JP2013195778A - 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】安価な構成で、タクトタイムに影響を与えることなく、パターンを他のパターンの歪みに合わせて高精度に露光する。
【解決手段】入力装置５３は、予め他のパターンが露光された基板について、複数の測定点でパターンの位置のずれ量を測定した測定データを入力する。演算回路５４は、入力装置５３により入力された測定データから、他のパターンの歪みに応じて、他のパターンの上又は下に露光するパターンの位置座標を変換する。主制御装置７０は、演算回路５４により変換された位置座標に基づき、他のパターンの上又は下に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置２０の駆動回路へ供給する。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置、露光方法、及びそれらを用いた表示用パネル基板の製造方法に関する。

表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板やカラーフィルタ基板、プラズマディスプレイパネル用基板、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基板等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基板上にパターンを形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基板上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基板との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基板へ転写するプロキシミティ方式とがあった。

近年、フォトレジストが塗布された基板へ光ビームを照射し、光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置が開発されている。光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データ及び走査のプログラムを変更することにより、様々な種類の表示用パネル基板に対応することができる。

近年、表示用パネルの各種基板の製造では、大型化及びサイズの多様化に対応するため、比較的大きな基板を用意し、表示用パネルのサイズに応じて、１枚の基板から複数枚の表示用パネル基板を製造している。主に大型の基板の露光に用いられるプロキシミティ露光装置では、基板の一面を一括して露光しようとすると、基板と同じ大きさのマスクが必要となり、高価なマスクのコストがさらに増大する。そこで、基板より比較的小さなマスクを用い、基板をＸＹ方向にステップ移動させて、基板の一面を複数のショットに分けて露光する方式が主流となっている。

プロキシミティ方式では、露光時にマスクと基板とが平行でないと、マスクの長方形の露光領域が基板へ台形に近い形状で転写され、基板へ転写されるパターンに歪みが発生する。基板の一面を複数のショットに分けて露光する場合、各ショットにおいてマスクと基板とを完全に平行にすることは困難であり、基板へ転写されるパターンの歪みは、ショット毎に微妙に変化する。

また、基板にパターンを直接描画する方式では、基板と光ビーム照射装置とを相対的に移動して光ビームによる基板の走査を行うが、その際、基板と光ビーム照射装置とを平行に保って移動しないと、基板と光ビーム照射装置との間隔が変動するため、基板に描画されるパターンに歪みが発生する。しかしながら、基板と光ビーム照射装置とを完全に平行に保って移動することは困難であり、基板に描画されるパターンの歪みは、基板内で場所によって異なってくる。

この様に、プロキシミティ方式又は基板にパターンを直接描画する方式による露光で基板に形成された下地パターンの上に、新たなパターンを露光する場合、下地パターンの歪みが基板内で場所によって異なるため、下地パターンと新たに露光するパターンとの位置関係が基板内で場所によって変化する。そのため、例えば、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造において、基板上に形成されたブラックマトリクスの上に着色パターンを露光する場合、着色パターンが、基板内で場所によって各画素の位置からずれてしまうという問題があった。

これに対し、特許文献１には、基板の表面を複数の区画に分割し、分割した区画毎に下地パターンの歪みを検出し、検出結果に基づき、分割した区画毎の下地パターンの歪みに応じて、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画データを補正する技術が開示されている。

特開２０１１−１５８７１８号公報

特許文献１に記載の露光装置は、分割した区画毎に下地パターンの歪みを検出する検出手段を備えている。この検出手段は、例えば、分割した区画毎に下地パターンに設けられた複数の位置検出用マークの画像を取得して、画像信号を出力する複数の画像取得装置と、各画像取得装置が出力した画像信号を処理して、各位置検出用マークの位置を検出する画像処理装置と、画像処理装置の検出結果に基づき、分割した区画毎の下地パターンの歪みを検出する検出回路とで構成されている。また、特許文献１に記載の技術では、温度調節装置により基板の温度を調節している間、あるいは複数設けたチャックの一方が待機位置で待機している間に、下地パターンの歪みの検出を行っている。

近年、表示用パネルの高画質化に伴って、表示用パネル基板のパターンが高精細化し、パターンの歪みの許容誤差が数μｍ程度と小さくなっている。そのため、特許文献１に記載の技術では、高精度な検出装置が必要となって、装置の費用が増大する。また、下地パターンと新たなパターンとをより精度良く合わせるためには、下地パターンの歪みの検出データがより多く必要となり、温度調節装置により基板の温度を調節している間、あるいはチャックが待機位置で待機している間に、必要な量の検出データを得られない可能性がある。一方、必要な量の検出データを得るために検出時間を長くすると、タクトタイムが長くなる。

また、下地パターンの上に新たなパターンを露光する露光装置がプロキシミティ露光装置である場合には、下地パターンの歪みが基板内で場所によって異なると、プロキシミティ露光装置により露光される新たなパターンは、場所によって下地パターンからずれを生じる。

