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JP2013021601A - Piezoelectric vibrating piece, method for manufacturing piezoelectric vibrating piece, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic appliance, and radio-controlled timepiece - Google Patents

Piezoelectric vibrating piece, method for manufacturing piezoelectric vibrating piece, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic appliance, and radio-controlled timepiece Download PDF

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JP2013021601A
JP2013021601A JP2011154852A JP2011154852A JP2013021601A JP 2013021601 A JP2013021601 A JP 2013021601A JP 2011154852 A JP2011154852 A JP 2011154852A JP 2011154852 A JP2011154852 A JP 2011154852A JP 2013021601 A JP2013021601 A JP 2013021601A
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JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
electrode
vibrating piece
vibrating arm
metal film
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2011154852A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Minegishi
孝 峯岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP2011154852A priority Critical patent/JP2013021601A/en
Publication of JP2013021601A publication Critical patent/JP2013021601A/en
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-cost piezoelectric vibrating piece that requires fewer man-hours in an electrode forming process, and a simpler manufacturing apparatus, than in the prior art, and to provide a method for manufacturing the piezoelectric vibrating piece, a piezoelectric vibrator, an oscillator, an electronic appliance, and a radio-controlled timepiece, using the piezoelectric vibrator.SOLUTION: A piezoelectric vibrating piece 4 includes: excitation electrodes 13 and 14 that are formed on a pair of vibrating arms 10 and 11; mount electrodes 16 and 17 that are electrically connected to the outside; lead-out electrodes 19 and 20 that connect the excitation electrodes 13 and 14 and the mount electrodes 16 and 17, respectively. Through-holes 8 and 9 are formed in the vibrating arms 10 and 11, respectively. The excitation electrodes 13 and 14 are respectively formed on inner side surfaces 8a, 8c, 9a, and 9c of the through-holes 8 and 9 and on outer side surfaces 10a, 10b, 11a, and 11b facing the respective inner side surfaces 8a, 8c, 9a, and 9c. The mount electrodes 16 and 17 and the lead-out electrodes 19 and 20 are formed on one main surface F of a base 12.

Description

この発明は、圧電振動片、圧電振動片の製造方法、圧電振動子、この圧電振動子を用いた発振器、電子機器および電波時計に関するものである。   The present invention relates to a piezoelectric vibrating piece, a method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece, a piezoelectric vibrator, an oscillator using the piezoelectric vibrator, an electronic device, and a radio timepiece.

携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として、水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが提供されているが、その1つとして、基部から一対の振動腕部が延設されたいわゆる音叉型の圧電振動片をパッケージに封入した圧電振動子が知られている。   In cellular phones and portable information terminal devices, piezoelectric vibrators using quartz or the like are used as time sources, timing sources of control signals, reference signal sources, and the like. There are various types of piezoelectric vibrators of this type. One of them is a piezoelectric vibrator in which a so-called tuning fork type piezoelectric vibrating piece in which a pair of vibrating arms are extended from a base is enclosed in a package. It has been known.

ところで、近年、搭載される機器の小型化に伴って、圧電振動片のさらなる小型化が望まれている。圧電振動片のCI値(Crystal Impedance)を低く抑えつつ、圧電振動片の小型化を図る方法としては、振動腕部の両主面に溝部を形成する方法が広く知られている(例えば、特許文献1参照)。   By the way, in recent years, with the downsizing of devices to be mounted, further downsizing of the piezoelectric vibrating piece is desired. As a method for reducing the size of the piezoelectric vibrating piece while keeping the CI value (Crystal Impedance) of the piezoelectric vibrating piece low, a method of forming grooves on both main surfaces of the vibrating arm is widely known (for example, patents). Reference 1).

図22は、従来技術の説明図であり、特許文献1の振動腕部203の長手方向に垂直な方向に沿った断面図である。
図22に示すように、振動腕部203は断面略H字形状となっており、振動腕部203の外表面には、第1の励振電極210と第2の励振電極211とが形成されている。一対の励振電極210,211は、振動腕部203の幅方向に沿って電界を発生できるように、溝部205,206の内側面205a,206aおよび振動腕部203の外側面203aに形成されている。
また、一対の励振電極210,211は、引き出し電極(不図示)を介して基部(不図示)の主面上に形成されたマウント電極(不図示)に電気的に接続されている。そして、マウント電極がパッケージの内部電極に実装されることにより、圧電振動子が形成されている。
FIG. 22 is an explanatory diagram of the prior art, and is a cross-sectional view along a direction perpendicular to the longitudinal direction of the vibrating arm portion 203 of Patent Document 1. In FIG.
As shown in FIG. 22, the vibrating arm 203 has a substantially H-shaped cross section, and a first excitation electrode 210 and a second excitation electrode 211 are formed on the outer surface of the vibrating arm 203. Yes. The pair of excitation electrodes 210 and 211 are formed on the inner side surfaces 205 a and 206 a of the groove portions 205 and 206 and the outer side surface 203 a of the vibrating arm portion 203 so that an electric field can be generated along the width direction of the vibrating arm portion 203. .
The pair of excitation electrodes 210 and 211 is electrically connected to a mount electrode (not shown) formed on the main surface of the base (not shown) via an extraction electrode (not shown). The mount electrode is mounted on the internal electrode of the package to form a piezoelectric vibrator.

励振電極、引き出し電極およびマウント電極の各電極を形成する電極形成工程は以下のとおりである。
まず、圧電振動片の外形に形成された圧電板に、後の各電極となる電極用金属膜をスパッタリングにより成膜する(金属膜成膜工程)。
次に、電極用金属膜に重ねてフォトレジスト等の感光性材料を塗布して感光性材料膜を成膜する(感光性材料膜成膜工程)。
続いて、フォトリソグラフィ技術により感光性材料膜を露光し(露光工程)、現像液に浸漬して現像することで(現像工程)、感光性材料膜のパターンを形成する。
最後に、感光性材料膜のパターンをマスクとして電極用金属膜のエッチングを行う(金属膜エッチング工程)。これにより、感光性材料膜で保護された領域以外の電極用金属膜が選択的に除去され、圧電振動片の各電極が形成される。
The electrode forming process for forming the excitation electrode, the extraction electrode, and the mount electrode is as follows.
First, an electrode metal film that will be each subsequent electrode is formed on a piezoelectric plate formed on the outer shape of the piezoelectric vibrating piece by sputtering (metal film forming step).
Next, a photosensitive material such as a photoresist is applied on the electrode metal film to form a photosensitive material film (photosensitive material film forming step).
Subsequently, the photosensitive material film is exposed by a photolithography technique (exposure process), and is developed by being immersed in a developer (development process), thereby forming a pattern of the photosensitive material film.
Finally, the electrode metal film is etched using the pattern of the photosensitive material film as a mask (metal film etching step). Thereby, the electrode metal film other than the region protected by the photosensitive material film is selectively removed, and each electrode of the piezoelectric vibrating piece is formed.

ここで、図22に示すように、一方側の溝部205は振動腕部203の一方側の主面に形成され、他方側の溝部206は振動腕部203の他方側の主面に形成されている。したがって、溝部205,206の内側面205a,206aに第1の励振電極210を形成するために、圧電板の一方側の主面および他方側の主面に対して電極形成工程の各工程を行っている。
具体的には、金属膜成膜工程では、圧電板の一方側の主面に対して電極用金属膜を成膜した後、圧電板を反転させて他方側の主面に対して電極用金属膜を成膜することにより、圧電板の両主面に電極用金属膜を成膜している。感光性材料膜成膜工程では、金属膜成膜工程と同様に、圧電板の一方側の主面に対して感光性材料膜を成膜した後、圧電板を反転させて他方側の主面に対して感光性材料膜を成膜することにより、圧電板の両主面に感光性材料膜を成膜している。また、露光工程では、圧電板の両主面に対して紫外線を照射している。
Here, as shown in FIG. 22, the groove portion 205 on one side is formed on one main surface of the vibrating arm portion 203, and the groove portion 206 on the other side is formed on the other main surface of the vibrating arm portion 203. Yes. Therefore, in order to form the first excitation electrode 210 on the inner side surfaces 205a and 206a of the groove portions 205 and 206, each step of the electrode forming step is performed on the main surface on one side and the main surface on the other side of the piezoelectric plate. ing.
Specifically, in the metal film forming step, after the electrode metal film is formed on one main surface of the piezoelectric plate, the piezoelectric plate is reversed and the electrode metal is formed on the other main surface. By forming a film, electrode metal films are formed on both principal surfaces of the piezoelectric plate. In the photosensitive material film forming step, as in the metal film forming step, after forming the photosensitive material film on the main surface on one side of the piezoelectric plate, the piezoelectric plate is reversed and the main surface on the other side On the other hand, a photosensitive material film is formed on both main surfaces of the piezoelectric plate by forming a photosensitive material film. In the exposure process, ultraviolet rays are irradiated to both main surfaces of the piezoelectric plate.

特開2002−76806号公報JP 2002-76806 A

しかしながら、上記の電極形成工程では、以下のような課題を有している。
金属膜成膜工程および感光性材料膜成膜工程では、一方側の主面および他方側の主面に対して別々に電極用金属膜および感光性材料膜を成膜するため、工数が多くかかる傾向にある。また、露光工程では、両面露光装置が必要になるとともに、感光性材料膜のパターンを形成するための一対のフォトマスクを準備して圧電板の両主面上の所定位置に配置する必要がある。したがって、露光工程は、多くのコストがかかるだけでなく工程が煩雑で工数が多くかかる傾向にある。このため、従来技術の電極形成工程は、製造コストが高コストであるという課題を有している。
However, the above electrode forming process has the following problems.
In the metal film forming step and the photosensitive material film forming step, the metal film for the electrode and the photosensitive material film are separately formed on the main surface on one side and the main surface on the other side. There is a tendency. In the exposure process, a double-side exposure apparatus is required, and a pair of photomasks for forming a pattern of the photosensitive material film must be prepared and arranged at predetermined positions on both main surfaces of the piezoelectric plate. . Therefore, the exposure process is not only costly but also complicated and requires a lot of man-hours. For this reason, the electrode forming process of the prior art has a problem that the manufacturing cost is high.

そこで本発明は、従来技術と比較して電極形成工程の工数の削減および製造装置の簡略化ができ、低コストな圧電振動片、圧電振動片の製造方法、圧電振動子、この圧電振動子を用いた発振器、電子機器および電波時計の提供を課題とする。   Therefore, the present invention can reduce the man-hours of the electrode forming process and simplify the manufacturing apparatus as compared with the prior art. The piezoelectric vibrating piece, the method for manufacturing the piezoelectric vibrating piece, the piezoelectric vibrator, and the piezoelectric vibrator can be reduced in cost. It is an object to provide an oscillator, an electronic device, and a radio timepiece that are used.

上記の課題を解決するため、本発明の圧電振動片は、並んで配置された一対の振動腕部と、前記一対の振動腕部が接続された基部と、を有する圧電板と、前記振動腕部に形成され前記振動腕部を振動させる励振電極と、前記基部に形成され外部に電気的に接続されるマウント電極と、前記励振電極と前記マウント電極とを接続する引き出し電極と、を備えた圧電振動片であって、前記振動腕部には、前記圧電板の厚さ方向における一方側と他方側とを貫通し、前記振動腕部の長手方向に沿って延びる貫通孔が形成されており、前記励振電極は、前記貫通孔の内側面のうち前記長手方向に沿った内側面および前記内側面と対向した前記振動腕部の外側面に形成され、前記マウント電極および前記引き出し電極は、前記基部の前記一方側のみの主面に形成されていることを特徴としている。   In order to solve the above problems, a piezoelectric vibrating piece according to the present invention includes a piezoelectric plate having a pair of vibrating arm portions arranged side by side and a base portion to which the pair of vibrating arm portions are connected, and the vibrating arm. An excitation electrode that is formed on the base and vibrates the vibrating arm, a mount electrode that is formed on the base and is electrically connected to the outside, and an extraction electrode that connects the excitation electrode and the mount electrode. In the piezoelectric vibrating piece, the vibrating arm portion is formed with a through-hole penetrating one side and the other side in the thickness direction of the piezoelectric plate and extending along a longitudinal direction of the vibrating arm portion. The excitation electrode is formed on an inner surface of the through hole along the longitudinal direction and an outer surface of the vibrating arm portion facing the inner surface, and the mount electrode and the extraction electrode are Main only on one side of the base It is characterized in that it is formed.

本発明によれば、振動腕部に貫通孔を形成することで、振動腕部の一方側の主面と他方側の主面とを接続する内側面が形成される。したがって、圧電板の一方側から金属材料および感光性材料を塗布することにより、振動腕部の長手方向に沿った内側面に電極用金属膜および感光性材料膜を成膜でき、励振電極を形成できる。
また、マウント電極および引き出し電極は、基部の一方側のみの主面に形成されており、他方側の主面には形成されていない。したがって、圧電板の一方側から金属材料および感光性材料を塗布することにより、基部の一方側の主面に電極用金属膜および感光性材料膜を成膜でき、マウント電極および引き出し電極を形成できる。
また、圧電板の他方側の主面には感光性材料膜を成膜しないので、圧電板の一方側のみから感光性材料膜を露光すればよい。これにより、高価な両面露光装置を導入したり、一対のフォトマスクを準備して圧電板の両主面上に配置したりする必要がない。
このように、圧電板の一方側のみから電極用金属膜の成膜、感光性材料膜の成膜および露光を行って各電極を形成できる。したがって、本発明は、圧電板の一方側および他方側の両側から電極用金属膜の成膜、感光性材料膜の成膜および露光を行って各電極を形成する従来技術と比較して、工数の削減および製造装置の簡略化ができ、低コストな圧電振動片を形成できる。
According to the present invention, by forming a through-hole in the vibrating arm portion, an inner side surface that connects the main surface on one side and the main surface on the other side of the vibrating arm portion is formed. Therefore, by applying a metal material and a photosensitive material from one side of the piezoelectric plate, an electrode metal film and a photosensitive material film can be formed on the inner surface along the longitudinal direction of the vibrating arm portion, and an excitation electrode is formed. it can.
Further, the mount electrode and the extraction electrode are formed on the main surface only on one side of the base, and are not formed on the main surface on the other side. Therefore, by applying a metal material and a photosensitive material from one side of the piezoelectric plate, a metal film for an electrode and a photosensitive material film can be formed on the main surface on one side of the base, and a mount electrode and a lead electrode can be formed. .
Further, since the photosensitive material film is not formed on the other main surface of the piezoelectric plate, the photosensitive material film may be exposed only from one side of the piezoelectric plate. This eliminates the need to introduce an expensive double-side exposure apparatus or prepare a pair of photomasks and place them on both main surfaces of the piezoelectric plate.
In this way, each electrode can be formed by forming a metal film for an electrode, forming a photosensitive material film, and exposing only from one side of the piezoelectric plate. Therefore, in the present invention, the number of man-hours is compared with the prior art in which each electrode is formed by forming a metal film for an electrode, forming a photosensitive material film and exposing from both sides of one side and the other side of the piezoelectric plate. And a manufacturing apparatus can be simplified, and a low-cost piezoelectric vibrating piece can be formed.

