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JP2013031273A - Overvoltage protection circuit - Google Patents

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JP2013031273A
JP2013031273A JP2011164894A JP2011164894A JP2013031273A JP 2013031273 A JP2013031273 A JP 2013031273A JP 2011164894 A JP2011164894 A JP 2011164894A JP 2011164894 A JP2011164894 A JP 2011164894A JP 2013031273 A JP2013031273 A JP 2013031273A
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Japan
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voltage
zener diode
protection circuit
circuit unit
overvoltage
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JP2011164894A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Tagami
泰生 田上
Takeshi Tamura
健 田村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu General Ltd
Original Assignee
Fujitsu General Ltd
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Abstract

【課題】、過電圧を正確な電圧で効果的に制限し、内部回路の継続的動作が可能な過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】電源ライン15とグランド16との間に、スイッチング素子(FET13a)とツェナーダイオード(ツェナーダイオード13b)とが直列接続された保護回路部13を挿入する。そして、制御回路部12は、電圧検知回路部11で、電源ライン15とグランド16間の電圧が所定の電位を超えて上昇したことを検知した場合に、スイッチング素子を導通させて、電源ラインと、保護回路部13と、グランドとの間で形成される短絡経路により過電圧を制限する。このとき、ツェナーダイオードは、逆電流に追従して可変抵抗的に動作する。
【選択図】図1
An overvoltage protection circuit capable of effectively limiting an overvoltage with an accurate voltage and capable of continuously operating an internal circuit.
A protection circuit section 13 in which a switching element (FET 13a) and a Zener diode (Zener diode 13b) are connected in series is inserted between a power line 15 and a ground 16. When the voltage detection circuit unit 11 detects that the voltage between the power supply line 15 and the ground 16 has risen beyond a predetermined potential, the control circuit unit 12 causes the switching element to conduct, The overvoltage is limited by a short circuit path formed between the protection circuit unit 13 and the ground. At this time, the Zener diode operates in a variable resistance manner following the reverse current.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、電源ラインとグランド間に接続される内部回路を過電圧から保護する過電圧保護回路に関する。   The present invention relates to an overvoltage protection circuit that protects an internal circuit connected between a power supply line and a ground from an overvoltage.

従来、回路に電源を供給する場合、電源電圧の変動等により生ずる過大な電圧や、誘導される過大なサージ電圧から内部回路を保護するために、過電圧保護回路が設けられることが知られている。特に、車載用電装部品は、過酷な環境で使用されることが多く、瞬時的な高電圧にも晒されることがあるため、サージ電圧(surge voltage)に対する保護対策が欠かせない。   Conventionally, when supplying power to a circuit, it is known that an overvoltage protection circuit is provided in order to protect an internal circuit from an excessive voltage generated due to fluctuations in the power supply voltage or an induced excessive surge voltage. . In particular, in-vehicle electrical components are often used in harsh environments and may be exposed to momentary high voltages, and thus protection measures against surge voltages are indispensable.

このため、例えば、特許文献1に、簡易な構成で過電圧時に負荷の破壊を確実に防止するために、過電圧を検出すると、電源とグランド間をFET(Field Effect Transistor)で短絡し、過電流でヒューズを切断して電源の供給を遮断する技術が開示されている。また、特許文献2には、暗電流の増加やコストアップを招くこと無く、入力ポートから電源端子に印加されるサージ電圧を取り除くために、電源端子とグランド間に、直列に接続された負荷抵抗とトランジスタとを挿入し、過電圧を検出すると、トランジスタをONして過電流を抵抗で制限して電圧を制限する技術が紹介されている。   For this reason, for example, in Patent Document 1, in order to reliably prevent a load from being destroyed at an overvoltage with a simple configuration, when an overvoltage is detected, the power source and the ground are short-circuited by an FET (Field Effect Transistor), A technique for cutting off a power supply by cutting a fuse is disclosed. Patent Document 2 discloses a load resistor connected in series between a power supply terminal and a ground in order to remove a surge voltage applied from the input port to the power supply terminal without causing an increase in dark current and an increase in cost. And a transistor are inserted, and when an overvoltage is detected, a technique for turning on the transistor and limiting the overcurrent with a resistor to limit the voltage is introduced.

