and simultaneously scanning the pattern in a certain direction ("scan" direction) with a radiation beam. Also included are so-called scanners that irradiate each target portion by scanning the substrate parallel or antiparallel to this direction. It is also possible to transfer the pattern from the patterning device to the substrate by imprinting the pattern onto the substrate.

[0003] 機械は、比較的高い屈折率を有する液体(例えば、水)が投影システムの最終要素と基板との間の空間を満たすものであってよい。一実施形態では、液体は蒸溜水であるが、別の液体を用いることもできる。別の流体、特に、湿潤流体、非圧縮性流体、および/または、空気より高い屈折率、望ましくは水より高い屈折率を有する流体が適切であり得る。ガスを含まない流体が特に望ましい。これのポイントは、露光放射が液体ではより短い波長を有するためより小さいフィーチャの結像を可能にすることである。(液体の効果は、システムの有効な開口数(NA)を増加させ、かつ焦点深度も増加させるとみなされてもよい。他の液浸液も提案されており、それらは、中に固体粒子(例えば、石英)が浮遊する水またはナノ粒子浮遊物(例えば、10nmまでの最大寸法を有する粒子)を有する液体を含む。浮遊粒子は、それらが浮遊している液体と同様または同じ屈折率を有してもよく、または有さなくてもよい。適切であり得る他の液体としては、芳香族、フッ化炭化水素などの炭化水素および/または水溶液が挙げられる。   [0003] The machine may be such that a liquid (eg, water) having a relatively high refractive index fills the space between the final element of the projection system and the substrate. In one embodiment, the liquid is distilled water, although other liquids can be used. Other fluids, particularly wetting fluids, incompressible fluids, and / or fluids having a refractive index higher than air, desirably higher than water, may be suitable. A gas-free fluid is particularly desirable. The point of this is to allow imaging of smaller features because the exposure radiation has a shorter wavelength in the liquid. (The effect of the liquid may be considered to increase the effective numerical aperture (NA) of the system and also increase the depth of focus. Other immersion liquids have also been proposed, in which solid particles (E.g. quartz) includes liquids with suspended water or nanoparticle suspensions (e.g. particles with a maximum dimension of up to 10 nm), which have the same or the same refractive index as the liquid in which they are suspended. Other liquids that may or may not be suitable include hydrocarbons such as aromatics, fluorinated hydrocarbons, and / or aqueous solutions.

[0004] パターニングデバイスは、回路パターンの代わりに他のパターン(例えば、カラーフィルタパターンまたはドットマトリクス)を生成するために使用されてもよい。パターニングデバイスは、従来のマスクの代わりに、回路または他の適用可能なパターンを生成する個別制御可能素子アレイを含むパターニングアレイを備えてもよい。従来のマスクベースのシステムと比較してそのような「マスクレス」システムの利点は、パターンをより迅速かつより低価格で提供および/または変更することができることである。   [0004] The patterning device may be used to generate other patterns (eg, color filter patterns or dot matrices) instead of circuit patterns. The patterning device may comprise a patterning array that includes an array of individually controllable elements that generate a circuit or other applicable pattern instead of a conventional mask. The advantage of such a “maskless” system compared to conventional mask-based systems is that patterns can be provided and / or modified more quickly and at a lower price.

[0005] したがって、マスクレスシステムは、プログラマブルパターニングデバイス(例えば、空間光変調器、コントラストデバイスなど)を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子アレイを用いて所望のパターン付きビームを形成するように(例えば、電子的または光学的に)プログラミングされる。プログラマブルパターニングデバイスの種類としては、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ(LCD)アレイ、グレーティングライトバルブアレイなどが挙げられる。   [0005] Accordingly, the maskless system includes a programmable patterning device (eg, spatial light modulator, contrast device, etc.). The programmable patterning device is programmed (eg, electronically or optically) to form a desired patterned beam using an array of individually controllable elements. Examples of programmable patterning devices include micromirror arrays, liquid crystal display (LCD) arrays, grating light valve arrays, and the like.

[0006] 本明細書中にその全容が参考として援用されるPCT特許出願公報第WO2010/032224号に開示されるように、従来のマスクの代わりに、モジュレータが、基板の露光領域を所望のパターンに従って変調された複数のビームに露光させるように構成されてよい。投影システムは、変調されたビームを基板上に投影するように構成され、かつ複数のビームを受けるためにレンズアレイを含んでよい。投影システムは、変調されたビームを基板上に投影するように構成され、かつ複数のビームを受けるためにレンズアレイを含んでよい。投影システムは、露光領域の露光中にレンズアレイをモジュレータに対して移動させるように構成されてよい。   [0006] As disclosed in PCT Patent Application Publication No. WO2010 / 032224, which is incorporated herein by reference in its entirety, the modulator replaces the exposure area of the substrate with a desired pattern, instead of a conventional mask. May be configured to expose a plurality of beams modulated in accordance with. The projection system is configured to project the modulated beam onto the substrate and may include a lens array to receive the plurality of beams. The projection system is configured to project the modulated beam onto the substrate and may include a lens array to receive the plurality of beams. The projection system may be configured to move the lens array relative to the modulator during exposure of the exposure area.

[0007] リソグラフィ装置は、極端紫外線(例えば、約5〜20nmの範囲内の波長を有する)を用いる極端紫外線(EUV)装置であってよい。   [0007] The lithographic apparatus may be an extreme ultraviolet (EUV) apparatus that uses extreme ultraviolet light (eg, having a wavelength in the range of about 5-20 nm).

[0008] リソグラフィ装置の一実施形態では、基板は、基板の底部側で基板を保持するロボットによって基板テーブルのサポート表面上にロードされる。実質的に水平のサポート表面上での基板のローディングを容易にするために、複数のピン(以下「eピン」)が基板テーブルに設けられる。例えば、3つのeピンが設けられてよい。eピンは、eピンの上端が基板テーブルより上に延在する延在位置と、eピンの上端が基板テーブルに収縮される収縮位置との間で移動可能である。   [0008] In one embodiment of the lithographic apparatus, the substrate is loaded onto the support surface of the substrate table by a robot that holds the substrate on the bottom side of the substrate. A plurality of pins (hereinafter “e-pins”) are provided on the substrate table to facilitate loading of the substrate on a substantially horizontal support surface. For example, three e pins may be provided. The e-pin is movable between an extended position where the upper end of the e-pin extends above the substrate table and a contracted position where the upper end of the e-pin is contracted to the substrate table.

[0009] 基板テーブル上での基板のローディング中、ロボットは延在位置におけるeピン上に基板をロードする。基板はサポート表面より上方に伸びるeピン上で受け取られるため、基板をeピン上に残してロボットを引く抜くことができる。その後、eピンを収縮位置に移動させて基板をサポート表面上に置くことができる。   [0009] During substrate loading on the substrate table, the robot loads the substrate onto the e-pins in the extended position. Since the substrate is received on an e-pin that extends above the support surface, the robot can be pulled out leaving the substrate on the e-pin. The e-pin can then be moved to the retracted position and the substrate can be placed on the support surface.

[0010] ローディングシーケンス中の基板の形状は、基板の重力沈下によって画定される。基板の下に流れるガス(例えば、空気)の影響などの他の影響も基板の形状に影響を与え得る。基板が基板テーブルに接触している間は最終基板形状を操作する自由が限られている。   [0010] The shape of the substrate during the loading sequence is defined by the gravity sink of the substrate. Other effects, such as the effect of a gas (eg, air) flowing under the substrate, can also affect the shape of the substrate. While the substrate is in contact with the substrate table, the freedom to manipulate the final substrate shape is limited.

[0011] 増大したサイズを有する基板がリソグラフィ装置で扱われる。現在、300mmまでの幅を有する基板サイズがリソグラフィプロセスで使用されている。基板の幅(例えば、直径)を、例えば、直径約450mmに増大することが望ましい。これらのより大きい基板は、より小さい厚さ対幅の比率を有し、結果的に低下した曲げ剛性となる。結果として、基板は、延在位置におけるeピンに対してより大きい重力偏向を有することがあり、これは本質的に、より大きい基板ロードグリッドエラーおよび潜在的なオーバーレイエラーへとも繋がり得る。さらに、eピンは、例えば直径300mmの基板と比較して増加した重量の基板を支持するためにより大きい表面積を有する必要があり得る。これは、基板がサポートにクランプされたときの平坦度の減少へと繋がり得る(なぜなら、その状態では、基板は上記のeピンによって支持されていないからである)。   [0011] A substrate having an increased size is handled in a lithographic apparatus. Currently, substrate sizes having a width of up to 300 mm are used in lithography processes. It is desirable to increase the width (eg, diameter) of the substrate, for example, to a diameter of about 450 mm. These larger substrates have a smaller thickness to width ratio, resulting in reduced bending stiffness. As a result, the substrate may have a greater gravity deflection with respect to e-pins in the extended position, which may in essence lead to larger substrate load grid errors and potential overlay errors. Furthermore, the e-pins may need to have a larger surface area to support an increased weight of the substrate compared to, for example, a 300 mm diameter substrate. This can lead to a decrease in flatness when the substrate is clamped to the support (because in that state the substrate is not supported by the e-pin).

[0012] 例えば、ローディング中の基板の曲りを減少させるための措置を取ったサポートを提供することが望ましい。   [0012] For example, it is desirable to provide a support that takes measures to reduce bending of the substrate during loading.

[0013] 本発明の一態様によると、物体を支持するように構成されたサポート表面を備える、物体のためのサポートが提供される。サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあるように適合され、延在位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分の平面から突出する。   [0013] According to one aspect of the invention, a support for an object is provided comprising a support surface configured to support the object. The support surface includes a main portion and a movable portion, the movable portion of the support surface being movable between a retracted position and an extended position, wherein the movable portion of the support surface is in contact with the main portion of the support surface. Adapted to be in substantially the same plane, in the extended position, the movable part of the support surface protrudes from the plane of the main part of the support surface.

[0014] 本発明の一態様によると、物体のためのサポートであって、物体を支持するように構成されたサポート表面と、上から見て多面形の側面を形成するように配置され、かつ収縮位置と延在位置との間で移動可能である細長可動部分であって、収縮位置では、可動部分の上端がサポート表面の主要部分の平面にあるかまたはそれより低くなるように適合され、延在位置では、可動部分の上端はサポート表面の主要部分の平面から突出する、細長可動部分と、を備える、サポートが提供される。   [0014] According to one aspect of the present invention, a support for an object, disposed to form a support surface configured to support the object, and a multi-sided side surface when viewed from above, and An elongate movable part that is movable between a retracted position and an extended position, wherein the retracted position is adapted such that the upper end of the movable part is at or below the plane of the main part of the support surface; In the extended position, a support is provided comprising an elongate movable portion, the upper end of the movable portion protruding from the plane of the main portion of the support surface.