また、前記励振電極は、前記振動腕部の前記厚さ方向の全体にわたって形成されていることを特徴としている。   The excitation electrode is formed over the entire thickness of the vibrating arm.

本発明によれば、振動腕部の厚さ方向の全体にわたって貫通孔の内側面および振動腕部の外側面と直交する方向に電界を形成できる。したがって、効率よく振動腕部を振動させることができるので、損失の少ない圧電振動片を形成できる。   According to the present invention, an electric field can be formed in a direction orthogonal to the inner side surface of the through hole and the outer side surface of the vibrating arm portion over the entire thickness direction of the vibrating arm portion. Therefore, since the vibrating arm portion can be vibrated efficiently, a piezoelectric vibrating piece with little loss can be formed.

また、前記貫通孔は、前記各振動腕部にそれぞれ複数形成されていることを特徴としている。   In addition, a plurality of the through holes are formed in each of the vibrating arm portions.

本発明によれば、各振動腕部に複数形成される貫通孔の個数や各貫通孔の大きさ、各貫通孔の形成位置等を調整して振動腕部の剛性を任意に設定できる。したがって、振動腕部の剛性に依存するドライブレベル特性を、所望の特性に設定できる。   According to the present invention, the rigidity of the vibrating arm portion can be arbitrarily set by adjusting the number of through holes formed in each vibrating arm portion, the size of each through hole, the formation position of each through hole, and the like. Therefore, the drive level characteristic depending on the rigidity of the vibrating arm can be set to a desired characteristic.

また、本発明の圧電振動片の製造方法は、圧電ウエハから前記圧電板の外形および前記貫通孔を形成する外形形成工程と、フォトリソグラフィ技術により電極用金属膜をパターニングし、前記圧電板に前記各電極を形成する電極形成工程と、を備え、前記電極形成工程は、前記圧電板の表面に前記電極用金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、前記電極用金属膜に重ねて感光性材料膜を成膜する感光性材料膜成膜工程と、前記各電極に対応したパターンが形成されたフォトマスクを用いて前記感光性材料膜を露光する露光工程と、を有し、前記金属膜成膜工程、前記感光性材料膜成膜工程および前記露光工程は、前記圧電板の前記一方側からのみ行われることを特徴としている。   The method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to the present invention includes: an outer shape forming step of forming an outer shape of the piezoelectric plate and the through hole from a piezoelectric wafer; and a metal film for an electrode is patterned by a photolithography technique; An electrode forming step for forming each electrode, wherein the electrode forming step includes a metal film forming step for forming the electrode metal film on the surface of the piezoelectric plate, and a photosensitivity layer on the electrode metal film. A photosensitive material film forming step for forming a photosensitive material film, and an exposure step for exposing the photosensitive material film using a photomask on which a pattern corresponding to each electrode is formed, and the metal The film forming step, the photosensitive material film forming step, and the exposure step are performed only from the one side of the piezoelectric plate.

本発明によれば、金属膜成膜工程、感光性材料膜成膜工程および露光工程は、圧電板の一方側からのみ行われるので、圧電板の一方側および他方側の両側から金属膜成膜工程、感光性材料膜成膜工程および露光工程を行う従来技術と比較して、工数の削減および製造装置の簡略化ができる。したがって、低コストな圧電振動片を形成できる。
ところで、従来技術では、圧電板の一方側および他方側から2回金属膜成膜工程を行っているため、振動腕部の外側面に形成される電極用金属膜の膜厚が必要以上に厚くなるおそれがあった。しかし、本発明によれば、圧電板の一方側から1回のみ金属膜成膜工程を行っているので、振動腕部の外側面に形成される電極用金属膜が必要以上に厚くなるのを防止できる。特に、一対の振動腕部の外側面と基部の外側面とで形成される狭小な又部において、電極用金属膜が必要以上に厚くなるのを防止できるので、エッチング時に又部に電極用金属膜が残存するのを抑制できる。これにより、又部における励振電極のショート等の製造不良の発生を防止できる。
According to the present invention, the metal film forming step, the photosensitive material film forming step, and the exposure step are performed only from one side of the piezoelectric plate, so the metal film is formed from both sides of the one side and the other side of the piezoelectric plate. Compared with the prior art that performs the process, the photosensitive material film forming process, and the exposure process, the number of steps can be reduced and the manufacturing apparatus can be simplified. Therefore, a low-cost piezoelectric vibrating piece can be formed.
By the way, in the prior art, since the metal film forming process is performed twice from one side and the other side of the piezoelectric plate, the electrode metal film formed on the outer surface of the vibrating arm portion is thicker than necessary. There was a risk of becoming. However, according to the present invention, since the metal film forming process is performed only once from one side of the piezoelectric plate, the electrode metal film formed on the outer surface of the vibrating arm portion becomes thicker than necessary. Can be prevented. In particular, it is possible to prevent the electrode metal film from becoming unnecessarily thick at the narrow crest formed by the outer surface of the pair of vibrating arms and the outer surface of the base. It can suppress that a film | membrane remains. As a result, it is possible to prevent the occurrence of manufacturing defects such as short-circuiting of excitation electrodes in the portion.

また、前記外形形成工程は、前記圧電ウエハの両主面上にマスク用金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術により前記マスク用金属膜から前記圧電板のマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、前記マスクパターンを介して、前記圧電ウエハの前記一方側および前記他方側の両側から前記圧電ウエハをエッチングするウエハエッチング工程と、を備えたことを特徴としている。   The outer shape forming step includes forming a mask metal film on both main surfaces of the piezoelectric wafer, and forming a mask pattern of the piezoelectric plate from the mask metal film by a photolithography technique; And a wafer etching step of etching the piezoelectric wafer from both sides of the one side and the other side of the piezoelectric wafer via the mask pattern.

本発明によれば、圧電ウエハの一方側および他方側の両側からウエハエッチング工程を行うので、圧電板の厚さ方向に沿って、外形を均一に形成できる。したがって、一対の振動腕部を精度よく形成できるので、安定した周波数特性を有する圧電振動片を形成できる。
また、本発明によれば、一度のウエハエッチング工程で圧電振動片の外形および貫通孔を同時に形成できる。したがって、圧電振動片の外形をエッチングした後、ハーフエッチングして溝部205,206(図22参照)を形成する従来技術と比較して、ウエハエッチング工程を簡略化できる。
According to the present invention, since the wafer etching process is performed from both one side and the other side of the piezoelectric wafer, the outer shape can be formed uniformly along the thickness direction of the piezoelectric plate. Accordingly, since the pair of vibrating arm portions can be formed with high accuracy, a piezoelectric vibrating piece having stable frequency characteristics can be formed.
In addition, according to the present invention, the outer shape of the piezoelectric vibrating piece and the through hole can be simultaneously formed in a single wafer etching process. Therefore, the wafer etching process can be simplified as compared with the conventional technique in which the outer shape of the piezoelectric vibrating piece is etched and then half-etched to form the grooves 205 and 206 (see FIG. 22).

また、本発明の圧電振動子は、上述した圧電振動片がベース基板とリッド基板とにより形成されるキャビティ内に収納されていることを特徴としている。
本発明によれば、電極形成工程の工数の削減および製造装置の簡略化ができる低コストな圧電振動片を備えているので、低コストな圧電振動子を提供できる。
The piezoelectric vibrator of the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrating piece is housed in a cavity formed by a base substrate and a lid substrate.
According to the present invention, since the low-cost piezoelectric vibrating reed that can reduce the man-hour of the electrode forming process and simplify the manufacturing apparatus is provided, a low-cost piezoelectric vibrator can be provided.

また、本発明の発振器は、上述した圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電子機器は、上述した圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の電波時計は、上述した圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
The oscillator according to the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator.
The electronic apparatus according to the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to a time measuring unit.
The radio-controlled timepiece of the present invention is characterized in that the above-described piezoelectric vibrator is electrically connected to a filter unit.

本発明の発振器、電子機器および電波時計によれば、低コストな発振器、電子機器および電波時計を提供することができる。   According to the oscillator, electronic device, and radio timepiece of the present invention, it is possible to provide a low-cost oscillator, electronic device, and radio timepiece.

本発明によれば、振動腕部に貫通孔を形成することで、振動腕部の一方側の主面と他方側の主面とを接続する内側面が形成される。したがって、圧電板の一方側から金属材料および感光性材料を塗布することにより、振動腕部の長手方向に沿った内側面に電極用金属膜および感光性材料膜を成膜でき、励振電極を形成できる。
また、マウント電極および引き出し電極は、基部の一方側のみの主面に形成されており、他方側の主面には形成されていない。したがって、圧電板の一方側から金属材料および感光性材料を塗布することにより、基部の一方側の主面に電極用金属膜および感光性材料膜を成膜でき、マウント電極および引き出し電極を形成できる。
また、圧電板の他方側の主面には感光性材料膜を成膜しないので、圧電板の一方側のみから感光性材料膜を露光すればよい。これにより、高価な両面露光装置を導入したり、一対のフォトマスクを準備して圧電板の両主面上に配置したりする必要がない。
このように、圧電板の一方側のみから電極用金属膜の成膜、感光性材料膜の成膜および露光を行って各電極を形成できる。したがって、本発明は、圧電板の一方側および他方側の両側から電極用金属膜の成膜、感光性材料膜の成膜および露光を行って各電極を形成する従来技術と比較して、工数の削減および製造装置の簡略化ができ、低コストな圧電振動片を形成できる。
According to the present invention, by forming a through-hole in the vibrating arm portion, an inner side surface that connects the main surface on one side and the main surface on the other side of the vibrating arm portion is formed. Therefore, by applying a metal material and a photosensitive material from one side of the piezoelectric plate, an electrode metal film and a photosensitive material film can be formed on the inner surface along the longitudinal direction of the vibrating arm portion, and an excitation electrode is formed. it can.
Further, the mount electrode and the extraction electrode are formed on the main surface only on one side of the base, and are not formed on the main surface on the other side. Therefore, by applying a metal material and a photosensitive material from one side of the piezoelectric plate, a metal film for an electrode and a photosensitive material film can be formed on the main surface on one side of the base, and a mount electrode and a lead electrode can be formed. .
Further, since the photosensitive material film is not formed on the other main surface of the piezoelectric plate, the photosensitive material film may be exposed only from one side of the piezoelectric plate. This eliminates the need to introduce an expensive double-side exposure apparatus or prepare a pair of photomasks and place them on both main surfaces of the piezoelectric plate.
In this way, each electrode can be formed by forming a metal film for an electrode, forming a photosensitive material film, and exposing only from one side of the piezoelectric plate. Therefore, in the present invention, the number of man-hours is compared with the prior art in which each electrode is formed by forming a metal film for an electrode, forming a photosensitive material film and exposing from both sides of one side and the other side of the piezoelectric plate. And a manufacturing apparatus can be simplified, and a low-cost piezoelectric vibrating piece can be formed.

圧電振動片の一方側から見た平面図である。It is the top view seen from one side of a piezoelectric vibrating piece. 圧電振動片の他方側から見た平面図である。It is the top view seen from the other side of the piezoelectric vibrating piece. 図1のA−A線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the AA line of FIG. 振動腕部と基部との接続部近傍の斜視図である。It is a perspective view of the connection part vicinity of a vibrating arm part and a base. 実施形態の変形例における圧電振動片の一方側から見た平面図である。It is the top view seen from one side of the piezoelectric vibrating piece in the modification of an embodiment. 圧電振動片の製造工程のフローチャートである。It is a flowchart of the manufacturing process of a piezoelectric vibrating piece. 外形形成工程のフローチャートである。It is a flowchart of an external shape formation process. マスクパターン形成工程の説明図である。It is explanatory drawing of a mask pattern formation process. マスクパターン形成工程の説明図である。It is explanatory drawing of a mask pattern formation process. マスクパターンの説明図である。It is explanatory drawing of a mask pattern. 図10のB−B線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the BB line of FIG. 電極形成工程のフローチャートである。It is a flowchart of an electrode formation process. 金属膜成膜工程およびフォトレジスト膜成膜工程の説明図である。It is explanatory drawing of a metal film forming process and a photoresist film forming process. 露光工程の説明図である。It is explanatory drawing of an exposure process. 圧電振動子の外観斜視図である。It is an external perspective view of a piezoelectric vibrator. 圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。It is an internal block diagram of a piezoelectric vibrator, and is a plan view in a state where a lid substrate is removed. 図16のC−C線に沿った断面図である。It is sectional drawing along CC line of FIG. 圧電振動子の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a piezoelectric vibrator. 発振器の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of an oscillator. 電子機器の一実施形態を示す構成図である。It is a lineblock diagram showing one embodiment of electronic equipment. 電波時計の一実施形態を示す構成図である。It is a block diagram which shows one Embodiment of a radio timepiece. 従来技術の圧電振動片の説明図である。It is explanatory drawing of the piezoelectric vibration piece of a prior art.