本発明の課題は、安価な構成で、タクトタイムに影響を与えることなく、パターンを他のパターンの歪みに合わせて高精度に露光することである。さらに、本発明の課題は、基板に形成された下地パターンの上に新たなパターンを露光する際、新たなパターンを下地パターンの歪みに合わせて高精度に露光することである。あるいは、本発明の課題は、下地パターンを露光する際、下地パターンを下地パターンの上にこれから露光されるパターンの歪みに合わせて高精度に露光することである。また、本発明の課題は、高品質な表示用パネル基板を高いスループットで製造することである。

本発明の露光装置は、フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置と、チャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、移動手段によりチャックと光ビーム照射装置とを相対的に移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、予め他のパターンが露光された基板について、複数の測定点でパターンの位置のずれ量を測定した測定データを入力する入力装置と、入力装置により入力された測定データから、他のパターンの歪みに応じて、他のパターンの上又は下に露光するパターンの位置座標を変換する演算回路と、演算回路により変換された位置座標に基づき、他のパターンの上又は下に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画制御手段とを備えたものである。

また、本発明の露光方法は、フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、チャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、予め他のパターンが露光された基板について、複数の測定点でパターンの位置のずれ量を測定した測定データを入力し、入力した測定データから、他のパターンの歪みに応じて、他のパターンの上又は下に露光するパターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、他のパターンの上又は下に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するものである。

予め他のパターンが露光された基板について、複数の測定点でパターンの位置のずれ量を測定した測定データを入力し、入力した測定データから、他のパターンの歪みに応じて、他のパターンの上又は下に露光するパターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、他のパターンの上又は下に露光するパターンの描画データを作成するので、他のパターンの歪みを検出するための高精度な検出装置を用いることなく、測定データの測定点の数を増やし、パターンの位置座標を変換する簡単な演算処理で、他のパターンの歪みに応じた描画パターンの補正をより細かく行うことができる。従って、安価な構成で、タクトタイムに影響を与えることなく、パターンが他のパターンの歪みに合わせて高精度に露光される。本発明を用いて基板に形成された下地パターンの上に新たなパターンを描画すると、新たなパターンを下地パターンの歪みに合わせて高精度に露光することができる。また、本発明を用いて下地パターンを描画すると、下地パターンを下地パターンの上にこれから露光されるパターンの歪みに合わせて高精度に露光することができる。

本発明で用いる測定データには、露光装置のユーザーが持つ品質管理用の測定結果を用いることができる。露光装置のユーザーは、品質管理用に露光したパターンの全面測定を必ず行い、通常、その測定結果は、露光されたパターンの位置の設計位置に対するずれ量で表されている。データ書式やフォーマットを規定することにより、この品質管理用の測定結果から、必要な測定データを抽出することができる。パターンの位置の設計位置に対するずれには、アライメント位置ずれ、倍率ずれ、機械的な位置ずれ、歪み等の原因によるものがあり、これらを総称して歪みとして扱うことができる。パターンの位置のずれ量の測定は、抜き取り検査で行っても良く、また別工程の測定装置で行ってもよい。品質管理用の測定結果は、工場内のＬＡＮ設備から取り込んでもよく、外部記憶媒体を経由して取り込んでもよい。

さらに、本発明の露光装置は、入力装置が、下地パターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、演算回路が、入力装置により入力された測定データから、下地パターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの上に露光するパターンの位置座標を変換し、制御手段が、演算回路により変換された位置座標に基づき、下地パターンの上に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するものである。

また、本発明の露光方法は、下地パターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、入力した測定データから、下地パターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの上に露光するパターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、下地パターンの上に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するものである。

下地パターンがプロキシミティ露光装置により露光された基板において、下地パターンの歪みがショト毎に異なっても、新たなパターンが基板全体に渡って下地パターンに合わせて高精度に露光される。

あるいは、本発明の露光装置は、入力装置が、下地パターンの上に露光するパターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、演算回路が、入力装置により入力された測定データから、下地パターンの上にこれから露光されるパターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの位置座標を変換し、制御手段が、演算回路により変換された位置座標に基づき、下地パターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するものである。

また、本発明の露光方法は、下地パターンの上に露光するパターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、入力した測定データから、下地パターンの上にこれから露光されるパターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、下地パターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給するものである。

下地パターンの上に露光するパターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光される場合、下地パターンの上にこれから露光されるパターンの歪みがショト毎に異なっても、下地パターンを露光する際に、下地パターンが基板全体に渡ってその上に露光されるパターンに合わせて高精度に露光される。

本発明の表示用パネル基板の製造方法は、上記のいずれかの露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うものである。上記の露光装置又は露光方法を用いることにより、安価な構成で、タクトタイムに影響を与えることなく、パターンが他のパターンの歪みに合わせて高精度に露光されるので、高品質な表示用パネル基板が高いスループットで製造される。

