JP2013153010A

JP2013153010A - Semiconductor module and semiconductor device

Info

Publication number: JP2013153010A
Application number: JP2012012106A
Authority: JP
Inventors: Kazunari Shirai; 白井　　和成
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2012-01-24
Filing date: 2012-01-24
Publication date: 2013-08-08

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor module and a semiconductor device capable of further suppressing a floating inductance caused by a wiring member.SOLUTION: A collector terminal C of an IGBT 100 and an emitter terminal E of an IGBT 101 are arranged so as to be opposed to each other. End parts at one end sides, of bus bars 102 and 105 are arranged between the IGBTs 100 and 101 so as to be opposed to each other. The bus bar 102 is connected to the collector terminal C of the IGBT 100, and the bus bar 105 is connected to the emitter terminal E of the IGBT 101. IGBT modules 11 and 12 have the same configuration as described above, and these are arranged in a row. A positive electrode bus bar 13 and a negative electrode bus bar 14 are arranged between upper surfaces of IGBTs 100, 110, and 120 and lower surfaces of IGBT 101, 111, and 121 so as to be opposed to each other. The positive electrode bus bar 13 is connected to end parts at the other end sides, of bus bars 102, 112, and 122. The negative electrode bus bar 14 is connected to end parts at the other end sides, of bus bars 105, 115, and 125.

Description

本発明は、一対の半導体素子からなる半導体モジュール、及び、その半導体モジュールを複数備えた半導体装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor module including a pair of semiconductor elements and a semiconductor device including a plurality of the semiconductor modules.

従来、一対の半導体素子からなる半導体モジュールを複数備えた半導体装置として、例えば特許文献１に開示されている積層型半導体装置がある。 Conventionally, as a semiconductor device provided with a plurality of semiconductor modules made up of a pair of semiconductor elements, for example, there is a stacked semiconductor device disclosed in Patent Document 1.

この積層型半導体装置は、直流電圧を３相交流電圧に変換するインバータ装置である。積層型半導体装置は、３つのパワートランジスタモジュールと、Ｐ相バスバーと、Ｎ相バスバーとを備えている。 This stacked semiconductor device is an inverter device that converts a DC voltage into a three-phase AC voltage. The stacked semiconductor device includes three power transistor modules, a P-phase bus bar, and an N-phase bus bar.

パワートランジスタモジュールは、一対のパワートランジスタと、バスバーとを備えている。パワートランジスタは板状のスイッチング素子である。パワートランジスタの上面には、電流が流入するドレイン電極が形成されている。また、下面には、電流が流出するソース電極が形成されている。一対のパワートランジスタは上下方向に積層されている。 The power transistor module includes a pair of power transistors and a bus bar. The power transistor is a plate-like switching element. A drain electrode into which a current flows is formed on the upper surface of the power transistor. In addition, a source electrode from which current flows is formed on the lower surface. The pair of power transistors are stacked in the vertical direction.

バスバーは、上側のパワートランジスタのソース電極と下側のパワートランジスタのドレイン電極を接続するとともに、出力相端子を形成する金属からなる板状の部材である。バスバーは、一対のパワートランジスタの間に配置され、上側のパワートランジスタの下面に形成されたソース電極と下側のパワートランジスタの上面に形成されたドレイン電極にそれぞれ接続されている。 The bus bar is a plate-like member made of metal that connects the source electrode of the upper power transistor and the drain electrode of the lower power transistor and forms an output phase terminal. The bus bar is disposed between the pair of power transistors, and is connected to a source electrode formed on the lower surface of the upper power transistor and a drain electrode formed on the upper surface of the lower power transistor.

３つのパワートランジスタモジュールは、積層方向と直交する方向に所定の絶縁距離を隔てて列状に配置されている。 The three power transistor modules are arranged in a row with a predetermined insulation distance in a direction orthogonal to the stacking direction.

Ｐ相バスバーは、列状に配置された３つのパワートランジスタモジュールにおいて、上側のパワートランジスタのドレイン電極を共通接続し、バッテリの正極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。Ｐ相バスバーは、列状に配置された３つのパワートランジスタモジュールの上側に配置され、上側のパワートランジスタの上面に形成されたドレイン電極にそれぞれ接続されている。 The P-phase bus bar is a plate-like member made of metal for commonly connecting the drain electrodes of the upper power transistors in the three power transistor modules arranged in a row and wiring the positive electrode terminals of the batteries. The P-phase bus bar is disposed on the upper side of the three power transistor modules arranged in a row, and is connected to the drain electrode formed on the upper surface of the upper power transistor.

Ｎ相バスバーは、列状に配置された３つのパワートランジスタモジュールにおいて、下側のパワートランジスタのソース電極を共通接続し、バッテリの負極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。Ｎ相バスバーは、列状に配置された３つのパワートランジスタモジュールの下側に配置され、Ｐ相バスバーと上下方向に対向した状態で、下側のパワートランジスタの下面に形成されたソース電極にそれぞれ接続されている。 The N-phase bus bar is a plate-like member made of metal for commonly connecting the source electrodes of the lower power transistors in the three power transistor modules arranged in a row and wiring the negative electrode terminal of the battery. The N-phase bus bar is arranged below the three power transistor modules arranged in a row, and is arranged on the source electrode formed on the lower surface of the lower power transistor in a state of facing the P-phase bus bar in the vertical direction. It is connected.

パワートランジスタが所定のタイミングでスイッチングすると、バッテリの直流電圧が３相交流電圧に変換される。このとき、バッテリの正極端子から流出した電流が、Ｐ相バスバー、及び、上側のいずれかのパワートランジスタを経由して流れる。そして、異なるパワートランジスタモジュールの下側のパワートランジスタ、及び、Ｎ相バスバーを経由してバッテリの負極端子に流入する。 When the power transistor is switched at a predetermined timing, the DC voltage of the battery is converted into a three-phase AC voltage. At this time, the current flowing out from the positive terminal of the battery flows via the P-phase bus bar and any one of the upper power transistors. Then, it flows into the negative terminal of the battery via the lower power transistor of the different power transistor module and the N-phase bus bar.