特開2009−177865号公報JP 2009-177865 A 特開2007−312460号公報JP 2007-31460 A

ところで、従来、過電圧保護回路として、電源ラインとグランド間にツェナーダイオードを挿入する方法が一般的である。しかしながら、周知のようにツェナーダイオードは、動作開始電圧にばらつきがあり、また、温度依存性もあるため、正確な電圧で過電圧を抑制することができない。したがって、内部回路等の使用部品に対し、電圧に対する耐性のマージンを持たせなければならず、結果的に高い機器コストを要する。   Conventionally, as an overvoltage protection circuit, a method of inserting a Zener diode between a power supply line and the ground is generally used. However, as is well known, Zener diodes have variations in the operation start voltage and also have temperature dependence, so that overvoltage cannot be suppressed with an accurate voltage. Therefore, it is necessary to provide voltage tolerance margins for components used such as internal circuits, resulting in high equipment costs.

一方、特許文献1に開示された技術によれば、過電圧印加時にFETが地絡するため、供給電圧を維持することができず、機器を継続動作させることができなくなる。また、特許文献2に開示された技術によれば、短絡回路に抵抗が直列に接続される構成であるため、地絡により大電流が流れた場合に電圧の制限が不十分になる虞がある。   On the other hand, according to the technique disclosed in Patent Document 1, since the FET is grounded when an overvoltage is applied, the supply voltage cannot be maintained, and the device cannot be operated continuously. Moreover, according to the technique disclosed in Patent Document 2, since the resistance is connected in series to the short circuit, there is a risk that the voltage limitation may be insufficient when a large current flows due to a ground fault. .

本発明は上記した課題を解決するためになされたものであり、過電圧を正確な電圧で効果的に制限し、内部回路の継続的動作が可能な過電圧保護回路を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide an overvoltage protection circuit capable of effectively limiting an overvoltage with an accurate voltage and capable of continuously operating an internal circuit.

上記した課題を解決するために本発明の過電圧保護回路は、電源ラインとグランドとの間にスイッチング素子とツェナーダイオードとを順に直列接続した保護回路部と、前記電源ラインと前記グランド間の電圧を監視する電圧検知回路部と、前記電圧検知回路部にて前記電圧が所定の電位を越えて上昇したことを検知した場合に、前記スイッチング素子を導通させ、前記電源ラインと、前保護回路部と、前記グランドとの間で形成される短絡経路により前記電圧を制限する制御回路部と、を有することを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, an overvoltage protection circuit according to the present invention includes a protection circuit unit in which a switching element and a Zener diode are connected in series between a power supply line and the ground, and a voltage between the power supply line and the ground. A voltage detection circuit unit to be monitored; and when the voltage detection circuit unit detects that the voltage has risen beyond a predetermined potential, the switching element is made conductive, the power supply line, a front protection circuit unit, And a control circuit unit that limits the voltage by a short-circuit path formed between the ground and the ground.

本発明によれば、制御回路部は、電圧検知回路部が、電源ラインとグランド間の電圧が所定の電位を超えて上昇したことを検知した場合に、スイッチング素子を導通させて、電源ラインと、保護回路部と、グランドとの間で形成される短絡経路により過電圧を制限する。このとき、ツェナーダイオードは、過電圧を正確な電圧で効果的に制限し、内部回路の継続的動作を可能にすることができる。   According to the present invention, when the voltage detection circuit unit detects that the voltage between the power supply line and the ground has risen beyond a predetermined potential, the control circuit unit causes the switching element to conduct, The overvoltage is limited by a short circuit path formed between the protection circuit unit and the ground. At this time, the Zener diode can effectively limit the overvoltage with an accurate voltage and enable continuous operation of the internal circuit.

