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JP2013008796A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

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JP2013008796A JP2011139606A JP2011139606A JP2013008796A JP 2013008796 A JP2013008796 A JP 2013008796A JP 2011139606 A JP2011139606 A JP 2011139606A JP 2011139606 A JP2011139606 A JP 2011139606A JP 2013008796 A JP2013008796 A JP 2013008796A
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JP2011139606A
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Kazuma Sekiya
一馬 関家
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Disco Corp
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

【課題】ウェーハ破損の恐れを低減するとともに、ウェーハの分割予定ラインを検出し、分割予定ラインに沿ってウェーハへ加工を施すことが可能なウェーハの加工方法を提供する。
【解決手段】アライメントマークと分割予定ラインとの位置関係を位置関係情報として記憶する位置関係記憶ステップと、位置関係記憶ステップを実施した後、ウェーハが貼着されたサブストレイトをウェーハ側から撮像して、アライメントマークの位置を検出するアライメントマーク位置検出ステップと、アライメントマーク位置検出ステップで検出したアライメントマークの位置と位置関係記憶ステップで記憶した位置関係情報に基づいてサブストレイトに貼着されたウェーハの表面側から分割予定ラインに沿ってウェーハに加工を施す加工ステップと、を備えるウェーハの加工方法、とする。
【選択図】図2

Description

本発明は、薄く形成されても取り扱いが容易となるようなウェーハの加工方法に関する。
表面に形成された複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にディスクリートデバイス(個別半導体)(以下、単に「デバイス」としても表記する。)が形成されたウェーハにおいては、薄化するための裏面研削がなされた後に、スパッタリングや蒸着によって、電極として機能する金属層が裏面に形成される。
なお、ディスクリートデバイス(個別半導体)としては、例えば、トランジスタ、ダイオード、コンデンサ、MOSFET(Metal−Oxide−Semiconductor Field−Effect Transistor(モスフェット))、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ))などがある。
ウェーハが薄化された後に金属層を形成する際に、ウェーハが破損することを防止するために、ウェーハ裏面の中央部のみを薄化して円形凹部を形成し、外周余剰領域を残存させて補強部とする手法が知られている(特許文献1参照。)。
特開2007−19379号公報
例えば、ウェーハを50μm以下となるまで薄化すると、特許文献1で開示される手法を用いても、ハンドリング時のウェーハ破損を防止することは難しいことになる。このため、サブストレイトにウェーハを貼着して薄化し、サブストレイトにウェーハを貼着した状態で、ウェーハ裏面を金属で被覆して金属層を形成することが考えられる。
ここで、ウェーハ破損の恐れを低減するためには、ウェーハがサブストレイトに貼着された状態で、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割したり、加工を施すことが望ましい。
しかし、サブストレイトに貼着されて金属層が露出するとともに、表面(デバイスが形成された面)がサブストレイトに貼着されたウェーハでは、分割予定ラインの位置を検出することができず、分割予定ラインに沿った加工を施すことができないという問題がある。
本発明の目的は、ウェーハ破損の恐れを低減するとともに、ウェーハの分割予定ラインを検出し、分割予定ラインに沿ってウェーハへ加工を施すことが可能なウェーハの加工方法を提供することである。