本発明の露光装置及び露光方法によれば、予め他のパターンが露光された基板について、複数の測定点でパターンの位置のずれ量を測定した測定データを入力し、入力した測定データから、他のパターンの歪みに応じて、他のパターンの上又は下に露光するパターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、他のパターンの上又は下に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することにより、他のパターンの歪みを検出するための高精度な検出装置を用いることなく、測定データの測定点の数を増やし、パターンの位置座標を変換する簡単な演算処理で、他のパターンの歪みに応じた描画パターンの補正をより細かく行うことができる。従って、安価な構成で、タクトタイムに影響を与えることなく、パターンを他のパターンの歪みに合わせて高精度に露光することができる。本発明を用いて基板に形成された下地パターンの上に新たなパターンを描画すると、新たなパターンを下地パターンの歪みに合わせて高精度に露光することができる。また、本発明を用いて下地パターンを描画すると、下地パターンを下地パターンの上にこれから露光されるパターンの歪みに合わせて高精度に露光することができる。

さらに、本発明の露光装置及び露光方法によれば、下地パターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、入力した測定データから、下地パターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの上に露光するパターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、下地パターンの上に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することにより、下地パターンがプロキシミティ露光装置により露光された基板において、下地パターンの歪みがショト毎に異なっても、新たなパターンを基板全体に渡って下地パターンに合わせて高精度に露光することができる。

あるいは、本発明の露光装置及び露光方法によれば、下地パターンの上に露光するパターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、入力した測定データから、下地パターンの上にこれから露光されるパターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、下地パターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することにより、下地パターンの上に露光するパターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光される場合、下地パターンの上にこれから露光されるパターンの歪みがショト毎に異なっても、下地パターンを露光する際に、下地パターンを基板全体に渡ってその上に露光されるパターンに合わせて高精度に露光することができる。

本発明の表示用パネル基板の製造方法によれば、安価な構成で、タクトタイムに影響を与えることなく、パターンを他のパターンの歪みに合わせて高精度に露光することができるので、高品質な表示用パネル基板を高いスループットで製造することができる。

本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態による露光装置の側面図である。 本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。 光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。 ＤＭＤのミラー部の一例を示す図である。 レーザー測長系の動作を説明する図である。 基板のアライメントマークの一例を示す図である。 下地パターン又は下地パターンの上に露光されたパターンのアライメントマークの一例を示す図である。 測定データの一例を示す図である。 演算回路の動作を説明する図である。 受け渡し位置にあるチャックの上面図である。 受け渡し位置にあるチャックの側面図である。 描画制御部の概略構成を示す図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 光ビームによる基板の走査を説明する図である。 液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。 液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。

図１は、本発明の一実施の形態による露光装置の概略構成を示す図である。また、図２は本発明の一実施の形態による露光装置の側面図、図３は本発明の一実施の形態による露光装置の正面図である。露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６、Ｙステージ７、θステージ８、チャック１０、ゲート１１、光ビーム照射装置２０、リニアスケール３１，３３、エンコーダ３２，３４、エンコーダ信号分配器３５、レーザー測長系、レーザー測長系制御装置４０、走行誤差検出回路４６、ＣＣＤカメラ４７、画像処理装置４８、測定データ入力装置５３、演算回路５４、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０を含んで構成されている。なお、図２及び図３では、レーザー測長系のレーザー光源４１、レーザー測長系制御装置４０、走行誤差検出回路４６、ＣＣＤカメラ４７、画像処理装置４８、測定データ入力装置５３、演算回路５４、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０が省略されている。露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。

なお、以下に説明する実施の形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。

図１及び図２において、チャック１０は、基板１の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０から搬出される。チャック１０は、基板１の裏面を真空吸着して支持する。基板１の表面には、フォトレジストが塗布されている。

基板１の露光を行う露光位置の上空に、ベース３をまたいでゲート１１が設けられている。ゲート１１には、複数の光ビーム照射装置２０が搭載されている。なお、本実施の形態は、８つの光ビーム照射装置２０を用いた露光装置の例を示しているが、光ビーム照射装置の数はこれに限らず、本発明は１つ又は２つ以上の光ビーム照射装置を用いた露光装置に適用される。

図４は、光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置２０は、光ファイバー２２、レンズ２３、ミラー２４、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）２５、投影レンズ２６、及びＤＭＤ駆動回路２７を含んで構成されている。光ファイバー２２は、レーザー光源ユニット２１から発生された紫外光の光ビームを、光ビーム照射装置２０内へ導入する。光ファイバー２２から射出された光ビームは、レンズ２３及びミラー２４を介して、ＤＭＤ２５へ照射される。ＤＭＤ２５は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。ＤＭＤ２５により変調された光ビームは、投影レンズ２６を含むヘッド部２０ａから照射される。ＤＭＤ駆動回路２７は、主制御装置７０から供給された描画データに基づいて、ＤＭＤ２５の各ミラーの角度を変更する。

図２及び図３において、チャック１０は、θステージ８に搭載されており、θステージ８の下にはＹステージ７及びＸステージ５が設けられている。Ｘステージ５は、ベース３に設けられたＸガイド４に搭載され、Ｘガイド４に沿ってＸ方向へ移動する。Ｙステージ７は、Ｘステージ５に設けられたＹガイド６に搭載され、Ｙガイド６に沿ってＹ方向へ移動する。θステージ８は、Ｙステージ７に搭載され、θ方向へ回転する。Ｘステージ５、Ｙステージ７、及びθステージ８には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられており、各駆動機構は、図１のステージ駆動回路６０により駆動される。

