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JP2013004609A - Substrate bonding method - Google Patents

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JP2013004609A
JP2013004609A JP2011132210A JP2011132210A JP2013004609A JP 2013004609 A JP2013004609 A JP 2013004609A JP 2011132210 A JP2011132210 A JP 2011132210A JP 2011132210 A JP2011132210 A JP 2011132210A JP 2013004609 A JP2013004609 A JP 2013004609A
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JP
Japan
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substrate
bonding
temporary
substrates
main
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Application number
JP2011132210A
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Japanese (ja)
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JP2013004609A5 (en
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Isao Sugaya
功 菅谷
Keiichi Tanaka
慶一 田中
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Nikon Corp
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Nikon Corp
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Abstract

【課題】搬送中に、位置合わせされた基板と基板との相対位置がずれるといった課題がある。
【解決手段】基板貼り合せ方法は、仮接合部において、複数の基板を重ね合わせて複数の対向面および側面の少なくとも一方の一部を仮接合部材によって接合する仮接合段階と、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を、本接合部へ搬送する搬送段階と、前記本接合部において、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を本接合部材によって本接合する本接合段階とを備える。
【選択図】図5
There is a problem in that the relative position between the aligned substrate and the substrate is shifted during conveyance.
A substrate bonding method includes a temporary bonding step of overlapping a plurality of substrates and bonding at least one part of a plurality of opposing surfaces and side surfaces with a temporary bonding member at a temporary bonding portion, and the temporary bonding step. A transporting step of transporting the plurality of substrates temporarily joined in step to a main joining portion, and a main joining in which the plurality of substrates temporarily joined in the temporary joining step are finally joined by a main joining member in the main joining portion. Stages.
[Selection] Figure 5

Description

本発明は、基板貼り合わせ方法に関する。   The present invention relates to a substrate bonding method.

従来、位置合わせした複数の基板を搬送した後、加熱または加圧等によって貼り合わせる基板貼り合わせ方法が知られている。
特許文献1 特開2009−49066号公報
Conventionally, a substrate bonding method is known in which a plurality of aligned substrates are transported and then bonded together by heating or pressurization.
Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2009-49066

しかしながら、搬送中に、位置合わせされた基板と基板との相対位置がずれるといった課題がある。   However, there is a problem that the relative position between the aligned substrate and the substrate is shifted during conveyance.

本発明の第1の態様においては、仮接合部において、複数の基板を重ね合わせて複数の対向面および側面の少なくとも一方の一部を仮接合部材によって接合する仮接合段階と、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を、本接合部へ搬送する搬送段階と、前記本接合部において、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を本接合部材によって本接合する本接合段階とを備える基板貼り合せ方法を提供する。   In the first aspect of the present invention, in the temporary bonding portion, a temporary bonding step of overlapping a plurality of substrates and bonding at least one part of the plurality of facing surfaces and side surfaces with a temporary bonding member, and the temporary bonding step A transporting step of transporting the plurality of substrates temporarily joined in step to a main joining portion, and a main joining in which the plurality of substrates temporarily joined in the temporary joining step are finally joined by a main joining member in the main joining portion. A substrate bonding method comprising the steps of:

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   It should be noted that the above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.

基板貼り合わせ装置10の全体構成図である。1 is an overall configuration diagram of a substrate bonding apparatus 10. FIG. アライナ28の全体構成の側面図である。2 is a side view of the overall configuration of an aligner 28. FIG. アライナ28の動作を説明する図である。It is a figure explaining the operation | movement of the aligner. アライナ28の動作を説明する図である。It is a figure explaining the operation | movement of the aligner. 基板貼り合わせ方法の一工程であるアライナによる基板90、90の仮接合を説明する図である。It is a figure explaining the temporary joining of the board | substrates 90 and 90 by the aligner which is 1 process of a board | substrate bonding method. 仮接合部材96の位置関係を説明する基板90の平面図である。6 is a plan view of a substrate 90 for explaining the positional relationship of a temporary bonding member 96. FIG. 収容室55及び加熱加圧装置56の全体構成を説明する正面図である。FIG. 3 is a front view for explaining the overall configuration of a storage chamber 55 and a heating / pressurizing device 56. 基板貼り合わせ方法の一工程である加熱加圧装置56による基板90、90の本接合を説明する図である。It is a figure explaining the main joining of the board | substrates 90 and 90 by the heating-and-pressing apparatus 56 which is 1 process of a board | substrate bonding method. 本接合された電極パッド98と仮接合部材96の状態を説明する図である。It is a figure explaining the state of the electrode pad 98 and the temporary joining member 96 which were finally joined. 仮接合部材96の個数を変形した実施形態の平面図である。FIG. 5 is a plan view of an embodiment in which the number of temporary joining members 96 is modified. 仮接合部材96の樹脂材料を全面に塗布した実施形態の平面図である。It is a top view of embodiment which apply | coated the resin material of the temporary joining member 96 to the whole surface. 図11の実施形態の一部の縦断面図である。FIG. 12 is a partial longitudinal sectional view of the embodiment of FIG. 11. 仮接合部材96の配置を変更した実施形態の一部の平面図である。It is a partial top view of embodiment which changed arrangement of temporary joining member 96. FIG. 仮接合部材96を側面に形成した実施形態の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of embodiment which formed the temporary joining member 96 in the side surface. 仮接合部材の形状を変更した実施形態の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of embodiment which changed the shape of the temporary joining member. 仮接合部材の形状を変更した実施形態の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of embodiment which changed the shape of the temporary joining member. 仮接合部材の形状を変更した実施形態の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of embodiment which changed the shape of the temporary joining member. 仮接合部材の接合方法を変更した実施形態の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of embodiment which changed the joining method of the temporary joining member. 仮接合部材の接合方法を変更した実施形態の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of embodiment which changed the joining method of the temporary joining member. 仮接合部材を変更した実施形態の下層の基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate of the lower layer of embodiment which changed the temporary joining member. 仮接合部材を変更した実施形態の中層の基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate of the middle layer of embodiment which changed the temporary joining member. 仮接合部材を変更した実施形態の上層の基板の平面図である。It is a top view of the board | substrate of the upper layer of embodiment which changed the temporary joining member. 3枚の基板が積層された状態での縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view in a state where three substrates are stacked. 上層の基板が、先に仮接合された2枚の基板に仮接合された状態の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the state where the upper layer substrate was temporarily bonded to the two substrates previously bonded.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.

図1は、基板貼り合わせ装置の全体構成図である。基板貼り合わせ装置10は、2枚の基板90、90を貼り合わせて、重ね合わせ基板92を製造する。尚、基板貼り合わせ装置10が、3枚以上の基板90を貼り合わせて、重ね合わせ基板92を製造するように構成してもよい。   FIG. 1 is an overall configuration diagram of a substrate bonding apparatus. The substrate bonding apparatus 10 bonds the two substrates 90 and 90 and manufactures an overlapping substrate 92. Note that the substrate bonding apparatus 10 may be configured to bond the three or more substrates 90 to manufacture the superimposed substrate 92.

本実施形態による基板貼り合わせ装置10は、位置合わせされた基板と基板とを仮接合することによって、搬送中の基板と基板との相対位置のずれを抑制する。図1に示すように、基板貼り合わせ装置10は、筐体12と、常温部14と、高温部16と、制御部18とを備える。筐体12は、常温部14及び高温部16を囲むように形成されている。   The board | substrate bonding apparatus 10 by this embodiment suppresses the shift | offset | difference of the relative position of the board | substrate in conveyance by temporarily joining the board | substrate aligned to the board | substrate. As shown in FIG. 1, the substrate bonding apparatus 10 includes a housing 12, a normal temperature unit 14, a high temperature unit 16, and a control unit 18. The housing 12 is formed so as to surround the normal temperature part 14 and the high temperature part 16.

常温部14は、複数の基板カセット20、20、20と、ロボットアーム24と、プリアライナ26と、アライナ28と、ロボットアーム30とを有する。   The room temperature unit 14 includes a plurality of substrate cassettes 20, 20, 20, a robot arm 24, a pre-aligner 26, an aligner 28, and a robot arm 30.

基板カセット20は、基板貼り合わせ装置10において結合されて貼り合わされる基板90を収容する。また、基板カセット20は、基板貼り合わせ装置10において結合されて貼り合わされた重ね合わせ基板92を収容する。基板カセット20は、筐体12の外面に脱着可能に装着されている。これにより、複数の基板90を基板貼り合わせ装置10に一括して装填できる。また、複数組の重ね合わせ基板92を一括して回収できる。基板貼り合わせ装置10によって貼り合わされる基板90は、素子、回路、端子等が形成された単体のシリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、及び、ガラス基板等である。また、装填された基板90が、既に複数のウエハが積層された重ね合わせ基板92であってもよい。   The substrate cassette 20 accommodates the substrates 90 that are bonded and bonded together in the substrate bonding apparatus 10. Further, the substrate cassette 20 accommodates the overlapping substrate 92 bonded and bonded in the substrate bonding apparatus 10. The substrate cassette 20 is detachably attached to the outer surface of the housing 12. Thereby, a plurality of substrates 90 can be loaded into the substrate bonding apparatus 10 at a time. In addition, a plurality of sets of overlapping substrates 92 can be collected at once. The substrate 90 to be bonded by the substrate bonding apparatus 10 is a single silicon wafer, a compound semiconductor wafer, a glass substrate, or the like on which elements, circuits, terminals, and the like are formed. Further, the loaded substrate 90 may be an overlapping substrate 92 on which a plurality of wafers are already stacked.

ロボットアーム24は、筐体12の内部であって、基板カセット20の近傍に配置されている。ロボットアーム24は、基板カセット20に装填されている基板90をプリアライナ26に搬送する。ロボットアーム24は、プリアライナ26に搬送した基板90を、後述するアライナ28の固定ステージ部36または移動ステージ部38へと搬送する。尚、ロボットアーム24は、固定ステージ部36に搬送する基板90を反転させる。ロボットアーム24は、結合されて移動ステージ部38まで搬送された重ね合わせ基板92を基板カセット20、20、20の何れかに搬送する。   The robot arm 24 is disposed inside the housing 12 and in the vicinity of the substrate cassette 20. The robot arm 24 transports the substrate 90 loaded in the substrate cassette 20 to the pre-aligner 26. The robot arm 24 transports the substrate 90 transported to the pre-aligner 26 to the fixed stage unit 36 or the moving stage unit 38 of the aligner 28 described later. Note that the robot arm 24 reverses the substrate 90 transported to the fixed stage unit 36. The robot arm 24 transports the superposed substrate 92 that is coupled and transported to the moving stage unit 38 to one of the substrate cassettes 20, 20, 20.

プリアライナ26は、筐体12の内部であって、ロボットアーム24の近傍に配置されている。プリアライナ26は、アライナ28に基板90を装填する場合に、高精度であるがゆえに、狭いアライナ28の調整範囲に基板90が装填されるように、基板90の位置を仮合わせする。これにより、アライナ28における基板90の位置決めが、迅速且つ正確にできる。   The pre-aligner 26 is disposed inside the housing 12 and in the vicinity of the robot arm 24. The pre-aligner 26 temporarily aligns the position of the substrate 90 so that the substrate 90 is loaded in the narrow adjustment range of the aligner 28 because of high accuracy when the substrate 90 is loaded on the aligner 28. Thereby, the positioning of the substrate 90 in the aligner 28 can be performed quickly and accurately.

