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JP2013150780A - 放射線撮影装置及び放射線撮影方法 - Google Patents

放射線撮影装置及び放射線撮影方法 Download PDF

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JP2013150780A JP2012250895A JP2012250895A JP2013150780A JP 2013150780 A JP2013150780 A JP 2013150780A JP 2012250895 A JP2012250895 A JP 2012250895A JP 2012250895 A JP2012250895 A JP 2012250895A JP 2013150780 A JP2013150780 A JP 2013150780A
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ray
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温之 橋本
Masaru Murakoshi
大 村越
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Fujifilm Corp
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Abstract

【課題】欠陥画素を精度よく補正すること可能とする。
【解決手段】X線源から放射された放射線を第1の格子を通過させて第1の周期パターン像(G1像)を生成する。G1像を第2の格子により部分的に遮蔽して第2の周期パターン像(G2像)を生成する。G2像をX線画像検出器により検出して画像データを生成し、この画像データに基づいて位相微分画像を生成する。画像データの欠陥画素のマップ情報が欠陥画素情報記憶部に記憶されている。欠陥画素補正処理部は、位相微分画像中の欠陥画素DPを、第1及び第2の格子の格子線に直交する方向(X方向)以外の画素NPを用いて補正する。
【選択図】図7

Description

本発明は、放射線の位相変化に基づく画像を検出する放射線撮影装置及び放射線撮影方法に関する。
放射線、例えばX線は、物質を構成する元素の重さ(原子番号)と物質の密度及び厚さとに依存して吸収され減衰するという特性を有する。この特性に着目し、医療診断や非破壊検査等の分野において、被検体の内部を透視するためのプローブとしてX線が利用されている。
一般的なX線撮影装置では、X線を放射するX線源と、X線を検出するX線画像検出器との間に被検体を配置して、被検体を透過したX線の撮影を行う。この場合、X線源からX線画像検出器に向けて放射されたX線は、被検体を透過する際に吸収され減衰した後、X線画像検出器に入射する。この結果、被検体によるX線の強度変化に基づく画像がX線画像検出器により検出される。
X線吸収能は、原子番号が小さい元素ほど低くなるため、生体軟部組織やソフトマテリアルなどでは、X線の強度変化が小さく、画像に十分なコントラストが得られないといった問題がある。例えば、人体の関節を構成する軟骨部とその周辺の関節液は、いずれも殆どの成分が水であり、両者のX線吸収能の差が小さいため、コントラストが得られにくい。
このような問題を背景に、被検体によるX線の強度変化に代えて、被検体によるX線の位相変化に基づいた画像を得るX線位相イメージングの研究が近年盛んに行われている。X線位相イメージングは、被検体に入射したX線の位相変化が強度変化より大きいことに基づき、X線の位相変化を画像化する方法であり、X線吸収能が低い被検体に対しても高コントラストの画像を得ることができる。X線位相イメージングの一種として、2枚の格子とX線画像検出器とを用いてX線タルボ干渉計を構成することにより、X線の位相変化を検出するX線撮影装置が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。
このX線撮影装置は、X線源から見て被検体の背後に第1の格子を配置し、第1の格子からタルボ距離だけ離れた位置に第2の回折格子を配置し、その背後にX線画像検出器を配置したものである。タルボ距離は、第1の回折格子を通過したX線が、タルボ効果によって第1の回折格子の自己像(縞画像)を形成する距離である。この自己像は、被検体でのX線の位相変化で屈折が生じることにより変調される。この変調量を検出することにより、X線の位相変化が画像化される。
上記変調量の検出方法として縞走査法が知られている。縞走査法では、第1の格子に対して第2の格子を、所定のピッチずつ間欠移動させながら、その停止中にX線源からX線を放射し、被検体、第1及び第2の格子を通過したX線をX線画像検出器で検出することにより画像データを生成する。この間欠移動は、第1の格子の面に平行でかつ第1の格子の格子線方向に直交する方向に行う。
X線画像検出器により生成される複数の画像データに基づき、画素毎に画素値の強度変調を表す強度変調信号を生成し、この強度変調信号の位相ズレ量(被検体が存在しない場合の初期位置からの位相差)を算出することにより、上記変調量の二次元分布を表す位相微分画像が得られる。この位相微分画像を、第1及び第2の格子の格子線に直交する方向に沿って積分することにより、被検体によるX線の位相シフト量を表す位相コントラスト画像が生成される。
特許文献2には、位相微分画像に欠陥画素が存在する場合に、その欠陥画素に隣接する隣接画素を用いて欠陥画素を補間処理により補正することが記載されている。また、特許文献2には、欠陥画素が線状に連なった線状欠陥が位相コントラスト画像に生じ、その線状欠陥が、位相微分画像を積分する際の積分方向に平行である場合には、線状欠陥に隣接するラインの隣接画素を用いて補正することが記載されている。
国際公開第2004/058070号公報 国際公開第2008/102654号公報
しかしながら、特許文献2には、位相微分画像に生じた欠陥画素を補正する際に用いる隣接画素の方向性については記載されていない。位相微分画像は、第1及び第2の格子の格子線に直交する方向に関してX線の位相変化を画像化したものであり、該方向に位相感度を有し、この位相感度方向にX線の位相変化のプロファイルが顕著に得られる。このため、欠陥画素に対して位相感度方向に隣接する隣接画素を用いて補正を行うと、補正箇所でプロファイルが乱れ、画質が劣化してしまう。