特開２００４−１４００６８号公報JP 2004-140068 A

ところで、パワートランジスタモジュールや積層型半導体装置は、Ｐ相バスバーやＮ相バスバーに起因する浮遊インダクタンスを有している。しかし、上下方向に対向して配置されたＰ相バスバーとＮ相バスバーに流れる電流は、大きさが等しく逆向きである。そのため、Ｐ相バスバーに流れる電流によって発生する磁束と、Ｎ相バスバーに流れる電流によって発生する磁束が互いに打消し合い、浮遊インダクタンスを抑えることができる。 By the way, the power transistor module and the stacked semiconductor device have stray inductance caused by the P-phase bus bar and the N-phase bus bar. However, the currents flowing in the P-phase bus bar and the N-phase bus bar arranged to face each other in the vertical direction are equal in magnitude and in the opposite directions. Therefore, the magnetic flux generated by the current flowing through the P-phase bus bar and the magnetic flux generated by the current flowing through the N-phase bus bar cancel each other, and stray inductance can be suppressed.

ところが、Ｐ相バスバーとＮ相バスバーの間には一対のパワートランジスタモジュールが配置されており、Ｐ相バスバーとＮ相バスバーの距離をこれ以上小さくすることができない。そのため、互いの磁束を充分に打消し合うことができず、浮遊インダクタンスをこれ以上抑えることができないという問題があった。 However, a pair of power transistor modules is disposed between the P-phase bus bar and the N-phase bus bar, and the distance between the P-phase bus bar and the N-phase bus bar cannot be further reduced. For this reason, there is a problem that the mutual magnetic fluxes cannot be sufficiently canceled out and the stray inductance cannot be further suppressed.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、配線部材に起因する浮遊インダクタンスをさらに抑えることができる半導体モジュール及び半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor module and a semiconductor device that can further suppress stray inductance caused by a wiring member.

第１の発明は、一面に形成され、電流が流入する第１端子と、一面と背向する他面に形成され、電流が流出する第２端子とを備え、異なる位置に配置される一対の半導体素子と、一方の半導体素子の第１端子を配線する第１配線部材と、他方の半導体素子の第２端子を配線する第２配線部材と、を備えた半導体モジュールにおいて、一対の半導体素子は、一方の半導体素子の第１端子が他方の半導体素子側を向くとともに、他方の半導体素子の第２端子が一方の半導体素子側を向くように配置され、第１配線部材及び第２配線部材は、一方の半導体素子の他面と同一の平面と、他方の半導体素子の一面と同一の平面の間に、互いに対向して配置されていることを特徴とする。 A first aspect of the present invention is a pair of first terminals formed on one surface and including a first terminal into which a current flows and a second terminal formed on the other surface opposite to the one surface and from which current flows out, arranged at different positions. In a semiconductor module comprising a semiconductor element, a first wiring member for wiring a first terminal of one semiconductor element, and a second wiring member for wiring a second terminal of the other semiconductor element, the pair of semiconductor elements is The first terminal of one semiconductor element faces the other semiconductor element side and the second terminal of the other semiconductor element faces the one semiconductor element side, and the first wiring member and the second wiring member are The semiconductor device is arranged so as to face each other between the same plane as the other surface of one semiconductor element and the same plane as the one surface of the other semiconductor element.

この構成によれば、半導体素子に流入する電流が流れる第１配線部材と、半導体素子から流出する電流が流れる第２配線部材の距離を従来に比べ小さくすることができる。そのため、第１配線部材に流れる電流によって発生する磁束と、第２配線部材に流れる電流によって発生する磁束が充分に打消し合う。従って、配線部材に起因する浮遊インダクタンスを従来に比べさらに抑えることができる。 According to this configuration, the distance between the first wiring member through which the current flowing into the semiconductor element flows and the second wiring member through which the current flowing out from the semiconductor element can be made smaller than before. Therefore, the magnetic flux generated by the current flowing through the first wiring member and the magnetic flux generated by the current flowing through the second wiring member sufficiently cancel each other. Therefore, stray inductance caused by the wiring member can be further suppressed as compared with the conventional case.

第１実施形態におけるインバータ装置の回路図である。It is a circuit diagram of the inverter apparatus in 1st Embodiment. 第１実施形態におけるＩＧＢＴモジュールの正面図である。It is a front view of the IGBT module in a 1st embodiment. 第１実施形態におけるＩＧＢＴモジュールの左側面図である。It is a left view of the IGBT module in 1st Embodiment. 第１実施形態におけるＩＧＢＴモジュールの右側面図である。It is a right view of the IGBT module in 1st Embodiment. 第１実施形態におけるＩＧＢＴモジュールの上面図である。It is a top view of the IGBT module in a 1st embodiment. 第１実施形態におけるＩＧＢＴモジュールの下面図である。It is a bottom view of the IGBT module in a 1st embodiment. 第１実施形態におけるインバータ装置の正面図である。It is a front view of the inverter apparatus in 1st Embodiment. 第１実施形態におけるインバータ装置の上面図である。It is a top view of the inverter apparatus in 1st Embodiment. 第１実施形態におけるインバータ装置の下面図である。It is a bottom view of the inverter apparatus in 1st Embodiment. 第１実施形態の変形形態におけるＩＧＢＴモジュールの正面図である。It is a front view of the IGBT module in the modification of 1st Embodiment. 第１実施形態の変形形態におけるＩＧＢＴモジュールの左側面である。It is a left side surface of the IGBT module in the modification of 1st Embodiment. 第１実施形態の変形形態におけるＩＧＢＴモジュールの上面図である。It is a top view of the IGBT module in the modification of 1st Embodiment. 第２実施形態におけるインバータ装置の正面図である。It is a front view of the inverter apparatus in 2nd Embodiment. 第２実施形態におけるインバータ装置の上面図である。It is a top view of the inverter apparatus in 2nd Embodiment. 第２実施形態におけるインバータ装置の下面図である。It is a bottom view of the inverter apparatus in 2nd Embodiment.

次に、実施形態を挙げ、本発明をより詳しく説明する。 Next, the present invention will be described in more detail with reference to embodiments.

（第１実施形態）
まず、図１〜図９を参照して第１実施形態のインバータ装置の構成について説明する。なお、図２〜図９では、ＩＧＢＴのゲート端子の記載を省略している。また、図中における前後方向、左右方向及び上下方向は、方向を区別するための便宜的に記載したものである。 (First embodiment)
First, the configuration of the inverter device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. In FIG. 2 to FIG. 9, the description of the gate terminal of the IGBT is omitted. In addition, the front-rear direction, the left-right direction, and the up-down direction in the drawing are described for convenience in distinguishing directions.

図１に示すインバータ装置１（半導体装置）は、バッテリＢ１の直流電圧を３相交流電圧に変換してモータＭ１に供給する周知の装置である。インバータ装置１は、ＩＧＢＴモジュール１０〜１２（複数個の半導体モジュール）と、正極バスバー１３（第５配線部材）と、負極バスバー１４（第６配線部材）とを備えている。 The inverter device 1 (semiconductor device) shown in FIG. 1 is a well-known device that converts the DC voltage of the battery B1 into a three-phase AC voltage and supplies it to the motor M1. The inverter device 1 includes IGBT modules 10 to 12 (a plurality of semiconductor modules), a positive bus bar 13 (fifth wiring member), and a negative electrode bus bar 14 (sixth wiring member).

