JP2013018961A - フルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク - Google Patents

Abstract

【課題】 ヘッドと接触しても分解しない安定した化合物で、かつヘッドとディスクのスペーシングを低減できる化合物およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスクを提供する。
【解決手段】 式（１）で表される化合物、この化合物を含有する潤滑剤及び磁気ディスク
Ｃ_６Ｈ_４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）_２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ_２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ、−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_５、−ＯＣ
Ｈ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＯＣＨ_３、ｍは１〜６の整数である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、芳香族基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤、ならびにこれを用いた磁気ディスクに関する。

磁気ディスクの記録密度の増大に伴い、記録媒体である磁気ディスクと情報の記録・再生を行うヘッドとの距離は殆ど接触するまで狭くなっている。磁気ディスク表面にはヘッドとの接触・摺動の際の摩耗抑制や、ディスク表面の汚染防止等の目的で、炭素保護膜や潤滑剤被膜が設けられている。

炭素保護膜は、一般にスパッタ法やＣＶＤ法で製膜される。ディスクの表面保護は、炭素保護膜と、この上層に位置する潤滑剤被膜の両者で担うことになる。

潤滑剤としては一般に官能基を有するフルオロポリエーテルが用いられている。官能基としては、水酸基やアミノ基、さらにはシクロホスファゼン基などがある。具体的には、分子末端に水酸基を有する潤滑剤としてＳｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ ＺＴＥＴＲＡＯＬ、さらには分子の一方の末端に水酸基、他方の末端にシクロホスファゼン基を有する株式会社ＭＯＲＥＳＣＯ製のＰＨＯＳＦＡＲＯＬ Ａ２０Ｈなどがある。さらに、分子末端に加えて分子鎖中にも水酸基を有する潤滑剤も提案されている（特許文献１）。

Ｆｏｍｂｌｉｎ ＺＴＥＴＲＡＯＬは、分子両末端に位置する水酸基によりディスクへの良好な吸着性を示し、ディスクが高速回転しても飛散せず、潤滑剤被膜を維持することができる。さらに、特許文献１では、ヘッドとディスクのスペーシングに対する潤滑剤の膜厚の影響について記されている。スペーシングを低減するには潤滑剤一分子分の膜厚を低減することが有効であり、分子末端に加えて分子鎖中にも水酸基を有する潤滑剤が、潤滑剤一分子あたりの膜厚を低減できると提案されている。この技術により潤滑剤一分子分の膜厚を低くすることが可能となる。

しかし、これらのフルオロポリエーテル化合物は、ルイス酸への耐久性が低く、ヘッドの部材中のＡｌ_２Ｏ_３と反応して、主鎖の切断が起こる（例えば非特許文献１参照）。この切断が進行すると化合物は低分子化し、最終的には磁気ディスク上から揮発・消失してしまうため、ヘッドとディスクの接触・摺動をともなう系では潤滑剤被膜を維持できなくなる。
ところで、潤滑剤の保護層への付着特性を向上させ、近年の急速な高記録密度化に伴う磁気ヘッドの低浮上量のもとで、厳しい環境耐性を有する磁気ディスクに用いられる潤滑剤として、パーフルオロポリエーテル主鎖を有し且つ末端にヒドロキシル基を有するパーフルオロポリエーテル基同士が、構造中にヒドロキシル基を有する連結基を介して結合している化合物を含有する潤滑剤が提案されている（特許文献２）。しかし、特許文献２には実質的な実施例が記載されていず、前記例示のジエポキシ化合物を塩基条件下で反応させることにより、前記の例示潤滑剤化合物を製造したとあるだけで、どのジエポキシ化合物を用いたのかも不明で、生成物を特定するＮＭＲ等のデータなども全く無い。

特開２００６−７０１７３ 特開２０１０−８６５９８

Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ、１９９２年、２５巻、ｐ６７９１−６７９９ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ，Ｏｃｔｏｂｅｒ ２００４，Ｖｏｌ.１２６，ｐ７５１

本発明の課題は、ヘッドと接触しても分解しない安定した化合物で、かつヘッドとディスクのスペーシングを低減できる化合物およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスクを提供することにある。

本発明は以下の発明に係る。
１．式（１）で表される化合物
Ｃ_６Ｈ_４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）_２ （１）
式中Ｚは−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−、
Ｒは、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ_２）ｍＯＨ、−
ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ、−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_５、−ＯＣ
Ｈ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＯＣＨ_３、ｍは１〜６の整数である。

