JP2013170878A - Current sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電流路が形成する磁界を検出して当該電流路に流れる電流を測定する電流センサに関し、特に、隣り合う電流路の影響をより小さくできる電流センサに関する。 The present invention relates to a current sensor that detects a magnetic field formed by a current path and measures a current flowing through the current path, and more particularly to a current sensor that can reduce the influence of adjacent current paths.
電流センサは、電流路に流れる電流を測定するセンサであって、非接触で被測定電流路の周りに形成される磁界を検出し、検出された磁界に基づいて当該電流路に流れる電流を測定するものが知られている。このような電流センサは、例えば、それぞれの延びる方向が平行となるように並設された3本の電流路を有する三相モータ等に搭載される。このような複数の電流路に適用される電流センサにおいては、隣り合う電流路(近接電流路)を流れる電流により生じる磁界が被測定電流路の電流測定精度を低下させる問題がある。そのため、近接電流路に起因する磁界や地磁気等の外来磁界の影響を抑制する必要がある。 The current sensor is a sensor that measures the current flowing in the current path, detects a magnetic field formed around the current path to be measured without contact, and measures the current flowing in the current path based on the detected magnetic field. What to do is known. Such a current sensor is mounted on, for example, a three-phase motor having three current paths arranged in parallel so that the extending directions thereof are parallel to each other. In a current sensor applied to such a plurality of current paths, there is a problem that a magnetic field generated by a current flowing in an adjacent current path (proximity current path) reduces the current measurement accuracy of the current path to be measured. For this reason, it is necessary to suppress the influence of an external magnetic field such as a magnetic field or a geomagnetism caused by the close current path.
たとえば、特許文献1に開示されているように、環状のコアを被測定電流路に巻きつけずに、近接電流路に起因する磁界の影響を抑制する方法が検討されている。図12は特許文献1で開示された従来の電流センサ101を示している。図12に示すように、被測定電流路111の周りに形成される磁界を一対の磁電変換素子121a、121bで検出し、その出力の差分を測定している。こうすれば、近接電流路112に起因する磁界は、同一方向で同一の大きさの磁界として検出されるので、出力の差分により相殺することができる。また、環状のコアをもたないので、環状のコアを有する電流センサに比べて小型化できる。なお、図12では磁界を分かりやすく示すために、電流に直交する平面から少し傾けた状態で磁界を図示している。
For example, as disclosed in
従来の電流センサ101の一対の磁電変換素子121a、121bは、図12のXY平面に直交する方向の感度軸を有し、被測定電流路111に流れる電流が形成する磁界と、近接電流路112に起因する磁界と、の和の磁界強度または差の磁界強度のいずれかを検出している。一対の磁電変換素子121a、121bの一方が(磁界強度の大きさとして)和で、他方が差のとき、当該一方の磁電変換素子はこの磁界強度で飽和しないダイナミックレンジを有したものでなければならない。すなわち、被測定電流路111の電流が形成する磁界よりも大きな磁界強度を測定可能なセンサ仕様にしておく必要がある。言い換えれば、当該磁電変換素子の有するダイナミックレンジから期待されるセンサ仕様よりも、実際に測定可能な電流範囲が狭いことが分かる。
The pair of magnetoelectric transducers 121a and 121b of the conventional
一方、電流センサは、たとえば電気回路内に設置されるので、可能な限り小型化することが望まれている。しかしながら、隣り合う電流路を近づけると、磁電変換素子の位置での磁界強度が大きくなるので、出力の差分における相殺量が大きくなって、磁電変換素子の入出力特性における線形性からのずれに影響されて、電流センサとしての測定精度が低下する。そのため、隣合う電流路に起因する磁界の影響を相対的に小さくするように、被測定電流路と隣り合う電流路とは、あまり近づけずに配置されていた。この場合、被測定電流路と隣り合う電流路との間隔を狭められない問題があった。 On the other hand, since the current sensor is installed, for example, in an electric circuit, it is desired to make it as small as possible. However, when the adjacent current paths are brought closer, the magnetic field intensity at the position of the magnetoelectric transducer increases, so the amount of offset in the output difference increases, which affects the deviation from linearity in the input / output characteristics of the magnetoelectric transducer. Thus, the measurement accuracy as a current sensor is lowered. For this reason, the current path to be measured and the adjacent current path are arranged not so close to each other so as to relatively reduce the influence of the magnetic field caused by the adjacent current path. In this case, there is a problem that the distance between the current path to be measured and the adjacent current path cannot be reduced.
したがって、被測定電流路と隣り合う電流路との間隔を狭めるため、隣り合う電流路に起因する磁界に影響されにくい電流センサが望まれていた。 Therefore, in order to reduce the interval between the current path to be measured and the adjacent current path, a current sensor that is not easily affected by the magnetic field caused by the adjacent current path has been desired.
本発明は上記課題を解決するためのものであり、特に、隣り合う電流路に起因する磁界の影響をより小さくできる電流センサを提供することを目的とする。 The present invention is for solving the above-described problems, and in particular, an object of the present invention is to provide a current sensor that can further reduce the influence of a magnetic field caused by adjacent current paths.