請求項1に記載の発明によると、表面に形成された複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハが貼着されるウェーハ貼着領域と、該ウェーハ貼着領域を囲繞する外周余剰領域と、該外周余剰領域形成されたアライメントマークと、を備えた透明体からなるサブストレイトを準備するサブストレイト準備ステップと、該サブストレイトの該ウェーハ貼着領域に、ウェーハの表面を貼着してウェーハの裏面を露出させる貼着ステップと、該サブストレイトに貼着されたウェーハの表面を該サブストレイト側から該サブストレイトを介して撮像して該アライメントマークの位置、及び、前記分割予定ラインを検出し、該アライメントマークと該分割予定ラインとの位置関係を位置関係情報として記憶する位置関係記憶ステップと、該位置関係記憶ステップを実施した後、ウェーハが貼着された該サブストレイトを該ウェーハ側から撮像して、該アライメントマークの位置を検出するアライメントマーク位置検出ステップと、該アライメントマーク位置検出ステップで検出した該アライメントマークの位置と該位置関係記憶ステップで記憶した該位置関係情報に基づいて、該サブストレイトに貼着されたウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿ってウェーハに加工を施す加工ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
請求項2に記載の発明によると、ウェーハの加工方法は、前記貼着ステップを実施した後、該サブストレイトに貼着されたウェーハの裏面を研削して薄化する薄化ステップと、該薄化ステップを実施した後、ウェーハの裏面を金属で被覆する金属被覆ステップと、をさらに備え、前記位置関係記憶ステップは、該金属被覆ステップを実施した後に実施される。
本発明によると、ウェーハがサブストレイトに貼着された状態で取り扱われることになるため、ウェーハ破損の恐れを低減できる。サブストレイトを透明体とするため、サブストレイトに貼着させたままでウェーハの分割予定ラインの検出が可能となり、分割予定ラインに沿ったウェーハ加工が実施可能となる。
ウェーハの斜視図である。 (A)は貼着ステップを示す斜視図である。(B)はサブストレイトにウェーハが貼着された状態を示す斜視図である。 薄化ステップを示す斜視図である。 ウェーハがサブストレイトに貼着された状態の断面図である。 切削装置の外観の斜視図である。 位置関係記憶ステップを説明する一部断面側面図である。 位置関係記憶ステップを説明する平面図である。 アライメントマーク位置検出ステップを説明する一部断面図である。 アライメントステップについての説明図である。 金属層の除去方法を説明する一部断面側面図である。 レーザー加工装置による改質層の形成方法を説明する一部断面側面図である。 (A)はウェーハのエキスパンドテープへの貼着についての説明図である。(B)はサブストレイトの分離についての説明図。(C)はデバイスの分離についての説明図である。 アライメントマークの配置の他の実施形態を示す平面図である。 アライメントマークの配置のさらに他の実施形態を示す平面図である。 保持テーブルを利用する実施形態を説明する断面図である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は、ウェーハ11(半導体ウェーハ11)の表面側の斜視図を示している。図1に示したウェーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウェーハからなっており、表面11aに第1方向に伸長する複数の第1分割予定ライン(ストリート)13aと第2方向に伸長する複数の第2分割予定ライン(ストリート)13bが格子状に形成されているとともに、該複数の第1分割予定ライン13aと第2分割予定ライン13bによって区画された複数の領域にそれぞれトランジスタ、IGBT等のデバイス15が形成されている。
このように構成されたウェーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、ウェーハ11の外周にはシリコンウェーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ12が形成されている。
そして、本発明のウェーハの加工方法では、まず図2(A)に示すように、透明体からなるサブストレイト21を準備するサブストレイト準備ステップが行われる。