本発明は、欠陥画素を精度よく補正すること可能とする放射線撮影装置及び放射線撮影方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の放射線撮影装置は、放射線源に対向配置された少なくとも1つの格子を有する格子部と、放射線源から放射されて格子部を通過した放射線を、2次元配列された複数の画素部で検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、画像データに基づいて位相微分画像を生成する位相微分画像生成部と、放射線画像検出器の欠陥画素情報を記憶する欠陥画素情報記憶部と、欠陥画素情報に基づき、位相微分画像中の欠陥画素を、格子の格子線に直交する方向以外の方向に位置する複数の画素を用いて補正する欠陥画素補正処理部と、を備えるものである。
欠陥画素補正処理部は、位相微分画像中の欠陥画素を、格子の格子線に平行な方向に位置する複数の画素を用いて補正することが好ましい。
欠陥画素補正処理部により補正された補正後の位相微分画像を、格子の格子線に直交する方向に沿って積分処理することにより位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成部を備えることが好ましい。
画素部は、行方向とこれに直交する列方向に沿って2次元配列されており、放射線画像検出器は、行方向及び列方向のうち、線状欠陥が少ない方向が格子の格子線方向に沿うように配置されていることが好ましい。
格子部は、放射線源からの放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、第1の周期パターン像を部分的に遮蔽して第2の周期パターン像を生成する第2の格子とを有し、放射線画像検出器は、第2の周期パターン像を検出して画像データを生成することが好ましい。
格子部は、第1の格子または第2の格子を所定の走査ピッチで移動させ、複数の走査位置に順に設定する走査機構を有し、放射線画像検出器は、各走査位置で第2の周期パターン像を検出して画像データを生成し、位相微分画像生成部は、放射線画像検出器により生成される複数の画像データに基づいて位相微分画像を生成することが好ましい。
第2の周期パターン像にはモアレ縞が生じており、位相微分画像生成部は、所定方向に並ぶ所定数の画素部を1グループとし、このグループを所定方向に所定画素ずつ変更しながら、各グループ内に含まれる複数の画素値により構成される強度変調信号の位相ズレ量を算出することにより位相微分画像を生成することが好ましい。
モアレ縞は、第2の格子を、第1の格子に対して格子面内方向に相対的に傾斜して配置することにより生成されたものであり、第1及び第2の格子の格子線方向にほぼ直交していることが好ましい。
モアレ縞は、第1及び第2の格子の対向方向の位置関係、または、第1及び第2の格子の格子ピッチを調整することにより生成されたものであり、第1及び第2の格子の格子線方向にほぼ平行であってもよい。
第1の格子は、吸収型格子であり、入射した放射線を幾何光学的に投影することにより第1の周期パターン像を生成することが好ましい。第1の格子は、吸収型格子または位相型格子であり、入射した放射線にタルボ効果を生じさせて第1の周期パターン像を生成するものであってもよい。
放射線源から放射された放射線を部分的に遮蔽して焦点を分散化するマルチスリットを備えることが好ましい。
本発明の放射線撮影方法は、放射線源から放射されて少なくとも1つの格子を通過した放射線を、2次元配列された複数の画素部を有する放射線画像検出器で検出して画像データを生成するステップと、画像データに基づいて位相微分画像を生成するステップと、放射線画像検出器の欠陥画素情報に基づき、位相微分画像中の欠陥画素を、格子の格子線に直交する方向以外の方向に位置する複数の画素を用いて補正するステップと、を備える。
本発明によれば、欠陥画素情報に基づき、位相微分画像中の欠陥画素を、格子の格子線に直交する方向(位相感度方向)以外の方向に位置する複数の画素を用いて補正するので、X線の位相変化のプロファイルを乱さず、欠陥画素を精度よく補正することができる。
X線撮影装置の構成を示す模式図である。 X線画像検出器の構成を示す模式図である。 第1及び第2の格子の構成を説明する説明図である。 強度変調信号を示すグラフである。 画像処理部の構成を示すブロック図である。 点欠陥の補正方法を説明する説明図である。 X方向に延伸する線状欠陥の補正方法を説明する説明図である。 Y方向に連続する欠陥画素の補正方法を説明する説明図である。 Y方向に連続する欠陥画素の別の補正方法を説明する説明図である。 第2実施形態の第1及び第2の格子の位置関係を説明する説明図である。 1グループに含まれる複数の画素部を示す説明図である。 強度変調信号を示すグラフである。 グループの変更方法を説明する説明図である。 グループの第1の変形例を示す図である。 グループの第2の変形例を示す図である。 グループの第3の変形例を示す図である。 第3実施形態の第1及び第2の格子の位置関係を説明する説明図である。 グループの変更方法を説明する説明図である。
(第1実施形態)
図1において、X線撮影装置10は、X線源11、格子部12、X線画像検出器13、メモリ14、画像処理部15、画像記録部16、撮影制御部17、コンソール18、及びシステム制御部19を備える。X線源11は、周知のように、回転陽極型のX線管(図示せず)と、X線の照射野を制限するコリメータ(図示せず)とを有し、撮影制御部17の制御に基づき、被検体Hに向けてX線を放射する。
格子部12は、第1の格子21、第2の格子22、及び走査機構23を備える。第1及び第2の格子21,22は、X線照射方向であるZ方向に関してX線源11に対向配置されている。X線源11と第1の格子21との間には、被検体Hが配置可能な間隔が設けられている。X線画像検出器13は、例えば、半導体回路を用いたフラットパネル検出器であり、第2の格子22の背後に近接して配置されている。X線画像検出器13の検出面13aは、Z方向に直交している。