(圧電振動片)
以下に、本発明の実施形態に係る圧電振動片を、図面を参照して説明する。
図1は、圧電振動片4の一方側から見た平面図である。
図2は、圧電振動片4の他方側から見た平面図である。
図3は、図1のA−A線に沿った断面図である。なお、図2および図3においては、形成される各電極の膜厚を誇張して表現している。
(Piezoelectric vibrating piece)
Hereinafter, a piezoelectric vibrating piece according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a plan view seen from one side of the piezoelectric vibrating piece 4.
FIG. 2 is a plan view seen from the other side of the piezoelectric vibrating piece 4.
3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2 and 3, the thickness of each electrode formed is exaggerated.

以下の圧電振動片4の説明では、必要に応じてX,Y,Zの直交座標系を用いて説明している。具体的には、振動腕部10,11が並んでいる方向をX方向とし、X方向における中心軸をOとし、圧電振動片4の中心軸O側を−X側とし、外側を+X側としている。また、振動腕部10,11の長手方向をY方向とし、基端側を−Y側とし、先端側を+Y側としている。また、圧電振動片4の厚さ方向をZ方向とし、一方側を+Z側とし、他方側を−Z側としている。また、圧電振動片4の+Z側面をFとし、−Z側面をSとしている。   In the following description of the piezoelectric vibrating piece 4, description is made using an X, Y, Z orthogonal coordinate system as necessary. Specifically, the direction in which the vibrating arms 10 and 11 are arranged is the X direction, the central axis in the X direction is O, the central axis O side of the piezoelectric vibrating piece 4 is the −X side, and the outer side is the + X side. Yes. In addition, the longitudinal direction of the vibrating arm portions 10 and 11 is the Y direction, the proximal end side is the −Y side, and the distal end side is the + Y side. Further, the thickness direction of the piezoelectric vibrating reed 4 is the Z direction, one side is the + Z side, and the other side is the −Z side. Further, the + Z side surface of the piezoelectric vibrating piece 4 is F, and the −Z side surface is S.

図1に示すように、本実施形態の圧電振動片4は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
圧電振動片4は、並んで配置された一対の振動腕部10,11(第1の振動腕部10および第2の振動腕部11)と、一対の振動腕部10,11が接続された基部12と、を備えている。
As shown in FIG. 1, the piezoelectric vibrating reed 4 of this embodiment is a tuning fork type vibrating reed formed from a piezoelectric material such as crystal, lithium tantalate, or lithium niobate, and when a predetermined voltage is applied. It will vibrate.
The piezoelectric vibrating reed 4 has a pair of vibrating arm portions 10 and 11 (first vibrating arm portion 10 and second vibrating arm portion 11) arranged side by side and a pair of vibrating arm portions 10 and 11 connected to each other. And a base 12.

一対の振動腕部10,11は、X方向に一定幅を有し、X方向に略平行に並んで配置され、中心軸Oに沿ってY方向に延在している。一対の振動腕部10,11には、振動腕部10,11の+Z側面Fと−Z側面Sとを貫通する貫通孔8,9がそれぞれ形成されている。
図1に示すように、貫通孔8,9は、Z方向平面視略矩形状に形成されており、X方向に一定幅を有し、Y方向に沿って延在している。貫通孔8,9の−Y側端は、振動腕部10,11と基部12との接続部近傍に配置されている。貫通孔8、9の+Y側端は、振動腕部10,11のY方向における略中央に配置されている。
The pair of vibrating arm portions 10 and 11 have a certain width in the X direction, are arranged side by side substantially parallel to the X direction, and extend in the Y direction along the central axis O. The pair of vibrating arm portions 10 and 11 are formed with through holes 8 and 9 that pass through the + Z side surface F and the −Z side surface S of the vibrating arm portions 10 and 11, respectively.
As shown in FIG. 1, the through holes 8 and 9 are formed in a substantially rectangular shape in plan view in the Z direction, have a certain width in the X direction, and extend along the Y direction. The −Y side ends of the through holes 8 and 9 are arranged in the vicinity of the connection portion between the vibrating arm portions 10 and 11 and the base portion 12. The + Y side ends of the through holes 8 and 9 are disposed at the approximate center in the Y direction of the vibrating arm portions 10 and 11.

基部12と振動腕部10,11との接続部において、基部12の+Y側面、振動腕部10の−X側面10bおよび振動腕部11の−X側面11bにより囲まれた領域には、又部25が形成される。又部25は、Z方向平面視略U字形状に形成されている。   In the connection portion between the base portion 12 and the vibrating arm portions 10 and 11, the region surrounded by the + Y side surface of the base portion 12, the −X side surface 10 b of the vibrating arm portion 10, and the −X side surface 11 b of the vibrating arm portion 11 includes 25 is formed. Moreover, the part 25 is formed in the Z direction planar view substantially U shape.

(励振電極)
図1に示すように、一対の励振電極13,14は、振動腕部10,11の外表面にそれぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。
図2に示すように、貫通孔8,9のY方向に沿った内側面8a,9a、X方向に沿った第2内側面8b,9b、および図3に示すように振動腕部10,11の+Z側面F上には、一対の励振電極13,14が形成されている。励振電極13,14は、例えば、クロム等の単層の導電性膜により形成される。励振電極13,14は、電圧が印加されときに振動腕部10,11を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。
(Excitation electrode)
As shown in FIG. 1, the pair of excitation electrodes 13 and 14 are formed by patterning on the outer surfaces of the vibrating arm portions 10 and 11 while being electrically separated from each other.
As shown in FIG. 2, the inner side surfaces 8a and 9a along the Y direction of the through holes 8 and 9, the second inner side surfaces 8b and 9b along the X direction, and the vibrating arm portions 10 and 11 as shown in FIG. On the + Z side surface F, a pair of excitation electrodes 13 and 14 are formed. The excitation electrodes 13 and 14 are formed of a single-layer conductive film such as chromium, for example. The excitation electrodes 13 and 14 are electrodes that vibrate the vibrating arm portions 10 and 11 at a predetermined resonance frequency in a direction approaching or separating from each other when a voltage is applied.

具体的には、第1の励振電極13は、主に第1の振動腕部10の貫通孔8の内側面8a〜8dと、第2の振動腕部11の+X側面11aと、第2の振動腕部11の−X側面11bと、に形成されている(図1から図3参照)。また、第2の励振電極14は、主に第2の振動腕部11の貫通孔9の内側面9a〜9dと、第1の振動腕部10の+X側面10aと、第1の振動腕部10の−X側面10bと、に形成されている(図1から図3参照)。なお、図2に示すように、励振電極13,14は−Z側面Sには形成されていない。   Specifically, the first excitation electrode 13 mainly includes the inner side surfaces 8a to 8d of the through-hole 8 of the first vibrating arm portion 10, the + X side surface 11a of the second vibrating arm portion 11, and the second It is formed on the −X side surface 11b of the vibrating arm portion 11 (see FIGS. 1 to 3). The second excitation electrode 14 is mainly composed of the inner side surfaces 9a to 9d of the through hole 9 of the second vibrating arm portion 11, the + X side surface 10a of the first vibrating arm portion 10, and the first vibrating arm portion. 10 -X side surface 10b (see FIGS. 1 to 3). As shown in FIG. 2, the excitation electrodes 13 and 14 are not formed on the −Z side surface S.

なお、本実施形態では、第1の励振電極13は貫通孔8の内側面8a〜8dに形成され、第2の励振電極14は貫通孔9の内側面9a〜9dに形成されているが、励振電極13は少なくともY方向に沿った内側面8a,8cに形成され、励振電極14は少なくともY方向に沿った内側面9a,9cに形成されていればよい。   In the present embodiment, the first excitation electrode 13 is formed on the inner side surfaces 8 a to 8 d of the through hole 8, and the second excitation electrode 14 is formed on the inner side surfaces 9 a to 9 d of the through hole 9. The excitation electrode 13 may be formed at least on the inner side surfaces 8a and 8c along the Y direction, and the excitation electrode 14 may be formed at least on the inner side surfaces 9a and 9c along the Y direction.

このように励振電極13,14を形成することで、図3に示すように、貫通孔8の内側面8a,8cに形成された励振電極13と、第1の振動腕部10の+X側面10aおよび−X側面10bに形成された励振電極14とを対向させることができる。また、貫通孔9の内側面9a,9cに形成された励振電極14と、第2の振動腕部11の+X側面11aおよび−X側面11bに形成された励振電極13とを対向させることができる。そして、励振電極13,14に電圧を印加することにより、振動腕部10,11のX方向に沿って電界を形成し、振動腕部10,11を振動させることができる。   By forming the excitation electrodes 13 and 14 in this way, as shown in FIG. 3, the excitation electrode 13 formed on the inner side surfaces 8 a and 8 c of the through hole 8 and the + X side surface 10 a of the first vibrating arm portion 10. And the excitation electrode 14 formed on the −X side surface 10b. In addition, the excitation electrode 14 formed on the inner side surfaces 9a and 9c of the through hole 9 and the excitation electrode 13 formed on the + X side surface 11a and the −X side surface 11b of the second vibrating arm portion 11 can be opposed to each other. . Then, by applying a voltage to the excitation electrodes 13 and 14, an electric field can be formed along the X direction of the vibrating arm portions 10 and 11, and the vibrating arm portions 10 and 11 can be vibrated.

図4は、振動腕部10,11と基部12との接続部近傍の斜視図である。
図4に示すように、第1の振動腕部10の−X側面10bに形成された第2の励振電極14と、第2の振動腕部11の−X側面11b上に形成された第1の励振電極13とは、又部25を挟んで対向した状態となっている。又部25の表面には電極が形成されておらず、第1の励振電極13および第2の励振電極14は、又部25においても電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。
FIG. 4 is a perspective view of the vicinity of the connecting portion between the vibrating arm portions 10 and 11 and the base portion 12.
As shown in FIG. 4, the second excitation electrode 14 formed on the −X side surface 10 b of the first vibrating arm unit 10 and the first electrode formed on the −X side surface 11 b of the second vibrating arm unit 11. The excitation electrode 13 is opposed to the excitation electrode 13 with the portion 25 interposed therebetween. In addition, no electrode is formed on the surface of the portion 25, and the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 are also formed by patterning in a state where they are also electrically separated in the portion 25. .

(マウント電極)
図1に示すように、基部12の+Z側面Fにおける−Y側には、中心軸Oを挟んで一対のマウント電極16,17が形成されている。
マウント電極16,17は、クロムと金との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地層として成膜した後に、表面に金の薄膜を仕上げ層として成膜することにより形成される。ただし、この場合に限られず、例えば、クロムとニクロムを下地層として成膜した後に、表面にさらに金の薄膜を仕上げ層として成膜しても構わない。なお、図2に示すように、マウント電極16,17は−Z側面Sには形成されていない。
(Mount electrode)
As shown in FIG. 1, a pair of mount electrodes 16 and 17 are formed on the −Y side of the + Z side surface F of the base portion 12 with the central axis O interposed therebetween.
The mount electrodes 16 and 17 are laminated films of chromium and gold, and are formed by forming a chromium film having good adhesion with crystal as a base layer and then forming a gold thin film as a finishing layer on the surface. The However, the present invention is not limited to this. For example, after forming chromium and nichrome as a base layer, a gold thin film may be further formed as a finishing layer on the surface. As shown in FIG. 2, the mount electrodes 16 and 17 are not formed on the −Z side surface S.

(引き出し電極)
また、図1に示すように、基部12の+Z側面Fには、励振電極13,14と、マウント電極16,17とをそれぞれ電気的に接続する引き出し電極19,20が形成されている。
引き出し電極19は、マウント電極16と、第1の振動腕部10に形成された第1の励振電極13とを接続しており、中心軸Oを跨るように形成されている。
また、引き出し電極20は、マウント電極17と、第1の振動腕部10に形成された第2の励振電極14とを接続しており、+X側においてY方向に沿うように形成されている。
(Extraction electrode)
As shown in FIG. 1, lead electrodes 19 and 20 that electrically connect the excitation electrodes 13 and 14 and the mount electrodes 16 and 17 are formed on the + Z side surface F of the base 12.
The lead electrode 19 connects the mount electrode 16 and the first excitation electrode 13 formed on the first vibrating arm portion 10, and is formed so as to straddle the central axis O.
The lead electrode 20 connects the mount electrode 17 and the second excitation electrode 14 formed on the first vibrating arm 10 and is formed along the Y direction on the + X side.

引き出し電極19,20は、マウント電極16,17の下地層と同じ材料のクロムにより、単層膜で形成されている。これにより、マウント電極16,17の下地層を成膜するのと同時に、引き出し電極19,20を成膜することができる。ただし、この場合に限られず、例えば、ニッケルやアルミニウム、チタン等により引き出し電極19,20を成膜しても構わない。なお、図2に示すように、引き出し電極19,20は−Z側面Sには形成されていない。   The lead electrodes 19 and 20 are formed of a single layer film of chromium of the same material as the base layer of the mount electrodes 16 and 17. Thereby, the extraction electrodes 19 and 20 can be formed simultaneously with the formation of the underlying layer of the mount electrodes 16 and 17. However, the present invention is not limited to this case. For example, the extraction electrodes 19 and 20 may be formed of nickel, aluminum, titanium, or the like. As shown in FIG. 2, the extraction electrodes 19 and 20 are not formed on the −Z side surface S.

また、図1に示すように、振動腕部10,11の先端部には、所定の周波数の範囲内で振動するように調整(周波数調整)を行うための粗調膜21aおよび微調膜21bからなる重り金属膜21が形成されている。この重り金属膜21を利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部10,11の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができるようになっている。なお、図2に示すように、重り金属膜21は−Z側面Sには形成されていない。   Further, as shown in FIG. 1, the tip portions of the vibrating arms 10 and 11 are provided with a rough adjustment film 21a and a fine adjustment film 21b for adjusting (frequency adjustment) so as to vibrate within a predetermined frequency range. A weight metal film 21 is formed. By adjusting the frequency using the weight metal film 21, the frequency of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be kept within the range of the nominal frequency of the device. As shown in FIG. 2, the weight metal film 21 is not formed on the −Z side surface S.