サブストレイト21は、円盤状に構成されており、同じく円盤状に形成されるウェーハ11を貼着するためのウェーハ貼着領域23と、ウェーハ貼着領域23を囲繞する外周余剰領域25とを備えている。サブストレイト21は、透明体にて構成される。透明体の素材については、特に限定されるものではないが、例えば、ガラス、アクリル樹脂などとすることが考えられる。
サブストレイト21の外周余剰領域25には、サブストレイト21の中心を通過する直線上において、中心を挟んで反対となる位置に、アライメントマーク27a,27bが設けられている。このアライメントマーク27a,27bは、サブストレイト21とウェーハ11の相対位置を画定するためのものである。
次に、以上のようにして準備されたサブストレイト21のウェーハ貼着領域23に対し、ウェーハ11の表面を貼着してウェーハ11の裏面11bを露出させる貼着ステップが実施される。
具体的には、図2(A)に示すように、ウェーハ11の表面11aを、サブストレイト21の表面21aに対向させ、図2(B)に示すように、サブストレイト21の表面21aにウェーハ11を貼着させることで、ウェーハ11の裏面11bが露出された状態とする。アライメントマーク27a,27bは外周余剰領域25に設けられるため、アライメントマーク27a,27bはウェーハ11の外側に配置されることになる。
ウェーハ11のサブストレイト21に対する貼着は、接着剤によって接着される。接着剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、紫外線硬化型接着剤を用いることが好ましい。特に、紫外線硬化型接着剤は、後述のサブストレイト21の分離作業の容易性の観点から好ましい。
以上のようにして、ウェーハ11の表面11aにサブストレイト21を貼着する貼着ステップを実施し、次に、ウェーハ11の裏面11bを研削して薄化する薄化ステップを実施する。
この薄化ステップでは、図3に示すように、研削装置2のチャックテーブル4に、サブストレイト21を吸引保持させつつ、ウェーハ11の裏面11bに研削砥石を当接させた状態でチャックテーブル4を矢印aの方向に回転させ(例えば300rpm)、研削砥石6を矢印bの方向に回転させる(例えば6000rpm)とともに研削砥石をウェーハに近接する方向に研削送りすることで、ウェーハ11の裏面11bが研削される。この薄化ステップにより、ウェーハ11の厚さが、例えば、50μm、30μmの厚みとなるように設定される。
薄化ステップを実施した後に、図4に示すように、ウェーハ11の裏面11bを金属で被覆する金属被覆ステップを実施する。具体的には、ウェーハ11の裏面11bに、金属層18がスパッタリングや、蒸着によって被覆される。なお、金属層18の素材については、特に限定されるものではないが、例えば、銅、アルミニウム、金などが挙げられる。
図4においては、サブストレイト21の断面と、サブストレイト21の表面21aに設けられるアライメントマーク27a,27bが示されている。サブストレイト21の表面21aにウェーハ11の表面11aが貼着され、このウェーハ11の表面11a側にデバイス15が形成され、各デバイス15の間に分割予定ライン13が形成されることが示されている。なお、以上に説明した薄化ステップと、その次に続く金属被覆ステップとは、前述の貼着ステップと、後述する位置関係記憶ステップの間に実施することが考えられる。
次に、アライメントマーク27a、27bと分割予定ライン13との位置関係を位置関係情報として記憶する、位置関係記憶ステップを実施する。図5は、位置関係記憶ステップを実施するための装置として利用し得る、切削装置30の外観を示している。
切削装置30には、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されるチャックテーブル31が設けられている。チャックテーブル31のX軸方向の移動経路の上方には、サブストレイト21やウェーハ11を上側から撮像し、アライメントマーク27a,27bや分割予定ライン13aを撮像するための撮像ユニット35を備えるアライメント機構34が配置されている。
アライメント機構34の左側には、チャックテーブル31に保持されたウェーハ11に対して切削加工を施す切削ユニット42が配設されている。切削ユニット42はアライメント機構34と一体的に構成されており、両者が連動してY軸方向及びZ軸方向に移動する。切削ユニット42は、回転可能なスピンドル44の先端に切削ブレード46が装着されて構成されている。切削ブレード46は撮像ユニット35のX軸方向の延長線上に位置している。
切削装置30には、チャックテーブル31や、撮像ユニット35や、切削ユニット42などを制御するためのコントローラ(不図示)が設けられている。さらに、切削装置30には、撮像ユニット35によって取得された画像を表示するための表示モニタ38や、オペレータが必要な情報を入力するための操作ユニット33が設けられている。
