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JP2013021383A - Piezoelectric device - Google Patents

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JP2013021383A
JP2013021383A JP2011150618A JP2011150618A JP2013021383A JP 2013021383 A JP2013021383 A JP 2013021383A JP 2011150618 A JP2011150618 A JP 2011150618A JP 2011150618 A JP2011150618 A JP 2011150618A JP 2013021383 A JP2013021383 A JP 2013021383A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base plate
axis
axis side
axis direction
pair
Prior art date
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Pending
Application number
JP2011150618A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryoichi Ichikawa
了一 市川
Hideyuki Kobayashi
英之 小林
Yoshiaki Amano
芳明 天野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Dempa Kogyo Co Ltd filed Critical Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
Priority to JP2011150618A priority Critical patent/JP2013021383A/en
Publication of JP2013021383A publication Critical patent/JP2013021383A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

【課題】本発明は、キャスタレーションが形成されたベース板を有し、曲げの応力に対して強い圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス(100)は、長辺及び長辺よりも短い短辺により形成される矩形形状のベース板(120a)と所定の周波数で振動する圧電振動片(130)とを有する圧電デバイスであって、ベース板が、一対の外部電極が形成される第1面(121)と、圧電振動片が配置される第2面(122)と、一辺の短辺に形成され、第1面と第2面とを結ぶ側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーション(127)と、を備え、一対のキャスタレーションの長辺方向の長さがそれぞれ異なる。
【選択図】図1
The present invention provides a piezoelectric device having a base plate on which castellations are formed and being resistant to bending stress.
A piezoelectric device (100) includes a long base and a rectangular base plate (120a) formed by a short side shorter than the long side, and a piezoelectric vibrating piece (130) that vibrates at a predetermined frequency. In the device, a base plate is formed on a first surface (121) on which a pair of external electrodes are formed, a second surface (122) on which a piezoelectric vibrating piece is disposed, and a short side of the first surface. A pair of castellations (127) recessed inward from the side surface connecting the surface and the second surface, and the length of the pair of castellations in the long side direction is different.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、キャスタレーションが形成されたベース板を有する圧電デバイスに関する。   The present invention relates to a piezoelectric device having a base plate on which castellations are formed.

所定の振動数で振動する圧電振動片と、ベース板と、リッド板とにより形成され、ハンダを介してプリント基板等に実装されて用いられる圧電デバイスが知られている。圧電振動片には励振電極が形成され、ベース板にはプリント基板等に実装されるための外部電極が形成される。また、ベース板の外部側面にはキャスタレーションが形成され、励振電極と外部電極とはキャスタレーションに形成される側面電極を介して電気的に接続される。   There is known a piezoelectric device that is formed by a piezoelectric vibrating piece that vibrates at a predetermined frequency, a base plate, and a lid plate, and is used by being mounted on a printed circuit board or the like via solder. An excitation electrode is formed on the piezoelectric vibrating piece, and an external electrode to be mounted on a printed board or the like is formed on the base plate. A castellation is formed on the outer side surface of the base plate, and the excitation electrode and the external electrode are electrically connected via a side electrode formed on the castellation.

このような圧電デバイスに形成されるキャスタレーションは、様々な形状に形成される。例えば特許文献1では、圧電デバイスがプリント基板に実装された場合にハンダに発生するクラックを抑えるためのキャスタレーションの形状及び寸法等が開示されている。   The castellations formed in such a piezoelectric device are formed in various shapes. For example, Patent Document 1 discloses the shape and size of a castellation for suppressing cracks generated in solder when a piezoelectric device is mounted on a printed board.

特開2006−196703号公報JP 2006-196703 A

しかし一方で、このようなキャスタレーションの影響により、例えばプリント基板の曲げ試験を行った場合などにキャスタレーションの一部を起点としてベース板が割れることがある。そのため、圧電デバイスのベース板は、このような曲げの応力に対して強いことが望まれている。   However, on the other hand, due to the influence of such castellation, for example, when a bending test of a printed circuit board is performed, the base plate may be cracked starting from a part of the castellation. Therefore, it is desired that the base plate of the piezoelectric device is strong against such bending stress.

そこで本発明は、キャスタレーションが形成されたベース板を有し、曲げの応力に対して強い圧電デバイスを提供する。   Therefore, the present invention provides a piezoelectric device that has a base plate on which castellations are formed and is resistant to bending stress.

第1観点の圧電デバイスは、長辺及び長辺よりも短い短辺により形成される矩形形状のベース板と所定の周波数で振動する圧電振動片とを有する圧電デバイスであって、ベース板が、一対の外部電極が形成される第1面と、圧電振動片が配置される第2面と、一辺の短辺に形成され第1面と第2面とを結ぶ側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションと、を備え、一対のキャスタレーションの長辺方向の長さがそれぞれ異なる。   A piezoelectric device according to a first aspect is a piezoelectric device having a rectangular base plate formed by a long side and a short side shorter than the long side, and a piezoelectric vibrating piece that vibrates at a predetermined frequency. A pair of first surfaces on which a pair of external electrodes are formed, a second surface on which the piezoelectric vibrating piece is disposed, and a pair of recesses recessed inward from a side surface formed on one short side and connecting the first surface and the second surface. And the length of the pair of castellations in the long side direction is different.

第2観点の圧電デバイスは、長辺及び長辺よりも短い短辺により形成される矩形形状のベース板と所定の周波数で振動する圧電振動片とを有する圧電デバイスであって、ベース板が、一対の外部電極が形成される第1面と、圧電振動片が配置される第2面と、一辺の長辺に形成され、第1面と第2面とを結ぶ側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションと、を備え、一対のキャスタレーションの短辺方向の長さがそれぞれ異なる。   A piezoelectric device according to a second aspect is a piezoelectric device having a rectangular base plate formed by a long side and a short side shorter than the long side, and a piezoelectric vibrating piece that vibrates at a predetermined frequency. A pair of first surfaces on which a pair of external electrodes are formed, a second surface on which the piezoelectric vibrating piece is disposed, and a long side of one side and recessed inward from a side surface connecting the first surface and the second surface. The length of the pair of castellations in the short side direction is different.

第3観点の圧電デバイスは、長辺及び長辺よりも短い短辺により形成される矩形形状のベース板と所定の周波数で振動する圧電振動片とを有する圧電デバイスであって、ベース板が、一対の外部電極が形成される第1面と、圧電振動片が配置される第2面と、一辺の短辺に長辺が交差する角部に長辺方向及び短辺方向に形成され第1面と第2面とを結ぶ側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションと、を備え、一対のキャスタレーションの長辺方向の長さ及び短辺方向の長さがそれぞれ異なる。   A piezoelectric device according to a third aspect is a piezoelectric device having a rectangular base plate formed by a long side and a short side shorter than the long side, and a piezoelectric vibrating piece that vibrates at a predetermined frequency. A first surface on which a pair of external electrodes are formed, a second surface on which a piezoelectric vibrating piece is disposed, and a first side formed in a long side direction and a short side direction at a corner where a long side intersects a short side of one side. A pair of castellations recessed inward from the side surface connecting the surface and the second surface, and the length of the pair of castellations in the long side direction and the length in the short side direction are different.

第4観点の圧電デバイスは、第1観点から第3観点において、圧電振動片が一対の励振電極と励振電極から引き出された一対の引出電極とを含み、ベース板の第2面が一対の引出電極と電気的に接続する一対の接続電極を含み、キャスタレーションが一対の外部電極と一対の接続電極とを電気的に接続する一対の側面電極を含む。   A piezoelectric device according to a fourth aspect is the piezoelectric device according to the first to third aspects, wherein the piezoelectric vibrating piece includes a pair of excitation electrodes and a pair of extraction electrodes extracted from the excitation electrodes, and the second surface of the base plate is a pair of extractions. A pair of connection electrodes electrically connected to the electrodes is included, and the castellation includes a pair of side electrodes electrically connecting the pair of external electrodes and the pair of connection electrodes.

第5観点の圧電デバイスは、第4観点において、キャスタレーションの断面が、第1面から第2面に形成された第1曲面と第2面から第1面に形成された第2曲面と第1面と第2面との中間に形成された直線状の突起面とからなり、側面電極が第1曲面、第2曲面及び突起面に形成される。   According to a fifth aspect of the piezoelectric device, in the fourth aspect, the castellation has a first curved surface formed from the first surface to the second surface, a second curved surface formed from the second surface to the first surface, and the second curved surface. The side surface electrode is formed on the first curved surface, the second curved surface, and the projecting surface, and includes a linear projecting surface formed between the first surface and the second surface.

第5観点の圧電デバイスは、第4観点において、第1曲面が第2曲面よりも面積が大きい。   In the fourth aspect, the piezoelectric device of the fifth aspect has a larger area on the first curved surface than on the second curved surface.

本発明によれば、キャスタレーションが形成されたベース板を有し、曲げの応力に対して強い圧電デバイスを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a piezoelectric device that has a base plate on which castellations are formed and is strong against bending stress.

圧電デバイス100の分解斜視図である。1 is an exploded perspective view of a piezoelectric device 100. FIG. (a)は、図1のA−A断面図である。 (b)は、圧電振動片130の+Y’軸側の面の平面図である。 (c)は、圧電振動片130の−Y’軸側の面の平面図である。(A) is AA sectional drawing of FIG. FIG. 4B is a plan view of the surface on the + Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130. FIG. 6C is a plan view of a surface on the −Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130. (a)は、ベース板120aの+Y’軸側の電極が示された平面図である。 (b)は、ベース板120aの−Y’軸側の電極が示された平面図である。FIG. 4A is a plan view showing an electrode on the + Y′-axis side of the base plate 120a. FIG. 5B is a plan view showing an electrode on the −Y′-axis side of the base plate 120a. 圧電デバイス100の作製方法を示したフローチャートである。3 is a flowchart illustrating a method for manufacturing the piezoelectric device 100. (a)は、ベースウエハW120Aの平面図である。 (b)は、ベース板120bの+Y’軸側の電極が示された平面図である。 (c)は、ベース板120bの−Y’軸側の電極が示された平面図である。(A) is a top view of base wafer W120A. FIG. 6B is a plan view showing the + Y′-axis side electrode of the base plate 120b. (C) is a plan view showing an electrode on the −Y′-axis side of the base plate 120 b. リッドウエハW110の平面図である。It is a top view of the lid wafer W110. (a)は、ベースウエハW120Bの部分平面図である。 (b)は、ベース板120cの平面図である。 (c)は、ベース板120dの平面図である。(A) is a partial top view of base wafer W120B. (B) is a plan view of the base plate 120c. (C) is a plan view of the base plate 120d. (a)は、ベースウエハW120Cの部分平面図である。 (b)は、ベース板120eの平面図である。 (c)は、ベース板120fの平面図である。(A) is a partial top view of base wafer W120C. (B) is a plan view of the base plate 120e. (C) is a plan view of the base plate 120f. (a)は、ベースウエハW120Dの部分平面図である。 (b)は、ベースウエハW120Eの部分平面図である。 (c)は、ベースウエハW120Fの部分平面図である。(A) is a partial top view of base wafer W120D. (B) is a partial plan view of the base wafer W120E. (C) is a partial plan view of the base wafer W120F. 圧電デバイス200の分解斜視図である。2 is an exploded perspective view of a piezoelectric device 200. FIG. (a)は、図10のB−B断面図である。 (b)は、ベース板220aの平面図である。 (c)は、−Y’軸側の面の電極が示されているベース板220aの平面図である。(A) is BB sectional drawing of FIG. (B) is a plan view of the base plate 220a. FIG. 6C is a plan view of the base plate 220a on which electrodes on the surface at the −Y′-axis side are shown. 圧電デバイス200の作製方法を示したフローチャートである。5 is a flowchart illustrating a method for manufacturing the piezoelectric device 200. 圧電ウエハW230の平面図である。It is a top view of the piezoelectric wafer W230. ベースウエハW220Aの平面図である。It is a top view of base wafer W220A. ベースウエハW220Aの作製方法を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the preparation methods of base wafer W220A. ベースウエハW220Aの作製方法を示したフローチャートである。It is the flowchart which showed the preparation methods of base wafer W220A. (a)は、ベースウエハW220Bの平面図である。 (b)は、ベース板220cの平面図である。 (c)は、−Y’軸側の面の電極が示されたベース板220cの平面図である。(A) is a top view of base wafer W220B. (B) is a plan view of the base plate 220c. (C) is a plan view of the base plate 220c showing the electrodes on the surface at the -Y'-axis side.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the scope of the present invention is not limited to these forms unless otherwise specified in the following description.

(第1実施形態)
<圧電デバイス100の構成>
図1は、圧電デバイス100の分解斜視図である。圧電デバイス100は表面実装型の圧電デバイスであり、プリント基板等に実装されて使用される。圧電デバイス100は主に、リッド板110と、ベース板120aと、圧電振動片130とにより構成されている。リッド板110は例えばセラミック、ガラス又は圧電材等により形成され、ベース板120aはガラス又は圧電材等により形成される。また、圧電振動片130には例えばATカットの水晶材が用いられる。ATカットの水晶材は、主面(YZ面)が結晶軸(XYZ)のY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜されている。以下の説明では、ATカットの水晶材の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をY’軸及びZ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイス100において圧電デバイス100の長辺方向をX軸方向、圧電デバイス100の高さ方向をY’軸方向、X及びY’軸方向に垂直な方向をZ’軸方向として説明する。
(First embodiment)
<Configuration of Piezoelectric Device 100>
FIG. 1 is an exploded perspective view of the piezoelectric device 100. The piezoelectric device 100 is a surface-mount type piezoelectric device, and is used by being mounted on a printed circuit board or the like. The piezoelectric device 100 mainly includes a lid plate 110, a base plate 120a, and a piezoelectric vibrating piece 130. The lid plate 110 is formed of, for example, ceramic, glass, or a piezoelectric material, and the base plate 120a is formed of glass, a piezoelectric material, or the like. The piezoelectric vibrating piece 130 is made of, for example, an AT-cut quartz material. In the AT-cut quartz crystal material, the main surface (YZ plane) is inclined 35 degrees 15 minutes from the Z axis in the Y axis direction with respect to the Y axis of the crystal axis (XYZ). In the following description, the new axes tilted with respect to the axial direction of the AT-cut quartz material are used as the Y ′ axis and the Z ′ axis. That is, in the piezoelectric device 100, the long side direction of the piezoelectric device 100 is described as the X-axis direction, the height direction of the piezoelectric device 100 is defined as the Y′-axis direction, and the direction perpendicular to the X and Y′-axis directions is described as the Z′-axis direction.