(実施形態の変形例、各振動腕部に複数の貫通孔を有する圧電振動片)
次に、本実施形態の変形例について説明する。
図5は、本実施形態の変形例における圧電振動片4の説明図である。
上述の実施形態では、第1の振動腕部10に1個の貫通孔8が形成され、第2の振動腕部11に1個の貫通孔9が形成されていた。これに対して、本実施形態の変形例では、第1の振動腕部10に2個の貫通孔8A,8Bが形成され、第2の振動腕部11に2個の貫通孔9A,9Bが形成されている点で異なっている。なお、実施形態と同様の構成部分については説明を省略する。また、第1の振動腕部10に形成された貫通孔8A,8Bおよび第2の振動腕部11に形成された貫通孔9A,9Bは、同一形状である。したがって、以下では第1の振動腕部10に形成された貫通孔8A,8Bについて説明をし、第2の振動腕部11に形成された貫通孔9A,9Bについては詳細な説明を省略している。
(Modified example of embodiment, piezoelectric vibrating piece having a plurality of through holes in each vibrating arm)
Next, a modification of this embodiment will be described.
FIG. 5 is an explanatory diagram of the piezoelectric vibrating reed 4 according to a modification of the present embodiment.
In the above-described embodiment, one through hole 8 is formed in the first vibrating arm portion 10, and one through hole 9 is formed in the second vibrating arm portion 11. On the other hand, in the modification of the present embodiment, two through holes 8A and 8B are formed in the first vibrating arm portion 10, and two through holes 9A and 9B are formed in the second vibrating arm portion 11. It differs in that it is formed. In addition, description is abbreviate | omitted about the component similar to embodiment. The through holes 8A and 8B formed in the first vibrating arm portion 10 and the through holes 9A and 9B formed in the second vibrating arm portion 11 have the same shape. Therefore, in the following, the through holes 8A and 8B formed in the first vibrating arm portion 10 will be described, and the detailed description of the through holes 9A and 9B formed in the second vibrating arm portion 11 will be omitted. Yes.

図5に示すように、振動腕部10には、振動腕部10,11の+Z側面Fと−Z側面Sとを貫通する貫通孔8Aおよび貫通孔8Bが形成されている。
貫通孔8Aおよび貫通孔8Bは、Z方向平面視略矩形状の同一形状に形成されており、X方向に一定幅を有し、Y方向に沿って延在している。
貫通孔8Aおよび貫通孔8Bは、Y方向に沿って縦列に並んで形成されている。振動腕部10の−Y側には貫通孔8Aが形成されており、貫通孔8Aの−Y側端は、振動腕部10と基部12との接続部近傍に配置されている。また、貫通孔8A+Y側には貫通孔8Bが形成されており、貫通孔8Bの+Y側端は、振動腕部10のY方向における略中央に配置されている。
As shown in FIG. 5, the vibrating arm portion 10 is formed with a through hole 8 </ b> A and a through hole 8 </ b> B that penetrate the + Z side surface F and the −Z side surface S of the vibrating arm portions 10 and 11.
The through hole 8A and the through hole 8B are formed in the same shape that is substantially rectangular in a plan view in the Z direction, have a certain width in the X direction, and extend along the Y direction.
The through holes 8A and the through holes 8B are formed in a line along the Y direction. A through hole 8 </ b> A is formed on the −Y side of the vibrating arm portion 10, and the −Y side end of the through hole 8 </ b> A is disposed in the vicinity of the connection portion between the vibrating arm portion 10 and the base portion 12. Further, a through hole 8B is formed on the through hole 8A + Y side, and the + Y side end of the through hole 8B is disposed at a substantially center in the Y direction of the vibrating arm portion 10.

ここで、振動腕部10,11の剛性に依存する特性として、ドライブレベル特性が知られている。ドライブレベル特性とは、駆動電圧の変動に対する圧電振動片4の振動周波数の変動特性をいう。具体的には、圧電振動片4に印加する電圧をV1からV2に上昇させると、周波数はf0からf1に上昇する。そして、圧電振動片4に印加する電圧をV2から再度V1に戻したとき、周波数はf1からf0周波数に戻らずにf0よりも低い値f2となる。この振動周波数の変動値Δf(f0とf2との差)の特性のことをドライブレベル特性という。なお、Δfの振れ幅が小さいほど、ドライブレベル特性は良好であり、圧電振動片4は高性能であるといえる。   Here, a drive level characteristic is known as a characteristic depending on the rigidity of the vibrating arm portions 10 and 11. The drive level characteristic means a fluctuation characteristic of the vibration frequency of the piezoelectric vibrating piece 4 with respect to a fluctuation of the driving voltage. Specifically, when the voltage applied to the piezoelectric vibrating piece 4 is increased from V1 to V2, the frequency increases from f0 to f1. When the voltage applied to the piezoelectric vibrating reed 4 is returned from V2 to V1, the frequency does not return from f1 to f0 frequency, but becomes a value f2 lower than f0. The characteristic of the fluctuation value Δf (the difference between f0 and f2) of the vibration frequency is referred to as a drive level characteristic. It can be said that the smaller the fluctuation width of Δf, the better the drive level characteristics and the higher the performance of the piezoelectric vibrating reed 4.

本変形例によれば、貫通孔8Aと貫通孔8Bとの間には、X方向に沿った壁部6(6a)が形成されるので、貫通孔8Aおよび貫通孔8Bの合計した開口面積と同一の開口面積を有する貫通孔8を1個形成したときよりも振動腕部10,11の剛性を確保できる。これにより、所望のドライブレベル特性を有する圧電振動片4を形成できる。   According to this modification, since the wall 6 (6a) along the X direction is formed between the through hole 8A and the through hole 8B, the total opening area of the through hole 8A and the through hole 8B The rigidity of the vibrating arm portions 10 and 11 can be ensured as compared with the case where one through hole 8 having the same opening area is formed. Thereby, the piezoelectric vibrating piece 4 having a desired drive level characteristic can be formed.

(圧電振動片の製造方法)
次に、上述した圧電振動片4の製造方法について、フローチャートを参照しながら以下に説明する。
図6は、圧電振動片4の製造工程のフローチャートである。
図6に示すように本実施形態の圧電振動片4の製造工程は、水晶ウエハ(請求項の「圧電ウエハ」に相当。)を準備(S100)した後、水晶ウエハに後の圧電振動片4となる振動片外形部(請求項の「圧電板」に相当。)を複数形成する外形形成工程S110と、各電極を水晶ウエハに形成する電極形成工程S120と、共振周波数を調整する周波数調整工程S130と、1枚の水晶ウエハから複数の圧電振動片4を切り離す小片化工程S140とを備えている。以下に各工程の詳細を説明する。
(Method for manufacturing piezoelectric vibrating piece)
Next, a method for manufacturing the piezoelectric vibrating reed 4 described above will be described below with reference to a flowchart.
FIG. 6 is a flowchart of the manufacturing process of the piezoelectric vibrating piece 4.
As shown in FIG. 6, in the manufacturing process of the piezoelectric vibrating reed 4 of this embodiment, after preparing a crystal wafer (corresponding to “piezoelectric wafer” in claims) (S100), the piezoelectric vibrating reed 4 subsequent to the crystal wafer is prepared. An outer shape forming step S110 for forming a plurality of vibrating piece outer shape portions (corresponding to “piezoelectric plates” in the claims), an electrode forming step S120 for forming each electrode on a crystal wafer, and a frequency adjusting step for adjusting the resonance frequency S130 and a fragmentation step S140 for separating the plurality of piezoelectric vibrating reeds 4 from one crystal wafer. Details of each step will be described below.

まず、ポリッシングが終了し、所定の厚みに高精度に仕上げられた水晶ウエハを準備する(S100)。次いで、水晶ウエハに圧電振動片4(図1参照)の外形形状を有する振動片外形部4aおよび貫通孔8,9(図11参照)を形成する外形形成工程S110を行う。   First, polishing is completed, and a crystal wafer finished to a predetermined thickness with high accuracy is prepared (S100). Next, an outer shape forming step S110 is performed in which the resonator element outer portion 4a having the outer shape of the piezoelectric resonator element 4 (see FIG. 1) and the through holes 8 and 9 (see FIG. 11) are formed on the quartz wafer.

(外形形成工程S110)
図7は、外形形成工程S110のフローチャートである。
図7に示すように、外形形成工程S110は、水晶ウエハの表面に成膜したマスク用金属膜から圧電振動片4の外形形状を有するマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程S112と、水晶ウエハをエッチングするウエハエッチング工程S114と、を備えている。
(Outline forming step S110)
FIG. 7 is a flowchart of the outer shape forming step S110.
As shown in FIG. 7, the outer shape forming step S110 includes a mask pattern forming step S112 for forming a mask pattern having the outer shape of the piezoelectric vibrating reed 4 from a mask metal film formed on the surface of the quartz wafer, and a quartz wafer. Wafer etching step S114 for etching.

(マスクパターン形成工程S112)
図8は、マスクパターン形成工程S112の説明図である。
図8に示すように、マスクパターン形成工程S112では、まず、水晶ウエハWの+Z側面Fおよび−Z側面Sの両面にマスク用金属膜74をそれぞれ成膜する(S112A)。マスク用金属膜74は、例えばクロムからなる下地膜74aと、金からなる仕上膜74bとの積層膜であり、それぞれスパッタリング法や蒸着法等により成膜される。
(Mask pattern forming step S112)
FIG. 8 is an explanatory diagram of the mask pattern forming step S112.
As shown in FIG. 8, in the mask pattern forming step S112, first, a mask metal film 74 is formed on each of the + Z side surface F and the -Z side surface S of the crystal wafer W (S112A). The mask metal film 74 is a laminated film of a base film 74a made of chromium and a finish film 74b made of gold, for example, and is formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like.

次に、マスク用金属膜74に重ねてフォトレジスト膜75を形成する(S112B)。具体的には、マスク用金属膜74上に、スピンコート法等によりフォトレジスト材を塗布し、その後、フォトレジスト材をプリベークして有機溶剤を蒸発させることで、フォトレジスト膜75が形成される。   Next, a photoresist film 75 is formed over the mask metal film 74 (S112B). Specifically, the photoresist film 75 is formed by applying a photoresist material on the mask metal film 74 by spin coating or the like, and then pre-baking the photoresist material to evaporate the organic solvent. .

図9は、マスクパターン形成工程S112の説明図である。
次に、図9に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジスト膜75にレジストパターンを形成する(S112C)。なお、フォトレジスト材には、露光された部分が軟化して除去されるポジ型レジストと、露光された部分が硬化して残存するネガ型レジストとがあるが、本実施形態ではポジ型レジストを例にして説明する。
FIG. 9 is an explanatory diagram of the mask pattern forming step S112.
Next, as shown in FIG. 9, a resist pattern is formed on the photoresist film 75 by using a photolithography technique (S112C). Photoresist materials include a positive resist in which an exposed portion is softened and removed, and a negative resist in which an exposed portion is cured and remains. In this embodiment, a positive resist is used. An example will be described.

マスクパターン形成工程S112では、露光用マスク80を配置し、水晶ウエハWの+Z側および−Z側から紫外線Kを照射してフォトレジスト膜75を露光する。露光用マスク80は、圧電振動片4の外形に相当する領域に形成されている。露光が終了したら、露光用マスク80を取り除く。   In the mask pattern forming step S112, an exposure mask 80 is disposed, and the photoresist film 75 is exposed by irradiating ultraviolet rays K from the + Z side and the −Z side of the crystal wafer W. The exposure mask 80 is formed in a region corresponding to the outer shape of the piezoelectric vibrating piece 4. When the exposure is completed, the exposure mask 80 is removed.

次に、水晶ウエハWを現像液に浸漬し、フォトレジスト膜75を現像する。これにより、紫外線Kが露光された領域のフォトレジスト膜75のみが選択的に除去され、圧電振動片4の外形形状にフォトレジスト膜75が残存した状態のレジストパターンが複数形成される。   Next, the quartz wafer W is immersed in a developer, and the photoresist film 75 is developed. As a result, only the photoresist film 75 in the region exposed to the ultraviolet K is selectively removed, and a plurality of resist patterns in which the photoresist film 75 remains in the outer shape of the piezoelectric vibrating piece 4 is formed.

図10は、マスクパターンの説明図である。
続いて、このフォトレジスト膜75のレジストパターンをマスクとして、マスク用金属膜74に対してエッチング加工を行い、マスクされていないマスク用金属膜74を選択的に除去する(S112D)。そして、エッチング加工後にフォトレジスト膜75を除去する。これにより、図10に示すように、圧電振動片4の外形形状に対応したマスクパターンを形成できる。以上で、マスクパターン形成工程S112が終了する。
FIG. 10 is an explanatory diagram of a mask pattern.
Subsequently, the mask metal film 74 is etched using the resist pattern of the photoresist film 75 as a mask, and the mask metal film 74 that is not masked is selectively removed (S112D). Then, the photoresist film 75 is removed after the etching process. Thereby, as shown in FIG. 10, a mask pattern corresponding to the outer shape of the piezoelectric vibrating piece 4 can be formed. Thus, the mask pattern forming step S112 is completed.