以上のように構成される切削装置30において、加工対象となる各ウェーハについて切削装置で自動的にアライメントマーク27a、27bや分割予定ライン13を検出するために、加工対象となるウェーハのキーパターンの登録や、使用されるサブストレイト21のアライメントマーク27a,27bの登録を行うティーチング作業が予め行われる。
ティーチング作業では、オペレータが撮像ユニット35でサブストレイト21を撮像し、表示モニタ38に表示される画像からアライメントマーク27a,27bを検出し、コントローラのメモリに登録することで、コントローラのメモリにアライメントマーク27a、27bの画像が記憶される。
同様にオペレータは、撮像ユニット35でウェーハを撮像し、パターンマッチングのターゲットとなるキーパターンを探索する。このキーパターンは、例えば、デバイス中の回路の特徴部分が利用される。ここで、図7においてX方向(第1方向)に伸長する分割予定ラインを第1分割予定ライン、Y方向(第2方向)に伸長する分割予定ラインを第2分割予定ラインとすると、オペレータは第1分割予定ラインを検出するための第1キーパターンを例えばA点で選定し、コントローラのメモリに登録することでキーパターンの画像がコントローラのメモリに記憶される。更にオペレータは、第1キーパターンから最も近い第1分割予定ライン13aと第1キーパターンまでの距離をコントローラのメモリに記憶させる。
次いで、オペレータは第2分割予定ラインを検出するための第2キーパターンを例えばC点で選定し、コントローラのメモリに登録することで、第2キーパターンの画像がコントローラのメモリに記憶される。更にオペレータは、第2キーパターンから最も近い第2分割予定ライン13bと第2キーパターンまでの距離をコントローラのメモリに記憶させる。
さらに、オペレータは、撮像画像を画面上で移動させることにより、第1方向、第2方向において、それぞれ隣り合う分割予定ラインと分割予定ラインとの間隔であるストリートピッチを座標値などによって求め、ストリートピッチの値についてもコントローラのメモリに記憶させておく。
以上のようなティーチング作業により、アライメントマーク27a,27b、第1分割予定ライン、第2分割予定ラインを切削装置でパターンマッチングにより自動検出するための各種情報が、予めコントローラのメモリに記憶された状態とされる。
尚、ティーチング作業は、ウェーハをサブストレイトに貼着する前にウェーハとサブストレイトをそれぞれ個別に撮像して実施してもよいし、ウェーハがサブストレイトに貼着された状態で図6に示すように、チャックテーブル31上に円環状の載置用治具39を介して載置して実施してもよい。ウェーハがサブストレイトに貼着された状態でティーチング作業を実施する場合には、ティーチング作業とともに後述の位置関係記憶ステップを実施するようにしてもよい。
そして、予めティーチング操作が行われた状態とした上で、位置関係記憶ステップが実施される。図6及び図7に示すように、この位置関係記憶ステップでは、加工対象となるサブストレイト21のアライメントマーク27a,27bと、ウェーハ11の分割予定ライン13の位置関係を検出し、検出した情報が位置関係情報としてコントローラのメモリに記憶される。
具体的には、図6に示すように、チャックテーブル31の上部には円環状の載置用治具39が設置され、載置用治具39に囲まれる空間37を形成することとする。この空間37にウェーハ11を納めるようにして、サブストレイト21を載置用治具39に載置する。ここで、サブストレイト21は、ウェーハ11が下側となるように載置用治具39に載置され、これにより、ウェーハ11の表面11a(サブストレイト側の面)が上側となるように配置される。
そして、撮像ユニット35により、上側からサブストレイト21、及び、ウェーハ11が撮像される。ここで、サブストレイト21が透明体で構成されるため、ウェーハ11の表面11aがサブストレイト21を介して透けて見える状態となり、撮像ユニット35によって、ウェーハ11の表面11aが撮像できる。また、サブストレイト21が透明体で構成されるため、サブストレイト21の表面21aに設けられたアライメントマーク27a,27bについても、撮像ユニット35によって撮像できる。
そして、コントローラは、上述のティーチング作業にて記憶されたアライメントマークと撮像されたアライメントマーク27a,27bのパターンマッチング、及び、ティーチング作業にて記憶されたウェーハのキーパターンと撮像されたキーパターンのパターンマッチングを実施する。