リッド板110は、X軸方向に長辺が伸び、Z’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。リッド板110の−Y’軸側の面には凹部111が形成されており、凹部111の周囲にはベース板120aに接合される接合面112が形成されている。   The lid plate 110 is formed in a rectangular shape having long sides extending in the X-axis direction and short sides extending in the Z′-axis direction. A recess 111 is formed on the surface at the −Y′-axis side of the lid plate 110, and a bonding surface 112 to be bonded to the base plate 120 a is formed around the recess 111.

ベース板120aはX軸方向に長辺が伸び、Z’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。ベース板120aの−Y’軸側の面である第1面121には、プリント基板等にハンダを介して電気的に接続されるための電極である外部電極125、及び圧電デバイス100に帯電した静電気等を除去するためのアース端子126が形成されている。ベース板120aの+Y’軸側の面である第2面122には接合材140が形成され、リッド板110の接合面112と接合される。また、ベース板120aには第2面122から−Y’軸方向に凹んだ凹部123が形成されている。さらに、第2面122の一部には圧電振動片130を載置するための載置部124が形成されており、載置部124の+Y’軸側の面には接続電極128が形成されている。また、ベース板120aの四隅の側面にはキャスタレーション127が形成されている。キャスタレーション127には側面電極129が形成されており、側面電極129は外部電極125及び接続電極128を互いに電気的に接続し、又はアース端子126に電気的に接続される。   The base plate 120a is formed in a rectangular shape having long sides extending in the X-axis direction and short sides extending in the Z′-axis direction. The first surface 121, which is the surface on the −Y′-axis side of the base plate 120a, is charged with the external electrode 125, which is an electrode to be electrically connected to a printed circuit board or the like via solder, and the piezoelectric device 100 A ground terminal 126 for removing static electricity or the like is formed. A bonding material 140 is formed on the second surface 122 which is the surface on the + Y′-axis side of the base plate 120 a and is bonded to the bonding surface 112 of the lid plate 110. The base plate 120a has a recess 123 that is recessed from the second surface 122 in the −Y′-axis direction. Further, a mounting portion 124 for mounting the piezoelectric vibrating piece 130 is formed on a part of the second surface 122, and a connection electrode 128 is formed on the surface of the mounting portion 124 on the + Y ′ axis side. ing. Further, castellations 127 are formed on the side surfaces of the four corners of the base plate 120a. A side electrode 129 is formed on the castellation 127, and the side electrode 129 electrically connects the external electrode 125 and the connection electrode 128 to each other or is electrically connected to the ground terminal 126.

圧電振動片130は、X軸方向に長辺が伸び、Z’軸方向に短辺が伸びた矩形形状に形成されている。圧電振動片130の+Y’軸側及び−Y’軸側の面の中央領域には、それぞれ励振電極131が形成されている。また、各励振電極131からは引出電極132が引き出されている。+Y’軸側の面に形成されている励振電極131から引き出されている引出電極132は圧電振動片130の+Y’軸側の面の−X軸側の辺沿いに形成され、さらに圧電振動片130の−X軸側の側面に形成される引出電極132aを介して−Y’軸側の面の−X軸側の辺沿いに形成されている。同様に、−Y’軸側の面に形成されている励振電極131から引き出されている引出電極132は圧電振動片130の−Y’軸側の面の+X軸側の辺沿いに形成され、さらに圧電振動片130の+X軸側の側面に形成される引出電極132aを介して+Y’軸側の面の+X軸側の辺沿いに形成されている。圧電振動片130は、ベース板120aの接続電極128と引出電極132とが導電性接着剤141(図2参照)を介して接合されることにより、励振電極131と外部電極125とが電気的に接続される。   The piezoelectric vibrating piece 130 is formed in a rectangular shape having long sides extending in the X-axis direction and short sides extending in the Z′-axis direction. Excitation electrodes 131 are respectively formed in the central regions of the surfaces on the + Y′-axis side and the −Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130. In addition, an extraction electrode 132 is extracted from each excitation electrode 131. The extraction electrode 132 drawn from the excitation electrode 131 formed on the surface on the + Y′-axis side is formed along the side on the −X-axis side of the surface on the + Y′-axis side of the piezoelectric vibration piece 130, and further the piezoelectric vibration piece It is formed along the side on the −X axis side of the surface on the −Y ′ axis side via an extraction electrode 132 a formed on the side surface on the −X axis side of 130. Similarly, the extraction electrode 132 drawn from the excitation electrode 131 formed on the surface at the −Y′-axis side is formed along the side on the + X-axis side of the surface at the −Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130, Further, the piezoelectric vibrating piece 130 is formed along the + X-axis side side of the + Y′-axis side surface through an extraction electrode 132 a formed on the + X-axis side surface of the piezoelectric vibrating piece 130. In the piezoelectric vibrating piece 130, the excitation electrode 131 and the external electrode 125 are electrically connected by connecting the connection electrode 128 and the extraction electrode 132 of the base plate 120 a via the conductive adhesive 141 (see FIG. 2). Connected.

図2(a)は、図1のA−A断面図である。圧電デバイス100には、ベース板120aの第2面122とリッド板110の接合面112とが接合材140を介して接合されることにより、圧電デバイス100内に密封されたキャビティ101が形成される。この接合材140には、例えば融点が500度以下のガラス接合材である低融点ガラス又はポリイミド樹脂等の樹脂系接合材などが用いられる。また、圧電振動片130は、キャビティ101のベース板120aの載置部124に、引出電極132と接続電極128とが導電性接着剤141を介して接合されることにより載置される。圧電振動片130が載置部124に載置されることにより、圧電振動片130の励振電極131が、引出電極132、導電性接着剤141、接続電極128、及び側面電極129を介してベース板120aの外部電極125に電気的に接続される。   FIG. 2A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. In the piezoelectric device 100, the second surface 122 of the base plate 120a and the bonding surface 112 of the lid plate 110 are bonded to each other through the bonding material 140, whereby a sealed cavity 101 is formed in the piezoelectric device 100. . As the bonding material 140, for example, a low-melting glass which is a glass bonding material having a melting point of 500 degrees or less, or a resin-based bonding material such as polyimide resin is used. In addition, the piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the placement portion 124 of the base plate 120 a of the cavity 101 by joining the extraction electrode 132 and the connection electrode 128 via the conductive adhesive 141. Since the piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the placement portion 124, the excitation electrode 131 of the piezoelectric vibrating piece 130 is brought into contact with the base plate via the extraction electrode 132, the conductive adhesive 141, the connection electrode 128, and the side electrode 129. It is electrically connected to the external electrode 125 of 120a.

図2(b)は、圧電振動片130の+Y’軸側の面の平面図である。圧電振動片130は、X軸方向に長辺、Z’軸方向に短辺を有する矩形形状の平面を有している。圧電振動片130の+Y’軸側の面の中央領域には励振電極131が形成されており、さらに励振電極131からは−X軸側の辺に引出電極132が引き出されている。−X軸側の辺に引き出された引出電極132は圧電振動片130の−X軸側の辺に沿って形成されており、さらに圧電振動片130の−X軸側の側面に形成されている引出電極132aを介して圧電振動片130の−Y’軸側の面に引き出されている。また、圧電振動片130の+Y’軸側の面の+X軸側の辺には、−Y’軸側の励振電極131から引き出された引出電極132が+X軸側の辺に沿って形成されている。   FIG. 2B is a plan view of the surface on the + Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130. The piezoelectric vibrating piece 130 has a rectangular plane having a long side in the X-axis direction and a short side in the Z′-axis direction. An excitation electrode 131 is formed in the central region of the surface on the + Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130, and an extraction electrode 132 is drawn from the excitation electrode 131 on the −X-axis side. The extraction electrode 132 drawn to the −X-axis side side is formed along the −X-axis side side of the piezoelectric vibrating piece 130, and is further formed on the −X-axis side side surface of the piezoelectric vibrating piece 130. It is led out to the surface on the −Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130 via the lead electrode 132 a. In addition, an extraction electrode 132 extracted from the excitation electrode 131 on the −Y ′ axis side is formed along the + X axis side side on the + X axis side side of the surface on the + Y ′ axis side of the piezoelectric vibrating piece 130. Yes.

図2(c)は、圧電振動片130の−Y’軸側の面の平面図である。圧電振動片130の−Y’軸側の面の中央領域には励振電極131が形成されており、さらに励振電極131からは+X軸側の辺に引出電極132が引き出されている。+X軸側の辺に引き出された引出電極132は圧電振動片130の+X軸側の辺に沿って形成されており、さらに圧電振動片130の+X軸側の側面に形成されている引出電極132aを介して圧電振動片130の+Y’軸側の面に引き出されている。また、圧電振動片130の−Y’軸側の面の−X軸側の辺には、+Y’軸側の励振電極131から引き出された引出電極132が−X軸側の辺に沿って形成されている。   FIG. 2C is a plan view of the surface at the −Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130. An excitation electrode 131 is formed in the central region of the surface on the −Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130, and an extraction electrode 132 is drawn from the excitation electrode 131 on the + X-axis side. The extraction electrode 132 drawn to the side on the + X axis side is formed along the side on the + X axis side of the piezoelectric vibrating piece 130, and further, the extraction electrode 132 a formed on the side surface on the + X axis side of the piezoelectric vibrating piece 130. Through the surface of the piezoelectric vibrating piece 130 on the + Y′-axis side. In addition, on the −X′-side side of the −Y′-axis side surface of the piezoelectric vibrating piece 130, an extraction electrode 132 drawn from the + Y′-axis side excitation electrode 131 is formed along the −X-axis side side. Has been.

図3(a)は、ベース板120aの+Y’軸側の電極が示された平面図である。ベース板120aの+Y’軸側の面には凹部123が形成されており、凹部123を囲むように第2面122が形成されている。また、凹部123の+X軸側の−Z’軸側、及び−X軸側の+Z’軸側には圧電振動片130を載置するための載置部124が形成されており、載置部124の+Y’軸側の面には接続電極128が形成されている。一方、ベース板120aの四隅の側面にはそれぞれキャスタレーション127が形成されている。以降の説明においては、+X軸側の−Z’軸側のキャスタレーションをキャスタレーション27a、+X軸側の+Z’軸側のキャスタレーションをキャスタレーション27b、−X軸側の−Z’軸側のキャスタレーションをキャスタレーション27c、−X軸側の+Z’軸側のキャスタレーションをキャスタレーション27dとして説明する。キャスタレーション27a及びキャスタレーション27dは、X軸方向に長さLX1、Z’軸方向に長さLZ1の幅に形成されている。一方、キャスタレーション27b及びキャスタレーション27cは、X軸方向に長さLX2、Z’軸方向に長さLZ2の幅に形成されている。長さLX1は長さLX2よりも長く、長さLZ1は長さLZ2よりも短い。また、キャスタレーション27a及びキャスタレーション27dに形成される側面電極129は接続電極128と外部電極125とを電気的に接続しており、キャスタレーション27b及びキャスタレーション27cに形成される側面電極129はアース端子126(図3(b)参照)に電気的に接続されている。   FIG. 3A is a plan view showing the + Y′-axis side electrode of the base plate 120a. A recess 123 is formed on the surface on the + Y′-axis side of the base plate 120 a, and a second surface 122 is formed so as to surround the recess 123. In addition, on the −Z′-axis side on the + X-axis side of the concave portion 123 and the + Z′-axis side on the −X-axis side, a mounting portion 124 for mounting the piezoelectric vibrating piece 130 is formed. A connection electrode 128 is formed on the surface of the 124 on the + Y ′ axis side. On the other hand, castellations 127 are formed on the side surfaces of the four corners of the base plate 120a. In the following description, the castellation 27a on the + Z-axis side on the + X-axis side, the castellation 27b on the + Z-axis side on the + X-axis side, and the -Z'-axis side on the -X-axis side in the description. The castellation will be described as castellation 27c, and the + Z′-axis side castellation on the −X-axis side will be described as castellation 27d. The castellations 27a and 27d are formed to have a length LX1 in the X-axis direction and a width LZ1 in the Z′-axis direction. On the other hand, the castellation 27b and the castellation 27c are formed to have a length LX2 in the X-axis direction and a length LZ2 in the Z′-axis direction. The length LX1 is longer than the length LX2, and the length LZ1 is shorter than the length LZ2. The side electrode 129 formed on the castellation 27a and the castellation 27d electrically connects the connection electrode 128 and the external electrode 125, and the side electrode 129 formed on the castellation 27b and the castellation 27c is grounded. It is electrically connected to the terminal 126 (see FIG. 3B).