(ウエハエッチング工程S114)
図11は、図10のB−B線に沿った断面図である。
最後に、図11に示すように、マスクパターンを介して水晶ウエハWをエッチングするウエハエッチング工程S114を行う。本実施形態のウエハエッチング工程S114では、例えばフッ素系のエッチング液に浸漬してエッチング加工する、いわゆるウエットエッチングを行っている。これにより、貫通孔8,9を有し、後の圧電振動片4となる複数の振動片外形部4aが形成される。なお、複数の振動片外形部4aは、後に行う小片化工程S140まで、図示しない連結部を介して水晶ウエハWに連結された状態となっている。
ここで、水晶ウエハWの+Z側および−Z側の両側からエッチング加工が行われるので、後に形成される圧電振動片4は、Z方向に沿って外形が均一に形成される。したがって、一対の振動腕部10,11を精度よく形成できるので、安定した周波数特性を有する圧電振動片4を形成できる。
以上で、外形形成工程S110が終了する。
(Wafer Etching Step S114)
11 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
Finally, as shown in FIG. 11, a wafer etching step S114 for etching the crystal wafer W through the mask pattern is performed. In the wafer etching step S114 of the present embodiment, so-called wet etching is performed in which etching is performed by immersion in a fluorine-based etching solution, for example. As a result, a plurality of vibrating piece outer portions 4 a having the through holes 8 and 9 and serving as the subsequent piezoelectric vibrating piece 4 are formed. The plurality of vibrating piece outer portions 4a are in a state of being connected to the crystal wafer W through a connecting portion (not shown) until the fragmenting step S140 to be performed later.
Here, since the etching process is performed from both the + Z side and the −Z side of the crystal wafer W, the piezoelectric vibrating reed 4 formed later has a uniform outer shape along the Z direction. Therefore, since the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be formed with high accuracy, the piezoelectric vibrating piece 4 having stable frequency characteristics can be formed.
Thus, the outer shape forming step S110 is completed.

(電極形成工程S120)
図12は、電極形成工程S120のフローチャートである。
次に、振動片外形部4aが形成された水晶ウエハWの表面に、励振電極13,14、引き出し電極19,20およびマウント電極16,17電極(いずれも図1参照)の各電極を形成する電極形成工程S120を行う。
図12に示すように、電極形成工程S120は、水晶ウエハWの表面に電極用金属膜を成膜する金属膜成膜工程S121と、電極用金属膜に重ねてフォトレジスト膜(感光性材料膜)を成膜するフォトレジスト膜成膜工程S123(感光性材料膜成膜工程)と、フォトレジスト膜を露光する露光工程S125と、フォトレジスト膜を選択的に除去してマスクパターンを形成する現像工程S127と、マスクパターンを介して電極用金属膜のエッチングを行い、各電極を形成する金属膜エッチング工程S129と、を有している。
(Electrode forming step S120)
FIG. 12 is a flowchart of the electrode formation step S120.
Next, the electrodes of the excitation electrodes 13 and 14, the extraction electrodes 19 and 20, and the mount electrodes 16 and 17 (both see FIG. 1) are formed on the surface of the crystal wafer W on which the resonator element outer shape portion 4 a is formed. An electrode forming step S120 is performed.
As shown in FIG. 12, the electrode forming step S120 includes a metal film forming step S121 for forming an electrode metal film on the surface of the crystal wafer W, and a photoresist film (photosensitive material film) overlaid on the electrode metal film. ) A photoresist film forming step S123 (photosensitive material film forming step), an exposure step S125 for exposing the photoresist film, and a development for selectively removing the photoresist film to form a mask pattern Step S127 and a metal film etching step S129 for etching the metal film for electrodes through the mask pattern to form each electrode.

(金属膜成膜工程S121)
図13は、金属膜成膜工程S121およびフォトレジスト膜成膜工程S123の説明図である。
図13に示すように、電極形成工程S120では、のちの励振電極13,14(図1参照)となる電極用金属膜84を、水晶ウエハWに成膜する金属膜成膜工程S121を行う。本実施形態では、水晶ウエハWの+Z側からのみスパッタ法や真空蒸着法等により金属材料を塗布して、のちの各電極となる電極用金属膜84を成膜している。
電極用金属膜84は、下地膜84aとして、水晶と密着性の良いクロムの膜が成膜される。さらに、下地膜84aの上から仕上膜84bとして金の薄膜が成膜される。
ここで、図13に示すように、水晶ウエハWには、貫通孔8,9が形成されている。したがって、金属膜成膜工程S121では、水晶ウエハWの+Z側のみからクロムおよび金を塗布することで、貫通孔8,9の内側面8a〜8d,9a〜9d(図1参照)の全体に電極用金属膜84を成膜できる。
(Metal film forming step S121)
FIG. 13 is an explanatory diagram of the metal film forming step S121 and the photoresist film forming step S123.
As shown in FIG. 13, in the electrode forming step S120, a metal film forming step S121 for forming an electrode metal film 84 to be the excitation electrodes 13 and 14 (see FIG. 1) on the crystal wafer W is performed. In the present embodiment, a metal material is applied only from the + Z side of the quartz wafer W by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like, and the electrode metal film 84 to be each electrode later is formed.
In the electrode metal film 84, a chromium film having good adhesion to the crystal is formed as the base film 84a. Further, a gold thin film is formed as a finishing film 84b on the base film 84a.
Here, as shown in FIG. 13, the through-holes 8 and 9 are formed in the crystal wafer W. Therefore, in the metal film forming step S121, the inner surfaces 8a to 8d and 9a to 9d (see FIG. 1) of the through holes 8 and 9 are entirely applied by applying chromium and gold only from the + Z side of the crystal wafer W. An electrode metal film 84 can be formed.

ところで、従来技術では、図22に示すように、振動腕部203に貫通孔が形成されておらず、振動腕部203の両主面に溝部205,206が形成されている。したがって、従来技術では、金属膜成膜工程S121において、水晶ウエハに形成された溝部205,206の内側面205a,206aに電極用金属膜を成膜するために、水晶ウエハの+Z側および−Z側から2回金属膜成膜工程S121を行う必要がある。これにより、振動腕部203の外側面203aに形成される電極用金属膜84の膜厚が必要以上に厚くなるおそれがあった。
しかし、本実施形態によれば、図13に示すように、水晶ウエハWの+Z側から1回のみ金属膜成膜工程S121を行っているので、振動片外形部4aの外側面に形成される電極用金属膜84が必要以上に厚くなるのを防止できる。特に、振動片外形部4aの外側面のうち、後の又部25(図4参照)となる部分において、電極用金属膜84の膜厚が必要以上に厚くなるのを防止できる。したがって、後の金属膜エッチング工程S129において、後の又部25(図4参照)となる部分に電極用金属膜84が残存するのを抑制できる。これにより、又部25における励振電極13,14(図4参照)のショート等の製造不良の発生を防止できる。
By the way, in the prior art, as shown in FIG. 22, the through-hole is not formed in the vibrating arm portion 203, and the groove portions 205 and 206 are formed on both main surfaces of the vibrating arm portion 203. Therefore, in the prior art, in the metal film forming step S121, in order to form the electrode metal film on the inner surfaces 205a and 206a of the grooves 205 and 206 formed in the crystal wafer, the + Z side and −Z side of the crystal wafer are formed. It is necessary to perform the metal film forming step S121 twice from the side. As a result, the film thickness of the electrode metal film 84 formed on the outer surface 203a of the vibrating arm portion 203 may be unnecessarily thick.
However, according to the present embodiment, as shown in FIG. 13, since the metal film forming step S121 is performed only once from the + Z side of the crystal wafer W, the crystal wafer W is formed on the outer surface of the resonator element outer portion 4a. It is possible to prevent the electrode metal film 84 from becoming thicker than necessary. In particular, it is possible to prevent the electrode metal film 84 from becoming unnecessarily thick at the portion that becomes the rear portion 25 (see FIG. 4) of the outer surface of the resonator element outer portion 4a. Therefore, in the subsequent metal film etching step S129, it is possible to suppress the electrode metal film 84 from remaining in the portion that becomes the subsequent back portion 25 (see FIG. 4). Thereby, it is possible to prevent the occurrence of manufacturing defects such as short-circuiting of the excitation electrodes 13 and 14 (see FIG. 4) in the portion 25.

(フォトレジスト膜成膜工程S123)
続いて、電極用金属膜84に重ねてフォトレジスト膜85を成膜するフォトレジスト膜成膜工程S123を行う。なお、前述のとおりフォトレジスト材には、露光された部分が軟化して除去されるポジ型レジストと、露光された部分が硬化して残存するネガ型レジストとがあるが、本実施形態ではポジ型レジストを成膜している。フォトレジスト膜85は、電極用金属膜84に重ねて水晶ウエハWの+Z側からスプレーコート法により成膜される。
(Photoresist film forming step S123)
Subsequently, a photoresist film forming step S123 for forming a photoresist film 85 on the electrode metal film 84 is performed. As described above, the photoresist material includes a positive resist in which the exposed portion is softened and removed, and a negative resist in which the exposed portion is cured and remains. Type resist is deposited. The photoresist film 85 is deposited on the electrode metal film 84 by spray coating from the + Z side of the crystal wafer W.

ここで、前述のとおり水晶ウエハWには、貫通孔8,9が形成されている。したがって、フォトレジスト膜成膜工程S123では、金属膜成膜工程S121と同様に、水晶ウエハWの+Z側のみからフォトレジスト材を塗布することで、貫通孔8,9の内側面8a〜8d,9a〜9d(図1参照)の全体に電極用金属膜84に重ねてフォトレジスト膜85を成膜できる。   Here, as described above, the through-holes 8 and 9 are formed in the crystal wafer W. Therefore, in the photoresist film forming step S123, as in the metal film forming step S121, by applying a photoresist material only from the + Z side of the crystal wafer W, the inner side surfaces 8a to 8d of the through holes 8, 9 A photoresist film 85 can be formed over the electrode metal film 84 over the entirety of 9a to 9d (see FIG. 1).

(露光工程S125)
図14は、露光工程S125の説明図である。
図14に示すように、露光工程S125では、開口部90aを有するフォトマスク90をフォトレジスト膜85に向けた状態でセットする。
(Exposure step S125)
FIG. 14 is an explanatory diagram of the exposure step S125.
As shown in FIG. 14, in the exposure step S <b> 125, the photomask 90 having the opening 90 a is set in a state facing the photoresist film 85.

露光工程S125では、開口部90aを介してフォトレジスト膜85に紫外線Kを照射する。フォトマスク90の開口部90aは、フォトレジスト膜85を除去したい領域であって、後述の金属膜エッチング工程S129で電極用金属膜84を除去したい領域に対応して形成されている。換言すれば、フォトマスク90の開口部90aは、励振電極13,14、引き出し電極19,20およびマウント電極16,17電極(いずれも図1参照)の各電極を形成しない領域に対応して形成される。露光が終了したら、フォトマスク90を取り除く。   In the exposure step S125, the photoresist film 85 is irradiated with ultraviolet rays K through the opening 90a. The opening 90a of the photomask 90 is a region where the photoresist film 85 is desired to be removed, and is formed corresponding to a region where the electrode metal film 84 is desired to be removed in a metal film etching step S129 described later. In other words, the opening 90a of the photomask 90 is formed corresponding to a region where the excitation electrodes 13 and 14, the extraction electrodes 19 and 20 and the mount electrodes 16 and 17 electrodes (both see FIG. 1) are not formed. Is done. When the exposure is completed, the photomask 90 is removed.

ここで、フォトレジスト膜成膜工程S123は、水晶ウエハWの+Z側のみからフォトレジスト膜を成膜している。このため、フォトレジスト膜85は、主に水晶ウエハWの+Z側面Fに成膜され、−Z側面Sには成膜されない。したがって、水晶ウエハWの+Z側のみからフォトレジスト膜85を露光すればよいので、従来技術のように、高価な両面露光装置を導入したり、一対のフォトマスクを準備して水晶ウエハWの+Z側面Fおよび−Z側面S上の所定位置に配置したりする必要がない。   Here, in the photoresist film forming step S123, a photoresist film is formed only from the + Z side of the crystal wafer W. Therefore, the photoresist film 85 is mainly formed on the + Z side surface F of the crystal wafer W and is not formed on the −Z side surface S. Therefore, since the photoresist film 85 has only to be exposed from the + Z side of the quartz wafer W, an expensive double-side exposure apparatus is introduced as in the prior art, or a pair of photomasks are prepared and + Z of the quartz wafer W is prepared. There is no need to place them at predetermined positions on the side surface F and the -Z side surface S.

(現像工程S127)
続いて、フォトレジスト膜85が成膜された水晶ウエハWを現像液に浸漬してフォトレジスト膜85を選択的に除去し、レジストパターンを形成する現像工程S127を行う。
現像工程S127では、フォトマスク90の開口部90aを介して紫外線Kが露光された領域、すなわち、励振電極13,14、引き出し電極19,20およびマウント電極16,17電極(いずれも図1参照)の各電極を形成しない領域に対応したフォトレジスト膜85が除去される。
(Development step S127)
Subsequently, the quartz wafer W on which the photoresist film 85 is formed is immersed in a developing solution to selectively remove the photoresist film 85, and a developing process S127 for forming a resist pattern is performed.
In the development step S127, regions exposed to ultraviolet K through the opening 90a of the photomask 90, that is, excitation electrodes 13 and 14, extraction electrodes 19 and 20, and mount electrodes 16 and 17 (both refer to FIG. 1). The photoresist film 85 corresponding to the region where each electrode is not formed is removed.

(金属膜エッチング工程S129)
次に、レジストパターンをマスクとして電極用金属膜84のエッチングを行い、各電極を形成する金属膜エッチング工程S129を行う。本工程では、レジストパターンによりマスクされている電極用金属膜84を残し、レジストパターンによりマスクされていない電極用金属膜84を選択的に除去する。金属膜エッチング工程S129により、圧電振動片4の励振電極13,14、引き出し電極19,20およびマウント電極16,17が形成される(図1参照)。
なお、図1に示す励振電極13,14および引き出し電極19,20は、金の仕上膜84bを剥離することにより、クロムの下地膜84aの単層膜により形成される。また、マウント電極16,17は、クロムの下地膜84aおよび金の仕上膜84bを残すことにより、クロムの下地膜84aおよび金の仕上膜84bの積層膜で形成される。
金属膜エッチング工程S129が終了した時点で、電極形成工程S120が終了する。
(Metal film etching step S129)
Next, the electrode metal film 84 is etched using the resist pattern as a mask, and a metal film etching step S129 for forming each electrode is performed. In this step, the electrode metal film 84 masked with the resist pattern is left, and the electrode metal film 84 not masked with the resist pattern is selectively removed. Through the metal film etching step S129, the excitation electrodes 13 and 14, the extraction electrodes 19 and 20 and the mount electrodes 16 and 17 of the piezoelectric vibrating piece 4 are formed (see FIG. 1).
The excitation electrodes 13 and 14 and the extraction electrodes 19 and 20 shown in FIG. 1 are formed of a single layer film of a chromium base film 84a by peeling off the gold finish film 84b. Further, the mount electrodes 16 and 17 are formed of a laminated film of a chromium base film 84a and a gold finish film 84b by leaving a chromium base film 84a and a gold finish film 84b.
When the metal film etching step S129 is finished, the electrode forming step S120 is finished.