第1の格子21は、Z方向に直交する格子面(XY面)内の一方向であるY方向に延伸された複数のX線吸収部21a及びX線透過部21bを備えた吸収型格子である。X線吸収部21a及びX線透過部21bは、Z方向及びY方向に直交するX方向に交互に配列されており、縞状のパターンを形成している。このX線吸収部21a及びX線透過部21bは格子線であり、これらが延びている方向(この例ではY方向)が格子線方向である。

第2の格子22は、第1の格子21と同様にY方向に延伸され、かつX方向に交互に配列された複数のX線吸収部22a及びX線透過部22bを備えた吸収型格子である。X線吸収部21a,22aは、金(Au)、白金(Pt)等のX線吸収性を有する材料により形成されている。X線透過部21b,22bは、シリコン(Si)や樹脂等のX線透過性を有する材料や空隙により形成されている。
第1の格子21は、X線源11から放射されたX線を部分的に通過させて第1の周期パターン像(以下、G1像という)を生成する。第2の格子22は、第1の格子21により生成されたG1像を部分的に透過させて第2の周期パターン像(以下、G2像という)を生成する。被検体Hが配置されていない場合において、G1像は、第2の格子22の格子パターンとほぼ一致する。
X線画像検出器13は、G2像を検出して画像データを生成する。メモリ14は、X線画像検出器13から読み出された画像データを一時的に記憶する。画像処理部15は、メモリ14に記憶された複数の画像データに基づいて位相微分画像を生成し、この位相微分画像に基づいて位相コントラスト画像を生成する。画像記録部16は、位相微分画像及び位相コントラスト画像を記録する。
走査機構23は、第2の格子22をX方向に間欠的に移動させ、第1の格子21に対する第2の格子22の位置(走査位置)を順に変更する。走査機構23は、圧電アクチュエータや静電アクチュエータを有し、撮影制御部17の制御に基づいて駆動される。メモリ14には、走査機構23により変更される第1の格子21に対する第2の格子22の各走査位置でX線画像検出器13により生成された画像データが一括して記憶される。
コンソール18は、操作部18a及びモニタ18bを有する。操作部18aは、キーボードやマウス等により構成され、X線源11の管電圧、管電流、照射時間等の撮影条件の設定や、撮影実行指示等の操作入力を可能とする。
モニタ18bは、撮影条件等の撮影情報や、画像記録部16に記録された位相微分画像及び位相コントラスト画像の表示を行う。システム制御部19は、操作部18aから入力される信号に応じて各部を統括的に制御する。
図2において、X線画像検出器13は、周知のように、入射X線により半導体膜(図示せず)に生じた電荷を収集する画素電極31と、画素電極31によって収集された電荷を読み出すためのTFT(Thin Film Transistor)32とを備えた画素部30が2次元状に多数配列されたものである。半導体膜は、例えば、アモルファスセレンにより形成されている。
X線画像検出器13は、ゲート走査線33、走査回路34、信号線35、及び読み出し回路36を有する。ゲート走査線33は、画素部30の行ごとに設けられている。走査回路34は、TFT32をオン/オフするための走査信号を各ゲート走査線33に付与する。信号線35は、画素部30の列ごとに設けられている。読み出し回路36は、各信号線35を介して画素部30から電荷を読み出し、画像データに変換して出力する。各画素部30の詳細な層構成については、例えば、特開2002−26300号公報に記載された層構成と同様である。
読み出し回路36は、積分アンプ、A/D変換器、補正回路(いずれも図示せず)等を有する。積分アンプは、各画素部30から信号線35を介して出力された電荷を積分して画像信号を生成する。A/D変換器は、積分アンプにより生成された画像信号を、デジタル形式の画像データに変換する。補正回路は、画像データに対して、暗電流補正、ゲイン補正、リニアリティ補正等を行う。この補正後の画像データがメモリ14に記憶される。
X線画像検出器13は、入射X線を半導体膜で直接電荷に変換する直接変換型に限られず、ヨウ化セシウム(CsI)やガドリウムオキシサルファイド(GOS)等のシンチレータで入射X線を可視光に変換し、可視光をフォトダイオードで電荷に変換する間接変換型であってもよい。さらに、X線画像検出器13を、シンチレータとCMOSセンサ等の固体撮像素子とを組み合わせて構成してもよい。
X線画像検出器13により生成される画像データには、欠陥画素が孤立して生じた点欠陥や、欠陥画素が線状に連なって生じた線状欠陥が存在することがある。点欠陥は、画素部30の異常に起因する。線状欠陥は、信号線35やゲート走査線33の異常に起因し、信号線35に沿う方向(以下、列方向という)、またはゲート走査線33に沿う方向(以下、行方向という)に延在する。このような点欠陥及び線状欠陥を含む欠陥画素のマップ情報は、X線画像検出器13の製造最終段階の検査工程において取得される。
X線画像検出器13は、第1及び第2の格子21,22の格子線方向(Y方向)に線状欠陥の方向が一致しないように配置されている。例えば、X線画像検出器13の信号線35に異常が生じ、列方向に沿って線状欠陥が生じた場合には、行方向がY方向に沿うようにX線画像検出器13を配置する。なお、列方向と行方向との双方に線状欠陥が存在する場合には、列方向と行方向とのうち線状欠陥が少ない方向がY方向に沿うようにX線画像検出器13を配置する。
図3において、X線源11から照射されるX線は、X線焦点11aを発光点としたコーンビーム状である。第1の格子21は、タルボ効果が生じず、X線透過部21bを通過したX線をほぼ幾何光学的に投影するように構成されている。具体的には、X方向へのX線透過部21bの幅を、X線源11から照射されるX線の実効波長より十分大きな値とし、X線透過部21bを通過するX線の大部分がX線透過部21bで回折しないようにすることで実現される。X線源11の回転陽極としてタングステンを用い、管電圧を50kVとした場合には、X線の実効波長は約0.4Åである。この場合には、X線透過部21bの幅を1〜10μm程度とすればよい。
これにより、G1像は、第1の格子21からZ方向下流への距離に依らず、常に第1の格子21の自己像となる。G1像は、X線焦点11aからZ方向下流への距離に比例して拡大される。
第2の格子22の格子ピッチpは、前述のように、第2の格子22の格子パターンが第2の格子22の位置におけるG1像に一致するように設定されている。具体的には、第2の格子22の格子ピッチpは、第1の格子21の格子ピッチp、X線焦点11aと第1の格子21との間の距離L、第1の格子21と第2の格子22との間の距離Lと、下式(1)をほぼ満たすように設定されている。