ベース板120aは、ベース板120aに形成されている各キャスタレーションがX軸方向及びZ’軸方向に隣り合うキャスタレーションとそれぞれZ’軸方向及びX軸方向の長さが異なっている。例えば、キャスタレーション27aはX軸方向に長さLX1に形成されているが、キャスタレーション27aの+Z’軸方向に隣り合うキャスタレーション27bのX軸方向の長さはLX2に形成されており、互いにX軸方向に異なる長さに形成されている。そのため、キャスタレーション27aの−X軸側の端のベース板120a側に凹んだ角部171aとキャスタレーション27bの−X軸側の端のベース板120a側に凹んだ角部171bとを結ぶ直線171は、Z’軸に平行になっていない。また、キャスタレーション27aはZ’軸方向に長さLZ1に形成されているが、−X軸方向に隣り合うキャスタレーション27cは、Z’軸方向に長さLZ2に形成されており、互いにZ’軸方向に異なる長さに形成されている。そのため、キャスタレーション27aの+Z’軸側の端のベース板120側に凹んだ角部172aとキャスタレーション27cの+Z’軸側の端のベース板120側に凹んだ角部172bとを結ぶ直線172は、X軸に平行になっていない。   The base plate 120a is different from the castellations in which the castellations formed on the base plate 120a are adjacent in the X-axis direction and the Z′-axis direction in the Z′-axis direction and the X-axis direction, respectively. For example, the castellation 27a is formed to have a length LX1 in the X-axis direction, but the castellation 27b adjacent to the + Z'-axis direction of the castellation 27a has a length in the X-axis direction that is LX2. Different lengths are formed in the X-axis direction. Therefore, a straight line 171 that connects a corner 171a that is recessed toward the base plate 120a at the end on the −X-axis side of the castellation 27a and a corner 171b that is recessed toward the base plate 120a at the end on the −X-axis side of the castellation 27b. Is not parallel to the Z ′ axis. Further, the castellations 27a are formed in the length LZ1 in the Z′-axis direction, but the castellations 27c adjacent in the −X-axis direction are formed in the length LZ2 in the Z′-axis direction and are mutually Z ′. The length is different in the axial direction. Therefore, a straight line 172 that connects a corner 172a that is recessed toward the base plate 120 at the + Z′-axis end of the castellation 27a and a corner 172b that is recessed toward the base plate 120 at the + Z′-axis end of the castellation 27c. Are not parallel to the X axis.

図3(b)は、ベース板120aの−Y’軸側の電極が示された平面図である。図3(b)では、ベース板120aの−Y’軸側に形成された電極が、+Y’軸側から−Y’軸方向にベース板120aを透過して見る形で示されている。ベース板120aの−Y’軸側の面の+X軸側の−Z’軸側、及び−X軸側の+Z’軸側には外部電極125が形成されている。各外部電極125は、側面電極129を介して+Y’軸側の面に形成されている接続電極128に電気的に接続されている。また、−Y’軸側の面の+X軸側の+Z’軸側、及び−X軸側の−Z’軸側にはアース端子126が形成されている。   FIG. 3B is a plan view showing an electrode on the −Y′-axis side of the base plate 120a. In FIG. 3B, the electrode formed on the −Y′-axis side of the base plate 120a is shown as seen through the base plate 120a in the −Y′-axis direction from the + Y′-axis side. External electrodes 125 are formed on the −Z′-axis side on the + X-axis side and the + Z′-axis side on the −X-axis side of the surface on the −Y′-axis side of the base plate 120a. Each external electrode 125 is electrically connected to a connection electrode 128 formed on the surface on the + Y′-axis side via a side electrode 129. Further, the ground terminal 126 is formed on the + Z′-axis side on the + X-axis side and the −Z′-axis side on the −X-axis side of the surface on the −Y′-axis side.

圧電デバイスは、プリント基板に実装されてプリント基板の曲げ試験を行ったときに、ベース板に割れが生じることがある。この割れは、キャスタレーションのベース板の内側に凹んだ角部(例えば、図3(a)の角部171a等に相当)を起点として発生し、X軸方向又はZ’軸方向に平行に発生する。また、このような割れはベース板の中心近くを通って発生する確率が高く、X軸方向又はZ’軸方向に隣り合うキャスタレーションの角部同士がX軸又はZ’軸に平行な直線上にあるときに発生し易い。このような傾向から、ベース板にはプリント基板の曲げ試験を行った場合に、キャスタレーションの角部同士を結ぶ直線がベース板の中心近くを通り、直線がX軸又はZ’軸に平行となるときにベース板に強い応力がかかる、又はベース板のキャスタレーションがこのような条件を満たす角部を有している場合に曲げ応力に弱くなると考えられる。圧電デバイス100のベース板120aは、例えば図3(a)の直線171及び直線172のように、キャスタレーションの角部同士を結びベース板の中心近くを通る直線がX軸又はZ’軸に平行にならないように形成されているため、ベース板120aに割れが生じにくい。また、圧電デバイス100では、キャスタレーションがX軸方向及びZ’軸方向に伸びたL字型に形成されることにより側面電極129の幅を太くすることができ、電極の安定したパターニング及び抵抗値を得ることができる。   When a piezoelectric device is mounted on a printed board and subjected to a bending test of the printed board, a base plate may be cracked. This crack occurs starting from a corner (such as the corner 171a in FIG. 3A) recessed inside the castellation base plate and parallel to the X-axis direction or the Z′-axis direction. To do. In addition, such a crack is likely to occur near the center of the base plate, and the corners of castellations adjacent to each other in the X-axis direction or the Z′-axis direction are on a straight line parallel to the X-axis or the Z′-axis. It is easy to occur when there is. Because of this tendency, when a printed circuit board bending test is performed on the base plate, a straight line connecting the corners of the castellation passes near the center of the base plate, and the straight line is parallel to the X axis or the Z ′ axis. In this case, it is considered that a strong stress is applied to the base plate, or the base plate castellation is weak against bending stress when the base plate has corners that satisfy such conditions. The base plate 120a of the piezoelectric device 100 has, for example, straight lines 171 and 172 in FIG. 3A connecting the corners of the castellations and passing near the center of the base plate parallel to the X axis or the Z ′ axis. Therefore, the base plate 120a is not easily cracked. Further, in the piezoelectric device 100, the castellation is formed in an L shape extending in the X-axis direction and the Z′-axis direction, whereby the width of the side electrode 129 can be increased, and stable patterning and resistance value of the electrode can be achieved. Can be obtained.

また、ベース板120aはキャスタレーションの角部同士を結びベース板の中心近くを通る直線がX軸又はZ’軸に平行にならないように形成されたが、キャスタレーションの角部同士を結びベース板の中心近くを通る直線がX軸又はZ’軸のどちらか一方に平行にならないように形成されればベース板に割れを生じ難くすることができる。   The base plate 120a is formed so that the corners of the castellation are connected to each other so that a straight line passing near the center of the base plate is not parallel to the X axis or the Z ′ axis. If the straight line passing near the center of the base plate is formed so as not to be parallel to either the X-axis or the Z′-axis, the base plate can be made difficult to crack.

<圧電デバイス100の作製方法>
図4は、圧電デバイス100の作製方法を示したフローチャートである。以下、図4を参照して圧電デバイス100の作製方法を説明する。
<Method for Manufacturing Piezoelectric Device 100>
FIG. 4 is a flowchart showing a method for manufacturing the piezoelectric device 100. Hereinafter, a method for manufacturing the piezoelectric device 100 will be described with reference to FIG.

ステップS101では、圧電振動片130が用意される。圧電振動片130は、図1、図2(b)及び図2(c)に示されるように平板の矩形形状に形成され、励振電極131及び引出電極132が形成されている。   In step S101, the piezoelectric vibrating piece 130 is prepared. The piezoelectric vibrating piece 130 is formed in a flat plate rectangular shape as shown in FIGS. 1, 2B, and 2C, and an excitation electrode 131 and an extraction electrode 132 are formed.

ステップS102では、ベースウエハが用意される。ベースウエハには複数のベース板が形成されている。以下、図5を参照してベースウエハW120Aについて説明する。   In step S102, a base wafer is prepared. A plurality of base plates are formed on the base wafer. Hereinafter, the base wafer W120A will be described with reference to FIG.

図5(a)は、ベースウエハW120Aの平面図である。ベースウエハW120Aには、ベース板120a及びベース板120bの2種類のベース板が形成されており、それぞれX軸方向及びZ’軸方向に交互に形成されている。また、図5(a)には、後述のステップS106においてウエハが切断される線であるスクライブライン142が二点鎖線で示されている。図5(a)では、ベースウエハW120Aに形成されるベース板120a及びベース板120bが、スクライブライン142によって囲まれて示されている。また、X軸方向に伸びるスクライブライン142とZ’軸方向に伸びるスクライブライン142とが交差する位置には、ベースウエハW120Aを貫通する貫通孔143a又は貫通孔143bが形成されている。貫通孔143aの平面形状は、スクライブライン142の交点を中心にしてZ’軸方向に長く伸びX軸方向に短く伸びた十字型に形成されている。また、貫通孔143bの平面形状は、スクライブライン142の交点を中心にしてZ’軸方向に短く伸びX軸方向に長く伸びた十字型に形成されている。ベース板120aには貫通孔143aが+X軸側の+Z’軸側に配置されており、ベース板120bは貫通孔143bが+X軸側の+Z’軸側に配置されている。   FIG. 5A is a plan view of the base wafer W120A. Two types of base plates, a base plate 120a and a base plate 120b, are formed on the base wafer W120A, and are alternately formed in the X-axis direction and the Z′-axis direction, respectively. In FIG. 5A, a scribe line 142, which is a line for cutting the wafer in step S106 described later, is indicated by a two-dot chain line. In FIG. 5A, the base plate 120a and the base plate 120b formed on the base wafer W120A are surrounded by a scribe line 142. A through hole 143a or a through hole 143b penetrating the base wafer W120A is formed at a position where the scribe line 142 extending in the X-axis direction and the scribe line 142 extending in the Z′-axis direction intersect. The planar shape of the through hole 143a is formed in a cross shape that extends long in the Z′-axis direction and short in the X-axis direction around the intersection of the scribe lines 142. The planar shape of the through hole 143b is formed in a cross shape that extends short in the Z′-axis direction and long in the X-axis direction around the intersection of the scribe lines 142. In the base plate 120a, a through hole 143a is disposed on the + Z ′ axis side on the + X axis side, and in the base plate 120b, the through hole 143b is disposed on the + Z ′ axis side on the + X axis side.

図5(b)は、ベース板120bの+Y’軸側の電極が示された平面図である。ベース板120bの+Y’軸側の面には凹部123が形成されており、凹部123を囲むように第2面122が形成されている。また、凹部123の+X軸側の−Z’軸側、及び−X軸側の+Z’軸側には載置部124が形成されており、載置部124の+Y’軸側の面には接続電極128が形成されている。一方、ベース板120bの四隅にはそれぞれキャスタレーション27a〜27dが形成されている。ベース板120bに形成される各キャスタレーション27a〜27dのX−Z’平面における形状は、ベース板120aと同様にX軸方向及びZ’軸方向に伸びたL字型に形成されており、各キャスタレーション27a〜27dには側面電極129が形成されている。凹部123に形成されている各接続電極128は、側面電極129を介して−Y’軸側の面に形成されている外部電極125(図5(c)参照)に電気的に接続されている。   FIG. 5B is a plan view showing the + Y′-axis side electrode of the base plate 120b. A recess 123 is formed on the surface on the + Y′-axis side of the base plate 120 b, and a second surface 122 is formed so as to surround the recess 123. Further, a mounting portion 124 is formed on the −Z′-axis side on the + X-axis side of the concave portion 123 and the + Z′-axis side on the −X-axis side, and the surface of the mounting portion 124 on the + Y′-axis side is formed. A connection electrode 128 is formed. On the other hand, castellations 27a to 27d are formed at the four corners of the base plate 120b, respectively. The shape of each castellation 27a to 27d formed on the base plate 120b in the XZ ′ plane is formed in an L shape extending in the X-axis direction and the Z′-axis direction in the same manner as the base plate 120a. Side electrodes 129 are formed on the castellations 27a to 27d. Each connection electrode 128 formed in the recess 123 is electrically connected to an external electrode 125 (see FIG. 5C) formed on the surface at the −Y′-axis side via the side electrode 129. .

図5(c)は、ベース板120bの−Y’軸側の電極が示された平面図である。図5(c)では、ベース板120bの−Y’軸側に形成された電極が、+Y’軸側から−Y’軸方向にベース板120bを透過して見る形で示されている。ベース板120bの−Y’軸側の面の+X軸側の−Z’軸側、及び−X軸側の+Z’軸側には外部電極125が形成されている。各外部電極125は、側面電極129を介して+Y’軸側の面に形成されている接続電極128に電気的に接続されている。また、−Y’軸側の面の+X軸側の+Z’軸側、及び−X軸側の−Z’軸側にはアース端子126が形成されており、アース端子126は側面電極129に電気的に接続されている。   FIG. 5C is a plan view showing an electrode on the −Y′-axis side of the base plate 120b. In FIG. 5C, the electrode formed on the −Y′-axis side of the base plate 120b is shown as seen through the base plate 120b in the −Y′-axis direction from the + Y′-axis side. External electrodes 125 are formed on the −Z′-axis side on the + X-axis side and the + Z′-axis side on the −X-axis side of the surface on the −Y′-axis side of the base plate 120b. Each external electrode 125 is electrically connected to a connection electrode 128 formed on the surface on the + Y′-axis side via a side electrode 129. Further, a ground terminal 126 is formed on the + Z-axis side on the + X-axis side of the surface on the −Y′-axis side and the −Z′-axis side on the −X-axis side, and the ground terminal 126 is electrically connected to the side electrode 129. Connected.

ベースウエハW120では、貫通孔143aのX軸方向の長さと貫通孔143bのZ’軸方向の長さ、及び貫通孔143aのZ’軸方向の長さと貫通孔143bのX軸方向の長さとが等しい場合、ベース板120a及びベース板129bの長さLX1と長さLZ2との長さが等しく、長さLX2と長さLZ1との長さが等しくなる。このとき、ベース板120a及びベース板120bに形成される全ての側面電極129の断面の長さが等しくなる。そのため、圧電デバイスが形成された場合、ベース板120a又はベース板120bのいずれが用いられた場合でも電気的な接続が等しくなっている。   In the base wafer W120, the length of the through-hole 143a in the X-axis direction and the length of the through-hole 143b in the Z′-axis direction, and the length of the through-hole 143a in the Z′-axis direction and the length of the through-hole 143b in the X-axis direction. When equal, the lengths LX1 and LZ2 of the base plate 120a and the base plate 129b are equal, and the lengths LX2 and LZ1 are equal. At this time, the lengths of the cross sections of all the side electrodes 129 formed on the base plate 120a and the base plate 120b are equal. Therefore, when the piezoelectric device is formed, the electrical connection is equal regardless of whether the base plate 120a or the base plate 120b is used.

図4に戻って、ステップS103では、リッドウエハが用意される。リッドウエハには複数のリッド板が形成されている。以下、図6を参照してリッドウエハW110について説明する。   Returning to FIG. 4, in step S103, a lid wafer is prepared. A plurality of lid plates are formed on the lid wafer. Hereinafter, the lid wafer W110 will be described with reference to FIG.