(周波数調整工程S130)
次に、一対の振動腕部10,11の先端に周波数調整用の粗調膜21a及び微調膜21bからなる重り金属膜21(例えば、銀や金等)を形成する(図1参照)。そして、水晶ウエハWに形成された全ての振動腕部10,11に対して、共振周波数を粗く調整する周波数調整工程S130を行う。重り金属膜21の粗調膜21aおよび21bにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、圧電振動子30(図15参照)の状態で行う。以上で、周波数調整工程S130が終了する。
(Frequency adjustment step S130)
Next, a weight metal film 21 (for example, silver, gold, or the like) composed of a frequency adjustment coarse adjustment film 21a and a fine adjustment film 21b is formed at the tips of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 (see FIG. 1). Then, a frequency adjustment step S130 for roughly adjusting the resonance frequency is performed on all the vibrating arm portions 10 and 11 formed on the quartz wafer W. The coarse adjustment films 21a and 21b of the weight metal film 21 are irradiated with laser light to evaporate a part thereof and change the weight. The fine adjustment for adjusting the resonance frequency with higher accuracy is performed in the state of the piezoelectric vibrator 30 (see FIG. 15). Above, frequency adjustment process S130 is complete | finished.

(小片化工程S140)
最後に水晶ウエハWから振動片外形部4a(図14参照)を切断して、複数の圧電振動片4を小片化する小片化工程S140を行う。これにより、1枚の水晶ウエハWから、音叉型の圧電振動片4を一度に複数製造することができる。この時点で、圧電振動片4の製造工程が終了し、圧電振動片4を複数得ることができる。
(Smallization step S140)
Finally, the vibration piece outer shape portion 4a (see FIG. 14) is cut from the quartz wafer W, and a fragmentation step S140 is performed in which the plurality of piezoelectric vibration pieces 4 are fragmented. As a result, a plurality of tuning-fork type piezoelectric vibrating reeds 4 can be manufactured from one crystal wafer W at a time. At this time, the manufacturing process of the piezoelectric vibrating reed 4 is completed, and a plurality of piezoelectric vibrating reeds 4 can be obtained.

(効果)
本実施形態によれば、振動腕部10,11に貫通孔8,9を形成することで、振動腕部10,11の+Z側面Fと−Z側面Sとを接続する内側面8a〜8d,9a〜9dが形成される。したがって、水晶ウエハの+Z側から金属材料およびフォトレジスト材を塗布することにより、振動腕部10,11のY方向に沿った内側面8a,8c,9a,9cに電極用金属膜84およびフォトレジスト膜85を成膜でき、励振電極13,14を形成できる。
また、マウント電極16,17および引き出し電極19,20は、基部12の+Z側面Fのみに形成されており、−Z側面Sには形成されていない。したがって、水晶ウエハWの+Z側から金属材料およびフォトレジスト材を塗布することにより、基部12の+Z側面Fに電極用金属膜84およびフォトレジスト膜85を成膜でき、マウント電極16,17および引き出し電極19,20を形成できる。
また、水晶ウエハWの−Z側面Sには、電極形成工程S120においてフォトレジスト膜85を成膜していないので、水晶ウエハWの+Z側のみからフォトレジスト膜85を露光すればよい。これにより、従来技術のように、高価な両面露光装置を導入したり、一対のフォトマスクを準備して水晶ウエハWの+Z側面Fおよび−Z側面Sの両面上に配置したりする必要がない。
このように、電極形成工程S120において、水晶ウエハWの+Z側のみから電極用金属膜84の成膜、フォトレジスト膜85の成膜および露光を行って各電極を形成できる。したがって、本実施形態は、水晶ウエハWの+Z側および−Z側の両側から電極用金属膜84の成膜、フォトレジスト膜85の成膜および露光を行って各電極を形成する従来技術と比較して、工数の削減および製造装置の簡略化ができ、低コストな圧電振動片4を形成できる。
(effect)
According to the present embodiment, by forming the through holes 8 and 9 in the vibrating arm portions 10 and 11, the inner side surfaces 8 a to 8 d that connect the + Z side surface F and the −Z side surface S of the vibrating arm portions 10 and 11, 9a to 9d are formed. Therefore, by applying a metal material and a photoresist material from the + Z side of the quartz wafer, the electrode metal film 84 and the photoresist are formed on the inner side surfaces 8a, 8c, 9a, and 9c along the Y direction of the vibrating arm portions 10 and 11. The film 85 can be formed, and the excitation electrodes 13 and 14 can be formed.
Further, the mount electrodes 16 and 17 and the extraction electrodes 19 and 20 are formed only on the + Z side surface F of the base portion 12 and are not formed on the −Z side surface S. Therefore, by applying a metal material and a photoresist material from the + Z side of the crystal wafer W, the electrode metal film 84 and the photoresist film 85 can be formed on the + Z side surface F of the base portion 12, and the mount electrodes 16, 17 and the lead electrodes are extracted. Electrodes 19 and 20 can be formed.
Further, since the photoresist film 85 is not formed on the −Z side surface S of the quartz wafer W in the electrode forming step S120, the photoresist film 85 may be exposed only from the + Z side of the quartz wafer W. Accordingly, it is not necessary to introduce an expensive double-side exposure apparatus or prepare a pair of photomasks and dispose them on both the + Z side surface F and the −Z side surface S of the quartz wafer W as in the prior art. .
As described above, in the electrode forming step S120, each electrode can be formed by forming the electrode metal film 84, forming the photoresist film 85, and exposing only from the + Z side of the crystal wafer W. Therefore, the present embodiment is compared with the prior art in which the electrodes are formed by forming the electrode metal film 84, forming the photoresist film 85 and exposing from both the + Z side and the −Z side of the quartz wafer W. Thus, the man-hours can be reduced and the manufacturing apparatus can be simplified, and the low-cost piezoelectric vibrating reed 4 can be formed.

また、本実施形態によれば、励振電極13,14は、貫通孔8,9の内側面8a,8c,9a,9c、振動腕部10,11の+X側面10a,11aおよび振動腕部10,11の−X側面10b,11bにおいてZ方向の全体にわたって形成されている。これにより、振動腕部10,11のZ方向の全体にわたって、振動腕部10,11のX方向に沿う方向に電界を形成できる。したがって、効率よく振動腕部10,11を振動させることができるので、損失の少ない圧電振動片4を形成できる。   Further, according to the present embodiment, the excitation electrodes 13 and 14 include the inner side surfaces 8a, 8c, 9a and 9c of the through holes 8 and 9, the + X side surfaces 10a and 11a of the vibrating arm portions 10 and 11, and the vibrating arm portion 10 and 11 are formed over the entire Z direction on the −X side surfaces 10b and 11b. Accordingly, an electric field can be formed in the direction along the X direction of the vibrating arm portions 10 and 11 over the entire Z direction of the vibrating arm portions 10 and 11. Therefore, since the vibrating arm portions 10 and 11 can be vibrated efficiently, the piezoelectric vibrating reed 4 with less loss can be formed.

本実施形態によれば、水晶ウエハWの+Z側および−Z側の両側からウエハエッチング工程S114を行うので、振動片外形部4aの厚さ方向に沿って、外形を均一に形成できる。したがって、一対の振動腕部10,11を精度よく形成できるので、安定した周波数特性を有する圧電振動片4を形成できる。
また、本実施形態によれば、一度のウエハエッチング工程S114で圧電振動片4の振動片外形部4aおよび貫通孔8,9を同時に形成できる。したがって、圧電振動片4の振動片外形部4aをエッチングした後、ハーフエッチングして溝部205,206(図22参照)を形成する従来技術と比較して、ウエハエッチング工程S114を簡略化できる。
According to the present embodiment, since the wafer etching step S114 is performed from both the + Z side and the −Z side of the quartz wafer W, the outer shape can be formed uniformly along the thickness direction of the resonator element outer portion 4a. Therefore, since the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be formed with high accuracy, the piezoelectric vibrating piece 4 having stable frequency characteristics can be formed.
In addition, according to the present embodiment, the vibrating piece outer shape portion 4a and the through holes 8 and 9 of the piezoelectric vibrating piece 4 can be simultaneously formed in one wafer etching step S114. Therefore, the wafer etching step S114 can be simplified as compared with the conventional technique in which the groove portions 205 and 206 (see FIG. 22) are formed by half-etching after the vibration piece outer portion 4a of the piezoelectric vibration piece 4 is etched.

本実施形態によれば、電極形成工程S120において、金属膜成膜工程S121、フォトレジスト膜成膜工程S123および露光工程S125は、水晶ウエハWの+Z側からのみ行われるので、水晶ウエハWの+Z側および−Z側の両側から金属膜成膜工程S121、フォトレジスト膜成膜工程S123および露光工程S125を行う従来技術と比較して、工数の削減および製造装置の簡略化ができる。したがって、低コストな圧電振動片4を形成できる。   According to the present embodiment, in the electrode formation step S120, the metal film formation step S121, the photoresist film formation step S123, and the exposure step S125 are performed only from the + Z side of the crystal wafer W. Compared to the prior art in which the metal film forming step S121, the photoresist film forming step S123, and the exposure step S125 are performed from both sides on the side and the −Z side, man-hours can be reduced and the manufacturing apparatus can be simplified. Therefore, the low-cost piezoelectric vibrating piece 4 can be formed.

(圧電振動子)
次に、本実施形態の圧電振動片4を用いた圧電振動子について説明する。
図15は、圧電振動子30の外観斜視図である。
図16は、圧電振動子30の内部構成図であって、リッド基板32を取り外した状態の平面図である。
図17は、図16のC−C線に沿った断面図である。
図18は、図15に示す圧電振動子30の分解斜視図である。
なお、ベース基板31のリッド基板32との接合面を第1面Uとし、ベース基板31の外側の面を第2面Lとして説明する。
(Piezoelectric vibrator)
Next, a piezoelectric vibrator using the piezoelectric vibrating piece 4 of the present embodiment will be described.
FIG. 15 is an external perspective view of the piezoelectric vibrator 30.
FIG. 16 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator 30 and is a plan view in a state where the lid substrate 32 is removed.
17 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
18 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator 30 shown in FIG.
In the following description, the bonding surface of the base substrate 31 to the lid substrate 32 is a first surface U, and the outer surface of the base substrate 31 is a second surface L.

図15に示すように、本実施形態の圧電振動子30は、ベース基板31およびリッド基板32が接合膜37を介して陽極接合されたパッケージと、図17に示すように、パッケージのキャビティCに収納された圧電振動片4と、を備えた表面実装型の圧電振動子30である。   As shown in FIG. 15, the piezoelectric vibrator 30 of this embodiment includes a package in which a base substrate 31 and a lid substrate 32 are anodically bonded via a bonding film 37, and a cavity C of the package as shown in FIG. This is a surface-mount type piezoelectric vibrator 30 having a piezoelectric vibrating piece 4 housed therein.

ベース基板31およびリッド基板32は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板であり、略板状に形成されている。リッド基板32におけるベース基板31との接合面側には、圧電振動片4を収容するキャビティ用凹部32aが形成されている。
リッド基板32には、ベース基板31との接合面側の全体に、陽極接合用の接合膜37が形成されている。本実施形態の接合膜37はシリコン膜で形成されており、この接合膜37とベース基板31とが陽極接合されてキャビティCが真空封止されている。
The base substrate 31 and the lid substrate 32 are anodic bondable substrates made of a glass material such as soda lime glass, and are formed in a substantially plate shape. A cavity recess 32 a for accommodating the piezoelectric vibrating reed 4 is formed on the side of the lid substrate 32 that is bonded to the base substrate 31.
On the lid substrate 32, a bonding film 37 for anodic bonding is formed on the entire bonding surface side with the base substrate 31. The bonding film 37 of this embodiment is formed of a silicon film, and the bonding film 37 and the base substrate 31 are anodically bonded, and the cavity C is vacuum-sealed.

図17に示すように、圧電振動子30は、ベース基板31を厚さ方向に貫通し、キャビティCの内側と圧電振動子30の外側とを導通する貫通電極35,36を備えている。貫通電極35,36は、ベース基板31を貫通する電極孔33,34内に配置されている。電極孔33,34は、圧電振動子30を形成したときにキャビティC内に収まるように形成される。   As shown in FIG. 17, the piezoelectric vibrator 30 includes through electrodes 35 and 36 that penetrate the base substrate 31 in the thickness direction and conduct the inside of the cavity C and the outside of the piezoelectric vibrator 30. The through electrodes 35 and 36 are disposed in electrode holes 33 and 34 that penetrate the base substrate 31. The electrode holes 33 and 34 are formed so as to be accommodated in the cavity C when the piezoelectric vibrator 30 is formed.

貫通電極35,36は、例えば電極孔33,34に金属ピン(不図示)を挿入したのち、電極孔33,34と金属ピンとの間にガラスフリットを充填して焼成することで形成される。このように、金属ピンとガラスフリットとで電極孔33,34を完全に塞ぐことができるので、キャビティC内の気密を維持しつつ、後述する引き回し電極38,39と外部電極40,41とを導通させる役割を担っている。   The through electrodes 35 and 36 are formed, for example, by inserting a metal pin (not shown) into the electrode holes 33 and 34 and then filling and baking a glass frit between the electrode holes 33 and 34 and the metal pin. Thus, since the electrode holes 33 and 34 can be completely closed by the metal pin and the glass frit, the routing electrodes 38 and 39 and the external electrodes 40 and 41, which will be described later, are electrically connected while maintaining the airtightness in the cavity C. I have a role to let you.

