JP2013153124A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 支持体上に配線回路基板を形成する間は、支持体と配線回路基板とが剥離しないようにすることができ、且つ、配線回路基板に半導体チップを実装した後は、容易に剥離することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 剥離層を有する支持体を準備する工程と、支持体の剥離層上に配線回路基板を形成する工程と、配線回路基板に半導体チップを実装する工程と、実装の後、剥離層における支持体とは反対側の面を界面として、支持体を剥離層とともに剥離する工程とを有し、剥離層は、２００℃に１分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ以上であり、且つ、２００℃より大きく５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において３分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満である半導体装置の製造方法。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

従来、シリコン半導体を用いたＩＣや、有機半導体を用いた有機ＥＬ素子など、種々の半導体材料にて構成される半導体素子（以下、単に「素子」とも言う）は、通常、ウェハ基板面に素子をマトリクス状に多数繰り返して形成した後、ダイシングによって個々の素子である半導体チップ（ベアチップとも呼ばれる）へと分断することによって製造されている。

近年、チップを外部の配線回路基板に接続（実装）する方法として、該チップの電極位置に配線回路基板の導体部分を対応させて両者を接続する方法（例えば、フリップチップボンディング）が用いられるようになっている。外部の配線回路基板とは、チップと共に封止されるパッケージ用回路基板や、他の素子が多数実装される一般的な回路基板などである。また、チップとパッケージ用回路基板との接続には、インターポーザと称される接点付きのフレキシブル配線回路基板を間に介在させる場合もある（特許文献１、２）。

前記のようなインターポーザなどのフレキシブルな配線回路基板は、そのフレキシブルな性質のために、チップ実装などの製造工程での取り扱い性は良好ではない。よって、従来では、特許文献１、２などに示されているとおり、先ず、金属支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成して適当な剛性を持った該配線回路基板とし、工程での取り扱い性を改善した状態でチップ実装を行ない、剛体であるチップが実装された後に金属支持基板を除去するといった方法が用いられている。

チップが配線回路基板に実装され、金属支持基板が除去された状態のものは、電極パッドが露出しただけのベアチップと比べて、外部導体（外部回路など）との接続や実装を容易とする接続用導体を備えた１つの半導体装置となっている。

特開２０００−３４９１９８号公報 特開２００１−４４５８９号公報

従来では、上記説明のとおり、金属支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成し、チップ実装された後に金属支持基板を除去するといった加工を行っている。ここで、金属支持基板と配線回路基板とは、一体不可分な積層体として形成され、チップ実装の後、該金属支持基板を除去する際には、エッチングが用いられている。しかしながら、エッチングによって金属支持基板を除去すると、該金属支持基板が消失するので、該金属支持基板を再利用することができないと問題点があった。また、従来では特に問題とはされていなかったが、エッチングによって金属支持基板を除去する工程があるために、レジストの付与と除去など、製造工程が煩雑になっており、製造コストが高くなっていることも問題である。

本発明者らは、上述した課題に対して、配線回路基板に金属製支持体層を剥離可能に付与しておくことによって（即ち、金属製支持体層上に、配線回路基板を該金属製支持体層から剥離可能に形成しておくことによって）、上記課題を解決し得ることを見出し、下記（１）の構成を有する半導体装置の製造方法をすでに発明している（例えば、特開２０１０−１４１１２６号公報）。

（１）半導体チップが配線回路基板上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、半導体チップの電極に接続し得る接続用導体部を持った配線回路基板を、金属製支持体層上に、該支持体層から剥離可能となるように、かつ、接続用導体部が該配線回路基板の上面に露出するように形成する工程と、前記配線回路基板の接続用導体部と半導体チップの電極とを接続して、該配線回路基板に半導体チップを実装する工程と、前記実装の後、金属製支持体層を配線回路基板から剥離する工程とを有し、金属製支持体層と配線回路基板との間に剥離層が形成されており、それによって、金属製支持体層から配線回路基板が剥離可能となっている半導体装置の製造方法。

上記（１）の構成によれば、チップを配線回路基板に実装した後、金属製支持体層をエッチングによらず、剥離して除去することができ、金属製支持体層を再利用することが可能になり、製造コストを低減することができる。また、金属製支持体層の剛直性（スティフネス性）によって、実装される半導体チップ直下の配線回路基板の変形を防止することができる。

上記半導体装置の製造方法を採用した場合、まず、配線回路基板を支持体上に形成する必要がある。しかしながら、配線回路基板の形成工程においては、比較的高温の熱履歴を複数回受ける。そのため、剥離層には、ある程度高温に晒されても剥離しない特性が求められる。また、配線回路基板に半導体チップを実装した後は、剥離する特性が要求される。