図6は、リッドウエハW110の平面図である。リッドウエハW110には、複数のリッド板110が形成されている。図6には、後述のステップS106においてウエハが切断される線であるスクライブライン142が二点鎖線で示されており、リッドウエハW110に形成されている各リッド板110は、スクライブライン142に囲まれて示されている。各リッド板110の−Y’軸側の面には凹部111が形成されている。   FIG. 6 is a plan view of the lid wafer W110. A plurality of lid plates 110 are formed on the lid wafer W110. In FIG. 6, a scribe line 142 that is a line through which the wafer is cut in step S <b> 106 described later is indicated by a two-dot chain line, and each lid plate 110 formed on the lid wafer W <b> 110 is surrounded by the scribe line 142. Is shown. A recess 111 is formed on the surface of each lid plate 110 on the −Y′-axis side.

ステップS104では、ベースウエハW120Aに圧電振動片130が載置される。ベースウエハW120Aに形成されるベース板120a及びベース板120bには、載置部124及び接続電極128がベース板の中の同じ場所に形成されているため、圧電振動片130は、ベース板120a及びベース板120bを判別しなくとも載置部124に載置することができる。   In step S104, the piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the base wafer W120A. Since the mounting portion 124 and the connection electrode 128 are formed on the base plate 120a and the base plate 120b formed on the base wafer W120A at the same place in the base plate, the piezoelectric vibrating piece 130 includes the base plate 120a and the base plate 120a. The base plate 120b can be placed on the placement portion 124 without being discriminated.

ステップS105では、接合材140によりベースウエハW120AとリッドウエハW110とが接合される。ベースウエハW120AとリッドウエハW110との接合は、ベースウエハW120Aの第2面122とリッドウエハW110の接合面112とが互いに接合材140を介して接合される。これにより、ウエハ上に複数の圧電デバイス100が形成される。   In step S105, the base wafer W120A and the lid wafer W110 are bonded by the bonding material 140. In joining the base wafer W120A and the lid wafer W110, the second surface 122 of the base wafer W120A and the joining surface 112 of the lid wafer W110 are joined to each other via the joining material 140. Thereby, a plurality of piezoelectric devices 100 are formed on the wafer.

ステップS106では、ウエハがダイシングにより切断される。ウエハの切断は、スクライブライン142(図5及び図6参照)に沿って行われ、ウエハに形成された各圧電デバイス100が個別に分けられる。   In step S106, the wafer is cut by dicing. The wafer is cut along a scribe line 142 (see FIGS. 5 and 6), and each piezoelectric device 100 formed on the wafer is individually divided.

<ベース板の変形例>
ベース板及びベースウエハは、キャスタレーション及び貫通孔の形状が異なる様々な変形例が考えられる。以下に、ベース板及びベースウエハの変形例を説明する。
<Modification of base plate>
Various modifications of the base plate and the base wafer with different castellations and through hole shapes are possible. Hereinafter, modifications of the base plate and the base wafer will be described.

図7(a)は、ベースウエハW120Bの部分平面図である。ベースウエハW120Bには、複数のベース板120c及び複数のベース板120dがX軸方向及びZ’軸方向に交互に形成されている。図7(a)にはスクライブライン142が示されており、各ベース板120c及びベース板120dは、スクライブライン142に囲まれて示されている。また、X軸方向に伸びるスクライブライン142とZ’軸方向に伸びるスクライブライン142との交点には貫通孔143c及び貫通孔143dが交互に形成されている。ベース板120cの+X軸側の+Z’軸側の角部には貫通孔143cが形成され、ベース板120dの+X軸側の+Z’軸側の角部には貫通孔143dが形成されている。貫通孔143cはスクライブライン142の交点から+X軸方向及び+Z’軸方向に長く伸び、−X軸方向及び−Z’軸方向に短く伸びている。また、貫通孔143dはスクライブライン142の交点から+X軸方向及び+Z’軸方向に短く伸び、−X軸方向及び−Z’軸方向に長く伸びている。   FIG. 7A is a partial plan view of the base wafer W120B. In the base wafer W120B, a plurality of base plates 120c and a plurality of base plates 120d are alternately formed in the X-axis direction and the Z′-axis direction. FIG. 7A shows a scribe line 142, and each base plate 120 c and base plate 120 d are surrounded by the scribe line 142. Further, through holes 143 c and through holes 143 d are alternately formed at the intersections of the scribe lines 142 extending in the X-axis direction and the scribe lines 142 extending in the Z′-axis direction. A through hole 143c is formed at a corner of the base plate 120c on the + Z ′ axis side on the + X axis side, and a through hole 143d is formed at a corner of the base plate 120d on the + Z ′ axis side of the + X axis side. The through hole 143c extends from the intersection of the scribe lines 142 in the + X-axis direction and the + Z′-axis direction, and extends in the −X-axis direction and the −Z′-axis direction. The through hole 143d extends short from the intersection of the scribe lines 142 in the + X-axis direction and the + Z′-axis direction, and extends long in the −X-axis direction and the −Z′-axis direction.

図7(b)は、ベース板120cの平面図である。ベース板120cのキャスタレーション27aは+Z’軸方向に長さLZ1、−X軸方向に長さLX1だけ伸びている。また、キャスタレーション27dは−Z’軸方向に長さLZ2、+X軸方向に長さLX2だけ伸びている。キャスタレーション27bは−X軸方向及び−Z’軸方向にそれぞれ長さLX2及び長さLZ1だけ伸び、キャスタレーション27cは+X軸方向及び+Z’軸方向にそれぞれ長さLX1及び長さLZ2だけ伸びている。ベース板120cでは、長さLX1と長さLZ2との長さが等しく、長さLZ1と長さLX2との長さが等しい。また、長さLX1よりも長さLZ1の方が短い。そのため、キャスタレーション27aの角部171aとキャスタレーション27bの角部171bとを結ぶ直線171と、キャスタレーション27aの角部172aとキャスタレーション27cの角部172cとを結ぶ直線172とは、共にX軸及びZ’軸に平行ではない。   FIG. 7B is a plan view of the base plate 120c. The castellation 27a of the base plate 120c extends by a length LZ1 in the + Z′-axis direction and a length LX1 in the −X-axis direction. The castellation 27d extends by a length LZ2 in the −Z′-axis direction and a length LX2 in the + X-axis direction. The castellation 27b extends by a length LX2 and a length LZ1 in the −X axis direction and the −Z ′ axis direction, respectively. The castellation 27c extends by a length LX1 and a length LZ2 in the + X axis direction and the + Z ′ axis direction, respectively. Yes. In the base plate 120c, the length LX1 is equal to the length LZ2, and the length LZ1 is equal to the length LX2. Further, the length LZ1 is shorter than the length LX1. Therefore, the straight line 171 connecting the corner portion 171a of the castellation 27a and the corner portion 171b of the castellation 27b, and the straight line 172 connecting the corner portion 172a of the castellation 27a and the corner portion 172c of the castellation 27c are both X-axis. And not parallel to the Z ′ axis.

図7(c)は、ベース板120dの平面図である。ベース板120dのキャスタレーション27aは+Z’軸方向に長さLZ2、−X軸方向に長さLX2だけ伸びている。また、キャスタレーション27dは−Z’軸方向に長さLZ1、+X軸方向に長さLX1だけ伸びている。キャスタレーション27bは−X軸方向及び−Z’軸方向にそれぞれ長さLX1及び長さLZ2だけ伸び、キャスタレーション27cは+X軸方向及び+Z’軸方向にそれぞれ長さLX2及び長さLZ1だけ伸びている。ベース板120dでは、長さLX1と長さLZ2との長さが等しく、長さLZ1と長さLX2との長さが等しい。また、長さLX1よりも長さLZ1の方が短い。そのため、キャスタレーション27aの角部171aとキャスタレーション27bの角部171bとを結ぶ直線171と、キャスタレーション27aの角部172aとキャスタレーション27cの角部172cとを結ぶ直線172とは、共にX軸及びZ’軸に平行ではない。   FIG. 7C is a plan view of the base plate 120d. The castellation 27a of the base plate 120d extends by a length LZ2 in the + Z′-axis direction and a length LX2 in the −X-axis direction. The castellation 27d extends by a length LZ1 in the −Z′-axis direction and a length LX1 in the + X-axis direction. The castellation 27b extends by a length LX1 and a length LZ2 in the −X axis direction and the −Z ′ axis direction, respectively. The castellation 27c extends by a length LX2 and a length LZ1 in the + X axis direction and the + Z ′ axis direction, respectively. Yes. In the base plate 120d, the length LX1 is equal to the length LZ2, and the length LZ1 is equal to the length LX2. Further, the length LZ1 is shorter than the length LX1. Therefore, the straight line 171 connecting the corner portion 171a of the castellation 27a and the corner portion 171b of the castellation 27b, and the straight line 172 connecting the corner portion 172a of the castellation 27a and the corner portion 172c of the castellation 27c are both X-axis. And not parallel to the Z ′ axis.

図8(a)は、ベースウエハW120Cの部分平面図である。ベースウエハW120Cには、複数のベース板120e及び複数のベース板120fがX軸方向及びZ’軸方向に交互に形成されている。図8(a)にはスクライブライン142が示されており、各ベース板120e及びベース板120fはスクライブライン142に囲まれて示されている。また、X軸方向に伸びるスクライブライン142とZ’軸方向に伸びるスクライブライン142との交点には貫通孔143e及び貫通孔143fが交互に形成されている。ベース板120eの+X軸側の+Z’軸側の角部には貫通孔143eが形成され、ベース板120fの+X軸側の+Z’軸側の角部には貫通孔143fが形成されている。貫通孔143eはスクライブライン142の交点から+Z’軸方向及び−Z’軸方向に伸びている。また、貫通孔143fはスクライブライン142の交点から+X軸方向及び−X軸方向に短く伸びている。   FIG. 8A is a partial plan view of the base wafer W120C. In the base wafer W120C, a plurality of base plates 120e and a plurality of base plates 120f are alternately formed in the X-axis direction and the Z′-axis direction. FIG. 8A shows a scribe line 142, and each base plate 120 e and base plate 120 f are surrounded by the scribe line 142. Further, through holes 143e and through holes 143f are alternately formed at the intersections of the scribe lines 142 extending in the X-axis direction and the scribe lines 142 extending in the Z′-axis direction. A through hole 143e is formed at a corner of the base plate 120e on the + Z-axis side on the + X-axis side, and a through-hole 143f is formed at a corner on the + Z-axis side of the base plate 120f on the + Z-axis side. The through hole 143e extends from the intersection of the scribe line 142 in the + Z′-axis direction and the −Z′-axis direction. Further, the through hole 143f extends shortly from the intersection of the scribe line 142 in the + X axis direction and the −X axis direction.

図8(b)は、ベース板120eの平面図である。ベース板120eのキャスタレーション27aは−X軸方向に長さLX1だけ伸びている。また、キャスタレーション27dは+X軸方向に長さLX1だけ伸びている。キャスタレーション27b及びキャスタレーション27cは−Z’軸方向及び+Z’軸方向にそれぞれ長さLZ2だけ伸びている。ベース板120eでは、長さLX1と長さLZ2との長さが等しい。また、ベース板120eでは、キャスタレーション27aの角部171aとキャスタレーション27bの角部171bとを結ぶ直線171と、キャスタレーション27aの角部171aとキャスタレーション27cの角部172cとを結ぶ直線172とは、共にX軸及びZ’軸に平行ではない。   FIG. 8B is a plan view of the base plate 120e. The castellation 27a of the base plate 120e extends by a length LX1 in the −X axis direction. Further, the castellation 27d extends by a length LX1 in the + X-axis direction. The castellation 27b and the castellation 27c extend by a length LZ2 in the −Z′-axis direction and the + Z′-axis direction, respectively. In the base plate 120e, the length LX1 and the length LZ2 are equal. Further, in the base plate 120e, a straight line 171 connecting the corner portion 171a of the castellation 27a and the corner portion 171b of the castellation 27b, and a straight line 172 connecting the corner portion 171a of the castellation 27a and the corner portion 172c of the castellation 27c, Are not both parallel to the X and Z ′ axes.

図8(c)は、ベース板120fの平面図である。ベース板120fのキャスタレーション27a及びキャスタレーション27dは、それぞれ+Z’軸方向及び−Z’軸方向に長さLZ2だけ伸びている。また、キャスタレーション27b及びキャスタレーション27cは−X軸方向及び+X軸方向にそれぞれ長さLX1だけ伸びている。そのため、キャスタレーション27aの角部171aとキャスタレーション27bの角部171bとを結ぶ直線171と、キャスタレーション27aの角部171aとキャスタレーション27cの角部172cとを結ぶ直線172とは、共にX軸及びZ’軸に平行ではない。   FIG. 8C is a plan view of the base plate 120f. The castellation 27a and the castellation 27d of the base plate 120f extend by the length LZ2 in the + Z′-axis direction and the −Z′-axis direction, respectively. Further, the castellation 27b and the castellation 27c extend by a length LX1 in the −X axis direction and the + X axis direction, respectively. Therefore, the straight line 171 connecting the corner 171a of the castellation 27a and the corner 171b of the castellation 27b and the straight line 172 connecting the corner 171a of the castellation 27a and the corner 172c of the castellation 27c are both X-axis. And not parallel to the Z ′ axis.