図18に示すように、ベース基板31の第1面U側には、一対の引き回し電極38,39がパターニングされている。一対の引き回し電極38,39のうち、一方の引き回し電極38は、一方の貫通電極35の真上に位置するように形成されている。また、他方の引き回し電極39は、一方の引き回し電極38に隣接した位置から、振動腕部10,11に沿って先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極36の真上に位置するように形成されている。   As shown in FIG. 18, a pair of routing electrodes 38 and 39 are patterned on the first surface U side of the base substrate 31. Of the pair of lead-out electrodes 38 and 39, one lead-out electrode 38 is formed so as to be located immediately above one through-electrode 35. Further, the other lead electrode 39 is routed from the position adjacent to the one lead electrode 38 to the tip side along the vibrating arm portions 10 and 11, and then positioned directly above the other through electrode 36. Is formed.

そして、これら一対の引き回し電極38,39上にそれぞれ金等からなるバンプBが形成されており、バンプBを利用して圧電振動片4の一対のマウント電極16,17(図9参照)が実装されている。具体的には、マウント電極16,17をバンプBに当接させ、接合界面を加熱しつつ圧電振動片4に超音波振動を印加して超音波接合する、いわゆるフリップチップボンディングにより実装される。
ここで、図1に示すように、マウント電極16,17は、圧電振動片4の基部12における+Z側面Fのみに形成されており、図2に示すように、圧電振動片4の基部12における−Z側面Sには形成されていない。したがって、マウント電極16,17が形成された圧電振動片4の+Z側面Fとベース基板31の第1面Uとを対向させて、圧電振動片4の実装を行っている(図17参照)。
これにより、図16に示すように、圧電振動片4の一方のマウント電極16(図1参照)が、一方の引き回し電極38を介して一方の貫通電極35に導通し、他方のマウント電極17が、他方の引き回し電極39を介して他方の貫通電極36に導通する。
A bump B made of gold or the like is formed on each of the pair of lead electrodes 38 and 39, and the pair of mount electrodes 16 and 17 (see FIG. 9) of the piezoelectric vibrating reed 4 are mounted using the bump B. Has been. Specifically, mounting is performed by so-called flip chip bonding in which the mount electrodes 16 and 17 are brought into contact with the bumps B and ultrasonic bonding is performed by applying ultrasonic vibration to the piezoelectric vibrating piece 4 while heating the bonding interface.
Here, as shown in FIG. 1, the mount electrodes 16 and 17 are formed only on the + Z side surface F of the base portion 12 of the piezoelectric vibrating piece 4, and as shown in FIG. 2, the mount electrodes 16 and 17 are formed on the base portion 12 of the piezoelectric vibrating piece 4. -Z is not formed on the side surface S. Therefore, the piezoelectric vibrating reed 4 is mounted with the + Z side surface F of the piezoelectric vibrating reed 4 on which the mount electrodes 16 and 17 are formed facing the first surface U of the base substrate 31 (see FIG. 17).
As a result, as shown in FIG. 16, one mount electrode 16 (see FIG. 1) of the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to one through electrode 35 via one routing electrode 38, and the other mount electrode 17 is Then, the other through electrode 36 is conducted through the other lead-out electrode 39.

ベース基板31の第2面Lには、一対の外部電極40,41が形成されている。一対の外部電極40,41は、ベース基板31の長手方向(図17における左右方向)の両端部に形成され、一対の貫通電極35,36に対してそれぞれ電気的に接続されている。   A pair of external electrodes 40 and 41 is formed on the second surface L of the base substrate 31. The pair of external electrodes 40 and 41 are formed at both ends of the base substrate 31 in the longitudinal direction (left and right direction in FIG. 17), and are electrically connected to the pair of through electrodes 35 and 36, respectively.

このように構成された圧電振動子30を作動させる場合には、ベース基板31に形成された外部電極40,41に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片4の第1の励振電極13および第2の励振電極14(図1参照)に電圧を印加することができるので、一対の振動腕部10,11を接近および離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部10,11の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として圧電振動子30を利用することができる。   When the piezoelectric vibrator 30 configured as described above is operated, a predetermined drive voltage is applied to the external electrodes 40 and 41 formed on the base substrate 31. As a result, a voltage can be applied to the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 (see FIG. 1) of the piezoelectric vibrating reed 4, so that the pair of vibrating arm portions 10 and 11 are brought closer to and away from each other. Can be vibrated at a predetermined frequency. The piezoelectric vibrator 30 can be used as a time source, a control signal timing source, a reference signal source, and the like by using the vibration of the pair of vibrating arm portions 10 and 11.

(効果)
本実施形態によれば、電極形成工程S120の工数の削減および製造装置の簡略化ができる低コストな圧電振動片4を備えているので、低コストな圧電振動子30を提供できる。
(effect)
According to the present embodiment, the low-cost piezoelectric vibrator 30 can be provided because the low-cost piezoelectric vibrating reed 4 that can reduce the man-hour of the electrode forming step S120 and simplify the manufacturing apparatus is provided.

(発振器)
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図19を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器110は、図19に示すように、圧電振動子30を、集積回路111に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器110は、コンデンサ等の電子素子部品112が実装された基板113を備えている。基板113には、発振器用の集積回路111が実装されており、この集積回路111の近傍に、圧電振動子30の圧電振動片が実装されている。これら電子素子部品112、集積回路111及び圧電振動子30は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
(Oscillator)
Next, an embodiment of an oscillator according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 19, the oscillator 110 according to the present embodiment is configured by configuring the piezoelectric vibrator 30 as an oscillator electrically connected to the integrated circuit 111. The oscillator 110 includes a substrate 113 on which an electronic element component 112 such as a capacitor is mounted. An integrated circuit 111 for an oscillator is mounted on the substrate 113, and a piezoelectric vibrating piece of the piezoelectric vibrator 30 is mounted in the vicinity of the integrated circuit 111. The electronic element component 112, the integrated circuit 111, and the piezoelectric vibrator 30 are electrically connected by a wiring pattern (not shown). Each component is molded with a resin (not shown).

このように構成された発振器110において、圧電振動子30に電圧を印加すると、圧電振動子30内の圧電振動片が振動する。この振動は、圧電振動片が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路111に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路111によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子30が発振子として機能する。
また、集積回路111の構成を、例えば、RTC(リアルタイムクロック)モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
In the oscillator 110 configured as described above, when a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 30, the piezoelectric vibrating piece in the piezoelectric vibrator 30 vibrates. This vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the piezoelectric vibrating piece and input to the integrated circuit 111 as an electric signal. The input electrical signal is subjected to various processes by the integrated circuit 111 and output as a frequency signal. Thereby, the piezoelectric vibrator 30 functions as an oscillator.
In addition, by selectively setting the configuration of the integrated circuit 111, for example, an RTC (real-time clock) module or the like as required, the operation date and time of the device or external device in addition to a single-function oscillator for a clock, etc. A function for controlling the time, providing a time, a calendar, and the like can be added.

本実施形態の発振器110によれば、低コストな圧電振動子30を備えているので、低コストな発振器110を製造することができる。   According to the oscillator 110 of this embodiment, since the low-cost piezoelectric vibrator 30 is provided, the low-cost oscillator 110 can be manufactured.

(電子機器)
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図20を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子30を有する携帯情報機器120を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器120は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
(Electronics)
Next, an embodiment of an electronic apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. Note that a portable information device 120 having the above-described piezoelectric vibrator 30 will be described as an example of the electronic device.
First, the portable information device 120 of this embodiment is represented by, for example, a mobile phone, and is a development and improvement of a wrist watch in the prior art. The appearance is similar to that of a wristwatch, and a liquid crystal display is arranged in a portion corresponding to a dial so that the current time and the like can be displayed on this screen. Further, when used as a communication device, it is possible to perform communication similar to that of a conventional mobile phone by using a speaker and a microphone that are removed from the wrist and incorporated in the inner portion of the band. However, it is much smaller and lighter than conventional mobile phones.

次に、本実施形態の携帯情報機器120の構成について説明する。この携帯情報機器120は、図20に示すように、圧電振動子30と、電力を供給するための電源部121とを備えている。電源部121は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部121には、各種制御を行う制御部122と、時刻等のカウントを行う計時部123と、外部との通信を行う通信部124と、各種情報を表示する表示部125と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部126とが並列に接続されている。そして、電源部121によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。   Next, the configuration of the portable information device 120 of this embodiment will be described. As shown in FIG. 20, the portable information device 120 includes a piezoelectric vibrator 30 and a power supply unit 121 for supplying power. The power supply unit 121 is made of, for example, a lithium secondary battery. The power supply unit 121 includes a control unit 122 that performs various controls, a clock unit 123 that counts time, a communication unit 124 that communicates with the outside, a display unit 125 that displays various information, and the like. A voltage detection unit 126 that detects the voltage of the functional unit is connected in parallel. Power is supplied to each functional unit by the power supply unit 121.

制御部122は、各機能部を制御して音声データの送信や受信、現在時刻の計測、表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部122は、予めプログラムが書き込まれたROMと、該ROMに書き込まれたプログラムを読み出して実行するCPUと、該CPUのワークエリアとして使用されるRAM等とを備えている。   The control unit 122 controls each function unit to control operation of the entire system such as transmission and reception of audio data, measurement and display of the current time, and the like. The control unit 122 includes a ROM in which a program is written in advance, a CPU that reads and executes the program written in the ROM, and a RAM that is used as a work area for the CPU.

計時部123は、発振回路やレジスタ回路、カウンタ回路、インターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子30とを備えている。圧電振動子30に電圧を印加すると圧電振動片が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部122と信号の送受信が行われ、表示部125に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。   The timer unit 123 includes an integrated circuit that includes an oscillation circuit, a register circuit, a counter circuit, an interface circuit, and the like, and the piezoelectric vibrator 30. When a voltage is applied to the piezoelectric vibrator 30, the piezoelectric vibrating piece vibrates, and the vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the crystal and input to the oscillation circuit as an electric signal. The output of the oscillation circuit is binarized and counted by a register circuit and a counter circuit. Then, signals are transmitted to and received from the control unit 122 through the interface circuit, and the current time, current date, calendar information, and the like are displayed on the display unit 125.

通信部124は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部127、音声処理部128、切替部129、増幅部130、音声入出力部131、電話番号入力部132、着信音発生部133及び呼制御メモリ部134を備えている。
無線部127は、音声データ等の各種データを、アンテナ135を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部128は、無線部127又は増幅部130から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部130は、音声処理部128又は音声入出力部131から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部131は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
The communication unit 124 has functions similar to those of a conventional mobile phone, and includes a radio unit 127, a voice processing unit 128, a switching unit 129, an amplification unit 130, a voice input / output unit 131, a telephone number input unit 132, a ring tone generation unit. 133 and a call control memory unit 134.
The radio unit 127 exchanges various data such as audio data with the base station via the antenna 135. The audio processing unit 128 encodes and decodes the audio signal input from the radio unit 127 or the amplification unit 130. The amplifying unit 130 amplifies the signal input from the audio processing unit 128 or the audio input / output unit 131 to a predetermined level. The voice input / output unit 131 includes a speaker, a microphone, and the like, and amplifies a ringtone and a received voice or collects a voice.

また、着信音発生部133は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部129は、着信時に限って、音声処理部128に接続されている増幅部130を着信音発生部133に切り替えることによって、着信音発生部133において生成された着信音が増幅部130を介して音声入出力部131に出力される。
なお、呼制御メモリ部134は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部132は、例えば、0から9の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
In addition, the ring tone generator 133 generates a ring tone in response to a call from the base station. The switching unit 129 switches the amplifying unit 130 connected to the voice processing unit 128 to the ringing tone generating unit 133 only when an incoming call is received, so that the ringing tone generated by the ringing tone generating unit 133 passes through the amplifying unit 130. To the audio input / output unit 131.
Note that the call control memory unit 134 stores a program related to incoming / outgoing call control of communication. The telephone number input unit 132 includes, for example, number keys from 0 to 9 and other keys. By pressing these number keys and the like, a telephone number of a call destination is input.

電圧検出部126は、電源部121によって制御部122等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部122に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部124を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、3V程度となる。電圧検出部126から電圧降下の通知を受けた制御部122は、無線部127、音声処理部128、切替部129及び着信音発生部133の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部127の動作停止は、必須となる。更に、表示部125に、通信部124が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。   The voltage detection unit 126 detects the voltage drop and notifies the control unit 122 when the voltage applied to each functional unit such as the control unit 122 by the power supply unit 121 falls below a predetermined value. . The predetermined voltage value at this time is a value set in advance as a minimum voltage necessary to stably operate the communication unit 124, and is, for example, about 3V. Upon receiving the voltage drop notification from the voltage detection unit 126, the control unit 122 prohibits the operations of the radio unit 127, the voice processing unit 128, the switching unit 129, and the ring tone generation unit 133. In particular, it is essential to stop the operation of the wireless unit 127 with high power consumption. Further, the display unit 125 displays that the communication unit 124 has become unusable due to insufficient battery power.

すなわち、電圧検出部126と制御部122とによって、通信部124の動作を禁止し、その旨を表示部125に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部125の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×(バツ)印を付けるようにしても良い。
なお、通信部124の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部136を備えることで、通信部124の機能をより確実に停止することができる。
That is, the operation of the communication unit 124 can be prohibited by the voltage detection unit 126 and the control unit 122, and that effect can be displayed on the display unit 125. This display may be a text message, but as a more intuitive display, a x (X) mark may be attached to the telephone icon displayed at the top of the display surface of the display unit 125.
In addition, the function of the communication part 124 can be stopped more reliably by providing the power supply cutoff part 136 that can selectively cut off the power of the part related to the function of the communication part 124.

本実施形態の携帯情報機器120によれば、低コストな圧電振動子30を備えているので、低コストな携帯情報機器120を製造することができる。   According to the portable information device 120 of the present embodiment, since the low-cost piezoelectric vibrator 30 is provided, the low-cost portable information device 120 can be manufactured.