本発明において、前記ツェナーダイオードは、前記スイッチング素子が導通して所定値を超えた逆電流が流れるとクランピング電圧が上昇する特性を有することを特徴とする。本発明によれば、ツェナーダイオードは、スイッチング素子が導通して所定値を超えた逆電流が流れるとクランピング電圧が上昇し、結果、スイッチング素子のソース−ドレイン間電圧が減少することから、ドレイン電流は制限され、その結果、スイッチング素子は破壊を免れる。また、ツェナーダイオードは、ある程度の逆電流まではクランピング電圧は上昇しないため、抵抗のように電流を制限することは殆ど無く、したがって急峻なサージを効果的に制限することができる。   In the present invention, the Zener diode has a characteristic that a clamping voltage increases when a reverse current exceeding a predetermined value flows due to conduction of the switching element. According to the present invention, the Zener diode has a clamping voltage that rises when a reverse current exceeding a predetermined value flows when the switching element is turned on. As a result, the source-drain voltage of the switching element decreases. The current is limited, so that the switching element is immune from destruction. In addition, since the clamping voltage of the Zener diode does not increase until a certain amount of reverse current, the current is hardly limited like a resistor, so that a steep surge can be effectively limited.

本発明によれば、過電圧を正確な電圧で効果的に制限し、内部回路の継続的動作が可能な過電圧保護回路を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an overvoltage protection circuit capable of effectively limiting overvoltage with an accurate voltage and capable of continuously operating an internal circuit.

本発明の実施の形態に係る過電圧保護回路の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the overvoltage protection circuit which concerns on embodiment of this invention. 試験的に発生させたサージ波形の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the surge waveform generated on a trial basis. 本発明の実施の形態に係る過電圧保護回路で使用されるツェナーダイオードによるサージクランピング特性とカソード側電圧波形を示す図である。It is a figure which shows the surge clamping characteristic and cathode side voltage waveform by the Zener diode used with the overvoltage protection circuit which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に係る過電圧保護回路で使用されるツェナーダイオードの逆電流−クランピング電圧特性の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the reverse current-clamping voltage characteristic of the Zener diode used with the overvoltage protection circuit which concerns on embodiment of this invention.

以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態(以下、実施形態)について詳細に説明する。なお、実施形態の説明の全体を通して同じ構成要素には同じ番号を付している。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention (hereinafter referred to as embodiments) will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the same number is attached | subjected to the same component through the whole description of embodiment.

(実施形態の構成)
図1は、本実施形態に係る過電圧保護回路の内部構成を示すブロック図である。図1に示されるように、本実施形態に係る過電圧保護回路10は、電源供給元のVccに近い側から順に電源ラインとグランド(以下、GND16という)との間に電圧検知回路部11と、制御回路部12と、スイッチング素子であるFET13a(Tr1)とツェナーダイオード13b(D1)とが直列に接続された保護回路部13とが並列に接続されている。なお、この過電圧保護回路10とは別に、電源ライン15とグラント間に内部回路17が接続されている。
(Configuration of the embodiment)
FIG. 1 is a block diagram showing an internal configuration of the overvoltage protection circuit according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the overvoltage protection circuit 10 according to the present embodiment includes a voltage detection circuit unit 11 between a power supply line and a ground (hereinafter referred to as GND 16) in order from the side closer to the power supply source Vcc. The control circuit unit 12 and a protection circuit unit 13 in which an FET 13a (Tr1), which is a switching element, and a Zener diode 13b (D1) are connected in series are connected in parallel. In addition to this overvoltage protection circuit 10, an internal circuit 17 is connected between the power supply line 15 and the grant.