本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップが配線回路基板上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
剥離層を有する支持体を準備する工程と、
前記支持体の前記剥離層上に、配線回路基板を形成する工程と、
前記配線回路基板に半導体チップを実装する工程と、
前記実装の後、前記剥離層における前記支持体とは反対側の面を界面として、前記支持体を前記剥離層とともに剥離する工程とを有し、
前記剥離層は、２００℃に１分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ以上であり、且つ、２００℃より大きく５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において３分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満であることを特徴とする。

前記構成によれば、剥離層は、２００℃に１分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ以上であり、且つ、２００℃を超え、５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において３分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満である。従って、剥離層は、ある程度高温に晒されても剥離せず、且つ、さらにより高温領域においては、剥離する。その結果、支持体上に配線回路基板を形成する間は、支持体と配線回路基板とが剥離しないようにすることができ、且つ、配線回路基板に半導体チップを実装した後は、剥離することができる。

前記構成においては、剥離層は、ダイナミック硬さが、１０以下であることが好ましい。ダイナミック硬さが１０以下であると、剥離層の被着体（支持体や配線回路基板）への接着力を充分なものとすることができる。

前記構成においては、剥離層は、３％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に５分浸漬した後の重量減少率が１重量％未満であることが好ましい。３％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に５分浸漬した後の重量減少率が１重量％未満であると、３％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液への溶け出しが少ないため、耐溶剤性（特に、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に対する耐溶剤性）を高めることができる。

前記構成においては、剥離層は、シリコンウエハに貼り合わせた後に剥離した際の、シリコンウエハ面上の０．２μｍ以上のパーティクルの増加量が、シリコンウエハに貼り合わせる前に対して、１０００個／６インチウェハ未満であることが好ましい。シリコンウエハに貼り合わせた後に剥離した際の、シリコンウエハ面上の０．２μｍ以上のパーティクルの増加量が、シリコンウエハに貼り合わせる前に対して、１０００個／６インチウェハ未満であると、剥離後の糊残りを抑制することができる。

本発明によれば、支持体上に配線回路基板を形成する間は、支持体と配線回路基板とが剥離しないようにすることができ、且つ、配線回路基板に半導体チップを実装した後は、剥離することができる半導体装置の製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。 図３に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。 図３に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。 図３に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。 図３に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。 図３に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。 図３に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。 図３に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。 図３に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。

以下、本発明の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。図１〜図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。以下では、まず、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略について説明する。尚、本発明で用いている「上面」、「下面」など、上下を示す語句は、あくまで層の位置関係を説明するためのものであって、配線回路基板や半導体装置の実際の上下の姿勢を限定するものではない。

本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップが配線回路基板上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、剥離層を有する支持体を準備する工程と、前記支持体の前記剥離層上に、配線回路基板を形成する工程と、前記配線回路基板に半導体チップを実装する工程と、前記実装の後、前記剥離層における前記支持体とは反対側の面を界面として、前記支持体を前記剥離層とともに剥離する工程とを少なくとも具備し、前記剥離層は、２００℃に１分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ以上であり、且つ、２００℃より大きく５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において３分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満である。

当該製造方法では、まず、剥離層５を有する支持体１を準備する（図１参照）。次に、剥離層５上に、半導体チップ３の電極３１に接続し得る接続用導体部２１を有する配線回路基板２を、接続用導体部２１が配線回路基板２の上面に露出するように形成する。配線回路基板２は、剥離層５側に、外部と電気的な接続を行なうための外部接続用導体部２２を有する。なお、図１では、接続用導体部２１が配線回路基板２の上面に凸状に露出している場合を示しているが、本発明において接続用導体部は、配線回路基板の上面に露出してればよく、接続用導体部の上面が、配線回路基板の上面と面一であってもよい。

次に、図２に示すように、配線回路基板２の接続用導体部２１と半導体チップ３の電極３１とを接続して、配線回路基板２に半導体チップ３を実装する。なお、図２では、実装後の接続用導体部２１、電極３１のそれぞれの突起を省略して示している。

次に、図３に示すように、剥離層５における支持体１とは反対側の面を界面として、支持体１を剥離層５とともに剥離する。これにより、半導体チップ３が配線回路基板２に実装された半導体装置４が得られる。なお、支持体１を剥離した配線回路基板２に対して、ハンダボールを付与するといった加工を施してもよい。

以上、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明した。以下、図４〜図１１を参照しながら、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明する。図４〜図１１は、図３に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。