アライナ28は、仮接合部の一例である。アライナ28は、ロボットアーム24とロボットアーム30との間に配置されている。アライナ28は、枠体34と、固定ステージ部36と、移動ステージ部38と、一対のシャッタ40及びシャッタ42とを有する。   The aligner 28 is an example of a temporary joint. The aligner 28 is disposed between the robot arm 24 and the robot arm 30. The aligner 28 includes a frame body 34, a fixed stage unit 36, a moving stage unit 38, and a pair of shutters 40 and a shutter 42.

枠体34は、固定ステージ部36及び移動ステージ部38を囲むように形成されている。枠体34の基板カセット20、20、20側の面及び高温部16側の面は、基板90等を搬入及び搬出可能に、開口されている。   The frame body 34 is formed so as to surround the fixed stage portion 36 and the moving stage portion 38. The surface of the frame 34 on the substrate cassette 20, 20, 20 side and the surface on the high temperature part 16 side are opened so that the substrate 90 and the like can be carried in and out.

固定ステージ部36は、枠体34の内側であって、基板カセット20の近傍に固定されている。固定ステージ部36の下面は、基板90を保持した状態で、ロボットアーム30により移動ステージ部38から搬送される基板90を真空吸着する。   The fixed stage portion 36 is fixed inside the frame body 34 and in the vicinity of the substrate cassette 20. The lower surface of the fixed stage unit 36 vacuum-sucks the substrate 90 conveyed from the moving stage unit 38 by the robot arm 30 while holding the substrate 90.

移動ステージ部38は、枠体34の内側であって、高温部16側に配置されている。移動ステージ部38の上面は、基板90を真空吸着する。移動ステージ部38は、枠体34の内部を水平方向及び鉛直方向に移動する。移動ステージ部38は、移動することによって、固定ステージ部36に保持された基板90に対して、自己が保持する基板90を位置合わせした後、重ね合わせる。移動ステージ部38は、重ね合わせた基板90、90を仮接合する。   The moving stage unit 38 is disposed inside the frame body 34 and on the high temperature unit 16 side. The upper surface of the moving stage unit 38 vacuum-sucks the substrate 90. The moving stage unit 38 moves in the horizontal direction and the vertical direction inside the frame body 34. The moving stage unit 38 moves and aligns the substrate 90 held by the moving stage unit 38 with the substrate 90 held by the fixed stage unit 36 and then superimposes them. The moving stage unit 38 temporarily bonds the stacked substrates 90 and 90 together.

シャッタ40は、枠体34の基板カセット20側の開口を開閉する。シャッタ42は、枠体34の高温部16側の開口を開閉する。枠体34及びシャッタ40、42に囲まれた領域は、空気調整機等に連通されて、温度管理される。これにより、基板90と基板90との位置合わせの精度が向上する。   The shutter 40 opens and closes the opening of the frame 34 on the substrate cassette 20 side. The shutter 42 opens and closes the opening on the high temperature part 16 side of the frame body 34. The area surrounded by the frame body 34 and the shutters 40 and 42 is communicated with an air conditioner or the like, and the temperature is controlled. Thereby, the accuracy of alignment between the substrate 90 and the substrate 90 is improved.

ロボットアーム30は、筐体12の内部であって、高温部16とアライナ28との間に配置されている。ロボットアーム30は、移動ステージ部38によって位置合わせされて、仮接合された一対の基板90を真空吸着して、高温部16へと搬送する。ロボットアーム30は、高温部16において、結合されて貼り合わされた重ね合わせ基板92を高温部16から移動ステージ部38へと搬送する。   The robot arm 30 is disposed inside the housing 12 and between the high temperature part 16 and the aligner 28. The robot arm 30 is positioned by the moving stage unit 38 and vacuum-sucks the pair of temporarily bonded substrates 90 and transports them to the high temperature unit 16. The robot arm 30 conveys the superposed substrate 92 bonded and bonded in the high temperature unit 16 from the high temperature unit 16 to the moving stage unit 38.

高温部16は、基板貼り合わせ装置10の貼り合わせ工程において、高温且つ真空状態に設定される。高温部16は、断熱壁46と、エアロック室48と、一対のシャッタ50及びシャッタ52と、ロボットアーム54と、5個の収容室55と、5個の加熱加圧装置56とを備える。ロボットアーム54は、搬送部の一例である。尚、加熱加圧装置56の個数は、5個に限定されるものではなく、適宜変更してもよい。   The high temperature part 16 is set to a high temperature and a vacuum state in the bonding process of the substrate bonding apparatus 10. The high temperature unit 16 includes a heat insulating wall 46, an air lock chamber 48, a pair of shutters 50 and 52, a robot arm 54, five storage chambers 55, and five heating and pressurizing devices 56. The robot arm 54 is an example of a transport unit. Note that the number of the heating and pressing devices 56 is not limited to five, and may be changed as appropriate.

断熱壁46は、高温部16を包囲する。これにより、断熱壁46は、高温部16の高い内部温度を維持するとともに、高温部16から外部への熱輻射を遮断する。この結果、断熱壁46は、高温部16の熱が常温部14に及ぼす影響を低減する。また、断熱壁46は、高温部16と外部との気体の流れを遮断する。これにより、断熱壁46は、高温部16の真空状態を維持する。   The heat insulating wall 46 surrounds the high temperature part 16. Thereby, the heat insulating wall 46 maintains the high internal temperature of the high temperature part 16 and blocks heat radiation from the high temperature part 16 to the outside. As a result, the heat insulating wall 46 reduces the influence of the heat of the high temperature part 16 on the normal temperature part 14. Moreover, the heat insulation wall 46 interrupts | blocks the gas flow of the high temperature part 16 and the exterior. Thereby, the heat insulation wall 46 maintains the vacuum state of the high temperature part 16.

エアロック室48は、常温部14と高温部16とを連結する。エアロック室48の常温部14側及び高温部16側は、一対の基板90を含む重ね合わせ基板92を搬送可能に開口されている。   The air lock chamber 48 connects the normal temperature part 14 and the high temperature part 16. The room temperature portion 14 side and the high temperature portion 16 side of the air lock chamber 48 are opened so as to be able to transport an overlapping substrate 92 including a pair of substrates 90.

シャッタ50は、エアロック室48の常温部14側の開口を開閉する。シャッタ50が開状態になると、エアロック室48が常温部14と連通される。これにより、エアロック室48は、常温部14と略同じ気圧となる。この状態で、ロボットアーム30は、エアロック室48とアライナ28との間で、重ね合わせ基板92を搬送する。   The shutter 50 opens and closes the opening of the air lock chamber 48 on the normal temperature part 14 side. When the shutter 50 is in an open state, the air lock chamber 48 is communicated with the normal temperature unit 14. As a result, the air lock chamber 48 has substantially the same atmospheric pressure as the room temperature portion 14. In this state, the robot arm 30 conveys the overlapping substrate 92 between the air lock chamber 48 and the aligner 28.

シャッタ52は、エアロック室48の高温部16側の開口を開閉する。シャッタ52が開状態になると、エアロック室48は、高温部16と連通される。これにより、エアロック室48は、高温部16と略同じ気圧となる。尚、貼り合わせ工程において、シャッタ50及びシャッタ52の両方が開状態になることはない。   The shutter 52 opens and closes the opening of the air lock chamber 48 on the high temperature part 16 side. When the shutter 52 is opened, the air lock chamber 48 is communicated with the high temperature part 16. As a result, the air lock chamber 48 has substantially the same atmospheric pressure as the high temperature portion 16. In the bonding process, neither the shutter 50 nor the shutter 52 is opened.

ロボットアーム54は、シャッタ52が開状態において、ロボットアーム30によりエアロック室48に搬入された基板90、90を、何れかの加熱加圧装置56へと搬入する。ロボットアーム54は、加熱加圧装置56により本接合された基板90、90を含む重ね合わせ基板92をエアロック室48へと搬送する。   The robot arm 54 carries the substrates 90 and 90 carried into the air lock chamber 48 by the robot arm 30 into one of the heating and pressurizing devices 56 when the shutter 52 is open. The robot arm 54 transports the superposed substrate 92 including the substrates 90 and 90 that are finally bonded by the heating and pressurizing device 56 to the air lock chamber 48.

収容室55は、中空状に形成されている。収容室55は、加熱加圧装置56の主要部を収容して包囲する。収容室55は、重ね合わせ基板92を搬入及び搬出するために、開閉可能な開口部を有する。収容室55は、重ね合わせ基板92が搬入された後、真空状態にするために密閉される。   The storage chamber 55 is formed in a hollow shape. The accommodating chamber 55 accommodates and surrounds the main part of the heating and pressurizing device 56. The accommodation chamber 55 has an opening that can be opened and closed in order to carry in and carry out the overlapping substrate 92. The storage chamber 55 is sealed to make a vacuum after the superimposed substrate 92 is carried in.

加熱加圧装置56は、本接合部の一例である。加熱加圧装置56は、断熱壁46の内部に配置されている。3個の加熱加圧装置56は、断熱壁46の中心の周りに略等角度間隔で配置されている。加熱加圧装置56は、ロボットアーム54によってエアロック室48から搬入された重ね合わせ基板92を保持する。加熱加圧装置56は、結合温度状態の重ね合わせ基板92を加圧する。そして、加熱加圧装置56は、重ね合わせ基板92の基板90が結合可能な結合温度まで、搬入された重ね合わせ基板92を昇温させる。これにより、加熱加圧装置56は、重ね合わせ基板92を結合して貼り合わせる。   The heating and pressurizing device 56 is an example of the main joint. The heating / pressurizing device 56 is disposed inside the heat insulating wall 46. The three heating / pressurizing devices 56 are arranged at substantially equal angular intervals around the center of the heat insulating wall 46. The heating / pressurizing device 56 holds the overlapping substrate 92 carried from the air lock chamber 48 by the robot arm 54. The heating / pressurizing device 56 pressurizes the overlapping substrate 92 in the combined temperature state. Then, the heating and pressurizing device 56 raises the temperature of the loaded overlapping substrate 92 to a bonding temperature at which the substrate 90 of the overlapping substrate 92 can be bonded. Thereby, the heating and pressurizing device 56 combines and bonds the overlapping substrates 92 together.

ロボットアーム54は、結合されて貼り合わされた重ね合わせ基板92を加熱加圧装置56からエアロック室48へと搬送する。   The robot arm 54 transports the superposed substrate 92 bonded and bonded from the heating / pressurizing device 56 to the air lock chamber 48.

制御部18は、基板貼り合わせ装置10の全体の動作を制御する。制御部18は、基板貼り合わせ装置10の電源投入、各種設定等をする場合に、ユーザが外部から操作する操作部を有する。   The control unit 18 controls the overall operation of the substrate bonding apparatus 10. The control unit 18 includes an operation unit that is operated by the user from the outside when the substrate bonding apparatus 10 is turned on and various settings are made.