本発明の電流センサは、同一平面に配置された複数の電流路と、前記複数の電流路にそれぞれ対応して、各々の前記電流路が形成する磁界を検出する一対の磁電変換素子とを備え、各々の前記電流路は、第1導体部と、前記第1導体部の一端に接続され、前記第1導体部に直交して第1方向に延在する第2導体部と、前記第1導体部の他端に接続され、前記第1導体部に直交して第2方向に延在する第3導体部とを有し、各々の前記第1導体部は前記平面内で平行であり、前記第2導体部と前記第3導体部とは互いに前記平面内で平行であって、前記第1導体部の前記一端と前記他端との間の寸法を前記第1導体部の長さとすると、前記第1導体部の前記一端から前記第1導体部の長さ方向に延びる延長線上には、隣りの前記第2導体部が配置され、前記第1導体部の前記他端から前記第1導体部の長さ方向に延びる延長線上には、隣りの前記第3導体部が配置されているとともに、前記一対の磁電変換素子は、前記第1導体部を対称に挟むとともに前記平面に垂直な位置に配設されて、前記電流路における前記第1導体部が形成する磁界を検出する、ことを特徴とする。 The current sensor of the present invention includes a plurality of current paths arranged on the same plane, and a pair of magnetoelectric conversion elements that detect the magnetic field formed by each of the current paths, corresponding to the plurality of current paths, respectively. Each of the current paths is connected to a first conductor portion, one end of the first conductor portion, a second conductor portion extending in a first direction orthogonal to the first conductor portion, and the first conductor portion. A third conductor portion connected to the other end of the conductor portion and extending in a second direction perpendicular to the first conductor portion, and each of the first conductor portions is parallel in the plane; The second conductor portion and the third conductor portion are parallel to each other in the plane, and the length between the one end and the other end of the first conductor portion is the length of the first conductor portion. The adjacent second conductor portion is arranged on an extension line extending in the length direction of the first conductor portion from the one end of the first conductor portion. The adjacent third conductor portion is disposed on an extension line extending in the length direction of the first conductor portion from the other end of the first conductor portion, and the pair of magnetoelectric transducers is The first conductor portion is sandwiched symmetrically and disposed at a position perpendicular to the plane to detect a magnetic field formed by the first conductor portion in the current path.
これにより、被測定電流路に流れる電流は、当該電流路における第1導体部に流れる電流が形成する磁界を検出することによって測定される。磁電変換素子が磁界を検出する感度軸方向を主感度軸と定義する。すなわち、主感度軸は、第1導体部を流れる電流が形成する磁界の方向になるように、一対の磁電変換素子が所定の向きに配設される。一対の磁電変換素子は第1導体部を挟んで対称に配置されて、電流路が配置された平面に平行な主感度軸を有している。このとき、第2導体部及び第3導体部が形成する磁界は、磁界を検出する一対の磁電変換素子の主感度軸に対して直交する磁界成分のみである。また、隣り合う電流路における第1導体部が形成する磁界を、被測定電流路に配設された一対の磁電変換素子の位置でほとんど検出されないように配置することができる。さらに、隣り合う電流路における第2導体部及び第3導体部が形成する磁界は、被測定電流路に配設された一対の磁電変換素子の主感度軸に対して、直交する磁界成分であるので検出されない。 Thereby, the current flowing through the current path to be measured is measured by detecting the magnetic field formed by the current flowing through the first conductor portion in the current path. The sensitivity axis direction in which the magnetoelectric transducer detects a magnetic field is defined as the main sensitivity axis. That is, the pair of magnetoelectric transducers are arranged in a predetermined direction so that the main sensitivity axis is in the direction of the magnetic field formed by the current flowing through the first conductor portion. The pair of magnetoelectric transducers are arranged symmetrically across the first conductor portion, and have a main sensitivity axis parallel to the plane on which the current path is arranged. At this time, the magnetic field formed by the second conductor portion and the third conductor portion is only the magnetic field component orthogonal to the main sensitivity axis of the pair of magnetoelectric transducers that detect the magnetic field. Moreover, it can arrange | position so that the magnetic field which the 1st conductor part in an adjacent current path forms may be hardly detected in the position of a pair of magnetoelectric conversion element arrange | positioned by the to-be-measured current path. Further, the magnetic field formed by the second conductor portion and the third conductor portion in the adjacent current paths is a magnetic field component orthogonal to the main sensitivity axis of the pair of magnetoelectric transducers disposed in the current path to be measured. Not detected.
したがって、隣り合う電流路に起因する磁界の影響をより小さくできる。 Therefore, the influence of the magnetic field caused by adjacent current paths can be further reduced.
さらに、上記電流センサにおいて、前記平面内で前記第1導体部の長さ方向と直交する方向の寸法を、前記第1導体部の幅とすると、前記一対の磁電変換素子は、それぞれ前記第1導体部の幅方向に主感度軸を有するとともに、前記第1導体部の長さ方向に磁気影響軸を有し、前記一対の磁電変換素子は、前記主感度軸の向きが同じ向きであり、かつ、前記磁気影響軸の向きが同じ向きであることを特徴とする。 Furthermore, in the current sensor, when the dimension in the direction perpendicular to the length direction of the first conductor portion in the plane is the width of the first conductor portion, the pair of magnetoelectric transducers are And having a main sensitivity axis in the width direction of the conductor portion and a magnetic influence axis in the length direction of the first conductor portion, and the pair of magnetoelectric transducers have the same orientation of the main sensitivity axis, And the direction of the said magnetic influence axis | shaft is the same direction, It is characterized by the above-mentioned.