〔剥離層を有する支持体の準備〕
まず、支持体１を準備する（図４参照）。支持体１は、一定以上の強度を有することが好ましい。

支持体１としては、特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ、６−４Ａｌｌｏｙ，Ｎｉ箔、Ａｌ箔等の金属箔等が挙げられる。平面視で、丸い形状を採用する場合は、シリコンウェハ又はガラスウェハが好ましい。また、平面視で矩形の場合は、ＳＵＳ板、又は、ガラス板が好ましい。

また、支持体１として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。

支持体１は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用しても良い。支持体の厚みは、特に限定されないが、例えば、通常１０μｍ〜２０ｍｍ程度である。

次に、支持体１上に剥離層５を形成する。

剥離層５は、２００℃に１分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ以上であり、０．３０ｋｇ／５×５ｍｍ以上であることが好ましく、０．５０ｋｇ／５×５ｍｍ以上であることがより好ましい。また、剥離層５は、２００℃を超え、５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において３分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満であり、０．１０ｋｇ／５×５ｍｍ未満であることが好ましく、０．０５ｋｇ／５×５ｍｍ未満であることがより好ましい。剥離層５の２００℃に１分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ以上であり、２００℃を超え、５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において３分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満であるため、剥離層５は、ある程度高温に晒されても剥離せず、且つ、さらにより高温領域においては、剥離する。その結果、支持体１上に配線回路基板２を形成する間は、支持体１と配線回路基板２とが剥離しないようにすることができ、且つ、配線回路基板２に半導体チップ３を実装した後は、剥離することができる。剥離層５の前記剪断接着力は、例えば、剥離層５に含まれる官能基数によりコントロールすることができる。
また、剥離層５のシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満（好ましくは、０．１０ｋｇ／５×５ｍｍ未満、より好ましくは、０．０５ｋｇ／５×５ｍｍ未満）となる温度は、２００℃を超え、５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度であれば、特に限定されないが、好ましくは、２２０℃を超え、４８０℃以下であり、より好ましくは、２４０℃を超え、４５０℃以下である。
なお、前記剥離層は、２００℃以下であっても、長時間保持すると、シリコンウエハに対する前記剪断接着力は、０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満となる場合がある。また、前記剥離層は、２００℃より大きい温度に保持したとしても、短時間であれば、シリコンウエハに対する前記剪断接着力は、０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満とはならない場合がある。
すなわち、「２００℃より大きく５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において３分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満」は、高温での剥離性を評価する指標であり、「２００℃より大きく５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度」にすると、直ちに、シリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満になることを意味するものではない。また、「２００℃より大きく５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度」にしなければ、剥離性を発現しないことを意味するものでもない。

剥離層５は、ダイナミック硬さが１０以下であることが好ましく、９以下であることがより好ましく、８以下であることがさらに好ましい。また、前記ダイナミック硬さは、小さいほど好ましいが、例えば、０．００１以上である。前記ダイナミック硬さが１０以下であると、剥離層５の被着体（支持体や配線回路基板）への接着力を充分なものとすることができる。

剥離層５は、表面硬度が、１０ＧＰａ以下であることが好ましく、８ＧＰａ以下であることがより好ましく、６ＧＰａ以下であることがさらに好ましい。また、前記表面硬度は、小さいほど好ましいが、例えば、０．０５ＧＰａ以上である。前記表面硬度が、１０ＧＰａ以下であると、該剥離層５と被着体の接着力を制御することができる。

剥離層５は、３％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に５分浸漬した後の重量減少率が１重量％未満であることが好ましく、０．９重量％未満であることがより好ましく、０．８重量％未満であることがさらに好ましい。また、前記重量減少率は、小さいほど好ましいが、例えば、０重量％以上、０．００１重量％以上である。３％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に５分浸漬した後の重量減少率が１重量％未満であると、３％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液への溶け出しが少ないため、耐溶剤性（特に、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に対する耐溶剤性）を高めることができる。剥離層５の前記重量減少率は、例えば、用いるジアミンの組成（ジアミンの水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に対する溶解性）により、コントロールすることができる。

剥離層５は、シリコンウエハに貼り合わせた後に剥離した際の、シリコンウエハ面上の０．２μｍ以上のパーティクルの増加量が、シリコンウエハに貼り合わせる前に対して、１０００個／６インチウェハ未満であることが好ましく、９００個／６インチウェハ未満であることがより好ましく、８００個／６インチウェハ未満であることさらに好ましい。シリコンウエハに貼り合わせた後に剥離した際の、シリコンウエハ面上の０．２μｍ以上のパーティクルの増加量が、シリコンウエハに貼り合わせる前に対して、１０００個／６インチウェハ未満であると、剥離後の糊残りを抑制することができる。