２．式（１）の化合物を含有する潤滑剤。
３．支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク。

本発明の芳香族基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物は、一分子あたりの膜厚低減と耐分解性という２つの課題を同時に解決する潤滑剤である。また、本発明の化合物を潤滑剤として用いた磁気ディスクは、ヘッドとディスクのスペーシングを低減でき、かつヘッドとディスクの接触摺動においても優れた耐久性を有する。

潤滑剤の合成方法
式（１）で表される本発明の潤滑剤は、例えば片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）と、化合物（ｂ１）、（ｃ１）若しくは（ｄ１）のような２つ以上のエポキシ基を有するフェノキシ化合物又は化合物（ｂ２）、（ｃ２）若しくは（ｄ２）のような２つ以上のハロエチル基を有するフェノキシ化合物［以下、これらフェノキシ化合物を化合物（Ｂ）ということがある］を反応させることにより得られる。具体的には以下の方法により合成される。具体的には以下の方法により合成される。

（１）片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）の合成
両末端に水酸基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ｅ）と、水酸基と反応してエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を形成する化合物（ｆ）を反応させる。反応温度は１０〜６０℃、好ましくは２０〜４０℃である。反応時間は、２〜２０時間、好ましくは１０〜１５時間である。化合物（ｆ）の使用量は、フルオロポリエーテル（ｅ）に対して０.５〜１.５当量であることが好ましい。反応促進剤を使用しても良い。その後、例えばカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、片方の末端に水酸基を有し、かつ他方の末端にエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）を得る。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてジメチルホルムアルデヒド、１,４−ジオキサン、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。反応促進剤としてイミダゾール、ピリジン、水素化ナトリウムなどを例示することができる。

両末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル（ｅ）としては、例えばＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨで示
される化合物を例示できる。このフルオロポリエーテルの数平均分子量は３００〜２０００、好ましくは４００〜１２００、より好ましくは５００〜８００である。ここで数平均分子量は日本電子製ＪＮＭ−ＥＣＸ４００による^１９Ｆ−ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲの測定において、試料を溶媒へは希釈せず、試料そのものを測定に使用した。ケミカルシフトの基準は、フルオロポリエーテルの骨格構造の一部である既知のピークをもって代用した。
ｎは０〜２０の実数であり、好ましくは０〜１０の実数であり、さらに好ましくは０〜４の実数であり、特に好ましくは１〜３の実数であり、最も好ましくは１〜２の実数である。

上記フルオロポリエーテル（ｅ）は、分子量分布を有する化合物であり、重量平均分子量／数平均分子量で示される分子量分布（ＰＤ）として、１.０〜１.５であり、好ましくは１.０〜１.３であり、より好ましくは１.０〜１.１である。なお、当該分子量分布は、東ソー製ＨＰＬＣ−８２２０ＧＰＣを用いて、ポリマーラボラトリー製のカラム（ＰＬｇｅｌ Ｍｉｘｅｄ Ｅ）、溶離液はＨＣＦＣ系代替フロン、基準物資としては、無官能のパーフルオロポリエーテルを使用して得られる特性値である。

水酸基と反応してエステル基またはシリル基またはアルコキシ基を形成する化合物（ｆ）としては、例えば酸無水物、シリルハライド、アルキルハライドなどを挙げることができる。
酸無水物としては無水マレイン酸、無水コハク酸、無水フタル酸、Ｒ^ａＯＲ^ｂ（Ｒ^ａ及びＲ^ｂは同一又は異なって、ＣＨ_３ＣＯ、ＰｈＣＯ、ＣＨ_３ＳＯ_２、ＰｈＳＯ_２、ＣＦ_３
ＣＨ_２ＣＯ、ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＳＯ_２、Ｐｈはフェニルを示す）で表される化合物を例示で
きる。Ｒ^ａＯＲ^ｂで表される化合物の具体例としては無水トリフルオロメチル酢酸、無水安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、無水酢酸、酢酸安息香酸無水物、メタンスルホン酸無水物、ベンゼンスルホン酸無水物などを例示できる。