上述した基板貼り合わせ装置10による基板貼り合わせ方法について説明する。まず、ロボットアーム24が、プリアライナ26を経由して、基板カセット20からアライナ28の移動ステージ部38及び固定ステージ部36へと基板90、90を1枚ずつ搬送する。固定ステージ部36及び移動ステージ部38は、それぞれ基板90、90を吸着して保持する。次に、移動ステージ部38は、基板90と基板90とを位置合わせする。この後、移動ステージ部38は、保持する基板90を上昇させて、基板90、90を重ね合わせて、基板90、90の対向面の一部を後述する仮接合部材によって仮接合する。この後、移動ステージ部38が、仮接合された基板90、90をロボットアーム30の近傍まで移動させる。ロボットアーム30は、移動ステージ部38上の基板90、90をエアロック室48へと搬送する。ロボットアーム54は、エアロック室48から加熱加圧装置56へと仮接合された一対の基板90、90を搬送する。加熱加圧装置56は、基板90、90を加熱及び加圧して、仮接合された一対の基板90、90の電極パッド同士を電気的に接合することにより本接合する。これにより、重ね合わせ基板92が完成する。この後、ロボットアーム54、30、24が、重ね合わせ基板92を基板カセット20へと搬出する。これにより、基板貼り合わせ工程が終了する。   A substrate bonding method using the above-described substrate bonding apparatus 10 will be described. First, the robot arm 24 transports the substrates 90 and 90 one by one from the substrate cassette 20 to the moving stage unit 38 and the fixed stage unit 36 of the aligner 28 via the pre-aligner 26. The fixed stage unit 36 and the moving stage unit 38 suck and hold the substrates 90 and 90, respectively. Next, the moving stage unit 38 aligns the substrate 90 and the substrate 90. Thereafter, the moving stage unit 38 raises the substrate 90 to be held, superimposes the substrates 90 and 90, and temporarily joins a part of the opposing surface of the substrates 90 and 90 with a temporary joining member described later. Thereafter, the moving stage unit 38 moves the temporarily bonded substrates 90 and 90 to the vicinity of the robot arm 30. The robot arm 30 transports the substrates 90, 90 on the moving stage unit 38 to the air lock chamber 48. The robot arm 54 transports a pair of substrates 90 and 90 temporarily joined from the air lock chamber 48 to the heating and pressurizing device 56. The heating and pressurizing device 56 heats and presses the substrates 90 and 90 to electrically bond the electrode pads of the pair of temporarily bonded substrates 90 and 90 to each other. Thereby, the overlapping substrate 92 is completed. Thereafter, the robot arms 54, 30, and 24 carry the superimposed substrate 92 to the substrate cassette 20. Thereby, a board | substrate bonding process is complete | finished.

図2は、アライナ28の全体構成の側面図である。図2に示すように、枠体34は、底板102と、天板104と、側壁106とを備える。底板102と天板104は、互いに平行に配置されている。側壁106は、底板102と天板104とを連結しつつ、側面を囲う。シャッタ40、42に対応する領域の側壁106は、開口されている。   FIG. 2 is a side view of the overall configuration of the aligner 28. As shown in FIG. 2, the frame body 34 includes a bottom plate 102, a top plate 104, and side walls 106. The bottom plate 102 and the top plate 104 are arranged in parallel to each other. The side wall 106 surrounds the side surface while connecting the bottom plate 102 and the top plate 104. The side wall 106 in the region corresponding to the shutters 40 and 42 is opened.

移動ステージ部38は、一部がXYZ方向に移動可能に、底板102に設けられている。移動ステージ部38は、X方向駆動部110と、Y方向駆動部112と、Z方向駆動部114と、複数の揺動駆動部116と、下ステージ118と、下顕微鏡120と、下反射鏡122と、紫外線光源124とを備える。   A part of the moving stage unit 38 is provided on the bottom plate 102 so as to be movable in the XYZ directions. The moving stage unit 38 includes an X direction driving unit 110, a Y direction driving unit 112, a Z direction driving unit 114, a plurality of swing driving units 116, a lower stage 118, a lower microscope 120, and a lower reflecting mirror 122. And an ultraviolet light source 124.

X方向駆動部110は、底板102に設けられたXガイドレール111を介して、底板102に配置されている。X方向駆動部110は、Xガイドレール111に沿って、Y方向駆動部112をX方向に移動させる。Y方向駆動部112は、X方向駆動部110の上面に配置されている。Y方向駆動部112は、下ステージ118をY方向に移動させる。Z方向駆動部114は、下ステージ118をY方向駆動部112の上面の中央部に配置されている。Z方向駆動部114は、下ステージ118をZ方向に駆動する。これにより、Z方向駆動部114は、下ステージ118に吸着された基板90を、固定ステージ部36に吸着された基板90に接触及び加圧できる。   The X direction drive unit 110 is disposed on the bottom plate 102 via an X guide rail 111 provided on the bottom plate 102. The X direction driving unit 110 moves the Y direction driving unit 112 in the X direction along the X guide rail 111. The Y direction driving unit 112 is disposed on the upper surface of the X direction driving unit 110. The Y direction driving unit 112 moves the lower stage 118 in the Y direction. In the Z direction drive unit 114, the lower stage 118 is arranged at the center of the upper surface of the Y direction drive unit 112. The Z direction driving unit 114 drives the lower stage 118 in the Z direction. Thereby, the Z-direction drive unit 114 can contact and press the substrate 90 adsorbed on the lower stage 118 to the substrate 90 adsorbed on the fixed stage unit 36.

下ステージ118は、球面座115を介して、Z方向駆動部114に支持されている。下ステージ118は、基板90を真空吸着する。   The lower stage 118 is supported by the Z-direction driving unit 114 via the spherical seat 115. The lower stage 118 vacuum-sucks the substrate 90.

複数の揺動駆動部116は、Y方向駆動部112の上面の周縁部に配置されている。複数の揺動駆動部116は、それぞれ個別に伸縮駆動する。これにより、揺動駆動部116は、Z方向駆動部114の上部に設けられた球面座115を揺動軸として、下ステージ118を揺動させる。   The plurality of swing drive units 116 are disposed on the peripheral edge of the upper surface of the Y direction drive unit 112. The plurality of swing driving units 116 are individually extended and contracted. As a result, the swing drive unit 116 swings the lower stage 118 with the spherical seat 115 provided on the Z direction drive unit 114 as the swing axis.

下顕微鏡120は、下ステージ118に固定されている。下顕微鏡120は、上方を観察可能に設置されている。これにより、下顕微鏡120は、固定ステージ部36に吸着された基板90のアライメントマーク94を観察する。この結果、下ステージ118に対する固定ステージ部36の基板90の相対位置を測定する。下反射鏡122は、図示しない干渉計からの出射光を反射する。これにより、下ステージ118の位置及び移動量を検出する。   The lower microscope 120 is fixed to the lower stage 118. The lower microscope 120 is installed so that the upper part can be observed. Thereby, the lower microscope 120 observes the alignment mark 94 of the substrate 90 adsorbed to the fixed stage unit 36. As a result, the relative position of the substrate 90 of the fixed stage unit 36 with respect to the lower stage 118 is measured. The lower reflecting mirror 122 reflects light emitted from an interferometer (not shown). Thereby, the position and movement amount of the lower stage 118 are detected.

紫外線光源124は、基板90の周りに、例えば、3個設けられている。紫外線光源124は、紫外線を照射可能なレーザまたは発光ダイオード等を有する。紫外線光源124は、基板90上に塗布された仮接合部材96が基板90と基板90とに接触した状態で、硬化用の光である紫外線を仮接合部材96に照射する。これにより、光硬化樹脂の一例であって、絶縁性の紫外線硬化樹脂を含む仮接合部材96が硬化して、基板90と基板90とが仮接合される。   For example, three ultraviolet light sources 124 are provided around the substrate 90. The ultraviolet light source 124 includes a laser or a light emitting diode that can emit ultraviolet light. The ultraviolet light source 124 irradiates the temporary bonding member 96 with ultraviolet light, which is light for curing, in a state where the temporary bonding member 96 applied on the substrate 90 is in contact with the substrate 90. Accordingly, the temporary bonding member 96 that is an example of a photo-curing resin and includes an insulating ultraviolet curable resin is cured, and the substrate 90 and the substrate 90 are temporarily bonded.

図示しないが、アライナ28は、下ステージ118を鉛直方向の周りに回転させる回転駆動部を有する。これにより、アライナ28は、基板90、90を回転させて、基板90、90の回転方向の位置合わせをする。   Although not shown, the aligner 28 has a rotation drive unit that rotates the lower stage 118 around the vertical direction. As a result, the aligner 28 rotates the substrates 90 and 90 to align the substrates 90 and 90 in the rotational direction.

固定ステージ部36は、天板104に固定されている。固定ステージ部36は、複数のロードセル130と、上ステージ132と、上反射鏡134と、上顕微鏡136とを備える。   The fixed stage unit 36 is fixed to the top plate 104. The fixed stage unit 36 includes a plurality of load cells 130, an upper stage 132, an upper reflecting mirror 134, and an upper microscope 136.

複数のロードセル130は、天板104に固定されている。複数のロードセル130は、圧力を検出する。上ステージ132は、ロードセル130を介して、天板104に支持されている。これにより、上ステージ132に作用する圧力がロードセル130によって検出される。上ステージ132の下面は、基板90を真空吸着する。   The plurality of load cells 130 are fixed to the top plate 104. The plurality of load cells 130 detect pressure. The upper stage 132 is supported by the top plate 104 via the load cell 130. As a result, the pressure acting on the upper stage 132 is detected by the load cell 130. The lower surface of the upper stage 132 sucks the substrate 90 by vacuum.

上反射鏡134は、上ステージ132の位置及び移動量を検出するための干渉計からの出射光を反射する。上顕微鏡136は、上ステージ132の近傍であって、天板104に固定されている。上顕微鏡136は、移動ステージ部38に吸着された基板90のアライメントマーク94を観察する。この結果、上ステージ132に対する移動ステージ部38の相対位置を測定する。   The upper reflecting mirror 134 reflects the outgoing light from the interferometer for detecting the position and movement amount of the upper stage 132. The upper microscope 136 is fixed to the top plate 104 in the vicinity of the upper stage 132. The upper microscope 136 observes the alignment mark 94 of the substrate 90 adsorbed on the moving stage unit 38. As a result, the relative position of the moving stage unit 38 with respect to the upper stage 132 is measured.

図3及び図4は、アライナ28の動作を説明する図である。図5は、基板貼り合わせ方法の一工程であるアライナによる基板90、90の仮接合を説明する図である。   3 and 4 are diagrams for explaining the operation of the aligner 28. FIG. FIG. 5 is a diagram for explaining the temporary bonding of the substrates 90 and 90 by the aligner, which is one step of the substrate bonding method.