コントローラは、チャックテーブル31にセットされたサブストレイト21のアライメントマーク27a,27bの座標値や、ウェーハ11のA点とB点における第1キーパターン、及びC点とD点における第2キーパターンの座標値を検出し、メモリに記憶する。
コントローラは、アライメントマーク27a,27bの中心位置を結ぶことで、中心同士を端点として結んで定義されるアライメント基準線28Aを画定し、メモリに記憶する。また、コントローラは、ウェーハ11の第1、第2キーパターンの座標値とティーチング作業時に記憶していた第1、第2キーパターンから第1、第2分割予定ラインまでのそれぞれの距離に基づいて、第1分割予定ライン13a、及び、第2分割予定ライン13bを画定し、メモリに記憶する。
さらに、コントローラは、以上のように画定されたアライメント基準線28Aと第1分割予定ライン13a、第2分割予定ライン13bに基づいて、以下の位置関係情報をメモリに記憶する。
第一の位置関係情報:アライメント基準線28Aに対する第1分割予定ライン13aの相対位置関係
第二の位置関係情報:アライメント基準線28Aに対する第2分割予定ライン13bの相対位置関係
以上に説明した位置関係記憶ステップは、コントローラによって自動的に行われるオートアライメントの例であるが、オペレータによるマニュアル操作によって位置関係を検出、記憶させることとしてもよい。このようなマニュアル操作においては、オートアライメントの実施において必要とされる上述のティーチング作業は不要となる。また、位置関係記憶ステップについては、切削装置を用いるほか、顕微鏡などの他の装置を用いて行うこととしてもよい。
以上のようにして行われた位置関係記憶ステップの次に、ウェーハの裏面側から分割予定ラインに沿って加工を施すため、図8に示すように、サブストレイト21を裏返した状態とし、分割予定ラインを検出するためにアライメントマーク27a,27bの位置を検出するアライメントマーク位置検出ステップが実施される。
具体的には、図9の状態J1(図6の状態)から状態J2となるようにサブストレイト21を裏返すことで、図8に示すように、チャックテーブル31の上には、サブストレイト21が下側、ウェーハ11が上側となるように載置され、チャックテーブル31でサブストレイト21が吸引保持された状態とする。
ここで、サブストレイト21を状態J1から状態J2に裏返すことによって、位置関係記憶ステップにおいて記憶された相対位置関係は、図9における平面座標を基準とすると変更されることになる。例えば、X軸を回転軸として裏返すと、Y軸の相対位置関係は、Y軸方向において反転することになる。そこで、本実施形態の場合では、コントローラは、裏返しによって変更される相対位置関係を演算により求めるとともに、求めた相対位置関係を、位置関係記憶ステップにおいて記憶された相対位置関係と置き換えるとともに、メモリに記憶することが行われる。
次に、コントローラは、サブストレイト21を上方から撮像ユニット35にて撮像するとともに、図9の状態J2におけるアライメントマーク27a,27bの位置をパターンマッチングにて検出するとともに、メモリに記憶する。
以上のようにして行われたアライメントマーク位置検出ステップの次に、検出されたアライメントマークをもとにウェーハ11の分割予定ラインを検出するアライメントがアライメントステップとして実施される。なお、このアライメントステップ以降のステップを、加工ステップとして定義することができる。
まず図9の状態J2に示すように、コントローラは、チャックテーブル31を矢印R1の方向に回転させることで、状態J3に示すように、メモリに記憶されたアライメント基準線28AをX軸方向と平行にする。このようにアライメント基準線28AをX軸方向と平行にする調整を「第一の調整」とする。
次に、状態J3に示すように、コントローラは、位置関係記憶ステップにて記憶したアライメント基準線28Aと第1分割予定ライン13aの相対位置関係に基づいて、チャックテーブル31を角度θ1に対応する角度だけ矢印R2の方向に回転させ、状態J4に示すように、第1分割予定ライン13aをX軸方向と平行にする。つまり、第1分割予定ライン13aのX軸方向の位置合わせが行われる。このように第1分割予定ライン13aをX軸方向と平行にする調整を「第二の調整」とする。
さらに、コントローラは、位置関係記憶ステップにて記憶したアライメント基準線28Aと第1分割予定ライン13aの相対位置関係に基づいて、状態J4における第1分割予定ライン13aの位置を画定し、メモリに記憶する。これにより、コントローラは、第1方向(第1分割予定ライン13aの方向)の分割予定ラインに沿った加工を実施できる状態となる。