電圧検知回路部11は、電源ライン15とGND16間に印加される電源電圧を常時監視しており、電源電圧が所定値を超えたときに制御回路部12を起動する。制御回路部12は、FET13aを導通(ON)させ、ツェナーダイオード13bに電源電圧が印加され、電源電圧は一定電圧にクランプされる。なお、電圧検知回路部11は、内蔵する抵抗と、抵抗により分圧される電圧と基準電圧(リファレンス)とを比較する比較器とからなる不図示の回路から構成される。   The voltage detection circuit unit 11 constantly monitors the power supply voltage applied between the power supply line 15 and the GND 16 and activates the control circuit unit 12 when the power supply voltage exceeds a predetermined value. The control circuit unit 12 makes the FET 13a conductive (ON), a power supply voltage is applied to the Zener diode 13b, and the power supply voltage is clamped to a constant voltage. The voltage detection circuit unit 11 includes a circuit (not shown) including a built-in resistor and a comparator that compares a voltage divided by the resistor with a reference voltage (reference).

本実施形態に係る過電圧保護回路10は、ツェナーダイオードに流れる電流が大きくなるとツェナー電圧が上昇するツェナーダイオード13bの特性を利用したものである。すなわち、ツェナーダイオード13bは、FET13aがONされ、所定値(ツェナー電流)を超えた逆電流が流れると、クランピング電圧が上昇する特性を有する。また、ツェナーダイオード13bは、ある程度までの電流についてはツェナー電圧が上昇せず、したがって、特許文献2に示される抵抗のように電流を制限することは殆どない。すなわち、ツェナーダイオード13bは、逆電流に追従した可変抵抗的な動作を行うため、急峻なサージを効果的に制限する。   The overvoltage protection circuit 10 according to the present embodiment uses the characteristic of the Zener diode 13b in which the Zener voltage increases as the current flowing through the Zener diode increases. That is, the Zener diode 13b has a characteristic that the clamping voltage increases when the FET 13a is turned on and a reverse current exceeding a predetermined value (zener current) flows. Further, the Zener diode 13b does not increase the Zener voltage with respect to a certain amount of current, and therefore hardly restricts the current as in the resistance shown in Patent Document 2. That is, the Zener diode 13b performs a variable resistance operation following the reverse current, and thus effectively limits a steep surge.

なお、内部回路17は、例えば、車載用電装部品である。   The internal circuit 17 is, for example, an in-vehicle electrical component.

(実施形態の動作)
以下、図2〜図4を参照しながら、図1に示本実施形態に係る過電圧保護回路10の動作について詳細に説明する。
(Operation of the embodiment)
Hereinafter, the operation of the overvoltage protection circuit 10 according to the present embodiment shown in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS.

図2は、試験的に発生させたサージ波形を示す図である。ここで発生されたサージ波形は、電源ライン15に印加される。電圧検知回路部11でこの過電圧が検知されると、制御回路部12により保護回路部13のFET13aがON制御される。その結果、例えば、図3に示すように過電圧を制限することができる。   FIG. 2 is a diagram showing a surge waveform generated on a trial basis. The surge waveform generated here is applied to the power supply line 15. When the voltage detection circuit unit 11 detects this overvoltage, the control circuit unit 12 turns on the FET 13 a of the protection circuit unit 13. As a result, for example, the overvoltage can be limited as shown in FIG.

具体的に、図3は、図2に示すピーク電圧が約120Vのサージ波形を電源ライン15に入力したときの電源ライン15の電圧波形と、符号bで示すツェナーダイオード13bのカソード側電圧波形を示すグラフである。   Specifically, FIG. 3 shows the voltage waveform of the power supply line 15 when the surge waveform having a peak voltage of about 120 V shown in FIG. 2 is input to the power supply line 15, and the voltage waveform on the cathode side of the Zener diode 13b indicated by symbol b. It is a graph to show.