上記電流センサにおいて、前記平面内で前記第1導体部の長さ方向と直交する方向の寸法を、前記第1導体部の幅とすると、前記一対の磁電変換素子はそれぞれ前記第1導体部の幅方向に主感度軸を有するとともに、前記第1導体部の長さ方向に磁気影響軸を有し、前記一対の磁電変換素子は、前記主感度軸の向きが逆向きであり、かつ、前記磁気影響軸の向きが逆向きであってもよい。 In the current sensor, when the dimension in the direction perpendicular to the length direction of the first conductor portion in the plane is the width of the first conductor portion, the pair of magnetoelectric transducers are each of the first conductor portion. The pair of magnetoelectric transducers has a main sensitivity axis in the width direction, a magnetic influence axis in the length direction of the first conductor portion, and the pair of magnetoelectric transducers has an opposite direction of the main sensitivity axis, and The direction of the magnetic influence axis may be reversed.
磁気影響軸とは、磁界を検出する主感度軸に直交する軸のうち、磁電変換素子の出力に対して影響する方向の軸を意味している。主感度軸以外の方向に特別な磁気影響軸を有する磁電変換素子を配設する場合に、一対の磁電変換素子のそれぞれが有する主感度軸と磁気影響軸との向きを、一対でそれぞれ同じ向きにするか、どちらも異なる向きにすれば、磁気影響軸方向の磁界の影響を相殺することができる。こうすれば、磁気影響軸の方向に外来磁界があっても、被測定電流の測定精度が低下しないようにできる。 The magnetic influence axis means an axis in a direction that affects the output of the magnetoelectric conversion element among the axes orthogonal to the main sensitivity axis for detecting the magnetic field. When a magnetoelectric conversion element having a special magnetic influence axis is arranged in a direction other than the main sensitivity axis, the direction of the main sensitivity axis and the magnetic influence axis of each of the pair of magnetoelectric conversion elements is the same for each pair. If both are in different directions, the influence of the magnetic field in the direction of the magnetic influence axis can be canceled out. In this way, even if there is an external magnetic field in the direction of the magnetic influence axis, the measurement accuracy of the current to be measured can be prevented from being lowered.
上記電流センサにおいて、前記第1導体部及び第2導体部並びに第3導体部がそれぞれ、前記平面と直交する方向の寸法を、それぞれの厚さとすると、前記第1導体部の厚さは前記第1導体部の幅よりも小さく、前記第2導体部及び前記第3導体部の厚さは前記第1導体部の厚さよりも大きいことが好ましい。こうすれば、一対の磁電変換素子の近傍において、外部磁界成分が磁電変換素子の位置に侵入してくることが防止できる。したがって、外部磁界成分の影響を受けにくいので、第1導体部の長さを小さくでき、複数の電流路を接近して配置することが可能である。 In the above current sensor, when the first conductor portion, the second conductor portion, and the third conductor portion have the respective thicknesses in the direction orthogonal to the plane, the thickness of the first conductor portion is the first thickness. It is preferable that the width of the first conductor portion is smaller than the width of one conductor portion, and the thickness of the second conductor portion and the third conductor portion is larger than the thickness of the first conductor portion. In this way, it is possible to prevent an external magnetic field component from entering the position of the magnetoelectric conversion element in the vicinity of the pair of magnetoelectric conversion elements. Therefore, since it is hardly affected by the external magnetic field component, the length of the first conductor portion can be reduced, and a plurality of current paths can be arranged close to each other.
上記電流センサにおいて、前記一対の磁電変換素子は磁気抵抗効果素子であることが好適である。磁気抵抗効果素子は、実装するプリント配線基板等の面に平行な主感度軸をもち、小型かつ高感度なので、電流センサを小型化できる。 In the current sensor, it is preferable that the pair of magnetoelectric conversion elements are magnetoresistive elements. The magnetoresistive effect element has a main sensitivity axis parallel to the surface of the printed wiring board to be mounted, and is small and highly sensitive, so that the current sensor can be miniaturized.
上記電流センサにおいて、前記一対の磁電変換素子は磁気収束板を具備したホール効果素子であってもよい。磁気収束板を具備したホール効果素子は、実装するプリント配線基板等の面に平行な主感度軸にできるので、電流センサを小型化できる。 In the current sensor, the pair of magnetoelectric conversion elements may be Hall effect elements including a magnetic focusing plate. Since the Hall effect element provided with the magnetic converging plate can have a main sensitivity axis parallel to the surface of the printed wiring board or the like to be mounted, the current sensor can be miniaturized.
本発明の電流センサによれば、被測定電流路と隣り合う電流路との間隔を狭めても、隣り合う電流路に起因する磁界は一対の磁電変換素子にほとんど検出されないので、隣り合う電流路に起因する磁界の影響をより小さくできる。 According to the current sensor of the present invention, even if the interval between the current path to be measured and the adjacent current path is narrowed, the magnetic field caused by the adjacent current path is hardly detected by the pair of magnetoelectric transducers. The influence of the magnetic field due to can be made smaller.
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、分かりやすいように、図面の各種寸法を適宜変更している。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. For easy understanding, various dimensions in the drawings are appropriately changed.