まず、基板90、90に仮接合部材96を設ける。次に、シャッタ40が開状態となる。この状態で、図2に示すように、ロボットアーム24が、移動ステージ部38の下ステージ118及び固定ステージ部36の上ステージ132に基板90、90を順に載置する。下ステージ118及び上ステージ132は、それぞれ基板90、90を真空吸着する。   First, the temporary bonding member 96 is provided on the substrates 90 and 90. Next, the shutter 40 is opened. In this state, as shown in FIG. 2, the robot arm 24 places the substrates 90 and 90 on the lower stage 118 of the moving stage unit 38 and the upper stage 132 of the fixed stage unit 36 in this order. The lower stage 118 and the upper stage 132 vacuum-suck the substrates 90 and 90, respectively.

次に、図3に示すように、X方向駆動部110及びY方向駆動部112を駆動させて、下ステージ118及び上ステージ132に保持されている基板90、90を概ね対向させる。この状態で、カメラ等により基板90、90を観察しつつ、揺動駆動部116を動作させて、基板90、90の対向する面を平行にする。   Next, as shown in FIG. 3, the X-direction drive unit 110 and the Y-direction drive unit 112 are driven so that the substrates 90 and 90 held by the lower stage 118 and the upper stage 132 are generally opposed to each other. In this state, while observing the substrates 90 and 90 with a camera or the like, the swing driving unit 116 is operated to make the opposing surfaces of the substrates 90 and 90 parallel.

次に、X方向駆動部110及びY方向駆動部112を駆動させて、下ステージ118に保持されている基板90のアライメントマーク94を上顕微鏡136の視野に入れる。これにより、上ステージ132に対する当該基板90の相対位置を測定する。同様に、上ステージ132に保持されている基板90のアライメントマーク94を下顕微鏡120によって観察して、下ステージ118に対する当該基板90の相対位置を測定する。   Next, the X-direction drive unit 110 and the Y-direction drive unit 112 are driven, and the alignment mark 94 of the substrate 90 held on the lower stage 118 is placed in the field of view of the upper microscope 136. Thereby, the relative position of the substrate 90 with respect to the upper stage 132 is measured. Similarly, the alignment mark 94 of the substrate 90 held on the upper stage 132 is observed with the lower microscope 120, and the relative position of the substrate 90 with respect to the lower stage 118 is measured.

これらの測定に基づいて、一対の基板90、90の水平方向の相対位置のずれ量を算出する。このずれ量を解消する位置合わせ量を算出して、その位置合わせ量に基づいて、下ステージ118を移動させる。これにより、一対の基板90、90が位置合わせされる。尚、上述した基板90、90に仮接合部材96を設ける段階は、基板90、90の位置合わせの前に実施されることが好ましい。   Based on these measurements, the amount of deviation of the horizontal relative position of the pair of substrates 90, 90 is calculated. An alignment amount that eliminates the shift amount is calculated, and the lower stage 118 is moved based on the alignment amount. Thereby, a pair of board | substrates 90 and 90 are aligned. The step of providing the temporary bonding member 96 on the substrates 90 and 90 is preferably performed before the alignment of the substrates 90 and 90.

この後、図4に示すように、Z方向駆動部114を駆動させて、下ステージ118を上昇させる。これにより、基板90と基板90とが近接する。   Thereafter, as shown in FIG. 4, the Z-direction drive unit 114 is driven to raise the lower stage 118. Thereby, the board | substrate 90 and the board | substrate 90 adjoin.

この状態では、図5に示すように、上側の基板90の仮接合部材96と下側の基板90の仮接合部材96は接触する。ここで、仮接合部材96の基板90の表面からの高さが、基板90に形成された素子と電気的に接続された電極パッド98の基板90の表面からの高さよりも高い。従って、仮接合部材96、96同士が接触しても、対向する基板90、90に形成された電極パッド98、98同士は接触せずに離間している。尚、電極パッド98は、本接合部材の一例である。基板90、90に仮接合部材96を設ける段階は、電極パッド98を設ける後に実施することが好ましい。仮接合部材96は、素子及び電極パッド98が形成された基板90をCMP(Chemical Mechanical Polishing)等によって表面研磨した後に形成することが好ましい。   In this state, as shown in FIG. 5, the temporary bonding member 96 of the upper substrate 90 and the temporary bonding member 96 of the lower substrate 90 are in contact with each other. Here, the height of the temporary bonding member 96 from the surface of the substrate 90 is higher than the height of the electrode pad 98 electrically connected to the element formed on the substrate 90 from the surface of the substrate 90. Therefore, even if the temporary joining members 96 and 96 are in contact with each other, the electrode pads 98 and 98 formed on the opposing substrates 90 and 90 are not in contact with each other and are separated. The electrode pad 98 is an example of the bonding member. The step of providing the temporary bonding member 96 on the substrates 90 and 90 is preferably performed after the electrode pad 98 is provided. The temporary bonding member 96 is preferably formed after the surface of the substrate 90 on which the element and the electrode pad 98 are formed is polished by CMP (Chemical Mechanical Polishing) or the like.

また、仮接合部材96と電極パッド98は、異なる接合材料を含む。例えば、仮接合部材96を紫外線硬化樹脂によって構成して、電極パッド98を金属材料によって構成する。この場合、仮接合部材96は、電極パッド98よりも柔らかく、後述する電極パッド98、98同士を接合する本接合において、仮接合部材96が、負荷となることを低減できる。   The temporary bonding member 96 and the electrode pad 98 include different bonding materials. For example, the temporary joining member 96 is made of an ultraviolet curable resin, and the electrode pad 98 is made of a metal material. In this case, the temporary bonding member 96 is softer than the electrode pad 98, and the temporary bonding member 96 can be reduced from being a load in the main bonding in which electrode pads 98 and 98 described later are bonded to each other.

図6は、仮接合部材96の位置関係を説明する基板90の平面図である。図6に示すように、3個の仮接合部材96は、平面視において、極めて小さく、3個の仮接合部材96の合計の接合面積は、本接合される電極パッド98の合計の接合面積よりも小さい。また、樹脂による仮接合部材96のそれぞれの接合強度は、金属からなる個々の電極パッド98による接合強度よりも低い。従って、仮接合後の3個の仮接合部材96による合計の接合強度は、本接合後の電極パッド98の合計の接合強度よりも弱い。3個の仮接合部材96は、基板90の周縁部に、互いに離間して配置されている。3個の仮接合部材96は、基板90の中心の周りに120°間隔で配置されている。3個の仮接合部材96が3個の紫外線光源124に対向するように、基板90は、移動ステージ部38に設置される。また、仮接合部材96は、素子が形成される素子領域よりも外側に配置されて、素子から絶縁されている。仮接合部材96は、スクライブライン99上に設けられている。尚、スクライブライン99は、基板90、90の貼り合わせ後、重ね合わせ基板92を素子単位に分割するラインである。   FIG. 6 is a plan view of the substrate 90 for explaining the positional relationship of the temporary bonding member 96. As shown in FIG. 6, the three temporary bonding members 96 are extremely small in plan view, and the total bonding area of the three temporary bonding members 96 is larger than the total bonding area of the electrode pads 98 to be bonded. Is also small. Further, the bonding strength of the temporary bonding member 96 made of resin is lower than the bonding strength of the individual electrode pads 98 made of metal. Therefore, the total bonding strength by the three temporary bonding members 96 after the temporary bonding is weaker than the total bonding strength of the electrode pads 98 after the main bonding. The three temporary joining members 96 are arranged on the periphery of the substrate 90 so as to be separated from each other. The three temporary joining members 96 are arranged around the center of the substrate 90 at intervals of 120 °. The substrate 90 is placed on the moving stage unit 38 so that the three temporary bonding members 96 face the three ultraviolet light sources 124. In addition, the temporary bonding member 96 is disposed outside the element region where the element is formed, and is insulated from the element. The temporary joining member 96 is provided on the scribe line 99. The scribe line 99 is a line that divides the overlapping substrate 92 into elements after the substrates 90 and 90 are bonded together.

このように基板90、90が互いに近接された後、図5及び図6に示すように、3個の紫外線光源124が、基板90上の3個所に形成された仮接合部材96に紫外線を照射する。この結果、仮接合部材96が硬化して、基板90、90が位置合わせされた状態で、互いに相対移動不能に仮接合される。この状態においても、異なる基板90、90に形成された電極パッド98、98同士は離間している。   After the substrates 90 and 90 are brought close to each other in this way, as shown in FIGS. 5 and 6, the three ultraviolet light sources 124 irradiate the temporary bonding members 96 formed at three locations on the substrate 90 with ultraviolet rays. To do. As a result, the temporary bonding member 96 is cured and temporarily bonded so that the substrates 90 and 90 are aligned with each other so as not to move relative to each other. Even in this state, the electrode pads 98 and 98 formed on the different substrates 90 and 90 are separated from each other.

図7は、収容室55及び加熱加圧装置56の全体構成を説明する正面図である。図7に示すように、収容室55は、基板90を搬入及び搬出するための開口部142を開閉するシャッタ144を備える。   FIG. 7 is a front view illustrating the entire configuration of the storage chamber 55 and the heating and pressurizing device 56. As shown in FIG. 7, the storage chamber 55 includes a shutter 144 that opens and closes an opening 142 for loading and unloading the substrate 90.

加熱加圧装置56は、固定台150と、下加熱部152と、昇降部154と、上加熱部156と、鉛直顕微鏡158と、水平顕微鏡160とを備える。   The heating and pressing apparatus 56 includes a fixed base 150, a lower heating unit 152, an elevating unit 154, an upper heating unit 156, a vertical microscope 158, and a horizontal microscope 160.

固定台150は、収容室55の床に固定されている。下加熱部152は、固定台150の上面に固定されている。下加熱部152は、基板90を真空吸着する。下加熱部152は、電熱線等を有する。これにより、下加熱部152は、基板90を下側から加熱する。   The fixed base 150 is fixed to the floor of the storage chamber 55. The lower heating unit 152 is fixed to the upper surface of the fixed base 150. The lower heating unit 152 vacuum-sucks the substrate 90. The lower heating unit 152 includes a heating wire or the like. As a result, the lower heating unit 152 heats the substrate 90 from below.

昇降部154は、収容室55の天井に固定されている。昇降部154は、上加熱部156を支持するとともに、上加熱部156を昇降させる。これにより、昇降部154は、上加熱部156を介して、基板90、90を加圧する。上加熱部156は、電熱線等によって、基板90を上側から加熱する。   The elevating part 154 is fixed to the ceiling of the accommodation chamber 55. The elevating unit 154 supports the upper heating unit 156 and moves the upper heating unit 156 up and down. Thereby, the elevating unit 154 pressurizes the substrates 90 and 90 via the upper heating unit 156. The upper heating unit 156 heats the substrate 90 from above with a heating wire or the like.

鉛直顕微鏡158は、上加熱部156に形成された観察穴157を介して、赤外線等の基板90を透過可能な光によって、2枚の基板90、90のアライメントマークを観察する。これにより、2枚の基板90、90のアライメントマークに基づいて、一方の基板90に対する他方の基板90の位置ずれが検出される。水平顕微鏡160は、基板90を側面から観察する。これにより、基板90の撓み及びうねり等が検出される。   The vertical microscope 158 observes the alignment marks of the two substrates 90 and 90 with light that can pass through the substrate 90 such as infrared rays through the observation hole 157 formed in the upper heating unit 156. Thereby, based on the alignment marks of the two substrates 90, 90, a positional deviation of the other substrate 90 with respect to one substrate 90 is detected. The horizontal microscope 160 observes the substrate 90 from the side. Thereby, the bending and the swell of the substrate 90 are detected.