図3に符号aで示すサージクランピング波形は図2で示したサージ波形を電源ラインに印加したときの電源ラインの電圧である。このとき電源電圧Vccは40V以下に維持されており、内部回路17は継続動作可能である。ここで使用されているツェナーダイオード13bのクランピング電圧は30Vであるが、本グラフに示されるツェナーダイオードのカソード側で測定された波形によれば35V付近までクランピング電圧が上昇している。このことにより、FET13aのソース−ドレイン間電圧が減少し、ドレイン電流が制限されることでFET13aは過電流から保護される。   The surge clamping waveform indicated by symbol a in FIG. 3 is the voltage of the power supply line when the surge waveform shown in FIG. 2 is applied to the power supply line. At this time, the power supply voltage Vcc is maintained at 40 V or less, and the internal circuit 17 can continue to operate. The clamping voltage of the Zener diode 13b used here is 30V, but according to the waveform measured on the cathode side of the Zener diode shown in this graph, the clamping voltage rises to around 35V. As a result, the source-drain voltage of the FET 13a is reduced, and the drain current is limited to protect the FET 13a from overcurrent.

図4に、ツェナーダイオード13bのサージ逆電流−クランピング電圧特性の一例が示されている。本グラフはツェナーダイオードの一般的な特性を示している。図4は、縦軸に、逆方向に流し得るサージ逆電流を、横軸にクランピング電圧と特性図である。   FIG. 4 shows an example of surge reverse current-clamping voltage characteristics of the Zener diode 13b. This graph shows the general characteristics of a Zener diode. FIG. 4 shows a surge reverse current that can flow in the reverse direction on the vertical axis, and a clamping voltage and a characteristic diagram on the horizontal axis.

ここで、FET13aのみで保護回路部13を構成した場合を想定する。この場合、FET13aは地絡により瞬時に破壊する。これを防止するため、例えば、特許文献2で紹介されているように、FET13aのソース端子とGND16間に抵抗を挿入すればよいが、電流を十分に流すことが出来ず、サージ電圧を制限できない虞がある。このため、本実施形態に係る過電圧保護回路10では、抵抗の代わりに、逆電流に追従して可変抵抗的な動作を行うツェナーダイオード13bが挿入される。   Here, it is assumed that the protection circuit unit 13 is composed of only the FET 13a. In this case, the FET 13a is instantaneously destroyed by a ground fault. In order to prevent this, for example, as introduced in Patent Document 2, it is sufficient to insert a resistor between the source terminal of the FET 13a and the GND 16, but the current cannot be sufficiently passed and the surge voltage cannot be limited. There is a fear. For this reason, in the overvoltage protection circuit 10 according to the present embodiment, a Zener diode 13b that performs a variable resistance operation following the reverse current is inserted instead of the resistor.

具体的に、ツェナーダイオード13bのカソード側の最大電圧は35V付近(図3)になっている。これを図4に示す特性図に適用すれば、符号cで示すように、FET13aドレインに流れる電流は50A程度に制限されていることがわかる。更に、過大なサージにより電流が流れようとすれば、クランピング電圧は更に上昇し、FET13aのソース−ドレイン間電圧が減少することからドレイン電流が制限され、過電流によるFET13aの破壊を防止することができる。   Specifically, the maximum voltage on the cathode side of the Zener diode 13b is around 35V (FIG. 3). If this is applied to the characteristic diagram shown in FIG. 4, it can be seen that the current flowing through the drain of the FET 13a is limited to about 50 A, as indicated by reference numeral c. Furthermore, if a current flows due to an excessive surge, the clamping voltage further increases, and the source-drain voltage of the FET 13a decreases, so that the drain current is limited and the destruction of the FET 13a due to the overcurrent is prevented. Can do.