図9(a)は、ベースウエハW120Dの部分平面図である。ベースウエハW120Dには、複数のベース板120g及び複数のベース板120hがX軸方向に交互に形成されている。一方、複数のベース板120g及び複数のベース板120hはZ’軸方向には同じ種類のベース板が並んで形成されている。図9(a)にはスクライブライン142が示されており、各ベース板120g及びベース板120hは、スクライブライン142に囲まれて示されている。また、X軸方向に伸びるスクライブライン142とZ’軸方向に伸びるスクライブライン142との交点には貫通孔143g及び貫通孔143hが形成されており、X軸方向には交互に、Z’軸方向には同一の貫通孔が形成されている。ベース板120gの+X軸側の−Z’軸側の角部には貫通孔143gが形成され、ベース板120hの+X軸側の+Z’軸側の角部には貫通孔143hが形成されている。貫通孔143gはスクライブライン142の交点から+Z’軸方向に伸びており、貫通孔143hはスクライブライン142の交点から−Z’軸方向に伸びている。ベース板120gは、図8(c)に示されたベース板120fのキャスタレーション27b及びキャスタレーション27cが形成されていない形状に形成されている。また、ベース板120hの載置部124はベース板120gとは異なり凹部123の+X軸側の+Z’軸側及び−X軸側の−Z’軸側に形成されている。ベース板120hは圧電振動片130が+X軸側及び−X軸側の辺に沿って引出電極132が形成されているため、圧電振動片130をベース板に載置する際には、ベース板120hとベース板120gとを区別しなくてもよい。   FIG. 9A is a partial plan view of the base wafer W120D. On the base wafer W120D, a plurality of base plates 120g and a plurality of base plates 120h are alternately formed in the X-axis direction. On the other hand, the plurality of base plates 120g and the plurality of base plates 120h are formed by arranging the same type of base plates in the Z′-axis direction. FIG. 9A shows a scribe line 142, and each base plate 120 g and the base plate 120 h are surrounded by the scribe line 142. A through hole 143g and a through hole 143h are formed at the intersection of the scribe line 142 extending in the X-axis direction and the scribe line 142 extending in the Z′-axis direction, and alternately in the Z′-axis direction in the X-axis direction. Are formed with the same through-hole. A through hole 143g is formed at the corner of the base plate 120g on the + Z-axis side on the + X-axis side, and a through-hole 143h is formed at a corner on the + Z-axis side of the base plate 120h on the + Z-axis side. . The through-hole 143g extends from the intersection of the scribe lines 142 in the + Z′-axis direction, and the through-hole 143h extends from the intersection of the scribe lines 142 in the −Z′-axis direction. The base plate 120g is formed in a shape in which the castellation 27b and the castellation 27c of the base plate 120f shown in FIG. 8C are not formed. Further, unlike the base plate 120g, the placement portion 124 of the base plate 120h is formed on the + Z′-axis side on the + X-axis side and the −Z′-axis side on the −X-axis side of the recess 123. Since the base plate 120h has the lead electrode 132 formed along the + X-axis side and the -X-axis side of the piezoelectric vibrating piece 130, when the piezoelectric vibrating piece 130 is placed on the base plate, the base plate 120h And the base plate 120g need not be distinguished.

図9(b)は、ベースウエハW120Eの部分平面図である。ベースウエハW120Eには、複数のベース板120j及び複数のベース板120kがX軸方向及びZ’軸方向に交互に形成されている。図9(b)にはスクライブライン142が示されており、各ベース板120j及びベース板120kは、スクライブライン142に囲まれて示されている。また、X軸方向に伸びるスクライブライン142とZ’軸方向に伸びるスクライブライン142との交点には貫通孔143jがX軸方向及びZ’軸方向に1つ置きに形成されている。貫通孔143jはスクライブライン142の交点から+Z’軸方向及び−Z’軸方向に伸びている。ベース板120jの形状は図9(a)のベース板120hと同じであり、ベース板120kの形状は図9(a)のベース板120gと同じである。   FIG. 9B is a partial plan view of the base wafer W120E. In the base wafer W120E, a plurality of base plates 120j and a plurality of base plates 120k are alternately formed in the X-axis direction and the Z′-axis direction. FIG. 9B shows a scribe line 142, and each base plate 120 j and the base plate 120 k are surrounded by the scribe line 142. Further, every other through-hole 143j is formed at the intersection of the scribe line 142 extending in the X-axis direction and the scribe line 142 extending in the Z′-axis direction in the X-axis direction and the Z′-axis direction. The through hole 143j extends from the intersection of the scribe line 142 in the + Z′-axis direction and the −Z′-axis direction. The shape of the base plate 120j is the same as the base plate 120h in FIG. 9A, and the shape of the base plate 120k is the same as the base plate 120g in FIG. 9A.

図9(c)は、ベースウエハW120Fの部分平面図である。ベースウエハW120Fには、複数のベース板120m及び複数のベース板120nがX軸方向及びZ’軸方向に交互に形成されている。図9(c)にはスクライブライン142が示されており、各ベース板120m及びベース板120nは、スクライブライン142に囲まれて示されている。また、X軸方向に伸びるスクライブライン142とZ’軸方向に伸びるスクライブライン142との交点には貫通孔143kがX軸方向及びZ’軸方向に1つ置きに形成されている。貫通孔143kはスクライブライン142の交点から+Z’軸方向、−Z’軸方向、+X軸方向及び−X軸方向にそれぞれ等距離に伸びている。ベース板120m及びベース板120nは、対角線上にある一対のキャスタレーションにX軸方向及びZ’軸方向に溝が伸びることにより形成されている。   FIG. 9C is a partial plan view of the base wafer W120F. In the base wafer W120F, a plurality of base plates 120m and a plurality of base plates 120n are alternately formed in the X-axis direction and the Z′-axis direction. FIG. 9C shows a scribe line 142, and each base plate 120 m and the base plate 120 n are surrounded by the scribe line 142. Further, every other through-hole 143k is formed at the intersection of the scribe line 142 extending in the X-axis direction and the scribe line 142 extending in the Z′-axis direction in the X-axis direction and the Z′-axis direction. The through hole 143k extends from the intersection of the scribe line 142 at equal distances in the + Z′-axis direction, the −Z′-axis direction, the + X-axis direction, and the −X-axis direction. The base plate 120m and the base plate 120n are formed by extending grooves in a pair of castellations on a diagonal line in the X-axis direction and the Z′-axis direction.

図9(a)、図9(b)及び図9(c)に示された各ベース板は、一方の対角線上のベース板の角にはキャスタレーションが形成されるが、他方の対角線上のベース板の角にはキャスタレーションが形成されていない。−Y’軸側の面に形成されるアース端子はキャスタレーションに形成される側面電極に電気的に接続されることが必須ではないため、図9(a)〜図9(c)に示されるように、キャスタレーションは外部電極に接する箇所のみに形成されることができる。このような場合は、X軸方向及びZ’軸方向に隣り合うキャスタレーションが形成されないため、X軸方向及びZ’軸方向に隣り合うキャスタレーションの角部同士を結びベース板の中心近くを通る直線が形成されず、ベース板に割れが生じにくい。   In each of the base plates shown in FIGS. 9A, 9B, and 9C, castellations are formed at the corners of the base plate on one diagonal, but on the other diagonal. No castellations are formed at the corners of the base plate. Since the earth terminal formed on the surface on the −Y ′ axis side is not necessarily electrically connected to the side electrode formed in the castellation, it is shown in FIGS. 9A to 9C. As described above, the castellation can be formed only at a position in contact with the external electrode. In such a case, since the castellations adjacent to each other in the X-axis direction and the Z′-axis direction are not formed, the corner portions of the castellations adjacent to each other in the X-axis direction and the Z′-axis direction are connected to each other and pass near the center of the base plate. A straight line is not formed, and the base plate is hardly cracked.

(第2実施形態)
圧電デバイスは、外枠が形成された圧電振動片が用いられても良い。以下、外枠が形成された圧電振動片を有する圧電デバイス200について説明する。
(Second Embodiment)
As the piezoelectric device, a piezoelectric vibrating piece having an outer frame may be used. Hereinafter, the piezoelectric device 200 having the piezoelectric vibrating piece in which the outer frame is formed will be described.

<圧電デバイス200の構成>
図10は、圧電デバイス200の分解斜視図である。圧電デバイス200は主に、リッド板210と、ベース板220aと、圧電振動片230aとにより構成されている。圧電振動片230aは、+Y’軸側及び−Y’軸側の面に励振電極231がそれぞれ形成された振動部233と、励振部233を囲む枠部234と、振動部233及び枠部234を連結する連結部235と、により構成されている。振動部233と枠部234との間の連結部235以外の領域には圧電振動片230aをY’軸方向に貫通する貫通溝236が形成されている。+Y’軸側の面に形成される励振電極231からは、連結部235、−X軸側の+Z’軸側の貫通溝236の側面を介して枠部234の−X軸側の+Z’軸側の−Y’軸側の面の角部にまで引出電極232が引き出されている。また、−Y’軸側の面に形成されている励振電極231からは、連結部235を介して枠部234の+X軸側の−Z’軸側の−Y’軸側の面の角部にまで引出電極232が引き出されている。
<Configuration of Piezoelectric Device 200>
FIG. 10 is an exploded perspective view of the piezoelectric device 200. The piezoelectric device 200 mainly includes a lid plate 210, a base plate 220a, and a piezoelectric vibrating piece 230a. The piezoelectric vibrating piece 230a includes a vibrating portion 233 having excitation electrodes 231 formed on surfaces on the + Y ′ axis side and the −Y ′ axis side, a frame portion 234 that surrounds the excitation portion 233, and the vibrating portion 233 and the frame portion 234, respectively. And a connecting portion 235 to be connected. A through groove 236 that penetrates the piezoelectric vibrating piece 230 a in the Y′-axis direction is formed in a region other than the connecting portion 235 between the vibrating portion 233 and the frame portion 234. From the excitation electrode 231 formed on the surface on the + Y′-axis side, the + Z′-axis on the −X-axis side of the frame portion 234 through the connecting portion 235 and the side surface of the through-groove 236 on the + Z′-axis side on the −X-axis side The extraction electrode 232 is extracted to the corner of the surface on the −Y ′ axis side. Further, from the excitation electrode 231 formed on the surface on the −Y′-axis side, the corner portion of the surface on the −Y′-axis side on the −Z′-axis side on the −Z′-axis side of the + X-axis side of the frame portion 234 via the connecting portion 235. The extraction electrode 232 has been extracted up to.

ベース板220aは、圧電振動片230aの−Y’軸側の面に配置されている。ベース板220aの−Y’軸側の面である第1面221には外部電極225及びアース端子226が形成されている。また、+Y’軸側の面には凹部223と凹部223の周りの第2面222とが形成されている。さらに、第2面222の+X軸側の−Z’軸側、及び−X軸側の+Z’軸側の角部には接続電極228が形成されている。また、ベース板220aの+X軸側の−Z’軸側、及び−X軸側の+Z’軸側の角部には、キャスタレーション227が形成されており、キャスタレーション227には側面電極229が形成されており、側面電極229は接続電極228と外部電極225とを電気的に接続している。ベース板220aと圧電振動片230aとは、ベース板220aの第2面222と圧電振動片230aの枠部234の−Y’軸側の面とが接合材140(図11参照)を介して接合されることにより接合される。   The base plate 220a is disposed on the surface at the −Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 230a. An external electrode 225 and a ground terminal 226 are formed on the first surface 221 that is the surface on the −Y′-axis side of the base plate 220 a. Further, a recess 223 and a second surface 222 around the recess 223 are formed on the surface at the + Y′-axis side. Further, connection electrodes 228 are formed at the corners of the second surface 222 on the + Z-axis side on the + X-axis side and on the + Z′-axis side on the −X-axis side. Further, castellations 227 are formed at corners of the base plate 220a on the + Z-axis side on the + X-axis side and on the + Z-axis side on the -X-axis side, and side electrodes 229 are formed on the castellation 227. The side electrode 229 is electrically connected to the connection electrode 228 and the external electrode 225. The base plate 220a and the piezoelectric vibrating piece 230a are bonded to each other via the bonding material 140 (see FIG. 11) between the second surface 222 of the base plate 220a and the surface on the −Y′-axis side of the frame portion 234 of the piezoelectric vibrating piece 230a. To be joined.

リッド板210は、圧電振動片230aの+Y’軸側の面に配置される。リッド板210の−Y’軸側には凹部211が形成され、凹部211を囲むように接合面212が形成されている。リッド板210と圧電振動片230aとは、リッド板210の接合面212と圧電振動片230aの枠部234の+Y’軸側の面とが接合材140(図11参照)を介して接合されることにより接合される。   The lid plate 210 is disposed on the surface at the + Y′-axis side of the piezoelectric vibrating piece 230a. A recess 211 is formed on the −Y′-axis side of the lid plate 210, and a bonding surface 212 is formed so as to surround the recess 211. The lid plate 210 and the piezoelectric vibrating piece 230a are bonded to the bonding surface 212 of the lid plate 210 and the surface on the + Y′-axis side of the frame portion 234 of the piezoelectric vibrating piece 230a via a bonding material 140 (see FIG. 11). Are joined.

図11(a)は、図10のB−B断面図である。圧電デバイス200には、ベース板220a、リッド板210、及び圧電振動片230aが互いに接合されることにより圧電デバイス200内にキャビティ201が形成される。また、圧電振動片230aの圧電振動部233がキャビティ201内に配置されている。圧電振動部233に形成されている励振電極231は、引出電極232とベース板220aの接続電極228とが電気的に接続されることにより、外部電極225に電気的に接続される。ベース板220aのキャスタレーション227は、第1面221から第2面222方向に伸びて形成される第1曲面271と、第2面222から第1面221方向に向かって伸びて形成される第2曲面272と、第1曲面271及び第2曲面272の間に形成されている突起面273と、により構成されている。第1曲面271及び第2曲面272はY’軸方向の断面がベース板220a側に凹んだ曲面を含んでおり、突起面273はY’軸方向の断面が直線になるように形成されている。また、突起面273は、第1曲面271及び第2曲面272よりもベース板220から外側に向かって突き出て形成されている。この、第1曲面271、第2曲面272及び突起面273には側面電極229が形成されており、側面電極229は接続電極228と外部電極225とを電気的に接続している。また、第1面221、外部電極225及びアース端子226(図11(c)参照)の表面は、粗面状に形成されている。   Fig.11 (a) is BB sectional drawing of FIG. In the piezoelectric device 200, the base plate 220a, the lid plate 210, and the piezoelectric vibrating piece 230a are joined to each other, whereby a cavity 201 is formed in the piezoelectric device 200. In addition, the piezoelectric vibrating portion 233 of the piezoelectric vibrating piece 230 a is disposed in the cavity 201. The excitation electrode 231 formed on the piezoelectric vibrating portion 233 is electrically connected to the external electrode 225 by electrically connecting the extraction electrode 232 and the connection electrode 228 of the base plate 220a. The castellation 227 of the base plate 220a includes a first curved surface 271 formed extending from the first surface 221 toward the second surface 222, and a first curved surface 271 formed extending from the second surface 222 toward the first surface 221. The second curved surface 272 and the projecting surface 273 formed between the first curved surface 271 and the second curved surface 272 are configured. The first curved surface 271 and the second curved surface 272 include a curved surface in which the cross section in the Y′-axis direction is recessed toward the base plate 220a, and the protruding surface 273 is formed so that the cross-section in the Y′-axis direction is a straight line. . Further, the protruding surface 273 is formed to protrude outward from the base plate 220 with respect to the first curved surface 271 and the second curved surface 272. Side electrodes 229 are formed on the first curved surface 271, the second curved surface 272, and the projecting surface 273, and the side electrode 229 electrically connects the connection electrode 228 and the external electrode 225. The surfaces of the first surface 221, the external electrode 225, and the ground terminal 226 (see FIG. 11C) are formed into a rough surface.