θステージ８のθ方向への回転により、チャック１０に搭載された基板１は、直交する二辺がＸ方向及びＹ方向へ向く様に回転される。Ｘステージ５のＸ方向への移動により、チャック１０は、受け渡し位置と露光位置との間を移動される。露光位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームが、基板１をＸ方向へ走査する。また、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームによる基板１の走査領域が、Ｙ方向へ移動される。図１において、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、θステージ８のθ方向へ回転、Ｘステージ５のＸ方向への移動、及びＹステージ７のＹ方向への移動を行う。

図５は、ＤＭＤのミラー部の一例を示す図である。光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５は、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査方向（Ｘ方向）に対して、所定の角度θだけ傾いて配置されている。ＤＭＤ２５を、走査方向に対して傾けて配置すると、直交する二方向に配列された複数のミラー２５ａのいずれかが、隣接するミラー２５ａ間の隙間に対応する箇所をカバーするので、パターンの描画を隙間無く行うことができる。

なお、本実施の形態では、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行っているが、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査を行ってもよい。また、本実施の形態では、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更しているが、光ビーム照射装置２０を移動することにより、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域を変更してもよい。

図１及び図２において、ベース３には、Ｘ方向へ伸びるリニアスケール３１が設置されている。リニアスケール３１には、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。また、Ｘステージ５には、Ｙ方向へ伸びるリニアスケール３３が設置されている。リニアスケール３３には、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出するための目盛が付けられている。

図１及び図３において、Ｘステージ５の一側面には、リニアスケール３１に対向して、エンコーダ３２が取り付けられている。エンコーダ３２は、リニアスケール３１の目盛を検出して、パルス信号をエンコーダ信号分配器３５へ出力する。また、図１及び図２において、Ｙステージ７の一側面には、リニアスケール３３に対向して、エンコーダ３４が取り付けられている。エンコーダ３４は、リニアスケール３３の目盛を検出して、パルス信号をエンコーダ信号分配器３５へ出力する。主制御装置７０は、エンコーダ信号分配器３５を介して、エンコーダ３２，３４のパルス信号を入力する。そして、主制御装置７０は、エンコーダ３２のパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出し、エンコーダ３４のパルス信号をカウントして、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出する。

また、ステージ駆動回路６０は、エンコーダ信号分配器３５を介して、エンコーダ３２，３４のパルス信号を入力する。そして、ステージ駆動回路６０は、エンコーダ３２のパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出し、エンコーダ３４のパルス信号をカウントして、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出し、Ｘステージ５及びＹステージ７をフィードバック制御する。

図６は、レーザー測長系の動作を説明する図である。なお、図６においては、図１に示したゲート１１、光ビーム照射装置２０、ＣＣＤカメラ４７、画像処理装置４８、測定データ入力装置５３、及び演算回路５４が省略されている。レーザー測長系は、公知のレーザー干渉式の測長系であって、レーザー光源４１、レーザー干渉計４２，４４、及びバーミラー４３，４５を含んで構成されている。バーミラー４３は、チャック１０のＹ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。また、バーミラー４５は、チャック１０のＸ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。

レーザー干渉計４２は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４３へ照射し、バーミラー４３により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４３により反射されたレーザー光との干渉を測定する。この測定は、Ｙ方向の２箇所で行う。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４２の測定結果から、チャック１０のＸ方向の位置及び回転を検出する。

一方、レーザー干渉計４４は、レーザー光源４１からのレーザー光をバーミラー４５へ照射し、バーミラー４５により反射されたレーザー光を受光して、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４５により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長系制御装置４０は、主制御装置７０の制御により、レーザー干渉計４４の測定結果から、チャック１０のＹ方向の位置を検出する。

走行誤差検出回路４６は、レーザー測長系制御装置４０の検出結果から、Ｘステージ５がＸ方向へ移動する際の横揺れやヨーイング等の走行誤差を検出する。レーザー測長系を用いて、チャック１０の位置を検出することにより、チャック１０の位置を精度良く検出することができるので、Ｘステージ５の走行誤差を精度良く検出することができる。走行誤差検出回路４６は、検出結果を主制御装置７０へ出力する。

図７は、基板のアライメントマークの一例を示す図である。図７は、１枚の基板から４枚の表示用パネル基板を製造する例を示している。基板１の表面の四隅には、基板１の位置及び回転を検出するためのグローバルアライメントマークＧＡＭが設けられている。また、基板１の表面には、プロキシミティ露光装置により、４回のショットで４つのパターン２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが形成されている。各パターン２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄには、各パターン２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの位置及び回転を検出するためのショットアライメントマークＳＡＭａ，ＳＡＭｂ，ＳＡＭｃ，ＳＡＭｄがそれぞれ４つずつ設けられている。