図8は、基板貼り合わせ方法の一工程である加熱加圧装置56による基板90、90の本接合を説明する図である。図9は、本接合された電極パッド98と仮接合部材96の状態を説明する図である。   FIG. 8 is a diagram illustrating the main bonding of the substrates 90 and 90 by the heating and pressurizing device 56, which is one step of the substrate bonding method. FIG. 9 is a diagram for explaining the state of the electrode pad 98 and the temporary bonding member 96 that are finally bonded.

図7に示すように、アライナ28によって位置合わせ及び仮接合された基板90、90が、加熱加圧装置56の下加熱部152の上面に載置される。この状態で、鉛直顕微鏡158及び水平顕微鏡160によって、位置ずれ、変形等の基板90、90の異常を検出する。基板90、90の異常が検出された場合、基板90、90を搬出してもよい。これにより、本接合前の基板90、90を再利用できる。   As shown in FIG. 7, the substrates 90 and 90 that are aligned and temporarily joined by the aligner 28 are placed on the upper surface of the lower heating unit 152 of the heating and pressing device 56. In this state, the vertical microscope 158 and the horizontal microscope 160 detect abnormalities of the substrates 90 and 90 such as displacement and deformation. When abnormality of the substrates 90 and 90 is detected, the substrates 90 and 90 may be carried out. Thereby, the board | substrates 90 and 90 before this joining can be reused.

次に、図8に示すように、下加熱部152及び上加熱部156による加熱が開始するとともに、昇降部154が、上加熱部156を下方へと移動させる。この後、上加熱部156の下面が、基板90の上面に接触する。この状態から昇降部154は、更に、上加熱部156を介して、基板90、90を加圧する。これにより、図9に示すように、仮接合部材96が圧縮されて、下側の基板90の電極パッド98と上側の基板90の電極パッド98とが接触する。下加熱部152及び上加熱部156による加熱によって電極パッド98、98が結合可能な温度まで昇温されると、その後、温度がその結合温度に保たれるとともに、基板90、90の加圧の圧力も維持される。これにより、電極パッド98、98が本結合されて、基板90、90のそれぞれに形成された素子が電極パッド98、98を介して電気的に接続される。尚、加熱が不要の場合は、省略してもよい。この結果、基板90、90が結合されて、重ね合わせ基板92が完成する。この後、重ね合わせ基板92は、ロボットアーム54、30、24によって、基板カセット20へと搬出される。尚、重ね合わせ基板92が外部に搬出された後、仮接合部材96を洗浄または吹き飛ばし等によって除去してから、スクライブライン99に沿って素子単位に分割してもよい。   Next, as shown in FIG. 8, heating by the lower heating unit 152 and the upper heating unit 156 starts, and the elevating unit 154 moves the upper heating unit 156 downward. Thereafter, the lower surface of the upper heating unit 156 contacts the upper surface of the substrate 90. From this state, the elevating unit 154 further pressurizes the substrates 90 and 90 via the upper heating unit 156. As a result, as shown in FIG. 9, the temporary bonding member 96 is compressed, and the electrode pads 98 of the lower substrate 90 and the electrode pads 98 of the upper substrate 90 come into contact with each other. When the temperature of the electrode pads 98 and 98 is increased to a temperature at which the electrode pads 98 and 98 can be bonded by heating by the lower heating unit 152 and the upper heating unit 156, the temperature is thereafter maintained at the bonding temperature and the pressure of the substrates 90 and 90 is increased. Pressure is also maintained. As a result, the electrode pads 98 and 98 are joined together, and the elements formed on the substrates 90 and 90 are electrically connected via the electrode pads 98 and 98. If heating is not necessary, it may be omitted. As a result, the substrates 90 and 90 are joined to complete the superimposed substrate 92. Thereafter, the superimposed substrate 92 is carried out to the substrate cassette 20 by the robot arms 54, 30, and 24. It should be noted that after the superposed substrate 92 is carried out to the outside, the temporary joining member 96 may be removed by cleaning or blowing off and then divided into element units along the scribe line 99.

上述したように、本実施形態の基板貼り合わせ方法では、位置合わせされた基板90と基板90とを仮接合部材96によって仮接合した後、加熱加圧装置56へと搬送する。これにより、搬送中の基板90と基板90との位置ずれを抑制できる。更に、仮接合部材96が、基板90と基板90の対向面に設けられ、外部に露出してないので、外力の影響を受けにくい。この結果、基板90同士の位置ずれをより抑制できる。   As described above, in the substrate bonding method of the present embodiment, the aligned substrate 90 and the substrate 90 are temporarily bonded by the temporary bonding member 96 and then conveyed to the heating and pressing device 56. Thereby, the position shift of the board | substrate 90 and the board | substrate 90 in conveyance can be suppressed. Furthermore, since the temporary bonding member 96 is provided on the opposing surface of the substrate 90 and the substrate 90 and is not exposed to the outside, it is not easily affected by external force. As a result, the positional deviation between the substrates 90 can be further suppressed.

上述の基板貼り合わせ方法では、仮接合部材96を部分的に設けるとともに、仮接合部材96の接合面積を、本接合される電極パッド98の接合面積に比べて小さくしている。また、仮接合部材96の接合力を電極パッド98の接合力よりも小さくしている。これにより、本接合の後、仮接合部材96を容易に除去することができる。   In the above-described substrate bonding method, the temporary bonding member 96 is partially provided, and the bonding area of the temporary bonding member 96 is made smaller than the bonding area of the electrode pad 98 to be permanently bonded. Further, the bonding force of the temporary bonding member 96 is made smaller than the bonding force of the electrode pad 98. Thereby, the temporary joining member 96 can be easily removed after this joining.

上述の基板貼り合わせ方法では、仮接合部材96をスクライブライン99上に設けている。これにより、仮接合部材96のために使用できない基板90の領域を低減することができる。   In the substrate bonding method described above, the temporary bonding member 96 is provided on the scribe line 99. Thereby, the area | region of the board | substrate 90 which cannot be used for the temporary joining member 96 can be reduced.

上述の基板貼り合わせ方法では、加熱加圧装置56において、加熱及び加圧により本接合する前に、仮接合された基板90、90の位置ずれ及び変形を観察する。これにより、基板90、90の位置ずれ等の異常が検出された場合、本接合することなく基板90を取り出すことによって、当該基板90を再利用することができる。   In the above-described substrate bonding method, the positional displacement and deformation of the temporarily bonded substrates 90 and 90 are observed in the heating and pressing device 56 before the main bonding by heating and pressing. Thereby, when an abnormality such as a positional deviation of the substrates 90 and 90 is detected, the substrate 90 can be reused by taking out the substrate 90 without performing the main bonding.

次に、上述した実施形態の一部を変更した実施形態について説明する。   Next, an embodiment in which a part of the above-described embodiment is changed will be described.

図10は、仮接合部材96の個数を変形した実施形態の平面図である。図10に示すように、仮接合部材96は、3個以上、例えば、11個設けてもよい。ここで、紫外線光源124が、3個しか配置されていない場合、アライナ28の回転駆動部が、鉛直方向に沿った回転軸の周りに基板90を回転させればよい。これより、3個の紫外線光源124が、仮接合部材96の11個所に紫外線を順次照射することができる。また、基板90の中心に仮接合部材96を設けてもよい。これらの仮接合部材96の個数及び配置は一例であって、適宜変更してよい。   FIG. 10 is a plan view of an embodiment in which the number of temporary joining members 96 is modified. As shown in FIG. 10, the number of temporary joining members 96 may be three or more, for example, eleven. Here, when only three ultraviolet light sources 124 are arranged, the rotation driving unit of the aligner 28 may rotate the substrate 90 around the rotation axis along the vertical direction. Thus, the three ultraviolet light sources 124 can sequentially irradiate 11 portions of the temporary bonding member 96 with ultraviolet rays. Further, a temporary bonding member 96 may be provided at the center of the substrate 90. The number and arrangement of these temporary joining members 96 are merely examples, and may be changed as appropriate.

図11は、仮接合部材96の樹脂材料を全面に塗布した実施形態の平面図である。図12は、図11の実施形態の一部の縦断面図である。図11に示すように、紫外線硬化樹脂等の樹脂材料97を基板90と基板90との間の略全面に塗布してもよい。この後、樹脂材料97の一部に紫外線を照射することにより、照射された領域を仮接合部材96として適用してよい。また、樹脂材料97の全面に紫外線を照射して、全面を仮接合部材96としてもよい。この場合、図12に示すように、樹脂材料97の厚みは、電極パッド98、98の高さの和よりも厚い方が好ましい。これにより、仮接合された基板90の電極パッド98と基板90の電極パッド98とが接続されること抑制できる。尚、樹脂材料97の全面に紫外線を照射して、基板90の略全面を仮接合してもよい。   FIG. 11 is a plan view of an embodiment in which the resin material of the temporary bonding member 96 is applied to the entire surface. FIG. 12 is a partial longitudinal sectional view of the embodiment of FIG. As shown in FIG. 11, a resin material 97 such as an ultraviolet curable resin may be applied to substantially the entire surface between the substrates 90. Thereafter, the irradiated region may be applied as the temporary bonding member 96 by irradiating a part of the resin material 97 with ultraviolet rays. Alternatively, the entire surface of the resin material 97 may be irradiated with ultraviolet rays, and the entire surface may be used as the temporary bonding member 96. In this case, as shown in FIG. 12, the resin material 97 is preferably thicker than the sum of the heights of the electrode pads 98 and 98. Thereby, it can suppress that the electrode pad 98 of the board | substrate 90 and the electrode pad 98 of the board | substrate 90 which were temporarily joined are connected. Alternatively, the entire surface of the resin material 97 may be irradiated with ultraviolet rays, and the substantially entire surface of the substrate 90 may be temporarily bonded.