図11(b)は、ベース板220aの平面図である。ベース板220aの+Y’軸側の面には凹部223が形成されており、凹部223を囲むように第2面222が形成されている。また、+X軸側の−Z’軸側と−X軸側の+Z’軸側とにはキャスタレーション227が形成されている。キャスタレーション227のX−Z’平面における断面は、半径L227の円の一部を含んでおり、キャスタレーション227には側面電極229(図11(a)参照)が形成されている。さらに、第2面222の+X軸側の−Z’軸側と−X軸側の+Z’軸側とには側面電極229に電気的に接続される接続電極228が形成されている。   FIG. 11B is a plan view of the base plate 220a. A recess 223 is formed on the surface of the base plate 220 a on the + Y′-axis side, and a second surface 222 is formed so as to surround the recess 223. A castellation 227 is formed on the −Z′-axis side on the + X-axis side and the + Z′-axis side on the −X-axis side. The cross section of the castellation 227 in the X-Z ′ plane includes a part of a circle having a radius L227, and the side electrode 229 (see FIG. 11A) is formed on the castellation 227. Further, a connection electrode 228 electrically connected to the side surface electrode 229 is formed on the −Z′-axis side on the + X-axis side and the + Z′-axis side on the −X-axis side of the second surface 222.

図11(c)は、−Y’軸側の面の電極が示されているベース板220aの平面図である。図11(c)では、ベース板220aの−Y’軸側の面に形成された電極が、+Y’軸側から−Y’軸方向にベース板220aを透過して見る形で示されている。ベース板220aの−Y’軸側の面の+X軸側の−Z’軸側、及び−X軸側の+Z’軸側には外部電極225が形成されている。各外部電極225は、キャスタレーション227に形成される側面電極229(図11(a)参照)を介して+Y’軸側の面に形成されている接続電極228に電気的に接続されている。また、−Y’軸側の面の+X軸側の+Z’軸側、及び−X軸側の−Z’軸側にはアース端子226が形成されている。   FIG. 11C is a plan view of the base plate 220a on which the electrodes on the surface at the −Y′-axis side are shown. In FIG. 11C, the electrode formed on the surface on the −Y′-axis side of the base plate 220a is shown as seen through the base plate 220a in the −Y′-axis direction from the + Y′-axis side. . External electrodes 225 are formed on the −Z′-axis side on the + X-axis side and the + Z′-axis side on the −X-axis side of the surface on the −Y′-axis side of the base plate 220a. Each external electrode 225 is electrically connected to a connection electrode 228 formed on the surface on the + Y′-axis side via a side electrode 229 (see FIG. 11A) formed on the castellation 227. Also, ground terminals 226 are formed on the + Z′-axis side on the + X-axis side and the −Z′-axis side on the −X-axis side of the surface on the −Y′-axis side.

<圧電デバイス200の作製方法>
図12は、圧電デバイス200の作製方法を示したフローチャートである。以下、図12を参照して圧電デバイス200の作製方法を説明する。
<Method for Manufacturing Piezoelectric Device 200>
FIG. 12 is a flowchart showing a method for manufacturing the piezoelectric device 200. Hereinafter, a method for manufacturing the piezoelectric device 200 will be described with reference to FIG.

ステップS201では、圧電ウエハW230が用意される。圧電ウエハW230には、複数の圧電振動片230a及び複数の圧電振動片230bが形成されている。以下、図13を参照して圧電ウエハW230について説明する。   In step S201, a piezoelectric wafer W230 is prepared. A plurality of piezoelectric vibrating pieces 230a and a plurality of piezoelectric vibrating pieces 230b are formed on the piezoelectric wafer W230. Hereinafter, the piezoelectric wafer W230 will be described with reference to FIG.

図13は、圧電ウエハW230の平面図である。図13にはスクライブライン142が二点鎖線で示されており、圧電振動片230a及び圧電振動片230bがスクライブライン142に囲まれて示されている。また、圧電振動片230a及び圧電振動片230bはX軸方向及びZ’軸方向に交互に形成されている。圧電振動片230bは、連結部235が振動部233の+X軸側の+Z’軸側及び−X軸側の−Z’軸側に形成されており、引出電極232が枠部234の+X軸側の+Z’軸側及び−X軸側の−Z’軸側まで引き出されている。圧電振動片230a及び圧電振動片230bとは、互いにX−Y’平面に対して面対称になる形状を有しており、電気的特性及び振動特性等の違いはない。圧電ウエハW230には、貫通溝236、励振電極231及び引出電極232等が形成されることにより、圧電振動片230a及び圧電振動片230bが形成される。   FIG. 13 is a plan view of the piezoelectric wafer W230. In FIG. 13, the scribe line 142 is indicated by a two-dot chain line, and the piezoelectric vibrating piece 230 a and the piezoelectric vibrating piece 230 b are surrounded by the scribe line 142. The piezoelectric vibrating pieces 230a and the piezoelectric vibrating pieces 230b are alternately formed in the X-axis direction and the Z′-axis direction. In the piezoelectric vibrating piece 230 b, the connecting portion 235 is formed on the + Z′-axis side on the + X-axis side and the −Z′-axis side on the −X-axis side of the vibrating portion 233, and the extraction electrode 232 is on the + X-axis side of the frame portion 234. Are pulled out to the + Z′-axis side and the −Z′-axis side of the −X-axis side. The piezoelectric vibrating piece 230a and the piezoelectric vibrating piece 230b have shapes that are plane-symmetric with respect to the X-Y ′ plane, and there is no difference in electrical characteristics, vibration characteristics, and the like. In the piezoelectric wafer W230, the through-groove 236, the excitation electrode 231 and the extraction electrode 232 are formed, so that the piezoelectric vibrating piece 230a and the piezoelectric vibrating piece 230b are formed.

ステップS202では、ベースウエハが用意される。ベースウエハには複数のベース板が形成されている。以下、図14を参照してベースウエハW220Aについて説明し、図15及び図16を参照してベースウエハW220の作製方法について説明する。   In step S202, a base wafer is prepared. A plurality of base plates are formed on the base wafer. Hereinafter, the base wafer W220A will be described with reference to FIG. 14, and a method for manufacturing the base wafer W220 will be described with reference to FIGS.

図14は、ベースウエハW220Aの平面図である。ベースウエハW220Aには、複数のベース板が形成されている。ベースウエハW220Aに形成されるベース板は、ベース板220a及びベース板220bの2種類であり、それぞれX軸方向及びZ’軸方向に交互に形成されている。また、図14には、後述のステップS106においてウエハが切断される線であるスクライブライン142が二点鎖線で示されている。ベースウエハW220Aに形成されるベース板220a及びベース板220bは、このスクライブライン142によって囲まれて示されている。また、X軸方向に伸びるスクライブライン142とZ’軸方向に伸びるスクライブライン142とが交差する位置には、一つ置きにベースウエハW220Aを貫通する貫通孔243aが形成されている。貫通孔243aの平面形状は、スクライブライン142の交点を中心とした円形である。ベース板220aには貫通孔243aが+X軸側の−Z’軸側及び−X軸側の+Z’軸側に配置されており、ベース板220bは貫通孔243aが+X軸側の+Z’軸側及び−X軸側の−Z’軸側に配置されている。   FIG. 14 is a plan view of the base wafer W220A. A plurality of base plates are formed on the base wafer W220A. There are two types of base plates formed on the base wafer W220A, the base plate 220a and the base plate 220b, which are alternately formed in the X-axis direction and the Z′-axis direction, respectively. Further, in FIG. 14, a scribe line 142, which is a line for cutting the wafer in step S106 described later, is indicated by a two-dot chain line. The base plate 220a and the base plate 220b formed on the base wafer W220A are surrounded by the scribe line 142. Further, at positions where the scribe lines 142 extending in the X-axis direction and the scribe lines 142 extending in the Z′-axis direction intersect, every other through-hole 243a that penetrates the base wafer W220A is formed. The planar shape of the through hole 243a is a circle centered on the intersection of the scribe lines 142. The base plate 220a has a through hole 243a disposed on the -Z 'axis side on the + X axis side and the + Z' axis side on the -X axis side, and the base plate 220b has a through hole 243a on the + Z axis side on the + X axis side. And on the −Z′-axis side on the −X-axis side.

<<ベースウエハW220Aの作製方法1>>
図15は、ベースウエハW220Aの作製方法を示したフローチャートである。図15及び図16に示された各ステップの右横には各ステップを説明するための図が示されている。図15に示される各ステップを説明するための図は、図14に示されたベースウエハW220AのC−C断面に相当する断面図である。以下に図15を用いてベースウエハW220Aの作製方法を説明する。
<< Preparation Method 1 of Base Wafer W220A >>
FIG. 15 is a flowchart showing a method for manufacturing the base wafer W220A. A diagram for explaining each step is shown on the right side of each step shown in FIGS. 15 and 16. 15 is a cross-sectional view corresponding to the CC cross section of base wafer W220A shown in FIG. A method for manufacturing the base wafer W220A will be described below with reference to FIGS.

図15のステップS221では、平板状のベースウエハW220Aの+Y’軸側及び−Y’軸側の両面に耐蝕膜150及びフォトレジスト151が形成される。図15(a)には耐蝕膜150及びフォトレジスト151が形成されたベースウエハW220Aの部分断面図が示されている。図15(a)に示されるように、ベースウエハW220Aの+Y’軸側及び−Y’軸側の面に耐蝕膜150が形成され、耐蝕膜150の表面にフォトレジスト151が形成される。耐蝕膜150は、ベースウエハW220Aに金属膜をスパッタリングもしくは蒸着などの手法により形成されることにより形成される。耐蝕膜150は、例えばベースウエハW220Aに下地としてニッケル(Ni)、クロム(Cr)、チタン(Ti)又はニッケル・タングステン(NiW)等の膜を形成し、下地の上に金(Au)及び銀(Ag)等を成膜することにより形成される。フォトレジスト151は、耐蝕膜150の表面にスピンコートなどの手法で均一に塗布される。   In step S221 of FIG. 15, the corrosion-resistant film 150 and the photoresist 151 are formed on both surfaces of the flat base wafer W220A on the + Y′-axis side and the −Y′-axis side. FIG. 15A shows a partial cross-sectional view of the base wafer W220A on which the corrosion-resistant film 150 and the photoresist 151 are formed. As shown in FIG. 15A, the corrosion resistant film 150 is formed on the surface of the base wafer W220A on the + Y′-axis side and the −Y′-axis side, and the photoresist 151 is formed on the surface of the corrosion-resistant film 150. The corrosion resistant film 150 is formed by forming a metal film on the base wafer W220A by a technique such as sputtering or vapor deposition. The corrosion resistant film 150 is formed, for example, by forming a film of nickel (Ni), chromium (Cr), titanium (Ti), nickel tungsten (NiW) or the like on the base wafer W220A, and gold (Au) and silver on the base. It is formed by depositing (Ag) or the like. The photoresist 151 is uniformly applied to the surface of the corrosion resistant film 150 by a technique such as spin coating.

ステップS222では、フォトレジスト151が露光及び現像され、耐蝕膜150がエッチングされる。図15(b)には、フォトレジスト151が露光及び現像され、耐蝕膜150がエッチングされたベースウエハW220Aの断面図が示されている。ステップS222でフォトレジスト151が露光及び現像される領域は、ベースウエハW220の+Y’軸側の面の凹部223(図14参照)に対応した凹領域160、−Y’軸側の貫通孔243a(図14参照)に対応した第1貫通領域161、及び+Y’軸側の貫通孔243a(図14参照)に対応した第2貫通領域162である。   In step S222, the photoresist 151 is exposed and developed, and the corrosion resistant film 150 is etched. FIG. 15B shows a cross-sectional view of the base wafer W220A in which the photoresist 151 is exposed and developed and the corrosion-resistant film 150 is etched. In the region where the photoresist 151 is exposed and developed in step S222, the concave region 160 corresponding to the concave portion 223 (see FIG. 14) on the surface on the + Y′-axis side of the base wafer W220, and the through hole 243a on the −Y′-axis side ( 14 and a second through region 162 corresponding to the + Y′-axis side through hole 243a (see FIG. 14).

ステップS223では、ベースウエハW220Aがウエットエッチングされる。図15(c)には、ウエットエッチングされた後のベースウエハW220の断面図が示されている。ベースウエハW220Aのウエットエッチングされる領域は、凹領域160、第1貫通領域161及び第2貫通領域162である。ベースウエハW220Aはウエットエッチングされることにより凹部223が形成され、第1貫通領域161及び第2貫通領域162にキャスタレーション227の第1曲面271及び第2曲面272に対応する凹みが形成される。ステップS233では、ベースウエハW220が深さHY1だけエッチングされ、ベースウエハW220Aの第1貫通領域161と第2貫通領域162との間170にはベースウエハW220Aが貫通されずに残っている。   In step S223, the base wafer W220A is wet etched. FIG. 15C shows a cross-sectional view of the base wafer W220 after the wet etching. The regions of the base wafer W220A that are wet-etched are the recessed region 160, the first through region 161, and the second through region 162. The base wafer W <b> 220 </ b> A is wet-etched to form a recess 223, and recesses corresponding to the first curved surface 271 and the second curved surface 272 of the castellation 227 are formed in the first through region 161 and the second through region 162. In step S233, the base wafer W220 is etched by the depth HY1, and the base wafer W220A is left without being penetrated 170 between the first through region 161 and the second through region 162 of the base wafer W220A.