同様に、コントローラは、位置関係記憶ステップにて記憶したアライメント基準線28Aと第2分割予定ライン13bの相対位置関係に基づいて、状態J4における第2分割予定ライン13bを画定し、メモリに記憶する。これにより、コントローラは、第2方向(第2分割予定ライン13bの方向)の分割予定ラインに沿った加工を実施できる状態となる。
・ 次に、図10に示すように、コントローラは、メモリに記憶された第2分割予定ライン13b位置と、ストリートピッチの情報に基づいて、第2方向に伸長する第2分割予定ラインに切削ブレード46を位置づけて、第2方向に伸長する分割予定ライン13に沿って金属層18を除去する。金属層18の除去は、切削ユニット42を下降させた位置において切削ブレード46を高速回転させた状態とし、チャックテーブル31をX軸方向に移動(図5)させることで行われる。そして、メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削ユニット42をY軸方向にインデックス送りしながら切削を行うことにより、第2方向に伸長する全ての分割予定ライン13の位置に対応する金属層18を除去する。
次に、コントローラは、チャックテーブル31を90°回転させるとともに、メモリに記憶された第1分割予定ライン13a位置と、ストリートピッチの情報に基づいて、第1方向に伸張する第1分割予定ラインに切削ブレード46を位置づけて第1方向に伸長する分割予定ライン13に沿って金属層18を除去する。
次に、図11に示すように、レーザー加工装置のチャックテーブル32上にウェーハ11を載置し、レーザービーム照射ヘッド10により、ウェーハ11に対して透過性を有するレーザービームを金属層18が除去された分割予定ライン13に沿って照射することで、ウェーハ11に改質層を形成する改質層形成ステップを実施する。
改質層形成ステップにおける加工条件は例えば以下のように設定される。
光源 :YAGパルスレーザ
波長 :1064nm
平均出力 :1.0W
集光スポット径:1μm
繰り返し周波数:100kHz
加工送り速度 :50mm/秒
なお、レーザー加工装置は、上述の図5に示される切削装置30におけるアライメント機構34と同様の装置構成を備えることにより、上述のウェーハの分割予定ラインを検出するアライメントを可能としており、レーザービーム照射ヘッド10を固定してチャックテーブル32をY軸方向に移動可能に構成することで、切削装置30における場合と同様に、分割予定ラインに沿った加工が行えるように構成される。
以上のようにレーザー加工による改質層の形成がなされた後に、ウェーハ11を個々のデバイスに分割するウェーハ分割ステップが実施される。図12(A)に示すエキスパンド装置50は、環状フレームFを保持するフレーム保持ユニット52と、フレーム保持ユニット52に保持された環状フレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張ユニット54を具備している。
フレーム保持ユニット52は、環状のフレーム保持部材56と、フレーム保持部材56の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ58から構成される。フレーム保持部材56の上面は、環状フレームFを載置する載置面56aを形成しており、この載置面56a上に環状フレームFが載置される。
そして、載置面56a上に載置された環状フレームFは、クランプ58によってフレーム保持ユニット52に固定される。このように構成されたフレーム保持ユニット52はテープ拡張ユニット54によって上下方向に移動可能に支持されている。
テープ拡張ユニット54は、環状のフレーム保持部材56の内側に配設された拡張ドラム70を具備している。拡張ドラム70の上端は蓋72で閉鎖されている。この拡張ドラム70は、環状フレームFの内径より小さく、環状フレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されるウェーハ11の外径より大きい内径を有している。
テープ拡張ユニット54はさらに環状のフレーム保持部材56を上下方向に移動する駆動ユニット76を具備している。この駆動ユニット76は複数のエアシリンダ78を具備して構成されており、そのピストンロッド74がフレーム保持部材56の下面に連結されている。
複数のエアシリンダ78から構成される駆動ユニット76は、環状のフレーム保持部材56を、その載置面56aが拡張ドラム70の上端である蓋72の表面と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム70の上端より所定量下方の拡張位置との間で上下方向に移動させる。