<第1の実施形態>
第1の実施形態について、以下、図1〜図5を参照しながら説明する。図1は第1の実施形態の電流センサ1を示す平面図である。
<First Embodiment>
The first embodiment will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view showing a
図1に示すように、電流路11、12、13が近接してXY平面に配置されている。以下、電流路12について説明する。電流路12は、X1−X2方向に電流が流れている第1導体部12aと、第1導体部12aの一端に接続され、第1導体部12aに直交して第1方向(Y1方向)に延在する第2導体部12bと、第1導体部12aの他端に接続され、第1導体部12aに直交して第2方向(Y2方向)に延在する第3導体部12cと、を有している。図1においては、第1導体部12aの一端と他端とを分かりやすくするために、2点鎖線で図示している。また、電流が第2導体部12bのY1方向から第3導体部12cのY2方向に流れている様子を、各導体部に示す矢印で表わしている。この電流の向きに対して、電流に直交する平面に沿って磁界を生じている。図1においては磁界を点線の矢印で示している。なお、図1では、磁界を分かりやすく示すために、電流に直交する平面から少し傾けた状態で磁界を図示している。
As shown in FIG. 1, the
電流路12の第1導体部12aの平面位置には、磁界を検出する一対の磁電変換素子が第1導体部を挟む対称な位置に配設され、第1導体部12aが形成する磁界を検出する。図1では、平面視で、一対の磁電変換素子の一方(22a)が第1導体部12aのほぼ中央に位置している。一対の磁電変換素子の他方(22b)は、第1導体部12aの裏側に、第1導体部12aを挟む対称な位置に配設されていて、平面視では見えない(後述の図3及び図4を参照)。
A pair of magnetoelectric transducers for detecting a magnetic field are disposed at symmetrical positions sandwiching the first conductor portion at the planar position of the
本明細書において、磁電変換素子22a、22bが磁界を検出する感度軸方向を主感度軸と定義する。それぞれの磁電変換素子の主感度軸は、電流路12の第1導体部12aを流れる電流が形成する磁界の方向(Y1−Y2方向)になるように、一対の磁電変換素子22a、22bの向きが揃えられて配設されている。
In this specification, the sensitivity axis direction in which the
第1導体部12aの平面位置に配設された一対の磁電変換素子22a、22bは主感度軸がY1−Y2方向であるので、第1導体部12aを流れる電流が形成する磁界を検出する。なお、第1導体部11a、12a、13aはX1−X2方向に離れて配置されているので、電流路12に配設された磁電変換素子の位置では、隣り合う電流路11、13の第1導体部11a、13aが形成する磁界をほとんど検出することがない。また、第2導体部12bと第3導体部12cとは互いに平面内で平行であって、第1導体部12aの一端と他端との間の寸法を第1導体部12aの長さとすると、第1導体部12aの一端から第1導体部12aの長さ方向に延びる延長線上には、隣りの第2導体部11bが配置され、第1導体部12aの他端から第1導体部12aの長さ方向に延びる延長線上には、隣りの第3導体部13cが配置されている。隣りの第2導体部11b及び第3導体部13cを流れる電流が形成する磁界は、電流路12に配設された磁電変換素子22a、22bの位置ではXY平面に直交する成分がほとんどである。したがって、隣り合う電流路11、13に起因する磁界の影響をより小さくできる。他の電流路11、13においても同様である。この結果、一対の磁電変換素子の出力の差分における相殺量が小さいので、磁電変換素子の入出力特性に線形性からのずれ(非線形性)を有していても、その影響が少ない。
The pair of
図2は図1の電流センサ1における被測定電流路2の事例を示す拡大平面図である。図2は、電流路12を被測定電流路2とした事例であり、第1導体部12aの長さL、幅Waを図示している。また、第2導体部12bの幅Wbと第3導体部12cの幅Wcとを示した。また、図2のIII−III線に沿って切断した断面図を図3に、IV−IV線に沿って切断した断面図を図4に示す。図3及び図4から分かるように、各電流路は平板導体(バスバー)の形状である。第1導体部12aの長さLのほぼ中央、かつ、幅Waのほぼ中央に、一対の磁電変換素子22a、22bが配設されている。一対の磁電変換素子22a、22bは図示しない基板に実装されて固定され、第1導体部12aを挟む対称な位置に配設される。一方、図3及び図4に、磁電変換素子22a、22bの主感度軸Sa、Sbの向きを矢印で示している。一対の磁電変換素子22a、22bにおいて、電流路12における第1導体部12aが形成する磁界を検出するように、主感度軸Sa、SbはY1−Y2方向でY1の向きに揃えられている。第1導体部の厚さ(Z1−Z2方向の寸法)Haは幅Waよりも小さく、図3のように矩形の断面形状である。このとき、一対の磁電変換素子22a、22bの間隔Dは第1導体部の厚さHaより大きく、第1導体部の幅Waより小さくしている。
FIG. 2 is an enlarged plan view showing an example of the
電流路12に流れる電流が形成する磁界は電流路12の周りに沿っているので、図3のような第1導体部12aの矩形断面では、磁電変換素子22a、22bの位置において、Y1−Y2方向の磁界成分がほとんどである。したがって、電流が形成する磁界を高感度に検出することができる。また、一対の磁電変換素子22a、22bで検出される磁界は、被測定電流路2(電流路12)に起因する成分は正負が異なり、地磁気のような外来磁界成分は正負が同じである。したがって、一対の磁電変換素子22a、22bの出力の差分を測定すれば、被測定電流路2に起因する磁界成分のみを測定できる。
Since the magnetic field formed by the current flowing through the