ステップS224では、ベースウエハW220Aに形成されているフォトレジスト151及び耐蝕膜150が除去され、サンドブラストにより貫通孔243aが形成される。図15(d)は、貫通孔243aが形成されたベースウエハW220Aの断面図である。サンドブラストは、ベースウエハW220Aの−Y’軸側の面に、−Y’軸側から+Y’軸方向に研磨材が吹きつけられることにより行われる。ベースウエハW220Aに吹き付けられる研磨材は第1貫通領域161と第2貫通領域162との間170を貫通させることにより、貫通孔243aに突起部273が形成される。また、ベースウエハW220の−Y’軸側の面である第1面221が、例えばベースウエハW220Aの第2面222等のベースウエハW220Aの他の面よりも表面の凹凸の高低差が大きい粗面状に形成される。   In step S224, the photoresist 151 and the corrosion resistant film 150 formed on the base wafer W220A are removed, and a through hole 243a is formed by sandblasting. FIG. 15D is a cross-sectional view of the base wafer W220A in which the through hole 243a is formed. Sand blasting is performed by spraying abrasive on the surface at the −Y′-axis side of the base wafer W <b> 220 </ b> A in the + Y′-axis direction from the −Y′-axis side. The abrasive that is sprayed onto the base wafer W220A penetrates the space 170 between the first through region 161 and the second through region 162, whereby a projection 273 is formed in the through hole 243a. In addition, the first surface 221 that is the surface on the −Y′-axis side of the base wafer W220 has a rough surface with a larger level difference in surface irregularities than other surfaces of the base wafer W220A such as the second surface 222 of the base wafer W220A. It is formed in a planar shape.

ステップS225では、ベースウエハW220Aに、接続電極228、外部電極225、アース端子226(図11(c)参照)及び側面電極229が形成される。図15(e)は、電極が形成されたベースウエハW220Aの断面図である。これらの電極は、例えばガラスの表面にクロム(Cr)層が形成され、クロム層の表面に金(Au)層が蒸着されることにより形成される。また、各ベース板220a及びベース板220bの第1面221は粗面状に形成されているため、外部電極225及びアース端子226の表面も粗面状に形成される。   In step S225, the connection electrode 228, the external electrode 225, the ground terminal 226 (see FIG. 11C), and the side electrode 229 are formed on the base wafer W220A. FIG. 15E is a cross-sectional view of the base wafer W220A on which electrodes are formed. These electrodes are formed, for example, by forming a chromium (Cr) layer on the surface of glass and depositing a gold (Au) layer on the surface of the chromium layer. Further, since the first surface 221 of each base plate 220a and base plate 220b is formed into a rough surface, the surfaces of the external electrode 225 and the ground terminal 226 are also formed into a rough surface.

図15に示されたベースウエハW220Aの作製方法では、ベースウエハW220Aに形成される各ベース板220a及びベース板220bのキャスタレーション227に突起部273が形成される。圧電デバイス200のベース板には突起部273が形成されていることにより、圧電デバイス200がハンダを介してプリント基板に実装される際に、ハンダがキャスタレーション227を介してベース板の第2面222に近づくことが阻止される。ハンダがベース板の第2面222に近づいた場合、ハンダの熱により圧電デバイスのキャビティの封止が破られる又は弱くなることが考えられるが、圧電デバイス200では、このようにハンダによるキャビティの封止の破れを防ぐことができる。さらに、外部電極225及びアース端子226の表面も粗面状に形成されることにより、外部電極225及びアース端子226の表面積が広くなってハンダとの接合面積が広がるため、プリント基板等とより強固に接合することができる。   In the method for manufacturing the base wafer W220A shown in FIG. 15, the protrusions 273 are formed on the castellations 227 of the base plates 220a and the base plates 220b formed on the base wafer W220A. Since the protrusion 273 is formed on the base plate of the piezoelectric device 200, when the piezoelectric device 200 is mounted on the printed board via the solder, the solder faces the second surface of the base plate via the castellation 227. Access to 222 is blocked. When the solder approaches the second surface 222 of the base plate, it is considered that the sealing of the cavity of the piezoelectric device is broken or weakened by the heat of the solder, but in the piezoelectric device 200, the cavity sealing by the solder is thus performed. It is possible to prevent torn stops. Furthermore, since the surfaces of the external electrode 225 and the ground terminal 226 are also roughened, the surface area of the external electrode 225 and the ground terminal 226 is increased and the bonding area with the solder is increased. Can be joined.

<<ベースウエハW220Aの作製方法2>>
ベース板のキャスタレーションの第1曲面は、第2曲面よりも大きく形成されてもよい。以下に、第1曲面の面積が第2曲面の面積よりも大きく形成されたベース板を有するベースウエハの作製方法を、図16を参照して説明する。また、この作製方法は、図15のステップS221及びステップS222が共通しているため、図16に示されるフローチャートは図15のステップS222の次のステップとして説明される。
<< Manufacturing Method 2 of Base Wafer W220A >>
The first curved surface of the base plate castellation may be formed larger than the second curved surface. A method for manufacturing a base wafer having a base plate in which the area of the first curved surface is larger than the area of the second curved surface will be described below with reference to FIG. Further, in this manufacturing method, step S221 and step S222 in FIG. 15 are common, and therefore the flowchart shown in FIG. 16 is described as the next step after step S222 in FIG.

図16のステップS233は、図15のステップS222の次のステップである。ステップS233では、ベースウエハW220Aの凹領域160、第1貫通領域161及び第2貫通領域162がウエットエッチングされることにより、凹部223、及び第1貫通領域161及び第2貫通領域162にキャスタレーション227の第1曲面271及び第2曲面272に対応する凹みが形成される。図16(a)は、ウエットエッチングされたベースウエハW220Aの断面図である。ステップS233でウエットエッチングされるベースウエハW220Aは、深さHY2だけエッチングされる。この深さHY2は、図15のステップS223で示された深さHY1よりも浅い。   Step S233 in FIG. 16 is the next step after step S222 in FIG. In step S233, the concave region 160, the first through region 161, and the second through region 162 of the base wafer W220A are wet-etched, so that the castellation 227 is formed in the concave portion 223 and the first through region 161 and the second through region 162. Recesses corresponding to the first curved surface 271 and the second curved surface 272 are formed. FIG. 16A is a cross-sectional view of the base wafer W220A subjected to wet etching. Base wafer W220A that is wet-etched in step S233 is etched by depth HY2. This depth HY2 is shallower than the depth HY1 shown in step S223 of FIG.

ステップS234では、ベースウエハW220Aの+Y’軸側の面の耐蝕膜150及びフォトレジスト151が除去され、再び+Y’軸側の面に耐蝕膜150及びフォトレジスト151が形成される。図16(b)は、耐蝕膜150及びフォトレジスト151が+Y’軸側の面の全体に形成されたベースウエハW220Aの断面図である。ステップS234では、ベースウエハW220Aの+Y’軸側の全面に耐蝕膜150及びフォトレジスト151が形成されているが、−Y’軸側の面の第1貫通領域161には耐蝕膜150及びフォトレジスト151が形成されていない。   In step S234, the corrosion-resistant film 150 and the photoresist 151 on the surface on the + Y′-axis side of the base wafer W220A are removed, and the corrosion-resistant film 150 and the photoresist 151 are formed again on the surface on the + Y′-axis side. FIG. 16B is a cross-sectional view of the base wafer W220A in which the corrosion-resistant film 150 and the photoresist 151 are formed on the entire surface on the + Y′-axis side. In step S234, the corrosion-resistant film 150 and the photoresist 151 are formed on the entire surface of the base wafer W220A on the + Y′-axis side, but the corrosion-resistant film 150 and the photoresist are formed on the first through region 161 on the surface on the −Y′-axis side. 151 is not formed.

ステップS235では、第1貫通領域161がウエットエッチングされる。図16(c)は、第1貫通領域161がウエットエッチングされたベースウエハW220Aの断面図である。第1貫通領域161のベースウエハW220Aはさらにウエットエッチングされることにより、第1貫通領域161の溝の深さがHY3となるように形成される。深さHY3は深さHY1及び深さHY2よりも深い。   In step S235, the first through region 161 is wet etched. FIG. 16C is a cross-sectional view of the base wafer W220A in which the first through region 161 is wet-etched. The base wafer W <b> 220 </ b> A in the first through region 161 is further wet-etched so that the groove depth in the first through region 161 is HY <b> 3. The depth HY3 is deeper than the depth HY1 and the depth HY2.

ステップS236では、ベースウエハW220Aの全面に形成されているフォトレジスト151及び耐蝕膜150が除去され、サンドブラストにより貫通孔243aが形成される。図16(d)は、貫通孔243aが形成されたベースウエハW220Aの断面図である。サンドブラストは、ベースウエハW220Aの−Y’軸側の面に、−Y’軸側から+Y’軸方向に研磨材が吹きつけられることにより行われる。ベースウエハW220Aに吹き付けられる研磨材は第1貫通領域161と第2貫通領域162との間170(図16(c)参照)を貫通させることにより、貫通孔243aに突起部273が形成される。また、ベースウエハW220Aの−Y’軸側の面である第1面221を、例えばベースウエハW220Aの第2面222等のベースウエハW220Aの他の面よりも表面の凹凸の高低差が大きい粗面状に形成される。また、貫通孔243aの第1貫通領域161のX軸方向の幅WX1は、貫通孔243aの第2貫通領域162のX軸方向の幅WX2よりも大きく形成されている。   In step S236, the photoresist 151 and the corrosion resistant film 150 formed on the entire surface of the base wafer W220A are removed, and a through hole 243a is formed by sandblasting. FIG. 16D is a cross-sectional view of the base wafer W220A in which the through hole 243a is formed. Sand blasting is performed by spraying abrasive on the surface at the −Y′-axis side of the base wafer W <b> 220 </ b> A in the + Y′-axis direction from the −Y′-axis side. The abrasive sprayed onto the base wafer W220A penetrates 170 (see FIG. 16C) between the first through region 161 and the second through region 162, so that a projection 273 is formed in the through hole 243a. In addition, the first surface 221 which is the surface on the −Y′-axis side of the base wafer W220A is a rough surface having a larger level difference in surface irregularities than other surfaces of the base wafer W220A such as the second surface 222 of the base wafer W220A. It is formed in a planar shape. Further, the width WX1 in the X-axis direction of the first through region 161 of the through hole 243a is formed larger than the width WX2 in the X-axis direction of the second through region 162 of the through hole 243a.

ステップS237では、ベースウエハW220Aに、接続電極228、外部電極225、アース端子226(図11(c)参照)及び側面電極229が形成される。図16(e)には、電極が形成されたベースウエハW220Aの断面図が示されている。これらの電極は、例えばガラスの表面にクロム(Cr)層が形成され、クロム層の表面に金(Au)層が蒸着されることにより形成される。また、各ベース板の第1面221は粗面状に形成されているため、外部電極225及びアース端子226の表面も粗面状に形成される。   In step S237, the connection electrode 228, the external electrode 225, the ground terminal 226 (see FIG. 11C), and the side electrode 229 are formed on the base wafer W220A. FIG. 16E shows a cross-sectional view of the base wafer W220A on which electrodes are formed. These electrodes are formed, for example, by forming a chromium (Cr) layer on the surface of glass and depositing a gold (Au) layer on the surface of the chromium layer. Further, since the first surface 221 of each base plate is formed into a rough surface, the surfaces of the external electrode 225 and the ground terminal 226 are also formed into a rough surface.

図16に示されたベースウエハW220Aの作製方法では、ベースウエハW220Aに形成される各ベース板のキャスタレーションに突起部273が形成される。そのため、図15に示された作製方法により形成されたベース板と同様に、突起部273が形成されていることにより、圧電デバイス200がハンダを介してプリント基板に実装される際にハンダがキャスタレーションを介してベース板の第2面222に近づくことが阻止されている。図16の方法により作製されたベース板は、さらに貫通孔243aの第1貫通領域161が広く形成されることにより第1曲面271の面積が大きくなるため、ハンダが第2面222にさらに届きにくくなる。また、貫通孔243aの第2貫通領域162のエッチング量が少なくなることにより、第2貫通領域162のX軸方向の幅WX2を狭く形成することができる。すなわち、ベース板の第2面222の面積を広く取ることができて接合材140の塗布面積を広くすることができるため、キャビティの封止をより強固にすることができる。   In the method for manufacturing the base wafer W220A shown in FIG. 16, the protrusions 273 are formed on the castellations of the base plates formed on the base wafer W220A. Therefore, similarly to the base plate formed by the manufacturing method shown in FIG. 15, the protrusions 273 are formed, so that the solder is caster when the piezoelectric device 200 is mounted on the printed board via the solder. It is prevented from approaching the second surface 222 of the base plate via the ration. The base plate manufactured by the method of FIG. 16 further increases the area of the first curved surface 271 by forming the first through region 161 of the through hole 243a wider, so that the solder is less likely to reach the second surface 222. Become. Further, since the etching amount of the second through region 162 of the through hole 243a is reduced, the width WX2 in the X-axis direction of the second through region 162 can be formed narrow. That is, since the area of the second surface 222 of the base plate can be increased and the application area of the bonding material 140 can be increased, the sealing of the cavity can be further strengthened.

図12に戻って、ステップS203では、リッドウエハが用意される。リッドウエハには、複数のリッド板210が形成されている。リッドウエハは、図6に示されたリッドウエハW110と同様に−Y’軸側の面に凹部211が形成されることにより形成される。   Returning to FIG. 12, in step S203, a lid wafer is prepared. A plurality of lid plates 210 are formed on the lid wafer. The lid wafer is formed by forming the concave portion 211 on the surface at the −Y′-axis side in the same manner as the lid wafer W <b> 110 shown in FIG. 6.

