JP2013038410A - 半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】（Ａ層）弾性率が５ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である薄膜層２、（Ｂ層）弾性率が０．１ＧＰａ以上１ＧＰa以下である封止層３、（Ｃ層）回路基板層４、を順番に有し、Ａ層２の厚みが１〜２００μｍであり、Ｂ層３の厚みが１００〜６００μｍであり、Ｃ層４の厚みが１〜１００μｍであり、パッケージ反りが２３５μｍ以下であることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体パッケージに関する。

半導体パッケージの製造方法において、特許文献１には熱圧着処理を簡潔に行い、半導体チップのダメージを減らす方法が開示されているが、半導体パッケージの小型化、薄型化にとっては十分ではない。また、半導体パッケージのパッケージ反りを抑制する方法が特許文献２に記載されているものの、トランスファー成形などの煩雑な作業が必要であった。

特開２００９−２６７３４４号公報 特開２００２−３４８３５２号公報

本発明が解決しようとする課題は、回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージを提供することである。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、特定の薄膜層、特定の封止層を用いることで、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の内容を含むものである。
〔１〕（Ａ層）弾性率が５ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である薄膜層、
（Ｂ層）弾性率が０．１ＧＰａ以上１ＧＰa以下である封止層、
（Ｃ層）回路基板層、
を順番に有し、
Ａ層の厚みが１〜２００μｍであり、Ｂ層の厚みが１００〜６００μｍであり、Ｃ層の厚みが１〜１００μｍであり、
パッケージ反りが２３５μｍ以下であることを特徴とする半導体パッケージ。
〔２〕Ｃ層の厚みを１とした場合、Ａ層の厚みが０．０５〜３の範囲であることを特徴とする、上記〔１〕に記載の半導体パッケージ。
〔３〕Ｃ層の厚みを１とした場合、Ｂ層の厚みが０．０５〜１０の範囲であることを特徴とする、上記〔１〕又は〔２〕に記載の半導体パッケージ。
〔４〕前記Ａ層の厚みが１０〜１５０μｍであり、前記Ｂ層の厚みが１００〜５００μｍであり、前記Ｃ層の厚みが５０〜１００μｍであり、パッケージ反りが０．１〜２００μｍであることを特徴とする、上記〔１〕〜〔３〕のいずれか記載の半導体パッケージ。
〔５〕前記Ａ層の厚みが２０〜７０μｍであることを特徴とする、上記〔１〕〜〔４〕のいずれか記載の半導体パッケージ。
〔６〕リフロー処理後のパッケージ反りが３６０μｍ以下であることを特徴とする、上記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の半導体パッケージ。
〔７〕リフロー処理後のパッケージ反りが０．１〜２５０μｍであることを特徴とする、上記〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の半導体パッケージ。
〔８〕封止層用樹脂ペーストを直接Ｃ層上に塗布、乾燥することによりＢ層を形成することを特徴とする、上記〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の製造方法。
〔９〕封止層用接着シートをＣ層上にラミネートすることによりＢ層を形成することを特徴とする、上記〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の製造方法。
〔１０〕薄膜層用樹脂ペーストをＢ層上に塗布、乾燥することによりＡ層を形成することを特徴とする、上記〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の製造方法。
〔１１〕薄膜層用接着シートをＢ層上にラミネートすることによりＡ層を形成することを特徴とする、上記〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の製造方法。
〔１２〕薄膜層用硬化物シートをＢ層上にラミネートすることによりＡ層を形成することを特徴とする、上記〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の製造方法。
〔１３〕下記工程１）〜４）を含有することを特徴とする上記〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
工程１）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、薄膜層用接着シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させて薄膜層用接着シートを製造する工程
工程２）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
工程３）薄膜層用接着シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、二層接着シートを製造する工程
工程４）二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をＣ層上にラミネートする工程
〔１４〕下記工程１）〜４）を含有することを特徴とする上記〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
工程１）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させ、熱硬化して、薄膜層用硬化物シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させ、熱硬化して薄膜層用硬化物シートを製造する工程
工程２）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
工程３）薄膜層用硬化物シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、一部硬化二層接着シートを製造する工程
工程４）一部硬化二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をＣ層上にラミネートする工程

特定の薄膜層、特定の封止層を用いることにより、回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージを提供できるようになった。

本実施例の半導体パッケージの概略端面図である。

本発明は、
（Ａ層）弾性率が５ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である薄膜層、
（Ｂ層）弾性率が０．１ＧＰａ以上１ＧＰa以下である封止層、
（Ｃ層）回路基板層、
を順番に有し、
Ａ層の厚みが１〜２００μｍであり、Ｂ層の厚みが１００〜６００μｍであり、Ｃ層の厚みが１〜１００μｍであり、
パッケージ反りが２３５μｍ以下であることを特徴とする半導体パッケージ、である。

＜（Ａ層）弾性率が５ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である薄膜層＞
本発明のＡ層は反り低減のために弾性率が５ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下であることが特徴である。Ａ層は熱硬化工程後の絶縁層のことを意味する。このＡ層は、熱硬化性樹脂組成物を用いて得ることができる。熱硬化性樹脂組成物は、半導体パッケージの絶縁層に適するものであれば、特に制限なく使用でき、（ａ）エポキシ樹脂を含有するものが好ましく、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）無機充填材を含有するものがより好ましい。さらに、硬化促進剤、熱可塑性樹脂、ゴム粒子、難燃剤、他の成分等も適宜配合することができる。

［（ａ）エポキシ樹脂］
エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。

これらの中でも、耐熱性向上、絶縁信頼性向上、流動性向上の観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」、「ＹＬ９８０」）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ｊＥＲ８０６Ｈ」、「ＹＬ９８３Ｕ」）、ナフタレン型２官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」）、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」、「ＨＰ４７１０」）、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」）、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂（ダイセル化学工業（株）製「ＰＢ−３６００」）、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂(日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００ＨＫ」、「ＹＬ６１２１」）、アントラセン型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ８８００」）、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１０」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１Ｌ」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」）、リン含有エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＦＸ２８９」、「ＦＸ３０５」、「ＴＸ０７１２」、三菱化学（株）製「ＹＬ７６１３」）などが挙げられる。

エポキシ樹脂は２種以上を併用してもよいが、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含有するのが好ましい。また、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状の芳香族系エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂、および１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状の芳香族系エポキシ樹脂を含有する態様がより好ましい。なお、本発明でいう芳香族系エポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環構造を有するエポキシ樹脂を意味する。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂を併用する場合、樹脂組成物を接着フィルム形態で使用する場合に適度な可撓性を有する点や樹脂組成物の硬化物が適度な破断強度を有する点から、その配合割合（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は質量比で１：０．１〜２の範囲が好ましく、１：０．３〜１．８の範囲がより好ましく、１：０．６〜１．５の範囲が更に好ましい。

本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物において、樹脂組成物の硬化物の機械強度や耐水性を向上させるという観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、エポキシ樹脂の含有量は３〜４０質量％であるのが好ましく、５〜３５質量％であるのがより好ましく、１０〜３０質量％であるのが更に好ましい。

［（ｂ）硬化剤］
（ｂ）硬化剤としては、特に限定されないが、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられ、なかでもフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤が好ましい。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。

フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤としては、特に制限はないが、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤やノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が挙げられ、フェノールノボラック樹脂、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル型樹脂、トリアジン骨格含有ナフトール樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂が好ましい。市販品としては、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂として、「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、「ＭＥＨ７８５１−４Ｈ」（明和化成（株）製）、「ＧＰＨ」（日本化薬（株）製）、ナフトールノボラック樹脂として、「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」（日本化薬（株）製）、ナフトールアラルキル型樹脂として、「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３９５」、「ＳＮ３７５」（新日鐵化学（株）製）、フェノールノボラック樹脂として「ＴＤ２０９０」（ＤＩＣ（株）製）、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂「ＬＡ３０１８」、「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ１３５６」（ＤＩＣ（株）製）等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を併用してもよい。

活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤（が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。活性エステル系硬化剤は１種又は２種以上を使用することができる。活性エステル系硬化剤としては、特開２００４−２７７４６０号公報に開示されている活性エステル系硬化剤を用いてもよく、また市販のものを用いることもできる。 市販されている活性エステル系硬化剤としては、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含むもの、フェノールノボラックのアセチル化物、フェノールノボラックのベンゾイル化物等が好ましく、なかでもジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含むものがより好ましい。具体的には、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含むものとしてＥＸＢ９４５１、ＥＸＢ９４６０、ＥＸＢ９４６０Ｓ−６５Ｔ、ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ（ＤＩＣ（株）製、活性基当量約２２３）、フェノールノボラックのアセチル化物としてＤＣ８０８（三菱化学（株）製、活性基当量約１４９）、フェノールノボラックのベンゾイル化物としてＹＬＨ１０２６（三菱化学（株）製、活性基当量約２００）、ＹＬＨ１０３０（三菱化学（株）製、活性基当量約２０１）、ＹＬＨ１０４８（三菱化学（株）製、活性基当量約２４５）、等が挙げられ、中でもＥＸＢ９４６０Ｓがワニスの保存安定性、硬化物の熱膨張率の観点から好ましい。

ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤として、より具体的には下式（２）のものが挙げられる。

（式中、Ｒはフェニル基、ナフチル基であり、ｋは０又は１を表し、ｎは繰り返し単位の平均で０．０５〜２．５である。）

耐熱性を向上させるという観点から、Ｒはナフチル基が好ましく、一方、ｋは０が好ましく、また、ｎは０．２５〜１．５が好ましい。

ベンゾオキサジン系硬化剤としては、特に制限はないが、具体例としては、Ｆ−ａ、Ｐ−ｄ（四国化成（株）製）、ＨＦＢ２００６Ｍ（昭和高分子（株）製）などが挙げられる。

シアネートエステル系硬化剤としては、特に制限はないが、ノボラック型（フェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型など）シアネートエステル系硬化剤、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル系硬化剤、ビスフェノール型（ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型など）シアネートエステル系硬化剤、及びこれらが一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、５００〜４５００が好ましく、６００〜３０００がより好ましい。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエン構造含有フェノール樹脂等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。市販されているシアネートエステル樹脂としては、下式（２）で表されるフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製、ＰＴ３０、シアネート当量１２４）、下式（３）で表されるビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー（ロンザジャパン（株）製、ＢＡ２３０、シアネート当量２３２）、下式（４）で表されるジシクロペンタジエン構造含有シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製、ＤＴ−４０００、ＤＴ−７０００）等が挙げられる。

［式中、ｎは平均値として任意の数（好ましくは０〜２０）を示す。］

（式中、ｎは平均値として０〜５の数を表す。）

酸無水物系硬化剤としては、特に限定されるものではないが、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸が共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。

本発明に用いられる樹脂組成物において、樹脂組成物の硬化物の機械強度や耐水性を向上させるという観点から、（ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数と、（ｂ）硬化剤の反応基の合計数との比が、１：０．２〜２が好ましく、１：０．３〜１．５がより好ましく、１：０．４〜１が更に好ましい。なお樹脂組成物中に存在するエポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。

［（ｃ）無機充填材］
（ｃ）無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムなどが挙げられる。なかでも、シリカが好ましい。また、無定形シリカ、粉砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。また、シリカとしては球状のものが好ましい。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。

無機充填材の平均粒径は、特に限定されるものではないが、無機充填材の平均粒径の上限値は、ワイヤ間隔が狭い半導体パッケージの場合、無機充填材の粒子がワイヤに接触し、ワイヤ流れを発生させることを防止するという観点から、２０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下が更に好ましい。一方、無機充填材の平均粒径の下限値は、エポキシ樹脂組成物を樹脂組成物ワニスとした場合に、ワニスの粘度が上昇し、取り扱い性が低下するのを防止するという観点から、０．０１μｍ以上が好ましく、０．０３μｍ以上がより好ましく、０．０５μｍ以上が更に好ましく、０．０７μｍ以上が殊更好ましく、０．１μｍ以上が特に好ましい。上記無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製 ＬＡ−５００、７５０、９５０等を使用することができる。

無機充填材を配合する場合の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、樹脂組成物に要求される特性によっても異なるが、２０〜８５質量％であるのが好ましく、３０〜８０質量％がより好ましく、４０〜７５質量％が更に好ましく、５０〜７０質量％が更に一層好ましい。無機充填材の含有量が少なすぎると、硬化物の熱膨張率が高くなる傾向にあり、含有量が大きすぎると硬化物が脆くなる傾向にある。

無機充填材は、本発明の効果を阻害しない範囲において、エポキシシラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の表面処理剤で表面処理したものを用いることができる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。具体的に表面処理剤としては、アミノプロピルメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン系カップリング剤、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、グリシジルブチルトリメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン系カップリング剤、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリエトキシシラン等のメルカプトシラン系カップリング剤、メチルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メタクロキシプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン等のシラン系カップリング剤、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサフェニルジシラザン、トリシラザン、シクロトリシラザン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルシクロトリシラザン等のオルガノシラザン化合物、ブチルチタネートダイマー、チタンオクチレングリコレート、ジイソプロポキシチタンビス（トリエタノールアミネート）、ジヒドロキシチタンビスラクテート、ジヒドロキシビス（アンモニウムラクテート）チタニウム、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミドエチル・アミノエチル）チタネート等のチタネート系カップリング剤等が挙げられる。

［（ｄ）硬化促進剤］
（ｄ）硬化促進剤としては、特に限定されないが、アミン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホスホニウム系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。

アミン系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記する。）などのアミン化合物などが挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。

グアニジン系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。

イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、 １−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。

ホスホニウム系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。

本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物において、硬化促進剤（金属系硬化促進剤を除く）の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．００５〜１質量％の範囲が好ましく、０．０１〜０．５質量％の範囲がより好ましい。０．００５質量％未満であると、硬化が遅くなり熱硬化時間が長く必要となる傾向にあり、１質量％を超えると樹脂組成物の保存安定性が低下する傾向となる。

金属系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、コバルト 、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（II）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛(II)アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（III）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル(II)アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン(II)アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体などが挙げられる。有機金属塩としては、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛などが挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。