剥離層５は、５０℃のＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に６０秒間浸漬し、１５０℃で３０分間乾燥した後の重量減少率が１．０重量％以上であることが好ましく、１．１重量％以上であることがより好ましく、１．２重量％以上であることがさらに好ましい。また、前記重量減少率は、大きいほど好ましいが、例えば、５０重量％以下、４０重量％以下である。５０℃のＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に６０秒間浸漬し、１５０℃で３０分間乾燥した後の重量減少率が１．０重量％以上であると、剥離層５がＮ−メチル−２−ピロリドンに溶け出し、充分に重量減少しているといえる。その結果、剥離層５をＮ−メチル−２−ピロリドンにより容易に剥離することができる。剥離層５の前記重量減少率は、例えば、原材料のＮＭＰに対する溶解性によりコントロールすることができる。すなわち、原材料として、ＮＭＰに対する溶解性の高いものを選択するほど、当該原材料を用いて得られた剥離層５は、ＮＭＰに対する溶解性は高くなる。

剥離層５は、２００℃に１分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ以上であり、且つ、２００℃を超え、５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において３分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満であれば、その形成材料は、特に限定されないが、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ゴム樹脂等を挙げることができる。

前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。

前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミンとを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。

前記ポリイミド樹脂としては、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有することが好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。前記エーテル構造を有するジアミンのなかでも、グリコール骨格を有するジアミンであることが好ましい。前記ポリイミド樹脂が、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位、特に、グリコール骨格を有するジアミンに由来する構成単位を有している場合、剥離層５を加熱すると、剪断接着力を低下させることができる。この現象について、本発明者らは、高温に加熱されることにより、前記エーテル構造、又は、前記グリコール骨格が剥離層を構成する樹脂から脱離し、この脱離により剪断接着力が低下している推察している。
なお、前記エーテル構造、又は、前記グリコール骨格が剥離層を構成する樹脂から脱離していることは、例えば、３００℃での加熱を３０分する前後におけるＦＴ−ＩＲ（ｆｏｕｒｉｅｒ ｔｒａｎｓｆｏｒｍ ｉｎｆｒａｒｅｄ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）スペクトルを比較し、２８００〜３０００ｃｍ^−１のスペクトルが加熱前後で減少していることにより確認できる。

前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。

前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００〜５０００の範囲内であることが好ましく、１５０〜４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００〜５０００の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する剥離層５をえやすい。

前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さない他のジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さない他のジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さない他のジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さない他のジアミンとの混合比率としては、モル比で、１００：０〜２０：８０が好ましく、９９：１〜３０：７０がより好ましい。

前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１，０００，０００であり、好ましくは１００〜３０，０００である。

芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１０００であり、好ましくは１００〜５００である。なお、本明細書において、分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。

前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。

剥離層５は、例えば、次の通りにして作製される。先ず、前記ポリアミド酸を含む溶液を作製する。次に、前記溶液を基材上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させる。前記基材としては、ＳＵＳ３０４、６−４アロイ、アルミ箔、銅箔、Ｎｉ箔などの金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が使用可能である。また、塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工、スピンコート塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度５０〜１５０℃、乾燥時間３〜３０分間の範囲内で行われる。これにより、本実施形態に係る剥離層５が得られる。

剥離層５を有する支持体１は、剥離層５を支持体１に転写して作製することができる。また、剥離層５を有する支持体１は、ポリアミド酸を含む溶液を直接、支持体１に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させて作製してもよい。

〔配線回路基板の形成〕
次に、支持体１の剥離層５上に配線回路基板２を形成する。剥離層を有する支持体上に配線回路基板を形成する方法には、セミアディティブ法や、サブトラクティブ法など、従来公知の回路基板やインターポーザの製造技術を適用してもよい。支持体上に配線回路基板を形成することにより、製造工程中、寸法安定性が良好となり、また、薄い配線回路基板の取り扱い性が良好となる。以下、配線回路基板の形成方法の一例を示す。

〔ベース絶縁層の形成〕
図５に示すように、ベース絶縁層２０ａを支持体１の剥離層５上に形成する。ベース絶縁層２０ａの材料としては、特に限定はされないが、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの公知の合成樹脂や、それらの樹脂と、合成繊維布、ガラス布、ガラス不織布、並びに、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２や鉱物、粘土などの微粒子との複合した樹脂などが挙げられる。特に、支持体１を剥離した後、より薄く、より大きな機械的強度を有し、より好ましい電気的特性（絶縁特性など）を有するフレキシブルな絶縁層となる点からは、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ガラス布複合エポキシ樹脂が好ましい材料として挙げられる。なかでも、感光性を有するものが好ましい。ベース絶縁層２０ａの厚さは、３〜５０μｍが好ましい。