[0015] 本発明の一態様によると、パターン付き放射ビームをサポート表面によって支持された基板上に投影することを含むデバイス製造方法が提供される。サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあるように適合され、延在位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分の平面から突出する。   [0015] According to one aspect of the invention, there is provided a device manufacturing method that includes projecting a patterned beam of radiation onto a substrate supported by a support surface. The support surface includes a main portion and a movable portion, the movable portion of the support surface being movable between a retracted position and an extended position, wherein the movable portion of the support surface is in contact with the main portion of the support surface. Adapted to be in substantially the same plane, in the extended position, the movable part of the support surface protrudes from the plane of the main part of the support surface.

[0016] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0017] 図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0018] 図2は、一実施形態によるサポートを平面図で概略的に示す。 [0019] 図3は、収縮位置における場合の図2のラインIIIを通る断面図を示す。 [0020] 図4は、延在位置における場合の図2のラインIIIを通る断面図を示す。 [0021] 図5は、図2のラインVを通る断面図を示す。 [0022] 図6は、図2の実施形態の可動部分の一部の詳細な平面図である。 [0023] 図7は、一実施形態の可動部分を示す。 [0024] 図8は、一実施形態によるサポートを平面図で概略的に示す。
[0016] Some embodiments of the invention will now be described, by way of example only, with reference to the accompanying schematic drawings. In these drawings, the same reference numerals indicate corresponding parts.
[0017] Figure 1 depicts a lithographic apparatus according to one embodiment of the invention. [0018] FIG. 2 schematically illustrates a support according to one embodiment in plan view. FIG. 3 shows a cross-sectional view through line III of FIG. 2 when in the retracted position. [0020] FIG. 4 shows a cross-sectional view through line III of FIG. 2 in the extended position. FIG. 5 shows a cross-sectional view through line V of FIG. FIG. 6 is a detailed plan view of a part of the movable part of the embodiment of FIG. [0023] FIG. 7 illustrates a movable part of one embodiment. [0024] FIG. 8 schematically illustrates a support according to one embodiment in plan view.

[0025] 図1は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、
- 放射ビームB(例えば、UV放射またはDUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
- パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されているサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
- 基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結されている基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
- パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSとを備える。
[0025] Figure 1 schematically depicts a lithographic apparatus according to one embodiment of the invention. This device
An illumination system (illuminator) IL configured to condition a radiation beam B (eg UV radiation or DUV radiation);
A support structure (e.g. a mask table) constructed to support the patterning device (e.g. mask) MA and coupled to a first positioner PM configured to accurately position the patterning device according to certain parameters MT)
A substrate table (e.g. a wafer table) constructed to hold a substrate (e.g. resist-coated wafer) W and connected to a second positioner PW configured to accurately position the substrate according to certain parameters ) WT,
A projection system (eg a refractive projection lens system) configured to project a pattern imparted to the radiation beam B by the patterning device MA onto a target portion C (eg comprising one or more dies) of the substrate W; PS.

[0026] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。   [0026] The illumination system includes refractive, reflective, catadioptric, magnetic, electromagnetic, electrostatic, or other types of optical components to induce, shape, or control radiation, Alternatively, various types of optical components such as any combination thereof can be included.

[0027] サポート構造MTは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。   [0027] The support structure MT holds the patterning device in a manner that depends on the orientation of the patterning device, the design of the lithographic apparatus, and other conditions, such as whether or not the patterning device is held in a vacuum environment. The support structure can hold the patterning device using mechanical, vacuum, electrostatic or other clamping techniques. The support structure may be, for example, a frame or table that can be fixed or movable as required. The support structure may ensure that the patterning device is at a desired position, for example with respect to the projection system. Any use of the terms “reticle” or “mask” herein may be considered synonymous with the more general term “patterning device.”

[0028] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。   [0028] The term "patterning device" as used herein refers to any device that can be used to provide a pattern in a cross section of a radiation beam so as to create a pattern in a target portion of a substrate. Should be interpreted widely. It should be noted that the pattern imparted to the radiation beam may not exactly match the desired pattern in the target portion of the substrate, for example if the pattern includes phase shift features or so-called assist features. . Typically, the pattern applied to the radiation beam will correspond to a particular functional layer in a device being created in the target portion, such as an integrated circuit.

[0029] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルLCDパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。   [0029] The patterning device may be transmissive or reflective. Examples of patterning devices include masks, programmable mirror arrays, and programmable LCD panels. Masks are well known in lithography and include mask types such as binary, alternating phase shift, and halftone phase shift, as well as various hybrid mask types. One example of a programmable mirror array uses a matrix array of small mirrors, and each small mirror can be individually tilted to reflect the incoming radiation beam in various directions. The tilted mirror patterns the radiation beam reflected by the mirror matrix.

[0030] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。   [0030] As used herein, the term "projection system" refers to a refractive, reflective, appropriate for the exposure radiation used or for other factors such as the use of immersion liquid or vacuum. It should be construed broadly to encompass any type of projection system including catadioptric, magnetic, electromagnetic, and electrostatic optics, or any combination thereof. Any use of the term “projection lens” herein may be considered as synonymous with the more general term “projection system”.

[0031] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの(例えば、透過型マスクを採用しているもの)である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの(例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの)であってもよい。   [0031] As shown herein, the lithographic apparatus is of a transmissive type (eg employing a transmissive mask). Further, the lithographic apparatus may be of a reflective type (for example, one employing the above-described programmable mirror array or one employing a reflective mask).

[0032] リソグラフィ装置は、2つ以上のテーブル(あるいはステージまたはサポート)、例えば、2つ以上の基板テーブルあるいは1つ以上の基板テーブルおよび1つ以上のセンサまたは測定テーブルの組み合わせを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、または予備工程を1つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の1つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置は、基板、センサおよび/または測定テーブルと同様の方法で並行して使うことができる2つ以上のパターニングデバイス(あるいはステージまたはサポート)を有してよい。   [0032] The lithographic apparatus may be of a type having two or more tables (or stages or supports), for example, two or more substrate tables or a combination of one or more substrate tables and one or more sensors or measurement tables. It may be. In such “multi-stage” machines, additional tables can be used in parallel, or one or more tables are used for exposure while a preliminary process is performed on one or more tables. You can also A lithographic apparatus may have two or more patterning devices (or stages or supports) that can be used in parallel in a manner similar to a substrate, sensor and / or measurement table.

[0033] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体(例えば水)によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間(例えば、マスクと投影システムとの間)に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないというだけを意味するのではなく、露光中、投影システムと基板および/またはマスクとの間に液体を置くことができることを意味するものである。これは、基板のような構造物を液体内に沈めることを含む場合と含まない場合がある。参照符号IMは、液浸技術を行うための装置が配置され得る場所を示す。そのような装置は、液浸液用の供給システムおよび液体を関心領域に含ませるためのシール部材を含んでもよい。そのような装置は、基板テーブルが液浸液によって完全に覆われるように任意的に構成されてよい。   In addition, the lithographic apparatus is of a type that can cover at least a part of a substrate with a liquid (eg, water) having a relatively high refractive index so as to fill a space between the projection system and the substrate. There may be. An immersion liquid may also be added to another space in the lithographic apparatus (eg, between the mask and the projection system). Immersion techniques are well known in the art for increasing the numerical aperture of projection systems. The term “immersion” as used herein does not only mean that a structure, such as a substrate, must be submerged in the liquid, but also during the exposure the projection system and the substrate and / or mask. This means that liquid can be placed between the two. This may or may not include submerging a structure such as a substrate in the liquid. The reference sign IM indicates where an apparatus for performing immersion techniques can be placed. Such an apparatus may include a supply system for immersion liquid and a sealing member for containing liquid in the region of interest. Such an apparatus may optionally be configured such that the substrate table is completely covered by immersion liquid.

[0034] 図1を参照すると、イルミネータILは、放射源SOから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源SOからイルミネータILへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび/またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムBDを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源SOおよびイルミネータILは、必要ならばビームデリバリシステムBDとともに、放射システムと呼んでもよい。   [0034] Referring to FIG. 1, the illuminator IL receives a radiation beam from a radiation source SO. For example, if the radiation source is an excimer laser, the radiation source and the lithographic apparatus may be separate components. In such a case, the radiation source is not considered to form part of the lithographic apparatus, and the radiation beam is directed from the radiation source SO to the illuminator IL, eg, a suitable guiding mirror and / or beam extractor. Sent using a beam delivery system BD that includes a panda. In other cases the source may be an integral part of the lithographic apparatus, for example when the source is a mercury lamp. The radiation source SO and the illuminator IL may be referred to as a radiation system, together with a beam delivery system BD if necessary.

[0035] イルミネータILは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタADを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および/または内側半径範囲(通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる)を調節することができる。さらに、イルミネータILは、インテグレータINおよびコンデンサCOといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。放射源SOと同様に、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一部を形成するとみなしてもよく、あるいは、みなさなくてもよい。例えば、イルミネータILは、リソグラフィ装置の一体部分であってよく、あるいは、リソグラフィ装置とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータILがその上に設置されるように構成されてよい。任意的に、イルミネータILは、取り外し可能であり、かつ別々に(例えば、リソグラフィ装置製造業者または別の供給者によって)設けられてもよい。   [0035] The illuminator IL may include an adjuster AD for adjusting the angular intensity distribution of the radiation beam. In general, at least the outer and / or inner radial extent (commonly referred to as σ-outer and σ-inner, respectively) of the intensity distribution in the illuminator pupil plane can be adjusted. In addition, the illuminator IL may include various other components such as an integrator IN and a capacitor CO. By adjusting the radiation beam using an illuminator, the desired uniformity and intensity distribution can be provided in the cross section of the radiation beam. Like the radiation source SO, the illuminator IL may or may not be considered to form part of the lithographic apparatus. For example, the illuminator IL may be an integral part of the lithographic apparatus or may be a separate component from the lithographic apparatus. In the latter case, the lithographic apparatus may be configured such that the illuminator IL is placed thereon. Optionally, the illuminator IL is removable and may be provided separately (eg, by the lithographic apparatus manufacturer or another supplier).