このように、ツェナーダイオード13bの逆方向に大電流が流れるとツェナー電圧が上昇し、FET13aのソース−ドレイン間電圧が減少することにより、ドレイン電流が制限されFET13aは破壊を免れることができる。また、ツェナーダイオード13bは、ある程度までの電流が供給されてもツェナー電圧は上昇せず、したがって抵抗のように電流を制限することは殆どない。このため、急峻なサージを効果的に制限可能である。換言すれば、ツェナーダイオード13bは、電流に追従した可変抵抗的に働くと言える。   Thus, when a large current flows in the reverse direction of the Zener diode 13b, the Zener voltage rises and the voltage between the source and drain of the FET 13a decreases, so that the drain current is limited and the FET 13a can be prevented from being destroyed. In addition, the Zener diode 13b does not increase the Zener voltage even if a current up to a certain level is supplied, and therefore hardly limits the current like a resistor. For this reason, a steep surge can be effectively limited. In other words, it can be said that the Zener diode 13b works like a variable resistor that follows the current.

(実施形態の効果)
以上説明のように本実施形態に係る過電圧保護回路10によれば、制御回路部12は、電圧検知回路部11で、Vcc15とGND16間に印加される電源電圧が所定の電位を超えて上昇したことを検知した場合に、FET13aを導通させ、Vcc15と、保護回路部13(FET13a、ツェナーダイオード13b)と、GND16との間で形成される短絡経路により、過電圧を制限する。このとき、ツェナーダイオード13bは、電源電圧を一定の電圧にクランプするため、内部回路17の継続的動作を可能にすることができる。
(Effect of embodiment)
As described above, according to the overvoltage protection circuit 10 according to the present embodiment, the control circuit unit 12 has the voltage detection circuit unit 11 and the power supply voltage applied between the Vcc 15 and the GND 16 has risen beyond a predetermined potential. When this is detected, the FET 13a is turned on, and the overvoltage is limited by a short-circuit path formed between the Vcc 15, the protection circuit unit 13 (FET 13a, Zener diode 13b), and the GND 16. At this time, since the Zener diode 13b clamps the power supply voltage to a constant voltage, the internal circuit 17 can be continuously operated.

また、ツェナーダイオード13bは、FET13aが導通して印加されたサージ電圧により所定値を超えた逆電流が流れるとクランピング電圧が上昇し、結果、FET13aのソース−ドレイン間電圧が減少することから、ドレイン電流が制限されFET13aは破壊を免れる。また、ツェナーダイオード13bは、ある程度の逆電流まではクランピング電圧は上昇しないため、抵抗のように電流を制限することは殆ど無く、したがって急峻なサージを効果的に制限することができる。 Further, the Zener diode 13b has a clamping voltage that rises when a reverse current exceeding a predetermined value flows due to a surge voltage applied when the FET 13a is conducted, and as a result, a source-drain voltage of the FET 13a decreases. The drain current is limited and the FET 13a is prevented from being destroyed. In addition, the clamping voltage of the Zener diode 13b does not increase until a certain amount of reverse current, so that the current is hardly limited like a resistor, so that a steep surge can be effectively limited.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to embodiment mentioned above, In the range of the summary of this invention described in the claim, various deformation | transformation and change Is possible.

10 過電圧保護回路
11 電圧検知回路部
12 制御回路部
13 保護回路部
13a スイッチング素子(FET)
13b ツェナーダイオード(ツェナーダイオード)
15 電源ライン
16 グランド(GND)
17 内部回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Overvoltage protection circuit 11 Voltage detection circuit part 12 Control circuit part 13 Protection circuit part 13a Switching element (FET)
13b Zener diode (Zener diode)
15 Power line 16 Ground (GND)
17 Internal circuit

Claims (2)