ＩＧＢＴモジュール１０は、ＩＧＢＴ１００、１０１（一対の半導体素子）と、バスバー１０２〜１０５とを備えている。 The IGBT module 10 includes IGBTs 100 and 101 (a pair of semiconductor elements) and bus bars 102 to 105.

図２〜図４に示すように、ＩＧＢＴ１００（一方の半導体素子）及びＩＧＢＴ１０１（他方の半導体素子）は、板状のスイッチング素子である。ＩＧＢＴ１００、１０１の下面（一面）には、電流が流入するコレクタ端子Ｃ（第１端子）が形成されている。また、下面と背向する上面（他面）には、電流が流出するエミッタ端子Ｅ（第２端子）が形成されている。ＩＧＢＴ１００、１０１は、上下方向の異なる位置に、ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子ＣがＩＧＢＴ１０１側を向くとともに、ＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子ＥがＩＧＢＴ１００側を向くように配置されている。具体的には、ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子ＣとＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子Ｅが、上下方向に所定の絶縁距離を隔てて互いに対向して配置されている。 As shown in FIGS. 2 to 4, the IGBT 100 (one semiconductor element) and the IGBT 101 (the other semiconductor element) are plate-like switching elements. A collector terminal C (first terminal) through which current flows is formed on the lower surface (one surface) of the IGBTs 100 and 101. In addition, an emitter terminal E (second terminal) through which current flows is formed on the upper surface (other surface) opposite to the lower surface. The IGBTs 100 and 101 are arranged at different positions in the vertical direction so that the collector terminal C of the IGBT 100 faces the IGBT 101 side and the emitter terminal E of the IGBT 101 faces the IGBT 100 side. Specifically, the collector terminal C of the IGBT 100 and the emitter terminal E of the IGBT 101 are arranged to face each other with a predetermined insulation distance in the vertical direction.

図１〜図４に示すように、バスバー１０２（第１配線部材）は、ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子ＣをバッテリＢ１の正極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー１０２は、ＩＧＢＴ１００の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の下面と同一の平面の間に配置されている。具体的には、ＩＧＢＴ１００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の上面と同一の平面の間に配置されている。バスバー１０２の一端側の端部は、ＩＧＢＴ１００の下側からコレクタ端子Ｃに接続されている。また、図３〜図６に示すように、他端側（反半導体素子側）の端部は前方に突出している。 As shown in FIGS. 1 to 4, the bus bar 102 (first wiring member) is a plate-like member made of metal for wiring the collector terminal C of the IGBT 100 to the positive terminal of the battery B1. Bus bar 102 is disposed between the same plane as the upper surface of IGBT 100 and the same plane as the lower surface of IGBT 101. Specifically, it is arranged between the same plane as the lower surface of IGBT 100 and the same plane as the upper surface of IGBT 101. One end of the bus bar 102 is connected to the collector terminal C from the lower side of the IGBT 100. Moreover, as shown in FIGS. 3-6, the edge part of the other end side (anti-semiconductor element side) protrudes ahead.

図１〜図４に示すように、バスバー１０３（第３配線部材）は、ＩＧＢＴ１００のエミッタ端子Ｅを、バスバー１０４を介してＩＧＢＴ１０１のコレクタ端子Ｃに配線するとともに、モータＭ１のＵ相端子ＴＵに配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー１０３の一端側の端部は、ＩＧＢＴ１００の上側からエミッタ端子Ｅに接続されている。また、図３〜図５に示すように、他端側（反半導体素子側）の端部は後方に突出している。 As shown in FIGS. 1 to 4, the bus bar 103 (third wiring member) is configured to wire the emitter terminal E of the IGBT 100 to the collector terminal C of the IGBT 101 via the bus bar 104 and to the U-phase terminal TU of the motor M1. It is a plate-shaped member made of metal for wiring. One end of the bus bar 103 is connected to the emitter terminal E from the upper side of the IGBT 100. Moreover, as shown in FIGS. 3-5, the edge part of the other end side (anti-semiconductor element side) protrudes back.

図１〜図４に示すように、バスバー１０４（第４配線部材）は、ＩＧＢＴ１０１のコレクタ端子Ｃを、バスバー１０３を介してＩＧＢＴ１００のエミッタ端子Ｅに配線するとともに、モータのＵ相端子ＴＵに配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー１０４の一端側の端部は、ＩＧＢＴ１０１の下側からコレクタ端子Ｃに接続されている。また、図３、図４及び図６に示すように、他端側（反半導体素子側）の端部は後方に突出している。 As shown in FIGS. 1 to 4, the bus bar 104 (fourth wiring member) connects the collector terminal C of the IGBT 101 to the emitter terminal E of the IGBT 100 via the bus bar 103 and also connects to the U-phase terminal TU of the motor. It is the plate-shaped member which consists of a metal for doing. One end of the bus bar 104 is connected to the collector terminal C from the lower side of the IGBT 101. Further, as shown in FIGS. 3, 4, and 6, the end portion on the other end side (anti-semiconductor element side) protrudes rearward.

図１〜図４に示すように、バスバー１０５（第２配線部材）は、ＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子ＥをバッテリＢ１の負極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー１０５は、ＩＧＢＴ１００の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の下面と同一の平面の間に配置されている。具体的には、ＩＧＢＴ１００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の上面と同一の平面の間であって、バスバー１０２の下側に配置されている。より具体的には、バスバー１０５の一端側の端部が、バスバー１０２の一端側の端部と上下方向に所定の絶縁距離を隔てて互いに対向して配置されている。バスバー１０５の一端の端部は、ＩＧＢＴ１０１の上側からエミッタ端子Ｅに接続されている。また、図３〜図６に示すように、他端側（反半導体素子側）の端部は、バスバー１０２の他端側の端部と上下方向に対向することなく前方に突出している。 As shown in FIGS. 1 to 4, the bus bar 105 (second wiring member) is a plate-like member made of metal for wiring the emitter terminal E of the IGBT 101 to the negative terminal of the battery B <b> 1. Bus bar 105 is disposed between the same plane as the upper surface of IGBT 100 and the same plane as the lower surface of IGBT 101. Specifically, it is disposed below the bus bar 102 between the same plane as the lower surface of the IGBT 100 and the same plane as the upper surface of the IGBT 101. More specifically, the end portion on one end side of the bus bar 105 is disposed opposite to the end portion on one end side of the bus bar 102 in the vertical direction with a predetermined insulating distance therebetween. One end of the bus bar 105 is connected to the emitter terminal E from the upper side of the IGBT 101. Moreover, as shown in FIGS. 3-6, the edge part of the other end side (anti-semiconductor element side) protrudes ahead, without facing the edge part of the other end side of the bus bar 102 in the up-down direction.