本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物において、金属系硬化促進剤の添加量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、金属系硬化触媒に基づく金属の含有量が２５〜５００ｐｐｍの範囲が好ましく、４０〜２００ｐｐｍの範囲がより好ましい。２５ｐｐｍ未満であると、樹脂組成物の硬化性が不十分となる傾向にあり、５００ｐｐｍを超えると、樹脂組成物の保存安定性、絶縁性が低下する傾向となる。

［（ｅ）熱可塑性樹脂］
（ｅ）熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂を挙げることができる。これらの熱可塑性樹脂は各々単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。熱可塑性樹脂の重量平均分子量は５０００〜２０００００の範囲であるのが好ましい。この範囲よりも小さいとフィルム成型能や機械強度向上の効果が十分発揮されない傾向にあり、この範囲よりも大きいと樹脂組成物との相溶性が十分でない傾向にある。なお本発明における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレンン換算）で測定される。ＧＰＣ法による重量平均分子量は、具体的には、測定装置として（株）島津製作所製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）社製Ｓｈｏｄｅｘ Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。

フェノキシ樹脂の具体例としては、例えば、新日鐵化学（株）製ＦＸ２８０、ＦＸ２９３、ＥＲＦ００１、三菱化学（株）製ＹＸ８１００、ＹＬ６９５４、ＹＬ６９７４、ＹＬ７２１３、ＹＬ６７９４、ＹＬ７５５３、ＹＬ７４８２等が挙げられる。ポリビニルアセタール樹脂はポリビニルブチラール樹脂が好ましく、ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製、電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製エスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。ポリイミドの具体例としては、新日本理化（株）製のポリイミド「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。また、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のもの）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報、特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のもの）等の変性ポリイミドが挙げられる。ポリアミドイミドの具体例としては、東洋紡績（株）製のポリアミドイミド「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。また、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。ポリエーテルスルホンの具体例としては、住友化学（株）製のポリエーテルスルホン「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。ポリスルホンの具体例としては、ソルベンアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。

本発明に用いられる熱硬化性樹脂組成物に、（ｅ）熱可塑性樹脂を配合する場合には、樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の不揮発分１００質量％に対し、０．１〜３０質量％が好ましく、１〜１０質量％がより好ましい。熱可塑性樹脂の含有量が少なすぎるとフィルム成型能や機械強度向上の効果が発揮されない傾向にあり、多すぎると樹脂組成物の溶融粘度が上昇し、半導体パッケージにオーバーハング等の狭い充填領域が存在する場合、未充填によりボイドの発生を引き起こす可能性や、ワイヤ間隔が狭い場合、ワイヤ流れ等の不良を引き起こす可能性がある。

［（ｆ）ゴム粒子］
（ｆ）ゴム粒子は、例えば、当該樹脂組成物のワニスを調製する際に使用する有機溶剤にも溶解せず、エポキシ樹脂などとも相溶しないものである。従って、該ゴム粒子は、本発明の樹脂組成物のワニス中では分散状態で存在する。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム成分の分子量を有機溶剤や樹脂に溶解しないレベルまで大きくし、粒子状とすることで調製される。

熱硬化性樹脂組成物に使用され得るゴム粒子の好ましい例としては、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メタクリル酸メチルの重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。ゴム粒子は２種以上を組み合わせて使用してもよい。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドＡＣ３８３２、ＡＣ３８１６Ｎ、ＩＭ−４０１改１、ＩＭ−４０１改７−１７ （商品名、ガンツ化成（株）製）、メタブレンＫＷ−４４２６（商品名、三菱レイヨン（株）製）が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＥＲ−９１（平均粒径０．５μｍ、ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。架橋スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＳＫ−５００（平均粒径０．５μｍ、ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンＷ３００Ａ（平均粒径０．１μｍ）、Ｗ４５０Ａ（平均粒径０．２μｍ）（三菱レイヨン（株）製）を挙げることができる。

配合するゴム粒子の平均粒径は、好ましくは０．００５〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２〜０．６μｍの範囲である。本発明で使用されるゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（ＦＰＡＲ−１０００；大塚電子（株）製）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。

ゴム粒子の含有量は、樹脂組成物中の不揮発分１００質量％に対し、好ましくは１〜１０質量％であり、より好ましくは２〜５質量％である。

［（ｇ）難燃剤］
（ｇ）難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。有機リン系難燃剤としては、三光（株）製のＨＣＡ、ＨＣＡ−ＨＱ、ＨＣＡ−ＮＱ等のフェナントレン型リン化合物、昭和高分子（株）製のＨＦＢ−２００６Ｍ等のリン含有ベンゾオキサジン化合物、味の素ファインテクノ（株）製のレオフォス３０、５０、６５、９０、１１０、ＴＰＰ、ＲＰＤ、ＢＡＰＰ、ＣＰＤ、ＴＣＰ、ＴＸＰ、ＴＢＰ、ＴＯＰ、ＫＰ１４０、ＴＩＢＰ、北興化学工業（株）製のＴＰＰＯ、ＰＰＱ、クラリアント（株）製のＯＰ９３０、大八化学（株）製のＰＸ２００等のリン酸エステル化合物、有機系窒素含有リン化合物としては、四国化成工業（株）製のＳＰ６７０、ＳＰ７０３等のリン酸エステルアミド化合物、大塚化学（株）社製のＳＰＢ１００、ＳＰＥ１００、（株）伏見製薬所製ＦＰ−ｓｅｒｉｅｓ等のホスファゼン化合物等が挙げられる。金属水酸化物としては、宇部マテリアルズ（株）製のＵＤ６５、ＵＤ６５０、ＵＤ６５３等の水酸化マグネシウム、巴工業（株）社製のＢ−３０、Ｂ−３２５、Ｂ−３１５、Ｂ−３０８、Ｂ−３０３、ＵＦＨ−２０等の水酸化アルミニウム等が挙げられる。

［他の成分］
本発明に用いられる樹脂組成物には、本発明の効果を阻害しない範囲で、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、ビニルベンジル化合物、アクリル化合物、マレイミド化合物、ブロックイソシアネート化合物のような熱硬化性樹脂、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等の有機充填剤、オルベン、ベントン等の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系、シラン系カップリング剤等の密着性付与剤、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、カーボンブラック等の着色剤、ガラス織布、ガラス不織布、有機繊維等のシート状繊維基材等を挙げることができる。

本発明のＡ層の熱硬化性樹脂組成物の調製方法は、特に限定されるものではなく、例えば、上記配合成分を、必要により溶媒等を添加し、回転ミキサーなどを用いて混合する方法などが挙げられる。

[Ａ層の製造方法]
本発明のＡ層とは熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させることにより得られる絶縁層である。この絶縁層を形成するために、熱硬化性樹脂組成物を薄膜層用樹脂ペースト、薄膜層用接着シート、薄膜層用硬化物シートの様態とすることができる。これらの様態のＡ層の製造方法を例示する。

（薄膜層用樹脂ペーストの製造方法）
有機溶剤に熱硬化性樹脂組成物を溶解し、樹脂ペーストを製造する。樹脂ペーストを、直接Ｂ層上に塗布、乾燥することにより薄膜層用樹脂組成物層を形成する。その後、熱硬化することによりＡ層を形成することができる。熱硬化性樹脂組成物が粘度の低い樹脂組成物であれば、そのまま樹脂ペーストとして用いることもできる。