シリルハライドとしては（Ｒ^ｃ）_３ＳｉＹ、Ｒ^ｄ（Ｒ^ｅ）_２ＳｉＹ、Ｒ^ｄＲ^ｅＲ^ｇＳｉ
Ｙ（Ｒ^ｃは炭素数１〜４のアルキル又はＰｈ、Ｒ^ｄは炭素数１〜１８のアルキル、炭素数１〜４のアルコキシ、Ｐｈ、ＰｈＣＨ_２、ペンタフルオロフェニル、シアノプロピル、ビニル、Ｒ^ｅは炭素数１〜２のアルキル又はＰｈ、Ｒ^ｇはフェニル基の置換した炭素数１〜４のアルキルを示す）で表される化合物を例示できる。具体的にはトリメチルシリルクロリド、トリエチルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリド、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド、ｔ−ブチルジフェニルシリルクロリド、（３−シアノプロピル）ジメチルクロロシラン、ベンジルクロロジメチルシラン、ブチルジメチルクロロシラン、クロロ（デシル）ジメチルシラン、クロロ（ドデシル）ジメチルシラン、クロロジメチル（３−フェニルプロピル）シラン、クロロジメチルフェニルシラン、クロロジメチルプロピルシラン、クロロジメチルビニルシラン、ジエチルイソプロピルシリルクロリド、ジメチル−ｎ−オクチルクロロシラン、ジメチルエチルシリルクロリド、ジメチルイソプロピルクロロシラン、ジメチルオクタデシルクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、メチルオクタデシル（３−フェニルプロピル）クロロシラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、ｔ−ブトキシジフェニルクロロシラン、ｔ−ブチルジフェニルクロロシラン、トリフェニルクロロシランなどを例示できる。

アルキルハライドとしてはＡＹ（Ａは炭素数１〜５のアルキル、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す）で表される化合物を例示できる。具体的にはクロロメタン、ブロモメタン、ヨードメタン、クロロエタン、ブロモエタン、ヨードエタン、１−ブロモプロパン、２−ブロモプロパン、１−ヨードプロパン、２−ヨードプロパン、１−ブロモ−２−メチルプロパン、１−ブロモブタン、２−ブロモ−２−メチルプロパン、２−ブロモブタン、１−ヨード−２−メチルプロパン、１−ヨードブタン、２−ヨード−２−メチルプロパン、２−ヨードブタン、１−ヨード−２−メチルブタン、１−ヨード−３−メチルブタン、１−ブロモ−３−メチルブタン、1−ブロモペンタン、２−ブロモ−２−メチルブタン、３−ブロモペンタンなどを挙げることができる。

例えば、化合物（ｅ）としてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨを用い、化合物（ｆ）として無水酢酸を用いた場合、両者の反応により、ＣＨ_３ＣＯＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨと、ＣＨ_３ＣＯＯＨが生成し、この前者の化合物が化合物（ａ）である。
また化合物（ｆ）としてトリメチルシリルクロリドを用いた場合、化合物（ａ）として（ＣＨ_３）_３ＳｉＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨが生成する。

（２）本発明の潤滑剤の合成
上記で得られるフルオロポリエーテル（ａ）と、エポキシ基又はハロエチル基を２つ以上有するフェノキシ化合物（Ｂ）を触媒またはアルカリ金属の存在下、反応させる。ハロエチル基としてはクロロエチル基、ブロモエチル基、ヨードエチル基を例示することができる。反応温度は５０〜１００℃、好ましくは７０〜９０℃である。反応時間は、２０〜１００時間、好ましくは５０〜８０時間である。上記化合物（ａ）に対して、化合物（Ｂ）を０.２〜１.０当量、触媒を０.０５〜０．１当量またはアルカリ金属を１．０〜２．０当量使用するのが好ましい。触媒としてｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、水素化ナトリウムなどのアルカリ化合物、アルカリ金属としてはナトリウム、カリウムなどを用いることができる。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてｔ−ブタノール、トルエン、キシレンなどを用いることができる。その後、例えば水洗、脱水する。その後、パーフルオロポリエーテルの片方の末端に残存しているエステル基またはシリル基またはアルコキシ基などの保護基を加水分解などにより脱保護する。これによりＸ＝−ＯＨの本発明の化合物（１）が得られる。テトラブチルアンモニウムフルオリド、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムのような脱保護促進剤を用いても良い。
化合物（Ｂ）の具体例を以下に示す。化合物（ｂ１）は１,３−ビス（グリシジルオキシ）ベンゼンである。１,２−ビス（グリシジルオキシ）ベンゼン、１,４−ビス（グリシジルオキシ）ベンゼンも使用できる。化合物（ｂ２）は１,４−ビス（２−ブロモエトキシ）ベンゼンである。１,２−異性体、１,３−異性体も使用できる。
化合物（ｃ１）はビス（４-グリシジルオキシフェニル）メタンである。化合物（ｃ２）はビス（４-ブロモエトキシフェニル）メタンである。
化合物（ｄ１）はトリス（４-グリシジルオキシフェニル）メタンである。化合物（ｄ２）はトリス（４−ブロモエトキシフェニル）メタンである。