バスバー１０２、１０５の他端側の端部と、バスバー１０３、１０４の他端側の端部は、互いに１８０度異なる方向に突出している。 The other ends of the bus bars 102 and 105 and the other ends of the bus bars 103 and 104 protrude in directions different from each other by 180 degrees.

ＩＧＢＴモジュール１１は、ＩＧＢＴ１１０、１１１と、バスバー１１２〜１１５とを備えている。ＩＧＢＴ１１０、１１１は、ＩＧＢＴ１００、１０１と同一構成である。バスバー１１２〜１１５は、バスバー１０２〜１０５と同一構成である。 The IGBT module 11 includes IGBTs 110 and 111 and bus bars 112 to 115. The IGBTs 110 and 111 have the same configuration as the IGBTs 100 and 101. The bus bars 112 to 115 have the same configuration as the bus bars 102 to 105.

ＩＧＢＴモジュール１２は、ＩＧＢＴ１２０、１２１と、バスバー１２２〜１２５とを備えている。ＩＧＢＴ１２０、１２１は、ＩＧＢＴ１００、１０１と同一構成である。バスバー１２２〜１２５は、バスバー１０２〜１０５と同一構成である。 The IGBT module 12 includes IGBTs 120 and 121 and bus bars 122 to 125. The IGBTs 120 and 121 have the same configuration as the IGBTs 100 and 101. The bus bars 122 to 125 have the same configuration as the bus bars 102 to 105.

ＩＧＢＴモジュール１０〜１２は、図７〜図９に示すように、バスバー１０３、１１３、１２３を上側に、バスバー１０４、１１４、１２４を下側にするととともに、バスバー１０２、１０５、１１２、１１５、１２２、１２５の他端側の端部を前方に、バスバー１０３、１０４、１１３、１１４、１２３、１２４の他端側の端部を後方にそれぞれ突出させた状態で、左右方向に所定の絶縁距離を隔てて列状に配置されている。 As shown in FIGS. 7 to 9, the IGBT modules 10 to 12 have the bus bars 103, 113, 123 on the upper side, the bus bars 104, 114, 124 on the lower side, and the bus bars 102, 105, 112, 115, 122. , 125 with a predetermined insulation distance in the left-right direction, with the end on the other end side of the bus bar 103, 104, 113, 114, 123, 124 protruding rearward. They are arranged in rows.

正極バスバー１３は、バスバー１０２、１１２、１２２を共通接続し、バッテリＢ１の正極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。正極バスバー１３は、バスバー接続部１３０と、バッテリ接続部１３１とを備えている。バスバー接続部１３０は、バスバー１０２、１１２、１２２を共通接続するための部位である。バッテリ接続部１３１は、バスバー接続部１３０をバッテリＢ１の正極端子に配線するための部位である。正極バスバー１３は、バッテリ接続部１３１を前方に突出させた状態で、ＩＧＢＴ１００、１１０、１２０の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１、１１１、１２１の下面と同一の平面の間に配置されている。バスバー接続部１３０は、上側から、バスバー１０２、１１２、１２２の他端側の端部にそれぞれ接続されている。 The positive electrode bus bar 13 is a plate-like member made of metal for connecting the bus bars 102, 112, and 122 in common and wiring the positive electrode terminal of the battery B1. The positive electrode bus bar 13 includes a bus bar connection part 130 and a battery connection part 131. The bus bar connection unit 130 is a part for commonly connecting the bus bars 102, 112, and 122. The battery connection part 131 is a part for wiring the bus bar connection part 130 to the positive terminal of the battery B1. The positive electrode bus bar 13 is disposed between the same plane as the upper surfaces of the IGBTs 100, 110, and 120 and the same plane as the lower surfaces of the IGBTs 101, 111, and 121 with the battery connection portion 131 protruding forward. The bus bar connection part 130 is connected to the end part on the other end side of the bus bars 102, 112, 122 from the upper side.

負極バスバー１４は、バスバー１０５、１１５、１２５を共通接続し、バッテリＢ１の負極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。負極バスバー１４は、バスバー接続部１４０と、バッテリ接続部１４１とを備えている。バスバー接続部１４０は、バスバー１０５、１１５、１２５を共通接続するための部位である。バッテリ接続部１４１は、バスバー接続部１４０をバッテリＢ１の負極端子に配線するための部位である。負極バスバー１４は、バッテリ接続部１４１を前方に突出させた状態で、ＩＧＢＴ１００、１１０、１２０の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１、１１１、１２１の下面と同一の平面の間であって、正極バスバー１３の下側に配置されている。具体的には、バスバー接続部１４０が、バスバー接続部１３０と上下方向に所定の絶縁距離を隔てて互いに対向して配置されている。バスバー接続１４０は、下側から、バスバー１０５、１１５、１２５の他端側の端部にそれぞれ接続されている。 The negative electrode bus bar 14 is a plate-like member made of metal for commonly connecting the bus bars 105, 115, and 125 and wiring the negative electrode terminal of the battery B1. The negative electrode bus bar 14 includes a bus bar connection part 140 and a battery connection part 141. The bus bar connection unit 140 is a part for commonly connecting the bus bars 105, 115, and 125. The battery connection part 141 is a part for wiring the bus bar connection part 140 to the negative electrode terminal of the battery B1. The negative electrode bus bar 14 is between the same plane as the upper surface of the IGBTs 100, 110, and 120 and the same plane as the lower surface of the IGBTs 101, 111, 121, with the battery connection part 141 protruding forward. 13 is disposed below. Specifically, the bus bar connection part 140 is disposed opposite to the bus bar connection part 130 with a predetermined insulation distance in the vertical direction. The bus bar connection 140 is connected from the lower side to the other end of the bus bars 105, 115, and 125, respectively.

バスバー１０３、１０４、バスバー１１３、１１４及びバスバー１２３、１２４は、別のバスバー（図略）によってそれぞれ接続され、モータＭ１のＵ相端子ＴＵ、Ｖ相端子ＴＶ及びＷ相端子ＴＷにそれぞれ接続される。 The bus bars 103 and 104, the bus bars 113 and 114, and the bus bars 123 and 124 are connected by different bus bars (not shown), and are connected to the U-phase terminal TU, the V-phase terminal TV, and the W-phase terminal TW of the motor M1, respectively. .