（薄膜層用接着シートの製造方法）
有機溶剤に熱硬化性樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、バーコーター、ダイコーターなどの装置を用いて、支持体に塗布し、加熱あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて、支持体上に薄膜層用樹脂組成物層を形成し、接着シートを製造する。その後、接着シートを熱硬化することによりＡ層を形成することができる。また、樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させて、支持体上に薄膜層用樹脂組成物層を形成しても良い。

（薄膜層用硬化物シートの製造方法）
また、前記方法にて製造した接着シートを熱硬化させて、流動性を持たない硬化物シートにしても良い。その後、硬化物シートを更に熱硬化することによりＡ層を形成することができる。

樹脂ペースト、あるいは樹脂ワニスを調製する為の有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は２種以上を組みわせて用いてもよい。

接着シートを作成する場合の支持体としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィンのフィルム、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルのフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルムなどの各種プラスチックフィルムが挙げられる。また離型紙や銅箔、アルミニウム箔等の金属箔などを使用してもよい。支持体及び後述する保護フィルムには、マッド処理、コロナ処理等の表面処理が施してあってもよい。また、シリコーン樹脂系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤、フッ素樹脂系離型剤等の離型剤で離型処理が施してあってもよい。支持体の厚さは特に限定されないが、１０〜１５０μｍが好ましく、２５〜５０μｍがより好ましい。

接着シートにおいて、支持体が密着していない面には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、１〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、薄膜層用樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。接着シートは、ロール状に巻きとって貯蔵することもできる。

接着シートを作成する場合の、乾燥条件は特に限定されないが、薄膜層用樹脂組成物層への有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。ワニス中の有機溶剤量、有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０〜６０質量％の有機溶剤を含むワニスを５０〜１５０℃で３〜１０分乾燥させることにより、薄膜層用樹脂組成物層を形成することができる。

薄膜層用硬化物シートとして用いる場合、その硬化物シートは必ずしも完全に熱硬化されている必要はなく、本発明の効果が発揮される程度に硬化されていればよく、実質的に流動性を有しなければよい。ここでいう流動性を有しないとは、例えば、１２ｃｍ×１５ｃｍの硬化物シートを、２０ｃｍ四方、０．８ｍｍ厚のＦＲ４基板に、真空ラミネーターを用いて、温度８０℃にて３０秒間真空吸引後、温度８０℃、圧力７．０ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で、耐熱ゴムを介して６０秒間プレスすることによりラミネートし、さらに大気圧下で、ＳＵＳ鏡板を用いて、温度８０℃、圧力５．５ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で９０秒間プレスして平滑化処理を施した際の、薄膜層の最大染み出し長さを測定し、該最大染み出し長さが、０．３ｍｍ以下、好ましくは０．２ｍｍ以下、より好ましくは０．１ｍｍ以下、更に好ましくは０である。熱硬化条件としては、硬化温度１５０〜２００℃、硬化時間１〜１０分が挙げられる。

［Ａ層の評価］
本発明のＡ層のガラス転移温度は、実装時のパッケージ反りを低減する為に、８０℃以上が好ましく、９０℃以上がより好ましく、１００℃以上が更に好ましい。また、ガラス転移温度の上限は特に限定されないが、実用的な観点から、３００℃以下が好ましく、２８０℃以下がより好ましい。

ここでいう「ガラス転移温度」とは、耐熱性を示す値であり、ＪＩＳ Ｋ ７１７９に記載の方法にしたがって決定され、具体的には、熱機械分析（ＴＭＡ）、動的機械分析（ＤＭＡ）などを用いて測定される。熱機械分析（ＴＭＡ）としては、例えば、ＴＭＡ-ＳＳ６１００（セイコーインスツルメンツ（株）製）、ＴＭＡ-８３１０（（株）リガク製）などが挙げられ、動的機械分析（ＤＭＡ）としては、例えば、ＤＭＳ-６１００（セイコーインスツルメンツ（株）製）などが挙げられる。また、ガラス転移温度が分解温度よりも高く、実際にはガラス転移温度が観測されない場合には、分解温度を本発明におけるガラス転移温度とみなすことができる。ここでいう分解温度とは、ＪＩＳ Ｋ ７１２０に記載の方法にしたがって測定したときの質量減少率が５％となる温度で定義される。

本発明のＡ層の厚みは、十分な剛性を付与するという観点、パッケージ反り防止効果向上という観点から、１μｍ以上が好ましく、３μｍ以上がより好ましく、５μｍ以上が更に好ましく、１０μｍ以上が更に一層好ましく、１５μｍ以上が殊更好ましく、２０μｍ以上が特に好ましい。また、半導体パッケージの薄型化の観点、パッケージ反り防止効果向上という観点から、好ましくは２００μｍ以下、１５０μｍ以下、更には１００μｍ以下が好ましく、９０μｍ以下がより好ましく、８０μｍ以下が更に好ましく、７０μｍ以下が更に一層好ましく、６０μｍ以下が殊更好ましく、５０μｍ以下が特に好ましく、４０μｍ以下がとりわけ好ましい。

本発明のＡ層の平均熱膨張率は、実装時のパッケージ反りを低減する為に、４５ｐｐｍ以下が好ましく、４０ｐｐｍ以下がより好ましく、３５ｐｐｍ以下が更に好ましく、３０ｐｐｍ以下が更に一層好ましく、２５ｐｐｍ以下が殊更好ましく、２０ｐｐｍ以下が特に好ましい。また、実用的な観点から、４ｐｐｍ以上が好ましく、５ｐｐｍ以上がより好ましく、６ｐｐｍ以上が更に好ましく、７ｐｐｍ以上が更に一層好ましく、８ｐｐｍ以上が殊更好ましく、９ｐｐｍ以上が特に好ましい。

本発明のＡ層の弾性率は、実装時のパッケージ反りを低減する為に、５ＧＰａ以上が好ましく、８ＧＰａ以上がより好ましく、１０ＧＰａ以上が更に好ましく、１２ＧＰａ以上が更に一層好ましい。また、封止後の基板切削性向上の観点から、２５ＧＰａ以下が好ましく、２０ＧＰａ以下がより好ましい。

＜（Ｂ層）弾性率が０．１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下である封止層＞
本発明のＢ層は、反りを低減するために弾性率が０．１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下であることが特徴である。Ｂ層は熱硬化工程後の絶縁層のことを意味する。このＢ層は、熱硬化性樹脂組成物を用いて得ることができ、半導体パッケージの絶縁層に適するものであれば、特に制限なく使用できる。前記で説明したＡ層に使用する樹脂組成物と同様のものを使用することができる。

[Ｂ層の製造方法]
本発明のＢ層とは熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させることにより得られる絶縁層である。この絶縁層を形成するために、Ｂ層は、前記で説明したＡ層の製造方法と同様にして、封止層用樹脂ペーストを、直接Ｃ層上に塗布、乾燥することにより封止層用樹脂組成物層を形成して、熱硬化することによりＢ層を形成することができる。また、支持体上に封止層用樹脂組成物層を形成し、封止層用接着シートを製造して、封止層用接着シートを熱硬化することによりＢ層を形成することができる。