G1像は、X線が被検体Hで位相変化して屈折することにより変調される。この変調量には、被検体HにおけるX線のX方向への屈折角φ(x)が反映される。同図には、被検体HにおけるX線の位相変化を表す位相シフト分布Φ(x)に応じて屈折するX線の経路が例示されている。符号X1は、被検体Hが存在しない場合にX線が直進する経路を示し、符号X2は、被検体Hにより屈折したX線の経路を示している。
位相シフト分布Φ(x)は、X線の波長をλ、被検体Hの屈折率分布をn(x,z)として、下式(2)で表される。
屈折角φ(x)は、位相シフト分布Φ(x)と、下式(3)の関係にある。
第2の格子22の位置において、X線は、屈折角φ(x)に応じた量だけX方向に変位する。この変位量Δxは、X線の屈折角φ(x)が微小であることに基づいて、近似的に下式(4)で表される。
このように、変位量Δxは、位相シフト分布Φ(x)の微分値に比例する。したがって、変位量Δxを、縞走査法を用いて検出することにより、位相シフト分布Φ(x)の微分値が得られ、位相微分画像が生成される。
縞走査法は、格子ピッチpをμ個に分割した値(p/μ)を走査ピッチとし、走査機構23により、この走査ピッチで第2の格子22を一周期(格子ピッチp)の距離に渡って間欠移動させ、その停止中にX線源11からX線を放射してG2像をX線画像検出器13により撮影することにより行われる。分割数μは、例えば5とする。
上式(1)を僅かに満たさない場合や、第1の格子21と第2の格子22との間にZ方向周りの回転や、XY平面に対する傾斜が僅かに生じている場合には、G2像にモアレ縞が生じる。このモアレ縞は、第2の格子22の並進移動に伴って移動し、X方向への移動距離が格子ピッチpに達すると元のパターンに一致する。このモアレ縞の移動を確認することで、第2の格子22の移動量を確認することができる。
上記縞走査により、X線画像検出器13の各画素部30について、M個の画素値が得られる。本実施形態では、縞走査における第2の格子22の移動距離を一周期(ピッチp)としているため、M=μである。図4に示すように、座標x,yに位置するM個の画素値I(x,y)は、第1の格子21に対する第2の格子22の走査位置kに応じて周期的に変化する。走査位置kは、第2の格子22の移動範囲において走査ピッチ(p/μ)ずつ離れた各位置である。走査位置kに対する画素値I(x,y)の変化を表す信号を強度変調信号という。
同図中の破線は、被検体Hを配置しない状態で得られる強度変調信号を示している。実線は、被検体Hを配置した状態で、被検体Hにより位相ズレ量ψ(x,y)が生じた強度変調信号を示している。この位相ズレ量ψ(x,y)は、変位量Δxと下式(5)の関係にある。
したがって、各画素部30について、縞走査で得られるM個の画素値I(x,y)に基づき、強度変調信号の位相ズレ量ψ(x,y)を求めることにより、位相微分画像が得られる。
次に、位相ズレ量ψ(x,y)の算出方法について説明する。走査位置kに対する画素値I(x,y)の変化を表す強度変調信号は、一般に下式(6)で表される。
ここで、Aは入射X線の平均強度を表し、Aは強度変調信号の振幅を表す。nは正の整数、iは虚数単位である。なお、図4に示すように、強度変調信号が正弦波を描く場合には、n=1である。
本実施形態では、走査ピッチ(p/μ)が一定であり、画素数Mが一周期分(M=μ)であるため、下式(7)が成立する。
上式(7)を上式(6)に適用すると、位相ズレ量ψ(x,y)は、下式(8)で表される。
ここで、arg[…]は、複素数の偏角を抽出する関数である。また、位相ズレ量ψ(x,y)は、逆正接関数を用いて下式(9)のように表すことも可能である。
図5において、画像処理部15は、位相微分画像生成部40、欠陥画素情報記憶部41、欠陥画素補正処理部42、及び位相コントラスト画像生成部43を有する。位相微分画像生成部40は、メモリ14に記憶されたM枚の画像データに基づき、上式(9)を用いて位相ズレ量ψ(x,y)を算出することにより、位相微分画像を生成する。この位相微分画像は、第1及び第2の格子21,22の格子線に直交するX方向に関するX線の位相変化を画像化したものであるため、X方向に位相感度を有し、この位相感度方向にX線の位相変化のプロファイルが顕著に得られる。
欠陥画素情報記憶部41は、前述のように、X線画像検出器13の製造最終段階の検査工程で取得された線状欠陥を含む欠陥画素のマップ情報を記憶する。欠陥画素補正処理部42は、欠陥画素情報記憶部41に記憶されたマップ情報に基づき、位相微分画像中の各欠陥画素を、位相感度方向以外の方向に位置する画素を用いて補間処理により補正する。
具体的には、欠陥画素補正処理部42は、図6に示すように、位相微分画像中に点欠陥が存在する場合には、各欠陥画素DPを、Y方向に隣接する2つの隣接画素NPを用いて補正する。また、図7に示すように、位相微分画像中にX方向に延伸する線状欠陥が存在する場合にも同様に、各欠陥画素DPを、Y方向に隣接する2つの隣接画素NPを用いて補正する。前述のように、X線画像検出器13は、列方向と行方向とのうち線状欠陥が少ない方向がY方向に沿うように配置されているため、同図のようにX方向に沿って線状欠陥が生じやすい。欠陥画素補正処理部42は、例えば、線形補間処理によって補正を行う。
また、列方向と行方向との双方に線状欠陥が存在する場合に、線状欠陥が少ない方向がY方向に沿うようにX線画像検出器13を配置しているため、図8に示すように、Y方向に欠陥画素DPが連続した線状欠陥も存在する。このようにY方向に沿う線状欠陥は、これらの欠陥画素DPにY方向に隣接する2つの隣接画素NPを用いて補正を行えばよい。
なお、欠陥画素DPの補正処理に用いる画素は、図8に示すように、線状欠陥のY方向の各端部に隣接する2つの隣接画素NPに限られず、補正精度を高めるために、3つ以上の画素を用いてもよい。例えば、図9に示すように、線状欠陥のY方向の各端部に隣接する2つの隣接画素NP1とこれらに隣接する2つの隣接画素NP2との4つの画素を用いて補正を行う。この補正は、多項式を用いた補間処理により行う。一般に、N次の多項式の場合は、N+1個の画素を用いて補間処理を行う必要がある。したがって、4つの画素を用いる場合には、多項式の次数は3となる。また、補間に用いる画素数は、線状欠陥のY方向の一端側と他端側で、同数でなくてもよい。