図１において、測定データ入力装置５３は、予め他のパターンが露光された基板について、複数の測定点でパターンの位置のずれ量を測定した測定データを入力する。本実施の形態では、測定データとして、露光装置のユーザーが持つ品質管理用の測定結果を用いる。その場合、入力する測定データのデータ書式やフォーマットは、事前に露光装置のユーザーと取り決めておく必要がある。

本実施の形態の露光装置が、プロキシミティ露光装置により露光された下地パターンの上に新たなパターンを露光する場合、測定データ入力装置５３は、プロキシミティ露光装置により露光された基板の下地パターンの測定データを入力する。また、本実施の形態の露光装置が下地パターンを露光し、その後プロキシミティ露光装置により下地パターンの上に新たなパターンが露光される場合、測定データ入力装置５３は、予めプロキシミティ露光装置により測定用に露光された基板のそのパターンの測定データを入力する。

図８は、測定点の一例を示す図である。図８は、プロキシミティ露光装置により露光されたパターン２ａについての測定点の一例を示し、４つのショットアライメントマークＳＡＭａ１，ＳＡＭａ２，ＳＡＭａ３，ＳＡＭａ４を頂点とする四角形の各頂点及び各辺上に、小さな黒い丸で示す複数の測定点Ｐが設けられている。なお、図８は、パターン２ａの測定点の一例を示しているが、パターン２ｂ，２ｃ，２ｄについても同様である。また、図８において、細長い四角で囲まれた領域は、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査領域１ａを示している。

図９は、測定データの一例を示す図である。図９に示す例では、各測定点におけるパターンの設計位置（設計上の位置）、測定位置及びずれ量が、ＸＹ座標で示されている。図１において、演算回路５４は、測定データ入力装置５３により入力された測定データから、パターンの歪みに応じて、そのパターンの上又は下に露光するパターンの位置座標を変換する。本実施の形態の露光装置が、プロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された下地パターンの上に新たなパターンを露光する場合、演算回路５４により、下地パターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの上に露光するパターンの位置座標の変換が行われる。また、本実施の形態の露光装置が下地パターンを露光し、その後プロキシミティ露光装置により下地パターンの上に新たなパターンが複数のショットに分けて露光される場合、演算回路５４により、下地パターンの上にこれから露光されるパターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの位置座標の変換が行われる。

図１０は、演算回路の動作を説明する図である。図１０は、説明を簡単にするため、ショットアライメントマークＳＡＭａ１，ＳＡＭａ２，ＳＡＭａ３，ＳＡＭａ４上の各測定点の測定データを用いて、位置座標の変換を行う例を示している。実際には、要求される露光精度に応じ、図８で示した複数の測定点Ｐの内の任意の４つの測定点のデータを用いて、その４点を含む領域について位置座標の変換が行われる。このとき、変換後の位置座標に基づいたパターンの描画は、走査領域１ａ毎に行われるため、位置座標の変換は、走査領域１ａ毎に行われる。

図１０において、測定データにおける各ショットアライメントマークＳＡＭａ１，ＳＡＭａ２，ＳＡＭａ３，ＳＡＭａ４の設計位置（設計上の位置）を、ＳＡＭａ１’，ＳＡＭａ２’，ＳＡＭａ３’，ＳＡＭａ４’とし、描画するパターンの一点Ａ０’（設計位置）の位置座標を変換した点をＡ０とする。本実施の形態において、演算回路５４は、座標比率に基づいて、点Ａ０’の位置座標の変換を行う。

設計上、Ｘ方向において、点Ａ０’とＳＡＭａ４’の間隔と、点Ａ０’とＳＡＭａ３’の間隔との比は、Ｘａ：Ｘｂであるので、変換後の点Ａ０とＳＡＭａ４の間隔と、点Ａ０とＳＡＭａ３の間隔との比も、Ｘａ：Ｘｂでなければならない。同様に、設計上、Ｙ方向において、点Ａ０’とＳＡＭａ４’の間隔と、点Ａ０’とＳＡＭａ１’の間隔との比は、Ｙａ：Ｙｂであるので、変換後の点Ａ０とＳＡＭａ４の間隔と、点Ａ０とＳＡＭａ１の間隔との比も、Ｘａ：Ｘｂでなければならない。従って、Ｘ方向の座標比率ＸｐとＹ方向の座標比率Ｙｐは、
Ｘｐ＝Ｘａ／（Ｘａ＋Ｘｂ）
Ｙｐ＝Ｙａ／（Ｙａ＋Ｙｂ）
となる。