［Ｂ層の評価］
Ｂ層の厚みは、半導体素子を埋め込むことができれば特に制限されないが、半導体素子の埋め込みを充分に行うという観点から、１００μｍ以上が好ましく、１５０μｍ以上がより好ましく、２００μｍ以上が更に好ましい。また、半導体パッケージの薄型化という観点から、６００μｍ以下が好ましく、５００μｍ以下がより好ましく、４００μｍ以下が更に好ましい。

Ｂ層の弾性率は、実装時のパッケージ反りの低減と応力緩和の為に、１ＧＰa以下が好ましく、０．８ＧＰａ以下がより好ましく、０．５ＧＰａ以下が更に好ましい。一方、ラミネート性担保の観点から、０．０１ＧＰａ以上が好ましく、０．０５ＧＰａ以上がより好ましく、０．１ＧＰａ以上が更に好ましい。

Ａ層の弾性率とＢ層の弾性率との関係は、パッケージ反りを低減させるという観点から、Ａ層の弾性率を１とした場合のＢ層の弾性率が、０．００４〜０．２の範囲であるのが好ましく、０．００５〜０．１５の範囲であるのが好ましく、０．００８〜０．０８の範囲であるのがより好ましく、０．０１〜０．０６２５の範囲であるのが更に好ましい。

Ｂ層の平均熱膨張率は、実装時のパッケージ反りを低減する為に、２００ｐｐｍ以下が好ましく、１８０ｐｐｍ以下がより好ましく、１６０ｐｐｍ以下が更に好ましく、１４０ｐｐｍ以下が更に一層好ましく、１２０ｐｐｍ以下が更に一層好ましい。また、実用的な観点から、４ｐｐｍ以上が好ましく、３０ｐｐｍ以上がより好ましく、５０ｐｐｍ以上が更に好ましく、７０ｐｐｍ以上が更に一層好ましい。

＜（Ｃ層）回路基板層＞
本発明でいう「回路基板層」とは、特に制限は無いが、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。回路基板層の厚みは、半導体パッケージの小型化という観点から、１００μｍ以下が好ましく、９０μｍ以下がより好ましく、８０μｍ以下が更に好ましく、７０μm以下が更に一層好ましい。また、パッケージ反りを低減させるという観点から、１０μm以上が好ましく、２０μm以上がより好ましく、３０μｍ以上が更に好ましく、４０μm以上が更に一層好ましく、５０μｍ以上が殊更好ましい。

Ｃ層の厚みとＡ層の厚みとの関係は、パッケージ反りを低減させるという観点から、Ｃ層の厚みを１とした場合、Ａ層の厚みが０．０５〜３の範囲が好ましく、０．０５〜２の範囲であるのが好ましく、０．０８〜１．８の範囲であるのが好ましく、０．１１〜１．６の範囲であるのがより好ましく、０．１４〜１．４の範囲であるのが更に好ましく、０．１７〜１．２の範囲であるのが更に一層好ましい。

Ｃ層の厚みとＢ層の厚みとの関係は、パッケージ反りを低減させるという観点から、Ｃ層の厚みを１とした場合、Ｂ層の厚みが０．０５〜１０の範囲であるのが好ましく、０．０８〜９の範囲であるのが好ましく、０．１１〜８の範囲であるのがより好ましく、０．１４〜７の範囲であるのが更に好ましく、０．１７〜６の範囲であるのが更に一層好ましい。

＜半導体パッケージの製造方法＞
本発明の半導体パッケージの製造方法は、（Ａ層）弾性率が５ＧＰａ以上２５ＧＰa以下である薄膜層、（Ｂ層）弾性率が０．１ＧＰａ以上１ＧＰa以下である封止層、（Ｃ層）回路基板層、を順番に有する半導体パッケージの製造方法であって、Ｂ層がＣ層上の半導体素子を覆うようにして封止させる方法である。

まず、Ｂ層の形成方法について述べる。例えば、封止層用樹脂ペーストを直接Ｃ層上に塗布、乾燥することによりＢ層を形成する方法がある。他の形成方法としては、封止層用接着シートをＣ層上にラミネートすることによりＢ層を形成する方法がある。

［方法１］封止層用樹脂ペーストを用いる封止層形成方法
封止層用樹脂ペーストを用いて、スクリーン印刷工程によって回路基板層上に封止層用樹脂組成物層を形成する。無溶剤の場合は、印刷後の乾燥は行わなくても良い。他の方法としては、封止層用樹脂ペーストを用いてトランスファー成型工程によって封止層用樹脂組成物層を形成する。スクリーン印刷工程後、あるいはトランスファー成型工程後、薄膜層との密着性を損なわない程度に熱硬化させても良い。

［方法２］封止層用接着シートを用いる封止層形成方法
封止層用接着シートを回路基板層に対向させ、ラミネートし、Ｃ層上に封止層用樹脂組成物層を形成する。ラミネート後、支持体を剥離する。支持体の剥離後に、薄膜層との密着性を損なわない程度に熱硬化させても良い。

次に、Ａ層の形成方法について述べる。回路基板上に封止層を形成した後に封止層上に薄膜層を形成する。薄膜層の形成には封止層の形成方法と同様の方法を用いることができる。例えば、薄膜層用樹脂ペーストをＢ層上に塗布、乾燥することによりＡ層を形成する方法、薄膜層用接着シートをＢ層上にラミネートすることによりＡ層を形成する方法がある。また、薄膜層用接着シートを硬化させた薄膜層用硬化物シートをＢ層上にラミネートすることによりＡ層を形成することもできる。

［方法３］薄膜層用樹脂ペーストを用いる薄膜層形成方法
上記方法１または方法２の方法で、封止層用樹脂組成物層を形成する。次いで、薄膜層用樹脂ペーストを用いて、スクリーン印刷工程によって封止層上に薄膜層用樹脂組成物層を形成する。無溶剤の場合は、印刷後の乾燥は行わなくても良い。他の方法としては、薄膜層用樹脂ペーストを用いてトランスファー成型工程によって薄膜層用樹脂組成物層を形成する。次いで、熱硬化することで薄膜層を形成する。

［方法４］薄膜層用接着シートを用いる薄膜層形成方法
上記方法１または方法２の方法で、封止層用樹脂組成物層を形成する。次いで、薄膜層用接着シートを封止層に対向させ、ラミネートし、熱硬化することで薄膜層を形成する。ラミネート後、支持体を剥離する。

［方法５］薄膜層用硬化物シートを用いる薄膜層形成方法
上記方法１または方法２によって、封止層用樹脂組成物層を形成する。封止層用樹脂組成物層は硬化させずに、薄膜層用硬化物シートと密着させることができる程度の流動性、タックがあることが好ましい。薄膜層用硬化物シートを封止層用樹脂組成物層に対向させ、ラミネートし、熱硬化して、封止層及び薄膜層を形成する。ラミネート後、支持体を剥離する。