このように、欠陥画素補正処理部42は、欠陥画素DPを位相感度方向以外の方向に位置する画素を用いて補正を行うため、前述のX線の位相変化のプロファイルを乱さず、補正による画質低下が抑えられる。
位相コントラスト画像生成部43は、欠陥画素補正処理部42により補正がなされた位相微分画像をX方向(位相感度方向)に積分処理することにより位相コントラスト画像を生成する。欠陥画素補正処理部42により、位相微分画像中の欠陥画素DPが補正されているため、位相コントラスト画像には、位相微分画像中の欠陥画素DPが起因した従来のような線状欠陥が生じることはない。
次に、以上のように構成されたX線撮影装置10の作用を説明する。被検体Hが配置され、操作部18aにより撮影指示がなされると、走査機構23により第2の格子22が所定の走査ピッチずつ間欠移動されながら、各走査位置kにおいて、X線源11によるX線照射と、X線画像検出器13によるG2像の検出が行われる。この結果、M枚の画像データが生成される。
このM枚の画像データがメモリ14に格納されると、位相微分画像生成部40により位相微分画像が生成される。位相微分画像が生成されると、欠陥画素補正処理部42により、位相微分画像中の欠陥画素DPが補正される。このとき、欠陥画素補正処理部42は、欠陥画素情報記憶部41に記憶されたマップ情報に基づき、前述のように、欠陥画素DPに対して位相感度方向以外の方向に位置する画素を用いて補正を行う。
位相微分画像が補正されると、位相コントラスト画像生成部43により積分処理が行われ、位相コントラスト画像が生成される。そして、補正処理後の位相微分画像と位相コントラスト画像とがモニタ18bに画像表示される。
なお、本実施形態では、欠陥画素情報記憶部41に記憶させる欠陥画素のマップ情報を、X線画像検出器13の製造最終段階の検査工程で取得しているが、X線撮影装置10にマップ情報の取得機能を設け、X線画像検出器13の製造後にマップ情報を取得可能としてもよい。また、X線撮影装置10の使用時にマップ情報を適宜更新可能としてもよい。
また、本実施形態では、走査機構23は、第2の格子22を格子線に直交する方向(X方向)に移動させているが、本出願人により特願2011−097090号として出願されているように、第2の格子22を格子線に対して傾斜する方向(XY平面内でX方向及びY方向に直交しない方向)に移動させてもよい。この場合には、第2の格子22の移動のX方向成分に基づいて、走査位置kを設定すればよい。第2の格子22を格子線に対して傾斜する方向に移動させることにより、縞走査の一周期分の走査に要するストローク(移動距離)が長くなるため、移動精度が向上するといった利点がある。
また、本実施形態では、走査機構23は、第2の格子22を移動させているが、第2の格子22に代えて、第1の格子21を格子線に直交する方向または傾斜する方向に移動させてもよい。
また、本実施形態では、縞走査における第1の格子21に対する第2の格子22の移動距離を一周期としているが、該移動距離を一周期より大きく、または小さくしてもよい。この場合には、M≠μとなり、位相ズレ量ψ(x,y)には上式(9)を用いることができないが、「応用光学 光計測入門 谷田貝豊彦著 丸善株式会社 136〜138頁」に記載の方法(後述する式(11)〜(15)と同様の数式)を用いて算出可能である。
(第2実施形態)
上記第1実施形態では、縞走査法に基づいて複数の画像データを取得し、この複数の画像データに基づいて位相微分画像を生成しているが、第1及び第2の格子21,22を固定したまま、単一の画像データを取得し、この複数の画像データに基づいて位相微分画像を生成することも可能である。第2実施形態として、本出願人は、特願2010−265241号(現在、WO2012/056724号として公開されている)において提案している位相微分画像の生成方法を説明する。第2実施形態のX線撮影装置は、走査機構23が不要であること、及び位相微分画像生成部40の処理方法が異なる以外は第1実施形態とほぼ同一である。
本実施形態では、図10に示すように、G1像が第2の格子22に対してZ軸周り(格子面内方向)に僅かに傾斜するように、第1の格子21が、第2の格子22に対してZ軸周りに角度θだけ傾斜して配置される。この配置により、G2像には、Y方向に下式(10)で表される周期T(以下、モアレ周期Tという)を有するモアレ縞MSが生じる。
X線画像検出器13の画素部30のX方向の大きさをDx(以下、主画素サイズDxという)、Y方向の大きさをDy(以下、副画素サイズDyという)とする。第2の格子22の傾斜角θは、モアレ周期Tが副画素サイズDyのほぼ整数倍となるように設定されている。主画素サイズDxは、副画素サイズDyとほぼ同一とする。
図11において、Y方向に沿って並ぶM個の画素部30を1グループGr(x,n)とする。ここで、M,nは、正の整数である。nは、1グループGr(x,n)内の先頭の画素部30のy座標を表している。本実施形態では、1グループGr(x,n)内の画素数Mを、1モアレ周期Tに含まれる画素数ν(図10の例では、ν=5)と同一とする。
I(x,y)は、座標x,yの画素部30の画素値を示している。各画素値I(x,y)は、メモリ14に記憶された画像データから取得される。1グループGr(x,n)内の画素値I(x,n)〜I(x,n+M−1)は、図12に示すように、一周期分の強度変調信号を構成する。これは、1モアレ周期T内における画素部30のy座標に応じて、G1像と第2の格子22とのX方向への重なり度合いが異なり、強度変調量が変化することによる。したがって、1グループGr(x,n)内の画素値I(x,n)〜I(x,n+M−1)が構成する強度変調信号は、第1実施形態のように、第1または第2の格子を、その格子線方向にほぼ垂直な方向(X方向)に間欠移動させながら取得した一周期分の強度変調信号に相当する。
同図において、ψ(x,n)は、被検体Hが配置されていない場合の強度変調信号(破線)に対する被検体Hが配置された場合の強度変調信号(実線)の位相ズレ量を示している。
位相微分画像生成部40は、図13に示すように、X方向に並ぶ画素部30の各列について、グループGr(x,n)の先頭の座標をY方向に1画素ずつ変更しながら(nを1ずつ変更しながら)、設定可能な最終グループに達するまで、グループGr(x,n)を順に設定する。