次に、効果について説明する。ＩＧＢＴ１００、１０１、１１０、１１１、１２０、１２１が所定のタイミングでスイッチングすると、バッテリＢ１の直流電圧が３相交流電圧に変換され、モータＭ１に供給される。このとき、バッテリＢ１の正極端子から流出した電流が、正極バスバー１３、上側のいずれかのバスバー及びＩＧＢＴを経由して流れる。そして、異なるＩＧＢＴモジュールの下側のＩＧＢＴ及びバスバー、並びに、負極バスバー１４を経由してバッテリＢ１の負極端子に流入する。 Next, the effect will be described. When the IGBTs 100, 101, 110, 111, 120, and 121 are switched at a predetermined timing, the DC voltage of the battery B1 is converted into a three-phase AC voltage and supplied to the motor M1. At this time, the current that flows out from the positive terminal of the battery B1 flows through the positive bus bar 13, the upper bus bar, and the IGBT. Then, it flows into the negative terminal of the battery B <b> 1 via the IGBT and bus bar on the lower side of the different IGBT modules and the negative bus bar 14.

第１実施形態によれば、ＩＧＢＴ１００、１０１は、ＩＧＢＴ１００の下面に形成されたコレクタ端子ＣがＩＧＢＴ１０１側を向くとともに、ＩＧＢＴ１０１の上面に形成されたエミッタ端子ＥがＩＧＢＴ１００側を向くように配置されている。バスバー１０２は、ＩＧＢＴ１００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の上面と同一の平面の間に配置されている。そして、一端側の端部がＩＧＢＴ１００のコレクタ端子Ｃに接続されている。バスバー１０５は、ＩＧＢＴ１００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１の上面と同一の平面の間であって、バスバー１０２の下側に、バスバー１０５の一端側の端部が、バスバー１０２の一端側の端部と上下方向に互いに対向して配置されている。そして、一端側の端部がＩＧＢＴ１０５のエミッタ端子Ｅに接続されている。そのため、ＩＧＢＴ１００に流入する電流が流れるバスバー１０２と、ＩＧＢＴ１０１から流出する電流が流れるバスバー１０５の距離を従来に比べ小さくすることができる。従って、バスバー１０２に流れる電流によって発生する磁束と、バスバー１０５に流れる電流によって発生する磁束が充分に打消し合う。他のＩＧＢＴモジュール１１、１２においても同様である。 According to the first embodiment, the IGBTs 100 and 101 are arranged such that the collector terminal C formed on the lower surface of the IGBT 100 faces the IGBT 101 side, and the emitter terminal E formed on the upper surface of the IGBT 101 faces the IGBT 100 side. Yes. Bus bar 102 is disposed between the same plane as the lower surface of IGBT 100 and the same plane as the upper surface of IGBT 101. The end on one end side is connected to the collector terminal C of the IGBT 100. The bus bar 105 is between the same plane as the lower surface of the IGBT 100 and the same plane as the upper surface of the IGBT 101, and an end portion on one end side of the bus bar 105 is an end on one end side of the bus bar 102 below the bus bar 102. Are arranged opposite to each other in the vertical direction. The end portion on one end side is connected to the emitter terminal E of the IGBT 105. Therefore, the distance between the bus bar 102 through which the current flowing into the IGBT 100 flows and the bus bar 105 through which the current flowing out from the IGBT 101 flows can be reduced as compared with the prior art. Therefore, the magnetic flux generated by the current flowing through the bus bar 102 and the magnetic flux generated by the current flowing through the bus bar 105 sufficiently cancel each other. The same applies to the other IGBT modules 11 and 12.

また、正極バスバー１３は、ＩＧＢＴ１００、１１０、１２０の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１、１１１、１２１の下面と同一の平面の間に配置されている。そして、バスバー接続部１３０が、バスバー１０２、１１２、１２２の他端側の端部にそれぞれ接続されている。負極バスバー１４は、ＩＧＢＴ１００、１１０、１２０の上面と同一の平面と、ＩＧＢＴ１０１、１１１、１２１の下面と同一の平面の間であって、正極バスバー１３の下側に、バスバー接続部１４０が、バスバー接続部１３０と上下方向に互いに対向して配置されている。そして、バスバー接続部１４０がバスバー１０５、１１５、１２５の他端側の端部にそれぞれ接続されている。そのため、上側のＩＧＢＴに流入する電流が流れる正極バスバー１３と、下側のＩＧＢＴから流出する電流が流れる負極バスバー１４の距離を従来に比べ小さくすることができる。従って、正極バスバー１３に流れる電流によって発生する磁束と、負極バスバー１４に流れる電流によって発生する磁束も充分に打消し合う。その結果、バスバー１０２、１０５、１１２，１１５、１２２、１２５、正極バスバー１３及び負極バスバー１４に起因する浮遊インダクタンスを従来に比べさらに抑えることができる。 The positive electrode bus bar 13 is disposed between the same plane as the upper surfaces of the IGBTs 100, 110, and 120 and the same plane as the lower surfaces of the IGBTs 101, 111, and 121. And the bus-bar connection part 130 is connected to the edge part of the other end side of the bus-bars 102, 112, and 122, respectively. The negative electrode bus bar 14 is between the same plane as the upper surface of the IGBTs 100, 110, 120 and the same plane as the lower surface of the IGBTs 101, 111, 121, and below the positive electrode bus bar 13, The connection part 130 is arranged to face each other in the vertical direction. And the bus-bar connection part 140 is connected to the edge part of the other end side of the bus-bar 105,115,125, respectively. Therefore, the distance between the positive electrode bus bar 13 through which the current flowing into the upper IGBT flows and the negative electrode bus bar 14 through which the current flowing out from the lower IGBT flows can be reduced as compared with the prior art. Therefore, the magnetic flux generated by the current flowing through the positive electrode bus bar 13 and the magnetic flux generated by the current flowing through the negative electrode bus bar 14 are sufficiently canceled out. As a result, stray inductance caused by the bus bars 102, 105, 112, 115, 122, 125, the positive bus bar 13 and the negative bus bar 14 can be further suppressed as compared with the related art.