磁電変換素子22a、22bのX1−X2方向の寸法は、図2に示す第1導体部12aの長さLに比べて、十分に小さくすることができる。一方、上述したように、第1導体部12a以外の電流路に起因する磁界は、磁電変換素子22a、22bの位置で、主感度軸Sa、Sbの方向の成分をほとんど有していない。このため、第2導体部12b、第3導体部12c、及び隣り合う電流路11、13が形成する磁界を検出して、出力の差分を測定する場合に比べて、第1導体部12aの長さLを小さくしても、隣り合う電流路11、13に起因した磁界強度が大きくなる影響を受けにくい。したがって、第1導体部12aの長さLを小さくできるので、電流路11、12、13を接近して配置することが可能である。
The dimensions of the
また、図1に示す平面位置に対して、第2導体部12bと隣り合う電流路11の第3導体部11cとが、X1−X2方向で重なっていても、Y1−Y2方向で離れていれば、接することがないので問題ない。第3導体部12cと隣り合う電流路13の第2導体部13bとの配置についても同様である。さらに、被測定電流路2(電流路12)に配設された磁電変換素子22aのX1−X2方向の位置では、隣り合う電流路11、13の第1導体部11a、13aに起因する磁界のY1−Y2方向の磁界成分が大きくならない。その範囲であれば、各電流路を接近して配置することが可能なので、隣り合う電流路11、13をX1−X2方向にさらに近づけることが可能である。
Further, even if the
なお、一対の磁電変換素子22a、22bは図示しない基板に実装されて、第1導体部12aと磁電変換素子22a、22bとの間隔と、該基板の厚さと、がほぼ等しいことが好ましい。こうすれば、第1導体部12aに基板を載置して、上記の間隔が一定になるように取り付け可能であり、取り付け精度が安定する。上記基板には、プリント配線基板やフレキシブル配線基板を用いることができる。
The pair of
次に、用いる磁電変換素子22a、22bの特性に応じた配置について説明する。磁電変換素子22a、22bは、磁気検出が可能な磁電変換素子であれば特に限定されない。磁電変換素子22aが、磁気抵抗効果素子の一種であるGMR(Giant Magneto Resistance)素子である場合を図5に示す。GMR素子を用いた磁電変換素子22aの感度軸を示す説明図であり、図5(a)はZ2方向から見た模式図であり、(b)はX2方向から見た模式図である。
Next, the arrangement according to the characteristics of the
GMR素子においては、磁化方向Paが固定された固定層41aに対して、スペーサ層42aを介して、磁化方向Faが変化するフリー層43aが積層された構造を有する。ここでフリー層43aの磁化方向Faは、外部磁界が無いときに固定層41aの磁化方向Paに直交するように、バイアス磁界Biを設けて設定されている。このため、図5(b)に示すように、外部磁界がゼロのとき、フリー層43aの磁化方向Faはバイアス磁界Bi方向である。外部磁界が加わると、固定層41aの磁化方向Pa方向と主感度軸Sa方向(−Pa方向)との間で、フリー層43aの磁化方向Faの向きが変化する。このとき、GMR素子の電気抵抗値が変化し、外部磁界を検出することができる。固定層41aの磁化方向Paとフリー層43aの磁化方向Faとのなす角度によって抵抗値が変化するので、外部磁界の大きさを測定することができる。GMR素子等の磁気抵抗効果素子は、実装するプリント配線基板等の面に平行な主感度軸をもち、小型かつ高感度なので、電流センサを小型化できる。 The GMR element has a structure in which a free layer 43a whose magnetization direction Fa is changed is stacked via a spacer layer 42a on a fixed layer 41a whose magnetization direction Pa is fixed. Here, the magnetization direction Fa of the free layer 43a is set by providing a bias magnetic field Bi so as to be orthogonal to the magnetization direction Pa of the fixed layer 41a when there is no external magnetic field. Therefore, as shown in FIG. 5B, when the external magnetic field is zero, the magnetization direction Fa of the free layer 43a is the bias magnetic field Bi direction. When an external magnetic field is applied, the direction of the magnetization direction Fa of the free layer 43a changes between the magnetization direction Pa direction of the fixed layer 41a and the main sensitivity axis Sa direction (-Pa direction). At this time, the electrical resistance value of the GMR element changes and an external magnetic field can be detected. Since the resistance value changes depending on the angle formed by the magnetization direction Pa of the fixed layer 41a and the magnetization direction Fa of the free layer 43a, the magnitude of the external magnetic field can be measured. A magnetoresistive element such as a GMR element has a main sensitivity axis parallel to the surface of a printed wiring board or the like to be mounted, and is small and highly sensitive. Therefore, the current sensor can be miniaturized.