[0036] 放射ビームBは、サポート構造(例えば、マスクテーブル)MT上に保持されているパターニングデバイス(例えば、マスク)MA上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスMAを通り抜けた後、放射ビームBは投影システムPSを通過し、投影システムPSは、基板Wのターゲット部分C上にビームの焦点をあわせる。第2ポジショナPWおよび位置センサIF(例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ)を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Cを放射ビームBの経路内に位置決めするように、基板テーブルWTを正確に動かすことができる。同様に、第1ポジショナPMおよび別の位置センサ(図1には明示的に示されていない)を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスMAを放射ビームBの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造MTの移動は、第1ポジショナPMの一部を形成するロングストロークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)を使って達成することができる。同様に、基板テーブルWTの移動も、第2ポジショナPWの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は(スキャナとは対照的に)、サポート構造MTは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、パターニングデバイスアライメントマークM1およびM2と、基板アライメントマークP1およびP2とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる(これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である)。同様に、複数のダイがパターニングデバイスMA上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。   [0036] The radiation beam B is incident on the patterning device (eg, mask) MA, which is held on the support structure (eg, mask table) MT, and is patterned by the patterning device. After passing through the patterning device MA, the radiation beam B passes through the projection system PS, which focuses the beam on the target portion C of the substrate W. The substrate table is used, for example, to position various target portions C in the path of the radiation beam B using a second positioner PW and a position sensor IF (eg, interferometer device, linear encoder, or capacitive sensor). The WT can be moved accurately. Similarly, using the first positioner PM and another position sensor (not explicitly shown in FIG. 1), for example after mechanical removal from the mask library or during scanning, the patterning device MA is irradiated with the radiation beam. It is also possible to accurately position with respect to the path B. Usually, the movement of the support structure MT can be achieved using a long stroke module (coarse positioning) and a short stroke module (fine positioning) that form part of the first positioner PM. Similarly, movement of the substrate table WT can also be achieved using a long stroke module and a short stroke module that form part of the second positioner PW. In the case of a stepper (as opposed to a scanner) the support structure MT may be connected only to a short stroke actuator or may be fixed. Patterning device MA and substrate W may be aligned using patterning device alignment marks M1 and M2 and substrate alignment marks P1 and P2. In the example, the substrate alignment mark occupies the dedicated target portion, but the substrate alignment mark can also be placed in the space between the target portion (these are known as scribe line alignment marks). Similarly, if multiple dies are provided on the patterning device MA, the patterning device alignment marks may be placed between the dies.

[0037] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも1つのモードで使用できる。
1.ステップモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一静的露光)。その後、基板テーブルWTは、Xおよび/またはY方向に移動され、それによって別のターゲット部分Cを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Cのサイズが限定される。
2.スキャンモードにおいては、サポート構造MTおよび基板テーブルWTを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分C上に投影する(すなわち、単一動的露光)。サポート構造MTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの(縮小)拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅(非スキャン方向)が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ(スキャン方向)が決まる。
3.別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造MTを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルWTを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分C上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルWTの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0037] The example apparatus can be used in at least one of the modes described below.
1. In step mode, the entire pattern applied to the radiation beam is projected onto the target portion C at once (ie, a single static exposure) while the support structure MT and the substrate table WT remain essentially stationary. Thereafter, the substrate table WT is moved in the X and / or Y direction so that another target portion C can be exposed. In step mode, the maximum size of the exposure field limits the size of the target portion C imaged during a single static exposure.
2. In scan mode, the support structure MT and the substrate table WT are scanned synchronously while a pattern imparted to the radiation beam is projected onto a target portion C (ie, a single dynamic exposure). The speed and direction of the substrate table WT relative to the support structure MT can be determined by the (reduction) magnification factor and image reversal characteristics of the projection system PS. In the scan mode, the maximum size of the exposure field limits the width of the target portion during single dynamic exposure (non-scan direction), while the length of the scan operation determines the height of the target portion (scan direction). Determined.
3. In another mode, with the programmable patterning device held, the support structure MT remains essentially stationary and the substrate table WT is moved or scanned while the pattern attached to the radiation beam is targeted. Project onto part C. In this mode, a pulsed radiation source is typically employed, and the programmable patterning device can also be used after each movement of the substrate table WT or between successive radiation pulses during a scan as needed. Updated. This mode of operation can be readily applied to maskless lithography that utilizes programmable patterning device, such as a programmable mirror array of a type as described above.

[0038] 上述の使用モードの組合せおよび/またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。   [0038] Combinations and / or variations on the above described modes of use or entirely different modes of use may also be employed.

[0039] リソグラフィ装置は基板テーブルWTを備える。図2〜図8にて基板テーブルWTの上部をより詳細に示している。図2は、基板テーブルWTのサポート1の一実施形態の平面図である。サポート1は、物体を支持するように構成されており、リソグラフィ装置の場合は基板Wを支持する。   [0039] The lithographic apparatus comprises a substrate table WT. The upper part of the substrate table WT is shown in more detail in FIGS. FIG. 2 is a plan view of one embodiment of the support 1 of the substrate table WT. The support 1 is configured to support an object, and supports the substrate W in the case of a lithographic apparatus.

[0040] サポート1は、サポート表面20を備える。サポート表面20は、基板テーブルWT上で基板Wを支持するように構成される。サポート表面20は、平面であってもよいが、大量の個別のバール(突出体、図2では黒い点として示している)または本体22の頂面25からサポート高さまで延在する他の物体によって画定されてもよい。突出体は、例えば、約1.5〜3.0mmのピッチを有してよい。基板Wが支持される突出体の頂面は、サポート表面20を画定する。基板Wが基板テーブルWT上に置かれたときに基板Wと接触する表面積を減少させるために突出体が存在する。各接触点は、汚染可能性の源であり、全接触領域を減少させることは、汚染の可能性を減少させる。   The support 1 includes a support surface 20. The support surface 20 is configured to support the substrate W on the substrate table WT. The support surface 20 may be planar, but by a large number of individual bars (projections, shown as black dots in FIG. 2) or other objects extending from the top surface 25 of the body 22 to the support height. It may be defined. The protrusions may have a pitch of about 1.5 to 3.0 mm, for example. The top surface of the protrusion on which the substrate W is supported defines a support surface 20. There are protrusions to reduce the surface area in contact with the substrate W when the substrate W is placed on the substrate table WT. Each contact point is a potential source of contamination, and reducing the total contact area reduces the potential for contamination.

[0041] サポート1は、サポート表面20上の所定領域で基板Wを受けるように構成されている。所定領域は中心30を含む。一実施形態では、中心30は、基板WT上に置かれた基板Wの実質的中心を受け入れる。   The support 1 is configured to receive the substrate W in a predetermined area on the support surface 20. The predetermined area includes the center 30. In one embodiment, the center 30 receives a substantial center of the substrate W placed on the substrate WT.

[0042] 所定領域は、比較的大きい幅またはサイズの基板W、例えば、直径450mmの円形基板を受け入れるように設計されてよい。そのような大きいサイズの基板Wは、小さい厚さ対幅の比率を有し、結果的に低下した曲げ剛性となる。一実施形態では、所定領域は、直径450mmの円形基板とは異なる上から見た形状および/または異なる幅またはサイズの基板を受け入れるように設計されてもよい。   [0042] The predetermined area may be designed to receive a relatively large width or size substrate W, for example a circular substrate having a diameter of 450 mm. Such a large size substrate W has a small thickness to width ratio, resulting in reduced bending stiffness. In one embodiment, the predetermined region may be designed to accept a different top view shape and / or different width or size substrate than a 450 mm diameter circular substrate.

[0043] 特に低下した曲げ剛性を有する基板Wに対しては、3つのeピンのみを用いて基板Wを支持表面20から持ち上げてそこに下ろすことは、基板Wの表面変形に繋がり得る。基板Wのローディング中に引き起こされる表面変形は、基板Wがサポート1にクランプされたときに基板W内のより多くのストレスに繋がり得る。基板Wがサポート1にクランプされたときの基板W内のストレスは、オーバーレイグリッドエラーへと繋がり得る。3つのeピンを用いる基板Wのアンローディング中、基板Wは、その外縁が垂れ下がりやすい。外縁での垂れ下がりは、他のどの箇所よりもサポート表面20の外側領域(例えば、最も外側の突出体)のさらなる磨耗へと繋がり得る。時間とともに、これは、基板Wの縁におけるフォーカスエラーへと繋がり得る。   For a substrate W having a particularly low bending rigidity, lifting the substrate W from the support surface 20 using only three e-pins and lowering the substrate W can lead to surface deformation of the substrate W. Surface deformation caused during loading of the substrate W can lead to more stress in the substrate W when the substrate W is clamped to the support 1. Stress in the substrate W when the substrate W is clamped to the support 1 can lead to overlay grid errors. During unloading of the substrate W using three e-pins, the outer edge of the substrate W tends to hang down. The sagging at the outer edge can lead to further wear of the outer region (eg, the outermost protrusion) of the support surface 20 more than anywhere else. Over time, this can lead to focus errors at the edge of the substrate W.

[0044] より多くのeピンを有するサポート1を提供することが解決策となり得るが、これは、上から見て、突出体の形態を有するサポート表面20が設けられていない場所がより多くサポート1内にあることに繋がり得る(なぜなら、基板Wがサポート1にクランプされたときにeピンに支持されていないからである)。これは、基板Wがサポート1にクランプされたときの基板Wの非平坦性へと繋がり、それによってオーバーレイエラーへと繋がり得る。   [0044] Providing the support 1 with more e-pins may be a solution, but this is more support where the support surface 20 having the form of a protrusion is not provided when viewed from above. 1 (because it is not supported by the e-pin when the substrate W is clamped to the support 1). This can lead to non-planarity of the substrate W when the substrate W is clamped to the support 1, thereby leading to overlay errors.

[0045] 図2の実施形態では、サポート表面20への移動/サポート表面20からの移動中に基板Wを支持するためにeピンより大きな表面積が設けられる。減少させなければ生じるであろう(突出体によって提供される)サポート表面20内のギャップを減少させるために、サポート1の可動部分50は、サポート表面20の可動部分を形成する表面(突出体55の上端)も備える。サポート表面20の可動部分は、サポート1の本体22に対して移動可能である。基板Wは、基板Wのアンローディングおよびローディング中にサポート表面20の可動部分によって支持される。一実施形態では、サポート表面20の可動部分は、結像中、基板Wがさらにサポート表面20の残部によって支持されているときに、基板Wを支持する。サポート表面20の残部はサポート表面の主要部分であり、サポート1の本体22に対して非可動性である。   In the embodiment of FIG. 2, a surface area greater than the e-pin is provided to support the substrate W during movement to / from the support surface 20. In order to reduce the gap in the support surface 20 (provided by the protrusions) that would otherwise occur, the movable part 50 of the support 1 is a surface that forms the movable part of the support surface 20 (protrusion 55). Of the top). The movable part of the support surface 20 is movable relative to the body 22 of the support 1. The substrate W is supported by the movable part of the support surface 20 during unloading and loading of the substrate W. In one embodiment, the movable part of the support surface 20 supports the substrate W when the substrate W is further supported by the rest of the support surface 20 during imaging. The remainder of the support surface 20 is the main part of the support surface and is immobile with respect to the body 22 of the support 1.