そして、位相微分画像生成部40は、各グループGr(x,n)内の複数の画素値により構成される各強度変調信号の位相ズレ量ψ(x,n)を算出することにより位相微分画像を生成する。具体的には、第1実施形態の縞走査法と同様な方法により位相微分画像を生成する。この方法は、例えば、「応用光学 光計測入門 谷田貝豊彦著 丸善株式会社 136〜138頁」により知られている。
位相微分画像生成部40は、下記の連立方程式(11)〜(13)を演算し、演算結果を次式(14)に適用することにより、位相ズレ量ψ(x,n)を算出する。



ここで、参照位相δは、下式(15)で表される。
本実施形態の位相微分画像も第1実施形態と同様にX方向に位相感度を有している。欠陥画素情報記憶部41は、第1実施形態と同様に欠陥画素の補正処理を行う。グループGr(x,n)内に1つでも欠陥画素DPが存在すると、そのグループGr(x,n)により算出される位相ズレ量ψ(x,n)が異常値となってしまうため、図7〜図9で示したように補正を行うことにより、位相微分画像の算出精度が向上する。位相コントラスト画像生成部43は、第1実施形態と同様に位相微分画像に対して積分処理を行い、位相コントラスト画像を生成する。本実施形態のX線撮影装置のその他の構成及び作用は、第1実施形態と同一である。
なお、本実施形態では、図11に示すように、1グループGr(x,n)内の画素数Mを、1モアレ周期Tに含まれる画素数νと同一としているが、図14に示すように、1グループGr(x,n)内の画素数Mを、1モアレ周期Tに含まれる画素数νのN倍(ここで、Nは2以上の整数)と同一としてもよい。
また、図15に示すように、1グループGr(x,n)内の画素数Mは、1モアレ周期Tに含まれる画素数νまたはそのN倍と一致しなくてもよい。さらに、図16に示すように、1グループGr(x,n)内の画素数Mは、1モアレ周期Tに含まれる画素数νより少なくてもよい。
また、本実施形態では、図13に示すように、グループGr(x,n)をY方向に1画素ずつ変更しているが、グループGr(x,n)を、Y方向に2以上の画素数を単位として変更してもよい。
また、本実施形態では、第2の格子22のX線吸収部22aの延伸方向をY方向とし、これに対して第1の格子21のX線吸収部21aの延伸方向を角度θだけ傾斜させているが、逆に、第1の格子21のX線吸収部21aの延伸方向をY方向とし、これに対して第2の格子22のX線吸収部22aの延伸方向を角度θだけ傾斜させてもよい。さらには、y方向に対して、第1の格子21のX線吸収部21aの延伸方向と、第2の格子22のX線吸収部22aの延伸方向とを逆方向に傾斜させ、両者が角度θをなすようにしてもよい。
また、本実施形態では、X線画像検出器13は、第2の格子22の背後に近接して配置され、第2の格子22により生成されるG2像をほぼ等倍率で検出しているが、X線画像検出器13と第2の格子22との間に間隔を設けてもよい。X線画像検出器13と第2の格子22とのZ方向への間隔をLとすると、下式(16)の倍率Rで拡大されたG2像がX線画像検出器13により検出される。
この場合には、X線画像検出器13により検出されるモアレ縞の周期T’は、上式(10)で表されるモアレ周期TのR倍(すなわちT’=RT)となる。このため、モアレ周期T’に基づいて、同様にグループGr(x,n)の設定を行えばよい。
(第3実施形態)
第2実施形態では、第1及び第2の格子21,22の格子面内方向への相対的な傾斜によりG2像にモアレ縞を生じさせているが、本実施形態では、第1及び第2の格子21,22を傾斜させずに、上式(1)の関係を僅かに崩すように第1及び第2の格子21,22の位置関係(距離L,L)、若しくは第1及び第2の格子21,22の格子ピッチp,pを調整することで、図17に示すように、X方向に周期を有するモアレ縞MSをG2像に生じさせる。
第2の格子22の位置でのG1像のX方向へのパターン周期pは、第2の格子22の格子ピッチpとは僅かにずれている。モアレ縞MSは、X方向に、下式(17)で表される周期Tを有する。
本実施形態では、位相微分画像生成部40は、図18に示すように、Y方向に並ぶ画素部30の各行について、グループGr(n,y)の先頭の座標をX方向に1画素ずつ変更しながら(nを1ずつ変更しながら)、設定可能な最終グループに達するまで、グループGr(n,y)を順に設定する。
位相微分画像生成部40は、各グループGr(n,y)内の複数の画素値により構成される各強度変調信号の位相ズレ量ψ(n,y)を算出することにより位相微分画像を生成する。位相ズレ量ψ(n,y)の算出方法は、第2実施形態と同様である。具体的には、下記の連立方程式(18)〜(20)を演算し、演算結果を次式(21)に適用すればよい。



本実施形態の位相微分画像も第1及び第2実施形態と同様にX方向に位相感度を有している。本実施形態のX線撮影装置のその他の構成及び作用は、第1及び第2実施形態と同一であるため説明は省略する。
なお、本実施形態においてもX線画像検出器13と第2の格子22との間に間隔Lを設けてもよい。この場合には、上式(17)で表されるモアレ周期Tに、上式(16)で表される倍率Rを乗じたモアレ周期T’に基づいてグループGr(n,y)を設定すればよい。
本実施形態においても第2実施形態と同様に、1グループGr(n,y)内の画素数Mは、1モアレ周期Tに含まれる画素数νまたはそのN倍と一致しなくてもよい。さらに、グループGr(n,y)を、X方向に2以上の画素数を単位として変更してもよい。
なお、第2実施形態で示した第1及び第2の格子21,22の格子面内方向への相対的な傾斜と、第3実施形態で示した第1及び第2の格子21,22の位置関係や格子ピッチのずれが同時に生じることにより、X方向とY方向とのいずれにも平行でない方向に周期を有するモアレ縞がG2像に生じることがある。この場合には、モアレ縞はX方向及びY方向に成分を有するため、第2または第3実施形態のいずれかの方法を用いることにより位相微分画像を生成することが可能である。また、この場合には、X方向とY方向とのいずれにも平行でない斜め方向に並ぶ複数の画素部30によりグループを構成し、同様に位相微分画像を生成することも可能である。
(その他の実施形態)