測定可能な磁界の大きさはフリー層43aの磁化方向Faが固定層41aの磁化方向Paと同じ向きから、固定層41aの磁化方向Paと反対向き(主感度軸Sa方向)になる範囲である。この範囲は、バイアス磁界Biの大きさによって変えることが可能である。バイアス磁界Biの大きさによって、フリー層43aの磁化方向Faの向きが変化するので、測定する磁界に対する感度が変化する。 The magnitude of the magnetic field that can be measured is a range in which the magnetization direction Fa of the free layer 43a is the same direction as the magnetization direction Pa of the fixed layer 41a and is opposite to the magnetization direction Pa of the fixed layer 41a (main sensitivity axis Sa direction). . This range can be changed according to the magnitude of the bias magnetic field Bi. Since the direction of the magnetization direction Fa of the free layer 43a changes depending on the magnitude of the bias magnetic field Bi, the sensitivity to the magnetic field to be measured changes.
このバイアス磁界Biの大きさに感度が依存する特性は、ダイナミックレンジを大きくする場合に有効な手法であるが、バイアス磁界Biの方向(正負)の外部磁界に影響されやすくなる。本明細書において、このような感度に影響する磁界方向を磁気影響軸と呼ぶことにする。磁気影響軸とは、磁界を検出する主感度軸に直交する軸のうち、磁電変換素子の出力に対して影響する方向の軸を意味している。また、磁気影響軸に対比して、本来測定する磁界方向は前述のように主感度軸である。 This characteristic that the sensitivity depends on the magnitude of the bias magnetic field Bi is an effective technique for increasing the dynamic range, but is easily affected by an external magnetic field in the direction of the bias magnetic field Bi (positive or negative). In this specification, the magnetic field direction that affects the sensitivity is referred to as a magnetic influence axis. The magnetic influence axis means an axis in a direction that affects the output of the magnetoelectric conversion element among the axes orthogonal to the main sensitivity axis for detecting the magnetic field. In contrast to the magnetic influence axis, the magnetic field direction to be originally measured is the main sensitivity axis as described above.
図3及び図4に示すように、一対の磁電変換素子22a、22bの主感度軸Sa、Sbが同じ向きであるとき、図5に示す磁電変換素子22aの固定層41aがもつ磁化方向Paと同じ向きの磁化方向Pbで、かつ、磁電変換素子22aと同じ向きのバイアス磁界Biを有した磁電変換素子22bを用いている。こうすれば、一対の磁電変換素子22a、22bの出力の差分を測定して、被測定電流路2の電流を測定することができる。一対の磁電変換素子22a、22bをこのような組み合わせにすれば、磁気影響軸方向の磁界の影響を相殺することができる。こうすれば、磁気影響軸の方向に外来磁界があっても、被測定電流の測定精度が低下しないようにできる。
As shown in FIGS. 3 and 4, when the main sensitivity axes Sa and Sb of the pair of
図6は、第1の変形例であり、一対の磁電変換素子22a、22bの主感度軸方向を逆向きにした場合の、磁電変換素子22bの磁化方向Fbを示している。図6(b)に示すように、外部磁界がゼロのときに、バイアス磁界Biの方向にフリー層43bの磁化方向Fbが一致している。図3〜図5と異なり、図6の場合は、被測定電流路2が形成する磁界の方向と、一対の磁電変換素子22a、22bの主感度軸の向きとが一致(または主感度軸とベクトルが反対向きで一致)する。このとき、一対の磁電変換素子22a、22bのバイアス磁界Biの向きを反対にしておくことで、被測定電流路2に起因する磁界を検出して、被測定電流路2の電流を測定することができる。この場合も、磁気影響軸方向の磁界をキャンセルすることができる。こうすれば、磁気影響軸の方向に外来磁界があっても、被測定電流の測定精度が低下しないようにできる。
FIG. 6 is a first modification, and shows the magnetization direction Fb of the
図7は、第2の変形例であり、一対の磁電変換素子22a、22bとして、ホール効果素子52a、53aを用いてY1−Y2方向の磁界を測定する場合を示している。図7は磁電変換素子22aについて、(a)平面図と(b)X2方向から見た断面図とを示している。ホール効果素子52a、53aはホール係数を有する半導体材料(半導体基板51)に電流を流し、半導体を流れるキャリア(電子または正孔)が電流と磁界とに直交する方向に移動して発生する電位差を検出する素子である。一般的なホール効果素子は基板材料の面に対して垂直な方向に感度軸を有するため、平面実装の面方向に磁界を生じる使用方法に適していない。そのため、磁気収束板54a、55aを形成して、それらの方向に主感度軸Saをもつように改良された。
FIG. 7 shows a second modification example, in which a magnetic field in the Y1-Y2 direction is measured using Hall effect elements 52a and 53a as a pair of
磁気収束板54a、55aは、図7のY1−Y2方向の磁界を検出する方向で、それぞれの一端がホール効果素子52a、53aの感度軸に平面視で重なるように配置されている。このとき、磁電変換素子22aの周辺に磁気シールド部材が配置されない場合には、X1−X2方向の磁界成分や、Z1−Z2方向の磁界成分も検出してしまう。磁電変換素子22bについても同様である。