[0046] 図3および図4を参照して図示されるように、可動部分50、したがってサポート表面20の可動部分は、本体22に対して移動可能である。可動部分50は、サポート表面20の可動部分がサポート表面20の主要部分の面にあるかまたはそれより低い収縮位置と、サポート表面20の可動部分がサポート表面20の主要部分から突出する延在位置との間で移動可能である。一実施形態では、収縮位置において、可動部分50(すなわち、サポート表面20の可動部分)上の突出体55の上端は、サポート表面20の主要部分(例えば、残部)と実質的に同じ面にある。   [0046] As illustrated with reference to FIGS. 3 and 4, the movable portion 50, and thus the movable portion of the support surface 20, is movable relative to the body 22. The movable portion 50 includes a contracted position where the movable portion of the support surface 20 is at or below the major portion of the support surface 20 and an extended position where the movable portion of the support surface 20 protrudes from the major portion of the support surface 20. It is possible to move between. In one embodiment, in the retracted position, the upper end of the protrusion 55 on the movable portion 50 (ie, the movable portion of the support surface 20) is substantially flush with the main portion (eg, the remainder) of the support surface 20. .

[0047] 図2に示すようなリングの形態を有する可動部分50は、例えば、その外周に沿って等間隔に配置された3つの位置で作動してよい。細長部材57(図5に示す)を用いて可動部分50を3つの個別の箇所で作動させる一方、その個別の箇所の間の可動部分50は四角に近い断面を有する(図5に示すような細長部分57を有さない)。   [0047] The movable part 50 having a ring shape as shown in FIG. 2 may be operated at, for example, three positions arranged at equal intervals along the outer periphery thereof. While the elongate member 57 (shown in FIG. 5) is used to actuate the movable part 50 at three individual locations, the movable part 50 between the individual locations has a cross section close to a square (as shown in FIG. 5). No elongated portion 57).

[0048] 図2に示すように、可動部分50は細長く、上から見て多面形の側面を形成するように配置される。これは、細長くなく、多面形の側面を形成しないが(三角形の)角を形成するeピンとは対照的である。一実施形態では、多面形は少なくとも8つの側面を有しており、円形に近いほど、基板Wに生じる変形が少ない。図2に示すような実施形態では、可動部分50は、実質的に円の形状(すなわち、無限側面形状)で配置される。一実施形態では、可動部分50は、実質的にギャップを有さない完全な形状である。一実施形態では、可動部分50は環状である。利点としては、基板Wの改善されたサポートおよびローディング/アンローディング中の少ない曲がりである。   [0048] As shown in FIG. 2, the movable portion 50 is elongated and is disposed so as to form a multi-sided side as viewed from above. This is in contrast to an e-pin that is not elongated and does not form a polyhedral side, but forms a (triangular) corner. In one embodiment, the polyhedron has at least eight side surfaces, and the closer to a circle, the less deformation that occurs in the substrate W. In the embodiment as shown in FIG. 2, the movable part 50 is arranged in a substantially circular shape (ie, an infinite side shape). In one embodiment, the movable portion 50 is a complete shape that is substantially free of gaps. In one embodiment, the movable part 50 is annular. The advantages are improved support of the substrate W and less bending during loading / unloading.

[0049] 一実施形態では、可動部分50は1つより多い可動部分を含んでよい。例えば、図2の可動部分50は、複数の別々(任意的に、個別)の可動セグメントに分離してもよい。その場合、各可動部分50は、上から見て弧状の形状であってよい。代替的にまたはそれに加えて、少なくとも1つの可動部分は、複数の細長い(例えば、線形)可動部分によって提供されてよい。可動部分50は、以下に説明する図8に図示するようなギャップ59によって分けられてよい。   [0049] In one embodiment, the movable part 50 may include more than one movable part. For example, the movable portion 50 of FIG. 2 may be separated into a plurality of separate (optionally separate) movable segments. In that case, each movable part 50 may have an arc shape when viewed from above. Alternatively or in addition, the at least one movable part may be provided by a plurality of elongated (eg, linear) movable parts. The movable part 50 may be separated by a gap 59 as illustrated in FIG. 8 described below.

[0050] 一実施形態では、中心30に対する可動部分50の半径方向位置は、基板Wの最良のサポートおよび自重による最小の曲りに対して選択される。一実施形態では、可動部分50より内側のサポート表面20の領域のサイズは、可動部分50の外側のサポート領域20の領域のサイズと実質的に同等である。このルールからいくらかの変更は可能であるが、変更は少ないほど良い。例えば、内側および外側の領域は、互いの20%以内であり、望ましくは互いの10%以内、さらに望ましくは5%以内である。   [0050] In one embodiment, the radial position of the movable part 50 relative to the center 30 is selected for the best support of the substrate W and the minimum bend due to its own weight. In one embodiment, the size of the area of the support surface 20 inside the movable part 50 is substantially equal to the size of the area of the support area 20 outside the movable part 50. Some changes from this rule are possible, but the fewer changes are better. For example, the inner and outer regions are within 20% of each other, desirably within 10% of each other, and more desirably within 5%.

[0051] 一実施形態では、可動部分50のサイズおよび重さを減少または最小にするために、可動部分50は、図2に示すように、1つのバール(突出体55)のみの幅の可動表面を有する。しかしながら、単一のバールの幅は基板Wを十分に支持するために足りない場合があり、一実施形態では、可動部分50の幅(半径方向)は少なくとも2つのバール(突出体55)の幅であってよい。一実施形態では、可動部分50は半径方向における5つまたはそれより少ないバールの幅である。バールが5つより多い場合、可動部分50のサイズおよび重さは、可動部分50を移動させるためのメカニズムが基板テーブルWT内にうまく収容されない場合があるほど大きくなり得る。   [0051] In one embodiment, in order to reduce or minimize the size and weight of the movable part 50, the movable part 50 is movable with a width of only one bar (projection 55), as shown in FIG. Having a surface. However, the width of a single bar may not be sufficient to fully support the substrate W, and in one embodiment, the width (radial) of the movable portion 50 is the width of at least two bars (projections 55). It may be. In one embodiment, the movable portion 50 is 5 or less bar wide in the radial direction. If there are more than five bars, the size and weight of the movable part 50 can be so large that the mechanism for moving the movable part 50 may not be well accommodated in the substrate table WT.

[0052] 一実施形態では、サポート表面20の上から見た全領域と比較して可動部分50の上から見た領域は、少なくとも0.3%、少なくとも0.5%または少なくとも0.8%である。したがって、サポートの領域は、当該技術分野のものよりかなり大きい(当該技術分野におけるeピンは、サポート表面20の領域の約0.1%の領域を有する)。結果的に、変形はかなり少なくなり得る。   [0052] In one embodiment, the area seen from above the movable part 50 compared to the entire area seen from above the support surface 20 is at least 0.3%, at least 0.5% or at least 0.8%. It is. Thus, the area of support is significantly larger than that of the art (e-pins in the art have an area of about 0.1% of the area of support surface 20). As a result, deformation can be significantly reduced.

[0053] 一実施形態では、直径300mmの基板に対して、可動部分50は、直径170mm+/−40mmを有するだろう。直径450mmの基板に対して、可動部分50は、直径約255mm+/−50mmを有するだろう。可動部分50は、幅約5mm(一般的に、幅2mm〜20mm)となるであろう。   [0053] In one embodiment, for a 300 mm diameter substrate, the movable part 50 will have a diameter of 170 mm +/- 40 mm. For a 450 mm diameter substrate, the movable part 50 will have a diameter of about 255 mm +/− 50 mm. The movable part 50 will be about 5 mm wide (generally 2 mm to 20 mm wide).

[0054] 図3は、上端(突出体55(またはサポート表面の可動部分)の上端)が基板Wを支持する収縮状態にある可動部分50を示している。可動部分50の上端は、サポート表面20の可動部分を含む。   FIG. 3 shows the movable part 50 in a contracted state in which the upper end (the upper end of the protrusion 55 (or the movable part of the support surface)) supports the substrate W. The upper end of the movable part 50 includes the movable part of the support surface 20.

[0055] 一実施形態では、複数の可動部分50は、個別に作動できる。一実施形態では、複数の可動部分50は一緒に作動する。一実施形態では、複数の可動部分50は、中心30から同じ半径方向距離に位置決めされる。   [0055] In one embodiment, the plurality of movable parts 50 can be actuated individually. In one embodiment, the plurality of movable parts 50 operate together. In one embodiment, the plurality of movable parts 50 are positioned at the same radial distance from the center 30.

[0056] 一実施形態では、収縮位置における可動部分50の位置は受動的に制御される。例えば、一実施形態では、可動部分50の位置は、(例えば、図3に示すようなシール60によって)可動部分50と本体22との間の接合部によって制御され、それによって、可動部分50の上面はサポート表面20と実質的に同一平面にある。   [0056] In one embodiment, the position of the movable part 50 in the retracted position is passively controlled. For example, in one embodiment, the position of the movable part 50 is controlled by a joint between the movable part 50 and the body 22 (eg, by a seal 60 as shown in FIG. 3), thereby allowing the movable part 50 to move. The top surface is substantially flush with the support surface 20.

[0057] 一実施形態では、可動部材50の位置は、収縮位置で能動的に制御される。一実施形態では、その目的のために、位置決めデバイス、センサおよびコントローラが提供される。例えば、能動サーボ位置決めを用いて可動部分50の位置を制御することができ、それによって、その頂面は、サポート表面20と実質的に同じ平面にある。一実施形態では、能動制御は、圧電素子との可動部分50の接合部(例えば、シール60)によって達成される。   [0057] In one embodiment, the position of the movable member 50 is actively controlled in the retracted position. In one embodiment, a positioning device, sensor and controller are provided for that purpose. For example, active servo positioning can be used to control the position of the movable part 50 so that its top surface is substantially in the same plane as the support surface 20. In one embodiment, active control is achieved by a joint (eg, a seal 60) of the movable part 50 with the piezoelectric element.

[0058] 一実施形態では、可動部分50は、本体22と同じ材料からなる。一実施形態では、可動部分50の材料はSiSiCである。   In one embodiment, the movable part 50 is made of the same material as the body 22. In one embodiment, the material of the movable part 50 is SiSiC.