また、第１実施形態によれば、ＩＧＢＴ１００、１０１は、ＩＧＢＴ１００の下面に形成されたコレクタ端子Ｃと、ＩＧＢＴ１０１の上面に形成されたエミッタ端子Ｅが、上下方向に互いに対向して配置されている。そのため、バスバー１０２の一端側の端部とバスバー１０５の一端側の端部を上下方向に確実に対向させることができる。 Further, according to the first embodiment, in the IGBTs 100 and 101, the collector terminal C formed on the lower surface of the IGBT 100 and the emitter terminal E formed on the upper surface of the IGBT 101 are arranged to face each other in the vertical direction. . Therefore, the end portion on one end side of the bus bar 102 and the end portion on one end side of the bus bar 105 can be reliably opposed in the vertical direction.

さらに、第１実施形態によれば、ＩＧＢＴ１００のエミッタ端子Ｅを配線するバスバー１０３と、ＩＧＢＴ１０１のコレクタ端子Ｃを配線するバスバー１０４が、それぞれ別々に設けられている。そのため、これらの端子の配線の自由度を向上させることができる。 Furthermore, according to the first embodiment, the bus bar 103 for wiring the emitter terminal E of the IGBT 100 and the bus bar 104 for wiring the collector terminal C of the IGBT 101 are provided separately. Therefore, the degree of freedom of wiring of these terminals can be improved.

加えて、第１実施形態によれば、バッテリＢ１に接続されるバスバー１０２、１０５の他端側の端部とモータＭ１に接続されるバスバー１０３、１０４の他端側の端部が、互いに１８０度異なる方向に突出している。そのため、交差することなく効率よく配線することができる。 In addition, according to the first embodiment, the end portions on the other end side of the bus bars 102 and 105 connected to the battery B1 and the end portions on the other end side of the bus bars 103 and 104 connected to the motor M1 are 180. It protrudes in different directions. Therefore, efficient wiring can be performed without intersecting.

なお、第１実施形態では、ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子ＣとＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子Ｅが上下方向に互いに対向して配置されている例を挙げているが、これに限られるものではない。ＩＧＢＴ１０１のエミッタ端子Ｅが、ＩＧＢＴ１００のコレクタ端子Ｃの下側でなく、例えば左右方向又は前後方向のずれた位置に配置されていてもよい。バスバー１０２、１０５が、ＩＧＢＴ１００の上面と同一の平面とＩＧＢＴ１０１の下面と同一の平面の間に、互いに対向して配置されていればよい。 In the first embodiment, an example is given in which the collector terminal C of the IGBT 100 and the emitter terminal E of the IGBT 101 are arranged to face each other in the vertical direction, but the present invention is not limited to this. The emitter terminal E of the IGBT 101 may be disposed not at the lower side of the collector terminal C of the IGBT 100 but at a position shifted in the left-right direction or the front-rear direction, for example. The bus bars 102 and 105 only need to be arranged to face each other between the same plane as the upper surface of the IGBT 100 and the same plane as the lower surface of the IGBT 101.

また、第１実施形態では、バスバー１０３、１０４の他端側の端部がそれぞれ後方に突出し、別のバスバーによって接続される例を挙げているが、これに限られるものではない。図１０〜図１２に示すように、バスバー１０３、１０４の他端側の端部が共通接続され、一体的に後方に突出するようにしてもよい。これにより、別のバスバーでバスバー１０３、１０４を接続する必要がなくなる。そのため、インバータ装置１の組付け作業の効率を向上させることができる。 In the first embodiment, the end portions on the other end side of the bus bars 103 and 104 protrude rearward and are connected by different bus bars. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIGS. 10 to 12, the end portions on the other end side of the bus bars 103 and 104 may be commonly connected so as to protrude rearward integrally. This eliminates the need to connect the bus bars 103 and 104 with another bus bar. Therefore, the efficiency of the assembling work of the inverter device 1 can be improved.

さらに、第１実施形態では、ＩＧＢＴ１００、１０１が上下方向に所定の絶縁距離を隔てて配置されているが、板状の絶縁部材を介在させることによって構成してもよい。また、所定の絶縁距離を隔てた状態で、絶縁性を有する樹脂等で一体的にモールドして構成してもよい。 Furthermore, in the first embodiment, the IGBTs 100 and 101 are arranged with a predetermined insulating distance in the vertical direction, but may be configured by interposing a plate-like insulating member. Alternatively, it may be configured by integrally molding with an insulating resin or the like with a predetermined insulation distance.

（第２実施形態）
次に、第２実施形態のインバータ装置について説明する。第２実施形態のインバータ装置は、第１実施形態のインバータ装置が、バスバーとは別に正極バスバー及び負極バスバーを有するのに対して、正極バスバー及び負極バスバーをバスバーと一体的に構成するようにしたものである。第２実施形態のインバータ装置は、バスバー、正極バスバー及び負極バスバーの構成を除いて第１実施形態のインバータ装置と同一構成である。 (Second Embodiment)
Next, the inverter apparatus of 2nd Embodiment is demonstrated. The inverter device of the second embodiment is configured such that the positive electrode bus bar and the negative electrode bus bar are integrated with the bus bar, whereas the inverter device of the first embodiment has the positive electrode bus bar and the negative electrode bus bar separately from the bus bar. Is. The inverter apparatus of 2nd Embodiment is the same structure as the inverter apparatus of 1st Embodiment except the structure of a bus bar, a positive electrode bus bar, and a negative electrode bus bar.

図１３〜図１５を参照して第２実施形態のインバータ装置の構成について説明する。なお、図１３〜図１５では、ＩＧＢＴのゲート端子の記載を省略している。また、図中における前後方向、左右方向及び上下方向は、方向を区別するための便宜的に記載したものである。 The configuration of the inverter device of the second embodiment will be described with reference to FIGS. In FIG. 13 to FIG. 15, the description of the gate terminal of the IGBT is omitted. In addition, the front-rear direction, the left-right direction, and the up-down direction in the drawing are described for convenience in distinguishing directions.

図１３〜図１５に示すように、インバータ装置２（半導体装置）は、ＩＧＢＴモジュール２０〜２２（半導体モジュール）と、正極バスバー２３（第５配線部材）と、負極バスバー２４（第６配線部材）とを備えている。 As shown in FIGS. 13 to 15, the inverter device 2 (semiconductor device) includes IGBT modules 20 to 22 (semiconductor module), a positive bus bar 23 (fifth wiring member), and a negative electrode bus bar 24 (sixth wiring member). And.

ＩＧＢＴモジュール２０は、ＩＧＢＴ２００、２０１（一対の半導体素子）と、バスバー２０２〜２０５とを備えている。 The IGBT module 20 includes IGBTs 200 and 201 (a pair of semiconductor elements) and bus bars 202 to 205.