ステップS204では、ベースウエハW220Aと圧電ウエハW230とが接合される。ベースウエハW220Aと圧電ウエハW230との接合では、圧電振動片230aとベース板220aとが重なり、圧電振動片230bとベース板220bとが重なるように行われる。   In step S204, the base wafer W220A and the piezoelectric wafer W230 are bonded. Bonding of the base wafer W220A and the piezoelectric wafer W230 is performed such that the piezoelectric vibrating piece 230a and the base plate 220a overlap, and the piezoelectric vibrating piece 230b and the base plate 220b overlap.

ステップS205では、接合材140により圧電ウエハW230とリッドウエハとが接合される。圧電ウエハW230とリッドウエハとの接合は、圧電ウエハW230の+Y’軸側の面とリッドウエハW210の接合面212とが互いに接合材140を介して接合される。   In step S <b> 205, the piezoelectric wafer W <b> 230 and the lid wafer are bonded by the bonding material 140. In bonding the piezoelectric wafer W230 and the lid wafer, the surface on the + Y′-axis side of the piezoelectric wafer W230 and the bonding surface 212 of the lid wafer W210 are bonded to each other via the bonding material 140.

ステップS206では、ウエハがダイシングにより切断される。ウエハの切断は、スクライブライン142(図5及び図6参照)に沿って行われ、ウエハに形成された各圧電デバイス200が個別に分断される。   In step S206, the wafer is cut by dicing. The wafer is cut along a scribe line 142 (see FIGS. 5 and 6), and each piezoelectric device 200 formed on the wafer is individually divided.

<ベース板及びベースウエハの変形例>
ベース板及びベースウエハは、キャスタレーション及び貫通孔の形状が異なる様々な変形例が考えられる。以下に、ベース板及びベースウエハの変形例を説明する。
<Modification of base plate and base wafer>
Various modifications of the base plate and the base wafer with different castellations and through hole shapes are possible. Hereinafter, modifications of the base plate and the base wafer will be described.

図17(a)は、ベースウエハW220Bの平面図である。ベースウエハW220Bには、複数のベース板220c及び複数のベース板220dがX軸方向及びZ’軸方向に交互に形成されている。図17(a)にはスクライブライン142が示されており、各ベース板220c及びベース板220dは、スクライブライン142に囲まれて示されている。また、X軸方向に伸びるスクライブライン142とZ’軸方向に伸びるスクライブライン142との交点には貫通孔243a及び貫通孔243bが交互に形成されている。貫通孔243aはベース板220cの+X軸側の−Z’軸側の角部、及びベース板220dの+X軸側の+Z’軸側の角部に形成されており、貫通孔243aの周りには接続電極228が形成されている。貫通孔243bは貫通孔243aよりもその半径が小さくなるように形成されている。貫通孔243a及び貫通孔243bには側面電極229が形成されている。   FIG. 17A is a plan view of the base wafer W220B. In the base wafer W220B, a plurality of base plates 220c and a plurality of base plates 220d are alternately formed in the X-axis direction and the Z′-axis direction. FIG. 17A shows a scribe line 142, and each base plate 220 c and base plate 220 d are surrounded by the scribe line 142. Further, through holes 243 a and through holes 243 b are alternately formed at the intersections of the scribe lines 142 extending in the X-axis direction and the scribe lines 142 extending in the Z′-axis direction. The through hole 243a is formed at the corner of the base plate 220c on the + Z axis side on the + X axis side and the corner of the base plate 220d on the + Z axis side of the + X axis side, and around the through hole 243a. A connection electrode 228 is formed. The through hole 243b is formed to have a smaller radius than the through hole 243a. Side electrodes 229 are formed in the through holes 243a and the through holes 243b.

図17(b)は、ベース板220cの平面図である。ベース板220cのキャスタレーション27a及びキャスタレーション27dは、半径L227の円の一部が形成され、キャスタレーション27b及びキャスタレーション27cは、半径L227bの円の一部が形成される。半径L227は半径L227bよりも大きいため、ベース板220cではX軸方向又はZ’軸方向に隣り合うキャスタレーション間にX軸又はZ’軸に平行な応力がかかり難くなっており、ベース板220cに割れが生じにくい。   FIG. 17B is a plan view of the base plate 220c. The castellation 27a and the castellation 27d of the base plate 220c are part of a circle with a radius L227, and the castellation 27b and the castellation 27c are part of a circle with a radius L227b. Since the radius L227 is larger than the radius L227b, it is difficult for the base plate 220c to receive stress parallel to the X-axis or Z′-axis between the castellations adjacent in the X-axis direction or the Z′-axis direction. It is hard to crack.

図17(c)は、−Y’軸側の面の電極が示されたベース板220cの平面図である。図17(c)では、−Y’軸側の面に形成される電極を+Y’軸側から−Y’軸側にベース板220cを透過して見ている。ベース板220cの−Y’軸側の面の+X軸側の−Z’軸側、及び−X軸側の+Z’軸側には外部電極225が形成されている。各外部電極225は、キャスタレーションに形成される側面電極229を介して+Y’軸側の面に形成されている接続電極228に電気的に接続されている。また、−Y’軸側の面の+X軸側の+Z’軸側、及び−X軸側の−Z’軸側にはアース端子226が形成されており、側面電極229に電気的に接続されている。   FIG. 17C is a plan view of the base plate 220c showing the electrodes on the surface at the −Y′-axis side. In FIG. 17C, the electrode formed on the surface on the −Y′-axis side is seen through the base plate 220 c from the + Y′-axis side to the −Y′-axis side. External electrodes 225 are formed on the −Z′-axis side on the + X-axis side and the + Z′-axis side on the −X-axis side of the surface on the −Y′-axis side of the base plate 220c. Each external electrode 225 is electrically connected to a connection electrode 228 formed on the surface on the + Y′-axis side via a side electrode 229 formed in the castellation. Further, ground terminals 226 are formed on the + Z′-axis side on the + X-axis side of the surface on the −Y′-axis side and on the −Z′-axis side on the −X-axis side, and are electrically connected to the side electrode 229. ing.

ベース板220dは、ベース板220cとX−Y’平面に対して面対称に形成されている。ベース板220c及びベース板220dは、アース端子226に接続されている側面電極229が形成されていることにより、圧電デバイスがハンダを介してプリント基板等に接続された場合に、ハンダは側面電極229にも形成されるため、アース端子226に接合されるハンダの状態を確認することができる。   The base plate 220d is formed symmetrically with respect to the base plate 220c and the X-Y ′ plane. The base plate 220c and the base plate 220d are formed with the side electrode 229 connected to the ground terminal 226, so that when the piezoelectric device is connected to a printed circuit board or the like via solder, the solder is used as the side electrode 229. Therefore, the state of the solder joined to the ground terminal 226 can be confirmed.

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。   As described above, the optimal embodiment of the present invention has been described in detail. However, as will be apparent to those skilled in the art, the present invention can be implemented with various modifications and variations within the technical scope thereof.

例えば、上記の実施形態では、ベース板に外部電極とアース端子とが形成されていたが、外部電極のみが形成されていても良い。   For example, in the above embodiment, the external electrode and the ground terminal are formed on the base plate, but only the external electrode may be formed.

また、上記の実施形態では圧電振動片にATカットの水晶振動片である場合を示したが、同じように厚みすべりモードで振動するBTカット、又は音叉型水晶振動片などであっても同様に適用できる。さらに圧電振動片は水晶材のみならず、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムあるいは圧電セラミックを含む圧電材に基本的に適用できる。   Also, in the above embodiment, the case where the piezoelectric vibrating piece is an AT-cut quartz vibrating piece is shown, but the same applies to a BT cut that vibrates in the thickness-slip mode or a tuning-fork type quartz vibrating piece. Applicable. Further, the piezoelectric vibrating piece can be basically applied not only to a crystal material but also to a piezoelectric material including lithium tantalate, lithium niobate, or piezoelectric ceramic.

100、200 … 圧電デバイス
110、210 … リッド板
111、123、211、223 … 凹部
112、212 … 接合面
120a〜120h、120j〜120n、220a、220b … ベース板
121、221 … 第1面
122、222 … 第2面
124 … 載置部
125 … 外部電極
126 … アース端子
27a、27b、27c、27d、127、227 … キャスタレーション
128 … 接続電極
129 … 側面電極
130、230a、230b … 圧電振動片
131 … 励振電極
132、132a … 引出電極
140 … 接合材
141 … 導電性接着剤
142 … スクライブライン
143a〜143h、143j〜143k … 貫通孔
150 … 耐蝕膜
151 … フォトレジスト
233 … 振動部
234 … 枠部
235 … 連結部
236 … 貫通溝
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100, 200 ... Piezoelectric device 110, 210 ... Lid board 111, 123, 211, 223 ... Recessed part 112, 212 ... Joining surface 120a-120h, 120j-120n, 220a, 220b ... Base board 121, 221 ... 1st surface 122, 222 ... Second surface 124 ... Placement part 125 ... External electrode 126 ... Earth terminal 27a, 27b, 27c, 27d, 127, 227 ... Castellation 128 ... Connection electrode 129 ... Side electrode 130, 230a, 230b ... Piezoelectric vibrating piece 131 ... Excitation electrodes 132, 132a ... Extraction electrodes 140 ... Joint material 141 ... Conductive adhesive 142 ... Scribe lines 143a to 143h, 143j to 143k ... Through holes 150 ... Corrosion resistant film 151 ... Photoresist 233 ... Vibration part 234 ... Frame part 23 ... connecting portion 236 ... through groove

Claims (6)

長辺及び前記長辺よりも短い短辺により形成される矩形形状のベース板と所定の周波数で振動する圧電振動片とを有する圧電デバイスであって、
前記ベース板は、
一対の外部電極が形成される第1面と、
前記圧電振動片が配置される第2面と、
前記一辺の短辺に形成され、前記第1面と前記第2面とを結ぶ側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションと、を備え、
前記一対のキャスタレーションの長辺方向の長さはそれぞれ異なる圧電デバイス。
A piezoelectric device having a rectangular base plate formed by a long side and a short side shorter than the long side and a piezoelectric vibrating piece that vibrates at a predetermined frequency,
The base plate is
A first surface on which a pair of external electrodes are formed;
A second surface on which the piezoelectric vibrating piece is disposed;
A pair of castellations formed on the short side of the one side and recessed inward from a side surface connecting the first surface and the second surface;
The pair of castellations are piezoelectric devices having different lengths in the long side direction.
長辺及び前記長辺よりも短い短辺により形成される矩形形状のベース板と所定の周波数で振動する圧電振動片とを有する圧電デバイスであって、
前記ベース板は、
一対の外部電極が形成される第1面と、
前記圧電振動片が配置される第2面と、
前記一辺の長辺に形成され、前記第1面と前記第2面とを結ぶ側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションと、を備え、
前記一対のキャスタレーションの短辺方向の長さはそれぞれ異なる圧電デバイス。
A piezoelectric device having a rectangular base plate formed by a long side and a short side shorter than the long side and a piezoelectric vibrating piece that vibrates at a predetermined frequency,
The base plate is
A first surface on which a pair of external electrodes are formed;
A second surface on which the piezoelectric vibrating piece is disposed;
A pair of castellations formed on the long side of the one side and recessed inward from a side surface connecting the first surface and the second surface;
Piezoelectric devices having different lengths in the short side direction of the pair of castellations.
長辺及び前記長辺よりも短い短辺を有する矩形形状のベース板と所定の周波数で振動する圧電振動片とを有する圧電デバイスであって、
前記ベース板は、
一対の外部電極が形成される第1面と、
前記圧電振動片が配置される第2面と、
前記一辺の短辺に前記長辺が交差する角部に前記長辺方向及び前記短辺方向に形成され、前記第1面と前記第2面とを結ぶ側面から内側にくぼんだ一対のキャスタレーションと、を備え、
前記一対のキャスタレーションの前記長辺方向の長さ及び前記短辺方向の長さがそれぞれ異なる圧電デバイス。
A piezoelectric device having a rectangular base plate having a long side and a short side shorter than the long side and a piezoelectric vibrating piece that vibrates at a predetermined frequency,
The base plate is
A first surface on which a pair of external electrodes are formed;
A second surface on which the piezoelectric vibrating piece is disposed;
A pair of castellations formed in the long side direction and the short side direction at corners where the long side intersects the short side of the one side and recessed inward from the side surface connecting the first surface and the second surface And comprising
Piezoelectric devices having different lengths in the long side direction and lengths in the short side direction of the pair of castellations.
前記圧電振動片は一対の励振電極と前記励振電極から引き出された一対の引出電極とを含み、
前記ベース板の前記第2面は、前記一対の引出電極と電気的に接続する一対の接続電極を含み、
前記キャスタレーションは前記一対の外部電極と前記一対の接続電極とを電気的に接続する一対の側面電極を含む請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
The piezoelectric vibrating piece includes a pair of excitation electrodes and a pair of extraction electrodes drawn from the excitation electrodes,
The second surface of the base plate includes a pair of connection electrodes that are electrically connected to the pair of extraction electrodes,
4. The piezoelectric device according to claim 1, wherein the castellation includes a pair of side electrodes that electrically connect the pair of external electrodes and the pair of connection electrodes. 5.
前記キャスタレーションの断面は、前記第1面から前記第2面に形成された第1曲面と前記第2面から前記第1面に形成された第2曲面と前記第1面と第2面との中間に形成された直線状の突起面とからなり、
前記側面電極は、前記第1曲面、前記第2曲面及び前記突起面に形成される請求項4に記載の圧電デバイス。
A cross section of the castellation includes a first curved surface formed from the first surface to the second surface, a second curved surface formed from the second surface to the first surface, the first surface, and the second surface. It consists of a straight projecting surface formed in the middle of
The piezoelectric device according to claim 4, wherein the side electrode is formed on the first curved surface, the second curved surface, and the protruding surface.
前記第1曲面は前記第2曲面よりも面積が大きい請求項5に記載の圧電デバイス。   The piezoelectric device according to claim 5, wherein the first curved surface has a larger area than the second curved surface.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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