[0059] 図4では、可動部分50は、基板Wのローディングまたはアンローディング中の延在位置にある。この位置では、基板Wはサポート表面20の可動部分によってのみ支持される。   In FIG. 4, the movable part 50 is in an extended position during loading or unloading of the substrate W. In this position, the substrate W is supported only by the movable part of the support surface 20.

[0060] 一実施形態では、可動部分50には、可動部分50を熱調整するために1つ以上のヒータおよび/またはクーラが設けられてよい。図3から分かるように、可動部分50は、サポート1(すなわち、本体22)の残部から離される。したがって、可動部分50は、サポート1の残部から熱的に離される。結果的に、可動部材50は、サポート1の残部とは異なる温度を有し得る。これは、サポート表面20の可動部分を通る基板Wへの望ましくない熱伝達/基板Wからの望ましくない熱伝達へと繋がり、それによって基板Wの局所的加熱または冷却へと繋がり得る。基板Wのそのような局所的加熱または冷却は、オーバーレイエラーへと繋がり得る。一実施形態では、1つ以上のヒータおよび/またはクーラが可動部分50に設けられる。1つ以上のヒータおよび/またはクーラは、可動部分50の温度をサポート1の残部(例えば、本体22)の温度と実質的に同等の温度に持ってくるために可動部分50に対する熱負荷を加える/除去するように制御される。このように、サポート表面20の可動部分を通る熱伝達を介して達成される局所的な加熱/冷却の影響を減少させ、最小にするか、あるいは、回避することもできる。一実施形態では、同じ目的のために、温度調節された流体が中を通る通路のための導管が可動部分50に設けられる。   [0060] In one embodiment, the movable part 50 may be provided with one or more heaters and / or coolers to thermally regulate the movable part 50. As can be seen from FIG. 3, the movable part 50 is separated from the rest of the support 1 (ie the body 22). Therefore, the movable part 50 is thermally separated from the rest of the support 1. As a result, the movable member 50 can have a different temperature than the rest of the support 1. This can lead to undesired heat transfer to / from the substrate W through the movable part of the support surface 20, thereby leading to local heating or cooling of the substrate W. Such local heating or cooling of the substrate W can lead to overlay errors. In one embodiment, one or more heaters and / or coolers are provided on the movable part 50. One or more heaters and / or coolers apply a thermal load to the movable part 50 to bring the temperature of the movable part 50 to a temperature substantially equal to the temperature of the rest of the support 1 (eg, the body 22). Controlled to remove. In this way, the local heating / cooling effect achieved through heat transfer through the movable part of the support surface 20 can be reduced, minimized or avoided. In one embodiment, for the same purpose, a conduit is provided in the movable part 50 for a passage through which the temperature-controlled fluid passes.

[0061] サポート1は、サポート表面20上の適切な位置に基板をクランプしてよい。これは、どのような方法で行われてもよい。図3の実施形態は、これが真空を用いてどのように達成することができるかを示す。基板Wと、突出体と、サポート1の本体22の上面25との間の空間に負圧が生成される。可動部分50はサポート1の本体22とは別個のため、可動部分50と本体22との間のギャップは、可動部分50が収縮位置にあるときに密閉される。これは、可動部分50と本体22との間に、一方または他方に貼り付けられるシール60を与えることによって達成することができる。シール60は非接触シールであってもよい。非接触シールとは、収縮位置においてもシール60と可動部分50との間に小さなギャップ(数μm)があることを意味する。シール60は、基板Wと本体の頂面25との間に負圧が形成されて維持することができるように、可動部分50と本体22との間にガス通路に対する抵抗力を提供する。シール60と可動部分50との距離は小さく保たれ(1または2μm程度)、これは、適切なレベルの真空が基板Wと本体22の頂面25とバールとの間の空間でもまだ達成できることを確実にするために役立つ。非接触性シール60は、可動部分50上の位置を強要しないおよび/または汚染感度を最小にするという利点を有する。接触性シールの汚染は、可動部分50の位置の不正確さへと繋がり得る。   [0061] The support 1 may clamp the substrate in a suitable position on the support surface 20. This may be done in any way. The embodiment of FIG. 3 shows how this can be achieved using a vacuum. A negative pressure is generated in a space between the substrate W, the protrusion, and the upper surface 25 of the main body 22 of the support 1. Since the movable part 50 is separate from the body 22 of the support 1, the gap between the movable part 50 and the body 22 is sealed when the movable part 50 is in the retracted position. This can be accomplished by providing a seal 60 that is affixed to one or the other between the movable part 50 and the body 22. The seal 60 may be a non-contact seal. The non-contact seal means that there is a small gap (several μm) between the seal 60 and the movable part 50 even in the contracted position. The seal 60 provides a resistance to the gas path between the movable part 50 and the body 22 so that a negative pressure can be created and maintained between the substrate W and the top surface 25 of the body. The distance between the seal 60 and the movable part 50 is kept small (on the order of 1 or 2 μm), which means that an adequate level of vacuum can still be achieved in the space between the substrate W and the top surface 25 of the body 22 and the bar. Help to ensure. Non-contact seal 60 has the advantage of not imposing position on the movable part 50 and / or minimizing contamination sensitivity. Contamination of the contact seal can lead to inaccuracies in the position of the movable part 50.

[0062] サポート1が静電クランプである場合、シール60が設けられる必要はないが、可動部分50のための位置決めフィーチャ(受動的または能動的)としてシールが存在し得る。クランピングの均一性および/またはローディングおよびアンローディング中のクランピングを確実にするために可動部分50と基板Wとの間に静電クランプ力を存在させるために役立つことが望ましい場合がある。これは、本体22のあらゆる箇所でも同じように達成することができる。これがどのように達成されるかの例を図7に示す。   [0062] If the support 1 is an electrostatic clamp, the seal 60 need not be provided, but there may be a seal as a positioning feature (passive or active) for the movable part 50. It may be desirable to help to provide an electrostatic clamping force between the movable part 50 and the substrate W to ensure clamping uniformity and / or clamping during loading and unloading. This can be accomplished in the same way everywhere on the body 22. An example of how this is achieved is shown in FIG.

[0063] 可動部分50が延在位置または他のあらゆる位置にあるときに基板Wと可動部分50との間にクランプ力が加えられることが望ましい場合がある。さらに、上記したように、特にサポート1が静電クランプサポートである場合に可動部分50が収縮位置にあったときでさえも、可動部分50と基板Wとの間に力が加えられることが有意であり得る。この場合、図7に示すように可動部分50と基板Wとの間の力を達成する方法は、可動部分50の収縮位置および延在位置の両方およびその2つの位置の間のあらゆる位置で使用することができる。   [0063] It may be desirable for a clamping force to be applied between the substrate W and the movable part 50 when the movable part 50 is in the extended position or any other position. Further, as described above, it is significant that a force is applied between the movable part 50 and the substrate W even when the movable part 50 is in the contracted position, particularly when the support 1 is an electrostatic clamp support. It can be. In this case, the method of achieving the force between the movable part 50 and the substrate W as shown in FIG. 7 is used at both the contracted and extended positions of the movable part 50 and any position between the two positions. can do.

[0064] 図5および図6は、真空クランプに対して延在位置(および他のあらゆる位置)における可動部分50と基板Wとの間にクランプ力を加えることができる方法を示す。これは、可動部分50上に隆起70を設けることによって達成される。隆起70は、サポート表面20の可動部分(すなわち、突出体55の上部)より低い上面を有する。このような方法で、隆起70と基板Wとの間に接触はない。開口部71が、隆起70によって囲われた領域と流体接触して設けられる。真空源、例えば、可動部分50の本体に形成されたチャンバ72は、細長部材57内の導管73を通って負圧源に接続される。このような方法で、隆起70と基板Wとの間の負圧を生成して基板Wを可動部分50に引き寄せることができる。図2に示しかつ図6にさらに詳細に示すように、隆起70がバール(突出体)の代わりに存在することがあり、バールは隆起70が存在しない場合にその場所に存在する。この理由のため、多面形の周りに少しの隆起70のみしか設けられない場合がある。隆起70は、汚染とそれによってもたらされ得る非平坦性を避けるために基板Wと接触しない。細長部材57(例えば、3つなど、可動部分50の外周にいくつかある)を用いて可動部分50を移動させるとともに導管73を提供する。   FIGS. 5 and 6 illustrate how a clamping force can be applied between the movable part 50 and the substrate W in the extended position (and any other position) relative to the vacuum clamp. This is accomplished by providing a ridge 70 on the movable part 50. The ridge 70 has a lower upper surface than the movable part of the support surface 20 (ie, the upper portion of the protrusion 55). In this way, there is no contact between the ridge 70 and the substrate W. An opening 71 is provided in fluid contact with the region enclosed by the ridge 70. A vacuum source, such as a chamber 72 formed in the body of the movable part 50, is connected to a negative pressure source through a conduit 73 in the elongated member 57. In this way, a negative pressure between the ridge 70 and the substrate W can be generated to draw the substrate W toward the movable part 50. As shown in FIG. 2 and in more detail in FIG. 6, a ridge 70 may be present instead of a bar (protrusion), and the bar is present in the place where the ridge 70 is not present. For this reason, only a few ridges 70 may be provided around the polyhedron. The ridges 70 do not contact the substrate W to avoid contamination and the non-planarity that can be caused thereby. An elongate member 57 (e.g., three, some on the outer periphery of the movable part 50) is used to move the movable part 50 and provide a conduit 73.

[0065] 図7は、静電サポート1内の可動部分50と基板Wとの間にどのように引力が提供され得るかを示している。この実施形態では、電極80が可動部分50内で誘電体層82と絶縁体層84との間に設けられる。電極80は、基板Wと電極80との間にクランプ力が生成されるように正の電圧または負の電圧を有してよく、それによって、基板Wを可動部分50上に引き寄せる。   FIG. 7 shows how attractive force can be provided between the movable part 50 in the electrostatic support 1 and the substrate W. In this embodiment, the electrode 80 is provided between the dielectric layer 82 and the insulator layer 84 in the movable part 50. The electrode 80 may have a positive or negative voltage so that a clamping force is generated between the substrate W and the electrode 80, thereby drawing the substrate W onto the movable part 50.

[0066] 一実施形態では、基板Wと可動部分50との間のクランプ力が基板Wのローディングおよびアンローディング中に加えられる。クランプ力を起動/停止するためにコントローラ100が設けられてよい。   [0066] In one embodiment, a clamping force between the substrate W and the movable part 50 is applied during loading and unloading of the substrate W. A controller 100 may be provided to activate / deactivate the clamping force.

[0067] 図8は、以下に記載すること以外は図2の実施形態と同じである実施形態を示す。図2および図8の実施形態の間の全てのまたは一部のみの違いが実施されている実施形態が可能である。   [0067] FIG. 8 shows an embodiment that is the same as the embodiment of FIG. 2 except as described below. Embodiments where all or only some differences between the embodiments of FIGS. 2 and 8 are implemented are possible.