図13は、仮接合部材96の配置を変更した実施形態の一部の平面図である。図13に示すように、仮接合部材96の個数が、本接合した状態での電極パッド98、98同士の接合力が高い領域に比べて、接合強度が低い領域の方が、多い。例えば、電極パッド98の密度の多い領域よりも密度の少ない領域に配置される仮接合部材96の個数を多くしてもよい。換言すれば、電極パッド98から遠い領域は近い領域に比べて、電極パッド98の個数を多くしてもよい。これにより、本接合した後、外力等により基板90、90同士が離間することを抑制できる。また、基板90が、撓みなどによって変形して、基板90と基板90との間の距離が異なる場合、当該距離に合わせて仮接合部材96を配置してもよい。例えば、基板90と基板90との距離が大きい領域は、小さい領域に比べて、仮接合部材96を多く配置することが好ましい。これにより、当該距離が大きく、基板90、90同士が離間しやすい領域の仮接合の強度を向上させることができる。この結果、仮接合後の、基板90、90同士の離間を抑制できる。   FIG. 13 is a plan view of a part of the embodiment in which the arrangement of the temporary joining member 96 is changed. As shown in FIG. 13, the number of the temporary bonding members 96 is higher in the region where the bonding strength is lower than in the region where the bonding force between the electrode pads 98 and 98 is high in the state where the main bonding members 96 are bonded. For example, the number of temporary bonding members 96 disposed in a region with a lower density than that in a region with a high density of electrode pads 98 may be increased. In other words, the number of the electrode pads 98 may be increased in a region far from the electrode pad 98 compared to a close region. Thereby, after main joining, it can control that substrates 90 and 90 separate by external force etc. Moreover, when the board | substrate 90 deform | transforms by bending etc. and the distance between the board | substrate 90 and the board | substrate 90 differs, you may arrange | position the temporary joining member 96 according to the said distance. For example, in a region where the distance between the substrate 90 and the substrate 90 is large, it is preferable to dispose a larger number of temporary bonding members 96 than in a small region. Thereby, the intensity | strength of temporary joining of the area | region where the said distance is large and the board | substrates 90 and 90 are easy to space apart can be improved. As a result, the separation between the substrates 90 and 90 after temporary bonding can be suppressed.

図14は、仮接合部材96を側面に形成した実施形態の縦断面図である。図14に示すように、仮接合部材96を基板90、90の対向する面に形成するとともに、基板90の側面に形成してもよい。これにより、紫外線光源124が、仮接合部材96に容易に光を照射することができる。また、基板90の側面を覆うことによって、基板90、90の水平方向の位置ずれをより効率よく抑制できる。   FIG. 14 is a longitudinal sectional view of an embodiment in which the temporary joining member 96 is formed on the side surface. As shown in FIG. 14, the temporary joining member 96 may be formed on the opposing surfaces of the substrates 90 and 90 and may be formed on the side surfaces of the substrate 90. Thereby, the ultraviolet light source 124 can easily irradiate the temporary joining member 96 with light. Further, by covering the side surface of the substrate 90, the horizontal displacement of the substrates 90, 90 can be more efficiently suppressed.

図15は、仮接合部材の形状を変更した実施形態の縦断面図である。図15に示すように、一方の仮接合部材296の接合側の端部に鋭角凸部280を設けてもよい。鋭角凸部280の先端部は、鋭角に形成されている。これにより、一方の仮接合部材296が他方の仮接合部材297に突き刺さった状態で、仮接合部材296、297同士が仮接合される。尚、一方の仮接合部材296は、他方の仮接合部材297と同じ材料、または、他方の仮接合部材297よりも硬い材料によって構成することが好ましい。更には、仮接合部材296、297同士を、プラズマまたは原子ビーム等によって、常温または低温で接合可能な材料で構成すること好ましい。仮接合部材296、297を構成する材料の一例は、金属である。   FIG. 15 is a longitudinal sectional view of an embodiment in which the shape of the temporary joining member is changed. As shown in FIG. 15, an acute-angle convex portion 280 may be provided at the end portion on the joining side of one temporary joining member 296. The tip of the acute angle convex part 280 is formed at an acute angle. Accordingly, the temporary bonding members 296 and 297 are temporarily bonded to each other in a state where the one temporary bonding member 296 is stuck into the other temporary bonding member 297. One temporary joining member 296 is preferably made of the same material as the other temporary joining member 297 or a material harder than the other temporary joining member 297. Furthermore, it is preferable that the temporary bonding members 296 and 297 are made of a material that can be bonded at a normal temperature or a low temperature by plasma or an atomic beam. An example of the material constituting the temporary joining members 296 and 297 is metal.

図16は、仮接合部材の形状を変更した実施形態の縦断面図である。図16に示すように、一方の仮接合部材396、397の先端には、被ガイド部に一例であるテーパ状に突出したテーパ凸部380が形成されている。他方の仮接合部材397の先端には、ガイド部の一例であるテーパ状に窪んだテーパ凹部382が形成されている。これにより、基板90、90同士が近接すると、テーパ凹部382が、テーパ凸部380をガイドする。この結果、基板90、90同士の位置決めが、容易にできる。この実施形態では、プラズマまたは原子ビーム等によって、常温または低温で接合可能な材料で構成すること好ましい。一例として、仮接合部材396、397の両方を金属によって構成してもよい。また、他の例として、仮接合部材396、397の一方をシリコン、仮接合部材396、397の他方をシリコン酸化膜、または、その逆に構成してもよい。   FIG. 16 is a longitudinal sectional view of an embodiment in which the shape of the temporary joining member is changed. As shown in FIG. 16, at one end of one temporary joining member 396, 397, a tapered convex portion 380 that protrudes in a tapered shape, which is an example of a guided portion, is formed. At the tip of the other temporary joining member 397, a tapered concave portion 382 that is an example of a guide portion and is recessed in a tapered shape is formed. Accordingly, when the substrates 90 and 90 are close to each other, the tapered concave portion 382 guides the tapered convex portion 380. As a result, the substrates 90 and 90 can be easily positioned. In this embodiment, it is preferable to use a material that can be bonded at normal temperature or low temperature by plasma or atomic beam. As an example, both the temporary joining members 396 and 397 may be made of metal. As another example, one of the temporary bonding members 396 and 397 may be formed of silicon, and the other of the temporary bonding members 396 and 397 may be formed of a silicon oxide film, or vice versa.

図17は、仮接合部材の形状を変更した実施形態の縦断面図である。図17に示すように、一方の仮接合部材496の先端には、部分的に突出した凸部480が形成されている。他方の仮接合部材497の先端には、凸部480と同形状の凹部482が形成されている。これにより、凸部480を凹部482に嵌合することにより、基板90、90同士を位置決めすることができる。また、位置決め後の、凸部480と凹部482の嵌め合いにより、水平方向の位置ずれを抑制できる。   FIG. 17 is a longitudinal sectional view of an embodiment in which the shape of the temporary joining member is changed. As shown in FIG. 17, a protruding portion 480 that partially protrudes is formed at the tip of one temporary joining member 496. A concave portion 482 having the same shape as the convex portion 480 is formed at the tip of the other temporary joining member 497. Thereby, the board | substrates 90 and 90 can be positioned by fitting the convex part 480 to the recessed part 482. FIG. In addition, the positional displacement in the horizontal direction can be suppressed by fitting the convex portion 480 and the concave portion 482 after positioning.

図18は、仮接合部材の接合方法を変更した実施形態の縦断面図である。図18に示すように、アライナ28の下ステージ518には、貫通穴513が形成されている。振動部材の一例である振動子572が、貫通穴513に挿入される。振動子572の先端は、基板90の下面に接触している。振動子572は、超音波モータまたは圧電素子等によって、水平方向に超音波振動する。振動子572は、基板90を介して、超音波振動を下側の仮接合部材596に付与する。これにより、当該仮接合部材596が、水平方向に超音波振動するので、摩擦熱が仮接合部材596と仮接合部材596との間に生じて、仮接合部材596、596が加熱される。ここで、仮接合部材596を低融点材料または熱硬化性樹脂等によって構成することにより、仮接合部材596、596同士が、仮接合される。尚、仮接合部材596の融点は、電極パッド98の融点よりも低いことが好ましい。振動子572は、図18に実線で示す位置と一点鎖線で示す位置の間を振動する。基板90の面方向において、振動子572の振幅の2倍の幅W1は、仮接合部材596の同方向の幅W2よりも小さいことが好ましい。これにより、振動する一方の仮接合部材596が、他方の仮接合部材596から離間することを抑制できる。尚、振動子572を鉛直方向に振動させてもよい。   FIG. 18 is a longitudinal cross-sectional view of an embodiment in which the method of joining the temporary joining members is changed. As shown in FIG. 18, a through hole 513 is formed in the lower stage 518 of the aligner 28. A vibrator 572 which is an example of a vibration member is inserted into the through hole 513. The tip of the vibrator 572 is in contact with the lower surface of the substrate 90. The vibrator 572 is ultrasonically vibrated in the horizontal direction by an ultrasonic motor or a piezoelectric element. The vibrator 572 applies ultrasonic vibration to the lower temporary bonding member 596 via the substrate 90. Thereby, since the temporary joining member 596 is ultrasonically vibrated in the horizontal direction, frictional heat is generated between the temporary joining member 596 and the temporary joining member 596, and the temporary joining members 596, 596 are heated. Here, the temporary bonding members 596 and 596 are temporarily bonded together by configuring the temporary bonding member 596 with a low melting point material or a thermosetting resin. The melting point of the temporary bonding member 596 is preferably lower than the melting point of the electrode pad 98. The vibrator 572 vibrates between a position indicated by a solid line and a position indicated by a one-dot chain line in FIG. In the surface direction of the substrate 90, the width W 1 that is twice the amplitude of the vibrator 572 is preferably smaller than the width W 2 in the same direction of the temporary bonding member 596. Thereby, it can suppress that one temporary joining member 596 to vibrate separates from the other temporary joining member 596. Note that the vibrator 572 may be vibrated in the vertical direction.

図19は、仮接合部材の接合方法を変更した実施形態の縦断面図である。図19に示すように、下ステージ118の周縁部には、磁場発生源624が設けられている。磁場発生源624には、交流電流が供給される。これにより、磁場発生源624は、基板90の側面から磁場を発生させる。これにより、渦電流が、素子形成領域の外に配され、導電性材料を含む仮接合部材696に流れる。この結果、仮接合部材696、696は、ジュール熱により誘導加熱されて、接合される。仮接合部材696は、低融点の金属によって構成することが好ましく、特に、電極パッド98を構成する材料よりも低融点であることが好ましい。また、磁場発生源624が、発生する磁場は高周波であることが好ましい。これにより、周縁部の仮接合部材696を効率よく加熱しつつ、内側の電極パッド98の加熱を抑制できる。   FIG. 19 is a longitudinal sectional view of an embodiment in which the joining method of the temporary joining members is changed. As shown in FIG. 19, a magnetic field generation source 624 is provided at the peripheral edge of the lower stage 118. An alternating current is supplied to the magnetic field generation source 624. As a result, the magnetic field generation source 624 generates a magnetic field from the side surface of the substrate 90. Thereby, the eddy current is arranged outside the element formation region and flows to the temporary bonding member 696 including the conductive material. As a result, the temporary joining members 696 and 696 are joined by induction heating by Joule heat. The temporary bonding member 696 is preferably made of a low melting point metal, and particularly preferably has a lower melting point than the material constituting the electrode pad 98. The magnetic field generated by the magnetic field generation source 624 is preferably a high frequency. Thereby, heating of the inner electrode pad 98 can be suppressed while efficiently heating the temporary bonding member 696 at the peripheral portion.

次に、3枚の基板を貼り合せる場合の基板貼り合わせ方法について説明する。図20は、仮接合部材を変更した実施形態の下層の基板の平面図である。図21は、仮接合部材を変更した実施形態の中層の基板の平面図である。図22は、仮接合部材を変更した実施形態の上層の基板の平面図である。   Next, a method for bonding substrates when three substrates are bonded will be described. FIG. 20 is a plan view of a lower layer substrate according to the embodiment in which the temporary bonding member is changed. FIG. 21 is a plan view of a middle-layer substrate according to an embodiment in which the temporary bonding member is changed. FIG. 22 is a plan view of the upper substrate of the embodiment in which the temporary bonding member is changed.