このＸ＝−ＯＨの化合物にアルカリ金属、Ｙ（ＣＨ_２）ｍＯＨ（Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す、ｍは１〜６の整数である。）で表わされるハロアルコールを反応させることによりＸ＝−Ｏ（ＣＨ_２）ｍＯＨの本発明の化合物（１）が得られる。ｍは１〜４が好ましく、２〜４が更に好ましい。アルカリ金属としてナトリウム、カリウムなどを用いることができる。
このＸ＝−ＯＨの化合物にグリシドールを触媒の存在下、反応させることによりＸ＝−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨの本発明の化合物（１）が得られる。
このＸ＝−ＯＨの化合物にグリシジルフェニルエーテルを触媒の存在下、反応させることによりＸ＝−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_５の本発明の化合物（１）が得られる。
このＸ＝−ＯＨの化合物にグリシジル４−メトキシフェニルエーテルを触媒の存在下、反応させることによりＸ＝−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＯＣＨ_３の本発明の化合物（１）が得られる。

これらの反応において、反応温度は５０〜１００℃、好ましくは７０〜９０℃である。反応時間は、２０〜１００時間、好ましくは５０〜８０時間である。反応は溶剤中で行ってもよい。Ｘ＝−ＯＨの本発明の化合物（１）の水酸基に対して、アルカリ金属を１.０〜２.０当量または触媒を０.０５〜０.１当量、Ｙ（ＣＨ_２）ｍＯＨ、グリシドール、グリシジルフェニルエーテルまたはグリシジル４−メトキシフェニルエーテルを１.０〜２.０当量使用するのが好ましい。その後、例えば水洗、脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的とする化合物がフラクションとして得られる。

本発明の化合物を磁気ディスク表面に塗布するには、化合物を溶剤に希釈して塗布する方法が好ましい。溶剤としては、例えば３Ｍ製ＰＦ−５０６０、ＰＦ−５０８０、ＨＦＥ−７１００，ＨＦＥ−７２００、ＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ等が挙げられる。希釈後の化合物の濃度は１ｗｔ％以下、好ましくは０.００１〜０.１ｗｔ％である。
本発明の化合物を単独使用する以外にも、例えばＳｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、Ｚｄｏｌ ＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと任意の比率で混合して使用することもできる。

本発明の化合物は、磁気ディスク装置内の磁気ディスクとヘッドの低スペーシング化を実現し、さらに摺動耐久性を向上させるための潤滑剤としての用途が挙げられる。また、本発明の化合物は、分子末端の水酸基による炭素保護膜に存在する極性部位との相互作用、加えて分子鎖中の芳香族基による炭素保護膜に存在する炭素の不飽和結合との相互作用を形成することを特徴とする。従って、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する磁気ヘッドや、光磁気記録装置、磁気テープ等や、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜、さらにはガラス、金属などの無機材料の表面保護膜としても応用できる。

図１に本発明の磁気ディスク断面の模式図を示す。本発明の磁気ディスクは、まず支持体１上に少なくとも１層以上の記録層２、その上に保護層３、更にその上に本発明の化合物を含有する潤滑層４を最外層として有する構成である。支持体としてはアルミニウム合金、ガラス等のセラミックス、ポリカーボネート等が挙げられる。

磁気ディスクの記録層である磁性層の構成材料としては鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を中心として、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、又はそれらの酸化物が挙げられる。これらはメッキ法、或いはスパッタ法等で形成される。保護層の材料はカーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２等が挙げられる。これらはスパッタ法、或いはＣＶＤ法で形成される。