ＩＧＢＴ２００（一方の半導体素子）及びＩＧＢＴ２０１（他方の半導体素子）は、第１実施形態のＩＧＢＴ１００、１０１と同一構成である。 The IGBT 200 (one semiconductor element) and the IGBT 201 (the other semiconductor element) have the same configuration as the IGBTs 100 and 101 of the first embodiment.

バスバー２０２（第１配線部材）は、ＩＧＢＴ２００のコレクタ端子Ｃをバッテリの正極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー２０２は、ＩＧＢＴ２００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ２０１の上面と同一の平面の間に配置されている。そして、ＩＧＢＴ２００の下側からコレクタ端子Ｃに接続されている。しかし、第１実施形態のバスバー１０２のように、端部が前方に突出していることはない。 The bus bar 202 (first wiring member) is a plate-like member made of metal for wiring the collector terminal C of the IGBT 200 to the positive terminal of the battery. Bus bar 202 is disposed between the same plane as the lower surface of IGBT 200 and the same plane as the upper surface of IGBT 201. And it is connected to the collector terminal C from the lower side of the IGBT 200. However, unlike the bus bar 102 of the first embodiment, the end portion does not protrude forward.

バスバー２０３（第３配線部材）及びバスバー２０４（第４配線部材）は、第１実施形態のバスバー１０３、１０４と同一構成である。 The bus bar 203 (third wiring member) and the bus bar 204 (fourth wiring member) have the same configuration as the bus bars 103 and 104 of the first embodiment.

バスバー２０５（第２配線部材）は、ＩＧＢＴ２０１のエミッタ端子Ｅをバッテリの負極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。バスバー２０５は、ＩＧＢＴ２００の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ２０１の上面と同一の平面の間であって、バスバー２０２の下側に、バスバー２０２と上下方向に所定の絶縁距離を隔てて互いに対向して配置されている。そして、ＩＧＢＴ２０１の上側からエミッタ端子Ｅに接続されている。しかし、第１実施形態のバスバー１０５のように、端部が前方に突出していることはない。 The bus bar 205 (second wiring member) is a plate-like member made of metal for wiring the emitter terminal E of the IGBT 201 to the negative electrode terminal of the battery. The bus bar 205 is between the same plane as the lower surface of the IGBT 200 and the same plane as the upper surface of the IGBT 201, and is below the bus bar 202 and faces the bus bar 202 with a predetermined insulation distance in the vertical direction. Has been placed. And it is connected to the emitter terminal E from the upper side of the IGBT 201. However, unlike the bus bar 105 of the first embodiment, the end portion does not protrude forward.

ＩＧＢＴモジュール２１は、ＩＧＢＴ２１０、２１１と、バスバー２１２〜２１５とを備えている。ＩＧＢＴ２１０、２１１は、ＩＧＢＴ２００、２０１と同一構成である。バスバー２１２〜２１５は、バスバー２０２〜２０５と同一構成である。 The IGBT module 21 includes IGBTs 210 and 211 and bus bars 212 to 215. The IGBTs 210 and 211 have the same configuration as the IGBTs 200 and 201. The bus bars 212 to 215 have the same configuration as the bus bars 202 to 205.

ＩＧＢＴモジュール２２は、ＩＧＢＴ２２０、２２１と、バスバー２２２〜２２５とを備えている。ＩＧＢＴ２２０、２２１は、ＩＧＢＴ２００、２０１と同一構成である。バスバー２２２〜２２５は、バスバー２０２〜２０５と同一構成である。 The IGBT module 22 includes IGBTs 220 and 221 and bus bars 222 to 225. The IGBTs 220 and 221 have the same configuration as the IGBTs 200 and 201. The bus bars 222 to 225 have the same configuration as the bus bars 202 to 205.

ＩＧＢＴモジュール２０〜２２は、バスバー２０３、２１３、２２３を上側に、バスバー２０４、２１４、２２４を下側にするととともに、バスバー２０３、２０４、２１３、２１４、２２３、２２４の他端側の端部を後方にそれぞれ突出させた状態で、左右方向に所定の絶縁距離を隔てて列状に配置されている。 The IGBT modules 20 to 22 have the bus bars 203, 213, and 223 on the upper side, the bus bars 204, 214, and 224 on the lower side, and the end portions on the other end side of the bus bars 203, 204, 213, 214, 223, and 224. In a state of projecting backward, they are arranged in a row with a predetermined insulation distance in the left-right direction.

正極バスバー２３は、バスバー２０２、２１２、２２２を共通接続し、バッテリの正極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。正極バスバー２３は、バスバー接続部材２３０ａ、２３０ｂと、バッテリ接続部材２３１ａとを備えている。 The positive bus bar 23 is a plate-like member made of metal for connecting the bus bars 202, 212, and 222 in common and wiring to the positive terminal of the battery. The positive bus bar 23 includes bus bar connecting members 230a and 230b and a battery connecting member 231a.

バスバー接続部材２３０ａは、バスバー２０２、２１２を接続するための部材である。バスバー接続部材２３０ｂは、バスバー２１２、２２２を接続するための部材である。バッテリ接続部材２３１ａは、バスバー接続部材２３０ｂをバッテリの正極端子に配線するための部材である。 The bus bar connecting member 230a is a member for connecting the bus bars 202 and 212. The bus bar connecting member 230b is a member for connecting the bus bars 212 and 222. The battery connection member 231a is a member for wiring the bus bar connection member 230b to the positive terminal of the battery.

バスバー接続部材２３０ａ、２３０ｂ及びバッテリ接続部材２３１ａは、ＩＧＢＴ２００、２１０、２２０の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ２０１、２１１、２２１の上面と同一の平面の間に配置されている。バスバー接続部材２３０ａの左側の端部はバスバー２０２の右側の端部に、右側の端部はバスバー２１２の左側の端部にそれぞれ接続されている。バスバー接続部材２３１ｂの左側の端部はバスバー２１２の右側の端部に、右側の端部はバスバー２２２の左側の端部にそれぞれ接続されている。バッテリ接続部材２３１ａは、バスバー接続部材２３０ｂの前側の端部に接続されている。正極バスバー２３は、バスバー２０２、２１２、２２２と一体的に構成されている。 The bus bar connecting members 230a and 230b and the battery connecting member 231a are disposed between the same plane as the lower surfaces of the IGBTs 200, 210, and 220 and the same plane as the upper surfaces of the IGBTs 201, 211, and 221. The left end of the bus bar connecting member 230 a is connected to the right end of the bus bar 202, and the right end is connected to the left end of the bus bar 212. The left end of the bus bar connecting member 231b is connected to the right end of the bus bar 212, and the right end is connected to the left end of the bus bar 222. The battery connection member 231a is connected to the front end of the bus bar connection member 230b. The positive bus bar 23 is configured integrally with the bus bars 202, 212, and 222.