電源ラインとグランドとの間にスイッチング素子とツェナーダイオードとを順に直列接続した保護回路部と、
前記電源ラインと前記グランド間の電圧を監視する電圧検知回路部と、
前記電圧検知回路部にて所定の電圧を検出した場合、前記スイッチング素子を導通させる制御回路部と、
を備えたことを特徴とする過電圧保護回路。
A protection circuit unit in which a switching element and a Zener diode are connected in series between a power supply line and a ground;
A voltage detection circuit unit for monitoring a voltage between the power line and the ground;
When a predetermined voltage is detected by the voltage detection circuit unit, a control circuit unit for conducting the switching element;
An overvoltage protection circuit comprising:
前記ツェナーダイオードは、
所定以上の逆電流が流れると、クランピング電圧が上昇する特性を有することを特徴とする請求項1記載の過電圧保護回路。
The Zener diode is
2. The overvoltage protection circuit according to claim 1, wherein the overvoltage protection circuit has a characteristic that a clamping voltage increases when a reverse current of a predetermined level or more flows.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9479090B2 (en) 2013-12-20 2016-10-25 Semiconductor Components Industries, Llc Motor control circuit and method
KR20180040376A (en) * 2016-10-12 2018-04-20 엘지전자 주식회사 Power transforming apparatus and air conditioner including the same
JP2022140922A (en) * 2021-03-15 2022-09-29 三菱電機株式会社 Surge protection circuits and power converters
WO2025093207A1 (en) * 2023-11-03 2025-05-08 Endress+Hauser SE+Co. KG Electronic circuit for a field device or a radio adapter

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS571043U (en) * 1980-05-30 1982-01-06
JPH05111150A (en) * 1991-10-08 1993-04-30 Mitsubishi Electric Corp Surge absorbing circuit
JPH11511000A (en) * 1997-03-12 1999-09-21 ダイムラー―ベンツ アクチエンゲゼルシャフト Method and apparatus for overvoltage protection
JP2010028947A (en) * 2008-07-17 2010-02-04 Mitsubishi Electric Corp Power supply apparatus
JP2010130822A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Renesas Electronics Corp Semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS571043U (en) * 1980-05-30 1982-01-06
JPH05111150A (en) * 1991-10-08 1993-04-30 Mitsubishi Electric Corp Surge absorbing circuit
JPH11511000A (en) * 1997-03-12 1999-09-21 ダイムラー―ベンツ アクチエンゲゼルシャフト Method and apparatus for overvoltage protection
JP2010028947A (en) * 2008-07-17 2010-02-04 Mitsubishi Electric Corp Power supply apparatus
JP2010130822A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Renesas Electronics Corp Semiconductor device

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9479090B2 (en) 2013-12-20 2016-10-25 Semiconductor Components Industries, Llc Motor control circuit and method
US9667176B2 (en) 2013-12-20 2017-05-30 Semiconductor Components Industries, Llc Motor control circuit and method
US9667175B2 (en) 2013-12-20 2017-05-30 Semiconductor Components Industries, Llc Motor control circuit and method
US9793831B2 (en) 2013-12-20 2017-10-17 Semiconductor Components Industries, Llc Motor control circuit and method
US9935565B2 (en) 2013-12-20 2018-04-03 Semiconductor Components Industries, Llc Motor control circuit and method
US10084398B2 (en) 2013-12-20 2018-09-25 Semiconductor Components Industries, Llc Motor control circuit and method
US10498267B2 (en) 2013-12-20 2019-12-03 Semiconductor Components Industries, Llc Method for adjusting a drive signal
US11031886B2 (en) 2013-12-20 2021-06-08 Semiconductor Components Industries, Llc Lead angle adjustment circuit
KR20180040376A (en) * 2016-10-12 2018-04-20 엘지전자 주식회사 Power transforming apparatus and air conditioner including the same
JP2022140922A (en) * 2021-03-15 2022-09-29 三菱電機株式会社 Surge protection circuits and power converters
JP7233460B2 (en) 2021-03-15 2023-03-06 三菱電機株式会社 Surge protection circuits and power converters
WO2025093207A1 (en) * 2023-11-03 2025-05-08 Endress+Hauser SE+Co. KG Electronic circuit for a field device or a radio adapter

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