上述のように、熱硬化工程を経ることで封止層及び薄膜層を形成し、絶縁層とすることで、半導体パッケージを得ることができる。

次に、あらかじめ薄膜層用接着シートと封止層用接着シートを積層して、二層接着シートにして、該二層接着シートを用いての封止層と薄膜層を形成する方法について述べる。

具体的には、以下の工程が挙げられる。
工程１）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、薄膜層用接着シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させて薄膜層用接着シートを製造する工程
工程２）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
工程３）薄膜層用接着シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、二層接着シートを製造する工程
工程４）二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をＣ層上にラミネートする工程

その後、熱硬化工程を経ることで封止層及び薄膜層を形成し、絶縁層とすることで、半導体パッケージを得ることができる。あるいは、

工程１）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させ、熱硬化して、薄膜層用硬化物シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させ、熱硬化して薄膜層用硬化物シートを製造する工程
工程２）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
工程３）薄膜層用硬化物シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、一部硬化二層接着シートを製造する工程
工程４）一部硬化二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をＣ層上にラミネートする工程

その後、熱硬化工程を経ることで封止層及び薄膜層を形成し、絶縁層とすることで、半導体パッケージを得ることができる。

半導体素子はＣ層上に配置され、Ｂ層がＣ層上の半導体素子を覆うようにして封止している。半導体素子の厚みは、半導体パッケージの薄型化という観点から、３００μｍ以下が好ましく、２５０μｍ以下がより好ましく、２００μｍ以下が更に好ましい。また、性能を十分に発揮するという観点から、５０μｍ以上が好ましく、１００μｍ以上がより好ましい。

［スクリーン印刷工程］
樹脂ペーストをスクリーン印刷する場合、樹脂ペーストの粘度は、２０Ｐａ・Ｓ／２５℃〜４０Ｐａ・Ｓ／２５℃の粘度が好ましい。スクリーン印刷後のボイド発生を抑制する為に加熱減量は５％以下であることが望ましい。印刷後、５０〜１５０℃、１０〜６０分で、有機溶媒を乾燥させる。

［トランスファー成型工程］
本工程は、樹脂ペーストをトランスファー成型する工程であり、回路基板を金型に配置し、樹脂ペーストを流し込み、１７０〜１９０℃、１〜５分で成型し、成型後、金型から離型する。

［ラミネート工程］
本工程は、封止層用接着シートを、封止層用接着シートの樹脂面と回路基板の半導体素子が積層されている面を対向させ、回路基板上の半導体素子を覆うようにして回路基板に配置し、減圧下で、弾性材を介して加熱及び加圧することにより回路基板上に積層する工程である。あるいは、薄膜層用接着シート又は薄膜層用硬化物シートの薄膜層用樹脂組成物層又は硬化物層面を、封止層用樹脂組成物層又は封止層上に配置し、減圧下で、弾性材を介して加熱及び加圧することにより積層する工程である。減圧下とは、空気圧を２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下に減じた雰囲気下である。ラミネート工程において、加熱および加圧は、加熱されたＳＵＳ鏡板等の金属板を支持体側からプレスすることにより行うことができるが、金属板を直接プレスするのではなく、回路基板上の半導体素子に封止層が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスを行う。プレスは、温度が好ましくは７０〜１４０℃（より好ましくは８０〜１３０℃）、圧力が好ましくは１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ^２（９．８×１０^４〜１０７．９×１０^４Ｎ／ｍ^２）、時間が好ましくは１０〜１８０秒（より好ましくは２０〜１３０秒）の範囲で行われる。次いで、大気圧下で、ＳＵＳ鏡板を用いて、プレスを行ってもよい。

ラミネート工程は、市販されている真空ラミネーターによって連続的に行うことができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製 真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製 バキュームアップリケーター等が挙げられる。

［熱硬化工程］
本工程は、封止層用樹脂組成物層及び薄膜層用樹脂組成物層を熱硬化し絶縁層を形成する熱硬化工程である。熱硬化条件は熱硬化性樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度が１５０〜２００℃、硬化時間が１５〜９０分であるのが好ましい。スクリーン印刷工程、トランスファー成型工程、または、ラミネート工程の後、熱硬化工程を行う。

［支持体を剥離する工程］
本工程は、半導体パッケージから支持体を剥離する工程である。支持体の剥離は、手動で剥離してもよく、自動剥離装置により機械的に剥離してもよい。支持体として金属箔を用いた場合はエッチング溶液によりエッチングすることで除去してもよい。支持体の剥離は熱硬化工程前に行うのが好ましい。

絶縁層の厚さは、基本的に薄膜層及び封止層の合計の厚さが踏襲される。したがって、絶縁層の厚さは、１０１〜６００μｍが好ましく、１０５〜５５０μｍがより好ましく、１１０〜５００μｍが更に好ましい。絶縁層の厚みは硬化後の断面図を顕微鏡等で測定することもできる。また、薄膜層用樹脂組成物層と薄膜層、封止層用樹脂組成物層と封止層の厚みは基本的に同じ値となる。

熱硬化後の半導体パッケージのパッケージ反り値は、熱硬化工程後の実装性向上という観点から、２３５μｍ以下が好ましく、２２０μｍ以下がより好ましく、２００μｍ以下が更に好ましく、１８０μｍ以下が更に一層好ましく、１６０μｍ以下が殊更好ましく、１５０μｍ以下が特に好ましく、１４０μｍ以下がとりわけ好ましく、１３０μｍ以下がなおさら好ましい。一方、パッケージ反り値の下限値は、低ければ低い方がよく、２０μｍ以上、１０μｍ以上、５μｍ以上、０．１μｍ以上、０μｍ以上などである。

ピーク温度２６０℃１０秒以上のリフロー処理した後の半導体パッケージのパッケージ反り値は、プリント配線板への実装性向上という観点から、３６０μｍ以下が好ましく、３３０μｍ以下がより好ましく、３１０μｍ以下が更に好ましく、２５０μｍ以下が更に一層好ましく、２２０μｍ以下が殊更好ましく、２２０μｍ以下が特に好ましく、２００μｍ以下がとりわけ好ましく、１７０μｍ以下がなおさら好ましい。一方、パッケージ反り値の下限値は、低ければ低い方がよく、２０μｍ以上、１０μｍ以上、５μｍ以上、０．１μｍ以上、０μｍ以上などである。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」は「質量部」を意味する。

［測定方法・評価方法］
まずは各種測定方法・評価方法について説明する。

[厚み測定]
実施例及び比較例で用いた薄膜層用樹脂組成物層、封止層用樹脂組成物層を、接触式層厚計（（株）ミツトヨ製、ＭＣＤ−２５ＭＪ）を用いて測定した。

[パッケージ反りの測定及び評価]
実施例及び比較例で得られた半導体パッケージを２．１ｃｍ×１．６ｃｍにダイシングし、半導体パッケージのパッケージ反りを室温にて測定した。測定装置はシャドウモアレ測定装置（ＴｈｅｒｍｏｉｒｅＡＸＰ：Ａｋｒｏｍｅｔｒｉｘ製）を用いて、電子情報技術産業協会規格のＪＥＩＴＡ ＥＤ−７３０６に準じて測定した。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面とし、その基準面から垂直方向の最大値をＡとし、最小値をＢとした時の、｜Ａ｜＋｜Ｂ｜の値（Ｃｏｐｌａｎａｒｉｔｙ）をパッケージ反り値とし、次のように評価した。
◎：１００μｍ未満
○：１００μｍ以上１５０μｍ未満。
△：１５０μｍ以上２４０μｍ未満
×：２４０μｍ以上。