The magnetic converging plates 54a and 55a are arranged such that one ends thereof overlap the sensitivity axes of the Hall effect elements 52a and 53a in a plan view in the direction of detecting the magnetic field in the Y1-Y2 direction of FIG. At this time, if a magnetic shield member is not disposed around the
本変形例においても、図1〜図4に示したように、主感度軸Sa方向には被測定電流路2の第1導体部12aに起因する磁界が形成されるが、隣り合う電流路11、13に起因する磁界はほとんど含まれないので、隣り合う電流路11、13に起因する磁界の影響をより小さくできる。さらに、一対の磁電変換素子22a、22bを外部磁界をキャンセルするように配設できるので、地磁気や隣り合う電流路11、13に起因する、X1−X2方向の磁界成分や、Z1−Z2方向の磁界成分についても、影響を小さくできる。このように、磁気収束板を具備したホール効果素子は、実装するプリント配線基板等の面に平行な主感度軸にできることから、電流センサを小型化できる。
Also in this modified example, as shown in FIGS. 1 to 4, a magnetic field caused by the
なお、図2〜図7は電流路12を被測定電流路2とした事例を図示しているが、他の電流路11、13においても同様である。
2 to 7 show examples in which the
<第2の実施形態>
図8は第2の実施形態の電流センサ1を示す平面図であり、図9は図8の電流センサ1における被測定電流路2の事例を示す拡大平面図である。第2の実施形態を構成する部材は第1の実施形態で説明した部材と同じであり、同じ符号が用いられている。
<Second Embodiment>
FIG. 8 is a plan view showing the
図9は電流路12における、第1導体部12aの長さL、幅Waを図示している。また、第2導体部12bの幅Wbと第3導体部12cの幅Wcとを示した。図9のX−X線に沿って切断した断面図を図10に、XI−XI線に沿って切断した断面図を図11に示す。図10及び図11から分かるように、第1導体部12aの長さLのほぼ中央で、幅Waのほぼ中央に、一対の磁電変換素子22a、22bが配設されている。一対の磁電変換素子22a、22bは図示しない基板に実装されて固定され、第1導体部12aを挟む対称な位置に配設される。一対の磁電変換素子22a、22bにおいて、電流路12における第1導体部12aが形成する磁界を検出するように、主感度軸Sa、SbはY1−Y2方向でY1の向きに揃えられている。第1導体部12aの厚さ(Z1−Z2方向の寸法)Haは幅Waよりも小さく、図10のように矩形の断面形状である。一方、第2導体部12bの厚さHbと、第3導体部12cの厚さHcとは、第1導体部の厚さHaより大きい。このとき、一対の磁電変換素子22a、22bの間隔Dは第1導体部の厚さHaより大きく、第1導体部の幅Waより小さくしている。さらに、第2導体部12bの厚さHbと、第3導体部12cの厚さHcとは、一対の磁電変換素子22a、22bの間隔Dよりも大きいことが特徴である。
FIG. 9 illustrates the length L and the width Wa of the
第2導体部12bの厚さHb及び第3導体部12cの厚さHcが、一対の磁電変換素子22a、22bの間隔Dよりも大きいので、X1−X2方向の外部磁界成分が磁電変換素子22a、22bの位置に侵入してくることが防止できる。
Since the thickness Hb of the
また、外部磁界成分の影響を受けにくいので、第1導体部12aの長さLは、磁電変換素子22a、22bのX1−X2方向の寸法より長ければ、図9や図11に示すよりも小さくできる。したがって、第1導体部12aの長さLを小さくできるので、電流路11、12、13を接近して配置することが可能である。
In addition, since the length L of the
図8に示すように、被測定電流路2の第2導体部12bと隣り合う電流路11の第3導体部11cとが、X1−X2方向で重なっていても、Y1−Y2方向で離れていれば、接することがないので問題ない。さらに、被測定電流路2に配設された磁電変換素子22aのX1−X2方向の位置では、隣り合う電流路11、13の第1導体部11a、13aに起因する磁界のY1−Y2方向の磁界成分が大きくならない。その範囲であれば、各電流路を接近して配置することが可能なので、隣り合う電流路11、13をX1−X2方向にさらに近づけることが可能である。
As shown in FIG. 8, even if the
図9は、電流路12を被測定電流路2とした事例を図示しているが、他の電流路11、13においても同様である。本実施形態においても、第1の実施形態と同様の変形例として、用いる磁電変換素子22a、22bの特性に応じた配置が可能である。
FIG. 9 illustrates an example in which the
なお、第2導体部12bの厚さHb及び第3導体部12cの厚さHcに対して、一対の磁電変換素子22a、22bの間隔Dが同じか大きい場合であっても、第1の実施形態と同様の効果が得られることは言うまでもない。
Even if the distance D between the pair of
第1の実施形態及び第2の実施形態における磁電変換素子22a、22bは、磁気検出が可能な磁電変換素子であれば特に限定されない。たとえば、AMR(Anisotropic Magneto Resistance)素子やTMR(Tunnel Magneto Resistance)素子等の磁気抵抗効果素子を用いてもよい。また、基板材料の面に対して垂直な方向に感度軸を有するホール効果素子を、感度軸方向が上記実施の形態と同じ関係になるように、基板に実装して取り付けてもよい。
The
以上のように、上記実施の形態における各構成要素の配置、大きさなどは適宜変更して実施することが可能である。その他、本発明は、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施することができる。 As described above, the arrangement, size, and the like of each component in the above embodiment can be changed as appropriate. In addition, the present invention can be implemented with appropriate modifications without departing from the scope of the present invention.
本発明の電流センサは、例えば、電気自動車やハイブリッドカーのモータ駆動用の電流の大きさを検知するために用いることが可能である。 The current sensor of the present invention can be used, for example, to detect the magnitude of a current for driving a motor of an electric vehicle or a hybrid car.