次に、外部接続用導体部２２を形成すべき位置に、開口ｈ１を形成する（図６参照）。開口ｈ１の形成方法としては、従来公知の方法を採用することができる。例えば、感光性を有する樹脂を用いてベース絶縁層２０ａを形成した場合、開口ｈ１に対応するパターンが形成されたフォトマスクを介して光を照射した後、現像することにより、開口ｈ１を形成することができる。開口形状は特に限定されないが、円形が好ましく、直径も適宜設定可能であるが、例えば、５μｍ〜５００μｍとすることができる。

〔接点用の金属膜の形成〕
次に、開口ｈ１に接点用の金属膜２１１を形成する。金属膜２１１を形成することにより、電気的な接続をより好ましく行い、耐食性を高めることができる。金属膜２１１の形成方法は特に限定されないが、めっきが好ましく、該金属膜の材料としては、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれら２種類以上からなる合金などが挙げられる。これらの中でも好ましい材料としては、金、錫、ニッケルなどが挙げられ、下地層をＮｉとし、表層をＡｕとする２層構造などが好ましい金属膜の態様として挙げられる。

〔種膜、下側の導通路、導体層の形成〕
次に、必要に応じて、導体層２３、及び、導通路２５となるべきとなるべき部分の壁面に金属材料を良好に堆積させるための種膜（金属薄膜）２３ａを形成する。種膜２３ａは、例えば、スパッタリングによって形成することができる。種膜の材料としては、例えば、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれら２種類以上からなる合金などが用いられる。導体層２３の厚さは、特に限定はされないが、１〜５００ｎｍの範囲で適宜選択すればよい。また、導通路２５は円柱状が好ましい形状であって、その直径は５〜５００μｍ、好ましくは、５〜３００μｍである。その後、所定の配線パターンを有する導体層２３、導通路２５を形成する。配線パターンは、例えば、電解めっきにより形成することができる。その後、導体層２３の無い部分の種膜を除去する。

次に、図９に示すように、導体層２３の上をめっきレジストｒ１にて覆い（導通路を形成すべき部分は除く）、かつ、支持体１の下面を全面的にレジストｒ２にて覆い、電解めっきにより、導通路２４を形成する。

〔接着剤層の形成〕
次に、めっきレジストｒ１、ｒ２を除去し、露出した導体層２３および導通路２４を埋没させるように、エポキシ及びポリイミドを主成分とする接着剤層２０ｂを形成し、導通路２４の上端面が端子部として接着層上面に露出するように、該接着層をアルカリ性溶液などにてエッチングする（図１０参照）。

〔接続用導体部の端面への金属膜の形成〕
次に、図１１に示すように、導通路２４の上端面に、例えば、電解めっきにより、接続用導体部２１を形成する。接続用導体部２１は、例えば、ニッケル膜、金膜等により、形成することができる。

〔実装工程、剥離工程、ダイシング〕
次に、上記で得た配線回路基板２（支持体１が剥離可能に付いたもの）に対して、チップを実装する。その後、接着剤層２０ｂのエージングを行い、さらに、配線回路基板２上の各チップ３に樹脂封止を施す。なお、樹脂封止には、シート状の封止用樹脂シートを用いてもよく、液状の樹脂封止材を用いてもよい。その後、剥離層５における支持体１とは反対側の面を界面として、支持体１を剥離層５とともに剥離する。これにより、半導体チップ３が配線回路基板２に実装された半導体装置４が得られる。なお、配線回路基板２に対して、チップを実装する（フリップチップ接続）際には、配線回路基板２とチップの間にアンダーフィル用の樹脂を用いてもよい。アンダーフィル用の樹脂は、シート状のものであってもよく、液状のものであってもよい。また、上述した実施形態では、チップを実装後、樹脂封止を施す場合について説明したが、樹脂封止する代わりに、チップ上に従来公知のフリップチップ型半導体裏面用フィルムが形成されたものを用いてもよい。前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続されたチップ（半導体素子）の裏面に形成するためのフィルムであり、詳細は、例えば、特開２０１１−２４９７３９号公報等に開示されているため、ここでの説明は省略する。
前記剥離工程時の温度の下限値は、例えば、５０℃、８０℃、１００℃、１５０℃、１８０℃とすることができる。また、前記剥離工程時の温度の上限は、好ましくは２６０℃であり、より好ましくは２３０℃であり、さらに好ましくは、２００℃である。また、前記剥離工程において前記温度条件下に維持する時間は、温度に応じて異なるが、０．０５〜１２０分が好ましく、０．１〜３０分がより好ましい。
なお、前記実装工程以降の工程においては２６０℃以上の熱に晒されないようにすることが好ましい。これにより、ハンダ等が溶融することを抑制することができる。