[リフロー後のパッケージ反りの測定及び評価]
実施例及び比較例で得られた半導体パッケージを２．１ｃｍ×１．６ｃｍにダイシングし、リフローによる処理後の半導体パッケージのパッケージ反りを室温にて測定した。測定装置はシャドウモアレ測定装置（ＴｈｅｒｍｏｉｒｅＡＸＰ：Ａｋｒｏｍｅｔｒｉｘ製）を用いて、電子情報技術産業協会規格のＪＥＩＴＡ ＥＤ−７３０６に準じて測定した。具体的には、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面とし、その基準面から垂直方向の最大値をＡとし、最小値をＢとした時の、｜Ａ｜＋｜Ｂ｜の値（Ｃｏｐｌａｎａｒｉｔｙ）をパッケージ反り値とし、次のように評価した。
◎：１６０μｍ未満
○：１６０μｍ以上２６０μｍ未満。
△：２６０μｍ以上３６５μｍ未満
×：３６５μｍ以上

[平均熱膨張率及びガラス転移温度の測定]
実施例及び比較例において得られた接着シートを１８０℃で９０分間加熱することで熱硬化させ、ＰＥＴフィルムを剥離することによりシート状の硬化物を得た。上記硬化物を、幅約５ｍｍ、長さ約１５ｍｍの試験片に切断し、熱機械分析装置ＴＭＡ-ＳＳ６１００（セイコーインスツルメンツ（株）製）を使用して、引張加重法で熱機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回測定した。２回目の測定における２５℃から１５０℃までの平均熱膨張率（ｐｐｍ）を算出した。また２回目の測定における寸法変化シグナルの傾きが変化する点からガラス転移温度（℃）を算出した。

[弾性率の測定]
実施例及び比較例において得られた接着シートを１８０℃で９０分間加熱することで熱硬化させ、ＰＥＴフィルムを剥離することによりシート状の硬化物を得た。上記硬化物を幅約７ｍｍ、長さ約４０ｍｍの試験片の切断し、動的機械分析装置ＤＭＳ-６１００（セイコーインスツルメンツ（株）製）を使用して、引張モードにて動的機械分析を行った。試験片を前記装置に装着後、周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の測定条件にて測定した。かかる測定における２５℃のときの貯蔵弾性率（Ｅ‘）の値を読み取った。

＜製造例１＞
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）１９部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」）４３部とをＭＥＫ３１部とシクロヘキサノン３１部との混合液に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５２」、固形分が６０重量％のＭＥＫ溶液、フェノール性水酸基当量１２０）３１部、フェノキシ樹脂（分子量５００００、三菱化学（株）製「Ｅ１２５６」の不揮発分４０重量％のＭＥＫ溶液）８部、硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．１部、球形シリカ（ＳＯＣ２）３２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス１を作製した。

＜製造例２＞
ポリイミド樹脂（味の素ファインテクノ（株）製、「Ｔ２」）４０部と、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、ＥＤＧＡｃと記す）及びイプゾール１５０（芳香族炭化水素系混合溶媒：出光石油化学（株）製）混合ワニス（固形分７５重量％、エポキシ当量２１０、三菱化学（株）製「１５７Ｓ７０」）９．５部と、フェノールノボラック樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＴＤ２０９０」、固形分が６０重量％のＭＥＫ溶液、フェノール性水酸基当量１０５）２．１部と、イミダゾール誘導体（三菱化学（株）製「Ｐ２００Ｈ５０」）０．１部と、球形シリカ（ＳＯＣ２）１５部とを混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス２を作製した。

＜製造例３＞
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）２３．５部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」）２０部とをＭＥＫ１７部とシクロヘキサノン１７部との混合液に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５４」、固形分が６０重量％のＭＥＫ溶液、フェノール性水酸基当量１２５）３１部、フェノキシ樹脂（分子量５００００、三菱化学（株）製「Ｅ１２５６」の不揮発分４０重量％のＭＥＫ溶液）２０部、硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．１５部、球形シリカ（ＳＯＣ２）５０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス３を作製した。

＜製造例４＞
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）１９部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」）１５部とをＭＥＫ１４部とシクロヘキサノン１４部との混合液に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ７０５２」、固形分が６０重量％のＭＥＫ溶液、フェノール性水酸基当量１２０）２０部、フェノキシ樹脂（分子量５００００、三菱化学（株）製「Ｅ１２５６」の不揮発分４０重量％のＭＥＫ溶液）１５部、硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．２部、球形シリカ（ＳＯＣ２）７５部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス４を作製した。

＜製造例５＞
ポリイミド樹脂（味の素ファインテクノ（株）製、「Ｔ２」）１５．５部と、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（以下、ＥＤＧＡｃと記す）及びイプゾール１５０（芳香族炭化水素系混合溶媒：出光石油化学（株）製）混合ワニス（固形分７５重量％、エポキシ当量２１０、三菱化学（株）製「１５７Ｓ７０」）１４．４部と、フェノールノボラック樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＴＤ２０９０」、固形分が６０重量％のＭＥＫ溶液、フェノール性水酸基当量１０５）４．６部と、イミダゾール誘導体（三菱化学（株）製「Ｐ２００Ｈ５０」）０．２部と、球形シリカ（ＳＯＣ２）１５部とを混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス５を作製した。

＜実施例１＞
（薄膜層用硬化物シートの製造）
樹脂ワニス１をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが１０μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で７分間乾燥することにより薄膜層用接着シートを得た。該樹脂シートを、１８０℃１０分間熱硬化させ、薄膜層用硬化物シートを得た。硬化物層のガラス転移温度は１２０℃であった。

（封止層用接着シートの製造）
樹脂ワニス２をアルキッド系離型剤で処理されたＰＥＴフィルム（３８μｍ）の離型処理面上に、乾燥後の封止層用樹脂組成物層の厚さが３００μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で７分間乾燥することにより封止層用接着シートを得た。

（一部硬化二層接着シートの製造）
薄膜層用硬化物シートの硬化物面に、封止層用接着シートの封止層用樹脂組成物層が接するように配置し、モートン・インターナショナル・インコーポレイティド製の真空ラミネーターＶ１６０を使用して温度８０℃にて２０秒間真空吸引後、圧力１．０ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で、ＰＥＴフィルム上から、耐熱ゴムを介して２０秒間ラミネートして、二層シートを得た。

（一部硬化二層接着シートの積層及び平滑化）
前記二層シートを、半導体素子が搭載された回路基板(半導体素子大きさ２．０ｃｍ×１．２５ｃｍ、厚み２００μｍ、コア基板厚み６０μｍ)の半導体素子が搭載されている側に、封止層用樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネート工程には（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーターＭＶＬＰ−５００を用い、温度１００℃にて３０秒間真空吸引後、温度１２０℃、圧力７．０ｋｇ／ｃｍ^２の条件でＰＥＴフィルム上から、耐熱ゴムを介して３０秒間プレスすることによりラミネートし、次いで、大気圧下で、ＳＵＳ鏡板を用いて、温度１２０℃、圧力６．０ｋｇ／ｃｍ^２の条件で６０秒間プレスを行うことで、二層シートの平滑化を行った。