[0068] 一実施形態では、複数の1つ以上のさらなる可動部分150が提供されてよい。可動部分150は、収縮位置では基板Wと接触しないという観点からeピンと同じであるか、または、上記の可動部分50と同じであってもよい。一実施形態では、さらなる可動部分150は、複数の別個の可動部分150である。さらなる可動部分150は、可動部分50の半径方向内向き、半径方向外向きまたはその両方に位置決めされてよい。   [0068] In one embodiment, a plurality of one or more additional movable parts 150 may be provided. The movable part 150 may be the same as the e-pin from the viewpoint of not contacting the substrate W in the contracted position, or may be the same as the movable part 50 described above. In one embodiment, the additional movable part 150 is a plurality of separate movable parts 150. The further movable part 150 may be positioned radially inwardly, radially outwardly or both of the movable part 50.

[0069] 一実施形態では、複数の可動部分50がある。可動部分50は細長くてもよい。図8に示すように、一実施形態では、複数の可動部分50は、多面形の側面を形成してよい。複数の可動部分50は、その形状のセグメントを形成してよい。隣接する可動部分50の間にギャップ59があってもよい。ギャップ59の存在が基板Wの曲りという結果にならないためには、一実施形態では、多面形の隣接する可動部分50の間のギャップ59の全長は、上から見て複数の可動部分50によって形成される多面形の外周のうちの50%より少ない。   [0069] In one embodiment, there are a plurality of movable parts 50. The movable part 50 may be elongated. As shown in FIG. 8, in one embodiment, the plurality of movable parts 50 may form a polyhedral side. The plurality of movable parts 50 may form segments of that shape. There may be a gap 59 between adjacent movable parts 50. In order for the presence of the gap 59 not to result in the bending of the substrate W, in one embodiment, the total length of the gap 59 between adjacent movable parts 50 in a polyhedral shape is formed by a plurality of movable parts 50 when viewed from above. Less than 50% of the polyhedral perimeter to be done.

[0070] サポート1は、基板テーブルWTの一部を形成してよい。そのような基板テーブルWTは、リソグラフィ装置、例えば、投影リソグラフィ装置で使用されてよい。   [0070] The support 1 may form part of the substrate table WT. Such a substrate table WT may be used in a lithographic apparatus, for example a projection lithographic apparatus.

[0071] 本発明の一実施形態によるサポート1を備えるリソグラフィ装置は、基板をサポート1にロードおよび/またはアンロードする基板ハンドラ600を備えてよい。そのような基板ハンドラ600は、下から基板Wを支持する2つのアームを有してよい。アームは、基板Wがサポートにロードされたときに可動部分50の外側にある領域で基板Wを支持することができる。それに加えてまたは代替的に、基板ハンドラ600の1つ以上のアームは、可動部分50の位置と同等またはそれ以下の半径の位置で基板Wを支持することができる。これは、図8の実施形態において、基板ハンドラ600のアームがギャップ59を通って可動部分50と可動部分50との間に挿入することができた場合、および/または、1つ以上の可動部分50が延在位置から移動して基板Wの下のアームを適切な位置に置くことができた場合に達成することができる。   [0071] A lithographic apparatus comprising a support 1 according to an embodiment of the invention may comprise a substrate handler 600 for loading and / or unloading a substrate onto the support 1. Such a substrate handler 600 may have two arms that support the substrate W from below. The arm can support the substrate W in a region outside the movable part 50 when the substrate W is loaded on the support. In addition or alternatively, one or more arms of the substrate handler 600 can support the substrate W at a radius that is equal to or less than the position of the movable portion 50. This is the case in the embodiment of FIG. 8 if the arm of the substrate handler 600 can be inserted between the movable part 50 and the movable part 50 through the gap 59 and / or one or more movable parts. This can be achieved when the 50 is moved from the extended position and the lower arm of the substrate W can be put in place.

[0072] 一実施形態では、基板ハンドラ600は基板を上から扱うことができる。一実施形態では、基板ハンドラ600は、基板を上から基板の端部で扱うことができる。一実施形態では、基板ハンドラ600の保持機構は、基板Wのエッジに沿って基板Wを支持するように配置された複数のブラケットを備えることができる。そのような実施形態では、ブラケットは、基板Wを取り出しかつ取り外すために外向きおよび内向きに移動するように配置されてよい。そのような変位を可能にするために、ホルダには、圧電または電磁アクチュエータなどの1つ以上のアクチュエータが設けられてよい。そのような実施形態は、本明細書中にその全容が参考として援用される、2011年10月27日に出願された米国特許出願第US61/552,282号に記載されている。   [0072] In one embodiment, the substrate handler 600 can handle a substrate from above. In one embodiment, the substrate handler 600 can handle the substrate from the top at the edge of the substrate. In one embodiment, the holding mechanism of the substrate handler 600 may comprise a plurality of brackets arranged to support the substrate W along the edge of the substrate W. In such an embodiment, the bracket may be arranged to move outward and inward to remove and remove the substrate W. In order to allow such displacement, the holder may be provided with one or more actuators, such as piezoelectric or electromagnetic actuators. Such embodiments are described in US Patent Application No. US 61 / 552,282, filed Oct. 27, 2011, which is hereby incorporated by reference in its entirety.

[0073] 一態様では、物体を支持するように構成されたサポート表面を含む物体のためのサポートが提供される。サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分はサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあるように適合され、延在位置では、サポート表面の可動部分はサポート表面の主要部分の平面から突出する。   [0073] In one aspect, a support for an object is provided that includes a support surface configured to support the object. The support surface includes a main portion and a movable portion, the movable portion of the support surface being movable between a retracted position and an extended position, wherein the movable portion of the support surface is in contact with the main portion of the support surface. Adapted to be in substantially the same plane, in the extended position, the movable part of the support surface protrudes from the plane of the main part of the support surface.

[0074] 一実施形態では、サポート表面の可動部分は可動部分の上端である。   [0074] In one embodiment, the movable part of the support surface is the upper end of the movable part.

[0075] 一実施形態では、サポート表面の可動部分は、上から見て多面形の側面を形成するように配置される。   [0075] In one embodiment, the movable parts of the support surface are arranged to form a multi-sided side as viewed from above.

[0076] 一態様では、物体のためのサポートであって、物体を支持するように構成されたサポート表面と、上から見て多面形の側面を形成するように配置され、かつ収縮位置と延在位置との間で移動可能である細長可動部分であって、収縮位置では、可動部分の上端がサポート表面の主要部分の平面にあるかまたはそれより低くなるように適合され、延在位置では、可動部分の上端がサポート表面の主要部分の平面から突出する、細長可動部分とを含む、サポートが提供される。   [0076] In one aspect, a support for an object, disposed to form a support surface configured to support the object, and a multi-sided side view from above, and in a contracted position and extended. An elongate movable part that is movable between a position and in the retracted position, the upper end of the movable part is adapted to be at or below the plane of the main part of the support surface, and in the extended position A support is provided that includes an elongate movable part, the upper end of the movable part protruding from the plane of the main part of the support surface.

[0077] 一実施形態では、収縮位置において、可動部分の上端は、サポート表面の可動部分を形成し、かつサポート表面の残部を含むサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあるように適合される。   [0077] In one embodiment, in the retracted position, the upper end of the movable part is adapted to form a movable part of the support surface and to be substantially in the same plane as the main part of the support surface including the rest of the support surface Is done.

[0078] 一実施形態では、多面形は少なくとも8つの側面を備える。   [0078] In one embodiment, the polyhedron comprises at least eight sides.

[0079] 一実施形態では、多面形は実質的に円形である。   [0079] In one embodiment, the polyhedron is substantially circular.

[0080] 一実施形態では、多面形は実質的にギャップレスの完全形状である。   [0080] In one embodiment, the polyhedron is a substantially gapless full shape.

[0081] 一実施形態では、多面形は複数の可動セグメントによって形成される。   [0081] In one embodiment, the polyhedron is formed by a plurality of movable segments.

[0082] 一実施形態では、セグメントはギャップによって分けられ、隣接するセグメント間のギャップの長さの合計は多面形の外周の50%より少ない。   [0082] In one embodiment, the segments are separated by gaps, and the total gap length between adjacent segments is less than 50% of the perimeter of the polyhedron.

[0083] 一実施形態では、各可動部分は、上から見て弧状の形状である。   [0083] In one embodiment, each movable part has an arcuate shape when viewed from above.

[0084] 一実施形態では、サポート表面は個別の突出体の複数の上端から形成される。   [0084] In one embodiment, the support surface is formed from a plurality of upper ends of individual protrusions.

[0085] 一実施形態では、可動部分は、突出体5つの幅より小さく、突出体3つの幅より小さく、突出体2つの幅より小さく、または突出体1つの幅である。   [0085] In one embodiment, the movable part is smaller than the width of the five protrusions, smaller than the width of the three protrusions, smaller than the width of the two protrusions, or one width of the protrusion.

[0086] 一実施形態では、可動部分は突出体より低い隆起を備える。   [0086] In one embodiment, the movable part comprises a lower ridge than the protrusion.

[0087] 一実施形態では、サポートは、隆起に囲われた領域と流体連結しかつ負圧源と接続可能である導管をさらに備える。   [0087] In one embodiment, the support further comprises a conduit that is in fluid communication with the region surrounded by the ridge and is connectable to a negative pressure source.

[0088] 一実施形態では、上から見て可動部分は細長い。   [0088] In one embodiment, the movable part is elongated when viewed from above.

[0089] 一実施形態では、可動部分はサポート表面の中心から一定の半径方向距離で位置決めされる。   [0089] In one embodiment, the movable part is positioned at a constant radial distance from the center of the support surface.

[0090] 一実施形態では、可動部分は、可動部分に囲われたサポート表面の領域のサイズが可動部分に囲われていないサポート表面の領域のサイズの20%以内であるように位置決めされる。   [0090] In one embodiment, the movable part is positioned such that the size of the area of the support surface enclosed by the movable part is within 20% of the size of the area of the support surface not enclosed by the movable part.

[0091] 一実施形態では、上から見た可動部分の領域は、上から見たサポート表面の領域の少なくとも0.3%、上から見たサポート表面の領域の少なくとも0.5%または上から見たサポート表面の領域の少なくとも0.8%である。   [0091] In one embodiment, the area of the movable part viewed from above is at least 0.3% of the area of the support surface viewed from above, at least 0.5% of the area of the support surface viewed from above or from above. At least 0.8% of the area of the support surface seen.