上記第1及び第2実施形態と同様に、走査機構23を省略し、単一の画像データに基づいて位相微分画像を生成する方法として、国際公開第2010/050483号公報に記載されたフーリエ変換法を用いてもよい。このフーリエ変換法は、上記単一の画像データに対してフーリエ変換を行うことによりフーリエスペクトルを取得し、このフーリエスペクトルからキャリア周波数に対応したスペクトル(位相情報を担うスペクトル)を分離した後、逆フーリエ変換を行なうことにより位相微分画像を生成する方法である。その他の構成は、第1実施形態と同一である。
また、X線画像検出器13に代えて、特開平2009−133823号公報に記されたX線画像検出器を用いることにより、走査機構23に加えて、第2の格子22を省略することが可能である。このX線画像検出器は、X線を電荷に変換する変換層と、変換層において変換された電荷を収集する電荷収集電極とを備えた直接変換型のX線画像検出器であり、各画素の電荷収集電極が複数の線状電極群を備える。1つの線状電極群は、一定の周期で配列された線状電極を互いに電気的に接続したものであり、他の線状電極群と互いに位相が異なるように配置されている。この線状電極群が第2の格子22として機能し、線状電極群が複数存在することにより、一度の撮影で位相の異なる複数のG2像の検出が行われる。その他の構成は、第1実施形態と同一である。
上記各実施形態では、被検体Hを配置した状態でのみ撮影を行なっているが、被検体Hを配置せずに同様に撮影を行うことにより、位相微分画像を生成して、これをオフセット画像として記憶しておき、被検体Hを配置して撮影が行われた場合に生成された位相微分画像からオフセット画像を減算してもよい。このように被検体Hを配置せずに行う撮影についても本発明を適用可能である。
また、上記各実施形態では、被検体HをX線源11と第1の格子21との間に配置しているが、被検体Hを第1の格子21と第2の格子22との間に配置してもよい。
また、上記各第実施形態では、X線源11から射出されるコーンビーム状のX線を射出するX線源11を用いているが、平行ビーム状のX線を射出するX線源を用いることも可能である。この場合には、上式(1)に代えて、p=pをほぼ満たすように第1及び第2の格子21,22を構成すればよい。
また、上記各実施形態では、X線源11から射出されたX線を第1の格子21に入射させており、X線源11は単一焦点であるが、X線源11の射出側直後(X線源11と第1の格子21との間)に、国際公開第2006/131235号公報等に記されたマルチスリット(線源格子)を設けることにより、X焦点を分散化してもよい。マルチスリットの格子線はY方向に平行である。これより、高出力のX線源を用いることが可能となり、X線量が向上するため、位相微分画像の画質が向上する。この場合、マルチスリットのピッチpは、下式(22)を満たす必要がある。ここで、距離Lは、マルチスリットから第1の格子21までのZ方向への距離を表す。
その他の構成や作用については、上記各実施形態と同一である。本実施形態では、マルチスリットの位置がX線焦点の位置となるため、上記各実施形態において、距離Lを、距離Lに置き換えればよい。
なお、このようにマルチスリットを設ける場合においてもX線画像検出器13と第2の格子22との間に間隔Lを設けてもよい。この場合には、上式(10)または上式(17)で表されるモアレ周期Tに、上式(16)で表される倍率Rを乗じたモアレ周期T’に基づいてグループGr(x,n)またはグループGr(n,y)を設定すればよい。マルチスリット23を設けた場合においても、第2の格子22により生成されるG2像は、X線源11のX線焦点11aを原点とし、X線焦点11aからX線画像検出器20までの距離に比例して拡大されるため、G2像の倍率Rについては、上式(16)をそのまま(距離Lを距離Lで置き換えずに)用いればよい。
また、上記第1実施形態では、縞走査を行うために第1の格子21または第2の格子22を移動させているが、マルチスリットを設けた場合には、第1及び第2の格子21,22を固定したまま、マルチスリットを移動させることにより縞走査を行うことが可能である。例えば、縞走査におけるマルチスリットの移動距離を一周期(ピッチp)とした場合(M=μの場合)には、ピッチpをMで割った値(p/M)を走査ピッチとして、マルチスリットをX方向に間欠移動させればよい。これにより、第1及び第2の格子21,22に対するマルチスリットの走査位置kは、k=0,1,2,・・・,M−1と順に変更される。その他の構成及び作用は、第1実施形態と同一である。
また、上記各実施形態では、第1の格子21が入射X線を幾何光学的に投影するように構成しているが、国際公開第2004/058070号公報等で知られているように、第1の格子21をタルボ効果が生じる構成としてもよい。第1の格子21でタルボ効果を生じさせるためには、X線の空間干渉性を高めるように、小焦点のX線光源を用いるか、上記マルチスリットを用いて小焦点化すればよい。
第1の格子21でタルボ効果が生じる場合には、第1の格子21の自己像(G1像)が、第1の格子21からZ方向下流にタルボ距離Zだけ離れた位置に生じるため、第1の格子21から第2の格子22までの距離Lをタルボ距離Zとする必要がある。この場合には、第1の格子21を位相型格子としてもよい。
タルボ距離Zは、第1の格子21の構成とX線のビーム形状とに依存する。第1の格子21が吸収型格子であり、X線源11から射出されるX線がコーンビーム状である場合には、タルボ距離Zは、下式(23)で表される。ここで、mは正の整数である。この場合には、格子ピッチp,pは、上式(1)をほぼ満たすように設定される(ただし、マルチスリットを用いる場合には、距離Lは距離Lに置き換えられる)。
また、第1の格子21がX線にπ/2の位相変調を与える位相型格子であり、X線源11から射出されるX線がコーンビーム状である場合には、タルボ距離Zは、下式(24)で表される。ここで、mは0または正の整数である。この場合には、格子ピッチp,pは、上式(1)をほぼ満たすように設定される(ただし、マルチスリットを用いる場合には、距離Lは距離Lに置き換えられる)。
また、第1の格子21がX線にπの位相変調を与える位相型格子であり、X線源11から射出されるX線がコーンビーム状である場合には、タルボ距離Zは、下式(25)で表される。ここで、mは0または正の整数である。この場合には、G1像のパターン周期が第1の格子21の格子周期の1/2倍となるため、格子ピッチp,pは、次式(26)をほぼ満たすように設定される(ただし、マルチスリットを用いる場合には、距離Lは距離Lに置き換えられる)。