現在、流通している潤滑層の厚さは３０Å以下であるため、粘性が２０℃で１００ｍＰａ・ｓ程度以上の潤滑剤をそのまま塗布したのでは膜厚が大きくなりすぎる恐れがある。そこで塗布の際は溶剤に溶解したものを用いる。本発明の化合物を潤滑剤として単独で使用する場合も、他の潤滑剤と混合して使用する場合も、溶剤に溶解した方が必要な膜厚に制御しやすい。但し、濃度は塗布方法・条件、混合割合等により異なる。本発明の潤滑剤の膜厚は、５〜１５Åが好ましい。

下地層に対する潤滑剤の吸着を促進させるために、熱処理や紫外線処理を行うことができる。熱処理温度は、６０〜１５０℃、好ましくは８０〜１５０℃である。紫外線処理では、１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を用いるのが好ましい。

本発明の磁気ディスクは、ディスクを格納し、情報の記録・再生・消去を行うためのヘッドやディスクを回転するためのモーター等が装備されている磁気ディスクドライブとそのドライブを制御するための制御系からなる磁気ディスク装置に応用できる。
本発明の磁気ディスク、およびそれを応用した磁気ディスク装置の用途としては電子計算機、ワードプロセッサー等の外部メモリーが挙げられる。またナビゲーションシステム、ゲーム、携帯電話、ＰＨＳ等の各種機器、及びビルの防犯、発電所等の管理・制御システムの内部・外部記録装置等にも適用可能である。

本発明の磁気ディスクの構成を示す断面模式図である。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等に限定されるものではない。なお、^１９Ｆ−ＮＭＲは溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏを−１２５.８ｐｐｍとして、^１Ｈ−ＮＭＲは溶媒：なし、基準物質：Ｄ_２Ｏの条件で測定した。

実施例１
ＨＯ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２−Ｏ−Ｒ−ＯＨ（化合物１）の合成
Ｒは−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−である。
アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（５０ｇ）、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨで表わされるフルオロポリエーテル（ｎ＝１.５、数平均分子量７００、分子量分布１.１５）１００ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（２５ｇ）およびイミダゾール（１１ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、水洗、脱水、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ１）を５６ｇ得た。この化合物（ａ１）（５６ｇ）をｔ−ブタノール（２８ｇ）に溶解させ、式（ｂ１）で表される化合物（７ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０.４ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（５２ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物１を４１ｇ得た。
化合物１は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７５ｇ／ｃｍ^３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物１の同定結果を示す。

^１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏを−１２５.８ｐｐｍとする。）
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２３.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＨ〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２７.１ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＨ〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
ｎ＝１.３

^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ_２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔２２Ｈ，ＨＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝６.１ｐｐｍ、６.７ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｃ_６Ｈ_４−〕

実施例２
ＨＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ（化合物２）の合成
Ｒは−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−である。
実施例１で得られた化合物１（１０ｇ）をｔ−ブタノール（５ｇ）に溶解させ、グリシドール（１.２ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０.１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物２を６ｇ得た。
化合物２は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６９ｇ／ｃｍ^３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物２の同定結果を示す。

^１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１９Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１１Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
ｎ＝１.４

^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ_２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔３４Ｈ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝６.１ｐｐｍ、６.７ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕

実施例３
ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ（化合物３）の合成
Ｒは−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−である。
実施例１で得られた化合物１（１０ｇ）をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ（４０ｇ）に溶解させ、金属ナトリウム（０.３ｇ）を加えて７０℃で２０時間加熱攪拌した後、２−ブロモエタノール（１.９ｇ）を加えて、７０℃で６０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物３を５ｇ得た。
化合物３は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７２ｇ／ｃｍ^３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物３の同定結果を示す。

^１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１９Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１１Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
ｎ＝１.４

^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ_２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔３０Ｈ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝６.１ｐｐｍ、６.７ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕

実施例４
Ｈ_３ＣＯ−Ｃ_６Ｈ_４−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＯＣＨ_３（化合物４）の合成
Ｒは−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−である。
実施例１で得られた化合物１（１０ｇ）をｔ−ブタノール（５ｇ）に溶解させ、グリシジル４−メトキシフェニルエーテル（２.７ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０.１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物４を８ｇ得た。
化合物４は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６７ｇ／ｃｍ^３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物４の同定結果を示す。

^１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，Ｈ_３ＣＯＣ_６Ｈ_４ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，Ｈ_３ＣＯＣ_６Ｈ_４ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
ｎ＝１.３