(電波時計)
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図21を参照して説明する。
本実施形態の電波時計140は、図21に示すように、フィルタ部141に電気的に接続された圧電振動子30を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県(40kHz)と佐賀県(60kHz)とに、標準の電波を送信する送信所(送信局)があり、それぞれ標準電波を送信している。40kHz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した2つの送信所で日本国内を全て網羅している。
(Radio watch)
Next, an embodiment of a radio timepiece according to the present invention will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 21, the radio-controlled timepiece 140 according to the present embodiment includes a piezoelectric vibrator 30 electrically connected to a filter unit 141. The radio-controlled timepiece 140 receives a standard radio wave including timepiece information and is accurate. It is a clock with a function of automatically correcting and displaying the correct time.
In Japan, there are transmitting stations (transmitting stations) that transmit standard radio waves in Fukushima Prefecture (40 kHz) and Saga Prefecture (60 kHz), each transmitting standard radio waves. Long waves such as 40 kHz or 60 kHz have both the property of propagating the ground surface and the property of propagating while reflecting the ionosphere and the ground surface, so the propagation range is wide, and the above two transmitting stations cover all of Japan. doing.

以下、電波時計140の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ142は、40kHz若しくは60kHzの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しくは60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ143によって増幅され、複数の圧電振動子30を有するフィルタ部141によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子30は、前記搬送周波数と同一の40kHz及び60kHzの共振周波数を有する水晶振動子部148、149をそれぞれ備えている。
Hereinafter, the functional configuration of the radio timepiece 140 will be described in detail.
The antenna 142 receives a long standard wave of 40 kHz or 60 kHz. The long-wave standard radio wave is obtained by subjecting time information called a time code to AM modulation on a 40 kHz or 60 kHz carrier wave. The received long standard wave is amplified by the amplifier 143 and filtered and tuned by the filter unit 141 having the plurality of piezoelectric vibrators 30.
The piezoelectric vibrator 30 in this embodiment includes crystal vibrator portions 148 and 149 having resonance frequencies of 40 kHz and 60 kHz, which are the same as the carrier frequency.

更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路144により検波復調される。
続いて、波形整形回路145を介してタイムコードが取り出され、CPU146でカウントされる。CPU146では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、RTC148に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水晶振動子部148、149は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
Further, the filtered signal having a predetermined frequency is detected and demodulated by the detection and rectification circuit 144.
Subsequently, the time code is taken out via the waveform shaping circuit 145 and counted by the CPU 146. The CPU 146 reads information such as the current year, accumulated date, day of the week, and time. The read information is reflected in the RTC 148, and accurate time information is displayed.
Since the carrier wave is 40 kHz or 60 kHz, the crystal vibrator portions 148 and 149 are preferably vibrators having the tuning fork type structure described above.

なお、前述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは77.5KHzの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計140を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子30を必要とする。   In addition, although the above-mentioned description was shown in the example in Japan, the frequency of the long standard wave is different overseas. For example, in Germany, a standard radio wave of 77.5 KHz is used. Therefore, when the radio timepiece 140 that can be used overseas is incorporated in a portable device, the piezoelectric vibrator 30 having a frequency different from that in Japan is required.

本実施形態の電波時計140によれば、低コストな圧電振動子30を備えているので、低コストな電波時計140を製造することができる。   According to the radio timepiece 140 of this embodiment, since the low-cost piezoelectric vibrator 30 is provided, the low-cost radio timepiece 140 can be manufactured.

なお、この発明の技術範囲は上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。   The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

本実施形態および本実施形態の変形例では、振動腕部10,11に形成された貫通孔8,9は、X方向に一定幅を有するZ方向平面視略矩形状に形成されていたが、貫通孔8,9の形状はこれに限られることはない。例えば、貫通孔8,9は、+Y側(振動腕部の先端側)から−Y側(振動腕部の基端側)に向かってX方向の幅が漸次狭くなる、Z方向平面視略台形状に形成されていてもよい。このように貫通孔8,9の形状を変更することで、振動腕部10,11の−Y側の剛性を任意に設定できる。したがって、振動腕部10,11の剛性に依存するドライブレベル特性を所望の特性に設定できる。   In the present embodiment and the modified example of the present embodiment, the through holes 8 and 9 formed in the vibrating arm portions 10 and 11 are formed in a substantially rectangular shape in a plan view in the Z direction having a certain width in the X direction. The shape of the through holes 8 and 9 is not limited to this. For example, the through-holes 8 and 9 are substantially in the Z-direction plan view, and the width in the X direction gradually decreases from the + Y side (the distal end side of the vibrating arm portion) to the −Y side (the proximal end side of the vibrating arm portion). It may be formed in a shape. Thus, by changing the shape of the through holes 8 and 9, the rigidity on the −Y side of the vibrating arm portions 10 and 11 can be arbitrarily set. Therefore, the drive level characteristic depending on the rigidity of the vibrating arm portions 10 and 11 can be set to a desired characteristic.

本実施形態では、振動腕部10,11にそれぞれ1個ずつ貫通孔8,9が形成されていた。また、本実施形態の変形例では、振動腕部10,11にそれぞれ2個ずつ貫通孔8A,8Bおよび貫通孔9A,9Bが形成されていた。しかし、貫通孔8,9の個数は、実施形態および実施形態の変形例に限られることはない。
また、本実施形態の変形例では、貫通孔8,9は、Y方向に沿って直列に2個形成されていたが、例えば、X方向に沿って並列に複数形成されていてもよい。
貫通孔8,9の個数や形成位置、配列等を変更することで、振動腕部10,11の剛性を任意に設定できる。したがって、振動腕部10,11の剛性に依存するドライブレベル特性を所望の特性に設定できる。
In the present embodiment, one through hole 8 and 9 is formed in each of the vibrating arm portions 10 and 11. In the modification of this embodiment, two through holes 8A and 8B and two through holes 9A and 9B are formed in the vibrating arm portions 10 and 11, respectively. However, the number of the through holes 8 and 9 is not limited to the embodiment and the modified example of the embodiment.
Moreover, in the modification of this embodiment, although the two through-holes 8 and 9 were formed in series along the Y direction, multiple pieces may be formed in parallel along the X direction, for example.
The rigidity of the vibrating arm portions 10 and 11 can be arbitrarily set by changing the number, the formation position, the arrangement, and the like of the through holes 8 and 9. Therefore, the drive level characteristic depending on the rigidity of the vibrating arm portions 10 and 11 can be set to a desired characteristic.

本実施形態および本実施形態の変形例では、表面実装型の圧電振動子30に搭載される圧電振動片4に、本発明の圧電振動片4の製造方法を採用して説明しているが、これに限らず、例えばシリンダーパッケージタイプの圧電振動子に搭載される圧電振動片に、本発明の圧電振動片の製造方法を採用しても構わない。   In the present embodiment and the modification of the present embodiment, the piezoelectric vibrating reed 4 mounted on the surface-mount type piezoelectric vibrator 30 is described using the method for manufacturing the piezoelectric vibrating reed 4 of the present invention. For example, the piezoelectric vibrating piece manufacturing method of the present invention may be adopted for a piezoelectric vibrating piece mounted on a cylinder package type piezoelectric vibrator.

4・・・圧電振動片 4a・・・振動片外形部(圧電板) 8,9・・・貫通孔 8a,8c,9a,9c・・・長手方向に沿った内側面 10,11・・・振動腕部 10a,10b,11a,11b・・・振動腕部の外側面 12・・・基部 13,14・・・励振電極 16,17・・・マウント電極 19,20・・・引き出し電極 30・・・圧電振動子 74・・・マスク用金属膜 84・・・電極用金属膜 110・・・発振器 120・・・携帯情報機器(電子機器) 140・・・電波時計 S110・・・外形形成工程 S112・・・マスクパターン形成工程 S114・・・ウエハエッチング工程 S120・・・電極形成工程 S121・・・金属膜成膜工程 S123・・・フォトレジスト膜成膜工程(感光性材料膜成膜工程) S125・・・露光工程 +Z側・・・一方側 −Z側・・・他方側 DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... Piezoelectric vibrating piece 4a ... Vibrating piece outer part (piezoelectric plate) 8, 9 ... Through-hole 8a, 8c, 9a, 9c ... Inner side surface along longitudinal direction 10, 11, ... Vibration arm portion 10a, 10b, 11a, 11b ... Outer surface of vibration arm portion 12 ... Base portion 13, 14 ... Excitation electrode 16, 17 ... Mount electrode 19, 20 ... Extraction electrode 30. ··· Piezoelectric vibrator 74 ··· Metal film for mask 84 ··· Metal film for electrode 110 ··· Oscillator 120 ··· Portable information device (electronic device) 140 ··· Radio watch S110 · · · Outline forming step S112: Mask pattern forming step S114 ... Wafer etching step S120 ... Electrode forming step S121 ... Metal film forming step S123 ... Photoresist film forming step (photosensitive material film forming step) S125 ... Exposure process + Z side ... One side -Z side ... The other side

Claims (9)

並んで配置された一対の振動腕部と、前記一対の振動腕部が接続された基部と、を有する圧電板と、
前記振動腕部に形成され前記振動腕部を振動させる励振電極と、
前記基部に形成され外部に電気的に接続されるマウント電極と、
前記励振電極と前記マウント電極とを接続する引き出し電極と、
を備えた圧電振動片であって、
前記振動腕部には、前記圧電板の厚さ方向における一方側と他方側とを貫通し、前記振動腕部の長手方向に沿って延びる貫通孔が形成されており、
前記励振電極は、前記貫通孔の内側面のうち前記長手方向に沿った内側面および前記内側面と対向した前記振動腕部の外側面に形成され、前記マウント電極および前記引き出し電極は、前記基部の前記一方側のみの主面に形成されていることを特徴とする圧電振動片。
A piezoelectric plate having a pair of vibrating arm portions arranged side by side and a base to which the pair of vibrating arm portions are connected;
An excitation electrode formed on the vibrating arm and vibrating the vibrating arm;
A mount electrode formed on the base and electrically connected to the outside;
An extraction electrode connecting the excitation electrode and the mount electrode;
A piezoelectric vibrating piece with
The vibrating arm portion is formed with a through-hole penetrating one side and the other side in the thickness direction of the piezoelectric plate and extending along the longitudinal direction of the vibrating arm portion,
The excitation electrode is formed on an inner surface along the longitudinal direction of the inner surface of the through hole and an outer surface of the vibrating arm portion facing the inner surface, and the mount electrode and the extraction electrode are formed on the base portion. The piezoelectric vibrating piece is formed on the main surface only on the one side.
請求項1に記載の圧電振動片であって、
前記励振電極は、前記振動腕部の前記厚さ方向の全体にわたって形成されていることを特徴とする圧電振動片。
The piezoelectric vibrating piece according to claim 1,
The piezoelectric vibrating piece according to claim 1, wherein the excitation electrode is formed over the entire thickness direction of the vibrating arm portion.
請求項1または2に記載の圧電振動片であって、
前記貫通孔は、前記各振動腕部にそれぞれ複数形成されていることを特徴とする圧電振動片。
The piezoelectric vibrating piece according to claim 1 or 2,
A plurality of the through holes are formed in each of the vibrating arm portions, respectively.
請求項1から3のいずれか1項に記載の圧電振動片の製造方法であって、
圧電ウエハから前記圧電板の外形および前記貫通孔を形成する外形形成工程と、
フォトリソグラフィ技術により電極用金属膜をパターニングし、前記圧電板に前記各電極を形成する電極形成工程と、
を備え、
前記電極形成工程は、
前記圧電板の表面に前記電極用金属膜を成膜する金属膜成膜工程と、
前記電極用金属膜に重ねて感光性材料膜を成膜する感光性材料膜成膜工程と、
前記各電極に対応したパターンが形成されたフォトマスクを用いて前記感光性材料膜 を露光する露光工程と、
を有し、
前記金属膜成膜工程、前記感光性材料膜成膜工程および前記露光工程は、前記圧電板の前記一方側からのみ行われることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
A method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to any one of claims 1 to 3,
An outer shape forming step of forming the outer shape of the piezoelectric plate and the through hole from the piezoelectric wafer;
An electrode forming step of patterning a metal film for an electrode by a photolithography technique to form each electrode on the piezoelectric plate;
With
The electrode forming step includes
A metal film forming step of forming the electrode metal film on the surface of the piezoelectric plate;
A photosensitive material film forming step of forming a photosensitive material film on the metal film for electrodes;
An exposure step of exposing the photosensitive material film using a photomask in which a pattern corresponding to each electrode is formed;
Have
The method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece, wherein the metal film forming step, the photosensitive material film forming step, and the exposure step are performed only from the one side of the piezoelectric plate.
請求項4に記載の圧電振動片の製造方法であって、
前記外形形成工程は、
前記圧電ウエハの両主面上にマスク用金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術によ り前記マスク用金属膜から前記圧電板のマスクパターンを形成するマスクパターン形成 工程と、
前記マスクパターンを介して、前記圧電ウエハの前記一方側および前記他方側の両側 から前記圧電ウエハをエッチングするウエハエッチング工程と、
を備えたことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
A method of manufacturing a piezoelectric vibrating piece according to claim 4,
The outer shape forming step includes
Forming a mask metal film on both main surfaces of the piezoelectric wafer, and forming a mask pattern of the piezoelectric plate from the mask metal film by a photolithography technique; and
A wafer etching step for etching the piezoelectric wafer from both sides of the one side and the other side of the piezoelectric wafer via the mask pattern;
A method for manufacturing a piezoelectric vibrating piece, comprising:
請求項1に記載の圧電振動片が、ベース基板とリッド基板とにより形成されるキャビティ内に収納されていることを特徴とする圧電振動子。   A piezoelectric vibrator according to claim 1, wherein the piezoelectric vibrating piece is housed in a cavity formed by a base substrate and a lid substrate. 請求項6に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。   An oscillator, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 6 is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator. 請求項6に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 6 is electrically connected to a timer unit. 請求項6に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。

A radio-controlled timepiece, wherein the piezoelectric vibrator according to claim 6 is electrically connected to a filter portion.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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