また、第1の格子21が吸収型格子であり、X線源11から射出されるX線が平行ビーム状である場合には、タルボ距離Zは、下式(27)で表される。ここで、mは正の整数である。この場合には、格子ピッチp,pは、p=pの関係をほぼ満たすように設定される。
また、第1の格子21がX線にπ/2の位相変調を与える位相型格子であり、X線源11から射出されるX線が平行ビーム状である場合には、タルボ距離Zは、下式(28)で表される。ここで、mは0または正の整数である。この場合には、格子ピッチp,pは、p=pの関係をほぼ満たすように設定される。
そして、第1の格子21がX線にπの位相変調を与える位相型格子であり、X線源11から射出されるX線が平行ビーム状である場合には、タルボ距離Zは、下式(29)で表される。ここで、mは0または正の整数である。この場合には、G1像のパターン周期が第1の格子21の格子周期の1/2倍となるため、格子ピッチp,pは、p=p/2の関係をほぼ満たすように設定される。
上記各実施形態は、矛盾しない範囲で相互に組み合わせてもよい。本発明は、医療診断用の放射線撮影装置の他に、工業用の放射線撮影装置等に適用することが可能である。また、放射線は、X線以外に、ガンマ線等を用いることも可能である。
10 X線撮影装置
12 格子部
13 X線画像検出器
21 第1の格子
21a X線吸収部
21b X線透過部
22 第2の格子
22a X線吸収部
22b X線透過部
30 画素部
31 画素電極
33 ゲート走査線
35 信号線

Claims (13)

  1. 放射線源に対向配置された少なくとも1つの格子を有する格子部と、
    前記放射線源から放射されて前記格子部を通過した放射線を、2次元配列された複数の画素部で検出して画像データを生成する放射線画像検出器と、
    前記画像データに基づいて位相微分画像を生成する位相微分画像生成部と、
    前記放射線画像検出器の欠陥画素情報を記憶する欠陥画素情報記憶部と、
    前記欠陥画素情報に基づき、前記位相微分画像中の欠陥画素を、前記格子の格子線に直交する方向以外の方向に位置する複数の画素を用いて補正する欠陥画素補正処理部と、
    を備えることを特徴とする放射線撮影装置。
  2. 前記欠陥画素補正処理部は、前記位相微分画像中の欠陥画素を、前記格子の格子線に平行な方向に位置する複数の画素を用いて補正することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮影装置。
  3. 前記欠陥画素補正処理部により補正された補正後の前記位相微分画像を、前記格子の格子線に直交する方向に沿って積分処理することにより位相コントラスト画像を生成する位相コントラスト画像生成部を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線撮影装置。
  4. 前記画素部は、行方向とこれに直交する列方向に沿って2次元配列されており、前記放射線画像検出器は、前記行方向及び前記列方向のうち、線状欠陥が少ない方向が前記格子の格子線方向に沿うように配置されていることを特徴とする請求項1から3に記載の放射線撮影装置。
  5. 前記格子部は、放射線源からの放射線を通過させて第1の周期パターン像を生成する第1の格子と、前記第1の周期パターン像を部分的に遮蔽して第2の周期パターン像を生成する第2の格子とを有し、
    前記放射線画像検出器は、前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成することを特徴とする請求項1から4いずれか1項に記載の放射線撮影装置。
  6. 前記格子部は、前記第1の格子または第2の格子を所定の走査ピッチで移動させ、複数の走査位置に順に設定する走査機構を有し、
    前記放射線画像検出器は、前記各走査位置で前記第2の周期パターン像を検出して画像データを生成し、
    前記位相微分画像生成部は、前記放射線画像検出器により生成される複数の画像データに基づいて位相微分画像を生成することを特徴とする請求項5に記載の放射線撮影装置。
  7. 前記第2の周期パターン像にはモアレ縞が生じており、前記位相微分画像生成部は、所定方向に並ぶ所定数の前記画素部を1グループとし、このグループを前記所定方向に所定画素ずつ変更しながら、各グループ内に含まれる複数の画素値により構成される強度変調信号の位相ズレ量を算出することにより位相微分画像を生成することを特徴とする請求項5に記載の放射線撮影装置。
  8. 前記モアレ縞は、前記第2の格子を、前記第1の格子に対して格子面内方向に相対的に傾斜して配置することにより生成されたものであり、前記第1及び第2の格子の格子線方向にほぼ直交していることを特徴とする請求項7に記載の放射線撮影装置。
  9. 前記モアレ縞は、前記第1及び第2の格子の対向方向の位置関係、または、前記第1及び第2の格子の格子ピッチを調整することにより生成されたものであり、前記第1及び第2の格子の格子線方向にほぼ平行であることを特徴とする請求項7に記載の放射線撮影装置。
  10. 前記第1の格子は、吸収型格子であり、入射した放射線を幾何光学的に投影することにより前記第1の周期パターン像を生成することを特徴とする請求項5から9いずれか1項に記載の放射線撮影装置。
  11. 前記第1の格子は、吸収型格子または位相型格子であり、入射した放射線にタルボ効果を生じさせて前記第1の周期パターン像を生成することを特徴とする請求項5から9いずれか1項に記載の放射線撮影装置。
  12. 前記放射線源から放射された放射線を部分的に遮蔽して焦点を分散化するマルチスリットを備えることを特徴とする請求項1から11いずれか1項に記載の放射線撮影装置。
  13. 放射線源から放射されて少なくとも1つの格子を通過した放射線を、2次元配列された複数の画素部を有する放射線画像検出器で検出して画像データを生成するステップと、
    前記画像データに基づいて位相微分画像を生成するステップと、
    前記放射線画像検出器の欠陥画素情報に基づき、前記位相微分画像中の欠陥画素を、前記格子の格子線に直交する方向以外の方向に位置する複数の画素を用いて補正するステップと、
    を備えることを特徴とする放射線撮影方法。
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