[0092] 一実施形態では、サポートは、可動部分が収縮位置にあるときに可動部分とサポート表面との間のガスの通過に抵抗するためのシールをさらに備える。   [0092] In one embodiment, the support further comprises a seal for resisting the passage of gas between the movable part and the support surface when the movable part is in the retracted position.

[0093] 一実施形態では、サポートは、可動部分を加熱および/または冷却するヒータおよび/またはクーラをさらに備える。   [0093] In one embodiment, the support further comprises a heater and / or cooler that heats and / or cools the movable part.

[0094] 一実施形態では、サポートは、可動部分とは異なるサポート表面の中心からの半径方向距離に位置決めされたさらなる可動部分をさらに備える。   [0094] In one embodiment, the support further comprises a further movable part positioned at a radial distance from the center of the support surface that is different from the movable part.

[0095] 一実施形態では、サポートは、負圧を用いて物体をサポート表面にクランプさせるように構成される。   [0095] In one embodiment, the support is configured to clamp the object to the support surface using negative pressure.

[0096] 一実施形態では、サポートは、静電力を用いて物体をサポート表面にクランプさせるように構成される。   [0096] In one embodiment, the support is configured to clamp the object to the support surface using electrostatic forces.

[0097] 一実施形態では、サポートは、リソグラフィ装置内の基板を支持するように構成される。   [0097] In an embodiment, the support is configured to support a substrate in the lithographic apparatus.

[0098] 一実施形態では、サポートは、収縮位置にあるときの可動部分を能動的に位置決めするように構成されたコントローラをさらに備える。   [0098] In one embodiment, the support further comprises a controller configured to actively position the movable part when in the retracted position.

[0099] 一態様では、上記したサポートを含むリソグラフィ装置が提供される。   [0099] In one aspect, a lithographic apparatus is provided that includes the support described above.

[00100] 一実施形態では、リソグラフィ装置は、サポート表面上の物体を位置決めするハンドラをさらに備える。   [00100] In an embodiment, the lithographic apparatus further comprises a handler for positioning an object on the support surface.

[00101] 一実施形態では、ハンドラは上方から前記物体を掴むように配置される。   [00101] In one embodiment, the handler is arranged to grab the object from above.

[00102] 一実施形態では、ハンドラは前記物体をその端部にて掴むように構成される。   [00102] In one embodiment, the handler is configured to grip the object at its end.

[00103] 一態様では、パターン付き放射ビームをサポート表面によって支持された基板上に投影することを含むデバイス製造方法が提供される。サポート表面は、主要部分および可動部分を備え、サポート表面の可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、収縮位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分と実質的に同じ平面にあるように適合され、延在位置では、サポート表面の可動部分がサポート表面の主要部分の平面から突出する。   [00103] In one aspect, a device manufacturing method is provided that includes projecting a patterned beam of radiation onto a substrate supported by a support surface. The support surface comprises a main part and a movable part, the movable part of the support surface being movable between a retracted position and an extended position, wherein the movable part of the support surface is separated from the main part of the support surface. Adapted to be in substantially the same plane, in the extended position, the movable part of the support surface protrudes from the plane of the main part of the support surface.

[00104] 本明細書において、IC製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック(通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール)、メトロロジーツール、および/またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ICを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。   [00104] Although specific reference is made herein to the use of a lithographic apparatus in IC manufacturing, the lithographic apparatus described herein is an integrated optical system, a guidance pattern and a detection pattern for a magnetic domain memory, It should be understood that other applications such as the manufacture of flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads and the like may be had. As will be appreciated by those skilled in the art, in such other applications, the terms “wafer” or “die” as used herein are all more general “substrate” or “target” respectively. It may be considered synonymous with the term “part”. The substrate described herein can be used, for example, before or after exposure, such as a track (usually a tool for applying a resist layer to the substrate and developing the exposed resist), a metrology tool, and / or an inspection tool. May be processed. Where applicable, the disclosure herein may be applied to substrate processing tools such as those described above and other substrate processing tools. Further, since the substrate may be processed multiple times, for example, to make a multi-layer IC, the term substrate as used herein may refer to a substrate that already contains multiple processing layers.

[00105] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。   [00105] While specific reference has been made to the use of embodiments of the present invention in the context of optical lithography as described above, it will be appreciated that the present invention may be used in other applications, such as imprint lithography. However, it is not limited to optical lithography if the situation permits. In imprint lithography, the topography within the patterning device defines the pattern that is created on the substrate. The topography of the patterning device is pressed into a resist layer supplied to the substrate, whereupon the resist is cured by electromagnetic radiation, heat, pressure, or a combination thereof. The patterning device is moved out of the resist leaving a pattern in it after the resist is cured.

[00106] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線(UV)(例えば、436nm、405nm、365nm、355nm、248nm、193nm、157nm、または126nmの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する)、および極端紫外線(EUV)(例えば、5〜20nmの範囲の波長を有する)、ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。   [00106] The terms "radiation" and "beam" as used herein refer to ultraviolet (UV) (eg, wavelengths of 436 nm, 405 nm, 365 nm, 355 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, or 126 nm, or approximately these And all kinds of electromagnetic radiation including extreme ultraviolet (EUV) (e.g. having a wavelength in the range of 5-20 nm), and particle beams such as ion beams and electron beams. .

[00107] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の実施形態は、上記に開示した方法を表す1つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体(例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク)の形態であってもよい。さらに、機械読取可能命令は、2つ以上のコンピュータプログラムで実施可能である。2つ以上のコンピュータプログラムは、1つ以上の異なるメモリおよび/またはデータ記憶媒体に格納されてよい。   [00107] While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described. For example, embodiments of the invention may be in the form of a computer program that includes a sequence of one or more machine-readable instructions that represent the methods disclosed above, or a data storage medium (eg, a semiconductor) that stores such a computer program. It may be in the form of a memory, magnetic disk or optical disk. Further, the machine readable instructions can be implemented by two or more computer programs. Two or more computer programs may be stored in one or more different memories and / or data storage media.

[00108] 本発明の一実施形態は、直径300mm、450mmまたは他のあらゆるサイズの直径を有する基板に適用されてよい。   [00108] One embodiment of the invention may be applied to a substrate having a diameter of 300 mm, 450 mm, or any other size.

[00109] 本明細書中に記載されたあらゆるコントローラは、1つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも1つのコンポーネント内に配置された1つ以上のコンピュータプロセッサによって読み取られた場合に、各コントローラまたはあらゆるコントローラの組み合わせが動作することができる。各々のコントローラまたはその組み合わせは、信号を受信、処理および送信するためのあらゆる適切な構成を有してよい。1つ以上のプロセッサは、少なくとも1つのコントローラと連絡するように構成される。例えば、各コントローラは、上記した方法のための機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための1つ以上のプロセッサを含んでよい。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを格納するための1つまたは複数のデータ格納媒体および/またはそのような1つまたは複数の媒体を受け入れるためのハードウェアを含んでよい。したがって、(1つまたは複数の)コントローラは、1つ以上のコンピュータプログラムの機械読取可能命令に従って動作してよい。   [00109] Any controller described herein is a controller or controller when one or more computer programs are read by one or more computer processors located in at least one component of the lithographic apparatus. Any controller combination can operate. Each controller or combination thereof may have any suitable configuration for receiving, processing and transmitting signals. The one or more processors are configured to communicate with at least one controller. For example, each controller may include one or more processors for executing a computer program that includes machine-readable instructions for the methods described above. The controller may include one or more data storage media for storing such computer programs and / or hardware for accepting such one or more media. Thus, the controller (s) may operate according to machine readable instructions of one or more computer programs.

[00110] 本発明の1つ以上の実施形態は、液浸液が溶液槽の形態で、または基板の局所的な表面積上のみに、または非閉じ込め状態で設けられているかに関わらず、任意の液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構成では、液浸液は、基板および/または基板テーブルの表面上に流れてよく、それによって、基板テーブルおよび/または基板の実質的に覆われていない表面全体が濡れる。そのような非閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めないか、または、液浸液閉じ込めの一部を提供し得るが液浸液の実質的に完全な閉じ込めを提供しない。   [00110] One or more embodiments of the present invention provide for any immersion liquid regardless of whether the immersion liquid is provided in the form of a solution bath, or only on the local surface area of the substrate, or in an unconfined state. It can be applied to an immersion lithography apparatus. In an unconfined configuration, immersion liquid may flow over the surface of the substrate and / or substrate table, thereby wetting the substantially uncovered surface of the substrate table and / or substrate. In such an unconfined immersion system, the liquid supply system may not confine the immersion liquid or may provide a portion of the immersion liquid confinement but not substantially complete confinement of the immersion liquid. .

[00111] 一実施形態では、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に配置された2つ以上のテーブルを備えるマルチステージ装置であり、各テーブルは1つ以上の物体を備えるおよび/または保持する。一実施形態では、1つ以上のテーブルが放射感応性基板を保持してもよい。一実施形態では、1つ以上のテーブルが投影システムからの放射を測定するためにセンサを保持してもよい。一実施形態では、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第1テーブル(すなわち、基板テーブル)と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第2テーブル(以下、通常、測定および/またはクリーニングテーブルと呼ぶがこれに限定されない)とを備える。第2テーブルは、放射感応性基板以外の1つ以上の物体を備えるおよび/または保持してもよい。そのような1つ以上の物体としては、投影システムからの放射を測定するセンサ、1つ以上のアライメントマークおよび/またはクリーニングデバイス(例えば、液体閉じ込め構造を洗浄する)から選択される1つ以上のものであってよい。   [00111] In an embodiment, the lithographic apparatus is a multi-stage apparatus comprising two or more tables arranged on the exposure side of the projection system, each table comprising and / or holding one or more objects. In one embodiment, one or more tables may hold a radiation sensitive substrate. In one embodiment, one or more tables may hold sensors to measure radiation from the projection system. In one embodiment, the multi-stage apparatus includes a first table configured to hold a radiation sensitive substrate (i.e., a substrate table) and a second table not configured to hold a radiation sensitive substrate ( Hereinafter, it is usually referred to as a measurement and / or cleaning table but is not limited thereto). The second table may comprise and / or hold one or more objects other than the radiation sensitive substrate. Such one or more objects include one or more selected from a sensor that measures radiation from the projection system, one or more alignment marks, and / or a cleaning device (eg, to clean a liquid confinement structure). It may be a thing.