図20に示すように、下層の基板789の外周には、外側へ延びる3個の下仮接合部材795が設けられている。下仮接合部材795は、基板789の外周から外側に突出している。3個の下仮接合部材795は、基板789の中心の周りに120°間隔で配置されている。   As shown in FIG. 20, three lower temporary joining members 795 extending outward are provided on the outer periphery of the lower substrate 789. The lower temporary joining member 795 protrudes outward from the outer periphery of the substrate 789. Three lower provisional bonding members 795 are arranged around the center of the substrate 789 at intervals of 120 °.

図21に示すように、中層の基板790の外周には、外側へ延びる6個の中仮接合部材796が設けられている。6個の中仮接合部材796は、基板790の中心の周りに60°間隔で配置されている。3個の中仮接合部材796は、平面視において、下仮接合部材795と同じ位置に配置されている。残りの中仮接合部材796は、平面視において、下仮接合部材795と異なる位置に配置されている。   As shown in FIG. 21, six intermediate provisional joining members 796 extending outward are provided on the outer periphery of the middle-layer substrate 790. The six intermediate provisional joining members 796 are arranged around the center of the substrate 790 at intervals of 60 °. The three middle temporary joining members 796 are disposed at the same position as the lower temporary joining member 795 in plan view. The remaining middle temporary joining member 796 is arranged at a position different from the lower temporary joining member 795 in plan view.

図22に示すように、上層の基板791の外周には、外側へ延びる3個の上仮接合部材797が設けられている。3個の上仮接合部材797は、基板791の周りに120°間隔で配置されている。3個の上仮接合部材797は、下仮接合部材795とは異なる位置に配置された3個の中仮接合部材796と同じ位置に配置されている。換言すれば、上仮接合部材797は、下仮接合部材795とは異なる位置に配置されている。   As shown in FIG. 22, three upper temporary joining members 797 extending outward are provided on the outer periphery of the upper substrate 791. Three upper temporary joining members 797 are arranged around the substrate 791 at intervals of 120 °. The three upper provisional joining members 797 are arranged at the same positions as the three middle provisional joining members 796 arranged at positions different from the lower provisional joining member 795. In other words, the upper temporary bonding member 797 is disposed at a position different from the lower temporary bonding member 795.

図23は、下の2枚の基板789、790が位置合わせされて仮接合された状態の縦断面図である。図24は、上層の基板791が、先に仮接合された2枚の基板789、790に仮接合された状態の縦断面図である。尚、図23及び図24は、図21に示すA−A線の個所の断面図である。   FIG. 23 is a longitudinal sectional view showing a state in which the two lower substrates 789 and 790 are aligned and temporarily joined. FIG. 24 is a longitudinal sectional view showing a state in which the upper substrate 791 is temporarily bonded to the two substrates 789 and 790 that have been temporarily bonded. 23 and 24 are cross-sectional views taken along the line AA shown in FIG.

まず、図23に示すように、下の2枚の基板789、790が、アライナ28の固定ステージ部36及び移動ステージ部38によって、位置合わせされて積層されると、3個の中仮接合部材796が3個の下仮接合部材795と重なる。この状態で、中仮接合部材796が、下仮接合部材795と接合される。これにより、2枚の基板789、790が、仮接合される。尚、下仮接合部材795と中仮接合部材796との接合は、プラズマまたは原子ビーム等による表面活性化後に、常温接合してもよく、その他の接合方法によって接合してもよい。基板789、790は、加熱加圧装置56に搬送されて、基板789、790に形成された電極パッド782と電極パッド784とが本接合される。この後、基板789、790は、基板貼り合わせ装置10から取り出されて、基板790の上面に電極パッド784及び素子が形成される。   First, as shown in FIG. 23, when the two lower substrates 789 and 790 are aligned and stacked by the fixed stage portion 36 and the moving stage portion 38 of the aligner 28, three intermediate provisional joining members are provided. 796 overlaps the three lower temporary joining members 795. In this state, the intermediate temporary bonding member 796 is bonded to the lower temporary bonding member 795. As a result, the two substrates 789 and 790 are temporarily joined. In addition, the lower temporary bonding member 795 and the intermediate temporary bonding member 796 may be bonded at room temperature after surface activation by plasma or atomic beam, or may be bonded by other bonding methods. The substrates 789 and 790 are conveyed to the heating and pressurizing device 56, and the electrode pads 782 and the electrode pads 784 formed on the substrates 789 and 790 are finally joined. Thereafter, the substrates 789 and 790 are taken out from the substrate bonding apparatus 10, and electrode pads 784 and elements are formed on the upper surface of the substrate 790.

次に、図24に示すように、上層の基板791が、固定ステージ部36及び移動ステージ部38によって、基板789、790に対して位置合わせされて積層されると、仮接合されていない残りの3個の中仮接合部材796が3個の上仮接合部材797と重なる。この状態で、中仮接合部材796が、上仮接合部材797と接合される。これにより、上層の基板791が、下の2枚の基板789、790に仮接合される。尚、接合方法は、下の2枚の仮接合方法と同様である。基板789、790、791は、加熱加圧装置56に搬送されて、基板790、791に形成された電極パッド784と電極パッド786とが本接合されて、3層の重ね合わせ基板792となる。重ね合わせ基板792は、基板貼り合わせ装置10から搬出されて、下仮接合部材795、中仮接合部材796、上仮接合部材797が除去される。尚、4層以上の基板を貼り合わせる場合、上述の工程を繰り返せばよい。   Next, as shown in FIG. 24, when the upper layer substrate 791 is aligned and stacked with respect to the substrates 789 and 790 by the fixed stage unit 36 and the moving stage unit 38, the remaining portions that are not temporarily joined are stacked. The three middle temporary joining members 796 overlap the three upper temporary joining members 797. In this state, the intermediate temporary bonding member 796 is bonded to the upper temporary bonding member 797. As a result, the upper substrate 791 is temporarily joined to the lower two substrates 789 and 790. The bonding method is the same as the two temporary bonding methods below. The substrates 789, 790, and 791 are conveyed to the heating and pressurizing device 56, and the electrode pads 784 and electrode pads 786 formed on the substrates 790 and 791 are finally bonded to form a three-layer overlapping substrate 792. The superimposed substrate 792 is unloaded from the substrate bonding apparatus 10, and the lower temporary bonding member 795, the middle temporary bonding member 796, and the upper temporary bonding member 797 are removed. In addition, what is necessary is just to repeat the above-mentioned process, when bonding a 4 or more-layer board | substrate.

上述した仮接合部材を構成する材料は、一例であって、適宜変更してよい。例えば、2液の樹脂を混合することによる硬化する接着剤によって、仮接合部材を構成してもよい。この場合、2液の一方の液体を一方の基板の仮接合部材として塗布し、2液の他方の液体を他方の基板の仮接合部材として塗布する。そして、アライナによって仮接合部材同士を接触させることにより、2液を混合させて硬化すればよい。   The material which comprises the temporary joining member mentioned above is an example, Comprising: You may change suitably. For example, you may comprise a temporary joining member with the adhesive agent hardened | cured by mixing resin of 2 liquids. In this case, one of the two liquids is applied as a temporary bonding member for one substrate, and the other liquid of the two liquids is applied as a temporary bonding member for the other substrate. And what is necessary is just to mix and harden two liquids by making temporary joining members contact with an aligner.

上述した仮接合部材を構成する樹脂材料として、紫外線硬化樹脂を適用したが、他の樹脂を適用してもよい。例えば、仮接合部材を赤外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等によって構成してもよい。赤外線硬化樹脂を採用する場合、赤外線を透過可能な基板の場合、赤外線を鉛直方向から当該樹脂に照射してもよい。これにより、特定の領域の樹脂のみを硬化させることができる。   Although the ultraviolet curable resin is applied as the resin material constituting the temporary bonding member described above, other resins may be applied. For example, the temporary joining member may be made of an infrared curable resin, a thermosetting resin, or the like. When an infrared curable resin is used, in the case of a substrate that can transmit infrared rays, the resin may be irradiated with infrared rays from the vertical direction. Thereby, only the resin of a specific area | region can be hardened.

上述した実施形態では、仮接合部材を部分的に設ける場合、基板の対向する面の両方に仮接合部材を配置したが、一方の基板に仮接合部材を配置してもよい。   In the above-described embodiment, when the temporary bonding member is partially provided, the temporary bonding member is disposed on both opposing surfaces of the substrate. However, the temporary bonding member may be disposed on one substrate.

上述した実施形態では、素子等が形成された基板を貼り合せる例を示したが、基板に素子が形成されていなくてもよい。   In the above-described embodiment, an example in which a substrate on which an element or the like is formed is bonded is shown, but an element may not be formed on the substrate.

また、仮接合部材の接合強度は、本接合の接合強度よりも高くてもよい。仮接合部材を導体にしてもよく、この場合、仮接合部材と素子と離間させて絶縁することが好ましい。   Further, the bonding strength of the temporary bonding member may be higher than the bonding strength of the main bonding. The temporary bonding member may be a conductor. In this case, it is preferable to insulate the temporary bonding member and the element from each other.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。   The order of execution of each process such as operations, procedures, steps, and stages in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the description, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.