^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ_２Ｏ）
δ＝３.１〜３.８ｐｐｍ
〔３８Ｈ，Ｈ_３ＣＯＣ_６Ｈ_４ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝６.１〜６.７ｐｐｍ
〔１２Ｈ，Ｈ_３ＣＯＣ_６Ｈ_４ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕

実施例５
ＨＯ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−Ｒ−ＯＨ（化合物５）の合成
Ｒは−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−である。
実施例１において、化合物（ｂ１）（７ｇ）の代わりに化合物（ｂ２）（１０ｇ）、ｔ−ブトキシカリウム（０．４ｇ）の代わりに水素化ナトリウム（２．４ｇ）を用いた以外は実施例１と同様にして化合物５を３１ｇ得た。
化合物５は、白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物５の同定結果を示す。

^１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏを−１２５.８ｐｐｍとする。）
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２３.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＨ〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２７.１ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＨ〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
ｎ＝１.３

^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ_２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔１８Ｈ，ＨＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕

実施例６
ＨＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ（化合物６）の合成
Ｒは−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−である。
実施例５で得られた化合物５（１０ｇ）をｔ−ブタノール（５ｇ）に溶解させ、グリシドール（１．１ｇ）とｔ−ブトキシカリウム（０．１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物６を６ｇ得た。
化合物６は、白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物６の同定結果を示す。

^１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
ｎ＝１.３

^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ_２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔３０Ｈ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕

実施例７
ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ（化合物７）の合成
Ｒは−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−である。
実施例５で得られた化合物５（１０ｇ）をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ（４０ｇ）に溶解させ、金属ナトリウム（０.３ｇ）を加えて７０℃で２０時間加熱攪拌した後、２−ブロモエタノール（１.８ｇ）を加えて、７０℃で６０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物７を４ｇ得た。
化合物７は白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物７の同定結果を示す。

^１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔１０Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔８Ｆ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
ｎ＝１.３

^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ_２Ｏ）
δ＝３.２〜３.７ｐｐｍ
〔２６Ｈ，ＨＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕

実施例８
ＨＯ−Ｒ−ＯＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｏ−Ｒ−ＯＨ（化合物８）の合成
Ｒは−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−である。
アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（５０ｇ）、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨで表わされるフルオロポリエーテル（ｎ＝８．５、数平均分子量２２０３、分子量分布１.３０）１００ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（８ｇ）およびイミダゾール（４ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、水洗、脱水、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ２）を５１ｇ得た。この化合物（ａ２）（５１ｇ）をｔ−ブタノール（２６ｇ）に溶解させ、式（ｂ２）で表される化合物（３ｇ）と水素化ナトリウム（１ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、水洗浄を行い、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（１７ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物８を３９ｇ得た。
化合物８は、白色固体であった。ＮＭＲを用いて行った化合物８の同定結果を示す。

^１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏを−１２５.８ｐｐｍとする。）
δ＝−８３.５ｐｐｍ
〔７６Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２３.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝−１２０.３ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＨ〕，
δ＝−１２５.８ｐｐｍ
〔６８Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−〕，
δ＝−１２７.１ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＨ〕，
δ＝−１２７.６ｐｐｍ
〔４Ｆ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
ｎ＝８．５

^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ_２Ｏ）
δ＝３.２〜３.８ｐｐｍ
〔１８Ｈ，ＨＯＣＨ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕，
δ＝６.８ｐｐｍ
〔４Ｈ，−ＯＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−〕

実施例９
酸化アルミニウムに対する耐分解性の評価
化合物１〜８のそれぞれに、２０重量％のＡｌ_２Ｏ_３を入れ、強く振とうしたのち超音波でさらに良く混合することにより、耐分解性評価用の試料を調製する。耐分解性の評価は、熱分析装置（ＴＧ／ＴＤＡ）を用いて、２５０℃で１００分間加熱した後の潤滑剤の重量減少率を測定することにより行なった。試料は２０ｍｇ、測定は窒素雰囲気下で行なった。また比較のため、Ａｌ_２Ｏ_３を添加せず、潤滑剤そのものを２０ｍｇ使用し、同様の熱分析を行った。