本発明における半導体装置の製造方法は、剥離層を有する支持体（例えば、長尺の支持体）に、配線回路基板を形成し、前記配線回路基板に複数の半導体チップを実装し、樹脂封止を行ない、その後、裁断して複数の半導体装置を得る方法を含む。当該半導体装置の製造方法によれば、１の支持体上で複数の半導体装置のための配線回路基板を形成することができる。
以上、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について説明したが、本発明における半導体装置の製造方法は、上述した例に限定されず、本発明の要旨の範囲内で適宜変更可能である。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。

（実施例１）
窒素気流下の雰囲気において、１２３．３１ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）中に、ポリエーテルジアミン（ハインツマン製、Ｄ−２０００、分子量：１９９０．８）１２．９５ｇ、４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ、分子量：２００．２）７．８８ｇ、及び、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、分子量：２１８．１）１０．００ｇを７０℃で混合して反応させ、ポリアミド酸溶液Ａを得た。室温（２３℃）にまで冷却した後、ポリアミド酸溶液Ａをスピンコーターで８インチシリコンウエハーのミラー面上に塗布し、９０℃で２０分乾燥後し、ポリアミド酸付き支持体Ａを得た。ポリアミド酸付き支持体Ａを、窒素雰囲気下、３００℃で２時間熱処理して、厚み３０μｍのポリイミド皮膜（剥離層）を形成し、剥離層付き支持体Ａを得た。

（実施例２）
窒素気流下の雰囲気において、１０２．６４ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）中に、ポリエーテルジアミン（ハインツマン製、Ｄ−４００、分子量：４２２．６）１２．３２ｇ、４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ、分子量：２００．２）３．３４ｇ、及び、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、分子量：２１８．１）１０．００ｇを７０℃で混合して反応させ、ポリアミド酸溶液Ｂを得た。室温（２３℃）にまで冷却した後、ポリアミド酸溶液ＢをＳＵＳ箔（厚み３８μｍ）の上に乾燥後の厚みが５０μｍとなるように塗布し、９０℃で２０分乾燥後し、ポリアミド酸付き支持体Ｂを得た。ポリアミド酸付き支持体Ｂを、窒素雰囲気下、３００℃で２時間熱処理して、厚み５０μｍのポリイミド皮膜（剥離層）を形成し、剥離層付き支持体Ｂを得た。

（実施例３）
窒素気流下の雰囲気において、６４．４１ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）中に、ポリエーテルジアミン（イハラケミカル社製、エラスマー１０００、分子量：１２２９．７）１８．９０ｇ、４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ、分子量：２００．２）６．１０ｇ、及び、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、分子量：２１８．１）１０．００ｇを７０℃で混合し反応させ、ポリアミド酸溶液Ｃを得た。室温（２３℃）にまで冷却した後、ポリアミド酸溶液Ｃをスピンコーターで８インチガラスウエハー上に塗布し、９０℃で２０分乾燥後し、ポリアミド酸付き支持体Ｃを得た。ポリアミド酸付き支持体Ｃを、窒素雰囲気下、３００℃で２時間熱処理して、厚み８０μｍのポリイミド皮膜（剥離層）を形成し、剥離層付き支持体Ｃを得た。

（比較例１）
窒素気流下の雰囲気において、３６４．４２ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）中に、４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ、分子量：２００．２）９．１８ｇ、及び、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、分子量：２１８．１）１０．００ｇを７０℃で混合し反応させ、ポリアミド酸溶液Ｊを得た。室温（２３℃）にまで冷却した後、ポリアミド酸溶液Ｊをスピンコーターで８インチシリコンウエハーのミラー面上に塗布し、９０℃で２０分乾燥後し、ポリアミド酸付き支持体Ｊを得た。ポリアミド酸付き支持体Ｊを、窒素雰囲気下、３００℃で２時間熱処理して、厚み３０μｍのポリイミド皮膜（剥離層）を形成し、剥離層付き支持体Ｊを得た。