（一部硬化二層接着シートの熱硬化）
ＰＥＴフィルムを剥離した後、二層シートを積層した回路基板を、熱風循環炉を用いて１８０℃、９０分の条件で、熱硬化させて絶縁層を形成した。これにより、半導体素子が絶縁層に封止された半導体パッケージを得た。

＜実施例２＞
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス１をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが２０μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例３＞
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス１をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが４０μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例４＞
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス１をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが８０μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例５＞
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、薄膜層用接着シートを熱硬化させずに、そのまま薄膜層用接着シートを薄膜層用硬化物シートの代わりに用いた以外は、実施例３と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例６＞
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス１の代わりに樹脂ワニス３を用いたこと以外は、実施例３と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例７＞
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス１をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが１００μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例８＞
封止層用接着シートの製造工程において、樹脂ワニス２をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の封止層用樹脂組成物層の厚さが１００μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例２と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例９＞
封止層用接着シートの製造工程において、樹脂ワニス２をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の封止層用樹脂組成物層の厚さが６００μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例２と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例１０＞
コア基板厚みを４０μｍにしたこと以外は、実施例８と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例１１＞
薄膜層用接着シートの厚みを２０μｍとし、コア基板厚みを１００μｍにしたこと以外は、実施例５と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例１２＞
樹脂ワニス４をガラス織布に含浸、８０〜１２０℃（平均１００℃）で乾燥させ、アルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）上に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが２０μｍになるように薄膜層用接着シートを得た。該樹脂シートを、１８０℃１０分間熱硬化させ、薄膜層用硬化物シートを得た。硬化物層のガラス転移温度は１４０℃であった。該薄膜層用硬化物シートを用いること以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例１３＞
封止層用接着シートの製造工程において、樹脂ワニス２の代わりに樹脂ワニス５を用いたこと以外は、実施例１１と同様にして半導体パッケージを得た。

＜実施例１４＞
薄膜層用硬化物シートの製造工程において、樹脂ワニス１をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の薄膜層用樹脂組成物層の厚さが１５０μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを得た。

＜比較例１＞
薄膜層用硬化物シートを用いず、封止層用接着シートのみで半導体素子を封止したこと以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを得た。

＜比較例２＞
比較例１の樹脂ワニス２の代わりに、樹脂ワニス１を用いたこと以外は、比較例１と同様にして半導体パッケージを得た。

＜比較例３＞
（薄膜層用硬化物シートの製造）
樹脂ワニス２をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で７分間乾燥することにより接着シートを得た。該樹脂シートを、１８０℃１０分間熱硬化させ、硬化物シートを得た。硬化物層のガラス転移温度は９０℃であった。

（封止層用接着シートの製造）
樹脂ワニス１をアルキッド系離型剤で処理されたＰＥＴフィルム（３８μｍ）の離型処理面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが３００μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で７分間乾燥することにより接着シートを得た。その後、実施例１と同様にして半導体パッケージを得た。

＜比較例４＞
封止層用接着シートの製造工程において、樹脂ワニス２をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の封止層用樹脂組成物層の厚さが８０μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例２と同様にして半導体パッケージを得た。

＜比較例５＞
封止層用接着シートの製造工程において、樹脂ワニス２をアルキッド系離型処理済ＰＥＴフィルム（３８μｍ）に、乾燥後の封止層用樹脂組成物層の厚さが７００μｍになるよう、バーコータにて均一に塗布したこと以外は、実施例２と同様にして半導体パッケージを得た。

結果を表１、表２、表３に示す。

表１、表２の結果から、実施例１〜１４は本発明の半導体パッケージを用いているため、パッケージ反りの少ない半導体パッケージとなっている。一方、表３の結果から、比較例１〜５は本発明の半導体パッケージを用いておらず、パッケージ反りが大きいものとなってしまった。

回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージを提供できるようになった。更にこれらを搭載した、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ、テレビ、等の電気製品や、自動二輪車、自動車、電車、船舶、航空機、等の乗物も提供できるようになった。

１ 半導体パッケージ
２ 薄膜層
３ 封止層
４ 回路基板層
５ 半導体素子

Claims (14)

1. （Ａ層）弾性率が５ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下である薄膜層、
   （Ｂ層）弾性率が０．１ＧＰａ以上１ＧＰa以下である封止層、
   （Ｃ層）回路基板層、
   を順番に有し、
   Ａ層の厚みが１〜２００μｍであり、Ｂ層の厚みが１００〜６００μｍであり、Ｃ層の厚みが１〜１００μｍであり、
   パッケージ反りが２３５μｍ以下であることを特徴とする半導体パッケージ。
2. Ｃ層の厚みを１とした場合、Ａ層の厚みが０．０５〜３の範囲であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体パッケージ。
3. Ｃ層の厚みを１とした場合、Ｂ層の厚みが０．０５〜１０の範囲であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
4. 前記Ａ層の厚みが１０〜１５０μｍであり、前記Ｂ層の厚みが１００〜５００μｍであり、前記Ｃ層の厚みが５０〜１００μｍであり、パッケージ反りが０．１〜２００μｍであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体パッケージ。
5. 前記Ａ層の厚みが２０〜７０μｍであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体パッケージ。
6. リフロー処理後のパッケージ反りが３６０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
7. リフロー処理後のパッケージ反りが０．１〜２５０μｍであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
8. 封止層用樹脂ペーストを直接Ｃ層上に塗布、乾燥することによりＢ層を形成することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
9. 封止層用接着シートをＣ層上にラミネートすることによりＢ層を形成することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
10. 薄膜層用樹脂ペーストをＢ層上に塗布、乾燥することによりＡ層を形成することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
11. 薄膜層用接着シートをＢ層上にラミネートすることによりＡ層を形成することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
12. 薄膜層用硬化物シートをＢ層上にラミネートすることによりＡ層を形成することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
13. 下記工程１）〜４）を含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
    工程１）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、薄膜層用接着シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させて薄膜層用接着シートを製造する工程
    工程２）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
    工程３）薄膜層用接着シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、二層接着シートを製造する工程
    工程４）二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をＣ層上にラミネートする工程
14. 下記工程１）〜４）を含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
    工程１）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させ、熱硬化して、薄膜層用硬化物シートを製造する工程又は樹脂ワニスをシート状繊維基材に含浸させ、乾燥させ、熱硬化して薄膜層用硬化物シートを製造する工程
    工程２）樹脂ワニスを支持体に塗布し、乾燥させて、封止層用接着シートを製造する工程
    工程３）薄膜層用硬化物シートと封止層用接着シートとをラミネートして、封止層用接着シートの支持体を除去して、一部硬化二層接着シートを製造する工程
    工程４）一部硬化二層接着シートの封止層用樹脂組成物層面をＣ層上にラミネートする工程