ＳＡＭａ１のＸＹ座標を（ＳＡＭａ１ｘ，ＳＡＭａ１ｙ）、ＳＡＭａ２のＸＹ座標を（ＳＡＭａ２ｘ，ＳＡＭａ２ｙ）、ＳＡＭａ３のＸＹ座標を（ＳＡＭａ３ｘ，ＳＡＭａ３ｙ）、ＳＡＭａ４のＸＹ座標を（ＳＡＭａ４ｘ，ＳＡＭａ４ｙ）とする。同様に、ＳＡＭａ１’のＸＹ座標を（ＳＡＭａ１’ｘ，ＳＡＭａ１’ｙ）、ＳＡＭａ２’のＸＹ座標を（ＳＡＭａ２ｘ’，ＳＡＭａ２ｙ’）、ＳＡＭａ３’のＸＹ座標を（ＳＡＭａ３’ｘ，ＳＡＭａ３’ｙ）、ＳＡＭａ４’のＸＹ座標を（ＳＡＭａ４’ｘ，ＳＡＭａ４’ｙ）とする。そして、点Ａ０’のＸＹ座標を（Ａ０’ｘ，Ａ０’ｙ）、変換後の点Ａ０のＸＹ座標を（Ａ０ｘ，Ａ０ｙ）とする。

辺ＳＡＭａ４，ＳＡＭａ１上における点Ａ０の対応点を点Ａ１とすると、点Ａ１のＹ座標Ａ１ｙは、
Ａ１ｙ＝ＳＡＭａ４ｙ―Ｙｐ×（ＳＡＭａ４ｙ―ＳＡＭａ１ｙ）
となる。また、辺ＳＡＭａ３，ＳＡＭａ２上における点Ａ０の対応点を点Ａ３とすると、点Ａ３のＹ座標Ａ３ｙは、
Ａ３ｙ＝ＳＡＭａ３ｙ―Ｙｐ×（ＳＡＭａ３ｙ―ＳＡＭａ２ｙ）
となる。

同様に、辺ＳＡＭａ３，ＳＡＭａ４上における点Ａ０の対応点を点Ａ４とすると、点Ａ４のＸ座標Ａ４ｘは、
Ａ４ｘ＝ＳＡＭａ３ｘ―Ｘｐ×（ＳＡＭａ３ｘ―ＳＡＭａ４ｘ）
となる。また、辺ＳＡＭａ２，ＳＡＭａ１上における点Ａ０の対応点を点Ａ２とすると、点Ａ２のＸ座標Ａ２ｘは、
Ａ２ｘ＝ＳＡＭａ２ｘ―Ｘｐ×（ＳＡＭａ２ｘ―ＳＡＭａ１ｘ）
となる。

点Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４の各座標から、変換後の点Ａ０のＸＹ座標は、
Ａ０ｘ＝Ａ４ｘ＋（（Ａ４ｘ―Ａ２ｘ）×Ａ０’ｘ）／（ＳＡＭａ３’ｘ―ＳＡＭａ４’ｘ）
Ａ０ｙ＝Ａ１ｙ＋（（Ａ３ｙ―Ａ１ｙ）×Ａ０’ｙ）／（ＳＡＭａ４’ｙ―ＳＡＭａ１’ｙ）
と求められる。

本実施の形態によれば、座標比率に基づいて、簡単な演算で位置座標の変換を行うことができる。

図１１は、受け渡し位置にあるチャックの上面図である。また、図１２は、受け渡し位置にあるチャックの側面図である。図１１及び図１２に示す様に、受け渡し位置にあるチャック１０の上空には、基板１のグローバルアライメントマークＧＡＭの真上の位置に、ＣＣＤカメラ４７が設置されている。ＣＣＤカメラ４７は、グローバルアライメントマークＧＡＭの画像を取得し、画像信号を図１の画像処理装置４８へ出力する。図１において、画像処理装置４８は、ＣＣＤカメラ４７が出力した画像信号を処理して、グローバルアライメントマークＧＡＭの位置を検出する。

図１において、主制御装置７０は、画像処理装置４８が検出したグローバルアライメントマークＧＡＭの位置から、チャック１０に搭載された基板１の位置及び回転を検出する。主制御装置７０は、検出した基板１の位置に基づき、ステージ駆動回路６０を制御して、基板１の中心点が露光を開始する前の所定の位置へ来る様に、Ｘステージ５及びＹステージ７によりチャック１０を露光位置へ移動させる。また、主制御装置７０は、検出した基板１の回転に基づき、ステージ駆動回路６０を制御して、チャック１０に搭載された基板１の直交する二辺がＸ方向及びＹ方向へ向く様に、θステージ８をθ方向へ回転させる。

主制御装置７０は、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ描画データを供給する描画制御部を有する。図１３は、描画制御部の概略構成を示す図である。描画制御部７１は、メモリ７２，７６、バンド幅設定部７３、中心点座標決定部７４、座標決定部７５、及び描画データ作成部７７を含んで構成されている。なお、図１３では、エンコーダ３２，３４と主制御装置７０との間に設けられたエンコーダ信号分配器３５が省略されている。

メモリ７６には、設計値マップが格納されている。設計値マップには、描画データがＸＹ座標で示されている。描画データ作成部７７は、演算回路５４が変換した位置座標に基づき、メモリ７６に格納された設計値マップの描画データから、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データを作成する。