負極バスバー２４は、バスバー２０５、２１５、２２５を共通接続し、バッテリの負極端子に配線するための金属からなる板状の部材である。負極バスバー２４は、バスバー接続部材２４０ａ、２４０ｂと、バッテリ接続部材２４１ａとを備えている。 The negative electrode bus bar 24 is a plate-like member made of metal for commonly connecting the bus bars 205, 215, and 225 and wiring to the negative electrode terminal of the battery. The negative electrode bus bar 24 includes bus bar connecting members 240a and 240b and a battery connecting member 241a.

バスバー接続部材２４０ａは、バスバー２０５、２１５を接続するための部材である。バスバー接続部材２４０ｂは、バスバー２１５、２２５を接続するための部材である。バッテリ接続部材２４１ａは、バスバー接続部２４０ａをバッテリの負極端子に配線するための部位である。 The bus bar connecting member 240a is a member for connecting the bus bars 205 and 215. The bus bar connecting member 240b is a member for connecting the bus bars 215 and 225. The battery connecting member 241a is a part for wiring the bus bar connecting portion 240a to the negative electrode terminal of the battery.

バスバー接続部材２４０ａ、２４０ｂ及びバッテリ接続部材２４１ａは、ＩＧＢＴ２００、２１０、２２０の下面と同一の平面と、ＩＧＢＴ２０１、２１１、２２１の上面と同一の平面の間に配置されている。具体的には、バスバー接続部材２４０ａ、２４０ｂが、バスバー接続部材２３０ａ、２３０ｂと上下方向に所定の絶縁距離を隔てて互いに対向して配置されている。バスバー接続部材２４０ａの左側の端部はバスバー２０５の右側の端部に、右側の端部はバスバー２１５の左側の端部にそれぞれ接続されている。バスバー接続部材２４１ｂの左側の端部はバスバー２１５の右側の端部に、右側の端部はバスバー２２５の左側の端部にそれぞれ接続されている。バッテリ接続部材２４１ａは、バスバー接続部材２４０ａの前側の端部に接続されている。負極バスバー２４は、バスバー２０５、２１５、２２５と一体的に構成されている。 The bus bar connecting members 240a and 240b and the battery connecting member 241a are disposed between the same plane as the lower surface of the IGBTs 200, 210, and 220 and the same plane as the upper surfaces of the IGBTs 201, 211, and 221. Specifically, the bus bar connecting members 240a and 240b are arranged to face each other with a predetermined insulating distance in the vertical direction from the bus bar connecting members 230a and 230b. The left end of the bus bar connecting member 240 a is connected to the right end of the bus bar 205, and the right end is connected to the left end of the bus bar 215. The left end of the bus bar connecting member 241b is connected to the right end of the bus bar 215, and the right end is connected to the left end of the bus bar 225. The battery connection member 241a is connected to the front end of the bus bar connection member 240a. The negative electrode bus bar 24 is configured integrally with the bus bars 205, 215 and 225.

次に、効果について説明する。第２実施形態によれば、正極バスバー２３が、バスバー２０２、２１２、２２２と一体的に構成されている。また、負極バスバー２４が、バスバー２０５、２１５、２２５と一体的に構成されている。そのため、部品点数を削減することができる。その結果、インバータ装置２を小型化することができる。また、組付け作業の工数を削減することができる。 Next, the effect will be described. According to the second embodiment, the positive electrode bus bar 23 is configured integrally with the bus bars 202, 212, and 222. Further, the negative electrode bus bar 24 is configured integrally with the bus bars 205, 215 and 225. Therefore, the number of parts can be reduced. As a result, the inverter device 2 can be reduced in size. In addition, the number of assembly work steps can be reduced.

１・・・インバータ装置（半導体装置）、１０・・・ＩＧＢＴモジュール（半導体モジュール）、１００、１０１・・・ＩＧＢＴ（一対の半導体素子）、１０２・・・バスバー（第１配線部材）、１０５・・・バスバー（第２配線部材） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Inverter device (semiconductor device), 10 ... IGBT module (semiconductor module), 100, 101 ... IGBT (a pair of semiconductor elements), 102 ... Busbar (first wiring member), 105 ..Bus bar (second wiring member)

Claims

A pair of first terminals (C) which are formed on one surface and into which current flows and a second terminal (E) which is formed on the other surface opposite to the one surface and from which current flows out and are arranged at different positions. Semiconductor elements (100, 101) of
A first wiring member (102) for wiring the first terminal of one semiconductor element (100);
A second wiring member (105) for wiring the second terminal of the other semiconductor element (101);
In a semiconductor module with
The pair of semiconductor elements are arranged such that the first terminal of the one semiconductor element faces the other semiconductor element side, and the second terminal of the other semiconductor element faces the one semiconductor element side. And
The first wiring member and the second wiring member are disposed to face each other between the same plane as the other surface of the one semiconductor element and the same plane as the one surface of the other semiconductor element. A semiconductor module characterized by comprising:

2. The semiconductor module according to claim 1, wherein the pair of semiconductor elements includes the first terminal of the one semiconductor element and the second terminal of the other semiconductor element facing each other. .

A third wiring member (103) for wiring the second terminal of the one semiconductor element;
A fourth wiring member (104) for wiring the first terminal of the other semiconductor element;
The semiconductor module according to claim 1, further comprising:

The semiconductor module according to claim 3, wherein the third wiring member and the fourth wiring member are connected in common.

The ends of the first wiring member and the second wiring member on the side opposite to the semiconductor element and the ends of the third wiring member and the fourth wiring member on the side opposite to the semiconductor element protrude in directions different from each other by 180 degrees. The semiconductor module according to claim 3, wherein the semiconductor module is provided.

The semiconductor module according to claim 1, wherein the semiconductor element is a switching element.

A plurality of semiconductor modules (10-12) according to any one of claims 1-6;
A fifth wiring member (13) commonly connecting the first wiring members;
A sixth wiring member (14) commonly connecting the second wiring members;
A semiconductor device comprising:

The fifth wiring member and the sixth wiring member are disposed to face each other between the same plane as the other surface of the one semiconductor element and the same plane as the one surface of the other semiconductor element. The semiconductor device according to claim 7.

The fifth wiring member (23) is configured integrally with the first wiring member (202, 212, 222),
The semiconductor device according to claim 7 or 8, wherein the sixth wiring member (24) is integrally formed with the second wiring member (205, 215, 225).