[00112] 一実施形態では、リソグラフィ装置は、装置のコンポーネントの位置、速度等を測定するためにエンコーダシステムを備えてもよい。一実施形態では、コンポーネントは基板テーブルを備える。一実施形態では、コンポーネントは測定および/またはクリーニングテーブルを備える。エンコーダシステムは、本明細書中に記載されたテーブルのための干渉計システムに加えてまたはその代わりであってもよい。エンコーダシステムは、スケールまたはグリッドと関連している(例えば、それらと組み合わされている)センサ、トランスデューサまたは読み取りヘッドを備える。一実施形態では、可動コンポーネント(例えば、基板テーブルおよび/または測定および/またはクリーニングテーブル)は、1つ以上のスケールまたはグリッドを有し、コンポーネントがリソグラフィ装置のフレームに対して移動するそのフレームは、1つ以上のセンサ、トランスデューサまたは読み取りヘッドを有する。1つ以上のセンサ、トランスデューサまたは読み取りヘッドは、(1つ以上の)スケールおよび(1つ以上の)グリッドと協働してコンポーネントの位置、速度等を決定する。一実施形態では、コンポーネントがリソグラフィ装置のフレームに対して移動するそのフレームは1つ以上のスケールまたはグリッドを有し、可動コンポーネント(例えば、基板テーブルおよび/または測定および/またはクリーニングテーブル)は(1つ以上の)スケールまたは(1つ以上の)グリッドと協働してコンポーネントの位置、速度等を決定する1つ以上のセンサ、トランスデューサまたは読み取りヘッドを有する。   [00112] In an embodiment, the lithographic apparatus may comprise an encoder system for measuring the position, velocity, etc. of the components of the apparatus. In one embodiment, the component comprises a substrate table. In one embodiment, the component comprises a measurement and / or cleaning table. The encoder system may be in addition to or in place of the interferometer system for the table described herein. The encoder system comprises a sensor, transducer or readhead associated with (eg, combined with) a scale or grid. In one embodiment, the movable component (e.g., substrate table and / or measurement and / or cleaning table) has one or more scales or grids, and the frame in which the component moves relative to the frame of the lithographic apparatus is It has one or more sensors, transducers or read heads. One or more sensors, transducers or readheads cooperate with the (one or more) scale and (one or more) grid to determine the position, velocity, etc. of the component. In one embodiment, the frame in which the component moves relative to the frame of the lithographic apparatus has one or more scales or grids, and the movable component (eg, substrate table and / or measurement and / or cleaning table) is (1 It has one or more sensors, transducers or read heads that cooperate with one or more scales or grid (s) to determine component position, velocity, etc.

[00113] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか1つまたはこれらの組合せを指すことができる。   [00113] The term "lens" refers to any one or combination of various types of optical components, including refractive, reflective, catadioptric, magnetic, electromagnetic, and electrostatic optical components, depending on the context. be able to.

[00114] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。   [00114] The descriptions above are intended to be illustrative, not limiting. Thus, it will be apparent to one skilled in the art that modifications may be made to the invention as described without departing from the scope of the claims set out below.

Claims (15)

物体のためのサポートであって、
前記物体を支持するサポート表面を備え、
前記サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、前記サポート表面の前記可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、前記収縮位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分と実質的に同じ平面にあり、前記延在位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分の前記平面から突出する、サポート。
Support for objects,
A support surface for supporting the object;
The support surface includes a main portion and a movable portion, the movable portion of the support surface being movable between a retracted position and an extended position, wherein the movable portion of the support surface is in the retracted position. A support that is in substantially the same plane as the main portion of the support surface, and in the extended position, the movable portion of the support surface protrudes from the plane of the main portion of the support surface.
前記サポート表面の前記可動部分は、可動部分の上端であり、および/または、上から見て多面形の側面を形成する、請求項1に記載のサポート。   The support according to claim 1, wherein the movable part of the support surface is an upper end of the movable part and / or forms a polyhedral side as viewed from above. 物体のためのサポートであって、
前記物体を支持するサポート表面と、
上から見て多面形の側面を形成し、かつ収縮位置と延在位置との間で移動可能である細長可動部分であって、前記収縮位置では、前記可動部分の上端が前記サポート表面の主要部分の平面にあるかまたはそれより低く、前記延在位置では、前記可動部分の前記上端が前記サポート表面の前記主要部分の前記平面から突出する、細長可動部分と
を備える、サポート。
Support for objects,
A support surface that supports the object;
An elongate movable part that forms a polyhedral side when viewed from above and is movable between a contracted position and an extended position, wherein the upper end of the movable part is the main part of the support surface. A support comprising: an elongate movable portion that is in or below the plane of the portion and, in the extended position, the upper end of the movable portion protrudes from the plane of the main portion of the support surface.
前記収縮位置において、前記可動部分の前記上端は、前記サポート表面の可動部分を形成し、かつ前記サポート表面の残部を含む前記サポート表面の前記主要部分と実質的に同じ平面にある、請求項3に記載のサポート。   4. In the retracted position, the upper end of the movable part forms a movable part of the support surface and is substantially in the same plane as the main part of the support surface including the rest of the support surface. Support described in. 前記多面形は少なくとも8つの側面を含み、および/または、前記多面形は実質的に円形であり、および/または、前記多面形は実質的にギャップレスの完全形状であり、および/または、前記多面形は複数の可動セグメントによって形成される、請求項2〜4のうちのいずれかに記載のサポート。   The polyhedron includes at least eight sides and / or the polyhedron is substantially circular and / or the polyhedron is a substantially gapless full shape and / or the polyhedron A support according to any of claims 2 to 4, wherein the shape is formed by a plurality of movable segments. 前記セグメントはギャップによって分けられ、隣接するセグメント間のギャップの長さの合計は前記多面形の外周の50%より少ない、請求項5に記載のサポート。   The support according to claim 5, wherein the segments are separated by gaps, and the total gap length between adjacent segments is less than 50% of the outer perimeter of the polyhedron. 各可動部分は、上から見て弧状の形状である、請求項1〜6のうちのいずれかに記載のサポート。   The support according to claim 1, wherein each movable part has an arc shape when viewed from above. 前記サポート表面は個別の突出体の複数の上端から形成され、および/または、前記サポートは負圧を用いて前記物体を前記サポート表面にクランプさせ、および/または、前記サポートは静電力を用いて前記物体を前記サポート表面にクランプさせ、および/または、前記サポートはリソグラフィ装置内の基板を支持する、請求項1〜7のうちのいずれかに記載のサポート。   The support surface is formed from a plurality of upper ends of individual protrusions and / or the support uses negative pressure to clamp the object to the support surface and / or the support uses electrostatic force. Support according to any of the preceding claims, wherein the object is clamped to the support surface and / or the support supports a substrate in a lithographic apparatus. 前記可動部分は、突出体5つの幅より小さく、突出体3つの幅より小さく、突出体2つの幅より小さく、または突出体1つの幅であり、および/または、前記可動部分は前記突出体より低い隆起を備え、および/または、上から見て前記可動部分は細長く、および/または、前記可動部分は前記サポート表面の中心から一定の半径方向距離で位置決めされ、および/または、前記可動部分は前記可動部分に囲われた前記サポート表面の領域のサイズが前記可動部分に囲われていない前記サポート表面の領域のサイズの20%以内であるように位置決めされ、および/または、上から見た前記可動部分の前記領域は、上から見た前記サポート表面の前記領域の少なくとも0.3%、上から見た前記サポート表面の前記領域の少なくとも0.5%または上から見た前記サポート表面の前記領域の少なくとも0.8%である、請求項8に記載のサポート。   The movable part is smaller than the width of the protrusions 5, smaller than the width of the protrusions 3, smaller than the width of the protrusions 2, or one width of the protrusions, and / or the movable part is smaller than the width of the protrusions Comprising a low ridge and / or the movable part is elongated when viewed from above and / or the movable part is positioned at a constant radial distance from the center of the support surface and / or the movable part is Positioned such that the size of the area of the support surface enclosed by the movable part is within 20% of the size of the area of the support surface not enclosed by the movable part and / or viewed from above The region of the movable part is at least 0.3% of the region of the support surface viewed from above, and at least 0.5% of the region of the support surface viewed from above Is at least 0.8% of the area of the support surface as viewed from above Taha, support according to claim 8. 前記隆起に囲われた領域と流体連結しかつ負圧源と接続可能である導管をさらに備え、および/または、前記可動部分が前記収縮位置にあるときに前記可動部分と前記サポート表面との間のガスの通過に抵抗するシールをさらに備え、および/または、前記可動部分を加熱および/または冷却するヒータおよび/またはクーラをさらに備え、および/または、前記可動部分とは異なる前記サポート表面の中心からの半径方向距離に位置決めされたさらなる可動部分をさらに備え、および/または、前記収縮位置にあるときの前記可動部分を能動的に位置決めするコントローラをさらに備える、請求項9に記載のサポート。   Further comprising a conduit in fluid communication with the region surrounded by the ridge and connectable to a negative pressure source and / or between the movable part and the support surface when the movable part is in the retracted position A seal that resists the passage of gas and / or a heater and / or cooler that heats and / or cools the movable part and / or a center of the support surface that is different from the movable part The support according to claim 9, further comprising a further movable part positioned at a radial distance from and / or a controller for actively positioning the movable part when in the retracted position. 請求項1〜10のうちのいずれかに記載のサポートを備える、リソグラフィ装置。   A lithographic apparatus, comprising the support according to claim 1. 前記サポート表面上の前記物体を位置決めするハンドラをさらに備える、請求項11に記載のリソグラフィ装置。   The lithographic apparatus according to claim 11, further comprising a handler for positioning the object on the support surface. 前記ハンドラは上方から前記物体を掴む、請求項12に記載のリソグラフィ装置。   The lithographic apparatus according to claim 12, wherein the handler grabs the object from above. 前記ハンドラは前記物体をその端部にて掴む、請求項12または13に記載のリソグラフィ装置。   The lithographic apparatus according to claim 12 or 13, wherein the handler grips the object at an end thereof. デバイス製造方法であって、
パターン付き放射ビームをサポート表面によって支持された基板上に投影することを含み、
前記サポート表面は、主要部分および可動部分を含み、前記サポート表面の前記可動部分は、収縮位置と延在位置との間で移動可能であり、前記収縮位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分と実質的に同じ平面にあり、前記延在位置では、前記サポート表面の前記可動部分が前記サポート表面の前記主要部分の前記平面から突出する、デバイス製造方法。
A device manufacturing method comprising:
Projecting a patterned beam of radiation onto a substrate supported by a support surface;
The support surface includes a main portion and a movable portion, the movable portion of the support surface being movable between a retracted position and an extended position, wherein the movable portion of the support surface is in the retracted position. A device manufacturing method, wherein the device is in substantially the same plane as the main part of the support surface, and in the extended position, the movable part of the support surface protrudes from the plane of the main part of the support surface.
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