10 基板貼り合わせ装置、 12 筐体、 14 常温部、 16 高温部、 18 制御部、 20 基板カセット、 24 ロボットアーム、 26 プリアライナ、 28 アライナ、 30 ロボットアーム、 34 枠体、 36 固定ステージ部、 38 移動ステージ部、 40 シャッタ、 42 シャッタ、 46 断熱壁、 48 エアロック室、 50 シャッタ、 52 シャッタ、 54 ロボットアーム、 55 収容室、 56 加熱加圧装置、 90 基板、 92 重ね合わせ基板、 94 アライメントマーク、 96 仮接合部材、 97 樹脂材料、 98 電極パッド、 99 スクライブライン、 102 底板、 104 天板、 106 側壁、 110 X方向駆動部、 111 Xガイドレール、 112 Y方向駆動部、 114 Z方向駆動部、 115 球面座、 116 揺動駆動部、 118 下ステージ、 120 下顕微鏡、 122 下反射鏡、 124 紫外線光源、 130 ロードセル、 132 上ステージ、 134 上反射鏡、 136 上顕微鏡、 142 開口部、 144 シャッタ、 150 固定台、 152 下加熱部、 154 昇降部、 156 上加熱部、 157 観察穴、 158 鉛直顕微鏡、 160 水平顕微鏡、 280 鋭角凸部、 296 仮接合部材、 297 仮接合部材、 380 テーパ凸部、 382 テーパ凹部、 396 仮接合部材、 397 仮接合部材、 480 凸部、 482 凹部、 496 仮接合部材、 497 仮接合部材、 518 下ステージ、 513 貫通穴、 572 振動子、 596 仮接合部材、 624 磁場発生源、 696 仮接合部材、 782 電極パッド、 784 電極パッド、 786 電極パッド、 789 基板、 790 基板、 791 基板、 792 重ね合わせ基板、 795 下仮接合部材、 796 中仮接合部材、 797 上仮接合部材   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate bonding apparatus, 12 Housing | casing, 14 Normal temperature part, 16 High temperature part, 18 Control part, 20 Substrate cassette, 24 Robot arm, 26 Pre-aligner, 28 Aligner, 30 Robot arm, 34 Frame body, 36 Fixed stage part, 38 Moving stage section, 40 shutter, 42 shutter, 46 heat insulation wall, 48 air lock chamber, 50 shutter, 52 shutter, 54 robot arm, 55 storage chamber, 56 heating and pressurizing device, 90 substrate, 92 overlapping substrate, 94 alignment mark 96 Temporary bonding member, 97 Resin material, 98 Electrode pad, 99 Scribe line, 102 Bottom plate, 104 Top plate, 106 side Wall, 110 X direction drive unit, 111 X guide rail, 112 Y direction drive unit, 114 Z direction drive unit, 115 spherical seat, 116 swing drive unit, 118 lower stage, 120 lower microscope, 122 lower reflector, 124 ultraviolet Light source, 130 load cell, 132 upper stage, 134 upper reflecting mirror, 136 upper microscope, 142 opening, 144 shutter, 150 fixed base, 152 lower heating part, 154 lifting / lowering part, 156 upper heating part, 157 observation hole, 158 vertical microscope , 160 horizontal microscope, 280 acute angle convex part, 296 temporary joint member, 297 temporary joint member, 380 taper convex part, 382 taper concave part, 396 temporary joint member, 397 Bonding member, 480 convex portion, 482 concave portion, 496 temporary bonding member, 497 temporary bonding member, 518 lower stage, 513 through-hole, 572 vibrator, 596 temporary bonding member, 624 magnetic field generation source, 696 temporary bonding member, 782 electrode pad , 784 electrode pad, 786 electrode pad, 789 substrate, 790 substrate, 791 substrate, 792 superimposed substrate, 795 lower temporary bonding member, 796 middle temporary bonding member, 797 upper temporary bonding member

Claims (26)

仮接合部において、複数の基板を重ね合わせて複数の対向面および側面の少なくとも一方の一部を仮接合部材によって接合する仮接合段階と、
前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を、本接合部へ搬送する搬送段階と、
前記本接合部において、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を本接合部材によって本接合する本接合段階と
を備える基板貼り合せ方法。
In the temporary bonding portion, a temporary bonding step of overlapping a plurality of substrates and bonding a part of at least one of the plurality of facing surfaces and side surfaces by a temporary bonding member;
A conveying step of conveying the plurality of substrates temporarily bonded in the temporary bonding step to a main bonding portion;
A substrate bonding method comprising: a main bonding step in which the plurality of substrates temporarily bonded in the temporary bonding step are main bonded by a main bonding member in the main bonding portion.
前記仮接合部材と前記本接合部材は、異なる接合材料を含む
請求項1に記載の基板貼り合せ方法。
The substrate bonding method according to claim 1, wherein the temporary bonding member and the main bonding member include different bonding materials.
前記仮接合段階では、
少なくとも一方の基板上に離間して配された複数の仮接合部材によって接合される
請求項1または2に記載の基板貼り合せ方法。
In the temporary joining step,
The substrate bonding method according to claim 1, wherein the substrates are bonded together by a plurality of temporary bonding members that are spaced apart from each other on at least one substrate.
前記仮接合段階での接合強度は、前記本接合段階での接合強度よりも低い
請求項1から3のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
The substrate bonding method according to claim 1, wherein a bonding strength in the temporary bonding stage is lower than a bonding strength in the main bonding stage.
前記仮接合段階では、前記基板に形成された素子と絶縁された前記仮接合部材によって、前記複数の基板を仮接合するとともに、
前記本接合段階では、一の基板に形成された素子と他の基板に形成された素子とを電気的に接続する前記本接合部材によって本接合する
請求項1から4のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
In the temporary bonding step, the plurality of substrates are temporarily bonded by the temporary bonding member insulated from the elements formed on the substrate,
5. The main bonding step according to claim 1, wherein the main bonding is performed by the main bonding member that electrically connects an element formed on one substrate and an element formed on another substrate. Substrate bonding method.
前記仮接合部材は、複数であって、
複数の仮接合部材の個数は、前記本接合部材の接合強度の高い領域に比べて、前記本接合部材の接合強度の低い領域の方が多い
請求項1から5のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
The temporary joining members are plural,
6. The number of the plurality of temporary joining members according to any one of claims 1 to 5, wherein the number of the regions where the joining strength of the main joining member is low is larger than the region where the joining strength of the main joining member is high. Substrate bonding method.
前記仮接合段階において、前記仮接合部材が接合された状態では、本接合段階で互いに接合される前記本接合部材は離間している
請求項1から6のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
The substrate bonding according to any one of claims 1 to 6, wherein in the temporary bonding stage, in the state where the temporary bonding members are bonded, the main bonding members bonded to each other in the main bonding stage are separated from each other. Method.
前記仮接合部材は複数であって、
複数の仮接合部材は、前記複数の基板間の距離に合わせて配置される
請求項1から7のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
The temporary joining member is plural,
The substrate bonding method according to claim 1, wherein the plurality of temporary bonding members are arranged according to a distance between the plurality of substrates.
前記仮接合部材は、前記本接合部材よりも融点が低い
請求項1から8のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
The substrate bonding method according to claim 1, wherein the temporary bonding member has a melting point lower than that of the main bonding member.
前記仮接合部材は、前記本接合部材よりも柔らかい
請求項1から9のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
The substrate bonding method according to claim 1, wherein the temporary bonding member is softer than the main bonding member.
前記仮接合部材は、前記本接合部材よりも接合面積が小さい
請求項1から10のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
The substrate bonding method according to claim 1, wherein the temporary bonding member has a bonding area smaller than that of the main bonding member.
前記仮接合部材は、一の基板に形成された被ガイド部を有する仮接合部材と、他の基板に形成され、前記被ガイド部をガイドするガイド部を有する仮接合部材とを含む
請求項1から11のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
The temporary joining member includes a temporary joining member having a guided portion formed on one substrate, and a temporary joining member having a guide portion formed on another substrate and guiding the guided portion. The substrate bonding method according to any one of 11 to 11.
一の基板に形成された仮接合部材は、他の基板に形成された仮接合部材と嵌合する
請求項1から12のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
The board | substrate bonding method of any one of Claim 1 to 12 with which the temporary joining member formed in one board | substrate fits with the temporary joining member formed in the other board | substrate.
前記仮接合段階では、
前記複数の基板間に設けられた光硬化樹脂に、前記複数の基板の側面から硬化用の光を照射して、前記光硬化樹脂を硬化させることにより、前記複数の基板を仮接合する
請求項1から13のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
In the temporary joining step,
The light curing resin provided between the plurality of substrates is irradiated with curing light from a side surface of the plurality of substrates to cure the photocurable resin, thereby temporarily joining the plurality of substrates. 14. The substrate bonding method according to any one of 1 to 13.
前記光硬化樹脂は、前記複数の基板の全面に設けられる
請求項14に記載の基板貼り合せ方法。
The substrate bonding method according to claim 14, wherein the photocurable resin is provided on the entire surface of the plurality of substrates.
前記硬化用の光を前記光硬化樹脂の一部に照射して、前記光硬化樹脂を硬化させる
請求項15に記載の基板貼り合せ方法。
The substrate bonding method according to claim 15, wherein the photocurable resin is cured by irradiating a part of the photocurable resin with the curing light.
前記仮接合段階では、
振動部材によって前記仮接合部材に超音波振動を付与して、前記複数の基板を仮接合する
請求項1から13のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
In the temporary joining step,
The substrate bonding method according to claim 1, wherein ultrasonic vibration is applied to the temporary bonding member by a vibration member to temporarily bond the plurality of substrates.
前記基板の面方向において、前記超音波振動の振幅の2倍は、前記仮接合部材の幅よりも小さい
請求項17に記載の基板貼り合せ方法。
The substrate bonding method according to claim 17, wherein in the surface direction of the substrate, twice the amplitude of the ultrasonic vibration is smaller than the width of the temporary bonding member.
前記仮接合段階では、
導電性材料を含む前記仮接合部材を加熱して、前記複数の基板を仮接合する
請求項1から13のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
In the temporary joining step,
The substrate bonding method according to claim 1, wherein the temporary bonding member including a conductive material is heated to temporarily bond the plurality of substrates.
前記仮接合部材を磁場発生源から発生した磁場により誘導加熱する
請求項19に記載の基板貼り合せ方法。
The substrate bonding method according to claim 19, wherein the temporary bonding member is induction-heated by a magnetic field generated from a magnetic field generation source.
前記仮接合部材は、前記基板の素子形成領域の外側に配され、
前記磁場発生源は、前記基板の側面から前記仮接合部材に磁場を付与する
請求項20に記載の基板貼り合せ方法。
The temporary bonding member is disposed outside an element formation region of the substrate,
The substrate bonding method according to claim 20, wherein the magnetic field generation source applies a magnetic field to the temporary bonding member from a side surface of the substrate.
前記仮接合段階では、
各基板から外側に延びる仮接合部材を介して、前記複数の基板を仮接合する
請求項1から13のいずれか1項に記載の基板貼り合せ方法。
In the temporary joining step,
The substrate bonding method according to claim 1, wherein the plurality of substrates are temporarily bonded through temporary bonding members extending outward from the respective substrates.
前記複数の基板は、第1基板、第2基板及び第3基板を含み
平面視において、前記第1基板と前記第2基板とを仮接合する第1仮接合部材と、前記第2基板と前記第3基板とを仮接合する第2仮接合部材とが異なる位置に配置されている
請求項22に記載の基板貼り合せ方法。
The plurality of substrates includes a first substrate, a second substrate, and a third substrate, and in plan view, a first temporary bonding member that temporarily bonds the first substrate and the second substrate, the second substrate, and the second substrate The substrate bonding method according to claim 22, wherein the second temporary bonding member that temporarily bonds the third substrate is disposed at a different position.
前記仮接合部材を前記基板に設ける仮接合部材設置段階を有する請求項1から23のいずれか一項に記載の基板貼り合わせ方法。   The board | substrate bonding method as described in any one of Claim 1 to 23 which has a temporary joining member installation step which provides the said temporary joining member in the said board | substrate. 前記複数の基板を位置合わせする位置合わせ段階を有し、
前記仮接合部材設置段階は、前記位置合わせ段階の前に実施される請求項24に記載の基板貼り合わせ方法。
An alignment step of aligning the plurality of substrates;
The substrate bonding method according to claim 24, wherein the provisional bonding member installation step is performed before the alignment step.
前記本接合部材を前記基板に設ける本接合部材設置段階を有し、
前記仮接合部材設置段階は、前記本接合部材設置段階の後に実施される請求項24または25に記載の基板貼り合わせ方法。
A main bonding member installation step of providing the main bonding member on the substrate;
The substrate bonding method according to claim 24 or 25, wherein the temporary bonding member installation step is performed after the main bonding member installation step.
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