以上のように構成されたエキスパンド装置50を用いて実施するウェーハ11の分割ステップについて図12を用いて説明する。まず、図12(A)に示すように、サブストレイト21が貼着された状態のウェーハ11がダイシングテープTを介して支持されている環状フレームFを、フレーム保持部材56の載置面56a上に載置し、クランプ58によってフレーム保持部材56に固定する。この時、フレーム保持部材56は、その載置面56aが拡張ドラム70の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
次いで、図12(B)に示すように、図示せぬ紫外線照射装置によってサブストレイト21に対して紫外線照射を行い、サブストレイト21とウェーハ11の間の接着力を低下させるとともに、ウェーハ11からサブストレイト21を分離させる。これにより、環状フレームFに装着されたダイシングテープTには、ウェーハ11が残されたままの状態となる。
なお、ウェーハ11とサブストレイト21との分離は、エキスパンド装置50上で実施する形態に限らず、エキスパンド装置50上にウェーハ11を載置する前に予めウェーハ11の裏面側をダイシングテープTに貼着して環状フレームFに装着し、サブストレイト21をウェーハ11上から剥離するようにしてもよい。
次いで、エアシリンダ78を駆動してフレーム保持部材56を図12(C)に示す拡張位置に下降させる。これにより、フレーム保持部材56の載置面56a上に固定されている環状フレームFが下降するため、環状フレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム70の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
その結果、ダイシングテープTに貼着されているウェーハ11には放射状に引張力が作用する。このようにウェーハ11に放射状に引張力が作用すると、分割予定ラインに形成された改質層は強度が低下されているので、この改質層が分割起点となってウェーハ11が改質層に沿って割断され、個々のデバイス15に分割される。
以上に説明した一連のステップにおいては、図1に示すように、まず、貼着ステップにおいてウェーハ11がサブストレイト21に貼着されることとしている。これにより、図3に示される薄化ステップに始まり、図12(A)に示される分割ステップまでの一連の過程において、ウェーハ11はサブストレイト21に貼着されることとなるため、ウェーハ11の破損の恐れを低減できる。
さらに、以上の実施形態のほか、図6に示される載置用治具39を用いる代わりに、例えば、ウェーハ11を樹脂等からなる保護シートを介してチャックテーブル31に載置することや、金属層18を直接チャックテーブル31に載置することとしてもよい。
さらに、図13に示すように、アライメントマーク27a,27bに加え、更に二つのアライメントマーク27c,27dをサブストレイト21に設けることとしてもよい。これにより、アライメント基準線28A(図7参照)を、アライメントマーク27a,27bを基準として画定するほか、アライメントマーク27c,27dを基準として画定することもでき、例えばアライメントマーク27a、27bをもとに第1方向のアライメントを実施するとともにアライメントマーク27c、27dをもとに第2方向のアライメントを実施する等、アライメント基準線28Aを画定する場合の選択性が広がって、作業時間の短縮やアライメント精度の向上を図ることができる。
例えば、アライメントマーク27a,27bを結んだアライメント基準線28AがX軸方向と大きくずれる場合には、チャックテーブルを大きく回転させて角度調整をする必要が生じるが、このような場合には、アライメントマーク27c,27dを元にアライメント基準線28Aを画定すればよいこととになる。
加えて、図14に示すように、一つのアライメントマーク27eを備える実施形態も考えられる。この実施形態では、アライメントマーク27eを同一長さで互いに直交する辺部分27m・27nからなる十字状のマークにて構成することで、上述した位置関係情報と同様の情報をコントローラにおいて取得することができる。
つまり、図7(A)及び図7(B)の場合と同様に、以下の位置関係を求めるものである。
第一の位置関係情報:辺部分27mに対する第1分割予定ライン13aの相対位置関係
第二の位置関係情報:辺部分27nに対する第2分割予定ライン13bの相対位置関係
なお、図14に示されるアライメントマーク27eの例では、十字状のマーク形状としたが、この例に限定されるものではない。即ち、十字状のマークとした場合と同等の位置関係情報が定義されるマーク形状であればよく、例えば、多角形や、基準となる切欠部を有する円形などが考えられる。