予め他のパターンが露光された基板について、複数の測定点でパターンの位置のずれ量を測定した測定データを入力し、入力した測定データから、他のパターンの歪みに応じて、他のパターンの上又は下に露光するパターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、他のパターンの上又は下に露光するパターンの描画データを作成するので、他のパターンの歪みを検出するための高精度な検出装置を用いることなく、測定データの測定点の数を増やし、パターンの位置座標を変換する簡単な演算処理で、他のパターンの歪みに応じた描画パターンの補正をより細かく行うことができる。従って、安価な構成で、タクトタイムに影響を与えることなく、パターンが他のパターンの歪みに合わせて高精度に露光される。

メモリ７２は、描画データ作成部７７が作成した描画データを、そのＸＹ座標をアドレスとして記憶する。

バンド幅設定部７３は、メモリ７２から読み出す描画データのＹ座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される光ビームのＹ方向のバンド幅を設定する。

レーザー測長系制御装置４０は、露光位置における基板１の露光を開始する前のチャック１０のＸＹ方向の位置を検出する。中心点座標決定部７４は、レーザー測長系制御装置４０が検出したチャック１０のＸＹ方向の位置から、基板１の露光を開始する前のチャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。図１において、光ビーム照射装置２０からの光ビームにより基板１の走査を行う際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｘステージ５によりチャック１０をＸ方向へ移動させる。基板１の走査領域を移動する際、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動させる。図１３において、中心点座標決定部７４は、エンコーダ３２，３４からのパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量及びＹステージ７のＹ方向への移動量を検出し、チャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。そして、中心点座標決定部７４は、走行誤差検出回路４６の検出結果に基づき、決定したチャック１０の中心点のＸＹ座標を補正する。

座標決定部７５は、中心点座標決定部７４が補正したチャック１０の中心点のＸＹ座標に基づき、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データのＸＹ座標を決定する。メモリ７２は、座標決定部７５が決定したＸＹ座標をアドレスとして入力し、入力したＸＹ座標のアドレスに記憶された描画データを、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ出力する。

Ｘステージ５の走行誤差を検出し、Ｘステージ５の走行誤差の検出結果に基づき、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データの座標を補正し、補正した座標の描画データを、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給するので、Ｘステージ５に横揺れやヨーイング等の走行誤差が発生しても、パターンの描画が精度良く行われる。

図１４〜図１７は、光ビームによる基板の走査を説明する図である。図１４〜図１７は、８つの光ビーム照射装置２０からの８本の光ビームにより、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示している。図１４〜図１７においては、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａが破線で示されている。各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームは、Ｙ方向にバンド幅Ｗを有し、Ｘステージ５のＸ方向への移動によって、基板１を矢印で示す方向へ走査する。

図１４は、１回目の走査を示し、Ｘ方向への１回目の走査により、図１４に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。１回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１５は、２回目の走査を示し、Ｘ方向への２回目の走査により、図１５に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。２回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１６は、３回目の走査を示し、Ｘ方向への３回目の走査により、図１６に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。３回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１７は、４回目の走査を示し、Ｘ方向への４回目の走査により、図１７に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われ、基板１全体の走査が終了する。

複数の光ビーム照射装置２０からの複数の光ビームにより基板１を走査する際も、各光ビーム照射装置２０からの光ビームにより描画されるパターンがＸステージ５の走行誤差により互いにずれるのを防止することができるので、パターンの描画を精度良く行うことができる。そして、複数の光ビーム照射装置２０からの複数の光ビームにより基板１の走査を並行して行うことにより、基板１全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。

なお、図１４〜図１７では、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板１のＸ方向の走査を３回以下又は５回以上行って、基板１全体を走査してもよい。

以上説明した実施の形態によれば、予め他のパターンが露光された基板について、複数の測定点でパターンの位置のずれ量を測定した測定データを入力し、入力した測定データから、他のパターンの歪みに応じて、他のパターンの上又は下に露光するパターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、他のパターンの上又は下に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給することにより、他のパターンの歪みを検出するための高精度な検出装置を用いることなく、測定データの測定点の数を増やし、パターンの位置座標を変換する簡単な演算処理で、他のパターンの歪みに応じた描画パターンの補正をより細かく行うことができる。従って、安価な構成で、タクトタイムに影響を与えることなく、パターンを他のパターンの歪みに合わせて高精度に露光することができる。本実施の形態を用いて基板に形成された下地パターンの上に新たなパターンを描画すると、新たなパターンを下地パターンの歪みに合わせて高精度に露光することができる。また、本実施の形態を用いて下地パターンを描画すると、下地パターンを下地パターンの上にこれから露光されるパターンの歪みに合わせて高精度に露光することができる。

さらに、下地パターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、入力した測定データから、下地パターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの上に露光するパターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、下地パターンの上に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給することにより、下地パターンがプロキシミティ露光装置により露光された基板において、下地パターンの歪みがショト毎に異なっても、新たなパターンを基板全体に渡って下地パターンに合わせて高精度に露光することができる。