（シリコンウエハに対する剪断接着力の測定）
支持体（シリコンウエハー、ＳＵＳ箔、又は、ガラスウエハー）上に形成した剥離層上に、５ｍｍ角（厚さ５００μｍ）のシリコンウェハチップをのせ、６０℃、１０ｍｍ／ｓの条件にてラミネートした後、せん断試験機（Ｄａｇｅ社製、Ｄａｇｅ４０００）を用いて、剥離層とシリコンウェハチップとのせん断接着力を測定した。せん断試験の条件は、以下の２通りとした。結果を表１に示す。
＜せん断試験の条件１＞
ステージ温度：２００℃
ステージに保持してからせん断接着力測定開始までの時間：１分
測定速度：５００μｍ／ｓ
測定ギャップ：１００μｍ
＜せん断試験の条件２＞
ステージ温度：２６０℃
ステージに保持してからせん断接着力測定開始までの時間：３分
測定速度：５００μｍ／ｓ
測定ギャップ：１００μｍ

（水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液へ浸漬した際の重量減少率の測定）
まず、実施例、及び、比較例に係る剥離層付き支持体から、支持体を剥離した。次に、剥離した剥離層を１００ｍｍ角に切り出し、その重量を測定した。次に、２３℃の３％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）に５分浸漬した。水洗を十分に行った後、１５０℃で３０分間、乾燥を行った。その後、重量を測定し、浸漬後の重量とした。
重量減少率は、下記式により求めた。結果を表１に示す。
（重量減少率（重量％））＝［１−（（浸漬後の重量）／（浸漬前の重量））］×１００

（Ｎ−メチル−２−ピロリドンに浸漬した際の重量減少率の測定）
まず、実施例、及び、比較例に係る剥離層付き支持体から、支持体を剥離した。次に、剥離した剥離層を１００ｍｍ角に切り出し、その重量を測定した。次に、５０℃のＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に６０秒浸漬した。水洗を十分に行った後、１５０℃で３０分間、乾燥を行った。その後、重量を測定し、浸漬後の重量とした。
重量減少率は、下記式により求めた。結果を表１に示す。
（重量減少率（重量％））＝［（（浸漬後の重量）／（浸漬前の重量））−１］×１００

（糊残り評価）
まず、実施例、及び、比較例に係る剥離層付き支持体から、支持体を剥離した。次に、直径６インチサイズに実施例、及び、比較例の剥離層を加工し、直径８インチのウェハに、６０℃、１０ｍｍ／ｓの条件にてラミネートした。その後、１分間放置し、剥離した。パーティクルカウンター（ＳＦＳ６２００、ＫＬＡ製）を用い、直径８インチウェハの面上の０．２μｍ以上のパーティクル数を測定した。また、ラミネート前と比較して、剥離後のパーティクル増加量が１０００個／６インチウェハ未満である場合を○、１０００個／６インチウェハ以上である場合を×として評価した。結果を表１に示す。

（剥離温度）
実施例、及び、比較例に係る剥離層について、３０ｍｍ角の大きさとし、その剥離層の上に、１０ｍｍ角（厚さ：２ｍｍ）のガラスをラミネータを用いて貼りつけた。このサンプルを用いて、山陽精工製の高温度観察装置、（製品名：ＳＫ−５０００）にて、昇温速度：４℃／分、測定温度：２０〜３５０℃の条件で加温し、ガラスが剥離層から剥離する温度を確認した。結果を表1に示す。

（ガス目視温度）
実施例、及び、比較例に係る剥離層について、３０ｍｍ角の大きさとし、その剥離層の上に、１０ｍｍ角（厚さ：２ｍｍ）のガラスをラミネータを用いて貼りつけた。このサンプルを用いて、山陽精工製の高温度観察装置、（製品名：ＳＫ−５０００）にて、昇温速度：４℃／分、測定温度：２０〜３５０℃の条件で加温し、白煙が発生する温度を確認した。結果を表1に示す。

（表面硬度）
実施例、及び、比較例に係る剥離層について、島津製作所製の硬度計（製品名：ＤＵＨ−２１０）を用い、荷重０．５ｍＮにて負荷-除荷試験を行い、表面硬度の測定を行なった。結果を表１に示す。

（ダイナミック硬さ）
実施例、及び、比較例に係る剥離層について、島津製作所製の硬度計（製品名：ＤＵＨ−２１０）、圧子（商品名：Triangular115、株式会社島津製作所製）を用い、荷重０．５ｍＮにて負荷-除荷試験を行い、ダイナミック硬さの測定を行なった。結果を表１に示す。

（結果）
実施例に係る剥離層は、２００℃に１分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ以上であり、且つ、２６０℃に３分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力は０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満であった。