位置関係情報として定義される情報は、上記の例に限るものではない。即ち、後に行われる加工ステップにおいて、アライメントマークを基に分割予定ライン13を画定させることが可能であれば、特に限定されるものではない。例えば、図7において、第1分割予定ライン13aと第2分割予定ライン13bの交点をウェーハ中心とし、このウェーハ中心とアライメント基準線28Aの中点との相対位置関係を元に位置関係情報を定義してもよい。
また、図6に示すように、サブストレイト21の厚み方向Dにおけるアライメントマーク27a,27bの位置については、表面21aに設けるほか、裏面21b、あるいは、サブストレイト21の厚み方向の中途部に設けることとしてもよい。つまり、アライメントマーク27a,27bがサブストレイトを介して撮像できるのであれば、サブストレイト21の厚み方向Dにおけるアライメントマーク27a,27bの位置は限定されるものではない。
また、図6において、撮像ユニット35により上側から撮像することとするほか、図15に示すように、透明体からなる保持部62と、保持部62を支持する枠体63を有する保持テーブル60においてサブストレイト21を保持し、保持テーブル60の下側から保持部62とサブストレイト21を介して、アライメントマーク27a,27bや第1分割予定ライン13aなどを撮像ユニット35Aにて撮像し、夫々の位置を検出することとしてもよい。なお、保持部62には、図示せぬバキュームラインが形成されており、サブストレイト21などの被加工物を吸引保持できるようになっている。
さらに、以上説明した実施形態においては、図10と図11に示されるように、切削ブレードによる切削加工とレーザー加工の二段階によって、ウェーハ11を分割可能な状態としたが、図10に示す切削ユニット42の切削ブレード46により、ウェーハ11が分割されるまでフルカットすることとしてもよいし、金属層に対して吸収性を有する波長のレーザービームを用いて分割予定ライン上の金属を除去した後、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを用いて改質層を形成するようにしてもよい。
2 研削装置
4 チャックテーブル
6 研削砥石
10 レーザービーム照射ヘッド
11 ウェーハ
13a 第1分割予定ライン
13b 第2分割予定ライン
15 デバイス
18 金属層
21 サブストレイト
27a アライメントマーク
27b アライメントマーク
28A アライメント基準線
31 チャックテーブル
39 載置用治具
42 切削ユニット
θ1 角度
θ2 角度

Claims (2)

  1. 表面に形成された複数の交差する分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
    ウェーハが貼着されるウェーハ貼着領域と、該ウェーハ貼着領域を囲繞する外周余剰領域と、該外周余剰領域形成されたアライメントマークと、を備えた透明体からなるサブストレイトを準備するサブストレイト準備ステップと、
    該サブストレイトの該ウェーハ貼着領域に、ウェーハの表面を貼着してウェーハの裏面を露出させる貼着ステップと、
    該サブストレイトに貼着されたウェーハの表面を該サブストレイト側から該サブストレイトを介して撮像して該アライメントマークの位置、及び、前記分割予定ラインを検出し、該アライメントマークと該分割予定ラインとの位置関係を位置関係情報として記憶する位置関係記憶ステップと、
    該位置関係記憶ステップを実施した後、ウェーハが貼着された該サブストレイトを該ウェーハ側から撮像して、該アライメントマークの位置を検出するアライメントマーク位置検出ステップと、
    該アライメントマーク位置検出ステップで検出した該アライメントマークの位置と該位置関係記憶ステップで記憶した該位置関係情報に基づいて、該サブストレイトに貼着されたウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿ってウェーハに加工を施す加工ステップと、
    を備えたことを特徴とするウェーハの加工方法。
  2. 前記貼着ステップを実施した後、該サブストレイトに貼着されたウェーハの裏面を研削して薄化する薄化ステップと、
    該薄化ステップを実施した後、ウェーハの裏面を金属で被覆する金属被覆ステップと、をさらに備え、
    前記位置関係記憶ステップは、該金属被覆ステップを実施した後に実施される、
    ことを特徴とする請求項1に記載のウェーハの加工方法。
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