あるいは、下地パターンの上に露光するパターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、入力した測定データから、下地パターンの上にこれから露光されるパターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの位置座標を変換し、変換した位置座標に基づき、下地パターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給することにより、下地パターンの上に露光するパターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光される場合、下地パターンの上にこれから露光されるパターンの歪みがショト毎に異なっても、下地パターンを露光する際に、下地パターンを基板全体に渡ってその上に露光されるパターンに合わせて高精度に露光することができる。

なお、本発明は、プロキシミティ方式による露光で下地パターンが形成され、または下地パターンの上に新たなパターンが形成される場合に限らず、パターンを直接描画する方式で下地パターンが形成され、又は下地パターンの上に新たなパターンが形成される場合にも適用することができる。

本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、安価な構成で、タクトタイムに影響を与えることなく、パターンを他のパターンの歪みに合わせて高精度に露光することができるので、高品質な表示用パネル基板を高いスループットで製造することができる。

例えば、図１８は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップ１０１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップ１０２）では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップ１０３）では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程（ステップ１０４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップ１０５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップ１０１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップ１０６）では、エッチング工程（ステップ１０５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。

また、図１９は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップ２０２）では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。

図１８に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（ステップ１０３）において、図１９に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップ２０１）及び着色パターン形成工程（ステップ２０２）の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。

１ 基板
１ａ 走査領域
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ 下地パターン
３ ベース
４ Ｘガイド
５ Ｘステージ
６ Ｙガイド
７ Ｙステージ
８ θステージ
１０ チャック
１１ ゲート
２０ 光ビーム照射装置
２０ａ ヘッド部
２１ レーザー光源ユニット
２２ 光ファイバー
２３ レンズ
２４ ミラー
２５ ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）
２６ 投影レンズ
２７ ＤＭＤ駆動回路
３１，３３ リニアスケール
３２，３４ エンコーダ
３５ エンコーダ信号分配器
４０ レーザー測長系制御装置
４１ レーザー光源
４２，４４ レーザー干渉計
４３，４５ バーミラー
４６ 走行誤差検出回路
４７ ＣＣＤカメラ
４８ 画像処理装置
５３ 測定データ入力装置
５４ 演算回路
６０ ステージ駆動回路
７０ 主制御装置
７１ 描画制御部
７２，７６ メモリ
７３ バンド幅設定部
７４ 中心点座標決定部
７５ 座標決定部
７７ 描画データ作成部

Claims (8)

1. フォトレジストが塗布された基板を支持するチャックと、
   光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置と、
   前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動する移動手段とを備え、
   前記移動手段により前記チャックと前記光ビーム照射装置とを相対的に移動し、前記光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光装置であって、
   予め他のパターンが露光された基板について、複数の測定点でパターンの位置のずれ量を測定した測定データを入力する入力装置と、
   前記入力装置により入力された測定データから、他のパターンの歪みに応じて、他のパターンの上又は下に露光するパターンの位置座標を変換する演算回路と、
   前記演算回路により変換された位置座標に基づき、他のパターンの上又は下に露光するパターンの描画データを作成して、前記光ビーム照射装置の駆動回路へ供給する描画制御手段とを備えたことを特徴とする露光装置。
2. 前記入力装置は、下地パターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、
   前記演算回路は、前記入力装置により入力された測定データから、下地パターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの上に露光するパターンの位置座標を変換し、
   前記制御手段は、前記演算回路により変換された位置座標に基づき、下地パターンの上に露光するパターンの描画データを作成して、前記光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記入力装置は、下地パターンの上に露光するパターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、
   前記演算回路は、前記入力装置により入力された測定データから、下地パターンの上にこれから露光されるパターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの位置座標を変換し、
   前記制御手段は、前記演算回路により変換された位置座標に基づき、下地パターンの描画データを作成して、前記光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
4. フォトレジストが塗布された基板をチャックで支持し、
   チャックと、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置とを、相対的に移動し、
   光ビーム照射装置からの光ビームにより基板を走査して、基板にパターンを描画する露光方法であって、
   予め他のパターンが露光された基板について、複数の測定点でパターンの位置のずれ量を測定した測定データを入力し、
   入力した測定データから、他のパターンの歪みに応じて、他のパターンの上又は下に露光するパターンの位置座標を変換し、
   変換した位置座標に基づき、他のパターンの上又は下に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することを特徴とする露光方法。
5. 下地パターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、
   入力した測定データから、下地パターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの上に露光するパターンの位置座標を変換し、
   変換した位置座標に基づき、下地パターンの上に露光するパターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
6. 下地パターンの上に露光するパターンがプロキシミティ露光装置により複数のショットに分けて露光された基板の測定データを入力し、
   入力した測定データから、下地パターンの上にこれから露光されるパターンの各ショットの歪みに応じて、下地パターンの位置座標を変換し、
   変換した位置座標に基づき、下地パターンの描画データを作成して、光ビーム照射装置の駆動回路へ供給することを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
7. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。
8. 請求項４乃至請求項６のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板の露光を行うことを特徴とする表示用パネル基板の製造方法。

Images