1 電流センサ
2 被測定電流路
11、12、13 電流路
11a、12a、13a 第1導体部
11b、12b、13b 第2導体部
11c、12c、13c 第3導体部
21a、21b、22a、22b、23a、23b 磁電変換素子
41a、41b 固定層
42a、42b スペーサ層
43a、43b フリー層
51a 半導体基板
52a、53a ホール効果素子
54a、55a 磁気収束板
101 電流センサ
112 被測定電流路
113 近接電流路
122a、122b、123a、123b 磁電変換素子
D 一対の磁電変換素子の間隔
Ha 第1導体部の厚さ
Hb 第2導体部の厚さ
Hc 第3導体部の厚さ
L 第1導体部の長さ
Wa 第1導体部の幅
Wb 第2導体部の幅
Wc 第3導体部の幅
Sa、Sb 主感度軸
Pa 固定層の磁化方向
Bi バイアス磁界
Fa フリー層の磁化方向
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記複数の電流路にそれぞれ対応して、各々の前記電流路が形成する磁界を検出する一対の磁電変換素子とを備え、
各々の前記電流路は、
第1導体部と、
前記第1導体部の一端に接続され、前記第1導体部に直交して第1方向に延在する第2導体部と、
前記第1導体部の他端に接続され、前記第1導体部に直交して第2方向に延在する第3導体部とを有し、
各々の前記第1導体部は前記平面内で平行であり、前記第2導体部と前記第3導体部とは互いに前記平面内で平行であって、
前記第1導体部の前記一端と前記他端との間の寸法を前記第1導体部の長さとすると、
前記第1導体部の前記一端から前記第1導体部の長さ方向に延びる延長線上には、隣りの前記第2導体部が配置され、
前記第1導体部の前記他端から前記第1導体部の長さ方向に延びる延長線上には、隣りの前記第3導体部が配置されているとともに、
前記一対の磁電変換素子は、前記第1導体部を対称に挟むとともに前記平面に垂直な位置に配設されて、前記電流路における前記第1導体部が形成する磁界を検出する、
ことを特徴とする電流センサ。 A plurality of current paths arranged in the same plane;
A pair of magnetoelectric transducers for detecting the magnetic field formed by each of the current paths, corresponding to each of the plurality of current paths,
Each said current path is
A first conductor portion;
A second conductor connected to one end of the first conductor and extending in a first direction perpendicular to the first conductor;
A third conductor portion connected to the other end of the first conductor portion and extending in a second direction perpendicular to the first conductor portion;
Each of the first conductor portions is parallel in the plane, and the second conductor portion and the third conductor portion are parallel to each other in the plane,
When the dimension between the one end and the other end of the first conductor portion is the length of the first conductor portion,
On the extension line extending in the length direction of the first conductor portion from the one end of the first conductor portion, the adjacent second conductor portion is disposed,
On the extension line extending in the length direction of the first conductor portion from the other end of the first conductor portion, the adjacent third conductor portion is disposed,
The pair of magnetoelectric transducers sandwich the first conductor portion symmetrically and are disposed at a position perpendicular to the plane to detect a magnetic field formed by the first conductor portion in the current path.
A current sensor characterized by that.
前記一対の磁電変換素子は、それぞれ前記第1導体部の幅方向に主感度軸を有するとともに、前記第1導体部の長さ方向に磁気影響軸を有し、
前記一対の磁電変換素子は、前記主感度軸の向きが同じ向きであり、かつ、前記磁気影響軸の向きが同じ向きである、
ことを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。 When the dimension in the direction perpendicular to the length direction of the first conductor portion in the plane is the width of the first conductor portion,
Each of the pair of magnetoelectric transducers has a main sensitivity axis in the width direction of the first conductor portion, and a magnetic influence axis in the length direction of the first conductor portion,
The pair of magnetoelectric transducers has the same orientation of the main sensitivity axis and the same orientation of the magnetic influence axis.
The current sensor according to claim 1.
前記一対の磁電変換素子はそれぞれ前記第1導体部の幅方向に主感度軸を有するとともに、前記第1導体部の長さ方向に磁気影響軸を有し、
前記一対の磁電変換素子は、前記主感度軸の向きが逆向きであり、かつ、前記磁気影響軸の向きが逆向きである、
ことを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。 When the dimension in the direction perpendicular to the length direction of the first conductor portion in the plane is the width of the first conductor portion,
Each of the pair of magnetoelectric transducers has a main sensitivity axis in the width direction of the first conductor portion, and a magnetic influence axis in the length direction of the first conductor portion,
In the pair of magnetoelectric transducers, the direction of the main sensitivity axis is reverse, and the direction of the magnetic influence axis is reverse.
The current sensor according to claim 1.
前記第1導体部の厚さは前記第1導体部の幅よりも小さく、前記第2導体部及び前記第3導体部の厚さは前記第1導体部の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の電流センサ。 When each of the first conductor portion, the second conductor portion, and the third conductor portion has a thickness in a direction orthogonal to the plane,
The thickness of the first conductor portion is smaller than the width of the first conductor portion, and the thickness of the second conductor portion and the third conductor portion is larger than the thickness of the first conductor portion. The current sensor according to claim 2 or 3.
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