実施例１０
単分子膜厚の測定
磁気ディスク上に塗布された潤滑剤の単分子膜厚（一分子あたりの膜厚）は、非特許文献２にも記載されているように、ディスク上での潤滑剤の拡散挙動をエリプソメーターで観察する際に確認される。単分子膜厚は、潤滑剤被膜のテラス部位の膜厚として得られる。

〔非特許文献２〕 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ，Ｏｃｔｏｂｅｒ ２００４，Ｖｏｌ.１２６，ｐ７５１

具体的には、実施例で合成した化合物１〜８を、それぞれＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１〜８の濃度はいずれも０.１重量％である。直径２.５インチの磁気ディスクの一部分（約１／４）をこの溶液に浸漬し、速度４ｍｍ／ｓで引き上げることにより、潤滑層として化合物１〜８が塗布された部分と塗布されていない部分からなるディスクを作製した。塗布された部分の平均膜厚は、３２Åであった。
上記のディスクを作製後すぐに、エリプソメーターに装着し、５０℃の温度条件下にて一定時間毎に塗布部と非塗布部の境界付近における膜厚の変化を測定し、形成するテラス部位の膜厚として潤滑剤の単分子膜厚を得た。

比較のために、分子末端のみに水酸基を有する化合物９と、分子鎖中と分子末端に水酸基を有する化合物１０を使用した。

（化合物９）
ＨＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ₂ＣＦ₂Ｏ（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）ｘ（ＣＦ₂Ｏ）ｙＣＦ₂ＣＨ₂ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ
ここでｘは１０.１、ｙは１０.９である。

（化合物１０）
ＨＯ−（ＣＨ_２−Ｒ^２−ＣＨ_２Ｏ−Ｅ−Ｏ）_ｐ−ＣＨ_２−Ｒ^２−ＣＨ_２−ＯＨ
Ｅは−ＣＨ_２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ_２−で表される基である。Ｒ^２は、−ＣＦ₂Ｏ（ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）ｘ（ＣＦ₂Ｏ）ｙＣＦ₂−である。
ここでｐは２、ｘは９．９、ｙは８．９である。

耐分解性の評価及び単分子膜厚の測定の結果を表１に記す。これらの結果から、本発明の芳香族基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、分子末端のみに水酸基を有する化合物９や分子中と分子末端に水酸基を有する化合物１０に比べて、優れた耐分解性を有しており、かつ低い単分子膜厚を示すことが確認された。

実施例１１
磁気ディスクの作製
実施例で得られた化合物１〜８をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１〜８の濃度は０.１重量％である。直径２.５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。その後１５０℃で１０分間乾燥し、塗布された化合物の膜厚をＦＴ−ＩＲで測定した。

結果を表２に示す。これらの結果から、耐分解性を有し、かつ一分子あたりの膜厚を低減できる本発明の化合物を有する磁気ディスクを作製できることが確認された。

１ 支持体
２ 記録層
３ 保護層
４ 潤滑層

Claims (6)

1. 式（１）で表される化合物
   Ｃ_６Ｈ_４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）_２ （１）
   式中Ｚは−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−、
   Ｒは、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ_２）ｍＯＨ、−
   ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ、−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_５、−ＯＣ
   Ｈ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＯＣＨ_３、ｍは１〜６の整数である。
2. ｎは０〜４の実数、ｍは１〜４の整数である請求項１に記載の化合物。
3. 式（１）の化合物を含有する潤滑剤
   Ｃ_６Ｈ_４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）_２ （１）
   式中Ｚは−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−、
   Ｒは、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ_２）ｍＯＨ、−
   ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ、−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_５、−ＯＣ
   Ｈ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＯＣＨ_３、ｍは１〜６の整数である。
4. ｎは０〜４の実数、ｍは１〜４の整数である請求項３に記載の潤滑剤。
5. 支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が下記式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク
   Ｃ_６Ｈ_４−（Ｏ−Ｚ−Ｒ−Ｘ）_２ （１）
   式中Ｚは−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−、
   Ｒは、−ＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２−であり、ｎは０〜２０の実数、Ｘは−ＯＨ、−Ｏ（ＣＨ_２）ｍＯＨ、−
   ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ、−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_５、−ＯＣ
   Ｈ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ−Ｃ_６Ｈ_４−ＯＣＨ_３、ｍは１〜６の整数である。
6. ｎは０〜４の実数、ｍは１〜４の整数である請求項５に記載の磁気ディスク。
   
   

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