（半導体装置の製造評価）
まず、下記のようにして半導体装置を製造した。

〔ベース絶縁層の形成〕
実施例、及び、比較例の剥離層付き支持体上にベース絶縁層を形成した。具体的には、感光性ポリイミド、及び、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）を含む溶液を硬化後（イミド化後）の厚みが１０ｕｍとなるように塗布した。その後、溶剤乾燥を１５０℃で１０分間行い、所定のパターンで露光した。露光量は、ｉ線（波長３６５ｎｍの水銀のスペクトル線）で１０００ｍＪ／ｃｍ^２とした。次に、ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）を１５０℃で１時間行なった。その後、３％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）を用い、５０℃の条件で６０秒間、現像を行い、パターンを形成した。その後、窒素雰囲気下、３５０℃で３時間、イミド化を行ない、ベース絶縁層を形成した。

〔種膜の形成〕
ベース絶縁層上に、３０ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜をスパッタリングにより形成した。さらにその上に、８０ｎｍの銅（Ｃｕ）膜をスパッタリングにより形成した。

〔レジストの形成〕
次に、ドライフィルムレジストを形成した。厚みは、２０μｍとした。次に、露光して所定のパターンを形成した。露光量は、ｉ線（波長３６５ｎｍの水銀のスペクトル線）で３００ｍＪ／ｃｍ^２とした。その後、アルカリ溶液（１０％ＮａＯＨ）を用い、５０℃の条件で６０秒間、現像を行い、パターニングした。

〔配線の形成〕
形成したレジストのパターンに応じた銅めっきを電解めっきにより形成した。銅めっきの厚さは、１０μｍとした。

〔レジストの剥離〕
５０℃のアルカリ溶液（１０％ＫＯＨ）に６０秒間浸漬し、レジストを剥離した。

〔種膜の剥離〕
室温（２３℃）において、硫酸（１０％）に３０秒間浸漬し、Ｃｕスパッタ膜を剥離した。次に、５０℃のフェリシアン化カリウム水溶液（１０％）に６０秒間浸漬し、Ｃｒスパッタ膜を剥離した。

〔カバーコート（接着剤層）の形成〕
エポキシ樹脂を硬化後の厚さが１０μｍとなるように塗布し、１００℃で１０分間乾燥した。次に、露光して所定のパターンを形成した。露光量は、ｉ線（波長３６５ｎｍの水銀のスペクトル線）で３００ｍＪ／ｃｍ^２とした。その後、アルカリ溶液（１０％ＮａＯＨ）を用い、５０℃の条件で６０秒間、現像を行い、パターニングした。その後、１５０℃で１時間加熱し、エポキシ樹脂を硬化させた。

〔接続用導体部（端子）の形成〕
端子を形成する部分に、めっき法によりニッケル（Ｎｉ）層を厚さ１μｍ、続いて、金（Ａｕ）層を厚さ０．５μｍ形成した。これにより、接続用導体部（端子）を有する配線回路基板を得た。

〔実装〕
形成した接続用導体部（端子）に対応する電極を有する半導体チップを、配線回路基板上に実装した。その後、２６０℃の温度条件下で３分間維持した。

（評価）
配線回路基板の支持体からの剥離を試みた。ベース絶縁層と剥離層とを界面として、支持体が剥離層とともに剥離できた場合を〇、剥離できなかった場合を×として評価した。結果を表１に示す。

１ 支持体
２ 配線回路基板
２０ａ ベース絶縁層
２０ｂ 接着剤層
２１ 接続用導体部
２２ 外部接続用導体部
２３ 導体層
２３ａ 種膜
２４ 導通路
２５ 導通路
２１１ 金属膜
３ 半導体チップ
３１ 電極
４ 半導体装置
５ 剥離層
ｒ１ レジスト
ｒ２ レジスト

Claims (4)

1. 半導体チップが配線回路基板上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
   剥離層を有する支持体を準備する工程と、
   前記剥離層上に、配線回路基板を形成する工程と、
   前記配線回路基板に半導体チップを実装する工程と、
   前記実装の後、前記剥離層における前記支持体とは反対側の面を界面として、前記支持体を前記剥離層とともに剥離する工程とを有し、
   前記剥離層は、２００℃に１分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ以上であり、且つ、２００℃より大きく５００℃以下の温度領域におけるいずれかの温度において３分間保持した後の当該温度におけるシリコンウエハに対する剪断接着力が０．２５ｋｇ／５×５ｍｍ未満であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記剥離層は、ダイナミック硬さが１０以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記剥離層は、３％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に５分浸漬した後の重量減少率が１重量％未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記剥離層は、シリコンウエハに貼り合わせた後に剥離した際の、シリコンウエハ面上の０．２μｍ以上のパーティクルの増加量が、シリコンウエハに貼り合わせる前に対して、１０００個／６インチウェハ未満であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
   
   
   

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